JPH07170072A - Manufacture of polyimide multilayer wiring board - Google Patents

Manufacture of polyimide multilayer wiring board

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JPH07170072A
JPH07170072A JP5316160A JP31616093A JPH07170072A JP H07170072 A JPH07170072 A JP H07170072A JP 5316160 A JP5316160 A JP 5316160A JP 31616093 A JP31616093 A JP 31616093A JP H07170072 A JPH07170072 A JP H07170072A
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polyimide
layer
block
wiring board
insulating layer
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Shinji Tanaka
田中  慎二
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Abstract

PURPOSE:To separate a polyimide insulating layer from a base material without producing an adversary effect on a polyimide multilayer wiring board by a method wherein the polyimide insulating layer is irradiated with ultraviolet ray. CONSTITUTION:A polyimide insulating layer 121 is formed on a quartz glass substrate 111, and a polyimide insulating layer and a wiring layer are formed thereon to form a first block together with the polyimide insulating layer 121. When the first block is separated from the quartz glass substrate 111, the rear of the quartz glass substrate 111 is irradiated with excimer laser 1 ray. A photochemical reaction takes place between the polyimide insulating layer 121 and ultraviolet ray radiated from an excimer laser 1. The polyimide insulating layer 121 positioned at its interface with the quartz glass substrate 111 is removed by this photochemical reaction, and then the quartz glass substrate 111 is separated from the first block.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ポリイミド樹脂を層間
絶縁に使用した多層配線層を有するポリイミド多層配線
基板の製造方法に関し、特に配線基板を複数のブロック
に分割して製造した後これらを接続して最終的な多層配
線基板とするポリイミド多層配線基板の製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a polyimide multi-layer wiring board having a multi-layer wiring layer using a polyimide resin for interlayer insulation. The present invention relates to a method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board, which is used as a final multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のポリイミド多層配線基板の製造方
法は、ポリイミド層と配線層とを、最下層から最上層ま
で、順次積層していくものであった。これに代わるポリ
イミド多層配線基板の製造方法として、基板を複数のブ
ロックに分割して製造する方法がある。この方法を用い
たポリイミド多層配線基板の製造方法の一例が特開平5
−206643号に記載されている。この方法では、あ
らかじめ製造された複数のブロックを接続することによ
り、最終的なポリイミド多層配線基板が得られる。
2. Description of the Related Art In a conventional method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board, a polyimide layer and a wiring layer are sequentially laminated from the lowermost layer to the uppermost layer. As an alternative method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board, there is a method of manufacturing the board by dividing the board into a plurality of blocks. An example of a method for manufacturing a polyimide multi-layer wiring board using this method is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. Hei 5 (1999)
No. 206643. In this method, a final polyimide multilayer wiring board is obtained by connecting a plurality of blocks manufactured in advance.

【0003】上述の製造方法には、以下のような利点が
ある。
The above manufacturing method has the following advantages.

【0004】第1に、製造時間を短縮できるという利点
がある。複数のブロックを並行して製造できるためであ
る。
First, there is an advantage that the manufacturing time can be shortened. This is because a plurality of blocks can be manufactured in parallel.

【0005】第2に、信頼性が高いという利点がある。
従来の製造方法の場合、加熱と加圧とが反復される。特
に、最初に形成される最下部の層には、その後の工程で
多数回の熱ストレスが加わる。このため、最下部の層に
ポリイミド樹脂の劣化が生じ、多層配線基板の信頼性が
低下する。これに対し、多層配線基板をブロック化して
製造する方法では、各ブロックの積層回数が比較的少な
いため、ポリイミド層の劣化が防止され、多層配線基板
の信頼性が向上する。
Second, there is the advantage of high reliability.
In the case of the conventional manufacturing method, heating and pressurization are repeated. In particular, the lowermost layer formed first is subjected to a large number of thermal stresses in subsequent steps. Therefore, the polyimide resin is deteriorated in the lowermost layer, and the reliability of the multilayer wiring board is reduced. On the other hand, in the method of manufacturing the multilayer wiring board by dividing it into blocks, since the number of lamination of each block is relatively small, the deterioration of the polyimide layer is prevented and the reliability of the multilayer wiring board is improved.

【0006】第3に、製造歩留まりを向上することがで
きるという利点がある。従来の製造方法の場合、積層し
た何れかの層で不良が発生すると、多層配線基板全体が
不良となってしまう。一方、多層配線基板をブロック化
して製造する方法では、ブロックの段階で動作確認を行
い、良品のブロックのみを接続して最終的な多層配線基
板を製造する。このため、製造歩留まりが向上する。
Thirdly, there is an advantage that the manufacturing yield can be improved. In the case of the conventional manufacturing method, if a defect occurs in any of the stacked layers, the entire multilayer wiring board becomes defective. On the other hand, in the method of manufacturing the multilayer wiring board by dividing it into blocks, the operation is confirmed at the block stage, and only good blocks are connected to manufacture the final multilayer wiring board. Therefore, the manufacturing yield is improved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】一方、上述の製造方法
には、次のような課題がある。
On the other hand, the above-mentioned manufacturing method has the following problems.

【0008】すなわち、上述の製造方法では、各ブロッ
クそれぞれが、独立の基板上に形成される。このため、
各ブロックを接続するときには、ブロックから基材を取
り除かなくてはならない。
That is, in the above manufacturing method, each block is formed on an independent substrate. For this reason,
When connecting each block, the substrate must be removed from the block.

【0009】上記の公報に記載された技術では、アルミ
ニウム基板上にブロックを形成し、ブロック形成後にこ
のアルミニウム基板を塩酸水溶液で溶解している。そし
て、この工程でポリイミド多層配線基板自体が劣化して
しまうという問題点があった。
In the technique described in the above publication, a block is formed on an aluminum substrate, and after the block is formed, the aluminum substrate is dissolved with a hydrochloric acid aqueous solution. Then, there is a problem that the polyimide multilayer wiring board itself is deteriorated in this step.

