JP2016035832A - Method of manufacturing electronic device, method of manufacturing glass laminate - Google Patents

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Kenichi Ehata
研一 江畑
純一 ▲角▼田
純一 ▲角▼田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing an electronic device, including a member for electronic device and a glass substrate and a polyimide resin layer for reinforcing the glass substrate, conveniently, while suppressing occurrence of foaming between the glass substrate and polyimide resin layer in the electronic device thus obtained, and further excellent in adhesion properties.SOLUTION: A method of manufacturing an electronic device includes a step (1) of forming, on a temporary support, a polyimide resin layer having a surface treated with a silane coupling agent on the side opposite to the temporary support side, a step (2) of obtaining a glass laminate by arranging a glass substrate of 0.2 mm thick or less on the polyimide resin layer, a step (3) of obtaining a glass laminate with a member, by arranging a member for electronic device on the surface of the glass substrate, and a step (4) of obtaining an electronic device including a polyimide resin layer, a glass substrate and a member for electronic device, by removing the temporary support from the glass laminate with a member.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法、および、ガラス積層体の製造方法に関する。   The present invention relates to an electronic device manufacturing method and a glass laminate manufacturing method.

近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などのデバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
そこで、樹脂層などをガラス基板上に配置して、ガラス基板を補強する技術が開示されている(例えば、特許文献1)。しかしながら、昨今、薄膜化したガラス基板のサイズがより拡大しており、このようなガラス基板上に性状に優れる樹脂層を形成することは困難である。例えば、ガラス基板上に、樹脂層形成用組成物を付与すると、ガラス基板がたわんでしまい、均一な厚みの塗膜を形成することが難しい。
In recent years, devices (electronic devices) such as solar cells (PV), liquid crystal panels (LCD), and organic EL panels (OLED) have been made thinner and lighter, and the glass substrates used in these devices have been made thinner. Progressing. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the device manufacturing process.
Therefore, a technique for reinforcing a glass substrate by disposing a resin layer or the like on the glass substrate is disclosed (for example, Patent Document 1). However, recently, the size of the thinned glass substrate has further increased, and it is difficult to form a resin layer having excellent properties on such a glass substrate. For example, when a resin layer forming composition is applied on a glass substrate, the glass substrate is bent and it is difficult to form a coating film having a uniform thickness.

一方、ガラス基板上に樹脂層を形成する方法の一つとして、転写法が提案されている(特許文献2)。より具体的には、特許文献2の実施例欄においては、剥離性補助基板の易剥離性を示す表面上に、未硬化の硬化性樹脂組成物層およびガラス基板をこの順で有する硬化前積層体を形成し、その後、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化して、樹脂層を有する硬化後積層体を得て、さらに、硬化後積層体から、ガラス基板とその表面に接触している樹脂層とを有する樹脂層付きガラス基板を得る態様が開示されている。   On the other hand, a transfer method has been proposed as one method for forming a resin layer on a glass substrate (Patent Document 2). More specifically, in the Example section of Patent Document 2, a pre-cure laminate having an uncured curable resin composition layer and a glass substrate in this order on the surface showing the easy peelability of the peelable auxiliary substrate. And then curing the uncured curable resin composition layer in the laminate before curing to obtain a cured laminate having a resin layer, and from the cured laminate, a glass substrate and The aspect which obtains the glass substrate with a resin layer which has the resin layer which is contacting the surface is disclosed.

特表2002−542971号公報Special Table 2002-542971 国際公開第2013/054792号International Publication No. 2013/054792

近年、耐熱性に優れるという点から、ポリイミド樹脂層が注目を集めている。
本発明者ら、特許文献2に記載の転写法を参照して、ポリイミド樹脂の前駆体に該当するポリアミック酸を含む組成物を硬化性樹脂組成物として使用して、上記樹脂層付きガラス基板の製造を試みた。より具体的には、剥離性補助基板上に、ポリアミック酸を含む組成物を塗布して、未硬化の硬化性樹脂組成物層を形成し、その上にガラス基板を積層して、加熱処理を施したところ、得られた樹脂層(ポリイミド樹脂層)とガラス基板との界面で発泡が生じてしまった。発泡は、いわゆるイミド化の際に生じる水の揮発によるものと推測される。そのため、発泡が生じた部分のガラス基板表面が盛り上がり、ガラス基板表面の平坦性が損なわれた。このように、ガラス基板表面上の平坦性が劣化すると、ガラス基板表面上に各種の電子デバイス用部材を配置する際に位置ずれが生じやすく、結果として電子デバイスの生産性が劣ることとなる。
また、樹脂層(ポリイミド樹脂層)とガラス基板との界面で発泡が生じてしまうと、樹脂層とガラス基板との密着性が損なわれる原因ともなる。
In recent years, polyimide resin layers have attracted attention because of their excellent heat resistance.
With reference to the transfer method described in Patent Document 2, the present inventors used a composition containing a polyamic acid corresponding to a polyimide resin precursor as a curable resin composition, and used for the above glass substrate with a resin layer. Tried to manufacture. More specifically, a composition containing polyamic acid is applied on a peelable auxiliary substrate to form an uncured curable resin composition layer, a glass substrate is laminated thereon, and heat treatment is performed. When applied, foaming occurred at the interface between the obtained resin layer (polyimide resin layer) and the glass substrate. Foaming is presumed to be due to water volatilization that occurs during so-called imidization. Therefore, the surface of the glass substrate where foaming occurred was raised and the flatness of the glass substrate surface was impaired. Thus, when the flatness on the surface of the glass substrate deteriorates, misalignment tends to occur when various electronic device members are arranged on the surface of the glass substrate, resulting in poor productivity of the electronic device.
Moreover, if foaming occurs at the interface between the resin layer (polyimide resin layer) and the glass substrate, the adhesion between the resin layer and the glass substrate may be impaired.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、電子デバイス用部材とガラス基板と上記ガラス基板を補強するためのポリイミド樹脂層とを含む電子デバイスを簡便に製造することができ、得られた電子デバイス中においてガラス基板とポリイミド樹脂層との間での発泡の発生が抑制され、両者の密着性に優れる、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記電子デバイスの製造に好適使用することができる、仮支持体と、ポリイミド樹脂層と、ガラス基板とを含むガラス積層体の製造方法を提供することも目的とする。
This invention is made in view of the said subject, Comprising: The electronic device containing the member for electronic devices, a glass substrate, and the polyimide resin layer for reinforcing the said glass substrate can be manufactured simply, and obtained. An object of the present invention is to provide a method for producing an electronic device in which the occurrence of foaming between the glass substrate and the polyimide resin layer is suppressed in the obtained electronic device, and the adhesion between the two is excellent.
Another object of the present invention is to provide a method for producing a glass laminate comprising a temporary support, a polyimide resin layer, and a glass substrate, which can be suitably used for producing the electronic device.

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第1の態様は、仮支持体上に、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成する工程(1)と、ポリイミド樹脂層上に厚み0.2mm以下のガラス基板を配置して、ガラス積層体を得る工程(2)と、ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を配置して、部材付きガラス積層体を得る工程(3)と、部材付きガラス積層体から仮支持体を除去して、ポリイミド樹脂層とガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスを得る工程(4)とを備える、電子デバイスの製造方法である。
第1の態様において、工程(1)が、仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)と、塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)と、塗膜に加熱処理を施し、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)とを備えることが好ましい。
第1の態様において、工程(1)が、仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)と、ポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)とを備えることが好ましい。
第1の態様において、工程(2)が、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、ポリイミド樹脂層上に積層する工程(2’)であり、工程(2)と工程(3)との間に、ガラス基板の外周縁に沿って、ガラス積層体中のポリイミド樹脂層および仮支持体を切断する工程(5)をさらに備えることが好ましい。
本発明の第2の態様は、仮支持体と、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層と、ガラス基板とをこの順で有し、ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を配置して、その後、仮支持体を除去して、ポリイミド樹脂層とガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスを得るために用いられる、ガラス積層体の製造方法において、仮支持体上に、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成する工程(1)と、ポリイミド樹脂層上に厚み0.2mm以下のガラス基板を配置して、ガラス積層体を得る工程(2)とを備えるガラス積層体の製造方法の製造方法である。
第2の態様において、工程(1)が、仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)と、塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)と、塗膜に加熱処理を施し、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)とを備えることが好ましい。
第2の態様において、工程(1)が、仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)と、ポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)とを備えることが好ましい。
第2の態様において、工程(2)が、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、ポリイミド樹脂層上に積層する工程(2’)であり、工程(2)の後に、ガラス基板の外周縁に沿って、ガラス積層体中のポリイミド樹脂層および仮支持体を切断する工程(5)をさらに備えることが好ましい。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have completed the present invention.
That is, the first aspect of the present invention includes a step (1) of forming a polyimide resin layer on the temporary support, the surface opposite to the temporary support being treated with a silane coupling agent, and the polyimide resin layer. A step (2) of obtaining a glass laminate by disposing a glass substrate having a thickness of 0.2 mm or less on the surface, and a step of obtaining a glass laminate with a member by disposing an electronic device member on the surface of the glass substrate ( 3) and a step (4) of removing the temporary support from the glass laminate with a member to obtain an electronic device including a polyimide resin layer, a glass substrate, and a member for an electronic device. is there.
1st aspect WHEREIN: The process (1) apply | coats the composition containing a polyamic acid on a temporary support body, the process (A) which forms the coating film containing a polyamic acid, and a silane cup on the coating-film surface. A step (B) of applying a ring agent, and a step (C) of obtaining a polyimide resin layer in which the surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent by applying heat treatment to the coating film. Is preferred.
In the first aspect, the step (1) is the step (D) of forming a polyimide resin layer on the temporary support, and a silane coupling agent is applied on the surface of the polyimide resin layer, opposite to the temporary support side. It is preferable to include a step (E) of obtaining a polyimide resin layer whose surface on the side is treated with a silane coupling agent.
In the first aspect, in the step (2), a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is placed on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer. A step (2 ′) of laminating, and a step of cutting the polyimide resin layer and the temporary support in the glass laminate along the outer peripheral edge of the glass substrate between the steps (2) and (3) ( 5) is preferably further provided.
The second aspect of the present invention includes a temporary support, a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support is treated with a silane coupling agent, and a glass substrate in this order. Manufacture of a glass laminate used to obtain an electronic device including a polyimide resin layer, a glass substrate, and an electronic device member by disposing the electronic device member on the surface and then removing the temporary support. In the method, a step (1) of forming a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent on the temporary support, and a thickness of 0.2 mm or less on the polyimide resin layer It is a manufacturing method of the manufacturing method of a glass laminated body provided with the process (2) which arrange | positions a glass substrate and obtains a glass laminated body.
2nd aspect WHEREIN: The process (1) apply | coats the composition containing a polyamic acid on a temporary support body, the process (A) which forms the coating film containing a polyamic acid, and a silane cup on the coating-film surface. A step (B) of applying a ring agent, and a step (C) of obtaining a polyimide resin layer in which the surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent by applying heat treatment to the coating film. Is preferred.
In the second aspect, the step (1) is the step (D) of forming a polyimide resin layer on the temporary support, and a silane coupling agent is applied on the polyimide resin layer surface, opposite to the temporary support side. It is preferable to include a step (E) of obtaining a polyimide resin layer whose surface on the side is treated with a silane coupling agent.
In the second aspect, in the step (2), a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is placed on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer. It is a step (2 ′) of laminating, and further comprising a step (5) of cutting the polyimide resin layer and the temporary support in the glass laminate along the outer peripheral edge of the glass substrate after the step (2). preferable.

本発明によれば、電子デバイス用部材とガラス基板と上記ガラス基板を補強するためのポリイミド樹脂層とを含む電子デバイスを簡便に製造することができ、得られた電子デバイス中においてガラス基板とポリイミド樹脂層との間での発泡の発生が抑制され、両者の密着性に優れる、電子デバイスの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、上記電子デバイスの製造に好適使用することができる、仮支持体と、ポリイミド樹脂層と、ガラス基板とを含むガラス積層体の製造方法を提供することもできる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electronic device containing the member for electronic devices, a glass substrate, and the polyimide resin layer for reinforcing the said glass substrate can be manufactured simply, and a glass substrate and polyimide are obtained in the obtained electronic device. It is possible to provide a method for manufacturing an electronic device in which the occurrence of foaming between the resin layer and the resin layer is suppressed and the adhesiveness between the two is excellent.
Moreover, according to this invention, the manufacturing method of the glass laminated body containing the temporary support body, polyimide resin layer, and glass substrate which can be used conveniently for manufacture of the said electronic device can also be provided.

本発明の電子デバイスの製造方法の第1実施形態の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of 1st Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention. 本発明の電子デバイスの製造方法の第1実施形態を工程順に示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows 1st Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention to process order. 本発明の電子デバイスの製造方法の第2実施形態の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of 2nd Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention. 本発明の電子デバイスの製造方法の第2実施形態を工程順に示す模式的断面図である。It is typical sectional drawing which shows 2nd Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention to process order. (A)工程(2’)で得られたガラス積層体の上面図である。(B)ポリイミド樹脂層の周縁部付近の拡大断面図である。(C)図5(B)中のポリイミド樹脂層上にガラス基板を積層した際の拡大断面図である。(A) It is a top view of the glass laminated body obtained at the process (2 '). (B) It is an expanded sectional view of the peripheral part vicinity of a polyimide resin layer. (C) It is an expanded sectional view at the time of laminating | stacking a glass substrate on the polyimide resin layer in FIG.5 (B).

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not deviated from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.

本発明の電子デバイスおよびガラス積層体の製造方法の特徴点の一つは、仮支持体上に表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を配置して、ガラス基板上に転写している点が挙げられる。
上述したように、薄膜化したガラス基板表面に何らかの層を設けようとして、その表面に各種材料を付与した場合、均一な塗膜を形成することが難しく、仮に、塗膜が形成されたとしてもその後の処理(例えば、乾燥処理)を施すためにガラス基板を搬送しようとすると、ガラス基板がたわんでしまい、塗膜の厚みにムラが生じてしまい、樹脂層の割れの発生につながる。また、ガラス基板表面上に直接各種材料を付与する場合、通常、ガラス基板の材料を付与する側とは反対側の表面が、ガラス基板を支持するための部材と接触する。このような部材が接触すると、ガラス基板表面に傷がつくなど表面性状が悪化する要因となり、その後の電子デバイス用部材の製造の際に悪影響を及ぼすおそれもある。また、ガラス基板上への塗布時に真空吸着台に固定することが多いが、ガラス基板の板厚が薄いと、吸着孔と接触部との温度差により塗膜の液寄り、乾燥ムラが発生しやすい。
それに対して、本発明では、仮支持体上に一旦ポリイミド樹脂層を設けてガラス基板に転写するため、ガラス基板を取り扱う回数が少なくなり、ガラス基板表面へのダメージが低減できる。また、先に仮支持体上でポリイミド樹脂層を形成すために、ポリイミド樹脂層の厚みの制御がより容易となる。さらに、ポリイミド樹脂層表面はシランカップリング剤で処理されているため、ガラス基板に対する密着性が優れる。そのため、後述するように、ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成した後、仮支持体とポリイミド樹脂層との界面を剥離面として、仮支持体を容易に除去することができる。
このように、本発明によれば、簡便に所定の電子デバイスを製造することができる。また、本発明のガラス積層体は、薄いガラス基板の補強層として機能するポリイミド樹脂層とガラス基板とを含む電子デバイスを簡便に製造するために好適に使用できるともいえる。
One of the features of the method for producing an electronic device and a glass laminate of the present invention is that a polyimide resin layer whose surface is treated with a silane coupling agent is placed on a temporary support and transferred onto a glass substrate. There are some points.
As described above, when a layer is formed on the surface of the thinned glass substrate and various materials are applied to the surface, it is difficult to form a uniform coating film, even if a coating film is formed. If an attempt is made to transport the glass substrate to perform subsequent processing (for example, drying processing), the glass substrate will bend, causing unevenness in the thickness of the coating film, leading to cracking of the resin layer. Moreover, when providing various materials directly on the glass substrate surface, the surface on the opposite side to the side which provides the material of a glass substrate normally contacts the member for supporting a glass substrate. When such a member comes into contact, it may cause a deterioration in surface properties such as scratching on the surface of the glass substrate, which may adversely affect the subsequent production of the electronic device member. In addition, it is often fixed to a vacuum suction stand during application onto a glass substrate. However, if the glass substrate is thin, the liquid on the coating film and uneven drying occur due to the temperature difference between the suction hole and the contact area. Cheap.
On the other hand, in the present invention, since the polyimide resin layer is once provided on the temporary support and transferred to the glass substrate, the number of times of handling the glass substrate is reduced, and damage to the glass substrate surface can be reduced. In addition, since the polyimide resin layer is first formed on the temporary support, it is easier to control the thickness of the polyimide resin layer. Furthermore, since the polyimide resin layer surface is treated with a silane coupling agent, the adhesion to the glass substrate is excellent. Therefore, as will be described later, after the electronic device member is formed on the glass substrate in the glass laminate, the temporary support can be easily removed using the interface between the temporary support and the polyimide resin layer as a release surface. it can.
Thus, according to the present invention, a predetermined electronic device can be easily manufactured. Moreover, it can be said that the glass laminated body of this invention can be used conveniently in order to manufacture easily the electronic device containing the polyimide resin layer and glass substrate which function as a reinforcement layer of a thin glass substrate.

