JPS61250934A - Inner resistor of cathode-ray tube - Google Patents

Inner resistor of cathode-ray tube

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JPS61250934A
JPS61250934A JP9190485A JP9190485A JPS61250934A JP S61250934 A JPS61250934 A JP S61250934A JP 9190485 A JP9190485 A JP 9190485A JP 9190485 A JP9190485 A JP 9190485A JP S61250934 A JPS61250934 A JP S61250934A
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JP
Japan
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resistor
ceramic substrate
ray tube
electrode terminal
voltage
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JP9190485A
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Japanese (ja)
Inventor
Tsunenari Saito
恒成 斎藤
Kazuyuki Oota
太田 一幸
Yoshiro Ishikawa
芳朗 石川
Shinobu Mihashi
三橋 忍
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To prevent variation of resistance due to adhesion of evaporated metal by providing a resistor layer on one face of ceramic substrate then covering with non-porous first insulation film while providing non-porous second insulation film on the other face of the substrate. CONSTITUTION:A high voltage electrode terminal 2, a convergence electrode terminal 3 and an earth electrode terminal 4 are arranged on the surface 1a of a ceramic substrate 1 then a voltage dividing resistor layer 5 composed of resistor layers 5a-5c in zigzag pattern is arranged between them. The upper face of said layer 5 is covered with non-porous insulation film 6 composed of lead glass paste. Insulation film 20 composed of lead glass paste is provided at the necessary position on the rear face 1b to form an inner resistor to be assembled in the cathode-ray tube together with an electron gun structure. Consequently, the vapored metal to be produced through the inter-electrode discharge will adhere onto the insulation film 20 thus to eliminate influence onto the voltage division resistor layer 5.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明を以下の順序で説明する。[Detailed description of the invention] The present invention will be explained in the following order.

A 産業上の利用分野 B 発明の概要 C従来の技術 D 発明が解決しようとする問題点 E 問題点を解決するための手段 F作用 G 実施例 c−i  第1の実施例(第1図、第2図)G−2第2
の実施例(第3図) G−3第3の実施例(第4図) G−4比較試験結果 G−5付帯的作用効果(第5図) H発明の効果 A 産業上の利用分野 本発明は、カラー陰極線管等の管体内に、電子銃構体と
共に組込まれる内蔵抵抗器に関する。
A. Field of industrial application B. Overview of the invention C. Prior art D. Problem to be solved by the invention E. Means for solving the problem F. Effect G. Example c-i First example (Fig. 1, Figure 2) G-2 2nd
Example (Figure 3) G-3 Third Example (Figure 4) G-4 Comparative test results G-5 Additional effects (Figure 5) Effects of the invention A Industrial application field book The present invention relates to a built-in resistor that is incorporated together with an electron gun assembly into a tube such as a color cathode ray tube.

B 発明の概要 本発明は、陰極線管の管体内に電子銃構体と共に組み込
まれ、陰極線管の陽極電圧を分圧して得られる電圧を電
子銃構体に供給する、セラミック基板を備えた陰極線管
の内蔵抵抗器において、セラミック基板上に形成される
抵抗体層を被覆する非多孔質の絶縁被膜に加えて、セラ
ミック基板の、抵抗体層が形成される第1の面及び第1
の面に対向する第2の面のうちの少なくとも一方に、非
多孔質の付加絶縁被膜を被着することにより、陰極線管
の実働時に、電子銃構体の電極間の放電あるいは連続的
な放出電子の流れの発生等に起因して生じてセラミック
基板に付着する蒸発金属の抵抗体層への浸透が防止され
、抵抗体層の抵抗値変化が抑制されるようにしたもので
ある。
B. Summary of the Invention The present invention provides a built-in cathode ray tube equipped with a ceramic substrate that is incorporated together with an electron gun assembly into the tube body of the cathode ray tube and supplies the electron gun assembly with a voltage obtained by dividing the anode voltage of the cathode ray tube. In a resistor, in addition to a non-porous insulating film that covers a resistor layer formed on a ceramic substrate, a first surface of the ceramic substrate on which a resistor layer is formed and a first
By depositing a non-porous additional insulating coating on at least one of the second surfaces facing the surface of This prevents evaporated metal, which is caused by the generation of a flow of water and adheres to the ceramic substrate, from penetrating into the resistor layer, thereby suppressing changes in the resistance value of the resistor layer.

C従来の技術 従来、カラーテレビジョン受像機に用いられるカラー陰
極線管等において、陽極電圧以外に、例えば、コンバー
ジェンス電極やフォーカス電極等に供給される高電圧が
必要とされるものがある。
C. Prior Art Conventionally, in color cathode ray tubes and the like used in color television receivers, in addition to the anode voltage, high voltages are required to be supplied to, for example, convergence electrodes and focus electrodes.

斯かる場合、管体内に電子銃構体と共に分圧用の抵抗器
を内蔵抵抗器として組込み、これによって陽極電圧を分
圧して夫々の高電圧を得るようにすることが提案されて
おり、このように使用される従来の内蔵抵抗器の一例と
して、第6図及び第7図に示される如くのものが知られ
ている。
In such a case, it has been proposed to incorporate a resistor for voltage division into the tube together with the electron gun structure as a built-in resistor, thereby dividing the anode voltage to obtain the respective high voltages. As an example of the conventional built-in resistor used, those shown in FIGS. 6 and 7 are known.

第6図は、外表部を形成する絶縁被膜上から透視した状
態の従来の内蔵抵抗器7を示し、第7図は、この従来の
内蔵抵抗器7の全体の側面を示す。
FIG. 6 shows the conventional built-in resistor 7 seen through from above the insulating coating forming the outer surface, and FIG. 7 shows the entire side view of the conventional built-in resistor 7.

この第6図及び第7図に示される内蔵抵抗器7において
は、セラミック基板1上に、導電層が被着されて形成さ
れた端子部、即ち、高電圧が供給される高圧電極端子2
.コンバージェンス電極用の高電圧、即ち、コンバージ
ェンス電圧が得られるコンバージェンス電極端子(以下
、CV電極端子という)3及びアース電極端子4が設け
られ、また、CV電極端子3とアース電極端子4との間
には所要の抵抗値を有するジグザグ状パターンとされた
抵抗体層5aが、高圧電極端子2とCV電極端子3との
間には同じく所要の抵抗値を有する抵抗体層5bが、さ
らに、抵抗体層5a及び5bとCV電極端子3の間に微
調整用抵抗体層5cが、夫々被着されて、分圧抵抗体層
5が形成されている。そして、第6図の斜線部分には、
分圧抵抗体層5を覆って、鉛ガラス等からなる絶縁被膜
6が施されている。尚、微調整用抵抗体層5cは、内蔵
抵抗器7の製造工程においてその一部を削除することに
より、各端子間の抵抗体H5a及び5bの抵抗値を調整
することができるにょうに設けられている。
In the built-in resistor 7 shown in FIGS. 6 and 7, a terminal portion is formed by depositing a conductive layer on a ceramic substrate 1, that is, a high voltage electrode terminal 2 to which a high voltage is supplied.
.. A convergence electrode terminal (hereinafter referred to as CV electrode terminal) 3 and a ground electrode terminal 4 from which a high voltage for the convergence electrode, that is, a convergence voltage can be obtained, and a ground electrode terminal 4 are provided, and between the CV electrode terminal 3 and the ground electrode terminal 4, , a resistor layer 5a having a zigzag pattern having a required resistance value, a resistor layer 5b having the same required resistance value between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3; A resistor layer 5c for fine adjustment is deposited between the layers 5a and 5b and the CV electrode terminal 3, respectively, to form a voltage dividing resistor layer 5. And in the shaded area in Figure 6,
An insulating coating 6 made of lead glass or the like is applied to cover the voltage dividing resistor layer 5. The fine adjustment resistor layer 5c is provided so that the resistance value of the resistors H5a and 5b between each terminal can be adjusted by removing a part of it in the manufacturing process of the built-in resistor 7. ing.

