JP3491677B2 - Opto-electric hybrid board and method of manufacturing the same - Google Patents

Opto-electric hybrid board and method of manufacturing the same

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JP3491677B2
JP3491677B2 JP17876699A JP17876699A JP3491677B2 JP 3491677 B2 JP3491677 B2 JP 3491677B2 JP 17876699 A JP17876699 A JP 17876699A JP 17876699 A JP17876699 A JP 17876699A JP 3491677 B2 JP3491677 B2 JP 3491677B2
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electric
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正隆 伊藤
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路部と電気
配線部とが混載され、光通信等において用いられる光電
気変換機能を有する光電気混載基板およびその製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an opto-electric hybrid board having an opto-electric conversion function for use in optical communication, in which an optical waveguide section and an electric wiring section are mounted together, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年では、通信の大容量化および高速化
を実現するために、光交換機や光インターコネクション
装置等の研究開発が活発に行われている。それらの装置
は、電気信号処理部、光信号処理部、および光信号と電
気信号とを相互に変換する光電気変換部を有している。
光電気変換部分は、LD(レーザダイオード)やPD
(フォトダイオード)等の光電変換素子と、それを駆動
または増幅する電気素子とから構成されている。
2. Description of the Related Art In recent years, research and development of optical switching devices, optical interconnection devices, etc. have been actively carried out in order to realize large capacity and high speed communication. These devices have an electric signal processing unit, an optical signal processing unit, and an opto-electric conversion unit that mutually converts an optical signal and an electric signal.
The opto-electric conversion part is LD (laser diode) or PD
It is composed of a photoelectric conversion element such as (photodiode) and an electric element for driving or amplifying the photoelectric conversion element.

【0003】従来の光インターコネクションでは、光導
波路が形成され光素子が実装されている基板にはその特
性上シリコン基板が用いられ、また、電気配線が形成さ
れ電気素子が実装されている基板にはセラミック基板ま
たはプリント基板が多く用いられている。互いの基板
は、光素子用基板が電気基板上に搭載された状態で、ボ
ンディングワイヤーによって接続されている。
In the conventional optical interconnection, a silicon substrate is used for a substrate on which an optical waveguide is formed and an optical element is mounted due to its characteristics, and a substrate on which electric wiring is formed and an electric element is mounted is used. In many cases, a ceramic substrate or a printed circuit board is used. The substrates are connected by bonding wires in a state where the optical element substrate is mounted on the electric substrate.

【0004】また、特開平9−236731号公報に
は、光素子と電気素子との両方が実装された基板が開示
されている。本公報では、光素子と電気素子とがいずれ
もセラミック配線基板上に実装され、光導波路の材料と
してシロキサン系ポリマーが用いている基板が示されて
いる。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 9-236731 discloses a substrate on which both an optical element and an electric element are mounted. This publication discloses a substrate in which both an optical element and an electric element are mounted on a ceramic wiring substrate and a siloxane-based polymer is used as a material for an optical waveguide.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光導波
路が形成され光素子が実装されている基板と、電気配線
が形成され電気素子が実装されている基板とをボンディ
ングワイヤーによって接続する構成の従来技術では、そ
のワイヤーが比較的に長いために、伝送容量を上げるた
めに駆動周波数を高くすると信号にノイズが重畳してし
まい、高周波化を実現することができなかった。
However, the prior art having a structure in which the substrate on which the optical waveguide is formed and the optical element is mounted and the substrate on which the electrical wiring is formed and the electrical element is mounted are connected by the bonding wire. However, since the wire is relatively long, if the drive frequency is increased to increase the transmission capacity, noise is superimposed on the signal, and it is not possible to realize higher frequencies.

【0006】また、特開平9−236731号公報に開
示されている混在基板は、セラミック多層配線基板の上
にシロキサン系ポリマーからなる光導波路が形成されて
いる構成となっている。このように、配線基板と光導波
路とが互いに異なる材料からなる場合には、配線基板の
電気絶縁層と光導波路とを互いに異なる材料で個別のプ
ロセスで形成する必要があり、本混載基板では光導波路
部および電気配線部の3次元的な完全な混載化および低
コスト化を図ることが困難であった。なお、本混載基板
において光導波路用の樹脂として用いられているシロキ
サン系ポリマーは、感光によって微細配線およびビアホ
ールを形成することが難しく、そのため電気絶縁膜用材
料として用いることができない。
The mixed substrate disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-236731 has a structure in which an optical waveguide made of a siloxane polymer is formed on a ceramic multilayer wiring substrate. As described above, when the wiring board and the optical waveguide are made of different materials, it is necessary to form the electrical insulating layer of the wiring board and the optical waveguide by different materials in separate processes. It has been difficult to achieve three-dimensional complete mixed mounting and cost reduction of the waveguide section and the electric wiring section. The siloxane-based polymer used as a resin for an optical waveguide in the present mixed substrate is difficult to form fine wiring and via holes by photosensitivity, and therefore cannot be used as a material for an electric insulating film.

【0007】以上の問題点に鑑み、本発明は、光導波路
部および電気配線部の3次元的な混載化および低コスト
化を図ることができる光電気混載基板およびその製造方
法を提供することを目的とする。
In view of the above problems, the present invention provides an opto-electric hybrid board and a method of manufacturing the opto-electric hybrid board in which the optical waveguide section and the electric wiring section can be three-dimensionally mixed and reduced in cost. To aim.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光電気混載基板は、電気配線層と電気絶縁
層とを有する電気配線部と、コア部とクラッド部とから
なる光導波路部とを備えた光電気混載基板であって、前
記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とが同じ材
料で構成されており、前記光導波路部のコア部は、前記
材料中に3次元的に曲線状に形成されている部分を有
し、前記光導波路部の一方の端部が前記光電気混載基板
の側面で終端し、前記光導波路部の他方の端部が前記光
電気混載基板の表面で終端していることを特徴とする。
In order to achieve the above object, an opto-electric hybrid board according to the present invention is an optical waveguide comprising an electric wiring portion having an electric wiring layer and an electric insulating layer, and a core portion and a clad portion. An optical / electrical hybrid substrate, wherein the electrical insulating layer of the electrical wiring portion and the optical waveguide portion are made of the same material, and the core portion of the optical waveguide portion is made of the same material. Has a part that is dimensionally curved
And one end of the optical waveguide portion is the opto-electric hybrid board.
End on the side surface of the optical waveguide and the other end of the optical waveguide is
It is characterized in that it is terminated on the surface of the electric hybrid board .

