JP4215647B2 - ハロゲン化反射防止膜 - Google Patents
ハロゲン化反射防止膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4215647B2 JP4215647B2 JP2003573493A JP2003573493A JP4215647B2 JP 4215647 B2 JP4215647 B2 JP 4215647B2 JP 2003573493 A JP2003573493 A JP 2003573493A JP 2003573493 A JP2003573493 A JP 2003573493A JP 4215647 B2 JP4215647 B2 JP 4215647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer binder
- composition
- group
- layer
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 CC(C)(C)**(*)(C(C)(C)C)[N+]([O-])ON* Chemical compound CC(C)(C)**(*)(C(C)(C)C)[N+]([O-])ON* 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/14—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing halogen, nitrogen, sulfur or oxygen atoms in addition to the carboxy oxygen
- C09D133/16—Homopolymers or copolymers of esters containing halogen atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
発明の技術分野
本発明は、広くは、反射防止膜中のポリマーバインダーとして使用することができる新規なハロゲン化ポリマー、それにより得られる反射防止膜、および、それらの使用方法に関する。より詳しくは、本発明の反射防止膜は、ポリマーバインダーおよび減光性化合物(light attenuating compound)を含有し、前記ポリマーバインダーは、好ましくは該ポリマーバインダーの官能基がハロゲン化されている。上記膜は優れた光吸収性とともに高いエッチング速度を有する。
集積回路製造では、歩留まりを改善し、ユニットケースを減らし、かつチップあたりの演算処理能力を向上させるために、基板ウエハサイズの最大化と、デバイスパターン像のサイズの最小化とが恒常的に求められている。シリコンまたは他のチップ上のデバイスパターン像のサイズは、先進型遠紫外線(DUV)マイクロリソグラフィー法の出現により、いまやサブミクロンレベルである。
本発明は、従来のARCと比較して、本質的にエッチング速度の改善された反射防止膜(ARC)を形成するために使用することができる新規ハロゲン化合物およびハロゲン化ポリマーを提供することにより、これらの問題を解決する。また、本発明は、本発明のARCを、集積回路製造プロセスに使用する方法も提供する。
実施例
以下の実施例では、本発明による好ましい方法を示す。しかしながら、これらの実施例は、本発明を説明するためのものであって、本発明の範囲をなんら限定するためのものではないと理解されるべきである。
1.モノマー
a.トリクロロエチルアクリラート(TCEA)
50gのジエチルエーテルに溶解したトリクロロエタノール(30g、201mmol)およびトリエチルアミン(22.36g、221mmol)を含有する第1溶液を調製した。50gのジエチルエーテルに溶解したアクリロイルクロライド(20g、221mmol)を含む第2溶液を、第1溶液に滴下し、その後、室温で4時間撹拌した。その後、得られた溶液を水中に加え、有機相を抽出した。有機相を蒸留して32.28gのTCEAを得た(78.9%収量)。
50gのジエチルエーテルに溶解したトリクロロエタノール(50g、335mmol)およびトリエチルアミン(37.24g、368mmol)を含有する第1溶液を調製した。50gのジエチルエーテルに溶解したメタクリロイルクロライド(38.47g、368mmol)を含む第2溶液を、第1溶液に滴抽出下し、その後、室温で4時間撹拌した。その後、得られた溶液を水中に加え、有機相をした。有機相を蒸留して39.33gのTCEMAを得た(54.0%収量)。
50gのジエチルエーテルに溶解したトリブロモエタノール(50g、177mmol)およびトリエチルアミン(19.73g、195mmol)を含有する第1溶液を調製した。50gのジエチルエーテルに溶解したアクリロイルクロライド(17.65g、195mmol)を含む第2溶液を、第1溶液に滴下し、その後、室温で4時間撹拌した。その後、得られた溶液を水中に加え、有機相を抽出した。有機相を蒸留して48.38gのTBEAを得た(72.5%収量)。
70gのジエチルエーテルに溶解したトリブロモエタノール(50g、177mmol)およびトリエチルアミン(19.73g、195mmol)を含む第1溶液を調製した。70gのジエチルエーテルに溶解したメタクリロイルクロライド(20.39g、195mmol)を含む第2溶液を、第1溶液に滴下し、その後、室温で4時間撹拌した。その後、得られた溶液を水中に加え、有機相を抽出した。有機相を蒸留して32.85gのTBEMAを得た(52.9%収量)。
25gの2-クロロエタノール(310mmol)と37.7gのトリエチルアミン(372.6mmol)を70gのジエチルエーテルに溶解して溶液を調製した。次に、70gのジエチルエーテルに溶解した33.72gのクロロアクリラート(272.6mmol)を、環境温度で、撹拌しながら滴下し、撹拌を4時間行った。反応の間、反応フラスコを水で冷却した。その後、得られた溶液を300gの水、300gのKHCO3(水溶液)および300gのNaCl(水溶液)で洗浄した。有機相を、Na2SO4で乾燥し、ジエチルエーテルを蒸留により除去した。クロロエチルアクリラートの収率は91%であった。
a.ポリトリフルオロエチルアクリラート(P-TFEA)