斯かる構成を有する内蔵抵抗器7がカラー陰極線管に組
込まれた状態を、第8図に示す。ここで、管体8のネッ
ク部りa内に電子銃構体9が配置されており、この電子
銃構体9は、3個のカソードKに対して共通に第1グリ
ッド電極Gl、第2グリッド電極G2.第3グリッド電
極G3.第4グリツド電極G4及び第5グリツド電極G
5が順次同軸上に配列されて形成されている。そして、
第5グリツド電極G5の後段には、コンバージェンス手
段10が配置されている。各電極G1.G2゜G3.G
4.G5、及びコンバージェンス手段10は、相互に所
定の位置関係を保持して、ビープインクカラス11によ
って機械的に連結されており、第3グリツド電極G3と
第5グリツド電極G5とは、導線13によって、電気的
に接続されている。また、コンバージェンス手段1oは
、導電板14を介して第5グリツド電極G5に電気的に
接続されて、相対向する内側偏向電極板10a及び10
bと、その外側にqれら電極板10a及び10bと対向
して配置される外側偏向電極板1゜C゛及び10dとを
有して形成されている。
FIG. 8 shows a state in which the built-in resistor 7 having such a configuration is incorporated into a color cathode ray tube. Here, an electron gun assembly 9 is disposed within the neck portion a of the tube body 8, and this electron gun assembly 9 has a first grid electrode Gl and a second grid electrode in common for the three cathodes K. G2. Third grid electrode G3. Fourth grid electrode G4 and fifth grid electrode G
5 are sequentially arranged on the same axis. and,
Convergence means 10 is arranged downstream of the fifth grid electrode G5. Each electrode G1. G2゜G3. G
4. G5 and the convergence means 10 are mechanically connected by a beep ink crow 11 while maintaining a predetermined positional relationship with each other, and the third grid electrode G3 and the fifth grid electrode G5 are connected to each other by a conductive wire 13. electrically connected. Further, the convergence means 1o is electrically connected to the fifth grid electrode G5 via the conductive plate 14, and the inner deflection electrode plates 10a and 10 facing each other are electrically connected to the fifth grid electrode G5 via the conductive plate 14.
b, and outer deflection electrode plates 1°C and 10d disposed on the outside facing the electrode plates 10a and 10b.

このような電子銃構体9に対して、第6図及び第7図に
示される如くの内蔵抵抗器7が取り付けられており、こ
の内蔵抵抗器7の高圧電極端子2が第5グリツド電極G
5に導電性取付は片12を介して連結されている。管体
8のファンネル部8bの内壁には、ネック部8aの内壁
にまで伸びるグラファイト導電膜15が被着されており
、ファンネル部8bに設けられた高圧供給ボタン、即ち
、陽極ボタン(図示しない)を通して陽極電圧が供給さ
れる。そして、導電板14には、導電スプリング16が
設けられていて、この導電スプリング16がグラファイ
ト導電H15に接触することにより、第5グリッド電極
05.第3グリッド電極G3.コンバージェンス手段1
0の内側偏向電極板10a及び10b、及び、内蔵抵抗
器7の高圧電極端子2に陽極電圧が供給される。
A built-in resistor 7 as shown in FIGS. 6 and 7 is attached to such an electron gun assembly 9, and the high voltage electrode terminal 2 of this built-in resistor 7 is connected to the fifth grid electrode G.
5 and the electrically conductive attachment is connected via a piece 12. A graphite conductive film 15 extending to the inner wall of the neck portion 8a is adhered to the inner wall of the funnel portion 8b of the tube body 8, and a high-pressure supply button, that is, an anode button (not shown) provided on the funnel portion 8b. Anode voltage is supplied through. The conductive plate 14 is provided with a conductive spring 16, and when the conductive spring 16 comes into contact with the graphite conductive H15, the fifth grid electrode 05. Third grid electrode G3. Convergence means 1
An anode voltage is supplied to the inner deflection electrode plates 10a and 10b of 0 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor 7.

内蔵抵抗器7のCV@極端子3は、導電性取付は片17
を介してコンバージェンス手段10の外側偏向電極板1
0c及び10dに連結され、陽極電圧が抵抗体層5a及
び5bにより分圧されてCV電極端子3に得られるコン
バージェンス電圧が、外側偏向電極板10c及び10d
に供給される。
CV@pole terminal 3 of built-in resistor 7 is conductive mounted on piece 17
The outer deflection electrode plate 1 of the convergence means 10 via
0c and 10d, and the convergence voltage obtained at the CV electrode terminal 3 by dividing the anode voltage by the resistor layers 5a and 5b is connected to the outer deflection electrode plates 10c and 10d.
supplied to

また、内蔵抵抗器7のアース電極端子4が、管体8のネ
ック蔀83の基部におけるステム18に貫通埋設された
アース電極端子ピン19に連結され、直接もしくは調整
用外付は抵抗を介して接地される。
Further, the ground electrode terminal 4 of the built-in resistor 7 is connected to a ground electrode terminal pin 19 embedded through the stem 18 at the base of the neck lip 83 of the tube body 8, and the ground electrode terminal 4 is connected directly or via an external adjustment resistor. Grounded.

このようにして、カラー陰極線管の管体8内に電子銃構
体9と共に組み込まれる内蔵抵抗器7にあっては、カラ
ー陰極線管の実働時において、C■電極端子3を通じて
コンバージェンス手段10の外側偏向電極板10C及び
10dに供給されるコンバージェンス電圧を所定の電圧
値を有した安定なものとすべく、分圧抵抗体層5の抵抗
体層5a及び5bの夫々の抵抗値変化が最小限に抑制さ
れることが望まれる。
In this way, the built-in resistor 7, which is incorporated together with the electron gun assembly 9 in the tube body 8 of the color cathode ray tube, controls the external deflection of the convergence means 10 through the C electrode terminal 3 during the actual operation of the color cathode ray tube. In order to make the convergence voltage supplied to the electrode plates 10C and 10d stable and have a predetermined voltage value, changes in the resistance values of the resistor layers 5a and 5b of the voltage dividing resistor layer 5 are minimized. It is hoped that this will be done.

