JP4870769B2 - 窒化ケイ素を用いないシリコンkohエッチング用ネガ型フォトレジスト - Google Patents
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 38
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 35
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 26
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 20
- -1 hexafluoroantimonate Chemical compound 0.000 claims description 20
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 20
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000005409 triarylsulfonium group Chemical group 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012955 diaryliodonium Substances 0.000 claims description 8
- 125000005520 diaryliodonium group Chemical group 0.000 claims description 8
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 6
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 6
- UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 OLLFKUHHDPMQFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 claims description 4
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 claims description 4
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 claims description 4
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 claims description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 4
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]C1=CC=CC=C1 VDCSGNNYCFPWFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DLZQJNZPOPCBDI-UHFFFAOYSA-N (3-bromophenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC(Br)=C1 DLZQJNZPOPCBDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NBMRBPRZMHCUOR-UHFFFAOYSA-N (3-chlorophenyl)-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC(Cl)=C1 NBMRBPRZMHCUOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWCJNVUIVCCXER-UHFFFAOYSA-N 2-(1-phenylprop-2-enoxymethyl)oxirane Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=C)OCC1CO1 GWCJNVUIVCCXER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N dichloro(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 OSXYHAQZDCICNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HLXCYTXLQJWQFG-UHFFFAOYSA-N diphenyl(2-triethoxysilylethyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)C1=CC=CC=C1 HLXCYTXLQJWQFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 3
- BGSBEWOQSOBCCU-UHFFFAOYSA-N trichloro(3-phenoxypropyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCOC1=CC=CC=C1 BGSBEWOQSOBCCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FBWZYYICCYUVNO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(sulfonylmethoxy)silane Chemical compound S(=O)(=O)=CO[SiH](OC)OC FBWZYYICCYUVNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BIBZKNXZTAKPDB-UHFFFAOYSA-N trichloro-(2,3-dichlorophenyl)silane Chemical compound ClC1=CC=CC([Si](Cl)(Cl)Cl)=C1Cl BIBZKNXZTAKPDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 36
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 32
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 15
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 13
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 8
