JP2009130255A

JP2009130255A - 成膜装置

Info

Publication number: JP2009130255A
Application number: JP2007305877A
Authority: JP
Inventors: Shuji Osono; 修司大園; Yasushi Nishikata; 靖西方; Shin Asari; 伸浅利; Hideyuki Ogata; 英之小形; Tomohiko Okayama; 智彦岡山
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2007-11-27
Filing date: 2007-11-27
Publication date: 2009-06-11

Abstract

【課題】触媒線の温度を高い信頼性の下で計測することによって、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上させた成膜装置を提供する。
【解決手段】触媒線１５を加熱することによって触媒線１５に可視光を放射させる電源と、成膜室に形成されて成膜室内からの可視光を外部へ透過する透過窓２２と、成膜室の外部に配置されて透過窓２２を介した光度を検出する光度検出部２０と、予め前記触媒線が所定温度にあるときの光度に関する目標光度データを記憶する記憶部２５Ｂと、光度検出部２０の検出結果と目標光度データとを比較して触媒線１５の温度が所定温度であるか否かを判断する制御部２５と、制御部２５における判断結果を出力する出力部２６とを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、成膜装置に関する。

大型ＦＰＤ（Flat Panel Display ）の製造技術においては、成膜ガスの化学反応を利
用してガラス基板に薄膜を成膜する、いわゆる化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor
Deposition ）法が用いられている。

ＣＶＤ法としては、高温に加熱した基板表面で化学反応を進行させる熱ＣＶＤ法と、反応容器内に発生させたプラズマによって化学反応を進行させるプラズマＣＶＤ法とが知られている。熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とは、それぞれ基板をプラズマ空間に曝したり、あるいは基板を高温に加熱したりするため、基板や下地膜に電気的、熱的損傷を与え易い問題を有している。また、これらのＣＶＤ法は、膜厚や膜質の均一性を得るために、プラズマ密度や基板温度に高い均一性を必要とすることから、基板の大型化に際して対応し難い。そこで、ＣＶＤ技術では、従来から、上記問題を解決するために、加熱したタングステン等の触媒線に成膜ガスを接触させて成膜ガスを成膜種に分解する触媒ＣＶＤ法が注目されている（例えば、特許文献１）。

触媒作用を成膜反応に利用する触媒ＣＶＤ法は、加熱された触媒線が成膜反応の進行を担い、基板へのプラズマ照射や基板の高温加熱を必要としないことから、基板や下地膜への電気的、熱的損傷を大幅に抑制できる。また、触媒ＣＶＤ法は、触媒線を増量するだけで反応系を拡張できるため、基板の大型化に対しても比較的に容易に対応できる。

触媒ＣＶＤ法におけるプロセス領域では、一般的に、触媒線の温度が高くなると、成膜速度が速くなり、触媒線の温度が低くなると、成膜温度が遅くなる。すなわち、触媒線の温度は、成膜反応の速度を規定する要素であり、成膜種の生成量を大きく左右することから、成膜プロセスの信頼性を得る上で、十分な安定性を求められる。一方、成膜処理やクリーニング処理等が繰り返されると、触媒線が消耗し、触媒線の線径が細くなることから、触媒線の電気抵抗値の増大を招き、触媒線の温度に大きな変動を生じてしまう。そこで、触媒ＣＶＤ技術では、従来から、上記問題を解決するため、触媒線の温度の安定性を向上させる提案がなされている。

特許文献２に記載の成膜装置は、触媒線の温度を目標温度に調整するため、触媒線の電気抵抗値と触媒線への投入電力とを関連付けた相関データを予め格納する。該成膜装置は、触媒線の電気抵抗値を適宜検出し、相関データを参照して、検出結果に対応する投入電力を演算する。そして、該成膜装置は、検出結果に対応する投入電力を用いて触媒線の温度を調整する。これによれば、触媒線の消耗に関わらず、触媒線の温度を相関データに基づいて調整できることから、触媒線の温度の安定性を向上できる。
特許２００４−８３９９８号公報特許２００３−３０３７８０号公報