D 発明が解決しようとする問題点 上述の如くにして、第6図及び第7図に示される如くに
構成され、第8図に示される如くにカラー陰極線管の管
体8のネック部りa内に電子銃構体9に取り付けられて
組み込まれる内蔵抵抗器7は、カラー陰極線管の管体8
内において、そのセラミック基板1が電子銃構体9の各
グリッド電極に対向配置されるものとされる。そして、
カラー陰極線管の管体8内における内蔵抵抗器7は、カ
ラー陰極線管の実働時において、電子銃構体9の各グリ
ラド電極間において発生する放電、あるいは、ストレー
と称される低圧電極側から高圧電極側への連続的な放出
電子の流れ等に起因して各グリッド電極を形成するステ
ンレス等の金属材料が寒発して生じる蒸発金属(鉄、ニ
ッケル、クロム序)が、セラミック基板1の絶縁液1l
I6で覆われCいない面、即ち、分圧抵抗体層5が形成
されてハる面に対向する面に付着するものとされる。こ
つようにして内蔵抵抗器7のセラミック基板1の一方の
表面に付着した金属は、セラミック基板1す(多孔性を
有するが故に、セラミック基板1の内裏に浸透してセラ
ミック基板lの他方の面に到達し、その上に形成された
分圧抵抗体層5に混入するものとなり、その結果、内M
抵抗器7は、その分圧抵抗体層5の抵抗値に変化がもた
らされることになってしまうという問題を生じる。
D Problems to be Solved by the Invention As described above, the neck portion a of the tube body 8 of a color cathode ray tube constructed as shown in FIGS. 6 and 7 and as shown in FIG. The built-in resistor 7 installed and incorporated in the electron gun structure 9 is connected to the tube body 8 of the color cathode ray tube.
Inside, the ceramic substrate 1 is arranged to face each grid electrode of the electron gun assembly 9. and,
The built-in resistor 7 in the tube body 8 of the color cathode ray tube is connected to the discharge that occurs between the grid electrodes of the electron gun assembly 9, or from the low voltage electrode side to the high voltage electrode, which is called a stray, during actual operation of the color cathode ray tube. Evaporated metals (iron, nickel, chromium) generated when the metal material such as stainless steel that forms each grid electrode is cooled due to the continuous flow of emitted electrons to the side, etc.
It is assumed that it is attached to the surface covered with I6 and without C, that is, the surface opposite to the surface on which the voltage dividing resistor layer 5 is formed. The metal adhered to one surface of the ceramic substrate 1 of the built-in resistor 7 in this way penetrates into the inner surface of the ceramic substrate 1 (because it is porous) and penetrates into the other surface of the ceramic substrate 1. reaches the partial voltage resistor layer 5 formed thereon, and as a result, the inner M
The problem with the resistor 7 is that it causes a change in the resistance value of the voltage-dividing resistor layer 5 .

斯かる点に鑑み、本発明は、セラミック基板上こ所定の
パターンを有する抵抗体層が形成されるとともにこの抵
抗体層が絶縁被膜で覆われる構成を有して、陰極線管の
管体内に電子銃構体と共に組み込まれるものとされ、し
かも、陰極線管の実働時において、電子銃構体の各電極
間において発生する放電、あるいは、ストレー等に起因
する電子銃構体の各電極等からの蒸発金属の付着が生じ
ても、セラミック基板上に形成される抵抗体層の抵抗値
変化が効果的に抑制されるようになされた、陰極線管の
内蔵抵抗器を提供することを目的とする。
In view of these points, the present invention has a structure in which a resistor layer having a predetermined pattern is formed on a ceramic substrate and this resistor layer is covered with an insulating film, so that electrons can be transferred into the body of a cathode ray tube. It is assumed that the cathode ray tube is installed together with the gun assembly, and when the cathode ray tube is in actual operation, the discharge generated between the electrodes of the electron gun assembly, or the adhesion of evaporated metal from each electrode of the electron gun assembly due to stray etc. An object of the present invention is to provide a built-in resistor for a cathode ray tube, which can effectively suppress a change in the resistance value of a resistor layer formed on a ceramic substrate even when the above occurs.

E 問題点を解決するための手段 上述の目的を達成すべく、本発明に係る陰極線管の内蔵
抵抗器は、セラミック基板と、このセラミック基板の対
向面のうちの少なくとも一方に被着された非多孔質の第
1の絶縁被膜と、セラミック基板の対向面のうちの一方
もしくは他方あるいは第1の絶縁被膜上に配された複数
の電極端子の間に所定のパターンを有して形成された抵
抗体層と、セラミック基板に対して抵抗体層を被覆すべ
く配された非多孔質の第2の絶縁被膜とを備えて構成さ
れる。
E. Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention includes a ceramic substrate and a non-conductive material adhered to at least one of the opposing surfaces of the ceramic substrate. A resistor formed in a predetermined pattern between a porous first insulating film and a plurality of electrode terminals arranged on one or the other of the facing surfaces of the ceramic substrate or on the first insulating film. and a non-porous second insulating coating disposed on a ceramic substrate to cover the resistor layer.

F作用 上述の如くに構成された本発明に係る陰極線管の内蔵抵
抗器にあっては、陰極線管に電子銃構体と共に組み込ま
れて用いられ、陰極線管の実働時に、電子銃構体の各電
極間において発生する放電あるいはストレー等に起因す
る電子銃構体の各電極等からの蒸発金属の付着が生じる
場合、セラミック基板の対向面のうちの少なくとも一方
に被着された非多孔質の第1の絶縁被膜が、セラミック
基板に対して抵抗体層を被覆すべく配された非多孔質の
第2の絶縁被膜とともに、付着した金属のセラミック基
板の内部を抵抗体層に向かう浸透、あるいは、セラミッ
ク基板からその上に形成された抵抗体層への混入を防止
する役割を果たす。
The built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention configured as described above is used by being incorporated into the cathode ray tube together with the electron gun assembly, and when the cathode ray tube is in operation, the resistor between the electrodes of the electron gun assembly is If evaporated metal is deposited from each electrode of the electron gun assembly due to discharge or stray generated in the The coating, together with a non-porous second insulating coating disposed on the ceramic substrate to cover the resistor layer, allows the deposited metal to penetrate inside the ceramic substrate towards the resistor layer or from the ceramic substrate. It plays a role in preventing contamination into the resistor layer formed thereon.

