JPH1164380A - Molding method for metallic body with bent part and manufacture of contact probe using the method - Google Patents

Molding method for metallic body with bent part and manufacture of contact probe using the method

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JPH1164380A
JPH1164380A JP21787397A JP21787397A JPH1164380A JP H1164380 A JPH1164380 A JP H1164380A JP 21787397 A JP21787397 A JP 21787397A JP 21787397 A JP21787397 A JP 21787397A JP H1164380 A JPH1164380 A JP H1164380A
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JP
Japan
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contact
layer
metal layer
forming
metal
Prior art date
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Application number
JP21787397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Nakamura
忠司 中村
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a bent part of high precision and high durability in the manufacture of a metallic body with the bent. SOLUTION: In this method a metallic body 3a is molded with the bent BE part of a prescribed angle θ. In this case, a first metallic layer 6 to be adhered or connected to the material of the body 3a is first formed on the substrate layer 5 with a slope 5a inclined by forming a prescribed angle θ from a prescribed position W on a surface. Next, masking is applied to parts except for a part to be provided for a metallic body 3a on the first metallic layer 6. There after, a second metallic layer N to be provided for the body 3a is formed by coating processing at the non-masked parts on the first metallic layer 6 to mold a bent part BE at a prescribed position. Next, the masking is removed. After then the layer 6 is entirely separated from the layer 5 again, the layer 6 is selectively removed in addition and the layer N is separated to make the body 3a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、屈曲部を有する金
属体の成形方法と前記金属体を用いたコンタクトプロー
ブおよびその製造方法に関するものであって、詳しく
は、プローブピンやソケットピン等として用いられ、プ
ローブカードやテスト用ソケット等に組み込まれて半導
体ICチップや液晶デバイス等の各端子に接触して電気
的なテストを行うコンタクトプローブおよびその製造方
法と前記コンタクトプローブを備えたプローブ装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a metal body having a bent portion, a contact probe using the metal body, and a method for manufacturing the same. In addition, the present invention relates to a contact probe which is incorporated in a probe card, a test socket, or the like and performs an electrical test by contacting each terminal of a semiconductor IC chip, a liquid crystal device, and the like, a method of manufacturing the contact probe, and a probe device including the contact probe.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ又はLCD(液晶表示体)の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ICチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。
2. Description of the Related Art In general, a contact pin is used to conduct an electrical test by contacting a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or each terminal of an LCD (liquid crystal display). In recent years, as the integration and miniaturization of IC chips and the like have increased, the pitch of contact pads, which are electrodes, has been reduced, and the pitch of contact pins has been required to be narrower. However, with a tungsten needle contact probe used as a contact pin, it has been difficult to cope with a multi-pin narrow pitch due to the limitation of the diameter of the tungsten needle.

【0003】これに対して、例えば、特公平7−820
27号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が前記樹脂フィ
ルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコ
ンタクトプローブの技術が提案されている。この技術例
では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンと
することによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、
複雑な多数の部品を不要とするものである。
On the other hand, for example, Japanese Patent Publication No. 7-820
No. 27 proposes a contact probe technique in which a plurality of pattern wirings are formed on a resin film, and the ends of these pattern wirings are arranged so as to protrude from the resin film and serve as contact pins. In this technical example, the tip of each of the plurality of pattern wirings is used as a contact pin, thereby achieving a narrow pitch with a large number of pins.
This eliminates the need for many complicated components.

【0004】ところで、Al(アルミニウム)合金等で
形成されるICチップ等の各端子(パッド)は、空気中
でその表面が酸化して、薄いアルミニウムの表面酸化膜
で覆われた状態となっている。したがって、パッドの電
気的テストを行うには、アルミニウムの表面酸化膜を取
り除き、内部のアルミニウムを露出させて、導電性を確
保する必要がある。
[0004] By the way, the surface of each terminal (pad) of an IC chip or the like formed of an Al (aluminum) alloy or the like is oxidized in the air to be covered with a thin aluminum surface oxide film. I have. Therefore, in order to conduct an electrical test of the pad, it is necessary to remove the surface oxide film of aluminum and expose the aluminum inside to ensure conductivity.

【0005】そこで、上記コンタクトプローブにおいて
は、コンタクトピンをパッドの表面に接触させつつ、オ
ーバードライブをかけることにより、コンタクトピンの
先端でパッド表面のアルミニウムの表面酸化膜を擦り取
り、内部のアルミニウムを露出させるようにしている。
上述した作業は、スクラブ(scrub)と呼ばれ、電気的テ
ストを確実に行う上で重要とされる。
Therefore, in the above-mentioned contact probe, the surface oxide film of aluminum on the pad surface is scraped off by the tip of the contact pin by applying overdrive while the contact pin is in contact with the surface of the pad, thereby removing the aluminum inside. They are exposed.
The above-described operation is called scrub, and is important for reliably performing an electrical test.

【0006】上記コンタクトピンにおいて、スクラブ時
にパッドの下地が傷つくのを防止するためには、コンタ
クトピンのパッドに対する接触角を十分な大きさまで確
保することが必要とされる。その理由は、接触角が小さ
いと、表面のアルミニウムの排斥量が著しく大きくな
り、パッド下地にまで影響を及ぼすという理由からであ
る。
In the above contact pins, it is necessary to secure a sufficient contact angle of the contact pins with the pads in order to prevent the base of the pads from being damaged during scrubbing. The reason for this is that if the contact angle is small, the amount of aluminum rejected on the surface becomes extremely large, which affects the pad base.

