JP3214153B2 - Cleaning method using dielectric barrier discharge lamp - Google Patents
Cleaning method using dielectric barrier discharge lampInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体ウエ
ハ、ガラス、セラミックス、プラスチックス等に付着し
た数分子から数十分子層の汚染物を、紫外線照射下にお
いて洗浄、除去する、いわゆる光洗浄方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called light cleaning method for cleaning and removing contaminants from several molecules to several tens of nanoseconds attached to silicon semiconductor wafers, glass, ceramics, plastics, etc. under ultraviolet irradiation. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】本発明に関連した技術としては、例え
ば、日本国公開特許公報平１─１４４５６０号があり、
そこには、誘電体バリヤ放電（別名オゾナイザ放電ある
いは無声放電。電気学会発行改定新版「放電ハンドブッ
ク」平成１年６月再版７刷発行第２６３ページ参照）を
使用したランプについて記載されている。また、オゾン
雰囲気において紫外線を照射することにより、有機物を
除去出来ることは古くから知られており、低圧水銀ラン
プを紫外線光源とした洗浄方法が実用されている。これ
らの従来の方法は、大面積を均一に洗浄しにくい、洗浄
の速度が必ずしも十分ではない等の問題があった。2. Description of the Related Art As a technique related to the present invention, there is, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-144560.
It describes a lamp using a dielectric barrier discharge (also known as an ozonizer discharge or a silent discharge; see the revised edition of the “Discharge Handbook” published by the Institute of Electrical Engineers of Japan, reprinted 7th edition, June 1991, page 263). It has long been known that organic matter can be removed by irradiating ultraviolet rays in an ozone atmosphere, and a cleaning method using a low-pressure mercury lamp as an ultraviolet light source has been put to practical use. These conventional methods have problems in that it is difficult to uniformly clean a large area and that the cleaning speed is not always sufficient.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、大面
積の被処理物を均一に、かつ高速で洗浄出来る洗浄方法
を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a cleaning method capable of cleaning a large-area workpiece uniformly and at high speed.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、被
洗浄物を洗浄ダクト内の酸素雰囲気下に配置し、放電用
ガスとしてキセノン、あるいは、アルゴンと塩素の混合
ガスを含んだガスを用い、ｎｍ単位で表した波長範囲１
６５から１９０、もしくは、１２０から１９０の少なく
とも一つの波長範囲に放射光を有する誘電体バリヤ放電
ランプから放射される紫外線で該被洗浄物を照射して該
被洗浄物を洗浄する事によって達成される。An object of the present invention is to dispose an object to be cleaned in an oxygen atmosphere in a cleaning duct and use a gas containing xenon or a mixed gas of argon and chlorine as a discharge gas. Wavelength range 1 expressed in nm
This is achieved by irradiating the object with ultraviolet light emitted from a dielectric barrier discharge lamp having radiation in at least one wavelength range of 65 to 190 or 120 to 190 to clean the object. You.
【０００５】[0005]
【作用】放電用ガスとしてキセノン、あるいは、アルゴ
ンと塩素の混合ガスを含んだガスを用い、ガスの圧力、
放電ギャップ長、放電電力密度などの放電条件を適当に
して誘電体バリヤ放電を行うことにより、キセノン、あ
るいは、アルゴンと塩素のエキシマ分子が形成され、ｎ
ｍ単位で表した波長１７２に最大値を有し波長範囲１２
０から１９０に放射光を有する誘電体バリヤ放電ラン
プ、もしくは、１７５に最大値を有し波長範囲１６５か
ら１９０に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプが得
られる。酸素を含んだ雰囲気下において、放電用ガスと
してキセノン、あるいは、アルゴンと塩素の混合ガスを
含んだガスを用いた誘電体バリヤ放電ランプから放射さ
れる紫外線で該被洗浄物を照射すると、１７２および１
７５ｎｍ付近の紫外線は、酸素分子を解離して活性な酸
素原子を生成し、この活性な酸素原子が該被洗浄物に付
着した有機化合物からなる汚染物と反応、分解し、洗浄
する。１７２および１７５ｎｍ付近の紫外線は、酸素原
子の生成に加えて、汚染物に直接作用する事によって汚
染物を活性化あるいは分解し、洗浄速度を加速する。[Action] Xenon or a gas containing a mixed gas of argon and chlorine is used as a discharge gas.
