-
Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reparatur von Phasenverschiebungsmasken
für die
Photolithographie, bei dem eine Phasenverschiebungsmaske auf das
Vorhandensein von Defekten untersucht wird, und falls Defekte vorhanden
sind (i) analysiert wird, welche der Defekte Abbildungseigenschaften
der Phasenverschiebungsmaske beeinträchtigen, (ii) diese Defekte
ausgebessert werden, (iii) die Abbildungseigenschaften des ausgebesserten
Phasenverschiebungsmaske analysiert werden und die Einhaltung eines
vorgegebenen Toleranzkriteriums überprüft wird,
und (iv) die beiden vorangegangenen Schritte (ii) und (iii) gegebenenfalls
mehrfach wiederholt werden, falls die Abbildungseigenschaften nicht
einem vorgegebenen Toleranzkriterium entsprechen.
-
Die
Herstellung von Masken für
die Photolithographie, wie sie bei der Fabrikation von integrierten
Schaltkreisen auf Wafern verwendet werden, ist aufwendig und kostenintensiv.
Derzeit übliche
Photolithographiescanner zum Belichten von Wafern werden mit einer
Wellenlänge
von 193 nm betrieben. Der Trend geht jedoch zu immer kleineren Strukturen,
so daß Mittel
und Wege gesucht werden, die Auflösung zu erhöhen. Ein Mittel dazu ist die
Verwendung sogenannter Phasenverschiebungsmasken (Phase Shift Mask,
PSM). Bei solchen Masken wird das durchtretende Licht nicht nur
in seiner Intensität,
sondern auch in seiner Phase variiert. Die Verwendung von Phasenverschiebungsmasken
im Zusammenspiel mit hohen numerischen Aperturen für die Belichtung und
besonders angepaßten
Beleuchtungsbedingungen erhöht
die Auflösung
für die
optische Photolithographie auf derzeit bis zu 40 nm. Je kleiner
die zu erzeugenden Strukturen sind, desto schwerer fallen Defekte
in der Maskenstruktur ins Gewicht. Da die Herstellung von Masken
aufwendig und teuer ist, spielen bei der Herstellung und Verifikation
von Masken deren Analyse und Reparatur eine immer wichtigere Rolle.
-
Für die Untersuchung
von Phasenverschiebungsmasken eignen sich jedoch die Standardverfahren – wie beispielsweise
die Durchleuchtung mit weißem
Licht – nicht.
Bei Phasenverschiebungsmasken können
im Rahmen einer solchen Durchleuchtung entweder transparent oder
opak erscheinende Defekte bei der tatsächlichen Abbildung ein anderes Erscheinungsbild
haben oder beispielsweise auch gar nicht sichtbar sein. Als einen
ersten Schritt wird man jedoch eine Maske regelmäßig unter solchen Bedingungen
in einem Inspektionssystem untersuchen, um eine vollständige Liste
aller Defekte zu erhalten. Dabei wird eine die-to-die/Datenbank-Vergleich mittels
einer hochaufgelösten
Abbildung durchgeführt.
In einem nächsten
Schritt muß jedoch analysiert
werden, welche der Defekte die Abbildungseigenschaften der Phasenverschiebungsmaske
beeinträchtigen,
d. h. die Abbildungseigenschaften so verändern, daß die gewünschte Struktur bei einem Druckvorgang,
d. h. der Belichtung eines mit Fotolack beschichteten Wafers, außerhalb
der vorgegebenen Toleranzen liegt. Dies läßt sich beispielsweise mit
einem Maskenemulationssystem wie dem AIMS (Aerial Image Measurement
System) analysieren.
-
Nur
solche Defekte, die sich auch in den Abbildungseigenschaften negativ
niederschlagen, werden also in einer Reparatureinrichtung ausgebessert. Anschließend werden
die Abbildungseigenschaften der ausgebesserten Phasenverschiebungsmaske nochmals
analysiert, beispielsweise in einem AIMS. Sollten die Abbildungseigenschaften
nun einem vorgegebenen Toleranzkriterium entsprechen, so kann die
Repara tur als erfolgreich angesehen werden; andernfalls werden die
Defekte abermals ausgebessert und die Abbildungseigenschaften nochmals
analysiert. Diese ersten beiden Schritte können gegebenenfalls mehrfach
wiederholt werden. Als Toleranzkriterium kann beispielsweise eine
maximal mögliche Einschnürung oder
Verdickung einer linienförmigen Struktur,
wie sie auf dem Wafer erscheinen würde, definiert werden. Dies
kann beispielsweise an einem mit dem AIMS erzeugten Bild beim sogenannten
Best Focus, d. h. bei der bestmöglichen
Fokussierung, überpüft werden.