【0007】この対策として、図9に示すように、コン
タクトピン600の途中位置Vにて折曲させたコンタク
トプローブ601が提案されている。このコンタクトプ
ローブ601では、コンタクトピン600の先端部と基
端部とで測定対象物(パッド)に対する角度を変えるこ
とができ、コンタクトピン600の基端部のパッドに対
する角度、すなわち、フィルム602のパッドに対する
角度を大きくすることなく、コンタクトピン600の先
端部とパッドの角度(接触角)を大きくすることが可能
となる。すなわち、このコンタクトプローブ601で
は、スクラブ距離が過度に大きくなることがなく、か
つ、プローブ装置の高さを大きくすることなく、スクラ
ブ時にパッドの下地が傷つくことを防止することができ
るという利点がある。
As a countermeasure, as shown in FIG. 9, a contact probe 601 which is bent at an intermediate position V of a contact pin 600 has been proposed. In the contact probe 601, the angle of the contact pin 600 with respect to the object to be measured (pad) can be changed between the distal end portion and the proximal end portion, and the angle of the contact pin 600 with respect to the pad at the proximal end portion, that is, the pad of the film 602. It is possible to increase the angle (contact angle) between the tip of the contact pin 600 and the pad without increasing the angle with respect to. That is, the contact probe 601 has an advantage that the base of the pad can be prevented from being damaged during the scrub without increasing the scrub distance excessively and without increasing the height of the probe device. .

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記折曲されたコンタ
クトピン600を有するコンタクトプローブ601の製
造方法では、精密金型によってコンタクトピン600を
折曲させるが、複数のコンタクトピン600を所定角度
(高さ)および長さで高精度に折曲させることが困難で
あり、折曲工程後に生じたコンタクトピン600の長さ
(高さ)の不揃いを、サンドペーパー等による研磨工程
によって揃えて均一化を図らなければならなかった。ま
た、このように折曲されたコンタクトピン600の折曲
部分である途中位置Vでは、折曲による塑性変形が生じ
て残留応力が残ってしまい耐久性が低下してしまう問題
がある。さらに、折曲によって途中位置Vに亀裂や破断
等が生じるおそれもあった。
In the method of manufacturing the contact probe 601 having the bent contact pins 600, the contact pins 600 are bent by a precision die. It is difficult to bend the contact pins 600 with high precision by the length and height of the contact pins 600, and the unevenness of the length (height) of the contact pins 600 generated after the bending process is uniformed by a polishing process using sandpaper or the like to achieve uniformity. I had to plan. In addition, at the intermediate position V, which is the bent portion of the contact pin 600 bent in this way, there is a problem that plastic deformation due to the bending occurs, residual stress remains, and durability decreases. Further, the bending may cause a crack or break at the intermediate position V.

【0009】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、高精度かつ高耐久性を備えた屈曲部を有する金属
体の成形方法とこの成形方法を用いたコンタクトプロー
ブの製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a method of forming a metal body having a bent portion having high accuracy and high durability, and a method of manufacturing a contact probe using the method. The purpose is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、請求項
1記載の所定角度の屈曲部を有する金属体の成形方法に
おいて、表面に所定位置から前記所定角度に傾斜した傾
斜面を有する基板層の上に前記金属体の材質に被着また
は結合する材質の第1の金属層を形成する第1の金属層
形成工程と、前記第1の金属層の上に前記金属体に供さ
れる部分以外にマスクを施すパターン形成工程と、前記
第1の金属層の上のマスクされていない部分に、前記金
属体に供される第2の金属層をメッキ処理により形成
し、前記所定位置に前記屈曲部を成形するメッキ処理工
程と、前記マスクを除去するマスク除去工程と、再び前
記第1の金属層を前記基板層からすべて剥離させ、さら
に第1の金属層を選択的に除去し、前記第2の金属層を
分離させて前記金属体とする金属体分離工程とを備えて
いる技術が採用される。
The present invention has the following features to attain the object mentioned above. That is, in the method for forming a metal body having a bent portion at a predetermined angle according to claim 1, the material of the metal body is adhered or adhered on a substrate layer having an inclined surface inclined at a predetermined angle from a predetermined position on the surface. A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material to be bonded; a pattern forming step of masking a portion of the first metal layer other than a portion provided for the metal body; A plating step of forming a second metal layer to be provided for the metal body by plating on an unmasked portion on the first metal layer, and forming the bent portion at the predetermined position; A mask removing step of removing the first metal layer from the substrate layer again, further selectively removing the first metal layer, separating the second metal layer, and removing the metal body. And a metal body separation process. Techniques are employed.

【0011】この屈曲部を有する金属体の成形方法で
は、前記第1の金属層形成工程によって基板層に予め所
定位置から前記所定角度に傾斜した傾斜面を形成してい
るので、前記メッキ処理工程によって、第1の金属層を
前記所定位置で前記所定角度に屈曲状態で形成し、前記
マスク除去工程および前記金属体分離工程によって第2
の金属層を分離させて第2の金属層を前記金属層とする
ので、塑性変形が無く残留応力が少ないとともに、予め
設定された基板層表面(傾斜面)の形状によって特定さ
れる高精度な屈曲位置および角度の屈曲部を有する金属
体が製造される。
In the method of forming a metal body having a bent portion, the first metal layer forming step previously forms an inclined surface at a predetermined angle from a predetermined position on the substrate layer. A first metal layer is formed at the predetermined position in a bent state at the predetermined angle, and the second metal layer is formed by the mask removing step and the metal body separating step.
Since the second metal layer is separated from the first metal layer and the second metal layer is used as the metal layer, there is no plastic deformation and little residual stress, and high precision specified by the shape of the preset substrate layer surface (inclined surface). A metal body having a bent portion and a bent portion at an angle is manufactured.

