JP2017059766A - Wafer processing method - Google Patents
Wafer processing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017059766A JP2017059766A JP2015185585A JP2015185585A JP2017059766A JP 2017059766 A JP2017059766 A JP 2017059766A JP 2015185585 A JP2015185585 A JP 2015185585A JP 2015185585 A JP2015185585 A JP 2015185585A JP 2017059766 A JP2017059766 A JP 2017059766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective film
- modified layer
- forming step
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 52
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 28
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 73
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a predetermined division line formed in a lattice pattern on the surface into individual devices along the predetermined division line.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by division lines arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially disc-shaped semiconductor wafer, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned regions. . Then, by cutting the semiconductor wafer along the planned dividing line, the region where the device is formed is divided to manufacture individual devices.
上述した半導体ウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる加工送り手段とを具備し、切削ブレードを回転しつつ被加工物を保持したチャックテーブルを加工送りすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って切断する。 The above-described cutting along the division line of the semiconductor wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus is configured to move a chuck table that holds a workpiece, a cutting unit that includes a cutting blade for cutting the workpiece held on the chuck table, and the chuck table and the cutting unit. The wafer is cut along the planned division line by feeding the chuck table holding the workpiece while rotating the cutting blade.
しかるに、上述した切削装置の切削ブレードによってウエーハを切断すると、分割された個々のデバイスの外周に細かな欠けが生じやすく、デバイスの抗折強度を低下させる原因となっている。このような問題を解消するために、ウエーハの表面または裏面にレジスト膜を被覆し、該レジスト膜の分割予定ラインに対応する領域を露光することにより現像して除去し、その後、ウエーハをレジスト膜側からプラズマエッチングによって分割予定ラインに沿ってエッチングすることにより、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 However, when the wafer is cut by the cutting blade of the above-described cutting apparatus, fine chips are likely to be generated on the outer periphery of each divided device, which causes a reduction in the bending strength of the device. In order to solve such a problem, a resist film is coated on the front or back surface of the wafer, and a region corresponding to the division line of the resist film is developed and removed, and then the wafer is removed from the resist film. There has been proposed a method of dividing a wafer along a planned division line by performing etching along the planned division line from the side (for example, see Patent Document 1).
また、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を位置付けてパルスレーザー光線を照射する内部加工と呼ばれるレーザー加工方法も実用化されている。この内部加工と呼ばれるレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を位置付けてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを破断して分割する技術である（例えば、特許文献２参照）。 In addition, as a method of dividing the wafer along the planned dividing line, an internal processing is performed in which a pulse laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is used, and a focusing point is positioned inside the region to be divided and the pulse laser beam is irradiated. The laser processing method called is also put into practical use. The division method using a laser processing method called internal processing is to irradiate a pulse laser beam having a wavelength having transparency to the wafer from one side of the wafer and irradiate the wafer with a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer. A technology that breaks and divides a wafer by continuously forming a modified layer along the planned dividing line and applying an external force along the planned dividing line whose strength has been reduced by forming the modified layer. (For example, see Patent Document 2).
しかるに、ウエーハが上述した内部加工と呼ばれるレーザー加工方法によって分割されたデバイスの側面には改質層が残存しているために抗折強度を低下させるという問題があり、個々に分割されたデバイスの側面をプラズマエッチングして改質層をエッチング除去することにより抗折強度を高める必要がある。 However, there is a problem that the bending strength is lowered because the modified layer remains on the side surface of the device divided by the laser processing method called the internal processing described above. It is necessary to increase the bending strength by plasma-etching the side surface and etching away the modified layer.
上述したプラズマエッチングを用いる加工方法においては、ウエーハの表面または裏面に被覆するレジスト膜がＴＭＡＨ（テトラ メチル アンモニウム ヒドロキシド）と称する毒性のある現像液によって加工すべき領域から除去されるとともに、プラズマエッチングが終了した後のレジスト膜は、ＮＭＰ（Ｎ−メチル ピロリドン）と称する有機溶剤でウエーハの全面から除去されるため、環境を汚染する恐れがあることから専用の処理設備が必要となり、設備の維持費が高く生産性が悪いという問題がある。 In the processing method using plasma etching described above, the resist film that covers the front or back surface of the wafer is removed from the region to be processed by a toxic developer called TMAH (tetramethylammonium hydroxide) and plasma etching is performed. After the process is completed, the resist film is removed from the entire surface of the wafer with an organic solvent called NMP (N-methylpyrrolidone), which may contaminate the environment. There is a problem of high cost and low productivity.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、露光装置および現像装置を用いず専用の処理設備を用いることなくプラズマエッチングによってウエーハを分割予定ラインに沿って抗折強度の高いデバイスに分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is that the bending strength of the wafer is divided along the planned dividing line by plasma etching without using an exposure apparatus and a developing apparatus and without using a dedicated processing facility. It is an object of the present invention to provide a method for processing a wafer that can be divided into devices having a high height.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面または裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの表面または裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該改質層形成工程および該保護膜形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、隣接するデバイスとデバイスとの間に隙間を形成する分割工程と、
該分割工程が実施されたウエーハの該保護膜側からプラズマ化されたエッチングガスを供給してデバイスの側面に残存する改質層をエッチングして除去するエッチング工程と、
該エッチング工程が実施されたデバイスに水を供給して水溶性樹脂からなる該保護膜を除去する保護膜除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a plurality of division lines are formed in a lattice shape on the surface, and a device is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of division lines. A wafer processing method for dividing a wafer into individual devices along a division line.
A laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer from the front or back surface of the wafer is positioned along the planned dividing line, and a modified layer is formed along the planned dividing line inside the wafer. A modified layer forming step,
A protective film forming step of forming a protective film by coating a water-soluble resin on the front or back surface of the wafer;
An external force is applied to the wafer on which the modified layer forming step and the protective film forming step have been performed, and the wafer is divided into individual devices along the division line on which the modified layer is formed, and adjacent devices A dividing step of forming a gap with the device;
An etching step of supplying a plasma etching gas from the protective film side of the wafer subjected to the dividing step to etch and remove the modified layer remaining on the side surface of the device;
A protective film removing step of supplying water to the device subjected to the etching step to remove the protective film made of a water-soluble resin,
A method for processing a wafer is provided.
上記保護膜形成工程は、改質層形成工程を実施する前に実施する。
また、上記保護膜形成工程および改質層形成工程を実施する前に、ウエーハの裏面または表面を環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。
上記分割工程は、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハに引っ張り力を付与することにより、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに隣接するデバイスとデバイスとの間に隙間を形成する。
また、上記ウエーハ支持工程を実施する前に、ウエーハの表面に保護部材を貼着しウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。
更に、上記裏面研削工程を実施する前に、ウエーハの表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する。
The protective film forming step is performed before the modified layer forming step.
Further, before carrying out the protective film forming step and the modified layer forming step, the back surface or front surface of the wafer is attached to the surface of the adhesive tape having the outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame. Implement wafer support process.
In the dividing step, the wafer is divided into individual devices along the planned dividing line on which the modified layer is formed by expanding the adhesive tape to which the wafer is adhered and applying a tensile force to the wafer. A gap is formed between the devices to be operated.
