JPH0756640B2 - Storage device - Google Patents

Storage device

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JPH0756640B2
JPH0756640B2 JP60038733A JP3873385A JPH0756640B2 JP H0756640 B2 JPH0756640 B2 JP H0756640B2 JP 60038733 A JP60038733 A JP 60038733A JP 3873385 A JP3873385 A JP 3873385A JP H0756640 B2 JPH0756640 B2 JP H0756640B2
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JP
Japan
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data
check bit
bit
bits
check
Prior art date
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JP60038733A
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Japanese (ja)
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JPS61199141A (en
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忠章 磯部
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0756640B2 publication Critical patent/JPH0756640B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、情報ビットに冗長(検査)ビットを付加して
記憶する方式の記憶装置において、部分書込動作時の冗
長(検査)ビット生成方式を改良したものに関する。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a redundant (check) bit generation method at the time of a partial write operation in a storage device of a method in which redundant (check) bits are added to information bits and stored. Regarding the improved one.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

従来、独立して動作する複数の記憶単位(バンク)をま
とめて制御する方式の記憶装置では、特開昭58−142459
号に記載のように、任意のアドレス領域の一部分を書替
える部分書込動作における検査ビットの生成を書込デー
タの併合後に行なっていた。従来の部分書込動作につい
て一例を用いて説明する。第3図に、主記憶装置(MS)
を16個のバンク(BK)に分割し、それを4バンク毎にま
とめ4バンクグループ(BG)として記憶制御装置(SC
U)に接続した場合の計算機システム構成例を示す。第
4図には、その1バンクグループ内のデータ系構造を示
す。
Conventionally, a storage device of a type that collectively controls a plurality of storage units (banks) that operate independently is disclosed in JP-A-58-142459.
As described in No. 3, the generation of the check bit in the partial write operation for rewriting a part of an arbitrary address area is performed after the write data is merged. A conventional partial write operation will be described using an example. Figure 3 shows the main memory (MS)
Is divided into 16 banks (BK), which are grouped into 4 banks to form a 4 bank group (BG).
An example of computer system configuration when connected to U) is shown. FIG. 4 shows a data system structure in the one bank group.

第4図において、SCUからの受口201,202,203,誤り訂正
符号(Error Correcting and Checking:ECC)の検査ビ
ット生成回路204,205ECCチェック回路206、書込データ
バッファ207、マークデータバッファ208およびSCUへの
送出口209などは、該バンクグループの4個のバンクBK0
〜BK3で共有される。バンクBK0は、記憶素子群210、ア
ドレスレジスタ211、書込データレジスタ212および読出
データレジスタ213により構成される。尚、書込データ
レジスタ212には、全書込動作用データパス215と部分書
込動作用データパス216の書込データが選択回路214で選
択されセットされる。バンクBK1〜BK3の構成も同様であ
る。
4, receiving ports 201, 202, 203 from the SCU, error correcting code (ECC) check bit generating circuits 204, 205 ECC checking circuit 206, a write data buffer 207, a mark data buffer 208, and a sending / receiving port to the SCU. 209 etc. are the four banks BK0 of the bank group.
~ Share on BK3. The bank BK0 includes a storage element group 210, an address register 211, a write data register 212 and a read data register 213. The write data in the data path 215 for full write operation and the data path 216 for partial write operation are selected and set in the write data register 212 by the selection circuit 214. The configuration of banks BK1 to BK3 is similar.

第4図の構成で部分書込動作を実行する場合、まず部分
書込を実行しようとするアドレスの領域に記憶されてい
るデータを読出す。次にマークデータバッファ208に保
持していた書込バイト指定情報(マーク)を基に、併合
回路217において、書込データバッファ207に貯えておい
た書込データと前述の読出データとを併合し、ECCの検
査ビット生成回路(ECC生成B)205により検査ビットを
生成する。その後、該アクセスアドレス領域に対して検
査ビットを含めた併合後のデータを書込むことにより、
部分書込動作が完了する。
When the partial write operation is executed with the configuration of FIG. 4, first, the data stored in the area of the address where the partial write is to be executed is read. Next, based on the write byte designation information (mark) held in the mark data buffer 208, a merge circuit 217 merges the write data stored in the write data buffer 207 with the above-mentioned read data. , ECC check bit generation circuit (ECC generation B) 205 generates check bits. After that, by writing the merged data including the check bit to the access address area,
The partial write operation is completed.