このため、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器は、陰極
線管6と電子銃構体と共に組み込まれて用いられるに際
し、電子銃構体の各電極間において発生する放電あるい
はストレー等に起因する電子銃構体の各電極等からの蒸
発金属の付着が生じても、斯かる付着金属の抵抗体層へ
の混入を阻止し、その結果、抵抗体層の抵抗値の変化を
最小限に抑えることができるものとなる。
For this reason, when the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention is incorporated and used together with the cathode ray tube 6 and the electron gun assembly, it is possible to prevent the electron gun assembly from being damaged due to discharge or stray occurring between the electrodes of the electron gun assembly. Even if evaporated metal adheres from each electrode, etc., it can prevent the adhering metal from entering the resistor layer, and as a result, it can minimize changes in the resistance value of the resistor layer. becomes.

G 実施例 G−1第1の実施例(第1図、第2図)第1図は、本発
明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例の裏面を示し、第
2図は、第1図におけるn−ngに従う断面を示す。こ
の例は、第6図及び第7図に示される内蔵抵抗器7と同
様の構成とされた部分を有するものとされており、第1
図及び第2図において第6図及び第7図に示される各部
に対応する部分は、第6図及び第7図と共通の符号が付
されて示されており、それらについての詳細説明は省略
される。
G Example G-1 First Example (Figures 1 and 2) Figure 1 shows the back side of an example of the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention, and Figure 2 shows the back side of an example of the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention. A cross section according to n-ng is shown in FIG. This example has a part configured similarly to the built-in resistor 7 shown in FIGS. 6 and 7, and the first
In FIGS. 6 and 7, parts corresponding to those shown in FIGS. 6 and 7 are designated by the same reference numerals as in FIGS. 6 and 7, and detailed explanations thereof will be omitted. be done.

第1図及び第2図に示される例において、セラミック基
板1は、例えば、98パーセント・アルミナ板とされて
おり、その対向面の一方である面la上に高圧電極端子
2とCV電極端子3とアース電極端子4とが設けられ、
さらに、CV電極端子3とアース電極端子4との間には
所要の抵抗値を有するジグザグ状パターンとされた抵抗
体層5aが、高圧電極端子2とCV電極端子3との間に
は同じく所要の抵抗値を有する抵抗体層5bが。
In the example shown in FIGS. 1 and 2, the ceramic substrate 1 is, for example, a 98% alumina plate, and a high-voltage electrode terminal 2 and a CV electrode terminal 3 are disposed on one of the opposing surfaces la. and a ground electrode terminal 4,
Further, between the CV electrode terminal 3 and the earth electrode terminal 4, a resistor layer 5a formed in a zigzag pattern having a required resistance value is provided, and between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3, a resistor layer 5a is provided as required. The resistor layer 5b has a resistance value of .

また、抵抗体層5a及び5bとCV電極端子3の間に微
調整用抵抗体層5cが夫々配されて分圧抵抗体層5が形
成されている。斯かるセラミック基板1の面la側には
、分圧抵抗体層5を覆い、高圧電極端子2とCV電極端
子3とアース電極端子4を露出させる絶縁被膜6が設け
られており、この絶縁被膜6は、例えば、鉛ガラスペー
ストが焼成されて形成されて非多孔質層とされている。
Further, fine adjustment resistor layers 5c are arranged between the resistor layers 5a and 5b and the CV electrode terminal 3, respectively, to form a voltage dividing resistor layer 5. An insulating coating 6 is provided on the surface la side of the ceramic substrate 1, which covers the voltage dividing resistor layer 5 and exposes the high voltage electrode terminal 2, the CV electrode terminal 3, and the earth electrode terminal 4. 6 is a non-porous layer formed by firing lead glass paste, for example.

このようにして、この例に係る内蔵抵抗器の表面側が構
成されている。
In this way, the front side of the built-in resistor according to this example is configured.

そして、この例に係る内蔵抵抗器の裏面側においては、
セラミック基板1の分圧抵抗体層5が形成された面’1
 aに対向する面1bに絶縁被膜2゜が被着されている
。この絶縁被膜2oは、面1aに設けられた絶縁被膜6
と同様に、例えば、鉛ガラスペーストが焼成されて形成
された非多孔質層により構成されている。斯かる非多孔
質層の形成過程において、この非多孔質層を形成する鉛
ガラスペースト等の素材は、多孔質性を有するセラミ 
 。
And on the back side of the built-in resistor according to this example,
Surface '1 of ceramic substrate 1 on which voltage dividing resistor layer 5 is formed
An insulating coating 2° is applied to the surface 1b opposite to a. This insulating coating 2o is an insulating coating 6 provided on the surface 1a.
Similarly, it is composed of a non-porous layer formed by firing lead glass paste, for example. In the process of forming such a non-porous layer, the material such as lead glass paste that forms this non-porous layer is a porous ceramic material.
.

ツク基板lの内部に面1bから浸透し、セラミック基板
1に斯かる部分の多孔質性を失わせるように作用するも
のとされるのが望ましい。また、この例では、絶縁被膜
2oの面1bに対する被着領域は、例えば、面la上に
配された抵抗体層5aのジグザグ状パターンが拡がる範
囲に対応するようにされ、斯かる領域は、この例に係る
内蔵抵抗器が、第8図に示される如、くのカラー陰極線
管の管体8のネック部りa内の電子銃構体9に対して、
上述の内蔵抵抗器7と同様にして取り付けられた場合、
第1グリツド電極G1に対応する位置がら第5グリツド
電極G5の中間部に対応する位置までを含むものとなる
It is preferable that the ceramic substrate 1 penetrates into the interior of the ceramic substrate 1 from the surface 1b and acts so as to cause the ceramic substrate 1 to lose its porosity in that area. Further, in this example, the area to which the insulating coating 2o is adhered to the surface 1b corresponds to, for example, the range in which the zigzag pattern of the resistor layer 5a disposed on the surface la extends, and such area is The built-in resistor according to this example, as shown in FIG.
When installed in the same manner as the built-in resistor 7 described above,
This includes the position from the position corresponding to the first grid electrode G1 to the position corresponding to the middle part of the fifth grid electrode G5.

斯かる構成を有するものとされた第1図及び第2図に示
される内蔵抵抗器は、例えば、第8図に示される如くの
カラー陰極線管の管体8のネック部りa内の電子銃構体
9に、上述の内蔵抵抗器7の場合と同様の配置及び接続
関係をもって取り付けられて、セラミック基板l上に形
成された分圧抵抗体層5を覆う絶縁被膜6がネック部8
aの内壁面に対向するようにされてカラー陰極線管の管
体8に組み込まれ、カラー陰極線管の実働時において、
内蔵抵抗器7の場合と同様に、高圧電極端子2に供給さ
れる陽極電圧を分圧抵抗体層5で分圧して得られるコン
バージェンス電圧を、C■電極端子3通じてコンバージ
ェンス手段10の外側偏向電極’[10c及び10dに
供給するものとされる。
The built-in resistor shown in FIGS. 1 and 2 having such a configuration can be used, for example, in an electron gun in the neck part a of the tube body 8 of a color cathode ray tube as shown in FIG. An insulating coating 6 is attached to the structure 9 with the same arrangement and connection relationship as the built-in resistor 7 described above, and covers the voltage dividing resistor layer 5 formed on the ceramic substrate l.
It is assembled into the tube body 8 of the color cathode ray tube so as to face the inner wall surface of the tube a, and when the color cathode ray tube is in operation,
As in the case of the built-in resistor 7, the convergence voltage obtained by dividing the anode voltage supplied to the high voltage electrode terminal 2 by the voltage dividing resistor layer 5 is deflected to the outside of the convergence means 10 through the C electrode terminal 3. It shall be supplied to the electrodes '[10c and 10d.

