JP2009521708A - マスク設計及びマスク製造におけるマスク検査のための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
マスク設計及びマスク製造に関するマスク検査のための方法は、設計され、かつマスクレイアウトに変換されるマスク設計図の空間像シミュレーションを行って、そのシミュレーションから重要な位置(ホットスポット)のリストが決定される。AIMSの支援により実空間像を生成し、その実空間像をシミュレートされた空間像と比較することにより、マスク/テストマスクは解析される。そのように解析することにより、2つの空間像が構造的に正確なやり方で互いに相関関係を有するようになり、ライン幅や所謂プロセスウィンドウのサイズに関して同じ位置であると評価される。
空間像の結果的に判定された誤差は、設計を向上させる役割をもつものであり、マスクの品質は上記したプロセスステップを数回繰り返すことにより向上する。
全ての重要な位置は、設計を改善すべく許容量についてチェックされ、ホットスポットリストがその後の新たな全面「空間像」シミュレーションを用いた設計における反復改善により最小化される。
空間像シミュレーションと対比して、AIMS画像は非理想のマスク書き込みプロセスによるマスクの実歪みを含む。これらの実歪みは、マスク自身(eビーム近似効果)及び/又は不十分な光学補正によって生じる。これら影響のうちいくつかは、互いに相反するものであるので、別々に補正される必要があり、これら影響のうちのどれが実歪みに対して原因となるのかを判定する必要がある。
相関係数は、マスク露光又は光学露光が実際に観測されたときの影響に対する指標を(数学的確率の形で)提供する。これに関して、計算の精度は、実際に行われるレイアウトにおける異なるポイントでの測定により増加する。各組の値は、相関マトリクス内の行となる。相関マトリクスにより、マスク及び光学部品に対する合計の相関係数をより高い精度で決定することができる。
Claims (8)
- マスク設計及び/又はマスク製造におけるマスク検査のための方法であって、マスク設計図に関してはドラフトが作成され、マスクレイアウトに変換されるものであり、
a)重要な位置(ホットスポット)を決定すべく空間像シミュレーションが実行され、
b)AIMSの支援の下で前記ホットスポットを使用してマスク及び/又はテストマスクが解析されて、実空間像が生成され、
c)前記実空間像が前記シミュレートされた空間像と比較され、
d)空間像に対して決定された誤差がマスクの設計を改善するために使用される、方法。 - 請求項1に記載の方法において、前記工程a)において、重要な位置(ホットスポット)のリストを決定するための空間像シミュレーションは、好ましくは全面空間像シミュレーションである、方法。
- 請求項1又は2に記載の方法において、前記工程a)は、ホットスポットリストをその後の新たな全面空間像シミュレーションを用いた設計における反復改善により最小化することを含む、方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の方法において、前記工程a)は、照明条件、マスク製造の条件及び/又はステッパ条件を変更することによりシミュレートされた空間像を解析するか、集中的に配置された場所及び最小構成に関するレイアウトの解析か、あるいは、場所のダイ間比較の繰り返しにより、重要な位置のリストを決定することを含む、方法。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の方法において、前記工程b)において、製造されるマスクは、テストマスク又は全域マスクである、方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法において、前記工程d)において、空間像間の実際の誤差の原因を決定するために、マスクリソグラフィに対する特性シグネチャδm及び光学リソグラフィに対する特性シグネチャδOと観測された測定値δbとを比較することにより決定された相関係数ρmbを有する相関マトリスクが用いられる、方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の方法において、マスクの品質を改善すべく前記a)からd)工程が複数回繰り返される、方法。
- 請求項1乃至7のいずれか1項に記載の方法において、OPC技法等のRET技術は、マスク設計図をマスクレイアウトに変換するために使用される、方法。
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