【0012】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法では、フィルム上に複数のパターン配線を形成しこ
れらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突出状
態に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、請求項1記載の屈曲部を有する金属
体の成形方法によって前記金属体である前記パターン配
線を形成し、前記屈曲部を前記コンタクトピンの途中位
置に配する配線形成工程を備え、前記配線形成工程は、
前記マスク除去工程の後に、前記第2の金属層の上に前
記コンタクトピンに供される部分以外をカバーする前記
フィルムを被着するフィルム被着工程を備えている技術
が採用される。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a contact probe, wherein a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings are arranged so as to protrude from the film to form contact pins. And forming a pattern wiring that is the metal body by the method of forming a metal body having a bent portion according to claim 1, comprising a wiring forming step of disposing the bent portion at an intermediate position of the contact pin, The wiring forming step includes:
After the mask removing step, a technique including a film applying step of applying the film covering the portion other than the portion provided for the contact pins on the second metal layer is adopted.

【0013】このコンタクトプローブの製造方法では、
請求項1記載の屈曲部を有する金属体の成形方法によっ
て前記金属体であるパターン配線を形成し、前記屈曲部
をコンタクトピンの途中位置に配する配線形成工程を備
えているので、塑性変形が無く残留応力が少ないととも
に、予め設定された前記基板層表面(傾斜面)の形状に
よって特定される屈曲位置および角度で高精度に屈曲し
たコンタクトピンを得ることができる。
In this method of manufacturing a contact probe,
The method for forming a metal body having a bent portion according to claim 1 includes a wiring forming step of forming a pattern wiring that is the metal body and arranging the bent portion at an intermediate position of a contact pin, so that plastic deformation is suppressed. It is possible to obtain a contact pin that is bent with high accuracy at a bent position and angle specified by a predetermined shape of the substrate layer surface (inclined surface) while having little residual stress.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブの製造方法の一実施形態を図1から図5を参照し
ながら説明する。これらの図にあって、符号1はコンタ
クトプローブ、2は樹脂フィルム、3はパターン配線
(金属体)を示している。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In these figures, reference numeral 1 denotes a contact probe, 2 denotes a resin film, and 3 denotes a pattern wiring (metal body).

【0015】本実施形態における製造方法で作製される
コンタクトプローブ1は、図1および図2に示すよう
に、ポリイミド樹脂フィルム2の片面に金属で形成され
るパターン配線3を有する構造となっており、前記樹脂
フィルム2の中央開口部Kに、前記樹脂フィルム2の端
部(すなわち、中央開口部Kの各辺)から前記パターン
配線3の先端部が突出してコンタクトピン(金属体)3
aとされている。また、パターン配線3の後端部には、
テスター側のコンタクトピンが接触される接触端子3b
が形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the contact probe 1 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment has a structure having a pattern wiring 3 formed of metal on one surface of a polyimide resin film 2. At the center opening K of the resin film 2, the tip end of the pattern wiring 3 projects from the end of the resin film 2 (that is, each side of the center opening K) and contacts pins (metal bodies) 3.
a. Also, at the rear end of the pattern wiring 3,
Contact terminal 3b to which the contact pin on the tester side is contacted
Are formed.

【0016】前記パターン配線3は、Ni合金で形成さ
れ、また前記コンタクトピン3aには、表面にAuが皮
膜されて構成されている。前記コンタクトピン3aは、
図2に示すように、その先端から所定長さの途中位置V
にて屈曲されている。
The pattern wiring 3 is formed of a Ni alloy, and the contact pins 3a are formed by coating Au on the surface. The contact pin 3a
As shown in FIG. 2, an intermediate position V of a predetermined length from the tip end
It is bent at.

【0017】次に、図3および図4を参照して、前記コ
ンタクトプローブ1の製造方法ついて工程順に説明す
る。
Next, a method for manufacturing the contact probe 1 will be described in the order of steps with reference to FIGS.

【0018】〔ベースメタル層形成工程(第1の金属層
形成工程)〕まず、図3の(a)に示すように、ステン
レス製の支持金属板(基板層)5の上に、Cu(銅)メ
ッキによりベースメタル層(第1の金属層)6を形成す
る。なお、前記支持金属板5は、図4の(a)に示すよ
うに、表面に所定位置Wから所定角度θに傾斜した傾斜
面5aを有している。
[Base Metal Layer Forming Step (First Metal Layer Forming Step)] First, as shown in FIG. 3A, Cu (copper) is placed on a supporting metal plate (substrate layer) 5 made of stainless steel. ) A base metal layer (first metal layer) 6 is formed by plating. As shown in FIG. 4A, the supporting metal plate 5 has an inclined surface 5a that is inclined at a predetermined angle θ from a predetermined position W on the surface.