しかしながら、触媒線の電気抵抗値を検出する場合には、電源の内部抵抗や各部の接触抵抗等が検出結果に重畳してしまうため、触媒線のみの電気抵抗値を正確に得難く、計測結果に大きな誤差を生じてしまう。

こうした問題は、触媒線から放射される赤外光のエネルギー量を温度として検出する、いわゆる非接触式の放射温度計を用いることによって解決可能と考えられる。しかし、放射温度計を用いる場合には、触媒線から放射される赤外光が視認不能であることから、利用者は触媒線のどこの箇所を測定しているのか、さらには焦点が触媒線の上にあるのか否かを確認し難い。また、赤外光が各種物質へ容易に吸収されることから、測定結果が触媒線と赤外光センサとの間の距離に応じて大きく変動してしまう。

そのため、触媒線の位置を調整したり、触媒線を交換したりする場合には、触媒線と赤外光センサとの間の状態を正確に維持し難いことから、放射温度計を用いる技術では、触媒線の温度を高い信頼性の下で得難く、ひいては、薄膜の成膜状態、すなわち薄膜の膜質を管理し難い問題があった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、触媒線の温度を高い信頼性の下で計測することによって、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上させた成膜装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の成膜装置は、成膜ガスが供給される成膜室と、前記成膜室内に配置された触媒線とを有し、前記成膜ガスと前記触媒線とを接触させることによって前記成膜室内で基板に薄膜を成膜する成膜装置であって、前記触媒線に電力を供給して前記触媒線から可視光を放射させる電源と、前記成膜室に形成されて前記成膜室内の可視光を外部へ透過する透過窓と、前記透過窓を介した前記成膜室内の可視光の光度を前記外部で検出する検出部と、前記触媒線が所定温度にあるときの前記光度に関する光度データを記憶する記憶部と、前記検出部の検出結果と前記光度データとを比較して前記触媒線の温度が前記所定温度であるか否かを判断する判断部と、前記判断部における判断結果を出力する出力部とを有することを要旨とする。

請求項１に記載の成膜装置は、成膜室内からの可視光に基づいて触媒線の温度を測定することから、触媒線と測定領域との間の位置整合を容易に得ることができる。また、透過窓から視認できる領域を測定することから、触媒線の広範囲にわたり温度を測定でき、測定結果に対して、触媒線と検出部との間の吸収に起因する誤差を軽減できる。したがって、本成膜装置は、触媒線の温度を高い信頼性の下で計測でき、ひいては、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上できる。

請求項２に記載の成膜装置は、請求項１に記載の成膜装置であって、前記透過窓を前記成膜室内で開閉するシャッタと、前記成膜室で成膜処理を実行するときに前記シャッタを閉じ、かつ、前記成膜室で成膜処理を実行しないときに前記シャッタを開ける制御部とを有することを要旨とする。

請求項２に記載の成膜装置は、透過窓へ向かう成膜種をシャッタによって遮蔽させることから、透過窓の透過率の安定化を図ることができ、ひいては、触媒線の温度を、より正確に、かつ、高い信頼性の下で計測できる。

請求項３に記載の成膜装置は、請求項１又は２に記載の成膜装置であって、前記光度は前記触媒線の輝度であることを要旨とする。
請求項３に記載の成膜装置は、触媒線の輝度に基づいて触媒線の温度を検出することから、触媒線の温度を、より正確に、かつ、高い信頼性の下で計測できる。

請求項４に記載の成膜装置は、請求項１又は２に記載の成膜装置であって、前記光度は照度であることを要旨とする。
請求項４に記載の成膜装置は、成膜室内の照度に基づいて触媒線の温度を検出することから、測定領域の自由度を拡張でき、また、測定結果に対して、触媒線と検出部との間の吸収に起因する誤差を、さらに軽減できる。したがって、この成膜装置は、触媒線の温度を高い信頼性の下で計測でき、ひいては、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上できる。