Further, before performing the wafer support step, a back surface grinding step is performed in which a protective member is attached to the surface of the wafer and the back surface of the wafer is ground to form a predetermined thickness.
Furthermore, before performing the said back surface grinding process, the protective film formation process which coat | covers water-soluble resin on the surface of a wafer, and forms a protective film is implemented.
本発明におけるウエーハの加工方法は、ウエーハの表面または裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハの表面または裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、改質層形成工程および保護膜形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、隣接するデバイスとデバイスとの間に隙間を形成する分割工程と、分割工程が実施されたウエーハの保護膜側からプラズマ化されたエッチングガスを供給してデバイスの側面に残存する改質層をエッチングして除去するエッチング工程と、エッチング工程が実施されたデバイスに水を供給して水溶性樹脂からなる保護膜を除去する保護膜除去工程とを含んでいるので、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、隣接するデバイスとデバイスとの間に間隙を形成して保持した状態でエッチング工程を実施するため、デバイス毎に水溶性樹脂からなる保護膜が被覆され加工すべき領域からレジスト膜を除去する必要がない。
また、個々のデバイスの表面または裏面に被覆された保護膜は毒性のない水溶性樹脂によって形成されているので、環境汚染がないとともに、専用の処理設備が不要となり経済的である。
In the wafer processing method of the present invention, a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer from the front surface or the back surface of the wafer is irradiated along the planned dividing line with a condensing point positioned inside, and scheduled to be divided inside the wafer. A modified layer forming step for forming a modified layer along the line, a protective film forming step for forming a protective film by coating a water-soluble resin on the front or back surface of the wafer, a modified layer forming step, and a protective film forming A splitting process in which external force is applied to the wafer on which the process has been performed, and the wafer is split into individual devices along the planned split line on which the modified layer is formed, and a gap is formed between adjacent devices. Etching the modified layer remaining on the side of the device by supplying plasma etching gas from the protective film side of the wafer where the split process was performed And a protective film removal step for removing the protective film made of a water-soluble resin by supplying water to the device on which the etching process has been performed. The device is divided into individual devices along the line and the etching process is carried out with a gap formed between adjacent devices, so that each device is covered with a protective film made of a water-soluble resin. There is no need to remove the resist film from the region to be processed.
In addition, since the protective film coated on the front or back surface of each device is formed of a non-toxic water-soluble resin, there is no environmental pollution and a dedicated processing facility is unnecessary, which is economical.
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a wafer processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明に従って加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、厚みが例えば５００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数の分割予定ライン２１が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。以下、この半導体ウエーハ２を分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するウエーハの加工方法について説明する。 FIG. 1 shows a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer to be processed according to the present invention. The semiconductor wafer 2 shown in FIG. 1 is made of a silicon wafer having a thickness of, for example, 500 μm, and a plurality of division lines 21 are formed in a lattice shape on the surface 2a and are partitioned by the plurality of division lines 21. In addition, devices 22 such as IC and LSI are formed in a plurality of regions. Hereinafter, a wafer processing method for dividing the semiconductor wafer 2 into the individual devices 22 along the planned division line 21 will be described.
先ず、半導体ウエーハ２の表面または裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する。この保護膜形成工程は、図２の（ａ）および（ｂ）に示す保護膜形成装置３を用いて実施する。図２の（ａ）および（ｂ）に示す保護膜形成装置３は、ウエーハを保持するスピンナーテーブル３１と、該スピンナーテーブル３１の回転中心における上方に配置された樹脂液供給ノズル３２を具備している。このように構成された保護膜形成装置３のスピンナーテーブル３１上に半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動し、スピンナーテーブル３１上に半導体ウエーハ２を吸引保持する。従って、スピンナーテーブル３１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面２ａが上側となる。このようにして、スピンナーテーブル３１上に半導体ウエーハ２を保持したならば、図２の（ｂ）に示すようにスピンナーテーブル３１を矢印で示す方向に所定の回転速度（例えば３００〜１０００ｒｐｍ）で回転しつつ、スピンナーテーブル３１の上方に配置された樹脂液供給ノズル３２から半導体ウエーハ２の表面２ａの中央領域に所定量の水溶性の液状樹脂３０を滴下する。そして、スピンナーテーブル３１を６０秒間程度回転することにより、図２の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａに保護膜３００が形成される。半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆する保護膜３００の厚さは、上記液状樹脂３０の滴下量によって決まるが、５０μｍ程度でよい。なお、水溶性の液状樹脂３０は、紫外線を照射することにより硬化する液状樹脂が望ましく、ポリビニールアルコール（ＰＶＡ）、水溶性フェノール樹脂、アクリル系水溶性樹脂等の水溶性樹脂を用いることができる。 First, a protective film forming step is performed in which a protective film is formed by coating a water-soluble resin on the front or back surface of the semiconductor wafer 2. This protective film formation process is implemented using the protective film formation apparatus 3 shown to (a) and (b) of FIG. A protective film forming apparatus 3 shown in FIGS. 2A and 2B includes a spinner table 31 that holds a wafer, and a resin liquid supply nozzle 32 that is disposed above the rotation center of the spinner table 31. Yes. The back surface 2b side of the semiconductor wafer 2 is placed on the spinner table 31 of the protective film forming apparatus 3 configured as described above. Then, a suction means (not shown) is operated to suck and hold the semiconductor wafer 2 on the spinner table 31. Therefore, the surface 2a of the semiconductor wafer 2 held on the spinner table 31 is on the upper side. If the semiconductor wafer 2 is held on the spinner table 31 in this way, the spinner table 31 is rotated at a predetermined rotational speed (for example, 300 to 1000 rpm) in the direction indicated by the arrow as shown in FIG. At the same time, a predetermined amount of water-soluble liquid resin 30 is dropped from the resin liquid supply nozzle 32 disposed above the spinner table 31 to the central region of the surface 2 a of the semiconductor wafer 2. Then, by rotating the spinner table 31 for about 60 seconds, a protective film 300 is formed on the surface 2a of the semiconductor wafer 2 as shown in FIG. The thickness of the protective film 300 covering the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is determined by the amount of the liquid resin 30 dropped, but may be about 50 μm. The water-soluble liquid resin 30 is preferably a liquid resin that is cured by irradiating ultraviolet rays, and water-soluble resins such as polyvinyl alcohol (PVA), water-soluble phenol resin, and acrylic water-soluble resin can be used. .
上述した保護膜形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆された保護膜３００に紫外線を照射して硬化する保護膜硬化工程を実施する。即ち、図３に示すように、半導体ウエーハ２の表面２ａに被覆された保護膜３００に紫外線照射器４によって紫外線を照射する。この結果、紫外線を照射することにより硬化する液状樹脂によって形成された保護膜３００は硬化せしめられる。 If the protective film formation process described above is performed, a protective film curing process is performed in which the protective film 300 coated on the surface 2a of the semiconductor wafer 2 is irradiated with ultraviolet rays to be cured. That is, as shown in FIG. 3, the ultraviolet ray irradiator 4 irradiates the protective film 300 covered on the surface 2 a of the semiconductor wafer 2 with ultraviolet rays. As a result, the protective film 300 formed of a liquid resin that is cured by irradiating with ultraviolet rays is cured.
