JP6151054B2 - レーザ装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

Description

本開示は、レーザ装置及び極端紫外光生成装置に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra Violet）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、シンクロトロン放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１０／００７８５８０号明細書 米国特許出願公開第２００８／００６９１５７号明細書 米国特許出願公開第２０１１／００５８５８８号明細書 米国特許出願公開第２０１２／０１９３５４７号明細書 特開２００８−２８３１０７号公報

概要

本開示の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、波長選択素子の選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、を備え、波長選択素子は、コントローラによって、第１の波長が選択波長であって第２の波長が選択波長ではない第１の状態と、第２の波長が選択波長であって第１の波長が選択波長ではない第２の状態との間で切り換えられるように構成され、マスターオシレータは、第１の波長の光を含むパルスレーザ光を出力するように構成され、増幅器は、第１の波長の光を、第２の波長の光よりも高い増幅率で増幅するように構成されてもよい。
本開示の他の１つの観点に係るレーザ装置は、パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、パルスレーザ光の光路であって増幅器よりもパルスレーザ光の下流側に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、波長選択素子の選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、を備えてもよい。
本開示の他の１つの観点に係るレーザ装置は、複数のパルスを含むパルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、複数のパルスに含まれる個々のパルスと同期して、波長選択素子の選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、を備えてもよい。

本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、波長選択素子の選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、を備えるレーザ装置と、
レーザ装置から出力されるパルスレーザ光を内部に通過させる入射口が設けられたチャンバと、チャンバ内にターゲットを出力するターゲット生成部と、パルスレーザ光をチャンバ内で集光させるレーザ集光光学系と、を備えてもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。 図２は、本開示の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの例示的な構成を概略的に示す。 図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示されたエタロンの構成を示す。 図４は、増幅器の増幅率及びエタロンの透過率と、光の波長との関係を示すグラフである。 図５は、図２に示されるレーザ装置の例示的な構成を示す。 図６は、図５に示されるレーザ装置におけるタイミングチャートである。 図７Ａ〜図７Ｃは、波長選択素子の第１の変形例の構成を示す。 図８は、図７Ｃに示されるエタロンに接続されたレーザ制御部の例示的な動作を示すフローチャートである。 図９は、図８に示された選択波長の制御を示すフローチャートである。 図１０は、図８に示された選択波長の制御を示すフローチャートである。 図１１は、図８に示された初期設定の処理を示すフローチャートである。 図１２Ａ及び図１２Ｂは、波長選択素子の第２の変形例の構成を示す。 図１３Ａ及び図１３Ｂは、波長選択素子の第３の変形例の構成を示す。 図１４は、波長選択素子の第４の変形例の構成を概略的に示す。 図１５は、レーザ制御部の変形例を含むレーザ装置の構成を示す。 図１６は、図１５に示されるレーザ装置におけるタイミングチャートである。 図１７は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。

実施形態

以下、本開示のいくつかの実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

＜内容＞
１．概要
２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
２．２ 動作
３．レーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
３．１ 構成
３．２ 動作
３．３ エタロンの詳細
３．４ 動作タイミングの制御
４． 波長選択素子の変形例
４．１ フィードバック制御されるエタロン
４．１．１ 構成
４．１．２ 動作
４．２ 高速制御可能なエタロン
４．３ 冷却可能なエタロン
４．４ グレーティングとスリットとの組合せ
５．レーザ制御部の変形例
６．その他の変形例
７．コントローラの構成

１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置では、チャンバ内に出力されたターゲット物質に、レーザ装置から出力されるパルスレーザ光を集光して照射することにより、ターゲット物質をプラズマ化してもよい。プラズマからは、ＥＵＶ光を含む光が放射されてもよい。放射されたＥＵＶ光は、チャンバ内に配置されたＥＵＶ集光ミラーによって集光され、露光装置等の外部装置に出力されてもよい。

ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置に用いられるレーザ装置は、高いパルスエネルギーを有するパルスレーザ光を高い繰り返し周波数で出力してもよい。そのために、レーザ装置は、高い繰り返し周波数でパルスレーザ光を出力するマスターオシレータと、そのパルスレーザ光を増幅する少なくとも１つの増幅器を含んでもよい。

増幅器には、マスターオシレータから出力されたパルスレーザ光だけでなく、ターゲット物質によって反射されたパルスレーザ光の反射光が入射することがあり得る。また、増幅器自身が自然放出光（ＡＳＥ）を出力することもあり得る。そのような反射光や自然放出光が増幅器によって増幅されると、増幅された光がマスターオシレータなどの機器に入射してこれらの機器を損傷し得る。また、自然放出光が増幅器によって増幅されて、ターゲット物質に照射されると、ＥＵＶ光の出力が不安定となり得る。

本開示の１つの観点によれば、マスターオシレータから出力されたパルスレーザ光の光路に波長選択素子を配置し、この波長選択素子の選択波長を変化させるように構成してもよい。ここで、選択波長とは、波長選択素子が選択的に透過させる光の波長を意味する。そして、マスターオシレータから出力されたパルスレーザ光をターゲット物質に向けて通過させるときは、このパルスレーザ光の波長に波長選択素子の選択波長を一致させるようにしてもよい。それ以外のときには、波長選択素子の選択波長を他の波長にずらすようにしてもよい。これにより、波長選択素子は、ターゲット物質による反射光や増幅器による自然放出光の通過を制限し得る。そして、これらの反射光や自然放出光がマスターオシレータなどの機器に入射したり、自然放出光がターゲット物質に照射されたりすることが抑制され得る。

２．極端紫外光生成システムの全体説明
２．１ 構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット生成部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット生成部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット生成部２６から出力されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。

チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。必要な場合には、ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。

ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。

さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。

２．２ 動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

ターゲット生成部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。ＥＵＶ集光ミラー２３は、放射光２５１に含まれるＥＵＶ光を、他の波長域の光に比べて高い反射率で反射してもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光を含む反射光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

３．レーザ装置を含むＥＵＶ光生成システム
３．１ 構成
図２は、本開示の実施形態に係るＥＵＶ光生成システム１１の例示的な構成を概略的に示す。レーザ装置３は、マスターオシレータＭＯと、複数の増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎと、複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎとを含んでいてもよい。マスターオシレータＭＯは、第１の波長（後述）を含むパルスレーザ光３５を、所定の繰り返し周波数で出力してもよい。所定の繰り返し周波数は、例えば１００ｋＨｚでもよい。

複数の増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎは、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５の光路に、この順で配置されていてもよい。増幅器の個数は、ｎ個でよく、ｎは１以上の整数でもよい。複数の増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎのそれぞれは、ＣＯ_２レーザガスを媒質とするＣＯ_２レーザ増幅器であってもよい。複数の増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎのそれぞれは、第１の波長を有する光を、第２の波長（後述）を有する光よりも高い増幅率で増幅するように構成されてもよい。

マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５を、増幅器ＰＡ１が増幅してもよい。増幅器ＰＡ１によって増幅されて出力されたパルスレーザ光３５を、増幅器ＰＡ２が増幅してもよい。以下同様にしてパルスレーザ光３５が順次増幅され、増幅器ＰＡｎによって増幅されて出力されたパルスレーザ光が、パルスレーザ光３１としてレーザ光進行方向制御部３４に入射してもよい。

エタロンＥ０は、マスターオシレータＭＯと増幅器ＰＡ１との間のパルスレーザ光３５の光路に配置されてもよい。エタロンＥ１は、増幅器ＰＡ１と増幅器ＰＡ２との間のパルスレーザ光３５の光路に配置されてもよい。以下同様に、エタロンＥ２は、増幅器ＰＡ２から出力されたパルスレーザ光３５の光路に配置され、エタロンＥｎは、増幅器ＰＡｎから出力されたパルスレーザ光３５の光路に配置されてもよい。エタロンの個数は、図２に示されるようにｎ＋１個でもよい。

複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎのそれぞれは、本開示の波長選択素子に相当し得る。複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎのそれぞれは、エタロンが選択的に透過させる光の波長である選択波長を変更可能に構成されてもよい。複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎのそれぞれは、第１の状態と第２の状態との間で切り換え可能であってもよい。上記第１の状態は、第１の波長を有する光を、第２の波長を有する光よりも高い透過率で透過させる状態であってもよい。上記第２の状態は、第２の波長を有する光を、第１の波長を有する光よりも高い透過率で透過させる状態であってもよい。