【0019】〔パターン形成工程〕このベースメタル層
6の上にフォトレジスト層7を形成した後、図3の
(b)に示すように、写真製版技術によりフォトレジス
ト層7に所定のパターンのフォトマスク8を施して平行
光で露光するか、または、エキシマレーザ等で直接描画
することにより、図3の(c)、図4の(b)および図
5の(a)に示すように、前記パターン配線3となる部
分を除去して残存するフォトレジスト層(マスク)7に
開口部7aを形成する。
[Pattern Forming Step] After a photoresist layer 7 is formed on the base metal layer 6, as shown in FIG. 3B, a photoresist having a predetermined pattern is formed on the photoresist layer 7 by photolithography. By applying a mask 8 and exposing with parallel light, or by directly drawing with an excimer laser or the like, as shown in FIG. 3 (c), FIG. 4 (b) and FIG. An opening 7a is formed in the photoresist layer (mask) 7 remaining after removing the portion to be the pattern wiring 3.

【0020】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層7をネガ型フォトレジストによって形成している
が、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部7a
を形成しても構わない。また、本実施形態においては、
前記フォトレジスト層7が、本願請求項にいう「マス
ク」に相当する。但し、本願請求項の「マスク」とは、
本実施形態のフォトレジスト層7のように、フォトマス
ク8を用いた露光・現像工程を経て開口部7aが形成さ
れるものに限定されるわけではない。例えば、メッキ処
理される箇所に予め孔が形成された(すなわち、予め、
図3の(c)の符号7で示す状態に形成されている)フ
ィルム等でもよい。本願発明において、このようなフィ
ルム等を「マスク」として用いる場合には、本実施形態
における露光・現像工程は不要である。
In the present embodiment, the photoresist layer 7 is formed of a negative type photoresist, but a desired opening 7a is formed by employing a positive type photoresist.
May be formed. In the present embodiment,
The photoresist layer 7 corresponds to a “mask” in the present invention. However, the “mask” in the claims of the present application is:
Like the photoresist layer 7 of the present embodiment, the present invention is not limited to the one in which the opening 7a is formed through the exposure and development steps using the photomask 8. For example, a hole is formed in advance in a portion to be plated (that is, in advance,
A film or the like (formed in a state indicated by reference numeral 7 in FIG. 3C) may be used. In the present invention, when such a film or the like is used as a “mask”, the exposure and development steps in the present embodiment are unnecessary.

【0021】〔メッキ処理工程〕そして、図3の(d)
に示すように、前記開口部7aに前記パターン配線3と
なるNi合金層(第2の金属層)Nを電解メッキ処理に
より形成する。このとき、図4の(c)に示すように、
所定位置Wに所定角度θで屈曲する屈曲部BEが成形さ
れる。
[Plating Step] Then, FIG.
As shown in FIG. 5, a Ni alloy layer (second metal layer) N to be the pattern wiring 3 is formed in the opening 7a by electrolytic plating. At this time, as shown in FIG.
A bent portion BE bent at a predetermined angle θ is formed at a predetermined position W.

【0022】〔マスク除去工程〕上記メッキ処理の後、
図3の(e)および図4の(d)に示すように、フォト
レジスト層7を除去する。
[Mask removal process] After the above plating process,
As shown in FIG. 3E and FIG. 4D, the photoresist layer 7 is removed.

【0023】〔フィルム被着工程〕次に、図3の(f)
に示すように、前記Ni合金層Nの上であって、図に示
した前記パターン配線3の先端部、すなわちコンタクト
ピン3aとなる部分以外に、前記樹脂フィルム2を接着
剤2aにより接着する。この樹脂フィルム2は、ポリイ
ミド樹脂PIに金属フィルム(銅箔)500が一体に設
けられた二層テープである。このフィルム被着工程の前
までに、二層テープのうちの金属フィルム500に、写
真製版技術を用いたCuエッチングを施して、グラウン
ドパターンを形成しておき、このフィルム被着工程で
は、二層テープのうちのポリイミド樹脂PIを接着剤2
aを介して前記Ni合金層Nに被着させる。なお、金属
フィルム500は、銅箔に加えて、Ni、Ni合金等で
もよい。
[Film Adhering Step] Next, FIG.
As shown in FIG. 2, the resin film 2 is adhered to the Ni alloy layer N with an adhesive 2a other than the tip of the pattern wiring 3 shown in FIG. This resin film 2 is a two-layer tape in which a metal film (copper foil) 500 is integrally provided on a polyimide resin PI. Before this film attaching step, the metal film 500 of the two-layer tape is subjected to Cu etching using a photoengraving technique to form a ground pattern. Adhesive 2 of polyimide resin PI of tape
A is applied to the Ni alloy layer N through a. The metal film 500 may be made of Ni, Ni alloy or the like in addition to the copper foil.

【0024】〔分離工程(金属体分離工程)〕そして、
図3の(g)および図4の(e)に示すように、樹脂フ
ィルム2とパターン配線3(コンタクトピン3a)とベ
ースメタル層6とからなる部分を、支持金属板5から完
全に剥離させ分離させる。さらに、この後、図4の
(f)および図5の(b)に示すように、Cuエッチン
グを経てベースメタル層6を選択的に除去し、樹脂フィ
ルム2にパターン配線3のみを接着させた状態とする。
この状態で、図4の(f)に示すように、途中位置Vに
おいて所定角度θで屈曲した屈曲部BEを有するコンタ
クトピン3aが形成される。すなわち、以上の各工程
は、パターン配線3およびコンタクトピン3aを形成す
るコンタクトプローブ1の配線形成工程を構成する。
[Separation step (metal body separation step)]
As shown in (g) of FIG. 3 and (e) of FIG. 4, the portion composed of the resin film 2, the pattern wiring 3 (contact pins 3 a), and the base metal layer 6 is completely peeled off from the supporting metal plate 5. Let it separate. Further, thereafter, as shown in FIGS. 4F and 5B, the base metal layer 6 was selectively removed through Cu etching, and only the pattern wiring 3 was bonded to the resin film 2. State.
In this state, as shown in FIG. 4F, a contact pin 3a having a bent portion BE bent at a predetermined angle θ at an intermediate position V is formed. That is, the above-described steps constitute a wiring forming step of the contact probe 1 for forming the pattern wiring 3 and the contact pins 3a.

