JPH1126363A - Aligner - Google Patents

Aligner

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JPH1126363A
JPH1126363A JP9189025A JP18902597A JPH1126363A JP H1126363 A JPH1126363 A JP H1126363A JP 9189025 A JP9189025 A JP 9189025A JP 18902597 A JP18902597 A JP 18902597A JP H1126363 A JPH1126363 A JP H1126363A
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stage
exposure apparatus
wafer
substrate
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JP9189025A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Takagi
伸一 高木
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Nikon Corp
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Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the decrease in the measuring accuracy of an interferometer due to temperature control of a motor for driving a stage. SOLUTION: The temperatures of motors 22A, 22B, etc., are controlled via a liquid-cooling unit 54 by a control unit 50 on the basis of air-conditioned temperatures close to a wafer stage 18 measured by a temperature sensor 42. Thereby the temperatures of the motors can be controlled, so that the air- conditioned temperatures close to a wafer stage 18 is almost the same at the surface temperatures of the motors. As a result, the movement of the wafer stage 18 hardly generates fluctuations of air over a length-measuring axis (optical path of interferometer beam) of an interferometer 32X, etc. Thus this can suppress the decrease in the measuring accuracy of the interferometer due to the temperature control of the motors 22A, 22B for driving the stage and so on.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に係り、さ
らに詳しくは、半導体集積回路や液晶表示基板等の製造
におけるフォトリソグラフィ工程に用いて好適な露光装
置に関する。
The present invention relates to an exposure apparatus, and more particularly, to an exposure apparatus suitable for use in a photolithography process in manufacturing a semiconductor integrated circuit, a liquid crystal display substrate, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体回路、特に、集積度の高
い超LSI(Large Scale Integration )や液晶回路な
どを製造する際に使用される露光装置には、非常に高精
度な温度管理と高いクリーン度が要求される。このた
め、通常、露光を行う露光本体部全体をチャンバ内に設
置し、このチャンバ内に熱交換機が内蔵された機械室内
で温度調節された空気を送風機で送風して供給する。チ
ャンバ内の空気の供給口には、ULPAフィルタ(Ultr
a Low Penetration Air-filter)等が設けられ、これに
より塵埃が除去された後、前記チャンバ内へ供給される
ようになっている。そして、機械室からチャンバ内へ供
給された空気の大部分は、温度制御性の観点から再び機
械室に戻されて循環使用される。
2. Description of the Related Art Generally, an exposure apparatus used for manufacturing a semiconductor circuit, particularly, an ultra-large scale integration (Large Scale Integration) or a liquid crystal circuit having a high degree of integration has a very high precision temperature control and high cleanliness. Degree is required. For this reason, the entire exposure main body for performing the exposure is usually installed in a chamber, and air whose temperature is adjusted in a machine room in which a heat exchanger is built is blown by a blower and supplied. A ULPA filter (Ultr filter) is provided at the air supply port in the chamber.
a Low Penetration Air-filter) is provided to remove dust and supply the dust into the chamber. Most of the air supplied from the machine room into the chamber is returned to the machine room again from the viewpoint of temperature controllability, and is circulated.

【0003】ところで、上記半導体集積回路を製造する
際に使用される露光装置としては、従来はステップアン
ドリピート方式の縮小投影型露光装置(ステッパー)が
主流であったが、チップサイズの大型化に伴い、最近で
は、小さな投影光学系で大面積露光が可能なステップア
ンドスキャン方式の走査型露光装置も比較的多く用いら
れるようになってきた。
As a conventional exposure apparatus used for manufacturing the semiconductor integrated circuit, a step-and-repeat type reduction projection exposure apparatus (stepper) has been mainly used. Accordingly, recently, a step-and-scan type scanning exposure apparatus capable of performing a large-area exposure with a small projection optical system has been relatively frequently used.

【0004】これらの露光装置では、ウエハ又はガラス
プレート等の基板(以下、「ウエハ」と総称する)上の
複数のショット領域を順次露光する等の必要からウエハ
はXY2次元方向に移動するウエハステージ上に載置さ
れており、このウエハステージの位置がレーザ干渉計等
の高精度な計測装置により例えば数nm〜10nm程度
の分解能で計測されるようになっている。ウエハステー
ジの駆動系としては、従来はステッピングモータ(サー
ボモータ)と送りねじとから成るものが用いられていた
が、最近ではリニアモータも比較的多く用いられるよう
になってきた。
In these exposure apparatuses, the wafer stage is moved in the XY two-dimensional directions because it is necessary to sequentially expose a plurality of shot areas on a substrate such as a wafer or a glass plate (hereinafter collectively referred to as a "wafer"). The position of the wafer stage is measured by a high-precision measuring device such as a laser interferometer with a resolution of, for example, several nm to 10 nm. As a drive system of the wafer stage, a drive system including a stepping motor (servo motor) and a feed screw has been used, but a linear motor has recently been used relatively frequently.

【0005】また、ステッパー等の露光装置では、複数
層の回路パターンを高精度に重ね合わせ露光する必要か
ら、マスク又はレチクル(以下、「レチクル」と総称す
る)のパターンとウエハ上のショット領域との高精度な
位置合わせ能力が要求されるとともに、ショット領域と
投影光学系の像面との高精度な位置合わせ能力も要求さ
れる。特に、最近ではパターンの微細化に伴い、開口数
(N.A.)の大きな投影光学系が用いられるようにな
ってきたため、投影光学系の焦点深度が浅くなる傾向に
あり、ウエハ上のショット領域を投影光学系の焦点深度
内に一致させるために、ウエハの光軸方向位置の検出を
高精度に行う必要も生じてきた。このため、この種の露
光装置には、斜入射光式等の焦点検出系が設けられてい
るのが通常である。
Further, in an exposure apparatus such as a stepper, since it is necessary to expose a plurality of circuit patterns in a superimposed manner with high precision, a pattern of a mask or a reticle (hereinafter collectively referred to as a “reticle”) and a shot area on a wafer are required. Is required as well as a highly accurate positioning capability between the shot area and the image plane of the projection optical system. In particular, recently, with the miniaturization of patterns, projection optical systems having a large numerical aperture (NA) have come to be used, so that the depth of focus of the projection optical system tends to be shallow, and the In order to match the area within the depth of focus of the projection optical system, it has been necessary to detect the position of the wafer in the optical axis direction with high accuracy. For this reason, this type of exposure apparatus is usually provided with a focus detection system such as an oblique incident light type.