請求項５に記載の成膜装置は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の成膜装置であって、前記触媒線と前記透過窓との間の間隙から離間する位置に前記基板を配置するステージを有することを要旨とする。

請求項５に記載の成膜装置は、薄膜の膜質が可視光を吸収する場合であっても、触媒線の温度を、正確に、かつ、高い信頼性の下で計測できる。
請求項６に記載の成膜装置は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の成膜装置であって、前記出力部が、前記判断部からの判断結果に基づいて、前記触媒線の温度が前記所定の温度範囲にないときに所定の告知を行うことを要旨とする。

請求項６に記載の成膜装置は、出力部が外部への告知を行うことから、触媒線を利用した成膜処理を高い信頼性の下で管理でき、成膜処理の安定性を、さらに向上できる。

上記したように、本発明によれば、触媒線の温度を高い信頼性の下で正確に計測することによって、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上させた成膜装置を提供することができる。

以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。図１は、成膜装置としての触媒ＣＶＤ装置１０を鉛直方向から見た図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。図１において、触媒ＣＶＤ装置１０は、搬入室１１と、第一成膜室１２と、第二成膜室１３と、搬出室１４とを、順にゲートバルブＧＶを介して連結させたインライン式の成膜装置である。

搬入室１１は、排気ラインＰに連結された真空槽であり、外部からの基板Ｓを受けて触媒ＣＶＤ装置１０へ搬入する。搬入室１１の内部には、基板Ｓを支持するための一対の搬入ステージ１１Ｓが配設されている。一対の搬入ステージ１１Ｓは、それぞれ搬入室１１に搬入された一対の基板Ｓを相対向するように列立させ、該一対の基板Ｓを第一成膜室１２へ搬送する。基板Ｓとしては、大型ＦＰＤや光電変換素子を製造するためのガラス基板、あるいは半導体装置を製造するためのシリコン基板を用いることができる。本実施形態では、基板Ｓの搬送方向を＋Ｘ方向とし、基板Ｓの法線方向を＋Ｙ方向とし、鉛直方向上方を＋Ｚ方向と言う。

第一成膜室１２は、アルミニウム等からなる真空槽であり、ゲートバルブＧＶを介して搬入室１１に連結され、ゲートバルブＧＶが開くときに搬入室１１と連通する。第一成膜室１２は、排気ラインＰに連結されて１０Ｐａ以下の低圧へ減圧され、分子流の領域で成膜プロセスを実施する。第一成膜室１２の内部には、基板Ｓを支持するための一対の第一ステージ１２Ｓが配設されている。一対の第一ステージ１２Ｓは、それぞれ搬入室１１からの基板Ｓを継続的に列立させて所定温度に昇温させるとともに、該一対の基板Ｓを第二成膜室１３へ搬送する。各排気ラインＰは、それぞれ列立された一対の基板Ｓの間の空間を、各基板Ｓの裏面側から基板Ｓの主面に対して等方的に排気する。

第二成膜室１３は、アルミニウム等からなる真空槽であり、ゲートバルブＧＶを介して
第一成膜室１２に連結され、ゲートバルブＧＶが開くときに第二成膜室１３と連通する。第二成膜室１３は、排気ラインＰに連結されて１０Ｐａ以下の低圧へ減圧され、分子流の領域で成膜プロセスを実施する。第二成膜室１３の内部には、基板Ｓを支持するための一対の第二ステージ１３Ｓが配設されている。一対の第二ステージ１３Ｓは、それぞれ第一成膜室１２からの基板Ｓを継続的に列立させて所定温度に昇温させるとともに、該一対の基板Ｓを搬出室１４へ搬送する。各排気ラインＰは、それぞれ列立された一対の基板Ｓの間の空間を、各基板Ｓの裏面側から基板Ｓの主面に対して等方的に排気する。