[第1実施形態]
図1は、本発明の電子デバイスの製造方法の第1実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図1に示すように、電子デバイスの製造方法は、仮支持体上に所定のポリイミド樹脂層を配置するポリイミド樹脂層形成工程S102(工程(1)に該当)、ポリイミド樹脂層上にガラス基板を配置するガラス基板積層工程S104(工程(2)に該当)、ガラス基板上に電子デバイス用部材を配置する部材形成工程S106(工程(3)に該当)、および、電子デバイスを分離して得る分離工程S108(工程(4))を備える。
また、図2は、本発明の電子デバイスの製造方法の第1実施形態における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
以下に、図1および図2を参照しながら、各工程で使用される材料およびその手順について詳述する。まず、ポリイミド樹脂層形成工程S102について詳述する。
[First Embodiment]
FIG. 1 is a flowchart showing manufacturing steps in the first embodiment of the electronic device manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 1, the manufacturing method of an electronic device includes a polyimide resin layer forming step S102 (corresponding to step (1)) in which a predetermined polyimide resin layer is disposed on a temporary support, and a glass substrate on the polyimide resin layer. Glass substrate lamination step S104 (corresponding to step (2)) to be arranged, member forming step S106 (corresponding to step (3)) to arrange the electronic device member on the glass substrate, and separation obtained by separating the electronic device Step S108 (step (4)) is provided.
Moreover, FIG. 2 is typical sectional drawing which shows in order each manufacturing process in 1st Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention.
Hereinafter, the materials used in each step and the procedure thereof will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2. First, the polyimide resin layer forming step S102 will be described in detail.

<工程(1):ポリイミド樹脂層形成工程S102>
工程(1)は、仮支持体上に、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成する工程である。図2(A)に示すように、本工程を実施することにより、仮支持体10上に、表面12aがシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層12が配置された積層体が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される部材・材料について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
<Step (1): Polyimide resin layer forming step S102>
Step (1) is a step of forming on the temporary support a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support is treated with a silane coupling agent. As shown in FIG. 2A, by carrying out this step, a laminate in which the polyimide resin layer 12 whose surface 12a is treated with a silane coupling agent is disposed on the temporary support 10 is obtained.
Below, the member and material used at this process are explained in full detail first, and the procedure of the post process is explained in full detail.

(仮支持体)
仮支持体10は、後述する工程(4)までポリイミド樹脂層を支持する基板であり、工程(4)の際にポリイミド樹脂層12と分離される。つまり、仮支持体10は、ポリイミド樹脂層12と剥離可能に密着する。
仮支持体10としては、ポリイミド樹脂層12と剥離可能であれば特にその種類は制限されず、公知の基板を使用することができる。例えば、仮支持体としては、ガラス板、プラスチック板(例えば、シリコーン基板)、SUS板などの金属板、またはこれらを積層した基板などが用いられる。
なお、後述するように、ポリイミド樹脂層12を製造する際に、レべリング剤(表面調整剤)が使用される場合(言い換えれば、ポリイミド樹脂層中にレべリング剤が含まれる場合)、レべリング剤の効果により、仮支持体の材料の種類によらず、仮支持体10とポリイミド樹脂層12との両者が剥離しやすくなる。
(Temporary support)
The temporary support 10 is a substrate that supports the polyimide resin layer until step (4) described later, and is separated from the polyimide resin layer 12 during the step (4). That is, the temporary support 10 is in close contact with the polyimide resin layer 12 in a peelable manner.
The type of the temporary support 10 is not particularly limited as long as it can be peeled off from the polyimide resin layer 12, and a known substrate can be used. For example, as the temporary support, a glass plate, a plastic plate (for example, a silicone substrate), a metal plate such as a SUS plate, or a substrate in which these are laminated is used.
As will be described later, when the polyimide resin layer 12 is produced, when a leveling agent (surface conditioning agent) is used (in other words, when the leveling agent is included in the polyimide resin layer), Due to the effect of the leveling agent, both the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 easily peel off regardless of the type of material of the temporary support.

仮支持体10の厚みは特に制限されず、積層されるポリイミド樹脂層12よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。仮支持体10の厚みは、現行の製造装置を使用できる点、および、取り扱い性の点から、0.3〜3.0mmであることが好ましく、0.5〜1.0mmであることがより好ましい。   The thickness of the temporary support 10 is not particularly limited, and may be thicker or thinner than the laminated polyimide resin layer 12. The thickness of the temporary support 10 is preferably 0.3 to 3.0 mm, more preferably 0.5 to 1.0 mm, from the viewpoint of using the current manufacturing apparatus and handling. preferable.

なお、必要に応じて、仮支持体10の表面をシリコーン系離型剤(例えば、ジメチルポリシロキサンのようなシリコーンオイル)やその他の離型剤で処理して、ポリイミド樹脂層12に対する剥離性を向上させてもよい。上記のような離型処理の具体的な方法としては、仮支持体10の表面上に上記シリコーン系離型剤を接触させて、焼き付け処理(例えば、350℃程度)を行う方法が挙げられる。   If necessary, the surface of the temporary support 10 can be treated with a silicone-based mold release agent (for example, silicone oil such as dimethylpolysiloxane) or other mold release agents so as to make the polyimide resin layer 12 peelable. It may be improved. As a specific method of the mold release treatment as described above, there is a method in which the silicone mold release agent is brought into contact with the surface of the temporary support 10 to perform a baking treatment (for example, about 350 ° C.).

(ポリイミド樹脂層)
ポリイミド樹脂層12は、上記仮支持体10上に配置される層であり、表面12a(仮支持体10側とは反対側の表面)がシランカップリング剤で処理されている。ポリイミド樹脂層12は、後述するように、ガラス基板積層工程S104において、表面12aがガラス基板14と接することにより、ガラス基板14上に転写される。
(Polyimide resin layer)
The polyimide resin layer 12 is a layer disposed on the temporary support 10, and the surface 12a (surface opposite to the temporary support 10 side) is treated with a silane coupling agent. As described later, the polyimide resin layer 12 is transferred onto the glass substrate 14 when the surface 12a is in contact with the glass substrate 14 in the glass substrate lamination step S104.

ポリイミド樹脂層12の厚みは特に制限されないが、工程(4)の際に、仮支持体10とポリイミド樹脂層12との間に刃が侵入させて剥離起点を生じさせやすい点から、1μm以上であることが好ましく、剥離性の点から、2μm以上がより好ましく、4μm以上がさらに好ましい。なお、上限は特に制限されないが、薄膜化の点から、100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましい。
なお、上記厚みは、平均厚みを意図し、ポリイミド樹脂層12の任意の5点の厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
The thickness of the polyimide resin layer 12 is not particularly limited. However, in the step (4), the thickness is 1 μm or more from the viewpoint that a blade easily enters between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 to cause a separation start point. Preferably, it is preferably 2 μm or more, more preferably 4 μm or more from the viewpoint of peelability. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less and more preferably 50 μm or less from the viewpoint of thinning.
In addition, the said thickness intends average thickness, measures the thickness of arbitrary 5 points | pieces of the polyimide resin layer 12, and arithmetically averages them.

ポリイミド樹脂層12はポリイミド樹脂を含む層であるが、ポリイミド樹脂の構造は特に制限されず、公知のポリイミド樹脂を使用することができ、耐熱性や取り扱い性の点から、下記式(1)で表される、テトラカルボン酸類の残基(X)とジアミン類の残基(A)とを有する繰り返し単位からなることが好ましい。なお、ポリイミド樹脂は、式(1)で表される繰り返し単位を主成分(全繰り返し単位に対して95モル%以上が好ましい)として含有するが、それ以外の他の繰り返し単位(例えば、後述する式(2−1)または(2−2)で表される繰り返し単位)を含んでいてもよい。
なお、テトラカルボン酸類の残基(X)とはテトラカルボン酸類からカルボキシ基を除いたテトラカルボン酸残基を意図し、ジアミン類の残基(A)とはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を意図する。
Although the polyimide resin layer 12 is a layer containing a polyimide resin, the structure of the polyimide resin is not particularly limited, and a known polyimide resin can be used. From the viewpoint of heat resistance and handleability, the following formula (1) It is preferably composed of a repeating unit having a tetracarboxylic acid residue (X) and a diamine residue (A). In addition, although polyimide resin contains the repeating unit represented by Formula (1) as a main component (95 mol% or more with respect to all the repeating units is preferable), other repeating units (for example, mentioned later) The repeating unit represented by formula (2-1) or (2-2) may be included.
The tetracarboxylic acid residue (X) is a tetracarboxylic acid residue obtained by removing a carboxy group from a tetracarboxylic acid, and the diamine residue (A) is a diamine obtained by removing an amino group from a diamine. Intended for residues.

式(1)中、Xはテトラカルボン酸類からカルボキシ基を除いたテトラカルボン酸残基を、Aはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を表す。   In formula (1), X represents a tetracarboxylic acid residue obtained by removing a carboxy group from tetracarboxylic acids, and A represents a diamine residue obtained by removing an amino group from diamines.

式(1)中、Xはテトラカルボン酸類からカルボキシ基を除いたテトラカルボン酸残基を表し、以下の式(X1)〜(X4)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることが好ましい。なかでも、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、Xの総数の50モル%以上(好ましくは、80〜100モル%)が以下の式(X1)〜(X4)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることがより好ましい。Xの総数の実質的に全数(100モル%)が以下の式(X1)〜(X4)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることがさらに好ましい。
また、Aはジアミン類からアミノ基を除いたジアミン残基を表し、以下の式(A1)〜(A8)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることが好ましい。なかでも、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、Aの総数の50モル%以上(好ましくは、80〜100モル%)が以下の式(A1)〜(A8)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることがより好ましい。Aの総数の実質的に全数(100モル%)が以下の式(A1)〜(A8)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることがさらに好ましい。
In the formula (1), X represents a tetracarboxylic acid residue obtained by removing a carboxy group from tetracarboxylic acids, and at least one selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (X1) to (X4) It preferably consists of a group. Among these, groups in which 50 mol% or more (preferably 80 to 100 mol%) of the total number of X are represented by the following formulas (X1) to (X4) are more excellent in the heat resistance of the polyimide resin layer 12. More preferably, it consists of at least one group selected from the group consisting of: More preferably, substantially all (100 mol%) of the total number of X is composed of at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (X1) to (X4).
A represents a diamine residue obtained by removing an amino group from diamines, and preferably comprises at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A1) to (A8). Among them, the group represented by the following formulas (A1) to (A8) is 50 mol% or more (preferably 80 to 100 mol%) of the total number of A in that the heat resistance of the polyimide resin layer 12 is more excellent. More preferably, it consists of at least one group selected from the group consisting of: More preferably, substantially all (100 mol%) of the total number of A is composed of at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A1) to (A8).

なお、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、Xの総数の80〜100モル%が以下の式(X1)〜(X4)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなり、かつ、Aの総数の80〜100モル%が以下の式(A1)〜(A8)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることが好ましく、Xの総数の実質的に全数(100モル%)が以下の式(X1)〜(X4)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなり、かつ、Aの総数の実質的に全数(100モル%)が以下の式(A1)〜(A8)で表される基からなる群から選ばれる少なくとも1種の基からなることがより好ましい。   In addition, at the point which the heat resistance of the polyimide resin layer 12 is more excellent, 80-100 mol% of the total number of X is at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of group represented by the following formula | equation (X1)-(X4). It is preferable that 80 to 100 mol% of the total number of A consists of at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A1) to (A8), The total number (100 mol%) of the total number consists of at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (X1) to (X4), and substantially the total number of A It is more preferable that the total number (100 mol%) is composed of at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (A1) to (A8).

なかでも、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、Xとしては、式(X1)で表される基および式(X4)で表される基が好ましく、式(X1)で表される基がより好ましい。
また、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、Aとしては、式(A1)で表される基および式(A6)で表される基が好ましく、式(A1)で表される基がより好ましい。
Among these, X is preferably a group represented by the formula (X1) and a group represented by the formula (X4) in terms of more excellent heat resistance of the polyimide resin layer 12, and is represented by the formula (X1). Groups are more preferred.
Further, as A, a group represented by the formula (A1) and a group represented by the formula (A6) are preferable, and the group represented by the formula (A1) is more preferable because the heat resistance of the polyimide resin layer 12 is more excellent. Is more preferable.

式(X1)〜(X4)で表される基と式(A1)〜(A8)で表される基との好適な組み合わせからなるポリイミド樹脂としては、Xが式(X1)で表される基であり、Aが式(A1)で表される基であるポリイミド樹脂1、および、Xが式(X4)で表される基であり、Aが式(A6)で表される基であるポリイミド樹脂2が好ましく挙げられる。ポリイミド樹脂1の場合、耐熱性により優れる。また、ポリイミド樹脂2の場合、無色透明性の点で好ましい。   As a polyimide resin comprising a suitable combination of groups represented by formulas (X1) to (X4) and groups represented by formulas (A1) to (A8), a group in which X is represented by formula (X1) A polyimide resin 1 in which A is a group represented by the formula (A1), and a polyimide in which X is a group represented by the formula (X4) and A is a group represented by the formula (A6) Resin 2 is preferred. In the case of the polyimide resin 1, it is more excellent in heat resistance. Moreover, in the case of the polyimide resin 2, it is preferable at the point of colorless transparency.

ポリイミド樹脂中における上記式(1)で表される繰り返し単位の繰り返し数(n)は特に制限されないが、2以上の整数であることが好ましく、ポリイミド樹脂層12の耐熱性および塗膜の成膜性の点で、10〜10000が好ましく、15〜1000がより好ましい。   The number of repeating units (n) represented by the above formula (1) in the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably an integer of 2 or more, the heat resistance of the polyimide resin layer 12 and the film formation of the coating film. From the viewpoint of property, 10 to 10000 are preferable, and 15 to 1000 are more preferable.

上記ポリイミド樹脂は、耐熱性を損なわない範囲で、テトラカルボン酸類の残基(X)として、下記に例示される基からなる群から選ばれる1種以上が含まれていてもよい。また、下記に例示される基を2種以上含んでいてもよい。   The polyimide resin may contain at least one selected from the group consisting of the groups exemplified below as the residue (X) of the tetracarboxylic acids within a range that does not impair the heat resistance. Moreover, 2 or more types of groups illustrated below may be included.

また、上記ポリイミド樹脂は、耐熱性を損なわない範囲で、ジアミン類の残基(A)として、下記に例示される基からなる群から選ばれる1種以上が含まれていてもよい。また、下記に例示される基を2種以上含んでいてもよい。   Moreover, the said polyimide resin may contain 1 or more types chosen from the group which consists of group illustrated below as a residue (A) of diamine within the range which does not impair heat resistance. Moreover, 2 or more types of groups illustrated below may be included.