【0010】また、特開平5−95191号のように、
ブロックを形成した基板自体を最終製品の内部に残留さ
せるという方法もある。しかしながら、この方法の場
合、ブロックを形成した基板とポリイミド層とで、熱膨
張係数が相違する。このため、熱を加えてブロック間接
続を行う際に、基板に割れが発生することがある、とい
う問題点がある。
Further, as in Japanese Patent Laid-Open No. 5-95191,
Another method is to leave the block-formed substrate itself inside the final product. However, in this method, the coefficient of thermal expansion differs between the substrate on which the block is formed and the polyimide layer. Therefore, there is a problem that the substrate may be cracked when heat is applied to connect the blocks.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本願発明のポリイミド多層配線基板の製造方法は、
紫外線を透過する基板上にポリイミド層を設ける第1の
ステップと、前記基板の前記ポリイミド層が形成された
面とは反対の面に紫外線を照射して前記基板と前記ポリ
イミド層とを剥離する第2のステップとを含む。
In order to solve the above problems, a method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to the present invention is
A first step of providing a polyimide layer on a substrate that transmits ultraviolet rays; and a step of irradiating the surface of the substrate opposite to the surface on which the polyimide layer is formed with ultraviolet rays to separate the substrate and the polyimide layer. And two steps.

【0012】[0012]

【実施例】次に本発明の一実施例について、図面を参照
して説明する。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0013】はじめに本実施例で製造されるポリイミド
多層配線基板の概略について説明する。 〔概略〕本実施例のポリイミド多層配線基板では、配線
層間絶縁であるポリイミド絶縁層の厚さは20μmであ
る。また、配線層の膜厚は10μm、配線層における配
線幅は25μmである。さらに、配線層間を接続するヴ
ィアホールの径は100μmである。記載に特別の断り
がない限り、本実施例で形成されるポリイミド絶縁層、
配線層およびヴィアホールの寸法はこれに従うものとす
る。
First, an outline of the polyimide multilayer wiring board manufactured in this embodiment will be described. [Outline] In the polyimide multilayer wiring board of the present embodiment, the thickness of the polyimide insulating layer, which is the wiring interlayer insulation, is 20 μm. The wiring layer has a film thickness of 10 μm and the wiring layer has a wiring width of 25 μm. Further, the diameter of the via hole connecting the wiring layers is 100 μm. Unless otherwise specified in the description, the polyimide insulating layer formed in this example,
The dimensions of the wiring layers and via holes are in accordance with these.

【0014】また、ポリイミド絶縁層には、低熱膨張率
感光性ポリイミドが使用される。低熱膨張率感光性ポリ
イミドとは、熱膨張係数が10ppm〜30ppmの感
光性ポリイミドである。一方、ポリイミド接着層には、
ガラス転移点を有するポリイミド樹脂が使用される。
Further, a photosensitive polyimide having a low coefficient of thermal expansion is used for the polyimide insulating layer. The low thermal expansion coefficient photosensitive polyimide is a photosensitive polyimide having a thermal expansion coefficient of 10 ppm to 30 ppm. On the other hand, the polyimide adhesive layer,
A polyimide resin having a glass transition point is used.

【0015】配線層およびバンプは、金で形成される。
具体的には、フォトレジストを使用したフォトリソグラ
フィー技術でパターンを形成した後、このパターン上に
電解金メッキを施すことにより形成される。 〔第1のブロックの製造〕図1(a)〜図1(c)およ
び図2(a)〜図2(c)を参照すると、ステップ1〜
ステップ6において、石英ガラス基板111上に第1の
ブロック100が形成される。 〔ステップ1〕図1(a)を参照すると、ステップ1に
おいて、石英ガラス基板111上に、均一なポリイミド
絶縁層121が形成される。石英ガラス基板111の厚
さは2mmである。また、ポリイミド絶縁層121は、
低熱膨張感光性ポリイミドを使用して形成する。ポリイ
ミド絶縁層121の厚さは、10μmである。低熱膨張
感光性ポリイミドとは、熱膨張係数が10ppm〜30
ppmの範囲の感光性ポリイミドである。 〔ステップ2〕図1(b)を参照すると、ステップ2に
おいて、ポリイミド絶縁層121上に配線層131が形
成される。
The wiring layer and the bumps are made of gold.
Specifically, it is formed by forming a pattern by a photolithography technique using a photoresist and then performing electrolytic gold plating on this pattern. [Manufacture of First Block] Referring to FIG. 1A to FIG. 1C and FIG. 2A to FIG.
In step 6, the first block 100 is formed on the quartz glass substrate 111. [Step 1] Referring to FIG. 1A, in step 1, a uniform polyimide insulating layer 121 is formed on the quartz glass substrate 111. The thickness of the quartz glass substrate 111 is 2 mm. In addition, the polyimide insulating layer 121 is
It is formed by using a low thermal expansion photosensitive polyimide. The thickness of the polyimide insulating layer 121 is 10 μm. The low thermal expansion photosensitive polyimide has a thermal expansion coefficient of 10 ppm to 30
It is a photosensitive polyimide in the ppm range. [Step 2] Referring to FIG. 1B, in step 2, the wiring layer 131 is formed on the polyimide insulating layer 121.

【0016】配線層131は、通常の方法で形成され
る。すなわち、フォトレジストを使用したフォトリソグ
ラフィー技術によってパターンを形成した後、このパタ
ーンに電解金メッキを施すことによって、配線層131
が形成される。すなわち、配線層131の材質は、金で
ある。配線層131の膜厚および配線パターンの幅は、
それぞれ10μmおよび25μmである。配線層131
は、接続配線として使用される他、接地用の配線として
も使用される。 〔ステップ3〕図1(c)を参照すると、ステップ3に
おいて、配線層131上にポリイミド絶縁層122が形
成される。ポリイミド絶縁層122には、ヴィアホール
141が形成される。ポリイミド絶縁層122およびヴ
ィアホール141は、以下の工程で形成される。
The wiring layer 131 is formed by a usual method. That is, a pattern is formed by a photolithography technique using a photoresist, and then electrolytic gold plating is applied to this pattern to form the wiring layer 131.
Is formed. That is, the material of the wiring layer 131 is gold. The film thickness of the wiring layer 131 and the width of the wiring pattern are
10 μm and 25 μm, respectively. Wiring layer 131
Is used not only as a connection wiring but also as a wiring for grounding. [Step 3] Referring to FIG. 1C, in step 3, the polyimide insulating layer 122 is formed on the wiring layer 131. Via holes 141 are formed in the polyimide insulating layer 122. The polyimide insulating layer 122 and the via hole 141 are formed by the following steps.

