JP3889244B2 - ブラックストライプ形成用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はブラックストライプ形成用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びその製造方法に関し、更に詳しくは、基板上にパターン化されたブラックストライプを形成することができるブラックストライプ形成用塗布液、パターン化されたブラックストライプ、および該ブラックストライプの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、ハイビジョン用の大画面、高画質の画像表示装置として、応答性、色再現性が良いプラズマディスプレイパネル(PDP)が注目されている。このPDPの画質を向上させる方法の一つとして明室コントラストのアップがあり、そのために、このPDPの前面側の基板の放電セル間にギャップを設けるために、これら放電セル間にブラックストライプを形成する方法が採られている。
このギヤツプは誤放電を防ぐためのものであるから、基本的には発光に寄与しない。このため、放電セル間を黒く塗りつぶすことによって外光反射を抑えようというものである。このように、ブラックストライプを設けることにより、一般的に明室コントラストが20%向上するといわれている。
【0003】
このブラックストライプを形成するための材料に要求されている特性としては、
▲1▼ガラスとの密着性が高い。
▲2▼反射率が低い。
▲3▼透過率が低い。
▲4▼絶縁性が高い。
▲5▼耐溶剤性に優れる。
▲6▼透明電極やバス電極との反応性が低い。
等が挙げられる。
【0004】
そこで、これらの特性を満足するため、従来では、PbO−B2O3−SiO2系ガラス粉末と黒色顔料を混合したタイプの黒色ガラスペーストが使用されている。
この黒色ガラスペーストには、印刷タイプ(解像度;70〜100μm程度)と感光性タイプ(解像度;30〜50μm程度)があり、デザインルールを考慮して使い分けられている。印刷タイプはスクリーン印刷により、感光性タイプはフォトリソグラフィによりそれぞれパターニングされ、最終的に550〜600℃で焼成されて膜厚が3〜7μmのブラックストライプとなる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、現状においては、上述した従来の黒色ガラスペーストでは、単位膜厚当たりの光学濃度(OD)値が低く、所定のOD値を得るためにはブラックストライプの膜厚を厚くせざるを得ない。また、ブラックストライプが所定の絶縁性を得るためには、このブラックストライプの上に透明誘電体膜を形成しなければならないが、ブラックストライプの膜厚が厚くなると基板表面の凹凸が大きくなるために、その上に透明誘電体膜を均一な膜厚で形成することが困難になるという問題点があった。
【0006】
さらに、ブラックストライプの膜厚が厚くなると、透明誘電体膜まで含んだ総膜厚が厚くなるために、パネルの透過率が低下してしまうという問題点があった。
そこで、従来よりも吸光度が高く、薄膜形成時においては従来よりも薄い膜厚で所定のOD値を得ることができるブラックストライプ形成材料に対する要望が高まっている。
【0007】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、単位膜厚当たりの光学濃度(OD)値が高く、従来よりも薄い膜厚で所定のOD値を得ることができると共に、低反射性をも兼ね備えた光学特性に優れたブラックストライプを安価に形成することのできるブラックストライプ形成用塗布液、このブラックストライプ形成用塗布液を用いて形成されたパターン化されたブラックストライプ、パターン化されたブラックストライプを非常に簡易な工程で、しかも安全かつ低コストで作製することができるブラックストライプの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は次の様なブラックストライプ形成用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びその製造方法を採用した。
すなわち、本発明の請求項1記載のブラックストライプ形成用塗布液は、
Mnの有機酸塩、Mnの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
Cuの有機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
SiO2および有機溶剤を少なくとも含有することを特徴とする。
【0010】
請求項2記載のブラックストライプ形成用塗布液は、請求項1記載のブラックストライプ形成用塗布液において、前記SiO2は、Siのアルコキシドを加水分解して得られたことを特徴とする。
