JPH01227448A - Prober for wafer - Google Patents

Prober for wafer

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JPH01227448A
JPH01227448A JP63054563A JP5456388A JPH01227448A JP H01227448 A JPH01227448 A JP H01227448A JP 63054563 A JP63054563 A JP 63054563A JP 5456388 A JP5456388 A JP 5456388A JP H01227448 A JPH01227448 A JP H01227448A
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JP
Japan
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wafer
chip
height
chuck
probe
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JP63054563A
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Yoshito Marumo
丸茂 芳人
Takashi Chiku
知久 孝
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To inspect a wafer with high accuracy at proper stylus pressure regardless of the height and deformation of the wafer by installing a height sensor detecting the height of each chip on the wafer held by a wafer chuck and a monitor detecting the positions of respective chip. CONSTITUTION:A height sensor 2 detecting the height of each chip 13 on a wafer 12 held by a wafer chuck 11 and a monitor 4 detecting the positions of separate chip 13 are mounted. The height of all chips 13 in the wafer 12 is detected by the height sensor 2 by passing the wafer 12 sucked to the wafer chuck 11 at the position of the height sensor 2 set up at a predetermined location, and the movement of the wafer chuck 11 is adjusted in response to the result of the detection. The TV monitor 4 by outputs from a microscope and a image pick-up camera 3 brings a probing needle 21 into contact at the position of a probe to electrode pads fitted to the chips 13 in the wafer 12, and is used for confirming the position and size of. the needle trace of the probing needle.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は半導体ウェハのプローブテストを行なうため
のウエハブローバに関し、半導体ウェハを精度よく測定
するのに適したウェハブローバを提供するものである。
The present invention relates to a wafer blobber for performing probe tests on semiconductor wafers, and provides a wafer blobber suitable for measuring semiconductor wafers with high precision.

【従来の技術】[Conventional technology]

半導体装置の製造工程においては、ウェハ上にウェハチ
ップが完成すると、プローブテストと呼ばれ電極パッド
にプローブ針を接触させてウェハチップの電気的特性検
査が行なわれる。 このような検査においては、プローブ位置において、プ
ローブ針が一定の針圧でウェハチップの電極パッドに接
触しているか否かが検査精度に大きく影響するものであ
った。 従来、このプローブ針がウェハの電極パッド上へ接触す
る場合の針圧は、ウェハの厚さやウェハ表面の傾きによ
って影響されるため、プローブ針に対してウェハチャッ
クのZ軸方向の移動量を制御することにより調整されて
いた。
In the manufacturing process of semiconductor devices, when a wafer chip is completed on a wafer, the electrical characteristics of the wafer chip are tested by bringing a probe needle into contact with an electrode pad, which is called a probe test. In such an inspection, inspection accuracy is largely influenced by whether or not the probe needle is in contact with the electrode pad of the wafer chip with a constant needle pressure at the probe position. Conventionally, the needle pressure when the probe needle contacts the electrode pad of the wafer is affected by the thickness of the wafer and the inclination of the wafer surface, so the amount of movement of the wafer chuck in the Z-axis direction relative to the probe needle is controlled. It was adjusted by

【発明が解決しようとする問題点】[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、本発明者等は針圧への影響因子として、
ウェハの厚さの不均一やウェハ表面の傾き、針圧を受け
た場合のウェハチャックのたわみ量等が非常に大きい影
響力を持っていることを発見し、た。 近年のウェハの高密度化に伴い、第9図に示すように、
プローブ針21がプローブカード22に垂直に設置され
るようになった。このような場合には、わずかな針圧の
違いによりプローブ針21に過度の負荷がかかって変形
し、負荷が除かれたのちもその変形が残ってしまい、プ
ローブ針21が使用できなくなってしまう。 この発明の目的は、かかる従来の問題点に対処してなさ
れたもので、ウェハの高さや変形に関係なく、適正な針
圧で高精度にウェハを検査できるウェハブローバを提供
することである。
However, the present inventors have determined that the factors influencing stylus pressure are:
They discovered that the non-uniformity of the wafer thickness, the tilt of the wafer surface, the amount of deflection of the wafer chuck when subjected to stylus pressure, etc. have a very large influence. With the recent increase in wafer density, as shown in Figure 9,
The probe needle 21 is now installed vertically on the probe card 22. In such a case, an excessive load is applied to the probe needle 21 due to a slight difference in needle pressure, resulting in deformation, and even after the load is removed, the deformation remains, making the probe needle 21 unusable. . SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer blobber that can inspect a wafer with appropriate stylus pressure with high accuracy regardless of the height or deformation of the wafer.

