JP3061824B2 - Semiconductor memory - Google Patents

Semiconductor memory

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JP3061824B2 JP1327938A JP32793889A JP3061824B2 JP 3061824 B2 JP3061824 B2 JP 3061824B2 JP 1327938 A JP1327938 A JP 1327938A JP 32793889 A JP32793889 A JP 32793889A JP 3061824 B2 JP3061824 B2 JP 3061824B2
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潤子 八田
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体メモリ、中でもラスタースキャング
ラフィックス表示用マルチポートメモリに関するもので
ある。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor memory, and more particularly to a multiport memory for displaying raster scan graphics.

従来の技術 近年、グラフィック端末等における画像処理のために
マルチポートメモリが多く用いられるようになった。
2. Description of the Related Art In recent years, multiport memories have been widely used for image processing in graphic terminals and the like.

以下に、従来のマルチポートメモリについて説明す
る。第3図は、従来のマルチポートメモリのブロック図
を示したものである。WL1〜WLnはランダムアクセスメモ
リ(RAM)のワード線、BL1〜BL16はRAMのビット線、T1
〜T16は列アドレス転送ゲート、DL1〜DL4はデータ線で
ある。
Hereinafter, a conventional multiport memory will be described. FIG. 3 shows a block diagram of a conventional multiport memory. W L1 to W Ln are word lines of random access memory (RAM), B L1 to B L16 are bit lines of RAM, T 1
Through T 16 column address transfer gates, D L1 to D L4 are data lines.

このマルチポートメモリについて、その動作を説明す
る。RAMに対するデータの入出力はDL1〜DL4のデータ線
を用いて行なわれる。例えば、データ線DL1〜DL4のデー
タ線上のデータをワード線WL1の上のメモリセルに書込
む場合を考える。ワード線WL1が選択され、列アドレス
デコーダによって選択されたビット線とワード線WL1
接続するメモリセルにデータが書込まれる。また、読出
しの場合は、選択されたワード線と列アドレスデコーダ
によって選択されたビット線とに接続するメモリセルの
データがデータ線DL1〜DL4の各線を通って読出される。
The operation of the multiport memory will be described. Data input / output to / from the RAM is performed using data lines D L1 to D L4 . For example, consider a case in which data on the data lines D L1 to D L4 is written to a memory cell on the word line W L1 . Word line W L1 is selected, the data in the memory cells connected to the bit line and the word line W L1 selected by the column address decoder is written. In the case of reading, data of a memory cell connected to the selected word line and the bit line selected by the column address decoder is read through each of the data lines D L1 to D L4 .

次に、シリアルアクセスメモリ(SAM)からシリアル
データを読出す場合には、RAM内の選択されたワード線
に接続するメモリセルのデータが、ビット線を通ってSA
Mに転送されシリアルデータとして出力される。画面表
示を行なう際には画面に表示するためのデータをRAMに
書込み、そのデータをSAMに転送し、シリアル出力して
画面表示していた。
Next, when serial data is read from a serial access memory (SAM), data of a memory cell connected to a selected word line in the RAM is transmitted through a bit line to the SA.
Transferred to M and output as serial data. When performing screen display, data to be displayed on the screen was written to RAM, and the data was transferred to SAM, serially output, and displayed on the screen.

発明が解決しようとする課題 従来の構成では、通常の使用方法に従ってSAMに転送
されたデータを走査線の動きに合わせて連続して出力す
る場合、SAMのデータは転送時に選択されたワード線上
のデータに等しくなるため、基本的に1本のワード線上
のデータが1本の走査線上、あるいはその一部分に表示
されることになる。従って縦方向の広がりを持ち、複数
の走査線にかかわる図形をRAMに書込む場合、行アドレ
スの異なる複数のワード線をアクセスしなければならな
い。一般にダイナミックRAMでは行アドレスが同じで列
アドレスのみが異なるメモリセルをアクセスするときに
は、ページモード等の高速アクセスモードが利用できる
が、行アドレスが異なればページモードよりも約2倍の
時間を要する通常のアクセスモードしか使えない。すな
わち、縦方向に広がりを持つ図形をメモリに書込む場
合、従来のマルチポートメモリでは、スピードの遅い通
常のアクセスモードしか利用できず、表示図形の書込み
速度が遅いという欠点があった。
Problems to be Solved by the Invention In the conventional configuration, when data transferred to the SAM is continuously output in accordance with the movement of the scanning line according to the normal usage, the data of the SAM is transferred to the word line selected at the time of transfer. Since the data is equal to the data, basically the data on one word line is displayed on one scanning line or a part thereof. Therefore, when writing a graphic having a vertical spread and relating to a plurality of scanning lines to the RAM, a plurality of word lines having different row addresses must be accessed. Generally, when accessing memory cells having the same row address but different column addresses in a dynamic RAM, a high-speed access mode such as a page mode can be used. Only the access mode of can be used. That is, when writing a graphic having a spread in the vertical direction into the memory, the conventional multiport memory has a drawback that only a normal access mode with a low speed can be used, and the writing speed of the display graphic is low.

