JP3783673B2 - プラズマディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマディスプレイは次世代大型ディスプレイとして注目を集めており、高精細なプラズマディスプレイを低コストで安定して生産する技術が強く望まれている。そのようなプラズマディスプレイを構成する部材において、大きなコストを占める部材として背面板が挙げられる。
【0003】
背面板は、図1に示すように、少なくとも基板上に形成された電極1、誘電体層2、ストライプ状の隔壁3およびRGBの蛍光体層4から構成される。また、最近では図2のように、ストライプ状の主隔壁と垂直方向に補助隔壁が設けられている場合も多い。いずれの形状の隔壁を有する背面板においても、電極パターンおよび隔壁パターンの形成に感光性ペースト法を用いることで、高精細な背面板が安定して生産できるようになってきたが、さらなる低コスト化が依然として望まれている。
【0004】
従来、背面板製造工程では、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターンおよび蛍光体パターンの各層を形成する工程の度に、それぞれの材料を焼成していた(図3)。すなわち、背面板の製造工程では、最低でも4回の焼成工程が必要であり、生産性が低く、高コストの原因となっていた。また、焼成工程が多いことによって、ガラス基板の熱による寸法変化が大きくなるという問題を生じていた。さらに、電極に銀を使用した場合には、焼成工程が多いことによって銀のマイグレーションが進行し、パネルの信頼性が低下する要因となっていた。
【0005】
そこで、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターン、蛍光体パターンのうちのいくつかを形成した後、同時に焼成するという同時焼成プロセスが検討されてきた。例えば、無機粉末の作業点を電極、誘電体、隔壁、蛍光体の順に高くすることにより、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜、隔壁パターン、蛍光体パターンの4つを同時に焼成する方法が記載されている(特許文献1参照)。しかし、これらの方法を用いても、大きな問題が2つあった。
【0006】
1つ目の問題は、隔壁パターンの形成を感光性ペースト法やサンドブラスト法により行う際に、形成してある電極パターンのうち誘電体ペースト塗布膜に覆われていない電極引き出し部分5が、隔壁現像液や研磨粒子に浸食され、剥がれてしまうという問題である。
【0007】
2つ目の問題は、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成すると、電極パターンおよび隔壁パターンのそれぞれに誘電体層を引き裂く方向に大きな焼成応力が発生し、電極パターンの断線や誘電体層の亀裂といった欠陥が発生するという問題である。
【0008】
また、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの2層同時焼成において、誘電体ペースト塗布膜を熱により硬化して、同時焼成時に隔壁の焼成応力が発生しても亀裂の発生しない製造方法が開示されている(特許文献2参照)。しかし、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの同時焼成では、さらに大きな焼成応力が発生するため、この製造方法を用いても、誘電体層の亀裂が発生するという問題があった。
【0009】
【特許文献1】
特開平11−7894号公報(第2頁)
【0010】
【特許文献2】
特開平2001−26477号公報(第2頁)
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、断線や亀裂などの欠陥が生じることなく、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時焼成することができる誘電体ペーストおよびプラズマディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記した従来技術の課題を解決するため、以下の構成を有する。
【0013】
すなわち、電極ペーストにより電極パターンを形成する工程、該電極パターンを140〜300℃でキュアする工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形成する工程、該誘電体ペースト塗布膜を140〜300℃でキュアする工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成する工程、ならびに、少なくとも電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程をこの順に含むプラズマディスプレイの製造方法であって、前記誘電体ペーストとして、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含み、該熱重合開始剤の開始剤効率が0.8〜1.0の範囲であり、架橋剤が3つ以上の官能基を有する化合物であり、かつ、バインダー樹脂および架橋剤100重量部に対して、熱重合開始剤の含有量が3〜30重量部の範囲である誘電体ペーストを用いるプラズマディスプレイの製造方法である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下に本発明をプラズマディスプレイの作製手順に従って説明する。
【0015】
図4にプラズマディスプレイの作製手順の一例を示す。基板上に、電極ペーストを用いて、所望のパターン形状の電極パターン1aを形成する。電極パターン1aを形成した基板上に、誘電体ペーストを用いて誘電体ペースト塗布膜2aを形成する。誘電体ペースト塗布膜2a上に隔壁ペーストを用いて、隔壁パターン3aを形成する。そして、電極パターン1a、誘電体ペースト塗布膜2aおよび隔壁パターン3aを基板ごと一括焼成して、電極1、誘電体層2および隔壁3を形成する。以下に、各工程について詳述する。
【0016】
プラズマディスプレイの背面板の基板としては、通常、ソーダガラスや旭硝子社製の“PD−200”、日本電気化学社製の“PP−8”などの高歪み点ガラスを用いたガラス基板が用いられる。
【0017】
基板上に、導電性金属およびバインダーを含む電極ペーストを用いて電極パターンを形成する。電極パターン形成には、スクリーン印刷法や感光性ペースト法、プレス成型法等を用いることができる。パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性ペースト法が特に好ましい。以下、感光性ペースト法の手順について説明する。