ポリイミド樹脂層12中におけるポリイミド樹脂の含有量は特に制限されないが、ポリイミド樹脂層12の耐熱性がより優れる点で、樹脂層全質量に対して、50〜100質量%が好ましく、75〜100質量%がより好ましく、90〜100質量%がさらに好ましい。   The content of the polyimide resin in the polyimide resin layer 12 is not particularly limited, but is preferably 50 to 100% by mass and 75 to 100% by mass with respect to the total mass of the resin layer in that the heat resistance of the polyimide resin layer 12 is more excellent. % Is more preferable, and 90 to 100% by mass is more preferable.

ポリイミド樹脂層12中には、必要に応じて、上記ポリイミド樹脂以外の他の成分(例えば、耐熱性を阻害しないフィラーなど)が含まれていてもよい。
耐熱性を阻害しないフィラーとしては、繊維状、または、板状、鱗片状、粒状、不定形状、破砕品など非繊維状の充填剤が挙げられ、具体的には例えば、ガラス繊維、PAN系やピッチ系の炭素繊維、ステンレス繊維、アルミニウム繊維や黄銅繊維などの金属繊維、石膏繊維、セラミック繊維、アスベスト繊維、ジルコニア繊維、アルミナ繊維、シリカ繊維、酸化チタン繊維、炭化ケイ素繊維、ロックウール、チタン酸カリウムウィスカー、チタン酸バリウムウィスカー、ほう酸アルミニウムウィスカー、窒化ケイ素ウィスカー、マイカ、タルク、カオリン、シリカ、炭酸カルシウム、ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラスマイクロバルーン、クレー、二硫化モリブデン、ワラステナイト、酸化チタン、酸化亜鉛、ポリリン酸カルシウム、グラファイト、金属粉、金属フレーク、金属リボン、金属酸化物、カーボン粉末、黒鉛、カーボンフレーク、鱗片状カーボン、カーボンナノチューブなどが挙げられる。金属粉、金属フレーク、金属リボンの金属種の具体例としては、銀、ニッケル、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、鉄、黄銅、クロム、錫などが例示できる。
In the polyimide resin layer 12, other components other than the polyimide resin (for example, a filler that does not impair heat resistance) may be included as necessary.
Examples of fillers that do not impair heat resistance include fibrous or non-fibrous fillers such as plate-like, scaly, granular, indeterminate, and crushed products. Specific examples include glass fiber, PAN-based fillers, and the like. Pitch-based carbon fiber, stainless steel fiber, metal fiber such as aluminum fiber and brass fiber, gypsum fiber, ceramic fiber, asbestos fiber, zirconia fiber, alumina fiber, silica fiber, titanium oxide fiber, silicon carbide fiber, rock wool, titanic acid Potassium whisker, barium titanate whisker, aluminum borate whisker, silicon nitride whisker, mica, talc, kaolin, silica, calcium carbonate, glass beads, glass flake, glass microballoon, clay, molybdenum disulfide, wollastonite, titanium oxide, oxidation Zinc, calcium polyphosphate, Rafaito, metal powders, metal flakes, metal ribbons, metal oxides, carbon powder, graphite, carbon flake, scaly carbon, and carbon nanotubes. Specific examples of metal species of metal powder, metal flakes, and metal ribbons include silver, nickel, copper, zinc, aluminum, stainless steel, iron, brass, chromium, and tin.

なお、ポリイミド樹脂層12は、膜厚や面状の制御がしやすい点で、ポリアミック酸(熱硬化によりポリイミド樹脂となる硬化性樹脂)を含む層から形成されることが好ましい。つまり、ポリイミド樹脂層12は、ポリアミック酸を含む層に、加熱処理を施すことにより形成された層であることが好ましく、さらには、熱硬化により上記式(1)で表されるテトラカルボン酸類の残基(X)とジアミン類の残基(A)とを有する繰り返し単位からなるポリイミド樹脂となる硬化性樹脂(ポリアミック酸)の層に、加熱処理を施すことにより形成された層であることがより好ましい。なお、加熱処理は、温度を変えて、段階的に実施してもよい。   The polyimide resin layer 12 is preferably formed from a layer containing polyamic acid (a curable resin that becomes a polyimide resin by thermosetting) in terms of easy control of film thickness and surface shape. That is, the polyimide resin layer 12 is preferably a layer formed by subjecting a layer containing polyamic acid to heat treatment, and further, a tetracarboxylic acid represented by the above formula (1) by thermosetting. It may be a layer formed by subjecting a layer of a curable resin (polyamic acid) to be a polyimide resin composed of repeating units having a residue (X) and a diamine residue (A) to heat treatment. More preferred. In addition, you may implement heat processing in steps, changing temperature.

また、ポリイミド樹脂層12の表面12a(仮支持体10側とは反対側の表面)は、シランカップリング剤で処理されている。言い換えれば、ポリイミド樹脂層12表面上にシランカップリング剤の層が配置される。なお、シランカップリング剤による処理は、ポリイミド樹脂層12の表面12a全面であっても、一部であってもよい。
使用されるシランカップリング剤の種類は特に制限されないが、ポリイミド樹脂層を形成する際に使用されるポリアミック酸と反応し得る反応性基を有することが好ましい。シランカップリング剤が該反応性基を有すると、シランカップリング剤が該反応性基を介してポリイミド樹脂層12と結合を形成すると共に、シランカップリング剤に含まれるシラノール基を介してガラス基板14と結合を形成し、両者の密着性がより向上する。
上記反応性基としては、ポリアミック酸中の官能基を反応可能であれば特に制限されないが、例えば、ポリアミック酸中のカルボン酸基または2級アミノ基(−NH−)と反応可能な基が挙げられ、より具体的には、1級アミノ基、2級アミノ基、水酸基、カルボン酸基、エポキシ基などが挙げられる。
シランカップリング剤の好適態様としては、以下の式(1)で表される化合物が挙げられる。
式(1) X−L−Si(Y)
Xは反応性基を表し、Lは単結合または2価の連結基を表し、Yはそれぞれ独立に水酸基または加水分解性基を表す。
反応性基の定義は、上述の通りである。
2価の連結基としては、例えば、−O−、−CO−、−NH−、−CO−NH−、−COO−、−O−COO−、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロ環基(ヘテロアリーレン基)、および、それらの組み合わせた基が挙げられる。
加水分解性基は、シラノール基を生成することができる基や、シロキサン縮合物を形成することができる基を表し、具体的には、ハロゲン基、アルコキシ基、アシルオキシ基、イソシアネート基などが挙げられる。なかでも、アルコキシ基(炭素数1〜2が好ましい)が好ましく挙げられる。
Moreover, the surface 12a (surface on the opposite side to the temporary support body 10 side) of the polyimide resin layer 12 is processed with the silane coupling agent. In other words, a layer of a silane coupling agent is disposed on the surface of the polyimide resin layer 12. In addition, the process by a silane coupling agent may be the whole surface 12a of the polyimide resin layer 12, or may be a part.
Although the kind of silane coupling agent used is not particularly limited, it preferably has a reactive group capable of reacting with the polyamic acid used when forming the polyimide resin layer. When the silane coupling agent has the reactive group, the silane coupling agent forms a bond with the polyimide resin layer 12 through the reactive group, and the glass substrate through the silanol group contained in the silane coupling agent. 14 and a bond are formed, and the adhesion between them is further improved.
The reactive group is not particularly limited as long as it can react with a functional group in the polyamic acid, and examples thereof include a group capable of reacting with a carboxylic acid group or a secondary amino group (—NH—) in the polyamic acid. More specifically, a primary amino group, a secondary amino group, a hydroxyl group, a carboxylic acid group, an epoxy group, and the like can be given.
As a suitable aspect of a silane coupling agent, the compound represented by the following formula | equation (1) is mentioned.
Formula (1) X-L-Si (Y) 3
X represents a reactive group, L represents a single bond or a divalent linking group, and Y independently represents a hydroxyl group or a hydrolyzable group.
The definition of the reactive group is as described above.
Examples of the divalent linking group include -O-, -CO-, -NH-, -CO-NH-, -COO-, -O-COO-, an alkylene group, an arylene group, and a heterocyclic group (heteroarylene). Group) and a combination thereof.
The hydrolyzable group represents a group capable of forming a silanol group or a group capable of forming a siloxane condensate, and specific examples thereof include a halogen group, an alkoxy group, an acyloxy group, and an isocyanate group. . Especially, an alkoxy group (C1-C2 is preferable) is mentioned preferably.

(工程の手順)
工程(1)の手順は、仮支持体上に、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成することができれば、特に制限されず、公知の方法を採用できる。
なかでも、ポリイミド樹脂層とガラス基板との密着性がより優れる点で、以下の2つの態様が好ましく、態様Xがより好ましい。
(態様X)仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)と、塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)と、塗膜に加熱処理を施し、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)とを備える態様
(態様Y)仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)と、ポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)とを備える態様
態様Xと態様Yとの違いは、シランカップリング剤を付与する時期が異なる。態様Xは、ポリアミック酸を含む塗膜上にシランカップリング剤を付与して、その後、加熱処理(閉環処理(イミド化処理))を施して塗膜を硬化させ、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る態様である。一方、態様Yは、一旦ポリイミド樹脂層を製造した後、そのポリイミド樹脂層上にシランカップリング剤を付与して、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る態様である。
上記二つの態様を比較した際、態様Xのほうが、シランカップリング剤の層と、ポリアミック酸を含む塗膜との間の界面が混じり合いやすく、両者の密着性が優れ、結果としてポリイミド樹脂層とガラス基板との密着性がより優れる。また、シランカップリング剤が、ポリアミック酸と反応し得る反応性基を有する場合、特に、態様Xにおいてポリイミド樹脂層とガラス基板との密着性がより優れる。
以下、上記態様XおよびYの手順についてそれぞれ詳述する。
(Process procedure)
The procedure of the step (1) is not particularly limited as long as a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent can be formed on the temporary support, and is a known method. Can be adopted.
Especially, the following two aspects are preferable and aspect X is more preferable at the point which the adhesiveness of a polyimide resin layer and a glass substrate is more excellent.
(Aspect X) The process (A) which forms the coating film containing a polyamic acid by apply | coating the composition containing a polyamic acid on a temporary support body, and the process (B) which provides a silane coupling agent on the coating-film surface And a step (C) of obtaining a polyimide resin layer in which the surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent is applied to the coating film (the mode Y) on the temporary support side. A step (D) of forming a polyimide resin layer on the surface, a silane coupling agent on the surface of the polyimide resin layer, and a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support side is treated with the silane coupling agent. The aspect provided with the process (E) to obtain The difference between the aspect X and the aspect Y differs in the time which provides a silane coupling agent. In aspect X, a silane coupling agent is applied on a coating film containing polyamic acid, and then a heat treatment (ring-closing treatment (imidation treatment)) is applied to cure the coating film. The surface is a silane coupling agent. In this embodiment, a treated polyimide resin layer is obtained. On the other hand, mode Y is a mode in which after a polyimide resin layer is once manufactured, a silane coupling agent is applied onto the polyimide resin layer to obtain a polyimide resin layer whose surface is treated with the silane coupling agent.
When comparing the above two aspects, the aspect X is more easily mixed with the interface between the silane coupling agent layer and the coating film containing polyamic acid, and the adhesion between them is excellent, resulting in a polyimide resin layer. The adhesion between the glass substrate and the glass substrate is more excellent. Moreover, when the silane coupling agent has a reactive group that can react with the polyamic acid, in particular, in the aspect X, the adhesion between the polyimide resin layer and the glass substrate is more excellent.
Hereinafter, the procedures of the above aspects X and Y will be described in detail.

(態様X)
態様Xでは、まず、仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)が実施される。
以下では、まず、本工程で使用される材料(ポリアミック酸など)について詳述する。
(Aspect X)
In aspect X, first, the step (A) of applying a composition containing polyamic acid on the temporary support to form a coating film containing polyamic acid is performed.
Below, the material (polyamic acid etc.) used at this process is explained in full detail first.

ポリアミック酸とは、熱硬化によりポリイミド樹脂となる硬化性樹脂であり、テトラカルボン酸二無水物とジアミン類とを反応させて得られるポリアミック酸が好ましく、テトラカルボン酸二無水物の少なくとも一部が下記式(Y1)〜(Y4)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種のテトラカルボン酸二無水物からなり、ジアミン類の少なくとも一部が下記式(B1)〜(B8)で表される化合物からなる群から選択される少なくとも1種のジアミン類からなることがより好ましい。   The polyamic acid is a curable resin that becomes a polyimide resin by thermosetting, preferably a polyamic acid obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine, and at least a part of the tetracarboxylic dianhydride is It consists of at least one tetracarboxylic dianhydride selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (Y1) to (Y4), and at least some of the diamines are represented by the following formulas (B1) to (B8). More preferably, it consists of at least one diamine selected from the group consisting of compounds represented by:

なお、ポリアミック酸は、通常、以下式(2−1)および/または式(2−2)で表される繰り返し単位を含む構造式として表される。なお、式(2−1)および/または式(2−2)中、X、Aの定義は、上述の通りである。   In addition, a polyamic acid is normally represented as a structural formula containing the repeating unit represented by Formula (2-1) and / or Formula (2-2) below. In addition, in the formula (2-1) and / or the formula (2-2), the definitions of X and A are as described above.

テトラカルボン酸二無水物とジアミン類との反応条件は特に制限されず、ポリアミック酸を効率よく合成できる点で、−30〜70℃(好ましくは−20〜40℃)で反応させることが好ましい。
テトラカルボン酸二無水物とジアミン類との混合比率は特に制限されないが、ジアミン類1モルに対して、テトラカルボン酸二無水物を好ましくは0.66〜1.5モル、より好ましくは0.9〜1.1モル、さらに好ましくは0.97〜1.03モル反応させることが挙げられる。
テトラカルボン酸二無水物とジアミン類との反応の際には、必要に応じて、有機溶媒を使用してもよい。使用される有機溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、N−メチルカプロラクタム、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、ジメチルスルホキシド、m−クレゾ−ル、フェノ−ル、p−クロルフェノール、2−クロル−4−ヒドロキシトルエン、ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ジオキサン、γ−ブチロラクトン、ジオキソラン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどが使用可能であり、2種以上を併用してもよい。
The reaction conditions of tetracarboxylic dianhydride and diamines are not particularly limited, and it is preferable to react at −30 to 70 ° C. (preferably −20 to 40 ° C.) from the viewpoint that polyamic acid can be efficiently synthesized.
Although the mixing ratio in particular of tetracarboxylic dianhydride and diamines is not restrict | limited, Preferably tetracarboxylic dianhydride is 0.66-1.5 mol with respect to 1 mol of diamines, More preferably, it is 0.8. The reaction may be 9 to 1.1 mol, more preferably 0.97 to 1.03 mol.
In the reaction of tetracarboxylic dianhydride and diamines, an organic solvent may be used as necessary. The type of organic solvent to be used is not particularly limited. For example, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide N-methylcaprolactam, hexamethylphosphoramide, tetramethylene sulfone, dimethyl sulfoxide, m-cresol, phenol, p-chlorophenol, 2-chloro-4-hydroxytoluene, diglyme, triglyme, tetraglyme, Dioxane, γ-butyrolactone, dioxolane, cyclohexanone, cyclopentanone and the like can be used, and two or more kinds may be used in combination.

上記反応の際には、必要に応じて、上記式(Y1)〜(Y4)で表される化合物からなる群から選択されるテトラカルボン酸二無水物以外の他のテトラカルボン酸二無水物を合わせて使用してもよい。
また、上記反応の際には、必要に応じて、上記式(B1)〜(B8)で表される化合物からなる群から選択されるジアミン類以外の他のジアミン類を合わせて使用してもよい。
In the case of the said reaction, other tetracarboxylic dianhydrides other than the tetracarboxylic dianhydride selected from the group which consists of a compound represented by said formula (Y1)-(Y4) as needed are added. You may use together.
Moreover, in the case of the said reaction, you may use together other diamines other than the diamine selected from the group which consists of a compound represented by said formula (B1)-(B8) as needed. Good.