【0011】
請求項3記載のブラックストライプ形成用塗布液は、請求項1または2記載のブラックストライプ形成用塗布液において、前記有機溶剤は、少なくとも1種の非プロトン性極性溶剤を含有することを特徴とする。
【0012】
請求項4記載のブラックストライプ形成用塗布液は、請求項1、2または3記載のブラックストライプ形成用塗布液において、前記Mn、Cu、Fe及びSiの含有量の合計を、前記塗布液全重量に対し、酸化物に換算して1〜20重量%としたことを特徴とする。
【0013】
請求項5記載のブラックストライプ形成用塗布液は、請求項1ないし4のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液において、前記SiO2の含有量を、前記塗布液全重量に対し0.2〜5重量%としたことを特徴とする。
【0014】
請求項6記載のブラックストライプ形成用塗布液は、請求項3記載のブラックストライプ形成用塗布液において、前記非プロトン性極性溶剤の含有量を、前記塗布液全重量に対し1〜20重量%としたことを特徴とする。
【0015】
請求項7記載のブラックストライプは、あらかじめネガレジストパタ−ンが形成された基板上に、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液を用いてパターン化されたブラックストライプが形成されていることを特徴とする。
【0016】
請求項8記載のブラックストライプの製造方法は、感光性樹脂を用いて基板上にネガレジストパターンを形成し、次いで、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液を塗布・乾燥し、次いで、400℃以上の温度で焼成することを特徴とする。
【0017】
請求項9記載のブラックストライプの製造方法は、請求項8記載のブラックストライプの製造方法において、前記感光性樹脂は、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液に対して相溶性、反応性が無く、かつ撥液性を有することを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明のブラックストライプ形成用塗布液とそれを用いたブラックストライプ及びその製造方法の一実施の形態について説明する。
なお、本実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【0019】
[ブラックストライプ形成用塗布液]
本実施形態のブラックストライプ形成用塗布液は、マンガン(Mn)化合物、銅(Cu)化合物、鉄(Fe)化合物、酸化ケイ素(SiO2)および有機溶剤を少なくとも含有する。
SiO2としては、Siのアルコキシドを加水分解して生成したものが好適に用いられる。
【0020】
ここで、マンガン(Mn)化合物、銅(Cu)化合物及び鉄(Fe)化合物は、特に限定されるものではなく、例えば、蟻酸塩、酢酸塩、クエン酸塩等の有機酸塩、硝酸塩、塩化物等の無機酸塩等を使用することができる。特に硝酸塩は、有機溶媒に対する溶解性、及び低温熱分解性に優れる等の理由から、好適に使用される。
また、SiO2の原料となるSiのアルコキシドとしては、一般的なSiアルコキシド、例えば、テトラメトキシシラン((CH3O)4Si)、テトラエトキシシラン((C2H5O)4Si)、テトライソプロボキシシラン((i−C3H7O)4Si)等が好適に使用される。
【0021】
また、有機溶蝶は、特に限定されるものではないが、非プロトン性極性溶媒を含むことが好ましい。非プロトン性極性溶媒としては、例えば、1−メチル−2−ピロリドン(C4H6NOCH3)、ジメチルホルムアミド(HCON(CH3)2)等が好適に使用される。
【0022】
ここで、マンガン(Mn)化合物、銅(Cu)化合物、鉄(Fe)化合物をそれぞれ所定量秤量し、溶媒中で完全に溶解するまで混合攪拌する。次いで、Siのアルコキシドを添加し、60℃で1時間加熱攪拌する。この加熱攪拌過程においては、混合溶液中でSiのアルコキシドを加水分解させてSiO2を複合化することにより、所望のブラックストライプ形成用塗布液が得られる。
この加水分解時に使用される水の供給源としては、マンガン(Mn)化合物、銅(Cu)化合物、鉄(Fe)化合物中に水和水が含まれる場合には、この水和水を用いればよく、また、水和水が含まれない場合には、必要に応じて水を添加すればよい。
【0023】
上記のブラックストライプ形成用塗布液においては、Mn、Cu、Fe及びSiの含有量の合計は、前記塗布液全重量に対し、酸化物に換算して1〜20重量%、より好ましくは9〜13重量%である。ここで、これらの含有量の合計を上記の様に限定した理由は、これらの含有量の合計が1重量%よりも少ないと、得られる膜厚が薄くなり過ぎ、所定のOD値を得ることができず、逆に、これらの含有量の合計が20重量%よりも多いと、膜厚が厚くなり過ぎ、クラックが発生し易くなり、良好な膜が得られないからである。