By performing a dielectric barrier discharge under appropriate discharge conditions such as a discharge gap length and a discharge power density, xenon or excimer molecules of argon and chlorine are formed.
The wavelength range 172 has a maximum value at a wavelength 172 expressed in m units.
Dielectric barrier discharge lamps with emission light from 0 to 190, or dielectric barrier discharge lamps with a maximum value at 175 and emission light in the wavelength range 165 to 190 are obtained. When the object to be cleaned is irradiated with ultraviolet light emitted from a dielectric barrier discharge lamp using xenon as a discharge gas or a gas containing a mixed gas of argon and chlorine in an atmosphere containing oxygen, 172 and 1
Ultraviolet light having a wavelength of about 75 nm dissociates oxygen molecules to generate active oxygen atoms, and the active oxygen atoms react with, and decompose, and contaminate the organic compound contaminants attached to the object to be cleaned. Ultraviolet light near 172 and 175 nm, in addition to generating oxygen atoms, activates or decomposes contaminants by acting directly on the contaminants, thereby accelerating the cleaning rate.
【０００６】該誘電体バリヤ放電ランプが放射する１７
２および１７５ｎｍ付近の狭い波長範囲の単色光的な紫
外線は、従来の低圧水銀放電ランプでは発生不可能であ
る。また、該誘電体バリヤ放電ランプは、ランプの温度
を低くできる、ランプの形状の自由度が大きい等の特徴
を有しているため、被洗浄物に近接して任意形状の誘電
体バリヤ放電ランプを設置することが可能になり、従来
の低圧水銀放電ランプや高圧アーク放電ランプだけの組
み合わせでは得ることの出来ない特徴ある分光分布の光
を、大面積に、均一に、高効率で照射することが可能に
なる。。従って小型の装置で高効率、高速で、大面積を
均一に洗浄することが可能になる。The dielectric barrier discharge lamp radiates 17
Monochromatic ultraviolet light in a narrow wavelength range around 2 and 175 nm cannot be generated by conventional low-pressure mercury discharge lamps. In addition, since the dielectric barrier discharge lamp has features such as lowering the temperature of the lamp and a large degree of freedom in the shape of the lamp, the dielectric barrier discharge lamp having an arbitrary shape close to the object to be cleaned. To irradiate a large area, uniformly, and efficiently with light with a characteristic spectral distribution that cannot be obtained with conventional low-pressure mercury discharge lamps or high-pressure arc discharge lamps alone. Becomes possible. . Therefore, it is possible to clean a large area uniformly with high efficiency and high speed using a small apparatus.
【０００７】従来の光洗浄装置は外部にオゾン発生機を
設けていたが、本発明においては外部にオゾン発生機を
設ける必要がなく、従って小型の装置で高速で洗浄が出
来る。更に、上記のような波長範囲の紫外線を放射させ
る事により、高効率、高品位の洗浄が達成される。なぜ
なら、上記の波長範囲の紫外線は、少なくとも、それぞ
れ主たる発光用ガスとして、アルゴンと塩素、もしく
は、キセノンガスを使用することにより、それぞれのガ
スのエキシマ分子によって発光可能であるが、これらの
ガスを使用することにより、発光用ガスの劣化が少な
く、かつ光取り出し窓の劣化が少ない状態を実現できる
からである。Although the conventional optical cleaning apparatus has an external ozone generator, the present invention does not require an external ozone generator, and therefore can be cleaned at high speed with a small apparatus. Further, by emitting ultraviolet rays in the above wavelength range, high-efficiency and high-quality cleaning can be achieved. The reason is that the ultraviolet light in the above wavelength range can emit light by excimer molecules of each gas at least by using argon and chlorine or xenon gas as main light-emitting gases, respectively. By using this, a state in which the emission gas is less deteriorated and the light extraction window is less deteriorated can be realized.
