JPH0796618B2 - Low thermal expansion resin - Google Patents

Low thermal expansion resin

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JPH0796618B2
JPH0796618B2 JP29326087A JP29326087A JPH0796618B2 JP H0796618 B2 JPH0796618 B2 JP H0796618B2 JP 29326087 A JP29326087 A JP 29326087A JP 29326087 A JP29326087 A JP 29326087A JP H0796618 B2 JPH0796618 B2 JP H0796618B2
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  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はポリアミドイミドからなる低熱膨張性樹脂に関
する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a low thermal expansion resin made of polyamideimide.

[従来の技術] 有機ポリマーの線膨張係数は、そのほとんどのものが4
×10-5(K-1)以上の値を示し、金属や無機物に比べて
はるかに大きな値を有している。このように有機ポリマ
ーの線膨張係数が大きいことに起因する問題は多く、例
えば、有機ポリマーが金属や無機物の粉体又は繊維と複
合化される場合、熱サイクル等によりフィラーとの界面
剥離が生じたり、クラックが入ったりする場合があり、
また、樹脂単独で成型品を形成する場合にも、ヒケの問
題が大きく、精密な寸法精度を有する成型が困難であ
る。
[Prior Art] Most linear expansion coefficients of organic polymers are 4
It shows a value of × 10 -5 (K -1 ) or more, which is much larger than that of metals and inorganic substances. As described above, there are many problems caused by the large linear expansion coefficient of the organic polymer. For example, when the organic polymer is compounded with a powder or fiber of a metal or an inorganic material, interfacial peeling with the filler occurs due to heat cycle or the like. Or cracks may occur,
Also, when a molded product is formed by using only a resin, the problem of sink marks is large, and it is difficult to perform molding with precise dimensional accuracy.

また、フィルムと導体とからなるフレキシブルプリント
基板(FPC)を製造する方法として、製造時に金属箔に
可撓性フィルム材料をコーティングした後に高熱で硬化
乾燥あるいは熱圧着する方法が提案されているが、この
方法では室温に冷却すると線膨張係数の差に起因する熱
応力のためカールが生じたり、また、そのFPCの銅箔を
エッチングすると、ひずみの解除により寸法が大きく変
化したりするという問題がある。
Further, as a method for manufacturing a flexible printed circuit board (FPC) consisting of a film and a conductor, there has been proposed a method in which a flexible film material is coated on a metal foil at the time of manufacturing, followed by curing and drying with high heat or thermocompression bonding. In this method, when cooled to room temperature, curling occurs due to thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient, and when the FPC copper foil is etched, there is a problem that the dimensions change greatly due to strain relief. .

そこで、このようなFPCにおいては、これらの現象が起
らないように、低温硬化可能な接着剤で貼り合せて使用
することが行われている。しかしながら、一般に低温硬
化可能な接着剤はその耐熱性が劣るため、この接着剤で
貼り合わせる方法ではその基材にポリイミドフィルム等
の耐熱フィルムを使用しても本来の耐熱性を発揮でき
ず、耐熱性に優れたFPCを製造することが難しくなり、
しかも、接着剤層のために難燃性が低下する場合が多
い。
Therefore, in such an FPC, a low-temperature curable adhesive is used for bonding so that these phenomena do not occur. However, since low-temperature curable adhesives generally have poor heat resistance, even if a heat-resistant film such as a polyimide film is used as the base material in the method of bonding with this adhesive, the original heat resistance cannot be exhibited and It becomes difficult to manufacture an excellent FPC,
Moreover, the flame retardance is often lowered due to the adhesive layer.

一方、塗膜の場合には、これを通常の有機ポリマーに比
べて非常に線膨張係数が小さい金属板や無機質材の上に
塗布すると、この線膨張係数の差に起因する熱応力によ
って変形、膜のクラック、剥離、基材の破壊等が起こ
る。例えば、LSIやICの保護膜としてシリコンウエハ上
にコート膜を形成すると、ウエハが反ってパターニング
のためのフォトリソグラフィができなくなったり、ある
いは解像度が極めて悪くなる等の問題が生じたり、さら
にはパッシベーション膜を剥離したり、シリコンウエハ
自体にへき開破壊を起こさせることもある。
On the other hand, in the case of a coating film, when this is applied on a metal plate or an inorganic material having a very small linear expansion coefficient as compared with a normal organic polymer, it is deformed by thermal stress due to the difference in the linear expansion coefficient, Film cracking, peeling, substrate destruction, etc. occur. For example, if a coating film is formed on a silicon wafer as a protection film for LSIs and ICs, the wafer may warp and photolithography for patterning may not be possible, or problems such as extremely low resolution may occur, and further passivation may occur. The film may be peeled off or the silicon wafer itself may be cleaved.

このように有機ポリマーの線膨張係数が大きいことに起
因する問題点は多く、低熱膨張係数を有する有機ポリマ
ーの開発が要請されていた。
As described above, there are many problems due to the large linear expansion coefficient of the organic polymer, and development of an organic polymer having a low thermal expansion coefficient has been demanded.

そこで、このような低熱膨張性樹脂として、例えば、特
開昭60-250,031号公報及び特開昭60-243,120号公報にお
いては、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物等の芳香
族テトラカルボン酸とo−トリジン等の芳香族ジアミン
を反応させて得られる低熱膨張性ポリイミドが提案され
ているが、これらのものは製造される樹脂の物性、特に
耐折曲げ性及び加熱時の寸法安定性等の点で必ずしも満
足し得るものではなく、また、接着力の点からもさらに
その改善が要請されている。
Therefore, as such a low thermal expansion resin, for example, in JP-A-60-250,031 and JP-A-60-243,120, aromatic tetracarboxylic acid such as biphenyltetracarboxylic dianhydride and o- Although low thermal expansion polyimides obtained by reacting aromatic diamines such as trizine have been proposed, these are in view of physical properties of the resin produced, especially bending resistance and dimensional stability during heating. It is not always satisfactory, and further improvement is required in terms of adhesive strength.

また、米国特許第3,179,635号、第3,511,728号及び第3,
536,545号の各明細書には、以下に示されるような繰返
し単位 (式中、Rは 等の2価の芳香族基であり、また、R′は 等の4価の芳香族基である)を有するポリアミドイミド
が開示されている。
Also, U.S. Pat.Nos. 3,179,635, 3,511,728 and 3,
In each specification of No. 536,545, the repeating unit as shown below (In the formula, R is Is a divalent aromatic group, and R'is Polyamideimide having a tetravalent aromatic group such as) is disclosed.

これらのポリアミドイミドは、その線膨張係数は低い
が、吸水性や接着力に問題があり、これをフレキシブル
プリント基板の絶縁材等として使用する場合には耐ハン
ダ性が劣るという問題がある。
Although these polyamide-imides have low linear expansion coefficients, they have problems of water absorption and adhesive strength, and when they are used as insulating materials for flexible printed boards, they have poor solder resistance.

[発明が解決しようとする問題点] 従って、本発明の目的は、耐折り曲げ性等の機械的物性
や接着性等において優れた性能を有する新規なポリアミ
ドイミド樹脂からなる低熱膨張性樹脂を提供することに
ある。
[Problems to be Solved by the Invention] Therefore, an object of the present invention is to provide a low thermal expansion resin made of a novel polyamide-imide resin having excellent properties in mechanical properties such as bending resistance and adhesiveness. Especially.

また、本発明の他の目的は、吸水性を改善した低熱膨張
性樹脂を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a low thermal expansion resin having improved water absorption.