【問題点を解決するための手段】[Means to solve the problem]

すなわちこの発明のウエハブローバは、ウェハチャック
によって保持されたウェハ上における各チップの高さを
検出するハイトセンサと、各チップの位置を検出するモ
ニタとを有することを特徴とするものである。
That is, the wafer blobber of the present invention is characterized by having a height sensor that detects the height of each chip on the wafer held by the wafer chuck, and a monitor that detects the position of each chip.

【実施例】【Example】

以下、この発明の一実施例を図面を用いて説明する。第
1図ないし第4図はこの発明のウェハプローバの一実施
例を示し、第1図はその概略平面図、第2図は側面図、
第3図はダミーウェハの用法を示す概略平面図、第4図
はウェハチャックの駆動方向を示す斜視図である。 プローブ位置に設置したプローブカード等力)らなるプ
ローブ手段lと、ウェハ12の相対的移動により各チッ
プ13ごとに検査される。例えばウェハ12が上下、X
軸−Y軸方向に移動することにより検査される。上記上
下移動において、あらかじめ定められた位置に設けられ
たハイトセンサ2の位置を、ウェハチャック11に吸着
されたウェハ12が通過することにより、ウェハ12内
の全チップ13について、その高さがハイトセンサ2に
より検知される。すなわち、第2図に示すようにウェハ
12の端縁がハイトセンサ2を縦横に横切った際の2点
X+、XaおよびYl、Y2のに+−Xi  Yl−Y
z 中心、□ □から垂線を延ばし、 2.2 その交点をウェハ12の中心Oとして以後の基準とする
。そして上記中心Oを起点として、うす巻き状ないし蛇
行状に移動させ、ウェハ12上の各チップ13をハイト
センサ2によって検知する。 この検知結果はメモリに記憶させておく。 4は、マイクロスコープと撮像カメラ3からの出力によ
るTVモニタで、ウェハ12のチップ13に設けた電極
パッドにプローブ位置においてプローブ針21をコンタ
クトさせ、その針跡の位置やサイズを確認するために使
用される。すなわち第4図に示すように、ウェハ12を
吸着したウェハチャック11をX軸、Y軸、Z軸方向お
よびθ方向に駆動させ、確認した針跡によってウェハ1
2の姿勢を制御するのである。 なお、上記ハイトセンサ2によって各チップ13の高さ
を検知する前に、このTVモニタ4でウェハ12を観察
してチップ13内のどの位置を検知するかを決定する。 その後ウェハ12をハイトセンサ2の視野位置まで移動
させ、上記手順でウェハ12の中心Oを決定して、各チ
ップ13ごとにその高さを検知する。得られた各チップ
13ごとの高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ12はプローブ位置まで移送され、各チップ
13ごとに電気的に測定される。その際ウェハチャック
11は、第5図のように各チップ13ごとにプローブ針
21に接触させるように動作するが、各チップ13ごと
の高さに応じてZ軸方向に移動量を調整する。この調整
は、ウェハチャック11の駆動系を、メモリに記憶され
た各チップ13ごとの高さのデータに応じて制御するこ
とにより行なわれる。なおウェハ12のX軸ないしY軸
方向の傾きは、TVモニタ4の位置で修正されているの
で、プローブ位置においては調整する必要がない。 この実施例においては、検査すべきウェハ12をプロー
ブ位置に移送してウェハ12上の各チップ13を電気的
に測定するのに際し、次の準備工程を経るようにしたも
のである。 すなわち、先ずウェハチャック11のチャックトップの
各部位についてのたわみ量を、プローブ針21による針
圧との関係において測定する。測定に際しては第6図に
示すように、プローブ位置のヘッドプレート33に支持
された、上下方向に進退自在のマグネスケール34を使