【0006】上述したウエハステージを駆動するモー
タ、特にウエハステージを高速で駆動するためのリニア
モータの発熱により、チャンバ内の温調精度に悪影響を
与えるおそれがあることから、従来の露光装置において
も、モータ部分の液体冷却が行われていた。
Since the heat generated by the motor for driving the wafer stage, particularly the linear motor for driving the wafer stage at a high speed, may adversely affect the temperature control accuracy in the chamber, the conventional exposure apparatus is also required. The liquid cooling of the motor was performed.

【0007】また、ウエハに対する露光光の照射により
ウエハが熱膨張するため、これを防止しようとの観点か
ら、ウエハを保持するウエハホルダ又はウエハステージ
部分の冷却(温度調整)も行われている。
Further, since the wafer is thermally expanded by irradiation of the exposure light to the wafer, from the viewpoint of preventing the thermal expansion, cooling (temperature adjustment) of a wafer holder or a wafer stage portion holding the wafer is also performed.

【0008】さらに、チャンバ内の温度変化に起因して
内部の空気の屈折率が変化すると、干渉計の計測値に誤
差が生ずるおそれがあることから、干渉計の測長軸を含
むウエハステージ部分を所定の温度範囲内に制御する部
分的な温度制御も最近の露光装置ではなされている。
Further, if the refractive index of the internal air changes due to a change in the temperature in the chamber, an error may occur in the measured value of the interferometer. In recent exposure apparatuses, partial temperature control for controlling the temperature within a predetermined temperature range is also performed.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術のモータの液体冷却(温度調整)にあって
は、モータの温度(主として表面温度)をどの程度まで
冷却するかを定めることなく、冷却が行われていたこと
から、過剰に温度調整(冷却)したり、過少に温度調整
(冷却)したりするという好ましくない現象がしばしば
生じていた。このため、いずれの場合にもモータの近傍
とチャンバ内の他の部分との間に温度差が生じ、この結
果ウエハステージの移動に伴ってチャンバ内に温度の揺
らぎ(空気揺らぎ)が発生し、この空気揺らぎが干渉計
の計測値に誤差を生じさせるという不都合があった。
However, in the above-described liquid cooling (temperature adjustment) of the motor of the prior art, the cooling of the motor (mainly the surface temperature) is performed without deciding how much to cool. Therefore, undesirable phenomena such as excessive temperature adjustment (cooling) and excessive temperature adjustment (cooling) often occur. Therefore, in any case, a temperature difference occurs between the vicinity of the motor and other portions in the chamber, and as a result, a temperature fluctuation (air fluctuation) occurs in the chamber as the wafer stage moves, There is a disadvantage that this air fluctuation causes an error in the measured value of the interferometer.

【0010】また、上述した従来技術のウエハホルダ等
の温度調整に関しては、露光時のウエハの熱による伸縮
の観点から、その温度調整の精度が決められていた。こ
のため、ウエハの伸縮、特に熱膨張を抑制するため、ど
ちらかというと過冷却の傾向があり、ウエハ面の温度が
低く、投影光学系部分の温度が高くなるため、結果的に
ウエハ表面と投影光学系との間の空間に空気揺らぎが生
じ、ウエハ面の位置を検出する前述した焦点検出系の検
出精度を低下させるおそれがあった。
With respect to the temperature adjustment of the wafer holder and the like of the prior art described above, the accuracy of the temperature adjustment has been determined from the viewpoint of expansion and contraction of the wafer during exposure. For this reason, in order to suppress expansion and contraction of the wafer, particularly thermal expansion, there is a tendency of overcooling, and the temperature of the wafer surface is low and the temperature of the projection optical system portion is high. There is a possibility that air fluctuations occur in the space between the projection optical system and the detection accuracy of the above-described focus detection system that detects the position of the wafer surface.

【0011】本発明は、かかる事情の下になされたもの
で、請求項1及び2に記載の発明の目的は、ステージ駆
動用のモータの温度調整に起因する干渉計の計測精度の
低下を抑制することが可能な露光装置を提供することに
ある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to suppress a decrease in measurement accuracy of an interferometer due to temperature adjustment of a motor for driving a stage. It is an object of the present invention to provide an exposure apparatus capable of performing the above.

【0012】また、請求項3及び4に記載の発明の目的
は、基板を保持する保持部材(ホルダ又はステージ)の
温度調整に起因する焦点検出系の検出精度の低下を抑制
することが可能な露光装置を提供することにある。
It is another object of the present invention to suppress a decrease in detection accuracy of a focus detection system due to temperature adjustment of a holding member (holder or stage) for holding a substrate. An exposure apparatus is provided.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、被露光基板(W)を保持して移動する基板ステージ
(18)と、この基板ステージ(18)を駆動するモー
タ(20A、20B、22A、22B)と、前記基板ス
テージの位置を計測する干渉計(32X、32Y)とを
備えた露光装置において、前記モータの温度を、前記基
板ステージ部分の空調温度に基づいて制御する温度調整
手段(50)を設けたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate stage (18) for holding and moving a substrate (W) to be exposed, and a motor (20A) for driving the substrate stage (18). 20B, 22A, 22B) and an interferometer (32X, 32Y) for measuring the position of the substrate stage, a temperature for controlling the temperature of the motor based on the air-conditioning temperature of the substrate stage. An adjusting means (50) is provided.