【0018】
基板上に、感光性電極ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷法、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーターなどの方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度および塗出量を選ぶことによって調整できる。塗布厚みは、所望の電極の高さと焼成による電極ペーストの収縮率を考慮して決めることができる。通常好ましい焼成後の電極の高さは1〜10μmの範囲であり、焼成収縮を考慮すると塗布する電極ペースト塗布膜の厚さは1〜15μmの範囲であることが好ましい。
【0019】
塗布された感光性電極ペーストを乾燥して露光を行う。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。
【0020】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行い、電極パターンを形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などが用いられる。現像液には、感光性の電極ペースト中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いるとよい。
【0021】
電極パターンの形成は、焼成による収縮を考慮して行うとよい。焼成後の電極のサイズとしては、ピッチ100〜250μm、高さ1〜10μm、幅15〜60μmの範囲が好ましい。
【0022】
また、電極パターンを形成した後、熱によりキュアすることが好ましい。電極パターンをキュアする条件としては、140〜300℃の温度範囲で3〜30分の時間範囲が好ましい。より好ましくは、150〜250℃の温度範囲で5〜30分の時間範囲である。ここでいうキュアとは、約120℃以下で行われる単なる乾燥を含まない。キュアには熱風乾燥機やIR乾燥機を用いることができる。
【0023】
電極パターンは現像液に浸食されて基板との密着性が低下するため、パターンサイドが基板から剥離するエッジカールが発生する場合がある。エッジカールが発生すると、誘電体ペースト塗布膜の厚みムラが生じたり、また電極の焼成応力がより大きくなるという問題がおこる。電極パターンを形成した後、140℃以上でキュアすることで、ポリマーを一旦柔軟な状態にし、エッジカールを緩和できる。さらに、電極引き出し部の残留溶媒が完全に除去されることにより、後の隔壁形成工程に感光性ペースト法やサンドブラスト法を用いた場合でも、電極引きだし部が隔壁の現像液や研磨粒子に除去されないような耐性を付与することができる。また、300℃以下でキュアすることで、電極ペーストの熱収縮を抑え、収縮によるエッジカールを抑制することができる。電極パターンのキュアは、誘電体ペーストを塗布する前に行うことが好ましい。エッジカールの少ない電極の上に誘電体層を形成することにより、誘電体層の厚みムラなどによる耐電圧低下などの問題を抑制できる。
【0024】
次に、誘電体層の形成のために、基板上に誘電体ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。誘電体層は基板上に形成された電極を被覆して保護し絶縁する作用を有すると共に、その上に形成される隔壁の形成性を改良する効果を有するものである。
【0025】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含む。バインダー樹脂の具体的な例としては、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセテート、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー(例えば、ポリメチルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン)、ポリスチレン、ブタジエン/スチレンコポリマー、ポリビニルピロリドン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、エチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマー、ポリアクリルアミドおよび種々のアクリルポリマーやセルロース化合物などが挙げられる。アクリルポリマーまたはセルロース化合物を用いることが焼成時の焼成残渣低減の点で好ましい。
【0026】
アクリルポリマーとしては、例えば(メタ)アクリル酸または(メタ)アクリル酸アルキル類を単独または共重合させたものが好ましく、ペーストに好ましい特性を与えるように適宜に選択することができる。具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル、ポリメタクリル酸ヘキシルなどの単独重合体やこれらの重合体を構成するモノマーの組合せで得られる共重合体などが好ましい。セルロース化合物としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシセルロース、メチルヒドロキシセルロースなどを好ましく用いることができる。
【0027】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、熱重合開始剤から発生したラジカルを開始点として、架橋剤が3次元網目構造を形成する。これにより、後の現像工程における耐現像液性が向上し、また焼成時に焼成応力による亀裂や断線が発生することを抑制することができる。その際、3次元網目構造を形成できる点で、架橋剤が3つ以上の官能基を有する化合物であることが好ましい。そのような官能基としては、活性な炭素−炭素二重結合を有する化合物が好ましく、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリレート基、アクリルアミド基を有する化合物が応用される。(メタ)アクリレート化合物には多様な種類の化合物が開発されているので、それらから反応性、屈折率などを考慮して選択し、場合によってはそれらを組み合わせることが可能である。また、ポリマーに炭素−炭素2重結合を有する側鎖を導入するなどの方法を用いることも好ましい。
【0028】
(メタ)アクリレート化合物としては、化学式(2)、(3)、(4)、(5)で示されるアルキル基を有するアクリル化合物またはメタクリル化合物が好ましく用いられる。化学式(5)で示される化合物が、官能基を3つ以上有するので、特に好ましい。