【0024】
塗布液中にSiO2を添加するのは、成膜性を向上させ、かつ焼成後の膜強度を向上させるためである。添加するSiのアルコキシドの含有量は、SiO2換算で、塗布液重量に対し、0.2〜5重量%、より好ましくは1〜3重量%である。含有量が0.2重量%よりも少ないと、焼成後の膜強度が弱くなり、逆に、5重量%よりも多いと、膜厚が厚くなり過ぎ、クラックが発生し易くなり、良好な膜が得られないからである。
【0025】
塗布液に使用する有機溶媒としては、各金属塩、及びSiのアルコキシドを溶解できるものであれば特に限定されないが、塗工性を考慮し、1−プロパノール、2−プロパノール等のアルコール類が好適に使用される。
また有機溶媒中には、少なくとも一種の非プロトン性極性溶媒を添加するが、これは金属塩の溶媒に対する溶解度を高くし、成膜時に生じるおそれのある膜の白濁等を防止するためである。
【0026】
非プロトン性極性溶媒としては、1−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド等が好適に使用される。中でも1−メチル−2−ピロリドンが特に好ましい。非プロトン性極性溶蝶の含有量は、塗布液重量に対し、1〜20重量%、より好ましくは8〜14重量%である。含有量が1重量%よりも少ないと、成膜時の白濁防止効果が小さく、逆に、含有量が20重量%よりも多いと、成膜時にハジキ斑が発生し、良好な塗膜が得られないからである。
【0027】
[パターン化されたブラックストライプおよびその製造方法]
パターン化されたブラックストライプは、感光性樹脂を用いることで予めネガレジストパターが形成された基板上に、上記により得られたブラックストライプ形成用塗布液を塗布、乾燥した後、焼成することによって作製される。この方法はリフトオフ法を応用した方法であり、レジストパターン部以外の箇所にブラックストライプ形成用塗布液を埋め込み、乾燥後、焼成すると、レジストパターン部は分解消失し、そこにはブラックストライプは形成されず、塗布液が埋め込まれた非レジストパターン部のみにブラックストライプが形成される。
【0028】
ここで使用される感光性樹脂としては、光重合性アクリル系樹脂、光崩壊性ノボラック系樹脂、光架橋性水溶性高分子等が使用できるが、上記のブラックストライプ形成用塗布液と相溶性、反応性が無く、かつ撥液性を示す感光性樹脂であることが必要である。これらの特性を満足しないと、ブラックストライプ形成用塗布液がレジストパターン上に残存し、焼成によるレジスト消失後もその部にブラックストライプが残留形成され、良好なパターンが得られないからである。
【0029】
この感光性樹脂を基板上に塗布するには、公知の方法を採用することができ、例えば、ディップコート法、スピンコート法、ロールコート法等が好適に用いられる。また、レジストパターンの膜厚は、1.0〜5.0μm、好ましくは2,0〜3,0μmとなるようにする。その理由は、レジストパターンの膜厚が1.0μmよりも薄いと、得られるブラックストライプの膜厚が薄くなり過ぎ、必要なOD値が得られず、逆に、5.0μmよりも厚いと、得られるブラックストライプの膜厚が厚くなり過ぎ、焼成後、膜中にクラックが発生するからである。
【0030】
このネガレジストパターンが形成された基板上にブラックストライプ形成用塗布液を塗布する場合も、公知の方法を採用することができ、例えば、ディップコート法、スピンコート法、ロールコート法等が好適に用いられる。この塗布液を塗布後、必要に応じて120℃で10分程度乾燥しても良い。その後、大気中で400℃以上、好ましくは500℃以上の温度で、30〜60分程度焼成することにより、この塗布液が埋め込まれた非レジストパターン部のみにブラックストライプが形成される。
【0031】
上記の方法によれば、非常に簡易な工程で、安全かつ低コストでパターン化されたブラックストライプを作製することができる。従来のブラックストライプの膜厚は、4〜7μmであるが、本発明により、膜厚が0.5〜1.0μmと薄膜であっても必要な光学濃度(OD)値を有するブラックストライプを形成することができる。したがって、透明誘電体を形成し易く、かつ全体の膜厚を薄くすることができ、パネルの透過率を向上させることができ、PDPの画質向上に好適である。
【0032】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【0033】
(実施例1)
[ブラックストライプ形成用塗布液]