Im Stand der Technik werden Reparaturen dann so lange durchgeführt, bzw.
reparierte Stellen so lange verändert,
bis die reparierte Stelle im Best Focus innerhalb der Toleranzen
liegt.
-
Bei
der Verwendung von Phasenverschiebungsmasken stoßen die im Stand der Technik
gekannten Verfahren jedoch an ihre Grenzen. Solche Masken bestehen üblicherweise
aus einer Molybdän-Silizium-Legierung
(MoSi), für
die Reparatur wird jedoch in der Regel ein anderes Material verwendet,
falls Material hinzugefügt
werden muß,
da eine Deposition der Mo-Si-Legierung
schwierig bis unmöglich
ist. Bei der Verwendung eines anderen Materials ändern sich jedoch auch die
optischen Eigenschaften an dieser Stelle, so daß unter Umständen die
Phasendurchlässigkeit
an dieser Stelle sich von anderen Stellen unterscheidet. Auch die
Umgebung des Defektes kann das optische Verhalten beeinflussen.
-
Selbst
wenn es gelingt, den Defekt zu beheben und man bei der bestmöglichen
Fokussierung eine reparierte Struktur sieht, so trifft dies nur
für diese
Fokuseinstellung zu. Beim Einsatz der Maske in der Waferproduktion
muß dann
darauf geachtet werden, daß diese
Bedingung penibel eingehal ten wird, da ansonsten mehr oder weniger
große
Abweichungen auftreten können.
-
Aufgabe
der Erfindung ist es daher, ein Verfahren der eingangs beschriebenen
Art dahingehend weiterzuentwickeln, daß dem Anwender in der Waferproduktion
größere Toleranzen
bezüglich
der Fokussierung ermöglicht
werden.
-
Diese
Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art
dadurch gelöst,
daß die Abbildungseigenschaften
analysiert werden, indem für
jeden der auszubessernden Defekte eine Prüfgröße in Abhängigkeit von Fokus und Belichtung
für den Defekt
und mindestens eine weitere, nicht defekte Stelle auf der Phasenverschiebungsmaske
in der unmittelbaren Umgebung des Defektes bestimmt wird, und als
Toleranzkriterium eine minimal zulässige Abweichung der Prüfgrößen für defekte
und nicht defekte Stellen vorgegeben wird.
-
Als
Prüfgröße wird
also eine Größe oder Funktion
vorgegeben, die mindestens von den beiden Variablen Fokussierung
und Belichtung abhängt. Für jeden
Wert der Prüfgröße kann
dann ein Toleranzkriterium, welches Fokussierung und Belichtung umfaßt, angegeben
werden. Das Toleranzkriterium ist dann erfüllt, wenn die Prüfgröße für den Defekt
innerhalb der Toleranz für
Belichtung und Fokussierung der entsprechenden Prüfgröße für die nicht
defekte Stelle liegt.
-
Für die Prüfgrößen – wie beispielsweise
die kritische Dimension (CD) oder die Belichtungstoleranz – kann man
vorteilhaft Bossungkurven verwenden. Diese lassen sich in Abhängigkeit
von der Fokuseinstellung für
verschiedene Belichtungen bestimmen, so daß man eine Schar von Bossungkur ven mit
der Belichtungstoleranz oder der CD als Parameter erhält. Aus
dieser Schar von Kurven läßt sich
als Toleranzkriterium ein Bereich von Fokuseinstellungen und Belichtungen
definieren, in denen die kritische Dimension – im Falle der nicht defekten
Stellen – den
Anforderungen entspricht.
-
Nachdem
die Bossungkurven für
die nicht defekte Stelle bestimmt wurden, wird die defekte Stelle
untersucht. Auch hier läßt sich
ein Bereich festlegen, in denen in bezug auf den Defekt die Toleranzkriterien
bestmöglich
erfüllt
werden, auch wenn die kritische Dimension unter Umständen nicht
den Ansprüchen
genügt.