【0009】上記のように構成された本発明の光電気混
載基板によれば、電気配線部と光導波路部とを同じプロ
セスで形成することが可能となるため、光導波路部およ
び電気配線部の3次元的な混載化および光電気混載基板
の低コスト化を図ることが可能となる。
According to the opto-electric hybrid board of the present invention configured as described above, since the electric wiring portion and the optical waveguide portion can be formed in the same process, the optical waveguide portion and the electric wiring portion can be formed. It is possible to achieve three-dimensional mixed mounting and cost reduction of the opto-electric hybrid mounting substrate.

【0010】[0010]

【0011】[0011]

【0012】[0012]

【0013】[0013]

【0014】[0014]

【0015】 また、本発明の光電気混載基板の製造方
法は、電気配線層と電気絶縁層とを有する電気配線部
と、コア部とクラッド部とからなる光導波路部とを備え
た光電気混載基板の製造方法であって、照射される露光
光量によって屈折率が変化する感光性樹脂を前記材料と
して用い、前記光導波路部を構成する前記感光性樹脂の
コア部となる部分の屈折率が前記感光性樹脂のクラッド
部となる部分の屈折率よりも大きくなるように、露光光
を前記感光性樹脂の所望の位置に焦点を合わせながら走
査させることによって、前記光導波路部のコア部を、
記光導波路部の一方の端部が前記光電気混載基板の側面
で終端し、前記光導波路部の他方の端部が前記光電気混
載基板の表面で終端するように、3次元的に曲線状に前
記感光性樹脂中に形成する工程を含むことを特徴とす
る。
The method for manufacturing an opto-electric hybrid board according to the present invention is an opto-electric hybrid board including an electric wiring portion having an electric wiring layer and an electric insulating layer, and an optical waveguide portion including a core portion and a clad portion. A method of manufacturing a substrate, wherein a photosensitive resin whose refractive index is changed by the amount of exposure light to be irradiated is used as the material, and a refractive index of a portion which becomes a core portion of the photosensitive resin which constitutes the optical waveguide is to be larger than the refractive index of the portion to be the cladding portion of the photosensitive resin, the exposure light by scanning while focusing on the desired position of the photosensitive resin, the core portion of the optical waveguide section, before
One end of the optical waveguide is a side surface of the opto-electric hybrid board.
, And the other end of the optical waveguide section is
The method is characterized by including a step of forming a three-dimensional curved line in the photosensitive resin so as to terminate at the surface of the mounting substrate .

【0016】これにより、電気配線部と光導波路部とを
同じプロセスで形成することが可能となり、光導波路部
および電気配線部の3次元的な混載化および光電気混載
基板の低コスト化が図られる。
As a result, the electric wiring portion and the optical waveguide portion can be formed in the same process, and the optical waveguide portion and the electric wiring portion can be three-dimensionally mixed and the cost of the opto-electric hybrid board can be reduced. To be

【0017】[0017]

【0018】[0018]

【0019】[0019]

【0020】[0020]

【0021】[0021]

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0023】(第1の参考例) 図1は、本発明の光電気混載基板の第1の参考例を示す
断面図である。
(First Reference Example ) FIG. 1 is a sectional view showing a first reference example of an opto-electric hybrid board according to the present invention.

【0024】本参考例の光電気混載基板(以下、「混載
基板」という。)は、銅配線2および層間ビアホール3
によって両表面および内部に電気配線が形成されたセラ
ミック多層配線基板1と、電気絶縁層4および微細銅配
線5からなりセラミック多層配線基板1上に設けられた
微細電気配線部と、光導波路クラッド層6および光導波
路コア層7からなり同じくセラミック多層配線基板1上
に設けられた光導波路部とを有している。セラミック多
層配線基板1上には、LD(レーザダイオード)8が高
融点はんだバンプ9を介して実装され、またドライバ用
シリコンLSI10がはんだバンプ11を介して実装さ
れている。さらに、微細電気配線部上には、制御用シリ
コンLSI12が実装されている。
The opto-electric hybrid board (hereinafter referred to as "mixed board") of this reference example has a copper wiring 2 and an interlayer via hole 3.
A ceramic multilayer wiring board 1 having electrical wiring formed on both surfaces and inside thereof, a fine electrical wiring portion formed on the ceramic multilayer wiring board 1 including an electrical insulating layer 4 and fine copper wiring 5, and an optical waveguide clad layer. 6 and an optical waveguide core layer 7, and an optical waveguide portion also provided on the ceramic multilayer wiring substrate 1. An LD (laser diode) 8 is mounted on the ceramic multilayer wiring board 1 via high melting point solder bumps 9, and a driver silicon LSI 10 is mounted via solder bumps 11. Further, a control silicon LSI 12 is mounted on the fine electric wiring portion.

【0025】上記のように構成された混載基板では、制
御用シリコンLSI12がドライバ用シリコンLSI1
0を制御し、ドライバ用シリコンLSI10がLD8を
駆動する。なお、LD8と光導波路コア7とは光学的に
結合されている。
In the mixed board constructed as described above, the control silicon LSI 12 is the driver silicon LSI 1
0 is controlled and the driver silicon LSI 10 drives the LD 8. The LD 8 and the optical waveguide core 7 are optically coupled.

【0026】次に、図2を参照して図1に示した混載基
板の製造工程について説明する。図2は、図1に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
Next, the manufacturing process of the mixed substrate shown in FIG. 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【0027】混載基板の製造工程では、まず最初に、図
2(a)に示すように、セラミック多層配線基板1を作
成する。
In the manufacturing process of the mixed board, first, as shown in FIG. 2A, the ceramic multilayer wiring board 1 is prepared.

【0028】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板1が作成
される。
First, alumina powder, flux, organic binder, solvent and plasticizer are thoroughly mixed in a ball mill, and this mixture is spread on a carrier tape with a blade and dried to form a green sheet. Next, the green sheet is perforated with a mold, a conductor paste made of metal powder is filled therein, and a desired conductor pattern is printed on the green sheet. Next, a plurality of green sheets thus configured are stacked and fired. As described above, the ceramic multilayer wiring board 1 is produced.