３．２ 動作
複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎのそれぞれは、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５が通過するタイミングで、上記第１の状態に変化させられてもよい。それ以外のタイミングで、複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎのそれぞれは上記第２の状態に変化させられてもよい。

これにより、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５は、複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎを通過し、且つ、複数の増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎによって増幅されて、パルスレーザ光３１としてレーザ装置３から出力され得る。パルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射し、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。

一方、ターゲット２７は、パルスレーザ光３３を反射光３３ａとして反射し得る。反射光３３ａは、反射光３２ａ及び反射光３１ａとして、パルスレーザ光３１、３２、３３の光路とは逆方向に進行し得る。しかし、反射光３１ａがエタロンＥｎに到達するタイミングで、エタロンＥｎが上記第２の状態となっている場合には、反射光３１ａはエタロンＥｎにおいて減衰され得る。

また、例えば増幅器ＰＡ１において発生した自然放出光３５ａがエタロンＥ０に到達するタイミングで、エタロンＥ０が上記第２の状態となっている場合には、自然放出光３５ａはエタロンＥ０において減衰され得る。また、例えば増幅器ＰＡｎにおいて発生した自然放出光３６ａがエタロンＥｎに到達するタイミングで、エタロンＥｎが上記第２の状態となっている場合には、自然放出光３６ａはエタロンＥｎにおいて減衰され得る。

以上のようにして、反射光や自然放出光がマスターオシレータＭＯなどの機器に入射したり、自然放出光がターゲット２７に照射されたりすることが抑制され得る。

３．３ エタロンの詳細
図３Ａ及び図３Ｂは、図２に示されたエタロンの構成を示す。図３ＡはエタロンＥｎの平面図であり、図３Ｂは図３Ａに示されるエタロンＥｎのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。ここではエタロンＥｎの構成について説明するが、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２等の構成についても同様でよい。

エタロンＥｎは、一対のダイヤモンド基板４０及び４１と、部分反射膜４２及び４３と、圧電素子４４と、駆動電源５０とを含んでもよい。図３Ａにおいては、駆動電源５０の図示が省略されている。

部分反射膜４２はダイヤモンド基板４０の一方の面にコーティングされ、部分反射膜４３はダイヤモンド基板４１の一方の面にコーティングされてもよい。一対のダイヤモンド基板４０及び４１は、部分反射膜４２及び４３が互いに対向するように配置されてもよい。一対のダイヤモンド基板４０及び４１の周縁部において、これらのダイヤモンド基板４０及び４１の間に、圧電素子４４が固定されてもよい。圧電素子４４は、リング状の形状に加工された圧電性セラミックスと、この圧電性セラミックスの両端に配置された図示しない電極とを含んでもよい。駆動電源５０は、この電極に接続され、駆動電源５０が印加する電圧に応じて圧電素子４４が変形するように構成されてもよい。

図３Ｂに示すように、エタロンＥｎに光３７がエタロンＥｎの左側から、すなわちダイヤモンド基板４０側から入射すると、光３７のうち、第１の部分は部分反射膜４２によって図の左側に向けて反射され、他の一部は部分反射膜４２を透過し得る。
部分反射膜４２を透過した光３７のうち、第２の部分は部分反射膜４３を図の右側に向けて透過し得る。部分反射膜４２を透過した光３７のうち、他の一部は部分反射膜４３によって反射され得る。
部分反射膜４３によって反射された光３７のうち、第３の部分は部分反射膜４２を図の左側に向けて透過し得る。部分反射膜４３によって反射された光３７のうち、他の一部は部分反射膜４２によって反射され、そのうちの第４の部分は部分反射膜４３を図の右側に向けて透過し得る。

上記第２の部分及び上記第４の部分が重ね合わされるとき、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄに対応した波長の光は位相が一致して互いに強め合うことができ、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄに対応しない波長の光は位相が一致せずに互いに弱め合うことができる。この干渉作用の結果、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄに応じた波長の光が選択的にエタロンＥｎを透過し得る。従って、駆動電源５０によって圧電素子４４に印加される電圧が制御されることにより、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄが制御され、エタロンＥｎの選択波長が制御され得る。

上記第１の部分及び上記第３の部分も同様に重ね合わされて、反射光３８となる。反射光３８がマスターオシレータＭＯに戻ってしまうことを抑制するため、エタロンＥｎの部分反射膜４２及び４３はパルスレーザ光３５（図２参照）の光軸に対して傾いて配置されることが望ましい。

ところで、エタロンＥｎの選択波長をλとするとき、下式に示される関係が知られている。
λ＝２ｄ／ｍｃｏｓθ
ここで、ｍは１以上の整数であり、θはエタロンＥｎの部分反射膜４２及び４３への光の入射角であり得る。
この式に示されるように、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄが決定されたとき、エタロンＥｎの選択波長λとしては、ｍの値に応じて複数の値が存在し得る。

図４は、増幅器の増幅率及びエタロンの透過率と、光の波長との関係を示すグラフである。増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎの一例としてのＣＯ_２レーザ増幅器が増幅し得る光の波長としては、図４に実線の縦線で示されるように、複数の値が存在し得る。特に、ＣＯ_２レーザ増幅器は、波長１０．５９μｍの光を高い増幅率で増幅し得る。そこで、例えばマスターオシレータＭＯから出力されるパルスレーザ光３５が波長１０．５９μｍの光を含むようにマスターオシレータＭＯが構成されれば、ＣＯ_２レーザ増幅器による増幅性能が有効に発揮され得る。この場合、エタロンＥｎの第１の状態は、波長１０．５９μｍの光を高い透過率で透過させるように設定されることが望ましい。すなわち、１０．５９μｍを上記第１の波長としてもよい。

また、図４に示されるように、ＣＯ_２レーザ増幅器は、波長１０．２４μｍにも増幅率のピークを有し得る。以下の説明において、１０．２４μｍを第３の波長としてもよい。これに対し、ＣＯ_２レーザ増幅器は、第１の波長と第３の波長との間の波長である波長１０．４０μｍの光の増幅率は低いか、又は増幅しないと言い得る。そこで、例えばエタロンＥｎの第２の状態は、波長１０．４０μｍの光の透過率が高く、波長１０．５９μｍの光の透過率が低いように設定されることが望ましい。すなわち、１０．４０μｍを上記第２の波長としてもよい。

図３を参照しながら上述したように、エタロンＥｎの選択波長λとしては、ｍの値に応じて複数の値が存在し得る。図４に一点鎖線Ｒ１で示されるように、エタロンＥｎが波長１０．５９μｍの光を透過させる場合に、このエタロンＥｎは、他の波長の光も高い透過率で透過させ得る。なお、エタロンの透過スペクトルにおける複数のピークの間隔を、フリースペクトラルレンジという。

一方、図４に示されるように、ＣＯ_２レーザ増幅器は、上記第３の波長としての波長１０．２４μｍの他にも、波長９．５９μｍと、波長９．２７μｍと、においてもそれぞれ増幅率のピークを有し得る。以下の説明において、９．５９μｍを第４の波長とし、９．２７μｍを第５の波長としてもよい。エタロンＥｎは、第３〜第５の波長をフリースペクトラルレンジの中に含むように構成されることが望ましい。例えば、エタロンＥｎが第１の状態である場合に、このエタロンＥｎのフリースペクトラルレンジが１．５μｍであれば、図４に一点鎖線Ｒ１で示されるように、エタロンＥｎは第３〜第５の波長をフリースペクトラルレンジの中に含み得る。従って、このエタロンＥｎによって第３〜第５の波長の光が減衰され得る。さらに、エタロンＥｎが第２の状態となった場合にも、図４に一点鎖線Ｒ２で示されるように、エタロンＥｎは第３〜第５の波長をフリースペクトラルレンジの中に含み得る。これにより、自然放出光が増幅されてマスターオシレータＭＯなどの機器に入射したり、ターゲット２７に照射されたりすることが抑制され得る。