また、従来のマルチポートメモリを用いた場合でも、
1本のワード線上のデータを表示画面上で縦方向の広が
りを持つ2次元の矩形領域に対応させるようにすれば、
縦方向の広がりを持つ図形をページモードで書込むこと
はできる。しかしその場合、SAMに転送した1ワード線
分のデータのうち、実際に走査線上に沿って連続的に出
力され、画面上の表示のために使用されるのは、前記矩
形領域内でその走査線上に位置するデータのみとなる。
Also, even when using a conventional multi-port memory,
If data on one word line is made to correspond to a two-dimensional rectangular area having a vertical spread on the display screen,
It is possible to write figures with a vertical spread in page mode. However, in this case, of the data for one word line transferred to the SAM, the data that is actually continuously output along the scanning line and used for display on the screen is the scanning within the rectangular area. Only data located on the line will be available.

前記矩形領域内であっても別の走査線上に位置するデ
ータは別の転送サイクルで転送し直さなければ表示でき
ない。つまり、転送されるデータのうち実際に表示に使
われているのはごくわずかで、他の大部分のデータは無
駄な転送ということになる。その無駄な転送のため、消
費電力やチップ上のSAMのレイアウト面積を無駄に使用
していることになる。
Even in the rectangular area, data located on another scanning line cannot be displayed unless it is transferred again in another transfer cycle. In other words, only a very small part of the data to be transferred is actually used for display, and most of the other data is wasted transfer. Because of the useless transfer, the power consumption and the layout area of the SAM on the chip are wasted.

本発明は、上記の課題を解決するため、前記矩形領域
内の1走査線上のデータのみをSAMに転送できるよう
に、必要な列アドレスのデータのみを選択して転送し、
無駄なデータ転送をせず、しかも縦方向の広がりを持つ
図形でもページモード等の高速アクセスモードで書込む
ことのできるマルチポートメモリを提供するものであ
る。
In order to solve the above problem, the present invention selects and transfers only data of a necessary column address so that only data on one scanning line in the rectangular area can be transferred to the SAM,
An object of the present invention is to provide a multi-port memory capable of writing in a high-speed access mode such as a page mode even in a figure having a vertical spread without performing unnecessary data transfer.

課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のマルチポートメモ
リは、ランダムアクセスポートとシリアルアクセスポー
トとを備えたラスタースキャングラフィックス表示用マ
ルチポートメモリであって、行アドレスおよび列アドレ
スを指定してアクセスされるRAMと、前記列アドレスに
したがって選択的に導通する列アドレス選択ゲートを介
して前記RAMの複数のビット線にそれぞれ接続され、前
記RAMの指定された行アドレス、列アドレスに対するデ
ータの入出力に用いられる複数のデータ線と、前記複数
のデータ線に結合され、シリアルに画面表示用データを
出力するSAMとを有し、前記行アドレスによって選択さ
れる前記RAMのワード線に接続される複数のメモリセル
のデータは、表示画面上の複数の走査線に誇る一矩形ブ
ロックに対応付けられ、前記一矩形ブロック内における
複数の走査線のデータはそれぞれ異なる列アドレスに対
応付けられ、画面表示用のデータを前記RAMから前記SAM
に転送する際には、前記行アドレスによって選択される
前記RAMのワード線に接続される複数のメモリセルのデ
ータの中から、前記列アドレスを指定することによっ
て、一走査線に対応するデータを選択し、前記列アドレ
ス選択ゲートおよび前記複数のデータ線を介して、前記
SAMに転送するものである。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, a multiport memory of the present invention is a raster scan graphics display multiport memory having a random access port and a serial access port, comprising a row address and a column. A RAM accessed by specifying an address, and a plurality of bit lines of the RAM connected to a plurality of bit lines of the RAM via a column address selection gate selectively conductive according to the column address, respectively, and a specified row address and column of the RAM A plurality of data lines used for input / output of data with respect to an address, a SAM coupled to the plurality of data lines, and serially outputting screen display data, and the word of the RAM selected by the row address; The data of a plurality of memory cells connected to a line is stored in a rectangular block Data of a plurality of scanning lines in the one rectangular block are respectively associated with different column addresses, and data for screen display is transferred from the RAM to the SAM.
When transferring the data corresponding to one scanning line by designating the column address from among the data of a plurality of memory cells connected to the word line of the RAM selected by the row address. Through the column address selection gate and the plurality of data lines.
Transfer to SAM.