【0029】
CH2=CR3COO-R4 (2)
CH2=CR3COO-R4-OCOCHR1=CH2 (3)
CH2=CR3COO-R5-OCO-R6-COO-R5-OCOCHR3=CH2 (4)
(CH2=CR3COO-(CH2CHR6O)m)n-R7 (5)
ここにおいて、R3およびR6は水素またはメチル基、R4は炭素数1〜20のアルキル基、R5は炭素数3以上のヒドロキシアルキル基、R7は炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基、mは0〜30の整数、nは3〜6の整数である。
【0030】
式(5)で表される化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、およびそれらのアルキレンオキサイド変成物などが挙げられるが、これらに限定されない。
【0031】
架橋剤の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の重量比が、60:40〜5:95の範囲であるように調整することが好ましい。添加量をこの範囲にすることによって、誘電体ペースト塗布膜の強度を保ち、かつ焼成時の焼成残渣を低減することができる。両者の重量比は、さらに好ましくは、20:80〜5:95の範囲である。
【0032】
本発明の誘電体ペーストにおいて、バインダー樹脂と架橋剤の合計100重量部に対して、熱重合開始剤の含有量は3〜30重量部の範囲である。より好ましい含有量は5〜30重量部の範囲、さらに好ましくは10〜30重量部の範囲である。熱重合開始剤は、熱により活性ラジカルを発生し、架橋剤の反応を開始することができる。上記の熱重合開始剤の含有量は、一般的な熱重合開始剤の含有量と比べると極めて大きい値である。本発明の誘電体ペーストでは、熱重合開始剤の含有量をこの範囲とすることで、ペースト塗布膜中という自由度のない系中においても、十分に架橋剤を反応させ、三次元網目構造を形成することができる。これにより誘電体ペースト塗布膜の強度が向上し、後の焼成工程において収縮応力がかかっても、電極の断線や誘電体層の亀裂などの欠陥が発生することを抑制できる。
【0033】
熱重合開始剤は、通常、下式(6)のようにラジカルを生成し、下式(7)のように開始反応を起こす。
式(6)
【0034】
【数1】
【0035】
式(6)中、Iは開始剤、R・は開始剤から生成した1次ラジカル、kdは速度定数を示す。
(式7)
【0036】
【数2】
【0037】
式(7)中、Mは架橋剤、M・は架橋剤ラジカルを示す。
【0038】
ここで、式(6)で生成した一次ラジカルの全てが式(7)の開始反応に入るとは限らない。生成した一次ラジカル対は、お互いに十分に離れる前に、高い確率でお互いに反応してしまう。お互いに反応せずに十分に離れることができた一次ラジカルのみが、架橋剤と反応することができる。
【0039】
この式(7)の開始反応に入る一次ラジカルの割合を開始剤効率という。すなわち、開始剤効率は下式(8)で表される。
(式8)
【0040】
【数3】
【0041】
式(8)中、kdは式(6)の速度定数、Riは式(7)の開始速度、[I]は開始剤濃度である。
【0042】
本発明に用いられる熱重合開始剤の開始剤効率は、0.8〜1.0の範囲であることが好ましい。ここで、開始剤効率の値は、ベンゼン中、60℃でスチレンへの開始反応における値である。本発明では、熱重合開始剤はペースト塗布膜中という自由度のない系中で開裂するため、開裂により発生した一次ラジカルがお互いに反応しなくなるところまで拡散することが困難となる。従って、開始剤効率が低い熱重合開始剤では、一次ラジカル同士の反応による失活が起こりやすくなるため、十分に架橋剤を架橋させることが難しい。熱重合開始剤の開始剤効率が0.8以上であることで、熱重合開始剤から発生する一次ラジカルの失活を防ぎ、十分に架橋剤を反応させて、誘電体ペースト塗布膜の強度を上げることができる。
【0043】
熱重合開始剤としては、有機過酸化物やアゾ化合物が挙げられる。具体例をあげると、有機過酸化物としては、ジプロピルパーオキシジカーボネート、ジ(2−エトキシエチル)パーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルヘキシル)パーオキシジカーボネート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、3,5,5−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ(2−エチルヘキサノエート)、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチレート、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシ−3,3,5−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサンパーオキサイド、t−ブチルパーオキシアセテート、2,2−ビス(t−ブチルパーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−t−ブチルジパーオキシイソフタレート、メチルエチルケトンパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイドなどが挙げられる。アゾ化合物としては、2,2−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2−アゾビスイソブチロニトリル、2,2−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)、1,1−アゾビス(シクロヘキサン−1−カルボニトリル)、1−((1−シアノ−1−メチルエチル)アゾ)ホルムアミド(2−(カルバモイルアゾ)イソブチロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチル−N−(1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシメチル)プロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(2−メチル−N−(2−(1−ヒドロキシブチル))プロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド)などが挙げられる。
