JPH03207080A - Multiport memory - Google Patents

Multiport memory

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JPH03207080A
JPH03207080A JP2003068A JP306890A JPH03207080A JP H03207080 A JPH03207080 A JP H03207080A JP 2003068 A JP2003068 A JP 2003068A JP 306890 A JP306890 A JP 306890A JP H03207080 A JPH03207080 A JP H03207080A
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data
page
port
lines
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実 八田
Jiyunko Hatsuta
潤子 八田
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Abstract

PURPOSE:To accelerate drawing and to shorten access time by making data for one line in a RAM corresponding to a two-dimensional rectangular area on a display screen and drawing longitudinal and lateral lines in this page by one time access. CONSTITUTION:When a row address is inputted and one row is selected by a row decoder 2, picture elements for one page are selected. When the data for one page are transferred to a serial port for CRT display, a column address to designate the first line of the page is inputted to a horizontal column decoder 3. The data of bit lines B1-B32 belonging to the first line of the page are transferred through column select transfer gates T1-T32 to data lines D0-D31 and inputted to a serial data register 4. Thus, a graphic over longitudinal lines or more than two scanning lines in the page is drawn at high speed and the access time can be shortened.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ラスタースキャングラフィクス表示に用いら
れ、表示内容をCPU債からのアクセスによって変更す
るためのランダムポート、およびディスプレーへ表示の
ためのデータを出力するシリアルボートを有するマルチ
ポートメモリに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention is used for raster scan graphics display, and includes a random port for changing display contents by access from a CPU, and outputting data for display to a display. The present invention relates to a multi-port memory having a serial port.

従来の技術 ビットマップディスプレーシステムのフレームバッファ
として、64Kビットの時代にDRAMをベースとした
マルチポートメモリが登場した。
BACKGROUND OF THE INVENTION Multi-port memory based on DRAM appeared in the 64K bit era as a frame buffer for bitmap display systems.

これは、DRAMメモリセルからなるランダムアクセス
メモリ(RAM)の他にシリアルアクセスメモリ(SA
M)を備え、RAMの1ワード線分のデータを一括して
SAMへ転送できるようにしたものである。いったんS
AMへ転送されたデータは、ランダムポートとは独立し
たシリアルボートから表示用データとして出力されるの
で、表示用データ出力中でもCPU{Illからランダ
ムポートを介してRAMにアクセスし、表示内容を描き
換えることができる。従来の汎用DRAMでフレームバ
ッファを構成していた場合には、表示のプランキング期
間中にしかCPU{allから描画のためのアクセスが
できなかったのが、このマルチポートメモリの登場によ
って、RAMからSAMへのデータ転送期間以外はいつ
でも描画のためのアクセスができるようになり、描画効
率が大幅に向上することとなった。
This includes serial access memory (SA) in addition to random access memory (RAM) consisting of DRAM memory cells.
M), so that data for one word line of RAM can be transferred to SAM at once. Once S
The data transferred to AM is output as display data from a serial port independent of the random port, so even while display data is being output, the CPU accesses the RAM via the random port and redraws the display contents. be able to. When the frame buffer was configured with conventional general-purpose DRAM, access for drawing from the CPU {all was possible only during the display blanking period, but with the advent of this multi-port memory, Access for drawing can now be made at any time except during the data transfer period to the SAM, resulting in a significant improvement in drawing efficiency.

汎用DRAMの集積度の向上に伴って、マルチポートメ
モリも64Kビットから256Kビット、さらにはIM
ビットと集積度の高いものが現れるようになった。この
集積度の向上による世代交代と同時に、機能的にも、リ
アルタイムデータ転送機能,ポインター機能,ライトマ
スク機能,演算書き込み機能,ブロックライト機能,フ
ラッシュライト機能等の各機能が付加されていった。
With the increase in the density of general-purpose DRAM, multi-port memory has also expanded from 64K bits to 256K bits, and even further to IM.
Items with high bits and high density began to appear. At the same time as this generation change due to increased integration, functions such as real-time data transfer function, pointer function, write mask function, arithmetic write function, block write function, and flash write function were added.