【0017】第1の工程として、低熱膨張感光性ポリイ
ミドのワニスが、配線層131上に塗布される。
As a first step, a varnish of low thermal expansion photosensitive polyimide is applied on the wiring layer 131.

【0018】第2の工程として、塗布されたポリイミド
ワニスが露光、現像され、ヴィアホール141が形成さ
れる。
In the second step, the applied polyimide varnish is exposed and developed to form via holes 141.

【0019】第3の工程として、ヴィアホール141が
形成されたポリイミドワニスがキュアされる。これによ
って、ポリイミド絶縁層122およびヴィアホール14
1が形成される。ポリイミド絶縁層122の厚さは、2
0μmである。 〔ステップ4〕図2(a)を参照すると、ステップ4に
おいて、配線層132、ポリイミド絶縁層123および
配線層133が、ポリイミド絶縁層122上に順に積層
される。これらの層は、ステップ2およびステップ3の
工程を繰り返し実行することにより、形成される。これ
らの層の寸法および材質は、ステップ2および3で形成
されたものと同じである。 〔ステップ5〕図2(b)を参照すると、ステップ5に
おいて、配線層133上にポリイミド接着層151およ
びヴィアホール143が形成される。ポリイミド接着層
151およびヴィアホール143は、以下の工程で形成
される。
As a third step, the polyimide varnish in which the via holes 141 are formed is cured. As a result, the polyimide insulating layer 122 and the via hole 14 are formed.
1 is formed. The thickness of the polyimide insulating layer 122 is 2
It is 0 μm. [Step 4] Referring to FIG. 2A, in step 4, the wiring layer 132, the polyimide insulating layer 123, and the wiring layer 133 are sequentially stacked on the polyimide insulating layer 122. These layers are formed by repeatedly performing the steps 2 and 3. The dimensions and materials of these layers are the same as those formed in steps 2 and 3. [Step 5] Referring to FIG. 2B, in step 5, a polyimide adhesive layer 151 and a via hole 143 are formed on the wiring layer 133. The polyimide adhesive layer 151 and the via hole 143 are formed by the following steps.

【0020】第1の工程として、ガラス転移点を有する
ポリイミドワニスが、配線層133上に塗布される。す
なわち、ポリイミド接着層151とポリイミド絶縁層1
21〜123とでは、使用されるポリイミドの性質が異
なる。
In the first step, a polyimide varnish having a glass transition point is applied on the wiring layer 133. That is, the polyimide adhesive layer 151 and the polyimide insulating layer 1
The properties of the polyimide used are different from 21 to 123.

【0021】第2の工程として、塗布されたポリイミド
ワニスが露光、現像され、ヴィアホール143が形成さ
れる。
In the second step, the applied polyimide varnish is exposed and developed to form a via hole 143.

【0022】第3の工程として、ヴィアホール143が
形成されたポリイミドワニスがキュアされる。これによ
り、ポリイミド接着層151およびヴィアホール143
が形成される。ポリイミド接着層151の厚さは10μ
mである。 〔ステップ6〕図2(c)を参照すると、ステップ6に
おいて、バンプ161が形成される。バンプ161は後
述の工程で作成される第2のブロックと第1のブロック
とを接続する。バンプ161は、ヴィアホール143を
介して、配線層133に接続される。
As a third step, the polyimide varnish in which the via hole 143 is formed is cured. As a result, the polyimide adhesive layer 151 and the via hole 143 are formed.
Is formed. The thickness of the polyimide adhesive layer 151 is 10μ
m. [Step 6] Referring to FIG. 2C, bumps 161 are formed in step 6. The bump 161 connects the second block and the first block, which will be created in the process described later. The bump 161 is connected to the wiring layer 133 via the via hole 143.

【0023】バンプ161は、フォトレジストを使用し
たフォトリソグラフィー技術でパターンを形成した後、
このパターン上に電解金メッキを施すことによって形成
される。金メッキの厚さは10μmである。
The bumps 161 are patterned by a photolithography technique using a photoresist,
It is formed by performing electrolytic gold plating on this pattern. The thickness of the gold plating is 10 μm.

【0024】ステップ1〜6の工程によって、第1のブ
ロック100が形成される。本実施例のステップ4で
は、一例として、2層の配線層を積層した。実際の工程
では、第1のブロック100に含まれるべき全配線層数
に応じて、ステップ4で形成される配線層数が定められ
る。 〔第2のブロック〕図3(a)〜(c)および図4
(a)〜(c)を参照すると、ステップ7〜ステップ1
3において、第2のブロック200がセラミック基板2
11上に形成される。ステップ1〜6とステップ7〜1
3とが実行される時間的順序に制限はない。つまり、ス
テップ1〜6よりも先に、ステップ7〜13が実行され
ても良い。 〔ステップ7〕図3(a)を参照すると、ステップ7に
おいて、セラミック基板211上に配線層231が形成
される。
The steps 1 to 6 form the first block 100. In step 4 of this embodiment, as an example, two wiring layers are laminated. In the actual process, the number of wiring layers formed in step 4 is determined according to the total number of wiring layers to be included in the first block 100. [Second Block] FIGS. 3A to 3C and FIG.
Referring to (a) to (c), step 7 to step 1
3, the second block 200 is the ceramic substrate 2
11 is formed. Steps 1-6 and Steps 7-1
There is no restriction on the temporal order in which 3 and 3 are executed. That is, steps 7 to 13 may be executed before steps 1 to 6. [Step 7] Referring to FIG. 3A, in step 7, the wiring layer 231 is formed on the ceramic substrate 211.

