JP2001079387A - Ultraviolet ray irradiation device and method thereof - Google Patents

Ultraviolet ray irradiation device and method thereof

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JP2001079387A
JP2001079387A JP26331499A JP26331499A JP2001079387A JP 2001079387 A JP2001079387 A JP 2001079387A JP 26331499 A JP26331499 A JP 26331499A JP 26331499 A JP26331499 A JP 26331499A JP 2001079387 A JP2001079387 A JP 2001079387A
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ultraviolet light
workpiece
irradiation
light irradiation
light source
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JP26331499A
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Japanese (ja)
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Satoru Amano
覺 天野
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Hoya Candeo Optronics Corp
Original Assignee
Hoya Schott Corp
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  • Cleaning In General (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ultraviolet ray irradiation device and a method thereof capable of highly efficiently cleaning or reforming a large sized material to be worked with the small number of dielectric excimer lamp. SOLUTION: The ultraviolet irradiation device is provided with an ultraviolet irradiation light source 11, a moving means 14 for linearly and relatively moving the material W to be worked to the ultraviolet ray irradiation light source in the width direction to cross the irradiation range of the ultraviolet ray and a control means 15 for controlling the moving means to be equal to or below aP/J ((a) represents the width of the ultraviolet irradiation light source, P represents an average quantity of light and J represents an accumulated quantity of light per the unit area required for cleaning and reforming of the material W to be worked) in the relative moving speed of the material W to be worked in the irradiation range of the ultraviolet ray and to relatively move the material W to be worked in one direction to the ultraviolet ray irradiation light source.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、ガラス、
金属又は高分子化合物等の基板表面を洗浄又は改質する
誘電体エキシマランプなどを用いた紫外光照射装置に関
し、特に、液晶ディスプレイ、PDP(Plasma Display
Panel)又はFED(Field Emission Display)等で用いら
れる矩形の基板表面を洗浄又は改質するに適した紫外線
照射装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor, glass,
The present invention relates to an ultraviolet light irradiation apparatus using a dielectric excimer lamp or the like for cleaning or modifying the surface of a substrate such as a metal or a polymer compound.
The present invention relates to an ultraviolet irradiation apparatus suitable for cleaning or modifying a rectangular substrate surface used in a panel (Panel) or a field emission display (FED).

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ディスプレイ用のガラス基板やシ
リコンウェハの表面洗浄又は改質のために、誘電体エキ
シマランプなどを用いた紫外光の照射装置が注目を浴び
ている。誘電体エキシマランプは、放電容器内にエキシ
マ分子を形成するキセノンや臭化クリプトンなどの放電
用ガスを充満し、無声放電によってエキシマ分子を形成
せしめ、該エキシマ分子から放射される光を取り出すも
のである。誘電体には合成石英ガラス等が使われる。誘
電体エキシマランプは、175nm以下の短波長の紫外
線を放射し、しかも線スペクトルに近い単一波長の光を
選択的に高効率に発生するので、従来の低圧水銀ランプ
や高圧アーク放電ランプには無い種々の特徴を有してい
る。
2. Description of the Related Art In recent years, an ultraviolet light irradiation apparatus using a dielectric excimer lamp or the like has attracted attention for cleaning or modifying the surface of a glass substrate for display or a silicon wafer. A dielectric excimer lamp fills a discharge vessel with a discharge gas such as xenon or krypton bromide which forms excimer molecules, forms excimer molecules by silent discharge, and extracts light emitted from the excimer molecules. is there. Synthetic quartz glass or the like is used for the dielectric. Dielectric excimer lamps emit short-wave ultraviolet light of 175 nm or less and selectively and efficiently generate light of a single wavelength close to the line spectrum, so that conventional low-pressure mercury lamps and high-pressure arc discharge lamps It does not have various features.

【0003】例えば、誘電体エキシマランプにキセノン
を有するガスを用いた場合、キセノン原子が励起されて
エキシマ状態になり、このエキシマ状態から再びキセノ
ン原子に乖離するときに、波長約172nmの光が発生
する。この172nmの波長の光を大気中に照射する
と、大気中の酸素がこの光を吸収し、酸素からオゾンを
生成する。生成したオゾンは分解して活性酸素種を生成
し、有機物を酸化する。さらに172nmの光はフォト
ンエネルギが7.2eVと高く、多くの有機化合物の結
合エネルギを上回り、その結合を切断する。この作用か
ら、洗浄或いは改質といった効果が得られる。誘電体エ
キシマランプについては、例えば特開平2-7353号公報、
米国特許4,837,484号公報等に開示されている。
For example, when a gas containing xenon is used for a dielectric excimer lamp, xenon atoms are excited to be in an excimer state, and when the excimer state is separated again into xenon atoms, light having a wavelength of about 172 nm is generated. I do. When the light having the wavelength of 172 nm is applied to the atmosphere, oxygen in the atmosphere absorbs the light and generates ozone from the oxygen. The generated ozone is decomposed to generate active oxygen species and oxidize organic substances. Further, light of 172 nm has a high photon energy of 7.2 eV, which exceeds the binding energy of many organic compounds and breaks the bond. From this action, effects such as cleaning or modification can be obtained. Regarding the dielectric excimer lamp, for example, JP-A-2-7353,
It is disclosed in U.S. Pat. No. 4,837,484.

【0004】図9に、誘電体エキシマランプの概略構成
を示す。誘電体エキシマランプ90は、合成石英からな
る二重管91の内部に、キセノン等のエキシマガス92
を1気圧以下に封入して構成される。二重管91の外周
には、外部電極93が配置され、内周には内部電極94
が配置される。外部電極93は、誘電体エキシマランプ
からの光を透過させるために、網目状電極が利用され
る。二重管91の内部電極94の内側には、窒素やアル
ゴンガス等の不活性ガス95が流入され、これによって
該誘電体エキシマランプの発熱が押さえられる。
FIG. 9 shows a schematic configuration of a dielectric excimer lamp. A dielectric excimer lamp 90 includes an excimer gas 92 such as xenon inside a double tube 91 made of synthetic quartz.
Is enclosed under 1 atm. An outer electrode 93 is arranged on the outer periphery of the double tube 91, and an inner electrode 94 is arranged on the inner periphery.
Is arranged. As the external electrode 93, a mesh electrode is used to transmit light from the dielectric excimer lamp. An inert gas 95 such as nitrogen or argon gas flows into the inside of the internal electrode 94 of the double tube 91, thereby suppressing heat generation of the dielectric excimer lamp.

【0005】図10(A)は、前記誘電体エキシマラン
プ90を含んで構成されたランプ装置の概略構成図であ
る。ランプ装置100の筐体は密閉容器で、その内部に
は光を吸収しにくい窒素やアルゴンなどの不活性ガスが
充填されている。これによって、誘電体エキシマランプ
90からの紫外光がランプ装置100内で減衰する程度
を抑える。ランプ装置100の下面には、光取り出し窓
としての合成石英ガラス等からなる光透過部材101が
設けられ、誘電体エキシマランプ90から発光される紫
外光は、該光透過部材101を透過して、被加工物へ照
射される。ランプ装置100は、またその内部に反射鏡
102を備えており、これは誘電体エキシマランプ90
の上部及び側部を覆い、上方及び側方へ照射された光を
下方、すなわち被加工物へ向けて集光させる。同図
(B)は、前記ランプ装置100による、その幅方向に
おける発光光量分布を示している。このグラフで明らか
なように、光量は誘電体エキシマランプ直下で最大とな
り、周辺部に行くに従って減衰する。
FIG. 10A is a schematic configuration diagram of a lamp device including the dielectric excimer lamp 90. The housing of the lamp device 100 is a sealed container, and the inside thereof is filled with an inert gas such as nitrogen or argon which hardly absorbs light. As a result, the extent to which the ultraviolet light from the dielectric excimer lamp 90 is attenuated in the lamp device 100 is suppressed. On the lower surface of the lamp device 100, a light transmitting member 101 made of synthetic quartz glass or the like is provided as a light extraction window, and ultraviolet light emitted from the dielectric excimer lamp 90 passes through the light transmitting member 101, The workpiece is irradiated. The lamp device 100 also includes a reflecting mirror 102 therein, which is a dielectric excimer lamp 90.
, And the light emitted upward and laterally is focused downward, that is, toward the workpiece. FIG. 2B shows the light emission amount distribution in the width direction of the lamp device 100. As is clear from this graph, the light amount becomes maximum immediately below the dielectric excimer lamp, and attenuates toward the periphery.

【0006】従来、前記誘電体エキシマランプを用い
て、液晶やPDP等の大型ガラス基板を洗浄又は改質す
る場合、誘電体エキシマランプを複数本並列に配置し、
被加工面に一括照射する、いわゆる多灯一括面照射方式
が行われている。図11に、多灯一括面照射方式の概略
構成図を示す。ランプ装置110は、その内部に複数の
誘電体エキシマランプ111を並列に配置して備えてい
る。各誘電体エキシマランプ111間のピッチは、各反
射鏡112による誘電体エキシマランプからの発光光量
が可能な限り均一になるように、誘電体エキシマランプ
111の直径のおよそ2〜3倍にされている。ランプ装
置110の下面側には、前記誘電体エキシマランプ11
1からの光を透過して被加工物に照射するために、合成
石英等からなる光透過部材113が全域に渡って設けら
れている。
Conventionally, when cleaning or modifying a large glass substrate such as a liquid crystal or a PDP using the dielectric excimer lamp, a plurality of dielectric excimer lamps are arranged in parallel.
2. Description of the Related Art A so-called multi-lamp collective surface irradiation method for performing collective irradiation on a surface to be processed is performed. FIG. 11 shows a schematic configuration diagram of a multi-lamp collective surface irradiation method. The lamp device 110 includes a plurality of dielectric excimer lamps 111 arranged in parallel therein. The pitch between the dielectric excimer lamps 111 is set to be approximately two to three times the diameter of the dielectric excimer lamps 111 so that the amount of light emitted from the dielectric excimer lamps by the reflecting mirrors 112 is as uniform as possible. I have. On the lower surface side of the lamp device 110, the dielectric excimer lamp 11 is provided.
A light transmitting member 113 made of synthetic quartz or the like is provided over the entire area in order to transmit the light from 1 to irradiate the workpiece.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の多灯一括面照射方式により洗浄又は改質を行う場
合、以下のようないくつかの問題があった。 (1)図10(B)で示したように、各誘電体エキシマ
ランプは、その幅方向において発光光量が不均一であ
り、隣り合う誘電体エキシマランプの配置を最適化した
としても、依然として各誘電体エキシマランプ間におけ
る光量は、誘電体エキシマランプ直下の光量に比して小
さくなる。その結果、この方式によって被加工物に紫外
光を一定時間照射した場合、その積算光量には大きな差
が生じ、これが被加工物の洗浄又は改質のばらつきを生
じさせる。 (2)大型のガラス基板等に紫外光を照射する必要のあ
る装置では、前記一括面照射を行うために、相当数の誘
電体エキシマランプ(及び各ランプの駆動回路)を設置
する必要がある。例えば、ガラス基板の寸法が680m
m×880mmである場合、多灯一括面照射方式では通
常、13本の誘電体エキシマランプを用意する必要があ
る。また、比較的高価な合成石英ガラスを大型のものに
しなければならない。この結果、装置の製造コスト、ラ
ンニングコストが掛かり、また装置が大型化するという
問題があった。更に、誘電体エキシマランプの数が多く
なることで、故障の可能性が高くなり、装置の信頼性が
低下する。
However, when cleaning or reforming is performed by the conventional multi-lamp collective surface irradiation method, there are several problems as described below. (1) As shown in FIG. 10B, each of the dielectric excimer lamps has a non-uniform light emission amount in the width direction, and even if the arrangement of the adjacent dielectric excimer lamps is optimized, The light amount between the dielectric excimer lamps is smaller than the light amount immediately below the dielectric excimer lamp. As a result, when the workpiece is irradiated with ultraviolet light for a certain period of time by this method, a large difference occurs in the integrated light amount, and this causes variation in cleaning or reforming of the workpiece. (2) In an apparatus that needs to irradiate a large glass substrate or the like with ultraviolet light, it is necessary to install a considerable number of dielectric excimer lamps (and a driving circuit for each lamp) in order to perform the batch surface irradiation. . For example, the size of the glass substrate is 680 m
In the case of mx 880 mm, it is usually necessary to prepare 13 dielectric excimer lamps in the multi-lamp simultaneous surface irradiation method. Also, relatively expensive synthetic quartz glass must be made large. As a result, there are problems that the manufacturing cost and the running cost of the device are increased, and the size of the device is increased. Furthermore, the increased number of dielectric excimer lamps increases the possibility of failure and reduces the reliability of the device.

【0008】従って本発明の目的は、前記従来の問題を
解決し、大型の被加工物の全域に渡って均一に紫外光を
照射することができる紫外光照射装置及び方法を提供す
ることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and to provide an ultraviolet light irradiation apparatus and method capable of uniformly irradiating ultraviolet light over a large workpiece. .

【0009】また、本発明の別の目的は、できるだけ少
ない数の誘電体エキシマランプを用いて、大型の被加工
物の洗浄又は改質を可能とする紫外光照射装置及び方法
を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an ultraviolet light irradiation apparatus and a method capable of cleaning or modifying a large workpiece by using as few dielectric excimer lamps as possible. is there.

【0010】更に、本発明の別の目的は、大型の被加工
物の洗浄又は改質を可能とする使用占有面積の小さい紫
外光照射装置及び方法を提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide an ultraviolet light irradiation apparatus and method which can clean or modify a large workpiece and occupy a small area.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、被加工物の被
加工面に対して紫外光を照射してその洗浄又は改質を行
うための紫外光照射装置に関する。本発明の装置は、紫
外光照射光源と、前記被加工物を、前記紫外光照射光源
に対しその幅方向において前記紫外光の照射範囲を横切
るように直線的に相対移動させる移動手段と、前記紫外
光の照射範囲における前記被加工物の相対移動速度がa
P/J(aは紫外光照射光源の幅、Pはその単位面積当
りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単
位面積当りの積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫
外光照射光源に対し一方向に相対移動するよう、前記移
動手段を制御する制御手段とを備えて構成される。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to an ultraviolet light irradiation apparatus for irradiating a work surface of a work with ultraviolet light to clean or modify the work surface. The apparatus of the present invention is an ultraviolet light irradiation light source, a moving means for linearly moving the workpiece relative to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in a width direction thereof, The relative moving speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is a
P / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average amount of light per unit area, J is the integrated amount of light per unit area required for cleaning or modifying the work), and And control means for controlling the moving means so as to move in one direction relative to the ultraviolet light irradiation light source.

【0012】この場合において、前記制御手段は、前記
紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動速度
が2aP/J以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し往復方向に相対移動するよう、前記移動手段を
制御する構成とすることができる。
[0012] In this case, the control means may determine that the relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is 2 aP / J or less, and that the workpiece is moved relative to the ultraviolet light irradiation light source in a reciprocating direction. The moving means may be configured to move so as to move.

【0013】また本発明の紫外光照射装置は、並行に近
接配置されたN個の紫外光照射光源と、前記被加工物
を、前記紫外光照射光源に対しその並び方向において前
記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に相対移動さ
せる移動手段と、前記紫外光の照射範囲における前記被
加工物の相対移動速度がaPN/J(aは紫外光照射光
源の幅、Pはその単位面積当りの平均光量、Jは被加工
物の洗浄又は改質に必要な単位面積当りの積算光量)以
下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し一方向
に相対移動するよう、前記移動手段を制御する制御手段
とを備えて構成することができる。
[0013] The ultraviolet light irradiation apparatus of the present invention further comprises an N number of ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel and close to each other, and irradiating the workpiece with the ultraviolet light in the direction in which the ultraviolet light irradiation light sources are arranged. A moving means for linearly moving relative to each other across the range, and a relative moving speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is aPN / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, and P is a unit area per unit area thereof). And the moving means so that the workpiece relatively moves in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source when the average light quantity J is equal to or less than the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the workpiece. And control means for controlling the above.

【0014】この場合において、前記制御手段は、前記
紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動速度
が2aPN/J以下で、前記被加工物が前記紫外光照射
光源に対し往復方向に相対移動するよう、前記移動手段
を制御する構成とすることができる。
[0014] In this case, the control means may be arranged such that the relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is 2 aPN / J or less, and the workpiece is moved relative to the ultraviolet light irradiation light source in the reciprocating direction. The moving means may be configured to move so as to move.

【0015】更に本発明の紫外光照射装置は、並行に配
置されたN個の紫外光照射光源であって、該各紫外光照
射光源間のピッチが(L+a)/N(Lは被加工物の長
さ、aは紫外光照射光源の幅)であるものと、前記被加
工物をその長さ方向から、前記紫外光照射光源に対しそ
の並び方向において前記紫外光の照射範囲を横切るよう
に直線的に相対移動させる移動手段と、前記紫外光の照
射範囲における前記被加工物の相対移動距離が(L+
a)/Nとなるように、前記移動手段を制御する制御手
段とを備えて構成することができる。
Further, the ultraviolet light irradiation apparatus according to the present invention comprises N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel, wherein the pitch between the ultraviolet light irradiation light sources is (L + a) / N (where L is the workpiece And the length of a is the width of the ultraviolet light irradiation light source), and the workpiece is traversed from the length direction thereof in the direction in which it is arranged with respect to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light. A moving means for relatively moving linearly, and a relative moving distance of the workpiece in an irradiation range of the ultraviolet light is (L +
a) control means for controlling the moving means so as to satisfy / N.

【0016】この場合において、前記制御手段は、前記
紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動速度
がaP/J(Pはその単位面積当りの平均光量、Jは被
加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当りの積算光
量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し
一方向に相対移動するよう、前記移動手段を制御する構
成とすることができる。
In this case, the control means determines that the relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is aP / J (P is the average light amount per unit area, and J is the cleaning or cleaning of the workpiece. The moving means may be configured to control the moving means so that the workpiece relatively moves in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source when the integrated light amount per unit area required for the reforming is less than or equal to the above.

【0017】また、前記制御手段は、前記紫外光の照射
範囲における前記被加工物の相対移動速度が2aP/J
(Pはその単位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗
浄又は改質に必要な単位面積当りの積算光量)以下で、
前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し往復方向に相
対移動するよう、前記移動手段を制御する構成とするこ
とができる。
[0017] The control means may control the relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light to be 2 aP / J.
(P is the average light quantity per unit area, J is the integrated light quantity per unit area required for cleaning or reforming the workpiece)
The moving means may be configured to control the moving means so that the workpiece relatively moves in the reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source.

【0018】前記本発明に係る紫外光照射装置におい
て、前記紫外光照射光源は好ましくは、誘電体エキシマ
ランプである。
In the ultraviolet light irradiation device according to the present invention, the ultraviolet light irradiation light source is preferably a dielectric excimer lamp.

【0019】本発明はまた、被加工物の被加工面に対し
て紫外光を照射してその洗浄又は改質を行うための紫外
光照射方法に関する。本発明の紫外光照射方法は、紫外
光照射光源による紫外光の照射を開始する工程と、前記
被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその幅方向にお
いて前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に相対
移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲におけ
る前記被加工物の相対移動速度がaP/J(aは紫外光
照射光源の幅、Pはその単位面積当りの平均光量、Jは
被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当りの積算光
量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し
一方向に相対移動するよう制御されたものとを備えて構
成される。
The present invention also relates to an ultraviolet light irradiation method for irradiating a work surface of a work with ultraviolet light to clean or modify the work surface. The ultraviolet light irradiation method of the present invention, the step of starting irradiation of ultraviolet light by an ultraviolet light irradiation light source, the workpiece, the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in the width direction of the light source. Relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is aP / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, and P is the average light amount per unit area thereof). , J is an integrated light amount per unit area required for cleaning or modifying the workpiece) or less, and the workpiece is controlled so as to relatively move in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source. It is composed.

【0020】また本発明の紫外光照射方法は、紫外光照
射光源による紫外光の照射を開始する工程と、前記被加
工物を、前記紫外光照射光源に対しその幅方向において
前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に相対移動
させる工程であって、前記紫外光の照射範囲における前
記被加工物の相対移動速度が2aP/J(aは紫外光照
射光源の幅、Pはその単位面積当りの平均光量、Jは被
加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当りの積算光
量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し
往復方向に相対移動するよう制御されたものとを備えて
構成することもできる。
Further, in the ultraviolet light irradiation method of the present invention, the step of starting irradiation of ultraviolet light by an ultraviolet light irradiation light source, and irradiating the workpiece with the ultraviolet light irradiation light source in the width direction thereof with respect to the ultraviolet light irradiation light source. A relative movement speed linearly moving across the range, wherein the relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is 2aP / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, and P is the unit area thereof. The average amount of light per unit, J is less than or equal to the integrated amount of light per unit area required for cleaning or modifying the workpiece, and the workpiece was controlled so as to move relative to the ultraviolet light source in the reciprocating direction. It can also be configured to include

【0021】更に本発明の紫外光照射方法は、並行に近
接配置されたN個の紫外光照射光源による紫外光の照射
を開始する工程と、前記被加工物を、前記紫外光照射光
源に対しその並び方向において前記紫外光の照射範囲を
横切るように直線的に相対移動させる工程であって、前
記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動速
度がaPN/J(aは紫外光照射光源の幅、Pはその単
位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は改質に
必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記被加工物
が前記紫外光照射光源に対し一方向に相対移動するよう
制御されたものとを備えて構成することができる。
Further, in the ultraviolet light irradiation method of the present invention, there is provided a step of starting irradiation of ultraviolet light by N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel and close to each other; A step of linearly moving the workpiece in a linear manner so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in the arrangement direction, wherein the relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is aPN / J (a is the ultraviolet light irradiation; The width of the light source, P is the average amount of light per unit area, J is the integrated amount of light per unit area required for cleaning or modifying the work, and Controlled to relatively move in the direction.

【0022】また、本発明の紫外光照射方法は、並行に
近接配置されたN個の紫外光照射光源による紫外光の照
射を開始する工程と、前記被加工物を、前記紫外光照射
光源に対しその並び方向において前記紫外光の照射範囲
を横切るように直線的に相対移動させる工程であって、
前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動
速度が2aPN/J(aは紫外光照射光源の幅、Pはそ
の単位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は改
質に必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記被加
工物が前記紫外光照射光源に対し往復方向に相対移動す
るよう制御されたものとを備えて構成することもでき
る。
Further, in the ultraviolet light irradiation method of the present invention, a step of starting irradiation of ultraviolet light by N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel and close to each other, and applying the workpiece to the ultraviolet light irradiation light source On the other hand, it is a step of linearly moving relative to the irradiation direction of the ultraviolet light linearly in the arrangement direction,
The relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is 2aPN / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average light amount per unit area, and J is for cleaning or modifying the workpiece. (A required integrated light amount per unit area) or less, and the workpiece is controlled to relatively move in the reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source.

【0023】また、本発明の紫外光照射方法は、並行に
配置されたN個の紫外光照射光源であって、該各紫外光
照射光源間のピッチが(L+a)/N(Lは被加工物の
長さ、aは紫外光照射光源の幅)であるものを用意する
工程と、前記被加工物を、その長さ方向を前記紫外光照
射光源の並び方向と一致させて該紫外光照射光源下に配
置する工程と、前記N個の紫外光照射光源による紫外光
の照射を開始する工程と、前記被加工物を、前記紫外光
照射光源に対しその並び方向において前記紫外光の照射
範囲を横切るように直線的に相対移動させる工程であっ
て、前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対
移動距離が(L+a)/Nとなるように制御されたもの
とを備えて構成することができる。
Further, the ultraviolet light irradiation method of the present invention comprises N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel, wherein the pitch between the ultraviolet light irradiation light sources is (L + a) / N (L is The length of the object, a is the width of the ultraviolet light irradiation light source), and irradiating the workpiece with the ultraviolet light by aligning the length direction with the arrangement direction of the ultraviolet light irradiation light source. Disposing under the light source, starting irradiation of ultraviolet light by the N ultraviolet light irradiation light sources, and irradiating the workpiece with the ultraviolet light in the direction in which the ultraviolet light irradiation light sources are arranged. In which the relative movement distance of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is controlled to be (L + a) / N. be able to.

【0024】この場合において、前記被加工物を配置す
る工程は、前記被加工物の移動方向における先端を、該
移動方向における最も奥に位置する前記紫外光照射光源
の手前に位置させることが好ましい。
In this case, it is preferable that, in the step of arranging the workpiece, the tip of the workpiece in the moving direction is positioned in front of the ultraviolet light source located farthest in the moving direction. .

【0025】また、前記被加工物を相対移動させる工程
は、前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対
移動速度がaP/J(Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し一方向に相対移動するよう制御することができ
る。
In the step of relatively moving the workpiece, the relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is aP / J (where P is the average amount of light per unit area, and J is the workpiece It can be controlled so that the workpiece relatively moves in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source when the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the workpiece is equal to or less.

【0026】更に、前記被加工物を相対移動させる工程
は、前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対
移動速度が2aP/J(Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し往復方向に相対移動するよう制御することがで
きる。
Further, in the step of relatively moving the work, the relative movement speed of the work in the ultraviolet light irradiation range is 2aP / J (P is the average light amount per unit area, and J is the work It is possible to control the workpiece so as to relatively move in the reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source when the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the workpiece is equal to or less than the above.

【0027】前記本発明に係る紫外光照射方法におい
て、前記紫外光照射光源は好ましくは、誘電体エキシマ
ランプである。
In the ultraviolet light irradiation method according to the present invention, the ultraviolet light irradiation light source is preferably a dielectric excimer lamp.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下、図示した一実施形態に基い
て本発明を詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態
に係る紫外光照射装置の構成ブロック図である。図に示
すように、紫外光照射装置10は、誘電体エキシマラン
プを内蔵したランプ装置11、ランプ装置11の電源制
御部12及び冷却部13、被加工物Wを搬送する搬送部
14、及び搬送部14の搬送制御部15を備えている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on one embodiment shown in the drawings. FIG. 1 is a configuration block diagram of an ultraviolet light irradiation device according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, the ultraviolet light irradiation device 10 includes a lamp device 11 having a built-in dielectric excimer lamp, a power control unit 12 and a cooling unit 13 of the lamp device 11, a transport unit 14 for transporting a workpiece W, and a transport unit. A transport control unit 15 of the unit 14 is provided.

【0029】ランプ装置11は、好ましくは複数本の誘
電体エキシマランプを含んで構成される。各誘電体エキ
シマランプは、並列に近接配置され、それらの直下にあ
る被加工物Wへの紫外光の面照射を実現する。本発明に
おいてランプ装置11は、単一の誘電体エキシマランプ
を備える複数のランプ装置を並列配置して実現すること
ができ、また、単一のランプ装置内に複数本の誘電体エ
キシマランプを備えたものを用いてもよい。もっとも、
ランプ装置11を単一の誘電体エキシマランプのみを含
むものとして構成してもよい。後に示す実施形態では、
単一の誘電体エキシマランプを備えるランプ装置を3基
並列配置することによって、ランプ装置11を構成して
いる。ランプ装置11に含まれる誘電体エキシマランプ
は、好ましくは水冷式のものである。水冷式の誘電体エ
キシマランプは、図9で示した空冷式のものに比して高
効率で紫外光を照射することが可能である。空冷式の誘
電体エキシマランプについては後述する。
The lamp device 11 preferably includes a plurality of dielectric excimer lamps. Each of the dielectric excimer lamps is arranged in parallel and close to each other, and realizes surface irradiation of the workpiece W immediately below them with ultraviolet light. In the present invention, the lamp device 11 can be realized by arranging a plurality of lamp devices including a single dielectric excimer lamp in parallel, and including a plurality of dielectric excimer lamps in a single lamp device. May be used. However,
The lamp device 11 may be configured to include only a single dielectric excimer lamp. In the embodiment described later,
The lamp device 11 is configured by arranging three lamp devices each including a single dielectric excimer lamp in parallel. The dielectric excimer lamp included in the lamp device 11 is preferably of a water-cooled type. The water-cooled dielectric excimer lamp can irradiate ultraviolet light with higher efficiency than the air-cooled dielectric excimer lamp shown in FIG. The air-cooled dielectric excimer lamp will be described later.

【0030】電源制御部12は、前記誘電体エキシマラ
ンプのオン・オフを制御する。電源制御部12は、誘電
体エキシマランプに与える電力を20%以下に下げるこ
とにより、その洗浄又は改質の機能を実質オフにするよ
うその電力を制御するよう構成することもできる。電源
制御部12の回路構成については後述する。冷却部13
は、前記水冷式の各誘電体エキシマランプを冷却し、そ
の照射光量を向上させるための構造を提供する。すなわ
ち、各誘電体エキシマランプの管内で、導電率が2マイ
クロ・ジーメンス以下の純度を持った冷却水を循環させ
る。
The power control unit 12 controls on / off of the dielectric excimer lamp. The power supply controller 12 may be configured to control the power so as to substantially turn off the cleaning or reforming function by reducing the power supplied to the dielectric excimer lamp to 20% or less. The circuit configuration of the power control unit 12 will be described later. Cooling unit 13
The present invention provides a structure for cooling each of the water-cooled dielectric excimer lamps and improving the irradiation light amount. That is, cooling water having a conductivity of 2 micro Siemens or less is circulated in the tube of each dielectric excimer lamp.

【0031】搬送部14は、ガラス基板などの矩形状の
被加工物Wを水平方向に搬送し、前記ランプ装置11に
よる紫外光の照射範囲を通過させる機構である。搬送部
14は、被加工物を安定して載置し、これと共に移動さ
れる図示しない載置台を備える。載置台の高さ位置は、
これに載置される被加工物の上面、すなわち被加工面と
ランプ装置11の底部との距離が、10mm以下、好ま
しくは5〜2mmの範囲になるように設定される。ラン
プ装置と被加工面との距離を短くすることによって、洗
浄又は改質の効率が向上することは当業者であれば明ら
かであろう。
The transport unit 14 is a mechanism for transporting a rectangular workpiece W such as a glass substrate in the horizontal direction and passing the ultraviolet light irradiation range of the lamp unit 11. The transport unit 14 includes a mounting table (not shown) on which the workpiece is stably mounted and moved together with the workpiece. The height position of the mounting table
The upper surface of the workpiece to be mounted thereon, that is, the distance between the workpiece surface and the bottom of the lamp device 11 is set to be 10 mm or less, preferably 5 to 2 mm. It will be apparent to those skilled in the art that by shortening the distance between the lamp device and the work surface, the efficiency of cleaning or reforming is improved.

【0032】搬送制御部15は、前記搬送部14による
被加工物の搬送速度、搬送距離(すなわち搬送開始点及
び終了点)、搬送動作(すなわち一方向移動であるか往
復移動であるか)を制御する。利用者はこれらの値に関
して所望の設定値を該搬送制御部15に与えることがで
き、搬送制御部15は該与えられた設定値に従って、搬
送部14を制御する。
The transfer controller 15 controls the transfer speed, transfer distance (ie, transfer start point and end point), and transfer operation (ie, one-way movement or reciprocal movement) of the workpiece by the transfer section 14. Control. The user can provide desired setting values for these values to the transport control unit 15, and the transport control unit 15 controls the transport unit 14 according to the provided set values.

【0033】前記各構成を備える紫外光照射装置10
は、安定した雰囲気が維持された図示しない密閉筐体を
備え、その内部において被加工物Wを搬送しつつ、前記
ランプ装置11による紫外光の照射を実現する。
An ultraviolet light irradiating apparatus 10 having the above-described respective structures
Is provided with a closed casing (not shown) in which a stable atmosphere is maintained, and realizes irradiation of ultraviolet light by the lamp device 11 while transporting the workpiece W therein.

【0034】図2に、前記ランプ装置で用いられる誘電
体エキシマランプを示す。本実施形態において用いられ
る誘電体エキシマランプは、冷却水によりその冷却を実
現する水冷式のものである。水冷式誘電体エキシマラン
プ20は、合成石英ガラスからなる放電容器としての二
重管21の内部に、キセノンガス等の放電用ガス22を
充満したものを備える。二重管21の外周には、網目状
の外部電極23が配置され、内周には、コイル状の内部
電極24が配置される。前記冷却部13による循環機構
によって、二重管21の内側に、導電率が2マイクロジ
ーメンス以下の純度をもった冷却水25が流される。該
冷却水は、誘電体エキシマランプ20から発生する熱を
吸収する。
FIG. 2 shows a dielectric excimer lamp used in the lamp device. The dielectric excimer lamp used in the present embodiment is of a water-cooled type that achieves its cooling by cooling water. The water-cooled dielectric excimer lamp 20 includes a double tube 21 as a discharge vessel made of synthetic quartz glass filled with a discharge gas 22 such as xenon gas. A mesh-shaped external electrode 23 is arranged on the outer periphery of the double tube 21, and a coil-shaped internal electrode 24 is arranged on the inner periphery. Cooling water 25 having a conductivity of 2 micro Siemens or less is flown inside the double pipe 21 by the circulation mechanism of the cooling unit 13. The cooling water absorbs heat generated from the dielectric excimer lamp 20.

【0035】図9に示した空冷式の誘電体エキシマラン
プでは、その長さ当り2W/cm以上の電力を印加する
と、その発熱量を吸収することが困難となり、エキシマ
ガスの発光効率が低下し、充分な光量の真空紫外光を得
ることができなかった。図2に示すような水冷式の誘電
体エキシマランプにおいては、二重管内部に前記冷却水
25が流されるので、大きな駆動電力を投入しても一定
以上の発熱を防ぐことができ、発光光量を向上させるこ
とができる。一つの実施例において、誘電体エキシマラ
ンプの単位長さ当りに投入できる電力は15W/cmで
あり、前記空冷方式の5倍強の照射光量を得た。
In the air-cooled dielectric excimer lamp shown in FIG. 9, when a power of 2 W / cm or more is applied per its length, it becomes difficult to absorb the calorific value, and the luminous efficiency of the excimer gas decreases. , A sufficient amount of vacuum ultraviolet light could not be obtained. In the water-cooled dielectric excimer lamp as shown in FIG. 2, since the cooling water 25 flows through the inside of the double tube, even if a large driving power is applied, it is possible to prevent heat generation exceeding a certain level, Can be improved. In one embodiment, the power that can be supplied per unit length of the dielectric excimer lamp was 15 W / cm, and the irradiation light amount was more than five times that of the air cooling system.

【0036】図3は、図1の電源制御部12の具体的な
構成ブロック図である。図において、発振器31は、駆
動周波数200〜300KHzを発振し、これは前段増
幅器23により利得を得る。ミキサー33には、前記増
幅された駆動周波数と外部矩形信号34が入力され、こ
こで合波される。合波された信号は、主増幅器35を通
過して多くの利得を得、高周波高圧トランス36により
電力を増幅され、誘電体エキシマランプ37に投入され
る。外部矩形信号34は、1〜数10KHzのデジタル
信号であり、ミキサー33においてFM変調される。誘
電体エキシマランプ37の出力可変は、この外部矩形信
号のパルス幅を可変する(パルスのデューティ比を変え
る)ことによって得られる。前記高出力の水冷式誘電体
エキシマランプを用いることによって、このような出力
可変が容易に行える。
FIG. 3 is a block diagram showing a specific configuration of the power supply control unit 12 shown in FIG. In the figure, an oscillator 31 oscillates at a driving frequency of 200 to 300 KHz, which gain is obtained by a pre-amplifier 23. The amplified drive frequency and the external rectangular signal 34 are input to the mixer 33, where they are multiplexed. The multiplexed signal passes through a main amplifier 35 to obtain a large gain, is amplified in power by a high-frequency high-voltage transformer 36, and is supplied to a dielectric excimer lamp 37. The external rectangular signal 34 is a digital signal of 1 to several tens KHz, and is FM-modulated in the mixer 33. The output of the dielectric excimer lamp 37 can be varied by varying the pulse width of the external rectangular signal (changing the pulse duty ratio). By using the high-output water-cooled dielectric excimer lamp, such output variation can be easily performed.

【0037】図4は、前記紫外光照射装置10による被
加工物の具体的な洗浄又は改質方法を示す概念図であ
る。本実施形態においては、単一の誘電体エキシマラン
プを備える3基のランプ装置40A〜40Cを近接配置
することによって、図1に示すランプ装置11を構成し
た例を示している。前記搬送部14及び搬送制御部15
は、本実施形態において、矩形状の被加工物Wを一方向
に移動させ(図では左から右)、ランプ装置11による
紫外光照射範囲を通過させる。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing a specific method of cleaning or modifying a workpiece by the ultraviolet light irradiation device 10. In the present embodiment, an example is shown in which three lamp devices 40A to 40C each including a single dielectric excimer lamp are arranged close to each other to configure the lamp device 11 shown in FIG. The transport unit 14 and the transport control unit 15
In the present embodiment, the rectangular workpiece W is moved in one direction (from left to right in the figure) and passes through the ultraviolet light irradiation range of the lamp device 11.

【0038】図示しないハンドリング装置によって、被
加工物Wは搬送部の載置台上に置かれる。被加工物Wの
搬送に先立って、各ランプ装置40A〜40Cの誘電体
エキシマランプが点灯される。搬送制御部15の制御信
号に従って、搬送部14が駆動され、被加工物Wは、そ
の被加工面が紫外光の照射範囲を横切るように移動され
る。被加工面の全域が紫外光照射領域を越えると、搬送
部14による移送が停止され、ランプ装置40A〜40
Cが消灯される。該工程を経ることによって、被加工物
Wの洗浄又は改質が終了される。なお、紫外光の照射範
囲に対する前記被加工物Wの位置の検出は、マイクロス
イッチ、光センサー等を用いた周知の検出方法を用いる
ことができる。
The workpiece W is placed on the mounting table of the transport unit by a handling device (not shown). Prior to the transfer of the workpiece W, the dielectric excimer lamps of the lamp devices 40A to 40C are turned on. The transport unit 14 is driven according to the control signal of the transport control unit 15, and the workpiece W is moved such that the workpiece surface crosses the irradiation range of the ultraviolet light. When the entire area of the surface to be processed exceeds the ultraviolet light irradiation area, the transport by the transport unit 14 is stopped, and the lamp devices 40A to 40A
C is turned off. Through this step, the cleaning or the modification of the workpiece W is completed. Note that the position of the workpiece W with respect to the irradiation range of the ultraviolet light can be detected by a known detection method using a microswitch, an optical sensor, or the like.

【0039】ここで、紫外光照射領域における被加工物
Wの移動速度は、搬送制御部15によって制御される。
搬送制御部15は、被加工物Wの一回の通過によりその
洗浄又は改質を完了するための好適な速度でその移動を
実現する。本実施形態において、被加工物Wの紫外光照
射領域における移動速度Vは、下式に基づいて算出され
る。
Here, the moving speed of the workpiece W in the ultraviolet light irradiation area is controlled by the transport control unit 15.
The transport control unit 15 realizes the movement of the workpiece W at a suitable speed for completing the cleaning or the reforming by one pass. In the present embodiment, the moving speed V of the workpiece W in the ultraviolet light irradiation region is calculated based on the following equation.

【0040】V=aPN/J ・・・(1)V = aPN / J (1)

【0041】ここで、aは各ランプ装置40A〜40C
の幅、Pはその単位面積当りの平均光量、Nは誘電体エ
キシマランプの本数、Jは被加工物の洗浄又は改質に必
要な単位面積当りの積算光量である。
Here, a is the lamp devices 40A to 40C.
, P is the average amount of light per unit area, N is the number of dielectric excimer lamps, and J is the integrated amount of light per unit area required for cleaning or modifying the workpiece.

【0042】今、被加工物Wの送り方向の長さをL、幅
をbとした場合、被加工物の被加工面全域を処理するに
必要な積算光量は、J(L×b)となり、またN本のラ
ンプ装置の光量は、PN(a×b)となる。従って、被
加工物Wの全域を処理するに必要な時間tは、
If the length of the workpiece W in the feed direction is L and the width is b, the integrated light amount required to process the entire surface of the workpiece W is J (L × b). The light quantity of the N lamp devices is PN (a × b). Therefore, the time t required to process the entire area of the workpiece W is

【0043】 t=J(L×b)/PN(a×b)=JL/aPN となる。これより、長さLの被加工物Wを処理するため
の移動速度V、
T = J (L × b) / PN (a × b) = JL / aPN Accordingly, the moving speed V for processing the workpiece W having the length L,

【0044】V=L/t=aPN/J が求められる。例えば、幅a=75mm、平均単位面積
照射光量P=20mW/cm2のランプ装置を3本近接
配置した紫外光照射装置において、処理に必要な単位面
積当りの積算光量Jを100mJ/cm2とし、L=8
80mmの被加工物を処理する場合、移動速度Vは、
V = L / t = aPN / J is obtained. For example, in an ultraviolet light irradiation device in which three lamp devices having a width a = 75 mm and an average unit area irradiation light amount P = 20 mW / cm 2 are arranged close to each other, an integrated light amount J per unit area required for processing is set to 100 mJ / cm 2. , L = 8
When processing a workpiece of 80 mm, the moving speed V is:

【0045】 V=75・20・3/100=45mm/s となる。被加工物Wが紫外光照射領域を通過するとき
に、この定速度以下の速度を保つことにより、被加工面
の全域に渡り必要にして十分な処理が均一に施される。
なお、被加工物Wの初期位置は、被加工物Wの移動速度
が、前記定速度に至るまでの加速距離を考慮して、実際
にはその先頭位置(図中A)をランプ装置40Aより若
干手前の位置にする。
V = 75 · 20 · 3/100 = 45 mm / s When the workpiece W passes through the ultraviolet light irradiation region, by maintaining the speed below this constant speed, necessary and sufficient processing is uniformly performed over the entire surface of the workpiece.
Note that the initial position of the workpiece W is actually determined by the ramp device 40A in consideration of the acceleration distance until the moving speed of the workpiece W reaches the constant speed. Move it slightly forward.

【0046】図5は、被加工物Wを紫外光照射範囲で往
復移動させる場合の実施形態を示す概念図である。本実
施形態において、被加工物Wは、その洗浄又は改質を完
了するために、紫外光照射範囲を横切って往復移動され
る。すなわち、ランプ装置11の手前(図では左側)に
配置された被加工物Wは、ランプ装置11による紫外光
の照射範囲に向けて送られ、その被加工面の全域が完全
に該照射範囲を通過した点で一旦停止される。次いで、
逆方向に送られて、再度紫外線照射範囲を通過し、初期
位置に戻って停止される。
FIG. 5 is a conceptual diagram showing an embodiment in which the workpiece W is reciprocated in the ultraviolet light irradiation range. In the present embodiment, the workpiece W is reciprocated across the ultraviolet light irradiation range to complete the cleaning or the modification. That is, the workpiece W disposed before the lamp device 11 (the left side in the figure) is sent toward the irradiation range of the ultraviolet light by the lamp device 11, and the entire area of the processing surface completely covers the irradiation range. It is stopped once at the passing point. Then
It is sent in the opposite direction, passes through the ultraviolet irradiation range again, returns to the initial position, and stops.

【0047】本実施形態においては、被加工物Wはラン
プ装置11の下を2回通過することになる。従って、図
4の場合と同じ積算光量を被加工物に与えるためには、
前記速度の倍の速度で被加工物を移動させればよい。す
なわち、本実施形態の場合、紫外光照射範囲における被
加工物Wの移動速度は、V=2aPN/J以下とするこ
とができる。
In this embodiment, the workpiece W passes under the lamp device 11 twice. Therefore, in order to give the same integrated light amount to the workpiece as in the case of FIG.
The workpiece may be moved at a speed twice as high as the above speed. That is, in the case of the present embodiment, the moving speed of the workpiece W in the ultraviolet light irradiation range can be set to V = 2aPN / J or less.

【0048】図6は本発明の更に他の実施形態に係る紫
外光の照射方法を示す概念図である。本実施形態による
照射方法は、処理速度よりも装置の必要床面積を小さく
する必要がある環境において有効である。本実施形態に
係る照射方法を実現するに際し、前記実施形態における
3つのランプ装置40A〜40Cは、等間隔に分割して
配置される。被加工物Wの移動方向における長さをLと
した場合、ランプ装置40A〜40C間のピッチは、
(L+a)/Nを基準に決定される。ここで、aは各ラ
ンプ装置の幅、Nはランプ装置の数である。本実施形態
においては、3本のランプ装置を用いており、従ってそ
のピッチは、(L+a)/3となる。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing a method of irradiating ultraviolet light according to still another embodiment of the present invention. The irradiation method according to the present embodiment is effective in an environment where the required floor area of the apparatus needs to be smaller than the processing speed. In realizing the irradiation method according to the present embodiment, the three lamp devices 40A to 40C in the above embodiment are arranged at equal intervals. When the length in the moving direction of the workpiece W is L, the pitch between the lamp devices 40A to 40C is:
It is determined based on (L + a) / N. Here, a is the width of each lamp device, and N is the number of lamp devices. In the present embodiment, three lamp devices are used, and the pitch is (L + a) / 3.

【0049】ランプ装置のこのような配置関係におい
て、被加工物Wはその移動方向における最も奥に設置さ
れたランプ装置(図ではランプ装置40C)の手前にそ
の先端Aを合わせて置かれる。被加工物Wの移動の開始
に合わせて、3つのランプ装置40A〜40Cが点灯さ
れる。被加工物Wの移動に伴って、各ランプ装置40A
〜40Cは、その被加工面の前方域、中央域、後方域を
それぞれ照射し、処理する。被加工物Wの後端Bが、最
も手前のランプ装置(図ではランプ装置40A)の照射
範囲を超えた時点で、被加工面全域に対する紫外光の照
射が完了する。なお、被加工物Wの移動距離は前記ラン
プのピッチと同じ、(L+a)/Nとなる。
In such an arrangement of the lamp devices, the workpiece W is placed with its tip A in front of the lamp device (the lamp device 40C in the figure) installed at the innermost position in the moving direction. The three lamp devices 40A to 40C are turned on in accordance with the start of the movement of the workpiece W. As the workpiece W moves, each lamp device 40A
-40C irradiates and processes the front area, the center area, and the rear area of the surface to be processed. When the rear end B of the workpiece W exceeds the irradiation range of the foremost lamp device (the lamp device 40A in the figure), the irradiation of the entire surface to be processed with the ultraviolet light is completed. The moving distance of the workpiece W is (L + a) / N, which is the same as the pitch of the lamp.

【0050】前記実施形態と同様に、被加工面の各領域
に対し十分な処理を与えるために必要な積算光量から、
被加工物Wの移動速度が決定される。各領域に対する紫
外光の照射は1本の誘電体エキシマランプによって行わ
れることから、前記式(1)より、移動速度Vは、V=
aP/J以下である。例えば、幅a=75mm、平均単
位面積照射光量P=20mW/cm2のランプ装置を使
用した紫外光照射装置において、処理に必要な単位面積
当りの積算光量Jを100mJ/cm2とし、L=88
0mmの被加工物を処理する場合、移動速度Vは、V=
75・20/100=15mm/sであり、また、前記
ランプ装置間のピッチ及び被加工物Wの移動距離は、
(L+a)/N=(880+75)/3より、およそ3
18.3mmである。これより被加工物Wの処理時間
(移動の開始から終了までの時間)は、t=318.3
/15より、およそ21.2秒である。
In the same manner as in the above-described embodiment, based on the integrated light amount necessary for giving sufficient processing to each region of the surface to be processed,
The moving speed of the workpiece W is determined. Since irradiation of each region with ultraviolet light is performed by one dielectric excimer lamp, the moving speed V can be calculated from the above equation (1).
aP / J or less. For example, in an ultraviolet light irradiation device using a lamp device having a width a = 75 mm and an average unit area irradiation light amount P = 20 mW / cm 2 , the integrated light amount J per unit area required for processing is set to 100 mJ / cm 2, and L = 88
When processing a workpiece of 0 mm, the moving speed V is V =
75 · 20/100 = 15 mm / s, and the pitch between the lamp devices and the moving distance of the workpiece W are:
From (L + a) / N = (880 + 75) / 3, approximately 3
18.3 mm. Thus, the processing time of the workpiece W (the time from the start to the end of the movement) is t = 318.3.
From / 15, it is about 21.2 seconds.

【0051】図7は、前記実施形態における被加工物W
への積算光量分布の時間変化を示す図である。ここでは
簡略のため1つのランプ装置による照度分布を正三角形
とした。ランプ装置の幅aの1/4の距離毎に、積算光
量の分布状態を示した。この図より、被加工物Wの移動
に伴って、被加工面の各領域へ光量が積算されていく様
子が理解される。各ランプ装置40A〜40Cからの三
角形状の照度分布によって、最初、被加工面への積算光
量の分布は場所によって不均一であるが、被加工物Wの
後端Bが最初のランプ装置40Aを超えた時点、すなわ
ちその移動距離が(L+a)/3となった時点で、全領
域の照射光量は均一になる。
FIG. 7 shows the workpiece W in the above embodiment.
FIG. 7 is a diagram showing a time change of an integrated light quantity distribution to the time. Here, for the sake of simplicity, the illuminance distribution by one lamp device is an equilateral triangle. The distribution of the integrated light amount is shown for each distance of 1/4 of the width a of the lamp device. From this figure, it is understood that the amount of light is accumulated in each region of the work surface as the work W moves. Due to the triangular illuminance distribution from each of the lamp devices 40A to 40C, the distribution of the integrated light amount on the surface to be processed is initially non-uniform depending on the location, but the rear end B of the workpiece W is the first lamp device 40A. When it exceeds, that is, when the movement distance becomes (L + a) / 3, the irradiation light amount in the entire area becomes uniform.

【0052】図8は、前記実施形態と同じランプ装置の
配置構成で、被加工物Wを往復移動させる場合の実施形
態を示している。本実施形態においては、先の一方向移
動の場合と同様に、被加工物Wを最も奥のランプ装置4
0Cの手前に設置する。ランプ装置40A〜40Cを点
灯した後、被加工物Wを図中右方向へ移動し処理を行
う。被加工物Wの後端Bが手前側のランプ装置40Aを
超えた時点、すなわちその移動距離が(L+a)/3と
なった時点で、一旦その送りを停止し、今度は逆方向に
送る。そして、被加工物Wが初期位置に戻った時点でこ
れを停止し、処理を完了する。この場合、被加工面の各
領域は同じランプ装置の照射範囲を2回通過することと
なるので、単位時間当りの照射光量は、前記実施形態の
場合の半分でよい。すなわち、本実施形態においては、
被加工物Wの移動速度Vは、V=2aP/J以下とする
ことができる。
FIG. 8 shows an embodiment in which the workpiece W is reciprocated with the same arrangement of the lamp device as in the above embodiment. In the present embodiment, as in the case of the preceding one-way movement, the workpiece W is moved to the farthest lamp device 4.
Install before 0C. After turning on the lamp devices 40A to 40C, the workpiece W is moved rightward in the drawing to perform processing. When the rear end B of the workpiece W exceeds the ramp device 40A on the near side, that is, when the moving distance becomes (L + a) / 3, the feeding is temporarily stopped, and then the feeding is performed in the opposite direction. Then, when the workpiece W returns to the initial position, it is stopped, and the process is completed. In this case, since each area of the processing surface passes through the irradiation range of the same lamp device twice, the irradiation light amount per unit time may be half that of the above embodiment. That is, in the present embodiment,
The moving speed V of the workpiece W can be set to V = 2aP / J or less.

【0053】前記図6及び図8に示した実施形態におい
ては、被加工物Wの移動範囲を極めて小さくすることが
できる。従って、該照射方法を実現する装置を、被加工
物の大きさに比して極めて小型にすることができる。
In the embodiment shown in FIGS. 6 and 8, the moving range of the workpiece W can be made extremely small. Therefore, an apparatus for realizing the irradiation method can be made extremely small in comparison with the size of the workpiece.

【0054】以上、本発明の一実施形態を図面に沿って
説明した。しかしながら本発明は前記実施形態に示した
事項に限定されず、特許請求の範囲の記載に基いてその
変更、改良等が可能であることは明らかである。本発明
では、誘電体エキシマランプの放電容器に封入する放電
用ガスとして、キセノンを有するガス、臭化クリプトン
(KrBr)を有するガス、フッ化アルゴンを有するガス、塩
化アルゴンを有するガス、臭化アルゴン(ArBr)を有する
ガス、フッ素を有するガス、クリプトンを有するガス、
アルゴンを有するガスなどを用いることができる。
The embodiment of the present invention has been described with reference to the drawings. However, it is apparent that the present invention is not limited to the matters described in the above embodiments, and that changes, improvements, and the like can be made based on the description in the claims. In the present invention, a gas containing xenon, krypton bromide is used as a discharge gas to be filled in a discharge vessel of a dielectric excimer lamp.
Gas with (KrBr), gas with argon fluoride, gas with argon chloride, gas with argon bromide (ArBr), gas with fluorine, gas with krypton,
A gas containing argon or the like can be used.

【0055】また、本発明に用いられる紫外光照射光源
は、前記誘電体エキシマランプに限定されず、マイクロ
波による各種エキシマガスの励起による紫外線発光を利
用したもの、また電子による各種エキシマガスの励起に
よる紫外線発光を利用したものを用いることもできる。
Further, the ultraviolet light irradiation light source used in the present invention is not limited to the above-mentioned dielectric excimer lamp, but may be a light source utilizing ultraviolet emission by exciting various excimer gases by microwaves, or an excitation of various excimer gases by electrons. It is also possible to use one utilizing ultraviolet light emission by the above method.

【0056】更に、前記実施形態においては、3本の誘
電体エキシマランプを含むランプ装置を用いた例を示し
たが、誘電体エキシマランプの本数はこれに限定され
ず、その数は1本であっても良い。また、本発明によっ
て洗浄又は改質される被加工物は、必ずしも矩形のもの
に限定されず、半導体ウェハのような円形のものであっ
ても良い。
Further, in the above-described embodiment, an example is shown in which a lamp device including three dielectric excimer lamps is used. However, the number of dielectric excimer lamps is not limited to this, and the number is one. There may be. The workpiece to be cleaned or modified by the present invention is not necessarily limited to a rectangular workpiece, but may be a circular workpiece such as a semiconductor wafer.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上の如く本発明によれば、大型の被加
工物の全域に渡って均一に紫外光を照射することがで
き、洗浄又は改質の質が改善される。
As described above, according to the present invention, a large workpiece can be uniformly irradiated with ultraviolet light over the entire area, and the quality of cleaning or modification can be improved.

【0058】また、大型の被加工物を洗浄又は改質する
ために、必要とされる紫外光照射光源の数を、極めて少
なくすることができ、装置の製造コスト、ランニングコ
ストを下げ、また装置を小型にすることができる。更
に、光源の数を少なくすることによって、故障の可能性
が低くなり、装置の信頼性が向上する。
Further, the number of light sources for irradiating ultraviolet light required for cleaning or modifying a large workpiece can be extremely reduced, thereby lowering the manufacturing cost and running cost of the apparatus. Can be reduced in size. Furthermore, by reducing the number of light sources, the possibility of failure is reduced and the reliability of the device is improved.

【0059】更に、複数の紫外光照射光源を分割配置し
た本発明においては、被加工物の移動距離を極めて小さ
くすることができるので、装置を更に小型に構成するこ
とが可能となる。
Further, in the present invention in which a plurality of ultraviolet light irradiation light sources are divided and arranged, the moving distance of the workpiece can be extremely reduced, so that the apparatus can be further miniaturized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る紫外光照射装置の構
成ブロック図である。
FIG. 1 is a configuration block diagram of an ultraviolet light irradiation device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のランプ装置で用いられる水冷式の誘電体
エキシマランプの正面及び側面の断面図である。
2 is a front and side sectional view of a water-cooled dielectric excimer lamp used in the lamp device of FIG. 1;

【図3】図1の電源制御部の具体的な構成ブロック図で
ある。
FIG. 3 is a specific configuration block diagram of a power supply control unit in FIG. 1;

【図4】被加工物を紫外光照射範囲で一方向移動させる
場合の実施形態を示す概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram showing an embodiment in which a workpiece is moved in one direction within an ultraviolet light irradiation range.

【図5】被加工物を紫外光照射範囲で往復移動させる場
合の実施形態を示す概念図である。
FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating an embodiment in which a workpiece is reciprocated within an ultraviolet light irradiation range.

【図6】ランプ装置を分割配置した本発明の他の実施形
態に係る紫外光の照射方法を示す概念図である。
FIG. 6 is a conceptual diagram showing an ultraviolet light irradiation method according to another embodiment of the present invention in which a lamp device is divided and arranged.

【図7】図6の実施形態における被加工物への積算光量
分布の時間変化を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a time change of an integrated light quantity distribution on a workpiece in the embodiment of FIG. 6;

【図8】図6の実施形態と同じランプ装置の配置構成
で、被加工物を往復移動させる場合の実施形態を示した
概念図である。
FIG. 8 is a conceptual diagram showing an embodiment in which a workpiece is reciprocated with the same arrangement of the lamp device as the embodiment of FIG. 6;

【図9】空冷式の誘電体エキシマランプのの正面及び側
面の断面図である。
FIG. 9 is a front and side sectional view of an air-cooled dielectric excimer lamp.

【図10】(A)は、誘電体エキシマランプを含んで構
成されたランプ装置の概略構成図、(B)は、その幅方
向における発光光量分布を示す図である。
FIG. 10A is a schematic configuration diagram of a lamp device including a dielectric excimer lamp, and FIG. 10B is a diagram illustrating a light emission amount distribution in a width direction of the lamp device.

【図11】従来の多灯一括面照射方式の概略構成図であ
る。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of a conventional multi-lamp collective surface irradiation method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 紫外光照射装置 11 ランプ装置 12 電源制御部 13 冷却部 14 搬送部 15 搬送制御部 20 誘電体エキシマランプ 21 二重管 22 放電用ガス 23 外部電極 24 内部電極 25 冷却水 31 発振器 32 前段増幅器 33 ミキサー 34 外部矩形信号 35 主増幅器 36 高周波高圧トランス 37 誘電体エキシマランプ 40A〜40C ランプ装置 W 被加工物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Ultraviolet light irradiation device 11 Lamp device 12 Power control unit 13 Cooling unit 14 Transport unit 15 Transport control unit 20 Dielectric excimer lamp 21 Double tube 22 Discharge gas 23 External electrode 24 Internal electrode 25 Cooling water 31 Oscillator 32 Preamplifier 33 Mixer 34 External rectangular signal 35 Main amplifier 36 High frequency high voltage transformer 37 Dielectric excimer lamp 40A-40C Lamp device W Workpiece

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照
射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射装置に
おいて、 紫外光照射光源と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその幅方向
において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に
相対移動させる移動手段と、 前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動
速度がaP/J(aは紫外光照射光源の幅、Pはその単
位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は改質に
必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記被加工物
が前記紫外光照射光源に対し一方向に相対移動するよ
う、前記移動手段を制御する制御手段と、を備える紫外
光照射装置。
1. An ultraviolet light irradiation apparatus for irradiating a processing surface of a workpiece with ultraviolet light to clean or modify the ultraviolet light, comprising: an ultraviolet light irradiation light source; A moving means for linearly moving the light irradiation light source linearly across the irradiation range of the ultraviolet light in the width direction thereof, and a relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is aP / J (a Is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average light amount per unit area, J is the integrated light amount per unit area required for cleaning or modifying the work piece) or less, and the work piece is irradiated with the ultraviolet light. Control means for controlling the moving means so as to relatively move in one direction with respect to the light source.
【請求項2】 前記制御手段は、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度が2aP/J以下
で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し往復方向
に相対移動するよう、前記移動手段を制御する請求項1
記載の紫外光照射装置。
2. The apparatus according to claim 1, wherein the relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is 2 aP / J or less, and the workpiece relatively moves in a reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source. And controlling the moving means.
The ultraviolet light irradiation device as described in the above.
【請求項3】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照
射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射装置に
おいて、 並行に近接配置されたN個の紫外光照射光源と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその並び方
向において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的
に相対移動させる移動手段と、 前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動
速度がaPN/J(aは紫外光照射光源の幅、Pはその
単位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は改質
に必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記被加工
物が前記紫外光照射光源に対し一方向に相対移動するよ
う、前記移動手段を制御する制御手段と、を備える紫外
光照射装置。
3. An ultraviolet light irradiation apparatus for irradiating a work surface of a work with ultraviolet light for cleaning or modifying the work, comprising: N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel and close to each other; A moving means for linearly moving the workpiece relative to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the ultraviolet light irradiation range in the direction in which the ultraviolet light irradiation light source is arranged, and moving the workpiece in the ultraviolet light irradiation range. The relative moving speed is not more than aPN / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average light amount per unit area, J is the integrated light amount per unit area required for cleaning or modifying the workpiece), Control means for controlling the moving means so that the workpiece relatively moves in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source.
【請求項4】 前記制御手段は、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度が2aPN/J以
下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に対し往復方
向に相対移動するよう、前記移動手段を制御する請求項
3記載の紫外光照射装置。
4. The control means moves the workpiece relative to the ultraviolet light source in a reciprocating direction with a relative movement speed of the workpiece in an irradiation range of the ultraviolet light of 2aPN / J or less. 4. The ultraviolet light irradiation device according to claim 3, wherein said moving means is controlled.
【請求項5】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照
射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射装置に
おいて、 並行に配置されたN個の紫外光照射光源であって、該各
紫外光照射光源間のピッチが(L+a)/N(Lは被加
工物の長さ、aは紫外光照射光源の幅)であるものと、 前記被加工物をその長さ方向から、前記紫外光照射光源
に対しその並び方向において前記紫外光の照射範囲を横
切るように直線的に相対移動させる移動手段と、 前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対移動
距離が(L+a)/Nとなるように、前記移動手段を制
御する制御手段と、を備える紫外光照射装置。
5. An ultraviolet light irradiation apparatus for irradiating a surface to be processed of a workpiece with ultraviolet light to clean or modify the surface, wherein N light sources for irradiating ultraviolet light are arranged in parallel. The pitch between the ultraviolet light irradiation light sources is (L + a) / N (L is the length of the workpiece, a is the width of the ultraviolet light irradiation light source); Moving means for linearly moving relative to the ultraviolet light irradiation light source in the direction in which the ultraviolet light irradiation light source crosses the ultraviolet light irradiation range; and a relative moving distance of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is ( Control means for controlling the moving means so as to satisfy L + a) / N.
【請求項6】 前記制御手段は、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度がaP/J(Pは
その単位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又は
改質に必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記被
加工物が前記紫外光照射光源に対し一方向に相対移動す
るよう、前記移動手段を制御する請求項5記載の紫外光
照射装置。
6. The control means, wherein the relative movement speed of the workpiece in the range of irradiation of the ultraviolet light is aP / J (P is an average light amount per unit area, J is cleaning or reforming of the workpiece). 6. The ultraviolet light irradiation device according to claim 5, wherein the moving means is controlled so that the workpiece relatively moves in one direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source when the integrated light amount per unit area required for the operation is equal to or less.
【請求項7】 前記制御手段は、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度が2aP/J(P
はその単位面積当りの平均光量、Jは被加工物の洗浄又
は改質に必要な単位面積当りの積算光量)以下で、前記
被加工物が前記紫外光照射光源に対し往復方向に相対移
動するよう、前記移動手段を制御する請求項5記載の紫
外光照射装置。
7. The controller according to claim 1, wherein the relative moving speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light is 2 aP / J (P
Is the average light quantity per unit area, J is the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the work), and the work relatively moves in the reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source. 6. The ultraviolet light irradiation apparatus according to claim 5, wherein said moving means is controlled.
【請求項8】 前記紫外光照射光源が、誘電体エキシマ
ランプである請求項1〜7のいずれかに記載の紫外光照
射装置。
8. The ultraviolet light irradiation device according to claim 1, wherein the ultraviolet light irradiation light source is a dielectric excimer lamp.
【請求項9】 被加工物の被加工面に対して紫外光を照
射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射方法に
おいて、 紫外光照射光源による紫外光の照射を開始する工程と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその幅方向
において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に
相対移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲に
おける前記被加工物の相対移動速度がaP/J(aは紫
外光照射光源の幅、Pはその単位面積当りの平均光量、
Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当りの積
算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光源に
対し一方向に相対移動するよう制御されたものと、を備
える紫外光照射方法。
9. An ultraviolet light irradiation method for irradiating a surface to be processed of an object with ultraviolet light to clean or modify the surface, comprising: starting irradiation of ultraviolet light by an ultraviolet light irradiation light source; A step of linearly moving the workpiece relative to the ultraviolet light irradiation light source in a width direction thereof so as to cross the ultraviolet light irradiation range, wherein the workpiece in the ultraviolet light irradiation range Is aP / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average amount of light per unit area,
J is an integrated light amount per unit area required for cleaning or modifying the workpiece) or less, and the workpiece is controlled to move in one direction relative to the ultraviolet light irradiation light source. UV light irradiation method.
【請求項10】 被加工物の被加工面に対して紫外光を
照射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射方法
において、 紫外光照射光源による紫外光の照射を開始する工程と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその幅方向
において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的に
相対移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲に
おける前記被加工物の相対移動速度が2aP/J(aは
紫外光照射光源の幅、Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し往復方向に相対移動するよう制御されたもの
と、を備える紫外光照射方法。
10. An ultraviolet light irradiation method for irradiating a work surface of a work with ultraviolet light to clean or modify the work surface, the method comprising: starting irradiation of ultraviolet light by an ultraviolet light irradiation light source; A step of linearly moving the workpiece relative to the ultraviolet light irradiation light source in a width direction thereof so as to cross the ultraviolet light irradiation range, wherein the workpiece in the ultraviolet light irradiation range Is less than or equal to 2aP / J (a is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average light amount per unit area, J is the integrated light amount per unit area necessary for cleaning or reforming the workpiece). Controlled so that the workpiece relatively moves in a reciprocating direction with respect to the ultraviolet light irradiation light source.
【請求項11】 被加工物の被加工面に対して紫外光を
照射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射方法
において、 並行に近接配置されたN個の紫外光照射光源による紫外
光の照射を開始する工程と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその並び方
向において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的
に相対移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度がaPN/J(a
は紫外光照射光源の幅、Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し一方向に相対移動するよう制御されたものと、
を備える紫外光照射方法。
11. An ultraviolet light irradiation method for irradiating a surface to be processed of an object with ultraviolet light to clean or modify the surface, comprising: N light sources arranged in parallel and close to each other; A step of starting irradiation of ultraviolet light; anda step of linearly moving the workpiece linearly relative to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in a direction in which the light sources are arranged. The relative movement speed of the workpiece in the light irradiation range is aPN / J (a
Is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average light amount per unit area, J is the integrated light amount per unit area required for cleaning or modifying the work piece) or less, and the work piece is irradiated with the ultraviolet light. One controlled to move relative to the light source in one direction;
An ultraviolet light irradiation method comprising:
【請求項12】 被加工物の被加工面に対して紫外光を
照射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射方法
において、 並行に近接配置されたN個の紫外光照射光源による紫外
光の照射を開始する工程と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその並び方
向において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的
に相対移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動速度が2aPN/J
(aは紫外光照射光源の幅、Pはその単位面積当りの平
均光量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積
当りの積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照
射光源に対し往復方向に相対移動するよう制御されたも
のと、を備える紫外光照射方法。
12. An ultraviolet light irradiation method for irradiating a surface to be processed of an object with ultraviolet light to clean or modify the surface, comprising: N ultraviolet light irradiation light sources arranged in parallel and close to each other. A step of starting irradiation of ultraviolet light; anda step of linearly moving the workpiece linearly relative to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in a direction in which the light sources are arranged. The relative movement speed of the workpiece in the light irradiation range is 2aPN / J
(A is the width of the ultraviolet light irradiation light source, P is the average amount of light per unit area, J is the integrated amount of light per unit area required for cleaning or reforming the work). Controlled to move relative to a light irradiation light source in a reciprocating direction.
【請求項13】 被加工物の被加工面に対して紫外光を
照射してその洗浄又は改質を行うための紫外光照射方法
において、 並行に配置されたN個の紫外光照射光源であって、該各
紫外光照射光源間のピッチが(L+a)/N(Lは被加
工物の長さ、aは紫外光照射光源の幅)であるものを用
意する工程と、 前記被加工物を、その長さ方向を前記紫外光照射光源の
並び方向と一致させて該紫外光照射光源下に配置する工
程と、 前記N個の紫外光照射光源による紫外光の照射を開始す
る工程と、 前記被加工物を、前記紫外光照射光源に対しその並び方
向において前記紫外光の照射範囲を横切るように直線的
に相対移動させる工程であって、前記紫外光の照射範囲
における前記被加工物の相対移動距離が(L+a)/N
となるように制御されたものと、を備える紫外光照射方
法。
13. An ultraviolet light irradiation method for irradiating a work surface of a work with ultraviolet light to clean or modify the work surface, wherein the N ultraviolet light irradiation light sources are arranged in parallel. A step of preparing a material in which the pitch between the ultraviolet light irradiation light sources is (L + a) / N (L is the length of the workpiece and a is the width of the ultraviolet light source); Arranging the length direction thereof under the ultraviolet light irradiation light source so as to coincide with the arrangement direction of the ultraviolet light irradiation light source, and starting irradiation of ultraviolet light by the N ultraviolet light irradiation light sources; The step of linearly moving the workpiece relative to the ultraviolet light irradiation light source so as to cross the irradiation range of the ultraviolet light in the direction in which the workpieces are arranged, and the relative position of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light. Moving distance is (L + a) / N
Which is controlled so as to satisfy the following conditions.
【請求項14】 前記被加工物を配置する工程は、前記
被加工物の移動方向における先端を、該移動方向におけ
る最も奥に位置する前記紫外光照射光源の手前に位置さ
せる請求項13記載の紫外光照射方法。
14. The step of arranging the workpiece, wherein the tip of the workpiece in the moving direction is positioned in front of the deepest ultraviolet light source in the moving direction. UV light irradiation method.
【請求項15】 前記被加工物を相対移動させる工程
は、前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対
移動速度がaP/J(Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し一方向に相対移動するよう制御される請求項1
3又は14記載の紫外光照射方法。
15. The method according to claim 15, wherein the relative movement speed of the workpiece in the ultraviolet light irradiation range is aP / J (where P is the average light amount per unit area, and J is the workpiece 2. The apparatus according to claim 1, wherein the workpiece is controlled so as to move in one direction relative to the ultraviolet light irradiation light source when the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the workpiece is equal to or less.
15. The ultraviolet light irradiation method according to 3 or 14.
【請求項16】 前記被加工物を相対移動させる工程
は、前記紫外光の照射範囲における前記被加工物の相対
移動速度が2aP/J(Pはその単位面積当りの平均光
量、Jは被加工物の洗浄又は改質に必要な単位面積当り
の積算光量)以下で、前記被加工物が前記紫外光照射光
源に対し往復方向に相対移動するよう制御される請求項
13又は14記載の紫外光照射方法。
16. The step of relative moving the workpiece includes the step of controlling the relative movement speed of the workpiece in the irradiation range of the ultraviolet light to 2aP / J (where P is the average amount of light per unit area, and J is the workpiece). 15. The ultraviolet light according to claim 13, wherein the workpiece is controlled to move relative to the ultraviolet light irradiation light source in a reciprocating direction when the integrated light quantity per unit area required for cleaning or modifying the workpiece is equal to or less than 15. Irradiation method.
【請求項17】 前記紫外光照射光源が、誘電体エキシ
マランプである請求項9〜16のいずれかに記載の紫外
光照射方法。
17. The ultraviolet light irradiation method according to claim 9, wherein the ultraviolet light irradiation light source is a dielectric excimer lamp.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1391243A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-25 Genetix Limited Method of cleaning an implement during handling a plurality of samples
JP2007098357A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Fujitsu Ltd Apparatus and method for photochemistry treatment
JP2008069390A (en) * 2006-09-13 2008-03-27 Seiko Epson Corp Surface modification method and surface modification device
JP2008116674A (en) * 2006-11-02 2008-05-22 Au Optronics Corp Equipment and method for manufacturing liquid crystal panel
JP2010029784A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp Dielectric barrier discharge lamp apparatus
JP2016058524A (en) * 2014-09-09 2016-04-21 東京応化工業株式会社 Ultraviolet irradiation device, ultraviolet irradiation method, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate processing apparatus
CN108672413A (en) * 2018-08-01 2018-10-19 中山普宏光电科技有限公司 A kind of excimer laser intelligence cleaning equipment
JP2019098282A (en) * 2017-12-06 2019-06-24 株式会社Screenホールディングス Light irradiation device and thin film formation device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1391243A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-25 Genetix Limited Method of cleaning an implement during handling a plurality of samples
JP2007098357A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Fujitsu Ltd Apparatus and method for photochemistry treatment
JP2008069390A (en) * 2006-09-13 2008-03-27 Seiko Epson Corp Surface modification method and surface modification device
JP2008116674A (en) * 2006-11-02 2008-05-22 Au Optronics Corp Equipment and method for manufacturing liquid crystal panel
JP2010029784A (en) * 2008-07-29 2010-02-12 Harison Toshiba Lighting Corp Dielectric barrier discharge lamp apparatus
JP2016058524A (en) * 2014-09-09 2016-04-21 東京応化工業株式会社 Ultraviolet irradiation device, ultraviolet irradiation method, substrate processing apparatus, and method of manufacturing substrate processing apparatus
JP2019098282A (en) * 2017-12-06 2019-06-24 株式会社Screenホールディングス Light irradiation device and thin film formation device
CN108672413A (en) * 2018-08-01 2018-10-19 中山普宏光电科技有限公司 A kind of excimer laser intelligence cleaning equipment

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