しかし、データ転送サイクルにおいて1ワード線分のデ
ータをRAMからSAMへ転送するという基本構威は変
わっていない。
However, the basic structure of transferring data for one word line from RAM to SAM in a data transfer cycle remains unchanged.

このような従来のマルチポートメモリの一例を第4図に
示す。第4図は64KX4ビット構成の256Kビット
マルチポートメモリの主要部で、メモリセルアレ−1,
行デコーダ2,列デコーダ3,シリアルデータレジスタ
4およびランダムポート入出力回路5を備えたものであ
る。実際のチップでは、レイアウト上の都合、および配
線抵抗,配線容量等に関する考慮から、いくつかのブロ
ックに分割する場合が多いが、基本構或はこのようなも
のである。また、ビット線やデータ線は、実際には相補
データのための線を含めて2本を1対として用いられる
が、本発明の説明のためには、特に2本を分けて描く必
要がないので、簡単のため1本の線で表してある。
An example of such a conventional multiport memory is shown in FIG. Figure 4 shows the main parts of a 256K-bit multiport memory with a 64K x 4-bit configuration, including memory cell array 1,
It includes a row decoder 2, a column decoder 3, a serial data register 4, and a random port input/output circuit 5. In an actual chip, it is often divided into several blocks due to layout considerations and consideration of wiring resistance, wiring capacitance, etc., but the basic structure is like this. Furthermore, although two bit lines and data lines are actually used as a pair, including a line for complementary data, it is not necessary to draw the two lines separately for the purpose of explaining the present invention. Therefore, it is represented by a single line for simplicity.

まず、描画のため、CPU個からマルチポートメモリを
アクセスして、ランダムポートからデータを書き込む場
合について考える。データ入出力端子I/Oo,  I
 /O+, I /O2.  1 /Osから入力され
たデータに従って、ランダムポート入出力回路5がデー
タ線Do ,D+ ,D2.D3を駆動する。ビット線
BI.B2.・・・・・・. BI024のうち、列デ
コーダ3によって選択されたもの、例えばBl,B2 
.Bi * B4が列選択転送ゲートT+ ,T2,T
3 .T4を介してデータ線Do ,D+ .D2D3
にそれぞれ接続される。その結果、メモリセルアレ−1
内には、ビット線B1  , B2 , 83B4上で
行デコーダ2によって選択された行のメモリセルにデー
タが書き込まれる。
First, consider the case where a multi-port memory is accessed by multiple CPUs for drawing and data is written from a random port. Data input/output terminal I/Oo, I
/O+, I /O2. 1/Os, the random port input/output circuit 5 connects the data lines Do, D+, D2 . Drive D3. Bit line BI. B2.・・・・・・・・・Among BI024, those selected by the column decoder 3, for example, Bl, B2
.. Bi *B4 is column selection transfer gate T+, T2, T
3. Data lines Do, D+ . D2D3
are connected to each. As a result, memory cell array 1
Data is written into the memory cells of the row selected by the row decoder 2 on the bit lines B1, B2, and 83B4.

一方、表示のためシリアルポートからデータを出力する
場合について考えると、まず、データ転送サイクルにお
いて、行デコーダ2によって選択された行のメモリセル
のデータをビット線B.B2 .・・・・・・.BIO
I上から直接シリアルデータレジスタ4に転送する。シ
リアルデータレジスタ4に転送されたデータはシリアル
クロックに同期してシリアル出力端子S O o * 
S O + + S O 2SO3から4ビットずつシ
リアルに出力され、CRT表示に用いられる。
On the other hand, considering the case where data is output from the serial port for display, first, in a data transfer cycle, the data in the memory cells of the row selected by the row decoder 2 is transferred to the bit line B. B2.・・・・・・・・・BIO
Directly transfer data from I to serial data register 4. The data transferred to the serial data register 4 is sent to the serial output terminal S O o * in synchronization with the serial clock.
S O + + S O 2 Each 4 bits are serially output from SO3 and used for CRT display.