エタロンのフリースペクトラルレンジは、以下の式１で与えられ得る。
ＦＳＲ＝λ^２／２ｎｄ ・・・（式１）
ここで、ＦＳＲはフリースペクトラルレンジであり、例えばＦＳＲ＝１．５μｍでよい。λは選択波長であり、例えばλ＝１０．５９μｍでよい。ｎは部分反射膜間における絶対屈折率であり、例えばｎ＝１でよい。
ｄは部分反射膜間の間隔でよい。上記の式１から、ｄ＝３７．４μｍが算出され得る。

エタロンＥｎを、第１の波長１０．５９μｍを透過させる第１の状態から、第２の波長１０．４０μｍを透過させる第２の状態に変化させるために必要な間隔ｄの変化量Δｄは、以下のように導かれ得る。
Δｄ＝Δλ×λ／ＦＳＲ
＝（１０．５９−１０．４０）×１０．５９／１．５
＝１．３４
従って、駆動電源５０は、圧電素子４４の変形によって部分反射膜間の間隔ｄが１．３４μｍ変化するように、圧電素子４４に電圧を印加してもよい。

以上の説明において、１０．４０μｍを第２の波長としたが、ＣＯ_２レーザ増幅器による増幅率が低い他の波長、例えば１０．３μｍ〜１０．５μｍ、又は９．７μｍ〜１０．２μｍを第２の波長としてもよい。
また、以上の説明において、１０．５９μｍを第１の波長としたが、ＣＯ_２レーザ増幅器による増幅率が高い他の波長、例えば１０．２４μｍ、９．５９μｍ又は９．２７μｍを第１の波長としてもよい。また、１０．５９μｍ、１０．２４μｍ、９．５９μｍ及び９．２７μｍのうち、第１の波長とされた波長以外のいずれかを第３の波長としてもよい。

３．４ 動作タイミングの制御
図５は、図２に示されるレーザ装置３の例示的な構成を示す。レーザ装置３は、レーザ制御部７００を含んでもよい。レーザ制御部７００は、遅延回路７０５と、複数のワンショット回路７１０、７２０、７２１、７２２、…、７２ｎとを含んでもよい。

遅延回路７０５及びワンショット回路７１０は、ＥＵＶ光生成制御部５と信号線で接続されてもよい。ワンショット回路７１０は、マスターオシレータＭＯと信号線で接続されてもよい。遅延回路７０５は、ワンショット回路７２０、７２１、７２２、…、７２ｎとそれぞれ信号線で接続されてもよい。ワンショット回路７２０、７２１、７２２、…、７２ｎは、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎの駆動電源５０とそれぞれ信号線で接続されてもよい。なお、図３Ｂに示された駆動電源５０の図示は、図５においては省略されている。

ＥＵＶ光生成制御部５は、トリガ信号Ｔｓを遅延回路７０５及びワンショット回路７１０に出力してもよい。ワンショット回路７１０は、トリガ信号Ｔｓに基づく駆動信号ＭＯｓをマスターオシレータＭＯに出力してもよい。遅延回路７０５は、トリガ信号Ｔｓの受信タイミングに対して遅延した遅延信号を、ワンショット回路７２０、７２１、７２２、…、７２ｎにそれぞれ出力してもよい。ワンショット回路７２０、７２１、７２２、…、７２ｎには、それぞれ異なるタイミングの遅延信号が与えられてもよい。ワンショット回路７２０、７２１、７２２、…、７２ｎは、遅延信号に基づく駆動信号Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、Ｅｎｓを、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎの各駆動電源５０（図３Ｂ）にそれぞれ出力してもよい。

図６は、図５に示されるレーザ装置におけるタイミングチャートである。図６の水平方向は時間Ｔの流れを示し、破線は上述のトリガ信号Ｔｓ又は上述の駆動信号ＭＯｓ、Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、Ｅｎｓを示す。まず、ＥＵＶ光生成制御部５からトリガ信号Ｔｓが出力されてもよい。トリガ信号Ｔｓが出力された直後に、ワンショット回路７１０は駆動信号ＭＯｓを出力し、駆動信号ＭＯｓに応じてマスターオシレータＭＯはパルスレーザ光３５を出力してもよい。

マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５がエタロンＥ０に到達する直前のタイミングで、ワンショット回路７２０は駆動信号Ｅ０ｓをエタロンＥ０に出力してもよい。駆動信号Ｅ０ｓがＯＮである間は、エタロンＥ０が第１の波長の光を透過させる第１の状態となり、パルスレーザ光３５がエタロンＥ０を透過してもよい。パルスレーザ光３５の波形が、図６に実線で示されている。遅延回路７０５が出力する遅延信号の出力タイミングが、駆動信号ＭＯｓに対する駆動信号Ｅ０ｓの遅延時間に反映されてもよい。この遅延時間は、マスターオシレータＭＯとエタロンＥ０との間の光路長を光速で除算して得られた値に基づいて決定されてもよい。

増幅器ＰＡ１から出力されたパルスレーザ光３５がエタロンＥ１に到達する直前のタイミングで、ワンショット回路７２１は駆動信号Ｅ１ｓをエタロンＥ１に出力してもよい。駆動信号Ｅ１ｓがＯＮである時間内は、エタロンＥ１が第１の波長の光を透過させる第１の状態となり、パルスレーザ光３５がエタロンＥ１を透過してもよい。駆動信号Ｅ０ｓに対する駆動信号Ｅ１ｓの遅延時間は、エタロンＥ０とエタロンＥ１との間の光路長を光速によって除算して得られた値に基づいて決定されてもよい。

同様に、パルスレーザ光３５がエタロンＥ２に到達する直前のタイミングで、ワンショット回路７２２は駆動信号Ｅ２ｓをエタロンＥ２に出力し、パルスレーザ光３５がエタロンＥ２を透過してもよい。同様に、パルスレーザ光３５がエタロンＥｎに到達する直前のタイミングで、ワンショット回路７２ｎが駆動信号ＥｎｓをエタロンＥｎに出力し、パルスレーザ光３５がエタロンＥｎを透過してもよい。これにより、パルスレーザ光３５がエタロンＥ０〜Ｅｎを透過し、レーザ装置３からパルスレーザ光３１として出力されてもよい。

駆動信号Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、ＥｎｓがそれぞれＯＮである時間の長さは、パルスレーザ光３５のパルス幅に応じて、３０ｎｓ〜５０００ｎｓ程度でよい。パルスレーザ光３５がエタロンＥ０〜Ｅｎをそれぞれ透過した直後のタイミングで、駆動信号Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、ＥｎｓはそれぞれＯＦＦとなってもよい。駆動信号Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、ＥｎｓがＯＦＦである間は、エタロンＥ０〜Ｅｎが第２の波長の光を透過させる第２の状態となり、ターゲットからの反射光や増幅器からの自然放出光を減衰させてもよい。

図６に示された処理によれば、パルスレーザ光３５に含まれる個々のパルスと同期して、レーザ制御部７００が、エタロンＥｎを第１の状態と第２の状態との間で切り換え得る。従って、複数のパルスが繰り返し出力されるバースト運転中であっても、反射光や自然放出光がマスターオシレータＭＯなどの機器に入射したり、自然放出光がターゲット２７に照射されたりすることが抑制され得る。

４． 波長選択素子の変形例
４．１ フィードバック制御されるエタロン
４．１．１ 構成
図７Ａ〜図７Ｃは、波長選択素子の第１の変形例の構成を示す。図７ＡはエタロンＥｎａの平面図であり、図７Ｂは図７Ａに示されるエタロンＥｎａのＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線における断面図であり、図７Ｃは図７Ａに示されるエタロンＥｎａのＶＩＩＣ−ＶＩＩＣ線における断面図であり、エタロンＥｎａの素子部に付随した構成もエタロンＥｎａとして示す。ここではエタロンＥｎの変形例の構成について説明するが、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２等の構成についても同様でよい。

図７Ａ〜図７Ｃに示されるエタロンＥｎａは、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明したエタロンＥｎの構成に加えて、第１の光源５１、第２の光源５２、第１の光センサ５３及び第２の光センサ５４を含んでもよい。第１の光源５１、第２の光源５２、第１の光センサ５３及び第２の光センサ５４は、レーザ制御部７００と信号線で接続されていてもよい。第１の光源５１及び第２の光源５２は、それぞれ、量子カスケードレーザであってもよい。図７Ａ及び図７Ｂにおいては、第１の光源５１、第２の光源５２、第１の光センサ５３、第２の光センサ５４及びレーザ制御部７００の図示が省略されている。駆動電源５０は、レーザ制御部７００のワンショット回路７２ｎと信号線で接続されるほか、レーザ制御部７００の図示しない電圧制御回路とも信号線で接続されていてもよい。なお、図５に示されたワンショット回路７２ｎの図示は、図７Ｃにおいては省略されている。

