JP6076856B2 - Peeling device, peeling system and peeling method - Google Patents

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Description

開示の実施形態は、剥離装置、剥離システムおよび剥離方法に関する。   The disclosed embodiments relate to a peeling apparatus, a peeling system, and a peeling method.

近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。   In recent years, for example, in the semiconductor device manufacturing process, semiconductor substrates such as silicon wafers and compound semiconductor wafers have become larger and thinner. A large-diameter and thin semiconductor substrate may be warped or cracked during transportation or polishing. For this reason, after a support substrate is bonded to a semiconductor substrate and reinforced, a transport or polishing process is performed, and then a process of peeling the support substrate from the semiconductor substrate is performed.

たとえば、特許文献1には、第1の保持部により半導体基板を吸着保持し、第2の保持部により支持基板を吸着保持した状態で、第2の保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。   For example, in Patent Document 1, the outer periphery of the second holding unit is moved in the vertical direction while the semiconductor substrate is sucked and held by the first holding unit and the support substrate is sucked and held by the second holding unit. Thus, a technique for peeling the support substrate from the semiconductor substrate is disclosed.

特開2012−69914号公報JP2012-69914A

しかしながら、上述した従来技術には、剥離処理の効率化を図るという点で更なる改善の余地があった。なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うSOI(Silicon On Insulator)などの製造工程においても生じ得る課題である。   However, the above-described conventional technology has room for further improvement in terms of increasing the efficiency of the peeling process. Such a problem is a problem that may also occur in a manufacturing process such as SOI (Silicon On Insulator) that involves peeling of the substrate.

実施形態の一態様は、剥離処理の効率化を図ることのできる剥離装置、剥離システムおよび剥離方法を提供することを目的とする。   An object of one embodiment is to provide a peeling apparatus, a peeling system, and a peeling method that can improve the efficiency of a peeling process.

実施形態の一態様に係る剥離装置は、第1保持部と、第2保持部と、移動部と、1または複数の追加移動部とを備える。第1保持部は、第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち第1基板を保持する。第2保持部は、重合基板のうち第2基板を保持する。移動部は、第1保持部の外周部の一部を第2保持部から離す方向へ移動させる。追加移動部は、第1保持部の一部を第2保持部から離す方向へ移動させる。また、第1保持部は、柔軟性を有し、第1基板の略全面に当接する分割されていない当接部と、当接部に設けられ、第1基板における当接部との当接面を吸引する吸引部と、当接部における第1基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材とを備える。また、弾性部材は、剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割され、移動部は、複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、追加移動部は、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の弾性部材片のうちの少なくとも1つに設けられるThe peeling apparatus according to an aspect of the embodiment includes a first holding unit, a second holding unit, a moving unit, and one or more additional moving units . The first holding unit holds the first substrate among the superposed substrates obtained by bonding the first substrate and the second substrate. The second holding unit holds the second substrate among the superposed substrates. The moving unit moves a part of the outer periphery of the first holding unit in a direction away from the second holding unit. The additional moving unit moves a part of the first holding unit in a direction away from the second holding unit. In addition, the first holding portion has flexibility and is provided in the contact portion that is not divided and contacts the substantially entire surface of the first substrate, and the contact portion on the first substrate. A suction part for sucking the surface, and a thin plate-like elastic member provided on the surface of the contact part opposite to the contact surface with the first substrate . Further, the elastic member is divided into a plurality of elastic member pieces arranged along the direction of separation, and the moving part corresponds to the elastic member piece arranged on the most starting side of the separation among the plurality of elastic member pieces. The additional moving part is provided on at least one of the elastic member pieces other than the elastic member piece arranged on the most starting side of the peeling .

実施形態の一態様によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。   According to one aspect of the embodiment, the efficiency of the peeling process can be improved.

図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. 図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。FIG. 2 is a schematic side view of a superposed substrate held by a dicing frame. 図3は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。FIG. 3 is a schematic plan view of a superposed substrate held on a dicing frame. 図4は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。FIG. 4 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to this embodiment. 図5は、第1保持部、移動部、第1追加移動部および第2追加移動部の構成を示す模式側面図である。FIG. 5 is a schematic side view illustrating configurations of the first holding unit, the moving unit, the first additional moving unit, and the second additional moving unit. 図6は、当接部の模式底面図である。FIG. 6 is a schematic bottom view of the contact portion. 図7Aは、個別領域に形成される溝の形状を示す模式底面図である。FIG. 7A is a schematic bottom view showing the shape of grooves formed in individual regions. 図7Bは、個別領域に形成される溝の形状を示す模式底面図である。FIG. 7B is a schematic bottom view showing the shape of the groove formed in the individual region. 図8は、弾性部材の模式平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view of the elastic member. 図9は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of the peeling process. 図10Aは、剥離動作の説明図である。FIG. 10A is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Bは、剥離動作の説明図である。FIG. 10B is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Cは、剥離動作の説明図である。FIG. 10C is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Dは、剥離動作の説明図である。FIG. 10D is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Eは、剥離動作の説明図である。FIG. 10E is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Fは、剥離動作の説明図である。FIG. 10F is an explanatory diagram of the peeling operation. 図10Gは、剥離動作の説明図である。FIG. 10G is an explanatory diagram of the peeling operation. 図11Aは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 11A is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図11Bは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 11B is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図11Cは、剥離誘引処理の動作説明図である。FIG. 11C is an operation explanatory diagram of the peeling attraction process. 図12Aは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 12A is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図12Bは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 12B is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図12Cは、鋭利部材の刃先の形状例を示す模式平面図である。FIG. 12C is a schematic plan view illustrating a shape example of a cutting edge of a sharp member. 図13は、第1の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。FIG. 13 is a schematic bottom view illustrating the configuration of the contact portion according to the first modification. 図14は、第2の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。FIG. 14 is a schematic bottom view showing the configuration of the contact portion according to the second modification. 図15Aは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 15A is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of an SOI substrate. 図15Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。FIG. 15B is a schematic diagram illustrating a manufacturing process of the SOI substrate.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システムおよび剥離方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of a peeling device, a peeling system, and a peeling method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by embodiment shown below.

(第1の実施形態)
<1.剥離システム>
まず、第1の実施形態に係る剥離システムの構成について、図1〜図3を参照して説明する。図1は、本実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。また、図2は、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図であり、図3は、同重合基板の模式平面図である。
(First embodiment)
<1. Peeling system>
First, the structure of the peeling system which concerns on 1st Embodiment is demonstrated with reference to FIGS. 1-3. FIG. 1 is a schematic plan view showing the configuration of the peeling system according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic side view of the superposed substrate held on the dicing frame, and FIG. 3 is a schematic plan view of the superposed substrate.

なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。   In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.

図1に示す本実施形態に係る剥離システム1は、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gで接合された重合基板T(図2参照)を、被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する。   The peeling system 1 according to the present embodiment shown in FIG. 1 includes a polymerization substrate T (see FIG. 2) in which a substrate to be processed W and a support substrate S are bonded with an adhesive G, a substrate to be processed W and a support substrate S. Peel off.

以下では、図2に示すように、被処理基板Wの板面のうち、接着剤Gを介して支持基板Sと接合される側の板面を「接合面Wj」といい、接合面Wjとは反対側の板面を「非接合面Wn」という。また、支持基板Sの板面のうち、接着剤Gを介して被処理基板Wと接合される側の板面を「接合面Sj」といい、接合面Sjとは反対側の板面を「非接合面Sn」という。   In the following, as shown in FIG. 2, the plate surface of the substrate to be processed W that is bonded to the support substrate S via the adhesive G is referred to as “bonding surface Wj”, and the bonding surface Wj Is referred to as the “non-bonding surface Wn”. In addition, among the plate surfaces of the support substrate S, the plate surface on the side bonded to the substrate W to be processed via the adhesive G is referred to as “bonding surface Sj”, and the plate surface on the opposite side to the bonding surface Sj is defined as “ This is referred to as “non-joint surface Sn”.

被処理基板Wは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Wjとしている。また、被処理基板Wは、たとえば非接合面Wnが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Wの厚さは、約20〜50μmである。   The substrate W to be processed is a substrate in which a plurality of electronic circuits are formed on a semiconductor substrate such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, and the plate surface on the side where the electronic circuits are formed is used as a bonding surface Wj. Further, the target substrate W is thinned by polishing the non-joint surface Wn, for example. Specifically, the thickness of the substrate W to be processed is about 20 to 50 μm.

一方、支持基板Sは、被処理基板Wと略同径の基板であり、被処理基板Wを支持する。支持基板Sの厚みは、約650〜750μmである。かかる支持基板Sとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Wおよび支持基板Sを接合する接着剤Gの厚みは、約40〜150μmである。   On the other hand, the support substrate S is a substrate having substantially the same diameter as the substrate W to be processed, and supports the substrate W to be processed. The thickness of the support substrate S is about 650 to 750 μm. As this support substrate S, a glass substrate etc. other than a silicon wafer can be used. Moreover, the thickness of the adhesive G which joins these to-be-processed substrate W and the support substrate S is about 40-150 micrometers.

また、図2に示すように、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定される。ダイシングフレームFは、重合基板Tよりも大径の開口部Faを中央に有する略環状の部材であり、ステンレス鋼等の金属で形成される。ダイシングフレームFの厚みは、たとえば1mm程度である。   Further, as shown in FIG. 2, the superposed substrate T is fixed to a dicing frame F. The dicing frame F is a substantially annular member having an opening Fa having a diameter larger than that of the superposed substrate T at the center, and is formed of a metal such as stainless steel. The thickness of the dicing frame F is, for example, about 1 mm.

重合基板Tは、かかるダイシングフレームFにダイシングテープPを介して固定される。具体的には、ダイシングフレームFの開口部Faに重合基板Tを配置し、開口部Faを裏面から塞ぐように被処理基板Wの非接合面WnおよびダイシングフレームFの裏面にダイシングテープPを貼り付ける。これにより、重合基板Tは、ダイシングフレームFに固定された状態となる。   The superposed substrate T is fixed to the dicing frame F via the dicing tape P. Specifically, the superposed substrate T is disposed in the opening Fa of the dicing frame F, and the dicing tape P is pasted on the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed and the back surface of the dicing frame F so as to close the opening Fa from the back surface. wear. As a result, the superposed substrate T is fixed to the dicing frame F.

図1に示すように、剥離システム1は、第1処理ブロック10および第2処理ブロック20の2つの処理ブロックを備える。第1処理ブロック10と第2処理ブロック20とは、隣接して配置される。   As shown in FIG. 1, the peeling system 1 includes two processing blocks, a first processing block 10 and a second processing block 20. The first processing block 10 and the second processing block 20 are arranged adjacent to each other.

第1処理ブロック10では、重合基板Tの搬入、重合基板Tの剥離処理、剥離後の被処理基板Wの洗浄および搬出等が行われる。かかる第1処理ブロック10は、搬入出ステーション11と、第1搬送領域12と、待機ステーション13と、エッジカットステーション14と、剥離ステーション15と、第1洗浄ステーション16とを備える。   In the first processing block 10, the superposed substrate T is carried in, the superposed substrate T is peeled off, and the substrate W to be processed is peeled off and carried out. The first processing block 10 includes a carry-in / out station 11, a first transfer area 12, a standby station 13, an edge cut station 14, a peeling station 15, and a first cleaning station 16.

搬入出ステーション11、待機ステーション13、エッジカットステーション14、剥離ステーション15および第1洗浄ステーション16は、第1搬送領域12に隣接して配置される。具体的には、搬入出ステーション11と待機ステーション13とは、第1搬送領域12のY軸負方向側に並べて配置され、剥離ステーション15と第1洗浄ステーション16とは、第1搬送領域12のY軸正方向側に並べて配置される。また、エッジカットステーション14は、第1搬送領域12のX軸正方向側に配置される。   The carry-in / out station 11, the standby station 13, the edge cut station 14, the peeling station 15, and the first cleaning station 16 are disposed adjacent to the first transfer region 12. Specifically, the carry-in / out station 11 and the standby station 13 are arranged side by side on the Y axis negative direction side of the first transfer region 12, and the peeling station 15 and the first cleaning station 16 are arranged in the first transfer region 12. They are arranged side by side on the Y axis positive direction side. In addition, the edge cut station 14 is disposed on the X axis positive direction side of the first transfer region 12.

搬入出ステーション11には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、重合基板Tが収容されるカセットCtまたは剥離後の被処理基板Wが収容されるカセットCwが載置される。   The loading / unloading station 11 is provided with a plurality of cassette mounting tables, and each cassette mounting table is loaded with a cassette Ct in which the superposed substrate T is stored or a cassette Cw in which the substrate to be processed W after peeling is stored. Placed.

第1搬送領域12には、重合基板Tまたは剥離後の被処理基板Wの搬送を行う第1搬送装置121が配置される。第1搬送装置121は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第1搬送領域12では、かかる第1搬送装置121により、重合基板Tを待機ステーション13、エッジカットステーション14および剥離ステーション15へ搬送する処理や、剥離後の被処理基板Wを第1洗浄ステーション16および搬入出ステーション11へ搬送する処理が行われる。   In the first transfer region 12, a first transfer device 121 that transfers the superposed substrate T or the substrate to be processed W after peeling is arranged. The first transfer device 121 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the first transfer region 12, the first transfer device 121 transfers the overlapped substrate T to the standby station 13, the edge cut station 14, and the peeling station 15, and the substrate W after being peeled off to the first cleaning station 16. And the process which conveys to the carrying in / out station 11 is performed.