【0014】これによれば、温度調整手段により基板ス
テージ部分の空調温度に基づいてモータの温度が制御さ
れることから、基板ステージ部分の空調温度とモータの
表面温度とをほぼ同一とするようなモータの温度制御が
可能となる。このため、基板ステージが移動しても干渉
計の測長軸(干渉計ビームの光路)上に空気揺らぎが殆
ど発生することがない。従って、ステージ駆動用のモー
タの温度調整に起因する干渉計の計測精度の低下を抑制
することが可能となる。また、モータの過冷却、過少冷
却が生じないので、効率の良い温度調整が可能である。
According to this, since the temperature of the motor is controlled by the temperature adjusting means based on the air-conditioning temperature of the substrate stage, the air-conditioning temperature of the substrate stage and the surface temperature of the motor are made substantially the same. The temperature of the motor can be controlled. For this reason, even if the substrate stage moves, air fluctuation hardly occurs on the length measurement axis of the interferometer (the optical path of the interferometer beam). Therefore, it is possible to suppress a decrease in the measurement accuracy of the interferometer due to the temperature adjustment of the motor for driving the stage. Further, since neither excessive cooling nor excessive cooling of the motor occurs, efficient temperature adjustment is possible.

【0015】この場合において、温度調整手段は、モー
タ表面温度と基板ステージ部分の空調温度とがほぼ同一
になるようにモータの温度を制御しても良いが、必ずし
もその必要はなく、例えば、請求項2に記載の発明の如
く、前記温度調整手段(50)は、前記モータ(20
A、20B、22A、22B)の表面温度を、前記空調
温度+1度以内に制御するようにしても良い。発明者
は、リニアモータの場合でも、モータの表面温度を基板
ステージ部分の空調温度+1℃以内にした場合に、干渉
計の空気揺らぎよる計測誤差を3nm以下に抑えられる
ことを実験により確認した。
In this case, the temperature adjusting means may control the temperature of the motor so that the motor surface temperature and the air-conditioning temperature of the substrate stage are substantially the same, but this is not always necessary. As described in Item 2, the temperature adjusting means (50) is provided with the motor (20).
A, 20B, 22A, 22B) may be controlled to be within the aforementioned air conditioning temperature + 1 degree. The inventor has confirmed through experiments that even in the case of a linear motor, when the surface temperature of the motor is set within the air conditioning temperature of the substrate stage portion + 1 ° C, the measurement error due to air fluctuation of the interferometer can be suppressed to 3 nm or less.

【0016】請求項3に記載の発明は、被露光基板
(W)を保持する保持部材(28)と、前記被露光基板
上にマスクのパターンを投影露光する投影光学系(P
L)と、前記被露光基板の前記投影光学系の光軸方向の
位置を計測する焦点検出系(40)とを備えた露光装置
において、前記保持部材の温度上昇量を、露光前の定常
状態を基準として前記焦点検出系に要求される検出精度
に応じて定まる温度範囲内に制御する温度調整手段(5
0)を設けたことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a holding member (28) for holding a substrate (W) to be exposed, and a projection optical system (P) for projecting and exposing a mask pattern on the substrate to be exposed.
L) and a focus detection system (40) that measures the position of the substrate to be exposed in the optical axis direction of the projection optical system. Temperature control means (5) for controlling the temperature within a temperature range determined according to the detection accuracy required for the focus detection system with reference to
0) is provided.

【0017】これによれば、温度調整手段により、露光
前の定常状態を基準として焦点検出系に要求される検出
精度に応じて定まる温度範囲内に被露光基板を保持する
保持部材の温度上昇量が制御されることから、焦点検出
系に要求される検出精度に影響を与えない温度範囲に基
板保持部材の露光前の定常状態からの温度上昇を抑制す
ることが可能になる。従って、基板を保持する保持部材
(ホルダ又はステージ)の温度調整に起因する焦点検出
系の検出精度の低下を抑制することが可能となる。ま
た、保持部材の過冷却、過少冷却が生じないので、効率
の良い温度調整が可能である。
According to this, the temperature adjusting means increases the temperature rise of the holding member for holding the substrate to be exposed within a temperature range determined according to the detection accuracy required of the focus detection system based on the steady state before exposure. Is controlled, it is possible to suppress the temperature rise of the substrate holding member from a steady state before exposure to a temperature range that does not affect the detection accuracy required for the focus detection system. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the detection accuracy of the focus detection system due to the temperature adjustment of the holding member (holder or stage) holding the substrate. Further, since neither excessive cooling nor excessive cooling of the holding member occurs, efficient temperature adjustment is possible.

【0018】この場合において、温度調整手段は保持部
材の温度を露光前の定常状態の温度にほぼ保つような制
御を行っても良いが、必ずしもこのようにする必要はな
く、例えば請求項4に記載の発明の如く、前記温度調整
手段(50)は、前記保持部材(28)の温度上昇量
を、露光前の定常状態の温度から0.3度以下に制御す
るようにしても良い。発明者は、保持部材としてのホル
ダを上記の露光前の定常状態から0.3℃以下に制御す
ると、焦点検出系の空気揺らぎに起因する検出誤差を3
0nm以下に抑えられることを確認した。
In this case, the temperature adjusting means may perform control to keep the temperature of the holding member substantially at the temperature in a steady state before exposure, but this is not always necessary. As in the invention described above, the temperature adjusting means (50) may control the amount of temperature rise of the holding member (28) to 0.3 degrees or less from a steady state temperature before exposure. When the inventor controls the holder as a holding member to a temperature of 0.3 ° C. or less from the above-described steady state before the exposure, the detection error caused by air fluctuation of the focus detection system is reduced by 3%.
It was confirmed that it could be suppressed to 0 nm or less.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図1
ないし図3基づいて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
3 will be described with reference to FIG.