【0025】セラミック基板211は、配線層231が
形成される面と反対の面に、ピン212を有する。ピン
212は、ポリイミド多層配線基板の完成後、入出力信
号ピンおよび電源ピンとして使用される。
The ceramic substrate 211 has pins 212 on the surface opposite to the surface on which the wiring layer 231 is formed. The pins 212 are used as input / output signal pins and power supply pins after the completion of the polyimide multilayer wiring board.

【0026】配線層231は、ステップ2と同様の方法
で形成される。配線層231は、接続用配線として使用
される他、接地用の配線としても使用される。 〔ステップ8〕図3(b)を参照すると、ステップ8に
おいて、配線層231上にポリイミド絶縁層221が形
成される。ポリイミド絶縁層221には、ヴィアホール
241が形成される。ポリイミド絶縁層221およびヴ
ィアホール241は、ステップ3と同じ方法で形成され
る。 〔ステップ9〕図3(c)を参照すると、ステップ9に
おいて、ポリイミド絶縁層221上に、配線層232、
ポリイミド絶縁層222および配線層233が形成され
る。これらの層は、ステップ4と同じ方法で形成され
る。 〔ステップ10〕図4(a)を参照すると、ステップ1
0において、ポリイミド絶縁層222上にポリイミド絶
縁層223が形成される。ポリイミド絶縁層223に
は、ヴィアホール243が形成される。ポリイミド絶縁
層223およびヴィアホール243は、ステップ3と同
じ方法で形成される。 〔ステップ11〕図4(b)を参照すると、ステップ1
1において、ポリイミド絶縁層223上に配線層234
が形成される。配線層234は、ステップ2と同じ方法
で形成される。 〔ステップ12〕図4(c)を参照すると、ステップ1
2において、配線層234上にポリイミド接着層251
が形成される。ポリイミド接着層251は、ステップ5
と同じ方法で形成される。ポリイミド接着層251の厚
さは、ステップ5の場合と同じである。
The wiring layer 231 is formed by the same method as in step 2. The wiring layer 231 is used not only as a connection wiring but also as a ground wiring. [Step 8] Referring to FIG. 3B, in step 8, the polyimide insulating layer 221 is formed on the wiring layer 231. Via holes 241 are formed in the polyimide insulating layer 221. The polyimide insulating layer 221 and the via hole 241 are formed by the same method as in step 3. [Step 9] Referring to FIG. 3C, in step 9, on the polyimide insulating layer 221, the wiring layer 232,
The polyimide insulating layer 222 and the wiring layer 233 are formed. These layers are formed in the same way as in step 4. [Step 10] Referring to FIG. 4A, step 1
At 0, a polyimide insulating layer 223 is formed on the polyimide insulating layer 222. Via holes 243 are formed in the polyimide insulating layer 223. The polyimide insulating layer 223 and the via hole 243 are formed by the same method as in step 3. [Step 11] Referring to FIG. 4B, step 1
1, the wiring layer 234 is formed on the polyimide insulating layer 223.
Is formed. The wiring layer 234 is formed by the same method as in step 2. [Step 12] Referring to FIG. 4C, step 1
2, the polyimide adhesive layer 251 is formed on the wiring layer 234.
Is formed. Step 5 of the polyimide adhesive layer 251
Is formed in the same way as. The thickness of the polyimide adhesive layer 251 is the same as in step 5.

【0027】ステップ6〜12の工程によって、第2の
ブロック200が形成される。本実施例のステップ9〜
11では、一例として、3層の配線層を積層した。実際
の工程では、第2のブロック200に含まれるべき全配
線層数に応じて、ステップ9〜11で形成される配線層
数が定められる。 〔第1のブロック100と第2のブロック200との接
続〕図5〜図8を参照すると、ステップ13〜ステップ
20において、第1のブロック100と第2のブロック
200とが接続される。 〔ステップ13〕図5を参照すると、ステップ13にお
いて、第2のブロック200上に第1のブロック100
が仮接着される。具体的には、ポリイミド接着層151
とポリイミド接着層251とが仮接着される。つまり、
第1のブロック100は上下逆の状態で、第2のブロッ
ク200上に仮接着される。第1のブロック100の仮
接着は、以下の工程で行われる。
The second block 200 is formed by the steps 6 to 12. Step 9 of this embodiment
In No. 11, as an example, three wiring layers were laminated. In the actual process, the number of wiring layers formed in steps 9 to 11 is determined according to the total number of wiring layers to be included in the second block 200. [Connection between First Block 100 and Second Block 200] Referring to FIGS. 5 to 8, in steps 13 to 20, the first block 100 and the second block 200 are connected. [Step 13] Referring to FIG. 5, in step 13, the first block 100 is placed on the second block 200.
Is temporarily bonded. Specifically, the polyimide adhesive layer 151
And the polyimide adhesive layer 251 are temporarily bonded. That is,
The first block 100 is temporarily attached to the second block 200 in an upside down state. The temporary adhesion of the first block 100 is performed in the following steps.

【0028】第1の工程として、第2のブロック200
の最上層に、接着層1271が設けられる。接着層12
71は接着剤を塗布することにより設けられる。また、
接着シートを接着層1271としてもよい。
As a first step, the second block 200 is used.
An adhesive layer 1271 is provided on the uppermost layer. Adhesive layer 12
71 is provided by applying an adhesive. Also,
An adhesive sheet may be used as the adhesive layer 1271.