[問題点を解決するための手段] すなわち、本発明は、下記一般式(I) 〔式中、Arは4価の芳香族基を示し、Rは下記一般式
(a)及び/又は(b) (但し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、アルコキ
シ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4の整数
であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)を示
し、xは5〜1,000の整数である〕で表される構造単位3
0〜100モル%と、テトラカルボン酸及び/又はトリカル
ボン酸と上記(a)及び/又は(b)で表される構造を
分子中に含まないジアミンから誘導される構造単位0〜
70モル%よりなることを特徴とする低熱膨張性樹脂であ
る。
[Means for Solving Problems] That is, the present invention provides the following general formula (I): [In the formula, Ar represents a tetravalent aromatic group, and R is the following general formula (a) and / or (b). (Wherein R1 to R3 represent the same or different alkyl groups, alkoxy groups or halogens, l, m and n are integers of 0 to 4 and have at least one alkoxy group), and x is 5 to 1,000. Is an integer of 3]
Structural unit 0 to 100 mol%, derived from a tetracarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine containing no structure represented by the above (a) and / or (b) in the molecule
It is a low thermal expansion resin characterized by comprising 70 mol%.

上記一般式(I)で示される構造単位を有する低熱膨張
性樹脂は、下記一般式(II) 〔式中、Arは4価の芳香族基を示し、Rは下記一般式
(a)及び/又は(b) (但し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、アルコキ
シ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4の整数
であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)を示
し、xは5〜1,000の整数である〕で表されるポリアミ
ドイミド前駆体を硬化させることにより製造される。
The low thermal expansion resin having the structural unit represented by the general formula (I) is represented by the following general formula (II) [In the formula, Ar represents a tetravalent aromatic group, and R is the following general formula (a) and / or (b). (Wherein R1 to R3 represent the same or different alkyl groups, alkoxy groups or halogens, l, m and n are integers of 0 to 4 and have at least one alkoxy group), and x is 5 to 1,000. It is manufactured by curing a polyamideimide precursor represented by

そして、このような一般式(II)で示されるポリアミド
イミド前駆体は、下記一般式(III) H2N−R−NH2 (III) 〔式中、Rは下記一般式(a)及び/又は(b) (但し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、アルコキ
シ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4の整数
であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)を示
し、xは5〜1,000の整数である〕で表されるジアミン
と下記一般式(IV) (式中、Arは一般式(I)の場合と同じである) で表される芳香族テトラカルボン酸又はその誘導体とを
反応させて得られる。
The polyamideimide precursor represented by the general formula (II) is represented by the following general formula (III) H 2 N—R—NH 2 (III) [wherein R represents the following general formula (a) and / or Or (b) (Wherein R1 to R3 represent the same or different alkyl groups, alkoxy groups or halogens, l, m and n are integers of 0 to 4 and have at least one alkoxy group), and x is 5 to 1,000. A diamine represented by the following general formula (IV) (In the formula, Ar is the same as in the case of the general formula (I)) and is obtained by reacting with an aromatic tetracarboxylic acid represented by the following formula or a derivative thereof.

上記一般式(III)で示されるジアミン及び一般式(I
V)で示される芳香族テトラカルボン酸におけるAr、
A、R1〜R3、l〜n及びxはそれぞれ一般式(I)及び
(II)で示される構造単位におけるAr、A、R1〜R3、l
〜n及びxに対応する。
The diamine represented by the general formula (III) and the general formula (I
V) in the aromatic tetracarboxylic acid represented by
A, R1 to R3, l to n and x are Ar, A, R1 to R3 and l in the structural units represented by the general formulas (I) and (II), respectively.
~ N and x.

上記R1、R2及びR3は、アルキル基、アルコキシ基又はハ
ロゲンであって、アルキル基及びアルコキシ基としては
それらが置換アルキル基や置換アルコキシ基であっても
よく、好ましくは炭素数5以下の低級アルキル基、炭素
数5以下の低級アルコキシ基又はハロゲンであり、より
好ましい具体例としては、メチル基、エチル基、プロピ
ル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、弗素、
塩素又は臭素等を挙げることができる。これらの置換基
R1、R2及びR3は互いに同一であっても、また、異なって
いてもよいが、少なくとも1つはアルコキシ基である必
要がある。また、上記l、m及びnは、0〜4の整数で
あり、少なくとも1つのアルコキシ基を有することか
ら、これらl+m+nの合計は1以上、好ましくは1又
は2である。
The above R1, R2 and R3 are an alkyl group, an alkoxy group or a halogen, and the alkyl group and the alkoxy group may be a substituted alkyl group or a substituted alkoxy group, preferably a lower alkyl having 5 or less carbon atoms. Group, a lower alkoxy group having 5 or less carbon atoms or halogen, and more preferable specific examples thereof include methyl group, ethyl group, propyl group, methoxy group, ethoxy group, propoxy group, fluorine,
Examples thereof include chlorine and bromine. These substituents
R1, R2 and R3 may be the same or different from each other, but at least one of them must be an alkoxy group. Further, the above l, m and n are integers of 0 to 4 and have at least one alkoxy group, so the total of these l + m + n is 1 or more, preferably 1 or 2.

さらに、アルコキシ基としては炭素数3以下の低級アル
コキシ基が好ましく、より好ましくはメトキシ基であ
る。そして、このアルコキシ基の置換位置については、
アミド結合に隣接するベンゼン環のオルト位であること
が好ましく、より好ましくはアミド結合の窒素原子に隣
接するベンゼン環のいずれか1つのオルト位である。ア
ルコキシ基を構造単位中に導入することにより、樹脂材
料の接着力が向上すると共にその吸水率が低下し、これ
によってハンダ付に際して導体と絶縁材との間で脹れや
剥れが生じるようなことがなく、ハンダ付に際して予備
乾燥も不要になる。
Further, the alkoxy group is preferably a lower alkoxy group having 3 or less carbon atoms, more preferably a methoxy group. And regarding the substitution position of this alkoxy group,
The ortho position of the benzene ring adjacent to the amide bond is preferable, and the ortho position of any one of the benzene rings adjacent to the nitrogen atom of the amide bond is more preferable. By introducing an alkoxy group into the structural unit, the adhesive strength of the resin material is improved and its water absorption is lowered, which causes swelling or peeling between the conductor and the insulating material during soldering. No need for pre-drying when soldering.

また、上記xは0か1であるが、好ましくは0である。
このxが0のとき、R1又はR2のいずれか1つがメトキシ
基であり、lとmの合計が1であることが最も好まし
い。そして、構造単位中におけるアミド結合とイミド結
合の窒素原子の間にあるベンゼン環において、アルコキ
シ基がアミド結合のオルト位にあり、イミド結合がアミ
ド結合のパラ位にあることがより有利である。
Further, x is 0 or 1, but is preferably 0.
When x is 0, it is most preferred that either one of R1 or R2 is a methoxy group and the sum of l and m is 1. In the benzene ring between the amide bond and the nitrogen atom of the imide bond in the structural unit, it is more advantageous that the alkoxy group is in the ortho position of the amide bond and the imide bond is in the para position of the amide bond.

また、上記Arは、 等の4価の芳香族基又はそのアルキル置換体等の誘導体
であるが、好ましくは さらに、一般式(I)及び(II)における構造単位の繰
返し数は1以上の整数であるが、好ましくは5〜1,000
の整数である。
Also, the above Ar is A tetravalent aromatic group such as or a derivative thereof such as an alkyl-substituted derivative thereof is preferable. Further, the number of repeating structural units in the general formulas (I) and (II) is an integer of 1 or more, preferably 5 to 1,000.
Is an integer.