【0025】〔金コーティング工程〕そして、露出状態
のパターン配線3に、図3の(h)に示すように、Au
メッキを施し、表面にAu層AUを形成する。このと
き、樹脂フィルム2から突出状態とされた前記コンタク
トピン3aでは、全周に亙る表面全体にAu層AUが形
成される。
[Gold Coating Step] Then, as shown in FIG.
Plating is applied to form an Au layer AU on the surface. At this time, the Au layer AU is formed on the entire surface of the contact pins 3a protruding from the resin film 2 over the entire circumference.

【0026】以上の工程により、図1および図2に示す
ような、樹脂フィルム2にパターン配線3を接着させた
コンタクトプローブ1が作製される。
Through the above steps, the contact probe 1 having the pattern wiring 3 adhered to the resin film 2 as shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured.

【0027】このコンタクトプローブ1の製造方法で
は、第1の金属層形成工程において予め所定位置Wから
所定角度θに傾斜した傾斜面5aを有する支持金属板5
を用いるので、前記メッキ処理工程によって、ベースメ
タル層6を所定位置Wで所定角度θに屈曲状態で形成す
るとともに、マスク除去工程および金属体分離工程によ
ってNi合金層Nを分離させるので、塑性変形が無く残
留応力が少ないとともに、予め設定された支持金属板5
表面(傾斜面)の形状によって特定される高精度な屈曲
位置および角度の屈曲部BEを有するコンタクトピン3
aが製造される。
In the method of manufacturing the contact probe 1, in the first metal layer forming step, the supporting metal plate 5 having the inclined surface 5a which is previously inclined from the predetermined position W to a predetermined angle θ.
Is used, the base metal layer 6 is formed in a bent state at a predetermined angle W at a predetermined position W by the plating process, and the Ni alloy layer N is separated by the mask removing process and the metal body separating process. With no residual stress and a predetermined supporting metal plate 5
Contact pin 3 having highly accurate bent position and angled bent portion BE specified by the shape of the surface (inclined surface)
a is manufactured.

【0028】次に、上記製造方法で作製したコンタクト
プローブ1を、バーンインテスト等に用いるプローブ装
置、いわゆるチップキャリアに適用した場合の一例を、
図6から図8を参照して説明する。これらの図におい
て、符号10はプローブ装置、11はフレーム本体、1
2は位置決め板、13は上板、14はクランパ、15は
下板を示している。なお、本発明に係るコンタクトプロ
ーブは、全体が柔軟で曲げやすいためプローブ装置に組
み込む際にフレキシブル基板として機能する。
Next, an example in which the contact probe 1 manufactured by the above manufacturing method is applied to a probe device used for a burn-in test or the like, that is, a so-called chip carrier, will be described.
This will be described with reference to FIGS. In these figures, reference numeral 10 denotes a probe device, 11 denotes a frame body, 1
2 denotes a positioning plate, 13 denotes an upper plate, 14 denotes a clamper, and 15 denotes a lower plate. Note that the contact probe according to the present invention functions as a flexible substrate when incorporated in a probe device because the contact probe as a whole is flexible and easily bent.

【0029】プローブ装置10は、図6および図7に示
すように、フレーム本体11と、フレーム本体の内側に
固定され中央に開口部が形成された位置決め板12と、
コンタクトプローブ1と、該コンタクトプローブ1を上
から押さえて支持する上板(支持部材)13と、該上板
13を上から付勢してフレーム本体11に固定するクラ
ンパ14とを備えている。また、フレーム本体11の下
部には、ICチップIを載置して保持する下板15がボ
ルト15aによって取り付けられている。
As shown in FIGS. 6 and 7, the probe device 10 includes a frame main body 11, a positioning plate 12 fixed inside the frame main body and having an opening formed in the center.
The contact probe 1 includes an upper plate (supporting member) 13 for holding the contact probe 1 from above and supporting the same, and a clamper 14 for urging the upper plate 13 from above and fixing the upper plate 13 to the frame body 11. Further, a lower plate 15 for mounting and holding the IC chip I is attached to a lower portion of the frame main body 11 by a bolt 15a.

【0030】コンタクトプローブ1の中央開口部Kおよ
びコンタクトピン3aは、ICチップIの形状およびI
CチップI上のコンタクトパッドの配置に対応して形成
され、中央開口部Kからコンタクトピン3aとICチッ
プIのコンタクトパッドとの接触状態を監視できるよう
になっている。なお、前記中央開口部Kの隅部に切込み
を形成して、組み込み時に容易にコンタクトプローブ1
が変形できるようにしても構わない。
The central opening K and the contact pin 3a of the contact probe 1 are formed by the shape and the I of the IC chip I.
It is formed corresponding to the arrangement of the contact pads on the C chip I, and the contact state between the contact pins 3a and the contact pads of the IC chip I can be monitored from the central opening K. Notches are formed in the corners of the central opening K so that the contact probe 1 can be easily assembled.
Can be deformed.