【0020】図1には、一実施形態に係る露光装置10
の主要部の構成が示されている。この露光装置10で
は、チャンバ12内に設置された露光装置本体14に対
して、機械室16で温度調節がなされ、塵埃の除去され
たクリーンな空気が供給された状態で露光処理が行われ
る。これは、露光装置本体14の構成部材の温度が変化
すると、回路パターンの重ね合わせ精度が劣化するた
め、部材の温度を、例えば、目標温度±0.01℃以内
程度の精度で制御する必要があるからである。この温度
制御は、本露光装置10では、機械室16内の空調部で
高精度に温度調節された空気を絶えずチャンバ12内に
供給することにより行われている。
FIG. 1 shows an exposure apparatus 10 according to one embodiment.
Of the main part is shown. In the exposure apparatus 10, the temperature of the exposure apparatus main body 14 installed in the chamber 12 is adjusted in the machine room 16, and the exposure processing is performed in a state where clean air from which dust is removed is supplied. This is because, when the temperature of the constituent members of the exposure apparatus main body 14 changes, the overlay accuracy of the circuit pattern deteriorates. Therefore, it is necessary to control the temperature of the members with, for example, an accuracy within about ± 0.01 ° C. of the target temperature. Because there is. This temperature control is performed in the exposure apparatus 10 by constantly supplying the air whose temperature has been precisely adjusted by the air conditioning unit in the machine room 16 into the chamber 12.

【0021】露光装置本体14は、露光光を照射する不
図示の照明系、不図示のレチクルに形成されたの回路パ
ターンを被露光基板としてのウエハW上に投影する投影
光学系PL、ウエハWを保持してX軸方向(図1におけ
る紙面左右方向)及びこれに直交するY軸方向(図1に
おける紙面直交方向)に移動可能な基板ステージとして
のウエハステージ18及びこのウエハステージ18を駆
動するステージ駆動系等を備えている。
The exposure apparatus main body 14 includes an illumination system (not shown) for irradiating exposure light, a projection optical system PL for projecting a circuit pattern formed on a reticle (not shown) onto a wafer W as a substrate to be exposed, and a wafer W. And a wafer stage 18 as a substrate stage movable in the X-axis direction (the horizontal direction in the paper plane of FIG. 1) and the Y-axis direction (the orthogonal direction in the paper plane of FIG. 1) orthogonal thereto. It has a stage drive system and the like.

【0022】前記ステージ駆動系は、図1のA−A線概
略断面図である図2に示されるように、チャンバ12内
に配置された一対のXリニアモータ20A、20Bと、
一対のYリニアモータ22A、22Bとから構成されて
いる。これを更に詳述すると、一方のXリニアモータ2
0Aは、チャンバ12の図2の+Y方向の端部近傍にX
方向に延設されたコイルから成る固定子24aと、この
固定子24aに上方から係合された断面逆U字状の可動
子25aとから構成されている。この可動子25aの固
定子24aの上面及び両側面に対向する面には、マグネ
ットが固定されている。これと同様に、他方のXリニア
モータ20Bも、チャンバ12の図2の−Y方向の端部
近傍にX方向に延設された固定子24bと、この固定子
24bに上方から係合された断面逆U字状の可動子25
bとから構成されている。
The stage drive system includes a pair of X linear motors 20A and 20B disposed in a chamber 12, as shown in FIG. 2 which is a schematic sectional view taken along line AA of FIG.
It is composed of a pair of Y linear motors 22A and 22B. This will be described in more detail.
0A is X near the end of the chamber 12 in the + Y direction in FIG.
The stator 24a is composed of a coil 24a extending in the direction, and a movable element 25a having an inverted U-shaped cross section engaged with the stator 24a from above. A magnet is fixed to a surface of the mover 25a facing the upper surface and both side surfaces of the stator 24a. Similarly, the other X linear motor 20B is also engaged with a stator 24b extending in the X direction near the end of the chamber 12 in the −Y direction of FIG. 2 and the stator 24b from above. Movable element 25 with inverted U-shaped cross section
b.

【0023】また、一方のYリニアモータ22Aは、可
動子25a、25b間にY方向に架設されたコイルから
成る固定子26aと、この固定子26aに−Y方向側か
ら係号合された断面コ字状の可動子27a(図1参照)
とから構成されている。この可動子27aの固定子26
aの−X方向側面及び上下面に対向する面には、マグネ
ットが固定されている。これと同様に、他方のYリニア
モータ22Bも、可動子25a、25b間にY方向に架
設されたコイルから成る固定子26bと、この固定子2
6bに+X方向側から係合された断面コ字状の可動子2
7b(図1参照)とから構成されている。
The one Y linear motor 22A has a stator 26a composed of a coil installed in the Y direction between the movers 25a and 25b, and a cross section engaged with the stator 26a from the −Y direction side. U-shaped mover 27a (see FIG. 1)
It is composed of The stator 26 of the mover 27a
A magnet is fixed to the side opposite to the -X side surface and the upper and lower surfaces of a. Similarly, the other Y linear motor 22B also includes a stator 26b composed of a coil erected in the Y direction between the movers 25a and 25b,
Movable member 2 having a U-shaped cross section engaged with + X direction side to 6b
7b (see FIG. 1).

【0024】上記一対の可動子27a、27bは、図1
に示されるように、X方向に所定間隔を隔てて配置され
ウエハステージの底面にそれぞれ固定されている。
The pair of movers 27a and 27b are shown in FIG.
As shown in (1), they are arranged at predetermined intervals in the X direction and are respectively fixed to the bottom surface of the wafer stage.

【0025】以上のようにして構成されたステージ駆動
系によれば、ウエハステージ18は、一対のYリニアモ
ータ22A、22BによってY方向に駆動されるととも
に、一対のXリニアモータ20A、20BによってYリ
ニアモータ22A、22Bと一体的にX方向に駆動さ
れ、このようにしてウエハステージ18がXY2次元面
内の任意の位置に自在に位置決めされるようになってい
る。このウエハステージ駆動系は、不図示のステージ制
御系によって制御される。
According to the stage drive system configured as described above, the wafer stage 18 is driven in the Y direction by the pair of Y linear motors 22A and 22B, and is driven by the pair of X linear motors 20A and 20B. The wafer stage 18 is driven in the X direction integrally with the linear motors 22A and 22B, and thus the wafer stage 18 can be freely positioned at an arbitrary position in the XY two-dimensional plane. This wafer stage drive system is controlled by a stage control system (not shown).