Mn(NO3)2・6H2Oを18.0g、Cu(NO3)2・3H2Oを8.2g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.1g、それぞれ秤量し、これらを1−プロパノール50.9g中に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドンを11.0g添加し、30分間良く攪拌した。攪拌後、テトラエトキシシランを5.8g添加し、60℃で1時間加熱攪拌して前記テトラエトキシシランの加水分解を行なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例1のブラックストライプ形成用塗布液を得た。
このブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く、安定であった。
【0034】
[パターンの形成]
スチルバソール変性ポリビニルアルコール(PVA)(LS400:東洋合成社製)50g、ブチルセロソルブ20g、テトラヒドロフルフリルアルコール3g、1−プロパノール2g、イオン交換水25gをそれぞれ秤量した後に混合し、1時間良く攪拌した。得られた光架橋型水溶性高分子溶液をスピンコーター(400rpm、20sec)を用いてソーダライムガラス基板上に塗布し、その後、70℃で15分間乾燥した。
次いで、この乾燥膜上にL/S=30/30μmのフォトマスクを配置し、紫外線を照射(i線露光量40mJ/cm2)し、水で1分間現像した。現像後、200℃で熱処理を行い、高分子の架橋をさらに進行させた。
【0035】
[ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]
このネガレジストパターンが形成された基板上に、上記のブラックストライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rpm、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で10分乾燥した。このネガレジストパターン膜は、ブラックストライプ形成用塗布液に対して撥液性を有しているため、選択的にスペース部分のガラス基板上のみ(ポジパターン形成)にブラックストライプ形成用塗布液が塗布されていた。
【0036】
その後、電気炉中(大気雰囲気中)において500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmにパターン化されたブラックストライプを得た。
このブラックストライプについて、膜厚を触針式膜厚測定装置(DIKTAK3030)を用いて、また、光学濃度(OD)値、反射率、及び単位膜厚当たりの吸光度を分光光度計(日本分光(株)製V−570)を用いて、それぞれ評価したところ、膜厚は0.7μm、OD値は2.6、反射率は5.8%、単位膜厚当たりの吸光度は3.7/μmであった。
【0037】
(実施例2)
[ブラックストライプ形成用塗布液]
Mn(CH3COO)2・4H2Oを15.3g、Cu(CH3COO)2・H2Oを6.7g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.0g、それぞれ秤量し、これらを1−プロパノール55.2g中に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドン11.0gを添加し、30分間良く撹絆した。撹絆後、テトラエトキシシランを5.8g添加し、60℃で1時間加熱攪拌して前記テトラエトキシシランの加水分解を行なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例2のブラックストライプ形成用塗布液を得た。
このブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く安定であった。
【0038】
[パターンの形成]
実施例1と同様にレジストパターンを形成した。
[ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]
ネガレジストパターンが形成された基板上に、上記のブラックストライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rpm、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で10分乾燥した。
【0039】
その後、電気炉中(大気雰囲気中)において500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmにパターン化されたブラックストライプを得た。
このブラックストライプについて、実施例1と同様の方法により評価したところ、膜厚は0.9μm、OD値は3.2、反射率は5.2%、単位膜厚当たりの吸光度は3.6/μmであった。