Durch die Ausbesserung der Phasenverschiebungsmaske an dem Defekt
versucht man nun, diese Toleranzbereiche möglichst in Übereinstimmung bzw. die Bossungkurven
zur Deckung zu bringen. Die oben genannten Schritte (ii) und (iii) werden
dabei so lange wiederholt, bis iterativ die Abweichung der beiden
Toleranzbereiche zueinander so klein ist, daß sowohl für den Fokus als auch die Belichtungszeit
gewisse Abweichungen von den Idealwerten – bei denen im Falle der Verwendung
von Bossungkurven die Steigung dieser Kurven Null ist – möglich sind,
ohne eine Verschlechterung in der Qualität zu bekommen. Das Toleranzkriterium
ist also eingestellt, wenn die Abweichung der Prüfgrößer des Defekts in bezug auf
die Prüfgröße für die nicht
defekte Stelle so klein ist, daß die
Werte der Prüfgröße für den Defekt
innerhalb des Toleranzbereichs der Prüfgröße ohne Defekt liegen.
-
Wichtig
ist dabei, daß sich
Defekt und nicht defekte Stelle in unmittelbarer Nachbarschaft zueinander
befinden, da die defekte Stelle mit den nicht defekten Stellen in
optische Wechselwirkung treten kann, d. h. die optischen Transmissionseigenschaften
auch der nicht defekten Stelle unter Um ständen beeinflussen kann. Deshalb
ist es vorteilhaft, mehrere nicht defekte Stellen in der unmittelbaren
Umgebung zum Vergleich heranzuziehen, zweckmäßig ist dabei eine Beschränkung auf
vier benachbarte Stellen, um den Aufwand bei hoher Genauigkeit möglichst
gering zu halten. Der Abstand zwischen diesen Stellen muß dabei
so groß sein,
dass die optische Abbildung nicht durch die Wirkung der Defektstelle überlagert
wird, d. h. es darf keine Faltung passieren.
-
In
einer besonders bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens werden
für die
Prüfgrößen Prozeßfenster
bestimmt, als Toleranzkriterium wird dann eine Mindestüberlappung
der Prozeßfenster
vorgegeben. Ein solches Prozeßfenster
erhält
man aus der Darstellung einer Prüfgröße – wie beispielsweise
der kritischen Dimension oder der Belichtungstoleranz – als Funktion
der Belichtung und des Fokus. In Abhängigkeit von äußeren Randbedingungen,
wie verwendetem Photolack, Wellenlänge etc. lassen sich dann aus
den graphischen Darstellungen der Kurven Prozeßfenster bestimmen, d. h. ein
Bereich für
Belichtung und Fokus, innerhalb dessen eine Struktur mit einer vorgegebenen
Genauigkeit erzeugt werden kann.
-
Die
Prozeßfenster
müssen
dabei sowohl für den
Defekt als auch für
die Nachbarstellen, die nicht defekt sind, bestimmt werden. Das
bzw. die Prozeßfenster
eines Defekts, der sich bei der Belichtung des mit Photolack überzogenen
Wafers bemerkbar macht, überlappen
sich in der Regel nicht oder nur geringfügig mit den Prozeßfenstern
der nicht defekten Stellen, die idealerweise alle identisch sind. Überlappen
sich die jeweiligen Prozeßfenster
nicht, so gibt es keinen Bereich bezüglich Belichtung und Fokussierung,
in dem der Wafer zufriedenstellend belichtet werden kann, so daß sich der
Defekt nicht bemerkbar macht. Erst, wenn sich die Prozeßfenster
für Defekt
und nicht defekte Stellen überlappen,
gibt es einen Bereich, in dem eine Einstellung von Belichtung und
Fokus existiert, die es ermöglicht,
den Defekt auf der belichteten Struktur nicht sichtbar werden zu
lassen, auch wenn der Defekt möglicherweise nicht
optimal korrigiert ist.
-
Die
Ausbesserung ist daher ein iterativer Prozeß, bei dem versucht wird, die
Prozeßfenster
für Defekt
und nicht defekte Stellen zu einer möglichst großen Überlappung zu bringen. Als
Toleranzkriterium ist eine Mindestüberlappung der Prozeßfenster vorgegeben,
diese Mindestüberlappung
kann prozentual angegeben sein und richtet sich nach den spezifischen
Vorgaben des Prozesses der Waferherstellung; sie liegt in der Regel
etwa bei 90%.