【0029】続いて、同図(b)に示すように、セラミ
ック多層配線基板1の上に、微細電気配線部および光導
波路部を作成する。
Subsequently, as shown in FIG. 1B, a fine electric wiring portion and an optical waveguide portion are formed on the ceramic multilayer wiring substrate 1.

【0030】まず、セラミック多層配線基板1上に光導
波路部の下部クラッド層6aおよび微細電気配線部の電
気絶縁層4となる感光性樹脂をスピンコートする。次
に、露光および現像を行い、微細電気配線部として用い
る部分にはビアパターンを形成し、下部クラッド層6a
として用いる部分は一様な樹脂膜として残し、セラミッ
ク多層配線基板1の表面を露出させたい部分は感光性樹
脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量に
よって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像の
プロセスでは、下部クラッド6bの屈折率が後述する光
導波路コア7よりわずかに小さくなるように露光光量を
調整する。その後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬
化させる。次に、メッキレジストをスピンコート法を用
いて塗布し、露光および現像を行い、微細銅配線を形成
するパターニングを行った後、銅メッキを施し、微細銅
配線5を形成した後に、メッキレジストを除去する。
First, a photosensitive resin to be the lower clad layer 6a of the optical waveguide portion and the electric insulating layer 4 of the fine electric wiring portion is spin-coated on the ceramic multilayer wiring substrate 1. Next, exposure and development are performed to form a via pattern in the portion used as the fine electric wiring portion, and the lower clad layer 6a is formed.
The portion used as is left as a uniform resin film, and the photosensitive resin is removed from the portion where the surface of the ceramic multilayer wiring board 1 is to be exposed. A resin whose refractive index changes with the amount of exposure light is used as the above-mentioned photosensitive resin, and in the process of exposure and development, the amount of exposure light is adjusted so that the refractive index of the lower clad 6b is slightly smaller than that of the optical waveguide core 7 described later. Adjust. Then, the photosensitive resin is cured at a temperature specific to the resin. Next, a plating resist is applied using a spin coating method, exposed and developed, and patterned to form fine copper wiring, and then copper plating is performed to form the fine copper wiring 5, and then the plating resist is applied. Remove.

【0031】次いで、光導波路コア層7および微細電気
配線部の電気絶縁層4となる感光性樹脂をスピンコート
する。次に、露光および現像を行い、微細電気配線とし
て用いる部分にはビアパターンを形成し、光導波路コア
7として用いる部分にはコアパターンを形成し、セラミ
ック多層配線基板1の表面を露出させたい部分は感光性
樹脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量
によって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像
のプロセスでは、光導波路コア層7のパターニングを行
うとともに、コア層7の屈折率を下部クラッド層6aよ
りわずかに大きくさせるように露光光量を調整する。そ
の後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬化させる。次
に、メッキレジストをスピンコート法を用いて塗布し、
露光および現像を行い、微細銅配線を形成するためのパ
ターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅配線5
を形成した後に、メッキレジストを除去する。
Then, a photosensitive resin to be the optical waveguide core layer 7 and the electric insulating layer 4 of the fine electric wiring portion is spin-coated. Next, exposure and development are performed, a via pattern is formed in a portion used as a fine electric wiring, a core pattern is formed in a portion used as the optical waveguide core 7, and a portion where the surface of the ceramic multilayer wiring substrate 1 is to be exposed. Removes the photosensitive resin. A resin whose refractive index changes according to the amount of exposure light is used as the above-mentioned photosensitive resin. In the process of exposure and development, the optical waveguide core layer 7 is patterned and the refractive index of the core layer 7 is adjusted to the lower clad layer 6a. The exposure light amount is adjusted so as to be slightly larger. Then, the photosensitive resin is cured at a temperature specific to the resin. Next, a plating resist is applied using a spin coating method,
After performing exposure and development and patterning for forming fine copper wiring, copper plating is performed to form fine copper wiring 5
After forming, the plating resist is removed.

【0032】続いて、光導波路クラッド層6の上部クラ
ッド層6bおよび微細電気配線部の電気絶縁層4となる
感光性樹脂をスピンコートする。次に、露光および現像
を行い、微細電気配線として用いる部分にはビアパター
ンを形成し、上部クラッド層6bとして用いる部分には
コアパターンを形成し、セラミック多層配線基板1の表
面を露出させたい部分は感光性樹脂を取り除く。なお、
上記の感光性樹脂には露光光量によって屈折率が変化す
る樹脂を用い、露光および現像のプロセスでは、上部ク
ラッド6bの屈折率が光導波路コア7よりわずかに小さ
くなるように露光光量を調整する。その後、樹脂に固有
の温度で感光性樹脂を硬化させる。次に、メッキレジス
トをスピンコート法を用いて塗布し、露光および現像を
行い、微細銅配線を形成するためのパターニングを行っ
た後に、銅メッキを施し、微細銅配線5を形成した後
に、メッキレジストを除去する。
Subsequently, a photosensitive resin to be the upper clad layer 6b of the optical waveguide clad layer 6 and the electric insulating layer 4 of the fine electric wiring portion is spin-coated. Next, exposure and development are performed, a via pattern is formed in a portion used as a fine electric wiring, and a core pattern is formed in a portion used as the upper clad layer 6b to expose the surface of the ceramic multilayer wiring substrate 1. Removes the photosensitive resin. In addition,
A resin whose refractive index changes with the amount of exposure light is used as the above-mentioned photosensitive resin, and in the processes of exposure and development, the amount of exposure light is adjusted so that the refractive index of the upper cladding 6b is slightly smaller than that of the optical waveguide core 7. Then, the photosensitive resin is cured at a temperature specific to the resin. Next, a plating resist is applied using a spin coat method, exposed and developed, and patterned to form fine copper wiring, and then copper plating is performed to form fine copper wiring 5, and then plating is performed. Remove the resist.

【0033】続いて、同図(c)に示すように、LD8
を高融点はんだ9を用いてセラミック多層配線基板1上
に実装する。
Then, as shown in FIG.
Are mounted on the ceramic multilayer wiring board 1 using the high melting point solder 9.