このように、第1図及び第2図に示される内蔵抵抗器が
第8図に示されるカラー陰極線管の管体8のネック部り
a内に電子銃構体9に取り付けられて組み込まれた場合
には、その裏面側、即ち、そのセラミック基It1i1
の面lb側が電子銃構体9の各グリッド電極に対向配置
されるものとされる。
In this way, when the built-in resistor shown in FIGS. 1 and 2 is installed and incorporated in the electron gun assembly 9 within the neck portion a of the tube body 8 of the color cathode ray tube shown in FIG. , its back side, that is, its ceramic base It1i1
The surface lb side of the electron gun assembly 9 is arranged to face each grid electrode of the electron gun assembly 9.

このため、カラー陰極線管の実働時において、電子銃構
体9の各グリッド電極間において発生する放電、あるい
は、ストレーに起因して各グリッド電極を形成するステ
ンレス等の金属材料が蒸発して生じる蒸発金属(鉄、ニ
ッケル、クロム等)が、セラミック基板1の面lb側に
付着するものとされる。斯かる場合、電子銃構体9の各
グリッド電極からの蒸発金属の付着は、第1グリツド電
極G1に対応する位置から第5グリツド電極G5の中間
部に対応する位置までの範囲、即ち、セラミック基板1
の面1bにおける絶縁被膜20が被着された領域におい
て生じ、他の部分では殆ど生じない。
For this reason, during actual operation of the color cathode ray tube, evaporated metal is generated when the metal material such as stainless steel forming each grid electrode evaporates due to discharge or stray that occurs between each grid electrode of the electron gun assembly 9. (iron, nickel, chromium, etc.) is assumed to adhere to the surface lb side of the ceramic substrate 1. In such a case, the deposition of evaporated metal from each grid electrode of the electron gun assembly 9 is limited to the area from the position corresponding to the first grid electrode G1 to the position corresponding to the middle part of the fifth grid electrode G5, that is, to the ceramic substrate. 1
It occurs in the area where the insulating coating 20 is deposited on the surface 1b, and hardly occurs in other parts.

従って、セラミック基板1の面lb側における蒸発金属
の付着は、絶縁被膜20の表面になされることになる。
Therefore, the evaporated metal is deposited on the surface 1b of the ceramic substrate 1 on the surface of the insulating coating 20.

そしてこの場合、絶縁被膜20は、絶縁被膜6と同様に
、非多孔質層とされているので、その表面に付着した金
属はその内部に浸透することができない。即ち、セラミ
ック基板1の面lb側に付着した金属は、絶縁被膜20
により、セラミック基板lの内部への浸透が阻止される
ことになり、従って、セラミック基板1の面la側に形
成された分圧抵抗体層5への到達が防止される。このた
め、セラミック基板10面lb側に蒸発金属の付着が住
じても、それに起因する分圧抵抗体層5の抵抗値変化は
殆ど生じない。
In this case, like the insulating coating 6, the insulating coating 20 is a non-porous layer, so the metal attached to its surface cannot penetrate into its interior. That is, the metal attached to the surface lb side of the ceramic substrate 1 is removed from the insulating coating 20.
As a result, penetration into the interior of the ceramic substrate 1 is prevented, and therefore, reaching the voltage dividing resistor layer 5 formed on the side 1a of the ceramic substrate 1 is prevented. Therefore, even if evaporated metal is deposited on the lb side of the ceramic substrate 10, the resistance value of the voltage dividing resistor layer 5 hardly changes due to this.

なお、セラミック基板1の面1bに絶縁被膜20が設け
られるにあたり、上述の例とは異なり、絶縁被膜20が
面1bの略全面に亙るようにされてもよく、絶縁被膜2
0を、上述の例の如くに面1bの選択された領域に設け
るか、面1bの略全面に設けるかは、それによる効果や
製造上の利点等が勘案されて任意に選択されればよい。
Note that when the insulating coating 20 is provided on the surface 1b of the ceramic substrate 1, unlike the above-mentioned example, the insulating coating 20 may be made to cover substantially the entire surface 1b, and the insulating coating 20 may be provided on the surface 1b of the ceramic substrate 1.
Whether 0 is provided in a selected area of the surface 1b as in the above example or provided on substantially the entire surface of the surface 1b may be arbitrarily selected by taking into consideration the effects and advantages in manufacturing. .

G−2第2の実施例(第3図) 第3図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の他の例
を、第2図に示される断面に相当する断面をもって示す
。この第3図において第2図に示される各部に対応する
部分は、第2図と共通の符号が付されて示されており、
それらについての重複説明は省略される。
G-2 Second Embodiment (FIG. 3) FIG. 3 shows another example of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, with a cross section corresponding to the cross section shown in FIG. 2. In FIG. 3, parts corresponding to those shown in FIG. 2 are designated with the same reference numerals as in FIG.
Duplicate explanations about them will be omitted.

この例においては、上述の第1図及び第2図に示される
例における絶縁被膜20に代えて、斯かる絶縁被膜20
に相当する絶縁波W#30が、セラミック基板1の面1
aに、その略全面に亙って被着されている。そして、セ
ラミック基板、1の面1aに被着された絶縁被膜30上
に、高圧電極端子2とCV電極端子3とアース電極端子
4とが設けられ、さらに、Cv電極端子3とアース電極
端子4との間には所要の抵抗値を有するジグザグ状パタ
ーンとされた抵抗体層5aが、高圧電極端子2とCV電
極端子3との間には同じく所要の抵抗値を有する抵抗体
層5bが、また、抵抗体層5a及び5bとCV電極端子
3の間に微調整用抵抗体層5cが夫々配されて分圧抵抗
体層5が形成されている。また、絶縁被膜30上には、
分圧抵抗体層5を覆い、高圧電極端子2とCV電極端子
3とアース電極端子4を露出させる絶縁被膜6が設けら
れている。
In this example, the insulating coating 20 is replaced with the insulating coating 20 in the example shown in FIGS. 1 and 2 above.
An insulated wave W#30 corresponding to
a, covering almost the entire surface thereof. A high voltage electrode terminal 2, a CV electrode terminal 3, and a ground electrode terminal 4 are provided on an insulating coating 30 deposited on the surface 1a of the ceramic substrate 1. A resistor layer 5a having a zigzag pattern having a required resistance value is provided between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3, and a resistor layer 5b having the same required resistance value is provided between the high voltage electrode terminal 2 and the CV electrode terminal 3. Further, fine adjustment resistor layers 5c are arranged between the resistor layers 5a and 5b and the CV electrode terminal 3, respectively, to form a voltage dividing resistor layer 5. Moreover, on the insulating coating 30,
An insulating coating 6 is provided that covers the voltage dividing resistor layer 5 and exposes the high voltage electrode terminal 2, the CV electrode terminal 3, and the earth electrode terminal 4.