【0029】接着層1271の材料として、溶融硬化型
マレイミド樹脂および溶融型フッ素系フィルムを挙げる
ことができる。さらに、溶融型フッ素系フィルムの一例
として、フッ化エチレンとパーフルオロアルキルパーフ
ルオロビニルエーテルとの共重合体であるPAFを挙げ
ることができる。
Examples of the material of the adhesive layer 1271 include a melt-curable maleimide resin and a melt-type fluorine-based film. Further, as an example of the melt-type fluorine-based film, PAF which is a copolymer of fluorinated ethylene and perfluoroalkyl perfluorovinyl ether can be mentioned.

【0030】本実施例では、第2のブロック200の最
上層に、接着層1271を設けたが、接着層1271を
第1のブロック100の最上層に設けても構わない。ま
た、第1のブロック100および第2のブロック200
の両方に設けても良い。
Although the adhesive layer 1271 is provided on the uppermost layer of the second block 200 in this embodiment, the adhesive layer 1271 may be provided on the uppermost layer of the first block 100. In addition, the first block 100 and the second block 200
May be provided in both.

【0031】第2の工程として、第1のブロック100
の位置決めが行われる。すなわち、第1のブロック10
0のバンプ161が、第2のブロック200の所定のヴ
ィアホール244に挿入されるように、第1のブロック
100の位置決めが行われる。
As the second step, the first block 100 is used.
Is positioned. That is, the first block 10
The first block 100 is positioned so that the zero bump 161 is inserted into a predetermined via hole 244 of the second block 200.

【0032】第3の工程として、第1のブロック100
が第2のブロック200上に載置される。 〔ステップ14〕図6(a)を参照すると、ステップ1
4において、エキシマレーザ1によって石英ガラス基板
111に紫外線が照射される。本ステップが本発明の特
徴的部分である。
As the third step, the first block 100 is used.
Are placed on the second block 200. [Step 14] Referring to FIG. 6A, step 1
4, the quartz glass substrate 111 is irradiated with ultraviolet rays by the excimer laser 1. This step is a characteristic part of the present invention.

【0033】石英ガラス基板111が透明であるため、
エキシマレーザ1が照射する紫外線は、石英ガラス基板
111を透過し、ポリイミド絶縁層121に到達する。
石英ガラス基板111との界面に位置するポリイミド絶
縁層121のうち、紫外線が照射された部分では、光化
学反応が生じる。この光化学反応によって、石英ガラス
基板111とポリイミド絶縁層121とが剥離される。
Since the quartz glass substrate 111 is transparent,
The ultraviolet rays emitted by the excimer laser 1 pass through the quartz glass substrate 111 and reach the polyimide insulating layer 121.
In the polyimide insulating layer 121 located at the interface with the quartz glass substrate 111, a photochemical reaction occurs in a portion irradiated with ultraviolet rays. Due to this photochemical reaction, the quartz glass substrate 111 and the polyimide insulating layer 121 are separated.

【0034】レーザーガスとしてKrFを用いた場合、
周波数50Hz、エネルギー密度0.8J/平方センチ
メートルのエキシマレーザ1によって、約1μmの厚さ
のポリイミド絶縁層121を除去することができる。
When KrF is used as the laser gas,
The excimer laser 1 having a frequency of 50 Hz and an energy density of 0.8 J / square centimeter can remove the polyimide insulating layer 121 having a thickness of about 1 μm.

【0035】エキシマレーザとしては、例えば、住友重
機械工業株式会社製の産業用エキシマレーザINDEX
200シリーズを用いることができる。また、エキシマ
レーザ1の照射光とポリイミド絶縁層121との光化学
反応については、日本材料科学会発行「材料科学」第2
6巻第3号(1989年7月)第115頁〜第121頁
に記載されている。
As the excimer laser, for example, an industrial excimer laser INDEX manufactured by Sumitomo Heavy Industries, Ltd.
200 series can be used. Also, regarding the photochemical reaction between the irradiation light of the excimer laser 1 and the polyimide insulating layer 121, “Material Science” No. 2 published by the Japan Society for Materials Science
Volume 6, Issue 3 (July 1989), pp. 115-121.

【0036】本ステップでは、エキシマレーザ1によっ
て石英ガラス基板111を剥離するため、第1のブロッ
ク100が劣化することがない。また本ステップでは、
光化学反応によって剥離が行われるので、第1のブロッ
ク100が過度に加熱されることがない。このため、熱
ストレスによって第1のブロック100が障害を起こす
こともない。 〔ステップ15〕図6(b)を参照すると、ステップ1
5において、エキシマレーザ1が移動される。すなわ
ち、石英ガラス基板111とポリイミド絶縁層121の
全ての接着面を剥離するため、石英ガラス基板111全
面を走査するように、エキシマレーザ1が移動される。 〔ステップ16〕図7(a)を参照すると、ステップ1
6において、石英ガラス基板111がポリイミド絶縁層
121から除去される。
In this step, since the quartz glass substrate 111 is peeled off by the excimer laser 1, the first block 100 is not deteriorated. Also in this step,
Since the exfoliation is performed by the photochemical reaction, the first block 100 is not overheated. Therefore, the thermal stress does not cause the first block 100 to fail. [Step 15] Referring to FIG. 6B, step 1
At 5, the excimer laser 1 is moved. That is, the excimer laser 1 is moved so as to scan the entire surface of the quartz glass substrate 111 in order to peel off all the bonding surfaces of the quartz glass substrate 111 and the polyimide insulating layer 121. [Step 16] Referring to FIG. 7A, step 1
At 6, the quartz glass substrate 111 is removed from the polyimide insulating layer 121.

【0037】第1のブロック100を構成するポリイミ
ド層と石英ガラス基板111では、熱膨張係数が1桁程
度、異なる。このため、石英ガラス基板111を残した
まま加熱すると、熱ストレスによって、第1のブロック
100が障害をうけることがある。しかしながら本実施
例では、本ステップで石英ガラス基板111が除去され
る。このため、次ステップの加熱・加圧工程で、第1の
ブロック100に、熱ストレスによる障害が発生するこ
とがない。〔ステップ17〕図7(b)を参照すると、
ステップ17において、加熱・加圧することにより、第
1のブロック100と第2のブロック200とが接続さ
れる。
The coefficient of thermal expansion differs between the polyimide layer forming the first block 100 and the quartz glass substrate 111 by about one digit. Therefore, if the quartz glass substrate 111 is heated while remaining, the first block 100 may be damaged by thermal stress. However, in this embodiment, the quartz glass substrate 111 is removed in this step. Therefore, in the heating / pressurizing step of the next step, the first block 100 does not have a failure due to thermal stress. [Step 17] Referring to FIG.
In step 17, the first block 100 and the second block 200 are connected by heating and pressurizing.