【0044】
本発明に用いられる熱重合開始剤としては、有機過酸化物が、開始剤効率が高いので好ましい。アゾ化合物は、アゾ基の両側の二つの結合が同時に切れて2個のラジカルが生成し、生成したラジカル対は生成後10-9秒以内に窒素を放出して再結合や不均化を起こして安定な化合物となるため、開始剤効率が低くなるため好ましくない。例えば、アゾビスイソブチロニトリルは、開始剤効率が0.6〜0.7である。また、一部の過酸化物は、二酸化炭素を放出してしまい、アゾ化合物と同様に開始剤効率が低くなる。
【0045】
有機過酸化物の中でも、ベンゾイル骨格を有するものがさらに好ましい。ベンゾイル骨格を有する有機過酸化物が開裂してできるベンゾイルオキシラジカルは、脱二酸化炭素がおこりにくく、再結合しても再開始可能なため、高い開始剤効率を有するからである。例えば過酸化ベンゾイルの開始剤効率は、ほぼ1.0である。
【0046】
特に好ましいのは、次式(1)で表される化合物である。
式(1)
【0047】
【化2】
【0048】
ここで、式中、R1、R2はそれぞれ水素または炭素数1〜5のアルキル基、アラルキル基を示す。
【0049】
一般式(1)で表される化合物において、R1およびR2の両方が同時に水素ではないことが好ましい。そのような非対称な化合物は、有機溶剤への溶解性が非常に高いため、高濃度であっても用いることができる。また、長期間保存しても開始剤が析出したり、開始剤が失活してしまうといった問題が発生しない。本発明では、これら上記の熱重合開始剤から選ばれる1種または2種以上を使用することができる。
【0050】
本発明で用いられる誘電体ペーストは、さらにウレタン化合物を含有することが好ましい。ウレタン化合物を含有することにより、誘電体ペースト塗布膜の柔軟性が向上し、焼成時の応力を小さくでき、亀裂や断線などの欠陥を効果的に抑制できるためである。また、ウレタン化合物を含有することにより、熱分解性が向上し、焼成工程において焼成残渣が発生しにくくなる。本発明で好ましく使用するウレタン化合物として、例えば、下記一般式(9)で示される化合物が挙げられる。
式(9)
R8−(R11−R10)n−R11−R9
ここで、R8およびR9はエチレン性不飽和基を含む置換基、水素、炭素数1〜20のアルキル基、アリール基、アラルキル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選ばれた基であり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。R10はアルキレンオキサイド基またはアルキレンオキサイドオリゴマー、R11はウレタン結合を含む有機基である。nは1〜10の自然数である。
【0051】
このようなウレタン化合物としては、エチレンオキサイド単位を含む化合物が好ましい。より好ましくは、式(9)中、R10がエチレンオキサイド単位(以下、EOと示す)とプロピレンオキサイド単位(以下、POと示す)を含むオリゴマーであり、かつ、該オリゴマー中のEO含有量が8〜70重量%の範囲内である化合物である。EO含有量が70重量%以下であることにより、柔軟性がさらに向上し、焼成応力を小さくできるため、欠陥を効果的に抑制できる。さらに、熱分解性が向上し、後の焼成工程において、焼成残渣が発生しにくくなる。また、EO含有量が8%以上であることにより、他の有機成分との相溶性が向上する。
【0052】
また、ウレタン化合物が炭素−炭素二重結合を有することも好ましい。ウレタン化合物の炭素−炭素二重結合が他の架橋剤の炭素−炭素二重結合と反応して架橋体の中に含有されることにより、さらに重合収縮を抑制することができる。
【0053】
本発明で好ましく用いられるウレタン化合物の具体例としては、UA−2235PE(分子量18000,EO含有率20%)、UA−3238PE(分子量19000,EO含有率10%)、UA−3348PE(分子量22000,EO含有率15%)、UA−5348PE(分子量39000,EO含有率23%)(以上、新中村化学(株)製)などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの化合物は混合して用いてもよい。
【0054】
ウレタン化合物の含有量は、誘電体ペースト中の0.1〜20重量%であることが好ましい。含有量を0.1重量%以上とすることで、誘電体ペースト塗布膜の柔性を向上することができる。含有量が20重量%を超えると、有機成分と無機粉末の分散性が低下し、また相対的に架橋剤および熱重合開始剤の濃度が低下するので、欠陥が生じやすくなる。
【0055】
本発明の誘電体ペーストは、無機粉末として、軟化点450〜600℃の範囲であるガラス粉末(以下、「低融点ガラス粉末」と称する)を含有することが好ましい。誘電体層を形成する低融点ガラス粉末の軟化点を600℃以下とすることで、高温焼成を必要としないため、焼成の際にガラス基板に歪みを生じない。また、軟化点を450℃以上とすることで、後の蛍光体層形成工程や封着工程において誘電体層に歪みを生じることがなく、膜厚精度を保つこともできる。低融点ガラス粉末の軟化点は、より好ましくは、470〜550℃の範囲である。
【0056】
低融点ガラス粉末の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の合計100重量部に対して、150〜300重量部の範囲が好ましい。低融点ガラス粉末の添加量を150重量部以上とすることで、緻密な誘電体層を得ることができ、また、相対的に有機成分の含有量が低下するので、焼成時の焼成残渣が低減される。低融点ガラス粉末の添加量を300重量部以下とすることで、有機成分の含有量が低くなりすぎることを防ぎ、架橋剤による3次元網目構造を十分密にし、焼成時の誘電体層亀裂を低減することができる。
【0057】
誘電体ペーストに配合される無機粉末中の低融点ガラス粉末は、酸化物換算表記で、
酸化ビスマス 10〜85重量%
酸化珪素 3〜50重量%
酸化ホウ素 5〜40重量%
酸化亜鉛 4〜40重量%
の組成を含有するものが好ましい。この組成範囲であると520〜580℃でガラス基板上に焼き付けることができる誘電体ペーストが得られる。
【0058】
低融点ガラス粉末中の酸化ビスマスは、10〜85重量%の範囲で配合されることが好ましい。10重量%以上とすることで、焼き付け温度や軟化点を制御する効果が現れ、85重量%以下にすることによって、ガラスの耐熱温度が低くなりすぎることが防止されるので、ガラス基板上への焼き付けが適正に行われる。
【0059】