【0034】最後に、同図(d)に示すように、はんだ
バンプ11を介して、ドライバ用シリコンLSI10を
セラミック多層配線基板1上に実装し、制御用シリコン
LSI12を微細電気配線部上に実装する。
Finally, as shown in FIG. 3D, the driver silicon LSI 10 is mounted on the ceramic multilayer wiring board 1 and the control silicon LSI 12 is mounted on the fine electric wiring portion via the solder bumps 11. To do.

【0035】以上の工程により、電気絶縁層4および微
細銅配線5からなる3層の微細電気配線部と光導波路と
を有し、光素子であるLD8と電気素子であるLSI1
0,12とが実装された混載基板が形成される。上記に
説明した製造方法によれば、セラミック多層配線基板1
上の別々の部分に、微細電気配線部および光導波路部
を、電気絶縁層4および光導波路の材料として同じ材料
を用いて同一のプロセスで作成することができる。な
お、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶことができ
る。また、光導波路は上記のような3次元型光導波路の
構成に限られない。
Through the above steps, the LD8, which is an optical element, and the LSI1, which is an electrical element, have a three-layered fine electrical wiring portion consisting of the electrical insulating layer 4 and the fine copper wiring 5, and an optical waveguide.
A mixed board on which 0 and 12 are mounted is formed. According to the manufacturing method described above, the ceramic multilayer wiring board 1
The fine electric wiring part and the optical waveguide part can be formed in the same process using the same material as the material of the electrical insulating layer 4 and the optical waveguide in the upper separate parts. The number of wiring layers of the fine electric wiring portion can be arbitrarily selected. Further, the optical waveguide is not limited to the configuration of the three-dimensional optical waveguide as described above.

【0036】図3は、図1に示した混載基板における光
導波路の側面図である。
FIG. 3 is a side view of the optical waveguide in the hybrid board shown in FIG.

【0037】図から分かるように、セラミック多層配線
基板1上には、光導波路クラッド層6が光導波路コア層
7を囲むような構造で光導波路が形成されている。な
お、図3には3つの光導波路コア層7が設けられている
例を示しているが、コア層7の数は光回路の使用目的等
に応じて変更してもよい。
As can be seen from the figure, an optical waveguide is formed on the ceramic multilayer wiring substrate 1 in such a structure that the optical waveguide clad layer 6 surrounds the optical waveguide core layer 7. Although FIG. 3 shows an example in which three optical waveguide core layers 7 are provided, the number of core layers 7 may be changed according to the purpose of use of the optical circuit and the like.

【0038】(第2の参考例) 図4は、本発明の混載基板の第2の参考例を示す断面図
である。
(Second Reference Example ) FIG. 4 is a sectional view showing a second reference example of the hybrid substrate of the present invention.

【0039】本参考例の混載基板は、銅配線22および
層間ビアホール23によって両表面および内部に電気配
線が形成されたセラミック多層配線基板21を有してい
る。配線基板21の上面には、電気絶縁層24および微
細銅配線25からなる微細電気配線層部が全体にわたっ
て形成されており、さらに、微細電気配線層部上の必要
な部分には、光導波路コア層27および光導波路クラッ
ド26からなる光導波路部が形成されている。電気絶縁
層24と光導波路部とは同じ材料で形成されている。さ
らに、微細電気配線層部上には、LD28が高融点はん
だバンプ29を介して実装され、ドライバ用シリコンL
SI30および制御用シリコンLSI32がはんだバン
プ31を介して実装されている。
The mixed board of this reference example has a ceramic multilayer wiring board 21 having electric wiring formed on both surfaces and inside by copper wiring 22 and interlayer via holes 23. On the upper surface of the wiring board 21, a fine electric wiring layer portion including an electric insulating layer 24 and a fine copper wiring 25 is formed over the entire surface. Further, an optical waveguide core is formed on a necessary portion on the fine electric wiring layer portion. An optical waveguide portion including the layer 27 and the optical waveguide clad 26 is formed. The electric insulating layer 24 and the optical waveguide portion are formed of the same material. Further, the LD 28 is mounted on the fine electric wiring layer portion through the high melting point solder bump 29, and the driver silicon L
The SI 30 and the control silicon LSI 32 are mounted via the solder bumps 31.

【0040】上記のように構成された混載基板では、制
御用シリコンLSI32がドライバ用シリコンLSI1
0を制御し、ドライバ用シリコンLSI30がLD28
を駆動する。なお、レーザダイオード28と光導波路コ
ア27とは光学的に結合されている。
In the mixed board constructed as described above, the control silicon LSI 32 is the driver silicon LSI 1
0 for the driver silicon LSI 30 to drive the LD 28
To drive. The laser diode 28 and the optical waveguide core 27 are optically coupled.

【0041】次に、図5を参照して図4に示した混載基
板の製造工程について説明する。図5は、図4に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
Next, the manufacturing process of the mixed board shown in FIG. 4 will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【0042】混載基板の製造工程では、まず最初に、図
5(a)に示すように、セラミック多層配線基板21を
作成する。
In the manufacturing process of the mixed board, first, as shown in FIG. 5A, a ceramic multilayer wiring board 21 is prepared.

【0043】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板21が作
成される。
First, alumina powder, flux, organic binder, solvent and plasticizer are thoroughly mixed in a ball mill, and then this mixture is spread on a carrier tape with a blade and dried to form a green sheet. Next, the green sheet is perforated with a mold, a conductor paste made of metal powder is filled therein, and a desired conductor pattern is printed on the green sheet. Next, a plurality of green sheets thus configured are stacked and fired. As described above, the ceramic multilayer wiring board 21 is produced.

【0044】続いて、同図(b)に示すように、セラミ
ック多層配線基板21の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
Subsequently, as shown in FIG. 6B, a fine electric wiring portion is formed on the entire upper surface of the ceramic multilayer wiring board 21.