そして、上記一般式(III)で示されるジアミンの好ま
しい具体例としては、x=0の例として、例えば2−メ
トキシ−4,4′−ジアミノベンズアニリド、2′−メト
キシ−4,4′−ジアミノベンズアニリド、2′−メトキ
シ−4,5′−ジアミノベンズアニリド、2−エトキシ−
4,4′−ジアミノベンズアニリド、2′−エトキシ−4,
4′−ジアミノベンズアニリド、2−プロポキシ−3,4′
−ジアミノベンズアニリド、2′−プロポキシ−4,4′
−ジアミノベンズアニリド、2,2′−ジメトキシ−4,4′
−ジアミノベンズアニリド、2−メトキシ−2′−エト
キシ−4,3′−ジアミノベンズアニリド、2,6−ジメトキ
シ−4,4′−ジアミノベンズアニリド、2,2′−ジメトキ
シ−3,4′−ジアミノベンズアニリド、2,2′−ジエトキ
シ−4,4′−ジアミノベンズアニリド、2,6−ジエトキシ
−4,4′−ジアミノベンズアニリド等を挙げることがで
き、好ましくは2−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズ
アニリド及び2′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズ
アニリドであり、さらに合成の容易さの点からより好ま
しくは2′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズアニリ
ドである。
And as a preferable specific example of the diamine represented by the above general formula (III), for example, x = 0, for example, 2-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 2'-methoxy-4,4'- Diaminobenzanilide, 2'-methoxy-4,5'-diaminobenzanilide, 2-ethoxy-
4,4'-diaminobenzanilide, 2'-ethoxy-4,
4'-diaminobenzanilide, 2-propoxy-3,4 '
-Diaminobenzanilide, 2'-propoxy-4,4 '
-Diaminobenzanilide, 2,2'-dimethoxy-4,4 '
-Diaminobenzanilide, 2-methoxy-2'-ethoxy-4,3'-diaminobenzanilide, 2,6-dimethoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 2,2'-dimethoxy-3,4'- Diaminobenzanilide, 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobenzanilide, 2,6-diethoxy-4,4'-diaminobenzanilide and the like can be mentioned, preferably 2-methoxy-4,4. ′ -Diaminobenzanilide and 2′-methoxy-4,4′-diaminobenzanilide, and more preferably 2′-methoxy-4,4′-diaminobenzanilide from the viewpoint of ease of synthesis.

また、x=1の例としては、 等が挙げられる。このような化合物は、例えば前述の米
国特許第3,179,635号明細書や西独公開第2,255,652号明
細書で知られているか、又は、これらに記載された方法
を適用することによって合成することができる。
Also, as an example of x = 1, Etc. Such compounds are known, for example, in the above-mentioned US Pat. No. 3,179,635 and West German Patent 2,255,652, or can be synthesized by applying the method described therein.

上記一般式(IV)の芳香族テトラカルボン酸又はその誘
導体の具体例としては、芳香族環に4つのカルボキシ基
又はその誘導体が結合しているものが使用できるが、そ
の具体例としては次のようなものが挙げられる。なお、
ここではテトラカルボン酸として例示するが、これらの
エステル化物、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用で
きる。ピロメリット酸、3,3′,4,4′−ビフェニルテト
ラカルボン酸、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸、3,3′,4,4′−ジフェニルスルホンテトラカ
ルボン酸、2,3,3′,4′−ジフェニルエーテルテトラカ
ルボン酸、2,3,3′,4′−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,7
−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5,6−ナフタレン
テトラカルボン酸、3,3′,4,4′−ジフェニルメタンテ
トラカルボン酸、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、3,4,9,10−テトラカルボ
キシペリレン、2,2−ビス[4−(3,4−ジカルボキシフ
ェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3,4
−ジカルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン等があり、好ましくは、ピロメリット酸、3,
3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸、3,3′,4,4′
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3′,4,4′−ジ
フェニルスルホンテトラカルボン酸。低熱膨張化効果の
点からは、ピロメリット酸又はその誘導体が好ましい
が、2種以上のテトラカルボン酸又はその誘導体を物性
の向上や接着性の向上等を目的として使用してもよい。
芳香族テトラカルボン酸の誘導体として酸無水物を使用
すると合成上容易であり、また、有害な副生成物がない
等の点で有利である。
Specific examples of the aromatic tetracarboxylic acid represented by the general formula (IV) or a derivative thereof include those in which four carboxy groups or derivatives thereof are bonded to an aromatic ring. Specific examples thereof include the following. Something like this. In addition,
Although tetracarboxylic acid is exemplified here, ester compounds, acid anhydrides and acid halides thereof can of course be used. Pyromellitic acid, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic acid, 2,3,3 ', 4'-diphenyl ether tetracarboxylic acid, 2,3,3', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalene tetracarboxylic acid, 1,4,5,7
-Naphthalenetetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane, 3,4,9,10-tetracarboxyperylene, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane , 2,2-bis [4- (3,4
-Dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, etc., preferably pyromellitic acid, 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4,4 '
-Benzophenone tetracarboxylic acid, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid. From the viewpoint of low thermal expansion effect, pyromellitic acid or a derivative thereof is preferable, but two or more kinds of tetracarboxylic acid or a derivative thereof may be used for the purpose of improving physical properties or adhesiveness.
The use of an acid anhydride as a derivative of an aromatic tetracarboxylic acid is advantageous in that it is easy to synthesize and there is no harmful by-product.

本発明の樹脂の合成反応は、米国特許第3,179,635号明
細書等に記載された方法によって行うことができるが、
好ましくは一般式(III)で表されるジアミンと一般式
(IV)で表される芳香族テトラカルボン酸又はその誘導
体、好ましくは芳香族テトラカルボン酸二無水物とを含
む原料を、N−メチルピロリドン(NMP)、ジメチルホ
ルムアミド(DMF)、ジメチルアセトアミド(DMAC)、
ジメチルスルフォキサイド(DMSO)、硫酸ジメチル、ス
ルホラン、ブチロラクトン、クレゾール、フェノール、
ハロゲン化フェノール、シクロヘキサノン、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン、ダイグライム等の溶媒中で、
0〜200℃、好ましくは0〜100℃の範囲で反応させ、一
般式(II)で表されるポリアミドイミド前駆体を製造
し、このポリアミドイミド前駆体を200℃、好ましくは2
50℃以上の温度でイミド化し、本発明の低熱膨張性樹脂
とする方法である。一般式(II)のポリアミドイミド前
駆体を製造する際の反応温度が200℃を越えると、重合
反応中にイミド化反応が進行する場合があり、本発明の
低熱膨張化効果は得難くなるほか、成形性も著しく低下
する。
Although the synthetic reaction of the resin of the present invention can be carried out by the method described in U.S. Pat.No. 3,179,635, etc.,
A raw material containing a diamine represented by the general formula (III) and an aromatic tetracarboxylic acid represented by the general formula (IV) or a derivative thereof, preferably an aromatic tetracarboxylic dianhydride, is preferably N-methyl. Pyrrolidone (NMP), dimethylformamide (DMF), dimethylacetamide (DMAC),
Dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethyl sulfate, sulfolane, butyrolactone, cresol, phenol,
In a solvent such as halogenated phenol, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme,
The reaction is carried out in the range of 0 to 200 ° C, preferably 0 to 100 ° C to produce a polyamideimide precursor represented by the general formula (II), and the polyamideimide precursor is heated to 200 ° C, preferably 2
This is a method of imidizing at a temperature of 50 ° C. or higher to obtain the low thermal expansion resin of the present invention. If the reaction temperature during the production of the polyamideimide precursor of the general formula (II) exceeds 200 ° C., the imidization reaction may proceed during the polymerization reaction, making it difficult to obtain the low thermal expansion effect of the present invention. Also, the moldability is significantly reduced.