【０００８】波長１７２ｎｍおよび１７５ｎｍの紫外線
の酸素中における吸収断面積は、約６０×１０-19 であ
る。従って、該紫外線は、１気圧の酸素および空気中に
おいては、それぞれ、約０．７ｍｍおよび３ｍｍの距離
を進行する間に大半が酸素に吸収されてしまう。すなわ
ち、０．７ｍｍおよび３ｍｍの狭い空間に活性酸素が生
成されることになり、高密度の活性酸素を生成すること
が出来る。該誘電体バリヤ放電ランプと該被洗浄物との
距離は、主に、該被洗浄物に到達する該紫外線の照射量
と活性酸素の密度によって決定されるが、誘電体バリヤ
放電ランプ特有の寸法精度から１ｍｍ以上とすることが
必要であり、かつ、光の照射効率から１０ｍｍ以下にす
ることによって、本発明の目的はより一層発揮出来る。[0008] The absorption cross section of ultraviolet light having a wavelength of 172 nm and 175 nm in oxygen is about 60 × 10 -19 . Therefore, most of the ultraviolet light is absorbed by oxygen while traveling a distance of about 0.7 mm and 3 mm, respectively, in oxygen at 1 atm and in air. That is, active oxygen is generated in narrow spaces of 0.7 mm and 3 mm, and high-density active oxygen can be generated. The distance between the dielectric barrier discharge lamp and the object to be cleaned is determined mainly by the irradiation amount of the ultraviolet rays reaching the object to be cleaned and the density of active oxygen. It is necessary that the thickness be 1 mm or more in terms of precision, and if the light irradiation efficiency is 10 mm or less, the object of the present invention can be further exhibited.
【０００９】[0009]
【実施例】本発明の実施例である半導体ウエハの洗浄方
法の概略図を図１に示す。洗浄ダクト３内に誘電体バリ
ヤ放電ランプ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅが被洗浄物
であるシリコン半導体ウエハ８に近接して設けられてい
る。シリコン半導体ウエハ８は支持具５によって支持さ
れており、該支持具５は、該被洗浄物の温度を変えるた
めの通常の手段、例えば電気ヒータ等と、該被洗浄物と
該誘電体バリヤ放電ランプ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４
ｅとの間の距離を調整するための移動機構を有してい
る。FIG. 1 is a schematic view of a semiconductor wafer cleaning method according to an embodiment of the present invention. In the cleaning duct 3, dielectric barrier discharge lamps 4a, 4b, 4c, 4d, and 4e are provided in proximity to the silicon semiconductor wafer 8 to be cleaned. The silicon semiconductor wafer 8 is supported by a support 5, and the support 5 is provided with a conventional means for changing the temperature of the object to be cleaned, such as an electric heater, and the object to be cleaned and the dielectric barrier discharge. Lamps 4a, 4b, 4c, 4d, 4
e has a moving mechanism for adjusting the distance to e.