【0045】まず、セラミック多層配線基板21上に、
電気絶縁層24となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線25を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線層の形成工程とを必要な回数だけ繰り
返して実施することにより、所望の微細電気配線層部が
セラミック多層配線基板21上に作成される。
First, on the ceramic multilayer wiring board 21,
A photosensitive resin to be the electric insulation layer 24 is applied by spin coating. Next, exposure and development are performed to form a pattern of the electric insulating layer, and then heating is performed at a temperature unique to the resin to cure the resin. Next, a plating resist is applied by spin coating, exposure and development are performed, and after patterning the electric conductor layer, copper plating is applied to form the fine copper wiring 25. Furthermore, the desired fine electric wiring layer portion is formed on the ceramic multilayer wiring substrate 21 by repeating the above-described step of forming the electric insulating layer and the step of forming the fine copper wiring layer as many times as necessary.

【0046】続いて、同図(c)に示すように、セラミ
ック多層配線基板21上に形成した電気絶縁層4および
微細銅配線5からなる微細電気配線部の上に、光導波路
部を作成する。
Subsequently, as shown in FIG. 3C, an optical waveguide portion is formed on the fine electric wiring portion formed of the electric insulating layer 4 and the fine copper wiring 5 formed on the ceramic multilayer wiring substrate 21. .

【0047】まず、光導波路部の下部クラッド層26a
となる電気絶縁層24と同じ樹脂を微細電気配線部の上
にスピンコート法により塗布して露光および現像を行
い、光導波路下部クラッド層26aを所望の形状にパタ
ーニングし、樹脂に固有の温度で樹脂を硬化させる。次
に、光導波路コア層27となる電気絶縁層24と同じ樹
脂をスピンコート法により塗布し、露光および現像を行
い目的部分に光導波路コア層7をパターニングし、樹脂
に固有の温度で樹脂を硬化させる。
First, the lower cladding layer 26a of the optical waveguide portion
The same resin as that of the electric insulating layer 24 is coated on the fine electric wiring portion by spin coating, exposed and developed, and the optical waveguide lower clad layer 26a is patterned into a desired shape. Cure the resin. Next, the same resin as the electrical insulating layer 24 to be the optical waveguide core layer 27 is applied by spin coating, exposed and developed to pattern the optical waveguide core layer 7 on a target portion, and the resin is applied at a temperature unique to the resin. Let it harden.

【0048】次に、光導波路上部クラッド層26bとな
る電気絶縁層24と同じ樹脂をスピンコート法により塗
布して露光および現像を行い、上部クラッド層26bを
所望の形状にパターニングし、樹脂に固有の温度で樹脂
を硬化させる。なお、クラッド層26a,26bおよび
コア層27を構成する樹脂には露光光量によって屈折率
が変化する材料を用い、露光および現像のプロセスで
は、パターニングを行うとともに光導波路コア層27の
屈折率がクラッド層26の屈折率よりもわずかに高くな
るように露光光量を調整する。
Next, the same resin as that of the electrical insulating layer 24 to be the optical waveguide upper clad layer 26b is applied by spin coating, exposed and developed, and the upper clad layer 26b is patterned into a desired shape. The resin is cured at the temperature of. A material whose refractive index changes with the amount of exposure light is used for the resin forming the clad layers 26a and 26b and the core layer 27, and in the process of exposure and development, patterning is performed and the refractive index of the optical waveguide core layer 27 is clad. The exposure light amount is adjusted so as to be slightly higher than the refractive index of the layer 26.

【0049】最後に、同図(d)に示すように、LD2
8を高融点はんだ29を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、ドライバ用シリコンLSI30および制
御用シリコンLSI32をはんだバンプ31を介して微
細電気配線部上に実装する。
Finally, as shown in FIG.
8 is mounted on the fine electric wiring portion via the high melting point solder 29, and the driver silicon LSI 30 and the control silicon LSI 32 are mounted on the fine electric wiring portion via the solder bumps 31.

【0050】以上の工程により、本参考例の混載基板が
形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気絶
縁層24および光導波路の材料として同じ材料を用いて
同一のプロセスで、セラミック多層配線基板21の微細
電気配線部の上に光導波路部を作成することができる。
なお、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶことがで
きる。また、光導波路は上記のような3次元型光導波路
の構成に限られない。
Through the above steps, the mixed substrate of this reference example is formed. According to the manufacturing method described above, the optical waveguide part is formed on the fine electrical wiring part of the ceramic multilayer wiring substrate 21 by the same process using the same material as the material of the electrical insulating layer 24 and the optical waveguide. You can
The number of wiring layers of the fine electric wiring portion can be arbitrarily selected. Further, the optical waveguide is not limited to the configuration of the three-dimensional optical waveguide as described above.

【0051】図6は、本発明の混載基板の実施形態を
示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of the mixed board of the present invention.

【0052】本実施形態の混載基板は、銅配線42およ
び層間ビアホール43によって両表面および内部に電気
配線が形成されたセラミック多層配線基板41を有して
いる。配線基板41の上面には、電気絶縁層44および
微細銅配線45からなる微細電気配線層部が全体にわた
って形成されており、さらに、微細電気配線層部内に
は、光導波路である光送信用コア層53および光受信用
コア層55が形成されている。電気絶縁層44と光導波
路とは同じ材料で形成されている。微細電気配線層部上
には、LD48が高融点はんだバンプ49を介して実装
され、PD54、ドライバ用シリコンLSI50および
制御用シリコンLSI52がはんだバンプ51を介して
実装されている。
The mixed board of this embodiment has a ceramic multilayer wiring board 41 having electrical wiring formed on both surfaces and inside by copper wiring 42 and interlayer via holes 43. On the upper surface of the wiring board 41, a fine electric wiring layer portion including an electric insulating layer 44 and a fine copper wiring 45 is formed over the entire surface. Further, in the fine electric wiring layer portion, an optical transmission core that is an optical waveguide is formed. The layer 53 and the optical receiving core layer 55 are formed. The electrical insulating layer 44 and the optical waveguide are made of the same material. The LD 48 is mounted on the fine electric wiring layer portion via the high melting point solder bump 49, and the PD 54, the driver silicon LSI 50 and the control silicon LSI 52 are mounted via the solder bump 51.