本発明においては、上記一般式(I)で示されるポリア
ミドイミドを構成単位として30モル%以上、好ましくは
40モル%以上、より好ましくは50モル%以上含まれてい
ることが望ましい。30モル%未満であると低熱膨張化効
果が少ない。
In the present invention, the polyamideimide represented by the general formula (I) is used as a constituent unit in an amount of 30 mol% or more, preferably
It is desirable that the content is 40 mol% or more, and more preferably 50 mol% or more. If it is less than 30 mol%, the effect of low thermal expansion is small.

その他の構成単位については、種々のジアミン、テトラ
カルボン酸、トリカルボン酸又はこれらの酸無水物等の
誘導体を用いて得られる構成単位があり、これはランダ
ムコポリメリゼーションによりランダムに入ったもので
あっても、あるいはブロック重合によりブロックで入っ
たものであってもよい。
Other structural units include structural units obtained by using various diamines, tetracarboxylic acids, tricarboxylic acids or derivatives thereof such as acid anhydrides, which are randomly entered by random copolymerization. Alternatively, it may be one that is inserted in blocks by block polymerization.

具体的に他のジアミンの例を挙げると、p−フェニレン
ジアミン、m−フェニレンジアミン、3,4′−ジアミノ
ジフェニルエーテル、4,4′−ジアミノジフェニルエー
テル、4,4′−ジアミノジフェニルメタン、3,3′−ジメ
チル−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス
[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、
1,2−ビス(アニリノ)エタン、ジアミノジフェニルス
ルホン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノベンゾエー
ド、ジアミノジフェニルスルフィド、2,2−ビス(p−
アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(p−アミノフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,5−ジアミノナフ
タレン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオ
ライド、1,4−ビス(p−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、4,4′−ビス(p−アミノフェノキシ)ビフェニ
ル、ジアミノアントラキノン、4,4′−ビス(3−アミ
ノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、1,3−ビ
ス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、1,4−ビス
(アニリノ)オクタフルオロブタン、1,5−ビス(アニ
リノ)デカフルオロペンタン、1,7−ビス(アニリノ)
テトラデカフルオロヘプタン、下記一般式 又は (但し、式中R5及びR7は2価の有機基を示し、R4及びR6
は1価の有機基を示し、p及びqは1より大きい整数を
示す)で表されるジアミノシロキサン、2,2−ビス[4
−(p−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−
(2−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−
3,5−ジメチルフェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジトリ
フルオロメチルフェニル]ヘキサフルオロプロパン、p
−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ベンゼン、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフ
ルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4′−ビス
(4−アミノ−3−トリフルオロメチルフェノキシ)ビ
フェニル、4,4′−ビス(4−アミノ−2−トリフルオ
ロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4′−ビ
ス(3−アミノ−5−トリフルオロメチルフェノキシ)
ジフェニルスルフォン、2,2−ビス[4−(4−アミノ
−3−トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン、ベンジジン、3,3′,5,5′−テト
ラメチルベンジジン、オクタフルオロベンジジン、3,
3′−ジメトキシベンジジン、o−トリジン、m−トリ
ジン、2,2′,5,5′,6,6′−ヘキサフルオロトリジン、
4,4″−ジアミノターフェニル、4,4−ジアミノクォー
ターフェニル等のジアミン類がある。
Specific examples of other diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylmethane and 3,3 '. -Dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane,
1,2-bis (anilino) ethane, diaminodiphenyl sulfone, diaminobenzanilide, diaminobenzoate, diaminodiphenyl sulfide, 2,2-bis (p-
Aminophenyl) propane, 2,2-bis (p-aminophenyl) hexafluoropropane, 1,5-diaminonaphthalene, diaminotoluene, diaminobenzotrifluoride, 1,4-bis (p-aminophenoxy) benzene, 4, 4'-bis (p-aminophenoxy) biphenyl, diaminoanthraquinone, 4,4'-bis (3-aminophenoxyphenyl) diphenyl sulfone, 1,3-bis (anilino) hexafluoropropane, 1,4-bis (anilino ) Octafluorobutane, 1,5-bis (anilino) decafluoropentane, 1,7-bis (anilino)
Tetradecafluoroheptane, the following general formula Or (However, in the formula, R5 and R7 represent a divalent organic group, and R4 and R6
Represents a monovalent organic group, and p and q represent integers greater than 1), 2,2-bis [4
-(P-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy)
Phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4-
(2-Aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)-
3,5-Dimethylphenyl] hexafluoropropane, 2,2
-Bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-ditrifluoromethylphenyl] hexafluoropropane, p
-Bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-3-tri) Fluoromethylphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) diphenyl sulfone, 4,4'-bis (3-amino-5-trifluoromethylphenoxy)
Diphenyl sulfone, 2,2-bis [4- (4-amino-3-trifluoromethylphenoxy) phenyl] hexafluoropropane, benzidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, octafluorobenzidine, 3 ,
3'-dimethoxybenzidine, o-tolidine, m-tolidine, 2,2 ', 5,5', 6,6'-hexafluorotrizine,
There are diamines such as 4,4 ″ -diaminoterphenyl and 4,4-diaminoquaterphenyl.

また、他のテトラカルボン酸並びにその誘導体の例とし
ては次のようなものが挙げられる。なお、ここではテト
ラカルボン酸として例示するが、これらのエステル化
物、酸無水物、酸ハロゲン化物も勿論使用できる。ブタ
ンテトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸
等があり、また、トリメリット酸及びその誘導体も挙げ
られる。
Examples of other tetracarboxylic acids and their derivatives include the following. Although tetracarboxylic acid is exemplified here, ester compounds, acid anhydrides and acid halides thereof can of course be used. Examples include butanetetracarboxylic acid and cyclopentanetetracarboxylic acid, and also trimellitic acid and its derivatives.

さらに、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構
造やラダー構造を導入することもできる。例えば、次の
ような方法がある。
Furthermore, it is also possible to introduce a crosslinked structure or a ladder structure by modifying with a compound having a reactive functional group. For example, there are the following methods.

一般式で表される化合物で変性することによって、
ピロロン環やイソインドロキナゾリンジオン環等を導入
する。
By modifying with a compound represented by the general formula,
Introduce a pyrrone ring or isoindoloquinazolinedione ring.

〔但し、式中R8は2+z価(zは1又は2である)の芳
香族有機基を示し、Bは−NH2基、−CONH2基又は−SO2N
H2基から選択された置換基であってアミノ基に対しオル
ト位である〕 重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミン、ジカ
ルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸の誘導体
で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。不飽和化
合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テトラヒドロ
フタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
[However, an aromatic organic group R8 is 2 + z value in the formula (z is 1 or 2), B is a -NH 2 group, -CONH 2 group or -SO 2 N
It is a substituent selected from the H 2 group and is in the ortho position with respect to the amino group] Amine having a polymerizable unsaturated bond, diamine, dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, modified with a derivative of tetracarboxylic acid, at the time of curing Form a bridge structure. As the unsaturated compound, maleic acid, nadic acid, tetrahydrophthalic acid, ethynylaniline and the like can be used.

フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有する芳
香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシル基と
反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する。
A network structure is formed by modifying with an aromatic amine having a phenolic hydroxyl group or a carboxylic acid and using a crosslinking agent capable of reacting with the hydroxyl group or the carboxyl group.

本発明のポリアミドイミド樹脂は、このような前記各成
分を用いて変性することにより、その線膨張係数を調整
することができる。すなわち、一般式(I)の構造のみ
からなるポリアミドイミド樹脂は、面内に1×10-5(K
-1)以下の線膨張係数を有する絶縁体を形成可能である
が、これを前記各成分を使用して変性することにより、
線膨張係数を任意に大きくすることができる。
The linear expansion coefficient of the polyamide-imide resin of the present invention can be adjusted by modifying it with each of the above components. That is, the polyamide-imide resin having only the structure of the general formula (I) has an in-plane 1 × 10 −5 (K
-1 ) It is possible to form an insulator having the following linear expansion coefficient, but by modifying it using the above-mentioned components,
The linear expansion coefficient can be arbitrarily increased.

本発明において、より低熱膨張性の樹脂を得るには、ポ
リアミック酸溶液の状態で任意の支持体上に塗布し、溶
媒乾燥後さらに支持体上あるいは緊張状態でイミド化す
るのが好ましい。また、延伸等の操作を行なってさらに
低熱膨張化を行なっても差し支えない。逆に、無緊張下
でイミド化反応を行なうと、線膨張係数は大きくなる傾
向にある。
In the present invention, in order to obtain a resin having a lower thermal expansion coefficient, it is preferable that the polyamic acid solution is applied onto an arbitrary support, dried with a solvent, and further imidized on the support or in a tensioned state. Further, it is also possible to carry out an operation such as stretching to further reduce the thermal expansion. On the contrary, when the imidization reaction is carried out without tension, the linear expansion coefficient tends to increase.

本発明においては任意に溶媒乾燥温度、イミド化温度を
選択可能である。イミド化温度は通常200℃以上、好ま
しくは250℃以上である。さらにガラス転移温度以上に
上げても差し支えない。
In the present invention, the solvent drying temperature and the imidization temperature can be arbitrarily selected. The imidization temperature is usually 200 ° C or higher, preferably 250 ° C or higher. Further, it is possible to raise the temperature above the glass transition temperature.

本発明において、低熱膨張性ポリアミドイミドと無機質
材料とを一体化する場合、無機質材料の表面を粗面化し
たり、シランカップリング剤、チタネートカップリング
剤、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレー
ト、ジルコニウムキレート、アルミニウムアセチルアセ
トン等により表面処理を行ない、接着力をさらに向上さ
せることも可能である。また、無機質材料の表面に対し
てより接着力に優れたポリイミドあるいはその前駆体を
アンカーコートとして使用することにより、その上にコ
ートされる本発明の低熱膨張性樹脂の接着力の向上を図
ることができる。
In the present invention, when the low thermal expansion polyamide imide and the inorganic material are integrated, the surface of the inorganic material is roughened, or a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum alcoholate, an aluminum chelate, a zirconium chelate, or an aluminum acetylacetone is used. It is also possible to further improve the adhesive strength by carrying out a surface treatment by the above method. Further, by using a polyimide or its precursor, which is more excellent in adhesive strength to the surface of the inorganic material, as an anchor coat, it is possible to improve the adhesive strength of the low thermal expansion resin of the present invention coated thereon. You can

本発明において、より線膨張係数を下げたり、弾力率を
上げたり、流動性をコントロールしたり又は低コスト化
等を行うために、無機質、有機質又は金属等の粉末、繊
維、チョップドストランド等を混合して使用することも
できる。なお、別途合成して得られたポリイミド又はそ
の前駆体、ポリアミドイミド等をブレンドすることもで
きる。
In the present invention, in order to lower the coefficient of linear expansion, increase the coefficient of elasticity, control the fluidity, or reduce the cost, powders of inorganic, organic or metal, fibers, chopped strands, etc. are mixed. It can also be used. It is also possible to blend a polyimide or a precursor thereof, which has been separately synthesized, and polyamide imide.

本発明の低熱膨張性樹脂は、線膨張係数が16×10-6(K
-1)以下であることが望ましい。これより大きいと、金
属板や無機質板の上に塗布したとき、カール等の変形、
膜のクラック、剥離、基材の破損等が生じる。ここで、
線膨張係数は、銅箔上にポリアミドイミド前駆体溶液を
塗布して硬化させた後、エッチングして銅箔を除去して
得られた25μmのフィルムを250℃に昇温させた後、10
℃/min.で冷却して240℃から100℃までの間の寸法変化
率の平均として求められるもの、すなわち、 で求められる値である。
The low thermal expansion resin of the present invention has a linear expansion coefficient of 16 × 10 −6 (K
-1 ) It is desirable that it is below. If it is larger than this, when applied on a metal plate or an inorganic plate, deformation such as curl,
Film cracking, peeling, substrate damage, etc. occur. here,
The linear expansion coefficient was measured by applying a polyamideimide precursor solution on a copper foil and curing it, and then removing the copper foil by etching and heating the resulting 25 μm film to 250 ° C.
What is calculated as the average of the dimensional change rate between 240 ℃ and 100 ℃ after cooling at ℃ / min. It is the value obtained by.

また、吸水率は3%以下であることが望ましい。これよ
り大きいと、ハンダ付に際して基材と絶縁材となる樹脂
との間で脹れや剥れが生じるばかりでなく、絶縁性も低
下する。ここで、吸水率は、上記と同じようにして得ら
れたフィルムを室温で24時間浸漬した後の重量変化率、
すなわち、 から求められる値である。
Further, the water absorption rate is desirably 3% or less. If it is larger than this, not only swelling and peeling occur between the base material and the resin serving as the insulating material during soldering, but also the insulating property is deteriorated. Here, the water absorption rate, the rate of change in weight after immersion of the film obtained in the same manner as above for 24 hours at room temperature,
That is, It is a value obtained from.

本発明の低熱膨張性樹脂は、成形品、フィルム、接着
剤、塗料等の用途に使用できるが、その高い耐熱性、低
い線膨張係数及び吸水率、高い電気絶縁性、高い耐折曲
げ回数から、耐熱性あるいは耐電気絶縁性を要求される
分野のフィルム、コート材等として有用であり、例え
ば、フレキシブルプリント板、多層配線板、フラットケ
ーブル、フィルムキャリア、ICやLSIのコート剤、光フ
ァイバー二次被覆材、太陽電池、その他光耐熱性や寸法
安定性を要求されるシート類、接着剤等が挙げられる。
また、感光性基を導入して感光性ポリアミドイミド樹脂
とすることも可能である。
The low thermal expansion resin of the present invention can be used for molded articles, films, adhesives, paints, etc., but its high heat resistance, low coefficient of linear expansion and water absorption, high electrical insulation, high bending resistance It is useful as a film, coating material, etc. in the fields requiring heat resistance or electrical insulation resistance. For example, flexible printed boards, multilayer wiring boards, flat cables, film carriers, IC or LSI coating agents, optical fiber secondary Examples thereof include coating materials, solar cells, and other sheets and adhesives that are required to have light resistance and dimensional stability.
It is also possible to introduce a photosensitive group into a photosensitive polyamideimide resin.