酸化珪素は、3〜50重量%の範囲で配合することが好ましい。3重量%以上とすることにより、ガラス層の緻密性、強度や安定性を向上させ、また熱膨張係数がガラス基板の値と近いものとなり、従ってガラス基板とのミスマッチを防止することができる。50重量%以下とすることによって、軟化点やガラス転移点が低くなり、580℃以下でガラス基板上に緻密に焼き付けることができる。
【0060】
酸化ホウ素は5〜40重量%の範囲で配合することによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上することができる。
【0061】
酸化亜鉛は4〜40重量%の範囲で添加されることが好ましい。4重量%以上にすることによって緻密性向上の効果が現れ、40重量%以下にすることによって焼き付け温度が低くなり過ぎて制御できなくなることを防ぎ、また絶縁抵抗を保持することができる。
【0062】
上記ガラス成分は、実質的にアルカリ金属を含まないことが好ましい。誘電体層は多くの場合、銀電極やガラス基板に接触して形成されるため、銀電極の銀イオンやガラス基板の成分とのイオン交換反応に帰因する黄色化などの問題を防ぐためである。実質的に含まないとは、具体的にはガラス成分中に、アルカリ金属の合計含有量が0.5重量%以下であること、好ましくは、0.1重量%以下であることを意味する。
【0063】
さらに、本発明の誘電体ペーストは、軟化点が650℃以上のフィラーを、バインダー樹脂と架橋剤の合計100重量部に対して、50〜200重量部の範囲で含有することが好ましい。軟化点が650℃以上のフィラーをこの範囲で添加することにより、焼成時の収縮率を小さくし、基板にかかる応力を低下させるなどの効果があるためである。また、特定の物性を有するフィラーを選択することで、誘電体層の反射率や導電性などの膜特性を制御することができる。
【0064】
軟化点が650℃以上のフィラーの添加量を50重量部以上とすることで、焼成収縮率を低くしたり、熱膨張係数を制御する効果が得られる。また、添加量を200重量部以下とすることで、焼成後の誘電体層の緻密性や強度を保つことが可能となり、同時に、クラック発生などの欠陥を防止することができる。
【0065】
軟化点が650℃以上のフィラーとしては、軟化点が650〜850℃の範囲の高融点ガラス、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、チタン酸バリウムおよび酸化ジルコニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種が好ましく用いられる。
【0066】
また、本発明の誘電体ペーストは、導電性粉末を含有することが好ましい。AC型プラズマディスプレイにおいて、表示電極とアドレス電極間でプラズマ放電させると空間電荷が発生し、その大部分が表示電極の上に形成されている誘電体層に蓄積される。この蓄積された電荷による電圧で偶発的に放電が生じて画質を悪くする。このような画質の劣化の原因となる電荷の蓄積を解消するために、誘電体層に導電性粉末を配合し、蓄積電荷をリークさせることが有効である。導電性粉末は、具体的には、クロムまたはニッケルから選んだ金属粉末や酸化インジュウム、酸化スズ、酸化チタンなどの金属酸化物に不純物を混入した半導体を使用することができる。導電性粉末の添加量は、バインダー樹脂と架橋剤の合計100重量部に対して0.1〜5重量部の範囲であることが好ましい。0.1重量部以上とすることで、有効に電荷をリークすることができ、偶発放電を防ぐことができる。5重量部以下とすることで、誘電体層の緻密性を保持することができる。
【0067】
誘電体ペーストは、有機成分に無機粉末を分散した様態を有するものであり、無機粉末を有機成分の中に均一に分散することが良好な塗布性のために好ましい。このようなペーストを得るため、無機粉末の平均粒径、最大粒径およびタップ密度などが適正な範囲にあることが好ましい。
【0068】
無機粉末は、平均粒径が0.2〜1.5μmの範囲、最大粒径が10μm以下であり、かつ、タップ密度が0.6g/cm3以上であることが好ましい。このような範囲の粒径、タップ密度を有するものが、ペーストへの充填性および分散性が良好であり、従って塗布性の優れたペーストが調製できるので、緻密で均一な塗布膜を得ることが可能になる。ここで、粒径は、レーザ散乱・回折法で測定した値であり、平均粒径は50%体積粒径、最大粒径は粒径の最大値である。
【0069】
粒子の凝集力は表面積に依存するため、平均粒径を0.2μm以上とすることで凝集性を抑え、ペースト中での分散性がよくなり、緻密かつ均一な塗布膜が得られる。また、1.5μm以下とすることで形成された誘電体ペースト塗布膜の緻密性がよくなり、内部にボイドなどが発生しない。また、塗布膜表面に不要な凹凸も生じない。最大粒径を10μm以下にすることも、内部でのボイド発生や表面の不要な凹凸の発生を防止するために有用である。
【0070】
無機粉末のタップ密度を0.6g/cm3以上、好ましくは0.7g/cm3以上とすると、粉末の充填性および分散性が良くなり、気泡や凝集物を生じにくくなる。
【0071】
また、本発明の誘電体ペーストは、これらの他にもさらに必要に応じて、分散剤、安定剤、消泡剤、レベリング剤、シランカップリング剤、酸化防止剤、重合禁止剤、有機溶媒などを添加することもできる。
【0072】
誘電体層の厚みは、焼成後で4〜18μmの範囲、より好ましくは8〜15μmの範囲であることが、均一で緻密な誘電体層を形成するために好ましい。厚さを18μm以下とすることで、焼成の際の脱バインダー性が良好となり、バインダーの残存に起因するクラックが生じない。またガラス基板にかかる応力も小さくなるので基板が反るなどの問題も生じない。また、4μm以上とすることで平坦性で均一かつ緻密な誘電体層を形成することができ、電極部分の凹凸によって誘電体層にクラックが入るなどの問題が生じない。
【0073】
誘電体ペースト塗布膜を形成した後、キュアを行う。焼成よりも前の工程でキュアして硬化させることにより、後の焼成工程における電極パターンや隔壁パターンの収縮による応力に誘電体ペースト塗布膜が耐えることができるようになるためである。キュアは、焼成よりも前に行えばよいが、隔壁ペーストを塗布する前に行うことが好ましい。キュアによって、電極引き出し部の残留溶媒が完全に除去されることにより、電極引き出し部の耐性が向上し、後の隔壁パターン形成工程において、隔壁の現像液や研磨粒子に除去されにくくなる。
【0074】
誘電体ペースト塗布膜をキュアする条件としては、140〜300℃の温度範囲で3〜30分の時間範囲が好ましい。好ましくは、150〜250℃の温度範囲で5〜30分の時間範囲である。ここでいうキュアとは、約120℃以下で行われる単なる乾燥を含まない。つまり、誘電体ペーストを塗布した後に上記の温度、時間で塗布膜をキュアすることにより、塗布膜の硬化が不充分であるためその後の焼成時に誘電体層に亀裂が発生してしまうという問題がなくなる。キュアには熱風乾燥機やIR乾燥機を用いることができる。
【0075】
次いで、隔壁パターンを形成する。隔壁パターンの形成には、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、感光性ペースト法、プレス成型法等が用いられる。パターンの高精細化や工程の簡略化が可能である点から、感光性ペースト法が特に好ましい。以下に、感光性ペースト法の手順について説明する。
【0076】
誘電体ペースト塗布膜の上に、感光性隔壁ペーストを全面に、もしくは部分的に塗布する。感光性ペーストの塗布は、スクリーン印刷法、バーコーター法、ロールコータ法、ドクターブレード法などの一般的な方法で行うことができる。塗布厚さは、所望の隔壁の高さとペーストの焼成による収縮率を考慮して決めることができる。通常、焼成後の隔壁の好ましい高さは60〜170μmの範囲であり、焼成収縮を考慮すると、塗布する隔壁ペースト塗布膜の厚さは80〜220μmの範囲内であることが好ましい。
【0077】
塗布された感光性隔壁ペーストは、乾燥され、露光される。露光に使用される活性光線は、紫外線が最も好ましく、その光源として、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用される。超高圧水銀灯を光源とした平行光線を用いる露光機が一般的である。
【0078】
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行い、隔壁パターンを形成する。現像には、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などが用いられる。現像液には、感光性隔壁ペースト中の有機成分、特にポリマーが溶解可能な溶液を用いるとよい。本発明では、アルカリ水溶液で現像することが好ましい。隔壁のパターニングは、焼成による収縮を考慮して行うとよい。焼成後の隔壁のサイズとしては、ピッチが100〜250μmの範囲、高さが60〜170μmの範囲、幅が15〜60μmの範囲内であることが好ましい。隔壁パターンは、主としてストライプ状に形成されるが、特に限定されず、格子状である場合もある。本発明の誘電体ペーストを用いると、格子状の隔壁を形成した場合でも、誘電体層に亀裂が生じることはない。
【0079】
隔壁パターンを形成した後に、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成して、電極、誘電体層および隔壁を形成する。焼成雰囲気や温度は、ペーストや基板の特性によって異なるが、通常は空気中で焼成される。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。バッチ式の焼成の場合、誘電体ペースト塗布膜の上に隔壁パターンが形成されたガラス基板を、室温から500℃程度まで数時間掛けてほぼ等速で昇温した後、さらに焼成温度として設定された500〜580℃に30〜40分間で上昇させて、15〜30分間保持して焼成を行うことが好ましい。
【0080】
焼成温度を580℃以下、焼成時間を15〜30分の範囲に設定することで、焼成残渣や隔壁のダレなどを抑制することができる。
【0081】
このようにして得られた隔壁に挟まれたセル内に、赤、緑および青に発光する蛍光体層を形成してプラズマディスプレイ用パネルの背面板が構成される。
【0082】
得られた背面板を前面板と貼り合わせた後、封着およびガス封入し、駆動用ドライバーICを実装してプラズマディスプレイが作製される。
【0083】
【実施例】
以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中の濃度は、断りのない限り重量%である。また、実施例表中のバインダー樹脂の添加量は、溶媒を除いた樹脂のみの添加量を示す。
【0084】
ペースト成分として用いたバインダー樹脂、重合開始剤、架橋剤、低融点ガラス粉末およびフィラーは次のとおりである。
<バインダー樹脂>
バインダー樹脂A:アクリル系ポリマー(スチレン/メチルメタクリレート/メタクリル酸共重合体のカルボキシル基に対して0.4当量のグリシジルメタクリレートを付加反応したもの。重量平均分子量43000、酸価95)。40%γ−ブチロラクトン溶液として用いた。
バインダー樹脂B:エチルセルロース(数平均分子量80000)。5%テルピネオール溶液として用いた。
バインダー樹脂C:ポリメタクリル酸イソブチル(数平均分子量10000)。5%3−メトキシ3−メチルブタノール溶液として用いた。
<架橋剤>
架橋剤A:トリメチロールプロパントリアクリレート(日本化薬(株)製、“TPA330”、3官能)
架橋剤B:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(日本化薬(株)製、“DPHA”、6官能)
架橋剤C:テトラプロピレングリコールジメタクリレート(日本油脂(株)製、“PDP400”、2官能)
架橋剤D:ビス(2−ヒドロキシ−3−メタクリロオキシプロピル)イソプロピルアミン(共栄社化学(株)製、“IP−G”、2官能)
<ウレタン化合物>
ウレタン化合物A:UA−3348PE(分子量22000,EO含有率15%)
ウレタン化合物B:UA−5348PE(分子量39000,EO含有率23%)
<重合開始剤>
重合開始剤A:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−1−ブタノン(開始剤効率1.0)
重合開始剤B:化合物6(開始剤効率1.0)
【0085】
【化3】
【0086】
重合開始剤C:過酸化ベンゾイル(開始剤効率1.0)
重合開始剤D:アゾビスイソブチロニトリル(開始剤効率0.7)
<無機粉末>
低融点ガラス粉末A:酸化ビスマス38%、酸化ケイ素6%、酸化ホウ素20%、酸化亜鉛20%、酸化アルミニウム4%。ガラス転移点475℃、軟化点515℃、熱膨張係数75×10-7/℃、密度4.61g/cm3。
低融点ガラス粉末B:酸化亜鉛62%、酸化ケイ素14%、酸化ホウ素14%、酸化亜鉛4%、酸化アルミニウム2%。ガラス転移点435℃、軟化点465℃、熱膨張係数75×10-7/℃、密度2.54g/cm3、平均屈折率1.586、平均粒子径2.6μm。