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 8
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)O FENFUOGYJVOCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 229940054273 1-propoxy-2-propanol Drugs 0.000 description 2
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 0 C*(*)*Nc1c(*)c(*)c(*)c(*)c1* Chemical compound C*(*)*Nc1c(*)c(*)c(*)c(*)c1* 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005059 solid analysis Methods 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPOGMJLHWQHEGF-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCl GPOGMJLHWQHEGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical class OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- 239000013504 Triton X-100 Substances 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004103 aminoalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000003930 superacid Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- SUIOPANHTSHMHP-UHFFFAOYSA-N trichloro-(3,4-dichlorophenyl)silane Chemical compound ClC1=CC=C([Si](Cl)(Cl)Cl)C=C1Cl SUIOPANHTSHMHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N trihydroxy(phenyl)silane Chemical compound O[Si](O)(O)C1=CC=CC=C1 FCVNATXRSJMIDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
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Description
本出願は、「窒化ケイ素を用いないシリコンKOHエッチング用ネガ型フォトレジスト」という標題の下に2005年9月9日付で出願された、本明細書に参考として含まれる米国特許出願第60/715,964号の優先権を主張する。
好ましいプライマー層は、溶媒系に分散または溶解したシランを含むプライマー層組成物から成る。本発明のプライマー層用として特に好ましいシランは芳香族シランおよびオルガノシランである。シランは、エポキシ基と反応して共有結合を形成することでシリコン基板への付着を非常に強固にする基を化合物1モル当たり、またはポリマーの1反復単位当たり少なくとも1個(好ましくは2、3個)有することが好ましい。そのような基の好ましい一例はアミン基である。
によって表わすこともでき、前記式中、
ここで、
i、jおよびkは、0および1から成る群からそれぞれ独立に選択され、iおよびjの一方が1の時iおよびjの他方は0であり、
各R4は水素、ハロゲン、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキル、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルコキシ、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R5はC1〜C8(好ましくはC1〜C4)脂肪族基から成る群から独立に選択され、
各R6は水素およびハロアルキル(好ましくはC1〜C8、より好ましくはC1〜C4)から成る群から独立に選択され、
各Xはハロゲン、ヒドロキシ、C1〜C4アルコキシおよびC1〜C4カルボキシから成る群から独立に選択され、
Yは酸素および硫黄から成る群から選択され、
Zは窒素およびリンから成る群から選択され、
各dは0および1から成る群から独立に選択される。
を有し、前記式中、
各R7は水素、ハロゲン、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキル、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルコキシ、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R8はC1〜C8(好ましくはC1〜C4)脂肪族基から成る群から独立に選択される。
である。このシランは3−[N−フェニルアミノ]プロピルトリメトキシシラン(既出)であり、Lancaster SynthesisおよびGelest Corporationから市販されている。
感光層は、溶媒系に分散または溶解したポリマーを含む組成物から成る。好ましいポリマーは、スチレンモノマー;アクリロニトリルモノマー;およびアミンと反応する官能基を有するモノマーを繰り返し含むターポリマーである。
を有する。
好ましいアクリロニトリルモノマーは式
を有する。
アミンと反応する官能基を有するモノマーの好ましい例には、1個以上のエポキシ基を有するモノマー(例えばメタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジル、ビニルベンジルグリシジルエーテル)が含まれる。その一例は式
によって表わされる。
上記式(I)〜(III)のそれぞれにおいて、
各R1は水素およびC1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキルから成る群から独立に選択され、
各R2は水素、C1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルキルおよびC1〜C8(好ましくはC1〜C4)アルコキシから成る群から独立に選択される。