【００１０】実施例に使用した同軸円筒形誘電体バリヤ
放電ランプの概略図を図２に示す。放電容器１３は石英
ガラス製で内側管１４と外側管１５を同軸に配置して中
空円筒状にしたもので、外側管１５は誘電体バリヤ放電
の誘電体バリヤと光取り出し窓を兼用しており、その外
面に光を透過する金属網からなる電極１７が設けられて
いる。内側管１４の内径部には紫外線の反射板を兼ねた
円筒状の金属電極１６が設けられている。円筒状の金属
電極１６の内側には冷却用流体１９が流され、誘電体バ
リヤ放電ランプ全体の温度を低下させる。放電容器１３
の一端にリング状のゲッター１８が設けられている。放
電空間２０に誘電体バリヤ放電によってエキシマ分子を
形成する放電用ガスを封入して、誘電体１５の表面に設
けられた金属網からなる透明電極１７と内側管１４の内
径部には紫外線の反射板を兼ねた円筒状の金属電極１６
に交流電源２１によって電圧を印加すると、放電空間２
０内にいわゆる誘電体バリヤ放電、別名オゾナイザ放電
あるいは無声放電が発生して、誘電体１５、透明電極１
７を通して、高効率で紫外線が放射される。図には示し
ていないが、必要に応じて、透明電極１７の表面を紫外
線透過性の樹脂、ガラスなどで覆い電気的に絶縁する。
また、被洗浄物あるいは処理用流体に直接接触する外側
の電極１７は、アース電位で使用することが望ましい。FIG. 2 is a schematic diagram of a coaxial cylindrical dielectric barrier discharge lamp used in the embodiment. The discharge vessel 13 is made of quartz glass and has an inner tube 14 and an outer tube 15 arranged coaxially to form a hollow cylinder. The outer tube 15 also serves as a dielectric barrier for a dielectric barrier discharge and a light extraction window. An electrode 17 made of a metal net that transmits light is provided on the outer surface thereof. A cylindrical metal electrode 16 also serving as an ultraviolet reflector is provided on the inner diameter of the inner tube 14. A cooling fluid 19 flows inside the cylindrical metal electrode 16 to lower the temperature of the entire dielectric barrier discharge lamp. Discharge vessel 13
Is provided with a ring-shaped getter 18 at one end. The discharge space 20 is filled with a discharge gas for forming excimer molecules by a dielectric barrier discharge. The transparent electrode 17 made of a metal mesh provided on the surface of the dielectric 15 and the inner diameter of the inner tube 14 reflect ultraviolet light. Cylindrical metal electrode 16 also serving as plate
Is applied by the AC power supply 21 to the discharge space 2
A so-called dielectric barrier discharge, also known as an ozonizer discharge or a silent discharge, occurs in the dielectric material 15 and the transparent electrode 1.
7, ultraviolet rays are emitted with high efficiency. Although not shown in the figure, the surface of the transparent electrode 17 is covered with an ultraviolet-permeable resin, glass, or the like, as required, to be electrically insulated.
It is desirable that the outer electrode 17 that is in direct contact with the object to be cleaned or the processing fluid is used at the ground potential.
【００１１】第１の実施例においては、誘電体バリヤ放
電ランプ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅの発光ガスの主
成分として３５０Ｔｏｒｒのキセノンガスが封入されて
おり、１７２ｎｍ付近で最大値を有する１２０から１９
０ｎｍの波長範囲の紫外線を放出する。該紫外線は、酸
素分子を高効率で活性な酸素原子に分解し、活性酸素原
子を生成する。誘電体バリヤ放電ランプ４ａ，４ｂ，４
ｃ，４ｄ，４ｅと被洗浄物である半導体シリコンウエハ
８との最短距離は３ｍｍである。処理用流体供給口２よ
り注入された１気圧の処理用流体空気１中の酸素は、洗
浄ダクト３内の予備空間６において誘電体バリヤ放電ラ
ンプから放射される短波長の紫外線によってオゾンに変
換される。オゾンと酸素の混合ガスが半導体ウエハ８上
に吹きつけられる。処理空間７において酸素分子の分解
により発生した高密度の活性な酸素原子に加え、予備空
間６において発生したオゾンの分解によって発生した酸
素原子によって、半導体ウエハ表面に付着した有機汚染
物が高速で洗浄される。さらに、この実施例では約１０
％の紫外線が被洗浄物である半導体ウエハ８に到達する
ので、この紫外線によって有機汚染物が活性化、分解さ
れ、したがって、より高速で半導体ウエハを洗浄するこ
とが出来る。In the first embodiment, xenon gas of 350 Torr is sealed as a main component of the luminous gas of the dielectric barrier discharge lamps 4a, 4b, 4c, 4d, and 4e, and 120 having a maximum value near 172 nm. From 19
It emits ultraviolet light in a wavelength range of 0 nm. The ultraviolet rays decompose oxygen molecules into active oxygen atoms with high efficiency, and generate active oxygen atoms. Dielectric barrier discharge lamps 4a, 4b, 4