このような256Kビットマルチポー斗メモリ4個で第
5図に示すような1024xl024画素の表示画面の
1ブレーンを構成できる。例えば、画面を縦方向に4分
割して、1行目から256行目までを第1のマルチポー
トメモリ、257行目から512行目までを第2のマル
チポートメモリ、513行目から768行目までを第3
のマルチポートメモリ、769行目から1024行目ま
でを第4のマルチポートメモリというふうに割り付けれ
ばよい。シリアルボートから同時に出力される4ビット
は、P/S変挽回路を用いて、表示画面上で横方向に連
続した4画素、例えばP (0.0),P (0.11
 ! P(0.2> , P (0.3)に割り付ける
ものとする。シリアルボートからシリアルに出力される
データは、CRT上の走査線の動きから考えて、水平線
上で出力される順に左から右へ並んで割り付けられるこ
とになる。シリアルデータレジスタのビット数は全ビッ
ト線の数と同じ1024になるので、1回のデータ転送
によって、第5図の表示画面上で水平方向のl行分のデ
ータがRAMからSAMへ転送される。
Four such 256K-bit multi-port memories can constitute one screen of a 1024.times.1024 pixel display screen as shown in FIG. For example, if the screen is divided into four vertically, lines 1 to 256 will be used as the first multi-port memory, lines 257 to 512 will be used as the second multi-port memory, lines 513 to 768 will be used as the second multi-port memory, etc. 3rd up to the eyes
The multi-port memory from the 769th line to the 1024th line may be allocated as the fourth multi-port memory. The 4 bits output simultaneously from the serial board are converted into 4 consecutive pixels in the horizontal direction on the display screen, for example, P (0.0), P (0.11), using a P/S conversion circuit.
! P (0.2>, P (0.3)). Considering the movement of the scanning line on the CRT, the data serially output from the serial port is output from the left on the horizontal line in the order in which it is output. They will be allocated to the right.The number of bits in the serial data register is 1024, which is the same as the number of all bit lines, so one data transfer will cover l rows in the horizontal direction on the display screen in Figure 5. data is transferred from RAM to SAM.

発明が解決しようとする課題 以上説明したように、従来のマルチポートメモリでは、
行アドレスの選択によって得られる1行分のデータをR
AMからSAMへ転送し、そのデータをCRT上の走査
線の動きに合わせてシリアルに出力していた。そのため
に、RAMの1行分のデータが表示画面上でも1行分の
画素に対応するか、あるいは画面の構戒によっては、画
面上の1行の一部かまたは最大2行にまたがる一部に対
応することになっていた。
Problems to be Solved by the Invention As explained above, in conventional multi-port memory,
One row of data obtained by selecting the row address is R
Data was transferred from AM to SAM, and the data was serially output in accordance with the movement of the scanning lines on the CRT. For this reason, one row of data in RAM corresponds to one row of pixels on the display screen, or depending on the layout of the screen, it may be part of one row on the screen or a portion that spans up to two rows. It was supposed to correspond to

ところが、そうすると、EWS等で図形を表示する場合
によくある縦横の線を描く場合について考えてみると、
横の線は、第5図の例では、4画素分のデータを一度の
書き込みサイクルでRAMに書き込むことができ、また
4画素以上の線で、複数の書き込みサイクルが必要な場
合でも、横方向に並んだ画素はRAMの同一行に対応す
るのでページモード等の高速アクセスモードを用いて書
き込むことができ、比較的高速に描画することができる
。しかし、縦の線は、1画素ずつ、しかも行アドレス,
列アドレス共に入力する通常のアクセスモードで書き込
まなければならないので、描画にかかる時間が長くなる
。したがって描画のためのCPU側の負担が大きくなり
、表示速度の低下をきたす原因となっていた。
However, if you think about drawing vertical and horizontal lines, which is often the case when displaying figures with EWS etc.,
In the example shown in Fig. 5, the horizontal line can write data for 4 pixels to the RAM in one write cycle, and even if the line has more than 4 pixels and requires multiple write cycles, the data can be written in the horizontal direction. Since the pixels lined up correspond to the same row of the RAM, they can be written using a high-speed access mode such as page mode, and can be drawn at relatively high speed. However, the vertical line is made pixel by pixel, and the row address
Since it is necessary to write in the normal access mode in which the column address is input together, the time required for drawing increases. Therefore, the burden on the CPU side for drawing increases, causing a decrease in display speed.