第１の光源５１は、レーザ制御部７００による制御に従って、第１の波長を含むレーザ光５５を部分反射膜４２及び４３に向けて出力してもよい。第２の光源５２は、レーザ制御部７００による制御に従って、第２の波長を含むレーザ光５６を部分反射膜４２及び４３に向けて出力してもよい。第１の光源５１が出力するレーザ光５５及び第２の光源５２が出力するレーザ光５６は、パルスレーザ光でなくてもよい。第１の光源５１が出力するレーザ光５５及び第２の光源５２が出力するレーザ光５６の部分反射膜４２及び４３に対する入射角は、マスターオシレータＭＯが出力したパルスレーザ光３５の部分反射膜４２及び４３に対する入射角とほぼ一致してもよい。但し、これらのレーザ光５５、５６及びパルスレーザ光３５の部分反射膜４２及び４３に対する入射面は、互いにずれていてもよい。

第１の光センサ５３は、第１の光源５１から出力されて部分反射膜４２及び４３を透過したレーザ光５５の光路に配置され、このレーザ光５５の光強度を検出してもよい。第２の光センサ５４は、第２の光源５２から出力されて部分反射膜４２及び４３を透過したレーザ光５６の光路に配置され、このレーザ光５６の光強度を検出してもよい。第１の光センサ５３及び第２の光センサ５４は、検出された光強度のデータをレーザ制御部７００に出力してもよい。

レーザ制御部７００は、図示しない電圧制御回路により、第１の光センサ５３及び第２の光センサ５４が出力した光強度のデータに基づいて電圧制御信号を生成してもよい。レーザ制御部７００は、ワンショット回路７２ｎによるＯＮ又はＯＦＦの駆動信号Ｅｎｓとは別に、この電圧制御信号を駆動電源５０に送信してもよい。具体的には、ワンショット回路７２ｎによる駆動信号ＥｎｓがＯＮであるときには第１の光センサ５３の出力に基づいて生成された電圧制御信号が駆動電源５０に送信されてもよい。ワンショット回路７２ｎによる駆動信号ＥｎｓがＯＦＦであるときには第２の光センサ５４の出力に基づいて生成された電圧制御信号が駆動電源５０に送信されてもよい。駆動電源５０は、この電圧制御信号に従った電圧を圧電素子４４に印加してもよい。これにより、エタロンＥｎａの選択波長が調整されてもよい。
他の点については、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明したエタロンＥｎの構成と同様でよい。

４．１．２ 動作
図８は、図７Ｃに示されるエタロンに接続されたレーザ制御部７００の例示的な動作を示すフローチャートである。レーザ制御部７００は、第１の光センサ５３及び第２の光センサ５４の出力に基づいて、以下のようにエタロンＥｎａをフィードバック制御してもよい。

まず、レーザ制御部７００は、第１の光源５１及び第２の光源５２を発光させてもよい（Ｓ１００）。これにより、第１の光源５１が第１の波長を含むレーザ光を出力し、第２の光源５２が第２の波長を含むレーザ光を出力してもよい。

次に、レーザ制御部７００は、初期設定を行ってもよい（Ｓ２００）。Ｓ２００の処理の詳細については後述する。Ｓ２００の後、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値を０にセットしてもよい（Ｓ３００）。

次に、レーザ制御部７００は、目標の選択波長を判定してもよい（Ｓ４００）。目標の選択波長の判定は、第１の波長又は第２の波長のいずれを目標とするかを判定するものでもよい。例えば、レーザ制御部７００は、ワンショット回路７２ｎが出力する駆動信号ＥｎｓがＯＮである場合に、第１の波長を目標の選択波長としてもよい。レーザ制御部７００は、ワンショット回路７２ｎが出力する駆動信号ＥｎｓがＯＦＦである場合に、第２の波長を目標の選択波長としてもよい。

第１の波長を目標の選択波長とする場合、レーザ制御部７００は、処理をＳ５００に進めてもよい。第２の波長を目標の選択波長とする場合、レーザ制御部７００は、処理をＳ６００に進めてもよい。

Ｓ５００において、レーザ制御部７００は、エタロンＥｎの選択波長を第１の波長に一致させるようにエタロンＥｎを制御してもよい。Ｓ５００の処理の詳細については後述する。Ｓ５００の後、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値を１にセットしてもよい（Ｓ７００）。Ｓ７００の後、レーザ制御部７００は、処理をＳ９００に進めてもよい。

Ｓ６００において、レーザ制御部７００は、エタロンＥｎの選択波長を第２の波長に一致させるようにエタロンＥｎを制御してもよい。Ｓ６００の処理の詳細については後述する。Ｓ６００の後、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値を０にセットしてもよい（Ｓ８００）。Ｓ８００の後、レーザ制御部７００は、処理をＳ９００に進めてもよい。

Ｓ９００において、レーザ制御部７００は、選択波長の制御を中止するか否かを判定してもよい。選択波長の制御を中止するか否かの判定は、例えば、パルスレーザ光３１の出力中止を示す信号をＥＵＶ光生成制御部５から受信したか否かによって行われてもよい。選択波長の制御を中止しない場合（Ｓ９００：ＮＯ）、レーザ制御部７００は、処理を上述のＳ４００に戻して、Ｓ４００〜Ｓ９００の処理を繰り返してもよい。選択波長の制御を中止する場合（Ｓ９００：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ１０００に進めてもよい。

Ｓ１０００において、レーザ制御部７００は、第１の光源５１及び第２の光源５２の発光を停止させ、本フローチャートによる処理を終了してもよい。

図９は、図８に示された選択波長の制御を示すフローチャートである。図９に示される処理は、図８に示されたＳ５００のサブルーチンとして、レーザ制御部７００によって行われてもよい。

まず、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値を判定してもよい（Ｓ５０１）。図８のＳ４００〜Ｓ９００の処理が既に少なくとも１回行われた場合であって、前回のＳ４００〜Ｓ９００の処理において目標の選択波長が第２の波長であった場合には、上述のＳ８００を経由しているので、第１のフラグＦｌａの値は０であり得る（Ｓ５０１：ＹＥＳ）。その場合には、今回のＳ４００〜Ｓ９００の処理において目標の選択波長が第１の波長に変更されたことになるので、レーザ制御部７００は、初期値設定（Ｓ５０２）などの処理を行ってもよい。

一方、前回のＳ４００〜Ｓ９００の処理においても目標の選択波長が第１の波長であった場合には、上述のＳ７００を経由しているので、第１のフラグＦｌａの値は１であり得る（Ｓ５０１：ＮＯ）。その場合には、目標の選択波長が変更されていないので、レーザ制御部７００は、初期値設定（Ｓ５０２）などの処理をスキップして、処理を後述のＳ５０６に進めてもよい。
なお、図８のＳ３００の後、Ｓ４００〜Ｓ９００の処理を初めて行う場合には、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値が０であると判定してもよい。

第１のフラグＦｌａの値が０である場合（Ｓ５０１：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、電圧Ｖを初期値Ｖ１に設定してもよい（Ｓ５０２）。レーザ制御部７００は、この電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。

次に、レーザ制御部７００は、第１の光センサ５３が検出したレーザ光の光強度Ｉ１のデータを受信してもよい（Ｓ５０３）。
次に、レーザ制御部７００は、Ｓ５０３において受信した光強度Ｉ１を、過去の光強度Ｉ１ｐとしてメモリ１００２（後述）に記憶させてもよい（Ｓ５０４）。

次に、レーザ制御部７００は、電圧Ｖに所定値ΔＶを加算して、新たな電圧Ｖとしてメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい（Ｓ５０５）。レーザ制御部７００は、この新たな電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。さらに、レーザ制御部７００は、第２のフラグＦｌｂの値を１に設定してメモリ１００２に記憶させ、処理をＳ５０６に進めてもよい。

Ｓ５０６において、レーザ制御部７００は、第１の光センサ５３が新たに検出したレーザ光の光強度Ｉ１のデータを受信してもよい。
次に、レーザ制御部７００は、新たに検出したレーザ光の光強度Ｉ１が、メモリ１００２に現在記憶されている過去の光強度Ｉ１ｐと同一であるか（Ｉ１ｐ＝Ｉ１）否かを判定してもよい（Ｓ５０７）。新たに検出したレーザ光の光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐと同一である場合には（Ｓ５０７：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、レーザ光の光強度Ｉ１がピークに達しているとみなして、本フローチャートの処理を一旦終了してもよい。新たに検出したレーザ光の光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐと同一でない場合には（Ｓ５０７：ＮＯ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ５０８に進めてもよい。

Ｓ５０８において、レーザ制御部７００は、新たに検出したレーザ光の光強度Ｉ１が、メモリ１００２に現在記憶されている過去の光強度Ｉ１ｐよりも上昇したか（Ｉ１ｐ＜Ｉ１）否かを判定してもよい。
Ｓ５０８の後、レーザ制御部７００は、第２のフラグＦｌｂの値が１であるか否かを判定してもよい（Ｓ５０９又はＳ５１０）。第２のフラグＦｌｂの値が０となる場合についてはＳ５１２において後述する。

光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐよりも上昇した場合であって（Ｉ１ｐ＜Ｉ１）、且つ、第２のフラグＦｌｂの値が１である場合（Ｓ５０８：ＹＥＳ、Ｓ５０９：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ５１１に進めてもよい。
光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐより上昇していない、すなわち、光強度Ｉ１が下降した場合であって、且つ、第２のフラグＦｌｂの値が１である場合（Ｓ５０８：ＮＯ、Ｓ５１０：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ５１２に進めてもよい。

Ｓ５１１において、レーザ制御部７００は、メモリ１００２に現在記憶されている電圧Ｖに所定値ΔＶを加算して、新たな電圧Ｖとしてメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい。レーザ制御部７００は、この新たな電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。さらに、レーザ制御部７００は、第２のフラグＦｌｂの値を１に設定してメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい。

Ｓ５１２において、レーザ制御部７００は、メモリ１００２に現在記憶されている電圧Ｖから所定値ΔＶを減算して、新たな電圧Ｖとしてメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい。レーザ制御部７００は、この新たな電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。さらに、レーザ制御部７００は、第２のフラグＦｌｂの値を０に設定してメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい。

Ｓ５１１又はＳ５１２の後、レーザ制御部７００は、Ｓ５０６において受信した光強度Ｉ１を、過去の光強度Ｉ１ｐとしてメモリ１００２（後述）に上書きして記憶させてもよい（Ｓ５１３）。その後、レーザ制御部７００は、本フローチャートの処理を一旦終了してもよい。

本フローチャートの処理が終了すると、図８のＳ７００において第１のフラグＦｌａの値が１にセットされ得る。その後、Ｓ９００において選択波長の制御が中止されず（Ｓ９００：ＮＯ）、Ｓ４００において目標の選択波長が第１の波長のまま変更されない場合には、再びＳ５００の処理が行われてもよい。第１のフラグＦｌａの値が１にセットされているので、再び行われるＳ５００の処理においては、図９のＳ５０１の判定結果はＮＯとなり、Ｓ５０２〜Ｓ５０５をスキップしてＳ５０６以降の処理が行われてもよい。この場合に、Ｓ５０９又はＳ５１０の判定においては、第２のフラグＦｌｂの値が１である場合だけでなく、０である場合もあり得る。

光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐよりも上昇した場合であって（Ｉ１ｐ＜Ｉ１）、且つ、第２のフラグＦｌｂの値が０である場合（Ｓ５０８：ＹＥＳ、Ｓ５０９：ＮＯ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ５１２に進めてもよい。
光強度Ｉ１が過去の光強度Ｉ１ｐより下降した場合であって、且つ、第２のフラグＦｌｂの値が０である場合（Ｓ５０８：ＮＯ、Ｓ５１０：ＮＯ）、レーザ制御部７００は、処理をＳ５１１に進めてもよい。

以上述べたように、電圧Ｖに所定値ΔＶを加算したこと（Ｖ＝Ｖ＋ΔＶ，Ｆｌｂ＝１）によって光強度Ｉ１が上昇した場合（Ｉ１ｐ＜Ｉ１）には、さらに電圧Ｖに所定値ΔＶが加算され得る（Ｓ５１１）。
電圧Ｖに所定値ΔＶを加算したこと（Ｖ＝Ｖ＋ΔＶ，Ｆｌｂ＝１）によって光強度Ｉ１が下降した場合には、電圧Ｖから所定値ΔＶが減算され得る（Ｓ５１２）。

また、電圧Ｖから所定値ΔＶを減算したこと（Ｖ＝Ｖ−ΔＶ，Ｆｌｂ＝０）によって光強度Ｉ１が上昇した場合（Ｉ１ｐ＜Ｉ１）には、さらに電圧Ｖから所定値ΔＶが減算され得る（Ｓ５１２）。
電圧Ｖから所定値ΔＶを減算したこと（Ｖ＝Ｖ−ΔＶ，Ｆｌｂ＝０）によって光強度Ｉ１が下降した場合には、電圧Ｖに所定値ΔＶが加算され得る（Ｓ５１１）。

これにより、第１の光センサ５３によって検出される光強度Ｉ１が強くなるように、電圧Ｖが制御され得る。その結果、エタロンＥｎの選択波長が第１の波長に一致するように制御され得る。上述の通り、第１の波長はマスターオシレータＭＯが出力するパルスレーザ光３５に含まれる波長であるので、上述の制御によって、エタロンＥｎが高い透過率でパルスレーザ光３５を透過させるように制御され得る。

図１０は、図８に示された選択波長の制御を示すフローチャートである。図１０に示される処理は、図８に示されたＳ６００のサブルーチンとして、レーザ制御部７００によって行われてもよい。

まず、レーザ制御部７００は、第１のフラグＦｌａの値を判定してもよい（Ｓ６０１）。図８のＳ４００〜Ｓ９００の処理が既に少なくとも１回行われた場合であって、前回のＳ４００〜Ｓ９００の処理において目標の選択波長が第１の波長であった場合には、上述のＳ７００を経由しているので、第１のフラグＦｌａの値は１であり得る（Ｓ６０１：ＹＥＳ）。その場合には、今回のＳ４００〜Ｓ９００の処理において目標の選択波長が第２の波長に変更されたことになるので、レーザ制御部７００は、初期値設定（Ｓ６０２）などの処理を行ってもよい。

一方、前回のＳ４００〜Ｓ９００の処理においても目標の選択波長が第２の波長であった場合には、上述のＳ８００を経由しているので、第１のフラグＦｌａの値は０であり得る（Ｓ６０１：ＮＯ）。その場合には、目標の選択波長が変更されていないので、レーザ制御部７００は、初期値設定（Ｓ６０２）などの処理をスキップして、処理をＳ６０６に進めてもよい。
なお、図８のＳ３００の後、Ｓ４００〜Ｓ９００の処理を初めて行う場合については後述する。

第１のフラグＦｌａの値が１である場合（Ｓ６０１：ＹＥＳ）、レーザ制御部７００は、電圧Ｖを初期値Ｖ２に設定してもよい（Ｓ６０２）。レーザ制御部７００は、この電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。

次に、レーザ制御部７００は、第２の光センサ５４が検出したレーザ光の光強度Ｉ２のデータを受信してもよい（Ｓ６０３）。
次に、レーザ制御部７００は、Ｓ６０３において受信した光強度Ｉ２を、過去の光強度Ｉ２ｐとしてメモリ１００２（後述）に記憶させてもよい（Ｓ６０４）。

次に、レーザ制御部７００は、電圧Ｖに所定値ΔＶを加算して、新たな電圧Ｖとしてメモリ１００２に上書きして記憶させてもよい（Ｓ６０５）。レーザ制御部７００は、この新たな電圧Ｖが圧電素子４４に印加されるように、駆動電源５０に電圧制御信号を送信してもよい。さらに、レーザ制御部７００は、第２のフラグＦｌｂの値を１に設定してメモリ１００２に記憶させてもよい。