The shortest distance between c, 4d, 4e and the semiconductor silicon wafer 8 to be cleaned is 3 mm. The oxygen in the 1-atmosphere processing fluid air 1 injected from the processing-fluid supply port 2 is converted into ozone by short-wavelength ultraviolet rays emitted from the dielectric barrier discharge lamp in the preliminary space 6 in the cleaning duct 3. You. A mixed gas of ozone and oxygen is blown onto the semiconductor wafer 8. Organic contaminants attached to the semiconductor wafer surface are cleaned at high speed by oxygen atoms generated by decomposition of ozone generated in the preliminary space 6 in addition to high-density active oxygen atoms generated by decomposition of oxygen molecules in the processing space 7. Is done. Further, in this embodiment, about 10
% Of the ultraviolet light reaches the semiconductor wafer 8 to be cleaned, and the ultraviolet light activates and decomposes organic contaminants. Therefore, the semiconductor wafer can be cleaned at a higher speed.
【００１２】円筒状の金属電極１６の内側に冷却用流体
１９を流し、誘電体バリヤ放電ランプ全体の温度を低下
させているので、誘電体バリヤ放電ランプによる半導体
ウエハの加熱の心配がいらないので、半導体ウエハと誘
電体バリヤ放電ランプ間の距離を十分に小さくすること
が出来、従って紫外線を高効率で照射する事が出来、高
速で半導体ウエハを洗浄することが出来る。また、誘電
体バリヤ放電ランプは、従来の低圧水銀ランプの場合と
異なって、その長さ、ランプ間の距離を変えても、放射
効率などの光出力特性が変わらないので、大面積を均一
に照射できるようなランプ配置が可能であり、従って、
大面積の半導体ウエハを高効率で、均一に洗浄できる。
また、従来の低圧水銀ランプの場合と異なって、ランプ
への入力電力を変化させることによって分光分布を変え
ること無く光出力を変化できるので、ランプへの入力電
力と誘電体バリヤ放電ランプと半導体ウエハの間の距離
を調整する事により、半導体ウエハ８に照射される紫外
線の量を制御できる。半導体ウエハ８に照射される紫外
線の量を少なくすることにより、紫外線による半導体ウ
エハを損傷することなく洗浄が可能になる。半導体ウエ
ハ８に照射される紫外線の量を多くすることにより、変
質した洗浄しにくい有機汚染物を高速で洗浄出来る。本
発明の洗浄方法は、数分子から数十分子層の厚みで付着
した真空ポンプ用の油を除去するのに最適である。Since the cooling fluid 19 flows inside the cylindrical metal electrode 16 to lower the temperature of the entire dielectric barrier discharge lamp, there is no need to worry about heating of the semiconductor wafer by the dielectric barrier discharge lamp. The distance between the semiconductor wafer and the dielectric barrier discharge lamp can be made sufficiently small, so that ultraviolet light can be irradiated with high efficiency and the semiconductor wafer can be cleaned at high speed. Also, unlike the conventional low-pressure mercury lamp, the dielectric barrier discharge lamp does not change the light output characteristics such as the radiation efficiency even if the length and the distance between the lamps are changed. A lamp arrangement capable of irradiating is possible, and
A semiconductor wafer having a large area can be uniformly cleaned with high efficiency.
Also, unlike the conventional low-pressure mercury lamp, the light output can be changed without changing the spectral distribution by changing the input power to the lamp, so that the input power to the lamp, the dielectric barrier discharge lamp, and the semiconductor wafer By adjusting the distance between the two, the amount of ultraviolet light applied to the semiconductor wafer 8 can be controlled. By reducing the amount of ultraviolet light applied to the semiconductor wafer 8, cleaning can be performed without damaging the semiconductor wafer due to ultraviolet light. By increasing the amount of ultraviolet light applied to the semiconductor wafer 8, it is possible to wash the deteriorated and difficult-to-clean organic contaminants at high speed. The cleaning method of the present invention is most suitable for removing oil for a vacuum pump adhered with a thickness of several molecules to several tens of nanoseconds.