この絶縁被膜30も、例えば、鉛ガラスペーストが焼成
されて形成された非多孔質層により構成される。但し、
この例の場合、セラミック基板1の面la上に絶縁被膜
30が形成された後に、さらにその上に各電極端子2.
3及び4と分圧抵抗体層5と絶縁被膜6との焼成による
形成が行われることになるので、絶縁被膜30の形成に
用いられる鉛ガラスペースト等の素材としては、各電極
端子2.3及び4と分圧抵抗体層5と絶縁被膜6との焼
成による形成時に軟化しない軟化温度を有するものが選
択される。
This insulating coating 30 is also composed of a non-porous layer formed by firing lead glass paste, for example. however,
In this example, after the insulating coating 30 is formed on the surface la of the ceramic substrate 1, each electrode terminal 2.
3 and 4, the voltage-dividing resistor layer 5, and the insulating coating 6 will be formed by firing, so the material such as lead glass paste used for forming the insulating coating 30 should be selected from each electrode terminal 2.3. A material having a softening temperature at which it does not soften when forming the resistor layer 5 and the insulation film 6 by firing is selected.

斯かる例も、第1図及び第2図に示される例と同様にし
て、例えば、第8図に示される如くのカラー陰極線管の
管体8のネック部りa内の電子銃構体9に取り付けられ
て用いられる。そして、この場合、カラー陰極線管の実
働時において、電子銃構体9の各グリッド電極間におい
て発生する放電、あるいは、ストレーに起因して各グリ
ッド電極を形成する金属材料が蒸発して生じる蒸発金属
が、セラミック基板1の面Ib側に付着し、その付着し
た金属がセラミック基板1の内部に面1bから浸透する
“が、セラミック基板lの内部に浸透した金属は、セラ
ミック基板1の面1aに被着された絶縁被膜30を通過
することができない。即ち、セラミック基板1の内部に
浸透した金属は、絶縁被膜30により、分圧抵抗体層5
への混入が阻止されることになり、このため、セラミッ
ク基板1の面lb側に蒸発金属の付着が生じても、それ
に起因する分圧抵抗層5の抵抗値変化は殆ど生じない。
In this example, in the same way as the example shown in FIGS. 1 and 2, for example, the electron gun assembly 9 in the neck portion a of the tube body 8 of a color cathode ray tube as shown in FIG. installed and used. In this case, during actual operation of the color cathode ray tube, evaporated metal is generated when the metal material forming each grid electrode evaporates due to discharge or stray that occurs between each grid electrode of the electron gun assembly 9. , and the attached metal penetrates into the inside of the ceramic substrate 1 from the surface 1b, but the metal that has penetrated into the inside of the ceramic substrate 1 is coated on the surface 1a of the ceramic substrate 1. In other words, the metal that has penetrated into the ceramic substrate 1 cannot pass through the insulating film 30 that has been applied.
Therefore, even if evaporated metal is deposited on the surface lb side of the ceramic substrate 1, the resistance value of the partial voltage resistance layer 5 hardly changes due to it.

G−3第3の実施例(第4図) 第4図は、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器のさらに
他の例を、第3図に示される断面に相当する断面をもっ
て示す。この第4図において第3図に示される各部に対
応する部分は、第3図と共通の符号が付されて示されて
おり、それらについての重複説明は省略される。
G-3 Third Embodiment (FIG. 4) FIG. 4 shows still another example of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, with a cross section corresponding to the cross section shown in FIG. 3. In FIG. 4, parts corresponding to the parts shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals as in FIG. 3, and redundant explanation thereof will be omitted.

この例は、上述の第3図に示される例に、さらに、前述
の第1図及び第2図に示される例における絶縁被膜20
がセラミック基板lの面1bの略全面に拡張されて被着
されたものに相当する。
This example includes the insulating coating 20 in the example shown in FIG. 3 described above, and the example shown in FIGS.
This corresponds to a case in which the ceramic substrate 1 is expanded and adhered to substantially the entire surface 1b of the ceramic substrate 1.

そして、この例も、上述の各側と同様にして、例えば、
第8図に示される如くのカラー陰極線管の管体8のネッ
ク部りa内の電子銃構体9に取り付けられて用いられる
。この場合には、カラー陰極線管の実働時において、電
子銃構体9の各グリッド電極間において発生する放電、
あるいは、ストレーに起因して各グリッド電極を形成す
る金属材料が蒸発して生じ、セラミック基板1の面lb
側に付着する蒸発金属の、分圧抵抗体層5に対する影響
の阻止に関して、第1図及び第2図に示される例と第3
図に示される例との両者における作用効果を合せ持つこ
とになる。
And, in this example as well, in the same way as each side described above, for example,
It is used by being attached to an electron gun assembly 9 within a neck portion a of a tube body 8 of a color cathode ray tube as shown in FIG. In this case, during the actual operation of the color cathode ray tube, the discharge generated between each grid electrode of the electron gun structure 9,
Alternatively, the metal material forming each grid electrode may evaporate due to stray, and the surface lb of the ceramic substrate 1
Regarding the prevention of the influence of evaporated metal adhering to the side on the partial voltage resistor layer 5, the example shown in FIGS. 1 and 2 and the example shown in FIG.
This will have the same effect as the example shown in the figure.

G−4比較試験結果 ここで、上述の第1図及び第2図に示される例(第1の
実施例)、第3図に示される例(第2の実施例)及び第
6図及び第7図に示される従来の内蔵抵抗器(従来例)
の夫々について複数個づつ゛を試験サンプルとしてとり
、夫々のセラミック基IIN、1の分圧抵抗体層5が配
されない面倒における一定の個所にスパッタリング手法
を用いて一定量の金属を付着°させた状態とし、高圧電
極端子2に34kVの高圧を印加して5000時間のラ
ンニング試験を行った後に、分圧抵抗体層5のランニン
グ試験に供される前の抵抗値をRbとし、ランニング試
験に供された後の抵抗値をRaとして、1Rb−Ra 
I/Rb・100”ΔRで表される抵抗値変化・ΔRを
求めた結果は、以下の如くであった。
G-4 comparative test results Here, the example shown in FIGS. 1 and 2 (first example), the example shown in FIG. 3 (second example), and the example shown in FIGS. Conventional built-in resistor shown in Figure 7 (conventional example)
A plurality of samples were taken as test samples for each of the above, and a certain amount of metal was deposited using a sputtering method on certain parts of the respective ceramic bases IIN and 1 where the partial voltage resistor layer 5 was not placed. After applying a high voltage of 34 kV to the high voltage electrode terminal 2 and conducting a running test for 5000 hours, the resistance value of the voltage dividing resistor layer 5 before being subjected to the running test was set as Rb, and the resistance value before being subjected to the running test was set as Rb. The resistance value after is set as Ra, 1Rb-Ra
The results of determining the resistance value change/ΔR expressed as I/Rb/100”ΔR were as follows.