描画時間の短縮のため、従来のマルチポートメモリでも
、IMビット品ではブロックライトやフラッシュライト
といった高速書き込み機能を追加したものが現れた。し
かし、これらはいずれもCRTの走査線に沿った形での
高速書き込み機能であり、面の凍りつぶし等の高速化に
は効果があるが、縦,横,斜めの線からなる図形の描画
に対しては、ほとんど効果がなかった。
In order to shorten drawing time, IM bit products have appeared that have added high-speed writing functions such as block write and flash write to conventional multi-port memories. However, these are all high-speed writing functions that follow the scanning line of the CRT, and although they are effective in speeding up freezing and crushing of surfaces, they are not suitable for drawing figures consisting of vertical, horizontal, and diagonal lines. On the other hand, it had almost no effect.

課題を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、RAMの1行分の
データを表示画面上で2次元の矩形領域(以下、この矩
形領域をページと呼ぶ)に対応させ、このページ内では
縦横の線を一度のアクセスで描画できるようにし、また
、一度に描画できない斜線等の図形であっても、このペ
ージ内にある限り、ベージモード等の高速アクセスモー
ドを使って描画できるようにするものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention makes one line of data in the RAM correspond to a two-dimensional rectangular area (hereinafter, this rectangular area is referred to as a page) on the display screen, Within this page, vertical and horizontal lines can be drawn in one access, and even shapes such as diagonal lines that cannot be drawn at once can be drawn using a high-speed access mode such as page mode as long as they are within this page. It is something that makes it possible.

この目的を達成するため、本発明のマルチポートメモリ
は、表示画面上のページ内の縦方向の位置(以下、ペー
ジ行と呼ぶ)に合わせてRAMのデータをSAMに転送
するための第1の列選択回路と、ページ内の横方向のあ
る位置(以下、ページ列と呼ぶ)において、全てのペー
ジ行にわたって一括してデータを書き込むための第2の
列選択回路とを備えている。
To achieve this objective, the multi-port memory of the present invention provides a first port for transferring data in the RAM to the SAM according to the vertical position within the page on the display screen (hereinafter referred to as page row). It includes a column selection circuit and a second column selection circuit for writing data at once across all page rows at a certain position in the horizontal direction within a page (hereinafter referred to as a page column).

作用 この構成によって、縦方向の線や、ページ内で2本以上
の走査線にまたがる図形を、従来のマルチポートメモリ
よりも高速にRAMに書き込むことができるようになり
、CPU{91から描画のためにメモリをアクセスする
時間が短縮され、描画速度が向上する。
Effect: With this configuration, vertical lines and figures that span two or more scanning lines within a page can be written to RAM faster than conventional multi-port memories, and drawing This reduces the time required to access memory and improves drawing speed.

実施例 本発明のマルチポートメモリの一実施例を第1図に示す
。第1図のビット線B+ ! B2 r・・・・・・B
 1024は、例えば行R+が選択された場合、表示画
面を示す第5図において、ビット線Bl ,B2 ,”
””,B32が画素P(0.0),PC0,+1, ”
””P(0.31>に、ビット線B33, B34T 
−−, B64が画素P (+,O)+ P (++l
l+ ”””’ P (1.31)に、・・・・・・ビ
ット線Bss3, B994 , ゜−=. BI02
4が画素P (31.0)+ P (31,+1 + 
””” + P (31,311に対応するようになっ
ている。
Embodiment An embodiment of the multiport memory of the present invention is shown in FIG. Bit line B+ in FIG. 1! B2 r・・・・・・B
1024 indicates bit lines Bl, B2," in FIG. 5 showing the display screen when row R+ is selected, for example.
"", B32 is pixel P (0.0), PC0, +1, "
""P(0.31>), bit lines B33, B34T
--, B64 is pixel P (+, O) + P (++l
l+ """' P (1.31),...Bit line Bss3, B994, ゜-=. BI02
4 is pixel P (31.0) + P (31, +1 +
""" + P (corresponds to 31, 311.

第3図はこのような32X32画素からなるページの拡
大図である。行アドレスが入力され行デコーダ2によっ
て1つの行が選択される度に、表示画面上で1ページ分
の画素が選択されることになる。このページ内のさらに
詳細な位置は列アドレスによって指定される。
FIG. 3 is an enlarged view of such a page consisting of 32×32 pixels. Each time a row address is input and one row is selected by the row decoder 2, pixels for one page are selected on the display screen. Further detailed locations within this page are specified by column addresses.

