JP4114064B2 - 珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられるレジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料のベース樹脂として好適な高分子化合物、及びこれを含むレジスト材料、遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ₂レーザー光（１５７ｎｍ）、電子線、Ｘ線などの高エネルギー線を露光光源として用いる際に好適な化学増幅ポジ型レジスト材料、並びにパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。微細化が急速に進歩した背景には、投影レンズの高ＮＡ化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。特にｉ線（３６５ｎｍ）からＫｒＦ（２４８ｎｍ）への短波長化は大きな変革をもたらし、０．１８μｍルールのデバイスの量産も可能となってきている。レジストの高解像度化、高感度化に対して、酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特許文献１：特公平２−２７６６０号公報、特許文献２：特開昭６３−２７８２９号公報等に記載）は、優れた特徴を有するもので、遠紫外線リソグラフィーに特に主流なレジスト材料となった。
【０００３】
一方、従来段差基板上に高アスペクト比のパターンを形成するには２層レジスト法が優れていることが知られており、更に、２層レジスト膜を一般的なアルカリ現像液で現像するためには、ヒドロキシ基やカルボキシル基等の親水基を有する高分子シリコーン化合物が必要である。
【０００４】
シリコーン系化学増幅ポジ型レジスト材料として、安定なアルカリ可溶性シリコーンポリマーであるポリヒドロキシベンジルシルセスキオキサンのフェノール性水酸基の一部をｔ−Ｂｏｃ基で保護したものをベース樹脂として使用し、これと酸発生剤とを組み合わせたＫｒＦエキシマレーザー用シリコーン系化学増幅ポジ型レジスト材料が提案された（特許文献３：特開平６−１１８６５１号公報、非特許文献１：ＳＰＩＥ ｖｏｌ．１９２５（１９９３）ｐ３７７等）。ＡｒＦエキシマレーザー用としては、シクロヘキシルカルボン酸を酸不安定基で置換したタイプのシルセスキオキサンをベースにしたポジ型レジストが提案されている（特許文献４：特開平１０−３２４７４８号公報、特許文献５：特開平１１−３０２３８２号公報、非特許文献２：ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３３３３（１９９８）ｐ６２）。更に、Ｆ₂レーザー用としては、ヘキサフルオロイソプロパノールを溶解性基として持つシルセスキオキサンをベース樹脂にしたポジ型レジストが提案されている（特許文献６：特開２００２−５５４５６号公報）。上記ポリマーは、トリアルコシシシラン、又はトリハロゲン化シランの縮重合によるラダー骨格を含むポリシルセスキオキサンを主鎖に含むものである。珪素が側鎖にペンダントされたレジスト用ベースポリマーとしては、珪素含有（メタ）アクリルエステル系のポリマーが提案されている（特許文献７：特開平９−１１０９３８号公報、非特許文献３：Ｊ． Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ． ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｖｏｌ． ９ Ｎｏ．３（１９９６）ｐ４３５）。
【０００５】
（メタ）アクリルエステル型の珪素含有ポリマーの欠点として、酸素プラズマにおけるドライエッチング耐性がシルセスキオキサン系ポリマーに比べて弱いというところが挙げられる。これは珪素含有率が低いことと、ポリマー主骨格の違いが理由として挙げられる。また、（メタ）アクリルエステルのシロキサンペンダント型は、現像液をはじきやすく、現像液の濡れ性が悪いという欠点もある。そこで、トリシラン或いはテトラシランペンダント型で、珪素含有率を高め、更に珪素含有基に酸脱離性を持たせてアルカリ溶解性を向上させた（メタ）アクリルエステルを含むポリマーの提案がなされている（非特許文献４：ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８（１９９９）ｐ２１４、ｐ２４１、ｐ５６２）。このものは珪素−珪素結合があるため、２００ｎｍ以下の波長では強い吸収があるが、２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー用としては十分高透明で、エッチング耐性に優れる珪素含有酸脱離基として用いられている。上記以外の珪素含有酸不安定基の検討も行われている（非特許文献５：ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８（１９９９）ｐ４２０）。本発明者らも珪素を導入した新規な酸不安定基を提案した（特許文献８：特開２００１−２７８９１８号公報、特許文献９：特開２００１−１５８８０８号公報）。このものは、酸脱離性に優れ、Ｔ−トッププロファイルの発生などを防止できるという長所をもっており、更に珪素原子間に炭素原子を存在させ、珪素−珪素結合がないため、ＡｒＦエキシマレーザーの波長においても十分高透明である特徴も併せ持つ。
【０００６】
更に本発明者らは、エステルペンダントではなく、重合のための不飽和結合に珪素が結合されたモノマーを重合することによって得られたポリマーを添加したレジストが、上記問題を解決できると考えた。
【０００７】
ビニルシランのような不飽和結合に珪素が結合したモノマーは、単独でラジカル重合できず、ノルボルネンや、アクリルとの共重合も不可能であり、アニオン重合によってヒドロキシスチレンと共重合される（非特許文献６：Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｂ， １９８６， ４， ４２２）。共役２重結合を持つシラン類もリビングアニオン触媒によって重合される（非特許文献７：Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ２０， ２０３４−２０３５（１９８７）ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ２２， １５６３−１５６７（１９８９））。
【０００８】
アリルシランとマレイミドとの共重合は、Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１２６２， ｐ１１０（１９９０）（非特許文献８）、無水マレイン酸との共重合は、Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１４６６ ｐ２２７（１９９１）（非特許文献９）に紹介されている。この場合、アリルシランとマレイミドは交互共重合となる。ビニルシラン、アリルシランは、二酸化硫黄とも共重合することもよく知られている（非特許文献１０：Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１４６６ ｐ５２０（１９９１））。しかしながら、二酸化硫黄重合物は、光照射或いはプラズマ照射或いは電子線照射などにより容易に開裂する特徴を持ち、ＳＥＭ観察中の電子ビーム照射によってラインが細る現象が観察され、エッチング耐性も弱いことが判明した。
【０００９】
本発明者らは、Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．５０３９（２００３）講演番号７５（非特許文献１１）、特開２００２−３４８３３２号公報（特許文献１０）において、ビニルシラン誘導体と無水マレイン酸と（メタ）アクリル酸のエステルに酸不安定基を用いる高分子重合体、特願２００２−１９２９４７号においてビニルシラン誘導体と無水マレイン酸とノルボルネンカルボキシレートに酸不安定基を用いる高分子重合体、特願２００２−１９２８６６号においてビニルシラン誘導体と無水マレイン酸とイタコン酸に酸不安定基を用いる高分子重合体を提案した。ビニルシラン重合物は、珪素原子が主鎖に直結しているために、ポリマーのＴｇが高く、酸素ガスによるエッチング耐性も高く、ＳＥＭ観察中の電子ビーム照射耐性にも優れている。
【００１０】
ここで、ポリヘドラル オリゴシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）をペンダントとするメタクリレートをペンダントとするバイレイヤーレジストが報告されている。ＰＯＳＳは籠型構造を持ち、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， Ｖｏｌ．３１， Ｎｏ．１５、 ｐ４９７０（１９９８）（非特許文献１２）にその合成方法と、エポキシをペンダントさせたときの硬化特性が報告されている。Ｍａｔｅｒ． Ｒｅｓ． Ｓｏｃ． Ｓｙｍｐ． Ｖｏｌ．６３６ Ｄ６．５．１（２００１）（非特許文献１３）にはＰＯＳＳペンダントメタクリルポリマーをＥＢ描画したときの特性が報告されている。
【００１１】
特開２００１−３０５７３７号公報（特許文献１１）には、酸不安定基で置換されたヘキサフルオロペンチルアルコールペンダントＰＯＳＳを１５７ｎｍで露光した例が紹介され、Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．５０３９（２００３）講演番号４９（非特許文献１４）にはＰＯＳＳペンダントαＣＦ₃メタクリルポリマーの１５７ｎｍの露光特性が示されている。これまで、珪素メタクリルエステルは、１５７ｎｍ露光において珪素を含んだアウトガスの発生があり、投影レンズ表面に珪素含有物が付着して透過率を低下させ、Ｏ₂クリーニングでも除去できないことが問題になっていて、主鎖にシルセスキオキサン骨格を持つラダーポリマーのみが珪素を含んだアウトガスの発生がないとされてきたが、メタクリル系ポリマーにおいてシルセスキオキサンをペンダントとすることによってアウトガスの発生がないことが判明した。本発明者らも特開２００２−２５６０３３号公報（特許文献１２）においてアリルＰＯＳＳ重合体を提案している。
【００１２】
【特許文献１】
特公平２−２７６６０号公報
【特許文献２】
特開昭６３−２７８２９号公報
【特許文献３】
特開平６−１１８６５１号公報
【特許文献４】
特開平１０−３２４７４８号公報
【特許文献５】
特開平１１−３０２３８２号公報
【特許文献６】
特開２００２−５５４５６号公報
【特許文献７】
特開平９−１１０９３８号公報
【特許文献８】
特開２００１−２７８９１８号公報
【特許文献９】
特開２００１−１５８８０８号公報
【特許文献１０】
特開２００２−３４８３３２号公報
【特許文献１１】
特開２００１−３０５７３７号公報
【特許文献１２】
特開２００２−２５６０３３号公報
【非特許文献１】
ＳＰＩＥ ｖｏｌ．１９２５（１９９３）ｐ３７７
【非特許文献２】
ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３３３３（１９９８）ｐ６２
【非特許文献３】
Ｊ． Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ． ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｖｏｌ． ９ Ｎｏ．３（１９９６）ｐ４３５
【非特許文献４】
ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８（１９９９）ｐ２１４、ｐ２４１、ｐ５６２
【非特許文献５】
ＳＰＩＥ ｖｏｌ．３６７８（１９９９）ｐ４２０
【非特許文献６】
Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃｈｎｏｌ． Ｂ， １９８６， ４， ４２２
【非特許文献７】
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ２０， ２０３４−２０３５（１９８７）ａｎｄ Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， ２２， １５６３−１５６７（１９８９）
【非特許文献８】
Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１２６２， ｐ１１０（１９９０）
【非特許文献９】
Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１４６６ ｐ２２７（１９９１）
【非特許文献１０】
Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．１４６６ ｐ５２０（１９９１）
【非特許文献１１】
Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ．５０３９（２００３）講演番号７５
【非特許文献１２】
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ， Ｖｏｌ．３１， Ｎｏ．１５、ｐ４９７０（１９９８）
【非特許文献１３】
Ｍａｔｅｒ． Ｒｅｓ． Ｓｏｃ． Ｓｙｍｐ． Ｖｏｌ．６３６Ｄ６．５．１（２００１）
【非特許文献１４】
Ｐｒｏｃ． ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．５０３９（２００３）講演番号４９
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、高感度、高解像度を有し、特に高アスペクト比のパターンを形成するのに適した２層レジスト法の材料として好適に使用できるのみならず、耐熱性に優れたパターンを形成することができる化学増幅ポジ型レジスト材料のベースポリマーとして有用な新規高分子化合物及び該化合物をベースポリマーとして含有するレジスト材料並びにパターン形成方法を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、一般式（１）で表される珪素含有置換基を含む高分子化合物が効果的に珪素含有率を高め、露光中の珪素含有アウトガスを低減させ、同時に親水性も高めることにより現像液のはじきや現像中の膨潤防止によるパターンの崩壊を防ぐことができることを見出した。
【００１５】
従って、本発明は、下記の珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
請求項１：
下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する後述の一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる酸不安定基を含む繰り返し単位とを含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
【化８】