〔式中各R3はC3H7、C8H17、CH3C6H4およびショウノウから成る群から独立に選択される〕から成る群から選択されるものが含まれる。式(IV)および(V)のPAGはCiba Specialty Chemicalsにより、CGI 13XXファミリーおよびCGI 26Xファミリーとしてそれぞれ販売されている。
このプロセスで好ましく用いられる基板には、シリコンを含有するものが含まれる。Si基板、SiO2基板、Si3N4基板、SiO2被覆シリコン基板、Si3N4被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される基板が特に好ましい。
67.50gのスチレン、25.00gのアクリロニトリル、7.50gのメタクリル酸グリシジル、および1.25gの2,2′−アゾビスイソブチロニトリルを400gのシクロペンタノンに溶解させて溶液を作製した。前記物質はいずれもAldrichから入手した。溶液を磁気攪拌しつつ窒素下に65℃に加熱した。65℃で98時間、重合を進行させた。実際の収量を固体解析で決定したところ、理論収量の97%であった。
この調製工程では、本実施例の第1部で合成したターポリマー溶液50.03gに25.01gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート(PGMEA: General Chemical)および1.03gのUVI−6976(Dow Chemicalから入手した光酸発生剤のトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート)を添加した。得られた溶液を0.1μmメンブランフィルターで濾過した。
プライマー溶液を作製するべく、1.02gのN−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン(Gelestから入手)を120.4gのプロピレングリコールプロピルエーテル(General Chemicalから入手)と80.2gの脱イオン水との混合物に溶解させた。溶液を0.1μmメンブランフィルターで濾過した。
本実施例の第3部で得たプライマー溶液をシリコンウエハ上に1,500rpmで1分間スピンコートした。プライマー被膜を75℃で2分間、次いで180℃で2分間ベークした。次に、本実施例第2部のトップコート溶液をプライマー層上に1,500rpmで1分間スピンコートした。トップコートを100℃で2分間ベークした。この被膜を波長365nmのUV光で、線量500mJ/cm2で露光することにより該被膜に画像を形成し、130℃でのベーキングを2分間行ない、アセトンで1分間現像した。最後に、複合被膜を230℃で5分間ベークした。ネガ型パターンが得られた。
本実施例の第4部で被膜形成およびパターニングを行なったウエハを85℃の30% KOH水溶液中で1時間エッチングした。ポリマー被膜を有しない領域のシリコンが70μmの深さにエッチングされた。ポリマーで被覆された領域はそのまま残った。従来の窒化シリコンマスキング法の場合と実質的に同じ仕方で、パターンがシリコンウエハに転写された。
27.07gのスチレン、10.00gのアクリロニトリル、3.08gのメタクリル酸グリシジル、および0.51gのジクミルペルオキシド(Aldrichから入手)を160gのPGMEAに溶解させて溶液を作製した。溶液を磁気攪拌しつつ窒素下に120℃に加熱した。120℃で24時間、重合を進行させた。実際の収量を固体解析で決定したところ、理論収量の95.5%であった。
この調製工程では、本実施例の第1部で合成したターポリマー溶液5.03gに4.54gのPGMEAおよび0.114gのUVI−6976を添加した。溶液を0.1μmメンブランフィルターで濾過した。
実施例1の第2部で得たプライマー溶液をシリコンウエハ上に1,500rpmで1分間スピンコートした。プライマー被膜を60℃で5分間、および180℃で2分間ベークした。本実施例第2部のトップコート溶液をウエハ上に1,500rpmで1分間スピンコートした。トップコートを100℃で2分間ベークした。この被膜を波長254nmのUV光で、線量500mJ/cm2で露光することにより該被膜に画像を形成した後、該被膜を130℃で2分間ベークし、次いでPGMEAで1分間現像した。最後に、被膜を230℃で5分間ベークした。ネガ型パターンが得られた。
本実施例の第3部で被膜形成およびパターニングを行なったウエハを80℃の30% KOH水溶液中で1時間エッチングした。ポリマー被膜を有しない領域のシリコンが58μmの深さにエッチングされた。ポリマーで被覆された領域はそのまま残った。従来の窒化シリコンマスキング法の場合と実質的に同じ仕方で、パターンがシリコンウエハに転写された。
168.0gのスチレン、84.0gのアクリロニトリル、28.3gのメタクリル酸グリシジル、および7.0gのジクミルペルオキシドを1,120gのPGMEAに溶解させて溶液を作製した。溶液を磁気攪拌しつつ窒素下に120℃に加熱した。120℃で28時間、重合を進行させた。実際の収量を固体解析で決定したところ、理論収量の97.5%であった。ターポリマーをイソプロパノール中に沈澱させ、濾別し、真空下に50℃で一晩乾燥した。
この調製工程では、本実施例の第1部で合成したターポリマー32.8gを140.0gのPGMEAおよび40.0gのエチルアセチルアセテートに溶解させた。次に、6.0gのUVI−6976を添加し、溶液を0.1μmメンブランフィルターで濾過した。
プライマー溶液を調製するべく、2.04gのN−フェニルアミノプロピルトリメトキシシランを77.50gのプロピレングリコールプロピルエーテル(PnP)と、120.14gの脱イオン水と、0.51gの酢酸と、0.03gのFC4430(界面活性剤)との混合物に溶解させた。溶液を2時間より長く磁気攪拌した。溶液を0.1μmメンブランフィルターで濾過した。
本実施例の第3部で調製したプライマー溶液をシリコンウエハ上に1,500rpmで1分間スピンコートした。プライマー被膜を110℃で1分間、次いで205℃で1分間ベークした。本実施例第2部のトップコート溶液をプライマー層上に1,500rpmで1分間スピンコートした。トップコートを110℃で2分間ベークした。この被膜を波長365nmのUV光で、線量500mJ/cm2で露光することにより該被膜に画像を形成し、130℃でのベーキングを2分間行ない、PGMEAで1分間現像した。最後に、複合被膜を230℃で5分間ベークした。ネガ型パターンが得られた。
本実施例の第4部で被膜形成およびパターニングを行なったウエハを75℃の30% KOH水溶液中で4時間エッチングした。ポリマー被膜を有しない領域のシリコンが178μmの深さにエッチングされた。ポリマーで被覆された領域はそのまま残った。従来の窒化シリコンマスキング法と実質的に同じ仕方で、パターンがシリコンウエハに転写された。
Claims (40)
- 保護層として有用な、ネガ型感光性組成物であって、溶媒系に溶解または分散したポリマーおよび光酸発生剤を含み、前記ポリマーは