用する。すなわち、ウェハチャック11のチャックトッ
プ31にウェイト32を載せ、この状態でウェハチャッ
ク11をZ軸方向に上昇させてマグネスケール34の先
端に当接させる。そしてウェハチャック11のチャック
トップ31の各部位についてそのたわみ量を検出する。 上記たわみ量は、通常ウェハチャックの支柱部分との関
係からウェハチャックの中心においては少なく、周辺部
分において大きくなる。しかしながら、ウェハチャック
11の材質等の要素もあってかなりのバラツキを有する
ものである。 このようにして測定したウェハチャック11のチャック
トップ31のたわみ量は、メモリに記憶させておき、の
ちのプローブ工程においてウェハチャック11のZ軸方
向の駆動を制御するのに使用する。このようにして針圧
の狂いを低減することにより、より一層高精度にウェハ
を検査することができる。 なお同時に、下記に示すような手段で、ウェハチャック
11のZ軸方向の移動の際の停止位置のズレを検出した
ところ、移動速度によって第8図のAに示すような振動
が生じていることが判明した。 ズレの検出には第7図に示すように、プローブ位置のヘ
ッドプレート33に支持されたオシロスコープ35を使
用する。すなわち、ウェハチャック11のチャックトッ
プ31にウェイト32を載せ、この状態でウェハチャッ
ク11を2軸方向に上昇させてオシロスコープ35でそ
の位置を検出する。そしてチャックトップ31の各部位
についてその振動量を検出する。 このようにして測寓したウェハチャック11の振動はそ
のZ軸方向の速度に大きく影響されるため、本発明者等
は種々検討した結果、ウェハチャック11のZ軸方向の
駆動を2段階制御することによって解消できることを見
いだした。このようにして振動量を低減することにより
、より一層高精度にウェハを検査することができる。 次にこの発明のウエハブローバの動作について説明する
。 通常のロード、アンロード手段でダミーウェハ14をプ
ローブ位置に移送する0次いでダミーウェハ14上の任
意の位置に、プローブ針21で針跡からなるマーク15
を付してTVモニタ4の位置まで回送する。そして、こ
のダミーウェハ14上のマーク15をTVモニタ4で確
認するとともに、プローブ位置との間の距離りを検出す
る。得られたデータはRAM等のメモリに記憶させてお
く、′ 次に、検査すべきウェハ12をプローブ位置に移送して
、ウェハ12のチップ13に設けた電極パッドにプロー
ブ位置においてプローブ針21をコンタクトさせる。プ
ローブ針21の針跡等のマーク23を付された検査すべ
きウェハ12は、TVモニタ4によって上記マーク23
の位置やサイズが確認される。それと同時に、ウェハ1
2を吸着したウェハチャック11をX軸、Y軸、Z軸方
向およびθ方向に駆動させ、確認した針跡等のマーク2
3によってウェハ12の姿勢を制御する。 その後、ウェハ12はプローブ位置に送られ、各チップ
13ごとに通常のテストを受ける。 上記各工程において、ウェハチャック11のたわみ量に
応じた制御が2軸方向について行なわれる。また、第8
図のBに示すように、ウェハチャック11をZ軸方向に
駆動する際には、上昇過程の大半は高速で移動させ、停
止位置に近すいた時点で低速にするという2段階で動作
させる。このようにすれば、上記振動を解消して非常に
制度よく、しかも速度を落とさずにテスト等を行なうこ
とができる。 なお、チップ13内のどの位置の高さをハイトセンサ2
によって測定するかは、マイクロスコープと撮像カメラ
3からの出力によるTVモニタ4内の映像を、TVモニ
タ4内中心に位置する十字マーク5に合わせることによ
り指示する。十字マーク5の下に位置する点が、X、Y
方向へどれだけ移動すればハイトセンサ2の真下にくる
かが判れば、TVモニタ4に指示したチップ13内の点
を正確にハイトセンサ2の下へ移動することが可能とな
る。 この移動量は、例えば以下の方法を取ることにより実行
可能となる。まず、上記ウェハチャック11がハイトセ
ンサ2の真下を縦および横に横切ツタ際の2点、X+、
XzおよびY、、Y2(7)中心、lの中心0であり、
ハイトセンサ2の真下にウェハチャック11が移動する
座標となる。 次に、TVモニタ4の十字マーク5の真下をウェハチャ
ック11が縦および横に横切った際の2り中心がTVモ
ニタ4の十字マーク5の下に移動センサ2とTVモニタ
4の十字マーク5との間の距離すなわち移動量となる。 したがって、上記ハイトセンサ2によって各チップ13
の高さを検知する前に、このTVモニタ4でウェハ12
を観察してチップ13内のどの位置を検知するかを決定
する。 その後ウェハ12をハイトセンサ2の位置まで移動させ
、上記手順でウェハ12の中心0を決定して、各チップ
13ごとにその高さを検知する。 チップ13のX方向およびY方向の大きさは、あらかじ
めキーボード等を用いて入力することにより、ブローバ
内部に記憶されている。したがって、ハイトセンサ2の
真下にTVモニタ4にて指示した特定点が移動した後は
、あらかじめ記憶されたチップ13の大きさ分だけ移動
することにより、ウェハ12上の各チップ13上の特定
点の高さ測定が可能となる。得られた各チップ13ごと
の高さのデータは、メモリに記憶しておく。 次にウェハ12はプローブ位置まで移送され、上述のよ
うに各チップ13ごとに電気的に測定される。なおこの
プローブ工程において、プローブ位置、ハイトセンサ2
およびTVモニタ4の間の距離Ll、L2を、ウェハ1
2の中心0等を基準にして計測しておき、そのデータに
応じてウェハチャック11の移動量を制御するようにす
れば、プローブ工程全体を自動的に行なわせることがで
きる。 上記実施例では、ウェハに形成される全チップについて
の高さを検知し、この検知信号により各チップの針圧を
あらかじめ定めた針圧に補正する例について説明したが
、ウェハを複数のブロックに分割し、ブロック単位で針
圧調整してもよい。 ブロックは例えば中心部、周辺部の5分割などである。 さらにあらかじめ定められた位置のチップやダミーチッ
プのみ高さ検知してもよい。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 to 4 show an embodiment of the wafer prober of the present invention, FIG. 1 is a schematic plan view thereof, FIG. 2 is a side view thereof,
FIG. 3 is a schematic plan view showing how to use the dummy wafer, and FIG. 4 is a perspective view showing the driving direction of the wafer chuck. Each chip 13 is inspected by relative movement of the wafer 12 and a probe means 1 consisting of a probe card, etc., placed at a probe position. For example, if the wafer 12 is
The inspection is performed by moving in the axis-Y axis direction. In the above-mentioned vertical movement, the wafer 12 attracted to the wafer chuck 11 passes through the height sensor 2 provided at a predetermined position, so that the height of all the chips 13 in the wafer 12 increases. Detected by sensor 2. That is, as shown in FIG. 2, when the edge of the wafer 12 crosses the height sensor 2 vertically and horizontally, the two points X+, Xa and Yl, Y2 are +-Xi Yl-Y.
z Center, □ Extend a perpendicular line from □, and use the intersection as the center O of the wafer 12 from now on. Then, the wafer 12 is moved in a thinly wound or meandering manner starting from the center O, and each chip 13 on the wafer 12 is detected by the height sensor 2 . This detection result is stored in memory. 4 is a TV monitor using the output from the microscope and the imaging camera 3, in order to contact the probe needle 21 at the probe position with the electrode pad provided on the chip 13 of the wafer 12, and to confirm the position and size of the needle mark. used. That is, as shown in FIG. 4, the wafer chuck 11 holding the wafer 12 is driven in the X-axis, Y-axis, Z-axis direction, and θ direction, and the wafer 1 is
It controls the posture of 2. Note that before the height sensor 2 detects the height of each chip 13, the wafer 12 is observed on the TV monitor 4 to determine which position within the chip 13 is to be detected. Thereafter, the wafer 12 is moved to the viewing position of the height sensor 2, the center O of the wafer 12 is determined by the above procedure, and the height of each chip 13 is detected. The obtained height data for each chip 13 is stored in a memory. The wafer 12 is then transferred to a probe position and each chip 13 is electrically measured. At this time, the wafer chuck 11 operates to bring each chip 13 into contact with the probe needle 21 as shown in FIG. 5, but the amount of movement in the Z-axis direction is adjusted depending on the height of each chip 13. This adjustment is performed by controlling the drive system of the wafer chuck 11 in accordance with the height data for each chip 13 stored in the memory. Note that since the inclination of the wafer 12 in the X-axis or Y-axis direction is corrected at the position of the TV monitor 4, there is no need to adjust it at the probe position. In this embodiment, when the wafer 12 to be inspected is transferred to the probe position and each chip 13 on the wafer 12 is electrically measured, the following preparation steps are performed. That is, first, the amount of deflection of each part of the chuck top of the wafer chuck 11 is measured in relation to the needle pressure by the probe needle 21. For measurement, as shown in FIG. 6, a magnet scale 34 is used which is supported by a head plate 33 at the probe position and is movable up and down. That is, the weight 32 is placed on the chuck top 31 of the wafer chuck 11, and in this state, the wafer chuck 11 is raised in the Z-axis direction and brought into contact with the tip of the magnescale 34. Then, the amount of deflection of each portion of the chuck top 31 of the wafer chuck 11 is detected. Generally, the amount of deflection is small at the center of the wafer chuck and large at the periphery due to the relationship with the pillars of the wafer chuck. However, there is considerable variation due to factors such as the material of the wafer chuck 11. The amount of deflection of the chuck top 31 of the wafer chuck 11 measured in this manner is stored in a memory and used to control the drive of the wafer chuck 11 in the Z-axis direction in a later probe process. By reducing deviations in stylus pressure in this manner, wafers can be inspected with even higher precision. At the same time, when the deviation of the stop position of the wafer chuck 11 during movement in the Z-axis direction was detected using the means shown below, it was found that vibrations as shown in A in Fig. 8 were generated depending on the movement speed. There was found. To detect the deviation, as shown in FIG. 7, an oscilloscope 35 supported by a head plate 33 at the probe position is used. That is, a weight 32 is placed on the chuck top 31 of the wafer chuck 11, and in this state, the wafer chuck 11 is raised in two axial directions, and its position is detected with an oscilloscope 35. Then, the amount of vibration of each part of the chuck top 31 is detected. Since the vibration of the wafer chuck 11 measured in this way is greatly influenced by the speed in the Z-axis direction, the inventors of the present invention have conducted various studies and decided to control the drive of the wafer chuck 11 in the Z-axis direction in two steps. I found that it can be resolved by doing this. By reducing the amount of vibration in this manner, the wafer can be inspected with even higher precision. Next, the operation of the wafer blobber of the present invention will be explained. Transfer the dummy wafer 14 to the probe position using normal loading and unloading means. Next, place a mark 15 made of a needle trace with the probe needle 21 at an arbitrary position on the dummy wafer 14.
is attached and sent to the position of the TV monitor 4. Then, the mark 15 on the dummy wafer 14 is confirmed on the TV monitor 4, and the distance between it and the probe position is detected. The obtained data is stored in a memory such as a RAM. Next, the wafer 12 to be inspected is transferred to the probe position, and the probe needle 21 is inserted into the electrode pad provided on the chip 13 of the wafer 12 at the probe position. Make contact. The wafer 12 to be inspected, which has a mark 23 such as a needle trace of the probe needle 21, is checked by the TV monitor 4.
The position and size of the image are confirmed. At the same time, wafer 1
The wafer chuck 11 that has attracted the wafer 2 is driven in the X-axis, Y-axis, Z-axis directions, and θ direction, and the marks 2 such as needle marks are confirmed.
3 controls the attitude of the wafer 12. Thereafter, the wafer 12 is transported to a probe location and each chip 13 undergoes normal testing. In each of the above steps, control is performed in two axial directions according to the amount of deflection of the wafer chuck 11. Also, the 8th
As shown in B of the figure, when driving the wafer chuck 11 in the Z-axis direction, the wafer chuck 11 is operated in two stages, in which the wafer chuck 11 is moved at a high speed for most of the upward movement, and the speed is reduced when the wafer chuck 11 approaches the stop position. In this way, the vibrations mentioned above can be eliminated and tests etc. can be carried out very accurately and without reducing the speed. Note that the height sensor 2 determines the height of any position within the chip 13.
Whether the measurement is to be performed is instructed by aligning the image on the TV monitor 4, which is output from the microscope and the imaging camera 3, with the cross mark 5 located at the center of the TV monitor 4. The point located below the cross mark 5 is X, Y
If it is known how far the point in the chip 13 indicated on the TV monitor 4 can be moved to be directly below the height sensor 2, it becomes possible to accurately move the point in the chip 13 to be below the height sensor 2. This amount of movement can be achieved, for example, by using the following method. First, the wafer chuck 11 crosses vertically and horizontally directly below the height sensor 2 at two points,
Xz and Y, , Y2 (7) center, the center of l is 0,
This is the coordinate at which the wafer chuck 11 moves directly below the height sensor 2. Next, when the wafer chuck 11 crosses vertically and horizontally just below the cross mark 5 on the TV monitor 4, the two centers move below the cross mark 5 on the TV monitor 4. The sensor 2 and the cross mark 5 on the TV monitor 4 This is the distance between the two, that is, the amount of movement. Therefore, each chip 13 is
wafer 12 on this TV monitor 4 before detecting the height of the wafer 12.
The position within the chip 13 to be detected is determined by observing. Thereafter, the wafer 12 is moved to the position of the height sensor 2, the center 0 of the wafer 12 is determined by the above procedure, and the height of each chip 13 is detected. The sizes of the chip 13 in the X and Y directions are entered in advance using a keyboard or the like and stored inside the blower. Therefore, after the specific point indicated on the TV monitor 4 is moved directly below the height sensor 2, the specific point on each chip 13 on the wafer 12 is moved by the pre-stored size of the chip 13. height measurement becomes possible. The obtained height data for each chip 13 is stored in a memory. The wafer 12 is then transported to the probe position and each chip 13 is electrically measured as described above. In addition, in this probe process, the probe position, height sensor 2
The distances Ll and L2 between the wafer 1 and the TV monitor 4 are
The entire probe process can be performed automatically by measuring with reference to the center 0 of 2, etc., and controlling the amount of movement of the wafer chuck 11 according to the data. In the above embodiment, the height of all chips formed on a wafer is detected, and the stylus pressure of each chip is corrected to a predetermined stylus pressure using this detection signal. It may be divided and the stylus force may be adjusted in blocks. The blocks are, for example, divided into five parts including a central part and a peripheral part. Furthermore, the height of only chips or dummy chips at predetermined positions may be detected.

【発明の効果】【Effect of the invention】

この発明のウェハプローバは、各ウェハの高さを自動的
に検出することができ、この検出値に応じてプローブ針
と電極パッドとの相対的移動量を補正することにより、
常にあらかじめ定めた針圧で検査できるため高精度な測
定が可能となる。
The wafer prober of the present invention can automatically detect the height of each wafer, and by correcting the relative movement amount between the probe needle and the electrode pad according to this detected value,
Highly accurate measurements are possible because the test can always be performed with a predetermined stylus force.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明のウエハブローバの一実施例を示す概
略平面図、第2図はその側面図、第3図はダミーウェハ
の用法を示す概略平面図、第4図はウェハチャックの駆
動方向を示す斜視図、第5図はプローブ工程におけるウ
ェハの2軸方向の動作を示す概略側面図、第6図はウェ
ハチャックのたわみ量を検出する手段を示す概略側面図
、第7図はウェハチャックの停止位置のズレな検出する
手段を示す概略側面図、第8図はウェハチャックの停止
時の振動を示すグラフ、第9図は従来の場合のプローブ
針が変形したところを示す概略側面図、第10図は針圧
を受けた場合のウェハチャックのたわみを示す概略側面
図である。 1・・・プローブ手段   2・・・ハイトセンサ3・
・・マイクロスコープと撮像カメラ4・・・モニタ  
    11・・・ウェハチャック12・・・ウェハ 
    13・・・チップ14・・・ダミーウェハ  
15・・・マーク21・・・プローブ針   22・・
・プローブカード23・・・マーク     31・・
・チャックトップ32・・・ウェイト    33・・
・ヘッドプレート34・・・マグネスケール 35・・
・オシロスコープ特 許 出 願  東京エレクトロン
株式会社代理人 弁理士  土 橋  博 司【−一1
1°\ 5、 第  1  図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図 第7図
FIG. 1 is a schematic plan view showing one embodiment of the wafer blowbar of the present invention, FIG. 2 is a side view thereof, FIG. 3 is a schematic plan view showing how to use a dummy wafer, and FIG. 4 is a schematic plan view showing the driving direction of the wafer chuck. FIG. 5 is a schematic side view showing the movement of the wafer in two axes in the probe process, FIG. 6 is a schematic side view showing means for detecting the amount of deflection of the wafer chuck, and FIG. 8 is a graph showing the vibration of the wafer chuck when the wafer chuck is stopped; FIG. 9 is a schematic side view showing the deformation of the probe needle in the conventional case; FIG. FIG. 10 is a schematic side view showing the deflection of the wafer chuck when subjected to needle pressure. 1... Probe means 2... Height sensor 3.
...Microscope and imaging camera 4...Monitor
11... Wafer chuck 12... Wafer
13...Chip 14...Dummy wafer
15... Mark 21... Probe needle 22...
・Probe card 23...Mark 31...
・Chuck top 32... Weight 33...
・Head plate 34... Magnescale 35...
・Oscilloscope patent application Tokyo Electron Ltd. Representative Patent Attorney Hiroshi Tsuchihashi [-11
1°\ 5, Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 6 Figure 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、ウェハチャックによって保持されたウェハ上におけ
る各チップの高さを検出するハイトセンサと、各チップ
の位置を検出するモニタとを有することを特徴とするウ
エハプローバ。
1. A wafer prober characterized by having a height sensor that detects the height of each chip on a wafer held by a wafer chuck, and a monitor that detects the position of each chip.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0555317A (en) * 1991-08-26 1993-03-05 Nec Yamaguchi Ltd Semiconductor inspection device
JP2013140840A (en) * 2011-12-28 2013-07-18 Hitachi High-Technologies Corp Sample observation device
CN112635341A (en) * 2019-09-24 2021-04-09 东京毅力科创株式会社 Control method of inspection apparatus and inspection apparatus

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