トリフルオロエチルアクリラート30g(195mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
トリフルオロエチルメタクリラート30g(178mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
トリクロロエチルアクリラート30g(147mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート30g(138mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート30g(138mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)を添加した後、50℃で24時間、窒素下で撹拌した。
トリブロモエチルアクリラート30g(89mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル111.2gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.3gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
クロロエチルアクリラート20g(148.6mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)61.81gに溶解した溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、6.7gのPGMEに溶解した0.01gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した。得られた溶液を、70℃で24時間、窒素下で撹拌した。
メタクリラート20g(249.8mmol)をジエチルエーテル80gに溶解した溶液を調製した。200gのジエチルエーテルに溶解した40.83gの臭素(255mmol)を含む第2溶液を、環境温度下で撹拌しながら、第1溶液に滴下し、得られた溶液の撹拌を1時間行った。反応の間、反応フラスコを水冷した。得られた溶液を、水、KHCO3(水溶液)および再び水の順で洗浄した。有機相をNa2SO4で乾燥し、ジエチルエーテルを蒸留によって除去した。得られた化合物の30gを、撹拌下、3N NaOH(水溶液)40.5gと混合した。反応フラスコを、8時間の反応の間、氷水で冷却した。反応溶液中でポリマーを沈殿させ、その後、ジメチルホルムアミド(DMF)に溶解し、700mlのメタノール中で再沈殿させた。ポリマーの収率は、20.5%であった。
a.トリフルオロエチルメタクリラート/グリシジルメタクリラート(65/35mol/mol)共重合体(P-TFEMA/GMA(65/35))
トリフルオロエチルメタクリラート26.01g(155mmol)およびグリシジルメタクリラート11.83g(83mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル142.88gに溶解して溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.38gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、窒素下で、70℃で24時間、撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート20g(92mmol)およびグリシジルメタクリラート7.04g(50mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル99.24gに溶解して溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.27gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、窒素下で、70℃で24時間、撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート20g(92mmol)およびグリシジルメタクリラート7.04g(50mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル99.24gに溶解して、溶液を調製し、該溶液を50℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.27gの2,2'-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)を添加した後、窒素下で、50℃で24時間、撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート10g(49mmol)およびグリシジルメタクリラート3.76g(27mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル45.6gに溶解して、溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.14gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、窒素下で、70℃で24時間、撹拌した。
トリブロモエチルメタクリラート20g(59mmol)およびグリシジルメタクリラート4.55g(32mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル89.2gに溶解し、溶液を調製し、該溶液を70℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.25gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリルを添加した後、窒素下、70℃で24時間、撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート10.82g(50mmol)およびグリシジルメタクリラート3.03g(21mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル45.95gに溶解して、溶液を調製し、該溶液を50℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.14gの2,2'-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)を添加した後、窒素下、50℃で24時間、撹拌した。