フレキシブルプリント基板用フィルムとして前記ポリア
ミドイミドを用いた場合、従来のポリイミドの有してい
る機械的物性を保持したままカールすることのない平坦
なフレキシブルプリント基板が得られる。また、接着剤
を介することなくこのポリアミドイミド前駆体溶液を直
接銅箔に塗布するという製造方法が可能である。このた
め、従来のような、予め作製したフィルムと金属箔とを
接着剤で貼り合せる方法に比べて製造工程は半分以下に
減少し、かつ低温硬化の接着剤による耐熱性の大幅な低
下という問題が生じない。また、接着剤による難燃性の
低下がなく、信頼性の高い回路材料となる。さらに、本
発明のポリアミドイミド樹脂によるフレキシブルプリン
ト基板は、銅箔の接着力が高く、また、吸水率が低いた
めにハンダ付の際に予備乾燥が不要である。吸水率が大
きいと、乾燥なしでは銅箔と樹脂の間で脹れや剥れが生
じる。
When the polyamideimide is used as a film for a flexible printed board, a flat flexible printed board which does not curl while maintaining the mechanical properties of conventional polyimide can be obtained. Further, a manufacturing method in which the polyamideimide precursor solution is directly applied to the copper foil without using an adhesive is possible. Therefore, the manufacturing process is reduced to less than half as compared with the conventional method in which a film and a metal foil that are prepared in advance are attached with an adhesive, and the problem that the heat resistance due to the low temperature curing adhesive is significantly reduced. Does not occur. Further, the flame retardancy is not lowered by the adhesive, and the circuit material has high reliability. Furthermore, the flexible printed circuit board made of the polyamide-imide resin of the present invention does not require pre-drying when soldering because it has high adhesiveness of copper foil and low water absorption. If the water absorption is large, swelling or peeling occurs between the copper foil and the resin without drying.

また、同様にフィルムキャリアとして用いる場合も製造
プロセスが簡略化され信頼性の高いものとなる。そし
て、ICやLSIのコート剤としては、パッシベーション、
α線遮蔽等の目的でポリイミドワニスが用いられている
が、これも本発明の樹脂を用いることによりチップとの
間に生ずる線膨張係数の差による応力ひずみが小さくな
り、信頼性の高いものとなる。また接着性が高いため
に、剥離が起り難い。さらに、塗膜物性も一層良好で、
吸水性も低いためアルミ配線の腐蝕による信頼性の低下
も少ない。
Similarly, when used as a film carrier, the manufacturing process is simplified and the reliability is high. And as a coating agent for IC and LSI, passivation,
Polyimide varnish is used for the purpose of α-ray shielding, etc., but also by using the resin of the present invention, the stress strain due to the difference in the linear expansion coefficient between the chip and the chip becomes small, and the reliability is high. Become. Moreover, since the adhesiveness is high, peeling is unlikely to occur. In addition, the physical properties of the coating are even better,
Since the water absorption is also low, there is little deterioration in reliability due to corrosion of aluminum wiring.

また、光ファイバー被覆材においても、二次被覆材とし
て用いることにより、コアとの線膨張係数の差を小さく
でき、これによって歪みが小さくなり、光損失を小さく
することができる。さらに、本発明のポリアミドイミド
樹脂でコートした金属箔をアモルファス太陽電池の基板
として使用すると、アモルファスシリコン薄膜のクラッ
クの発生が著しく減少する。
Further, also in the optical fiber coating material, by using it as a secondary coating material, the difference in the coefficient of linear expansion from the core can be made small, whereby the distortion can be made small and the optical loss can be made small. Furthermore, when the metal foil coated with the polyamide-imide resin of the present invention is used as a substrate for an amorphous solar cell, the occurrence of cracks in the amorphous silicon thin film is significantly reduced.

本発明の樹脂は、低熱膨張性であり、耐折り曲げ性と接
着性とが共に良好であり、また、低い吸水率の樹脂であ
るので、その他の工業用材料としても極めて有用であ
る。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin of the present invention has a low thermal expansion property, has good bending resistance and adhesiveness, and has a low water absorption coefficient, and thus is extremely useful as another industrial material.

[実施例] 以下、実施例及び比較例に基いて、本発明を具体的に説
明する。
[Examples] Hereinafter, the present invention will be specifically described based on Examples and Comparative Examples.

線膨張係数はイミド化反応が十分終了した試料を用い、
サーモメカニカルアナライザー(TMA)を用いて行な
い、銅箔上にポリアミドイミド前駆体溶液を塗布し、イ
ミド化させた後、銅箔を溶解除去して得られる25μmの
フィルムを250℃に昇温後に10℃/min.で冷却して240℃
から100℃までの平均の線膨張率を算出した。
For the linear expansion coefficient, use a sample for which the imidization reaction has been completed,
Using a thermomechanical analyzer (TMA), apply the polyamideimide precursor solution on the copper foil, imidize it, and then dissolve and remove the copper foil to obtain a 25 μm film and raise the temperature to 250 ° C. 240 ℃ by cooling at ℃ / min.
The average linear expansion coefficient from 1 to 100 ° C was calculated.

接着力はテンシロンテスターを用い、幅10mmの銅張品の
樹脂側を両面テープによりアルミ板に固定し、銅を180
℃方向に剥離して求めた。
For adhesive strength, using Tensilon tester, fix the resin side of the copper clad product with a width of 10 mm to the aluminum plate with double-sided tape,
It was determined by peeling in the direction of ° C.

吸水率は線膨張係数の測定の場合と同様にして得られた
フィルムを室温で水中に24時間浸漬し、前後の重量変化
により求めた。
The water absorption rate was determined by immersing the film obtained in the same manner as in the measurement of the linear expansion coefficient in water at room temperature for 24 hours, and measuring the weight change before and after.

耐折り曲げ試験は幅10mm厚さ約25μmの試料を用い、東
洋精機製作製MIT耐柔揉疲労試験機(チャック0.38mmR、
荷重1kg)により測定した。
The bending resistance test uses a sample with a width of 10 mm and a thickness of about 25 μm, manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd. MIT soft fatigue tester (chuck 0.38 mmR,
The load was 1 kg).

また、イミド化する前のポリアミドイミド前駆体の固有
粘度をDMAc溶媒の0.5g/dl溶液として30℃で測定した。
In addition, the intrinsic viscosity of the polyamideimide precursor before imidization was measured at 30 ° C. in a 0.5 g / dl solution of DMAc solvent.

なお、各例における略号は以下のとおりである。The abbreviations in each example are as follows.