【0026】ウエハステージ18の上面には、図1に示
されるように、保持部材としてのウエハホルダ28が載
置され、このウエハホルダ28によってウエハWが真空
吸着等によって保持されている。このウエハホルダ28
は不図示のZ駆動系によってXY面に直交するZ方向に
例えば100μm程度の範囲内で微少駆動可能に構成さ
れている。
As shown in FIG. 1, a wafer holder 28 as a holding member is mounted on the upper surface of the wafer stage 18, and the wafer W is held by the wafer holder 28 by vacuum suction or the like. This wafer holder 28
Is configured to be able to be minutely driven within a range of, for example, about 100 μm in a Z direction orthogonal to the XY plane by a Z drive system (not shown).

【0027】また、ウエハステージ18の上面にはX方
向に直交する反射面及びY方向に直交する反射面を備え
たL字型ミラーから成る移動鏡30が固定されている。
この移動鏡30のX側の反射面に対向してX方向位置計
測用のレーザ干渉計32Xがチャンバ12内に配置され
ている。このレーザ干渉計32Xは、移動鏡30に対し
てX方向の測定ビームIMxを投射するとともに、投影
光学系PLの−X方向側面に固定されたX固定鏡34X
に対してX方向の参照ビームIRxを投射して、それぞ
れの反射光の干渉光に基づいてウエハステージ18のX
座標を例えば10nm程度の分解能で計測する。これと
同様に、移動鏡20のY側の反射面に対向してY方向位
置計測用のレーザ干渉計32Yがチャンバ12内に配置
されている(図2参照)。このレーザ干渉計32Yは、
移動鏡30に対してY方向の測定ビームIMyを投射す
るとともに、投影光学系PLの+Y方向側面に固定され
た不図示のX固定鏡に対してY方向の参照ビームを投射
して、それぞれの反射光の干渉光に基づいてウエハステ
ージ18のY座標を例えば10nm程度の分解能で計測
する。これらのレーザ干渉計32X、32Yの計測値
は、不図示のステージ制御系に供給される。
A movable mirror 30 composed of an L-shaped mirror having a reflecting surface orthogonal to the X direction and a reflecting surface orthogonal to the Y direction is fixed on the upper surface of the wafer stage 18.
A laser interferometer 32X for measuring the position in the X direction is disposed in the chamber 12 so as to face the reflecting surface on the X side of the movable mirror 30. The laser interferometer 32X projects the measurement beam IMx in the X direction to the movable mirror 30, and also fixes the X fixed mirror 34X fixed to the −X direction side surface of the projection optical system PL.
, A reference beam IRx in the X direction is projected onto the X-direction of the wafer stage 18 based on the interference light of each reflected light.
The coordinates are measured at a resolution of, for example, about 10 nm. Similarly, a laser interferometer 32Y for position measurement in the Y direction is arranged in the chamber 12 so as to face the reflecting surface on the Y side of the movable mirror 20 (see FIG. 2). This laser interferometer 32Y
The measurement beam IMy in the Y direction is projected onto the movable mirror 30, and the reference beam in the Y direction is projected onto an X fixed mirror (not shown) fixed to the + Y side surface of the projection optical system PL. The Y coordinate of the wafer stage 18 is measured at a resolution of, for example, about 10 nm based on the interference light of the reflected light. The measurement values of these laser interferometers 32X and 32Y are supplied to a stage control system (not shown).

【0028】また、本実施形態の露光装置10では、投
影光学系PLの側方に、焦点検出系としてのオートフォ
ーカスユニット40が設けられている。このオートフォ
ーカスユニット40内には、ウエハWの表面に投影光学
系PLの光軸方向(Z方向)に対して所定角度傾斜した
方向から焦点検出ビームFBを照射する照射光学系と、
この焦点検出ビームFBのウエハW面からの反射光を受
光する受光光学系とが収納されている。照射光学系の光
源としては、例えばハロゲンランプ等のブロードバンド
の光を発する光源が用いられる。このオートフォーカス
ユニット40は、原理的には、ウエハW面のZ方向位置
に応じてウエハ面で反射された焦点検出ビームFBの受
光位置が変動することを利用してウエハWのZ方向位置
を検出するものである。このオートフォーカスユニット
40の受光光学系からの検出信号が不図示のステージ制
御系に供給される。
In the exposure apparatus 10 of the present embodiment, an autofocus unit 40 as a focus detection system is provided beside the projection optical system PL. In the autofocus unit 40, an irradiation optical system that irradiates the surface of the wafer W with the focus detection beam FB from a direction inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis direction (Z direction) of the projection optical system PL;
A light receiving optical system for receiving the reflected light of the focus detection beam FB from the surface of the wafer W is housed therein. As a light source of the irradiation optical system, for example, a light source that emits broadband light such as a halogen lamp is used. The autofocus unit 40 uses the fact that the light receiving position of the focus detection beam FB reflected on the wafer surface fluctuates in accordance with the Z direction position of the wafer W surface in principle, and changes the Z direction position of the wafer W. It is to detect. A detection signal from the light receiving optical system of the autofocus unit 40 is supplied to a stage control system (not shown).

【0029】チャンバ12の図1及び図2における−X
方向の下端部近傍には、空気の供給口が設けられ、この
空気供給口の部分に、空気中の塵埃を除去するULPA
フィルタ35が設けられている。このULPAフィルタ
35を介してチャンバ内に吹き出される空気は、主とし
てウエハステージ18及びステージ駆動系(リニアモー
タ20A、20B、22A、22C)近傍を部分的に温
調する部分温調に用いられる。チャンバ12のその他の
部分の空調は、図示を省略した上方部分に設けられた別
のULPAフィルタを介して供給される空気によって行
われる。
The -X in FIGS. 1 and 2 of the chamber 12
An air supply port is provided in the vicinity of the lower end in the direction, and a ULPA for removing dust in the air is provided at the air supply port.
A filter 35 is provided. The air blown into the chamber through the ULPA filter 35 is mainly used for partial temperature control for partially controlling the temperature near the wafer stage 18 and the stage drive system (linear motors 20A, 20B, 22A, 22C). Air conditioning of other portions of the chamber 12 is performed by air supplied through another ULPA filter provided in an upper portion (not shown).