【0053】上記のように構成された本実施形態の混載
基板では、制御用シリコンLSI52がドライバ用シリ
コンLSI50を制御し、ドライバ用シリコンLSI5
0がLD48を駆動する。なお、LD48と光送信用コ
ア53、PD54と光受信用コア55とは、それぞれ互
いに光学的に結合されている。
In the mixed substrate of the present embodiment having the above-mentioned configuration, the control silicon LSI 52 controls the driver silicon LSI 50, and the driver silicon LSI 5
0 drives the LD 48. The LD 48 and the optical transmission core 53, and the PD 54 and the optical reception core 55 are optically coupled to each other.

【0054】次に、図7を参照して図6に示した混載基
板の製造工程について説明する。図7は、図6に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
Next, the manufacturing process of the mixed substrate shown in FIG. 6 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【0055】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板41が作
成される。
First, alumina powder, flux, organic binder, solvent and plasticizer are thoroughly mixed in a ball mill, and then this mixture is spread on a carrier tape with a blade and dried to form a green sheet. Next, the green sheet is perforated with a mold, a conductor paste made of metal powder is filled therein, and a desired conductor pattern is printed on the green sheet. Next, a plurality of green sheets thus configured are stacked and fired. As described above, the ceramic multilayer wiring board 41 is produced.

【0056】続いて、同図(b)に示すように、セラミ
ック多層配線基板41の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
Subsequently, as shown in FIG. 9B, a fine electric wiring portion is formed on the entire upper surface of the ceramic multilayer wiring board 41.

【0057】まず、セラミック多層配線基板41上に、
電気絶縁層44となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線45を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線の形成工程とを必要な回数だけ繰り返
して実施することにより、所望の微細電気配線層部がセ
ラミック多層配線基板41上に作成される。
First, on the ceramic multilayer wiring board 41,
A photosensitive resin to be the electric insulating layer 44 is applied by spin coating. Next, exposure and development are performed to form a pattern of the electric insulating layer, and then heating is performed at a temperature unique to the resin to cure the resin. Next, a plating resist is applied by spin coating, exposure and development are performed, patterning of the electric conductor layer is performed, and then copper plating is performed to form the fine copper wiring 45. Further, the desired fine electric wiring layer portion is formed on the ceramic multilayer wiring substrate 41 by repeating the above-mentioned step of forming the electric insulating layer and the step of forming the fine copper wiring as many times as necessary.

【0058】続いて、同図(c)に示すように、セラミ
ック多層配線基板41上に形成した微細電気配線部の電
気絶縁層44内に、光導波路を作成する。感光性樹脂に
は、照射される露光光としてのレーザ光の光量によって
屈折率が変化する樹脂を用い、光導波路コア層53,5
5の屈折率が周囲の電気絶縁層44よりもわずかに大き
くなるように、レーザ光を感光性樹脂のコア層53,5
5を形成する位置に焦点を合わせながら走査させること
で、感光性樹脂に3次元的に光導波路コア層53,55
を書き込む。
Subsequently, as shown in FIG. 7C, an optical waveguide is formed in the electric insulating layer 44 of the fine electric wiring portion formed on the ceramic multilayer wiring board 41. As the photosensitive resin, a resin whose refractive index changes depending on the amount of laser light as exposure light to be irradiated is used, and the optical waveguide core layers 53, 5
5 so that the refractive index of 5 is slightly higher than that of the surrounding electric insulating layer 44, the laser light is applied to the core layers 53, 5 of the photosensitive resin.
By scanning while focusing on the position where 5 is formed, three-dimensional optical waveguide core layers 53, 55 are formed on the photosensitive resin.
Write.

【0059】最後に、同図(d)に示すように、LD4
8を高融点はんだ49を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、PD54、ドライバ用シリコンLSI5
0および制御用シリコンLSI52をはんだバンプ51
を介して微細電気配線部上に実装する。
Finally, as shown in FIG.
8 is mounted on the fine electric wiring portion through the high melting point solder 49, and the PD 54 and the driver silicon LSI 5 are mounted.
0 and control silicon LSI 52 with solder bumps 51
It is mounted on the fine electric wiring part via.

【0060】以上の工程により、本実施形態の混載基板
が形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気
絶縁層44および光導波路の材料として同じ材料を用い
て同一のプロセスで、セラミック多層配線基板41の微
細電気配線部の上に光導波路部を作成することができ
る。
Through the above steps, the mixed substrate of this embodiment is formed. According to the manufacturing method described above, the optical waveguide part is formed on the fine electrical wiring part of the ceramic multilayer wiring substrate 41 by the same process using the same material as the material of the electrical insulating layer 44 and the optical waveguide. You can

【0061】[0061]

【実施例】本発明の混載基板を実現するためには、光透
過性が高く、かつ低コストな微細加工を実現する材料が
必要である。例えば、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂(新日鉄化学(株)製のV259P
A)は、これらの条件を満たしており、シングルモード
用光導波路としての光損失が0.3dB/cm程度であ
り、光導波路用として開発されている他のポリマー材と
比較しても遜色ない性能を有している。また、上記のエ
ポキシアクリレート樹脂は、UV感光性を有しており、
しかも微細化に必要となる解像度も高いので、数ミクロ
ン程度の電気配線を低コストで形成することが可能であ
る。
EXAMPLES In order to realize the mixed substrate of the present invention, it is necessary to use a material having a high light transmittance and realizing a low cost fine processing. For example, an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton (V259P manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
A) satisfies these conditions and has an optical loss of about 0.3 dB / cm as an optical waveguide for single mode, which is comparable to other polymer materials developed for optical waveguides. Has performance. Further, the above epoxy acrylate resin has UV photosensitivity,
Moreover, since the resolution required for miniaturization is high, it is possible to form electrical wiring of about several microns at low cost.

【0062】ここで、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂を用いて光導波路を形成する工程につ
いて説明する。
Here, a process of forming an optical waveguide using an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton will be described.