【0040】
(実施例3)
[ブラックストライプ形成用塗布液]
Mn(COOH)2・2H2Oを11.3g、Cu(COOH)2・4H2Oを7.6g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.0g、それぞれ秤量し、これらを1−プロパノール58.3g中に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドン11.0gを添加し、30分間良く攪拌した。攪拌後、テトラエトキシシランを5.8g添加し、60℃で1時間加熱攪拌して前記テトラエトキシシランの加水分解を行なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例3のブラックストライプ形成用塗布液を得た。
このブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く安定であった。
【0041】
[パターンの形成]
実施例1と同様にレジストパターンを形成した。
[ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]
ネガレジストパターンが形成された基板上に、上記のブラックストライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rpm、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で10分乾燥した。
【0042】
その後、電気炉中(大気雰囲気中)において500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmにパターン化されたブラックストライプを得た。
このブラックストライプについて、実施例1と同様の方法により評価したところ、膜厚は0.8μm、OD値は2.9、反射率は5.5%、単位膜厚当たりの吸光度は3.6/μmであった。
【0043】
(実施例4)
[ブラックストライプ形成用塗布液]
Mn(NO3)2・6H2Oを18.0g、Cu(NO3)2・3H2Oを8.2g、Fe(NO3)3・9H2Oを6.1g、それぞれ秤量し、これらを1−プロパノール52.4g中に溶解させ、次いで、1−メチル−2−ピロリドンを11.0g添加し、30分間良く攪拌した。
攪拌後、テトラメトキシシランを4.3g添加し、60℃で1時間加熱攪拌して前記テトラメトキシシランの加水分解を行なうことによりSiO2を生成させ、その後冷却して、実施例4のブラックストライプ形成用塗布液を得た。
このブラックストライプ形成用塗布液は、1ヶ月間放置しても沈殿物等は生成せず、粘度変化も無く、安定であった。
【0044】
[パターンの形成]
実施例1と同様にレジストパターンを形成した。
[ブラックストライプ形成用塗布液の塗布]
ネガレジストパターンが形成された基板上に、上記のブラックストライプ形成用塗布液をスピンコーター(1500rpm、20sec)を用いて塗布し、その後、120℃で10分乾燥した。
【0045】
その後、電気炉中(大気雰囲気中)において500℃で1時間焼成し、L/S=30/30μmにパターン化されたブラックストライプを得た。
このブラックストライプについて、実施例1と同様の方法により評価したところ、膜厚は0.7μm、OD値は2.6、反射率は5.8%、単位膜厚当たりの吸光度は3.7/μmであった。
【0046】
(比較例1)
黒色顔料とガラス粉末および感光性樹脂よりなる感光性タイプのブラックストライプ形成用ぺ一スト(デュポン社製)をスクリーン印刷(スクリーンメッシュ:250、印圧:2kg/cm2、クリアランス:3mm、スキージスピード:50mm/sec.)により、ガラス基板上に塗布した。次いで、5分間レベリングを行った後、80℃で20分間乾燥した。
その後、この上にL/S=30/30μmのフォトマスクを配置し、高圧水銀灯を用いて紫外線を照射した。この時の紫外線の露光量は300mJ/cm2であった。
【0047】
次いで、Na2CO3の2wt%水溶液を用いてスプレー現像(スプレー圧:2kg/cm2、30℃、60sec.)を行い、ネガパターンを形成した。その後、550℃で30分間、大気中で焼成した。
得られたブラックストライプの解像度はL/S=30/30μmであった。
また、実施例1と同様の方法により膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評価したところ、膜厚は4μm、OD値は1.4、反射率は7.0%、単位膜厚当たりの吸光度は0.35/μmであった。
なお、このブラックストライプの膜厚を4μmよりも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られなかった。