CRT表示のため、例えば、画素P (0.0) ,P
C0.+1, ”””. P(0.31>のデータをシ
リアルポートに転送する場合には、ページ行の1行目を
指定する列アドレスが水平列デコーダ3に入力され、同
ページ行の1行目に属するビット線BIB2 .・・・
・・・,B32のデータが列選択転送ゲート’r.,T
?,”””.T32を通ってデータ線Do,D+,・・
・・・・,D31に転送され、シリアルデータレジスタ
4に入力される。第1図の例ではCRT上で32画素分
の表示を行なうたびに、このようなデータ転送サイクル
を実行する。
For CRT display, for example, pixels P (0.0), P
C0. +1, “””. When transferring data of P(0.31>) to the serial port, the column address that specifies the first row of the page row is input to the horizontal column decoder 3, and the column address that specifies the first row of the page row is Bit line BIB2 belonging to the eye...
..., B32 data is sent to column selection transfer gate 'r. ,T
? , """. Data lines Do, D+, . . . pass through T32.
..., is transferred to D31 and input to the serial data register 4. In the example of FIG. 1, such a data transfer cycle is executed every time 32 pixels are displayed on the CRT.

次に、CPU個からマルチポートメモリに描画のために
データを書き込む場合についてみる。まず、描画の対象
となるページを行アドレスによって選択する。このペー
ジ内で第3図の垂直線Aを書き込む場合には、垂直線A
のページ列の2列目を指定する列アドレスが垂直列デコ
ーダ6,7,・・・・・・,37に入力され、各々のペ
ージ行内でぺ一ジ列の2列目に属するビット線B2+B
34,・・・・・・B994に、列選択転送ゲート7 
1026 , T 1058 , ”’・・・,720
1Bを通してデータ線D.,D.,・・・・・・D31
のデータが伝達され、これらのビット線上でページを表
す行アドレスによって選択されているメモリセルにデー
タが書き込まれる。データ線IjO ,DI  +・・
・・・・,D31上には、ランダムポート入出力回路5
によって、データ入出力端子1/Oo ,I/O+ ,
 ・・・・=,I/031から入力されたデータが伝達
されている。
Next, let us consider the case where data is written from the CPUs to the multiport memory for drawing. First, a page to be drawn is selected using a row address. When writing vertical line A in Figure 3 on this page, vertical line A
A column address specifying the second column of the page column is input to the vertical column decoders 6, 7, . . . , 37, and the bit line B2+B belonging to the second column of the page column in each page row is
34,...B994, column selection transfer gate 7
1026, T 1058, ”'...,720
1B through the data line D. ,D. ,...D31
data is transmitted, and the data is written on these bit lines to the memory cell selected by the row address representing the page. Data lines IjO, DI +...
..., on D31, random port input/output circuit 5
Accordingly, the data input/output terminals 1/Oo, I/O+,
...=, data input from I/031 is being transmitted.

ページ内で第3図中の水平l&lICを書き込む場合に
は、転送サイクルの場合と同様に、水平列デコーダが用
いられる。すなわち、ページ行の2行目を指定する列ア
ドレスが水平列デコーダ3に入力され、ページ行の2行
目に属するビット線B33,B34,・・・・・・,B
64に列選択転送ゲートT33, T34,・・・・・
・,T64を通してデータ線D..D,.・・・・・・
D3+のデータが伝達され、これらのビット線上で選択
行に属するメモリセルにデータが書き込まれる。以上の
ように、ページ内では32画素分の水平線,垂直線のい
ずれでも1回の書き込みサイクルで描画できる。
When writing horizontal 1 & 1 IC in FIG. 3 within a page, a horizontal column decoder is used as in the transfer cycle. That is, the column address specifying the second page row is input to the horizontal column decoder 3, and the bit lines B33, B34, . . . , B belonging to the second page row are input to the horizontal column decoder 3.
64, column selection transfer gates T33, T34,...
, data line D. through T64. .. D.・・・・・・
The data of D3+ is transmitted, and the data is written into the memory cells belonging to the selected row on these bit lines. As described above, both horizontal and vertical lines for 32 pixels within a page can be drawn in one write cycle.