【0063】まず、光導波路を形成する基板に、フルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解した
コーティング溶液をスピンコーティング法、ディップコ
ーティング法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベ
ーキング処理を施し溶媒を蒸発させた後、露光を行い下
部クラッドを適当な屈折率に調整する。次いで、160
℃〜250℃で30〜90分程度の加熱処理(ポストベ
ーク)を行うことにより、露光部を固化させ下部クラッ
ドを作成する。次に、下部クラッド上にフルオレン骨格
を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティ
ング溶液をスピンコーティング法、ディップコーティン
グ法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベーキング
処理を施し溶媒を蒸発させた後に、所定のパターンを施
したガラスマスクを通して露光を行い、コアの屈折率を
調整すると共に、目的の部分を硬化させる。このとき、
コアの屈折率は、その周辺のクラッドの屈折率よりも1
%以下の違いで小さいことが必要である。
First, a coating solution in which an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is dissolved is applied to a substrate forming an optical waveguide by a spin coating method, a dip coating method or the like to obtain a coating film. Next, baking treatment is performed to evaporate the solvent, and then exposure is performed to adjust the lower cladding to an appropriate refractive index. Then 160
By performing a heat treatment (post-baking) at 30 ° C. to 250 ° C. for about 30 to 90 minutes, the exposed portion is solidified to form the lower clad. Next, a coating solution in which an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is dissolved is applied on the lower clad by a spin coating method, a dip coating method or the like to obtain a coating film. Next, after baking treatment is performed to evaporate the solvent, exposure is performed through a glass mask having a predetermined pattern to adjust the refractive index of the core and cure the target portion. At this time,
The refractive index of the core is 1 more than the refractive index of the cladding around it.
It must be small with a difference of less than%.

【0064】次に、上記の基板を水酸化カリウム、ある
いはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部分を溶
解して現像し、さらに160℃〜250℃で30〜90
分程度の加熱処理(ポストベーク)を行うことにより、
露光部を固化させ、光導波路コアの形状を作成する。次
に、上部クラッドとして、コアおよび下部クラッド上に
フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を上
記の下部クラッドと同様の方法で成膜する。以上の工程
により、耐熱性を持ち、コア断面の高さおよび幅が数μ
m程度のシングルモード光導波路や、コア断面の高さお
よび幅が数10μm程度のマルチモード光導波路を簡便
な方法で作成することができる。
Next, the above-mentioned substrate is immersed in a potassium hydroxide or amine-based alkali developing solution to dissolve and develop the unexposed portion, and further, at 160 to 250 ° C. for 30 to 90 ° C.
By performing heat treatment (post bake) for about a minute,
The exposed portion is solidified to form the shape of the optical waveguide core. Next, as an upper clad, an epoxy acrylate resin having a fluorene skeleton is formed on the core and the lower clad by the same method as the above lower clad. Through the above steps, it has heat resistance and the core cross-section height and width are several μ.
A single-mode optical waveguide having a size of about m or a multi-mode optical waveguide having a height and width of a core cross section of about several tens of μm can be produced by a simple method.

【0065】また、他の実施例としては、例えば図1に
示すような構成の混載基板において、LD8から発生す
る熱を効果的に放熱させるために、セラミック多層配線
基板1のセラミック材料として、熱伝導性の良い窒化ア
ルミニウム、炭化シリコン、あるいは酸化ベリリウムを
用いてもよい。
As another embodiment, in a mixed board having a structure as shown in FIG. 1, for example, in order to effectively dissipate the heat generated from the LD 8, the ceramic multilayer wiring board 1 is made of a ceramic material. Aluminum nitride, silicon carbide, or beryllium oxide having good conductivity may be used.

【0066】さらに、他の実施例としては、例えば図1
に示すような構成の混載基板において、LD8をダイボ
ンディングする際に、温度変化によるLD8とセラミッ
ク多層配線基板1との間の熱膨張差によってLD8に生
じるひずみが小さくなるように、セラミック多層配線基
板1のセラミック材料としてLD8の材料の熱膨張係数
に近い材料を用いてもよい。
Still another embodiment is shown in FIG.
In the mixed board having the structure as shown in FIG. 5, when the LD8 is die-bonded, the strain generated in the LD8 due to the difference in thermal expansion between the LD8 and the ceramic multilayer wiring board 1 due to the temperature change is reduced, and the ceramic multilayer wiring board is reduced. As the first ceramic material, a material having a coefficient of thermal expansion close to that of the material of LD8 may be used.

【0067】ここで、上記に説明した実施形態および実
施例では、セラミック多層配線基板の上に電気配線部お
よび光導波路部が設けられている例を示したが、本発明
の光電気混載基板は、電気配線部および光導波路部が基
板上に設けられていることは必ずしも必要ではない。ま
た、電気配線部および光導波路部が基板上に設けられて
いる構成にあっては、基板はセラミック多層配線基板に
限られず、単なるセラミック基板や単層配線基板等の任
意の構成の基板の上に電気配線部および光導波路部が設
けられている構成としてもよい。
Here, in the above-described embodiments and examples, the example in which the electric wiring portion and the optical waveguide portion are provided on the ceramic multilayer wiring substrate is shown, but the opto-electric hybrid board of the present invention is It is not always necessary that the electric wiring portion and the optical waveguide portion are provided on the substrate. Further, in the configuration in which the electric wiring portion and the optical waveguide portion are provided on the substrate, the substrate is not limited to the ceramic multilayer wiring substrate, and a substrate having any configuration such as a simple ceramic substrate or a single-layer wiring substrate can be used. The electric wiring portion and the optical waveguide portion may be provided in the.

【0068】なお、本発明は上述の実施形態および各実
施例に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で種々の変更や改良等を加えることは何ら
差し支えない。
The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications and improvements may be added without departing from the gist of the present invention.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電気配
線部の電気絶縁層と光導波路部とが同じ材料で構成され
ており、光導波路部のコア部は、材料中に3次元的に曲
線状に形成されている部分を有し、光導波路部の一方の
端部が光電気混載基板の側面で終端し、光導波路部の他
方の端部が光電気混載基板の表面で終端しているので、
電気配線部と光導波路部とを同じプロセスで形成するこ
とができ、光導波路部および電気配線部の3次元的な混
載化と光電気混載基板の低コスト化とを図ることができ
る。
As described above, according to the present invention, the electric insulating layer of the electric wiring portion and the optical waveguide portion are made of the same material, and the core portion of the optical waveguide portion has a three-dimensional structure in the material. have a portion formed in a curved shape, one of the optical waveguide portion
The end ends at the side of the opto-electric hybrid board,
Since the end of one side terminates at the surface of the opto-electric hybrid board ,
The electric wiring portion and the optical waveguide portion can be formed in the same process, and the optical waveguide portion and the electric wiring portion can be three-dimensionally mixedly mounted and the cost of the opto-electric hybrid board can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光電気混載基板の第1の参考例を示す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first reference example of an opto-electric hybrid board according to the present invention.