【0031】また、コンタクトプローブ1の接触端子3
bは、コンタクトピン3aのピッチに比べて広く設定さ
れ、狭ピッチであるICチップIのコンタクトパッドと
該コンタクトパッドに比べて広いピッチのテスター側コ
ンタクトピンとの整合が容易に取れるようになってい
る。
The contact terminal 3 of the contact probe 1
b is set wider than the pitch of the contact pins 3a so that the contact pads of the IC chip I having a narrower pitch and the tester side contact pins having a wider pitch than the contact pads can be easily matched. .

【0032】なお、ICチップIの4辺全てにはコンタ
クトパッドが形成されておらず、一部の辺に配されてい
る場合には、少なくとも前記一部の辺に対応する中央開
口部Kの辺にのみコンタクトピン3aを設ければよい
が、ICチップIを安定して保持するためには、対向す
る2辺にコンタクトピン3aを形成してICチップIの
対向する両辺を押さえることが好ましい。
If the contact pads are not formed on all four sides of the IC chip I but are arranged on some of the sides, at least the central opening K corresponding to the part of the sides is formed. It is sufficient to provide the contact pins 3a only on the sides, but in order to stably hold the IC chip I, it is preferable to form the contact pins 3a on two opposing sides and press both opposing sides of the IC chip I. .

【0033】上記プローブ装置10にICチップIを取
り付ける手順について説明する。 〔仮組立工程〕まず、位置決め板12をフレーム本体1
1の取付部上に載置し、この上にコンタクトプローブ1
を中央開口部Kとフレーム本体11の開口部とを合わせ
て配置する。そして、中央開口部K上に同様に開口部を
合わせて上板13を載置し、その上からフレーム本体1
1にクランパ14を係止させる。該クランパ14は、中
央に屈曲部を有する一種の板バネであるため、上記係止
状態で上板13を押さえて固定する機能を有する。
A procedure for attaching the IC chip I to the probe device 10 will be described. [Temporary Assembly Step] First, the positioning plate 12 is
And the contact probe 1
Are arranged so that the central opening K and the opening of the frame body 11 are aligned. Then, the upper plate 13 is placed on the central opening K with the openings similarly aligned, and the frame main body 1 is placed on the upper plate 13 from above.
1 is engaged with the clamper 14. Since the clamper 14 is a kind of leaf spring having a bent portion in the center, the clamper 14 has a function of pressing and fixing the upper plate 13 in the locked state.

【0034】上記組立状態では、中央に開口が設けら
れ、この部分にICチップIが取り付けられるので、取
り付けられたICチップIが開口上方から観察可能とさ
れている。また、上板13とクランパ14とは平面上略
長方形に形成され、図7に示すように、コンタクトプロ
ーブ1の接触端子3bが、それぞれの長辺側から外側に
出るように組立られる。
In the above assembled state, an opening is provided at the center and the IC chip I is attached to this portion, so that the attached IC chip I can be observed from above the opening. The upper plate 13 and the clamper 14 are formed in a substantially rectangular shape on a plane, and as shown in FIG. 7, are assembled so that the contact terminals 3b of the contact probe 1 protrude outward from the long sides.

【0035】上板13の下面は、開口近傍が所定の傾斜
角で傾斜状態とされ、図8に示すように、コンタクトプ
ローブ1のコンタクトピン3aを所定角度で下向きに傾
斜させる。ICチップIは、配線側を上向きにして下板
15上に載置され、この状態で下板15がフレーム本体
11に下方から仮止め状態とされる。このとき、コンタ
クトプローブ1のコンタクトピン3a先端と下板15上
面との距離がICチップIの厚さより所定量小さく設定
されているので、ICチップIはコンタクトピン3aと
下板15とによって挟持される。
On the lower surface of the upper plate 13, the vicinity of the opening is inclined at a predetermined inclination angle, and as shown in FIG. 8, the contact pins 3a of the contact probe 1 are inclined downward at a predetermined angle. The IC chip I is placed on the lower plate 15 with the wiring side facing upward. In this state, the lower plate 15 is temporarily fixed to the frame main body 11 from below. At this time, since the distance between the tip of the contact pin 3a of the contact probe 1 and the upper surface of the lower plate 15 is set smaller than the thickness of the IC chip I by a predetermined amount, the IC chip I is sandwiched between the contact pin 3a and the lower plate 15. You.

【0036】〔位置合わせ工程〕さらに、開口上方から
コンタクトピン3aの先端に対するICチップIのコン
タクトパッドの位置を観察しながら、位置決め板12を
動かしたりICチップIを針状治具等で動かすことによ
って調整し、対応するコンタクトピン3a先端とコンタ
クトパッドとが一致し接触するように微調整設定する。
[Positioning Step] Further, while observing the position of the contact pad of the IC chip I with respect to the tip of the contact pin 3a from above the opening, the positioning plate 12 is moved or the IC chip I is moved with a needle-like jig or the like. And fine adjustment is set so that the corresponding tip of the contact pin 3a and the contact pad coincide with each other and come into contact with each other.