図１０に示されるその後の処理（Ｓ６０６〜Ｓ６１３）は、図９に示されたＳ５０６〜Ｓ５１３の処理において第１の波長と第２の波長とが入れ替わり、そのために用いられる変数が変更されている他は、図９に示された処理と同様であるので、詳細な説明を省略する。

上述のように、ＣＯ_２レーザ増幅器などの増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎが増幅し得る波長としては、第１の波長以外にも複数の値が存在し得る。従って、第１の波長の光を透過させないようにエタロンＥｎが制御されるだけでは、増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎが増幅し得る複数の波長のいずれをも減衰させることは困難であり得る。
図１０に示される処理によれば、第２の光センサ５４によって検出される光強度Ｉ２が強くなるように、電圧Ｖが制御され得る。その結果、エタロンＥｎの選択波長が第２の波長にピンポイントで一致するように制御され得る。従って、増幅器ＰＡ１、ＰＡ２、…、ＰＡｎが増幅し得る複数の波長のいずれをも減衰させるように、エタロンＥｎが制御され得る。

図１１は、図８に示された初期設定の処理を示すフローチャートである。図１１に示される処理は、図８に示されたＳ２００のサブルーチンとして、レーザ制御部７００によって行われてもよい。

図１１のＳ２０２〜Ｓ２０５に示されるように、レーザ制御部７００は、図１０に示されたＳ６０２〜Ｓ６０５と同様の処理を行ってもよい。この処理が行われる理由は、次の通りである。

図８のＳ３００の後、Ｓ４００〜Ｓ９００の処理が初めて行われる場合であって、Ｓ４００の処理において目標の選択波長が第２の波長となった場合には、図１０のＳ６０１において、第１のフラグＦｌａの値が０であると判定され得る。その場合には、図１０のＳ６０２〜Ｓ６０５の処理がスキップされてしまうので、予め、Ｓ２００において、Ｓ６０２〜Ｓ６０５と同様の処理が行われるようにしたものである。

４．２ 大きい制御範囲を有するエタロン
図１２Ａ及び図１２Ｂは、波長選択素子の第２の変形例の構成を示す。図１２ＡはエタロンＥｎｂの平面図であり、図１２Ｂは図１２Ａに示されるエタロンＥｎｂのＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線における断面図である。ここではエタロンＥｎの変形例の構成について説明するが、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２等の構成についても同様でよい。

図１２Ａ及び図１２Ｂに示されるエタロンＥｎｂは、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明したエタロンＥｎの構成に加えて、固定部材４５を含んでもよい。固定部材４５は、光学研磨可能で熱伝導性の高い窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックスで構成されてもよい。一対のダイヤモンド基板４０及び４１ｂのうち、ダイヤモンド基板４１ｂは、ダイヤモンド基板４０よりも小さい外形を有してもよい。

固定部材４５は、リング状の形状を有していてもよい。固定部材４５の外径の寸法は、ダイヤモンド基板４０の外形寸法とほぼ同じでよく、固定部材４５の内径の寸法は、ダイヤモンド基板４１ｂの外形寸法より小さくてよい。ダイヤモンド基板４１ｂの一方の面に部分反射膜４３がコーティングされ、ダイヤモンド基板４１ｂの他方の面の周縁部に固定部材４５が接着されていてもよい。

ダイヤモンド基板４１ｂの周囲において、３つの圧電素子４４１、４４２及び４４３がダイヤモンド基板４０と固定部材４５との間に固定されてもよい。ここではエタロンＥｎｂが３つの圧電素子４４１、４４２及び４４３を含むものとしたが、圧電素子の数は１つ以上の任意の数でよい。圧電素子４４１、４４２及び４４３のそれぞれには、駆動電源５０が接続されていてもよい。

以上説明した第２の変形例によれば、エタロンＥｎｂに含まれる圧電素子４４１、４４２及び４４３の厚みを、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄよりもダイヤモンド基板４１ｂの厚み分だけ大きくすることができる。従って、圧電素子４４１、４４２及び４４３の変位量を大きくし得る。この結果、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄの制御範囲を大きくすることができる。

４．３ 冷却可能なエタロン
図１３Ａ及び図１３Ｂは、波長選択素子の第３の変形例の構成を示す。図１３ＡはエタロンＥｎｃの平面図であり、図１３Ｂは図１３Ａに示されるエタロンＥｎｃのＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線における断面図である。ここではエタロンＥｎの変形例の構成について説明するが、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２等の構成についても同様でよい。

図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるエタロンＥｎｃは、図３Ａ及び図３Ｂを参照しながら説明したエタロンＥｎの構成に加えて、筒状ホルダ４６と、リング状部材４７とを含んでもよい。筒状ホルダ４６の一端には、内側に突出したフランジ部４６ｃが形成されていてもよい。筒状ホルダ４６の他端には、リング状部材４７が固定されていてもよい。リング状部材４７の外径の寸法は、筒状ホルダ４６の外径の寸法とほぼ同じでよい。リング状部材４７の内径の寸法は、筒状ホルダ４６のフランジ部４６ｃの内径の寸法とほぼ同じでよく、ダイヤモンド基板４０及び４１の外形寸法より小さくてもよい。筒状ホルダ４６及びリング状部材４７の内部には、それぞれ冷媒流路５７及び冷媒流路５８が形成されていてもよい。

ダイヤモンド基板４０及びダイヤモンド基板４１と、リング状の圧電素子４４ｃとが、筒状ホルダ４６とリング状部材４７とで囲まれた空間に収容されていてもよい。ダイヤモンド基板４０の一方の面に部分反射膜４２がコーティングされ、ダイヤモンド基板４０の他方の面の周縁部は筒状ホルダ４６のフランジ部４６ｃに接着されていてもよい。ダイヤモンド基板４１の一方の面に部分反射膜４３がコーティングされ、ダイヤモンド基板４１の他方の面の周縁部とリング状部材４７との間に、圧電素子４４ｃが固定されていてもよい。ダイヤモンド基板４０とダイヤモンド基板４１との間には、リング状の弾性部材４９が挟まれていてもよい。筒状ホルダ４６とリング状部材４７とは、複数のボルト４８１、４８２によって互いに固定されてもよい。

駆動電源５０によって圧電素子４４ｃに電圧が印加されて圧電素子４４ｃが変形することにより、弾性部材４９が変形し、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄが変化してもよい。冷媒流路５７及び冷媒流路５８には、図示しない冷媒ポンプ及び図示しない熱交換器が接続され、水などの冷媒が循環させられてもよい。弾性部材４９は、省略されてもよい。

以上説明した第３の変形例によれば、エタロンＥｎｃは、パルスレーザ光３５が繰り返し入射することにより加熱されたとしても、冷媒流路５７及び冷媒流路５８を流れる冷媒を介して放熱することができる。これにより、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄがエタロンＥｎｃの熱膨張によって変動することを抑制し、エタロンＥｎｃの選択波長を高精度に制御することができる。

また、第３の変形例によれば、圧電素子４４ｃの厚みが、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄやダイヤモンド基板４０及び４１の厚みには拘束されることなく設計され得る。従って、圧電素子４４ｃの厚みを大きくして、圧電素子４４ｃの変位量を大きくし、部分反射膜４２及び４３の間隔ｄの制御範囲を拡大することができる。

４．４ グレーティングとスリットとの組合せ
図１４は、波長選択素子の第４の変形例の構成を概略的に示す。本開示における波長選択素子は、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎ（図２参照）に限定されるものではなく、波長選択素子８０として、グレーティング８１とスリット８５が形成されたプレート８４との組合せが用いられてもよい。

グレーティング８１は、基板８２と、基板８２の一方の面に形成された複数の溝８３とを含んでもよい。複数の溝８３においては、第１の波長付近の波長帯の光が高い反射率で反射されてもよい。グレーティング８１は、回転駆動機構８６に固定されていてもよい。回転駆動機構８６は、レーザ制御部７００が出力する駆動信号に従って、グレーティング８１の設置角度を変更可能であってもよい。回転駆動機構８６によるグレーティング８１の回転軸は、複数の溝８３の方向とほぼ平行であってもよい。プレート８４は、スリット８５の長手方向がグレーティング８１の複数の溝８３の方向とほぼ平行となるように配置されてもよい。