【0038】ポリイミド接着層151および251のガ
ラス転移点以上の温度になるように、各ブロックが加熱
される。この加熱によって、ポリイミド接着層151と
ポリイミド接着層251とが、互いに接着する。
Each block is heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point of the polyimide adhesive layers 151 and 251. By this heating, the polyimide adhesive layer 151 and the polyimide adhesive layer 251 adhere to each other.

【0039】またこのステップにおいて、バンプ161
が融解し、配線層234と接続する。すなわち、第1の
ブロック100と第2のブロック200とが、電気的に
接続される。
In this step, the bump 161 is also used.
Melts and connects to the wiring layer 234. That is, the first block 100 and the second block 200 are electrically connected.

【0040】さらにこのステップにおいて、ステップ1
3で設けられた接着層1271は燃焼して消失する。
Further in this step, step 1
The adhesive layer 1271 provided in No. 3 burns and disappears.

【0041】具体的な加熱・加圧方法は、以下の通りで
ある。加熱・加圧工程は、オートプレグ型真空プレス装
置で実行される。加圧気体は窒素ガスを使用する。加熱
温度、加圧圧力および加熱・加圧時間は、それぞれ、3
50℃、20kg/平方センチメーター、および60秒
である。また、この加熱・加圧工程では、基板はプラテ
ン上に載置される。載置された基板は、ポリイミドフィ
ルムによって密閉され、内部が真空状態にされる。これ
により、均一にプレスを行うことができる。なお、ポリ
イミドフィルムによる密閉は、プラテンの周囲に接着部
材を塗布し、この接着部材にポリイミドフィルムの周囲
を接着することにより行う。 〔ステップ18〕図7(c)を参照すると、ステップ1
8において、ポリイミド絶縁層121にヴィアホール1
241が形成される。ヴィアホール1241は、ドライ
エッチングプロセスによって形成される。 〔ステップ19〕図8(a)を参照すると、ステップ1
9において、ポリイミド絶縁層121上にバンプ126
1が形成される。バンプ1261は、ヴィアホール12
41を介して、配線層131と接続する。バンプ126
1は、ステップ6と同じ方法で形成される。 〔ステップ20〕図8(b)を参照すると、ステップ2
0において、ポリイミド絶縁層121上にポリイミド接
着層1251が形成される。ポリイミド接着層1251
には、ヴィアホール1242が形成される。ポリイミド
接着層1251およびヴィアホール1241は、ステッ
プ5と同じ方法で形成される。
The specific heating / pressurizing method is as follows. The heating / pressurizing step is executed by an auto-preg type vacuum press device. Nitrogen gas is used as the pressurized gas. Heating temperature, pressurizing pressure and heating / pressurizing time are 3 respectively.
50 ° C., 20 kg / square centimeter, and 60 seconds. In this heating / pressurizing step, the substrate is placed on the platen. The placed substrate is sealed with a polyimide film and the inside is evacuated. Thereby, pressing can be performed uniformly. The sealing with the polyimide film is performed by applying an adhesive member around the platen and adhering the periphery of the polyimide film to the adhesive member. [Step 18] Referring to FIG. 7C, step 1
8, the via hole 1 is formed in the polyimide insulating layer 121.
241 is formed. The via hole 1241 is formed by a dry etching process. [Step 19] Referring to FIG. 8A, step 1
9, the bump 126 is formed on the polyimide insulating layer 121.
1 is formed. The bump 1261 is in the via hole 12.
It is connected to the wiring layer 131 via 41. Bump 126
1 is formed in the same way as step 6. [Step 20] Referring to FIG. 8B, step 2
At 0, a polyimide adhesive layer 1251 is formed on the polyimide insulating layer 121. Polyimide adhesive layer 1251
A via hole 1242 is formed in this. The polyimide adhesive layer 1251 and the via hole 1241 are formed by the same method as in step 5.

【0042】ステップ13〜20によって、第1のブロ
ック100と第2のブロック200が接続され、ブロッ
ク積層体1200が形成される。 〔ステップ21〕図9を参照すると、ステップ21にお
いて、ブロック積層体1200上に第3のブロック30
0が接続される。第3のブロック300は、第1のブロ
ック100と同じ方法で形成される。ブロック積層体1
200と第3のブロック300とは、ステップ13〜2
0と同じ方法で接続される。また、第3のブロック30
0に付着している石英ガラス基板311は、ステップ1
4〜16と同じ方法で、第3のブロック300から除去
される。所定のブロックを全て積層するまで、ステップ
13〜ステップ20が繰り返される。 〔他の実体態様〕上述の実施例の他にも、本発明は様々
に変形して実施することができる。
By steps 13 to 20, the first block 100 and the second block 200 are connected to each other to form the block laminated body 1200. [Step 21] Referring to FIG. 9, in step 21, the third block 30 is formed on the block laminate 1200.
0 is connected. The third block 300 is formed in the same manner as the first block 100. Block stack 1
200 and the third block 300 are steps 13-2.
Connected in the same way as 0. In addition, the third block 30
The quartz glass substrate 311 adhered to
It is removed from the third block 300 in the same manner as 4-16. Steps 13 to 20 are repeated until all the predetermined blocks are stacked. [Other Substantive Embodiments] The present invention can be carried out in various modifications other than the above-described embodiments.

【0043】第1に、上述の実施例では、配線材料とし
て金を採用したが、銅などの低抵抗金属を使用すること
もできる。
First, although gold is used as the wiring material in the above embodiments, a low resistance metal such as copper can be used.