【0048】
(比較例2)
黒色顔料および感光性樹脂よりなる感光性タイプのブラックストライプ形成用黒色レジスト(東京応化社製)をスピンコート法により、ガラス基板上に塗布し、100℃で10分間乾燥した。その後、この上にL/S=30/30μmのフォトマスクを配置し、高圧水銀灯を用いて紫外線を照射した。この時の露光量は300mJ/cm2であった。
【0049】
次いで、Na2CO3の2wt%水溶液を用いてスプレー現像(スプレー圧:2kg/cm2、25℃、60sec.)を行い、ネガパターンを形成した。その後、600℃で30分間、大気中で焼成した。
得られたブラックストライプの解像度はL/S=30/60μmであった。
また、実施例1と同様の方法により膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評価したところ、膜厚は3μm、OD値は3.2、反射率は6.0%、単位膜厚当たりの吸光度は1.1/μmであった。
なお、このブラックストライプの膜厚を3μmよりも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られなかった。
【0050】
(比較例3)
黒色顔料とガラス粉末および樹脂よりなる印刷タイプのブラックストライプ形成用ぺ一スト(ノリタケカンパニーリミテッド社製)を、スクリーン印刷(スクリーンメッシュ:250、マスクパターン:L/S=100/100μm、印圧:2kg/cm2、クリアランス:3mm、スキージスピード:30mm/sec.)により、ガラス基板上に塗布した。次いで、150℃で10分間乾燥し、その後580℃で30分間、大気中で焼成した。
【0051】
得られた膜の解像度はL/S=100/100μmであった。
また、実施例1と同様の方法により膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度を評価したところ、膜厚は7μm、OD値は3.0、反射率は7.0%、単位膜厚当たりの吸光度は0.4/μmであった。
なお、このブラックストライプの膜厚を7μmよりも薄くすると、所定の光学濃度(OD)値が得られなかった。
【0052】
[ブラックストライプの評価]
表1は、以上の実施例1〜4、比較例1〜3で得られたブラックストライプの膜厚、OD値、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度それぞれの評価結果をまとめたものである。
【表1】
【0053】
表1の結果によれば、実施例1〜4では、膜厚を1μm以下に容易に薄膜化できることが分かった。この場合、OD値、反射率、単位膜厚当たりの吸光度共に、良好な特性値を示しており、膜厚を1μm以下に薄膜化した場合においても、必要かつ安定した特性を容易に得ることができることが分かった。
一方、比較例1〜3では、膜厚を1μm以下に薄膜化することは非常に困難であった。また、OD値は用いるペースト等の種類により大きく変動しており、反射率及び単位膜厚当たりの吸光度においても実施例1〜4と比較して劣っていた。
【0054】
以上説明したように、本実施形態のブラックストライプ形成用塗布液によれば、従来の顔料混合タイプと異なり、熱分解して酸化物となる前駆体をべ一スにしているため、膜の薄膜化が非常に容易である。
通常、ブラックストライプのOD値としては、1.4〜3.2が必要とされているが、本実施形態によれば、従来品と比べて約5分の1から10分の1の膜厚の薄膜において必要なOD値を得ることが可能であり、また反射率においても従来品以上の低反射性が得られている。
【0055】
特に、本実施形態で得られたブラックストライプをPDPに適用した場合、ブラックストライプを薄膜化することで、その上に透明誘電体を容易に形成することができる。また、透明誘電体を薄厚化することができ、パネルの透過率を向上させることができ、PDPの画質向上に寄与することができる。
【0056】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のブラックストライプ形成用塗布液によれば、Mnの有機酸塩、Mnの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、Cuの有機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、SiO2および有機溶剤を少なくとも含有するので、膜厚を薄膜化することが非常に容易になる。
また、単位膜厚当たりのOD値が高くなるので、従来よりも薄い膜厚で必要なOD値を得ることができる。また、従来のものと比べて反射率及び単位膜厚当たりの吸光度共に良好なものとなるので、従来のもの以上の低反射性を実現することができる。