次に、上記保護膜硬化工程を実施することによって硬化せしめられた保護膜３００の表面３００ａに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図４に示すように半導体ウエーハ２の表面に被覆された保護膜３００の表面３００ａに保護部材としての保護テープＰＴを貼着する。なお、保護テープＰＴは、図示の実施形態においては厚さが１００μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート状基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ５μｍ程度塗布されている。 Next, the protective member sticking process which sticks a protective member on the surface 300a of the protective film 300 hardened | cured by implementing the said protective film hardening process is implemented. That is, as shown in FIG. 4, a protective tape PT as a protective member is attached to the surface 300a of the protective film 300 covered on the surface of the semiconductor wafer 2. In the illustrated embodiment, the protective tape PT has an acrylic resin-based paste applied to the surface of a sheet-like substrate made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of 100 μm to a thickness of about 5 μm.
上記保護部材貼着工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図５の（ａ）に示す研削装置５を用いて実施する。図５の（ａ）に示す研削装置５は、被加工物を保持する保持手段としてのチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない回転駆動機構によって図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５３１と、該スピンドルハウジング５３１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５３２と、該回転スピンドル５３２の下端に装着されたマウンター５３３と、該マウンター５３３の下面に取り付けられた研削ホイール５３４とを具備している。この研削ホイール５３４は、円環状の基台５３５と、該基台５３５の下面に環状に装着された研削砥石５３６とからなっており、基台５３５がマウンター５３３の下面に締結ボルト５３７によって取り付けられている。 If the said protection member sticking process is implemented, the back surface grinding process which grinds the back surface of the semiconductor wafer 2 and will form in predetermined thickness will be implemented. This back grinding process is performed using a grinding apparatus 5 shown in FIG. A grinding apparatus 5 shown in FIG. 5A includes a chuck table 51 as a holding unit for holding a workpiece, and a grinding unit 52 for grinding the workpiece held on the chuck table 51. . The chuck table 51 is configured to suck and hold the workpiece on the upper surface, and is rotated in a direction indicated by an arrow 51a in FIG. 5A by a rotation driving mechanism (not shown). The grinding means 52 includes a spindle housing 531, a rotary spindle 532 that is rotatably supported by the spindle housing 531 and is rotated by a rotary drive mechanism (not shown), a mounter 533 that is attached to the lower end of the rotary spindle 532, and the mounter And a grinding wheel 534 attached to the lower surface of 533. The grinding wheel 534 includes an annular base 535 and a grinding wheel 536 that is annularly attached to the lower surface of the base 535, and the base 535 is attached to the lower surface of the mounter 533 with fastening bolts 537. ing.
上述した研削装置５を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図５の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１の上面（保持面）に半導体ウエーハ２の表面に貼着されている保護テープＰＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープＰＴを介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２は、裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を保護テープＰＴを介して吸引保持したならば、チャックテーブル５１を図５の（ａ）において矢印５１ａで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５３４を図５の（ａ）において矢印５３４ａで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて、図５の（ｂ）に示すように研削砥石５３６を被加工面である半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめ、研削ホイール５３４を矢印５３４ｂで示すように例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方（チャックテーブル５１の保持面に対し垂直な方向）に所定量研削送りする。この結果、半導体ウエーハ２の裏面２ｂが研削されて半導体ウエーハ２は所定の厚み（例えば１００μｍ）に形成される。 In order to perform the back surface grinding process using the grinding apparatus 5 described above, as shown in FIG. 5 (a), the protection adhered to the surface of the semiconductor wafer 2 on the upper surface (holding surface) of the chuck table 51. Place the tape PT side. Then, the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 by the suction means (not shown) via the protective tape PT (wafer holding step). Therefore, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 51 is on the upper side. When the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 via the protective tape PT in this way, the grinding means is rotated while rotating the chuck table 51 in the direction indicated by the arrow 51a in FIG. 52, the grinding wheel 534 is rotated in the direction indicated by the arrow 534a in FIG. 5A at, for example, 6000 rpm, and the grinding wheel 536 is the back surface of the semiconductor wafer 2 which is the work surface as shown in FIG. 5B. 2b, and the grinding wheel 534 is ground and fed by a predetermined amount downward (in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 51) at a grinding feed rate of 1 μm / second, for example, as indicated by an arrow 534b. As a result, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is ground to form the semiconductor wafer 2 with a predetermined thickness (for example, 100 μm).
次に、半導体ウエーハ２の裏面または表面を環状のフレームの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。図示の実施形態においては、図６に示すように上記裏面研削工程が実施された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープＴの表面に貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に被覆された保護膜３００の表面３００ａに貼着されている保護部材としての保護テープＰＴを剥離する。従って、粘着テープＴの表面に貼着された半導体ウエーハ２は、表面に被覆された保護膜３００が上側となる。なお、粘着テープＴは、例えば厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に紫外線を照射することにより硬化し粘着力が低下する粘着糊が塗布されており、常温では伸縮性を有し所定温度（例えば７０度）以上の熱によって収縮する性質を有する。 Next, a wafer support process is performed in which the back surface or the front surface of the semiconductor wafer 2 is attached to the surface of an adhesive tape having an outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame. In the illustrated embodiment, as shown in FIG. 6, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 on which the back surface grinding process has been performed is formed on an adhesive tape T having an outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame F. Stick to the surface. Then, the protective tape PT as a protective member attached to the surface 300a of the protective film 300 coated on the surface of the semiconductor wafer 2 is peeled off. Therefore, as for the semiconductor wafer 2 stuck on the surface of the adhesive tape T, the protective film 300 coated on the surface is on the upper side. The adhesive tape T is coated with an adhesive paste that is cured by irradiating ultraviolet rays onto the surface of a sheet substrate made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of 70 μm, for example. It has a property of being stretchable and contracting by heat at a predetermined temperature (for example, 70 degrees) or more.
上述したウエーハ支持工程を実施したならば、半導体ウエーハ２の表面から半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ライン２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に分割予定ライン２１に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図７の（ａ）に示すレーザー加工装置６を用いて実施する。図７の（ａ）に示すレーザー加工装置６は、被加工物を保持するチャックテーブル６１と、該チャックテーブル６１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２と、チャックテーブル６１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段６３を具備している。チャックテーブル６１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図７の（ａ）において矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図７の（ａ）において矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
なお、改質層形成工程は、半導体ウエーハ２の裏面から半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ライン２１に沿って照射してもよく、この場合は、半導体ウエーハ２の表面を環状のフレームＦの内側開口部を覆うように外周部が装着された粘着テープＴの表面に貼着し、半導体ウエーハ２の裏面に保護膜３００を被覆してレーザー光線を照射する。
If the wafer support process described above is performed, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 2 is irradiated from the surface of the semiconductor wafer 2 along the planned dividing line 21 with a condensing point positioned inside. A modified layer forming step is performed in which a modified layer is formed along the planned division line 21 inside the wafer 2. This modified layer forming step is performed using a laser processing apparatus 6 shown in FIG. The laser processing apparatus 6 shown in FIG. 7A includes a chuck table 61 that holds a workpiece, laser beam irradiation means 62 that irradiates a workpiece held on the chuck table 61 with a laser beam, and a chuck table. An image pickup means 63 for picking up an image of the work piece held on 61 is provided. The chuck table 61 is configured to suck and hold a workpiece. The chuck table 61 is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 7A by a processing feed means (not shown), and an index feed means (not shown). Thus, it can be moved in the indexing feed direction indicated by the arrow Y in FIG.