(III)少なくとも1個のエポキシ基を有するモノマーを含み、
(I)および(II)において
各R1は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
各R2は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき35〜75重量%の(I)および20〜40重量%の(II)を含む組成物。 - 前記モノマー(III)がメタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジルおよびビニルベンジルグリシジルエーテルモノマーから成る群から選択される、請求項1に記載の組成物。
- 前記モノマー(III)が式
- 前記光酸発生剤がトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
- 前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき5〜15重量%の(III)を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の組成物。
- 超小型電子構造体を形成する方法であって、
超小型電子基板を用意し、
前記基板上に、溶媒系に分散または溶解したシランを含むプライマー層を設け、
前記プライマー層上に、溶媒系に分散または溶解した光酸発生剤およびポリマーを含むネガ型の感光層を設けることを含み、前記ポリマーは
(III)少なくとも1個のエポキシ基を有するモノマーを含み、
(I)および(II)において
各R1は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
各R2は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき35〜75重量%の(I)、20〜40重量%の(II)を含み、
積層体をKOHでエッチングし、それによって前記感光層のパターンを前記基板に転写することをさらに含み、前記感光層が基板1cm 2 当たり0.1個未満のピンホールしか示さない、方法。 - 前記モノマー(III)がメタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジルおよびビニルベンジルグリシジルエーテルモノマーから成る群から選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記モノマー(III)が式
- 前記光酸発生剤がトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
- 前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき5〜15重量%の(III)を含む、請求項6〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記シランが
i、jおよびkは0および1から成る群からそれぞれ独立に選択され、iおよびjの一方が1の時iおよびjの他方は0であり、
各R4は水素、ハロゲン、C1〜C8アルキル、C1〜C8アルコキシ、C1〜C8ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R5はC1〜C8脂肪族基から成る群から独立に選択され、
各R6は水素およびハロアルキルから成る群から独立に選択され、
各Xはハロゲン、ヒドロキシ、C1〜C4アルコキシおよびC1〜C4カルボキシから成る群から独立に選択され、
Yは酸素および硫黄から成る群から選択され、
Zは窒素およびリンから成る群から選択され、
各dは0および1から成る群から独立に選択される〕;および
各R7は水素、ハロゲン、C1〜C8アルキル、C1〜C8アルコキシ、C1〜C8ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R8はC1〜C8脂肪族基から成る群から独立に選択される〕
から成る群から選択される式を有する、請求項6〜10のいずれかに記載の方法。 - 前記シランがアミノアルコキシシラン、フェニルシランおよびジフェニルシランから成る群から選択される、請求項6〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記シランがアミノアルキルアルコキシシランおよびフェニルアミノアルキルアルコキシシランから成る群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記シランがアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルシランジオール、2−フェニルエチルトリアルコキシシラン、p/m−クロロフェニルトリメトキシシラン、p/m−ブロモフェニルトリメトキシシラン、(p/m−クロロメチル)フェニルトリメトキシシラン、2−(p/m−メトキシ)フェニルエチルトリメトキシシラン、2−(p/m−クロロメチル)フェニルエチルトリメトキシシラン、3,4−ジクロロフェニルトリクロロシラン、3−フェノキシプロピルトリクロロシラン、3−(N−フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシランおよび2−(ジフェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシランから成る群から選択される、請求項12に記載の方法。
- 前記プライマー層を設けた後該プライマー層をベークすることをさらに含む、請求項6〜14のいずれかに記載の方法。
- 前記プライマー層が触媒をも含み、前記プライマー層のベーキングによって前記シランが架橋する、請求項15に記載の方法。
- 前記感光層を設けた後該感光層をベークすることをさらに含む、請求項6〜16のいずれかに記載の方法。
- 前記ベーキングによって前記感光層のポリマーを前記プライマー層のシランと共有結合させる、請求項17に記載の方法。
- 前記感光層の第1の部分を化学線で露光し、前記感光層の第2の部分を化学線で露光しないことをさらに含む、請求項6〜16のいずれかに記載の方法。
- 前記感光層の前記第1の部分が前記露光時に架橋する、請求項19に記載の方法。
- 前記感光層を前記化学線での露光後にベークすることをさらに含む、請求項19または20に記載の方法。
- 前記感光層を現像することをさらに含む、請求項20または21に記載の方法。
- 前記現像工程の間にこの現像によって前記感光層の第2の部分が実質的に除去され、その結果パターン形成された感光層を含む積層体が形成される、請求項22に記載の方法。
- 前記感光層を前記現像後にベークすることをさらに含む、請求項22または23に記載の方法。