以上の説明で明らかなように、従来構成における部分書
込動作では、該アクセスアドレスのデータが読出される
まで部分書込データを保持する為のデータバッファが必
要であった。しかし、科学技術計算機用コンピュータの
主記憶装置のように多バンク構成が要求されてくると、
それを実現する金物量が増大し、これに対処する為に各
バンクを共通的に制御する機構の金物量の削減が必要に
なってきた。
As is clear from the above description, the partial write operation in the conventional configuration requires the data buffer for holding the partial write data until the data at the access address is read. However, when a multi-bank configuration is required like the main memory of a computer for scientific and technological computers,
The amount of hardware to realize this has increased, and in order to cope with this, it has become necessary to reduce the amount of hardware of the mechanism that commonly controls each bank.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は、情報ビットに検査ビットを付加して記
憶する方式の記憶装置において、部分書込用データバッ
ファの金物量を削減する手段を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a means for reducing the amount of metal parts of a partial write data buffer in a storage device of a type in which a check bit is added to an information bit for storage.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明の要点は、任意アドレス中の書替える部分のデー
タと書替わらない部分のデータから各々独立に生成した
検査ビットを合成することにより部分書込動作の書込デ
ータを保持するデータバッファの金物量の削減を可能に
するものである。
The point of the present invention is that the hardware of the data buffer that holds the write data of the partial write operation by synthesizing the check bits independently generated from the data of the portion to be rewritten and the data of the portion that is not rewritten in the arbitrary address. It is possible to reduce the amount.

ここで、検査ビットを分割して生成する方式の正当性に
ついて考察する。説明の為、誤り訂正符号方式として、
SEC−DED(Single bit Error Correcting−Double bit
Error Detecting)方式を取り上げ、情報ビット数64
(8バイト)、検査ビット数8と仮定する。
Here, the legitimacy of the method of dividing and generating the check bits will be considered. For explanation, as an error correction code system,
SEC−DED (Single bit Error Correcting−Double bit
Error Detecting) method, 64 information bits
(8 bytes) and the number of check bits is 8.

SEC−DED方式の検査マトリクス(H行列)をHとし、情
報ビットを とすると、検査ビットは である。ここで、 例えば であれば、 である。
Let H be the check matrix (H matrix) of the SEC-DED method and the information bits Then the check bit is Is. here, For example If, Is.

従って、バイト選択情報を基に を作成し、各々に対応する検査ビット を生成し、これを最終的に加算(mod2)することによ
り、全体の検査ビット を求めることができる。
Therefore, based on the byte selection information Create a check bit corresponding to each , And finally add (mod2) it Can be asked.

以上はSEC−DED方式の場合であるが、その他の誤り訂正
符号に関しても同様に成立する。
The above is the case of the SEC-DED system, but the same applies to other error correction codes.

〔発明の実施例〕Example of Invention

第1図は本発明の一実施例を示す1バンクグループ内の
データ系構造を示す図である。第1図において部分書込
動作を説明する。但し、ここで扱う書込/読出動作のデ
ータ幅は8バイトとする。
FIG. 1 is a diagram showing a data system structure in one bank group showing an embodiment of the present invention. The partial write operation will be described with reference to FIG. However, the data width of the write / read operation handled here is 8 bytes.

SCUより部分書込要求を受け付けると、該要求に伴なう
アドレス、書込データ、8バイト中のどのバイトを書込
むかを指定するマークデータ(8ビット)を受取り、各
々に対応するレジスタ301,302及び303にセットする。ア
ドレスレジスタ301のアドレスは各バンク(BK)に送ら
れ、アクセスするバンクのアドレスレジスタ304にセッ
トされる。書込データも同様にしてアクセスするバンク
の書込データレジスタ305にセットされる。但し、この
時点ではマークデータは使用せず、全バイトが書込デー
タレジスタ305にセットされる。
When a partial write request is received from the SCU, the address associated with the request, write data, and mark data (8 bits) designating which byte among 8 bytes is to be written are received, and the corresponding registers 301 and 302 are received. And set to 303. The address of the address register 301 is sent to each bank (BK) and set in the address register 304 of the bank to be accessed. The write data is similarly set in the write data register 305 of the bank to be accessed. However, at this point, the mark data is not used and all bytes are set in the write data register 305.