【0030】チャンバ12の+X方向端部に設けられた
排気口12bは、実際にはリターンダクトを介して機械
室16に接続されているが、図1及び図2においては、
これらのリターンダクト等については図示が省略されて
いる。
The exhaust port 12b provided at the end in the + X direction of the chamber 12 is actually connected to the machine room 16 via a return duct, but in FIGS. 1 and 2,
The illustration of these return ducts and the like is omitted.

【0031】機械室16内には、通常と同様、リターン
ダクトを介して回収された空気を所定温度まで冷却する
冷却用熱交換器、該冷却用熱交換器に冷媒を供給する冷
凍機、冷却用熱交換器で冷却された空気を加熱するヒー
タ、ヒータにより所定温度に加熱された空気をチャンバ
12側に圧送する送風機等(いずれも図示省略)から成
る空調部52(図3参照)が収納されている。この空調
部52は、図1に示される制御装置50によって制御さ
れる(これについては、後述する)。
In the machine room 16, a cooling heat exchanger for cooling the air recovered through the return duct to a predetermined temperature, a refrigerator for supplying a refrigerant to the cooling heat exchanger, The air conditioner 52 (see FIG. 3) including a heater for heating the air cooled by the heat exchanger, a blower for forcing the air heated to a predetermined temperature by the heater to the chamber 12 side, and the like (all not shown) is housed. Have been. The air conditioner 52 is controlled by the control device 50 shown in FIG. 1 (this will be described later).

【0032】チャンバ12内のULPAフィルタ35の
前方には、温度センサ42設けられており、この温度セ
ンサ42によりチャンバ12内の空気の温度が測定さ
れ、その出力(温度情報)が制御装置50に供給されて
いる。制御装置50では温度センサ42からの温度情報
に基づいて空調部52内のヒータの加熱を制御し、チャ
ンバ12内のウエハステージ18及びステージ駆動系
(リニアモータ20A、20B、22A、22C)近傍
の部分(以下、「ステージ部分」と略称する)を予め設
定された目標温度(空調温度)に制御する。
A temperature sensor 42 is provided in front of the ULPA filter 35 in the chamber 12. The temperature sensor 42 measures the temperature of the air in the chamber 12, and outputs the output (temperature information) to the control device 50. Supplied. The control device 50 controls the heating of the heater in the air conditioner 52 based on the temperature information from the temperature sensor 42, and controls the vicinity of the wafer stage 18 in the chamber 12 and the stage drive system (linear motors 20A, 20B, 22A, 22C). A part (hereinafter, abbreviated as “stage part”) is controlled to a preset target temperature (air conditioning temperature).

【0033】更に、本実施形態の露光装置10では、リ
ニアモータ20A、20B、22A、22Bを所定温度
に温調された液体により冷却するための液冷却部54が
設けられており、この液冷却部54から送出される冷却
液がリニアモータ20A、20B、22A、22Bを構
成する固定子24a、24b、26a、26bの内部を
通過し、液冷却部に戻る経路(図1及び図2中の点線矢
印参照)に沿って循環されるようになっている。また、
図3に示されるように、液冷却部54内の不図示の温度
センサの情報が制御装置50にフィードバックされてい
る。
Further, the exposure apparatus 10 of the present embodiment is provided with a liquid cooling section 54 for cooling the linear motors 20A, 20B, 22A, 22B with a liquid whose temperature has been adjusted to a predetermined temperature. A path through which the cooling liquid sent from the section 54 passes through the stators 24a, 24b, 26a, and 26b constituting the linear motors 20A, 20B, 22A, and 22B and returns to the liquid cooling section (see FIGS. 1 and 2). (See dotted arrow). Also,
As shown in FIG. 3, information of a temperature sensor (not shown) in the liquid cooling unit 54 is fed back to the control device 50.

【0034】本実施形態では、制御装置50によって、
液冷却部54から送出される冷却液の温度が、温度セン
サ42からの温度情報を基準として所定温度範囲内に制
御され、この温度制御された冷却液とリニアモータ20
A、20B、22A、22Bを構成する固定子24a、
24b、26a、26bとの間で熱交換が行われ、これ
によって固定子24a、24b、26a、26bの表面
温度がステージ部の空調温度とほぼ同じ温度になるよう
に調整されるようになっている。
In the present embodiment, the control device 50
The temperature of the cooling liquid sent from the liquid cooling section 54 is controlled within a predetermined temperature range based on the temperature information from the temperature sensor 42, and the temperature-controlled cooling liquid and the linear motor 20 are controlled.
A, a stator 24a constituting 20B, 22A, 22B,
Heat exchange is performed between the stators 24b, 26a, and 26b, whereby the surface temperatures of the stators 24a, 24b, 26a, and 26b are adjusted to be substantially the same as the air conditioning temperature of the stage. I have.

【0035】また、本実施形態の露光装置10では、ウ
エハホルダ28の側面温度を検出するホルダ温度検出器
56が設けられている(図1では図示せず、図3参
照)。また、ウエハホルダ28を冷却するホルダ冷却部
58が設けられており、このホルダ冷却部58は、不図
示の液循環経路内を流れる冷却液を温度調整する機能を
有している。制御装置50では露光開始前にホルダ温度
検出器56で検出された定常状態におけるウエハホルダ
28の温度を不図示の内部メモリに記憶し、露光が開始
された後は、ホルダ冷却部58から送出される冷却液の
温度を、メモリ内に記憶した露光前の定常状態の温度を
基準としてオートフォーカスユニット40に要求される
検出精度に応じて定まる温度範囲内に制御するようにな
っている。
The exposure apparatus 10 of the present embodiment is provided with a holder temperature detector 56 for detecting the side surface temperature of the wafer holder 28 (not shown in FIG. 1; see FIG. 3). Further, a holder cooling unit 58 for cooling the wafer holder 28 is provided, and the holder cooling unit 58 has a function of adjusting the temperature of a cooling liquid flowing in a liquid circulation path (not shown). The controller 50 stores the temperature of the wafer holder 28 in a steady state detected by the holder temperature detector 56 before the start of exposure in an internal memory (not shown), and is sent from the holder cooling unit 58 after the exposure is started. The temperature of the coolant is controlled within a temperature range determined in accordance with the detection accuracy required of the autofocus unit 40 with reference to the steady state temperature before exposure stored in the memory.