PMDA:ピロメリット酸二無水物 BPDA:3,3′,4,4′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物 BTDA:3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物 DDE:4,4′−ジアミノジフェニルエーテル DDM:4,4′−ジアミノジフェニルメタン o−TLDN:o−トリジン DABA:4,4′−ジアミノベンズアニリド Mt-DABA:2′−メチル−4,4′−ジアミノベンズアニリド Cl-DABA:2′−クロル−4,4′−ジアミノベンズアニリド 2′−Mo-DABA:2′−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズ
アニリド 2−Mo-DABA:2−メトキシ−4,4′−ジアミノベンズアニ
リド 2,2′‐dMo-DABA:2,2′−ジメトキシ−4,4′−ジアミノ
ベンズアニリド 4,5′‐dA−2′−MoBA:4,5′−ジアミノ−2′−メト
キシベンズアニリド B(4A,2Mo)TPA:ビス(4−アミノ−2−メチキシ)テ
レフタルアニリド 2′−Eo-DABA:2′−エトキシ−4,4′−ジアミノベンズ
アニリド DMAc:ジメチルアセトアミド NMP:N−メチル−2−ピロリドン 実施例1 温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒及び窒素吸込口を取
付けた300mlの4つ口フラスコに毎分200mlの窒素を流し
ながら、2′−Mo-DABA:0.075モル及びDMAc:170mlを加
えて撹拌した。2′−Mo-DABAの全てを溶解することは
できなかった。この溶液を水冷浴中で10℃以下に冷却し
ながら、PMDA:0.075モルを徐々に加えたところ、2′−
Mo-DABAは徐々に溶解しながら反応した。
PMDA: pyromellitic dianhydride BPDA: 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride BTDA: 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride DDE: 4, 4'-diaminodiphenyl ether DDM: 4,4'-diaminodiphenylmethane o-TLDN: o-tolidine DABA: 4,4'-diaminobenzanilide Mt-DABA: 2'-methyl-4,4'-diaminobenzanilide Cl-DABA: 2'-chloro-4,4'-diaminobenzanilide 2'-Mo-DABA: 2'-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide 2-Mo-DABA: 2-methoxy-4,4'-diaminobenzanilide 2,2'-dMo-DABA: 2,2'-dimethoxy-4,4'-diaminobenzanilide 4,5'-dA-2'-MoBA: 4,5'-diamino-2'-methoxybenzanilide B (4A, 2Mo) TPA: bis (4-amino-2-methoxy) terephthalanilide 2'-Eo-DABA: 2'-ethoxy-4,4'-diaminobenzanilide DMAc: Dimethylacetamide NMP: N-methyl-2-pyrrolidone Example 1 2'while flowing 200 ml of nitrogen per minute into a 300 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a calcium chloride tube, a stir bar and a nitrogen inlet. -Mo-DABA: 0.075 mol and DMAc: 170 ml were added and stirred. It was not possible to dissolve all of the 2'-Mo-DABA. While cooling this solution to 10 ° C or lower in a water-cooled bath, PMDA (0.075 mol) was gradually added to the solution.
Mo-DABA reacted while gradually dissolving.

約20分反応させた時点で、DDE:0.025モル、BTDA:0.025
モル及びDMAc:50mlを添加した。その後約2時間室温で
撹拌を続け重合反応を行ない、ブロック重合体を得た。
When reacted for about 20 minutes, DDE: 0.025 mol, BTDA: 0.025 mol
Molar and DMAc: 50 ml were added. Then, stirring was continued at room temperature for about 2 hours to carry out a polymerization reaction to obtain a block polymer.

この樹脂溶液をアルミ板上に固定した電解銅箔上にフィ
ルム厚みが約25μmとなるようにアプリケータを用いて
コーチングし、130℃及び150℃の強制通風炉中に順次10
分放置して予備乾燥を行い、次いで300℃の循環式熱風
オーブン中に15分間放置してイミド化した。冷却後銅箔
を溶解除去してフィルムを得た。
This resin solution was coated on an electrolytic copper foil fixed on an aluminum plate using an applicator so that the film thickness would be about 25 μm, and then sequentially placed in a forced air oven at 130 ° C and 150 ° C for 10 hours.
It was left for minutes for predrying, and then left in a circulating hot air oven at 300 ° C. for 15 minutes for imidization. After cooling, the copper foil was dissolved and removed to obtain a film.

このフィルムの熱膨張係数は8×10-6(K-1)であっ
た。吸水率は2.8%であり、耐折り曲げ試験は5万回以
上であった。
The coefficient of thermal expansion of this film was 8 × 10 −6 (K −1 ). The water absorption was 2.8%, and the bending resistance test was 50,000 times or more.

また、この樹脂溶液をアルミ板上に固定した市販の厚さ
35μmの電解銅箔上にフィルム厚みが約25μmになるよ
うにアプリケータを用いてコーティングし、130℃及び1
50℃の強制通風炉中に順次10分放置し、次いで330℃ま
で15分間かけて昇温しイミド化した。カールがほとんど
ないサンプルが得られた。この銅張品の接着力は1.4kg/
cmであった。この銅張品を76%RHで24時間保持した後、
260℃のハンダ浴に10秒間浸漬したが何の変化も認めら
れなかた。
In addition, this resin solution is fixed on an aluminum plate to a commercially available thickness.
Coated with an applicator on a 35μm electrolytic copper foil to a film thickness of about 25μm,
The mixture was left to stand in a forced air oven at 50 ° C for 10 minutes, and then heated to 330 ° C over 15 minutes to imidize. A sample with almost no curl was obtained. The adhesive strength of this copper-clad product is 1.4kg /
It was cm. After holding this copper-clad product at 76% RH for 24 hours,
It was immersed in a solder bath at 260 ° C for 10 seconds, but no change was observed.

さらに、ポリアミドイミド前駆体のフィルム及びイミド
化した後のフィルムについて、その赤外線吸収分析を行
った。ポリアミドイミド前駆体のフィルムの場合を第1
図に、また、イミド化した後のフィルムの場合を第2図
にそれぞれ示す。
Further, the film of the polyamideimide precursor and the film after imidization were subjected to infrared absorption analysis. First in the case of a film of polyamide-imide precursor
The figure and the case of the film after imidization are shown in FIG. 2, respectively.

実施例2 四つ口フラスコに2′−Mo-DABA:0.090モル、DDM:0.010
モル及びDMAc:170mlを加え、冷却下に撹拌しながらPMD
A:0.090モル及びBTDA:0.010モルを徐々に加えた。2時
間ほど室温で撹拌を続けると、粘調な樹脂溶液が得られ
た。
Example 2 2'-Mo-DABA: 0.090 mol, DDM: 0.010 in a four-necked flask.
Molar and DMAc: 170 ml added, PMD with stirring under cooling
A: 0.090 mol and BTDA: 0.010 mol were gradually added. When stirring was continued at room temperature for about 2 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は3×10
-6(K-1)で、吸水率は2.8%で、耐折り曲げ試験は5万
回以上であった。また、この樹脂による銅張品の接着力
は1.0kg/cmであり、ハンダによる異常も確認されなかっ
た。
The linear expansion coefficient of the film obtained by this is 3 × 10
The water absorption was 2.8% at -6 (K -1 ), and the bending resistance test was 50,000 times or more. The adhesive strength of the copper-clad product with this resin was 1.0 kg / cm, and no abnormality due to solder was confirmed.

実施例3及び4 実施例1の2′−Mo-DABAの代りに、2−Mo-DABA及び2,
2′−dMo-DABAを用いて行なった。評価結果を第1表に
示す。
Examples 3 and 4 Instead of 2'-Mo-DABA of Example 1, 2-Mo-DABA and 2,
It was performed using 2'-dMo-DABA. The evaluation results are shown in Table 1.

実施例5 実施例2と同様に、四つ口フラスコに2′−Mo-DABA:0.
10モル及びDMAc:170mlを加え、冷却撹拌しながらPMDA:
0.10モルを徐々に加えた。2時間ほど室温で攪拌を続け
ると粘調な樹脂溶液が得られた。
Example 5 As in Example 2, 2'-Mo-DABA: 0.
10 mol and DMAc: 170 ml were added, and PMDA:
0.10 mol was added slowly. When the stirring was continued at room temperature for about 2 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は1×10
-6(K-1)で、吸水率は2.8%であった。評価結果を第1
表に示す。
The linear expansion coefficient of the film thus obtained is 1 × 10
The water absorption was 2.8% at -6 (K -1 ). First evaluation result
Shown in the table.