In the modified layer forming step, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 2 may be irradiated from the back surface of the semiconductor wafer 2 along the planned division line 21 with the condensing point positioned therein, In this case, the surface of the semiconductor wafer 2 is adhered to the surface of the adhesive tape T with the outer peripheral portion mounted so as to cover the inner opening of the annular frame F, and the protective film 300 is coated on the back surface of the semiconductor wafer 2. Irradiate with a laser beam.
上記レーザー光線照射手段６２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング６２１を含んでいる。ケーシング６２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング６２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器６２２が装着されている。なお、レーザー光線照射手段６２は、集光器６２２によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段（図示せず）を備えている。 The laser beam irradiation means 62 includes a cylindrical casing 621 disposed substantially horizontally. In the casing 621, a pulsed laser beam oscillation means including a pulsed laser beam oscillator and a repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 622 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 621. The laser beam irradiating unit 62 includes a condensing point position adjusting unit (not shown) for adjusting the condensing point position of the pulse laser beam collected by the condenser 622.
上記レーザー光線照射手段６２を構成するケーシング６２１の先端部に装着された撮像手段６３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 In the illustrated embodiment, the image pickup means 63 attached to the tip of the casing 621 constituting the laser beam irradiation means 62 emits infrared rays to the workpiece in addition to a normal image pickup device (CCD) that picks up an image with visible light. Infrared illumination means for irradiating, an optical system for capturing infrared light emitted by the infrared illumination means, an image pickup device (infrared CCD) for outputting an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like Then, the captured image signal is sent to a control means (not shown).
上述したレーザー加工装置６を用いて改質層形成工程を実施するには、先ず上述した図７の（ａ）に示すようにチャックテーブル６１上に半導体ウエーハ２の粘着テープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル６１上に粘着テープＴを介して半導体ウエーハ２を吸着保持する。従って、チャックテーブル６１上に保持された半導体ウエーハ２は、表面に被覆された保護膜３００が上側となる。なお、図７の（ａ）においては粘着テープＴが装着された環状のフレームＦを省いて示しているが、環状のフレームＦはチャックテーブル６１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル６１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段６３の直下に位置付けられる。 In order to perform the modified layer forming step using the laser processing apparatus 6 described above, first, the adhesive tape T side of the semiconductor wafer 2 is placed on the chuck table 61 as shown in FIG. . Then, the semiconductor wafer 2 is sucked and held on the chuck table 61 via the adhesive tape T by suction means (not shown). Therefore, the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 61 has the protective film 300 coated on the surface on the upper side. In FIG. 7A, the annular frame F to which the adhesive tape T is attached is omitted, but the annular frame F is held by an appropriate frame holding means disposed on the chuck table 61. The In this manner, the chuck table 61 that sucks and holds the semiconductor wafer 2 is positioned directly below the imaging unit 63 by a processing feed unit (not shown).
チャックテーブル６１が撮像手段６３の直下に位置付けられると、撮像手段６３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１が形成されている表面２ａには保護膜３００が形成されているが、保護膜３００が透明でない場合は赤外線で撮像して表面からアライメントすることができる。 When the chuck table 61 is positioned immediately below the image pickup means 63, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 2 is executed by the image pickup means 63 and a control means (not shown). That is, the imaging unit 63 and a control unit (not shown) include the planned division line 21 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 2, and the condenser 622 of the laser beam irradiation unit 62 that irradiates the laser beam along the planned division line 21. Image processing such as pattern matching is performed to align the laser beam, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. In addition, alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the division line 21 formed in the semiconductor wafer 2 and extending in a direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, the protective film 300 is formed on the surface 2a where the division lines 21 of the semiconductor wafer 2 are formed. However, if the protective film 300 is not transparent, it can be imaged with infrared rays and aligned from the surface. .
以上のようにしてチャックテーブル６１上に保持されている半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図７の（ｂ）で示すようにチャックテーブル６１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６２の集光器６２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図７の（ｂ）において左端）をレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の直下に位置付ける。次に、集光器６２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚み方向中間部に位置付ける。そして、集光器６２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル６１を図７の（ｂ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図７の（ｃ）で示すようにレーザー光線照射手段６２の集光器６２２の照射位置が分割予定ライン２１の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル６１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、図７の（ｃ）で示すように分割予定ライン２１に沿って改質層２１０が形成される（改質層形成工程）。この改質層形成工程を半導体ウエーハ２に形成された全ての分割予定ライン２１に沿って実施する。 If the division line 21 formed on the semiconductor wafer 2 held on the chuck table 61 is detected as described above and alignment of the laser beam irradiation position is performed, it is shown in FIG. In this way, the chuck table 61 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 622 of the laser beam irradiation means 62 for irradiating the laser beam is located, and one end (the left end in FIG. 7B) is irradiated with the laser beam. Positioned directly below the light collector 622 of the means 62. Next, the condensing point P of the pulse laser beam irradiated from the condenser 622 is positioned at the middle part in the thickness direction of the semiconductor wafer 2. Then, while irradiating a pulse laser beam having a wavelength (for example, 1064 nm) having transparency to the silicon wafer from the condenser 622, the chuck table 61 is moved at a predetermined feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. Move it. Then, as shown in FIG. 7C, when the irradiation position of the condenser 622 of the laser beam irradiation means 62 reaches the position of the other end of the division planned line 21, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the chuck table 61 is moved. Stop moving. As a result, the modified layer 210 is formed in the semiconductor wafer 2 along the planned division line 21 as shown in FIG. 7C (modified layer forming step). This modified layer forming step is performed along all the division lines 21 formed on the semiconductor wafer 2.
なお、上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：１Ｗ
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：１００ｍｍ／秒
In addition, the processing conditions in the said modified layer formation process are set as follows, for example.
Wavelength: 1064 nm pulse laser Repeat frequency: 100 kHz
Average output: 1W
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 100 mm / sec
次に、半導体ウエーハ２に外力を付与し、半導体ウエーハ２を改質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って個々のデバイスに分割するとともに、隣接するデバイスとデバイスとの間に隙間を形成する分割工程を実施する。この分割工程は、図示の実施形態においては図８の（ａ）および（ｂ）に示すテープ拡張装置７を用いて実施する。 Next, an external force is applied to the semiconductor wafer 2, and the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices along the planned division line 21 on which the modified layer 210 is formed, and a gap is formed between adjacent devices. A dividing step to be formed is performed. In the illustrated embodiment, this dividing step is performed using a tape expansion device 7 shown in FIGS. 8A and 8B.
図８の（ａ）にはテープ拡張装置７の斜視図が示されており、図８の（ｂ）には図８の（ａ）に示すテープ拡張装置７の断面図が示されている。図示の実施形態におけるテープ拡張装置７は、上記環状のフレームＦを保持するフレーム保持手段７１と、上記環状のフレームＦに装着された粘着テープＴを拡張する張力付与手段７２を具備している。フレーム保持手段７１は、図８の（ａ）および（ｂ）に示すように環状のフレーム保持部材７１１と、該フレーム保持部材７１１の外周に配設された固定手段としての４個のクランプ７１２とからなっている。フレーム保持部材７１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面７１１ａを形成しており、この載置面７１１ａ上に環状のフレームＦが載置される。そして、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置された環状のフレームＦは、クランプ７１２によってフレーム保持部材７１１に固定される。 FIG. 8A shows a perspective view of the tape expansion device 7, and FIG. 8B shows a cross-sectional view of the tape expansion device 7 shown in FIG. 8A. The tape expansion device 7 in the illustrated embodiment includes a frame holding means 71 for holding the annular frame F and a tension applying means 72 for expanding the adhesive tape T attached to the annular frame F. As shown in FIGS. 8A and 8B, the frame holding means 71 includes an annular frame holding member 711 and four clamps 712 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 711. It is made up of. An upper surface of the frame holding member 711 forms a mounting surface 711a on which the annular frame F is mounted, and the annular frame F is mounted on the mounting surface 711a. The annular frame F placed on the placement surface 711 a of the frame holding member 711 is fixed to the frame holding member 711 by the clamp 712.
上記張力付与手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７１１の内側に配設される拡張ドラム７２１を具備している。この拡張ドラム７２１は、環状のフレームＦの開口の内径より小さく環状のフレームＦに装着された粘着テープＴに貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム７２１は、下端に支持フランジ７２２を備えている。図示の実施形態における張力付与手段７２は、上記環状のフレーム保持部材７２１を上下方向（軸方向）に進退可能な支持手段７２３を具備している。この支持手段７２３は、上記支持フランジ７２２上に配設された複数（図示の実施形態においては４個）のエアシリンダ７２３ａからなっており、そのピストンロッド７２３ｂが上記環状のフレーム保持部材７１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ７２３ａからなる支持手段７２３は、環状のフレーム保持部材７１１を載置面７１１ａが拡張ドラム７２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム７２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。 The tension applying means 72 includes an expansion drum 721 disposed inside the annular frame holding member 711. The expansion drum 721 has an inner diameter and an outer diameter smaller than the inner diameter of the opening of the annular frame F and larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 2 attached to the adhesive tape T attached to the annular frame F. The expansion drum 721 includes a support flange 722 at the lower end. The tension applying means 72 in the illustrated embodiment includes a support means 723 capable of moving the annular frame holding member 721 in the vertical direction (axial direction). The support means 723 includes a plurality of (four in the illustrated embodiment) air cylinders 723 a disposed on the support flange 722, and the piston rod 723 b is the lower surface of the annular frame holding member 711. Connected to As described above, the support means 723 including the plurality of air cylinders 723a has a predetermined amount from the reference position where the mounting surface 711a is substantially flush with the upper end of the expansion drum 721 and the upper end of the expansion drum 721. Move up and down between the lower extended positions.
図示のテープ拡張装置７は、図８の（ｂ）に示すように上記拡張ドラム７２１の上部外周面に装着された加熱手段としての環状の赤外線ヒータ７３を具備している。この赤外線ヒータ７３は、上記フレーム保持手段７１に保持された環状のフレームＦに装着された粘着テープＴにおける環状のフレームＦの開口の内周と半導体ウエーハ２との間の収縮領域を加熱する。 The illustrated tape expansion device 7 includes an annular infrared heater 73 as a heating means mounted on the upper outer peripheral surface of the expansion drum 721 as shown in FIG. 8B. The infrared heater 73 heats a contraction region between the inner periphery of the opening of the annular frame F and the semiconductor wafer 2 in the adhesive tape T attached to the annular frame F held by the frame holding means 71.
以上のように構成されたテープ拡張装置７を用いて実施する分割工程について図９の（ａ）および（ｂ）を参照して説明する。即ち、上記改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２を粘着テープＴを介して支持した環状のフレームＦを、図９の（ａ）に示すようにフレーム保持手段７１を構成する環状のフレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に載置し、クランプ７１２によって環状のフレーム保持部材７１１に固定する。このとき、環状のフレーム保持部材７１１は図９（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。 The dividing process performed using the tape expansion apparatus 7 configured as described above will be described with reference to FIGS. 9 (a) and 9 (b). That is, an annular frame F that supports the semiconductor wafer 2 on which the modified layer forming step has been performed via an adhesive tape T is used as an annular frame that constitutes the frame holding means 71 as shown in FIG. It is mounted on the mounting surface 711 a of the holding member 711 and is fixed to the annular frame holding member 711 by the clamp 712. At this time, the annular frame holding member 711 is positioned at the reference position shown in FIG.
次に、張力付与手段７２を構成する支持手段７２３としての複数のエアシリンダ７２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図９の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材７１１の載置面７１１ａ上に固定されている環状のフレームＦも下降するため、図９の（ｂ）に示すように環状のフレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム７２１の上端縁に当接して拡張せしめられる。この結果、粘着テープＴにおける半導体ウエーハ２が貼着されている領域Ｔ−１も拡張されるので、粘着テープＴに貼着されている半導体ウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ２は改質層２１０が分割起点となって分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割されるとともに、デバイス２２間に隙間Ｓが形成される（分割工程）。このようにして個々に分割されたデバイス２２は、図９の（ｃ）に示すように側面に改質層２１０およびクラック（図示せず）が残存している。 Next, the plurality of air cylinders 723a as the support means 723 constituting the tension applying means 72 are operated to lower the annular frame holding member 711 to the extended position shown in FIG. 9B. Accordingly, since the annular frame F fixed on the mounting surface 711a of the frame holding member 711 is also lowered, the adhesive tape T attached to the annular frame F is an expansion drum as shown in FIG. The upper end edge of 721 is abutted and expanded. As a result, since the region T-1 of the adhesive tape T where the semiconductor wafer 2 is adhered is also expanded, a tensile force acts radially on the semiconductor wafer 2 adhered to the adhesive tape T. The wafer 2 is divided into individual devices 22 along the planned division line 21 with the modified layer 210 as a division starting point, and a gap S is formed between the devices 22 (a division step). As shown in FIG. 9C, the device 22 thus divided individually has a modified layer 210 and cracks (not shown) remaining on the side surfaces.
上述したように半導体ウエーハ２を改質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともにデバイス２２間に隙間Ｓを形成する分割工程は、粘着テープＴおける環状のフレームＦの内周と半導体ウエーハ２が貼着された領域との間の収縮領域を加熱して収縮せしめることによりデバイス２２間の隙間Ｓを保持するデバイス間隙間保持工程を含んでいる。このデバイス間隙間保持工程は、図１０の（ａ）に示すように上述した分割工程を実施した状態で赤外線ヒータ７３を附勢（ＯＮ）する。この結果、粘着テープＴにおける環状のフレームＦの開口の内周と半導体ウエーハ２が貼着された領域Ｔ−１との間の収縮領域Ｔ−２は、赤外線ヒータ７３によって照射される赤外線により加熱され収縮する。この収縮作用に合わせて、張力付与手段７２を構成する支持手段７２３としての複数のエアシリンダ７２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材７１１を図１０の（ｂ）に示す基準位置に上昇せしめる。なお、上記赤外線ヒータ７３による粘着テープＴの加熱温度は７０〜１００℃が適当であり、加熱時間は５〜１０秒でよい。このように、粘着テープＴにおける上記収縮領域Ｔ−２を収縮させることにより、上記分割工程において拡張された粘着テープＴの弛みが除去される。従って、上記分割工程において個々に分割されているデバイス２２間に形成された隙間Ｓが保持される。 As described above, the dividing step of dividing the semiconductor wafer 2 into the individual devices 22 along the division line 21 on which the modified layer 210 is formed and forming the gap S between the devices 22 is an annular shape in the adhesive tape T. It includes an inter-device gap holding step of holding the gap S between the devices 22 by heating and shrinking the shrinkage area between the inner periphery of the frame F and the area where the semiconductor wafer 2 is adhered. In the inter-device gap maintaining step, the infrared heater 73 is energized (ON) in a state where the above-described dividing step is performed as shown in FIG. As a result, the contraction region T-2 between the inner periphery of the opening of the annular frame F in the adhesive tape T and the region T-1 where the semiconductor wafer 2 is adhered is heated by infrared rays irradiated by the infrared heater 73. It shrinks. In accordance with the contraction action, a plurality of air cylinders 723a as the support means 723 constituting the tension applying means 72 are operated to raise the annular frame holding member 711 to the reference position shown in FIG. The heating temperature of the adhesive tape T by the infrared heater 73 is suitably 70 to 100 ° C., and the heating time may be 5 to 10 seconds. Thus, by contracting the contraction region T-2 of the adhesive tape T, the slack of the adhesive tape T expanded in the dividing step is removed. Accordingly, the gap S formed between the devices 22 that are individually divided in the dividing step is maintained.
次に、上記デバイス間隙間保持工程を含む分割工程が実施された半導体ウエーハ２の保護膜３００側からプラズマ化されたエッチングガスを供給してデバイスの側面に残存する改質層２１０をエッチングして除去するエッチング工程を実施する。このエッチング工程は、図１１の（ａ）に示すプラズマエッチング装置を用いて実施する。図１１の（ａ）に示すプラズマエッチング装置８は、装置ハウジング８１と、該装置ハウジング８１内に上下方向に対向して配設された下部電極８２と、上部電極８３を具備している。下部電極８２は、円盤状の被加工物保持部８２１と、該被加工物保持部８２１の下面中央部から突出して形成された円柱状の支持部８２２とからなっており、支持部８２２が第１の高周波電力印加手段８４１に接続されている。 Next, plasma-ized etching gas is supplied from the protective film 300 side of the semiconductor wafer 2 subjected to the dividing process including the inter-device gap maintaining process to etch the modified layer 210 remaining on the side surface of the device. An etching process to be removed is performed. This etching step is performed using a plasma etching apparatus shown in FIG. A plasma etching apparatus 8 shown in FIG. 11A includes an apparatus housing 81, a lower electrode 82 disposed in the apparatus housing 81 so as to face in the vertical direction, and an upper electrode 83. The lower electrode 82 includes a disk-shaped workpiece holding portion 821 and a columnar support portion 822 formed so as to protrude from the center of the lower surface of the workpiece holding portion 821. 1 high frequency power application means 841.
上記上部電極８３は、円盤状のガス噴出部８３１と、該ガス噴出部８３１の上面中央部から突出して形成された円柱状の支持部８３２とからなっており、支持部８３２が第２の高周波電力印加手段８４２に接続されている。このようにガス噴出部８３１と円柱状の支持部８３２とからなる上部電極８３は、ガス噴出部８３１が下部電極８２を構成する被加工物保持部８２１と対向して配設されている。上部電極８３を構成する円盤状のガス噴出部８３１には、下面に開口する複数の噴出口８３１ａが設けられている。この複数の噴出口８３１ａは、ガス噴出部８３１に形成された連通路８３１ｂおよび支持部８３２に形成された連通路８３２ａを介してガス供給手段８５に連通されている。ガス供給手段８５は、ＳＦ６＋Ｃ４Ｆ８等のフッ素系ガスを主体とするプラズマ化用ガスを供給するようになっている。 The upper electrode 83 includes a disk-like gas ejection part 831 and a columnar support part 832 formed to protrude from the center of the upper surface of the gas ejection part 831. The support part 832 is a second high-frequency wave. The power application unit 842 is connected. As described above, the upper electrode 83 including the gas ejection part 831 and the columnar support part 832 is disposed so that the gas ejection part 831 faces the workpiece holding part 821 constituting the lower electrode 82. The disc-shaped gas ejection portion 831 that constitutes the upper electrode 83 is provided with a plurality of ejection ports 831a that open to the lower surface. The plurality of jet outlets 831 a are in communication with the gas supply means 85 through a communication path 831 b formed in the gas ejection part 831 and a communication path 832 a formed in the support part 832. The gas supply means 85 supplies a plasma-forming gas mainly composed of a fluorine-based gas such as SF6 + C 4 F 8 .
以上のよう構成されたプラズマエッチング装置８を用いて上記エッチング工程を実施するには、下部電極８２を構成する被加工物保持部８２１上に上記デバイス間隙間保持工程を含む分割工程が実施された半導体ウエーハ２を、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに支持された状態で載置する。従って、被加工物保持部８２１上に載置された半導体ウエーハ２は、表面に被覆された保護膜３００が上側となる。 In order to perform the etching process using the plasma etching apparatus 8 configured as described above, a dividing process including the inter-device gap maintaining process was performed on the workpiece holding part 821 constituting the lower electrode 82. The semiconductor wafer 2 is placed in a state where it is supported by the annular frame F via the adhesive tape T. Accordingly, the semiconductor wafer 2 placed on the workpiece holding portion 821 has the protective film 300 coated on the surface on the upper side.