-
Um
die Prüfgrößen im Abhängigkeit
vom Fokus entsprechend darstellen zu können, ist es zweckmäßig zur
Bestimmung dieser Größen Bildstapel
von Abbildungen der Phasenverschiebungsmaske in verschiedenen Ebenen
um die und parallel zur Fokusebene zu erzeugen. Diesen sogenannten
Through-Focus-Bildstapel,
der mindestens den Bereich der Tiefenschärfe abdeckt, kann man beispielsweise
direkt im Maskenemulationssystem AIMS erzeugen. Während im
AIMS die Situation im Photolithographiescanner emuliert wird, lassen
sich auch Aufnahmen bei anderen Wellenlängen machen, die dann mittels eines
Scannersimulationsprogramms analysiert werden. Auch mittels Rasterelektronenmikroskopie
lassen sich solche Bildstapel erzeugen.
-
Alternativ
lassen sich die Prozeßfenster auch
aus einem Testdruck eines Wafers mit anschließender rasterelektronen mikroskopischer
Analyse im Hinblick auf die kritische Dimension ableiten. Diese Methode
ist jedoch zeitaufwendiger.
-
In
einer besonders bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens schließlich wird
der Defekt durch das Anbringen von sogenannten OPC-Strukturen (Optical-Proximity-Correction
Strukturen) ausgebessert. Dabei kann die Reparatur ausschließlich auf
der Verwendung solcher OPC-Strukturen basieren, vorteilhaft wird
man jedoch zuerst den Defekt mit einem Material auszubessern suchen,
welches in seinen optischen Eigenschaften dem Basismaterial der Maskenstruktur
am ehesten spricht, um im iterativen Reparaturprozeß mit möglichst
wenigen Schritten auszukommen.
-
Der
Vorteil in der Verwendung von OPC-Strukturen liegt darin, daß zur groben
Ausbesserung des Defekts – beispielsweise
einer Leerstelle in einer Linie – verschiedene, unter Umständen leichter
als das ursprüngliche
Maskenmaterial auftragbare Materialien verwendet werden können. In
einer Feinabstimmung können
dann die optischen Eigenschaften mittels des Anbringens von OPC-Strukturen so
eingestellt werden, daß sich
die Prozeßfenster
der Defektstelle und der benachbarten nicht defekten Stellen innerhalb
des Toleranzkriteriums überlappen. Das
Anbringen von OPC-Strukturen kann dabei nicht nur im Auftragen von
Material bestehen, sondern auch im Abtragen von Material, beispielsweise
im Schneiden eines Grabens in das Maskenmaterials. Diese Ausgestaltung
des Verfahrens stellt eine wesentliche Erleichterung bei der Reparatur
von Masken dar.
-
Mittels
des erfindungsgemäßen Verfahrens ist
es möglich,
Defektstellen auf einfache Art so zu korrigieren, daß dem Anwender
bezüglich
der Belichtung und der Fokussierung ge wisse Spielräume bleiben,
so daß bei
Nichteinstellung der bestmöglichen Fokussierung
bzw. bestmöglichen
Belichtung die damit erzeugte Waferstruktur verwendbar bleibt.
-
Die
Erfindung soll im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.
In den dazugehörigen
Zeichnungen zeigt
-
1 ein
Ablaufschema für
das erfindungsgemäße Verfahren,
-
2 das
Schema einer Maskenstruktur mit ausgebessertem Defekt,
-
3a beispielhaft
Prozeßfenster
für einen nichtausgebesserten
Defekt und seine Nachbarstellen und
-
3b entsprechende
Prozeßfenster
bei ausgebessertem Defekt.
-
In 1 ist
zunächst
der grundlegende Ablauf des Verfahrens skizziert. In einem ersten
Schritt wird eine Maske in ein Maskeninspektionssystem gegeben und
auf das Vorhandensein von Defekten hin untersucht. Die vorhandenen
Defekte werden vom Inspektionssystem außerdem dahingehend analysiert,
ob sie Abbildungseigenschaften der Phasenverschiebungsmaske beeinträchtigen.
Dies kann beispielsweise mit der Testherstellung eines Wafers, oder
aber mit einem Maskenemulationssystem wie dem AIMS von ZEISS untersucht
werden. In beiden Fällen
erhält
man eine Liste mit den Defekten, die repariert werden müssen, um
die volle Funktionsfähigkeit
der Phasenverschiebungsmaske zu gewährleisten. Diese Defekte werden
dann nacheinander in einem Maskenreparatursystem ausgebessert. Dabei können optional
zur Reparatur auch sogenannte OPC-Strukturen (Optical-Proximity-Correction-Strukturen)
angebracht werden. Neben dem Auf bringen von Material kann selbstverständlich auch
Material abgetragen werden.
-
Im
nächsten
Schritt werden dann Werte von Prüfgrößen bestimmt,
wobei die Prüfgrößen von
Fokus und Belichtung abhängen.
Als Prüfgröße eignet sich
beispielsweise die kritische Dimension oder die Toleranz bezüglich der
Belichtung. Im nächsten Schritt
wird dann überprüft, ob die
Abbildungseigenschaften einem vorgegebenen Toleranzkriterium entsprechen.
Im Falle der Bestimmung von Prozeßfenstern von den Prüfgrößen wird
als Toleranzkriterium eine Mindestüberlappung der Prozeßfenster
vorgegeben, wobei die minimal notwendige Überlappung in Abhängigkeit
vom Maskenmaterial, den Photolack und weitern Systemeigenschaften
bzw. Parametern, die den Prozeß der
Photolithographie bestimmen, abhängen
kann. Diese Mindestüberlappung
der Prozeßfenster
definiert den Bereich bezüglich
Fokus und Belichtung, in dem beispielsweise eine Struktur mit einem
Durchmesser von 100 nm auf 10 nm genau erzeugt werden kann, die
Abbildungseigenschaften also in einem tolerierbaren Bereich liegen.
Das Toleranzkriterium entspricht also einer Genauigkeit mit der
Strukturen auf einen Wafer abgebildet werden können.
-
Ist
die Mindestüberlappung
ausreichend, d. h. wird die erforderliche Genauigkeit erreicht,
so kann die Maske verifiziert und für den Photolithographieprozeß verwendet
werden. Werden die erforderlichen Toleranzen nicht eingehalten,
so wird die Maske abermals der Maskenreparatur zugeführt.
-
In 2 ist
beispielhaft die Struktur einer Phasenverschiebungsmaske dargestellt.
Auf einem Trägermaterial,
bei dem es sich beispielsweise um eine Legierung aus Tantal und
Siliziumdioxid handeln kann, befinden sich linienförmige Strukturen 1 aus
einer Molybdän-Silizium-Legierung.
Die mittlere dieser linienförmigen
Strukturen 1 weist eine Defektstelle 2 auf. Während es
bei herkömmlichen
Masken, die nur die Intensität
des Lichtes verändern,
nur darauf ankommt, daß die
Defektstelle möglichst
entsprechend der vorgegebenen Struktur ausgebessert wird, stehen
bei Phasenverschiebungsmasken die optischen Eigenschaften des Materials
im Vordergrund: Neben der Variation der Intensität wird durch Phasenverschiebungsmasken
auch die Phase räumlich
variiert. Auf diese Weise läßt sich
eine höhere
Auflösung
als mit konventionellen Masken erreichen. Man unterscheidet dabei
zwischen sogenannten Alternating (alternierenden) und Attenuating
(abgeschwächten) Phasenverschiebungsmasken.
Zwar wird die bessere Auflösung
und höhere
Genauigkeit durch die erstgenannte Gruppe von Phasenverschiebungsmasken erreicht,
die Attenuating Phasenverschiebungsmasken sind jedoch leichter zu
entwerfen und herzustellen.
-
Wünschenswert
wäre natürlich eine
Reparatur des Defekts mit demselben Material und mit denselben Abmessungen,
d. h. demselben Liniendurchmesser und derselben Liniendicke in der
Draufsicht. Während
Verdickungen von Linien zwar beseitigt werden können und so das gleiche Material
erhalten bleibt, ist es mitunter schwierig, dasselbe Material, in diesem
Falle also die Molybdän-Silizium-Legierung, an
der defekten Stelle aufzubringen. Auch andere Materialien, die hinsichtlich
Brechungs- und Absorptionsindex ähnliche
Eigenschaften wie die Molybdäns-Silizium-Legierung
aufweisen, lassen sich verwenden. Die Verwendung eines anderen Materials hat
daher zur Folge, daß die
optischen Eigenschaften, insbesondere was die Phasenverschiebungen betrifft,
bei gleicher Breite und Dicke der Linie an der ausgebesserten Stelle
nicht notwendig den gewünschten
Eigenschaften entsprechen.
-
Nach
Ausbesserung der Defektstelle 2 werden jedoch zunächst Prozeßfenster
für die
Defektstelle 2 und die sie umgebenden benachbarten Stellen
A, B, C, D bestimmt. Dazu werden die Abbildungseigenschaften der
ausgebesserten Phasenverschiebungsmaske analysiert. Dies kann beispielsweise
in einem Maskenemulationssystem wie dem AIMS, in dem die Abbildung
der Maske auf den Wafer emuliert wird, durchgeführt werden. Zur Bestimmung der
Prozeßfenster
wird dabei ein Stapel von Bildern aufgenommen, der zum einen die
Fokusebene enthält,
zum anderen aber auch zu dieser parallele Ebenen außerhalb
des Fokus um den gesamten Tiefenschärfebereich abdeckt. Grundsätzlich reicht
die Analyse einer der benachbarten Stellen A bis D, je mehr Stellen
jedoch verwendet werden, desto höher ist
die Genauigkeit der Methode.
-
In 3a sind
solche Prozeßfenster
für den Defekt
(KD i, gestrichelte
Linien) und beispielhaft für die
Nachbarstelle A (KN i,
durchgezogene Linien) gezeigt. Auf der x-Achse ist der Logarithmus der Belichtung,
d. h. das Produkt aus Beleuchtungsstärke und Belichtungszeit, logarithmisch
dargestellt. Auf der y-Achse ist die Fokustoleranz in μm dargestellt,
d. h. die Abweichung, die bei vorgegebener Belichtung von der Ebene
des besten Fokus – gemessen
in der Regel relativ zur Oberfläche
der Photolackschicht – noch
tolerierbar sind. Dargestellt ist für den Defekt und für die nicht
defekte Stelle jeweils eine Schar von drei Funktionen KD,N i, die sich in der zulässigen Toleranz für die Belichtung
unterscheiden. Der Parameter i = 10, 20, 30 gibt die Prozentzahl
der erlaubten Belichtungstoleranz an. Je höher die Toleranzen der Belichtung
ist, desto geringer ist die Toleranz in der Fokusebene, um noch
das gewünschte
Merkmal – im vorliegenden
Fall eine Linie mit der Breite von 100 nm – mit einer Genauigkeit von
10% auf den Photolack bzw. den Wafer abzubilden. Zur Erhöhung der Genauigkeit
wird – nicht
gezeigt – nicht
nur die Nachbarstelle A analysiert, sondern alle in 2 gezeigten
Nachbarstellen.
-
Dementsprechend
werden die Prozeßfenster
festgelegt, d. h. diejenigen Bereiche für Belichtung und Fokus, innerhalb
derer das genannte Merkmal erzeugt werden kann. Sie sind in 3a als
rechteckige Kästchen
eingezeichnet. Es ist deutlich zu sehen, daß bei nicht oder nur mangelhaft
ausgebesserten Defekt sich die Prozeßfenster für die defekte Stelle und für die benachbarte
nicht defekte Stelle bei gleicher Belichtungstoleranz nicht oder
nur geringfügig überlappen.
Es besteht daher die Gefahr, daß der Toleranzbereich
für eine
Einstellung der Belichtung und Fokussierung zu klein ist, als daß die Parameter befriedigend
eingestellt werden könnten.
Hinzu kommt, daß bei
anderen Defekten die Prozeßfenster wieder
anders liegen können,
so daß die
Einstellungen, die für
den einen Defekt funktionieren, für den anderen versagen.
-
Aus
diesem Grund ist eine weitere Reparatur notwendig. Für kleine Änderungen
bzw. die Feinabstimmung eignet sich die Anbringung von OPC-Strukturen,
die entweder aus transmittierenden oder lichtblockierenden Material,
wie beispielsweise Chrom, bestehen. Die Umkehrung, d. h. das Entfernen
von Material, wie beispielsweise das Schneiden eines Grabens, wird
auch von diesen OPC-Strukturen umfaßt. Auch Breite und Dicke des
Materials können
variiert werden. Anschließend
werden die Abbildungseigenschaften erneut analysiert und wie im
vorangegangenen Schritt Prozeßfenster
bestimmt.
-
In 2 ist
beispielhaft neben der reparierten Defektstelle 2 links
und rechts jeweils eine OPC-Struktur 3 eingezeichnet. Die
Prozeßfenster der
reparierten Maske, die verifiziert und freigegeben werden kann,
sind in 3b dargestellt. Die Prozeßfenster
für die
defekte Stelle und die benachbarte Stelle A überlappen sich nun fast vollständig, das
Toleranzkriterium ist erfüllt.
Damit steht dem Anwender ein größerer Bereich
an Fokus- und Belichtungseinstellungen zur Verfügung, innerhalb dessen die Strukturen
mit den erforderlichen Genauigkeiten auf den Wafer gedruckt werden
können.
-
- 1
- linienförmige Struktur
- 2
- Defektstelle
- 3
- OPC-Struktur
- A,
B, C, D
- benachbarte
Stellen