（式中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ ^2' は一般式（２）
【化９】

で表される２価の連結基であり、Ｒ³〜Ｒ⁹は独立に水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、エーテル、ラクトン、エステル、ヒドロキシ基又はシアノ基を含んでいてもよく、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ¹²は単結合、酸素原子、又は炭素数１〜４のアルキレン基である。ａは正数であり、ｂは１〜２０の整数である。）
請求項２：
下記一般式（３）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
【化１０】

（式中、Ｒ¹ 、Ｒ ³ 〜Ｒ⁹、ａは前述の通り。Ｒ ² は単結合、又は一般式（２）
【化５２】

で表される２価の連結基であり、Ｒ ¹⁰ 〜Ｒ ¹² 、ｂは前述の通り。Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ¹³−である。Ｒ¹³は水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸不安定基で置換されたアルコキシカルボニル基を含有していてもよい。Ｒ^f1、Ｒ^f2は水素原子、フッ素原子、又はトリフルオロメチル基である。ｂ１は正数、ｂ２は０又は正数であり、ｂ１＋ｂ２は正数である。）
請求項３：
下記一般式（４）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
【化１１】

（式中、Ｒ¹ 、Ｒ ^2' 、Ｒ ³ 〜Ｒ⁹、ａは前述の通り、Ｙ¹、Ｙ²、Ｙ³、Ｙ⁴はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、フッ素置換アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アセチル基、スルホン酸エステル、又はスルホンを示し、同一であっても異なっていてもよいが、すべてが水素原子にはならない。また、ａ、ｃは正数であり、ａ＋ｃが全繰り返し単位の合計の１００モル％であっても、１００モル％未満で他の繰り返し単位を含んでもよい。）
請求項４：
更に、下記一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる酸不安定基を含む繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項２又は３記載の高分子化合物。
この場合、一般式（１）、（３）、（４）の繰り返し単位ａ、ｂ１、ｂ２、ｃに加え、下記一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる酸不安定基を含む繰り返し単位を含み、ａ、ｂ１、ｂ２、ｃ、ｄの繰り返し単位を合計で１０〜１００モル％含む高分子化合物とすることができる。
【化１２】

（式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、又はシアノ基であり、Ａは酸不安定基を示し、ｐは０又は１であり、ｍは１又は２である。Ａ¹とＡ²は、両方又はどちらか一方が酸不安定基であり、酸不安定基でない場合は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は密着性基である。）
請求項５：
請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物を添加してなるレジスト材料。
請求項６：
（１）ベース樹脂として、請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物、
（２）酸発生剤、
（３）有機溶剤
を含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト材料。
請求項７：
（１）ベース樹脂として、請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物、
（２）酸発生剤、
（３）有機溶剤、
（４）溶解阻止剤
を含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト材料。
請求項８：
更に、添加剤として塩基性化合物を配合してなる請求項６又は７記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項９：
（１）請求項５乃至８のいずれか１項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
（２）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の高エネギー線もしくは電子線で露光する工程と、
（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
請求項１０：
請求項９において、パターン形成後、酸素プラズマエッチングにより下地の加工を行うレジストパターン形成方法。
請求項１１：
請求項９において、パターン形成後、塩素又は臭素を含むハロゲンガスによるエッチングにより下地の加工を行うレジストパターン形成方法。
【００１６】
なお、本発明の高分子化合物、特には一般式（４）で示される構造のものは遠紫外領域、真空紫外領域での透明性と耐照射性が高く、フォトレジスト以外の用途、例えばペリクル膜用のポリマーとしての適用も可能である。
【００１７】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明に係る珪素含有高分子化合物は、下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する単位とを含むことを特徴とする。この場合、下記一般式（３）で表される繰り返し単位或いは下記一般式（４）で表される繰り返し単位を含むものが好ましい。なお、本発明の高分子化合物は、下記単位ａ、ｂ１及び／又はｂ２、ｃを含む式（５）の繰り返し単位を有するものとすることができる。
【００１８】
【化１３】