グレーティング８１は、マスターオシレータＭＯ（図２参照）から出力されたパルスレーザ光３５の光路に配置されてもよい。図１４においては、グレーティング８１が増幅器ＰＡ１の下流側に配置された例が示されているが、これに限定されるものではない。なお、「下流側」とは、マスターオシレータＭＯから出力されたパルスレーザ光３５、３１、３２、３３の光路に沿って、プラズマ生成領域２５へ向かう側であり得る。

パルスレーザ光３５は、グレーティング８１の複数の溝８３が形成された面に入射してもよい。グレーティング８１に入射したパルスレーザ光３５は、複数の溝８３の斜面において、複数の溝８３の方向に対して垂直な、多方向に反射し得る。１つの溝の斜面において反射した反射光と、他の１つの溝の斜面において反射した反射光とが重なり合うとき、それらの反射光の間の光路長の差は、それらの反射光の反射角度に依存し得る。そして、当該光路長の差に対応する波長の光は、それらの反射光どうしで位相が一致して強め合うことができ、当該光路長の差に対応しない波長の光は、それらの反射光どうしで位相が一致せずに弱め合うことができる。この干渉作用の結果、反射角度に応じて特定の波長の光が強められ、当該特定の波長の光がスリット８５を通過し得る。

回転駆動機構８６が、グレーティング８１の設置角度を破線で示されるように変更することにより、複数の溝８３の斜面において反射してスリット８５に到達する反射光の光路長の差を変更することができる。これにより、波長選択素子８０の選択波長を第１の波長と第２の波長とに制御することができる。

第４の変形例においてはグレーティング８１が用いられる場合について説明したが、分散プリズムが用いられてもよい。

５．レーザ制御部の変形例
図１５は、レーザ制御部の変形例を含むレーザ装置の構成を示す。変形例に係るレーザ制御部７０２は、遅延回路を含まなくてもよい。レーザ制御部７０２は、ワンショット回路７１０と、複数のバッファ回路７３０、７３１、７３２、…、７３ｎとを含んでもよい。

ワンショット回路７１０は、ＥＵＶ光生成制御部５と信号線で接続されてもよい。ワンショット回路７１０は、マスターオシレータＭＯと信号線で接続されてもよい。複数のバッファ回路７３０、７３１、７３２、…、７３ｎは、ＥＵＶ光生成制御部５と信号線で接続されてもよい。複数のバッファ回路７３０、７３１、７３２、…、７３ｎは、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎの駆動電源５０とそれぞれ信号線で接続されてもよい。なお、図３Ｂに示された駆動電源５０の図示は、図１５においては省略されている。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置６（図１参照）に含まれる露光装置制御部６００からバースト信号Ｂｓを受信してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号Ｂｓに基づいてトリガ信号Ｔｓを生成し、トリガ信号Ｔｓをワンショット回路７１０に出力してもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号Ｂｓをそのまま複数のバッファ回路７３０、７３１、７３２、…、７３ｎに出力してもよい。

ワンショット回路７１０は、トリガ信号Ｔｓに基づく駆動信号ＭＯｓをマスターオシレータＭＯに出力してもよい。複数のバッファ回路７３０、７３１、７３２、…、７３ｎは、バースト信号Ｂｓに基づく駆動信号Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、Ｅｎｓを、エタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎの各駆動電源５０（図３Ｂ）にそれぞれ出力してもよい。

図１６は、図１５に示されるレーザ装置におけるタイミングチャートである。図１６の水平方向は時間Ｔの流れを示し、破線は上述のバースト信号Ｂｓ、上述のトリガ信号Ｔｓ又は上述の駆動信号ＭＯｓ、Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、Ｅｎｓを示す。図１６のタイミングチャートは、図６における時間スケールよりも大きい時間スケールで示されている。

ＥＵＶ光生成制御部５は、露光装置制御部６００からバースト信号Ｂｓを受信してもよい。バースト信号Ｂｓは、第１の期間Ｔ１にわたってＯＮ状態となり、第１の期間Ｔ１終了後の第２の期間Ｔ２にわたってＯＦＦ状態となる信号でもよい。第１の期間Ｔ１は、マスターオシレータＭＯがパルスレーザ光３５の繰り返し出力を行う期間として露光装置制御部６００によって指定される期間でもよい。第２の期間Ｔ２は、マスターオシレータＭＯがパルスレーザ光３５の繰り返し出力を休止する期間として露光装置制御部６００によって指定される期間でもよい。

ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号ＢｓがＯＮである第１の期間Ｔ１にわたって、トリガ信号Ｔｓを繰り返し出力してもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、バースト信号ＢｓがＯＦＦである第２の期間Ｔ２にわたって、トリガ信号Ｔｓの出力を休止してもよい。トリガ信号Ｔｓに応じて、ワンショット回路７１０が駆動信号ＭＯｓを繰り返し出力し、駆動信号ＭＯｓに応じて、マスターオシレータＭＯがパルスレーザ光３５を繰り返し出力するバースト運転をしてもよい。

バースト信号Ｂｓに同期して、バッファ回路７３０が駆動信号Ｅ０ｓをエタロンＥ０に出力してもよい。バースト信号ＢｓがＯＮである第１の期間Ｔ１にわたって、駆動信号Ｅ０ｓがＯＮとなり、エタロンＥ０は第１の波長の光を透過させる第１の状態となってもよい。これにより、パルスレーザ光３５がエタロンＥ０を透過してもよい。パルスレーザ光３５の波形が、図１６に実線で模式的に示されている。バースト信号ＢｓがＯＦＦである第２の期間Ｔ２にわたって、駆動信号Ｅ０ｓがＯＦＦとなり、エタロンＥ０は第２の波長の光を透過させる第２の状態となってもよい。これにより、増幅器からの自然放出光がエタロンＥ０において減衰されてもよい。

同様に、バースト信号Ｂｓに同期して、バッファ回路７３１、７３２、…、７３ｎが駆動信号Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、…、ＥｎｓをそれぞれエタロンＥ１、Ｅ２、…、Ｅｎに出力してもよい。
この変形例によれば、バースト信号ＢｓがＯＦＦである第２の期間Ｔ２において、増幅器からの自然放出光がマスターオシレータＭＯやターゲット２７に入射することを抑制し得る。この制御は、図５及び図６を参照しながら説明した制御に比べて、駆動信号に対する複数のエタロンＥ０、Ｅ１、Ｅ２、…、Ｅｎの動作速度が遅い場合でも実現され得る。

６．その他の変形例
以上の説明においては、マスターオシレータＭＯ及び複数の増幅器ＰＡ１〜ＰＡｎの下流側にそれぞれ波長選択素子が配置される場合が示されているが、本開示はこれに限定されない。波長選択素子は、マスターオシレータＭＯとプラズマ生成領域２５との間のパルスレーザ光３５の光路のいずれかの位置に少なくとも１つ配置されていればよい。

また、図５及び図６の説明においては、パルスレーザ光３５に含まれる個々のパルスに同期して波長選択素子の選択波長が切り換えられる場合について説明した。また、図１５及び図１６の説明においては、バースト信号Ｂｓに同期して波長選択素子の選択波長が切り換えられる場合について説明した。しかし、本開示はこれらに限定されない。パルスレーザ光３５の光路に配置された複数の波長選択素子のいずれかがパルスレーザ光３５に含まれる個々のパルスに同期し、他のいずれかがバースト信号Ｂｓに同期して、選択波長が切り換えられてもよい。

また、以上の説明において示された複数の波長選択素子のいずれかは、光シャッタに置き換えられてもよい。この光シャッタは、パルスレーザ光３５の透過及び不透過をレーザ制御部７００又はレーザ制御部７０２によって制御可能な光学素子であってもよい。例えば、マスターオシレータＭＯと増幅器ＰＡ１との間や、増幅器ＰＡ１と増幅器ＰＡ２との間に、光シャッタが配置され、最終段の増幅器ＰＡｎの下流側には、エタロンＥｎが配置されてもよい。エタロンは高エネルギーのパルスレーザ光３５への耐性が一般的に高いので、最終段の増幅器ＰＡｎの下流側においても十分に性能を発揮し得る。