【0044】第2に、上述の実施例では、第2のブロッ
ク200の基材としてセラミック基板211を採用した
が、セラミック基板211の代わりに硬質有機樹脂基板
を用いることもできる。
Secondly, although the ceramic substrate 211 is used as the base material of the second block 200 in the above-described embodiment, a hard organic resin substrate may be used instead of the ceramic substrate 211.

【0045】硬質有機樹脂基板の一例として、ポリイミ
ド樹脂の成形基板を挙げることができる。ポリイミド樹
脂成形基板の場合、基板に形成された貫通スルーホール
に、ピン212を打ち込むことによってピン212を取
り付ける。
As an example of the hard organic resin substrate, a molded substrate of polyimide resin can be cited. In the case of a polyimide resin molded substrate, the pin 212 is attached by driving the pin 212 into a through hole formed in the substrate.

【0046】ポリイミド樹脂成形基板を第2のブロック
200の基材とした場合、その上に積層される第2のブ
ロック200の熱膨張係数と、基材の熱膨張係数とを一
致させることができる。熱膨張係数を等しくすることに
より、熱ストレスによる障害が防止される。このため、
熱ストレスが特に問題となる大面積高積層の配線基板の
製造に適している。
When the polyimide resin molded substrate is used as the base material of the second block 200, the thermal expansion coefficient of the second block 200 laminated thereon can be matched with the thermal expansion coefficient of the base material. . By making the coefficients of thermal expansion equal, damage due to thermal stress is prevented. For this reason,
It is suitable for manufacturing a large-area and high-lamination wiring board where thermal stress is a particular problem.

【0047】第3に、本実施例では、エキシマレーザに
よる剥離工程を、ポリイミド多層配線基板をブロックに
分割して製造する場合に適用したが、本発明の適用範囲
はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明
は、ポリイミド絶縁層と基材との剥離が必要とされる全
ての技術に適用可能である。
Thirdly, in the present embodiment, the peeling process using the excimer laser is applied to the case where the polyimide multilayer wiring board is divided into blocks to be manufactured, but the scope of application of the present invention is not limited to this. Absent. That is, the present invention can be applied to all techniques that require peeling between the polyimide insulating layer and the base material.

【0048】[0048]

【発明の効果】以上のように、本発明では、エキシマレ
ーザとポリイミド絶縁層との光化学反応を利用して、ポ
リイミド多層配線基板が形成されたブロックとその基材
とを剥離するようにした。このため、剥離工程でポリイ
ミド多層配線基板が劣化することがない。また、剥離工
程で生じるポリイミド多層配線基板の障害も、減少する
ことができる。すなわち、本発明によれば、ポリイミド
多層配線基板の信頼性を向上することができる。
As described above, according to the present invention, the photochemical reaction between the excimer laser and the polyimide insulating layer is utilized to separate the block on which the polyimide multilayer wiring board is formed and the base material thereof. Therefore, the polyimide multilayer wiring board does not deteriorate in the peeling process. In addition, the trouble of the polyimide multilayer wiring board that occurs in the peeling process can be reduced. That is, according to the present invention, the reliability of the polyimide multilayer wiring board can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のうち、第1のブロックの製
造方法を工程順に示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a method of manufacturing a first block in the order of steps, according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例のうち、第1のブロックの製
造方法を工程順に示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing a first block in the order of steps, according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例のうち、第2のブロックの製
造方法を工程順に示す図。
FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a second block in the order of steps, according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例のうち、第2のブロックの製
造方法を工程順に示す図。
FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing a second block in the order of steps, according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例のうち、第1のブロックと第
2のブロックとの接続方法を工程順に示す図。
FIG. 5 is a view showing a method of connecting the first block and the second block in the order of steps in the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例のうち、第1のブロックとそ
の基材との剥離方法を工程順に示す図。
FIG. 6 is a view showing a method of separating the first block and its base material in the order of steps in one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例のうち、第1のブロックと第
2のブロックとの接続方法を工程順に示す図。
FIG. 7 is a diagram showing, in the order of steps, a method of connecting the first block and the second block in the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例のうち、第1のブロックと第
2のブロックとの接続方法を工程順に示す図。
FIG. 8 is a diagram showing, in the order of steps, a method of connecting the first block and the second block in the embodiment of the present invention.

【図9】本発明の一実施例のうち、ブロック積層体と第
3のブロックとの接続方法を工程順に示す図。
FIG. 9 is a diagram showing, in the order of steps, a method of connecting the block laminate and the third block in the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 エキシマレーザ 100 第1のブロック 111 石英ガラス基板 121 ポリイミド絶縁層 122 ポリイミド絶縁層 123 ポリイミド絶縁層 131 配線層 132 配線層 133 配線層 141 ヴィアホール 143 ヴィアホール 151 ポリイミド接着層 161 バンプ 200 第2のブロック 211 セラミック基板 212 ピン 221 ポリイミド絶縁層 222 ポリイミド絶縁層 223 ポリイミド絶縁層 231 配線層 232 配線層 233 配線層 234 配線層 241 ヴィアホール 243 ヴィアホール 244 ヴィアホール 251 ポリイミド接着層 300 第3のブロック 311 石英ガラス基板 1200 ブロック積層体 1241 ヴィアホール 1242 ヴィアホール 1251 ポリイミド接着層 1261 バンプ 1271 接着層 1 Excimer Laser 100 First Block 111 Quartz Glass Substrate 121 Polyimide Insulating Layer 122 Polyimide Insulating Layer 123 Polyimide Insulating Layer 131 Wiring Layer 132 Wiring Layer 133 Wiring Layer 141 Via Hole 143 Via Hole 151 Polyimide Adhesive Layer 161 Bump 200 Second Block 211 ceramic substrate 212 pin 221 polyimide insulating layer 222 polyimide insulating layer 223 polyimide insulating layer 231 wiring layer 232 wiring layer 233 wiring layer 234 wiring layer 241 via hole 243 via hole 244 via hole 251 polyimide adhesive layer 300 third block 311 quartz glass Substrate 1200 Block laminated body 1241 Via hole 1242 Via hole 1251 Polyimide adhesive layer 1261 Bump 1271 Adhesion