待機ステーション13には、たとえば、ダイシングフレームFのID(Identification)の読み取りを行うID読取装置が配置され、かかるID読取装置によって、処理中の重合基板Tを識別することができる。なお、待機ステーション13では、上記のID読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Tを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション13には、第1搬送装置121によって搬送された重合基板Tが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ID読取装置と一時待機部とが載置される。   For example, an ID reader that reads an ID (Identification) of the dicing frame F is disposed in the standby station 13, and the overlapped substrate T being processed can be identified by the ID reader. In the standby station 13, in addition to the ID reading process, a standby process for temporarily waiting for the superposed substrate T waiting to be processed is performed as necessary. The standby station 13 is provided with a mounting table on which the superposed substrate T transferred by the first transfer device 121 is placed. The ID reading device and the temporary standby unit are placed on the mounting table. .

エッジカットステーション14には、エッジカット装置が配置される。エッジカット装置は、接着剤G(図2参照)の周縁部を溶剤により溶解させて除去するエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Gの周縁部を除去することで、後述する剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとを剥離させ易くすることができる。なお、エッジカット装置は、たとえば重合基板Tを接着剤Gの溶剤に浸漬させることにより、接着剤Gの周縁部を溶剤によって溶解させる。   The edge cut station 14 is provided with an edge cut device. The edge cut device performs an edge cut process in which the peripheral edge of the adhesive G (see FIG. 2) is dissolved and removed with a solvent. By removing the peripheral edge portion of the adhesive G by the edge cutting process, the substrate to be processed W and the support substrate S can be easily separated in the peeling process described later. Note that the edge cutting device dissolves the peripheral edge of the adhesive G with the solvent, for example, by immersing the polymerization substrate T in the solvent of the adhesive G.

剥離ステーション15には、剥離装置が配置され、かかる剥離装置によって、重合基板Tを被処理基板Wと支持基板Sとに剥離する剥離処理が行われる。剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。   A peeling device is arranged in the peeling station 15, and a peeling process for peeling the superposed substrate T into the substrate to be processed W and the support substrate S is performed by the peeling device. The specific configuration and operation of the peeling apparatus will be described later.

第1洗浄ステーション16では、剥離後の被処理基板Wの洗浄処理が行われる。第1洗浄ステーション16には、剥離後の被処理基板WをダイシングフレームFに保持された状態で洗浄する第1洗浄装置が配置される。第1洗浄装置としては、たとえば特開2013−033925号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。   In the first cleaning station 16, the substrate to be processed W after being peeled is cleaned. The first cleaning station 16 is provided with a first cleaning device for cleaning the substrate to be processed W after being peeled off while being held by the dicing frame F. As a 1st washing | cleaning apparatus, the washing | cleaning apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-033925 can be used, for example.

また、第2処理ブロック20では、剥離後の支持基板Sの洗浄および搬出等が行われる。かかる第2処理ブロック20は、受渡ステーション21と、第2洗浄ステーション22と、第2搬送領域23と、搬出ステーション24とを備える。   In the second processing block 20, the support substrate S after being peeled is cleaned and carried out. The second processing block 20 includes a delivery station 21, a second cleaning station 22, a second transfer area 23, and a carry-out station 24.

受渡ステーション21、第2洗浄ステーション22および搬出ステーション24は、第2搬送領域23に隣接して配置される。具体的には、受渡ステーション21と第2洗浄ステーション22とは、第2搬送領域23のY軸正方向側に並べて配置され、搬出ステーション24は、第2搬送領域23のY軸負方向側に並べて配置される。   The delivery station 21, the second cleaning station 22, and the carry-out station 24 are disposed adjacent to the second transfer area 23. Specifically, the delivery station 21 and the second cleaning station 22 are arranged side by side on the Y axis positive direction side of the second transfer area 23, and the unloading station 24 is on the Y axis negative direction side of the second transfer area 23. Arranged side by side.

受渡ステーション21は、第1処理ブロック10の剥離ステーション15に隣接して配置される。かかる受渡ステーション21では、剥離ステーション15から剥離後の支持基板Sを受け取って第2洗浄ステーション22へ渡す受渡処理が行われる。   The delivery station 21 is disposed adjacent to the peeling station 15 of the first processing block 10. In the delivery station 21, a delivery process for receiving the peeled support substrate S from the peeling station 15 and delivering it to the second cleaning station 22 is performed.

受渡ステーション21には、第2搬送装置211が配置される。第2搬送装置211は、たとえばベルヌーイチャック等の非接触保持部を有しており、剥離後の支持基板Sは、かかる第2搬送装置211によって非接触で搬送される。   In the delivery station 21, a second transfer device 211 is arranged. The second transport device 211 has a non-contact holding unit such as a Bernoulli chuck, for example, and the peeled support substrate S is transported in a non-contact manner by the second transport device 211.

第2洗浄ステーション22では、剥離後の支持基板Sを洗浄する第2洗浄処理が行われる。かかる第2洗浄ステーション22には、剥離後の支持基板Sを洗浄する第2洗浄装置が配置される。第2洗浄装置としては、たとえば特開2013−033925号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。   In the second cleaning station 22, a second cleaning process for cleaning the support substrate S after peeling is performed. In the second cleaning station 22, a second cleaning device for cleaning the support substrate S after being peeled is disposed. As a 2nd washing | cleaning apparatus, the washing | cleaning apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-033925 can be used, for example.

第2搬送領域23には、剥離後の支持基板Sの搬送を行う第3搬送装置231が配置される。第3搬送装置231は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える。第2搬送領域23では、かかる第3搬送装置231により、剥離後の支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理が行われる。   In the second transport region 23, a third transport device 231 that transports the support substrate S after peeling is disposed. The third transfer device 231 includes a transfer arm unit that can move in the horizontal direction, move up and down in the vertical direction, and turn around the vertical direction, and a substrate holding unit attached to the tip of the transfer arm unit. . In the second transfer region 23, the third transfer device 231 performs a process of transferring the peeled support substrate S to the carry-out station 24.

搬出ステーション24には、複数のカセット載置台が設けられており、各カセット載置台には、剥離後の支持基板Sが収容されるカセットCsが載置される。   The unloading station 24 is provided with a plurality of cassette mounting tables. On each cassette mounting table, a cassette Cs in which the support substrate S after peeling is stored is mounted.

また、剥離システム1は、制御装置30を備える。制御装置30は、剥離システム1の動作を制御する装置である。かかる制御装置30は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム1の動作を制御する。   Further, the peeling system 1 includes a control device 30. The control device 30 is a device that controls the operation of the peeling system 1. The control device 30 is a computer, for example, and includes a control unit and a storage unit (not shown). The storage unit stores a program for controlling various processes such as a peeling process. The control unit controls the operation of the peeling system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置30の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。   Note that such a program may be recorded on a computer-readable recording medium and may be installed in the storage unit of the control device 30 from the recording medium. Examples of the computer-readable recording medium include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された剥離システム1では、まず、第1処理ブロック10の第1搬送装置121が、搬入出ステーション11に載置されたカセットCtから重合基板Tを取り出し、取り出した重合基板Tを待機ステーション13へ搬入する。   In the peeling system 1 configured as described above, first, the first transport device 121 of the first processing block 10 takes out the superposed substrate T from the cassette Ct placed on the carry-in / out station 11 and takes out the superposed substrate T taken out. Is carried into the standby station 13.

つづいて、待機ステーション13では、ID読取装置が、ダイシングフレームFのIDを読み取るID読取処理を行う。ID読取装置によって読み取られたIDは、制御装置30へ送信される。その後、重合基板Tは、第1搬送装置121によって待機ステーション13から取り出されて、エッジカットステーション14へ搬入される。   Subsequently, in the standby station 13, the ID reading device performs an ID reading process for reading the ID of the dicing frame F. The ID read by the ID reading device is transmitted to the control device 30. Thereafter, the superposed substrate T is taken out from the standby station 13 by the first transfer device 121 and carried into the edge cut station 14.

エッジカットステーション14では、エッジカット装置が、重合基板Tに対してエッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理によって接着剤Gの周縁部が除去されることにより、後段の剥離処理において被処理基板Wと支持基板Sとが剥離し易くなる。したがって、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。   In the edge cut station 14, the edge cut device performs an edge cut process on the superposed substrate T. By removing the peripheral edge portion of the adhesive G by the edge cutting process, the substrate to be processed W and the support substrate S are easily separated in the subsequent peeling process. Therefore, the time required for the peeling process can be shortened.

このように、本実施形態にかかる剥離システム1では、エッジカットステーション14が第1処理ブロック10に組み込まれているため、第1処理ブロック10へ搬入された重合基板Tを第1搬送装置121を用いてエッジカットステーション14へ直接搬入することができる。したがって、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。   Thus, in the peeling system 1 according to the present embodiment, since the edge cut station 14 is incorporated in the first processing block 10, the superposed substrate T carried into the first processing block 10 is transferred to the first transfer device 121. And can be directly carried into the edge cut station 14. Accordingly, the throughput of a series of substrate processing can be improved. Moreover, the time from the edge cut process to the peeling process can be easily managed, and the peeling performance can be stabilized.

なお、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Tが生じる場合には、待機ステーション13に設けられた一時待機部を用いて重合基板Tを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。   Note that, for example, when a superposed substrate T waiting for processing is generated due to a difference in processing time between apparatuses, the superposed substrate T can be temporarily kept in a standby state using a temporary standby unit provided in the standby station 13, Loss time between a series of steps can be shortened.

つづいて、エッジカット処理後の重合基板Tは、第1搬送装置121によってエッジカットステーション14から取り出されて、剥離ステーション15へ搬入される。そして、剥離ステーション15に配置された剥離装置が、重合基板Tに対して剥離処理を行う。かかる剥離処理により、重合基板Tは、被処理基板Wと支持基板Sとに分離される。   Subsequently, the superposed substrate T after the edge cut processing is taken out from the edge cut station 14 by the first transfer device 121 and is carried into the peeling station 15. And the peeling apparatus arrange | positioned in the peeling station 15 performs the peeling process with respect to the superposition | polymerization board | substrate T. FIG. By the peeling process, the superposed substrate T is separated into the substrate to be processed W and the support substrate S.

剥離後の被処理基板Wは、第1搬送装置121によって剥離ステーション15から取り出されて、第1洗浄ステーション16へ搬入される。第1洗浄ステーション16では、第1洗浄装置が、剥離後の被処理基板Wに対して第1洗浄処理を行う。かかる第1洗浄処理によって、被処理基板Wの接合面Wjに残存する接着剤Gが除去される。   The substrate to be processed W after peeling is taken out from the peeling station 15 by the first transfer device 121 and is carried into the first cleaning station 16. In the first cleaning station 16, the first cleaning device performs a first cleaning process on the substrate W after being peeled. By the first cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Wj of the substrate W to be processed is removed.

第1洗浄処理後の被処理基板Wは、第1搬送装置121によって第1洗浄ステーション16から取り出されて、搬入出ステーション11に載置されたカセットCwに収容される。その後、カセットCwは、搬入出ステーション11から取り出され、回収される。こうして、被処理基板Wについての処理が終了する。   The substrate W to be processed after the first cleaning process is taken out from the first cleaning station 16 by the first transfer device 121 and stored in the cassette Cw placed on the carry-in / out station 11. Thereafter, the cassette Cw is taken out from the carry-in / out station 11 and collected. Thus, the process for the substrate to be processed W is completed.

一方、第2処理ブロック20では、上述した第1処理ブロック10における処理と並行して、剥離後の支持基板Sに対する処理が行われる。   On the other hand, in the 2nd processing block 20, the process with respect to the support substrate S after peeling is performed in parallel with the process in the 1st processing block 10 mentioned above.

第2処理ブロック20では、まず、受渡ステーション21に配置された第2搬送装置211が、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション15から取り出して、第2洗浄ステーション22へ搬入する。   In the second processing block 20, first, the second transfer device 211 disposed at the delivery station 21 takes out the support substrate S after peeling from the peeling station 15 and carries it into the second cleaning station 22.

ここで、剥離後の支持基板Sは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Sn側が保持された状態となっており、第2搬送装置211は、支持基板Sの接合面Sj側を下方から非接触で保持する。その後、第2搬送装置211は、保持した支持基板Sを反転させたうえで、第2洗浄ステーション22の第2洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Sは、接着剤Gが残存する接合面Sjを上方に向けた状態で第2洗浄装置に載置される。そして、第2洗浄装置は、支持基板Sの接合面Sjを洗浄する第2洗浄処理を行う。かかる第2洗浄処理により、支持基板Sの接合面Sjに残存する接着剤Gが除去される。   Here, the support substrate S after peeling is in a state in which the upper surface side, that is, the non-joint surface Sn side is held by the peeling device, and the second transport device 211 does not move the joint surface Sj side of the support substrate S from below. Hold in contact. Thereafter, the second transfer device 211 inverts the held support substrate S and places it on the second cleaning device of the second cleaning station 22. As a result, the support substrate S is placed on the second cleaning device with the bonding surface Sj where the adhesive G remains remaining facing upward. Then, the second cleaning device performs a second cleaning process for cleaning the bonding surface Sj of the support substrate S. By the second cleaning process, the adhesive G remaining on the bonding surface Sj of the support substrate S is removed.

第2洗浄処理後の支持基板Sは、第2搬送領域23に配置された第3搬送装置231によって第2洗浄ステーション22から取り出されて、搬出ステーション24に載置されたカセットCsに収容される。その後、カセットCsは、搬出ステーション24から取り出され、回収される。こうして、支持基板Sについての処理も終了する。   The support substrate S after the second cleaning process is taken out from the second cleaning station 22 by the third transfer device 231 disposed in the second transfer region 23 and accommodated in the cassette Cs placed on the carry-out station 24. . Thereafter, the cassette Cs is taken out from the carry-out station 24 and collected. Thus, the process for the support substrate S is also completed.