（式中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ²は単結合、又は一般式（２）
【化１４】

で表される２価の連結基であり、Ｒ³〜Ｒ⁹は独立に水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、エーテル、ラクトン、エステル、ヒドロキシ基又はシアノ基を含んでいてもよく、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ¹²は単結合、酸素原子、又は炭素数１〜４のアルキレン基である。上記式（４）においてＲ ² は上記一般式（２）で表される２価の連結基である。ａは正数であり、ｂは１〜２０の整数である。Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ¹³−である。Ｒ¹³は水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸不安定基で置換されたアルコキシカルボニル基を含有していてもよい。Ｒ^f1、Ｒ^f2は水素原子、フッ素原子、又はトリフルオロメチル基である。ｂ１は正数、ｂ２は０又は正数であり、ｂ１＋ｂ２は正数である。ａ＋ｂ１＋ｂ２が全繰り返し単位の合計の１００モル％であっても、１００モル％未満で他の繰り返し単位を含んでもよい。Ｙ¹、Ｙ²、Ｙ³、Ｙ⁴はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、フッ素置換アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アセチル基、スルホン酸エステル、又はスルホンを示し、同一であっても異なっていてもよいが、すべてが水素原子にはならない。また、ｃは正数であり、ａ＋ｃ又はａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃが全繰り返し単位の合計の１００モル％であっても、１００モル％未満で他の繰り返し単位を含んでもよい。）
【００１９】
ここで、Ｒ¹、或いはＲ³〜Ｒ¹¹、Ｒ¹³のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基等が挙げられ、Ｒ³〜Ｒ⁹はエーテル、ラクトン又はエステルを介在してもよいし、水素原子がヒドロキシ基又はシアノ基で置換されていてもよい。フッ素化されたアルキル基としては、上記アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換したものが挙げられる。ｂは１〜２０であるが、好ましくは１〜６である。
Ｒ¹³、Ｙ¹〜Ｙ⁴のアルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜１２、特に４〜８のものが挙げられ、ｔ−ブトキシカルボニル、エチルシクロペンチロキシカルボニル等が例示される。また、Ｙ¹〜Ｙ⁴のフッ素置換アルキル基、アルコキシ基としては、炭素数１〜１０、特に１〜８のものが挙げられる。
【００２０】
一般式（１）で示される繰り返し単位ａとしては、具体的に下記のものが例示される。
【００２１】
【化１５】

【００２２】
【化１６】

【００２３】
【化１７】

【００２４】
【化１８】

【００２５】
一般式（１）における繰り返し単位ａは上記に示す籠型のシルセスキオキサンであるが、シロキサン結合が一部開裂して下記に示すようにシラノールになっていても構わない。シロキサンの開裂している位置は特に限定されないが、１２個の結合の内４つ以上が開裂するとポリマーのＴｇが低下したり、酸素エッチング耐性が低下するので好ましくない。
【００２６】
【化１９】

【００２７】
なお、一般式（１）における繰り返し単位ａを得るためのモノマーは、下記一般式（１’）に示される籠型構造のシルセスキオキサンをペンダントとするオレフィンである。
【００２８】
【化２０】

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁹は前述の通りである。）
【００２９】
一方、一般式（３）における繰り返し単位ｂ１、ｂ２としては、下記式（ｂ１）−１〜（ｂ１）−１１、（ｂ２）−１に示すものを挙げることができる。
【００３０】
【化２１】

【００３１】
更に、一般式（４）で示される珪素含有繰り返し単位と共重合可能な繰り返し単位ｃとしては、下記式（ｃ）−１〜（ｃ）−３６に示すものを挙げることができる。
【００３２】
【化２２】

【００３３】
【化２３】

【００３４】
酸不安定基を有する繰り返し単位としては、一般式（１）、（２）中に示されるｂ単位中の（ｂ１）−６、（ｂ１）−７、ｃ単位中の（ｃ）−３、（ｃ）−２４〜（ｃ）−２７、（ｃ）−３５等が挙げられるが、更に下記一般式（ｄ）−１〜（ｄ）−７の酸不安定基含有の繰り返し単位を追加することもできる。
【００３５】
【化２４】

（式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、又はシアノ基であり、Ａは酸不安定基を示し、ｐは０又は１であり、ｍは１又は２である。Ａ¹とＡ²は、両方又はどちらか一方が酸不安定基であり、酸不安定基でない場合は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は密着性基である。）
【００３６】
ここで、アルキル基としては、特に炭素数１〜６のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基等が例示される。ハロアルキル基としては、これらアルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子、塩素原子等で置換されたものが挙げられる。アリール基としては、特に炭素数６〜１０のものが好ましく、フェニル基、ナフチル基等が例示される。
【００３７】
酸不安定基としては種々選定されるが、下記一般式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）で示すものが好ましい。
【化２５】

【００３８】
式（Ａ−１）において、Ｒ³⁰は炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（Ａ−３）で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル−２−アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オキソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、５−メチル−２−オキソオキソラン−５−イル基等が挙げられる。ａ１は０〜６の整数である。
【００３９】
式（Ａ−２）において、Ｒ³¹、Ｒ³²は水素原子又は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等を例示できる。Ｒ³³は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【００４０】
【化２６】

【００４１】
Ｒ³¹とＲ³²、Ｒ³¹とＲ³³、Ｒ³²とＲ³³とは結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³はそれぞれ炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【００４２】
上記式（Ａ−１）の酸不安定基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【００４３】
更に、下記式（Ａ−１）−１〜（Ａ−１）−９で示される置換基を挙げることもできる。
【００４４】
【化２７】

【００４５】
ここで、Ｒ³⁷は互いに同一又は異種の炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基、Ｒ³⁸は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。
また、Ｒ³⁹は互いに同一又は異種の炭素数２〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基である。
【００４６】
上記式（Ａ−２）で示される酸不安定基のうち、直鎖状又は分岐状のものとしては、下記式（Ａ−２）−１〜（Ａ−２）−２３のものを例示することができる。
【００４７】
【化２８】

【００４８】
【化２９】

【００４９】
上記式（Ａ−２）で示される酸不安定基のうち、環状のものとしては、テトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等が挙げられる。
【００５０】
また、一般式（Ａ−２ａ）或いは（Ａ−２ｂ）で表される酸不安定基によってベース樹脂が分子間或いは分子内架橋されていてもよい。
【００５１】
【化３０】

【００５２】
式中、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。又は、Ｒ⁴⁰とＲ⁴¹は結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ⁴⁰、Ｒ⁴¹は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ⁴²は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、ｅ１、ｆ１は０又は１〜１０、好ましくは０又は１〜５の整数、ｇ１は１〜７の整数である。Ａは、（ｇ１＋１）価の炭素数１〜５０の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Ｂは−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−又は−ＮＨＣＯＮＨ−を示す。
【００５３】
この場合、好ましくは、Ａは２〜４価の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数６〜３０のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、ｇ１は好ましくは１〜３の整数である。
【００５４】
一般式（Ａ−２ａ）、（Ａ−２ｂ）で示される架橋型アセタール基は、具体的には下記式（Ａ−２）−２４〜（Ａ−２）−３１のものが挙げられる。
【００５５】
【化３１】

【００５６】
次に、式（Ａ−３）においてＲ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等の１価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ³⁴とＲ³⁵、Ｒ³⁴とＲ³⁶、Ｒ³⁵とＲ³⁶とは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に、炭素数３〜２０の環を形成してもよい。
【００５７】
式（Ａ−３）に示される三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリエチルカルビル基、１−エチルノルボニル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロペンチル基、２−（２−メチル）アダマンチル基、２−（２−エチル）アダマンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基等を挙げることができる。
【００５８】
また、三級アルキル基としては、下記に示す式（Ａ−３）−１〜（Ａ−３）−１８を具体的に挙げることもできる。
【００５９】
【化３２】

【００６０】
式（Ａ−３）−１〜（Ａ−３）−１８中、Ｒ⁴³は同一又は異種の炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基を示す。Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁶は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。Ｒ⁴⁵は炭素数６〜２０のフェニル基等のアリール基を示す。
【００６１】
更に、下記式（Ａ−３）−１９、（Ａ−３）−２０に示すように、２価以上のアルキレン基、アリーレン基であるＲ⁴⁷を含んで、ポリマーの分子内或いは分子間が架橋されていてもよい。
【化３３】

【００６２】
式（Ａ−３）−１９、（Ａ−３）−２０中、Ｒ⁴³は前述と同様、Ｒ⁴⁷は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基、又はフェニレン基等のアリーレン基を示し、酸素原子や硫黄原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでいてもよい。ｈ１は１〜３の整数である。
【００６３】
式（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）中のＲ³⁰、Ｒ³³、Ｒ³⁶は、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基等のアルコキシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これらの基に酸素原子を有する、或いは炭素原子に結合する水素原子が水酸基に置換されたり、２個の水素原子が酸素原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示されるようなアルキル基、或いはオキソアルキル基を挙げることができる。
【００６４】
【化３４】

【００６５】
また、酸不安定基として用いられる各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基としてはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【００６６】
また、下記式（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）で示される珪素含有酸不安定基を用いることができる。
【００６７】
【化３５】

【００６８】
ここで、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²は水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵は同一又は異種の炭素数１〜２０のアルキル基、ハロアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基、或いは式中の珪素原子とシロキサン結合、シルメチレン結合で結合している珪素含有基である。Ｒ⁵¹とＲ⁵²は結合してこれらが結合する炭素原子と共に炭素数３〜１０の環を形成してもよい。
また、Ｒ⁵³とＲ⁵⁴、Ｒ⁵³とＲ⁵⁵又はＲ⁵⁴とＲ⁵⁵は、互いに結合してこれらが結合する珪素原子と共に珪素原子数３〜１０のシロキサン環を形成してもよい。
【００６９】
式（Ａ−４）、（Ａ−５）、（Ａ−６）として具体的には、下記式（Ａ−４）−１〜（Ａ−４）−１２、（Ａ−５）−１、（Ａ−６）−１のものが例示される。
【００７０】
【化３６】

【００７１】
また、一般式（Ａ−７）或いは（Ａ−８）で表される環状の珪素含有酸不安定基を用いることもできる。
【００７２】
【化３７】

【００７３】
ここで、Ｒ⁵⁶、Ｒ⁶⁸は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ⁵⁷、Ｒ⁵⁸、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ⁵⁹、Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、フッ素化した炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、ｐ、ｑ、ｒ、ｓは０〜１０の整数、１≦ｐ＋ｑ＋ｓ≦２０である。
【００７４】
式（Ａ−７）、（Ａ−８）のものを具体的に例示すると、下記式（Ａ−７）−１〜（Ａ−８）−６に示すものを挙げることができる。
【００７５】
【化３８】

【００７６】
更に、下記一般式（Ａ−９）で示される酸不安定基を挙げることもできる。
【化３９】

（式中、Ａ¹はフランジイル、テトラヒドロフランジイル又はオキサノルボルナンジイルから選ばれる２価の基を示す。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示す。又は、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に脂肪族炭化水素環を形成してもよい。Ｒ⁰³は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の１価炭化水素基を示す。）
【００７７】
式（Ａ−９）の酸素含有酸不安定基は、下記式（Ａ−９）−１、（Ａ−９）−２で表される。
【化４０】

（式中、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²は上記と同様である。Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴は単結合、又は炭素数１〜４のアルキレン基であるが、Ｒ⁰³＋Ｒ⁰⁴が炭素数３〜６のアルキレン基であり、２重結合を含んでいてもよい。）
【００７８】
式（Ａ−９）−１、（Ａ−９）−２として、具体的には下記のものを例示することができる。なお、下記式においてＭｅはメチル基、Ａｃはアセチル基を示す。
【００７９】
【化４１】

【００８０】
【化４２】

【００８１】
また、更に珪素含有量を増やすことによってドライエッチング耐性を高めることができるモノマーを共重合することができる。このものは珪素を含むモノマーであり、例えば下記に示すものが例示される。
【００８２】
【化４３】

（式中、Ｒ³〜Ｒ⁹は前述の通りである。）
【００８３】
本発明の高分子化合物は、一般式（１）で示されるＰＯＳＳ構造を持つオレフィンを重合することによって得られた繰り返し単位ａと一般式（３）中のｂ１又はｂ２の繰り返し単位或いは一般式（４）中のｃの繰り返し単位、更には一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる繰り返し単位ｄを共重合することによって得ることができる。
【００８４】
この場合、レジスト材料の特性を考慮すると、ａ、ｂ１、ｂ２、ｃ、ｄは正数で、下記式を満足する数であることが好ましい。
即ち、本発明の高分子化合物をフォトレジストに用いる場合、好ましい重合比率は０＜ａ／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．７、更に好ましくは０．０１＜ａ／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．６である。０．１≦（ｂ１＋ｂ２＋ｃ）／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．８、更に好ましくは０．２≦（ｂ１＋ｂ２＋ｃ）／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．７である。０．１≦ｄ／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．７、更に好ましくは０．２≦ｄ／（ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄ）≦０．６である。
【００８５】
ａ単位が少なすぎると珪素含有量が低下するため、酸素ガスにおけるエッチング耐性が低下し、ｂ１、ｂ２、ｃ単位が低下すると密着性基の割合が低下するので密着性が低下、パターン剥がれが生じ、現像後のスカムが発生する。ｄ単位が低下すると酸不安定基の割合が低下するため、溶解コントラストが低下し、パターンが解像できなくなる。それぞれの単位の割合が多すぎると、他の単位の割合が低下するため、エッチング耐性と密着性と溶解コントラストのバランスを満足することができなくなる。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄはその値を上記範囲内で適宜選定することによりパターンの寸法制御、パターンの形状コントロール、エッチング耐性を任意に行うことができる。
【００８６】
本発明の高分子化合物をペリクル膜に適用する場合は、繰り返し単位ｄは必要なく、ａ単位とｃ単位のみの構成となる。この場合、０．２≦ａ／（ａ＋ｃ）≦０．８が好ましい範囲である。
【００８７】
本発明の高分子化合物はａ単位を必須とし、必要によりｂ１、ｂ２単位、ｃ単位、ｄ単位を選択して共重合させることにより得ることができるが、他の成分を共重合させることができる。具体的には（メタ）アクリル酸誘導体、ビニルエーテル誘導体、アリルエーテル誘導体、シクロオレフィン化合物、スチレン誘導体、ビニルピロリドンなどが挙げられる。なお、本発明の高分子化合物は、ａ＋ｂ１＋ｂ２＋ｃ＋ｄが全繰り返し単位の合計の３０〜１００モル％、特に５０〜１００モル％であることが好ましい。
【００８８】
本発明の高分子化合物は、それぞれ重量平均分子量が１，０００〜５００，０００、好ましくは２，０００〜３０，０００である必要がある。重量平均分子量が小さすぎるとレジスト材料が耐熱性に劣るものとなり、大きすぎるとアルカリ溶解性が低下し、パターン形成後に裾引き現象が生じ易くなってしまう。
【００８９】
更に、本発明の高分子化合物においては、上記式（１）又は（３）、（４）の多成分共重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が広い場合は低分子量や高分子量のポリマーが存在するために露光後、パターン上に異物が見られたり、パターンの形状が悪化したりする。それ故、パターンルールが微細化するに従ってこのような分子量、分子量分布の影響が大きくなり易いことから、微細なパターン寸法に好適に用いられるレジスト材料を得るには、使用する多成分共重合体の分子量分布は１．０〜２．０、特に１．０〜１．５と狭分散であることが好ましい。
【００９０】
異なる分子量や分散度のポリマーのブレンドや、異なる酸不安定基、珪素含有基、密着性基のポリマー通りのブレンド、或いは異なる組成比率のポリマーブレンドを行うこともできる。
【００９１】
これら高分子化合物を合成するには、１つの方法としてはＰＯＳＳモノマーと他の共重合モノマーを、有機溶剤中、ラジカル開始剤を加えて加熱重合する重合法が挙げられる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは５０〜８０℃に加熱して重合できる。反応時間としては２〜１００時間、好ましくは５〜２０時間である。しかしこれら重合方法に限定されるものではない。
【００９２】
本発明のレジスト材料は、化学増幅型、特に化学増幅ポジ型レジスト材料として好適に用いられるもので、
（１）上記高分子化合物からなるベース樹脂、
（２）酸発生剤、
（３）有機溶剤
を含有し、必要により
（４）溶解阻止剤、
（５）塩基性化合物
を含有する組成とすることができる。
【００９３】
（２）成分の酸発生剤としては、下記一般式（６）のオニウム塩、式（７）のジアゾメタン誘導体、式（８）のグリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イルスルホネート誘導体等が挙げられる。
【００９４】
（Ｒ¹⁰⁰）_cＭ⁺Ｋ^- （６）
（但し、Ｒ¹⁰⁰は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｍ⁺はヨードニウム、スルホニウムを表し、Ｋ^-は非求核性対向イオンを表し、ｃは２又は３である。）
【００９５】
Ｒ¹⁰⁰のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、２−オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。Ｋ^-の非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、１，１，１−トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。
【００９６】
【化４４】

（但し、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²は同一でも異なっていてもよい炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン化アリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【００９７】
Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロフェニル基、クロロフェニル基、２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【００９８】
【化４５】

（但し、Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン化アリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。また、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵はそれぞれ炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。）
【００９９】
Ｒ¹⁰³、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル基としては、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【０１００】
具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート等のイミド−イル−スルホネート誘導体等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル誘導体が好ましく用いられる。なお、上記酸発生剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。オニウム塩は矩形性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は定在波低減効果に優れるが、両者を組み合わせることにより、プロファイルの微調整を行うことが可能である。
【０１０１】
酸発生剤の配合量は、全ベース樹脂１００部に対して０．２〜５０部、特に０．５〜４０部とすることが好ましく、０．２部に満たないと露光時の酸発生量が少なく、感度及び解像力が劣る場合があり、５０部を超えるとレジストの透過率が低下し、解像力が劣る場合がある。
【０１０２】
ここで、本発明で使用される（３）成分の有機溶剤としては、酸発生剤、ベース樹脂、溶解阻止剤等が溶解可能な有機溶媒であればいずれでもよい。このような有機溶剤としては、例えばシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコール−モノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート等のエステル類が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや１−エトキシ−２−プロパノール、乳酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。
【０１０３】
（４）成分の溶解阻止剤としては、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する重量平均分子量３，０００以下の化合物、特に重量平均分子量２，５００以下の低分子量フェノール或いはカルボン酸誘導体の一部或いは全部を酸に不安定な置換基で置換した化合物を挙げることができる。酸不安定基は（Ａ−１）〜（Ａ−８）と同様のものを用いることができる。
【０１０４】
重量平均分子量２，５００以下のフェノール或いはカルボン酸誘導体としては、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、［１，１’−ビフェニル−４，４’−ジオール］２，２’−メチレンビス［４−メチルフェノール］、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタレイン、チモールフタレイン、３，３’ジフルオロ［（１，１’ビフェニル）４，４’−ジオール］、３，３’５，５’−テトラフルオロ［（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジオール］、４，４’−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール、４，４’−メチレンビス［２−フルオロフェノール］、２，２’−メチレンビス［４−フルオロフェノール］、４，４’イソプロピリデンビス［２−フルオロフェノール］、シクロヘキシリデンビス［２−フルオロフェノール］、４，４’−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビス［２−フルオロフェノール］、４，４’−メチレンビス［２，６−ジフルオロフェノール］、４，４’−（４−フルオロフェニル）メチレンビス［２，６−ジフルオロフェノール］、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−フルオロフェニル）メチル］−４−フルオロフェノール、２，６−ビス［（４−ヒドロキシ−３−フルオロフェニル）メチル］−４−フルオロフェノール、２，４−ビス［（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−６−メチルフェノール等が挙げられ、酸に不安定な置換基としては、Ｒ⁴と同様のものが挙げられる。
【０１０５】
好適に用いられる溶解阻止剤の例としては、３，３’５，５’−テトラフルオロ［（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル］、４，４’−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール−４，４’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル、ビス（４−（２’テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（２’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’テトラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−（２’’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−（２’’テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（２’’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、トリス（４−（２’テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（２’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン、２−トリフルオロメチルベンゼンカルボン酸１，１−ｔ−ブチルエステル、２−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、コール酸−ｔ−ブチルエステル、デオキシコール酸−ｔ−ブチルエステル、アダマンタンカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、アダマンタン酢酸−ｔ−ブチルエステル、［１，１’−ビシクロヘキシル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸テトラ−ｔ−ブチルエステル］等が挙げられる。
【０１０６】
本発明のレジスト材料中における溶解阻止剤の添加量としては、レジスト材料中の固形分１００部（質量部、以下同じ）に対して２０部以下、好ましくは１５部以下である。２０部より多いとモノマー成分が増えるためレジスト材料の耐熱性が低下する。
【０１０７】
塩基性化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる（特開平５−２３２７０６号、同５−２４９６８３号、同５−１５８２３９号、同５−２４９６６２号、同５−２５７２８２号、同５−２８９３２２号、同５−２８９３４０号公報等記載）。
【０１０８】
このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられるが、特に脂肪族アミンが好適に用いられる。
【０１０９】
具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
【０１１０】
また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリジン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
【０１１１】
更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン）等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
【０１１２】
更に下記一般式（Ｂ）−１で示される塩基性化合物から選ばれる１種又は２種以上を添加することもできる。
Ｎ（Ｘ）_n（Ｙ）_3-n （Ｂ）−１
式中、ｎは１、２又は３である。側鎖Ｘは同一でも異なっていてもよく、下記一般式（Ｘ）−１〜（Ｘ）−３で表すことができる。側鎖Ｙは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、エーテル基もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、Ｘ同士が結合して環を形成してもよい。
【０１１３】
【化４６】

【０１１４】
ここで、Ｒ³⁰⁰、Ｒ³⁰²、Ｒ³⁰⁵は炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、Ｒ³⁰¹、Ｒ³⁰⁴は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を１或いは複数含んでいてもよい。
Ｒ³⁰³は単結合、炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、Ｒ³⁰⁶は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、ヒドロキシ基、エーテル、エステル基、ラクトン環を１或いは複数含んでいてもよい。
【０１１５】
一般式（Ｂ）−１で表される化合物は具体的には下記に例示される。
トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６、トリス（２−フォルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−ホルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−アセトキシエチル）アミン、トリス（２−プロピオニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−イソブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−バレリルオキシエチル）アミン、トリス（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（アセトキシアセトキシ）エチルアミン、トリス（２−メトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス［２−（２−オキソプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２−（メトキシカルボニルメチル）オキシエチル］アミン、トリス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス［２−（シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス（２−メトキシカルボニルエチル）アミン、トリス（２−エトキシカルボニルエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−ヒドロキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−アセトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（４−ヒドロキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（４−ホルミルオキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（２−ホルミルオキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−メトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−メチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−メチルビス（２−ピバロイルオキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、Ｎ−エチルビス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、トリス（メトキシカルボニルメチル）アミン、トリス（エトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ブチルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ヘキシルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、β−（ジエチルアミノ）−δ−バレロラクトンを例示できるが、これらに制限されない。
【０１１６】
更に、下記一般式（Ｂ）−２に示される環状構造を持つ塩基性化合物の１種或いは２種以上を添加することもできる。
【０１１７】
【化４７】

（式中、Ｘは前述の通り、Ｒ³⁰⁷は炭素数２〜２０の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル基、エステル基、スルフィドを１個或いは複数個含んでいてもよい。）
【０１１８】
上記式（Ｂ）−２として具体的には、１−［２−（メトキシメトキシ）エチル］ピロリジン、１−［２−（メトキシメトキシ）エチル］ピペリジン、４−［２−（メトキシメトキシ）エチル］モルホリン、１−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］ピロリジン、１−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］ピペリジン、４−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］モルホリン、酢酸２−（１−ピロリジニル）エチル、酢酸２−ピペリジノエチル、酢酸２−モルホリノエチル、ギ酸２−（１−ピロリジニル）エチル、プロピオン酸２−ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸２−モルホリノエチル、メトキシ酢酸２−（１−ピロリジニル）エチル、４−［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］モルホリン、１−［２−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］ピペリジン、４−［２−（２−メトキシエトキシカルボニルオキシ）エチル］モルホリン、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸メチル、３−ピペリジノプロピオン酸メチル、３−モルホリノプロピオン酸メチル、３−（チオモルホリノ）プロピオン酸メチル、２−メチル−３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸メチル、３−モルホリノプロピオン酸エチル、３−ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−ヒドロキシエチル、３−モルホリノプロピオン酸２−アセトキシエチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル、３−モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、３−ピペリジノプロピオン酸グリシジル、３−モルホリノプロピオン酸２−メトキシエチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル、３−モルホリノプロピオン酸ブチル、３−ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α−（１−ピロリジニル）メチル−γ−ブチロラクトン、β−ピペリジノ−γ−ブチロラクトン、β−モルホリノ−δ−バレロラクトン、１−ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、１−ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸２−メトキシエチルで挙げることができる。
【０１１９】
更に、一般式（Ｂ）−３〜（Ｂ）−６で表されるシアノ基を含む塩基性化合物を添加することができる
【０１２０】
【化４８】

（式中、Ｘ、Ｒ³⁰⁷、ｎは前述の通り、Ｒ³⁰⁸、Ｒ³⁰⁹は同一又は異種の炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基である。）
【０１２１】
シアノ基を含む塩基は、具体的には３−（ジエチルアミノ）プロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−エチル−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（３−ホルミルオキシ−１−プロピル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−テトラヒドロフルフリル−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−シアノメチル−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（シアノメチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ホルミルオキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−［２−（メトキシメトキシ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−（シアノメチル）−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）アミノアセトニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）−Ｎ−（シアノメチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（３−ホルミルオキシ−１−プロピル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（シアノメチル）アミノアセトニトリル、１−ピロリジンプロピオノニトリル、１−ピペリジンプロピオノニトリル、４−モルホリンプロピオノニトリル、１−ピロリジンアセトニトリル、１−ピペリジンアセトニトリル、４−モルホリンアセトニトリル、３−ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、３−ジエチルアミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、１−ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、１−ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、４−モルホリンプロピオン酸シアノメチル、１−ピロリジンプロピオン酸（２−シアノエチル）、１−ピペリジンプロピオン酸（２−シアノエチル）、４−モルホリンプロピオン酸（２−シアノエチル）が例示される。
【０１２２】
なお、本発明の塩基性化合物の配合量は、全ベース樹脂１００部に対して０．００１〜２部、特に０．０１〜１部が好適である。配合量が０．００１部より少ないと配合効果がなく、２部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
【０１２３】
本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加することができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。
【０１２４】
ここで、界面活性剤としては非イオン性のものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。例えばフロラード「ＦＣ−４３０」、「ＦＣ−４３１」（いずれも住友スリーエム（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４５」、「Ｓ−３８１」、「Ｓ−３８３」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いずれもダイキン工業（株）製）、メガファック「Ｆ−８１５１」、「Ｆ−１７１」、「Ｆ−１７２」、「Ｆ−１７３」、「Ｆ−１７７」（大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０９２」、「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。好ましくは、フロラード「ＦＣ−４３０」（住友スリーエム（株）製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業（株）製）が挙げられる。
【０１２５】
本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上にスピンコーティング等の手法で膜厚が０．１〜１．０μｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０〜２００℃、１０秒〜１０分間、好ましくは８０〜１５０℃、３０秒〜５分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、波長３００ｎｍ以下の遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギー線もしくは電子線を露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ²程度、好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ²程度となるように照射した後、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１０秒〜５分間、好ましくは８０〜１３０℃、３０秒〜３分間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。更に、０．１〜５％、好ましくは２〜３％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、１０秒〜３分間、好ましくは３０秒〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜１２０ｎｍの遠紫外線又はエキシマレーザー、特に１９３ｎｍのＡｒＦ、１４６ｎｍのＫｒ₂、１３４ｎｍのＫｒＡｒなどのエキシマレーザー、１５７ｎｍのＦ₂、１２６ｎｍのＡｒ₂などのレーザー、Ｘ線及び電子線による微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。
【０１２６】
本発明のパターン形成方法を図示する。
図１は、露光、ＰＥＢ、現像によって珪素含有レジストパターンを形成し、酸素ガスエッチングによって下地の有機膜パターンを形成し、ドライエッチングによって被加工膜の加工を行う方法を示す。ここで、図１（Ａ）において、１は下地基板、２は被加工基板（ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等）、３は有機膜（ノボラック、ポリヒドロキシスチレン等）、４は本発明に係る珪素含有高分子化合物を含むレジスト材料によるレジスト層であり、図１（Ｂ）に示したように、このレジスト層の所用部分を露光５し、更に図１（Ｃ）に示したようにＰＥＢ、現像を行って露光領域を除去し、更に図１（Ｄ）に示したように酸素プラズマエッチング、図１（Ｅ）に示したように被加工基板エッチング（ＣＦ系ガス）を行って、パターン形成することができる。
【０１２７】
ここで、酸素ガスエッチングは酸素ガスを主成分とした反応性プラズマエッチングであり、高いアスペクト比で下地の有機膜を加工することができる。酸素ガスの他にオーバーエッチングによるＴ−トップ形状を防止するために、側壁保護を目的とするＳＯ₂やＮ₂ガスを添加してもよい。また、現像後のレジストのスカムを除去し、ラインエッジを滑らかにしてラフネスを防止するために、酸素ガスエッチングを行う前に、短時間のフロン系ガスでエッチングすることも可能である。次に、被加工膜のドライエッチング加工は、被加工膜がＳｉＯ₂やＳｉ₃Ｎ₄であれば、フロン系のガスを主成分としたエッチングを行う。フロン系ガスはＣＦ₄、ＣＨＦ₃、ＣＨ₂Ｆ₂、Ｃ₂Ｆ₆、Ｃ₃Ｆ₈、Ｃ₄Ｆ₁₀、Ｃ₅Ｆ₁₂などが挙げられる。この時は被加工膜のドライエッチングと同時に、珪素含有レジスト膜を剥離することが可能である。被加工膜がポリシリコン、タングステンシリサイド、ＴｉＮ／Ａｌなどの場合は、塩素、臭素ガスを主成分としたエッチングを行う。
【０１２８】
本発明の珪素含有レジストは、塩素、臭素ガスを主成分としたエッチングに対して優れた耐性を示し、単層レジストと同じ加工方法を用いることもできる。
【０１２９】
図２は、これを示すもので、図２（Ａ）において、１は下地基板、６は被加工基板、４は上記したレジスト層であり、図２（Ｂ）、（Ｃ）に示したように、露光５及びＰＥＢ、現像を行った後、図２（Ｄ）に示したように被加工基板エッチング（Ｃｌ系ガス）を行うことができるもので、このように被加工膜直上に本発明の珪素含有レジスト膜をパターン形成し、塩素、臭素ガスを主成分としたエッチングで被加工膜の加工を行うことができる。
【０１３０】
【発明の効果】
本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、３００ｎｍ以下の波長における感度、解像性、酸素プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明の高分子化合物及びレジスト材料は、これらの特性より、特に優れた２層レジスト用の材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適である。
【０１３１】
【実施例】
以下、合成例及び実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない
珪素含有ポリマーの合成例
［合成例１］
３００ｍＬのフラスコに無水マレイン酸９．８ｇ、１，３，５，７，９，１１，１３−ヘプタシクロペンチル−１５−ビニルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー１）９３ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を４．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体５６ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
無水マレイン酸：下記モノマー１＝４８：５２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝８，６００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．９９
これを（ポリマー１）とする。
【０１３２】
［合成例２］
３００ｍＬのフラスコに無水マレイン酸９．８ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）１０５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を４．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体８６ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
無水マレイン酸：下記モノマー２＝５１：４９
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１８，２００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７５
これを（ポリマー２）とする。
【０１３３】
［合成例３］
３００ｍＬのフラスコにＮ−メチルマレイミド１１．１ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）１０５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を４．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体８９ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
メチルマレイミド：下記モノマー２＝４８：５２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１７，５００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７５
これを（ポリマー３）とする。
【０１３４】
［合成例４］
３００ｍＬのフラスコにフマロニトリル７．８ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）１０５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を４．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体８７ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
フマロニトリル：下記モノマー２＝５５：４５
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１６，８００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．７２
これを（ポリマー４）とする。
【０１３５】
［合成例５］
５００ｍＬのオートクレーブ反応容器に１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）１０５ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、テトラフルオロエチレンガスを１３０ｇ注入し、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を６．３ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液を窒素置換後、メタノール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、３０℃で減圧乾燥し、白色重合体１６５ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
テトラフルオロエチレン：下記モノマー２＝５７：４３
重量平均分子量（Ｍｗ）＝２１，０５０
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．５６
これを（ポリマー５）とする。
【０１３６】
［合成例６］
３００ｍＬのフラスコに無水マレイン酸１９．６ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）４２ｇ、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（７−オキサノルボルナン−２−イル）シクロペンチル（モノマー３）６０ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を６．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン１５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体８６ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
無水マレイン酸：下記モノマー２：５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（７−オキサノルボルナン−２−イル）シクロペンチル＝５１：９：４０
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１３，１００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．８１
これを（ポリマー６）とする。
【０１３７】
［合成例７］
３００ｍＬのフラスコにビニルスルホン酸メチルエステル（モノマー４）２４．４ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）４２ｇ、メタクリル酸−２−エチル−２−アダマンチル４９ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を６．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン１５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体９２ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
ビニルスルホン酸メチルエステル：下記モノマー２：メタクリル酸−２−エチル−２−アダマンチル＝５８：１０：３２
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１５，６００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．９２
これを（ポリマー７）とする。
【０１３８】
［合成例８］
３００ｍＬのフラスコに５−（２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネン（モノマー５）２４．４ｇ、１−（ジメチルビニルシリロキシ）−３，５，７，９，１１，１３，１５−ヘプタシクロペンチルペンタシクロ［９．５．１．１^3,9．１^5,15．１^7,13］オクタシロキサン（下記モノマー２）４２ｇ、１−トリフルオロメチルアクリル酸−２−ｔ−ブチル（モノマー６）４２ｇ、溶媒としてテトラヒドロフランを１００ｇ添加した。この反応容器を窒素雰囲気下−７０℃まで冷却し、減圧脱気、窒素ブローを３回繰り返した。室温まで昇温後、重合開始剤として２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を６．０ｇ加え、５５℃まで昇温後、２５時間反応させた。この反応溶液にアセトン１５ｍＬを加えて希釈後、イソプロピルアルコール４．５Ｌ溶液中に沈澱させ、得られた白色固体を濾過後、４０℃で減圧乾燥し、白色重合体７８ｇを得た。
得られた重合体を¹³Ｃ，¹Ｈ−ＮＭＲ及びＧＰＣ測定したところ、以下の分析結果となった。
共重合組成比
５−（２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネン：下記モノマー２：１−トリフルオロメチルアクリル酸−２−ｔ−ブチル＝４１：１２：４７
重量平均分子量（Ｍｗ）＝１６，６００
分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）＝１．８４
これを（ポリマー８）とする。
【０１３９】
【化４９】

【０１４０】
ドライエッチング試験
合成例１〜８で得られたポリマー１ｇ、又はｍ／ｐ比（メタ／パラ比）が６／４のＭｗ８，０００のノボラック３ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１０ｇに十分に溶解させ、０．２μｍのフィルターで濾過して、ポリマー溶液を作製した。
ポリマー溶液をスピンコーティングでシリコンウエハーに塗布して、１１０℃で６０秒間ベークして２００ｎｍ厚みのポリマー膜を、ノボラックの場合は１０００ｎｍ厚みの膜を作製した。
次に、ポリマー膜を作製したウエハーについて下記２つの条件でドライエッチングを行い、エッチング前後のポリマー膜の膜厚差を求めた。
【０１４１】
（１）Ｏ₂ガスでのエッチング試験
東京エレクトロン株式会社製ドライエッチング装置ＴＥ−８５００Ｐを用い、エッチング前後のポリマーの膜厚差を求めた。
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 ４５０ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー ６００Ｗ
Ａｒガス流量 ４０ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量 ６０ｓｃｃｍ
ギャップ ９ｍｍ
時間 ６０ｓｅｃ
【０１４２】
（２）Ｃｌ₂／ＢＣｌ₃系ガスでのエッチング試験
日電アネルバ株式会社製ドライエッチング装置Ｌ−５０７Ｄ−Ｌを用い、エッチング前後のポリマーの膜厚差を求めた。
エッチング条件は下記に示す通りである。
チャンバー圧力 ３００ｍＴｏｒｒ
ＲＦパワー ３００Ｗ
ギャップ ９ｍｍ
Ｃｌ₂ガス流量 ３０ｓｃｃｍ
ＢＣｌ₃ガス流量 ３０ｓｃｃｍ
ＣＨＦ₃ガス流量 １００ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量 ２ｓｃｃｍ
時間 ６０ｓｅｃ
エッチング試験結果を表１に示す。
【０１４３】
【表１】

【０１４４】
レジスト評価例
表２に示す組成で、ポリマー６〜８で示されるシリコーンポリマー、ＰＡＧ１，２で示される酸発生剤、ＤＲＩ１，２で示される溶解阻止剤を、ＦＣ−４３０（住友スリーエム製）０．０１質量％を含むプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）溶媒１，０００質量部に十分に溶解させ、０．２μｍのテフロン製のフィルターを濾過することによってレジスト液をそれぞれ調製した。
シリコンウエハーに下層ノボラック系レジスト材料としてＯＦＰＲ−８００（東京応化工業（株）製）を塗布し、３００℃で５分間加熱し、硬化させて５００ｎｍの厚みにした。
その上にブリューワーサイエンス社製反射防止膜（ＤＵＶ−３０）をスピンコートして１００℃で３０秒、２００℃で６０秒ベークして８５ｎｍの厚みにした。
レジスト液を硬化させたＤＵＶ−３０／ノボラックレジスト上へスピンコーティングし、ホットプレートを用いて１１０℃で６０秒間ベークして２００ｎｍの厚さにした。これをＡｒＦエキシマレーザーステッパー（ニコン社製、Ｓ３０５Ｂ、ＮＡ０．６８、σ０．８５、２／３輪帯照明）を用いて露光し、１１０℃で６０秒間ベーク（ＰＥＢ）後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）で６０秒間現像を行うと、ポジ型のパターンを得ることができた。
得られたレジストパターンを次のように評価した。結果を表２に示す。
評価方法：
０．１５μｍのラインアンドスペースを１：１で解像する露光量を最適露光量（Ｅｏｐ）として、この露光量において分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。
なお、表２の組成中、ＰＡＧ１，２、ＤＲＩ１，２、ＴＭＭＥＡ、ＡＡＡ、ＡＡＣＮは下記の通りである。
【０１４５】
【化５０】

【０１４６】
【表２】

【０１４７】
ポリマー透過率測定
ポリマー６〜８を１ｇプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）２０ｇに十分に溶解させ、０．２μｍのフィルターで濾過してポリマー溶液を調製した。
ポリマー溶液をＭｇＦ₂基板にスピンコーティングして塗布後、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１００ｎｍのポリマー膜をＭｇＦ₂基板上に作製した。この基板を真空紫外光度計（日本分光製、ＶＵＶ−２００Ｓ）に設置し、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍにおける透過率を測定した。測定結果を表３に示す。
【０１４８】
【表３】

【０１４９】
次に１５７ｎｍの透過率が比較的高いポリマー８を使ってレジストを下記の組成でフォーミュレーションし、ＤＵＶ−３０を８５ｎｍの膜厚で成膜したシリコンウエハー上に得られたレジスト液をスピンコーティング後、ホットプレートを用いて１２０℃で９０秒間ベークし、レジストの厚みを１００ｎｍの厚さにした。これにＦ₂レーザー（リソテックジャパン社、ＶＵＶＥＳ−４５００）で露光量を変化させながら露光し、露光後直ちに１２０℃で９０秒間ベークし、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で６０秒間現像を行って、露光量と残膜率の関係を求めた。膜厚が０になった露光量をＥｔｈとして、レジストの感度、そのときの傾きのｔａｎθをγとして求めた。結果を表４に示す。
【０１５０】
【表４】

【０１５１】
本発明の珪素含有高分子化合物を用いたレジスト材料は、ＡｒＦエキシマレーザーリソグラフィーにおける高い解像力と、Ｆ₂レーザー照射における高い溶解コントラスト、酸素ガスを用いたエッチングにおいて下地のノボラックに比べて高い選択比、塩素ガスエッチングにおけるノボラック並の高いエッチング耐性が示された。
【図面の簡単な説明】
【図１】酸素エッチングを用いた加工プロセスを示し、（Ａ）は加工膜の積層状態、（Ｂ）は露光した状態、（Ｃ）はＰＥＢ、現像した状態、（Ｄ）は酸素プラズマエッチングを行った状態、（Ｅ）は被加工基板エッチングを行った状態の断面図である。
【図２】塩素系エッチングを用いた加工プロセスを示し、（Ａ）は加工膜の積層状態、（Ｂ）は露光した状態、（Ｃ）はＰＥＢ、現像した状態、（Ｄ）は被加工基板エッチングを行った状態の断面図である。
【符号の説明】
１ 下地基板
２ 被加工基板
３ 有機膜
４ レジスト膜
５ 露光領域
６ 被加工基板

Claims (11)

1. 下記一般式（１）で表される繰り返し単位と、酸によってアルカリ溶解性が向上する下記一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる酸不安定基を含む繰り返し単位とを含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ ^2' は一般式（２）
   

   

   で表される２価の連結基であり、Ｒ³〜Ｒ⁹は独立に水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、エーテル、ラクトン、エステル、ヒドロキシ基又はシアノ基を含んでいてもよく、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ¹²は単結合、酸素原子、又は炭素数１〜４のアルキレン基である。ａは正数であり、ｂは１〜２０の整数である。）
   

   

   （式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、又はシアノ基であり、Ａは酸不安定基を示し、ｐは０又は１であり、ｍは１又は２である。Ａ¹とＡ²は、両方又はどちらか一方が酸不安定基であり、酸不安定基でない場合は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は密着性基である。）
2. 下記一般式（３）で表される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ²は単結合、又は一般式（２）
   

   

   で表される２価の連結基であり、Ｒ³〜Ｒ⁹は独立に水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、エーテル、ラクトン、エステル、ヒドロキシ基又はシアノ基を含んでいてもよく、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ¹²は単結合、酸素原子、又は炭素数１〜４のアルキレン基である。ａは正数であり、ｂは１〜２０の整数である。Ｘは酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ¹³−である。Ｒ¹³は水素原子、ヒドロキシ基、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、酸不安定基で置換されたアルコキシカルボニル基を含有していてもよい。Ｒ^f1、Ｒ^f2は水素原子、フッ素原子、又はトリフルオロメチル基である。ｂ１は正数、ｂ２は０又は正数であり、ｂ１＋ｂ２は正数である。）
3. 下記一般式（４）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする珪素含有高分子化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、Ｒ ^2' は一般式（２）
   

   

   で表される２価の連結基であり、Ｒ³〜Ｒ⁹は独立に水素原子、炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又はフッ素化されたアルキル基であり、エーテル、ラクトン、エステル、ヒドロキシ基又はシアノ基を含んでいてもよく、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、Ｒ¹²は単結合、酸素原子、又は炭素数１〜４のアルキレン基である。ａは正数であり、ｂは１〜２０の整数である。Ｙ¹、Ｙ²、Ｙ³、Ｙ⁴はそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、アルコキシカルボニル基、フッ素置換アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、アセチル基、スルホン酸エステル、又はスルホンを示し、同一であっても異なっていてもよいが、すべてが水素原子にはならない。また、ｃは正数である。）
4. 更に、下記一般式（ｄ１）〜（ｄ７）から選ばれる酸不安定基を含む繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項２又は３記載の高分子化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、又はシアノ基であり、Ａは酸不安定基を示し、ｐは０又は１であり、ｍは１又は２である。Ａ¹とＡ²は、両方又はどちらか一方が酸不安定基であり、酸不安定基でない場合は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は密着性基である。）
5. 請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物を添加してなるレジスト材料。
6. （１）ベース樹脂として、請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物、
   （２）酸発生剤、
   （３）有機溶剤
   を含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト材料。
7. （１）ベース樹脂として、請求項１乃至４のいずれか１項記載の高分子化合物、
   （２）酸発生剤、
   （３）有機溶剤、
   （４）溶解阻止剤
   を含有してなる化学増幅型ポジ型レジスト材料。
8. 更に、添加剤として塩基性化合物を配合してなる請求項６又は７記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
9. （１）請求項５乃至８のいずれか１項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
   （２）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の高エネギー線もしくは電子線で露光する工程と、
   （３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
   を含むことを特徴とするパターン形成方法。
10. 請求項９において、パターン形成後、酸素プラズマエッチングにより下地の加工を行うレジストパターン形成方法。
11. 請求項９において、パターン形成後、塩素又は臭素を含むハロゲンガスによるエッチングにより下地の加工を行うレジストパターン形成方法。

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