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】紫外線を透過する基板上にポリイミド層を
設ける第1のステップと、 前記基板の前記ポリイミド層が形成された面とは反対の
面に紫外線を照射して前記基板と前記ポリイミド層とを
剥離する第2のステップとを含むポリイミド多層配線基
板の製造方法。
1. A first step of providing a polyimide layer on a substrate that transmits ultraviolet rays, and irradiating the surface of the substrate opposite to the surface on which the polyimide layer is formed with ultraviolet rays to the substrate and the polyimide layer. And a second step of peeling off the polyimide multilayer wiring board.
【請求項2】前記基板が石英ガラスを含むことを特徴と
する請求項1記載のポリイミド多層配線基板の製造方
法。
2. The method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 1, wherein the board contains quartz glass.
【請求項3】前記ポリイミド層が感光性ポリイミドを含
むことを特徴とする請求項1記載のポリイミド多層配線
基板の製造方法。
3. The method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 1, wherein the polyimide layer contains a photosensitive polyimide.
【請求項4】前記第2のステップにおいて、エキシマレ
ーザによって前記紫外線が照射されることを特徴とする
請求項1記載のポリイミド多層配線基板の製造方法。
4. The method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 1, wherein in the second step, the ultraviolet rays are irradiated by an excimer laser.
【請求項5】紫外線を透過する第1の基板上に第1のポ
リイミド層を設ける第1のステップと、 前記第1のポリイミド層上に配線層とポリイミド層とを
積層する第2のステップと、 この第2のステップで形成されたポリイミド絶縁層およ
び配線層の上に第1のポリイミド接着層を設ける第3の
ステップとにより第1のブロックを製造し、 第2の基板上にポリイミド絶縁層と配線層とを交互に積
層する第4のステップと、 この第4のステップで形成されたポリイミド絶縁層およ
び配線層の上に第2のポリイミド接着層を設ける第5の
ステップとにより第2のブロックを製造し、 前記第1のポリイミド接着層と前記第2のポリイミド接
着層とを仮接着する第6のステップと、 前記第1の基板の前記第1のポリイミド層が設けられる
面とは反対の面に紫外線を照射して前記第1の基板を前
記第1のポリイミド層から剥離する第7のステップと、 前記第1のブロックと前記第2のブロックとを加熱する
とともに加圧して前記第1のポリイミド接着層と前記第
2のポリイミド接着層とを互いに接着する第8のステッ
プとによって前記第1のブロックと前記第2のブロック
とを接続することを特徴とするポリイミド多層配線基板
の製造方法。
5. A first step of providing a first polyimide layer on a first substrate which transmits ultraviolet rays, and a second step of laminating a wiring layer and a polyimide layer on the first polyimide layer. The first block is manufactured by the third step of providing the first polyimide adhesive layer on the polyimide insulating layer and the wiring layer formed in the second step, and the polyimide insulating layer is formed on the second substrate. And a wiring layer are alternately laminated, and a fourth step is performed, and a fifth step is performed in which a second polyimide adhesive layer is provided on the polyimide insulating layer and the wiring layer formed in the fourth step. A sixth step of manufacturing a block and temporarily adhering the first polyimide adhesive layer and the second polyimide adhesive layer, and a surface opposite to the surface of the first substrate on which the first polyimide layer is provided. A seventh step of irradiating the surface with ultraviolet rays to separate the first substrate from the first polyimide layer; and heating and pressurizing the first block and the second block. And a second step of adhering the second polyimide adhesive layer to each other and connecting the first block and the second block to each other. .
【請求項6】前記第1のブロックと前記第2のブロック
の少なくとも一方の表面にバンプが形成され、 前記第8のステップにおいて、前記第1のブロックと前
記第2のブロックの少なくとも一方の配線層と前記バン
プとが接続されることを特徴とする請求項5記載のポリ
イミド多層配線基板の製造方法。
6. A bump is formed on a surface of at least one of the first block and the second block, and in the eighth step, wiring of at least one of the first block and the second block is formed. The method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 5, wherein a layer is connected to the bump.
【請求項7】前記第1の基板が石英ガラスを含むことを
特徴とする請求項5記載のポリイミド多層配線基板の製
造方法。
7. The method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 5, wherein the first substrate contains quartz glass.
【請求項8】前記第2の基板がセラミック基板であるこ
とを特徴とする請求項5記載のポリイミド多層配線基板
の製造方法。
8. The method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 5, wherein the second board is a ceramic board.
【請求項9】前記第2の基板がポリイミド樹脂を含むこ
とを特徴とする請求項5記載のポリイミド多層配線基板
の製造方法。
9. The method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 5, wherein the second substrate contains a polyimide resin.
【請求項10】前記第1のポリイミド層が感光性ポリイ
ミドを含むことを特徴とする請求項5記載のポリイミド
多層配線基板の製造方法。
10. The method of manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 5, wherein the first polyimide layer contains a photosensitive polyimide.
【請求項11】前記第6のステップにおいて、前記第1
のポリイミド接着層と前記第2のポリイミド接着層とが
接着層を介して仮接着されることを特徴とする請求項5
記載のポリイミド多層配線基板の製造方法。
11. The first step in the sixth step
6. The polyimide adhesive layer of 1 and the second polyimide adhesive layer are temporarily adhered via the adhesive layer.
A method for producing the polyimide multilayer wiring board described.
【請求項12】前記第7のステップにおいて、エキシマ
レーザにより前記紫外線が照射されることを特徴とする
ポリイミド多層配線基板の製造方法。
12. The method for manufacturing a polyimide multilayer wiring board according to claim 7, wherein the ultraviolet rays are irradiated by an excimer laser.
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