ΔRの  ΔRの  ΔRの 最大値  最小値  平均値 従来例 15% 0.5% 4% 第1の実施例  1.5%  0 %  0.5%第2
の実施例  1.6%  0 %  0.6%なお、斯
かる比較試験に際して 第1の実施例及び第2の実施例
の夫々に設けられた絶縁被膜20及び30の厚さは25
μmとされた。
Maximum value of ΔR Minimum value Average value of ΔR Conventional example 15% 0.5% 4% First example 1.5% 0% 0.5% Second
Example 1.6% 0% 0.6%In addition, during such a comparative test, the thickness of the insulating coatings 20 and 30 provided in the first example and the second example, respectively, was 25%.
It was taken as μm.

斯かる比較試験結果からして、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器が、セラミック基板1の面に付着する金属の
分圧抵抗体層5に対する影響の阻止に関して、極めて優
れた効果を有することが理解される。
From the results of such comparative tests, it is clear that the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention has an extremely excellent effect in preventing the influence of metal attached to the surface of the ceramic substrate 1 on the voltage dividing resistor layer 5. is understood.

G−5付帯的作用効果(第5図) なお、第8図に示される如くのカラー陰極線管にあって
、例えば、電子銃構体9の各部に尖鋭な突起部分等があ
ると、実際の使用にあたって不所望な放電を生じること
になる。そこで、その製造過程において、電子銃構体9
における尖鋭突起部分等の放電を生じ易い部分について
は、予め放電を生じさせて溶解成型すること等により、
完成品とされた後の実際の使用時の動作を安定化するこ
とを目的としてノッキング処理が行われる。このような
ノッキング処理工程においては、例えば、カラー陰極線
管の実働時に比して2〜3倍とされた高電圧(ノッキン
グ電圧)が、第3グリッド電極G3.第5グリツド電極
G5及び内蔵抵抗器の高圧電極端子2に印加され、また
、第1.第2及び第4の各グリッド電極Gl、G2及び
G4は接地状態とされる。このノッキング処理時には、
内蔵抵抗器の“分圧抵抗体層5を覆う絶縁被膜6の表面
は、一部を除いて、比較的高い電位に帯電せしめられ、
この絶縁被膜6には、特に、第3グリツド電極G3付近
で、実働時に比して大なる電位差がかかることになる。
G-5 Additional Effects (Fig. 5) In addition, in a color cathode ray tube as shown in Fig. 8, for example, if there are sharp protrusions on each part of the electron gun assembly 9, it may be difficult to use the color cathode ray tube in actual use. This will result in an undesired electrical discharge. Therefore, in the manufacturing process, the electron gun assembly 9
For areas where electrical discharge is likely to occur, such as sharp protrusions, by melting and molding with electrical discharge in advance,
Knocking treatment is performed for the purpose of stabilizing the operation of the finished product during actual use. In such a knocking treatment process, for example, a high voltage (knocking voltage) that is two to three times higher than that during actual operation of the color cathode ray tube is applied to the third grid electrode G3. The voltage is applied to the fifth grid electrode G5 and the high voltage electrode terminal 2 of the built-in resistor, and the voltage is applied to the first grid electrode G5. The second and fourth grid electrodes Gl, G2, and G4 are grounded. During this knocking process,
The surface of the insulating film 6 covering the voltage-dividing resistor layer 5 of the built-in resistor is charged to a relatively high potential except for a part,
A larger potential difference will be applied to this insulating coating 6, especially near the third grid electrode G3, compared to during actual operation.

このため、内蔵抵抗器は、電子銃構体9の第3グリツド
電極G3の近傍で、その絶縁被膜6の耐圧を越える電位
差が印加されて絶縁被膜6の絶縁劣化もしくは絶縁破壊
を生じ、その結果、分圧抵抗体層5の抵抗値が変化して
しまう虞があるものとなる。
Therefore, a potential difference exceeding the withstand voltage of the insulating coating 6 is applied to the built-in resistor near the third grid electrode G3 of the electron gun assembly 9, causing insulation deterioration or dielectric breakdown of the insulating coating 6, and as a result, There is a possibility that the resistance value of the voltage dividing resistor layer 5 may change.

上述された本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器は、斯か
る陰極線管のノッキング処理に関連してもたらされる分
圧抵抗体層の抵抗値変化の抑制においても優れた作用を
示すものであることが、実験的に確認されている。
The built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention described above also exhibits an excellent effect in suppressing changes in the resistance value of the voltage dividing resistor layer caused in connection with the knocking treatment of the cathode ray tube. has been experimentally confirmed.

例えば、上述の第1図及び第2図に示される例の複数個
及び第6図及び第7図に示される如くの従来の内蔵抵抗
器の複数個を、夫々、試験サンプルとして比較試験した
結果は、第5図に示される如くであった。第5図におい
て、縦軸は、分圧抵抗体層5のノッキング処理に供され
る前の抵抗値Rnbとしノッキング処理に供された後の
抵抗値をRnaとしたとき、 1Rnb−Rna l/Rnb ・100=にΔRとし
て得られる抵抗値変化・KΔRを示し、○印は第1図及
び第2図に示される例の試験サンプルの夫々の結果を、
また、Δ印は従来の内蔵抵抗器の試験サンプルの夫々の
結果を示す。なお、ノッキング処理にあたっての各内蔵
抵抗器の高圧電極端子2へのノッキング電圧供給条件は
、まず、60kVの直流電圧を2ミリ秒間づつ20ミリ
秒の周期をもって印加する期間を1分間継続し、次に、
50kVの直流電圧を1秒間づつ2秒の周期をもって印
加する期間を4分間継続し、その後再び、60 ’k 
Vの直流電圧を2ミリ秒間づつ20ミリ秒の周期をもっ
て印加する期間を1分間継続するものとした。
For example, the results of a comparative test using a plurality of examples shown in FIGS. 1 and 2 and a plurality of conventional built-in resistors as shown in FIGS. 6 and 7 as test samples, respectively. was as shown in FIG. In FIG. 5, the vertical axis is the resistance value Rnb of the voltage dividing resistor layer 5 before being subjected to the knocking process, and the resistance value after being subjected to the knocking process is Rna, 1Rnb-Rna l/Rnb・100= shows the resistance value change obtained as ΔR・KΔR, and the circles indicate the results of the example test samples shown in Figures 1 and 2.
Further, the Δ marks indicate the results of test samples of conventional built-in resistors. The knocking voltage supply conditions to the high-voltage electrode terminal 2 of each built-in resistor during the knocking process are as follows: First, a DC voltage of 60 kV is applied for 2 milliseconds at a cycle of 20 milliseconds for 1 minute, and then To,
A period of applying a DC voltage of 50 kV for 1 second at a cycle of 2 seconds was continued for 4 minutes, and then a period of 60 'kV was applied again.
A period in which a DC voltage of V was applied for 2 milliseconds at a cycle of 20 milliseconds was continued for 1 minute.