一方、検査ビット生成回路(ECC生成A)306ではマーク
データを基に、書込データレジスタ302の書込データ中
の書替えるバイトのみを取り出したデータ、即ち書替え
ないバイトを全て“0"にしたデータを作成し、第1の部
分的な検査ビットを生成する。生成された検査ビット
は、該アクセスアドレスの領域からデータが読出される
まで検査ビットデータバッファ307で保持される。該ア
クセスバンクの記憶素子群308から読出されたデータ
は、バンク毎に設けられた読出データレジスタ309を介
して読出データレジスタ310にセットされる。ここで該
読出データはECCチェック回路311でチェックされ、訂正
可能な誤りが検出された場合はこれを訂正してレジスタ
312にセットされる。
On the other hand, in the check bit generation circuit (ECC generation A) 306, based on the mark data, the data in which only the bytes to be rewritten in the write data of the write data register 302 are taken out, that is, all the bytes not to be rewritten are set to “0”. Create data and generate a first partial check bit. The generated check bit is held in the check bit data buffer 307 until data is read from the area of the access address. The data read from the storage element group 308 of the access bank is set in the read data register 310 via the read data register 309 provided for each bank. Here, the read data is checked by the ECC check circuit 311, and if a correctable error is detected, it is corrected and registered.
Set to 312.

次に検査ビット生成回路(ECC生成B)313において、マ
ークデータバッファ315に保持されていたマークデータ
を基に、訂正された読出データ中の書替えるバイトを全
て“0"にしたデータを作成し、第2の部分的な検査ビッ
トを生成する。この第2の部分的な検査ビットは、排他
的論理和回路314において、検査ビットデータバッファ3
07に保持されていた第1の部分的な検査ビットとビット
毎に排他的論理和(mod2の加算)がとられ、該部分書込
動作で新たに書込むデータの検査ビットが生成される。
読出データレジスタ312中の訂正された読出データと最
終的に生成された検査ビットはデータパス316を通して
各バンクに送られる。
Next, in the check bit generation circuit (ECC generation B) 313, based on the mark data held in the mark data buffer 315, data in which all the bytes to be rewritten in the corrected read data are set to “0” is created. , Generate a second partial check bit. This second partial check bit is supplied to the check bit data buffer 3 in the exclusive OR circuit 314.
An exclusive OR (addition of mod2) is taken for each bit with the first partial check bit held in 07, and a check bit of data to be newly written in the partial write operation is generated.
The corrected read data in the read data register 312 and the finally generated check bit are sent to each bank through the data path 316.

該アクセスバンクの書込データレジスタ305では、マー
クデータを基に、書替えないバイトのデータと検査ビッ
トが再セットされ、書込むべきデータが作成される。こ
の更新されたデータを該アクセスアドレスの領域に書込
む。これにより、部分書込動作で書替えるバイトにはSC
Uからの書込データが書込まれ、書替えないバイトには
既に記憶されていたデータが再び該アクセスアドレスの
領域に書込まれる。以上で部分書込動作が完了する。
In the write data register 305 of the access bank, the data of the byte that is not rewritten and the check bit are reset based on the mark data, and the data to be written is created. The updated data is written in the area of the access address. As a result, the byte to be rewritten in the partial write operation is SC
The write data from U is written, and the data already stored in the byte that is not rewritten is written again in the area of the access address. This completes the partial write operation.

第2図に検査ビット生成回路(ECC生成A)306に関する
詳細構成を示す。ここでアンドゲート401は1バイト
分、つまり8ゲート分を意味している。書込データは1
バイト毎にマークデータの1ビットと対応しており、マ
ークデータが“1"のバイトのデータはスルーさせ、“0"
のバイトのデータは“0"にする。これをHマトリクスに
基づくECC検査ビットの生成回路402に入力することによ
り、第1の部分的な検査ビットが得られる。
FIG. 2 shows a detailed configuration of the check bit generation circuit (ECC generation A) 306. Here, the AND gate 401 means 1 byte, that is, 8 gates. Write data is 1
Each byte corresponds to 1 bit of mark data, and the data of the byte whose mark data is "1" is passed through to "0".
Set the byte data of "0". By inputting this to the ECC check bit generation circuit 402 based on the H matrix, the first partial check bit is obtained.

また、検査ビット生成回路(ECC生成B)313に関して
も、同様の構成により、第2の部分的な検査ビットを得
ることができる。
The check bit generation circuit (ECC generation B) 313 can also obtain a second partial check bit by the same configuration.