作用 この構成によって、画面に表示するデータをRAMに書
込む時間を短縮し、画面表示を高速化することができる
と同時に、RAMのデータを画面に読出す際に無駄なデー
タ転送をすることがなくなる。
Operation With this configuration, it is possible to shorten the time for writing data to be displayed on the screen to the RAM and to speed up the screen display, and at the same time, to useless data transfer when reading the data from the RAM to the screen. Disappears.

実施例 以下本発明の一実施例について画面を参照しながら説
明する。以下の説明では簡単のため、データ線の数が4
で、列アドレスの数も4の場合をとり上げるが、データ
線の数や列アドレスの数がもっと多い場合でも本発明を
実施できるのはもちろんである。また、ビット線やデー
タ線は2本を1対として用いられるが、これも簡単のた
め1本の線で示してある。第1図は、本発明のマルチポ
ートメモリのブロック図を示したものである。WL1〜WLn
はRAMのワード線、BL1〜BL16はRAMのビット線、T116
は列アドレス転送ゲート、DL1〜DL4はデータ線である。
RAMに対するデータの入出力は、DL1〜DL4の各データ線
を用いて行なわれる。例えばDL1〜DL4の各データ線上の
データをワード線WL1のメモリセルに書込む場合を考え
る。ワード線WL1が選択され列アドレスデコータによっ
て選択されたビット線と、ワード線WL1とに接続された
メモリセルにデータが書込まれる。また読出しの場合に
は、選択されたワード線と列アドレスデコーダによって
選択されたビット線とに接続されたメモリセルのデータ
がDL1〜DL4の各データ線を通って読出される。次にSAM
からシリアルデータを読出す場合には、RAM内の選択さ
れたワード線に接続されたメモリセルのデータがビット
線上に読出され、列アドレスデコーダによって選択され
た列アドレスのデータが列アドレス転送ゲートT1〜T16
のうち“オン”となった列アドレス転送ゲート、データ
線DL1〜DL4のいずれかのデータ線を通ってSAMに転送さ
れ、シリアル出力される。例えば、ワード線WL1が選択
され列アドレス転送ゲートT9〜T12が“オン”になった
場合、ワード線WL1とビット線BL9〜BL12に接続された各
メモリセルのデータが、SAMに転送されシリアルデータ
として出力される。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to a screen. In the following description, the number of data lines is four for simplicity.
Therefore, the case where the number of column addresses is 4 is taken up, but the present invention can of course be implemented even when the number of data lines and the number of column addresses are larger. Although two bit lines and data lines are used as a pair, these are also shown by one line for simplicity. FIG. 1 is a block diagram showing a multi-port memory according to the present invention. W L1 to W Ln
Is the word line of RAM, B L1 to B L16 are the bit lines of RAM, T 1 to 16
Is a column address transfer gate, and D L1 to D L4 are data lines.
Input / output of data to / from the RAM is performed using data lines D L1 to D L4 . For example, consider a case where data on each of the data lines D L1 to D L4 is written to the memory cell of the word line W L1 . A bit line selected by the column address decoding coater word line W L1 is selected, the data in the memory cells connected to the word line W L1 is written. In the case of reading, data of a memory cell connected to the selected word line and the bit line selected by the column address decoder is read through each of the data lines D L1 to D L4 . Then SAM
When reading serial data from the RAM, the data of the memory cell connected to the selected word line in the RAM is read onto the bit line, and the data of the column address selected by the column address decoder is read from the column address transfer gate T. 1 to T 16
The data is transferred to the SAM through the column address transfer gate that has been turned on and any one of the data lines D L1 to D L4 and serially output. For example, when the word line W L1 becomes to column address transfer gate T 9 through T 12 is "on" selected, the data of each memory cell connected to the word line W L1 and the bit line B L9 .about.B L12 is, Transferred to SAM and output as serial data.