次に、図示しない減圧手段を作動して装置ハウジング８１内の圧力を２０Ｐａに減圧し、ガス供給手段８５を作動してプラズマ化するプラズマ化用ガスを上部電極８３に供給する。ガス供給手段８５から供給されたプラズマ化用ガスは、支持部８３２に形成された連通路８３２ａおよびガス噴出部８３１に形成された連通路８３１ｂを通して複数の噴出口８３１ａから下部電極８２の被加工物保持部８２１上に保持された半導体ウエーハ２に向けて噴出される。このようにプラズマ化用ガスを供給した状態で、第１の高周波電力印加手段８４１から下部電極８２に１３．５ＭＨｚで５０Ｗの高周波電力を印加するとともに、第２の高周波電力印加手段８４２から上部電極８３に１３．５ＭＨｚで３０００Ｗの高周波電力を印加する。これにより、プラズマ化用ガスがプラズマ化して下部電極８２と上部電極８３との間の空間にプラズマが発生し、このプラズマ化した活性物質が個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２に作用する。この結果、デバイス２２間に形成された隙間Ｓ（図９の（ｂ）参照）を通してデバイス２２の側面にプラズマ化した活性物質が作用して、図１１の（ｂ）に示すようにデバイス２２の側面に残存している改質層２１０（図９の（ｃ）参照）およびクラックがエッチングされ除去される。なお、個々に分割されたデバイス２２の表面には水溶性樹脂からなる保護膜３００が被覆されているので、デバイス２２がエッチングされることはない。
以上のようにデバイス間隙間保持工程を含む分割工程を実施することにより、半導体ウエーハ２を改質層２１０が形成された分割予定ライン２１に沿って個々のデバイス２２に分割するとともに、隣接するデバイス２２とデバイス２２との間に隙間Ｓを形成して保持した状態でエッチング工程を実施するので、デバイス２２毎に水溶性樹脂からなる保護膜３００が被覆され加工すべき領域からレジスト膜を除去する必要がない。
Next, the pressure reducing means (not shown) is operated to reduce the pressure in the apparatus housing 81 to 20 Pa, and the gas supply means 85 is operated to supply a plasmaizing gas to be converted into plasma to the upper electrode 83. The plasmaizing gas supplied from the gas supply means 85 passes through the communication passage 832a formed in the support portion 832 and the communication passage 831b formed in the gas ejection portion 831. It is ejected toward the semiconductor wafer 2 held on the holding part 821. With the plasmaizing gas supplied in this way, high frequency power of 50 W at 13.5 MHz is applied from the first high frequency power application means 841 to the lower electrode 82, and the upper electrode is supplied from the second high frequency power application means 842. A high frequency power of 3000 W at 13.5 MHz is applied to 83. As a result, the plasma-forming gas is turned into plasma and plasma is generated in the space between the lower electrode 82 and the upper electrode 83, and this plasma-activated active material acts on the semiconductor wafer 2 divided into the individual devices 22. . As a result, the active substance converted into plasma acts on the side surface of the device 22 through the gap S formed between the devices 22 (see FIG. 9B), and as shown in FIG. The modified layer 210 (see FIG. 9C) and cracks remaining on the side surfaces are etched and removed. In addition, since the protective film 300 made of a water-soluble resin is coated on the surface of the device 22 that is divided individually, the device 22 is not etched.
By performing the dividing step including the inter-device gap maintaining step as described above, the semiconductor wafer 2 is divided into the individual devices 22 along the planned dividing line 21 on which the modified layer 210 is formed, and adjacent devices. Since the etching process is performed in a state where the gap S is formed and held between the device 22 and the device 22, the protective film 300 made of a water-soluble resin is covered for each device 22, and the resist film is removed from the region to be processed. There is no need.
以上のようにしてエッチング工程を実施したならば、エッチング工程が実施されたデバイス２２に水を供給して水溶性樹脂からなる保護膜３００を除去する保護膜除去工程を実施する。この保護膜除去工程は、図１２の（ａ）に示す洗浄装置９を用いて実施する。図１２の（ａ）に示す洗浄装置９は、被加工物を保持する保持テーブル９１と、該保持テーブル９１に保持された被加工物に洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル９２とを具備している。この洗浄装置９を用いて保護膜除去工程を実施するには、上記エッチング工程が実施された個々に分割されたデバイス２２を、粘着テープＴを介して環状のフレームＦに支持された状態で、保持テーブル９１上に載置する。次に、洗浄水供給ノズル９２から洗浄水を環状のフレームＦに装着された粘着テープＴに貼着されている個々のデバイス２２の表面に被覆された保護膜３００の表面に供給する。この結果、図１２の（ｂ）に示すように保護膜３００は水溶性樹脂からなっているので洗浄水によって容易に除去される。
このように、個々のデバイス２２の表面に被覆された保護膜３００は毒性のない水溶性樹脂によって形成されているので、環境汚染がないとともに、専用の処理設備が不要となり経済的である。
When the etching process is performed as described above, a protective film removing process is performed in which water is supplied to the device 22 subjected to the etching process to remove the protective film 300 made of a water-soluble resin. This protective film removal step is performed using a cleaning device 9 shown in FIG. A cleaning apparatus 9 shown in FIG. 12A includes a holding table 91 that holds a workpiece, and a cleaning water supply nozzle 92 that supplies cleaning water to the workpiece held on the holding table 91. ing. In order to perform the protective film removal process using the cleaning device 9, the device 22 that has been individually divided in the above etching process is supported by the annular frame F via the adhesive tape T. Place on the holding table 91. Next, the cleaning water is supplied from the cleaning water supply nozzle 92 to the surface of the protective film 300 covered on the surface of each device 22 attached to the adhesive tape T attached to the annular frame F. As a result, as shown in FIG. 12B, the protective film 300 is made of a water-soluble resin, so that it can be easily removed by washing water.
As described above, since the protective film 300 coated on the surface of each device 22 is formed of a non-toxic water-soluble resin, there is no environmental pollution and a dedicated processing facility is not required, which is economical.
以上のようにして保護膜除去工程を実施したならば、デバイス２２を粘着テープＴから剥離してピックアップするピックアップ工程に搬送される。 When the protective film removing process is performed as described above, the device 22 is peeled off from the adhesive tape T and conveyed to a pickup process for picking up.
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては、保護膜形成工程を改質層形成工程の前に実施する例を示したが、保護膜形成工程は改質層形成工程を実施した後に実施してもよい。
また、上述した実施形態における保護膜形成工程は、半導体ウエーハ２の表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成してもよい。
更に、上述した実施形態における改質層形成工程は、半導体ウエーハ２の表面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面から実施してもよい。
また、上述した実施形態における保護膜形成工程は、半導体ウエーハ２の表面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する例を示したが、半導体ウエーハ２の裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成してもよい。
Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, an example in which the protective film forming step is performed before the modified layer forming step has been described. However, the protective film forming step may be performed after the modified layer forming step is performed.
Moreover, although the protective film formation process in embodiment mentioned above showed the example which coat | covers a water-soluble resin on the surface of the semiconductor wafer 2, and forms a protective film, the water-soluble resin is coat | covered on the back surface of the semiconductor wafer 2. A protective film may be formed.
Further, in the modified layer forming step in the above-described embodiment, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is irradiated from the surface of the semiconductor wafer 2 along the planned dividing line with a condensing point positioned inside. Although an example in which the modified layer is formed along the division line in the inside of the semiconductor wafer 2 may be shown, it may be carried out from the back surface of the semiconductor wafer 2.
Moreover, although the protective film formation process in embodiment mentioned above showed the example which coat | covers a water-soluble resin on the surface of the semiconductor wafer 2, and forms a protective film, the water-soluble resin is coat | covered on the back surface of the semiconductor wafer 2. A protective film may be formed.