７．コントローラの構成
図１７は、コントローラの概略構成を示すブロック図である。
上述した実施の形態におけるレーザ制御部７００やレーザ制御部７０２等のコントローラは、コンピュータやプログラマブルコントローラ等汎用の制御機器によって構成されてもよい。たとえば、以下のように構成されてもよい。

（構成）
コントローラは、処理部１０００と、処理部１０００に接続される、ストレージメモリ１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とによって構成されてもよい。また、処理部１０００は、ＣＰＵ１００１と、ＣＰＵ１００１に接続された、メモリ１００２と、タイマー１００３と、ＧＰＵ１００４とから構成されてもよい。

（動作）
処理部１０００は、ストレージメモリ１００５に記憶されたプログラムを読み出してもよい。また、処理部１０００は、読み出したプログラムを実行したり、プログラムの実行に従ってストレージメモリ１００５からデータを読み出したり、ストレージメモリ１００５にデータを記憶させたりしてもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘに接続されてもよい。パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うパラレルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘに接続されてもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うシリアルＩ／Ｏポートを介した、デジタル信号による通信を制御してもよい。

Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘに接続されてもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、処理部１０００がプログラムを実行する過程で行うアナログポートを介した、アナログ信号による通信を制御してもよい。

ユーザインターフェイス１０１０は、オペレータが処理部１０００によるプログラムの実行過程を表示したり、オペレータによるプログラム実行の中止や割り込み処理を処理部１０００に行わせたりするよう構成されてもよい。

処理部１０００のＣＰＵ１００１はプログラムの演算処理を行ってもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１がプログラムを実行する過程で、プログラムの一時記憶や、演算過程でのデータの一時記憶を行ってもよい。タイマー１００３は、時刻や経過時間を計測し、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に時刻や経過時間を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、処理部１０００に画像データが入力された際、プログラムの実行に従って画像データを処理し、その結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。

パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０に接続される、パラレルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０２１〜１０２ｘは、ＥＵＶ光生成制御部５、他のコントローラ等であってもよい。
シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０に接続される、シリアルＩ／Ｏポートを介して通信可能な機器１０３１〜１０３ｘは、マスターオシレータＭＯ、エタロンの駆動電源５０、第１の光源５１、第２の光源５２等であってもよい。
Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０に接続される、アナログポートを介して通信可能な機器１０４１〜１０４ｘは、第１の光センサ５３、第２の光センサ５４等の各種センサであってもよい。
以上のように構成されることで、コントローラはフローチャートに示された動作を実現可能であってよい。

上記の実施形態とそれらの変形例は、本開示を実施するための例示に過ぎず、本開示はこれらの例示に限定されない。この明細書に従って様々な変形を行うことは本開示の範囲内であり、本開示の範囲内で他の様々な変形を行うことが可能である。実施形態の１つにおいて説明された変形例は、他の実施形態（ここに説明された他の実施形態を含む）においても可能である。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット生成部、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３１ａ、３２ａ、３３ａ…反射光、３４…レーザ光進行方向制御部、３５…パルスレーザ光、３５ａ、３６ａ…自然放出光、３７…光、３８…反射光、４０、４１、４１ｂ…ダイヤモンド基板、４２、４３…部分反射膜、４４、４４ｃ…圧電素子、４５…固定部材、４６…筒状ホルダ、４６ｃ…フランジ部、４７…リング状部材、４９…弾性部材、５０…駆動電源、５１…第１の光源、５２…第２の光源、５３…第１の光センサ、５４…第２の光センサ、５５、５６…レーザ光、５７、５８…冷媒流路、８０…波長選択素子、８１…グレーティング、８２…基板、８３…溝、８４…プレート、８５…スリット、８６…回転駆動機構、２５１…放射光、２５２…反射光、２９１…壁、２９２…中間集光点、４４１、４４２、４４３…圧電素子、４８１、４８２…ボルト、６００…露光装置制御部、７００…レーザ制御部、７０２…レーザ制御部、７０５…遅延回路、７１０、７２０、７２１、７２２、７２ｎ…ワンショット回路、７３０、７３１、７３２、７３ｎ…バッファ回路、１０２１〜１０２ｘ、１０３１〜１０３ｘ、１０４１〜１０４ｘ…機器、１０００…処理部、１００２…メモリ、１００３…タイマー、１００５…ストレージメモリ、１０１０…ユーザインターフェイス、１０２０…パラレルＩ／Ｏコントローラ、１０３０…シリアルＩ／Ｏコントローラ、１０４０…Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ、Ｂｓ…バースト信号、Ｅ０、Ｅ１、Ｅ２、Ｅｎ、Ｅｎａ、Ｅｎｂ、Ｅｎｃ…エタロン、Ｅ０ｓ、Ｅ１ｓ、Ｅ２ｓ、Ｅｎｓ…駆動信号、ＭＯ…マスターオシレータ、ＭＯｓ…駆動信号、ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡｎ…増幅器、Ｔ…時間、Ｔ１…第１の期間、Ｔ２…第２の期間、Ｔｓ…トリガ信号

Claims (8)

1. パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、
   前記パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、
   前記パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、
   前記波長選択素子の前記選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、
   を備え、
   前記波長選択素子は、前記コントローラによって、第１の波長が前記選択波長であって第２の波長が前記選択波長ではない第１の状態と、前記第２の波長が前記選択波長であって前記第１の波長が前記選択波長ではない第２の状態との間で切り換えられるように構成され、
   前記マスターオシレータは、前記第１の波長の光を含む前記パルスレーザ光を出力するように構成され、
   前記増幅器は、前記第１の波長の光を、前記第２の波長の光よりも高い増幅率で増幅するように構成された、
   レーザ装置。
2. パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、
   前記パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、
   前記パルスレーザ光の光路であって前記増幅器よりも前記パルスレーザ光の下流側に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、
   前記波長選択素子の前記選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、
   を備えるレーザ装置。
3. 前記波長選択素子は、一方の面に第１の部分反射膜が形成された第１の基板と、前記第１の部分反射膜に対向して配置され、前記第１の部分反射膜に対向する面に第２の部分反射膜が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との距離を増減するように構成された圧電素子と、を有するエタロンを含む、請求項１記載のレーザ装置。
4. 前記増幅器は、第１の波長とは異なる第３の波長の光を、前記第２の波長の光よりも高い増幅率で増幅するように構成され、
   前記波長選択素子は、前記第３の波長を、前記第１の状態におけるフリースペクトラルレンジの中に含み、且つ、前記第２の状態におけるフリースペクトラルレンジの中に含む、請求項１記載のレーザ装置。
5. 複数のパルスを含むパルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、
   前記パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、
   前記パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、
   前記複数のパルスに含まれる個々のパルスと同期して、前記波長選択素子の選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、
   を備えるレーザ装置。
6. 前記マスターオシレータは、複数のパルスを含む前記パルスレーザ光を出力するように構成され、
   前記コントローラは、前記マスターオシレータが前記複数のパルスの繰り返し出力を行う第１の期間においては前記波長選択素子が前記第１の状態となり、前記マスターオシレータが前記複数のパルスの繰り返し出力を休止する第２の期間においては前記波長選択素子が前記第２の状態となるように、前記波長選択素子の選択波長を変化させるように構成された、請求項１記載のレーザ装置。
7. 前記第２の波長の光を前記波長選択素子に向けて出力するように構成された光源と、
   前記光源から出力されて前記波長選択素子を通過した光の光路に配置された光センサと、
   をさらに備え、
   前記コントローラは、前記光センサの出力に基づいて、前記波長選択素子の選択波長を変化させるように構成された、請求項１記載のレーザ装置。
8. パルスレーザ光を出力するように構成されたマスターオシレータと、
   前記パルスレーザ光の光路に配置された増幅器と、
   前記パルスレーザ光の光路に配置され、選択波長の光を他の波長の光よりも高い透過率で透過させるように構成された波長選択素子と、
   前記波長選択素子の前記選択波長を変化させるように構成されたコントローラと、
   を備えるレーザ装置と、
   前記レーザ装置から出力されるパルスレーザ光を内部に通過させる入射口が設けられたチャンバと、
   前記チャンバ内にターゲットを出力するターゲット生成部と、
   前記パルスレーザ光を前記チャンバ内で集光させるレーザ集光光学系と、
   を備える極端紫外光生成装置。

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