搬出室１４は、排気ラインＰに連結された真空槽であり、第二成膜室１３からの基板Ｓを外部へ搬出する。搬出室１４の内部には、基板Ｓを支持するための一対の搬出ステージ１４Ｓが配設されている。一対の搬出ステージ１４Ｓは、それぞれ搬出室１４に搬入された一対の基板Ｓの主面を水平方向へ倒し、該一対の基板Ｓを外部へ搬出する。

第一成膜室１２の内部であって、一対の第一ステージ１２Ｓの間には、鉛直方向（紙面に垂直な方向）に延びる複数の触媒線１５が、基板Ｓの搬送方向、すなわち＋Ｘ方向に沿って配列されている。また、第二成膜室１３の内部であって、一対の第二ステージ１３Ｓの間にも、同じく、鉛直方向に延びる複数の触媒線１５が、＋Ｘ方向に沿って配列されている。

各触媒線１５は、それぞれＷ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｉｒ、Ｒｅ、ＮｉＣｒ、ＴｈＷ、ＲｅＷ等からなる線材であって、列立された一対の基板Ｓの間に吊下げられている。各触媒線１５は、それぞれ図示しない電源に接続され、所定温度（例えば、１７００℃）に加熱されることによって、成膜ガスを活性化させて成膜反応を開始させるとともに、温度に応じた光度の可視光を等方的に放射する。なお、本実施形態では、列立された一対の基板Ｓの間の間隙であって、各触媒線１５を含む空間を、反応空間と言う。

第一成膜室１２及び第二成膜室１３における反応空間であって、触媒線１５と各基板Ｓとの間には、それぞれシャワーヘッド１６が配設されている。シャワーヘッド１６は、基板Ｓの四辺に沿って延びるガス配管であり、基板Ｓの外周を囲うように配設されている。ガス配管は、例えば長手方向が１．５ｍで形成される配管であって、それぞれ触媒ＣＶＤ装置１０が設置される施設のガスラインに接続され、該ガスラインからの成膜ガスを配管の内部へ導入する。なお、成膜処理としてシリコン膜を成膜する場合には、成膜ガスにシラン（ＳｉＨ_４）と水素（Ｈ_２）を用いることができ、シリコン窒化膜を形成する場合には、シランとアンモニア（ＮＨ_３）を用いることができる。また、シリコン酸化窒化膜を形成する場合には、成膜ガスにシランと亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を用いることができる。

シャワーヘッド１６には、それぞれ反応空間へ向けて延びる複数の孔（以下単に、ノズルＮと言う。）が、基板Ｓの一辺に沿って等間隔に配列されている。各ノズルＮは、例えば、１ｍｍの孔径からなる円形孔であって、シャワーヘッド１６の長手方向に沿って１０ｍｍのピッチで配列されている。各ノズルＮは、それぞれシャワーヘッド１６の内部へ導入した成膜ガスを、シャワーヘッド１６の長手方向に沿って分散させて反応空間へ供給する。

図２に示すように、第一成膜室１２及び第二成膜室１３には、それぞれ光度検出部２０が搭載されている。光度検出部２０は、第一成膜室１２及び第二成膜室１３の各々の上側と下側とに搭載され、成膜室の内側から順に、シャッタ２１と、透過窓２２と、光度センサ２３とを有する。

各シャッタ２１は、それぞれ対応する成膜室内に取付けられ、成膜室内と透過窓２２との間を開閉する。各シャッタ２１は、それぞれ成膜室内と透過窓２２との間を開けるとき
、成膜室内からの可視光を透過窓２２へ透過する。また、各シャッタ２１は、それぞれ成膜室内と透過窓２２との間を閉じるとき、透過窓２２へ飛散する気体（例えば、成膜種）を透過窓２２に対して遮蔽する。

各透過窓２２は、それぞれ対応する成膜室に形成され、成膜室の内部からの可視光を光度センサ２３へ透過する。各光度センサ２３は、それぞれ成膜室内からの可視光の光度を検出するセンサであり、透過窓２２から視認できる成膜室内の領域の光度を検出する。