トリクロロエチルメタクリラート13.39g(62mmol)およびグリシジルメタクリラート2.91g(21mmol)をプロピレングリコールモノメチルエーテル55.85gに溶解して、溶液を調製し、該溶液を50℃に維持した。次に、この溶液に、10gのプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した0.16gの2,2'-アゾビス-(2,4-ジメチルバレロニトリル)を添加した後、窒素下、50℃で24時間、撹拌した。
この調製では、8.03gのビニリデンジクロライド(83mmol)、11.77gのグリシジルメタクリラート(83mmol)、0.20gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(1.21mmol)、および80gのジオキサンを、200mlのオートクレーブに装入した後、窒素下、70℃で24時間、撹拌した。
この調製では、9.85gのビニリデンジクロライド(102mmol)、9.95gの無水マレイン酸(102mmol)、0.20gの2,2'-アゾビスイソブチロニトリル(1.21mmol)、および80gのジオキサンを、200mlのオートクレーブに装入した後、窒素下、70℃で24時間、撹拌した。
a.トリフルオロエチルメタクリラート/グリシジルメタクリラート共重合体含有ARC-ARC[P-TFEMA/GMA(65/35)]
80gのプロピレングリコールモノメチルエーテル中の20gのP-TFEMA/GMA(65/35)(エポキシ価=0.4403)、9gの9-アンスラセンカルボン酸(41mmol)、0.24gのベンジルトリエチルアンモニウムクロライド(1.1mmol)、および36.96gのプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合物を、窒素下で24時間還流した。
16gのプロピレングリコールモノメチルエーテル中の4gのP-TCEMA/GMA(65/35)(エポキシ価=0.3663)、1.5gの9-アンスラセンカルボン酸(6.7mmol)、0.04gのベンジルトリエチルアンモニウムクロライド(0.18mmol)、および6.16gのプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合物を、窒素下で24時間還流した。
16gのプロピレングリコールモノメチルエーテル中の4gのP-TCEA/GMA(65/35)(エポキシ価=0.3845)、1.6gの9-アンスラセンカルボン酸(7.1mmol)、0.04gのベンジルトリエチルアンモニウムクロライド(0.18mmol)、および6.56gのプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合物を、窒素下で24時間還流した。
16gのプロピレングリコールモノメチルエーテル中の4gのP-TCEMA/GMA(70/30)(エポキシ価=0.3079)、1.26gの9-アンスラセンカルボン酸(5.7mmol)、0.03gのベンジルトリエチルアンモニウムクロライド(0.15mmol)、および5.16gのプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合物を、窒素下で24時間還流した。
16gのプロピレングリコールモノメチルエーテル中の4gのP-TCEMA/GMA(75/25)(エポキシ価=0.2517)、1.03gの9-アンスラセンカルボン酸(4.6mmol)、0.03gのベンジルトリエチルアンモニウムクロライド(0.12mmol)、および4.24gのプロピレングリコールモノメチルエーテルの混合物を、窒素下で24時間還流した。
1.溶出(Stripping)試験の手順
以下の実施例のいくつかにおいて、実施例の反射防止膜のフォトレジスト溶剤に対する耐性を決定する溶出試験を行った。この試験では、ARC調製液を、2,500rpmの回転速度で、20,000rpm/秒の加速で、シリコンウエハ上に60秒間スピン・コーティングした。この膜を、205℃のホットプレートの上で、60秒間焼成した。エリプソメトリー法により、ウエハ上の複数箇所のARC膜の厚みを測定した。
以下の実施例のいくつかにおいて、サンプルARCとフォトレジスト間のインターミキシングの度合を測定した。この試験では、ARC調製液を、2,500rpmの回転速度および20,000rpm/秒の加速で、シリコンウエハ上に60秒間スピン・コーティングした。この膜を、205℃のホットプレート上で60秒間焼成した。エリプソメトリー法により、ウエハ上の複数箇所のARC膜の厚みを測定した。
以下の各実施例において、表に示す所定のエッチャントを用い、RIE System ES401(Nippon Scientific Company, Ltd.)により所定の層をエッチングして、エッチング速度およびエッチング速度選択比を決定した。これは、シリコンウエハ上にサンプルをスピン・コーティングし、ウエハ上の層の厚み(この値を、“A”として示す。)を測定することによって、成し遂げられた。その後、この層を、エッチングし、エッチング後の厚みを測定した(この値を、“B”として示す。)。エッチング速度を次のように算出した:(A-B)/エッチング時間(分)。その後、エッチング速度選択比を次のように算出した:(サンプルのエッチング速度)/(対照のエッチング速度)。
Claims (23)
- マイクロリソグラフィープロセスにおいて使用するための硬化性反射防止膜用組成物であって、
溶媒系に分散されたポリマーバインダー、ならびに、ナフトエ酸、アントラセン、ナフタレン、ベンゼン、カルコン、フタルイミド、パモ酸、アクリジン、アゾ化合物、およびジベンゾフランからなる群より選ばれる減光性化合物を含み、
かつ該ポリマーバインダーが下記式で示される繰り返し単位を含むことにより改良された硬化性反射防止膜用組成物:
- 前記減光性化合物がポリマーバインダーに結合している請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物が、架橋剤および該架橋剤のための触媒をさらに含む請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物が、エッチャントとしてCF4を使用する時、レジストに対し、少なくとも1.2のエッチング速度選択比を有する請求項1に記載の組成物。
- 前記ポリマーバインダーの重量平均分子量が、1,000〜1,000,000ダルトンである請求項1に記載の組成物。
- 前記組成物の248nmにおけるk値が0.3〜0.495であり、248nmにおけるn値が1.35〜1.75である請求項1に記載の組成物。
- 請求項1に記載の反射防止膜用組成物の所定量を基板表面に塗布し、該基板表面に反射防止膜層を形成する工程を含む、集積回路の製造に使用するための前駆構造を形成する方法。
- 前記反射防止膜層の248nmにおけるk値が0.3〜0.495であり、248nmにおけるn値が1.35〜1.75である請求項7に記載の方法。
- 前記塗布工程が、前記基板表面に前記組成物をスピン・コーティングすることを含む請求項7に記載の方法。
- 前記塗布工程の後、少なくとも160℃の温度で前記反射防止膜層を焼成する工程をさらに包含する請求項7に記載の方法。
- 前記反射防止膜層上にフォトレジストを設ける工程をさらに包含する請求項10に記載の方法。
- 次の工程をさらに包含する請求項11に記載の方法:
前記フォトレジスト層の少なくとも一部を活性光線に露光し;
前記露光されたフォトレジスト層を現像し;かつ
前記現像されたフォトレジスト層をエッチングする。 - 前記反射防止膜層が、エッチャントとしてCF4を使用する時、レジストに対して1.2のエッチング速度選択比(前記反射防止膜層のエッチング速度/前記レジストのエッチング速度)を有する、請求項7に記載の方法。
- 前記反射防止膜層が、エッチャントとしてCF4を使用する時、レジストに対して1.2のエッチング速度選択比(前記反射防止膜層のエッチング速度/前記レジストのエッチング速度)を有する、請求項14に記載の積層体。
- 前記反射防止膜層の248nmにおけるk値が0.3〜0.495であり、248nmにおけるn値が1.4〜1.75である請求項14に記載の積層体。
- マイクロリソグラフィープロセスに使用するための硬化性反射防止膜用組成物であって、溶媒系に分散されたポリマーバインダー、ならびに、ナフトエ酸、アントラセン、ナフタレン、ベンゼン、カルコン、フタルイミド、パモ酸、アクリジン、アゾ化合物、およびジベンゾフランからなる群より選ばれる減光性化合物を含み、
かつ該ポリマーバインダーが次式で示される繰り返し単位を含むことにより改良された反射防止膜用組成物:
- 前記組成物が、架橋剤および該架橋剤のための触媒をさらに含む請求項17に記載の組成物。
- 請求項17に記載の反射防止膜用組成物の所定量を基板表面に塗布し、該基板表面に反射防止膜層を形成する工程を含む、集積回路の製造に使用するための前駆構造を形成する方法。
- 前記反射防止膜層上にフォトレジストを適用する工程をさらに包含する請求項19に記載の方法。
- 次の工程をさらに包含する請求項20に記載の方法:
前記フォトレジスト層の少なくとも一部を、活性光線に露光し;
前記露光されたフォトレジスト層を現像し;および、
前記現像されたフォトレジスト層をエッチングする。 - 表面をもつ基板と、該基板表面上の反射防止層との積層体であって、
該反射防止膜層が次式で示される繰り返し単位を含むポリマーバインダー、ならびに、ナフトエ酸、アントラセン、ナフタレン、ベンゼン、カルコン、フタルイミド、パモ酸、アクリジン、アゾ化合物、およびジベンゾフランからなる群より選ばれる減光性化合物を含有する積層体:
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2002/004690 WO2003075093A1 (en) | 2002-02-11 | 2002-02-11 | Halogenated anti-reflective coatings |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005526270A JP2005526270A (ja) | 2005-09-02 |
JP2005526270A5 JP2005526270A5 (ja) | 2008-10-23 |
JP4215647B2 true JP4215647B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=27787358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003573493A Expired - Fee Related JP4215647B2 (ja) | 2002-02-11 | 2002-02-11 | ハロゲン化反射防止膜 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP2000852B1 (ja) |
JP (1) | JP4215647B2 (ja) |
KR (1) | KR100885094B1 (ja) |
AT (2) | ATE466310T1 (ja) |
AU (1) | AU2002245460A1 (ja) |
DE (2) | DE60237484D1 (ja) |
WO (1) | WO2003075093A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004101794A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Toray Ind Inc | 半導体装置用平坦化組成物 |
KR101833208B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2018-04-13 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 플루오르계 첨가제를 갖는 실리콘 함유 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US9541829B2 (en) * | 2013-07-24 | 2017-01-10 | Orthogonal, Inc. | Cross-linkable fluorinated photopolymer |