【0037】なお、ICチップIのダイシング精度が高
く、その外形とコンタクトパッドの位置が相対的に安定
しているときには、位置決め板12とコンタクトプロー
ブ1との位置関係を予め調整しておいてから固定的に組
み立てておくことにより、上記微調整をせずにコンタク
トピン3aとコンタクトパッドとを一致させることが可
能となる。これによって、ICチップIの位置合わせ工
程が不要となり、ICチップIの取り付け作業が効率的
にかつ容易に行うことができる。
When the dicing accuracy of the IC chip I is high and the external shape and the position of the contact pad are relatively stable, the positional relationship between the positioning plate 12 and the contact probe 1 must be adjusted in advance. By fixedly assembling, it is possible to match the contact pin 3a with the contact pad without performing the fine adjustment. Thus, the step of aligning the IC chip I becomes unnecessary, and the work of mounting the IC chip I can be performed efficiently and easily.

【0038】〔本固定工程〕前記位置合わせ工程後、フ
レーム本体11に下板15を本格的に固定する。このと
き、傾斜状態のコンタクトピン3aに、いわゆるオーバ
ードライブがかかり、所定の押圧力でコンタクトピン3
a先端とコンタクトパッドとが接触して確実に電気的に
結合される。この状態は、ICチップIが、いわゆるマ
ルチチップモジュール等に実装された状態に酷似してお
り、ほぼ実装状態とされたICチップIの動作状態を高
信頼性をもってテストすることができる。
[Fixing Step] After the positioning step, the lower plate 15 is fully fixed to the frame body 11. At this time, so-called overdrive is applied to the contact pin 3a in the inclined state, and the contact pin 3a is pressed with a predetermined pressing force.
a The tip and the contact pad are in contact with each other to be reliably electrically connected. This state is very similar to the state where the IC chip I is mounted on a so-called multi-chip module or the like, and the operation state of the IC chip I almost mounted can be tested with high reliability.

【0039】このプローブ装置10は、約1インチ角
(約2.5cm角)の小さなチップキャリアであり、ダ
イナミックバーンインテスト等の高温加熱を伴う信頼性
試験に好適なものである。
The probe device 10 is a small chip carrier of about 1 inch square (about 2.5 cm square), and is suitable for a reliability test involving high-temperature heating such as a dynamic burn-in test.

【0040】なお、本実施形態では、チップキャリアで
あるプローブ装置10に適用するコンタクトプローブ1
を製作したが、他の測定用治具、例えばプローブカード
に適用するためIC用プローブとしてメカニカルパーツ
に組み込まれるコンタクトプローブの製造やLCD用プ
ローブとしてLCD用プローブ装置に採用されるコンタ
クトプローブの製造に適用しても構わない。この場合、
組み込まれる各プローブ装置に対応して、コンタクトプ
ローブの形状、配線、コンタクトピンのピッチや配置、
折曲の角度等が設定される。
In this embodiment, the contact probe 1 applied to the probe device 10 as a chip carrier is used.
To manufacture contact jigs to be incorporated into mechanical parts as IC probes to apply to other measurement jigs, such as probe cards, and to manufacture contact probes used in LCD probe devices as LCD probes. You may apply it. in this case,
Corresponding to each built-in probe device, the contact probe shape, wiring, contact pin pitch and arrangement,
The bending angle and the like are set.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。 (1)請求項1記載の屈曲部を有する金属体の製造方法
によれば、第1の金属層形成工程によって基板層に予め
所定位置から所定角度に傾斜した傾斜面を形成し、基板
層および第2の金属層を所定位置で所定角度に屈曲状態
でメッキによって形成した後、第2の金属層を分離させ
て前記金属体とするので、屈曲部が非塑性変形部となる
ことから残留応力が残らず耐久性を向上させることがで
きるとともに、高精度な屈曲位置および角度を容易に得
ることができる。
According to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the method for manufacturing a metal body having a bent portion according to the first aspect, the first metal layer forming step forms an inclined surface which is previously inclined at a predetermined angle from a predetermined position on the substrate layer by the first metal layer forming step. After the second metal layer is formed at a predetermined position by bending at a predetermined angle by plating, the second metal layer is separated into the metal body, so that the bent portion becomes a non-plastically deformed portion. The durability can be improved without remaining, and a highly accurate bending position and angle can be easily obtained.

【0042】請求項2記載のコンタクトプローブの製造
方法では、請求項1記載の屈曲部を有する金属体の成形
方法によって前記金属体であるパターン配線を形成して
前記屈曲部をコンタクトピンの途中位置に配する配線形
成工程を備えているので、塑性変形が無く残留応力が少
ないとともに、予め設定された前記基板層表面(傾斜
面)の形状によって特定される屈曲位置および角度で高
精度に屈曲したコンタクトピンを得ることができる。し
たがって、折曲工程および研磨工程を用いずに、各コン
タクトピンの高さや長さを容易に均一化することがで
き、塑性変形していない屈曲部を有することによって高
耐久性のコンタクトプローブを製造することができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a metal body having a bent portion according to the first aspect of the present invention, wherein a pattern wiring which is the metal body is formed and the bent portion is positioned at an intermediate position of the contact pin. Since there is provided a wiring forming step to be disposed on the substrate layer, there is no plastic deformation and there is little residual stress, and the wire is bent with high precision at a bending position and an angle specified by a predetermined shape of the substrate layer surface (inclined surface). Contact pins can be obtained. Therefore, the height and length of each contact pin can be easily made uniform without using a bending process and a polishing process, and a highly durable contact probe is manufactured by having a bent portion that is not plastically deformed. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態で作製されるコンタクトプローブを示す拡
大模式図である。
FIG. 1 is an enlarged schematic view showing a contact probe manufactured by one embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention.