【0036】以上説明した本実施形態の露光装置10に
よると、制御装置50により温度センサ42で検出され
るステージ部分の空調温度に基づいて液冷却部54を介
してリニアモータ20A、20B、22A、22Bを構
成する固定子24a、24b、26a、26bの表面温
度が制御され、ステージ部分の空調温度と固定子24
a、24b、26a、26bの表面温度とがほぼ同一と
なるような温度制御が可能となる。このため、ウエハス
テージ18が移動してもその近傍に空気揺らぎ(温度の
揺らぎ)が殆ど発生することがなくなるので、空気揺ら
ぎに起因するレーザ干渉計の計測誤差の発生を効果的に
抑制することができる。
According to the exposure apparatus 10 of the present embodiment described above, the linear motors 20A, 20B, 22A, and 22A are controlled by the controller 50 via the liquid cooling section 54 based on the air conditioning temperature of the stage detected by the temperature sensor 42. The surface temperature of the stators 24a, 24b, 26a, 26b constituting the base 22B is controlled, and the air-conditioning temperature of the stage portion and the stator 24 are controlled.
Temperature control can be performed so that the surface temperatures of the a, 24b, 26a, and 26b are substantially the same. Therefore, even if the wafer stage 18 moves, air fluctuations (temperature fluctuations) hardly occur near the wafer stage 18, so that the occurrence of measurement errors of the laser interferometer due to the air fluctuations can be effectively suppressed. Can be.

【0037】また、制御装置50により、ホルダ冷却部
58を介して露光前の定常状態を基準としてオートフォ
ーカスユニット40に要求される検出精度に応じて定ま
る温度範囲内にウエハホルダ28の温度上昇量が制御さ
れることから、オートフォーカスユニット40に要求さ
れる検出精度に影響を与えない温度範囲にウエハホルダ
28の露光前の定常状態からの温度上昇を抑制すること
が可能になる。従って、ウエハホルダ28の温度調整に
よってウエハWと投影光学系PLとの間に空気揺らぎが
生じてもオートフォーカスユニット40の検出精度が殆
ど低下することはない。
Further, the controller 50 controls the amount of temperature rise of the wafer holder 28 via the holder cooling unit 58 within a temperature range determined in accordance with the detection accuracy required of the autofocus unit 40 with respect to the steady state before exposure. Since the control is performed, it is possible to suppress a rise in temperature of the wafer holder 28 from a steady state before exposure to a temperature range that does not affect the detection accuracy required for the autofocus unit 40. Therefore, even if air fluctuation occurs between the wafer W and the projection optical system PL due to the temperature adjustment of the wafer holder 28, the detection accuracy of the autofocus unit 40 hardly decreases.

【0038】また、本実施形態では、リニアモータ20
A、20B、22A、22Bを構成する固定子24a、
24b、26a、26b及びウエハホルダ28に対する
過冷却、過少冷却が生じないので、全体として効率の良
い温度調整が可能である。
In the present embodiment, the linear motor 20
A, a stator 24a constituting 20B, 22A, 22B,
Since overcooling and undercooling of the wafers 24b, 26a, 26b and the wafer holder 28 do not occur, efficient temperature adjustment as a whole is possible.

【0039】この場合において、制御装置50では、リ
ニアモータ20A、20B、22A、22Bを構成する
固定子24a、24b、26a、26bの表面温度がス
テージ部分の空調温度とがほぼ同一になるように液冷却
部54を制御しても良いが、必ずしもその必要はない。
発明者は、本実施形態の装置と同様の構成のリニアモー
タ駆動によるウエハステージを備えた露光装置を用いて
種々実験を行った結果、リニアモータの表面温度をステ
ージ部分の空調温度+1℃以内にした場合に、レーザ干
渉計の空気揺らぎよる計測誤差を3nm以下に抑えられ
ることを確認した。この計測誤差は、干渉計の分解能以
下である。
In this case, in the control device 50, the surface temperatures of the stators 24a, 24b, 26a, 26b constituting the linear motors 20A, 20B, 22A, 22B are set so that the air conditioning temperature of the stage portion becomes substantially the same. Although the liquid cooling unit 54 may be controlled, it is not always necessary.
The inventor conducted various experiments using an exposure apparatus equipped with a wafer stage driven by a linear motor having the same configuration as the apparatus of the present embodiment. As a result, the surface temperature of the linear motor was adjusted to within + 1 ° C. of the air conditioning temperature of the stage portion. In this case, it was confirmed that the measurement error due to air fluctuation of the laser interferometer can be suppressed to 3 nm or less. This measurement error is lower than the resolution of the interferometer.

【0040】また、制御装置50は、ウエハホルダ28
の温度を露光前の定常状態の温度にほぼ保つように、ホ
ルダ冷却部58を制御するようにしても良いが、必ずし
もこのようにする必要はない。発明者は、あるステッパ
ーを用いて種々の実験を行った結果、ウエハホルダの温
度上昇量を、露光前の定常状態の温度から0.3℃以下
に制御すると、焦点検出系の空気揺らぎに起因する検出
誤差を30nm以下に抑えられることを確認した。従っ
て、焦点検出系に要求される検出精度が、許容誤差30
nm程度(通常の要求精度はこれほど厳しくない)であ
る場合には、上記の露光前の定常状態の温度から0.3
度以下にウエハホルダを温度制御すれば十分である。
The control device 50 controls the wafer holder 28
The holder cooling unit 58 may be controlled so as to keep the temperature substantially equal to the temperature in a steady state before exposure, but this is not always necessary. The inventor conducted various experiments using a certain stepper. As a result, if the amount of temperature rise of the wafer holder is controlled to be 0.3 ° C. or less from the steady state temperature before exposure, it is caused by air fluctuation of the focus detection system. It was confirmed that the detection error could be suppressed to 30 nm or less. Therefore, the detection accuracy required for the focus detection system is set to the allowable error 30
In the case of about nm (normal accuracy required is not so strict), the above-mentioned steady state temperature before exposure is 0.3
It is sufficient to control the temperature of the wafer holder to less than the temperature.