US9958778B2 (en) | 2014-02-07 | 2018-05-01 | Orthogonal, Inc. | Cross-linkable fluorinated photopolymer |
JP6706891B2 (ja) * | 2014-09-16 | 2020-06-10 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
TWI662370B (zh) | 2015-11-30 | 2019-06-11 | 南韓商羅門哈斯電子材料韓國公司 | 與外塗佈光致抗蝕劑一起使用之塗料組合物 |
CN114702620B (zh) * | 2022-01-19 | 2023-07-14 | 复旦大学 | 一种溴系共聚物以及一种阻燃剂 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2541527A1 (de) * | 1974-09-17 | 1976-03-25 | Nat Res Dev | Hydrogelbildendes polymeres |
US4061829A (en) | 1976-04-26 | 1977-12-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Negative resist for X-ray and electron beam lithography and method of using same |
JPS5893003A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光伝送性繊維 |
JPS62156105A (ja) | 1985-06-20 | 1987-07-11 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | メタクリルイミド含有重合体 |
JP2811725B2 (ja) * | 1989-03-23 | 1998-10-15 | 株式会社総合歯科医寮研究所 | 義歯の製作方法及び義歯製作用光重合型積層レジンシート |
JP2856932B2 (ja) * | 1991-02-13 | 1999-02-10 | セイコー化成株式会社 | 被覆用組成物 |
JPH05150197A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-18 | Seiko Epson Corp | ソフトコンタクトレンズ |
US5919599A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
-
2002
- 2002-02-11 KR KR1020047012331A patent/KR100885094B1/ko active IP Right Grant
- 2002-02-11 AT AT02713620T patent/ATE466310T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-02-11 JP JP2003573493A patent/JP4215647B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-11 AT AT08015849T patent/ATE479131T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-02-11 EP EP08015849A patent/EP2000852B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-11 AU AU2002245460A patent/AU2002245460A1/en not_active Abandoned
- 2002-02-11 DE DE60237484T patent/DE60237484D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-11 EP EP02713620A patent/EP1474724B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-11 WO PCT/US2002/004690 patent/WO2003075093A1/en active Application Filing
- 2002-02-11 DE DE60236210T patent/DE60236210D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2002245460A1 (en) | 2003-09-16 |
EP2000852A1 (en) | 2008-12-10 |
EP1474724A1 (en) | 2004-11-10 |
JP2005526270A (ja) | 2005-09-02 |
EP2000852B1 (en) | 2010-08-25 |
DE60237484D1 (de) | 2010-10-07 |
WO2003075093A1 (en) | 2003-09-12 |
ATE479131T1 (de) | 2010-09-15 |
DE60236210D1 (de) | 2010-06-10 |
EP1474724A4 (en) | 2008-06-18 |
KR100885094B1 (ko) | 2009-02-20 |
KR20040089612A (ko) | 2004-10-21 |
EP1474724B1 (en) | 2010-04-28 |
ATE466310T1 (de) | 2010-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1550889B (zh) | 多层光致抗蚀剂系统 | |
JP4954562B2 (ja) | オーバーコートされるフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物 | |