【図2】 図1のA−A線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態を工程順に示す要部断面図である。
FIG. 3 is a fragmentary cross-sectional view showing one embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention in the order of steps;

【図4】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態を工程順に示すコンタクトピン部分の要部
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part of a contact pin portion showing one embodiment of a method for manufacturing a contact probe according to the present invention in the order of steps.

【図5】 本発明に係るコンタクトプローブの製造方法
の一実施形態におけるパターン形成工程後および分離工
程後の状態を示すコンタクトピン部分の要部斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view of a main part of a contact pin portion showing a state after a pattern forming step and a separating step in one embodiment of the method for manufacturing a contact probe according to the present invention.

【図6】 本発明に係るコンタクトプローブの一実施形
態を用いたプローブ装置(チップキャリア)の分解斜視
図である。
FIG. 6 is an exploded perspective view of a probe device (chip carrier) using an embodiment of the contact probe according to the present invention.

【図7】 本発明に係るコンタクトプローブの一実施形
態を用いたプローブ装置(チップキャリア)の外観斜視
図である。
FIG. 7 is an external perspective view of a probe device (chip carrier) using one embodiment of the contact probe according to the present invention.

【図8】 図7の要部が拡大されたB−B線断面図であ
る。
8 is an enlarged cross-sectional view taken along line BB of a main part of FIG. 7;

【図9】 本発明に係るコンタクトプローブの従来例を
示す要部を拡大した断面図である。
FIG. 9 is an enlarged sectional view of a main part showing a conventional example of a contact probe according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 コンタクトプローブ 2 樹脂フィルム 3 パターン配線 3a コンタクトピン(金属体) 5 支持金属板(基板層) 5a 傾斜面 6 ベースメタル層(第1の金属層) 10 プローブ装置 13 上板 500 金属フィルム AU Au層 BE 屈曲部 I ICチップ N Ni合金層(第2の金属層) PI ポリイミド樹脂 V 途中位置 W 所定位置 θ 所定角度 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Contact probe 2 Resin film 3 Pattern wiring 3a Contact pin (metal body) 5 Support metal plate (substrate layer) 5a Inclined surface 6 Base metal layer (first metal layer) 10 Probe device 13 Upper plate 500 Metal film AU Au layer BE bent portion I IC chip N Ni alloy layer (second metal layer) PI polyimide resin V Intermediate position W Predetermined position θ Predetermined angle

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定角度の屈曲部を有する金属体の成形
方法において、 表面に所定位置から前記所定角度に傾斜した傾斜面を有
する基板層の上に前記金属体の材質に被着または結合す
る材質の第1の金属層を形成する第1の金属層形成工程
と、 前記第1の金属層の上に前記金属体に供される部分以外
にマスクを施すパターン形成工程と、 前記第1の金属層の上のマスクされていない部分に、前
記金属体に供される第2の金属層をメッキ処理により形
成し、前記所定位置に前記屈曲部を成形するメッキ処理
工程と、 前記マスクを除去するマスク除去工程と、 再び前記第1の金属層を前記基板層からすべて剥離さ
せ、さらに第1の金属層を選択的に除去し、前記第2の
金属層を分離させて前記金属体とする金属体分離工程と
を備えていることを特徴とする金属体の成形方法。
1. A method for forming a metal body having a bent portion having a predetermined angle, wherein the metal body is adhered or bonded to a material of the metal body on a substrate layer having an inclined surface inclined at a predetermined angle from a predetermined position on the surface. A first metal layer forming step of forming a first metal layer of a material; a pattern forming step of masking a portion of the first metal layer other than a portion provided for the metal body; A second metal layer to be provided for the metal body is formed by plating on an unmasked portion of the metal layer, and a plating step of forming the bent portion at the predetermined position; and removing the mask. A mask removing step of removing the first metal layer from the substrate layer again, selectively removing the first metal layer, and separating the second metal layer into the metal body Having a metal body separation process. Forming method of the metal body to symptoms.
【請求項2】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
しこれらのパターン配線の各先端を前記フィルムから突
出状態に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
ブの製造方法であって、 請求項1記載の屈曲部を有する金属体の成形方法によっ
て前記金属体である前記パターン配線を形成し、前記屈
曲部を前記コンタクトピンの途中位置に配する配線形成
工程を備え、 前記配線形成工程は、前記マスク除去工程の後に、前記
第2の金属層の上に前記コンタクトピンに供される部分
以外をカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着
工程を備えていることを特徴とするコンタクトプローブ
の製造方法。
2. A method for manufacturing a contact probe, wherein a plurality of pattern wirings are formed on a film, and the tips of the pattern wirings are arranged so as to protrude from the film to form contact pins. Forming a pattern wiring that is the metal body by a method of forming a metal body having a portion, and arranging the bent portion at an intermediate position of the contact pin, wherein the wiring forming step includes the mask removing step Forming a film covering the portion of the second metal layer other than the portion provided for the contact pins.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG80101A1 (en) * 1999-06-28 2001-04-17 Advantest Corp Method of producing a contact structure
KR100996926B1 (en) 2008-10-28 2010-12-01 윌테크놀러지(주) Method for manufacturing probe and probe card
KR101019077B1 (en) * 2008-10-28 2011-03-07 윌테크놀러지(주) Probe block unit and probe card having the same

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