なお、本実施形態において、上下一対の透過窓２２と触媒線１５とは、それぞれ反応領域における触媒線１５の略全体（図２の破線で示す領域）を透過窓２２から視認できるように配置されている。また、上下一対の透過窓２２と基板Ｓとは、それぞれ透過窓２２から視認できる触媒線１５に基板Ｓを重畳させないように配置されている。すなわち、本実施形態において、上下一対の光度センサ２３は、それぞれ反応領域における触媒線１５の略全体の光度と、その雰囲気の光度とを検出する。そして、上下一対の光度センサ２３は、それぞれ基板Ｓ又は薄膜が可視光吸収性を有する場合であっても、成膜室内からの光度を確実に検出できる。

各光度検出部２０は、それぞれ制御装置２５へ電気的に接続され、検出した光度に関する信号を制御装置２５へ出力する。制御装置２５は、ＣＰＵ等からなる制御部２５Ａと、ＤＲＡＭやＳＲＡＭ等からなる記憶部２５Ｂとを有し、出力部２６へ電気的に接続されている。

制御部２５Ａは、搬入室１１を用いた基板Ｓの搬入処理、第一成膜室１２及び第二成膜室１３を用いた成膜処理、光度検出部２０を用いた計測処理、搬出室１４を用いた搬出処理等の各種処理動作を、触媒ＣＶＤ装置１０に実行させるものである。

記憶部２５Ｂは、触媒ＣＶＤ装置１０に各種処理動作を実行させるための各種データやプログラムを格納する。例えば、記憶部２５Ｂは、成膜処理を実行するための成膜プログラム、計測処理を実行するための計測プログラムを格納する。また、記憶部２５Ｂは、目標光度に関するデータを目標光度データとして記憶する。なお、目標光度とは、触媒線１５が予め設定された成膜温度（例えば、１６００〜１８００℃）にあるときの光度であり、光度検出部２０ごとに設定される。

制御部２５Ａは、記憶部２５Ｂから目標光度データを読み出し、各光度検出部２０からの検出結果と目標光度データとを比較する。そして、制御部２５Ａは、各光度検出部２０からの検出結果が目標光度であるか否かを判断し、該判断結果に関わる信号を出力部２６へ出力する。

出力部２６は、液晶ディスプレイ等の各種の表示装置を備え、制御部２５Ａからの制御信号に応じた情報を表示する。例えば、出力部２６は、制御部２５Ａからの判断結果に関わる信号を受け、各光度検出部２０からの検出結果が目標光度であるか否かを表示する。そして、出力部２６は、光度検出部２０からの検出結果が目標光度で無い場合には、触媒線１５に関わるメンテナンスを促す旨のメッセージを利用者へ告知する。また、出力部２６は、光度検出部２０からの検出結果が目標光度である場合には、成膜処理を促す旨のメッセージを利用者へ告知する。

制御部２５Ａは、計測処理を実行するとき、記憶部２５Ｂから計測プログラムを読み出し、計測プログラムに従って各部を駆動する。すなわち、制御部２５Ａは、図示しない電源を駆動して触媒線１５へ所定電力を投入するとともに、各光度検出部２０を駆動して各シャッタ２１を開ける。そして、制御部２５Ａは、各光度検出部２０からの検出結果に基
づいて、各検出結果に応じたメッセージを出力部２６へ出力させる。これによって、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５の温度が成膜温度である場合に限り、利用者に対して成膜処理を促すことができる。

制御部２５Ａは、成膜処理を実行するとき、記憶部２５Ｂから成膜プログラムを読み出し、成膜プログラムに従って各部を駆動する。すなわち、制御部２５Ａは、図示しない電源を駆動して触媒線１５に所定電力を投入するとともに、各光度検出部２０を駆動して各シャッタ２１を閉じる。そして、制御部２５Ａは、図示しないガス供給部を駆動し、各シャワーヘッド１６に成膜ガスを供給させる。これによって、触媒ＣＶＤ装置１０は、透過窓２２への成膜種の堆積を回避でき、成膜処理の処理回数に関わらず、光度の検出精度を維持できる。