以上説明したように本実施例によれば、部分書込用デー
タバッファの金物量を従来構成の1/8に削減することが
可能である。
As described above, according to this embodiment, it is possible to reduce the amount of metal of the partial write data buffer to 1/8 of that of the conventional configuration.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

本発明によれば、部分書込用データバッファの金物量を (検査ビット数)/(情報ビット数) に削減することができるので、多バンク構成の記憶装置
の実現を物理的,経済的な面で容易にすることができ
る。
According to the present invention, the amount of hardware of the data buffer for partial writing can be reduced to (the number of inspection bits) / (the number of information bits), so that it is physically and economically possible to realize a storage device having a multi-bank structure. In terms of ease.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明による1バンクグループ内のデータ系構
造図、第2図は部分的な検査ビットを生成する回路構成
図、第3図は主記憶装置と主記憶制御装置の接続を示す
ブロック図、第4図は従来構成の1バンクグループ内の
データ系構造図である。 307……検査ビット用データバッファ 306,313……部分的な検査ビット生成回路 305……バンク毎に設けた書込データレジスタ
FIG. 1 is a structural diagram of a data system in one bank group according to the present invention, FIG. 2 is a circuit configuration diagram for generating a partial check bit, and FIG. 3 is a block showing a connection between a main memory device and a main memory control device. FIG. 4 and FIG. 4 are data system structure diagrams in one bank group having a conventional configuration. 307 ... Data buffer for check bits 306, 313 ... Partial check bit generation circuit 305 ... Write data register provided for each bank

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の記憶単位(バンク)からなり、各バ
ンクがお互いに独立に動作し、かつ各バンクが、情報ビ
ットに前記情報ビットのビット数(以下、第1のビット
数と呼ぶ。)より小さいビット数(以下、第2のビット
数と呼ぶ。)の検査ビットを付加して記憶する記憶素子
群、および、前記記憶素子にデータを書き込むための書
き込みデータレジスタを有する記憶装置であって、 前記記憶素子の内容を部分的に書き替える部分書き込み
要求に伴う読み出し動作を起動する時点で、前記部分書
き込み要求に伴う前記第1のビット数の書き込みデータ
を前記書き込みデータレジスタに書き込む手段、 前記部分書き込み要求に伴う前記第1のビット数の書き
込みデータうち、前記部分書き込み要求に関する書き替
えない部分を“0"にしたデータの情報ビットから前記第
2のビット数の第1の検査ビットを生成する第1の検査
ビット生成回路、 前記第1の検査ビット生成回路で生成された前記第1の
検査ビットを保持するための前記第2のビット数幅の検
査ビットデータバッファ、 前記起動に基づく読み出し動作で前記記憶素子から読み
出されたデータのうち、前記部分書き込み要求に関する
書き替える部分を“0"にしたデータの情報ビットから前
記第2のビット数の第2の検査ビットを生成する第2の
検査ビット生成回路、 前記第2の検査ビットが生成された後、前記検査ビット
データバッファ内の前記第1の検査ビットと前記第2の
検査ビットとのビット毎の排他的論理和をとり前記第2
のビット数の第3の検査ビットを生成する第3の検査ビ
ット生成回路、 前記読み出し動作により読み出されたデータに対して誤
り訂正を施したデータのうち書き替えない部分の情報ビ
ットを、前記部分書き込み要求で書き替えない部分の前
記書き込みデータレジスタにセットする手段、および 前記第3の検査ビットを前記書き込みデータレジスタに
セットする手段を有することを特徴とする記憶装置。
1. A plurality of storage units (banks), each bank operates independently of each other, and each bank has a number of information bits (hereinafter referred to as a first number of bits) as an information bit. ) A storage device group having a smaller number of bits (hereinafter, referred to as a second number of bits) for storing check bits, and a storage device having a write data register for writing data to the storage device. A means for writing the first bit number of write data in the write data register in response to the partial write request at the time of starting a read operation in response to the partial write request for partially rewriting the contents of the storage element, Of the write data of the first bit number that accompanies the partial write request, the data that is not rewritten for the partial write request is set to "0". A first check bit generation circuit for generating the first check bit of the second number of bits from the data bit of the data, for holding the first check bit generated by the first check bit generation circuit. A check bit data buffer having the second bit number width, of the data read from the storage element in the read operation based on the activation, information of data in which a rewriting portion related to the partial write request is set to "0" A second check bit generation circuit for generating a second check bit of the second number of bits from a bit; and the first check bit in the check bit data buffer after the second check bit is generated. And bitwise exclusive OR of the second check bit with the second check bit
A third check bit generation circuit for generating a third check bit having the number of bits of, the information bit of a portion that is not rewritten in the data read by the read operation and having error correction performed, A storage device comprising means for setting in the write data register of a portion which is not rewritten by a partial write request, and means for setting the third check bit in the write data register.
JP60038733A 1985-03-01 1985-03-01 Storage device Expired - Lifetime JPH0756640B2 (en)

Priority Applications (1)

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JP60038733A JPH0756640B2 (en) 1985-03-01 1985-03-01 Storage device

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JPS61199141A JPS61199141A (en) 1986-09-03
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