ポリアミック酸を含む組成物には、必要に応じて、ポリアミック酸以外の成分が含まれていていてもよい。
例えば、組成物には溶媒が含まれていてもよい。溶媒としては、特にポリアミック酸の溶解性の点から、有機溶媒が好ましい。使用される有機溶媒としては、上述したポリアミック酸の反応の際に使用される有機溶媒が挙げられる。
なお、組成物中に有機溶媒が含まれる場合、塗膜の厚みの調整、塗布性が良好にできる量であれば、有機溶媒の含有量は特に制限されないが、一般的に組成物全質量に対して、5〜95質量%が好ましく、10〜90質量%がより好ましい。
また、必要に応じて、ポリアミック酸の脱水閉環を促進するための脱水剤または脱水閉環触媒を合わせて使用してもよい。例えば、脱水剤としては、例えば、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物を用いることができる。また、脱水閉環触媒としては、例えば、ピリジン、コリジン、ルチジン、トリエチルアミンなどの3級アミンを用いることができる。
さらに、必要に応じて、組成物にはレべリング剤が含まれていてもよい。レべリング剤とは、塗布物の表面張力を低下させ、被塗布物への濡れを改良する化合物である。レべリング剤としては、一般的なレべリング剤を使用できるが、例えば、フッ素系レべリング剤(例えば、フッ素系界面活性剤)、アクリル系レべリング剤、シリコーン系レべリング剤(例えば、シリコーン系界面活性剤)などが挙げられ、これらの1種または2種以上を使用することができる。
In the composition containing a polyamic acid, components other than the polyamic acid may be contained as necessary.
For example, the composition may contain a solvent. As the solvent, an organic solvent is particularly preferable from the viewpoint of the solubility of the polyamic acid. As an organic solvent used, the organic solvent used in the case of reaction of the polyamic acid mentioned above is mentioned.
In addition, when the organic solvent is contained in the composition, the content of the organic solvent is not particularly limited as long as the thickness of the coating film can be adjusted and the coating property can be improved. On the other hand, 5-95 mass% is preferable and 10-90 mass% is more preferable.
Further, if necessary, a dehydrating agent or a dehydrating ring closure catalyst for promoting dehydration ring closure of the polyamic acid may be used together. For example, as the dehydrating agent, for example, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and trifluoroacetic anhydride can be used. Moreover, as a dehydration ring closure catalyst, tertiary amines, such as a pyridine, a collidine, a lutidine, a triethylamine, can be used, for example.
Furthermore, a leveling agent may be contained in the composition as needed. A leveling agent is a compound that reduces the surface tension of a coated material and improves the wettability of the coated material. As the leveling agent, general leveling agents can be used. For example, fluorine leveling agents (for example, fluorine surfactants), acrylic leveling agents, silicone leveling agents. (For example, a silicone-based surfactant) and the like, and one or more of these can be used.

仮支持体表面上に組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
上記処理により得られる塗膜の厚みは特に制限されず、上述した好適厚みのポリイミド樹脂層が得られるように適宜調整される。
上記塗布後、必要に応じて、塗膜中に含まれる揮発成分(例えば、溶媒)を除去するために、乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法は、ポリアミック酸の閉環反応(イミド化反応)が進行しない方法であれば、特に制限されない。例えば、加熱処理を施す方法や、風乾処理を施す方法などが挙げられる。
加熱処理の条件は、使用されるポリアミック酸の構造によって異なるが、加熱温度としては、通常、40〜200℃が好ましく、樹脂層の発泡が抑制される点で、40〜150℃が好ましい。特に、上記加熱温度の範囲において、溶媒の沸点未満で加熱することが好ましい。加熱時間としては、使用されるポリアミック酸の構造により適宜最適な時間が選択されるが、ポリアミック酸の解重合をより防止できる点から、5〜60分が好ましく、10〜30分がより好ましい。
加熱の雰囲気は特に制限されず、例えば、大気中下、真空下または不活性ガス下にて実施される。真空下で実施すると、低い温度で加熱してもより短時間で揮発成分が除去でき、またポリアミック酸の解重合がより制御できるため好ましい。
なお、乾燥処理は、異なる温度条件で段階的に実施してもよい。
The method for applying the composition on the surface of the temporary support is not particularly limited, and a known method can be used. Examples thereof include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating.
The thickness of the coating film obtained by the said process is not restrict | limited in particular, It adjusts suitably so that the polyimide resin layer of the suitable thickness mentioned above may be obtained.
After the application, if necessary, a drying treatment may be performed to remove volatile components (for example, a solvent) contained in the coating film. The method for the drying treatment is not particularly limited as long as the ring closing reaction (imidation reaction) of the polyamic acid does not proceed. For example, a method of performing a heat treatment, a method of performing an air drying treatment, or the like can be given.
Although the heat treatment conditions vary depending on the structure of the polyamic acid used, the heating temperature is usually preferably 40 to 200 ° C., and 40 to 150 ° C. is preferable in that foaming of the resin layer is suppressed. In particular, it is preferable to heat at a temperature lower than the boiling point of the solvent within the above heating temperature range. As the heating time, an optimal time is appropriately selected depending on the structure of the polyamic acid to be used, but it is preferably 5 to 60 minutes, more preferably 10 to 30 minutes, from the point that the depolymerization of the polyamic acid can be further prevented.
The heating atmosphere is not particularly limited, and is performed, for example, in the air, under vacuum, or under an inert gas. It is preferable to carry out under vacuum because even when heated at a low temperature, volatile components can be removed in a shorter time and the depolymerization of the polyamic acid can be more controlled.
In addition, you may implement a drying process in steps under different temperature conditions.

次に、上記工程(A)で得られた、ポリアミック酸を含む塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)が実施される。
シランカップリング剤を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、シランカップリング剤を含む組成物を塗膜表面上に付与する方法(塗布方法)や、シランカップリング剤を含む組成物中に上記塗膜付き支持体を浸漬する方法(浸漬方法)が挙げられる。なかでも、シランカップリング剤の付与量の調整がしやすい点で、塗布方法が好ましい。塗布方法において、シランカップリング剤を含む組成物を塗布する方法は特に制限されず、上述した、ポリアミック酸を含む組成物を塗布する方法が挙げられる。
Next, the process (B) which provides a silane coupling agent on the coating-film surface containing a polyamic acid obtained by the said process (A) is implemented.
The method for applying the silane coupling agent is not particularly limited, and a known method can be adopted. For example, there are a method of applying a composition containing a silane coupling agent on the surface of the coating film (application method) and a method of immersing the support with a coating film in a composition containing the silane coupling agent (immersion method). Can be mentioned. Among these, a coating method is preferable because the amount of the silane coupling agent applied can be easily adjusted. In the application method, the method for applying the composition containing the silane coupling agent is not particularly limited, and examples thereof include the method for applying the above-described composition containing polyamic acid.

シランカップリング剤を含む組成物には、上述したシランカップリング剤が含まれる。
また、シランカップリング剤を含む組成物には、必要に応じて、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の種類は、上記ポリアミック酸を含む組成物に含まれていてもよい溶媒が挙げられる。
なお、上記シランカップリング剤の付与後、必要に応じて、塗膜中に含まれる揮発成分(例えば、溶媒)を除去するために、乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法は、ポリアミック酸の閉環反応(イミド化反応)が急速に進行しない方法であれば、特に制限されない。例えば、加熱処理を施す方法や、風乾処理を施す方法などが挙げられる。加熱処理の条件としては、上述した工程(A)で実施してもよい加熱処理の条件(加熱温度、加熱時間、雰囲気)が挙げられる。
The composition containing the silane coupling agent includes the silane coupling agent described above.
Moreover, the composition containing the silane coupling agent may contain a solvent as necessary. As for the kind of solvent, the solvent which may be contained in the composition containing the said polyamic acid is mentioned.
In addition, after application | coating of the said silane coupling agent, in order to remove the volatile component (for example, solvent) contained in a coating film, you may give a drying process as needed. The method for the drying treatment is not particularly limited as long as the ring closing reaction (imidation reaction) of the polyamic acid does not proceed rapidly. For example, a method of performing a heat treatment, a method of performing an air drying treatment, or the like can be given. Examples of the heat treatment conditions include heat treatment conditions (heating temperature, heating time, atmosphere) that may be performed in the above-described step (A).

次に、工程(B)で得られた、表面にシランカップリング剤が付与されたポリアミック酸を含む塗膜に加熱処理を施して、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)が実施される。本工程(C)においては、いわゆる閉環反応(イミド化反応)が進行する。
本工程(C)での加熱温度は特に制限されないが、250〜500℃であることが好ましく、残留溶媒率が低くなると共に、イミド化率がより上昇し、本発明の効果がより優れる点で、300〜450℃がより好ましい。
加熱時間は特に制限されず、使用されるポリアミック酸の構造により適宜最適な時間が選択されるが、残留溶媒率が低くなる共に、イミド化率がより上昇し、本発明の効果がより優れる点で、15〜120分が好ましく、30〜60分がより好ましい。
加熱の雰囲気は特に制限されず、例えば、大気中下、真空下または不活性ガス下にて実施される。
なお、加熱処理は、異なる温度で段階的に実施してもよい。
Next, heat treatment is applied to the coating film containing polyamic acid having a silane coupling agent applied to the surface obtained in the step (B) to obtain a polyimide resin layer whose surface is treated with the silane coupling agent. Step (C) is performed. In this step (C), a so-called ring closure reaction (imidation reaction) proceeds.
The heating temperature in this step (C) is not particularly limited, but is preferably 250 to 500 ° C., and the residual solvent ratio is lowered, the imidization ratio is further increased, and the effect of the present invention is more excellent. 300 to 450 ° C. is more preferable.
The heating time is not particularly limited, and an optimal time is appropriately selected depending on the structure of the polyamic acid used, but the residual solvent ratio is lowered and the imidization ratio is further increased, and the effects of the present invention are more excellent. 15 to 120 minutes are preferable, and 30 to 60 minutes are more preferable.
The heating atmosphere is not particularly limited, and is performed, for example, in the air, under vacuum, or under an inert gas.
Note that the heat treatment may be performed stepwise at different temperatures.

上記工程(C)を経ることにより、ポリイミド樹脂を含むポリイミド樹脂層が形成される。
ポリイミド樹脂のイミド化率は特に制限されないが、ポリイミド樹脂層の耐熱性がより優れる点で、99.0%以上が好ましく、99.5%以上がより好ましい。
イミド化率の測定方法は、ポリアミック酸を窒素雰囲気下で350℃の2時間加熱した場合を100%のイミド化率として、ポリアミック酸のIRによるスペクトルにおいて加熱処理前後で不変のピーク強度(例えば、ベンゼン環由来のピーク:約1500cm−1)に対する、イミドカルボニル基由来のピーク:約1780cm−1のピーク強度の強度比により求める。
By passing through the said process (C), the polyimide resin layer containing a polyimide resin is formed.
The imidation ratio of the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably 99.0% or more and more preferably 99.5% or more in terms of more excellent heat resistance of the polyimide resin layer.
The method for measuring the imidization rate is that the polyamic acid is heated at 350 ° C. for 2 hours under a nitrogen atmosphere as 100% imidation rate, and the peak intensity that remains unchanged before and after the heat treatment in the spectrum of polyamic acid by IR (for example, peak derived from a benzene ring: for about 1500 cm -1), a peak derived from the imide carbonyl groups: determined by the intensity ratio of a peak intensity of about 1780 cm -1.

(態様Y)
態様Yでは、まず、仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)が実施される。
ポリイミド樹脂層を形成する方法は特に制限されず、公知の方法が採用できる。例えば、上述したポリアミック酸を含む組成物を仮支持体上に塗布して塗膜を形成して、その後加熱処理を施してポリイミド樹脂層を得る方法(方法1)や、ポリイミド樹脂層を含む組成物を仮支持体上に塗布して、必要に応じて乾燥処理を施して、ポリイミド樹脂層を得る方法(方法2)などが挙げられる。なかでも、ポリイミド樹脂層の厚みの調整がより容易である点から、上記方法1が好ましい。なお、方法1は、上述した態様X中の工程(A)と工程(C)とを実施する態様に該当し、それぞれの手順・条件は上記工程(A)および工程(C)と同じである。
(Aspect Y)
In the aspect Y, the process (D) which forms a polyimide resin layer on a temporary support body first is implemented.
The method for forming the polyimide resin layer is not particularly limited, and a known method can be employed. For example, the composition containing the polyamic acid mentioned above is applied on a temporary support to form a coating film, and then subjected to heat treatment to obtain a polyimide resin layer (Method 1), or a composition containing a polyimide resin layer Examples include a method (Method 2) of applying a product on a temporary support and applying a drying treatment as necessary to obtain a polyimide resin layer. Especially, the said method 1 is preferable from the point that adjustment of the thickness of a polyimide resin layer is easier. The method 1 corresponds to an embodiment in which the step (A) and the step (C) in the above-described embodiment X are performed, and the respective procedures and conditions are the same as those in the step (A) and the step (C). .

次に、工程(D)で得られたポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)が実施される。
シランカップリング剤を付与する方法は特に制限されず、例えば、上述した態様Xでの工程(B)と同様の手順が挙げられる。
Next, a step (E) of applying a silane coupling agent on the surface of the polyimide resin layer obtained in the step (D) to obtain a polyimide resin layer whose surface is treated with the silane coupling agent is performed.
The method in particular of providing a silane coupling agent is not restrict | limited, For example, the procedure similar to the process (B) in aspect X mentioned above is mentioned.

<工程(2):ガラス基板積層工程S104>
工程(2)は、上記工程(1)で得られたポリイミド樹脂層上に厚み0.2mm以下のガラス基板を配置して、ガラス積層体を得る工程である。図2(B)に示すように、本工程を実施することにより、ポリイミド樹脂層12のシランカップリング剤で処理された表面12a上にガラス基板14が配置され、仮支持体10とポリイミド樹脂層12とガラス基板14とをこの順で有するガラス積層体100が得られる。なお、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14とがシランカップリング剤を介して密着する。
以下では、まず、本工程で使用される部材・材料について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
<Process (2): Glass substrate lamination process S104>
Step (2) is a step of obtaining a glass laminate by disposing a glass substrate having a thickness of 0.2 mm or less on the polyimide resin layer obtained in step (1). As shown in FIG. 2B, by carrying out this step, the glass substrate 14 is disposed on the surface 12a of the polyimide resin layer 12 treated with the silane coupling agent, and the temporary support 10 and the polyimide resin layer. A glass laminate 100 having 12 and the glass substrate 14 in this order is obtained. In addition, the polyimide resin layer 12 and the glass substrate 14 adhere | attach through a silane coupling agent.
Below, the member and material used at this process are explained in full detail first, and the procedure of the post process is explained in full detail.

(ガラス基板)
ガラス基板14は、第1主面14aがポリイミド樹脂層12と接し、ポリイミド樹脂層12側とは反対側の第2主面14bに電子デバイス用部材が設けられる。つまり、ガラス基板14は、後述する電子デバイスの形成するために使用される基板である。
ガラス基板14の種類は、一般的なものであってよく、例えば、LCD、OLEDといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板14は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、JIS R 3102(1995年改正)に規定されている線膨張係数が用いられる。
(Glass substrate)
As for the glass substrate 14, the 1st main surface 14a touches the polyimide resin layer 12, and the member for electronic devices is provided in the 2nd main surface 14b on the opposite side to the polyimide resin layer 12 side. That is, the glass substrate 14 is a substrate used for forming an electronic device described later.
The glass substrate 14 may be of a general type, and examples thereof include a glass substrate for a display device such as an LCD or an OLED. The glass substrate 14 is excellent in chemical resistance and moisture permeability resistance, and has a low heat shrinkage rate. As an index of the heat shrinkage rate, a linear expansion coefficient defined in JIS R 3102 (revised in 1995) is used.

ガラス基板14の線膨張係数が大きいと、後述する部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板14上にTFTを形成する場合、加熱下でTFTが形成されたガラス基板14を冷却すると、ガラス基板14の熱収縮によって、TFTの位置ずれが過大になるおそれがある。   If the linear expansion coefficient of the glass substrate 14 is large, the member forming process described later often involves heat treatment, and thus various inconveniences are likely to occur. For example, when a TFT is formed on the glass substrate 14, if the glass substrate 14 on which the TFT is formed is cooled under heating, the TFT may be displaced excessively due to thermal contraction of the glass substrate 14.

ガラス基板14は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚みが薄いガラス基板14は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。   The glass substrate 14 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. Such a molding method may be a general one, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a full call method, a rubber method, or the like is used. Further, the glass substrate 14 having a particularly small thickness can be obtained by molding a glass once formed into a plate shape by a method (redraw method) by heating the glass to a moldable temperature and stretching the glass by means such as stretching.

ガラス基板14のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。   The type of glass of the glass substrate 14 is not particularly limited, but non-alkali borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide-based glasses mainly composed of silicon oxide are preferable. As the oxide glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.

ガラス基板14のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス)からなる(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる)。このように、ガラス基板14のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。   As the glass of the glass substrate 14, glass suitable for the type of electronic device member and its manufacturing process is employed. For example, a glass substrate for a liquid crystal panel is made of glass (non-alkali glass) that does not substantially contain an alkali metal component because the elution of an alkali metal component easily affects the liquid crystal (however, usually an alkaline earth metal) Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate 14 is appropriately selected based on the type of device to be applied and its manufacturing process.

ガラス基板14の厚みは0.2mm以下であり、ガラス基板14の薄型化および/または軽量化の観点から、0.15mm以下であることが好ましく、より好ましくは0.10mm以下である。0.2mm以下の場合、ガラス基板14に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。0.15mm以下の場合、ガラス基板14をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板14の厚みは、ガラス基板14の製造が容易であること、ガラス基板14の取り扱いが容易であることなどの理由から、0.03mm以上であることが好ましい。
The thickness of the glass substrate 14 is 0.2 mm or less, and is preferably 0.15 mm or less, more preferably 0.10 mm or less, from the viewpoint of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 14. In the case of 0.2 mm or less, it is possible to give good flexibility to the glass substrate 14. In the case of 0.15 mm or less, the glass substrate 14 can be rolled up.
Moreover, the thickness of the glass substrate 14 is preferably 0.03 mm or more for reasons such as easy manufacture of the glass substrate 14 and easy handling of the glass substrate 14.

なお、ガラス基板14は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板14の厚み」は全ての層の合計の厚みを意味するものとする。   The glass substrate 14 may be composed of two or more layers. In this case, the material for forming each layer may be the same material or a different material. In this case, “the thickness of the glass substrate 14” means the total thickness of all the layers.

(工程の手順)
ガラス基板14をポリイミド樹脂層12表面上(ポリイミド樹脂層12の仮支持体10側とは反対側の表面上)に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でポリイミド樹脂層12の表面上にガラス基板14を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、ポリイミド樹脂層12の表面上にガラス基板14を重ねた後、ロールやプレスを用いてポリイミド樹脂層12にガラス基板14を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
(Process procedure)
The method for laminating the glass substrate 14 on the surface of the polyimide resin layer 12 (on the surface opposite to the temporary support 10 side of the polyimide resin layer 12) is not particularly limited, and a known method can be adopted.
For example, a method of stacking the glass substrate 14 on the surface of the polyimide resin layer 12 under a normal pressure environment can be mentioned. If necessary, after the glass substrate 14 is overlaid on the surface of the polyimide resin layer 12, the glass substrate 14 may be pressure-bonded to the polyimide resin layer 12 using a roll or a press. It is preferable because bubbles mixed between the polyimide resin layer 12 and the glass substrate 14 are relatively easily removed by pressure bonding using a roll or a press.

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板14のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。また真空加熱下で圧着することで、より気泡が残存しにくい。
ガラス基板14を積層する際には、ポリイミド樹脂層12に接触するガラス基板14の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板14の平坦性は良好となるので好ましい。
When pressure bonding is performed by a vacuum laminating method or a vacuum pressing method, it is more preferable because it suppresses mixing of bubbles and secures good adhesion. By press-bonding under vacuum, even if minute bubbles remain, there is an advantage that the bubbles do not grow by heating and are less likely to cause a distortion defect of the glass substrate 14. Moreover, bubbles are less likely to remain by pressure bonding under vacuum heating.
When laminating the glass substrate 14, it is preferable that the surface of the glass substrate 14 in contact with the polyimide resin layer 12 is sufficiently washed and laminated in an environment with a high degree of cleanliness. The higher the degree of cleanness, the better the flatness of the glass substrate 14, which is preferable.

なお、ガラス基板14を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理(加熱処理)を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板14のポリイミド樹脂層12に対する密着性が向上し、後述する工程(4)の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるポリイミド樹脂層12の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板14とポリイミド樹脂層12の間の剥離強度をより適切なものとする点から、200℃以上(好ましくは、200〜400℃)で5分間以上(好ましく、5〜30分間)加熱処理を行うことが好ましい。
In addition, after laminating | stacking the glass substrate 14, you may perform a pre-annealing process (heat processing) as needed. By performing the pre-annealing treatment, the adhesion of the laminated glass substrate 14 to the polyimide resin layer 12 is improved, and the position of the electronic device member is less likely to occur during the step (4) described later. Productivity is improved.
The optimum conditions for the pre-annealing treatment are appropriately selected according to the type of the polyimide resin layer 12 to be used. From the point of making the peel strength between the glass substrate 14 and the polyimide resin layer 12 more appropriate, It is preferable to perform heat treatment at 200 ° C. or higher (preferably 200 to 400 ° C.) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

(ガラス積層体)
上記工程を経て得られる本発明のガラス積層体100は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、PV、薄膜2次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。なお、該用途では、ガラス積層体100が高温条件(例えば、400℃以上)で曝される(例えば、1時間以上)場合が多い。
ここで、表示装置用パネルとは、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)シャッターパネル等が含まれる
(Glass laminate)
The glass laminate 100 of the present invention obtained through the above steps can be used for various applications, for example, a display device panel, PV, a thin film secondary battery, and a semiconductor wafer having a circuit formed on the surface, which will be described later. The use etc. which manufacture electronic parts, such as these, are mentioned. In this application, the glass laminate 100 is often exposed (for example, 1 hour or longer) under high temperature conditions (for example, 400 ° C. or higher).
Here, the display device panel includes LCD, OLED, electronic paper, plasma display panel, field emission panel, quantum dot LED panel, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

このガラス積層体100は、工程(4)まで使用される。即ち、このガラス積層体100は、そのガラス基板14の第2主面14b表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、仮支持体10と電子デバイスとに分離され、仮支持体10は電子デバイスを構成する部分とはならない。   This glass laminate 100 is used up to step (4). That is, the glass laminate 100 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 14b of the glass substrate 14. Then, the glass laminated body in which the member for electronic devices was formed is isolate | separated into the temporary support body 10 and an electronic device, and the temporary support body 10 does not become a part which comprises an electronic device.

なお、ガラス積層体100において、ポリイミド樹脂層12はガラス基板14上に固定されており、仮支持体10はポリイミド樹脂層12に剥離可能に密着する。本発明において、該固定と剥離可能な密着は剥離強度(すなわち、剥離に要する応力)に違いがあり、固定は密着に対し剥離強度が大きいことを意味する。つまり、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14との界面の剥離強度が、ポリイミド樹脂層12と仮支持体10との界面の剥離強度よりも大きくなる。言い換えると、剥離可能な密着とは、剥離可能であると同時に、固定されている面の剥離を生じさせることなく剥離可能であることも意味する。
より具体的には、ガラス基板14とポリイミド樹脂層12の界面は剥離強度(x)を有し、ガラス基板14とポリイミド樹脂層12の界面に剥離強度(x)を超える引き剥がし方向の応力が加えられると、ガラス基板14とポリイミド樹脂層12の界面が剥離する。ポリイミド樹脂層12と仮支持体10の界面は剥離強度(y)を有し、ポリイミド樹脂層12と仮支持体10の界面に剥離強度(y)を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、ポリイミド樹脂層12と仮支持体10の界面が剥離する。
ガラス積層体100(後述の部材付きガラス積層体も意味する)においては、上記剥離強度(x)は上記剥離強度(y)よりも高い。したがって、ガラス積層体100に仮支持体10とガラス基板14とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体100は、仮支持体10とポリイミド樹脂層12の界面で剥離して、仮支持体10と、ポリイミド樹脂層12およびガラス基板14を含む積層体とに分離する。
なお、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14との密着性は、上述したシランカップリング剤によって高められている。
In addition, in the glass laminated body 100, the polyimide resin layer 12 is being fixed on the glass substrate 14, and the temporary support body 10 adheres to the polyimide resin layer 12 so that peeling is possible. In the present invention, the fixing and peelable adhesion have a difference in peeling strength (that is, stress required for peeling), and fixing means that the peeling strength is larger than the adhesion. That is, the peel strength at the interface between the polyimide resin layer 12 and the glass substrate 14 is greater than the peel strength at the interface between the polyimide resin layer 12 and the temporary support 10. In other words, the peelable adhesion means that it can be peeled at the same time that it can be peeled without causing peeling of the fixed surface.
More specifically, the interface between the glass substrate 14 and the polyimide resin layer 12 has a peel strength (x), and the interface between the glass substrate 14 and the polyimide resin layer 12 has a peeling direction stress exceeding the peel strength (x). When added, the interface between the glass substrate 14 and the polyimide resin layer 12 is peeled off. When the interface between the polyimide resin layer 12 and the temporary support 10 has a peel strength (y) and a stress in the peeling direction exceeding the peel strength (y) is applied to the interface between the polyimide resin layer 12 and the temporary support 10, The interface between the polyimide resin layer 12 and the temporary support 10 is peeled off.
In the glass laminate 100 (which also means a glass laminate with a member described later), the peel strength (x) is higher than the peel strength (y). Therefore, when a stress in the direction of peeling the temporary support 10 and the glass substrate 14 is applied to the glass laminate 100, the glass laminate 100 of the present invention peels off at the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12. Then, the temporary support 10 and the laminate including the polyimide resin layer 12 and the glass substrate 14 are separated.
In addition, the adhesiveness of the polyimide resin layer 12 and the glass substrate 14 is improved with the silane coupling agent mentioned above.

<工程(3):部材形成工程S106>
工程(3)は、工程(2)で得られたガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を配置して、部材付きガラス積層体を得る工程である。図2(C)に示すように、本工程を実施することにより、ガラス基板の第2表面14b上(ポリイミド樹脂層12とは反対側の表面上)に電子デバイス用部材16が配置され、仮支持体10とポリイミド樹脂層12とガラス基板14と電子デバイス用部材16とをこの順で有する部材付きガラス積層体110が得られる。
以下では、まず、本工程で使用される電子デバイス用部材16について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
<Step (3): Member forming step S106>
A process (3) is a process of arrange | positioning the member for electronic devices on the surface of the glass substrate in the glass laminated body obtained at the process (2), and obtaining the glass laminated body with a member. As shown in FIG. 2C, by carrying out this step, the electronic device member 16 is disposed on the second surface 14b of the glass substrate (on the surface opposite to the polyimide resin layer 12). The glass laminate 110 with a member which has the support body 10, the polyimide resin layer 12, the glass substrate 14, and the member 16 for electronic devices in this order is obtained.
Below, the member 16 for electronic devices used at this process is explained in full detail first, and the procedure of the post process is explained in full detail.

(電子デバイス用部材(機能性素子))
電子デバイス用部材16は、ガラス積層体100中のガラス基板14上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材16としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜2次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材(例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜2次電池用部材、電子部品用回路)が挙げられる。
(Electronic device components (functional elements))
The electronic device member 16 is a member that is formed on the glass substrate 14 in the glass laminate 100 and constitutes at least a part of the electronic device. More specifically, as the electronic device member 16, a member used for a display device panel, a solar cell, a thin film secondary battery, or an electronic component such as a semiconductor wafer having a circuit formed on its surface (for example, Display member, solar cell member, thin film secondary battery member, electronic component circuit).

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、p層/i層/n層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜2次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、CCDやCMOSでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。
For example, as a member for a solar cell, a silicon type includes a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode, a silicon layer represented by p layer / i layer / n layer, a metal of a negative electrode, and the like. And various members corresponding to the dye-sensitized type, the quantum dot type, and the like.
Further, as a member for a thin film secondary battery, in the lithium ion type, a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, etc. In addition, various members corresponding to nickel hydrogen type, polymer type, ceramic electrolyte type and the like can be mentioned.
In addition, as a circuit for an electronic component, in a CCD or CMOS, a metal of a conductive part, a silicon oxide or a silicon nitride of an insulating part, and the like, various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed board, a flexible printed board And various members corresponding to a rigid flexible printed circuit board.

(工程の手順)
上述した部材付きガラス積層体110の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体100のガラス基板14の第2主面14b表面上に、電子デバイス用部材16を形成する。
なお、電子デバイス用部材16は、ガラス基板14の第2主面14bに最終的に形成される部材の全部(以下、「全部材」という)ではなく、全部材の一部(以下、「部分部材」という)であってもよい。仮支持体10を剥離して得られる部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板(後述する電子デバイスに相当)とすることもできる。
また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から仮支持体10を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を2枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から2枚の仮支持体10を剥離して、2枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。
(Process procedure)
The manufacturing method of the glass laminated body 110 with a member mentioned above is not specifically limited, The 2nd main surface 14b of the glass substrate 14 of the glass laminated body 100 by a conventionally well-known method according to the kind of structural member of the member for electronic devices. The electronic device member 16 is formed on the surface.
The electronic device member 16 is not all of the members finally formed on the second main surface 14b of the glass substrate 14 (hereinafter referred to as “all members”), but a part of all the members (hereinafter referred to as “parts”). May be referred to as a member. The glass substrate with a partial member obtained by peeling off the temporary support 10 can be used as a glass substrate with all members (corresponding to an electronic device described later) in the subsequent steps.
Moreover, an electronic device can also be manufactured by assembling a laminate with all members and then peeling the temporary support 10 from the laminate with all members. Furthermore, it is also possible to assemble by using two laminates with all members, and then peel off the two temporary supports 10 from the laminate with all members to produce a member-attached glass substrate having two glass substrates. it can.

例えば、OLEDを製造する場合を例にとると、ガラス積層体100のガラス基板14のポリイミド樹脂層12側とは反対側の表面上(ガラス基板14の第2主面14bに該当)に有機EL構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。   For example, when an OLED is manufactured as an example, an organic EL is formed on the surface of the glass laminate 100 opposite to the polyimide resin layer 12 side of the glass substrate 14 (corresponding to the second main surface 14b of the glass substrate 14). In order to form a structure, a transparent electrode is formed, and a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, etc. are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed, a back electrode is formed, and sealing is performed. Various layers are formed and processed, such as sealing with a plate. Specific examples of the layer formation and processing include film formation processing, vapor deposition processing, sealing plate adhesion processing, and the like.

また、例えば、TFT−LCDを製造する場合は、ガラス積層体100のガラス基板14の第2主面14b上に、レジスト液を用いて、CVD法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ(TFT)を形成するTFT形成工程と、別のガラス積層体100のガラス基板14の第2主面14b上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ(CF)を形成するCF形成工程と、TFT形成工程で得られたTFT付き積層体とCF形成工程で得られたCF付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。   Further, for example, when manufacturing a TFT-LCD, a resist film is used on the second main surface 14b of the glass substrate 14 of the glass laminate 100 by a general film forming method such as a CVD method or a sputtering method. A pattern is formed on the formed metal film, metal oxide film, etc. to form a thin film transistor (TFT), and a resist solution is patterned on the second main surface 14b of the glass substrate 14 of another glass laminate 100. Various processes such as a CF forming step for forming a color filter (CF) to be used for forming, a laminating step for laminating a laminated body with TFT obtained in the TFT forming step and a laminated body with CF obtained in the CF forming step, etc. Process.

TFT形成工程やCF形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板14の第2主面14bにTFTやCFを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、TFTやCFを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板14の第2主面14bを洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
In the TFT formation process and the CF formation process, the TFT and the CF are formed on the second main surface 14b of the glass substrate 14 by using a well-known photolithography technique, etching technique, or the like. At this time, a resist solution is used as a coating solution for pattern formation.
In addition, before forming TFT and CF, you may wash | clean the 2nd main surface 14b of the glass substrate 14 as needed. As a cleaning method, known dry cleaning or wet cleaning can be used.

貼合わせ工程では、TFT付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、CF付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤(例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤)を用いて貼り合わせる。その後、TFT付き積層体とCF付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。   In the laminating step, the thin film transistor forming surface of the laminated body with TFT and the color filter forming surface of the laminated body with CF are opposed to each other using a sealing agent (for example, an ultraviolet curable sealing agent for cell formation). Thereafter, a liquid crystal material is injected into a cell formed by the laminate with TFT and the laminate with CF. Examples of the method for injecting the liquid crystal material include a reduced pressure injection method and a drop injection method.

<工程(4):分離工程S108>
工程(4)は、工程(3)で得られた部材付きガラス積層体から仮支持体を除去して、ポリイミド樹脂層とガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスを得る工程である。図2(D)に示すように、上記工程(3)で得られた部材付きガラス積層体110から、仮支持体10とポリイミド樹脂層12との界面を剥離面として、仮支持体10を分離除去して、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14と電子デバイス用部材16とを含む電子デバイス120を得る工程である。
剥離時のガラス基板14上の電子デバイス用部材16が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板14上に形成することもできる。
<Process (4): Separation process S108>
Step (4) is a step of removing the temporary support from the member-attached glass laminate obtained in step (3) to obtain an electronic device including a polyimide resin layer, a glass substrate, and an electronic device member. As shown in FIG. 2D, the temporary support 10 is separated from the glass laminate 110 with a member obtained in the above step (3) using the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 as a release surface. It is a process of removing and obtaining the electronic device 120 containing the polyimide resin layer 12, the glass substrate 14, and the member 16 for electronic devices.
When the member 16 for electronic devices on the glass substrate 14 at the time of peeling is a part of formation of all the necessary constituent members, the remaining constituent members can be formed on the glass substrate 14 after separation.

仮支持体10と電子デバイス120とを分離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、仮支持体10とポリイミド樹脂層12との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、部材付きガラス積層体110の仮支持体10が上側、電子デバイス用部材16側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材16側を定盤上に真空吸着し、この状態でまず刃物を仮支持体10−ポリイミド樹脂層12界面に刃物を侵入させる。そして、その後に仮支持体10側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると仮支持体10とポリイミド樹脂層12との界面へ空気層が形成され、その空気層が界面の全面に広がり、仮支持体10を容易に剥離することができる。
なお、仮支持体10と電子デバイス120とを分離する際には、仮支持体10とポリイミド樹脂層12との界面に剥離助剤を吹き付けながら剥離することが好ましい。剥離助剤とは、上述した水などの溶媒を意図する。使用される剥離助剤としては、水や有機溶媒(例えば、エタノール)またはそれらの混合物などが挙げられる。
The method for separating the temporary support 10 and the electronic device 120 is not particularly limited. Specifically, for example, a sharp blade-like object is inserted into the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 to give a trigger for peeling, and then a mixed fluid of water and compressed air is sprayed. Can be peeled off. Preferably, the temporary support 10 of the glass laminate 110 with a member is installed on a surface plate so that the electronic device member 16 side is on the lower side, and the electronic device member 16 side is vacuum-adsorbed on the surface plate. In this state, first, the cutter is caused to enter the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12. Thereafter, the temporary support 10 side is sucked by a plurality of vacuum suction pads, and the vacuum suction pads are raised in order from the vicinity of the place where the blade is inserted. Then, an air layer is formed at the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12, and the air layer spreads over the entire interface, so that the temporary support 10 can be easily peeled off.
When the temporary support 10 and the electronic device 120 are separated, it is preferable that the temporary support 10 and the electronic device 120 are separated while spraying a peeling aid on the interface between the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12. The peeling aid intends a solvent such as water described above. Examples of the peeling aid to be used include water, an organic solvent (for example, ethanol) or a mixture thereof.

なお、部材付きガラス積層体110から仮支持体10を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、ポリイミド樹脂層12の欠片が仮支持体10に静電吸着することをより抑制することができる。   When separating the temporary support 10 from the glass laminate 110 with a member, it is more possible that the fragments of the polyimide resin layer 12 are electrostatically adsorbed to the temporary support 10 by controlling the spraying and humidity with an ionizer. Can be suppressed.

上述した電子デバイス120の製造方法は、携帯電話やPDAのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてLCDまたはOLEDであり、LCDとしては、TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。   The above-described method for manufacturing the electronic device 120 is suitable for manufacturing a small display device used for a mobile terminal such as a mobile phone or a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and the LCD includes a TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type, and the like. Basically, the present invention can be applied to both passive drive type and active drive type display devices.

上記方法で製造された電子デバイス120としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜2次電池用部材を有する薄膜2次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ELパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。   As the electronic device 120 manufactured by the above method, a display panel having a glass substrate and a display device member, a solar cell having a glass substrate and a solar cell member, and a thin film having a glass substrate and a thin film secondary battery member. Examples thereof include a secondary battery, an electronic component having a glass substrate and an electronic device member. Examples of the display device panel include a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

[第2実施形態]
図3は、本発明の電子デバイスの製造方法の第2実施形態における製造工程を示すフローチャートである。図3に示すように、電子デバイスの製造方法は、仮支持体上に所定のポリイミド樹脂層を配置するポリイミド樹脂層形成工程S102(工程(1)に該当)、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、ポリイミド樹脂層上に積層するガラス基板積層工程S110(工程(2’)に該当)、ガラス基板の外周縁に沿って、ポリイミド樹脂層および仮支持体を切断する切断工程S112(工程(5)に該当)、ガラス基板上に電子デバイス用部材を配置する部材形成工程S106(工程(3)に該当)、電子デバイスを分離して得る分離工程S108(工程(4))を備える。
また、図4は、本発明の電子デバイスの製造方法の第2実施形態における各製造工程を順に示す模式的断面図である。
図3に示す各工程は、ガラス基板積層工程S110および切断工程S112の点を除いて、図1に示す工程と同様の手順であり、同一の工程には同一の参照符号を付し、その説明を省略し、主としてガラス基板積層工程S110および切断工程S112について説明する。
[Second Embodiment]
FIG. 3 is a flowchart showing manufacturing steps in the second embodiment of the method for manufacturing an electronic device of the present invention. As shown in FIG. 3, the manufacturing method of an electronic device is based on a polyimide resin layer forming step S102 (corresponding to step (1)) in which a predetermined polyimide resin layer is disposed on a temporary support, and the outer dimensions of the polyimide resin layer. A glass substrate lamination step S110 (corresponding to step (2 ′)) for laminating a glass substrate having a small external dimension on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer, A cutting step S112 for cutting the polyimide resin layer and the temporary support along the outer peripheral edge (corresponding to step (5)), a member forming step S106 for arranging the electronic device member on the glass substrate (corresponding to step (3)) ), And a separation step S108 (step (4)) obtained by separating the electronic device.
Moreover, FIG. 4 is typical sectional drawing which shows in order each manufacturing process in 2nd Embodiment of the manufacturing method of the electronic device of this invention.
Each step shown in FIG. 3 is the same procedure as the step shown in FIG. 1 except for the glass substrate laminating step S110 and the cutting step S112. Will be mainly described, and the glass substrate lamination step S110 and the cutting step S112 will be mainly described.

<工程(2’):ガラス基板積層工程S110>
工程(2’)は、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、ポリイミド樹脂層上に積層して、ガラス積層体を得る工程である。図4(A)に示すように、ポリイミド樹脂層形成工程S102にて仮支持体10上にポリイミド樹脂層12を配置し、次に、図4(B)に示すように、本工程S110を実施することにより、ポリイミド樹脂層12上にポリイミド樹脂層12の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板14を配置する。ガラス基板14は、ポリイミド樹脂層12にガラス基板14と接触しない周縁領域が残るように、ポリイミド樹脂層上に積層する。言い換えると、ガラス基板14は、ガラス基板14の外周にポリイミド樹脂層12が露出するように、ポリイミド樹脂層12上に積層される。
より具体的には、図5(A)に示すように、ポリイミド樹脂層12の周縁領域12bにガラス基板14が接触しないように、ガラス基板14をポリイミド樹脂層12上に積層する。
一般的に、ポリイミド樹脂層12の露出表面には、その表面張力の影響によって周縁部付近に凸部が生じやすい(図5(B)参照)。ガラス基板14を積層する際に、そのような凸部と接触すると、ガラス基板14の中央部が凹むように湾曲され、ガラス基板14の平坦性が損なわれる場合がある(図5(C)参照)。ガラス基板14の平坦性が損なわれることによって、ガラス基板14上に配置される電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じるおそれがあり、結果として電子デバイスの歩留まりの低下を引き起こすおそれがある。
そこで、ポリイミド樹脂層12の外形よりも小さい外形を有するガラス基板14を使用することにより、該凸部と接触させることなく、ガラス基板14をポリイミド樹脂層12と接触させることができる。結果として、ガラス基板14のたわみの発生が抑制され、電子デバイスの低下が抑制される。
<Process (2 '): Glass substrate lamination process S110>
In step (2 ′), a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is laminated on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer. This is a step of obtaining a laminate. As shown in FIG. 4 (A), the polyimide resin layer 12 is disposed on the temporary support 10 in the polyimide resin layer forming step S102, and then this step S110 is performed as shown in FIG. 4 (B). By doing so, the glass substrate 14 having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer 12 is disposed on the polyimide resin layer 12. The glass substrate 14 is laminated on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate 14 remains in the polyimide resin layer 12. In other words, the glass substrate 14 is laminated on the polyimide resin layer 12 such that the polyimide resin layer 12 is exposed on the outer periphery of the glass substrate 14.
More specifically, as shown in FIG. 5A, the glass substrate 14 is laminated on the polyimide resin layer 12 so that the glass substrate 14 does not contact the peripheral region 12 b of the polyimide resin layer 12.
In general, the exposed surface of the polyimide resin layer 12 is likely to have a convex portion near the peripheral edge due to the influence of the surface tension (see FIG. 5B). When the glass substrate 14 is laminated, if it comes into contact with such a convex portion, the central portion of the glass substrate 14 is bent so as to be recessed, and the flatness of the glass substrate 14 may be impaired (see FIG. 5C). ). When the flatness of the glass substrate 14 is impaired, there is a risk that the position of the electronic device member disposed on the glass substrate 14 may be displaced, and as a result, the yield of the electronic device may be reduced.
Therefore, by using the glass substrate 14 having an outer shape smaller than that of the polyimide resin layer 12, the glass substrate 14 can be brought into contact with the polyimide resin layer 12 without being brought into contact with the convex portion. As a result, generation | occurrence | production of the bending of the glass substrate 14 is suppressed and the fall of an electronic device is suppressed.

該態様において、ポリイミド樹脂層12の外形はガラス基板14の外形よりも大きい。ポリイミド樹脂層12のガラス基板14と接触する領域の面積Aとポリイミド樹脂層12の全面積Bとの比(面積A/全面積B)は、0.98以下であることが好ましく、0.95以下であることがより好ましい。上記範囲内であれば、ガラス基板14のたわみの発生がより抑制される。下限は特に制限されないが、生産性などの点から、0.75以上であることが好ましく、0.80以上であることがより好ましい。
また、ガラス基板14の外周縁からポリイミド樹脂層12の外周縁までの長さは、10mm以上が好ましく、15mm以上がより好ましい。上記範囲内であれば、ポリイミド樹脂層12の厚みムラの発生がより抑制される。上限は特に制限されないが、生産性などの点から、100mm以下が好ましい。
In this embodiment, the outer shape of the polyimide resin layer 12 is larger than the outer shape of the glass substrate 14. The ratio (area A / total area B) of the area A of the polyimide resin layer 12 in contact with the glass substrate 14 and the total area B of the polyimide resin layer 12 is preferably 0.98 or less, 0.95 The following is more preferable. If it is in the said range, generation | occurrence | production of the bending of the glass substrate 14 will be suppressed more. Although a minimum in particular is not restrict | limited, From points, such as productivity, it is preferable that it is 0.75 or more, and it is more preferable that it is 0.80 or more.
Further, the length from the outer peripheral edge of the glass substrate 14 to the outer peripheral edge of the polyimide resin layer 12 is preferably 10 mm or more, and more preferably 15 mm or more. If it is in the said range, generation | occurrence | production of the thickness nonuniformity of the polyimide resin layer 12 will be suppressed more. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 100 mm or less from the viewpoint of productivity.

なお、ガラス基板14の積層方法としては、上述した第1実施形態の工程(2)の方法が挙げられる。
本工程を実施することにより、仮支持体10とポリイミド樹脂層12とガラス基板14とを備えるガラス積層体200が得られる。
In addition, as a lamination | stacking method of the glass substrate 14, the method of the process (2) of 1st Embodiment mentioned above is mentioned.
By carrying out this step, a glass laminate 200 including the temporary support 10, the polyimide resin layer 12, and the glass substrate 14 is obtained.

<工程(5):切断工程S112>
工程(5)は、ガラス基板の外周縁に沿って、上記工程(2’)で得られたガラス積層体中のポリイミド樹脂層、および、仮支持体を切断する工程である。言い換えると、ガラス積層体中の仮支持体およびポリイミド樹脂層のそれぞれの外周部を切断して、仮支持体、ポリイミド樹脂層、および、ガラス基板のそれぞれの外周縁の全周を揃える工程である。より具体的には、図4(C)に示すように、本工程S112によって、ガラス基板14の外周縁に沿って、仮支持体10およびポリイミド樹脂層12が切断され、切断後積層体300(切断処理が施された積層体)が得られる。
仮支持体10およびポリイミド樹脂層12を切断する方法は特に制限されず、公知の方法(カッターによる切断、レーザーによる切断、など)を採用できる。例えば、特開2013−82182号公報の段落0079〜0095に記載の方法が挙げられる。
<Step (5): Cutting step S112>
Step (5) is a step of cutting the polyimide resin layer and the temporary support in the glass laminate obtained in the step (2 ′) along the outer peripheral edge of the glass substrate. In other words, it is a step of cutting the outer periphery of each of the temporary support and the polyimide resin layer in the glass laminate to align the entire outer periphery of each of the temporary support, the polyimide resin layer, and the glass substrate. . More specifically, as shown in FIG. 4C, the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 are cut along the outer peripheral edge of the glass substrate 14 by this step S112, and the laminated body 300 (after cutting) A laminate that has been subjected to a cutting treatment is obtained.
A method for cutting the temporary support 10 and the polyimide resin layer 12 is not particularly limited, and a known method (cutting with a cutter, cutting with a laser, or the like) can be employed. For example, the method of Paragraph 0079-0095 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2013-82182 is mentioned.

上記工程(5)の後、上述した工程(3)を実施することにより、図4(D)に示すように、ガラス基板14上に電子デバイス用部材16が配置されて部材付きガラス積層体110が形成される。さらに、上述した工程(4)を実施することにより、図4(E)に示すように、部材付きガラス積層体110から仮支持体10が除去されて、ポリイミド樹脂層12とガラス基板14と電子デバイス用部材16とを備える電子デバイス120が得られる。   After the step (5), by carrying out the step (3) described above, the electronic device member 16 is disposed on the glass substrate 14 as shown in FIG. Is formed. Further, by performing the above-described step (4), as shown in FIG. 4E, the temporary support 10 is removed from the member-attached glass laminate 110, and the polyimide resin layer 12, the glass substrate 14, and the electrons are removed. An electronic device 120 including the device member 16 is obtained.

以下に、実施例などにより本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦150mm、横150mm、板厚0.1mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。また、仮支持体としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(縦200mm、横200mm、板厚0.5mm、線膨張係数38×10-7/℃、旭硝子社製商品名「AN100」)を使用した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
In the following examples and comparative examples, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (150 mm long, 150 mm wide, 0.1 mm thick, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) The name “AN100”) was used. Further, as a temporary support, a glass plate made of non-alkali borosilicate glass (length 200 mm, width 200 mm, plate thickness 0.5 mm, linear expansion coefficient 38 × 10 −7 / ° C., trade name “AN100” manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) )It was used.

(ポリアミック酸溶液(A)の製造)
パラフェニレンジアミン(10.8g,0.1mol)を1−メチル−2−ピロリドン(226.0g)に溶解させ、室温下で攪拌した。これに、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(29.4g,0.1mol)を1分間で加え、室温下2時間攪拌し、上記式(2−1)および/または式(2−2)で表される繰り返し単位を有するポリアミック酸を含む固形分濃度20質量%のポリアミック酸溶液(A)を得た。この溶液の粘度を測定したところ、20℃で3000センチポイズであった。
粘度は、(株)トキメック社製、DVL−BII型デジタル粘度計(B型粘度計)を用い、20℃における回転粘度を測定したものである。
なお、ポリアミック酸中に含まれる式(2−1)および/または式(2−2)で表される繰り返し単位中のXは(X1)で表される基、Aは式(A1)で表される基であった。
(Production of polyamic acid solution (A))
Paraphenylenediamine (10.8 g, 0.1 mol) was dissolved in 1-methyl-2-pyrrolidone (226.0 g) and stirred at room temperature. To this, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (29.4 g, 0.1 mol) was added over 1 minute, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The above formula (2-1) and // A polyamic acid solution (A) having a solid content concentration of 20% by mass containing a polyamic acid having a repeating unit represented by the formula (2-2) was obtained. When the viscosity of this solution was measured, it was 3000 centipoise at 20 ° C.
The viscosity is measured by measuring the rotational viscosity at 20 ° C. using a DVL-BII type digital viscometer (B type viscometer) manufactured by Tokimec Co., Ltd.
In addition, X in the repeating unit represented by the formula (2-1) and / or the formula (2-2) contained in the polyamic acid is a group represented by (X1), and A is represented by the formula (A1). It was a group.

(シランカップリング剤溶液(B)の製造)
シランカップリング剤(信越化学工業株式会社製、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、銘柄KBM903)を、イソプロピルアルコール(IPA)に添加した後、ミックスローターで約1時間溶液の撹拌を実施して、溶液Bを作製した。なお、シランカップリング剤の含有量は、イソプロピルアルコール全質量に対して、0.1質量%となるように添加した。
(Manufacture of silane coupling agent solution (B))
After adding a silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., 3-aminopropyltrimethoxysilane, brand KBM903) to isopropyl alcohol (IPA), stirring the solution for about 1 hour with a mix rotor, B was produced. In addition, it added so that content of a silane coupling agent might be 0.1 mass% with respect to the total mass of isopropyl alcohol.

<実施例1>
洗浄を実施した仮支持体上にダイコーターで上記溶液Aを塗布し、その後90℃で10分間乾燥処理を実施し、さらに150℃で10分間乾燥処理を実施して、仮支持体上にポリアミック酸を含む塗膜を形成した。
次に、塗膜表面上に、ダイコーターで上記溶液Bを塗布し、その後120℃で10分間乾燥処理を実施して、シランカップリング剤が付与された塗膜を得た。
次に、塗膜に対して、窒素下にて、350℃で1時間加熱処理を実施して、ポリアミック酸の閉環反応を進行させ、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得た。
次に、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、互いの基板の中心位置合わせて積層し、ガラス積層体S1を得た。なお、ガラス積層体S1において、ガラス基板とポリイミド樹脂層の界面の剥離強度(x)が、ポリイミド樹脂層と仮支持体の界面の剥離強度(y)よりも高かった。
続いて、位置決め冶具を取り付けた定盤上にガラス積層体S1のガラス基板を固定し、定盤の上面からガラス基板の外周縁のうち一つの辺と重なるように、仮支持体の第2主面上にダイヤモンドホイールカッタで切線を刻んだ後、挟持冶具にて仮支持体の切線の外側を挟み込み、割断した。同様に、ガラス基板の外周縁の残りの3辺と重なる仮支持体の外側についても割断した後、曲面を有する砥石で仮支持体の割断面を研磨し面取を施して、切断処理が施されたガラス積層体SAを得た。
次に、電子デバイス用部材がガラス基板上に配置される際に実施される加熱処理450℃、1時間の加熱処理をガラス積層体SAに施した。加熱処理後、室温まで冷却したところ、ガラス積層体SAにおいてガラス基板および仮支持体の分離や、ポリイミド樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
そして、ガラス積層体SAの4箇所のうち1箇所のコーナー部における仮支持体とポリイミド樹脂層の界面に厚さ0.1mmのステンレス製刃物を挿入させて剥離の切欠部を形成しながら、ガラス基板と仮支持体それぞれの剥離面でない面に真空吸着パッドを吸着させ、仮支持体とポリイミド樹脂層の界面に水を吹き付けながら、互いにガラス基板と仮支持体が分離する方向に外力を加えて、ガラス積層体SAから仮支持体を破損すること無く分離した。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。
なお、ポリイミド樹脂層はガラス基板と共に仮支持体から分離された。上記結果からも、ガラス基板とポリイミド樹脂層の界面の剥離強度(x)が、ポリイミド樹脂層と仮支持体の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
<Example 1>
The solution A is applied to the cleaned temporary support with a die coater, then dried at 90 ° C. for 10 minutes, and further dried at 150 ° C. for 10 minutes. A coating film containing acid was formed.
Next, the solution B was applied on the surface of the coating film with a die coater, and then dried at 120 ° C. for 10 minutes to obtain a coating film to which a silane coupling agent was applied.
Next, the coating film is subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 1 hour under nitrogen to advance a polyamic acid ring-closing reaction to obtain a polyimide resin layer whose surface is treated with a silane coupling agent. It was.
Next, a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is laminated in alignment with the center of each substrate so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer, S1 was obtained. In the glass laminate S1, the peel strength (x) at the interface between the glass substrate and the polyimide resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the polyimide resin layer and the temporary support.
Subsequently, the glass substrate of the glass laminate S1 is fixed on the surface plate to which the positioning jig is attached, and the second main body of the temporary support is overlapped with one of the outer peripheral edges of the glass substrate from the upper surface of the surface plate. After a cut line was cut on the surface with a diamond wheel cutter, the outside of the cut line of the temporary support was sandwiched with a clamping jig and cleaved. Similarly, after cleaving the outside of the temporary support that overlaps the remaining three sides of the outer peripheral edge of the glass substrate, the cut surface of the temporary support is ground and chamfered with a grindstone having a curved surface, and the cutting process is performed. The obtained glass laminate SA was obtained.
Next, a heat treatment at 450 ° C. for 1 hour, which is performed when the electronic device member is placed on the glass substrate, was performed on the glass laminate SA. After the heat treatment, when cooled to room temperature, changes in appearance such as separation of the glass substrate and temporary support, foaming and whitening of the polyimide resin layer were not observed in the glass laminate SA.
And while forming the notch part of peeling by inserting the stainless steel cutting tool of thickness 0.1mm in the interface of the temporary support body and polyimide resin layer in the corner part of one place among four places of glass laminated body SA, glass While adsorbing the vacuum suction pad to the surface that is not the release surface of the substrate and the temporary support, and spraying water on the interface between the temporary support and the polyimide resin layer, an external force is applied in the direction in which the glass substrate and the temporary support are separated from each other. Then, the temporary support was separated from the glass laminate SA without breaking. Here, the cutter was inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation).
The polyimide resin layer was separated from the temporary support together with the glass substrate. From the above results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the glass substrate and the polyimide resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the polyimide resin layer and the temporary support.

<実施例2>
洗浄を実施した仮支持体上にダイコーターで上記溶液Aを塗布し、その後90℃で10分間乾燥処理を実施し、さらに150℃で10分間乾燥処理を実施して、仮支持体上にポリアミック酸を含む塗膜を形成した。
次に、塗膜に対して、窒素下にて、350℃で1時間加熱処理を実施して、ポリアミック酸の閉環反応を進行させ、ポリイミド樹脂層を得た。
次に、ポリイミド樹脂層表面上に、ダイコーターで上記溶液Bを塗布し、その後120℃で10分間乾燥処理を実施して、表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得た。
次に、ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、ポリイミド樹脂層にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、互いの基板の中心位置合わせて積層し、ガラス積層体S2を得た。なお、ガラス積層体S2において、ガラス基板とポリイミド樹脂層の界面の剥離強度(x)が、ポリイミド樹脂層と仮支持体の界面の剥離強度(y)よりも高かった。
続いて、位置決め冶具を取り付けた定盤上にガラス積層体S2のガラス基板を固定し、定盤の上面からガラス基板の外周縁のうち一つの辺と重なるように、仮支持体の第2主面上にダイヤモンドホイールカッタで切線を刻んだ後、挟持冶具にて仮支持体の切線の外側を挟み込み、割断した。同様に、ガラス基板の外周縁の残りの3辺と重なる仮支持体の外側についても割断した後、曲面を有する砥石で仮支持体の割断面を研磨し面取を施して、切断処理が施されたガラス積層体SBを得た。
次に、電子デバイス用部材がガラス基板上に配置される際に実施される加熱処理である450℃、1時間の加熱処理をガラス積層体SBに施した。加熱処理後、室温まで冷却したところ、ガラス積層体SBにおいてガラス基板および仮支持体の分離や、ポリイミド樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
その後、ガラス積層体SAの代わりにガラス積層体SBを用いた以外は、実施例1と同様の手順に従って、仮支持体を除去した。
上記結果からも、ガラス基板とポリイミド樹脂層の界面の剥離強度(x)が、ポリイミド樹脂層と仮支持体の界面の剥離強度(y)よりも高いことが確認された。
<Example 2>
The solution A is applied to the cleaned temporary support with a die coater, then dried at 90 ° C. for 10 minutes, and further dried at 150 ° C. for 10 minutes. A coating film containing acid was formed.
Next, the coating film was subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 1 hour under nitrogen to advance the ring closing reaction of the polyamic acid to obtain a polyimide resin layer.
Next, the solution B was applied on the surface of the polyimide resin layer with a die coater, and then a drying treatment was performed at 120 ° C. for 10 minutes to obtain a polyimide resin layer whose surface was treated with a silane coupling agent.
Next, a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is laminated in alignment with the center of each substrate so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer, S2 was obtained. In the glass laminate S2, the peel strength (x) at the interface between the glass substrate and the polyimide resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the polyimide resin layer and the temporary support.
Subsequently, the glass substrate of the glass laminate S2 is fixed on the surface plate to which the positioning jig is attached, and the second main body of the temporary support is overlapped with one of the outer peripheral edges of the glass substrate from the upper surface of the surface plate. After a cut line was cut on the surface with a diamond wheel cutter, the outside of the cut line of the temporary support was sandwiched with a clamping jig and cleaved. Similarly, after cleaving the outside of the temporary support that overlaps the remaining three sides of the outer peripheral edge of the glass substrate, the cut surface of the temporary support is ground and chamfered with a grindstone having a curved surface, and the cutting process is performed. The obtained glass laminate SB was obtained.
Next, the glass laminate SB was subjected to a heat treatment at 450 ° C. for 1 hour, which is a heat treatment performed when the electronic device member is disposed on the glass substrate. After cooling to room temperature, no changes in appearance such as separation of the glass substrate and temporary support, foaming or whitening of the polyimide resin layer were observed in the glass laminate SB.
Then, the temporary support body was removed according to the procedure similar to Example 1 except having used glass laminated body SB instead of glass laminated body SA.
From the above results, it was confirmed that the peel strength (x) at the interface between the glass substrate and the polyimide resin layer was higher than the peel strength (y) at the interface between the polyimide resin layer and the temporary support.

上記実施例1および2に示すように、本発明の方法によれば、ポリイミド樹脂層とガラス基板との間に発泡が生じることなく、表面の平坦性に優れるガラス基板を含むガラス積層体を製造することができた。また、ガラス積層体に対して、電子デバイス用部材が製造される条件である450℃、1時間の加熱処理を施した後に、仮支持体とポリイミド樹脂層との界面にて剥離を行うことができ、ポリイミド樹脂層およびガラス基板からなる積層体を仮支持体から分離することができた。これらの結果より、ポリイミド樹脂層とガラス基板との間の密着性が優れることが確認された。また、所定の加熱処理によりガラス基板上に電子デバイスを製造した後であっても、部材付きガラス積層体から仮支持体を分離することができることが明らかとなった。   As shown in Examples 1 and 2 above, according to the method of the present invention, a glass laminate including a glass substrate having excellent surface flatness is produced without foaming between the polyimide resin layer and the glass substrate. We were able to. In addition, the glass laminate is subjected to heat treatment at 450 ° C. for 1 hour, which is a condition for producing the electronic device member, and then peeled off at the interface between the temporary support and the polyimide resin layer. The laminated body which consists of a polyimide resin layer and a glass substrate was able to be isolate | separated from the temporary support body. From these results, it was confirmed that the adhesion between the polyimide resin layer and the glass substrate was excellent. Moreover, even after manufacturing an electronic device on a glass substrate by a predetermined heat treatment, it has become clear that the temporary support can be separated from the glass laminate with a member.

(密着性評価)
実施例1および2において、仮支持体を剥離する際に発生する浮き欠陥(ポリイミド樹脂層の密着不良)の有無を比較することでガラス基板に対するポリイミド樹脂層の密着性を評価した。なお、「浮き欠陥」とは、仮支持体の剥離時に、仮支持体にポリイミド樹脂層の一部が引っ張られ、ガラス基板からポリイミド樹脂層が局所的に剥がれる欠陥を意図する。
密着性評価の方法としては、実施例1および2でそれぞれ5つのガラス積層体を用意し、それぞれのサンプルにおいて仮支持体を剥離して、浮き欠陥の観察を行った。なお、浮き欠陥の観察方法としては、蛍光灯下で1mmΦ以上の大きさの欠陥の有無を目視にて確認し、欠陥がある場合を「×」、欠陥がない場合を「○」とした。
実施例1の5つのサンプルにおいてはいずれも「浮き欠陥」は無かった。一方、実施例2の5つのサンプルのうち2つに関しては、仮支持体を剥離できるものの、浮き欠陥が発見された。
これらの結果より、実施例1の態様(上述した態様Xに該当)のほうが、実施例2の態様(上述した態様Yに該当)よりも、ガラス基板とポリイミド樹脂層との密着性がより優れることが確認された。
(Adhesion evaluation)
In Examples 1 and 2, the adhesion of the polyimide resin layer to the glass substrate was evaluated by comparing the presence or absence of a floating defect (adhesion failure of the polyimide resin layer) generated when the temporary support was peeled off. The “floating defect” means a defect in which a part of the polyimide resin layer is pulled on the temporary support and the polyimide resin layer is locally peeled from the glass substrate when the temporary support is peeled off.
As a method for evaluating adhesion, five glass laminates were prepared in each of Examples 1 and 2, and the temporary support was peeled off in each sample, and floating defects were observed. As a method for observing floating defects, the presence or absence of a defect having a size of 1 mmΦ or more was visually confirmed under a fluorescent lamp, and “x” was given when there was a defect, and “◯” when there was no defect.
None of the five samples of Example 1 had “floating defects”. On the other hand, regarding two of the five samples of Example 2, although the temporary support could be peeled off, floating defects were found.
From these results, the aspect of Example 1 (corresponding to aspect X described above) is more excellent in adhesion between the glass substrate and the polyimide resin layer than the aspect of Example 2 (corresponding to aspect Y described above). It was confirmed.

なお、実施例1および2で使用する仮支持体として、以下の手順によって得られる離型処理が施された仮支持体を使用した場合も、所望の効果が得られることが確認された。
(離型処理)
無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板の表面にジメチルポリシロキサンを接触させて、350℃での焼き付け処理を施した。
In addition, as a temporary support body used in Examples 1 and 2, it was confirmed that a desired effect can be obtained even when a temporary support body that has been subjected to a mold release treatment obtained by the following procedure is used.
(Release processing)
Dimethylpolysiloxane was brought into contact with the surface of a glass plate made of alkali-free borosilicate glass, and a baking treatment at 350 ° C. was performed.

<比較例1>
洗浄を実施した仮支持体上にダイコーターで上記溶液Aを塗布し、その後90℃で10分間乾燥処理を実施し、さらに150℃で10分間乾燥処理を実施して、仮支持体上にポリアミック酸を含む塗膜を形成した。
次に、塗膜表面上に、ダイコーターで上記溶液Bを塗布し、その後120℃で10分間乾燥処理を実施して、シランカップリング剤が付与された塗膜を得た。
次に、塗膜の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、塗膜にガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、互いの基板の中心位置合わせて積層した。
その後、塗膜に対して、窒素下にて、350℃で1時間加熱処理を実施して、ポリアミック酸の閉環反応を進行させた。
加熱処理後、ポリイミド樹脂層とガラス基板との間には無数の発泡が発生し、ガラス基板表面の平坦性が損なわれた。
上記比較例1の形態は、特許文献2の形態に該当し、この方法では所定のガラス積層体および電子デバイスの製造はできなかった。
<Comparative Example 1>
The solution A is applied to the cleaned temporary support with a die coater, then dried at 90 ° C. for 10 minutes, and further dried at 150 ° C. for 10 minutes. A coating film containing acid was formed.
Next, the solution B was applied on the surface of the coating film with a die coater, and then dried at 120 ° C. for 10 minutes to obtain a coating film to which a silane coupling agent was applied.
Next, a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the coating film was laminated in alignment with the center of each substrate so that a peripheral region that did not contact the glass substrate remained in the coating film.
Thereafter, the coating film was subjected to a heat treatment at 350 ° C. for 1 hour under nitrogen to advance the ring closing reaction of the polyamic acid.
After the heat treatment, countless foaming occurred between the polyimide resin layer and the glass substrate, and the flatness of the glass substrate surface was impaired.
The form of the comparative example 1 corresponds to the form of Patent Document 2, and it was impossible to manufacture a predetermined glass laminate and an electronic device by this method.

<実施例4>
本例では、実施例1で得たガラス積層体SAを用いてOLEDを製造した。
まず、ガラス積層体SAにおけるガラス基板の第2主面上に、プラズマCVD法により窒化シリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンの順に成膜した。次に、イオンドーピング装置により低濃度のホウ素をアモルファスシリコン層に注入し、窒素雰囲気下、加熱処理し脱水素処理を行った。次に、レーザアニール装置によりアモルファスシリコン層の結晶化処理を行った。次に、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングおよびイオンドーピング装置より、低濃度のリンをアモルファスシリコン層に注入し、N型およびP型のTFTエリアを形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法により酸化シリコン膜を成膜してゲート絶縁膜を形成した後に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、フォトリソグラフィ法とイオンドーピング装置により、高濃度のホウ素とリンをN型、P型それぞれの所望のエリアに注入し、ソースエリアおよびドレインエリアを形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、プラズマCVD法による酸化シリコンの成膜で層間絶縁膜を、スパッタリング法によりアルミニウムの成膜およびフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりTFT電極を形成した。次に、水素雰囲気下、加熱処理し水素化処理を行った後に、プラズマCVD法による窒素シリコンの成膜で、パッシベーション層を形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法により平坦化層およびコンタクトホールを形成した。次に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより画素電極を形成した。
続いて、蒸着法により、ガラス基板の第2主面側に、正孔注入層として4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン、正孔輸送層としてビス[(N−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン、発光層として8−キノリノールアルミニウム錯体(Alq3)に2,6−ビス[4−[N−(4−メトキシフェニル)−N−フェニル]アミノスチリル]ナフタレン−1,5−ジカルボニトリル(BSN−BCN)を40体積%混合したもの、電子輸送層としてAlq3をこの順に成膜した。次に、スパッタリング法によりアルミニウムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより対向電極を形成した。次に、ガラス基板の第2主面側に、紫外線硬化型の接着層を介してもう一枚のガラス基板を貼り合わせて封止した。上記手順によって、ガラス基板上に有機EL構造体を形成した。ガラス基板上に有機EL構造体を有するガラス積層体S1(以下、パネルAという。)が、本発明の部材付きガラス積層体である。
続いて、パネルAの封止体側を定盤に真空吸着させたうえで、パネルAのコーナー部の仮支持体とポリイミド樹脂層との界面に、厚さ0.1mmのステンレス製刃物を差し込み、仮支持体とポリイミド樹脂層の界面に剥離のきっかけを与えた。そして、パネルAの支持ガラス表面を真空吸着パッドで吸着した上で、吸着パッドを上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ(キーエンス社製)から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けてイオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら、かつ、水を剥離前線に差しながら、真空吸着パッドを引き上げた。その結果、仮支持体を剥離することができ、電子デバイスが得られた。
続いて、分離されたガラス基板をレーザーカッタまたはスクライブ−ブレイク法を用いて切断し、複数のセルに分断した後、有機EL構造体が形成されたガラス基板と対向基板とを組み立てて、モジュール形成工程を実施してOLEDを作製した。こうして得られるOLEDは、特性上問題は生じなかった。
なお、上記電子デバイスを製造する際の加熱処理の温度は最大でも450℃であった。
<Example 4>
In this example, an OLED was manufactured using the glass laminate SA obtained in Example 1.
First, silicon nitride, silicon oxide, and amorphous silicon were formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate SA by the plasma CVD method. Next, low concentration boron was injected into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment was performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Next, the amorphous silicon layer was crystallized by a laser annealing apparatus. Next, low concentration phosphorus was injected into the amorphous silicon layer by an etching and ion doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Next, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, then molybdenum is formed by a sputtering method, and etching is performed using a photolithography method. A gate electrode was formed. Next, high concentration boron and phosphorus were implanted into desired areas of the N-type and P-type, respectively, by photolithography and an ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Next, on the second main surface side of the glass substrate, an interlayer insulating film was formed by silicon oxide film formation by a plasma CVD method, and a TFT electrode was formed by aluminum film formation by sputtering and etching using a photolithography method. Next, after performing heat treatment and hydrogenation treatment in a hydrogen atmosphere, a passivation layer was formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Next, an ultraviolet curable resin was applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole were formed by photolithography. Next, a film of indium tin oxide was formed by a sputtering method, and a pixel electrode was formed by etching using a photolithography method.
Subsequently, by vapor deposition, 4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine as the hole injection layer and bis [ (N-naphthyl) -N-phenyl] benzidine, 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) as a light emitting layer, 2,6-bis [4- [N- (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] A mixture of 40% by volume of naphthalene-1,5-dicarbonitrile (BSN-BCN) and Alq 3 as an electron transport layer were formed in this order, and then aluminum was formed by a sputtering method. Next, another glass substrate was attached to the second main surface side of the glass substrate through an ultraviolet curable adhesive layer. According to the above procedure, an organic EL structure was formed on a glass substrate, and a glass laminate S1 (hereinafter referred to as panel A) having the organic EL structure on the glass substrate was a member of the present invention. It is a glass laminated body.
Subsequently, after vacuum-adsorbing the sealing body side of the panel A to the surface plate, a stainless steel knife having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the temporary support body and the polyimide resin layer at the corner portion of the panel A, Peeling was given to the interface between the temporary support and the polyimide resin layer. And after adsorb | sucking the support glass surface of the panel A with a vacuum suction pad, the suction pad was raised. Here, the cutter was inserted while spraying a static eliminating fluid on the interface from an ionizer (manufactured by Keyence Corporation). Next, the vacuum suction pad was pulled up while continuing to spray a neutralizing fluid from the ionizer toward the formed gap and while supplying water to the peeling front. As a result, the temporary support could be peeled off and an electronic device was obtained.
Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method and divided into a plurality of cells, and then the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled to form a module. The process was carried out to produce an OLED. The OLED obtained in this way did not have any problems in characteristics.
Note that the temperature of the heat treatment for manufacturing the electronic device was 450 ° C. at the maximum.

10 仮支持体
12 ポリイミド樹脂層
14 ガラス基板
16 電子デバイス用部材
100,200 ガラス積層体
110 部材付きガラス積層体
120 電子デバイス
300 切断後積層体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Temporary support body 12 Polyimide resin layer 14 Glass substrate 16 Electronic device member 100,200 Glass laminated body 110 Glass laminated body with member 120 Electronic device 300 Laminated body after cutting

Claims (8)

仮支持体上に、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成する工程(1)と、
前記ポリイミド樹脂層上に厚み0.2mm以下のガラス基板を配置して、ガラス積層体を得る工程(2)と、
前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を配置して、部材付きガラス積層体を得る工程(3)と、
前記部材付きガラス積層体から前記仮支持体を除去して、前記ポリイミド樹脂層と前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを含む電子デバイスを得る工程(4)とを備える、電子デバイスの製造方法。
On the temporary support, a step (1) of forming a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support is treated with a silane coupling agent;
Placing a glass substrate having a thickness of 0.2 mm or less on the polyimide resin layer to obtain a glass laminate (2);
Placing the electronic device member on the surface of the glass substrate to obtain a glass laminate with the member (3);
A method of manufacturing an electronic device, comprising: removing the temporary support from the glass laminate with members to obtain an electronic device including the polyimide resin layer, the glass substrate, and the electronic device member (4). .
前記工程(1)が、仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)と、前記塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)と、前記塗膜に加熱処理を施し、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)とを備える、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。   The step (1) is a step (A) of applying a composition containing polyamic acid on a temporary support to form a coating film containing polyamic acid, and a silane coupling agent is applied on the coating film surface. A step (B) of performing, and a step (C) of obtaining a polyimide resin layer in which the surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent by subjecting the coating film to a heat treatment. 2. A method for producing an electronic device according to 1. 前記工程(1)が、仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)と、前記ポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)とを備える、請求項1に記載の電子デバイスの製造方法。   The step (1) includes a step (D) of forming a polyimide resin layer on the temporary support, and a surface opposite to the temporary support by applying a silane coupling agent on the surface of the polyimide resin layer. And a step (E) of obtaining a polyimide resin layer treated with a silane coupling agent. 前記工程(2)が、前記ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、前記ポリイミド樹脂層に前記ガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、前記ポリイミド樹脂層上に積層する工程(2’)であり、
前記工程(2)と前記工程(3)との間に、前記ガラス基板の外周縁に沿って、前記ガラス積層体中の前記ポリイミド樹脂層および前記仮支持体を切断する工程(5)をさらに備える、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子デバイスの製造方法。
In the step (2), a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is laminated on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer. Step (2 ′)
A step (5) of cutting the polyimide resin layer and the temporary support in the glass laminate along the outer peripheral edge of the glass substrate between the step (2) and the step (3) is further performed. The manufacturing method of the electronic device of any one of Claims 1-3 provided.
仮支持体と、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層と、ガラス基板とをこの順で有し、
前記ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を配置して、その後、前記仮支持体を除去して、前記ポリイミド樹脂層と前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを含む電子デバイスを得るために用いられる、ガラス積層体の製造方法において、
仮支持体上に、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を形成する工程(1)と、
前記ポリイミド樹脂層上に厚み0.2mm以下のガラス基板を配置して、前記ガラス積層体を得る工程(2)とを備える、ガラス積層体の製造方法。
A temporary support, a polyimide resin layer treated with a silane coupling agent on the surface opposite to the temporary support, and a glass substrate in this order;
To arrange an electronic device member on the surface of the glass substrate, and then remove the temporary support to obtain an electronic device including the polyimide resin layer, the glass substrate, and the electronic device member. In the manufacturing method of the glass laminate used,
On the temporary support, a step (1) of forming a polyimide resin layer whose surface opposite to the temporary support is treated with a silane coupling agent;
The manufacturing method of a glass laminated body provided with the process (2) which arrange | positions the glass substrate of thickness 0.2mm or less on the said polyimide resin layer, and obtains the said glass laminated body.
前記工程(1)が、仮支持体上にポリアミック酸を含む組成物を塗布して、ポリアミック酸を含む塗膜を形成する工程(A)と、前記塗膜表面上にシランカップリング剤を付与する工程(B)と、前記塗膜に加熱処理を施し、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(C)とを備える、請求項5に記載のガラス積層体の製造方法。   The step (1) is a step (A) of applying a composition containing polyamic acid on a temporary support to form a coating film containing polyamic acid, and a silane coupling agent is applied on the coating film surface. A step (B) of performing, and a step (C) of obtaining a polyimide resin layer in which the surface opposite to the temporary support side is treated with a silane coupling agent by subjecting the coating film to a heat treatment. 5. A method for producing a glass laminate according to 5. 前記工程(1)が、仮支持体上にポリイミド樹脂層を形成する工程(D)と、前記ポリイミド樹脂層表面上にシランカップリング剤を付与して、前記仮支持体側とは反対側の表面がシランカップリング剤で処理されたポリイミド樹脂層を得る工程(E)とを備える、請求項5に記載のガラス積層体の製造方法。   The step (1) includes a step (D) of forming a polyimide resin layer on the temporary support, and a surface opposite to the temporary support by applying a silane coupling agent on the surface of the polyimide resin layer. The manufacturing method of the glass laminated body of Claim 5 provided with the process (E) which obtains the polyimide resin layer processed with the silane coupling agent. 前記工程(2)が、前記ポリイミド樹脂層の外形寸法よりも小さい外形寸法を有するガラス基板を、前記ポリイミド樹脂層に前記ガラス基板と接触しない周縁領域が残るように、前記ポリイミド樹脂層上に積層する工程(2’)であり、
前記工程(2)の後に、前記ガラス基板の外周縁に沿って、前記ガラス積層体中の前記ポリイミド樹脂層および前記仮支持体を切断する工程(5)をさらに備える、請求項5〜7のいずれか1項に記載のガラス積層体の製造方法。
In the step (2), a glass substrate having an outer dimension smaller than the outer dimension of the polyimide resin layer is laminated on the polyimide resin layer so that a peripheral region that does not contact the glass substrate remains in the polyimide resin layer. Step (2 ′)
The process of (5) further comprising a step (5) of cutting the polyimide resin layer and the temporary support in the glass laminate along the outer peripheral edge of the glass substrate after the step (2). The manufacturing method of the glass laminated body of any one.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016174956A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 日本電気硝子株式会社 Method for producing flexible laminate
WO2020044405A1 (en) * 2018-08-27 2020-03-05 シャープ株式会社 Method for manufacturing display device, and apparatus for manufacturing display device
JP2020069713A (en) * 2018-10-31 2020-05-07 Agc株式会社 Laminate, laminate conduction checking method, and method for manufacturing electronic device
CN112616319A (en) * 2019-07-26 2021-04-06 法国圣戈班玻璃厂 Method and system for generating a composite glass article cutting plan

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112020005850A2 (en) * 2017-10-04 2020-09-29 Saint-Gobain Glass France composite glass plate having chamfered through hole
KR102025724B1 (en) * 2017-11-06 2019-09-26 한국표준과학연구원 Method of a releasing target layer using a two-dimensional exfoliation layer
US11603328B2 (en) 2017-11-20 2023-03-14 Corning Incorporated Method for increasing fracture toughness of glass ribbons
JPWO2019163575A1 (en) * 2018-02-23 2021-01-14 富士フイルム株式会社 Manufacturing method of joint, temporary fixing member, and laminate
JP2020027830A (en) * 2018-08-09 2020-02-20 Tdk株式会社 Method of manufacturing electronic component, and, method of forming conductor layer
JP7115511B2 (en) * 2019-06-06 2022-08-09 Agc株式会社 LAMINATED SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND LAMINATED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2342801C3 (en) * 1973-08-24 1979-10-04 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Process for coating oxidized, inorganic substrates with polyimide
JPS5855489B2 (en) * 1977-10-07 1983-12-09 株式会社日立製作所 Manufacturing method of liquid crystal display cell
JP5126555B2 (en) * 2008-12-19 2013-01-23 東洋紡株式会社 LAMINATE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND LAMINATE CIRCUIT BOARD
WO2011030716A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-17 旭硝子株式会社 Glass/resin laminate, and electronic device using same
KR20140082974A (en) * 2011-10-12 2014-07-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 Method for manufacturing electronic device with adherent resin layer

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016174956A1 (en) * 2015-04-30 2016-11-03 日本電気硝子株式会社 Method for producing flexible laminate
WO2020044405A1 (en) * 2018-08-27 2020-03-05 シャープ株式会社 Method for manufacturing display device, and apparatus for manufacturing display device
JP2020069713A (en) * 2018-10-31 2020-05-07 Agc株式会社 Laminate, laminate conduction checking method, and method for manufacturing electronic device
JP7103163B2 (en) 2018-10-31 2022-07-20 Agc株式会社 Laminates, continuity check methods, and electronic device manufacturing methods
CN112616319A (en) * 2019-07-26 2021-04-06 法国圣戈班玻璃厂 Method and system for generating a composite glass article cutting plan

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