【0041】これまでの説明から明らかなように、本実
施形態では、制御装置50によって温度調整手段が構成
されている。
As is clear from the above description, in the present embodiment, the controller 50 constitutes a temperature adjusting means.

【0042】なお、上記実施形態では、ウエハステージ
18をリニアモータで駆動する露光装置に本発明が適用
された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこ
れに限定されることはなく、ロータリモータとこれによ
って回転される送りねじとを用いた露光装置にも本発明
は適用できることは勿論である。
In the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to the exposure apparatus that drives the wafer stage 18 by a linear motor has been described. However, the scope of the present invention is not limited to this. Of course, the present invention can be applied to an exposure apparatus using a motor and a feed screw rotated by the motor.

【0043】また、上記実施形態では、ウエハをウエハ
ホルダを介してウエハステージ上に吸着保持する場合に
ついて説明したが、ウエハ等の基板を基板ステージ上に
直接保持するような露光装置であっても本発明は好適に
適用できるものである。
In the above embodiment, the case where the wafer is suction-held on the wafer stage via the wafer holder has been described. However, even in an exposure apparatus which directly holds a substrate such as a wafer on the substrate stage, the present invention is not limited to this. The invention can be suitably applied.

【0044】また、上記の説明では、特に言及しなかっ
たが、本発明はステッパー及び走査型(スキャン)型の
露光装置のいずれであっても適用できるものである。
Although not particularly mentioned in the above description, the present invention can be applied to both a stepper and a scanning type exposure apparatus.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1及び2に
記載の発明によれば、ステージ駆動用のモータの温度調
整に起因する干渉計の計測精度の低下を抑制することが
可能な露光装置を提供するができる。
As described above, according to the first and second aspects of the present invention, it is possible to suppress the decrease in the measurement accuracy of the interferometer due to the temperature adjustment of the motor for driving the stage. Equipment can be provided.

【0046】また、請求項3及び4に記載の発明によれ
ば、基板を保持する保持部材(ホルダ又はステージ)の
温度調整に起因する焦点検出系の検出精度の低下を抑制
することが可能な露光装置を提供することができる。
According to the third and fourth aspects of the present invention, it is possible to suppress a decrease in detection accuracy of the focus detection system due to temperature adjustment of the holding member (holder or stage) holding the substrate. An exposure apparatus can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一実施形態の露光装置の主要部の構成を概略的
に示す図である。
FIG. 1 is a view schematically showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment.

【図2】図1のA−A線概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG.

【図3】図1の装置のチャンバ内各部の温度調整に関連
する構成各部を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing components of the apparatus shown in FIG. 1 related to temperature adjustment of components in a chamber.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 露光装置 18 ウエハステージ(基板ステージ) 20A、20B Xリニアモータ 22A、22C Yリニアモータ 28 ウエハホルダ(保持部材) 32X、32Y レーザ干渉計 40 オートフォーカスユニット(焦点検出系) 50 制御装置(温度調整手段) PL 投影光学系 W ウエハ(被露光基板) DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure apparatus 18 Wafer stage (substrate stage) 20A, 20B X linear motor 22A, 22C Y linear motor 28 Wafer holder (holding member) 32X, 32Y Laser interferometer 40 Autofocus unit (focus detection system) 50 Control device (temperature adjusting means) ) PL Projection optical system W Wafer (substrate to be exposed)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被露光基板を保持して移動する基板ステ
ージと、この基板ステージを駆動するモータと、前記基
板ステージの位置を計測する干渉計とを備えた露光装置
において、 前記モータの温度を、前記基板ステージ部分の空調温度
に基づいて制御する温度調整手段を設けたことを特徴と
する露光装置。
An exposure apparatus comprising: a substrate stage that holds and moves a substrate to be exposed; a motor that drives the substrate stage; and an interferometer that measures a position of the substrate stage. An exposure apparatus provided with a temperature adjusting means for controlling based on an air conditioning temperature of the substrate stage.
【請求項2】 前記温度調整手段は、前記モータの表面
温度を、前記空調温度+1度以内に制御することを特徴
とする請求項1に記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the temperature adjusting unit controls the surface temperature of the motor within the air conditioning temperature plus one degree.
【請求項3】 被露光基板を保持する保持部材と、前記
被露光基板上にマスクのパターンを投影露光する投影光
学系と、前記被露光基板の前記投影光学系の光軸方向の
位置を計測する焦点検出系とを備えた露光装置におい
て、 前記保持部材の温度上昇量を、露光前の定常状態を基準
として前記焦点検出系に要求される検出精度に応じて定
まる温度範囲内に制御する温度調整手段を設けたことを
特徴とする露光装置。
3. A holding member for holding a substrate to be exposed, a projection optical system for projecting and exposing a mask pattern on the substrate to be exposed, and measuring the position of the substrate to be exposed in the optical axis direction of the projection optical system. An exposure apparatus including a focus detection system that controls a temperature rise amount of the holding member within a temperature range determined according to detection accuracy required for the focus detection system with respect to a steady state before exposure. An exposure apparatus comprising an adjusting unit.
【請求項4】 前記温度調整手段は、前記保持部材の温
度上昇量を、露光前の定常状態から0.3度以下に制御
することを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
4. An exposure apparatus according to claim 3, wherein said temperature adjusting means controls the amount of temperature rise of said holding member to 0.3 degrees or less from a steady state before exposure.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002101804A1 (en) * 2001-06-11 2002-12-19 Nikon Corporation Exposure device, device manufacturing method, and temperature stabilization flow passage device
JP2006505778A (en) * 2002-11-04 2006-02-16 ザイゴ コーポレーション Correction for refractive index perturbations in the interferometer path

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