【００１３】本発明の第２の実施例は、第１の実施例に
おける被洗浄物８を液晶表示パネル用のガラス板にした
もので、誘電体バリヤ放電ランプ４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅと被洗浄物であるガラス板との最短距離は２ｍ
ｍにした。この実施例においては、数十％の紫外線が被
洗浄物であるガラス板に到達するので、この紫外線によ
って汚染物が活性化、分解され、したがって、より高速
でガラス板を洗浄することが出来る。本実施例の被洗浄
物のように可視光を透過する場合には、微小な汚れが問
題となり、本発明の効果がより発揮される。したがっ
て、同様にサファイア板の洗浄などにも適用出来る。In a second embodiment of the present invention, the object 8 to be cleaned in the first embodiment is a glass plate for a liquid crystal display panel, and the dielectric barrier discharge lamps 4a, 4b, 4c, 4
The shortest distance between d and 4e and the glass plate to be cleaned is 2 m
m. In this embodiment, several tens of percent of the ultraviolet light reaches the glass plate to be cleaned, and this ultraviolet light activates and decomposes contaminants, so that the glass plate can be cleaned at a higher speed. In the case where visible light is transmitted as in the case of the object to be cleaned according to the present embodiment, minute stains become a problem, and the effect of the present invention is further exhibited. Therefore, the present invention can be similarly applied to cleaning of a sapphire plate and the like.
【００１４】本発明の第３の実施例を図３に示す。誘電
体バリヤ放電ランプの構造は図２と類似であるが、この
実施例においては、外側管１５の外面に紫外線の反射板
を兼ねた金属電極１６が設けられ、内側管１４の内径部
には光を透過する金属網からなる電極１７が設けられて
いる。被洗浄物であるプラスチックス、この例ではポリ
エチレン瓶２２を空気とともに該誘電体バリヤ放電ラン
プの内側管の内部を通過させると、該紫外線によって発
生した活性酸素原子と該紫外線の直接照射によって、ポ
リエチレン瓶２２の外面が洗浄される。該電体バリヤ放
電ランプが中空円筒状なので、円筒状の瓶に効率よく紫
外線を照射することが出来、高速、高効率の洗浄が可能
になる。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. The structure of the dielectric barrier discharge lamp is similar to that of FIG. 2, but in this embodiment, a metal electrode 16 also serving as an ultraviolet reflector is provided on the outer surface of the outer tube 15, and an inner tube of the inner tube 14 is provided on the inner surface. An electrode 17 made of a metal net that transmits light is provided. When plastics, which is the object to be cleaned, in this example, a polyethylene bottle 22 is passed through the inside of the inner tube of the dielectric barrier discharge lamp together with air, the polyethylene is directly irradiated with active oxygen atoms generated by the ultraviolet rays and the ultraviolet rays. The outer surface of bottle 22 is cleaned. Since the electric barrier discharge lamp has a hollow cylindrical shape, it is possible to efficiently irradiate the cylindrical bottle with ultraviolet rays, and high-speed and high-efficiency cleaning becomes possible.
【００１５】本発明の第４の実施例は、第３の実施例と
同様の誘電体バリヤ放電ランプを使用し、水晶振動子用
水晶片あるいはセラミックスからなる部材を洗浄するも
のである。この実施例においては、放電用ガスとしてア
ルゴンと塩素の混合ガスを含んだガスを用い、ｎｍ単位
で表した波長１７５に最大値を有し波長範囲１６５から
１９０に放射光を有する誘電体バリヤ放電ランプを使用
した。水晶片あるいはセラミックスからなる部材の全表
面をほぼ均一に洗浄することが出来る。The fourth embodiment of the present invention uses the same dielectric barrier discharge lamp as the third embodiment, and cleans a quartz crystal blank or a member made of ceramics. In this embodiment, a gas containing a mixed gas of argon and chlorine is used as a discharge gas, and a dielectric barrier discharge having a maximum value at a wavelength 175 expressed in nm and having radiated light in a wavelength range of 165 to 190 is used. A lamp was used. The entire surface of a member made of a crystal piece or a ceramic can be almost uniformly cleaned.