次に、触媒ＣＶＤ装置１０における目標光度の設定方法について以下に説明する。図３は、共通する触媒線１５に対して、赤外放射温度計を用いて計測した温度と、光度検出部２０を用いて計測した光度との関係を示す図である。なお、図３では、触媒線１５として直径が１ｍｍのタンタル線の場合を示す。

まず、触媒線１５の温度と印加電流との関係線を形成するため、透過窓２２として、赤外光を透過可能な材料（二フッ化バリウム、あるいはセレン化鉛）を用い、触媒線１５に印加する電流を徐々に増大させた。そして、触媒線１５からの赤外光を、透過窓２２を介して赤外光放射温度計で検出し、触媒線１５の表面の実温度を計測した。なお、この際、赤外放射温度計の焦点は、予め対象となる触媒線１５の上に配置した。

次いで、透過窓２２として、可視光を透過可能なガラスを用い、関係線を形成したときと同じく、触媒線１５に印加する電流を徐々に増大させた。そして、成膜室内からの可視光を、透過窓２２を介して光度検出部２０で検出し、可視光の光度（輝度及び照度）を計測した。

図３に示すように、赤外放射温度計に基づく実温度は、印加電流が増加するに連れて略線形的に増大し、可視光の光度は、印加電流が増加するに連れて指数関数的に増大する。詳述すると、可視光の光度は、印加電流値が２０Ａに満たない場合（実温度が１２００℃に満たない場合）、印加電流に対する依存性が非常に低く、十分な感度を得難い。一方、可視光の光度は、印加電流が２０Ａを超える場合（実温度が１２００℃を超える場合）、印加電流に対する依存性が高く、十分な感度を得られることが分かる。

そして、実温度が１６００℃〜１８００℃になるときの光度、例えば３３〜３７ｃｄ／ｍ^２の輝度を目標光度として設定することによって、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５の温度を高い信頼性の下で正確に計測できる。

上記実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）上記実施形態において、触媒ＣＶＤ装置１０は、各成膜室に形成されて成膜室内の可視光を外部へ透過する透過窓２２と、透過窓２２を介した成膜室内の可視光の光度を外部で検出する光度センサ２３と、目標光度に関する目標光度データを記憶する記憶部２５Ｂとを有する。そして、触媒ＣＶＤ装置１０の制御部２５Ａは、光度検出部２０の検出結果と目標光度とを比較し、触媒線１５の温度が目標温度であるか否かを判断するとともに、該判断結果を出力部２６へ出力する。

したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、成膜室内からの可視光に基づいて触媒線１５の温度を測定することから、透過窓２２から触媒線１５の領域を視認可能にするだけで、触媒線１５と測定領域との間の位置整合を得ることができる。また、透過窓２２から視認でき
る領域を測定することから、触媒線１５の広範囲にわたり温度を測定でき、測定結果に対して、触媒線１５と透過窓２２との間の吸収に起因する誤差を軽減できる。よって、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５の温度を高い信頼性の下で計測でき、ひいては、触媒線１５を利用した成膜処理の安定性を向上できる。

（２）上記実施形態において、触媒ＣＶＤ装置１０は、透過窓２２を成膜室内で開閉するシャッタ２１を有し、制御部２５Ａは、成膜室で成膜処理を実行するときにシャッタ２１を閉じ、かつ、成膜室で計測処理を実行するときにシャッタ２１を開ける。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、透過窓２２へ向かう成膜種をシャッタによって遮蔽させることから、透過窓２２の透過率の安定化を図ることができ、ひいては、触媒線１５の温度を、より正確に、かつ、高い信頼性の下で計測できる。