- エッチング時に前記感光層が100μm未満のアンダーカットしか示さない、請求項6に記載の方法。
- 前記基板がSi基板、SiO2基板、Si3N4基板、SiO2被覆シリコン基板、Si3N4被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される、請求項6〜25のいずれかに記載の方法。
- 超小型電子基板と、
前記基板に隣接する、架橋シランを含むプライマー層と、
前記プライマー層に隣接する感光層と
を含む超小型電子構造体であって、前記感光層がポリマーを含み、このポリマーは
(III)少なくとも1個の架橋エポキシ基を有するモノマーを含み、
(I)および(II)において
各R1は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
各R2は水素およびC1〜C8アルキルから成る群から独立に選択され、
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき35〜75重量%の(I)、20〜40重量%の(II)を含む、超小型電子構造体。 - 前記架橋エポキシ基が
- 前記シランがアミンを含み、前記感光層のポリマーは前記アミンと共有結合したエポキシ基を含む、請求項27または28に記載の超小型電子構造体。
- 前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき5〜15重量%の(III)を含む、請求項27〜29のいずれかに記載の超小型電子構造体。
- 前記シランが
i、jおよびkは0および1から成る群からそれぞれ独立に選択され、iおよびjの一方が1の時iおよびjの他方は0であり、
各R4は水素、ハロゲン、C1〜C8アルキル、C1〜C8アルコキシ、C1〜C8ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R5はC1〜C8脂肪族基から成る群から独立に選択され、
各R6は水素およびハロアルキルから成る群から独立に選択され、
各Xはハロゲン、ヒドロキシ、C1〜C4アルコキシおよびC1〜C4カルボキシから成る群から独立に選択され、
Yは酸素および硫黄から成る群から選択され、
Zは窒素およびリンから成る群から選択され、
各dは0および1から成る群から独立に選択される〕;および
各R7は水素、ハロゲン、C1〜C8アルキル、C1〜C8アルコキシ、C1〜C8ハロアルキル、アミノおよびC1〜C8アルキルアミノから成る群から独立に選択され、
各R8はC1〜C8脂肪族基から成る群から独立に選択される〕
から成る群から選択される式を有する、請求項27〜30のいずれかに記載の超小型電子構造体。 - 前記シランがアミノアルコキシシラン、フェニルシランおよびジフェニルシランから成る群から選択される、請求項27〜30のいずれかに記載の超小型電子構造体。
- 前記シランがアミノアルキルアルコキシシランおよびフェニルアミノアルキルアルコキシシランから成る群から選択される、請求項32に記載の超小型電子構造体。
- 前記シランがアミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジフェニルシランジオール、2−フェニルエチルトリアルコキシシラン、p/m−クロロフェニルトリメトキシシラン、p/m−ブロモフェニルトリメトキシシラン、(p/m−クロロメチル)フェニルトリメトキシシラン、2−(p/m−メトキシ)フェニルエチルトリメトキシシラン、2−(p/m−クロロメチル)フェニルエチルトリメトキシシラン、3,4−ジクロロフェニルトリクロロシラン、3−フェノキシプロピルトリクロロシラン、3−(N−フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシランおよび2−(ジフェニルホスフィノ)エチルトリエトキシシランから成る群から選択される、請求項32に記載の超小型電子構造体。
- 前記基板がSi基板、SiO2基板、Si3N4基板、SiO2被覆シリコン基板、Si3N4被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される、請求項27〜34のいずれかに記載の超小型電子構造体。
- 超小型電子構造体を形成する方法であって、
超小型電子基板を用意し、
前記超小型電子基板が、Si基板、SiO 2 基板、Si 3 N 4 基板、SiO 2 被覆シリコン基板、Si 3 N 4 被覆シリコン基板、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、半導体基板および金属基板から成る群から選択される少なくとも1種であり、
前記基板上に、溶媒系に分散または溶解したシランを含むプライマー層を設け、
前記プライマー層上に、溶媒系に分散または溶解した光酸発生剤およびポリマーを含むネガ型の感光層を設けることを含み、前記ポリマーは
(III)少なくとも1個のエポキシ基を有するモノマーを含み、
(I)および(II)において
各R 1 は水素およびC 1 〜C 8 アルキルから成る群から独立に選択され、
各R 2 は水素およびC 1 〜C 8 アルキルから成る群から独立に選択され、
前記ポリマーが、該ポリマーの総重量を100重量%としてその重量に基づき35〜75重量%の(I)、20〜40重量%の(II)を含む、方法。 - 露光後、前記ポリマーは架橋エポキシ基を有し、
前記架橋エポキシ基が
- 露光後、前記ポリマーは架橋エポキシ基を有し、
前記架橋エポキシ基が
- 前記光酸発生剤がトリアリールスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリアリールスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジアリールヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、
- 前記KOHが水溶液であり、前記KOH水溶液の濃度が30〜35重量%である請求項6〜26のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US71596405P | 2005-09-09 | 2005-09-09 | |
US60/715,964 | 2005-09-09 | ||
US11/470,520 US7695890B2 (en) | 2005-09-09 | 2006-09-06 | Negative photoresist for silicon KOH etch without silicon nitride |
US11/470,520 | 2006-09-06 | ||