上記のように本発明のマルチポートメモリは、1つの
列アドレス分のデータのみをSAMに転送することが可能
で、SAMの大きさも1つの列アドレス分のデータのサイ
ズに合わせて設計することが可能なため、レイアウト面
積を小さくすることができる。
As described above, the multiport memory of the present invention can transfer only data for one column address to the SAM, and the size of the SAM can be designed according to the data size for one column address. Since it is possible, the layout area can be reduced.

次に、本発明のマルチポートメモリをグラフィック端
末の画像処理に用いる場合の動作について説明する。第
2図は、グラフィック端末の画面を示したものである。
(1)〜(n)は画面を矩形で分割した各ブロック、A
〜Dは各ブロック内に存在する走査線である。第2図で
は、ブロック内の走査線はA〜Dの4本の場合を用いて
いるが、1つのブロック内の走査線の数はそのグラフィ
ック端末に使用するマルチポートメモリの記憶容量とそ
の他の要因によって決定されるため、ブロック内の走査
線が4本以外の場合でも本発明を同様に実施することが
可能である。第2図に示すように、画面上を(1)〜
(n)の矩形のブロックに分割し、各ブロックのデータ
量は本発明のマルチポートメモリのRAMの1本のワード
線に接続するメモリセルに書込むことが可能なデータ量
と同等のものとする。
Next, an operation when the multiport memory of the present invention is used for image processing of a graphic terminal will be described. FIG. 2 shows a screen of a graphic terminal.
(1) to (n) are blocks obtained by dividing the screen into rectangles, A
DD are scanning lines existing in each block. In FIG. 2, four scanning lines A to D are used in a block. However, the number of scanning lines in one block depends on the storage capacity of the multiport memory used for the graphics terminal and other factors. The present invention can be similarly implemented even when the number of scanning lines in a block is other than four, because it is determined by factors. As shown in FIG. 2, (1)-
(N) Divided into rectangular blocks, and the data amount of each block is equivalent to the data amount that can be written to the memory cell connected to one word line of the RAM of the multiport memory of the present invention. I do.

画面に表示するためのデータを本発明のマルチポート
メモリのRAMに書込む場合には、場面の各ブロック内の
範囲で、ページモードでの書込みが可能である。次に、
RAMに書込まれたデータを画面に出力する場合には、RAM
のワード線を1本選択し、そのワード線に接続するメモ
リセルのうち列アドレスデコーダで選択されたビット線
に接続するメモリセルのデータ4個がSAMに転送されて
シリアル出力され、第2図の(1)のブロックAの走査
線に表示される。そして、次に表示されるデータは、RA
Mの別のワード線を選択し、同様に、選択されたワード
線に接続されたメモリセルのうち、列アドレスデコーダ
で選択されたビット線に接続するメモリセルのデータ4
個がSAMへ転送され、シリアル出力されて第2図の
(2)のブロックのAの走査線上に表示される。つま
り、表示されるデータは、走査線に沿って、また、ブロ
ックが変わるたびにRAMからSAMへのデータ転送を繰返し
ながら表示を行なう。
When data to be displayed on the screen is written to the RAM of the multiport memory of the present invention, writing can be performed in a page mode within a range of each block of a scene. next,
To output the data written in RAM to the screen,
2 is selected, and four data of the memory cells connected to the bit line selected by the column address decoder among the memory cells connected to the word line are transferred to the SAM and serially output. (1) is displayed on the scanning line of the block A. And the next data displayed is RA
Select another word line of M, and similarly, among the memory cells connected to the selected word line, data 4 of the memory cell connected to the bit line selected by the column address decoder.
Are transferred to the SAM, serially output, and displayed on the scanning line A of the block (2) in FIG. In other words, the data to be displayed is displayed along the scanning lines and while repeating the data transfer from the RAM to the SAM each time the block changes.