第5図中の斜めの線Bのような場合は1回では書き込め
ないが、それでも垂直列デコーダを用いて2画素分ずつ
書き込めば、従来のマルチボートメそりに比べて半分の
16回で描画が完了する。
In a case like the diagonal line B in Figure 5, it cannot be written in one time, but if you use a vertical column decoder to write two pixels at a time, it will be drawn in 16 times, which is half the time compared to the conventional multi-board mesori. is completed.

しかも、これらの書き込みは通常の書き込みサイクルの
約半分の時間ですむベージモードサイクルが使えるので
,結局、従来のマルチポートメモリに比べて4分の1程
度の時間で描画が完了することになる。
Moreover, since these writes can use a page mode cycle, which takes about half the time of a normal write cycle, drawing can be completed in about a quarter of the time compared to a conventional multiport memory.

第1図の実施例の場合、CRT上で32画素分の表示を
行なう度に、転送サイクルを実行してSAMに新たなデ
ータを転送しなければならない。転送サイクル中はラン
ダムポート個からのアクセスができないので、場合によ
っては、この転送サイクルの多さが描画効率低下の原因
になることもある。この点を改善するためには、第1図
のランダムポート入出力以外の部分を1つのプロツクと
じて、これを第2図に示すように接続して用いるとよい
In the embodiment shown in FIG. 1, a transfer cycle must be executed to transfer new data to the SAM every time 32 pixels are displayed on the CRT. Since access from random ports is not possible during the transfer cycle, in some cases, this large number of transfer cycles may cause a decrease in drawing efficiency. In order to improve this point, it is preferable to combine the parts other than the random port input/output shown in FIG. 1 into one block and connect this block as shown in FIG. 2.

第2図において、39.40.41.42はこのような
ブロックであり、いずれのブロックに対してランダムポ
ートからのアクセスを行なうかを選択するため、ブロッ
クデコーダ38とブロック選択転送ゲートT 2049
ナT 2050 ! ”’ ”” lT 2+76を設
けている。各ブロックのシリアルポート出力はマルチプ
レクサ43によってマルチブレクスされ、ブロック39
からのシリアル出力が終了すると次はブロック40、ブ
ロック40からのシリアル出力が終了すると次はブロッ
ク4lというふうに、4つのブロック39〜42を順次
切り換えて、シリアル出力を得るようになっている。し
たがって一度データ転送サイクルを実行すると、128
画素分のデータをシリアルに出力することができる。す
なわち、CRT上で128画素の表示を行なう間に一回
のデータ転送サイクルを実行すればよい。
In FIG. 2, 39, 40, 41, and 42 are such blocks, and in order to select which block is to be accessed from the random port, the block decoder 38 and the block selection transfer gate T 2049 are used.
NaT 2050! ``''''' lT 2+76 is provided.The serial port output of each block is multiplexed by multiplexer 43, and block 39
When the serial output from block 40 is completed, the next block is block 40, and when the serial output from block 40 is completed, the next block is block 4l, and so on, the four blocks 39 to 42 are sequentially switched to obtain serial output. Therefore, once a data transfer cycle is executed, 128
Data for pixels can be output serially. That is, it is sufficient to execute one data transfer cycle while displaying 128 pixels on the CRT.

第2図のマルチポートメモリを用いると、1つの行アド
レスの選択によって、表示画面上で横方向に連続した4
ページ分の領域が選択される。4つのページは左から順
にブロック39,ブロック40,ブロック41,ブロッ
ク42に対応する。
Using the multi-port memory shown in Figure 2, by selecting one row address, four
An area corresponding to a page is selected. The four pages correspond to block 39, block 40, block 41, and block 42 in order from the left.

第2図のマルチポートメモリは各ブロックが第1図に示
すように256Kのメモリセルを有しているので、4ブ
ロックで1Mになり、現在の製造技術で1チップ化でき
るものである。これを用いると、第5図に示すような1
024X1024の表示画面の場合、1ブレーン分のデ
ータを1つのチップに収められる。
Since each block of the multi-port memory shown in FIG. 2 has 256K memory cells as shown in FIG. 1, four blocks constitute 1M, which can be made into one chip using current manufacturing technology. Using this, 1 as shown in Figure 5.
In the case of a 024x1024 display screen, data for one brane can be stored in one chip.