この比較試験の結果は、Δ印で示される従来の内蔵抵抗
器の7個の試験サンプルの夫々の抵抗値変化・KΔRが
、1.3〜4.2パーセントの範囲に分散してそ旬平均
が約2.7バーセントであったのに対し、Q印で示され
る第1図及び第2図に示される例の10個の試験サンプ
ルの夫々の抵抗値変化・KΔRが、零も含めて殆どが0
.4パーセント以下に収束してその平均が約0.18パ
ーセントであったことを示しており、これよりして、本
発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器にあっては、陰極線管
のノッキング処理に起因する分圧抵抗体層の抵抗値変化
の抑制が効果的になされることが理解される。
The results of this comparative test show that the resistance value change, KΔR, of each of the seven test samples of the conventional built-in resistor, indicated by the Δ symbol, is distributed in the range of 1.3 to 4.2%, and the average was approximately 2.7 percent, whereas the resistance value change/KΔR of each of the 10 test samples shown in Figures 1 and 2, indicated by the Q mark, was almost zero, including zero is 0
.. It shows that the value converged to 4% or less and the average was about 0.18%. From this, the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention is effective in the knocking treatment of the cathode ray tube. It is understood that the resulting change in resistance value of the voltage-dividing resistor layer can be effectively suppressed.

H発明の効果 以上の説明から明らかな如く、本発明に係る陰極線管の
内蔵抵抗器は、セラミック基板上に所定のパターンを有
する抵抗体層が形成されるとともにこの抵抗体層が絶縁
被膜で覆われる構成を有して、陰極線管の管体内に電子
銃構体と共に組み込まれるものとされ、しかも、陰極線
管の実働時において、電子銃構体の各電極間において発
生する放電、あるいは、ストレー等に起因する電子銃構
体の各電極等からの蒸発金属のセラミック基板部への付
着が生じても、セラミック基板の対向面のうちの少なく
とも一方に被着された非多孔質の絶縁被膜により、付着
した金属のセラミック基板の内部を分圧抵抗体層に向か
う浸透が阻止され、あるいは、セラミック基板内からそ
の上に形成された抵抗体層へ混入が防止されるので、セ
ラミック基板上に形成される抵抗体層の抵抗値変化が効
果的に抑制されるものとなる。
Effects of the Invention H As is clear from the above explanation, the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention has a resistor layer having a predetermined pattern formed on a ceramic substrate, and this resistor layer is covered with an insulating film. The cathode ray tube is designed to have a configuration in which it is installed together with the electron gun assembly in the tube body of the cathode ray tube, and furthermore, during actual operation of the cathode ray tube, there is no risk of discharge or stray occurring between the electrodes of the electron gun assembly. Even if evaporated metal from the electrodes of the electron gun assembly adheres to the ceramic substrate, the non-porous insulating coating applied to at least one of the facing surfaces of the ceramic substrate prevents the adhered metal from sticking to the ceramic substrate. The resistor formed on the ceramic substrate is prevented from penetrating inside the ceramic substrate toward the voltage-dividing resistor layer, or from entering the resistor layer formed on it from within the ceramic substrate. Changes in the resistance value of the layer can be effectively suppressed.

従って、本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器が、カラー
陰極線管内に設けられたコンバージェンス手段に、陽極
電圧を分圧して形成したコンバージェンス電圧を供給す
るものとして利用される場合には、極めて安定したコン
バージェンス動作が行われる状態が得られることになる
Therefore, when the built-in resistor of the cathode ray tube according to the present invention is used to supply a convergence voltage formed by dividing the anode voltage to the convergence means provided in the color cathode ray tube, it is extremely stable. A state is obtained in which a convergence operation is performed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係る陰極線管の内蔵抵抗器の一例を示
す裏面図、第2図は第1図における■−■線に従う断面
図、第3図及び第4図は夫々本発明に係る陰極線管の内
蔵抵抗器の他の例を示す断面図、第5図は本発明に係る
陰極線管の内蔵抵抗器の作用効果の説明に供される線図
、第6図及び第7図は従来の陰極線管の内蔵抵抗器を示
す平面図及び側面図、第8図は内蔵抵抗器が組込まれる
陰極線管の要部を示す概略構成図である。 図中、1はセラミック基板、2は高圧電極端子、3はコ
ンバージェンス電極端子、4はアース電極端子、5は分
圧抵抗体層、9は電子銃構体、6゜20及び30は絶縁
被膜である。 X−X線断面図 第2実射1の断面図 第3図 比較試験結果を示す図 第5図
FIG. 1 is a back view showing an example of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line ■-■ in FIG. 1, and FIGS. 3 and 4 are respectively according to the present invention. A cross-sectional view showing another example of a built-in resistor of a cathode ray tube, FIG. 5 is a diagram for explaining the function and effect of the built-in resistor of a cathode ray tube according to the present invention, and FIGS. 6 and 7 are diagrams showing a conventional one. FIG. 8 is a plan view and a side view showing the built-in resistor of the cathode ray tube of FIG. In the figure, 1 is a ceramic substrate, 2 is a high voltage electrode terminal, 3 is a convergence electrode terminal, 4 is a ground electrode terminal, 5 is a voltage dividing resistor layer, 9 is an electron gun structure, and 6° 20 and 30 are insulating coatings. . XX cross-sectional view 2nd cross-sectional view of shot 1 Figure 3 A diagram showing comparative test results Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】 セラミック基板と、 該セラミック基板の第1の面及び該第1の面に対向する
第2の面のうちの少なくとも一方に被着された非多孔質
の第1の絶縁被膜と、 上記セラミック基板の第1もしくは第2の面あるいは上
記第1の絶縁被膜上に配された複数の電極端子の間に所
定のパターンを有して形成された抵抗体層と、 上記セラミック基板に対して上記抵抗体層を被覆すべく
設けられた非多孔質の第2の絶縁被膜と、を備えて構成
された陰極線管の内蔵抵抗器。
[Claims] A ceramic substrate; and a non-porous first insulating coating deposited on at least one of a first surface and a second surface opposite the first surface of the ceramic substrate. and a resistor layer formed in a predetermined pattern between a plurality of electrode terminals arranged on the first or second surface of the ceramic substrate or on the first insulating film, and the ceramic substrate. and a non-porous second insulating film provided to cover the resistor layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5449983A (en) * 1993-04-20 1995-09-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Color cathode ray tube apparatus
US6608435B1 (en) 1999-07-12 2003-08-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Cathode ray tube apparatus with electron beam forming structure

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JPS566131A (en) * 1979-06-20 1981-01-22 List Hans Measured value converter for measuring pressure in pipe

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