低融点ガラス粉末C:酸化ビスマス43.3%、酸化ケイ素30.4%、酸化ホウ素7.6%、酸化リチウム7.9%、酸化アルミニウム4.5%、酸化ナトリウム3.4%、酸化ジルコニア3.1%。ガラス転移点423℃、軟化点448℃、熱膨張係数111×10-7/℃、平均粒子径2.5μm。
低融点ガラス粉末D:酸化鉛42.5%、酸化ホウ素32.5%、酸化ケイ素9%、酸化アルミニウム4%、酸化ストロンチウム12%。ガラス転移点560℃、軟化点605℃、熱膨張係数75×10-7/℃、密度4.32g/cm3、平均粒子径1.8μm。
フィラーA:酸化ケイ素(日本アエロジル社製、“アエロジル200”、軟化点1700℃)
フィラーB:導電性酸化チタン(長軸4μm、短軸0.4μm径)
<電極ペーストの調整方法>
電極ペーストAおよびBは、表1に示された各有機成分とジプロピレングリコールモノメチルエーテル(20重量部)を50℃に加熱しながら溶解し、続いて、銀微粒子(平均粒子径1.5μm、比表面積0.80m2/g、150重量部)および低融点ガラス粉末(ガラス転移点460℃、軟化点495℃、5重量部)を添加し、混練機を用いて混練して作製した。
【0087】
【表1】
【0088】
<誘電体ペーストの調整方法>
誘電体ペーストは、表3に示された各有機成分を50℃に加熱しながら溶解し、表3に示された各無機成分を添加して3本ローラー混練機で混練して作製した。
<隔壁ペーストの調整方法>
隔壁ペーストAおよびBは、表2に示された各有機成分とジプロピレングリコールモノメチルエーテル(20重量部)を50℃に加熱しながら溶解し、低融点ガラス粉末(ガラス転移点491℃、軟化点528℃、24重量部)およびフィラー(平均屈折率1.59、ガラス転移点652℃、平均粒子径2.4μm、6重量部)を加熱しながら攪拌し、混練機を用いて混練して作製した。
【0089】
【表2】
【0090】
(実施例1)
125mm角のガラス基板(旭硝子社製“PD200”)上に、電極ペーストAを乾燥後厚みが5μmになるように、スクリーン印刷法(印刷版:SUS#325)により塗布し、乾燥した。乾燥後、ピッチ250μm、線幅50μmのストライプパターンを有するフォトマスクをセットして露光した。露光後、0.5%のエタノールアミン水溶液中で現像して、ピッチ250μm、線幅60μmのストライプ状電極パターンを得た。その後、熱風乾燥機を用いて200℃、15分のキュアを行った。
【0091】
その電極パターン付きガラス基板上に、表3に示す誘電体ペーストを、乾燥後厚み15μmになるように、スクリーン印刷法(印刷版:SUS#325)により塗布し、熱風乾燥機を用いて150℃、15分キュアした。
【0092】
次に、隔壁ペーストAを乾燥後厚み90μmになるように塗布し、乾燥した。乾燥後、この塗布膜の上に、ピッチ3000μm、線幅1000μmのストライプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と直交するような配置でセットして露光を行った。露光された塗布膜の上に、隔壁ペーストAをさらに塗布し、乾燥して、乾燥厚さ90μmの塗布膜を形成した。この塗布膜の上に、ピッチ250μm、線幅30μmのストライプパターンを有するフォトマスクをアドレス電極と平行になるような配置でセットして露光を行った。露光後、0.5%のエタノールアミン水溶液中で現像し、ピッチ250μm、線幅40μm、高さ180μmのストライプ状主隔壁パターンとピッチ3000μm、線幅1000μm、高さ90μmの補助隔壁パターンからなる格子状隔壁パターンを得ることができた。
【0093】
このように電極パターン、誘電体ペースト塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用い、焼成温度570℃で15分間行った。ピッチ250μm、線幅50μm、厚み3μmのストライプ状電極、厚み10μmの誘電体層、およびピッチ250μm、線幅30μm、高さ120μmのストライプ状主隔壁とピッチ3000μm、線幅800μm、高さ60μmの補助隔壁からなる格子状隔壁が得られた。いずれも亀裂、断線などの欠陥は発生しなかった。
【0094】
誘電体層の亀裂の数は、誘電体層全体の表面に存在する亀裂の数を数えた。また、誘電体層の気泡の数と緻密性を評価するために、誘電体層の断面を走査型電子顕微鏡で観察した。断面100μm2あたりに存在する直径1μm以上の気泡の数を数えた。緻密性の評価は、断面が均一であるものを「良好」、不均一なものを「劣る」とした。評価結果を表3に示す。
【0095】
この隔壁形成した基板に赤、緑、青3色の蛍光体層を形成し、前面板と合わせて封着し、ガス注入を行ってプラズマディスプレイパネルを作製した。クロストーク等の表示欠陥のない良好なディスプレイを得ることができた。
(実施例2〜6)誘電体ペースト組成およびキュアの条件を表3に示すように変更した以外は、実施例1を繰り返した。電極、誘電体層および隔壁のいずれにもほぼ欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
(比較例1)誘電体ペースト組成を表3に示すように変更した以外は、実施例1を繰り返した。開始剤の添加量が少なく誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が十分ではなかったので、誘電体層端部に3ヶ所亀裂が発生した。
(実施例7)誘電体ペースト組成を表3に示すように変更した以外は、実施例1を繰り返した。開始剤の添加量が多く誘電体ペースト塗布膜の脱バインダー性が低下したので、誘電体層中の気泡が増加したが、ディスプレイ用として使用可能な程度であった。
(実施例8)熱重合開始剤Bの代わりに熱重合開始剤Cを用いた他は、実施例1を繰り返したところ、ほぼ欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。しかし、熱重合開始剤Cの溶解性が低かったため、誘電体ペーストを製造後1週間室温で保存したところ、熱重合開始剤が一部析出した。この誘電体ペーストを用いて実施例1を繰り返したところ、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に8ヶ所亀裂が発生した。
(実施例9)実施例1に用いた誘電体ペーストを、製造後1週間室温で保存し、その誘電体ペーストを用いて実施例1を繰り返した。電極、誘電体層および隔壁のいずれにも欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
(比較例2)熱重合開始剤Bの代わりに熱重合開始剤Dを用いた他は、実施例1を繰り返した。熱重合開始剤Dの開始剤効率が低かったため、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に7ヶ所亀裂が発生した。