発明の効果 以上説明したように、本発明によれば走査線方向に垂直
な線や、2本以上の走査線にまたがる図形でも高速に描
画できるマルチポートメモリが実現できる。
Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, it is possible to realize a multi-port memory that can draw at high speed even lines perpendicular to the scanning line direction or figures spanning two or more scanning lines.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例のマルチポートメモJを示す
構成ブロック図、第2図は本発明の他の実施例を示す構
威ブロック図、第3図は本発明のマルチポートメモリを
用いて表示を行なったときの表示画面上の1ページを示
す模式図、第4図は従来のマルチポートメモリを示す構
成ブロック図、第5図はマルチポートメモリを用いて表
示を行なったときの表示画面を示す模式図である。 Bl  ,B2  +・・・・・・, BI024・・
・・・・ビット線、D O +DI+・・・・・・, 
D31・・・・・・データ線、TI , T2 ,・・
・・・・, T2048・・・・・・列選択転送ゲート
FIG. 1 is a block diagram showing a multi-port memory J according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing another embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram showing a multi-port memory J according to the present invention. Figure 4 is a block diagram showing the configuration of a conventional multi-port memory, and Figure 5 is a schematic diagram showing one page on the display screen when displayed using a multi-port memory. FIG. 3 is a schematic diagram showing a display screen. Bl, B2 +..., BI024...
...Bit line, D O +DI+...,
D31...Data line, TI, T2,...
..., T2048... Column selection transfer gate.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)行列に配列されたメモリセルアレー、行アクセス
手段、全体の列をそれぞれが複数の列からなる複数の列
群に分割し、前記列群のいずれか一つに属する複数の列
を同時に選択しアクセスする第1の列アクセス手段、前
記複数の列群において各々の列群より各1列を同時に選
択しアクセスする第2の列アクセス手段、前記第1の列
アクセス手段あるいは前記第2の列アクセス手段によっ
て選択された列に、ランダムポートから入力されたデー
タを書き込む書き込み手段、シリアルポートからシリア
ルにアクセス可能なシリアルデータレジスタ、前記第1
の列アクセス手段によって選択された列のデータを前記
シリアルデータレジスタに転送するデータ転送手段を有
することを特徴とするマルチポートメモリ。
(1) A memory cell array arranged in a matrix, a row access means, the entire column is divided into a plurality of column groups each consisting of a plurality of columns, and a plurality of columns belonging to any one of the column groups are simultaneously operated. a first column access means for selecting and accessing a column; a second column access means for simultaneously selecting and accessing one column from each column group in the plurality of column groups; writing means for writing data input from a random port into a column selected by the column access means; a serial data register serially accessible from the serial port;
A multi-port memory comprising data transfer means for transferring data of a column selected by the column access means to the serial data register.
(2)請求項1記載のメモリセルアレー、行アクセス手
段、第1および第2の列アクセス手段、シリアルデータ
レジスタ、データ転送手段からなるブロックを複数個有
し、前記複数のブロック中から1ブロックを選択し、ラ
ンダムポートからアクセスするブロックアクセス手段、
前記複数ブロックのシリアルデータレジスタの内容を全
てシリアルにシリアルポートからアクセス可能とするシ
リアルアクセス手段を有することを特徴とするマルチポ
ートメモリ。
(2) The memory cell array according to claim 1, comprising a plurality of blocks each comprising a row access means, first and second column access means, a serial data register, and a data transfer means, one block among the plurality of blocks. Select a block access means to access from a random port,
A multi-port memory comprising serial access means that allows all contents of the serial data registers of the plurality of blocks to be serially accessed from a serial port.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6148189A (en) * 1984-08-14 1986-03-08 Fujitsu Ltd Semiconductor memory device
JPS6353795A (en) * 1986-08-22 1988-03-08 Fujitsu Ltd Multidimensional access memory
JPS63142593A (en) * 1986-12-04 1988-06-14 Fujitsu Ltd Multi-dimension access memory

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