PCT/US2006/034817 WO2007030593A1 (en) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | Negative photoresist for silicon koh etch without silicon nitride |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009508165A JP2009508165A (ja) | 2009-02-26 |
JP2009508165A5 JP2009508165A5 (ja) | 2009-10-22 |
JP4870769B2 true JP4870769B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=37836158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008530189A Active JP4870769B2 (ja) | 2005-09-09 | 2006-09-07 | 窒化ケイ素を用いないシリコンkohエッチング用ネガ型フォトレジスト |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7695890B2 (ja) |
EP (1) | EP1932060B1 (ja) |
JP (1) | JP4870769B2 (ja) |
KR (1) | KR101360503B1 (ja) |
CN (1) | CN101258444B (ja) |
TW (1) | TWI411879B (ja) |
WO (1) | WO2007030593A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7316844B2 (en) * | 2004-01-16 | 2008-01-08 | Brewer Science Inc. | Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates |
US7695890B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-04-13 | Brewer Science Inc. | Negative photoresist for silicon KOH etch without silicon nitride |
US7709178B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-05-04 | Brewer Science Inc. | Alkaline-resistant negative photoresist for silicon wet-etch without silicon nitride |
US8192642B2 (en) | 2007-09-13 | 2012-06-05 | Brewer Science Inc. | Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates |
CN102576680B (zh) * | 2009-09-16 | 2015-07-22 | 布鲁尔科技公司 | 用于在背侧处理时保护前侧电路的耐划涂层 |
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US7695890B2 (en) | 2005-09-09 | 2010-04-13 | Brewer Science Inc. | Negative photoresist for silicon KOH etch without silicon nitride |
-
2006
- 2006-09-06 US US11/470,520 patent/US7695890B2/en active Active
- 2006-09-07 CN CN200680032665.4A patent/CN101258444B/zh active Active
- 2006-09-07 JP JP2008530189A patent/JP4870769B2/ja active Active
- 2006-09-07 WO PCT/US2006/034817 patent/WO2007030593A1/en active Application Filing
- 2006-09-07 EP EP06803089A patent/EP1932060B1/en active Active
- 2006-09-07 KR KR1020087007155A patent/KR101360503B1/ko active IP Right Grant
- 2006-09-08 TW TW095133184A patent/TWI411879B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07261390A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-10-13 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 光硬化性樹脂組成物 |
WO2005072489A2 (en) * | 2004-01-16 | 2005-08-11 | Brewer Science Inc. | Spin-on protective coatings for wet-etch processing of microelectronic substrates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1932060B1 (en) | 2013-03-27 |
WO2007030593A1 (en) | 2007-03-15 |
US7695890B2 (en) | 2010-04-13 |
TWI411879B (zh) | 2013-10-11 |
CN101258444B (zh) | 2013-04-03 |
EP1932060A1 (en) | 2008-06-18 |
TW200722917A (en) | 2007-06-16 |
US20070075309A1 (en) | 2007-04-05 |
EP1932060A4 (en) | 2010-06-23 |
CN101258444A (zh) | 2008-09-03 |
KR101360503B1 (ko) | 2014-02-07 |
KR20080042141A (ko) | 2008-05-14 |
JP2009508165A (ja) | 2009-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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