(比較例3)架橋剤Aの代わりに架橋剤Cを用いた他は、実施例1を繰り返した。架橋剤Cが2官能であるために、誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層端部に6ヶ所亀裂が発生した。
(比較例4)電極パターン形成後のキュアを120℃で行った他は、実施例1を繰り返した。焼成時に電極に大きな応力が発生するため、誘電体層端部に5ヶ所亀裂が発生した。
(比較例5)誘電体ペースト塗布膜形成後のキュアを120℃で行った他は、実施例1を繰り返した。誘電体ペースト塗布膜の硬化が十分でなかったため、誘電体層端部に9ヶ所亀裂が発生した。
(実施例10)125mm角のガラス基板(旭硝子社製“PD200”)上に、電極ペーストBを乾燥後厚み10μmになるように、スクリーン印刷法により塗布、乾燥した。スクリーン印刷にはピッチ360μm、線幅80μmのストライプパターンを有するスクリーン印刷板を用い、ピッチ360μm、線幅85μmのストライプ状電極パターンを得た。その後、IR乾燥機を用いて250℃、5分のキュアを行った。
【0096】
その電極パターン付きガラス基板上に表3の誘電体ペーストを乾燥後厚み20μmになるように、スクリーン印刷法(印刷版:SUS#325ベタ面)により塗布し、IR乾燥機を用いて230℃、30分のキュアを行った。
【0097】
次に、隔壁ペーストBを、スクリーン印刷法により塗布した。スクリーン印刷板は、ピッチ360μm、線幅60μmのストライプパターンを有するものを、電極パターンと平行になるようにセットして用いた。塗布、乾燥を繰り返し、ピッチ360μm、線幅60μm、高さ200μmのストライプ状隔壁パターンを得ることができた。
【0098】
このように電極パターン、誘電体ペースト塗布層および隔壁パターンを形成した後に、これらを同時に焼成した。焼成は、ローラーハース式焼成炉を用い、焼成温度590℃で10分間行った。ピッチ360μm、線幅80μm、厚み5μmのストライプ状電極、厚み14μmの誘電体層、およびピッチ360μm、線幅50μm、高さ130μmのストライプ状隔壁が得られた。電極、誘電体層および隔壁のいずれにも欠陥はなく、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができた。
(比較例6)電極パターン形成後のキュアを行わなかった他は、実施例10を繰り返した。電極パターンのエッジカールが大きく、誘電体層端部に11ヶ所亀裂が発生した。
(比較例7)誘電体ペーストに重合開始剤を添加せず、さらに電極パターン形成後および誘電体ペースト塗布後のキュアの両方を行わなかった他は、実施例10を繰り返した。電極パターンにおいて多数の断線が観察され、さらに誘電体層全面に100ヶ所以上の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
(比較例8)誘電体ペースト塗布後のキュアを行わなかった他は、実施例10を繰り返した。誘電体ペースト塗布膜の架橋密度が低下し、誘電体層全面に80ヶ所程度の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
(比較例9)電極パターン形成後のキュアおよび誘電体ペースト塗布後のキュアの両方を行わなかった他は、実施例10を繰り返した。電極パターンにおいて多数の断線が観察され、さらに誘電体層全面に100ヶ所以上の亀裂が発生して、ディスプレイ用として好適な部材を得ることができなかった。
【0099】
【表3】
【0100】
【発明の効果】
本発明のプラズマディスプレイの製造方法を用いれば、亀裂や断線などの欠陥なく、電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンの同時焼成を行うことができる。これによりプラズマディスプレイを低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ストライプ状の隔壁を有するプラズマディスプレイ背面板の分解斜視図である。
【図2】格子状の隔壁を有するプラズマディスプレイ背面板の分解斜視図である。
【図3】従来のプロセスを示すフロー図である。
【図4】本発明のプロセスを示すフロー図である。
【符号の説明】
1 電極
2 誘電体層
3 隔壁
4 蛍光体層
5 電極引き出し部
6 主隔壁
7 補助隔壁
1a 電極パターン
2a 誘電体ペースト塗布膜
3a 隔壁パターン
Claims (6)
- 電極ペーストにより電極パターンを形成する工程、該電極パターンを140〜300℃でキュアする工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形成する工程、該誘電体ペースト塗布膜を140〜300℃でキュアする工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成する工程、ならびに、少なくとも電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程をこの順に含むプラズマディスプレイの製造方法であって、前記誘電体ペーストとして、少なくともバインダー樹脂、架橋剤、熱重合開始剤および無機粉末を含み、該熱重合開始剤の開始剤効率が0.8〜1.0の範囲であり、架橋剤が3つ以上の官能基を有する化合物であり、かつ、バインダー樹脂および架橋剤100重量部に対して、熱重合開始剤の含有量が3〜30重量部の範囲である誘電体ペーストを用いるプラズマディスプレイの製造方法。
- 電極ペーストおよび/または隔壁ペーストが感光性である請求項1に記載のプラズマディスプレイの製造方法。
- 誘電体ペースト中の熱重合開始剤が過酸化ベンゾイル骨格を有する化合物である請求項1または2に記載のプラズマディスプレイの製造方法。
- 誘電体ペースト中のバインダー樹脂と架橋剤の重量比が、60:40〜5:95の範囲である請求項1〜4のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法。
- 誘電体ペーストが、無機粉末として軟化点450〜600℃のガラス粉末および軟化点650℃以上のフィラーを含み、かつ、誘電体ペースト中のバインダー樹脂および架橋剤100重量部に対して、該ガラス粉末の含有量が150〜300重量部の範囲、該フィラーの含有量が50〜200重量部の範囲である請求項1〜5のいずれかに記載のプラズマディスプレイの製造方法。
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