２：半導体ウエーハ
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２１０：改質層
３：保護膜形成装置
３１：スピンナーテーブル
３２：樹脂液供給ノズル
３００：保護膜
４：紫外線照射器
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５３４：研削ホイール
６：レーザー加工装置
６１：レーザー加工装置のチャックテーブル
６２：レーザー光線照射手段
６２２：集光器
７：テープ拡張装置
７１：フレーム保持手段
７２：張力付与手段
７３：赤外線ヒータ
９：洗浄装置
９２：洗浄水供給ノズル
ＰＴ：保護テープ
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：粘着テープ
2: Semiconductor wafer 21: Scheduled division line 22: Device 210: Modified layer 3: Protective film forming device 31: Spinner table 32: Resin liquid supply nozzle 300: Protective film 4: UV irradiator 5: Grinding device 51: Grinding device Chuck table 52: grinding means 534: grinding wheel 6: laser processing apparatus 61: chuck table 62 of laser processing apparatus: laser beam irradiation means 622: condenser 7: tape expansion device 71: frame holding means 72: tension applying means 73 : Infrared heater 9: Cleaning device 92: Cleaning water supply nozzle PT: Protective tape F: Ring frame T: Adhesive tape
Claims (6)
ウエーハの表面または裏面からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハの表面または裏面に水溶性樹脂を被覆して保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該改質層形成工程および該保護膜形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するとともに、隣接するデバイスとデバイスとの間に隙間を形成する分割工程と、
該分割工程が実施されたウエーハの該保護膜側からプラズマ化されたエッチングガスを供給してデバイスの側面に残存する改質層をエッチングして除去するエッチング工程と、
該エッチング工程が実施されたデバイスに水を供給して水溶性樹脂からなる該保護膜を除去する保護膜除去工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer in which a plurality of division lines are formed in a lattice shape on the surface and a device is formed in a plurality of areas partitioned by the plurality of division lines is divided into individual devices along the division lines. Wafer processing method,
A laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer from the front or back surface of the wafer is positioned along the planned dividing line, and a modified layer is formed along the planned dividing line inside the wafer. A modified layer forming step,
A protective film forming step of forming a protective film by coating a water-soluble resin on the front or back surface of the wafer;
An external force is applied to the wafer on which the modified layer forming step and the protective film forming step have been performed, and the wafer is divided into individual devices along the division line on which the modified layer is formed, and adjacent devices A dividing step of forming a gap with the device;
An etching step of supplying a plasma etching gas from the protective film side of the wafer subjected to the dividing step to etch and remove the modified layer remaining on the side surface of the device;
A protective film removing step of supplying water to the device subjected to the etching step to remove the protective film made of a water-soluble resin,
A method for processing a wafer.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015185585A JP2017059766A (en) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | Wafer processing method |
| TW105125172A TW201721730A (en) | 2015-09-18 | 2016-08-08 | Wafer processing method for dividing water into devices with high bending strength by plasma etching without using exposure and development devices and specialized processing equipment |
| KR1020160113246A KR20170034316A (en) | 2015-09-18 | 2016-09-02 | Wafer processing method |
| CN201610827032.8A CN107026122A (en) | 2015-09-18 | 2016-09-14 | The processing method of chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015185585A JP2017059766A (en) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | Wafer processing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017059766A true JP2017059766A (en) | 2017-03-23 |
Family
ID=58391749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015185585A Pending JP2017059766A (en) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | Wafer processing method |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017059766A (en) |
| KR (1) | KR20170034316A (en) |
| CN (1) | CN107026122A (en) |
| TW (1) | TW201721730A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108735667A (en) * | 2017-04-19 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | The manufacturing method of device chip |
| JP2018195663A (en) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社ディスコ | Method for dividing wafer |
| JP2019016663A (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 株式会社ディスコ | Method for dividing wafer |
| CN110473830A (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 株式会社迪思科 | The dividing method of chip |
| JP2020092190A (en) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece, manufacturing method of device chip |
| JP2020145269A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2020145267A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2020145268A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2023039933A (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-22 | 株式会社ディスコ | Substrate processing method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7171138B2 (en) * | 2018-12-06 | 2022-11-15 | 株式会社ディスコ | Device chip manufacturing method |
| CN113161246B (en) * | 2021-04-22 | 2023-06-27 | 浙江集迈科微电子有限公司 | Technological method for filling chip edge area with underfill |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252126A (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of working wafer |
| JP2006253402A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009111147A (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Denso Corp | Semiconductor chip and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004160493A (en) | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser machining method |
| JP2006114825A (en) | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dividing method of wafer |
-
2015
- 2015-09-18 JP JP2015185585A patent/JP2017059766A/en active Pending
-
2016
- 2016-08-08 TW TW105125172A patent/TW201721730A/en unknown
- 2016-09-02 KR KR1020160113246A patent/KR20170034316A/en unknown
- 2016-09-14 CN CN201610827032.8A patent/CN107026122A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005252126A (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of working wafer |
| JP2006253402A (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Nec Electronics Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2009111147A (en) * | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Denso Corp | Semiconductor chip and method of manufacturing the same |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108735667A (en) * | 2017-04-19 | 2018-11-02 | 株式会社迪思科 | The manufacturing method of device chip |
| CN108735667B (en) * | 2017-04-19 | 2023-12-15 | 株式会社迪思科 | Method for manufacturing device chip |
| JP2018195663A (en) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社ディスコ | Method for dividing wafer |
| JP2019016663A (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 株式会社ディスコ | Method for dividing wafer |
| CN110473830A (en) * | 2018-05-09 | 2019-11-19 | 株式会社迪思科 | The dividing method of chip |
| CN110473830B (en) * | 2018-05-09 | 2024-02-09 | 株式会社迪思科 | Wafer dividing method |
| JP7258416B2 (en) | 2018-12-06 | 2023-04-17 | 株式会社ディスコ | Workpiece processing method, device chip manufacturing method |
| JP2020092190A (en) * | 2018-12-06 | 2020-06-11 | 株式会社ディスコ | Processing method of workpiece, manufacturing method of device chip |
| JP2020145268A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP7214320B2 (en) | 2019-03-05 | 2023-01-30 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP7214318B2 (en) | 2019-03-05 | 2023-01-30 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP7214319B2 (en) | 2019-03-05 | 2023-01-30 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2020145267A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2020145269A (en) * | 2019-03-05 | 2020-09-10 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| JP2023039933A (en) * | 2021-09-09 | 2023-03-22 | 株式会社ディスコ | Substrate processing method |
| JP7456654B2 (en) | 2021-09-09 | 2024-03-27 | 株式会社ディスコ | How to process the substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107026122A (en) | 2017-08-08 |
| KR20170034316A (en) | 2017-03-28 |
| TW201721730A (en) | 2017-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017059766A (en) | Wafer processing method | |
| US9685377B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2017107921A (en) | Wafer processing method | |
| TWI650809B (en) | Wafer processing method | |
| US9640420B2 (en) | Wafer processing method | |
| TWI574314B (en) | Wafer processing method | |
| JP2008283025A (en) | Method of dividing wafer | |
| JP2009290148A (en) | Method of dividing wafer | |
| JP2008294191A (en) | Wafer dividing method | |
| US20150357224A1 (en) | Wafer processing method | |
| JP2009200140A (en) | Method of manufacturing semiconductor chip | |
| KR102250216B1 (en) | Wafer processing method | |
| JP2010183014A (en) | Method of processing wafer | |
| JP2009290052A (en) | Method of dividing wafer | |
| JP2008042110A (en) | Method of dividing wafer | |
| KR102409135B1 (en) | Wafer machining method | |
| KR20160075326A (en) | Wafer processing method | |
| JP6524564B2 (en) | Method of manufacturing element chip and substrate heating apparatus | |
| JP2016086089A (en) | Wafer processing method | |
| JP2014146810A (en) | Wafer dividing method | |
| JP2013058536A (en) | Method for dividing device wafer | |
| JP6800524B2 (en) | How to maintain chip spacing | |
| JP2020017592A (en) | Wafer division method | |
| JP2006059941A (en) | Manufacturing method of semiconductor chip | |
| JP7214309B2 (en) | Wafer processing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180724 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190418 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190507 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20191126 |