【００１６】以上の本発明の実施例の特長を、従来の低
圧水銀ランプと別装置のオゾン発生機を使用した洗浄方
法に比較してまとめると、以下のようになる。（１）オ
ゾンを供給するためのオゾン発生機を設ける必要がな
く、小型、簡便の洗浄方法が得られる。（２）高密度の
活性酸素原子を発生できるので、高速、高効率の洗浄が
可能になる。（３）高エネルギーの紫外線で被洗浄物を
照射できるので、変質した洗浄しにくい汚染物を高速で
洗浄が出来る。（４）該電体バリヤ放電ランプによる被
洗浄物の加熱が少ないので、低温度での洗浄が可能にな
る。（５）大面積の被洗浄物を高効率で、均一に洗浄で
きる。（６）被洗浄物に照射される紫外線の量を制御す
る事が出来、従って高品位の洗浄が可能になる。The advantages of the embodiment of the present invention described above are summarized as follows in comparison with a conventional low-pressure mercury lamp and a cleaning method using an ozone generator of another device. (1) There is no need to provide an ozone generator for supplying ozone, and a small and simple cleaning method can be obtained. (2) Since high-density active oxygen atoms can be generated, high-speed and high-efficiency cleaning becomes possible. (3) Since the object to be cleaned can be irradiated with high-energy ultraviolet rays, it is possible to clean the deteriorated and difficult-to-clean contaminants at a high speed. (4) Since the object to be cleaned is hardly heated by the electric barrier discharge lamp, cleaning at a low temperature becomes possible. (5) A large-area object to be cleaned can be efficiently and uniformly cleaned. (6) The amount of ultraviolet light applied to the object to be cleaned can be controlled, so that high-quality cleaning can be performed.
【００１７】[0017]
【発明の効果】上記説明したように、本発明によれば、
小型の方法で、大面積の被洗浄物を均一に、高速で洗浄
出来る洗浄方法を提供できる。As described above, according to the present invention,
A cleaning method capable of cleaning a large-area object to be cleaned uniformly and at a high speed by a small-sized method can be provided.
【図１】本発明の実施例の概要をしめす説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing an outline of an embodiment of the present invention.
【図２】本発明に使用する誘電体バリヤ放電ランプの一
例の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of an example of a dielectric barrier discharge lamp used in the present invention.
【図３】本発明の実施例の概要を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an outline of an embodiment of the present invention.