実施例6 実施例2と同様に、四つ口フラスコに2′−Mo-DABA:0.
10モル及びNMP:170mlを加え、冷却撹拌しながらBPDA:0.
10モルを徐々に加えた。3時間ほど室温で攪拌を続ける
と粘調な樹脂溶液が得られた。
Example 6 As in Example 2, 2'-Mo-DABA: 0.
10 mol and NMP: 170 ml were added, and BPDA: 0.
10 mol was added slowly. When the stirring was continued at room temperature for about 3 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は15×10
-6(K-1)で、吸水率は2.0%であった。評価結果を第1
表に示す。
The linear expansion coefficient of the film obtained by this is 15 × 10
The water absorption was -6 (K -1 ) and was 2.0%. First evaluation result
Shown in the table.

実施例7 実施例2と同様に、四つ口フラスコに4,5′‐dA−2′
−MoBA:0.10モル及びDMAc:170mlを加え、冷却撹拌しな
がらPMDA:0.10モルを徐々に加えた。3時間ほど室温で
攪拌を続けると粘調な樹脂溶液が得られた。
Example 7 As in Example 2, 4,5'-dA-2 'was added to a four-necked flask.
-MoBA: 0.10 mol and DMAc: 170 ml were added, and PMDA: 0.10 mol was gradually added while cooling and stirring. When the stirring was continued at room temperature for about 3 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は14×10
-6(K-1)で、吸水率は2.9%であった。評価結果を第1
表に示す。
The linear expansion coefficient of the film thus obtained is 14 × 10
The water absorption was 2.9% at -6 (K -1 ). First evaluation result
Shown in the table.

実施例8 実施例2と同様に、四つ口フラスコにB(4A,2Mo)TPA:
0.075モル、DDE:0.025モル及びDMAc:170mlを加え、冷却
撹拌しながらPMDA:0.10モルを徐々に加えた。3時間ほ
ど室温で攪拌を続けると粘調な樹脂溶液が得られた。
Example 8 As in Example 2, B (4A, 2Mo) TPA:
0.075 mol, DDE: 0.025 mol and DMAc: 170 ml were added, and PMDA: 0.10 mol was gradually added while cooling and stirring. When the stirring was continued at room temperature for about 3 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は12×10
-6(K-1)で、吸水率は2.8%であった。評価結果を第1
表に示す。
The linear expansion coefficient of the film obtained by this is 12 × 10
The water absorption was 2.8% at -6 (K -1 ). First evaluation result
Shown in the table.

実施例9 実施例2と同様に、四つ口フラスコに2′−Eo-DABA:0.
049モル、DDE:0.051モル及びDMAc:170mlを加え、冷却撹
拌しながらPMDA:0.1モルを徐々に加えた。2時間ほど室
温で攪拌を続けると粘調な樹脂溶液が得られた。
Example 9 As in Example 2, 2'-Eo-DABA: 0.
049 mol, DDE: 0.051 mol and DMAc: 170 ml were added, and PMDA: 0.1 mol was gradually added with cooling and stirring. When the stirring was continued at room temperature for about 2 hours, a viscous resin solution was obtained.

これにより得られたフィルムの線膨張係数は15×10
-6(K-1)で、吸水率は2.5%であった。評価結果を第1
表に示す。
The linear expansion coefficient of the film obtained by this is 15 × 10
At -6 (K -1 ), the water absorption was 2.5%. First evaluation result
Shown in the table.

比較例1〜3 実施例1の2′−Mo-DABAの代りに、DABA、Mt-DABA及び
Cl-DABAを用いて行なった。評価結果を第1表に示す。
Comparative Examples 1 to 3 Instead of 2'-Mo-DABA of Example 1, DABA, Mt-DABA and
It was performed using Cl-DABA. The evaluation results are shown in Table 1.

比較例4 アミン成分としてo−TLDNを、酸無水物成分としてBPDA
をそれぞれ用い、NMP中で実施例2と同様に重合を行な
い評価した。得られた樹脂は耐折り曲げ性の低い樹脂で
あった。評価結果を第1表に示す。
Comparative Example 4 o-TLDN as an amine component and BPDA as an acid anhydride component
Polymerization was carried out in NMP in the same manner as in Example 2 and evaluated. The obtained resin was a resin having low bending resistance. The evaluation results are shown in Table 1.

比較例5 アミン成分としてDDEを、酸無水物成分としてPMDAをそ
れぞれ用い、DMAc中で実施例2と同様に重合を行ない評
価した。得られた樹脂は熱膨張係数の大きい樹脂であっ
た。評価結果を第1表に示す。
Comparative Example 5 Polymerization was carried out in DMAc in the same manner as in Example 2 using DDE as the amine component and PMDA as the acid anhydride component, and evaluated. The obtained resin had a large coefficient of thermal expansion. The evaluation results are shown in Table 1.

[発明の効果] 本発明の低熱膨張性樹脂は、耐折曲げ性等の機械的物性
や接着性等において優れた性能を有すると共に吸水性も
改善されており、フレキシブルプリント基板、フィルム
キャリア、ICやLSIのコート剤、光ファイバー二次被覆
材、アモルファス太陽電池、その他光耐熱性や寸法安定
性が要求されるシート類、コーティング材、接着剤等を
製造する際の樹脂として有用である。
[Effects of the Invention] The low thermal expansion resin of the present invention has excellent properties in mechanical properties such as bending resistance and adhesiveness, and also has improved water absorption, and thus has a flexible printed circuit board, a film carrier, an IC. It is also useful as a resin for the production of coating agents for LSIs, secondary coating materials for optical fibers, amorphous solar cells, and other sheets, coating materials, adhesives, etc., which are required to have light resistance and dimensional stability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図及び第2図は実施例1で得られたポリアミドイミ
ド前駆体のフィルム及びそのイミド化後のフィルムの赤
外線吸収分析のチャートである。
1 and 2 are infrared absorption analysis charts of the polyamideimide precursor film obtained in Example 1 and the film after imidization thereof.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】下記一般式(I) 〔式中、Arは4価の芳香族基を示し、Rは下記一般式
(a)及び/又は(b) (但し、R1〜R3は同一又は異なるアルキル基、アルコキ
シ基又はハロゲンを示し、l、m及びnは0〜4の整数
であり、少なくとも1つのアルコキシ基を有する)を示
し、xは5〜1,000の整数である〕で表される構造単位3
0〜100モル%と、テトラカルボン酸及び/又はトリカル
ボン酸と上記(a)及び/又は(b)で表される構造を
分子中に含まないジアミンから誘導される構造単位0〜
70モル%よりなることを特徴とする低熱膨張性樹脂。』
1. The following general formula (I): [In the formula, Ar represents a tetravalent aromatic group, and R is the following general formula (a) and / or (b). (Wherein R1 to R3 represent the same or different alkyl groups, alkoxy groups or halogens, l, m and n are integers of 0 to 4 and have at least one alkoxy group), and x is 5 to 1,000. Is an integer of 3]
Structural unit 0 to 100 mol%, derived from a tetracarboxylic acid and / or a tricarboxylic acid and a diamine containing no structure represented by the above (a) and / or (b) in the molecule
A low thermal expansion resin characterized by comprising 70 mol%. ]
【請求項2】アルコキシ基が炭素数3以下の低級アルコ
キシ基である特許請求の範囲第1項記載の低熱膨張性樹
脂。
2. The low thermal expansion resin according to claim 1, wherein the alkoxy group is a lower alkoxy group having 3 or less carbon atoms.
【請求項3】線膨張係数が16×10-6(K-1)以下である
特許請求の範囲第1項記載の低熱膨張性樹脂。
3. The low thermal expansion resin according to claim 1, which has a linear expansion coefficient of 16 × 10 −6 (K −1 ) or less.
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