発明の効果 本発明のマルチポートメモリによれば、画面に表示す
るためのデータをRAMに書込む場合、ページモードによ
って画面の各ブロックのデータをRAMに書込むことがで
きるため、書込み時間が大幅に短縮できる。
According to the multiport memory of the present invention, when writing data to be displayed on the screen to the RAM, the data of each block of the screen can be written to the RAM in the page mode, so that the writing time is greatly reduced. Can be shortened to

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の実施例のマルチポートメモリのブロッ
ク図、第2図はグラフィック端末の画面を示した概念
図、第3図は従来のマルチポートメモリのブロック図で
ある。 WL1〜WLn……RAMのワード線、BL1〜BL16……RAMのビッ
ト線、T1〜T16……列アドレス転送ゲート、DL1〜DL4
…データ線。
FIG. 1 is a block diagram of a multiport memory according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a conceptual diagram showing a screen of a graphic terminal, and FIG. 3 is a block diagram of a conventional multiport memory. W L1 to W Ln … RAM word line, B L1 to B L16 … RAM bit line, T 1 to T 16 … column address transfer gates, D L1 to D L4
... data lines.

フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−287497(JP,A) 特開 昭63−142593(JP,A)Continuation of the front page (56) References JP-A-62-287497 (JP, A) JP-A-63-142593 (JP, A)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】ランダムアクセスポートとシリアルアクセ
スポートとを備えたラスタースキャングラフィックス表
示用マルチポートメモリであって、行アドレスおよび列
アドレスを指定してアクセスされるランダムアクセスメ
モリ(RAM)と、前記列アドレスにしたがって選択的に
導通する列アドレス選択ゲートを介して前記RAMの複数
のビット線にそれぞれ接続され、前記RAMの指定された
行アドレス、列アドレスに対するデータの入出力に用い
られる複数のデータ線と、前記複数のデータ線に結合さ
れ、シリアルに画面表示用データを出力するシリアルア
クセスメモリ(SAM)とを有し、前記行アドレスによっ
て選択される前記RAMのワード線に接続される複数のメ
モリセルのデータは、表示画面上の複数の走査線に誇る
一矩形ブロックに対応付けられ、前記一矩形ブロック内
における複数の走査線のデータはそれぞれ異なる列アド
レスに対応付けられ、画面表示用データを前記RAMから
前記SAMに転送する際には、前記行アドレスによって選
択される前記RAMのワード線に接続される複数のメモリ
セルのデータの中から、前記列アドレスを指定すること
によって、一走査線に対応するデータを選択し、前記列
アドレス選択ゲートおよび前記複数のデータ線を介し
て、前記SAMに転送することを特徴とするマルチポート
メモリ。
1. A multi-port memory for raster scan graphics display having a random access port and a serial access port, wherein the random access memory (RAM) is accessed by designating a row address and a column address. A plurality of data which are respectively connected to a plurality of bit lines of the RAM via a column address selection gate which selectively conducts according to a column address, and are used for inputting / outputting data for a specified row address and column address of the RAM. And a serial access memory (SAM) coupled to the plurality of data lines and serially outputting screen display data, and connected to a word line of the RAM selected by the row address. The memory cell data is associated with one rectangular block that boasts multiple scanning lines on the display screen. The data of the plurality of scanning lines in the one rectangular block are respectively associated with different column addresses, and when transferring screen display data from the RAM to the SAM, the data of the RAM selected by the row address is used. By specifying the column address from data of a plurality of memory cells connected to a word line, data corresponding to one scanning line is selected, and the data is selected via the column address selection gate and the plurality of data lines. A multi-port memory for transferring to the SAM.
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US5490112A (en) * 1993-02-05 1996-02-06 Micron Technology, Inc. Multi-port memory device with multiple sets of columns
DE19937176A1 (en) * 1999-08-06 2001-02-15 Siemens Ag Multiprocessor system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62287497A (en) * 1986-06-06 1987-12-14 Fujitsu Ltd Semiconductor memory unit
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