（３）上記実施形態において、光度センサ２３が触媒線の輝度を検出することから、触媒線１５の温度を、より直接的に検出することができ、ひいては、触媒線１５を利用した成膜処理の安定性を、さらに向上できる。

（４）上記実施形態において、光度センサ２３が成膜室内の照度を検出することから、光度の測定領域に関して自由度を拡張できる。また、測定結果に対して、触媒線１５と光度センサ２３との間の吸収に起因する誤差を、さらに軽減できる。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５を利用した成膜処理の安定性を、さらに向上できる。

（５）上記実施形態において、第一ステージ１２Ｓ及び第二ステージ１３Ｓは、それぞれ触媒線１５と透過窓２２との間の間隙から離間する位置に基板Ｓを配置する。したがって、各光度検出部２０は、それぞれ基板Ｓや薄膜が可視光を吸収する場合であっても、触媒線１５の温度を、正確に、かつ、高い信頼性の下で計測できる。

（６）上記実施形態において、出力部２６は、制御部２５Ａからの判断結果に基づいて、触媒線１５の温度が目標温度から外れるときには、触媒線１５に関わるメンテナンスを促す旨のメッセージを利用者へ告知する。また、出力部２６は、触媒線１５の温度が目標温度である場合には、成膜処理を促す旨のメッセージを利用者へ告知する。したがって、触媒ＣＶＤ装置１０は、触媒線１５を利用した成膜処理を高い信頼性の下で管理でき、成膜処理の安定性を、さらに向上できる。

尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態では、上下一対の光度検出部２０を用い、触媒線１５の略全体の温度を検出する。これに限らず、１つあるいは３つ以上の光度検出部２０を用い、触媒線１５の略全体の温度を検出しても良い。さらには、１つあるいは複数の光度検出部２０を用い、触媒線１５の一部の温度を検出する構成であっても良い。

・上記実施形態では、光度検出部２０が可視領域の全体にわたり光度を検出するが、これに限らず、可視領域の選択波長に関する光度を検出する構成であっても良い。

触媒ＣＶＤ装置を模式的に示す図。成膜室の内部を模式的に示す図。印加電流と光度との関係を示す図。

符号の説明

Ｓ…基板、１０…成膜装置としての触媒ＣＶＤ装置、１５…触媒線、２０…光度検出部、２１…シャッタ、２２…透過窓、２３…光度センサ、２５Ａ…判断部としての制御部、
２５Ｂ…記憶部、２６…出力部。

Claims

成膜ガスが供給される成膜室と、前記成膜室内に配置された触媒線とを有し、前記成膜ガスと前記触媒線とを接触させることによって前記成膜室内で基板に薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記触媒線に電力を供給して前記触媒線から可視光を放射させる電源と、
前記成膜室に形成されて前記成膜室内の可視光を外部へ透過する透過窓と、
前記透過窓を介した前記成膜室内の可視光の光度を前記外部で検出する検出部と、
前記触媒線が所定温度にあるときの前記光度に関する光度データを記憶する記憶部と、
前記検出部の検出結果と前記光度データとを比較して前記触媒線の温度が前記所定温度であるか否かを判断する判断部と、
前記判断部における判断結果を出力する出力部とを有すること、
を特徴とする成膜装置。
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記透過窓を前記成膜室内で開閉するシャッタと、
前記成膜室で成膜処理を実行するときに前記シャッタを閉じ、かつ、前記成膜室で成膜処理を実行しないときに前記シャッタを開ける制御部とを有することを特徴とする成膜装置。
請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
前記光度は前記触媒線の輝度であることを特徴とする成膜装置。
請求項１又は２に記載の成膜装置であって、
前記光度は照度であることを特徴とする成膜装置。
請求項１〜４のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
前記触媒線と前記透過窓との間の間隙から離間する位置に前記基板を配置するステージを有することを特徴とする成膜装置。
請求項１〜５のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
前記出力部は、前記判断部からの判断結果に基づいて、前記触媒線の温度が前記所定温度にないときに所定の告知を行うことを特徴とする成膜装置。