１ 処理用流体空気 ２ 処理用流体供給口 ３ 洗浄ダクト ４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅ 誘電体バリヤ放電ラ
ンプ ５ 支持具 １４ 内側管 １５ 外側管 １６，１７ 電極 １９ 冷却用流体 ２０ 放電空間 ２１ 交流電源 ２２ ポリエチレン瓶1 Processing Fluid Air 2 Processing Fluid Supply Port 3 Cleaning Duct 4a, 4b, 4c, 4d, 4e Dielectric Barrier Discharge Lamp 5 Support 14 Inner Tube 15 Outer Tube 16, 17 Electrode 19 Cooling Fluid 20 Discharge Space 21 AC Power supply 22 polyethylene bottle
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｊ 61/16 Ｈ０１Ｊ 61/16 Ｆ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５ Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４５Ｄ (56)参考文献 特開 平１−144560（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−280831（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−299287（ＪＰ，Ａ) ＶＩＧ Ｊ．Ｒ．著「ＡＤ Ｒｅｐ （ＡＤ−Ａ245 102）」（1992−１．) （米） １−44ｐ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B01J 19/12 B08B 7/00 C03C 23/00 C04B 41/91 C08J 7/00 303 H01J 61/16 H01L 21/304 645 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01J 61/16 H01J 61/16 F H01L 21/304 645 H01L 21/304 645D (56) References JP-A-1-144560 (JP) JP-A-2-280831 (JP, A) JP-A-2-299287 (JP, A) R. Author, "AD Rep (AD-A245 102)" (1992-1) (USA) 1-44p (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B01J 19/12 B08B 7/00 C03C 23 / 00 C04B 41/91 C08J 7/00 303 H01J 61/16 H01L 21/304 645
Claims (5)
に配置し、放電用ガスとしてキセノン、あるいは、アル
ゴンと塩素の混合ガスを含んだガスを用い、ｎｍ単位で
表した波長範囲１６５から１９０、あるいは、１２０か
ら１９０の少なくとも一つの波長範囲に放射光を有する
誘電体バリア放電ランプから放射される紫外線で該被洗
浄物を照射して該被洗浄物を洗浄する事を特徴とする誘
電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法。1. An object to be cleaned is placed in an oxygen atmosphere in a cleaning duct, and xenon or a gas containing a mixed gas of argon and chlorine is used as a discharge gas, and a wavelength range 165 expressed in nm units is used. Irradiating the object with ultraviolet light radiated from a dielectric barrier discharge lamp having radiation in the wavelength range of at least one of 190 or 120 to 190 to clean the object to be cleaned; Cleaning method using body barrier discharge lamp.
徴とした請求項１記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用
した洗浄方法。2. A cleaning method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the object to be cleaned is a semiconductor wafer.
た請求項１に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
洗浄方法。3. The cleaning method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the object to be cleaned is glass.
特徴とした請求項１に記載の誘電体バリヤ放電ランプを
使用した洗浄方法。4. The cleaning method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the object to be cleaned is plastics.
徴とした請求項１に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使
用した洗浄方法。5. A cleaning method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the object to be cleaned is a ceramic.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12316093A JP3214153B2 (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Cleaning method using dielectric barrier discharge lamp |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12316093A JP3214153B2 (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Cleaning method using dielectric barrier discharge lamp |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06312130A JPH06312130A (en) | 1994-11-08 |
| JP3214153B2 true JP3214153B2 (en) | 2001-10-02 |
Family
ID=14853674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12316093A Ceased JP3214153B2 (en) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | Cleaning method using dielectric barrier discharge lamp |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214153B2 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19503718A1 (en) * | 1995-02-04 | 1996-08-08 | Leybold Ag | UV lamp |
| JPH10189699A (en) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Kyocera Corp | Method of cleaning electrostatic chuck |
| US6468599B1 (en) | 1998-12-25 | 2002-10-22 | International Business Machines Corporation | Method for removing organic compound by ultraviolet radiation |
| JP2000294530A (en) | 1999-04-06 | 2000-10-20 | Nec Corp | Method for cleaning semiconductor substrate and its cleaner |
| JP3332915B1 (en) * | 2001-02-22 | 2002-10-07 | 株式会社三幸 | Method and apparatus for cleaning ceramic members |
| JP4603991B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-12-22 | 岩谷産業株式会社 | Lamp-filled gas and method for manufacturing gas-filled lamp |
| JP6972657B2 (en) * | 2017-05-24 | 2021-11-24 | ウシオ電機株式会社 | Optical processing equipment and its manufacturing method |
| JP6984206B2 (en) * | 2017-07-19 | 2021-12-17 | ウシオ電機株式会社 | Light irradiation device |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12316093A patent/JP3214153B2/en not_active Ceased
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＶＩＧ Ｊ．Ｒ．著「ＡＤ Ｒｅｐ（ＡＤ−Ａ２４５ １０２）」（１９９２−１．）（米） １−４４ｐ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06312130A (en) | 1994-11-08 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |