JP2634191B2 - Probe card - Google Patents
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- JP2634191B2 JP2634191B2 JP63127469A JP12746988A JP2634191B2 JP 2634191 B2 JP2634191 B2 JP 2634191B2 JP 63127469 A JP63127469 A JP 63127469A JP 12746988 A JP12746988 A JP 12746988A JP 2634191 B2 JP2634191 B2 JP 2634191B2
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- probe
- hole
- card substrate
- fixing member
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウエハに形成された半導体素子の電
気的特性の測定に用いられるプローブカードに関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a probe card used for measuring electrical characteristics of a semiconductor element formed on a semiconductor wafer.
（従来の技術） 第３図（ａ）は従来例のプローブカードの平面図であ
り、第３図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面
図である。これらの図に示されている従来例のプローブ
カード１は、平面視形状がほぼ矩形をなすプローブカー
ド基板２を備えている。このプローブカード基板２の表
面３には、複数の配線パターン4,…が形成されている。
この配線パターン4,…の一端はプローブカード基板２の
端部５側のコネクタ端子６のそれぞれに個別に接続され
ている。また、配線パターン4,…の他端は、プローブカ
ード基板２のほぼ中央部の所定箇所に形成された平面円
形の貫通孔７の内周縁部にまで延びて形成されている。(Prior Art) FIG. 3 (a) is a plan view of a conventional probe card, and FIG. 3 (b) is a sectional view taken along line AA of FIG. 3 (a). The conventional probe card 1 shown in these figures includes a probe card substrate 2 having a substantially rectangular shape in plan view. A plurality of wiring patterns 4,... Are formed on the surface 3 of the probe card substrate 2.
One ends of the wiring patterns 4,... Are individually connected to the respective connector terminals 6 on the end 5 side of the probe card board 2. The other ends of the wiring patterns 4,... Are formed so as to extend to the inner peripheral edge of the circular flat through-hole 7 formed at a predetermined position substantially in the center of the probe card substrate 2.
８はプローブカード基板２の厚みよりも厚く、かつ、
その平面視形状が貫通孔７と対応した外形に形成された
固定部材であって、その外周壁面がプローブカード基板
２の貫通孔７の内周壁面に当接するようにして、その貫
通孔７内に配設されている。8 is thicker than the thickness of the probe card substrate 2 and
A fixing member having a shape in plan view corresponding to the outer shape of the through hole 7, the outer wall surface of which is in contact with the inner wall surface of the through hole 7 of the probe card substrate 2, and It is arranged in.
9,…は複数の、この例では６本の、プローブ針であっ
て、各プローブ針9,…は、それらの各先端9a,…がプロ
ーブカード基板２の裏面側から下方へ突出するように、
プローブカード基板２の貫通孔７の内周壁面に、固定部
材８を介して固定されている。Are a plurality of probe needles, in this example, six probe needles. Each probe needle 9,... Has its tip 9a,. ,
It is fixed to the inner peripheral wall surface of the through hole 7 of the probe card substrate 2 via a fixing member 8.
上記構成の従来例のプローブカード１による半導体素
子の電気的特性の測定においては、まず、プローブ針9,
…それぞれの位置を、図示しない半導体ウエハ上に形成
された半導体素子のパッドと対応した位置に設定し、そ
のプローブ針9,…の各先端9a,…をプローブカード基板
２の貫通孔７から突出させた状態でもって、固定部材８
を介してプローブカード基板２にそのプローブ針9,…を
固定する。次いで、このプローブカード１と測定対象で
ある半導体ウエハとを、互いに対向配置した状態でウエ
ハプロービング装置に装着し、プローブ針9,…を通じて
半導体素子と外部電源と測定機器などとの間で測定用入
出力信号の授受を行うことにより、半導体素子の電気的
特性を測定する。In the measurement of the electrical characteristics of the semiconductor element by the conventional probe card 1 having the above configuration, first, the probe needles 9 and
.. Are set at positions corresponding to the pads of the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer (not shown), and the tips 9a of the probe needles 9 project from the through holes 7 of the probe card substrate 2. The fixing member 8
Are fixed to the probe card board 2 via the probe needles 9,. Next, the probe card 1 and the semiconductor wafer to be measured are mounted on a wafer probing apparatus in a state where they are opposed to each other, and a probe needle 9,... By transmitting and receiving input / output signals, electrical characteristics of the semiconductor element are measured.
（発明が解決しようとする課題） 上記のプローブカードを用いての半導体素子の電気的
測定にあっては、半導体素子の入力側と出力側とのそれ
ぞれに対応するプローブ針間に存在している寄生容量を
介してその入出力間に高周波成分が正帰還されることが
あり、その正帰還により発振現象が発生して半導体素子
の電気的特性を高精度で測定することができなくなるこ
とがあるという問題があった。(Problems to be Solved by the Invention) In the electrical measurement of a semiconductor element using the above-described probe card, the electric current exists between probe needles corresponding to the input side and the output side of the semiconductor element. High-frequency components may be positively fed back between the input and output via a parasitic capacitance, and the positive feedback may cause an oscillation phenomenon, making it impossible to measure the electrical characteristics of the semiconductor element with high accuracy. There was a problem.
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導
体素子の入出力側に対応するプローブ針相互間に存在す
る寄生容量による高周波成分を吸収することで、上記発
振現象を抑制して、半導体素子の電気的特性を高精度で
確実に行うことができるようにすることを目的としてい
る。The present invention has been made in view of the above, and suppresses the oscillation phenomenon by absorbing a high-frequency component due to a parasitic capacitance existing between probe needles corresponding to the input and output sides of a semiconductor element, It is an object of the present invention to ensure that electrical characteristics of a semiconductor element can be accurately and accurately performed.
（課題を解決するための手段） 前記目的を達成するためには、本発明のプローブカー
ドにおいては、配線パターンを備え、かつ、当該表面か
ら裏面にかけて貫通した貫通孔を所定箇所に有するとと
もに、前記配線パターンがその貫通孔の内周縁部にまで
延びて形成されたプローブカード基板と、前記プローブ
カード基板におけるその貫通孔の内周壁面にその外周壁
面が入り込むことのできる外形を有し、かつ前記プロー
ブカード基板の前記内周壁面とその外周壁面とが当接す
るように当該貫通孔内部に配設された固定部材と、一端
が前記配線パターンに接続され、他端におけるその先端
部が前記プローブカード基板の裏面側から下方へ向けて
突出するように前記固定部材を介して固定されたプロー
ブ針とを具備したプローブカードにおいて、前記固定部
材には、少なくとも前記プローブ針付近の部分に電波吸
収材が混入されていることを特徴としている。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, in the probe card of the present invention, a wiring pattern is provided, and a through hole penetrating from the front surface to the back surface is provided at a predetermined position, and A probe card substrate formed by extending the wiring pattern to the inner peripheral edge of the through hole, having an outer shape such that the outer peripheral wall surface can enter the inner peripheral wall surface of the through hole in the probe card substrate, and A fixing member disposed inside the through-hole so that the inner peripheral wall surface of the probe card substrate and the outer peripheral wall surface thereof come into contact with each other; one end connected to the wiring pattern; A probe card comprising: a probe needle fixed via the fixing member so as to protrude downward from the rear surface side of the substrate; A radio wave absorbing material is mixed into the fixing member at least in a portion near the probe needle.
（作用） かかる構成によれば、固定部材に電波吸収材が混入さ
れているので、半導体素子の入出力間に対応するプロー
ブ針相互間に存在する寄生容量に付随して発生した発振
現象に伴って生起する高周波成分は、その電波吸収材で
吸収されることから、その高周波成分が正帰還されなく
なり、その結果、その発振現象は効果的に抑制されるこ
とになる。(Operation) According to this configuration, since the radio wave absorbing material is mixed into the fixing member, the radio wave absorbing material accompanies the oscillation phenomenon generated due to the parasitic capacitance existing between the probe needles corresponding to the input and output of the semiconductor element. Since the high-frequency components generated by the absorption are absorbed by the radio wave absorbing material, the high-frequency components are not fed back positively, and as a result, the oscillation phenomenon is effectively suppressed.
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。第１図（ａ）は本発明の実施例に係るプローブカー
ドの平面図であり、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＢ−
Ｂ線に沿う断面図であり、第２図は同実施例のプローブ
カードをプロービング装置に組み込んだ場合の断面図で
ある。これらの図に示された本実施例のプローブカード
10において、それが有する部分および部品と、従来例に
係る第３図（ａ）および第３図（ｂ）のプローブカード
１と対応する部分および部品には同一の符号を付し、そ
れらについては名称を列記するにとどめて、その詳細な
説明は省略する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view of a probe card according to an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line B, and FIG. 2 is a cross-sectional view when the probe card of the embodiment is incorporated in a probing device. Probe card of the present embodiment shown in these figures
In FIG. 10, the same reference numerals are given to the parts and components of the probe card and the parts and components corresponding to the probe card 1 of FIGS. 3 (a) and 3 (b) according to the conventional example. Only the names are listed, and a detailed description thereof is omitted.
すなわち、２はプローブカード基板、３はプローブカ
ード基板２の表面、４はプローブカード基板２の表面３
に形成された配線パターン、６はプローブカード基板２
の端部５に取り付けられたコネクタ端子、７はプローブ
カード基板２に形成された貫通孔、８はその貫通孔７に
固定された固定部材、９はプローブ針、9aはそのプロー
ブ針９の先端である。That is, 2 is the probe card substrate, 3 is the surface of the probe card substrate 2, and 4 is the surface 3 of the probe card substrate 2.
6 is the probe card substrate 2
7 is a through hole formed in the probe card substrate 2, 8 is a fixing member fixed to the through hole 7, 9 is a probe needle, 9a is a tip of the probe needle 9 It is.
固定部材８を除いては、従来例と同様の上記基本構成
を有する本実施例のプローブカード10にあっては、固定
部材８がフェライト粉などの磁性材料からなる電波吸収
材がエポキシ系樹脂中に混入された構造になっているこ
とに特徴を有している。Except for the fixing member 8, in the probe card 10 of the present embodiment having the same basic configuration as that of the conventional example, the fixing member 8 is made of a radio wave absorbing material made of a magnetic material such as ferrite powder in an epoxy resin. It is characterized in that it has a structure mixed in.
この場合、この固定部材８中の電波吸収材は必ずしも
その固定部材８の全体に混入されている必要はなく、少
なくともプローブ針付近のところに部分的に混入されて
いるだけであってもよい。In this case, the radio wave absorbing material in the fixing member 8 does not necessarily have to be mixed into the whole of the fixing member 8, but may be mixed only partially at least in the vicinity of the probe needle.
そして、本実施例では、そのような構成の固定部材８
が、その外周壁面が貫通孔７の内周壁面に対応させられ
た状態でその貫通孔７の内部に配置されている。In the present embodiment, the fixing member 8 having such a configuration is used.
However, it is arranged inside the through-hole 7 with its outer peripheral wall corresponding to the inner peripheral wall of the through-hole 7.
上記構成を有する本実施例のプローブカード10による
半導体素子の電気的測定は、まず、第２図に示すよう
に、プロービング装置のステージ11の上に配置された半
導体ウエハ12の表面に形成されている半導体素子の各パ
ッド13,…に対向するように各プローブ針9,…を位置決
めし、各プローブ針9,…それぞれの先端9a,…をプロー
ブカード基板２の貫通孔７から下方に突出させ、電波吸
収材が混入されている固定部材８を介してプローブカー
ド基板２を固定配置する。その状態で、プロービング装
置のステージ11上に載置固定されている半導体ウエハ12
に大してプローブ針9,…それぞれの各先端9a,…を、半
導体素子のパッド13にそれぞれ接触させ、各プローブ針
9,…と、配線パターン４と、コネクタ端子６とを介して
半導体素子と外部電源や測定機器などとの間で測定用入
出力信号の授受を行わせて、この半導体素子の電気的特
性の測定を行う。First, as shown in FIG. 2, the electrical measurement of the semiconductor element by the probe card 10 of the present embodiment having the above configuration is performed by forming the semiconductor element on the surface of the semiconductor wafer 12 placed on the stage 11 of the probing apparatus. Are positioned so as to oppose the pads 13 of the semiconductor element, and the tips 9a of the probe needles 9 project downward from the through holes 7 of the probe card substrate 2. Then, the probe card substrate 2 is fixedly arranged via the fixing member 8 in which the radio wave absorbing material is mixed. In this state, the semiconductor wafer 12 fixed on the stage 11 of the probing apparatus is fixed.
The tips 9a,... Of the probe needles 9,.
9,..., Via the wiring pattern 4 and the connector terminal 6, the semiconductor device and the external power supply, measurement equipment, and the like transmit and receive measurement input / output signals, thereby obtaining electrical characteristics of the semiconductor device. Perform the measurement.
この測定において、半導体素子の入力側および出力側
のそれぞれに対応しているプローブ針間に存在している
上記の寄生容量を介してその入出力間に高周波成分の正
帰還がかかって発振現象が生起することになるが、本実
施例においては固定部材の内部に混入されている電波吸
収材により、その高周波成分が吸収されることから、上
記発振現象が抑制されることとなる。In this measurement, positive feedback of a high-frequency component is applied between the input and output through the above-mentioned parasitic capacitance existing between the probe needles corresponding to the input side and the output side of the semiconductor element, and the oscillation phenomenon occurs. In this embodiment, the high frequency component is absorbed by the radio wave absorbing material mixed inside the fixing member, so that the oscillation phenomenon is suppressed.
この場合、１つの半導体素子の電気的測定が終了する
ごとに、プロービング装置のステージを所定距離ずつ移
動させることにより、半導体ウエハに形成された半導体
素子の電気的特性の測定を順次に行う。In this case, each time the electrical measurement of one semiconductor element is completed, the stage of the probing device is moved by a predetermined distance, thereby sequentially measuring the electrical characteristics of the semiconductor elements formed on the semiconductor wafer.
（発明の効果） 以上説明したことから明らかなように本発明によれ
ば、固定部材中に電波吸収材が混入されていることか
ら、半導体素子およびその電気的特性の測定系を介して
発生する発振現象による高周波成分については、これ
を、その電波吸収材によって、効果的に吸収させること
ができる。したがって、本発明では半導体素子の電気的
特性の測定を高精度で確実に行うことができる。(Effects of the Invention) As is apparent from the above description, according to the present invention, since the radio wave absorbing material is mixed in the fixing member, the electric wave is generated via the measurement system of the semiconductor element and its electric characteristics. The high frequency component due to the oscillation phenomenon can be effectively absorbed by the radio wave absorbing material. Therefore, in the present invention, the electrical characteristics of the semiconductor element can be measured with high accuracy and reliability.
第１図（ａ）は本発明の一実施例に係る半導体素子のプ
ローブカードの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線に沿う断面図、第２図はプロービング装置のス
テージと、その上に配置された半導体ウエハと、その半
導体ウエハのパッド上にプローブ針が接触した状態にあ
る第１図（ｂ）に対応するそのプローブカードの断面図
である。 第３図（ａ）は従来例のプローブカードの平面図、第３
図（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図であ
る。 ２…プローブカード基板,3…プローブカード基板の表
面、４…配線パターン、６…コネクタ端子、７…貫通
孔、８…固定部材、９…プローブ針、9a…プローブ針の
先端、10…プローブカード、11…ステージ、12…半導体
ウエハ、13…半導体ウエハのパッド。 図中、同一符号は同一部分または相当部分を示してい
る。FIG. 1A is a plan view of a probe card of a semiconductor device according to one embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 1A, and FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a stage of a probing apparatus, a semiconductor wafer placed thereon, and the probe card corresponding to FIG. 1B in a state where probe needles are in contact with pads of the semiconductor wafer. FIG. 3A is a plan view of a conventional probe card, and FIG.
FIG. 3B is a sectional view taken along line AA in FIG. 3A. 2: Probe card substrate, 3: Surface of probe card substrate, 4: Wiring pattern, 6: Connector terminal, 7: Through hole, 8: Fixing member, 9: Probe needle, 9a: Tip of probe needle, 10: Probe card , 11 ... stage, 12 ... semiconductor wafer, 13 ... semiconductor wafer pad. In the drawings, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
裏面にかけて貫通した貫通孔を所定箇所に有するととも
に、前記配線パターンがその貫通孔の内周縁部にまで延
びて形成されたプローブカード基板と、前記プローブカ
ード基板におけるその貫通孔の内周壁面にその外周壁面
が入り込むことのできる外形を有し、かつ前記プローブ
カード基板の前記内周壁面とその外周壁面とが当接する
ように当該貫通孔内部に配設された固定部材と、一端が
前記配線パターンに接続され、他端におけるその先端部
が前記プローブカード基板の裏面側から下方へ向けて突
出するように前記固定部材を介して固定されたプローブ
針とを具備したプローブカードにおいて、 前記固定部材には、少なくとも前記プローブ針付近の部
分に電波吸収材が混入されていることを特徴とするプロ
ーブカード。A probe card substrate provided with a wiring pattern and having a through hole at a predetermined position penetrating from the front surface to the back surface, and the wiring pattern extending to an inner peripheral edge of the through hole; The probe card substrate has an outer shape such that the outer peripheral wall surface can enter the inner peripheral wall surface of the through hole, and the through hole is provided such that the inner peripheral wall surface of the probe card substrate and the outer peripheral wall come into contact with each other. A fixing member disposed inside, and one end is connected to the wiring pattern, and the other end is fixed via the fixing member so that a tip portion at the other end protrudes downward from the back side of the probe card substrate. In the probe card, the radio wave absorbing material is mixed in at least a portion near the probe needle. A probe card characterized in that:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127469A JP2634191B2 (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127469A JP2634191B2 (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Probe card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296167A JPH01296167A (en) | 1989-11-29 |
| JP2634191B2 true JP2634191B2 (en) | 1997-07-23 |
Family
ID=14960699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127469A Expired - Lifetime JP2634191B2 (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2634191B2 (en) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| US5134365A (en) * | 1989-07-11 | 1992-07-28 | Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha | Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained |
| US5055778A (en) * | 1989-10-02 | 1991-10-08 | Nihon Denshizairyo Kabushiki Kaisha | Probe card in which contact pressure and relative position of each probe end are correctly maintained |
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| WO2003052435A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
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| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63127469A patent/JP2634191B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01296167A (en) | 1989-11-29 |
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