【0057】
また、Mnの有機酸塩、Mnの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、Cuの有機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、を用いたので、これら熱分解して酸化物となる前駆体を用いることにより、膜厚を1μm以下に薄膜化することが非常に容易になる。
したがって、単位膜厚当たりのOD値をより高くすることができ、従来の約5分の1から10分の1の膜厚で必要なOD値を得ることができる。
【0058】
また、前記SiO2を、Siのアルコキシドを加水分解して得られたものとすれば、成膜性及び焼成後の膜強度を向上させることができる。
【0059】
また、前記有機溶剤が、少なくとも1種の非プロトン性極性溶剤を含有することとすれば、金属塩の溶媒に対する溶解度を高めることができ、成膜時の膜の白濁等の不具合を防止することができる。
【0060】
本発明のブラックストライプによれば、あらかじめネガレジストパタ−ンが形成された基板上に、本発明のブラックストライプ形成用塗布液を用いてパターン化されたブラックストライプが形成されているので、従来よりも薄い膜厚で必要なOD値を得ることができ、しかも反射率及び単位膜厚当たりの吸光度共に優れたものとなる。
したがって、このパターン化されたブラックストライプをPDPに適用すれば、ブラックストライプを薄膜化することで、その上に透明誘電体を容易に形成することができる。また、この透明誘電体を薄厚化することができるため、パネルの透過率を向上させることができ、PDPの画質向上に寄与することができる。
【0061】
本発明のブラックストライプの製造方法によれば、感光性樹脂を用いて基板上にネガレジストパターンを形成し、次いで、本発明のブラックストライプ形成用塗布液を塗布・乾燥し、次いで、400℃以上の温度で焼成するので、パターン化されたブラックストライプを非常に簡易な工程で、しかも安全かつ低コストで作製することができる。
【0062】
また、前記感光性樹脂を、本発明のブラックストライプ形成用塗布液に対して相溶性、反応性が無く、かつ撥液性を有することとすれば、レジストパターン上に上記のブラックストライプ形成用塗布液が残存するおそれが無くなり、良好なパターンのブラックストライプを得ることができる。
Claims (9)
- Mnの有機酸塩、Mnの無機酸塩、Mnの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
Cuの有機酸塩、Cuの無機酸塩、Cuの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
Feの有機酸塩、Feの無機酸塩、Feの有機酸塩および無機酸塩の混合物、のいずれか1種と、
SiO2および有機溶剤を少なくとも含有することを特徴とするブラックストライプ形成用塗布液。 - 前記SiO2は、Siのアルコキシドが加水分解されてなることを特徴とする請求項1記載のブラックストライプ形成用塗布液。
- 前記有機溶剤は、少なくとも1種の非プロトン性極性溶剤を含有することを特徴とする請求項1または2記載のブラックストライプ形成用塗布液。
- 前記Mn、Cu、Fe及びSiの含有量の合計は、前記塗布液全重量に対し、酸化物に換算して1〜20重量%であることを特徴とする請求項1、2または3記載のブラックストライプ形成用塗布液。
- 前記SiO2の含有量は、前記塗布液全重量に対し、0.2〜5重量%であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液。
- 前記非プロトン性極性溶剤の含有量は、前記塗布液全重量に対し、1〜20重量%であることを特徴とする請求項3記載のブラックストライプ形成用塗布液。
- あらかじめネガレジストパタ−ンが形成された基板上に、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液を用いてパターン化されたブラックストライプが形成されてなることを特徴とするブラックストライプ。
- 感光性樹脂を用いて基板上にネガレジストパターンを形成し、次いで、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液を塗布・乾燥し、次いで、400℃以上の温度で焼成することを特徴とするブラックストライプの製造方法。
- 前記感光性樹脂は、請求項1ないし6のいずれか1項記載のブラックストライプ形成用塗布液と相溶性、反応性が無く、かつ撥液性を有することを特徴とする請求項8記載のブラックストライプの製造方法。
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