【図2】図1に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【図3】図1に示した混載基板における光導波路の側面
図である。
FIG. 3 is a side view of an optical waveguide in the hybrid board shown in FIG.

【図4】本発明の光電気混載基板の第2の参考例を示す
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a second reference example of the opto-electric hybrid board according to the present invention.

【図5】図4に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【図6】本発明の光電気混載基板の実施形態を示す断
面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of an opto-electric hybrid board according to the present invention.

【図7】図6に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the mixed board shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,21,41 セラミック多層配線基板 2,22,42 銅配線 3,23,43 層間ビアホール 4,24,44 電気絶縁層 5,25,45 微細銅配線 6,26 光導波路クラッド層 6a,26a 下部クラッド層 6b,26b 上部クラッド層 7,27 光導波路コア層 8,28,48 LD(レーザダイオード) 9,29,49 高融点はんだバンプ 10,30,50 ドライバ用シリコンLSI 11,31,51 はんだバンプ 12,32,52 制御用シリコンLSI 53 光送信用コア層 54 PD(フォトダイオード) 55 光受信用コア層 1,21,41 Ceramic multilayer wiring board 2,22,42 copper wiring 3,23,43 Interlayer via hole 4,24,44 Electrical insulation layer 5,25,45 Fine copper wiring 6,26 Optical waveguide clad layer 6a, 26a Lower clad layer 6b, 26b Upper clad layer 7,27 Optical waveguide core layer 8, 28, 48 LD (laser diode) 9,29,49 High melting point solder bump Silicon LSI for 10, 30, 50 drivers 11,31,51 Solder bump 12, 32, 52 Control silicon LSI 53 Optical transmission core layer 54 PD (photodiode) 55 Optical receiving core layer

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/46 G02B 6/12 B // H01L 31/0232 M H01S 5/022 H01L 31/02 C (72)発明者 伊藤 正隆 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 金山 義信 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 藤原 雅彦 東京都港区芝五丁目7番1号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−172307(JP,A) 特開 平1−269903(JP,A) 特開 平9−318831(JP,A) 特開 平6−310833(JP,A) 特開 昭62−174996(JP,A) 特開 平11−72638(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 1/02 H05K 3/46 G02B 6/13 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H05K 3/46 G02B 6/12 B // H01L 31/0232 M H01S 5/022 H01L 31/02 C (72) Inventor Masataka Ito Tokyo Port 5-7-1, Shiba-ku, NEC Within NEC Corporation (72) Inventor Yoshinobu Kanayama 5-7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo (72) Inventor Masahiko Fujiwara 5-5 Shiba, Minato-ku, Tokyo No. 7-1 within NEC Corporation (56) Reference JP 4-172307 (JP, A) JP 1-269903 (JP, A) JP 9-318831 (JP, A) JP 6-310833 (JP, A) JP 62-174996 (JP, A) JP 11-72638 (JP, A) (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) H05K 1/02 H05K 3/46 G02B 6/13

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 電気配線層と電気絶縁層とを有する電気
配線部と、コア部とクラッド部とからなる光導波路部と
を備えた光電気混載基板であって、 前記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とが同じ
材料で構成されており、前記光導波路部のコア部は、前
記材料中に3次元的に曲線状に形成されている部分を有
し、前記光導波路部の一方の端部が前記光電気混載基板
の側面で終端し、前記光導波路部の他方の端部が前記光
電気混載基板の表面で終端していることを特徴とする光
電気混載基板。
1. An opto-electric hybrid board comprising an electric wiring portion having an electric wiring layer and an electric insulating layer, and an optical waveguide portion including a core portion and a clad portion, wherein the electric wiring portion is electrically insulated. The layer and the optical waveguide portion are made of the same material, and the core portion of the optical waveguide portion has a portion formed in the material in a three-dimensional curved shape.
And one end of the optical waveguide portion is the opto-electric hybrid board.
End on the side surface of the optical waveguide and the other end of the optical waveguide is
An opto-electric hybrid board characterized by terminating at the surface of the electro-mix board.
【請求項2】 電気配線層と電気絶縁層とを有する電気
配線部と、コア部とクラッド部とからなる光導波路部と
を備えた光電気混載基板の製造方法であって、 前記電気配線部を形成する工程と、前記光導波路部を形
成する工程とを有し、前記電気配線部の電気絶縁層と前
記光導波路部とを同じ材料で構成するとともに、 照射される露光光量によって屈折率が変化する感光性樹
脂を前記材料として用い、前記光導波路部を構成する前
記感光性樹脂のコア部となる部分の屈折率が前記感光性
樹脂のクラッド部となる部分の屈折率よりも大きくなる
ように、露光光を前記感光性樹脂の所望の位置に焦点を
合わせながら走査させることによって、前記光導波路部
のコア部を、前記光導波路部の一方の端部が前記光電気
混載基板の側面で終端し、前記光導波路部の他方の端部
が前記光電気混載基板の表面で終端するように、3次元
的に曲線状に前記感光性樹脂中に形成する工程を含むこ
とを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
2. A method of manufacturing an opto-electric hybrid board comprising an electric wiring part having an electric wiring layer and an electric insulating layer, and an optical waveguide part comprising a core part and a clad part, said electric wiring part. And a step of forming the optical waveguide section, the electrical insulating layer of the electrical wiring section and the optical waveguide section are made of the same material, and the refractive index is changed by the amount of exposure light to be irradiated. A photosensitive resin that changes is used as the material so that the refractive index of the core portion of the photosensitive resin forming the optical waveguide portion is higher than the refractive index of the cladding portion of the photosensitive resin. By exposing light to a desired position of the photosensitive resin while scanning the core portion of the optical waveguide portion so that one end portion of the optical waveguide portion is the opto-electrical portion.
The other end of the optical waveguide section ends on the side surface of the mixed board.
A method of manufacturing an opto-electric hybrid board, comprising the step of: three-dimensionally forming a curved line in the photosensitive resin so as to terminate on the surface of the opto-electric hybrid board.
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