このように、本実施形態に係る剥離システム1は、ダイシングフレームFに固定された基板(重合基板Tおよび剥離後の被処理基板W)用のフロントエンド(搬入出ステーション11および第1搬送装置121)と、ダイシングフレームFに保持されない基板(剥離後の支持基板S)用のフロントエンド(搬出ステーション24および第3搬送装置231)とを備える構成とした。これにより、被処理基板Wを搬入出ステーション11へ搬送する処理と、支持基板Sを搬出ステーション24へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。   As described above, the peeling system 1 according to the present embodiment has a front end (the carry-in / out station 11 and the first transfer device 121) for the substrate (the superposed substrate T and the target substrate W after being peeled) fixed to the dicing frame F. ) And a front end (unloading station 24 and third transfer device 231) for a substrate (support substrate S after peeling) that is not held by the dicing frame F. This makes it possible to perform in parallel the process of transporting the substrate to be processed W to the carry-in / out station 11 and the process of transporting the support substrate S to the carry-out station 24. Therefore, a series of substrate processing is performed efficiently. be able to.

また、本実施形態に係る剥離システム1では、剥離ステーション15と第2洗浄ステーション22とが受渡ステーション21を介して接続される。これにより、第1搬送領域12や第2搬送領域23を経由することなく、剥離後の支持基板Sを剥離ステーション15から第2洗浄ステーション22へ直接搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Sの搬送をスムーズに行うことができる。   In the peeling system 1 according to the present embodiment, the peeling station 15 and the second cleaning station 22 are connected via the delivery station 21. As a result, it is possible to directly carry the peeled support substrate S from the peeling station 15 to the second cleaning station 22 without going through the first transfer area 12 and the second transfer area 23. The support substrate S can be transported smoothly.

なお、第1処理ブロック10は、重合基板TにダイシングフレームFを取り付けるためのマウント装置を備えていてもよい。かかる場合、ダイシングフレームFが取り付けられていない重合基板TをカセットCtから取り出してマウント装置へ搬入し、マウント装置において重合基板TにダイシングフレームFを取り付けた後、ダイシングフレームFに固定された重合基板Tをエッジカットステーション14および剥離ステーション15へ順次搬送することとなる。なお、マウント装置は、たとえば、エッジカットステーション14を第2処理ブロック20へ移動し、エッジカットステーション14が設けられていた場所に配置すればよい。   The first processing block 10 may include a mount device for attaching the dicing frame F to the superposed substrate T. In such a case, the superposed substrate T to which the dicing frame F is not attached is taken out from the cassette Ct and loaded into the mounting device. After the dicing frame F is attached to the superposed substrate T in the mounting device, the superposed substrate fixed to the dicing frame F is used. T is sequentially transferred to the edge cut station 14 and the peeling station 15. Note that the mounting device may be arranged, for example, by moving the edge cut station 14 to the second processing block 20 and placing it at the place where the edge cut station 14 was provided.

<2.剥離装置の構成>
次に、剥離ステーション15に設置される剥離装置の構成について図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
<2. Configuration of peeling apparatus>
Next, the structure of the peeling apparatus installed in the peeling station 15 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a schematic side view showing the configuration of the peeling apparatus according to this embodiment.

図4に示すように、剥離装置5は、処理室100を備える。処理室100の側面には、搬入出口(図示せず)が設けられる。搬入出口は、第1搬送領域12側と受渡ステーション21側とにそれぞれ設けられる。   As shown in FIG. 4, the peeling device 5 includes a processing chamber 100. A loading / unloading port (not shown) is provided on the side surface of the processing chamber 100. The carry-in / out port is provided on each of the first transfer area 12 side and the delivery station 21 side.

剥離装置5は、第1保持部50と、移動部61と、第1追加移動部62と、第2追加移動部63と、第2保持部70と、フレーム保持部80と、剥離誘引部90とを備え、これらは処理室100の内部に配置される。   The peeling apparatus 5 includes a first holding unit 50, a moving unit 61, a first additional moving unit 62, a second additional moving unit 63, a second holding unit 70, a frame holding unit 80, and a peeling attraction unit 90. These are disposed inside the processing chamber 100.

剥離装置5は、重合基板Tの支持基板S側を第1保持部50によって上方から吸着保持し、重合基板Tの被処理基板W側を第2保持部70によって下方から吸着保持する。そして、剥離装置5は、移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63を順次動作させて、支持基板Sを被処理基板Wの板面から離す方向へ移動させる。これにより、第1保持部に保持された支持基板Sが、その一端から他端へ向けて被処理基板Wから連続的に剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。   The peeling device 5 sucks and holds the support substrate S side of the superposed substrate T from above by the first holding unit 50 and holds the target substrate W side of the superposed substrate T by sucking and holding from below by the second holding unit 70. Then, the peeling apparatus 5 sequentially moves the moving unit 61, the first additional moving unit 62, and the second additional moving unit 63 to move the support substrate S in the direction away from the plate surface of the substrate W to be processed. Thereby, the support substrate S held by the first holding unit is continuously peeled from the substrate W to be processed from one end to the other end. Hereinafter, each component will be specifically described.

第1保持部50は、当接部51と、弾性部材52と、第1吸引部53と、第2吸引部54と、第3吸引部55とを備える。   The first holding part 50 includes a contact part 51, an elastic member 52, a first suction part 53, a second suction part 54, and a third suction part 55.

当接部51は、支持基板Sと略同径の円板形状を有する部材であり、支持基板Sの非接合面Snに当接する。当接部51の支持基板Sとの当接面には、複数の吸引口(ここでは、図示せず)が形成される。   The contact portion 51 is a member having a disk shape having substantially the same diameter as the support substrate S, and contacts the non-joint surface Sn of the support substrate S. A plurality of suction ports (not shown here) are formed on the contact surface of the contact portion 51 with the support substrate S.

弾性部材52は、当接部51と略同径の円板形状を有する薄板状の部材であり、当接部51の支持基板Sとの当接面とは反対側の面に設けられる。   The elastic member 52 is a thin plate-like member having a disk shape having substantially the same diameter as the contact portion 51, and is provided on the surface of the contact portion 51 opposite to the contact surface with the support substrate S.

第1吸引部53、第2吸引部54および第3吸引部55は、弾性部材52を介して当接部51の各吸引口に接続される。また、第1吸引部53、第2吸引部54および第3吸引部55は、吸気管531,541,551を介して真空ポンプなどの吸気装置532,542,552に接続される。   The first suction part 53, the second suction part 54, and the third suction part 55 are connected to each suction port of the contact part 51 via the elastic member 52. The first suction unit 53, the second suction unit 54, and the third suction unit 55 are connected to suction devices 532, 542, and 552 such as a vacuum pump via suction pipes 531, 541, and 551.

かかる第1保持部50は、吸気装置532,542,552が発生させる吸引力を用い当接部51の各吸引口から支持基板Sの非接合面Sn(図2参照)を吸引することによって、重合基板Tの支持基板S側を吸着保持する。   The first holding unit 50 sucks the non-joint surface Sn (see FIG. 2) of the support substrate S from each suction port of the contact unit 51 using the suction force generated by the suction devices 532, 542, and 552. The support substrate S side of the superposition substrate T is sucked and held.

移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63は、第1保持部50の第1吸引部53、第2吸引部54および第3吸引部55にそれぞれ接続される。移動部61は第1吸引部53を、第1追加移動部62は第2吸引部54を、第2追加移動部63は第3吸引部55をそれぞれ鉛直上方に移動させる。   The moving part 61, the first additional moving part 62, and the second additional moving part 63 are connected to the first suction part 53, the second suction part 54, and the third suction part 55 of the first holding part 50, respectively. The moving unit 61 moves the first suction unit 53, the first additional moving unit 62 moves the second suction unit 54, and the second additional moving unit 63 moves the third suction unit 55 vertically upward.

なお、移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63は、上側ベース部103に支持され、第1保持部50は、移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63を介して上側ベース部103に支持される。また、上側ベース部103は、処理室100の天井部に取り付けられた固定部材101に支柱102を介して支持される。   The moving unit 61, the first additional moving unit 62, and the second additional moving unit 63 are supported by the upper base unit 103, and the first holding unit 50 is configured by the moving unit 61, the first additional moving unit 62, and the second additional moving unit 63. It is supported by the upper base part 103 via the moving part 63. Further, the upper base portion 103 is supported by the fixing member 101 attached to the ceiling portion of the processing chamber 100 via the support column 102.

ここで、上述した第1保持部50、移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63の具体的な構成について図5および図6を参照して説明する。図5は、第1保持部50、移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63の構成を示す模式側面図である。また、図6は、当接部51の模式底面図である。   Here, specific configurations of the first holding unit 50, the moving unit 61, the first additional moving unit 62, and the second additional moving unit 63 described above will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a schematic side view showing configurations of the first holding unit 50, the moving unit 61, the first additional moving unit 62, and the second additional moving unit 63. FIG. 6 is a schematic bottom view of the contact portion 51.

図5に示すように、当接部51は、支持基板Sとの当接面に複数の吸引口511,512,513を備える。   As shown in FIG. 5, the contact portion 51 includes a plurality of suction ports 511, 512, and 513 on the contact surface with the support substrate S.

吸引口511,512,513は、剥離の進行方向(ここでは、X軸正方向)に沿って並べて配置される。具体的には、当接部51の外周部のうち剥離の起点となる外周部(後述する剥離開始部位Mが形成される部分)に対応する位置に吸引口511が設けられる。また、吸引口512および吸引口513は、吸引口511よりも剥離の終点側(X軸正方向側)に配置されるとともに、剥離の進行方向に沿って吸引口512および吸引口513の順に並べて配置される。   The suction ports 511, 512, and 513 are arranged side by side along the peeling progress direction (here, the X-axis positive direction). Specifically, the suction port 511 is provided at a position corresponding to an outer peripheral portion (a portion where a later-described peeling start site M is formed) serving as a starting point of peeling in the outer peripheral portion of the contact portion 51. In addition, the suction port 512 and the suction port 513 are arranged on the end point side of peeling (X-axis positive direction side) from the suction port 511, and are arranged in the order of the suction port 512 and the suction port 513 along the progressing direction of peeling. Be placed.

これら吸引口511,512,513には、第1吸引部53と、第2吸引部54と、第3吸引部55とがそれぞれ接続される。   A first suction portion 53, a second suction portion 54, and a third suction portion 55 are connected to the suction ports 511, 512, and 513, respectively.

また、図6に示すように、当接部51が有する吸着領域510は、複数の個別領域514,515,516に区画される。個別領域514〜516は、剥離の進行方向(X軸正方向)に沿って、個別領域514、個別領域515および個別領域516の順に配置される。個別領域514には吸引口511が、個別領域515には吸引口512が、個別領域516には吸引口513が、それぞれ設けられる。   Further, as shown in FIG. 6, the suction region 510 included in the contact portion 51 is partitioned into a plurality of individual regions 514, 515, and 516. The individual regions 514 to 516 are arranged in the order of the individual region 514, the individual region 515, and the individual region 516 along the peeling progress direction (X-axis positive direction). The individual region 514 is provided with a suction port 511, the individual region 515 is provided with a suction port 512, and the individual region 516 is provided with a suction port 513.

このように、本実施形態に係る第1保持部50は、当接部51の吸着領域510が複数の個別領域514〜516に区画され、第1吸引部53、第2吸引部54および第3吸引部55が、個別領域514〜516に対応して設けられる。   As described above, in the first holding unit 50 according to the present embodiment, the suction region 510 of the contact unit 51 is partitioned into the plurality of individual regions 514 to 516, and the first suction unit 53, the second suction unit 54, and the third The suction part 55 is provided corresponding to the individual areas 514 to 516.

これにより、第1保持部50は、支持基板Sを個別領域514〜516ごとに吸着保持することができる。したがって、たとえば個別領域514〜516のうち何れかにおいて吸着漏れが生じた場合であっても、他の個別領域514〜516で支持基板Sを保持しておくことができる。   Thereby, the 1st holding | maintenance part 50 can adsorb-hold the support substrate S for every separate area | region 514-516. Therefore, for example, even if a suction leak occurs in any of the individual regions 514 to 516, the support substrate S can be held in the other individual regions 514 to 516.

当接部51が有する吸着領域510は、剥離の進行方向(X軸正方向)に膨らむ円弧a1,a2によって個別領域514〜516に区画される。   The suction region 510 included in the contact portion 51 is partitioned into individual regions 514 to 516 by arcs a1 and a2 that swell in the peeling progress direction (X-axis positive direction).

支持基板Sの被処理基板Wからの剥離は、平面視において円弧状に進行する。したがって、吸着領域510を剥離の進行方向(X軸正方向)に膨らむ円弧a1,a2で区画することで、剥離途中の支持基板Sをより適切に吸着保持しておくことができ、剥離途中で支持基板Sが第1保持部50から外れてしまうことを防止することができる。   The separation of the support substrate S from the target substrate W proceeds in an arc shape in plan view. Therefore, by partitioning the suction region 510 with the arcs a1 and a2 that swell in the peeling progress direction (X-axis positive direction), the support substrate S in the middle of peeling can be more appropriately sucked and held. It is possible to prevent the support substrate S from being detached from the first holding unit 50.

支持基板Sと被処理基板Wとの剥離の境界線は、剥離の初期段階においては上述のように円弧状であるが、剥離が進行するに従って、剥離の進行方向に対して直交する方向(Y軸方向)に延びる直線状に徐々に変化していく。   The boundary line of the separation between the support substrate S and the substrate to be processed W is arcuate as described above in the initial stage of peeling, but as the peeling progresses, the direction perpendicular to the progressing direction of the peeling (Y It gradually changes to a straight line extending in the axial direction.

このため、吸着領域510を区画する円弧a1,a2は、剥離の終点側に近付くにつれて曲率を小さくする(すなわち、直線に近づける)ことが好ましい。本例の場合には、剥離の終点側の円弧a2の曲率を、剥離の起点側の円弧a1の曲率よりも小さくすることが好ましい。   For this reason, it is preferable that the arcs a1 and a2 that define the adsorption region 510 have a smaller curvature (that is, closer to a straight line) as they approach the end point of peeling. In the case of this example, it is preferable that the curvature of the arc a2 on the peeling end point side is smaller than the curvature of the arc a1 on the peeling start side.

また、個別領域515および個別領域516には、それぞれ吸引口512および吸引口513からの吸引力を行き渡らせるための溝が形成される。ここで、個別領域515および個別領域516に形成される溝の形状について図7Aおよび図7Bを参照して説明する。図7Aは、個別領域515に形成される溝の形状を示す模式底面図であり、図7Bは、個別領域516に形成される溝の形状を示す模式底面図である。   Further, grooves for spreading the suction force from the suction port 512 and the suction port 513 are formed in the individual region 515 and the individual region 516, respectively. Here, the shape of the grooves formed in the individual region 515 and the individual region 516 will be described with reference to FIGS. 7A and 7B. 7A is a schematic bottom view showing the shape of the groove formed in the individual region 515, and FIG. 7B is a schematic bottom view showing the shape of the groove formed in the individual region 516.

図7Aに示すように、個別領域516よりも剥離の起点側に配置される個別領域515には、剥離の進行方向に膨らんだ円弧状の溝517が複数形成される。これに対し、図7Bに示すように、個別領域515よりも剥離の終点側に配置される個別領域516には、剥離の進行方向と直交する方向(Y軸方向)に延びる直線状の溝518が複数形成される。   As shown in FIG. 7A, a plurality of arc-shaped grooves 517 swelled in the peeling progress direction are formed in the individual region 515 arranged on the separation start side with respect to the individual region 516. On the other hand, as shown in FIG. 7B, a linear groove 518 extending in a direction (Y-axis direction) perpendicular to the peeling progress direction is formed in the individual region 516 arranged on the end point side of the peeling from the individual region 515. A plurality of are formed.

上述したように、支持基板Sと被処理基板Wとの剥離の境界線は、剥離が進行するに従って円弧状から直線状に変化していく。したがって、剥離の進行段階に応じて変化する剥離の境界線の形状に合わせて、個別領域515および個別領域516の溝を形成することで、剥離途中の支持基板Sをより適切に吸着保持しておくことができ、剥離処理の途中で支持基板Sが第1保持部50から外れてしまうことを防止することができる。   As described above, the boundary line between the support substrate S and the substrate to be processed W changes from an arc shape to a linear shape as the separation progresses. Therefore, by forming the grooves of the individual regions 515 and the individual regions 516 in accordance with the shape of the separation boundary line that changes depending on the progress stage of the separation, the support substrate S in the middle of the separation can be more appropriately attracted and held. It is possible to prevent the support substrate S from being detached from the first holding unit 50 during the peeling process.

なお、個別領域514は、吸着領域が比較的狭いため、溝を形成しないこととしているが、個別領域514にも溝を形成する場合には、個別領域515と同様に、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を形成すればよい。   The individual region 514 is not formed with a groove because the suction region is relatively narrow. However, in the case where a groove is also formed in the individual region 514, the individual region 514 swells in the direction of separation in the same manner as the individual region 515. An arcuate groove may be formed.

また、ここでは、個別領域515に円弧状の溝を形成し、個別領域516に直線状の溝を形成することとしたが、個別領域515および個別領域516に、あるいは吸着領域510全体に、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を形成しても構わない。   Here, arc-shaped grooves are formed in the individual regions 515, and linear grooves are formed in the individual regions 516. However, peeling is performed on the individual regions 515 and the individual regions 516 or on the entire suction region 510. An arc-shaped groove that swells in the traveling direction may be formed.

また、当接部51は、後述する移動部61、第1追加移動部62および第2追加移動部63によって引っ張られた際に、その形状を柔軟に変化させることができるように、柔軟性を有する部材で形成される。具体的には、当接部51は、ゴム等の樹脂で形成される。   Further, the contact portion 51 is flexible so that its shape can be changed flexibly when pulled by the moving portion 61, the first additional moving portion 62, and the second additional moving portion 63 described later. It is formed with the member which has. Specifically, the contact portion 51 is formed of a resin such as rubber.

すなわち、第1保持部50は、柔軟性を有する当接部51を支持基板Sの略全面に当接させることにより、支持基板Sの略全面を吸着保持する。このため、後述する剥離処理において、被処理基板Wに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Sを被処理基板Wから剥離させることができる。   That is, the first holding unit 50 sucks and holds the substantially entire surface of the support substrate S by bringing the contact portion 51 having flexibility into contact with the substantially entire surface of the support substrate S. For this reason, it is possible to peel the support substrate S from the substrate to be processed W without applying a large load to the substrate to be processed W in the peeling processing described later.

図5に戻り、弾性部材52について説明する。弾性部材52は、たとえば板バネ等で形成される。かかる弾性部材52を柔軟性を有する当接部51に設けることで、剥離の進行方向を強制することができ、被処理基板Wと支持基板Sとをより適切に剥離させることができる。   Returning to FIG. 5, the elastic member 52 will be described. The elastic member 52 is formed by, for example, a leaf spring. By providing the elastic member 52 in the abutting portion 51 having flexibility, it is possible to force the advancing direction of peeling, and it is possible to more appropriately peel the substrate to be processed W and the support substrate S.

図5に示すように、弾性部材52は、当接部51の個別領域514〜516に対応して、複数(ここでは、3個)の弾性部材片521,522,523に分割される。   As shown in FIG. 5, the elastic member 52 is divided into a plurality of (here, three) elastic member pieces 521, 522, and 523 corresponding to the individual regions 514 to 516 of the contact portion 51.

図8は、弾性部材52の模式平面図である。図8に示すように、弾性部材52は、剥離の進行方向(X軸方向)に直交する方向(Y軸方向)に延びる直線によって、3つの弾性部材片521,522,523に分割される。これら弾性部材片521,522,523は、剥離の進行方向に沿って、弾性部材片521、弾性部材片522および弾性部材片523の順に並べて配置される。   FIG. 8 is a schematic plan view of the elastic member 52. As shown in FIG. 8, the elastic member 52 is divided into three elastic member pieces 521, 522, and 523 by a straight line extending in a direction (Y-axis direction) orthogonal to the peeling progress direction (X-axis direction). These elastic member pieces 521, 522, and 523 are arranged in the order of the elastic member piece 521, the elastic member piece 522, and the elastic member piece 523 along the advancing direction of peeling.

移動部61は、水平部材611と、支柱部材612と、移動機構613と、ロードセル614とを備える。   The moving unit 61 includes a horizontal member 611, a support member 612, a moving mechanism 613, and a load cell 614.

水平部材611は、剥離の進行方向(X軸方向)に沿って延在する板状の部材であり、第1吸引部53の上部にX軸正方向側の一端部が固定される。   The horizontal member 611 is a plate-like member extending along the peeling progress direction (X-axis direction), and one end portion on the X-axis positive direction side is fixed to the upper portion of the first suction portion 53.

支柱部材612は、鉛直方向(Z軸方向)に延在する部材であり、水平部材611の他端部に一端部が接続され、上側ベース部103を介して移動機構613に他端部が接続される。   The column member 612 is a member extending in the vertical direction (Z-axis direction), one end is connected to the other end of the horizontal member 611, and the other end is connected to the moving mechanism 613 via the upper base portion 103. Is done.

移動機構613は、上側ベース部103の上部に固定され、下部に接続される支柱部材612を鉛直方向に移動させる。   The moving mechanism 613 is fixed to the upper part of the upper base part 103, and moves the column member 612 connected to the lower part in the vertical direction.

かかる移動部61は、移動機構613によって支柱部材612および水平部材611を鉛直上方に移動させることにより、第1保持部50の外周部の一部、具体的には、当接部51の個別領域514(図6参照)を弾性部材片521および第1吸引部53を介して引っ張り上げる。   The moving unit 61 moves the support member 612 and the horizontal member 611 vertically upward by the moving mechanism 613, so that a part of the outer periphery of the first holding unit 50, specifically, the individual region of the contact unit 51 is used. 514 (see FIG. 6) is pulled up via the elastic member piece 521 and the first suction part 53.

図5に示すように、引き上げの力点となる支柱部材612は、引き上げの支点となる第1吸引部53よりも剥離の進行方向の反対側に配置される。このため、引き上げの作用点となる重合基板Tの外縁部(剥離の開始位置であり、後述する「剥離開始部位M」に相当)には、図5において時計回りの回転力(モーメント)が発生する。これにより、移動部61は、支持基板Sをその外縁部からめくり上げるようにして引っ張ることができるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。   As shown in FIG. 5, the column member 612 serving as a lifting force point is disposed on the opposite side of the peeling progress direction from the first suction portion 53 serving as a lifting support point. For this reason, a clockwise rotational force (moment) in FIG. 5 is generated at the outer edge portion (the peeling start position, which corresponds to a “peeling start site M” to be described later) of the superposed substrate T, which serves as a pulling action point. To do. Thereby, since the moving part 61 can pull the support substrate S so as to be turned up from the outer edge part, the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate W to be processed.

また、移動部61は、支柱部材612にかかる負荷をロードセル614によって検出することができる。したがって、移動部61は、ロードセル614による検出結果に基づき、支持基板Sにかかる力を制御しながら、当接部51の個別領域514を引っ張ることができる。   In addition, the moving unit 61 can detect the load applied to the column member 612 by the load cell 614. Therefore, the moving part 61 can pull the individual area 514 of the contact part 51 while controlling the force applied to the support substrate S based on the detection result by the load cell 614.

第1追加移動部62および第2追加移動部63も移動部61とほぼ同様の構成を有する。具体的には、第1追加移動部62は、水平部材621と、支柱部材622と、移動機構623と、ロードセル624とを備える。かかる第1追加移動部62は、移動機構623によって支柱部材622および水平部材621を鉛直上方に移動させることにより、当接部51の個別領域515(図6参照)を弾性部材片522および第2吸引部54を介して引っ張り上げる。   The first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63 also have substantially the same configuration as the moving unit 61. Specifically, the first additional moving unit 62 includes a horizontal member 621, a support member 622, a moving mechanism 623, and a load cell 624. The first additional moving unit 62 moves the support member 622 and the horizontal member 621 vertically upward by the moving mechanism 623, thereby moving the individual region 515 (see FIG. 6) of the contact portion 51 to the elastic member piece 522 and the second member 522. Pull up through the suction part 54.

また、第2追加移動部63は、水平部材631と、支柱部材632と、移動機構633と、ロードセル634とを備える。かかる第2追加移動部63は、移動機構633によって支柱部材632および水平部材631を鉛直上方に移動させることにより、当接部51の個別領域516(図6参照)を弾性部材片523および第3吸引部55を介して引っ張り上げる。   The second additional moving unit 63 includes a horizontal member 631, a support member 632, a moving mechanism 633, and a load cell 634. The second additional moving unit 63 moves the support member 632 and the horizontal member 631 vertically upward by the moving mechanism 633, thereby moving the individual region 516 (see FIG. 6) of the contact unit 51 to the elastic member piece 523 and the third member 63. Pull up through the suction part 55.

これら第1追加移動部62および第2追加移動部63も、移動部61と同様に、引き上げの力点となる支柱部材622,632が、引き上げの支点となる第2吸引部54,第3吸引部55よりも剥離の起点側に配置されている。したがって、第1追加移動部62および第2追加移動部63は、それぞれ第2吸引部54および第3吸引部55をめくり上げるようにして引っ張ることができるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率的に剥離させることができる。   Similarly to the moving unit 61, the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63 also have the second suction unit 54 and the third suction unit in which the column members 622 and 632 serving as lifting force points serve as lifting points. It is arranged closer to the starting point of peeling than 55. Therefore, the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63 can pull the second suction unit 54 and the third suction unit 55 so as to turn up the second suction unit 54 and the third suction unit 55, respectively. It can be made to peel efficiently.

なお、支持基板Sを被処理基板Wから剥離する場合、剥離の最も起点側の領域、すなわち、後述する剥離開始部位Mに対応する支持基板Sの外周部を剥離するのに最も大きな力を要する。したがって、水平部材611,621,631は、起点側に配置される水平部材611を最も長く形成することが好ましい。   When the support substrate S is peeled from the substrate W, the greatest force is required to peel the outermost part of the support substrate S corresponding to the peeling start site M, which will be described later, that is, the region on the most starting point side of peeling. . Therefore, it is preferable that the horizontal members 611, 621, and 631 have the longest horizontal member 611 disposed on the starting side.

図4に戻り、剥離装置5のその他の構成について説明する。第2保持部70は、第1保持部50の下方に配置される。   Returning to FIG. 4, the other structure of the peeling apparatus 5 is demonstrated. The second holding unit 70 is disposed below the first holding unit 50.

第2保持部70は、重合基板Tの被処理基板W側をダイシングテープPを介して吸着保持する。かかる第2保持部70は、円板形状の本体部71と、本体部71を支持する支柱部材72とを備える。   The second holding unit 70 holds the target substrate W side of the superposed substrate T by suction through the dicing tape P. The second holding unit 70 includes a disc-shaped main body 71 and a support member 72 that supports the main body 71.

本体部71は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で形成される。かかる本体部71の上面には、吸着面73が設けられる。吸着面73は、多孔質体であり、たとえばPCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)等の樹脂部材で形成される。   The main body 71 is made of a metal member such as aluminum. An adsorption surface 73 is provided on the upper surface of the main body 71. The adsorption surface 73 is a porous body, and is formed of a resin member such as PCTFE (polychlorotrifluoroethylene).

本体部71の内部には、吸着面73を介して外部と連通する吸引空間74が形成される。吸引空間74は、吸気管711を介して真空ポンプなどの吸気装置712と接続される。かかる第2保持部70は、吸気装置712の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Wの非接合面WnをダイシングテープPを介して吸着面73に吸着させることによって、重合基板Tを吸着保持する。   A suction space 74 that communicates with the outside through the suction surface 73 is formed inside the main body 71. The suction space 74 is connected to an intake device 712 such as a vacuum pump via an intake pipe 711. The second holding unit 70 uses the negative pressure generated by the intake air of the intake device 712, and adsorbs the non-joint surface Wn of the substrate W to be processed to the adsorption surface 73 via the dicing tape P. Adsorb and hold.

本体部71の吸着面73は、被処理基板Wよりも僅かに径が大きく形成される。これにより、被処理基板Wの周縁部での吸引漏れを防止することができるため、重合基板Tをより確実に吸着保持することができる。   The suction surface 73 of the main body 71 is formed to have a slightly larger diameter than the substrate W to be processed. Thereby, since the suction leakage at the peripheral edge of the substrate to be processed W can be prevented, the superposed substrate T can be more securely attracted and held.

また、被処理基板Wとの吸着面に溝などの非吸着部が形成されていると、かかる非吸着部において被処理基板Wにクラックが発生するおそれがある。そこで、本体部71の吸着面73は、溝などの非吸着部を有しない平坦面とした。これにより、被処理基板Wにクラックが発生することを防止することができる。さらに、吸着面73をPCTFE等の樹脂部材で形成することとしたため、被処理基板Wへのダメージを更に抑えることができる。   In addition, if a non-adsorption portion such as a groove is formed on the adsorption surface with the substrate W to be processed, there is a possibility that a crack may occur in the substrate W to be processed in the non-adsorption portion. Therefore, the suction surface 73 of the main body 71 is a flat surface having no non-suction part such as a groove. Thereby, it is possible to prevent the generation of cracks in the substrate W to be processed. Furthermore, since the adsorption surface 73 is formed of a resin member such as PCTFE, damage to the substrate W to be processed can be further suppressed.

第2保持部70の外方には、ダイシングフレームFを下方から保持するフレーム保持部80が配置される。フレーム保持部80は、ダイシングフレームFを吸着保持する複数の吸着パッド81と、吸着パッド81を支持する支持部材82と、支持部材82を鉛直方向に移動させる移動機構83とを備える。   A frame holding unit 80 that holds the dicing frame F from below is disposed outside the second holding unit 70. The frame holding unit 80 includes a plurality of suction pads 81 that suck and hold the dicing frame F, a support member 82 that supports the suction pad 81, and a moving mechanism 83 that moves the support member 82 in the vertical direction.

吸着パッド81は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図3に示すダイシングフレームFの4隅に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着パッド81には、吸引口(図示せず)が形成され、真空ポンプなどの吸気装置822が支持部材82および吸気管821を介して上記の吸引口に接続される。   The suction pads 81 are formed of an elastic member such as rubber, and are provided at positions corresponding to, for example, the four corners of the dicing frame F shown in FIG. The suction pad 81 is formed with a suction port (not shown), and an intake device 822 such as a vacuum pump is connected to the suction port via a support member 82 and an intake pipe 821.

フレーム保持部80は、吸気装置822の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームFを吸着することによってダイシングフレームFを保持する。また、フレーム保持部80は、移動機構83によって支持部材82および吸着パッド81を鉛直方向に移動させることにより、吸着パッド81に吸着保持されたダイシングフレームFを鉛直方向に移動させる。   The frame holding unit 80 holds the dicing frame F by adsorbing the dicing frame F using the negative pressure generated by the intake air of the intake device 822. The frame holding unit 80 moves the dicing frame F sucked and held by the suction pad 81 in the vertical direction by moving the support member 82 and the suction pad 81 in the vertical direction by the moving mechanism 83.

第2保持部70およびフレーム保持部80は、下側ベース部104によって下方から支持される。また、下側ベース部104は、処理室100の床面に固定された回転昇降機構105によって支持される。   The second holding part 70 and the frame holding part 80 are supported from below by the lower base part 104. Further, the lower base portion 104 is supported by a rotary lifting mechanism 105 fixed to the floor surface of the processing chamber 100.

回転昇降機構105は、下側ベース部104を鉛直軸回りに回転させることにより、下側ベース部104に支持された第2保持部70およびフレーム保持部80を一体的に回転させる。また、回転昇降機構105は、下側ベース部104を鉛直方向に移動させることにより、下側ベース部104に支持された第2保持部70およびフレーム保持部80を一体的に昇降させる。   The rotation raising / lowering mechanism 105 rotates the lower base part 104 around the vertical axis to integrally rotate the second holding part 70 and the frame holding part 80 supported by the lower base part 104. Further, the rotary lifting mechanism 105 moves the lower base portion 104 in the vertical direction, thereby lifting and lowering the second holding portion 70 and the frame holding portion 80 supported by the lower base portion 104 integrally.

第2保持部70の外方には、剥離誘引部90が配置される。かかる剥離誘引部90は、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる部位を重合基板Tの側面に形成する。   A peeling inducement 90 is disposed outside the second holding unit 70. The peeling attraction part 90 forms a part on the side surface of the superposed substrate T that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W to be processed.

剥離誘引部90は、鋭利部材91と、移動機構92と、昇降機構93とを備える。鋭利部材91は、たとえば平刃であり、刃先が重合基板Tへ向けて突出するように移動機構92に支持される。   The peeling attraction unit 90 includes a sharp member 91, a moving mechanism 92, and an elevating mechanism 93. The sharp member 91 is, for example, a flat blade, and is supported by the moving mechanism 92 such that the blade edge protrudes toward the superposed substrate T.

移動機構92は、X軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材91を移動させる。昇降機構93は、たとえば上側ベース部103に固定され、移動機構92を鉛直方向に移動させる。これにより、鋭利部材91の高さ位置、すなわち、重合基板Tの側面への当接位置が調節される。   The moving mechanism 92 moves the sharp member 91 along a rail extending in the X-axis direction. The elevating mechanism 93 is fixed to the upper base portion 103, for example, and moves the moving mechanism 92 in the vertical direction. Thereby, the height position of the sharp member 91, that is, the contact position with the side surface of the superposed substrate T is adjusted.

かかる剥離誘引部90は、昇降機構93を用いて鋭利部材91の高さ位置を調節した後、移動機構92を用いて鋭利部材91を水平方向(ここでは、X軸正方向)へ移動させることにより、鋭利部材91を支持基板Sにおける接着剤G寄りの側面に当接させる。これにより、重合基板Tに、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる部位(以下、「剥離開始部位」と記載する)が形成される。   The peeling attraction portion 90 adjusts the height position of the sharp member 91 using the lifting mechanism 93 and then moves the sharp member 91 in the horizontal direction (here, the X-axis positive direction) using the moving mechanism 92. Thus, the sharp member 91 is brought into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. As a result, a portion (hereinafter referred to as a “peeling start portion”) that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W is formed on the superposed substrate T.

<3.剥離装置の動作>
次に、剥離装置5の具体的な動作について図9および図10A〜図10Gを参照して説明する。図9は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図10A〜図10Gは、剥離動作の説明図である。なお、剥離装置5は、制御装置30の制御に基づき、図9に示す各処理手順を実行する。
<3. Operation of peeling device>
Next, a specific operation of the peeling apparatus 5 will be described with reference to FIGS. 9 and 10A to 10G. FIG. 9 is a flowchart showing a processing procedure of the peeling process. 10A to 10G are explanatory diagrams of the peeling operation. Note that the peeling device 5 executes each processing procedure shown in FIG. 9 based on the control of the control device 30.

ダイシングフレームFに固定された重合基板Tが処理室100内へ搬入されると、剥離装置5は、まず、重合基板Tの被処理基板W側とダイシングフレームFとをそれぞれ第2保持部70およびフレーム保持部80を用いて下方から吸着保持する(ステップS101)。このとき、図10Aに示すように、被処理基板WおよびダイシングフレームFは、ダイシングテープPが水平に張られた状態で、第2保持部70およびフレーム保持部80に保持される。   When the superposed substrate T fixed to the dicing frame F is carried into the processing chamber 100, the peeling device 5 first connects the second substrate 70 and the dicing frame F to the second substrate 70 and the dicing frame F, respectively. The frame holding unit 80 is used to suck and hold from below (step S101). At this time, as shown in FIG. 10A, the target substrate W and the dicing frame F are held by the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 in a state where the dicing tape P is stretched horizontally.

つづいて、剥離装置5は、フレーム保持部80の移動機構83(図4参照)を用いてフレーム保持部80を降下させて、フレーム保持部80に保持されたダイシングフレームFを降下させる(ステップS102)。これにより、剥離誘引部90の鋭利部材91を重合基板Tへ向けて進出させるためのスペースが確保される(図10B参照)。   Subsequently, the peeling device 5 lowers the frame holding unit 80 by using the moving mechanism 83 (see FIG. 4) of the frame holding unit 80, and lowers the dicing frame F held by the frame holding unit 80 (step S102). ). Thereby, the space for making the sharp member 91 of the peeling induction part 90 advance toward the superposition | polymerization board | substrate T is ensured (refer FIG. 10B).

つづいて、剥離装置5は、剥離誘引部90を用いて剥離誘引処理を行う(ステップS103)。剥離誘引処理は、支持基板Sが被処理基板Wから剥離するきっかけとなる部位(剥離開始部位)を重合基板Tに形成する(図10C参照)。   Subsequently, the peeling device 5 performs a peeling attraction process using the peeling attraction unit 90 (step S103). In the peeling attraction process, a part (peeling start part) that causes the support substrate S to peel from the target substrate W is formed on the superposed substrate T (see FIG. 10C).

ここで、剥離誘引処理の内容について図11A〜図11Cを参照して具体的に説明する。図11A〜図11Cは、剥離誘引処理の動作説明図である。   Here, the content of the peeling attraction process will be specifically described with reference to FIGS. 11A to 11C. FIG. 11A to FIG. 11C are operation explanatory diagrams of the peeling attraction process.

なお、この剥離誘引処理は、重合基板Tのうちの被処理基板Wが第2保持部70によって保持され、ダイシングフレームFがフレーム保持部80によって保持された後、かつ、重合基板Tのうちの支持基板Sが第1保持部50によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Sがフリーな状態で行われる。   In this peeling attraction process, the substrate W to be processed among the superposed substrates T is held by the second holding unit 70, the dicing frame F is held by the frame holding unit 80, and This is performed before the support substrate S is held by the first holding unit 50. That is, the peeling attraction process is performed in a state where the support substrate S is free.

剥離装置5は、昇降機構93(図4参照)を用いて鋭利部材91の高さ位置を調整した後、移動機構92を用いて鋭利部材91を重合基板Tの側面へ向けて移動させる。具体的には、図11Aに示すように、重合基板Tの側面のうち、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に向けて鋭利部材91を略水平に移動させる。   The peeling apparatus 5 adjusts the height position of the sharp member 91 using the lifting mechanism 93 (see FIG. 4), and then moves the sharp member 91 toward the side surface of the superposed substrate T using the moving mechanism 92. Specifically, as shown in FIG. 11A, the sharp member 91 is moved substantially horizontally toward the side surface of the support substrate S near the adhesive G among the side surfaces of the superposed substrate T.

ここで、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」とは、支持基板Sの側面のうち、支持基板Sの厚みの半分の位置hよりも接合面Sj寄りの側面のことである。具体的には、支持基板Sの側面は断面視において略円弧状に形成されており、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」は、鋭利部材91の刃先の傾斜面91aとのなす角度θが0度以上90度未満の側面である。   Here, the “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is the side surface of the support substrate S that is closer to the bonding surface Sj than the position h that is half the thickness of the support substrate S. Specifically, the side surface of the support substrate S is formed in a substantially arc shape in a sectional view, and the “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is an angle formed with the inclined surface 91 a of the cutting edge of the sharp member 91. It is a side surface where θ is 0 degree or more and less than 90 degrees.

鋭利部材91は、片平刃であり、傾斜面91aを上方に向けた状態で移動機構92に支持される。このように、傾斜面91aを支持基板S側に向けた片平刃を鋭利部材91として用いることで、両平刃を用いた場合と比べて、鋭利部材91を重合基板T内に進入させた際に被処理基板Wが受ける負荷を抑えることができる。   The sharp member 91 is a single flat blade, and is supported by the moving mechanism 92 with the inclined surface 91a facing upward. As described above, when the single flat blade with the inclined surface 91a facing the support substrate S side is used as the sharp member 91, the sharp member 91 enters the superposed substrate T as compared with the case where both flat blades are used. The load received by the substrate to be processed W can be suppressed.

剥離装置5は、まず、鋭利部材91を予め決められた位置まで前進させる(予備前進)。その後、剥離装置5は、鋭利部材91をさらに前進させて鋭利部材91を支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部90には、たとえばロードセル(図示せず)が設けられており、剥離装置5は、このロードセルを用いて鋭利部材91にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材91が支持基板Sに当接したことを検出する。   The peeling apparatus 5 first advances the sharp member 91 to a predetermined position (preliminary advance). Thereafter, the peeling device 5 further advances the sharp member 91 to bring the sharp member 91 into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. For example, a load cell (not shown) is provided in the peeling attraction unit 90, and the peeling device 5 detects the load applied to the sharp member 91 using the load cell, so that the sharp member 91 is supported by the support substrate. Detecting contact with S.

上述したように支持基板Sの側面は断面視において略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材91が支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接することにより、支持基板Sには、上方向きの力が加わることとなる。   As described above, the side surface of the support substrate S is formed in a substantially arc shape in a sectional view. Therefore, when the sharp member 91 contacts the side surface of the support substrate S near the adhesive G, an upward force is applied to the support substrate S.

つづいて、図11Bに示すように、剥離装置5は、鋭利部材91をさらに前進させる。これにより、支持基板Sは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Sの一部が接着剤Gから剥離して剥離開始部位Mが形成される。   Subsequently, as illustrated in FIG. 11B, the peeling device 5 further advances the sharp member 91. Thereby, the support substrate S is pushed upward along the curvature of the side surface. As a result, a part of the support substrate S is peeled off from the adhesive G, and a peeling start site M is formed.

なお、支持基板Sは第1保持部50には未だ保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Sの上方への移動が阻害されることがない。図11Bに示す処理において、鋭利部材91を前進させる距離d1は、たとえば2mm程度である。   Since the support substrate S is not yet held by the first holding unit 50 and is in a free state, the upward movement of the support substrate S is not hindered. In the process shown in FIG. 11B, the distance d1 for moving the sharp member 91 forward is, for example, about 2 mm.

剥離装置5は、剥離開始部位Mが形成されたことを確認する確認装置を備えていてもよい。たとえば、支持基板Sの上方に設置されるIR(Infrared)カメラを確認装置として用いることができる。   The peeling apparatus 5 may include a confirmation device that confirms that the peeling start site M has been formed. For example, an IR (Infrared) camera installed above the support substrate S can be used as the confirmation device.

赤外線は、支持基板Sにおいて被処理基板Wから剥離した部位と剥離していない部位とでその反射率が変化する。そこで、先ずIRカメラで支持基板Sを撮像することで、支持基板Sにおける赤外線の反射率の違い等が示された画像データが得られる。かかる画像データは制御装置30へ送信され、制御装置30では、この画像データに基づき、支持基板Sにおいて被処理基板Wから剥離した部位、すなわち剥離開始部位Mを検出することができる。   The reflectance of infrared rays varies depending on whether the support substrate S is peeled off from the substrate W to be processed or not. Therefore, by first imaging the support substrate S with an IR camera, image data showing the difference in the reflectance of infrared rays on the support substrate S is obtained. Such image data is transmitted to the control device 30, and the control device 30 can detect a part of the support substrate S peeled from the substrate W to be processed, that is, a peeling start part M.

剥離開始部位Mが検出された場合、剥離装置5は、後述する次の処理へ移行する。一方、制御装置30において剥離開始部位Mが検出されない場合、剥離装置5は、たとえば鋭利部材91をさらに前進させる、または鋭利部材91を一旦後退させて支持基板Sから離し、その後、図11A,図11Bに示す動作を再度実行するなどして、剥離開始部位Mを形成するようにする。このように、支持基板Sの剥離状態を確認する確認装置を設け、剥離状態に応じて剥離装置5を動作させることで、剥離開始部位Mを確実に形成することができる。   When the peeling start site M is detected, the peeling device 5 proceeds to the next process described later. On the other hand, when the peeling start site M is not detected in the control device 30, the peeling device 5 further advances the sharp member 91, for example, or retracts the sharp member 91 once to separate it from the support substrate S, and thereafter, FIG. The operation shown in FIG. 11B is performed again to form the separation start site M. Thus, the peeling start part M can be reliably formed by providing the confirmation apparatus which confirms the peeling state of the support substrate S, and operating the peeling apparatus 5 according to a peeling state.

剥離開始部位Mが形成されると、剥離装置5は、図11Cに示すように、回転昇降機構105(図4参照)を用いて第2保持部70およびフレーム保持部80を降下させつつ、鋭利部材91をさらに前進させる。これにより、被処理基板Wおよび接着剤Gには下方向きの力が加わり、鋭利部材91によって支持された支持基板Sには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Mが拡大する。   When the peeling start site M is formed, the peeling device 5 sharpens while lowering the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 using the rotary lifting mechanism 105 (see FIG. 4) as shown in FIG. 11C. The member 91 is further advanced. As a result, a downward force is applied to the substrate W and the adhesive G, and an upward force is applied to the support substrate S supported by the sharp member 91. Thereby, the peeling start site | part M expands.

なお、図11Cに示す処理において、鋭利部材91を前進させる距離d2は、たとえば1mm程度である。   In the process shown in FIG. 11C, the distance d2 for moving the sharp member 91 forward is, for example, about 1 mm.

このように、剥離装置5は、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に鋭利部材91を突き当てることにより、支持基板Sが被処理基板Wから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Mを重合基板Tの側面に形成することができる。   In this way, the peeling device 5 makes the peeling start site M that causes the support substrate S to be peeled off from the substrate W to be processed by overlapping the sharp substrate 91 against the side surface of the support substrate S near the adhesive G. It can be formed on the side surface.

支持基板Sは、接着剤Gの約5〜15倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材91を接着剤Gに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材91の鉛直方向の位置制御が容易である。   The support substrate S has a thickness of about 5 to 15 times that of the adhesive G. Therefore, compared with the case where the sharp member 91 is brought into contact with the adhesive G to form the peeling start portion, the vertical position control of the sharp member 91 is easy.

また、支持基板Sの接着剤G寄りの側面に鋭利部材91を当接させることによって、支持基板Sを被処理基板Wから引き剥がす方向の力(すなわち、上向きの力)を支持基板Sに加えることができる。しかも、支持基板Sの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Sを被処理基板Wから引き剥がす方向の力を支持基板Sに対して効率的に加えることができる。   Further, the sharp member 91 is brought into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G, whereby a force in the direction of peeling the support substrate S from the substrate W to be processed (that is, an upward force) is applied to the support substrate S. be able to. In addition, since the portion near the outermost edge portion of the support substrate S is lifted, a force in the direction of peeling the support substrate S from the substrate W can be efficiently applied to the support substrate S.

また、鋭利部材91を接着剤Gに突き当てる場合と比較して、鋭利部材91が被処理基板Wに接触する可能性を低下させることができる。したがって、鋭利部材91による被処理基板Wの損傷を防止することができる。   Further, as compared with the case where the sharp member 91 is abutted against the adhesive G, the possibility that the sharp member 91 contacts the substrate W to be processed can be reduced. Therefore, damage to the substrate W to be processed by the sharp member 91 can be prevented.

なお、「支持基板Sの接着剤G寄りの側面」は、より好ましくは、支持基板Sの接合面Sjから支持基板Sの厚みの1/4の位置までの側面、すなわち、鋭利部材91とのなす角度θが0度以上45度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材91とのなす角度θが小さいほど、支持基板Sを持ち上げる力を大きくすることができるためである。   The “side surface of the support substrate S near the adhesive G” is more preferably the side surface from the bonding surface Sj of the support substrate S to the position of ¼ of the thickness of the support substrate S, that is, the sharp member 91. It is preferable that the angle θ to be formed is a side face of 0 ° to 45 °. This is because as the angle θ formed with the sharp member 91 is smaller, the force for lifting the support substrate S can be increased.

また、支持基板Sと接着剤Gとの接着力が比較的弱い場合には、図11Aに示すように、鋭利部材91を支持基板Sの接着剤G寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Mを形成することが可能である。この場合、図11Bおよび図11Cに示す動作を省略することができる。   Further, when the adhesive force between the support substrate S and the adhesive G is relatively weak, as shown in FIG. 11A, the peeling is started simply by bringing the sharp member 91 into contact with the side surface of the support substrate S near the adhesive G. The site M can be formed. In this case, the operation shown in FIGS. 11B and 11C can be omitted.

また、支持基板Sと接着剤Gとの接着力が比較的強い場合には、剥離装置5は、たとえば図11Cに示す状態からさらに回転昇降機構105を用いて重合基板Tを鉛直軸周りに回転させてもよい。これにより、剥離開始部位Mが重合基板Tの周方向に拡大するため、支持基板Sを被処理基板Wから剥がし易くすることができる。   Further, when the adhesive force between the support substrate S and the adhesive G is relatively strong, the peeling device 5 further rotates the superposed substrate T around the vertical axis by using the rotary lifting mechanism 105 from the state shown in FIG. 11C, for example. You may let them. Thereby, since the peeling start site | part M expands in the circumferential direction of the superposition | polymerization board | substrate T, it can make it easy to peel the support substrate S from the to-be-processed substrate W. FIG.

ここで、鋭利部材91の刃先の形状について図12A〜図12Cを参照して説明する。図12A〜図12Cは、鋭利部材91の刃先の形状例を示す模式平面図である。   Here, the shape of the cutting edge of the sharp member 91 will be described with reference to FIGS. 12A to 12C. 12A to 12C are schematic plan views illustrating examples of the shape of the cutting edge of the sharp member 91.

図12Aに示すように、鋭利部材91の刃先911は、平面視において直線状に形成されていてもよい。しかし、図12Aに示すように、支持基板S(重合基板T)の周縁部は円弧状である。このため、鋭利部材91の刃先が平面視において直線状に形成されていると、平面視において支持基板Sと交わる刃先の2点(図12AのP1,P2)に対して負荷が集中し易く、刃こぼれ等が生じるおそれがある。   As shown in FIG. 12A, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may be formed in a straight line in a plan view. However, as shown to FIG. 12A, the peripheral part of the support substrate S (superposition | polymerization board | substrate T) is circular arc shape. For this reason, when the cutting edge of the sharp member 91 is linearly formed in a plan view, the load is likely to concentrate on two points (P1 and P2 in FIG. 12A) of the cutting edge that intersect with the support substrate S in a plan view. Blade spillage may occur.

そこで、たとえば図12Bに示すように、鋭利部材91の刃先911は、支持基板Sの外周部の形状に沿って円弧状に窪んだ形状としてもよい。これにより、刃先911全体が均等に支持基板Sに接触するため、刃先911の特定箇所に負荷が集中することを防止することができる。   Therefore, for example, as shown in FIG. 12B, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may have a shape recessed in an arc along the shape of the outer peripheral portion of the support substrate S. Thereby, since the whole blade edge | tip 911 contacts the support substrate S equally, it can prevent that load concentrates on the specific location of the blade edge | tip 911. FIG.

また、図12Cに示すように、鋭利部材91の刃先911は、その中心部が支持基板Sに向けて円弧状に突出した形状としてもよい。これにより、刃先911を直線状に形成した場合と比較して、刃先911のより多くの部分を重合基板T内に進入させることができるため、支持基板Sに上方向きの力を加えた際に鋭利部材91にかかる負荷をより広い面積で受けることができ、負荷の集中を防止することができる。   Further, as shown in FIG. 12C, the cutting edge 911 of the sharp member 91 may have a shape in which the center portion protrudes in an arc shape toward the support substrate S. Thereby, compared with the case where the blade edge 911 is formed in a straight line shape, a larger portion of the blade edge 911 can enter the superposed substrate T. Therefore, when an upward force is applied to the support substrate S, The load applied to the sharp member 91 can be received in a wider area, and concentration of the load can be prevented.

なお、刃先911の形状を図12Bに示す形状とした場合、支持基板Sは、鋭利部材91から均等な向きの力を受ける。一方、刃先911の形状を図12Cに示す形状とした場合には、支持基板Sは、鋭利部材91の刃先911の中心部を始点として拡散する向きの力を受けることとなる。   In addition, when the shape of the blade edge | tip 911 is made into the shape shown to FIG. 12B, the support substrate S receives the force of an equal direction from the sharp member 91. FIG. On the other hand, when the shape of the blade edge 911 is the shape shown in FIG. 12C, the support substrate S receives a force in the direction of diffusion starting from the center of the blade edge 911 of the sharp member 91.

ステップS103の剥離誘引処理を終えると、剥離装置5は、回転昇降機構105(図4参照)を用いて第2保持部70およびフレーム保持部80を上昇させて、重合基板Tの支持基板S側を第1保持部50の当接部51に当接させる(図10D参照)。そして、剥離装置5は、吸気装置532,542,552による吸気動作を開始させて、支持基板Sを第1保持部50で吸着保持する(ステップS104)。   When the peeling attraction process in step S103 is completed, the peeling device 5 raises the second holding unit 70 and the frame holding unit 80 by using the rotary elevating mechanism 105 (see FIG. 4), so that the superposed substrate T side of the support substrate S side. Is brought into contact with the contact portion 51 of the first holding portion 50 (see FIG. 10D). Then, the peeling device 5 starts the suction operation by the suction devices 532, 542, and 552, and holds the support substrate S by suction with the first holding unit 50 (step S104).

つづいて、剥離装置5は、移動部61(図4参照)を動作させて(ステップS105)、剥離開始部位Mに対応する第1保持部50の外周部の一部、すなわち、個別領域514(図6参照)を第2保持部70から離す方向に移動させる。これにより、支持基板Sの外周部の一部が被処理基板Wから剥離する(図10E参照)。   Subsequently, the peeling device 5 operates the moving unit 61 (see FIG. 4) (step S105), and a part of the outer peripheral portion of the first holding unit 50 corresponding to the peeling start site M, that is, the individual region 514 ( 6) is moved away from the second holding part 70. Thereby, a part of outer peripheral part of the support substrate S peels from the to-be-processed substrate W (refer FIG. 10E).

このとき、第1追加移動部62および第2追加移動部63はまだ動作していないため、支持基板Sは、第1追加移動部62および第2追加移動部63によって上方から押さえ付けられた状態で、移動部61によって外周部の一部が引っ張られることとなる。したがって、支持基板Sの外周部の一部を被処理基板Wから効率良く剥離させることができる。   At this time, since the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63 are not yet operated, the support substrate S is pressed from above by the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63. Thus, a part of the outer peripheral portion is pulled by the moving portion 61. Therefore, a part of the outer periphery of the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate to be processed W.

また、弾性部材52は、弾性部材片521〜523に分割されているため、移動部61によって弾性部材片521が引っ張られた場合でも、弾性部材片522や弾性部材片523には上向きの力がかかり難い。したがって、第1追加移動部62および第2追加移動部63によって支持基板Sが押さえ付けられた状態を維持し易いため、支持基板Sの外周部の一部を被処理基板Wからより効率良く剥離させることができる。   In addition, since the elastic member 52 is divided into elastic member pieces 521 to 523, even when the elastic member piece 521 is pulled by the moving unit 61, an upward force is applied to the elastic member piece 522 and the elastic member piece 523. It's hard to take. Therefore, since it is easy to maintain the state where the support substrate S is pressed by the first additional movement unit 62 and the second additional movement unit 63, a part of the outer peripheral portion of the support substrate S is more efficiently separated from the substrate W to be processed. Can be made.

また、第1保持部50の当接部51は、柔軟性を有する樹脂部材で形成されるため、移動部61が第1保持部50を引っ張った際に、かかる引っ張りに伴って柔軟に変形する。このため、被処理基板Wに対して大きな負荷をかけることなく、支持基板Sを被処理基板Wから剥離させることができる。しかも、当接部51が柔軟性を有することで、支持基板Sを被処理基板Wから剥離させる力に「粘り」を加えることができるため、支持基板Sを被処理基板Wから効率良く剥離させることができる。   Moreover, since the contact part 51 of the 1st holding | maintenance part 50 is formed with the resin member which has a softness | flexibility, when the moving part 61 pulls the 1st holding | maintenance part 50, it deform | transforms flexibly with this tension | pulling. . For this reason, the supporting substrate S can be peeled from the substrate to be processed W without applying a large load to the substrate to be processed W. In addition, since the contact portion 51 has flexibility, it is possible to apply “stickiness” to the force for peeling the support substrate S from the substrate W, so that the support substrate S can be efficiently peeled from the substrate W. be able to.

つづいて、剥離装置5は、第1追加移動部62(図4参照)を動作させて(ステップS106)、第1保持部50の個別領域515(図6参照)を第2保持部70から離す方向に移動させる。これにより、移動部61によって被処理基板Wから剥離された支持基板Sの外周部に引き続き、支持基板Sにおける個別領域515に吸着保持された部分が被処理基板Wから剥離する(図10F参照)。   Subsequently, the peeling device 5 operates the first additional moving unit 62 (see FIG. 4) (step S106), and separates the individual region 515 (see FIG. 6) of the first holding unit 50 from the second holding unit 70. Move in the direction. Thereby, the part adsorbed and held in the individual region 515 in the support substrate S is peeled off from the substrate to be processed W, following the outer peripheral portion of the support substrate S peeled off from the substrate W to be processed by the moving unit 61 (see FIG. 10F). .

このとき、第2追加移動部63はまだ動作していないため、支持基板Sは、第2追加移動部63によって上方から押さえ付けられた状態で、第1追加移動部62によって引っ張られることとなる。したがって、支持基板Sにおける個別領域515に吸着保持された部分を被処理基板Wから効率良く剥離させることができる。   At this time, since the second additional moving unit 63 is not yet operated, the support substrate S is pulled by the first additional moving unit 62 while being pressed from above by the second additional moving unit 63. . Therefore, the portion of the support substrate S that is attracted and held in the individual region 515 can be efficiently peeled from the substrate W to be processed.

また、上述したように、弾性部材52は、弾性部材片521〜523に分割されているため、第1追加移動部62によって弾性部材片522が引っ張られた場合でも、弾性部材片523には上向きの力がかかり難い。したがって、第2追加移動部63によって支持基板Sが押さえ付けられた状態を維持し易いため、支持基板Sにおける個別領域515に吸着保持された部分を被処理基板Wからより効率良く剥離させることができる。   As described above, since the elastic member 52 is divided into the elastic member pieces 521 to 523, even when the elastic member piece 522 is pulled by the first additional moving unit 62, the elastic member piece 523 faces upward. It is difficult to apply power. Therefore, since it is easy to maintain the state in which the support substrate S is pressed by the second additional moving unit 63, the portion of the support substrate S that is sucked and held in the individual region 515 can be more efficiently separated from the target substrate W. it can.

つづいて、剥離装置5は、第2追加移動部63(図4参照)を動作させて(ステップS107)、第1保持部50の個別領域516(図6参照)を第2保持部70から離す方向に移動させる。これにより、第1追加移動部62によって被処理基板Wから剥離された支持基板Sの部分に引き続き、支持基板Sにおける個別領域516に吸着保持された部分が被処理基板Wから剥離する。   Subsequently, the peeling device 5 operates the second additional moving unit 63 (see FIG. 4) (step S107) to separate the individual region 516 (see FIG. 6) of the first holding unit 50 from the second holding unit 70. Move in the direction. As a result, following the portion of the support substrate S that has been separated from the substrate W to be processed by the first additional moving unit 62, the portion of the support substrate S that is attracted and held in the individual region 516 is separated from the substrate W to be processed.

このように、剥離装置5は、移動部61を動作させた後、第1追加移動部62および第2追加移動部63を剥離の起点側に近い第1追加移動部62から順に段階的に動作させる。これにより、支持基板Sをその一端から他端へ向けて被処理基板Wから連続的に剥離させることができる。   As described above, after the separation unit 5 operates the moving unit 61, the first additional movement unit 62 and the second additional movement unit 63 are operated stepwise in order from the first additional movement unit 62 close to the separation starting side. Let Thereby, the support substrate S can be continuously peeled from the substrate W to be processed from one end to the other end.

その後、剥離装置5は、第1追加移動部62および第2追加移動部63を用いて第1保持部50の個別領域515,516を上昇させ、あるいは、移動部61および第1追加移動部62を用いて個別領域514,515を降下させるなどして支持基板Sを水平にした上で、剥離処理を終了する(図10G参照)。   Thereafter, the peeling device 5 raises the individual regions 515 and 516 of the first holding unit 50 using the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63, or the moving unit 61 and the first additional moving unit 62. Is used to lower the individual regions 514 and 515 to level the support substrate S, and the peeling process is completed (see FIG. 10G).

上述してきたように、本実施形態に係る剥離装置5は、第1保持部50と、第2保持部70と、移動部61とを備える。第1保持部50は、支持基板S(第1基板の一例に相当)と被処理基板W(第2基板の一例に相当)とが接合された重合基板Tのうち支持基板Sを保持する。第2保持部70は、重合基板Tのうち被処理基板Wを保持する。移動部61は、第1保持部50の外周部の一部を第2保持部70から離す方向へ移動させる。また、第1保持部50は、柔軟性を有し、支持基板Sの略全面に当接する当接部51と、当接部51に設けられ、支持基板Sにおける当接部51との当接面を吸引する第1吸引部53(吸引部の一例に相当)とを備える。したがって、本実施形態に係る剥離装置5によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。   As described above, the peeling device 5 according to this embodiment includes the first holding unit 50, the second holding unit 70, and the moving unit 61. The first holding unit 50 holds the support substrate S in the superposed substrate T in which the support substrate S (corresponding to an example of the first substrate) and the target substrate W (corresponding to an example of the second substrate) are bonded. The second holding unit 70 holds the substrate W to be processed among the superposed substrates T. The moving unit 61 moves a part of the outer periphery of the first holding unit 50 in a direction away from the second holding unit 70. In addition, the first holding unit 50 is flexible and is provided on the contact portion 51 that contacts substantially the entire surface of the support substrate S and the contact portion 51 on the support substrate S. And a first suction part 53 (corresponding to an example of a suction part) for sucking the surface. Therefore, according to the peeling apparatus 5 which concerns on this embodiment, efficiency improvement of a peeling process can be achieved.

<4.その他の実施形態>
ところで、上述してきた実施形態では、弾性部材52を分割することで、第1追加移動部62や第2追加移動部63によって支持基板Sが押さえ付けられた状態を維持し易くすることとしたが、さらに、当接部51自体を分割してもよい。図13は、第1の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
<4. Other Embodiments>
In the embodiment described above, the elastic member 52 is divided to facilitate maintaining the state where the support substrate S is pressed by the first additional moving unit 62 and the second additional moving unit 63. Further, the contact portion 51 itself may be divided. FIG. 13 is a schematic bottom view illustrating the configuration of the contact portion according to the first modification. In the following description, parts that are the same as those already described are given the same reference numerals as those already described, and redundant descriptions are omitted.

図13に示すように、第1の変形例に係る当接部51Aは、個別領域514に対応する部位が他の部位と分割されている。   As shown in FIG. 13, in the contact portion 51 </ b> A according to the first modification, a part corresponding to the individual region 514 is divided from other parts.

ここで、上述したように、支持基板Sを被処理基板Wから剥離する場合、剥離の最も起点側の領域を剥離するのに最も大きな力を要する。したがって、剥離の最も起点側に設けられる個別領域514に対応する当接部51Aの部位を分割することで、移動部61を用いて個別領域514を引っ張った際に、第1追加移動部62および第2追加移動部63によって個別領域515,516が押さえ付けられた状態をより確実に維持することができ、支持基板Sの外周部の一部を被処理基板Wからより確実に剥離させることができる。   Here, as described above, when the support substrate S is peeled from the target substrate W, the greatest force is required to peel the region on the most starting point side of the peeling. Therefore, when the individual region 514 is pulled using the moving unit 61 by dividing the portion of the contact portion 51A corresponding to the individual region 514 provided on the most starting point side of peeling, the first additional moving unit 62 and The state in which the individual regions 515 and 516 are pressed down by the second additional moving unit 63 can be more reliably maintained, and a part of the outer peripheral portion of the support substrate S can be more reliably separated from the substrate W to be processed. it can.

なお、当接部51Aは、さらに、個別領域515に対応する部位が個別領域516に対応する部位から分割されていてもよい。すなわち、当接部51Aは、個別領域514〜516ごとに分割されていてもよい。   In the contact portion 51 </ b> A, a part corresponding to the individual area 515 may be further divided from a part corresponding to the individual area 516. That is, the contact portion 51A may be divided for each of the individual regions 514 to 516.

また、上述してきた実施形態では、当接部51の各個別領域514〜516に吸引口511〜513がそれぞれ1つずつ設けられる場合の例について説明したが、1つの個別領域514〜516に複数の吸引口が形成されてもよい。図14は、第2の変形例に係る当接部の構成を示す模式底面図である。   In the embodiment described above, an example in which one suction port 511 to 513 is provided in each of the individual regions 514 to 516 of the contact portion 51 has been described. The suction port may be formed. FIG. 14 is a schematic bottom view showing the configuration of the contact portion according to the second modification.

たとえば、図14に示すように、第2の変形例に係る当接部51Bは、剥離の進行方向に沿って配置された3つの吸引口511〜513に加え、個別領域515に対してさらに2つの吸引口512A,512Bを備える。吸引口512および吸引口512A,512Bは、個別領域515に対して円弧状に並べて配置される。また、吸引口512および吸引口512A,512Bは、1つの吸気装置542(図4参照)に接続されてもよいし、それぞれ個別の吸気装置に接続されてもよい。   For example, as shown in FIG. 14, the contact portion 51 </ b> B according to the second modified example is further provided with respect to the individual region 515 in addition to the three suction ports 511 to 513 arranged along the advancing direction of peeling. Two suction ports 512A and 512B are provided. The suction port 512 and the suction ports 512A and 512B are arranged in an arc shape with respect to the individual region 515. In addition, the suction port 512 and the suction ports 512A and 512B may be connected to one intake device 542 (see FIG. 4), or may be connected to individual intake devices.

このように、1つの個別領域515に対して複数の吸引口512,512A,512Bを設けることにより、支持基板Sをより強力に保持しておくことができる。   Thus, by providing the plurality of suction ports 512, 512A, and 512B for one individual region 515, the support substrate S can be held more strongly.

なお、ここでは、個別領域515に対して合計3個の吸引口512,512A,512Bを設ける場合の例を示したが、個別領域515に対して4個以上の吸引口を設けてもよい。同様に、個別領域514や個別領域516にも複数の吸引口を設けてもよい。   Here, an example in which a total of three suction ports 512, 512A, and 512B are provided for the individual region 515 is shown, but four or more suction ports may be provided for the individual region 515. Similarly, a plurality of suction ports may be provided in the individual area 514 and the individual area 516.

また、上述してきた実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Wと支持基板Sとが接着剤Gによって接合された重合基板Tである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Tに限定されない。たとえば、剥離装置5では、SOI基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。   Further, in the embodiment described above, an example in which the superposed substrate to be peeled is the superposed substrate T in which the substrate to be processed W and the support substrate S are bonded by the adhesive G has been described. However, the superposition | polymerization board | substrate used as the peeling object of a peeling apparatus is not limited to this superposition | polymerization board | substrate T. FIG. For example, in the peeling apparatus 5, in order to generate an SOI substrate, a superposed substrate in which a donor substrate on which an insulating film is formed and a substrate to be processed are bonded to each other can be a peeling target.

ここで、SOI基板の製造方法について図15Aおよび図15Bを参照して説明する。図15Aおよび図15Bは、SOI基板の製造工程を示す模式図である。図15Aに示すように、SOI基板を形成するための重合基板Taは、ドナー基板Kとハンドル基板Hとを接合することによって形成される。   Here, a method for manufacturing an SOI substrate will be described with reference to FIGS. 15A and 15B. 15A and 15B are schematic views showing a manufacturing process of the SOI substrate. As shown in FIG. 15A, the polymerization substrate Ta for forming the SOI substrate is formed by bonding the donor substrate K and the handle substrate H.

ドナー基板Kは、表面に絶縁膜6が形成されるとともに、ハンドル基板Hと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層7が形成された基板である。また、ハンドル基板Hとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。   The donor substrate K is a substrate in which the insulating film 6 is formed on the surface and the hydrogen ion implantation layer 7 is formed at a predetermined depth near the surface to be bonded to the handle substrate H. As the handle substrate H, for example, a silicon wafer, a glass substrate, a sapphire substrate, or the like can be used.

剥離装置5では、たとえば、第1保持部50でドナー基板Kを保持し、第2保持部70でハンドル基板Hを保持した状態で、移動部61を用いて重合基板Taの外周部の一部を引っ張ることで、ドナー基板Kに形成された水素イオン注入層7に対して機械的衝撃を与える。これにより、図15Bに示すように、水素イオン注入層7内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Kからシリコン層8が剥離する。その結果、ハンドル基板Hの上面に絶縁膜6とシリコン層8とが転写され、SOI基板Waが形成される。なお、第1保持部50でハンドル基板Hを保持し、第2保持部70でドナー基板Kを保持してもよい。   In the peeling apparatus 5, for example, in a state where the donor substrate K is held by the first holding unit 50 and the handle substrate H is held by the second holding unit 70, a part of the outer peripheral portion of the polymerization substrate Ta is used using the moving unit 61. Is applied to the hydrogen ion implantation layer 7 formed on the donor substrate K. As a result, as shown in FIG. 15B, the silicon-silicon bond in the hydrogen ion implantation layer 7 is cut, and the silicon layer 8 is peeled from the donor substrate K. As a result, the insulating film 6 and the silicon layer 8 are transferred onto the upper surface of the handle substrate H, and the SOI substrate Wa is formed. The handle substrate H may be held by the first holding unit 50, and the donor substrate K may be held by the second holding unit 70.

また、上述してきた実施形態では、被処理基板Wと支持基板Sとを接着剤Gを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Wj,Sjを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。   Further, in the embodiment described above, an example in the case where the target substrate W and the support substrate S are bonded using the adhesive G has been described. However, the bonding surfaces Wj and Sj are divided into a plurality of regions, and each region is divided. Adhesives with different adhesive strengths may be applied.

また、上述した実施形態では、重合基板Tが、ダイシングフレームFに保持される場合の例について説明したが、重合基板Tは、必ずしもダイシングフレームFに保持されることを要しない。   In the above-described embodiment, an example in which the superposed substrate T is held by the dicing frame F has been described. However, the superposed substrate T is not necessarily held by the dicing frame F.

また、上述した実施形態では、剥離誘引部90が備える鋭利部材91が平刃である場合の例について説明したが、鋭利部材91は、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。   In the above-described embodiment, an example in which the sharp member 91 included in the peeling attraction part 90 is a flat blade has been described. However, the sharp member 91 may be a razor blade, a roller blade, an ultrasonic cutter, or the like. Good.

また、上述した実施形態では、第1追加移動部62が当接部51の個別領域515に対応する部位に設けられ、第2追加移動部63が当接部51の個別領域516に対応する部位に設けられる場合について説明したが、追加移動部は、個別領域515に対応する部位または個別領域516に対応する部位のいずれか一方にのみ設けられてもよい。また、剥離装置5は、必ずしも追加移動部を備えることを要しない。   Further, in the above-described embodiment, the first additional moving part 62 is provided in a part corresponding to the individual area 515 of the contact part 51, and the second additional moving part 63 is a part corresponding to the individual area 516 of the contact part 51. However, the additional moving unit may be provided only in one of the part corresponding to the individual area 515 and the part corresponding to the individual area 516. Moreover, the peeling apparatus 5 does not necessarily need to be provided with an additional moving part.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。   Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Thus, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.

F ダイシングフレーム
P ダイシングテープ
S 支持基板
T 重合基板
W 被処理基板
1 剥離システム
5 剥離装置
10 第1処理ブロック
15 剥離ステーション
20 第2処理ブロック
30 制御装置
50 第1保持部
51 当接部
52 弾性部材
53 第1吸引部
54 第2吸引部
55 第3吸引部
61 移動部
62 第1追加移動部
63 第2追加移動部
70 第2保持部
80 フレーム保持部
90 剥離誘引部
91 鋭利部材
F Dicing frame P Dicing tape S Support substrate T Superposition substrate W Substrate 1 Peeling system 5 Peeling device 10 Peeling device 10 Peeling station 20 Peeling station 20 Second treatment block 30 Control device 50 First holding part 51 Contact part 52 Elastic member 53 1st suction part 54 2nd suction part 55 3rd suction part 61 movement part 62 1st additional movement part 63 2nd additional movement part 70 2nd holding part 80 frame holding part 90 peeling induction part 91 sharp member

Claims (12)

第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
前記第1保持部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる1または複数の追加移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
柔軟性を有し、前記第1基板の略全面に当接する分割されていない当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第1基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
前記当接部における前記第1基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材と
を備え
前記弾性部材は、
剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割され、
前記移動部は、
前記複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、
前記追加移動部は、
前記剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の前記弾性部材片のうちの少なくとも1つに設けられること
を特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving unit that moves a part of the outer periphery of the first holding unit in a direction away from the second holding unit ;
One or a plurality of additional moving parts that move a part of the first holding part in a direction away from the second holding part ;
The first holding part is
A non- divided contact portion that has flexibility and contacts substantially the entire surface of the first substrate;
A suction part that is provided in the contact part and sucks a contact surface of the first substrate with the contact part ;
A thin plate-like elastic member provided on the surface of the contact portion opposite to the contact surface with the first substrate ;
The elastic member is
Divided into a plurality of elastic member pieces lined up along the direction of peeling,
The moving unit is
Among the plurality of elastic member pieces, provided corresponding to the elastic member pieces arranged on the most starting side of peeling,
The additional moving unit is
A peeling apparatus, wherein the peeling device is provided on at least one of the elastic member pieces other than the elastic member piece arranged on the most starting side of the peeling.
前記当接部の吸着領域は、
複数の個別領域に区画され、
前記吸引部は、
前記個別領域に対応して複数設けられること
を特徴とする請求項1に記載の剥離装置。
The suction area of the contact portion is
Divided into multiple individual areas,
The suction part is
The peeling apparatus according to claim 1, wherein a plurality of the peeling areas are provided corresponding to the individual regions.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
柔軟性を有し、前記第1基板の略全面に当接する当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第1基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
を備え
前記当接部の吸着領域は、
剥離の進行方向に膨らむ1または複数の円弧によって複数の個別領域に区画され、
前記吸引部は、
前記個別領域に対応して複数設けられること
を特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A contact portion having flexibility and contacting substantially the entire surface of the first substrate;
A suction part that is provided in the contact part and sucks a contact surface of the first substrate with the contact part ;
The suction area of the contact portion is
Partitioned into a plurality of individual regions by one or more arcs that swell in the direction of peeling.
The suction part is
A plurality of peeling devices provided corresponding to the individual regions .
剥離の終点側に設けられる前記個別領域は、剥離の進行方向と直交する方向に延びる直線状の溝を備え、該個別領域よりも剥離の起点側に設けられる前記個別領域のうちの少なくとも一つは、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を備えること
を特徴とする請求項2または3に記載の剥離装置。
The individual area provided on the end point side of peeling includes a linear groove extending in a direction orthogonal to the direction of progress of peeling, and at least one of the individual areas provided on the starting side of peeling from the individual area. 4. The peeling device according to claim 2, further comprising an arc-shaped groove that swells in a peeling direction.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
柔軟性を有し、前記第1基板の略全面に当接する当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第1基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
を備え
前記当接部の吸着領域は、
複数の個別領域に区画され、
前記吸引部は、
前記個別領域に対応して複数設けられ、
剥離の終点側に設けられる前記個別領域は、剥離の進行方向と直交する方向に延びる直線状の溝を備え、該個別領域よりも剥離の起点側に設けられる前記個別領域のうちの少なくとも一つは、剥離の進行方向に膨らむ円弧状の溝を備えること
を特徴とする剥離装置。
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates in which the first substrate and the second substrate are bonded;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving part that moves a part of the outer peripheral part of the first holding part in a direction away from the second holding part,
The first holding part is
A contact portion having flexibility and contacting substantially the entire surface of the first substrate;
A suction part that is provided in the contact part and sucks a contact surface of the first substrate with the contact part ;
The suction area of the contact portion is
Divided into multiple individual areas,
The suction part is
A plurality are provided corresponding to the individual areas,
The individual area provided on the end point side of peeling includes a linear groove extending in a direction orthogonal to the direction of progress of peeling, and at least one of the individual areas provided on the starting side of peeling from the individual area. Is provided with an arc-shaped groove that swells in the direction of peeling.
前記第1保持部は、
前記当接部における前記第1基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材
を備えることを特徴とする請求項3または5に記載の剥離装置。
The first holding part is
The peeling apparatus according to claim 3, further comprising a thin plate-like elastic member provided on a surface of the contact portion opposite to the contact surface with the first substrate.
前記第1保持部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる1または複数の追加移動部
を備えることを特徴とする請求項に記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to claim 6 , further comprising one or a plurality of additional moving units that move a part of the first holding unit in a direction away from the second holding unit.
前記弾性部材は、
剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割され、
前記移動部は、
前記複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、
前記追加移動部は、
前記剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の前記弾性部材片のうちの少なくとも1つに設けられること
を特徴とする請求項に記載の剥離装置。
The elastic member is
Divided into a plurality of elastic member pieces lined up along the direction of peeling,
The moving unit is
Among the plurality of elastic member pieces, provided corresponding to the elastic member pieces arranged on the most starting side of peeling,
The additional moving unit is
The peeling device according to claim 7 , wherein the peeling device is provided on at least one of the elastic member pieces other than the elastic member piece arranged on the most starting point side of the peeling.
前記移動部および前記追加移動部を剥離の起点側に近いものから順に動作させること
を特徴とする請求項1、7または8に記載の剥離装置。
The peeling apparatus according to claim 1, 7 or 8 , wherein the moving unit and the additional moving unit are operated in order from the one closer to the peeling start side.
前記当接部は、
剥離の最も起点側に配置される前記個別領域に対応する部位が他の部位と分割されること
を特徴とする請求項3または5に記載の剥離装置。
The contact portion is
6. The peeling apparatus according to claim 3, wherein a part corresponding to the individual region arranged on the most starting side of peeling is divided from other parts.
第1基板と第2基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第1基板と前記第2基板とに剥離する剥離装置が配置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第1基板を保持する第1保持部と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部と、
前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部と
前記第1保持部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる1または複数の追加移動部と
を備え、
前記第1保持部は、
柔軟性を有し、前記第1基板の略全面に当接する分割されていない当接部と、
前記当接部に設けられ、前記第1基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と
前記当接部における前記第1基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材と
を備え
前記弾性部材は、
剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割され、
前記移動部は、
前記複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、
前記追加移動部は、
前記剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の前記弾性部材片のうちの少なくとも1つに設けられること
を特徴とする剥離システム。
A loading / unloading station on which a superposed substrate in which the first substrate and the second substrate are bonded is placed;
A substrate transfer device for transferring the superposed substrate placed on the carry-in / out station;
A peeling station where a peeling device for peeling the superposed substrate transferred by the substrate transfer device into the first substrate and the second substrate is disposed;
The peeling device is
A first holding unit for holding the first substrate among the superposed substrates;
A second holding unit for holding the second substrate among the superposed substrates;
A moving unit that moves a part of the outer periphery of the first holding unit in a direction away from the second holding unit ;
One or a plurality of additional moving parts that move a part of the first holding part in a direction away from the second holding part ;
The first holding part is
A non- divided contact portion that has flexibility and contacts substantially the entire surface of the first substrate;
A suction part that is provided in the contact part and sucks a contact surface of the first substrate with the contact part ;
Wherein a thin plate-shaped elastic member provided on a surface opposite to the contact surface of the first substrate at the contact portion,
The elastic member is
Divided into a plurality of elastic member pieces lined up along the direction of peeling,
The moving unit is
Among the plurality of elastic member pieces, provided corresponding to the elastic member pieces arranged on the most starting side of peeling,
The additional moving unit is
A peeling system provided on at least one of the elastic member pieces other than the elastic member piece arranged on the most starting point side of the peeling.
柔軟性を有し、第1基板と第2基板とが接合された重合基板のうち前記第1基板の略全面に当接する分割されていない当接部と、前記当接部に設けられ、前記第1基板における前記当接部との当接面を吸引する吸引部と、前記当接部における前記第1基板との当接面とは反対側の面に設けられる薄板状の弾性部材とを備え、前記弾性部材が、剥離の進行方向に沿って並ぶ複数の弾性部材片に分割された第1保持部の前記当接部を、前記第1基板の略全面に当接させる当接工程と、
前記吸引部によって前記第1基板の前記当接面を吸引して、前記第1基板を吸着保持する第1保持工程と、
前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持部によって、前記重合基板のうち前記第2基板を保持する第2保持工程と、
前記複数の弾性部材片のうち、剥離の最も起点側に配置される弾性部材片に対応して設けられ、前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動部によって、前記第1保持部の外周部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる移動工程と
前記剥離の最も起点側に配置される弾性部材片以外の前記弾性部材片のうちの少なくとも1つに設けられ、前記第1保持部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる1または複数の追加移動部によって、前記第1保持部の一部を前記第2保持部から離す方向へ移動させる追加移動工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。
A non- divided contact portion that contacts the substantially entire surface of the first substrate among the superposed substrates having the first substrate and the second substrate bonded to each other; and the contact portion, A suction portion for sucking a contact surface of the first substrate with the contact portion; and a thin plate-like elastic member provided on a surface opposite to the contact surface of the contact portion with the first substrate. An abutting step in which the abutting portion of the first holding portion divided into a plurality of elastic member pieces arranged in the direction of peeling is brought into contact with substantially the entire surface of the first substrate. ,
A first holding step of sucking and holding the first substrate by sucking the contact surface of the first substrate by the suction unit;
A second holding step of holding the second substrate of the superposed substrates by a second holding unit that holds the second substrate of the superposed substrates;
Among the plurality of elastic member pieces, the elastic member piece is provided corresponding to the elastic member piece arranged closest to the starting point of peeling, and a part of the outer peripheral part of the first holding part moves in a direction away from the second holding part. A moving step of moving a part of the outer peripheral portion of the first holding portion in a direction away from the second holding portion by the moving portion to be moved ;
1 provided on at least one of the elastic member pieces other than the elastic member piece arranged on the most starting point side of the peeling, and moving a part of the first holding part in a direction away from the second holding part. Or the peeling method characterized by including the additional movement process of moving a part of said 1st holding | maintenance part in the direction which leaves | separates from the said 2nd holding | maintenance part by several additional movement part .
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