JP4865424B2 (ja) | オーバーコートされるフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物 | |
US6610457B2 (en) | Organic polymers for bottom antireflective coating, process for preparing the same, and compositions containing the same | |
JP3920537B2 (ja) | 有機反射防止重合体およびその製造方法 | |
KR20100014499A (ko) | 비닐 에테르 가교제를 이용한 반사방지 코팅 | |
JP2003040840A (ja) | 含フッ素重合性単量体およびそれを用いた高分子化合物 | |
CN102402121A (zh) | 用于光刻的涂料组合物 | |
WO2004076465A2 (en) | Silyl acrylate and poss compositions used in microlithographic processes | |
US6495305B1 (en) | Halogenated anti-reflective coatings | |
CN1130402C (zh) | 吸收辐射的聚合物、用于吸收辐射涂层的组合物、吸收辐射的涂层及其作为抗反射涂层的应用 | |
WO1999047571A1 (fr) | Polymeres absorbant la lumiere et leur application a un film antireflet | |
JP2001226324A (ja) | 有機反射防止膜用重合体及びその製造方法 | |
KR100492796B1 (ko) | 초미세 패턴의 형성 공정에서 사용되는 반사방지용 수지 | |
WO2002071155A1 (en) | Thermosetting anti-reflective coatings comprising aryl urethanes of hydroxypropyl cellulose | |
JP3457653B2 (ja) | 有機反射防止膜の組成物及びその製造方法 | |
JP4215647B2 (ja) | ハロゲン化反射防止膜 | |
JP2003507758A (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP5043376B2 (ja) | 有機反射防止膜重合体、これを含む有機反射防止膜組成物及びこれを用いたフォトレジストのパターン形成方法 | |
KR100871781B1 (ko) | 이미다졸계 유도체를 포함하는 공중합체, 상기 공중합체의제조방법, 상기 공중합체를 포함하는 유기반사방지막조성물 및 상기 조성물을 포함하는 유기반사방지막 | |
KR100470938B1 (ko) | 유기 난반사 방지막 형성용 광흡수성 고분자, 이를포함하는 조성물, 및 이를 이용한 반도체 소자 패턴의형성 방법 | |
US20060004161A1 (en) | Light absorbent agent polymer useful for organic anti-reflective coating, its preparation method and organic anti-reflective coating composition comprising the same | |
US7160668B2 (en) | Light absorbent agent polymer useful for organic anti-reflective coating, its preparation method and organic anti-reflective coating composition comprising the same | |
KR100515485B1 (ko) | I-라인 포토레지스트용 유기반사방지막 조성물 | |
US20050085078A1 (en) | Light absorbent agent polymer useful for organic anti-reflective coating, its preparation method and organic anti-reflective coating composition comprising the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070717 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20071016 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20071023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080220 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080229 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080818 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20080818 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081007 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4215647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111114 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121114 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131114 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |