JP2008132646A

JP2008132646A - Liquid droplet ejection head and manufacturing method for liquid ejector

Info

Publication number: JP2008132646A
Application number: JP2006319915A
Authority: JP
Inventors: Seiji Yamazaki; 成二山崎
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2006-11-28
Filing date: 2006-11-28
Publication date: 2008-06-12

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a liquid droplet ejection head, in which the liquid droplet ejection heads (particularly liquid droplet ejection heads with a large number of thick lamination layer) can be individualized in a desired size without any burden applied to a dicing blade. <P>SOLUTION: In the manufacturing method for the liquid droplet ejection head, a substrate with a plurality of the liquid droplet ejection heads formed by layering a plurality of substrates with parts for ejecting liquid droplets formed therein is subjected to dicing work to separate to each liquid droplet ejection head. The method includes a step of forming dicing auxiliary slots 67 with recesses wider than a desired dicing width to a part subjected to dicing work of an electrode substrate 10 which is the substrate of the most front layer before dicing work. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層した複数の基板をダイシング加工して形成する、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドを有する液滴吐出装置の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a droplet discharge head formed by dicing a plurality of stacked substrates and a method for manufacturing a droplet discharge device having a droplet discharge head.

例えばシリコン等を加工して微小な素子等を形成する微細加工技術（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical Systems）が急激な進歩を遂げている。微細加工技術により形成される微細加工素子の例としては、例えば液滴吐出方式のプリンタのような記録（印刷）装置で用いられている液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）、マイクロポンプ、光可変フィルタ、モータのような静電アクチュエータ、圧力センサ等がある。 For example, micro electro mechanical systems (MEMS) that process silicon or the like to form minute elements or the like have made rapid progress. Examples of microfabricated elements formed by microfabrication technology include, for example, a droplet discharge head (inkjet head), a micropump, and an optical variable filter used in a recording (printing) apparatus such as a droplet discharge type printer. There are electrostatic actuators such as motors, pressure sensors and the like.

液滴吐出方式（代表的なものとして、インクを吐出して印刷等を行うために用いるインクジェットがある）は、家庭用、工業用を問わず、あらゆる分野の印刷（プリント）等に利用されている。液滴吐出方式は、微細加工素子である例えば複数のノズルを有する液滴吐出ヘッドを、対象物との間で相対移動させ、対象物の所定の位置に液体を吐出するものである。近年では、液晶（Liquid Crystal）を用いた表示装置を作製する際のカラーフィルタ、有機電界発光（Organic ElectroLuminescence ：以下、ＯＥＬという）素子を用いた表示基板（ＯＬＥＤ）、ＤＮＡ等、生体分子のマイクロアレイ等の製造にも利用されている。 The droplet discharge method (typically, there is an inkjet used for printing by discharging ink) is used for printing (printing) in all fields regardless of household use or industrial use. Yes. In the droplet discharge method, for example, a droplet discharge head having a plurality of nozzles, which are microfabricated elements, is moved relative to an object and the liquid is discharged to a predetermined position of the object. In recent years, microarrays of biomolecules such as color filters used in manufacturing display devices using liquid crystals, display substrates (OLED) using organic electroluminescence (hereinafter referred to as OEL) elements, DNA, and the like. Etc. are also used in the manufacture of

液滴吐出方式を実現する吐出ヘッドとして、例えば、各ノズル内の液体を加熱して気体（バブル）を発生させ、その圧力によってインク液滴を吐出させるものがある。また、吐出液体を溜めておく吐出室の少なくとも一面の壁（例えば底壁とする。この壁は他の壁と一体形成されているが、以下、この壁のことを振動板ということにする）が撓んで形状が変化するようにしておき、振動板を撓ませて吐出室内の圧力を高め、吐出室と連通するノズルから液滴を吐出させるものがある。 As an ejection head that realizes a droplet ejection system, for example, there is a head that heats a liquid in each nozzle to generate a gas (bubble) and ejects ink droplets by the pressure. Further, at least one wall of the discharge chamber for storing the discharge liquid (for example, a bottom wall. This wall is integrally formed with the other wall. Hereinafter, this wall is referred to as a diaphragm). In some cases, the shape is changed by bending, and the diaphragm is bent to increase the pressure in the discharge chamber, and the liquid droplets are discharged from the nozzle communicating with the discharge chamber.

静電方式による液滴吐出ヘッドの場合には、振動板と各振動板と対向している個別電極との間に静電力を発生させ、振動板を個別電極に引きつける。その後、静電力を弱める又は発生を停止させると、振動板が元に戻って平衡状態になろうとする復元力（弾性力）が働くため、振動板が元の位置に変位する。これらを繰り返すことで振動板を駆動させ、液滴を吐出する。このような液滴吐出ヘッドを製造する際の材料として、例えば、ガラス基板、シリコン基板が用いられる。そして、各基板に部材形成を行い、積層し、接合して製造をしている。 In the case of an electrostatic droplet discharge head, an electrostatic force is generated between the diaphragm and the individual electrode facing each diaphragm, and the diaphragm is attracted to the individual electrode. After that, when the electrostatic force is weakened or the generation is stopped, a restoring force (elastic force) that returns the diaphragm to its original state to be in an equilibrium state works, so that the diaphragm is displaced to the original position. By repeating these steps, the diaphragm is driven to discharge droplets. As a material for manufacturing such a droplet discharge head, for example, a glass substrate or a silicon substrate is used. Then, members are formed on each substrate, stacked, and bonded to manufacture.

ここで、通常、液滴吐出ヘッドはウェハ単位で加工を行う。そして、ウェハ単位で一体形成された複数の液滴吐出ヘッドを、チップ化（個片化）して製造する。このとき、ダイシングブレードを用いてダイシング（切り離し）加工、ブレーク加工等を行う（例えば特許文献１参照）。 Here, normally, the droplet discharge head performs processing in units of wafers. Then, a plurality of droplet discharge heads integrally formed on a wafer basis are manufactured as chips (divided into individual pieces). At this time, dicing (separation) processing, break processing, or the like is performed using a dicing blade (see, for example, Patent Document 1).

液滴吐出ヘッドのノズルはますます高密度化する傾向にあるが、ノズル間隔を狭くしていくと、吐出室も狭くなる。そのため、ある吐出室での振動が隣の吐出室内の液体に影響を与える。この影響を抑えようとすると吐出室の高さを低くする必要がある。そこで、従来、吐出室となる部材と同じ基板上に形成していたリザーバと呼ばれる共通液室となる部分を独立した基板（以下、リザーバ基板という）に形成し、吐出室となる部分を形成した基板に積層させた構造も提案され、実現されつつある。 Although the nozzles of the droplet discharge head tend to have a higher density, the discharge chamber becomes narrower as the nozzle interval is reduced. Therefore, vibration in one discharge chamber affects the liquid in the adjacent discharge chamber. In order to suppress this influence, it is necessary to reduce the height of the discharge chamber. Therefore, conventionally, a portion that becomes a common liquid chamber called a reservoir formed on the same substrate as a member that becomes a discharge chamber is formed on an independent substrate (hereinafter referred to as a reservoir substrate), and a portion that becomes a discharge chamber is formed. A structure laminated on a substrate has also been proposed and is being realized.

特開平１１−１７０５４９号公報JP-A-11-170549

以上のように、液滴吐出ヘッドの積層化が進むとその厚さが増すことになる。ここで、ブレーク加工は、例えば基板に亀裂等が入って破損する可能性があるため、破損を少なくするためにはダイシング加工を行う方が望ましい。ただ、液滴吐出ヘッドの厚さが増すと、ダイシングを行う際に、ダイシングブレードに多大な負荷をかけることになり、摩耗等、ダイシングブレードの損傷が早くなる。また、この摩耗でダイシングブレードの刃先の幅が変わる等により、各液滴吐出ヘッドのチップサイズのバラツキが生じることがある。また、ガラス基板にバリ等が発生することもあるため、他のユニットとの接合等がうまくいかず、組み立て不良が生じる場合がある。 As described above, the thickness of the droplet discharge head increases as the number of droplet discharge heads increases. Here, since the break processing may be damaged due to, for example, a crack in the substrate, it is preferable to perform dicing processing in order to reduce the damage. However, when the thickness of the droplet discharge head increases, a large load is applied to the dicing blade when dicing, and damage to the dicing blade such as wear is accelerated. Further, due to this wear, the width of the cutting edge of the dicing blade may change, and the chip size of each droplet discharge head may vary. Moreover, since burrs or the like may occur on the glass substrate, joining with other units may not be successful, resulting in assembly failure.

そこで、個片化する際、ダイシングブレードに負担をかけずに、所望するサイズに液滴吐出ヘッド（特に厚みがある積層数が多い液滴吐出ヘッド）を個片化することができる液滴吐出ヘッドの製造方法等を得ることを目的とする。 Therefore, when separating into individual pieces, it is possible to divide the liquid droplet ejection head (particularly, the liquid droplet ejection head having a large number of layers having a large thickness) into a desired size without placing a burden on the dicing blade. An object is to obtain a method for manufacturing a head.

本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴を吐出するための部位を設けた複数の基板を積層して形成した複数の液滴吐出ヘッドを有する基板をダイシング加工し、各液滴吐出ヘッドに切り離す液滴吐出ヘッドの製造方法において、最表層の基板のダイシング加工を行う部分に対して、所望するダイシング幅よりも広い凹部を有するダイシング補助用の溝をダイシング加工前に形成する工程を有する。
本発明によれば、最表層の基板におけるダイシング加工を行う部分に対して、所望するダイシング幅よりも広い凹部を有するダイシング補助用の溝をダイシング加工前に形成するようにしたので、ダイシングブレードによる研削量を減らすことができ、摩耗を少なくすることができる。 In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, a substrate having a plurality of droplet discharge heads formed by laminating a plurality of substrates provided with portions for discharging droplets is diced to each droplet. In the method for manufacturing a droplet discharge head to be separated from the discharge head, a step of forming a dicing auxiliary groove having a recess wider than a desired dicing width for a portion to be subjected to dicing processing on the outermost substrate before dicing Have
According to the present invention, a dicing auxiliary groove having a recess wider than a desired dicing width is formed on the portion of the outermost substrate that is to be subjected to dicing before dicing. The amount of grinding can be reduced and wear can be reduced.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、サンドブラスト加工により、ダイシング補助用の溝を形成する。
本発明によれば、他の加工よりも深く、速く、所定の深さの溝を形成することができ、生産性を向上させることができる。また、テーパ状に形成することができるため、例えば溝側面がはみ出すようなことがなく、その後のユニット組み立ても容易におこなうことができる。 Also, in the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, a groove for assisting dicing is formed by sandblasting.
According to the present invention, a groove having a predetermined depth can be formed deeper and faster than other processing, and productivity can be improved. Moreover, since it can form in a taper shape, a groove side surface does not protrude, for example, and subsequent unit assembly can also be performed easily.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、ダイシング補助用の溝の形成と同じ工程で液滴吐出ヘッドに液体を供給するための液体供給口となる穴を形成する。
本発明によれば、ダイシング補助用の溝の形成と同じ工程で、液滴吐出ヘッドに必要な液体供給口となる穴の形成も行うことができるので、時間的に効率がよく、低コスト化を図ることができる。 In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, a hole serving as a liquid supply port for supplying a liquid to the droplet discharge head is formed in the same process as the formation of the groove for assisting dicing.
According to the present invention, since a hole serving as a liquid supply port necessary for the droplet discharge head can be formed in the same process as the formation of the dicing assist groove, it is efficient in terms of time and cost. Can be achieved.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法では、液体供給口は、ダイシング補助用の溝と同じ深さまで穴を形成し、ダイシング補助用の溝にマスクを施した後、ダイシング補助用の溝を形成した面から貫通させる。
本発明によれば、ダイシング補助用の溝形成と同じ工程で液体供給口となる穴を途中まで形成し、その後に貫通させるようにしたので、時間的に効率がよく、低コスト化を図ることができる。 In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the liquid supply port is formed with a hole to the same depth as the dicing assisting groove, and a mask is applied to the dicing assisting groove. It penetrates from the surface where the groove is formed.
According to the present invention, the hole serving as the liquid supply port is formed halfway in the same process as the dicing assist groove formation, and then penetrated thereafter, so that it is efficient in terms of time and cost reduction. Can do.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法では、液体供給口は、ダイシング補助用の溝と同じ深さまで穴を形成し、ダイシング補助用の溝を形成した面と反対の面から貫通させる。
本発明によれば、ダイシング補助用の溝形成と同じ工程で液体供給口となる穴を途中まで形成し、その後に貫通させるようにしたので、例えば貫通にドリル等を用いることができ、さらに時間的に効率がよく、低コスト化を図ることができる。 In the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention, the liquid supply port is formed with a hole to the same depth as the dicing auxiliary groove, and is penetrated from a surface opposite to the surface on which the dicing auxiliary groove is formed. .
According to the present invention, since the hole serving as the liquid supply port is formed partway in the same process as the dicing assist groove formation, and then penetrated, for example, a drill or the like can be used for the penetration, and the time Efficient and cost-effective.

また、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、液滴を吐出する複数のノズル孔が形成されたノズル基板と、底面に振動板を形成し、液滴を溜めておく吐出室となる凹部が形成されたキャビティ基板と、振動板に対向し、振動板を駆動する個別電極が形成された電極基板と、吐出室に液滴を供給する共通液滴室となる凹部と、共通液滴室から吐出室へ液滴を移送するための貫通孔と、吐出室からノズル孔へ液滴を移送するノズル連通孔とを有するリザーバ基板とを積層し、電極基板にダイシング補助用の溝を形成する。
本発明によれば、４層の基板を積層して構成した液滴吐出ヘッドに対して、最も厚い、土台となる電極基板にダイシング補助用の溝を形成するようにしたので、ダイシングブレードの研削量を減らす効果をさらに享受することができる。 In addition, the method for manufacturing a droplet discharge head according to the present invention provides a nozzle substrate having a plurality of nozzle holes for discharging droplets, and a discharge chamber in which a diaphragm is formed on the bottom surface to store the droplets. A cavity substrate having a recess, an electrode substrate on which an individual electrode that opposes the diaphragm and drives the diaphragm is formed, a recess serving as a common droplet chamber for supplying droplets to the discharge chamber, and a common droplet A reservoir substrate having a through hole for transferring droplets from the chamber to the discharge chamber and a nozzle communication hole for transferring droplets from the discharge chamber to the nozzle hole is laminated to form a dicing assist groove on the electrode substrate. To do.
According to the present invention, since the groove for assisting dicing is formed in the thickest electrode substrate for the droplet discharge head constituted by laminating four layers of substrates, the dicing blade is ground. The effect of reducing the amount can be further enjoyed.

実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。図１は液滴吐出ヘッドの一部を示している。本実施の形態では、例えば静電方式で駆動するフェイスイジェクト型の液滴吐出ヘッドについて説明する。（なお、構成部材を図示し、見やすくするため、図１を含め、以下の図面では各構成部位（部材）の大きさの関係が実際のものと異なる場合がある。また、図における上側を上とし、下側を下として説明する）。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is an exploded view of a droplet discharge head according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1 shows a part of a droplet discharge head. In the present embodiment, for example, a face eject type droplet discharge head driven by an electrostatic method will be described. (In addition, in order to make the components shown and easy to see, the relationship between the sizes of the components (members) in the following drawings including FIG. 1 may be different from the actual one. And the lower side will be described below).

図１に示すように本実施の形態に係る液滴吐出ヘッドは、電極基板１０、キャビティ基板２０、リザーバ基板３０及びノズル基板４０の４つの基板が下から順に積層されて構成される。ここで本実施の形態では、電極基板１０とキャビティ基板２０とは陽極接合により接合する。また、キャビティ基板２０とリザーバ基板３０、リザーバ基板３０とノズル基板４０とはエポキシ樹脂等の接着剤を用いて接合する。 As shown in FIG. 1, the droplet discharge head according to the present embodiment is configured by stacking four substrates in order from the bottom: an electrode substrate 10, a cavity substrate 20, a reservoir substrate 30, and a nozzle substrate 40. Here, in the present embodiment, the electrode substrate 10 and the cavity substrate 20 are bonded by anodic bonding. The cavity substrate 20 and the reservoir substrate 30 and the reservoir substrate 30 and the nozzle substrate 40 are bonded using an adhesive such as an epoxy resin.

本実施の形態における液滴吐出ヘッドの土台となる電極基板１０は、厚さ約１ｍｍの例えば硼珪酸系の耐熱硬質ガラス等の基板を主要な材料としている。本実施形態では、ガラス基板とするが、例えば単結晶シリコンを基板とすることもできる。電極基板１０の表面には、後述するキャビティ基板２０に形成される吐出室２１となる凹部に合わせて、例えば深さ約０．３μｍを有する複数の凹部１１が形成されている。また、キャビティ基板２０の各吐出室２１（振動板２２）と対向する凹部１１の内側（特に底部）には、固定電極となる個別電極１２が設けられている。ここで、製造の際に、個別電極１２が凹部１１からはみ出さないようにするため、必要な個別電極１２形状よりも大きな形状でパターンを形成しておく。個別電極１２は電極部、リード部及び端子部を有し、端子部を介してドライバＩＣ５０と電気的に接続され、ドライバＩＣ５０から電圧印加による電荷供給等が行われる。この個別電極１２の材料としてクロム等の金属材料を用いてもよいが、本実施の形態では、例えばスパッタ法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を０．１μｍの厚さで凹部１１の内側に成膜して形成する。例えば、ＩＴＯは可視光領域において透明であるため、振動板２２と個別電極１２との間において、凹部１１により振動板２２が撓む（変位する）ことができる一定のギャップ（凹部１１等に囲まれた空間、空隙室）の様子をガラス基板である電極基板１０側から観察しやすく、放電等の確認を行いやすいからである。 The electrode substrate 10 serving as the base of the droplet discharge head in the present embodiment is mainly made of a substrate such as borosilicate heat-resistant hard glass having a thickness of about 1 mm. In the present embodiment, the glass substrate is used, but single crystal silicon may be used as the substrate, for example. On the surface of the electrode substrate 10, a plurality of recesses 11 having a depth of, for example, about 0.3 μm are formed in accordance with the recesses that become discharge chambers 21 formed in the cavity substrate 20 described later. An individual electrode 12 serving as a fixed electrode is provided on the inner side (particularly the bottom) of the recess 11 facing each discharge chamber 21 (vibrating plate 22) of the cavity substrate 20. Here, in order to prevent the individual electrode 12 from protruding from the recess 11 during manufacturing, the pattern is formed in a shape larger than the necessary shape of the individual electrode 12. The individual electrode 12 has an electrode portion, a lead portion, and a terminal portion, and is electrically connected to the driver IC 50 through the terminal portion, and charge supply by voltage application from the driver IC 50 is performed. A metal material such as chromium may be used as the material of the individual electrode 12, but in the present embodiment, ITO (Indium Tin Oxide) is recessed by a thickness of 0.1 μm, for example, by sputtering. 11 is formed inside the film. For example, since ITO is transparent in the visible light region, a certain gap (between the recess 11 and the like) between which the diaphragm 22 can be bent (displaced) by the recess 11 between the diaphragm 22 and the individual electrode 12. This is because it is easy to observe the state of the generated space and the void chamber) from the side of the electrode substrate 10 which is a glass substrate, and it is easy to confirm discharge or the like.

さらに、凹部１１には、後述するＦＰＣ５１からドライバＩＣ５０に各個別電極１２にそれぞれ個別の電荷供給制御を行うためのＳＥＧ信号を送信するためのリード線（配線）の役割を果たす信号リード線１３が設けられている、ドライバＩＣ５０が収容されたときに、ドライバＩＣ５０の直下となる部分に配される。また、電極基板１０には、他にも外部のタンク（図示せず）から供給された液体を取り入れてリザーバ３１に流す流路となる液体供給口１４となる貫通穴が設けられている。 Further, in the recess 11, a signal lead wire 13 serving as a lead wire (wiring) for transmitting an SEG signal for performing individual charge supply control to the individual electrodes 12 from the FPC 51 described later to the driver IC 50 is provided. When the driver IC 50 is provided, the driver IC 50 is disposed in a portion immediately below the driver IC 50. In addition, the electrode substrate 10 is provided with a through-hole serving as a liquid supply port 14 serving as a flow path for taking in liquid supplied from an external tank (not shown) and flowing it to the reservoir 31.

ここで、本実施の形態においては、電極基板１０においてダイシング補助溝側面１５が形成されている。これは、ウェハ単位で製造した液滴吐出ヘッドを個片化のためにダイシングする際の補助を行うために形成された溝（以下、ダイシング補助溝という）を、ダイシングしてできる側面である。ダイシング補助溝の形成及びダイシング補助溝を用いたダイシングについては後述する。 Here, in the present embodiment, the dicing auxiliary groove side surface 15 is formed in the electrode substrate 10. This is a side surface that can be obtained by dicing a groove (hereinafter referred to as a dicing auxiliary groove) formed to assist in dicing a droplet discharge head manufactured in wafer units for dicing. The formation of the dicing auxiliary groove and dicing using the dicing auxiliary groove will be described later.

キャビティ基板２０は、厚さ約５０μｍの例えば表面が（１１０）面方位のシリコン単結晶基板（以下、シリコン基板という）を主要な材料としている。キャビティ基板２０には、吐出室２１となる凹部（底壁がボロンドープ層で形成された可動電極となる振動板２２となっている）が形成されている。また、キャビティ基板２０の下面（電極基板１０と対向する面）には、振動板２２と個別電極１２との間を電気的に絶縁し、短絡防止を図るための絶縁膜２３が成膜されている。絶縁膜２３は、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ：ＴＥＯＳ−ｐＣＶＤともいう）法を用いて、０．１μｍのＴＥＯＳ膜により成膜する。ここでは絶縁膜２３をＴＥＯＳ膜としているが、例えばＡｌ₂Ｏ₃（酸化アルミニウム（アルミナ））を用いてもよい。さらに、キャビティ基板２０にも液体供給口１４となる貫通穴が設けられている（電極基板１０に設けられた貫通穴と連通する）。さらに、外部の電力供給手段（図示せず）から基板（振動板２２）に個別電極１２と反対の極性の電荷を供給する際の端子となる共通電極端子２７を備えている。また、ドライバＩＣ５０を収容するためのドライバ収容部２８となる貫通穴を有している。また、溝穴内に封止材料を堆積させ、不要な部分に堆積させずに所望範囲に封止材２６を形成するための貫通溝穴２９が形成されている。 The cavity substrate 20 is mainly composed of a silicon single crystal substrate (hereinafter referred to as a silicon substrate) having a thickness of about 50 μm, for example, a surface having a (110) plane orientation. The cavity substrate 20 is provided with a recess (the bottom wall is a diaphragm 22 serving as a movable electrode formed of a boron-doped layer) to be a discharge chamber 21. An insulating film 23 is formed on the lower surface of the cavity substrate 20 (the surface facing the electrode substrate 10) to electrically insulate between the diaphragm 22 and the individual electrodes 12 and prevent short circuit. Yes. The insulating film 23 is formed with a 0.1 μm TEOS film by using, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition: TEOS-pCVD) method. Although the insulating film 23 is a TEOS film here, for example, Al ₂ O ₃ (aluminum oxide (alumina)) may be used. Further, the cavity substrate 20 is also provided with a through-hole serving as the liquid supply port 14 (communication with the through-hole provided in the electrode substrate 10). Furthermore, a common electrode terminal 27 is provided which serves as a terminal for supplying a charge having a polarity opposite to that of the individual electrode 12 from an external power supply means (not shown) to the substrate (diaphragm 22). Moreover, it has a through hole that becomes the driver accommodating portion 28 for accommodating the driver IC 50. Further, a sealing material is deposited in the slot, and a through-slot 29 for forming the sealing material 26 in a desired range without being deposited in an unnecessary portion is formed.

リザーバ基板３０は例えば厚さ１８０μｍのシリコン基板を主要な材料とする。リザーバ基板３０には、各吐出室２１に液体を供給するリザーバ（共通液室）３１となる凹部が形成されている。この凹部の底面にも、液体供給口１４となる貫通穴（電極基板１０に設けられた貫通穴と連通する）が設けられている。また、凹部の底面には、リザーバ３１から各吐出室２１に液体を供給するための供給口３２が各吐出室２１の位置に合わせて形成されている。そして、各吐出室２１とノズル基板４０に設けられたノズル４１との間の流路となり、吐出室２１で加圧された液体がノズル４１に移送する流路となる複数のノズル連通孔３３が各ノズル（各吐出室２１）に合わせて設けられている。また、ドライバＩＣ５０を収容するためのドライバ収容部２８となる貫通穴（キャビティ基板２０に設けられた貫通穴と連通する）を有している。ここで、特に限定するものではないが、本実施の形態では、キャビティ基板２０と対向する面側に吐出室２１の容積を拡げるための凹部を設ける。 The reservoir substrate 30 is mainly made of a silicon substrate having a thickness of 180 μm, for example. The reservoir substrate 30 is formed with a recess that serves as a reservoir (common liquid chamber) 31 for supplying a liquid to each discharge chamber 21. A through-hole (which communicates with a through-hole provided in the electrode substrate 10) that becomes the liquid supply port 14 is also provided on the bottom surface of the recess. Further, a supply port 32 for supplying a liquid from the reservoir 31 to each discharge chamber 21 is formed on the bottom surface of the recess according to the position of each discharge chamber 21. A plurality of nozzle communication holes 33 serving as flow paths between the discharge chambers 21 and the nozzles 41 provided on the nozzle substrate 40 and serving as flow paths for transferring the liquid pressurized in the discharge chambers 21 to the nozzles 41 are provided. It is provided according to each nozzle (each discharge chamber 21). Moreover, it has a through hole (communicating with a through hole provided in the cavity substrate 20) to be a driver housing portion 28 for housing the driver IC 50. Here, although not particularly limited, in the present embodiment, a recess for expanding the volume of the discharge chamber 21 is provided on the surface facing the cavity substrate 20.

ノズル基板４０についても、例えば厚さ約５０μｍのシリコン基板を主要な材料とする。ノズル基板４０には、複数のノズル４１が形成されている。各ノズル４１は、各ノズル連通孔３３から移送された液体を液滴として外部に吐出する。ノズル４１を複数段で形成すると、液滴を吐出する際の直進性向上が期待できる。本実施の形態ではノズル４１を２段で形成する。ここで、振動板２２によりリザーバ３１側の液体に加わる圧力を緩衝するためのダイヤフラムを設けるようにしてもよい。ここで、このノズル基板４０が蓋となって、ドライバ収容部２８に収容したドライバＩＣ５０が保護される。 Also for the nozzle substrate 40, for example, a silicon substrate having a thickness of about 50 μm is used as a main material. A plurality of nozzles 41 are formed on the nozzle substrate 40. Each nozzle 41 discharges the liquid transferred from each nozzle communication hole 33 to the outside as a droplet. If the nozzles 41 are formed in a plurality of stages, an improvement in straightness when discharging droplets can be expected. In the present embodiment, the nozzle 41 is formed in two stages. Here, a diaphragm for buffering the pressure applied to the liquid on the reservoir 31 side by the diaphragm 22 may be provided. Here, the nozzle substrate 40 serves as a lid, and the driver IC 50 accommodated in the driver accommodating portion 28 is protected.

ドライバＩＣ５０は、液滴吐出ヘッドにある複数の個別電極１２に対して、それぞれ独立して電圧を印加し、電荷供給、維持、放電等を行うための手段である。本実施の形態では、２つのドライバＩＣ５０を収容するようにしているが、この数について限定するものではない。また、ＦＰＣ（Flexible Print Circuit）５１は、駆動制御手段（図示せず）からの信号を液滴吐出ヘッド側に送信するための配線が設けられている。配線は、共通電極端子２７を介して液滴吐出ヘッド内の全振動板２２に対して共通した電荷供給制御を行うためのＣＯＭ信号を送信するＦＰＣ配線５１ａ及び信号リード線１３を介してドライバＩＣ５０に前述したＳＥＧ信号を送信するＦＰＣ配線５１ｂからなる。 The driver IC 50 is a means for applying a voltage independently to each of the plurality of individual electrodes 12 in the droplet discharge head to perform charge supply, maintenance, discharge, and the like. In this embodiment, two driver ICs 50 are accommodated, but this number is not limited. An FPC (Flexible Print Circuit) 51 is provided with wiring for transmitting a signal from a drive control means (not shown) to the droplet discharge head side. The wiring is an FPC wiring 51 a that transmits a COM signal for performing common charge supply control to all the diaphragms 22 in the droplet discharge head via the common electrode terminal 27 and the driver IC 50 via the signal lead wire 13. The FPC wiring 51b for transmitting the SEG signal described above.

図２は液滴吐出ヘッドの断面図である。ノズル１２のノズル孔から吐出させる液体を吐出室２１で溜めておき、吐出室２１の底壁となる振動板２２を撓ませることにより、吐出室２１内の圧力を高め、ノズル４１から液滴を吐出させる。ここで、本実施の形態の振動板２２は、高濃度のボロンドープ層で構成されている。これは、例えばＫＯＨ（水酸化カリウム）水溶液等のアルカリ性水溶液でシリコンの異方性ウェットエッチングを行った場合、高濃度（約５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ・ｃｍ^-3以上）のボロン拡散領域で極端にエッチングレートが小さくなる、いわゆるエッチングストップ技術を利用するためである。これにより、振動板２２の厚さ、吐出室２１の容積を高精度に形成することができる。 FIG. 2 is a cross-sectional view of the droplet discharge head. The liquid discharged from the nozzle hole of the nozzle 12 is stored in the discharge chamber 21, and the diaphragm 22 serving as the bottom wall of the discharge chamber 21 is bent to increase the pressure in the discharge chamber 21. Discharge. Here, the diaphragm 22 of the present embodiment is composed of a high-concentration boron-doped layer. This is because, for example, when anisotropic wet etching of silicon is performed with an alkaline aqueous solution such as an aqueous solution of KOH (potassium hydroxide), a boron diffusion region with a high concentration (about 5 × 10 ¹⁹ atoms · cm ⁻³ or more) is extremely used. This is because a so-called etching stop technique in which the etching rate is reduced is used. Thereby, the thickness of the diaphragm 22 and the volume of the discharge chamber 21 can be formed with high accuracy.

振動板２２と個別電極１２との間に形成されたギャップ（空間、空隙）は、封止材２６を貫通溝穴２９内に封止させることにより、ドライバ収容部２８の空間と連通することなく、外気と遮断されている。これにより、振動板２２と個別電極１２とが貼り付く原意となる水分等のギャップへの混入を防ぐことができる。ドライバＩＣ５０に選択された個別電極１２には例えば約３０Ｖの電圧が印可され、正に帯電する。このとき、振動板２２は相対的に負に帯電する（ここでは、ＦＰＣ（Flexible Print Circuit）等、共通電極端子２７を介してキャビティ基板２０には負の極性を有する電荷が供給される）。そのため、選択された個別電極１２と振動板２２との間では静電気力が発生し、個別電極１２に引き寄せられて撓む。これにより吐出室２１の容積は広がる。そして電荷供給を止めると振動板２２は元に戻ろうとする。そのとき吐出室２１の容積も元に戻り、その圧力で加圧された液体がノズル４１から液滴として吐出する。この液滴が例えば記録紙に着弾することによって印刷等が行われる。なお、このような方法は引き打ちと呼ばれるものであるが、バネ等を用いて液滴を吐出する押し打ちと呼ばれる方法もある。 A gap (space) formed between the diaphragm 22 and the individual electrode 12 is not communicated with the space of the driver accommodating portion 28 by sealing the sealing material 26 in the through groove hole 29. Is cut off from the outside air. Thereby, mixing of the water | moisture content etc. used as the origin which the diaphragm 22 and the individual electrode 12 adhere can be prevented. For example, a voltage of about 30 V is applied to the individual electrode 12 selected by the driver IC 50 and is positively charged. At this time, the diaphragm 22 is relatively negatively charged (here, charge having a negative polarity is supplied to the cavity substrate 20 via the common electrode terminal 27 such as FPC (Flexible Print Circuit)). Therefore, an electrostatic force is generated between the selected individual electrode 12 and the diaphragm 22, and is attracted to the individual electrode 12 to bend. This increases the volume of the discharge chamber 21. When the charge supply is stopped, the diaphragm 22 tries to return to its original state. At that time, the volume of the discharge chamber 21 is also restored, and the liquid pressurized by the pressure is discharged from the nozzle 41 as droplets. Printing or the like is performed when the droplets land on a recording sheet, for example. Such a method is called pulling, but there is also a method called pushing that discharges droplets using a spring or the like.

図３はウェハに形成されたダイシング補助溝と液滴吐出ヘッドとの関係例を表す図である。例えば、本実施の形態の液滴吐出ヘッドは、電極基板１０、キャビティ基板２０、リザーバ基板３０及びノズル基板４０となるウェハ状の基板を積層した後に、あらかじめ定められた部分（これをダイシングラインという）に沿って個々に切り離して製造する。例えば、図３では、直径１００ｍｍの基板から１０ｍｍ×３０ｍｍの大きさの液滴吐出ヘッドを１０個に切り離す。ここで、積層数が多くなり、液滴吐出ヘッドの高さ方向に対する厚さが増すと、ダイシングブレードにかかる負荷が大きくなり、摩耗等、損傷がはやくなる。これが、製造される液滴吐出ヘッドのサイズのバラツキにも影響する。そこで本実施の形態では、最表層に形成された、最も厚く、硬いガラス基板である電極基板１０において、ダイシングラインに沿ってあらかじめダイシング補助溝を形成しておき、ダイシング加工を行いやすくするものである。 FIG. 3 is a view showing an example of the relationship between the dicing auxiliary grooves formed on the wafer and the droplet discharge head. For example, the droplet discharge head according to the present embodiment has a predetermined portion (this is called a dicing line) after laminating a wafer-like substrate to be the electrode substrate 10, the cavity substrate 20, the reservoir substrate 30 and the nozzle substrate 40. ) And separately manufactured along the line. For example, in FIG. 3, ten droplet discharge heads each having a size of 10 mm × 30 mm are separated from a substrate having a diameter of 100 mm. Here, as the number of stacked layers increases and the thickness of the droplet discharge head increases in the height direction, the load applied to the dicing blade increases, and damage such as wear is accelerated. This also affects the variation in the size of the manufactured droplet discharge head. Therefore, in the present embodiment, the electrode substrate 10 that is the thickest and hardest glass substrate formed on the outermost layer is formed with dicing auxiliary grooves in advance along the dicing line to facilitate dicing. is there.

図４は電極基板１０の製造工程を表す図である。図４に基づいて電極基板１０の製造について説明する。実際には電極基板１０は、ウェハ状のガラス基板で複数個分を同時形成する。そして、他の基板と接合等をした後、個々に切り離して液滴吐出ヘッドを製造するが、図４では１つの液滴吐出ヘッドの電極基板１０の一部分だけを示している。 FIG. 4 is a diagram illustrating a manufacturing process of the electrode substrate 10. The manufacture of the electrode substrate 10 will be described with reference to FIG. Actually, a plurality of electrode substrates 10 are simultaneously formed with a wafer-like glass substrate. Then, after bonding with another substrate, etc., the droplet discharge head is manufactured separately, but FIG. 4 shows only a part of the electrode substrate 10 of one droplet discharge head.

約１ｍｍのガラス基板６１の一方の面に対し、例えば、マスクとなるクロム（Ｃｒ）膜６２を成膜する（図４（ａ））。クロム膜６２の形成は、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition ）法で行う。例えば、ＰＶＤ法としては、スパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング等の方法がある。さらに、クロム膜６２上の全面にフォトレジスト６３を塗布する。そして、フォトリソグラフィ（Photolithography）法を用い、クロム膜上の全面に塗布したフォトレジスト用の感光性樹脂をマスクアライナ等で露光し、現像液で現像することで、ガラス基板６１に、後に電極基板１０の凹部１１となる部分を形成するためのフォトレジスト６３によるパターンを形成する。 For example, a chromium (Cr) film 62 serving as a mask is formed on one surface of a glass substrate 61 of about 1 mm (FIG. 4A). The chromium film 62 is formed by a PVD (Physical Vapor Deposition) method. For example, as the PVD method, there are methods such as sputtering, vacuum deposition, and ion plating. Further, a photoresist 63 is applied on the entire surface of the chromium film 62. Then, using a photolithography method, the photoresist photosensitive resin coated on the entire surface of the chromium film is exposed with a mask aligner or the like, and developed with a developer. A pattern of a photoresist 63 for forming a portion to be the concave portion 11 is formed.

フォトレジストパターンを形成した後、例えば硝酸セリウムアンモニウム水溶液によりウェットエッチングを行い、クロム６２膜の不要な部分を除去する（図４（ｂ））。これによりガラス基板５１上には、クロム膜６２により凹部１１となる部分のエッチングパターンが形成される。そして、例えばフッ化アンモニウム水溶液によりガラス基板６１をウェットエッチングを行って、約０．３μｍの高さの側壁を有する凹部１１を形成する（図４（ｃ））。その後、クロム膜６２を剥離する（図４（ｄ））。 After the photoresist pattern is formed, wet etching is performed with, for example, an aqueous solution of cerium ammonium nitrate, and unnecessary portions of the chromium 62 film are removed (FIG. 4B). As a result, an etching pattern of a portion that becomes the recess 11 is formed on the glass substrate 51 by the chromium film 62. Then, the glass substrate 61 is wet-etched with, for example, an ammonium fluoride aqueous solution to form the recess 11 having a side wall with a height of about 0.3 μm (FIG. 4C). Thereafter, the chromium film 62 is peeled off (FIG. 4D).

そして、個別電極１２、信号リード線１３となるＩＴＯの膜６４（以下、ＩＴＯ膜６４という）を凹部１１を形成した面に対して全面成膜する（図４（ｅ））。ここで、成膜方法については特に限定するものではないが、例えばスパッタ等により成膜を行う。そして、ＩＴＯ膜６４に対して、前述したフォトリソグラフィ法を用いてフォトレジスト６５を塗布し、パターニングを行う（図４（ｆ））。その後、ＩＴＯ膜６４をウェットエッチングを行い、フォトレジスト６５を剥離して個別電極１２を形成する（図４（ｇ））。 Then, an ITO film 64 (hereinafter referred to as an ITO film 64) to be the individual electrodes 12 and the signal lead wires 13 is formed on the entire surface on which the concave portions 11 are formed (FIG. 4E). Here, the film forming method is not particularly limited, but the film is formed by sputtering, for example. Then, a photoresist 65 is applied to the ITO film 64 by using the photolithography method described above, and patterning is performed (FIG. 4F). Thereafter, the ITO film 64 is wet-etched, and the photoresist 65 is peeled off to form the individual electrodes 12 (FIG. 4G).

そして、個別電極１２を形成した面とは反対の面にマスクのためのドライフィルム６６をラミネート法により貼付する（両面に貼付してもよい）。パターニングを行ってドライフィルム６６において、液体供給口１４となる部分及びダイシング補助溝６７となる部分を開口した後（図４（ｈ））、液体供給口１４及びダイシング補助溝６７を形成する（図４（ｉ））。液体供給口１４に関してはこの段階では貫通させないようにする。 And the dry film 66 for a mask is affixed by the laminating method on the surface opposite to the surface in which the individual electrode 12 was formed (may be affixed on both surfaces). After patterning and opening a portion that becomes the liquid supply port 14 and a portion that becomes the dicing auxiliary groove 67 in the dry film 66 (FIG. 4H), the liquid supply port 14 and the dicing auxiliary groove 67 are formed (FIG. 4). 4 (i)). The liquid supply port 14 is not allowed to penetrate at this stage.

ここで、溝、孔等の形成には、例えばドリル等の切削加工等も考えられるが、ここではサンドブラスト加工により液体供給口１４となる穴（この段階では貫通させない）及びダイシング補助溝６７を形成するものとする。サンドブラスト加工は、孔、溝を各個に形成しければならない切削加工とは異なり、ウェハレベルで一度に加工することができるため、加工レートが高く、加工時間が加工箇所の多さに依存することなく時間短縮を図ることができる。そのため、ダイシング補助溝６７を液体供給口１４と同じ工程で形成することができ、ダイシング補助溝６７を形成するために特別な工程を必要としない。また、エッチングによる加工とは異なり、孔、溝を深く、速く形成することができる。特に本実施の形態のような硼珪酸系の耐熱硬質ガラスでは、エッチングレートが非常に低いため、１００μｍ以上の加工は困難であることから、本実施の形態のようにダイシングの負荷を軽減するために深い溝を形成する場合にはサンドブラスト加工の方が都合がよい。 Here, the formation of the grooves, holes, and the like can be considered by, for example, a cutting process such as a drill, but here, the holes (not penetrating at this stage) and the dicing auxiliary grooves 67 that become the liquid supply ports 14 are formed by sandblasting. It shall be. Sand blasting is different from cutting that requires forming holes and grooves in each piece, so it can be processed at the wafer level at the same time, so the processing rate is high and the processing time does not depend on the number of processing points. Time can be reduced. Therefore, the dicing auxiliary groove 67 can be formed in the same process as the liquid supply port 14, and no special process is required to form the dicing auxiliary groove 67. Further, unlike processing by etching, holes and grooves can be formed deeply and quickly. In particular, in the borosilicate heat-resistant hard glass as in this embodiment, since the etching rate is very low, it is difficult to process 100 μm or more, so that the load of dicing is reduced as in this embodiment. Sand blasting is more convenient when deep grooves are formed.

また、ダイシング補助溝６７については、深さを約８００μｍ（この点は液体供給口１４となる穴も同じ）とし、底面部分の幅を約５００μｍとするように形成する。深さ約８００μｍとするのは、約２００μｍの厚みを残しておくことで、その後の加工等により、基板の割れ等の損傷を防げる強度を確保するためである。また、底面部分の幅を約５００μｍとするのは、ダイシングブレードの厚さが約３００μｍであるため、ダイシングブレードが底面部分に到達するまで電極基板１０との接触しないようにして負荷を軽減するためである。ここで、ダイシング補助溝６７となる部分のドライフィルム６６の開口については、形成された溝、孔がテーパ形状となるサンドブラスト加工の特性を考慮し、底部分の幅が５００μｍとなるように開口させるようにする。 Further, the dicing auxiliary groove 67 is formed to have a depth of about 800 μm (this point is the same for the hole serving as the liquid supply port 14) and a width of the bottom surface portion of about 500 μm. The reason why the depth is about 800 μm is to keep the thickness of about 200 μm, thereby ensuring the strength to prevent damage such as cracking of the substrate by subsequent processing. Also, the reason why the width of the bottom portion is about 500 μm is that the thickness of the dicing blade is about 300 μm, so that the load is reduced by preventing contact with the electrode substrate 10 until the dicing blade reaches the bottom portion. It is. Here, with respect to the opening of the dry film 66 at the portion serving as the dicing auxiliary groove 67, the width of the bottom portion is set to 500 μm in consideration of the characteristics of the sand blast processing in which the formed groove and hole are tapered. Like that.

そして、ドライフィルム６６を剥離する（図４（ｊ））。ここで、例えばサンドブラスト加工により荒れた溝、穴内部を滑らかにするために、ウェットエッチング等を行ってもよい。そして、例えば、個別電極１２が形成された面側から、切削加工により液体供給口１４となる穴を貫通させ、電極基板１０を作製する（図４（ｋ））。ここでは、切削加工により穴を貫通させているが、例えばダイシング補助溝６７をマスクした後、液体供給口１４となる穴に対しては、さらにサンドブラスト加工を行って貫通させるようにしてもよい。 Then, the dry film 66 is peeled off (FIG. 4 (j)). Here, for example, wet etching or the like may be performed in order to smooth the inside of the groove and hole roughened by sandblasting. Then, for example, from the surface side on which the individual electrode 12 is formed, a hole serving as the liquid supply port 14 is penetrated by cutting to produce the electrode substrate 10 (FIG. 4 (k)). Here, the hole is penetrated by cutting. However, after the dicing auxiliary groove 67 is masked, for example, the hole to be the liquid supply port 14 may be further sandblasted to penetrate.

図５及び図６は実施の形態１に係る液滴吐出ヘッド１の製造工程を表す図である。図５及び図６に基づいて液滴吐出ヘッドの製造工程について説明する。なお、実際には、ウェハ単位で複数個分の液滴吐出ヘッドの部位等を同時形成するが、図５及び図６ではその一部分だけを示している。 5 and 6 are diagrams illustrating the manufacturing process of the droplet discharge head 1 according to the first embodiment. The manufacturing process of the droplet discharge head will be described with reference to FIGS. Actually, a plurality of droplet discharge head portions and the like are simultaneously formed for each wafer, but only a part thereof is shown in FIGS.

酸素の濃度が低いシリコン基板７１の片面（電極基板１０との接合面側となる）を鏡面研磨し、例えば２２０μｍの厚さの基板（キャビティ基板２０となる）を作製する。次に、シリコン基板７１のボロンドープ層を形成する面を、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とする固体の拡散源に対向させて石英ボートにセットする。さらに縦型炉に石英ボートをセットして、炉内を窒素雰囲気にし、温度を１０５０℃に上昇させて７時間保持することで、ボロンをシリコン基板７１中に拡散させ、ボロンドープ層（図示せず）を形成する。取り出したボロンドープ層の表面にはボロン化合物（ＳｉＢ₆：ケイ化６ホウ素）が形成されているが（図示せず）、酸素及び水蒸気雰囲気中、６００℃の条件で１時間３０分酸化させると、フッ酸水溶液によるエッチングが可能なＢ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂に化学変化させることができる。Ｂ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂に化学変化させた状態で、Ｂ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂を、フッ酸水溶液にて等方性ウェットエッチング（以下、ウェットエッチングという）して除去する。ボロンドープ層により振動板２２を形成することで、ボロンドープ層は、ウェットエッチングにおけるシリコンとの選択比が大きくなるため、ウェットエッチングによる板厚のバラツキを抑えることができる。そして、ボロンドープ層を形成した面に、プラズマＣＶＤ法により、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は２５０Ｗ、圧力は６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ³／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ³／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で例えば、絶縁膜２３を０．１μｍ成膜する（図５（ａ））。 One side of the silicon substrate 71 having a low oxygen concentration (on the side of the bonding surface with the electrode substrate 10) is mirror-polished to produce a substrate having a thickness of 220 μm (to be the cavity substrate 20), for example. Next, the surface on which the boron doped layer of the silicon substrate 71 is formed is set on a quartz boat so as to face a solid diffusion source mainly composed of B ₂ O ₃ . Further, a quartz boat is set in a vertical furnace, the inside of the furnace is put into a nitrogen atmosphere, the temperature is raised to 1050 ° C. and held for 7 hours, whereby boron is diffused into the silicon substrate 71 and a boron doped layer (not shown) ). A boron compound (SiB ₆ : 6 boron silicide) is formed on the surface of the boron doped layer taken out (not shown), but when oxidized in an oxygen and water vapor atmosphere at 600 ° C. for 1 hour and 30 minutes, It can be chemically changed to B ₂ O ₃ + SiO ₂ which can be etched with a hydrofluoric acid aqueous solution. B in _₂ O ₃ + SiO ₂ in a state of being chemically changed, the B _₂ O ₃ + SiO _2, isotropic wet etching (hereinafter, referred to as wet etching) in an aqueous solution of hydrofluoric acid and removed. By forming the diaphragm 22 using the boron-doped layer, the boron-doped layer has a high selectivity with respect to silicon in wet etching, so that variations in plate thickness due to wet etching can be suppressed. Then, on the surface on which the boron-doped layer is formed, the plasma CVD method is used, the processing temperature during film formation is 360 ° C., the high-frequency output is 250 W, the pressure is 66.7 Pa (0.5 Torr), and the gas flow rate is TEOS flow rate 100 cm ³ / min. For example, the insulating film 23 is formed to a thickness of 0.1 μm under the conditions of (100 sccm) and an oxygen flow rate of 1000 cm ³ / min (1000 sccm) (FIG. 5A).

そして、シリコン基板７１と電極基板１０を３６０℃に加熱した後、電極基板１０に負極、シリコン基板７１に正極を接続して、８００Ｖの電圧を印加して陽極接合を行う（図５（ｂ））。 And after heating the silicon substrate 71 and the electrode substrate 10 to 360 degreeC, a negative electrode is connected to the electrode substrate 10, a positive electrode is connected to the silicon substrate 71, and a voltage of 800V is applied to perform anodic bonding (FIG. 5B). ).

陽極接合後の接合済み基板に対し、シリコン基板７１の厚さが例えば約６０μｍになるまでシリコン基板７１表面の研削加工を行う。その後、加工変質層を除去する為に、３２ｗ％の濃度の水酸化カリウム溶液により、シリコン基板７１に対して約１０μｍのウェットエッチングを行う。これによりシリコン基板７１の厚さを約５０μｍにする（図５（ｃ））。 The surface of the silicon substrate 71 is ground to the bonded substrate after the anodic bonding until the thickness of the silicon substrate 71 becomes, for example, about 60 μm. Thereafter, in order to remove the work-affected layer, wet etching of about 10 μm is performed on the silicon substrate 71 with a potassium hydroxide solution having a concentration of 32 w%. Thereby, the thickness of the silicon substrate 71 is set to about 50 μm (FIG. 5C).

次に、ウェットエッチングを行った面に対し、ＴＥＯＳによる酸化シリコンのハードマスク（以下、ＴＥＯＳハードマスクという）をプラズマＣＶＤ法により成膜する。成膜条件としては、例えば、成膜時の処理温度は３６０℃、高周波出力は７００Ｗ、圧力は３３．３Ｐａ（０．２５Ｔｏｒｒ）、ガス流量はＴＥＯＳ流量１００ｃｍ³／ｍｉｎ（１００ｓｃｃｍ）、酸素流量１０００ｃｍ³／ｍｉｎ（１０００ｓｃｃｍ）の条件で１．５μｍ成膜する。ＴＥＯＳを用いた成膜は比較的低温で行うことができ、基板の加熱をできる限り抑えられる点で都合がよい。ＴＥＯＳハードマスクを成膜した後、吐出室２１、ドライバ収容部２８（貫通穴）、貫通溝穴２９及び液体供給口１４（貫通穴）となる部分のＴＥＯＳハードマスクをエッチングするため、レジストパターニングを施す。そして、フッ酸水溶液を用いてＴＥＯＳハードマスクが無くなるまで、それらの部分をエッチングしてＴＥＯＳハードマスクパターニングし、それらの部分について、シリコン基板７１を露出させる。エッチングした後にレジストを剥離する。 Next, a silicon oxide hard mask (hereinafter referred to as TEOS hard mask) by TEOS is formed on the wet-etched surface by plasma CVD. As film formation conditions, for example, the processing temperature during film formation is 360 ° C., the high-frequency output is 700 W, the pressure is 33.3 Pa (0.25 Torr), the gas flow rate is TEOS flow rate 100 cm ³ / min (100 sccm), and the oxygen flow rate is 1000 cm. ^A film having a thickness of 1.5 μm is formed under the condition of ³ / min (1000 sccm). Film formation using TEOS can be performed at a relatively low temperature, which is advantageous in that heating of the substrate can be suppressed as much as possible. After the TEOS hard mask is formed, resist patterning is performed in order to etch the TEOS hard mask in the portions serving as the discharge chamber 21, the driver accommodating portion 28 (through hole), the through groove hole 29, and the liquid supply port 14 (through hole). Apply. Then, these portions are etched and TEOS hard mask patterning is performed using a hydrofluoric acid aqueous solution until the TEOS hard mask disappears, and the silicon substrate 71 is exposed for these portions. The resist is removed after etching.

その後、接合済み基板を３５ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸し、吐出室２１、ドライバ収容部２８、貫通溝穴２９となる部分の厚さが約１０μｍになるまでウェットエッチングを行う。さらに、接合済み基板を３ｗｔ％の濃度の水酸化カリウム水溶液に浸し、ボロンドープ層が露出し、エッチングの進行が極度に遅くなるエッチングストップが十分効いたものと判断するまでウェットエッチングを続ける。このように、前記２種類の濃度の異なる水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングを行うことによって、吐出室２１となる部分に形成される振動板２２の面荒れを抑制し、厚さ精度を０．８０±０．０５μｍ以下にすることができる。その結果、液滴吐出ヘッドの吐出性能を安定化することができる。 Thereafter, the bonded substrate is immersed in a 35 wt% potassium hydroxide (KOH) aqueous solution, and wet etching is performed until the thicknesses of the discharge chamber 21, the driver accommodating portion 28, and the through-groove hole 29 become about 10 μm. . Further, the bonded substrate is immersed in a 3 wt% concentration potassium hydroxide aqueous solution, and the wet etching is continued until it is judged that an etching stop at which the boron-doped layer is exposed and the etching progresses extremely slowly is effective. In this way, by performing etching using the two types of potassium hydroxide aqueous solutions having different concentrations, the surface roughness of the diaphragm 22 formed in the portion serving as the discharge chamber 21 is suppressed, and the thickness accuracy is reduced to 0. It can be set to 80 ± 0.05 μm or less. As a result, the discharge performance of the droplet discharge head can be stabilized.

ウェットエッチングを終了すると、接合済み基板をフッ酸水溶液に浸し、シリコン基板７１表面のＴＥＯＳハードマスクを剥離する。次に、ドライバ収容部２８となる部分、貫通溝穴２９及び液体供給口１４となる貫通穴となる部分のボロンドープ層を除去するため、それらの部分を開口したシリコンマスクを、接合済み基板のシリコン基板７１側の表面に取り付ける。そして、例えば、ＲＦパワー２００Ｗ、圧力４０Ｐａ（０．３Ｔｏｒｒ）、ＣＦ₄流量３０ｃｍ³／ｍｉｎ（３０ｓｃｃｍ）の条件で、ＲＩＥドライエッチング（異方性ドライエッチング）を３０分間行い、シリコンマスクが開口した部分のみにプラズマを当てて、開口する（図５（ｄ））。ここで、例えば接合済み基板とシリコンマスクとのアライメント精度を高めるため、シリコンマスクの装着は、接合済み基板とシリコンマスクとにピンを通すピンアライメントにより行うようにするとよい。 When the wet etching is finished, the bonded substrate is immersed in a hydrofluoric acid aqueous solution, and the TEOS hard mask on the surface of the silicon substrate 71 is peeled off. Next, in order to remove the boron-doped layer in the portion serving as the driver accommodating portion 28, the through-groove hole 29, and the through-hole serving as the liquid supply port 14, a silicon mask having these portions opened is used as the silicon of the bonded substrate It is attached to the surface on the substrate 71 side. Then, for example, RIE dry etching (anisotropic dry etching) was performed for 30 minutes under the conditions of RF power 200 W, pressure 40 Pa (0.3 Torr), and CF ₄ flow rate 30 cm ³ / min (30 sccm), and the silicon mask was opened. Plasma is applied only to the portion to open it (FIG. 5D). Here, for example, in order to increase the alignment accuracy between the bonded substrate and the silicon mask, the silicon mask may be mounted by pin alignment in which pins are passed between the bonded substrate and the silicon mask.

さらに、貫通溝穴２９の部分を開口したマスクを接合済み基板のシリコン基板７１側の表面に取り付ける。そして、例えば、ギャップへの水分透過等を防ぐために、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ、蒸着、スパッタ等により、封止材２６を貫通溝穴２９に堆積させて封止を行う（図５（ｅ））。ここで、エポキシ樹脂等を封止材として用いてもよい。堆積させる封止材２６の厚さについては、特に限定しないが、ギャップの幅が約０．２μｍであることから、例えば最薄部分で約２〜３μｍ又はそれ以上、他の基板との接合に影響しない範囲で堆積できればよい。さらに共通電極端子２７となる部分を開口したマスクを、接合済み基板のシリコン基板７１側の表面に取り付ける。そして、例えばプラチナ（Ｐｔ）をターゲットとしてスパッタ等を行い、共通電極端子２７を形成する。 Further, a mask having an opening in the through-groove hole 29 is attached to the surface of the bonded substrate on the silicon substrate 71 side. Then, for example, in order to prevent moisture permeation through the gap, sealing is performed by depositing the sealing material 26 in the through groove hole 29 by plasma CVD using TEOS, vapor deposition, sputtering, or the like (FIG. 5E). ). Here, an epoxy resin or the like may be used as a sealing material. The thickness of the sealing material 26 to be deposited is not particularly limited, but since the gap width is about 0.2 μm, for example, about 2 to 3 μm or more at the thinnest portion, for bonding to other substrates. It suffices if it can be deposited in a range that does not affect. Further, a mask having an opening at the portion to be the common electrode terminal 27 is attached to the surface of the bonded substrate on the silicon substrate 71 side. Then, for example, sputtering is performed using platinum (Pt) as a target to form the common electrode terminal 27.

あらかじめ別工程で作製していたリザーバ基板３０を、例えばエポキシ系接着剤により、接合済み基板のキャビティ基板２０側から接着し、接合する（図５（ｆ））。また、ドライバＩＣ５０を個別電極１２及び信号リード線１３と接続する（図６（ｇ））。さらに別工程で作製していたノズル基板４０についても同様に、例えばエポキシ系接着剤により、接合したリザーバ基板３０側から接着する（図６（ｈ））。 The reservoir substrate 30 manufactured in a separate process in advance is bonded and bonded from the cavity substrate 20 side of the bonded substrate with, for example, an epoxy adhesive (FIG. 5F). In addition, the driver IC 50 is connected to the individual electrode 12 and the signal lead wire 13 (FIG. 6G). Further, the nozzle substrate 40 manufactured in a separate process is similarly bonded from the bonded reservoir substrate 30 side with, for example, an epoxy adhesive (FIG. 6H).

そして、ダイシング補助溝６７に沿ってダイシングブレードを切断して個々のチップに切り離して個片化し、ダイシング補助溝側面１５を有する液滴吐出ヘッドが完成する（図６（ｉ））。 Then, the dicing blade is cut along the dicing auxiliary grooves 67 to be separated into individual chips, and a droplet discharge head having the dicing auxiliary groove side surface 15 is completed (FIG. 6 (i)).

以上のように実施の形態１によれば、ウェハ単位で形成した液滴吐出ヘッドを個々に切り離すダイシング工程を行う場合に、あらかじめ電極基板１０に形成したダイシング補助溝６７をに沿ってダイシングを行うようにしたので、ダイシングブレードによるガラスの研削量を減らすことができる。そのため、ダイシングブレードの摩耗を少なくすることができ、個々に切り離した液滴吐出ヘッドのサイズのバラツキを抑えて、そろえることができる。そのため、例えば、カートリッジタンク等と整合させることができ、ユニットとして組み立てることができる。以上のことは、４層の基板で構成される積層数の多い液滴吐出ヘッドにおいて特に有効である。 As described above, according to the first embodiment, dicing is performed along the dicing auxiliary grooves 67 formed in advance in the electrode substrate 10 when performing the dicing step of individually separating the droplet discharge heads formed in units of wafers. Since it did in this way, the grinding amount of the glass by a dicing blade can be reduced. Therefore, wear of the dicing blade can be reduced, and variations in the size of the droplet discharge heads that are separated from each other can be suppressed and aligned. Therefore, for example, it can be aligned with a cartridge tank or the like and can be assembled as a unit. The above is particularly effective in a droplet discharge head having a large number of stacked layers constituted by four layers of substrates.

そして、電極基板１０の製造の際、ダイシング補助溝６７をサンドブラスト加工により形成するようにしたので、エッチング加工、切削加工よりも深く、速く、所定の深さの溝をテーパ状に形成することができ、生産性を向上させることができる。そして、その際、液体供給口１４となる穴の形成と同じ工程でダイシング補助溝６７を形成するようにしたので、時間的に効率がよく、低コスト化を図ることができる。また、ダイシング補助溝６７の深さを約８００μｍとすることで、基板の加工による割れ等の損傷を発生させないだけの強度を保ちつつ、ダイシングの際のダイシングブレードの負担を軽減することができる。さらに、ダイシング補助溝６７の底面部分の幅を約５００μｍとしたので、ダイシングブレードが接触することなく、底面部分から電極基板１０の研削を行うことができる。 In addition, since the dicing auxiliary groove 67 is formed by sandblasting when manufacturing the electrode substrate 10, it is possible to form a groove having a predetermined depth in a tapered shape deeper and faster than etching and cutting. And productivity can be improved. At that time, since the dicing auxiliary groove 67 is formed in the same process as the formation of the hole to be the liquid supply port 14, the time efficiency is high and the cost can be reduced. In addition, by setting the depth of the dicing auxiliary groove 67 to about 800 μm, it is possible to reduce the burden of the dicing blade during dicing while maintaining a strength that does not cause damage such as cracks due to processing of the substrate. Furthermore, since the width of the bottom surface portion of the dicing auxiliary groove 67 is about 500 μm, the electrode substrate 10 can be ground from the bottom surface portion without contacting the dicing blade.

また、シリコン基板７１と電極基板１０を接合した後に、シリコン基板７１に吐出室２１等の各部位を形成するようにしたので、電極基板１０が支持基板となって、部位が形成されるシリコン基板７１の基板の割れを低減することができ、基板を大口径化することができる。大口径化により、１枚の基板に多くの液滴吐出ヘッドを製造することができるため、生産性を向上させることができる。また、３層構造の基板構成の液滴吐出ヘッドでも適用することができるが、本実施の形態では、特にキャビティ基板２０より厚いリザーバ基板３０をキャビティ基板２０に積層する４層構造の液滴吐出ヘッドにしたので、リザーバ３１における流路抵抗を低くすることができ、吐出能力の向上を図りつつ、小型化を図ることができる。このようにしてダイシング補助溝６７を切断することによってできたダイシング補助溝側面１５により、電極基板１０において特に必要がないガラス部分が除かれているため、ユニット化する際も容易に組み立てることができる。 In addition, since each part such as the discharge chamber 21 is formed in the silicon substrate 71 after bonding the silicon substrate 71 and the electrode substrate 10, the silicon substrate on which the part is formed by using the electrode substrate 10 as a support substrate. The crack of 71 board | substrates can be reduced and a board | substrate can be enlarged. By increasing the diameter, a large number of droplet discharge heads can be manufactured on a single substrate, so that productivity can be improved. The present invention can also be applied to a droplet discharge head having a three-layer structure, but in this embodiment, in particular, a droplet discharge having a four-layer structure in which a reservoir substrate 30 thicker than the cavity substrate 20 is stacked on the cavity substrate 20. Since the head is used, the flow path resistance in the reservoir 31 can be reduced, and the discharge capacity can be improved and the size can be reduced. Since the glass portion which is not particularly necessary in the electrode substrate 10 is removed by the side surface 15 of the dicing auxiliary groove formed by cutting the dicing auxiliary groove 67 in this way, it can be easily assembled even when unitized. .

実施の形態２．
上述の実施の形態においては、静電方式の液滴吐出ヘッドについて説明したが、これに限定するものではない。例えば、ピエゾ（圧電）素子を変形させて液体を加圧するピエゾ方式、液体を加熱して気体を発生させて加圧する方式等、他の方式を用いた様々な液滴吐出ヘッドにおいても、上述のように、あらかじめダイシング補助溝を形成した上で、ダイシング加工を行うようにすることができる。また、フェイスイジェクト型の液滴吐出ヘッドだけではなく、例えば、エッジイジェクト型の液滴吐出ヘッドについても適用することができる。例えば、エッジイジェクト型の場合には、その反対側の表層の基板が土台となるようなガラス基板となる場合もあるため、そのような場合等には、ダイシング補助溝は、電極基板１０側でなくても、その基板に形成することもできる。また、積層数が多い方が効果が大きいが、例えばリザーバ３１と吐出室２１とを同じ基板に形成してリザーバ基板３０を除いた３層基板で構成した液滴吐出ヘッドについても適用することができる。 Embodiment 2. FIG.
In the above-described embodiment, the electrostatic droplet discharge head has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, various droplet discharge heads using other methods such as a piezo method in which a piezoelectric (piezoelectric) element is deformed to pressurize a liquid, a method in which a liquid is heated to generate a gas, and the like are used in the above-described methods. As described above, dicing processing can be performed after the dicing auxiliary grooves are formed in advance. Further, the present invention can be applied not only to the face ejection type droplet ejection head but also to an edge ejection type droplet ejection head, for example. For example, in the case of the edge eject type, there is a case where the surface substrate on the opposite side may be a glass substrate that serves as a base. In such a case, the dicing auxiliary groove is formed on the electrode substrate 10 side. Even if not, it can be formed on the substrate. Further, the effect is greater when the number of stacked layers is larger. For example, the present invention can also be applied to a droplet discharge head constituted by a three-layer substrate in which the reservoir 31 and the discharge chamber 21 are formed on the same substrate and the reservoir substrate 30 is excluded. it can.

実施の形態３．
図７は上述の実施の形態で製造した液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置（プリンタ１００）の外観図である。また、図８は液滴吐出装置の主要な構成手段の一例を表す図である。図７及び図８の液滴吐出装置は液滴吐出方式（インクジェット方式）による印刷を目的とする。また、いわゆるシリアル型の装置である。図８において、被印刷物であるプリント紙１１０が支持されるドラム１０１と、プリント紙１１０にインクを吐出し、記録を行う液滴吐出ヘッド１０２とで主に構成される。また、図示していないが、液滴吐出ヘッド１０２にインクを供給するためのインク供給手段がある。プリント紙１１０は、ドラム１０１の軸方向に平行に設けられた紙圧着ローラ１０３により、ドラム１０１に圧着して保持される。そして、送りネジ１０４がドラム１０１の軸方向に平行に設けられ、液滴吐出ヘッド１０２が保持されている。送りネジ１０４が回転することによって液滴吐出ヘッド１０２がドラム１０１の軸方向に移動するようになっている。 Embodiment 3 FIG.
FIG. 7 is an external view of a droplet discharge apparatus (printer 100) using the droplet discharge head manufactured in the above-described embodiment. FIG. 8 is a diagram illustrating an example of main components of the droplet discharge device. 7 and 8 is intended for printing by a droplet discharge method (inkjet method). Further, it is a so-called serial type device. In FIG. 8, a drum 101 that supports a printing paper 110 that is a printing object and a droplet discharge head 102 that discharges ink onto the printing paper 110 and performs recording are mainly configured. Although not shown, there is an ink supply means for supplying ink to the droplet discharge head 102. The print paper 110 is held by being pressed against the drum 101 by a paper press roller 103 provided parallel to the axial direction of the drum 101. A feed screw 104 is provided parallel to the axial direction of the drum 101, and the droplet discharge head 102 is held. As the feed screw 104 rotates, the droplet discharge head 102 moves in the axial direction of the drum 101.

一方、ドラム１０１は、ベルト１０５等を介してモータ１０６により回転駆動される。また、プリント制御手段１０７は、印画データ及び制御信号に基づいて送りネジ１０４、モータ１０６を駆動させ、また、ここでは図示していないが、発振駆動回路を駆動させて振動板４を振動させ、制御をしながらプリント紙１１０に印刷を行わせる。 On the other hand, the drum 101 is rotationally driven by a motor 106 via a belt 105 or the like. Further, the print control unit 107 drives the feed screw 104 and the motor 106 based on the print data and the control signal, and although not shown here, drives the oscillation drive circuit to vibrate the diaphragm 4, Printing is performed on the print paper 110 while controlling.

ここでは液体をインクとしてプリント紙１１０に吐出するようにしているが、液滴吐出ヘッドから吐出する液体はインクに限定されない。例えば、カラーフィルタとなる基板に吐出させる用途においては、カラーフィルタ用の顔料を含む液体、有機化合物等の電界発光素子を用いた表示パネル（ＯＬＥＤ等）の基板に吐出させる用途においては、発光素子となる化合物を含む液体、基板上に配線する用途においては、例えば導電性金属を含む液体を、それぞれの装置において設けられた液滴吐出ヘッドから吐出させるようにしてもよい。また、液滴吐出ヘッドをディスペンサとし、生体分子のマイクロアレイとなる基板に吐出する用途に用いる場合では、ＤＮＡ（Deoxyribo Nucleic Acids ：デオキシリボ核酸）、他の核酸（例えば、Ribo Nucleic Acid：リボ核酸、Peptide Nucleic Acids：ペプチド核酸等）タンパク質等のプローブを含む液体を吐出させるようにしてもよい。その他、布等の染料の吐出等にも利用することができる。 Here, the liquid is ejected onto the print paper 110 as ink, but the liquid ejected from the droplet ejection head is not limited to ink. For example, in an application to be discharged onto a substrate to be a color filter, a light emitting element is used in an application to be discharged onto a substrate of a display panel (OLED or the like) using an electroluminescent element such as a liquid containing a color filter pigment or an organic compound. For example, a liquid containing a conductive metal and a liquid containing a conductive metal may be discharged from a droplet discharge head provided in each device. In addition, when the droplet discharge head is used as a dispenser and used for discharging onto a substrate that is a microarray of biomolecules, DNA (Deoxyribo Nucleic Acids: deoxyribonucleic acid), other nucleic acids (for example, Ribo Nucleic Acid: ribonucleic acid, Peptide (Nucleic Acids: peptide nucleic acids, etc.) A liquid containing a probe such as a protein may be discharged. In addition, it can also be used for discharging dyes such as cloth.

上述した実施の形態では、液滴吐出ヘッドについて説明したが、同様にモータ、センサ、ＳＡＷフィルタのような振動素子（レゾネータ）、波長可変光フィルタ、ミラーデバイス等、他の種類の微細加工のアクチュエータ、圧力センサ等のセンサ等の微細加工素子についても、上述のように、本方法を用いて、土台となる例えば最も厚い基板において、あらかじめダイシング補助溝を形成した上で、ダイシング加工を行うようにすることができる。 In the above-described embodiment, the droplet discharge head has been described. Similarly, other types of microfabricated actuators such as a motor, a sensor, a vibration element (resonator) such as a SAW filter, a wavelength tunable optical filter, a mirror device, and the like. As described above, with respect to a microfabricated element such as a sensor such as a pressure sensor, dicing processing is performed after forming a dicing auxiliary groove in advance on, for example, the thickest substrate serving as a base using this method. can do.

実施の形態１に係る液滴吐出ヘッドを分解して表した図である。2 is an exploded view of a droplet discharge head according to Embodiment 1. FIG. 液滴吐出ヘッド断面を表す図である。It is a figure showing a droplet discharge head cross section. ダイシング補助溝と液滴吐出ヘッドとの関係例を表す図である。It is a figure showing the example of a relationship between a dicing auxiliary groove and a droplet discharge head. 電極基板１０の製造工程を表す図である。3 is a diagram illustrating a manufacturing process of the electrode substrate 10. FIG. 実施の形態１の液滴吐出ヘッドの製造工程（その１）を表す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process (No. 1) of the droplet discharge head according to the first embodiment. 実施の形態１の液滴吐出ヘッドの製造工程（その２）を表す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process (No. 2) of the droplet discharge head according to the first embodiment. 液滴吐出ヘッドを用いた液滴吐出装置の外観図である。It is an external view of a droplet discharge device using a droplet discharge head. 液滴吐出装置の主要な構成手段の一例を表す図である。It is a figure showing an example of the main structural means of a droplet discharge apparatus.

Explanation of symbols

１液滴吐出ヘッド、１０電極基板、１１凹部、１２個別電極、１２ａギャップ、１３信号リード線、１４液体供給口、２０キャビティ基板、２１吐出室、２２振動板、２３絶縁膜、２３ａ絶縁膜開口部、２４測定用凹部、２５測定板、２６封止材、２７共通電極端子、２８ドライバ収容部、３０リザーバ基板、３１リザーバ、３２供給口、３３ノズル連通孔、４０ノズル基板、４１ノズル、５０ドライバＩＣ、５１ＦＰＣ５１ａ，５１ｂＦＰＣ配線、７１シリコン基板、７２ＴＥＯＳハードマスク、１００プリンタ、１０１ドラム、１０２液滴吐出ヘッド、１０３紙圧着ローラ、１０４送りネジ、１０５ベルト、１０６モータ、１０７プリント制御手段、１１０プリント紙。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Droplet discharge head, 10 Electrode substrate, 11 Recessed part, 12 Individual electrode, 12a Gap, 13 Signal lead wire, 14 Liquid supply port, 20 Cavity substrate, 21 Discharge chamber, 22 Vibration plate, 23 Insulating film, 23a Insulating film opening , 24 measurement recess, 25 measurement plate, 26 sealing material, 27 common electrode terminal, 28 driver housing, 30 reservoir substrate, 31 reservoir, 32 supply port, 33 nozzle communication hole, 40 nozzle substrate, 41 nozzle, 50 Driver IC, 51 FPC 51a, 51b FPC wiring, 71 silicon substrate, 72 TEOS hard mask, 100 printer, 101 drum, 102 droplet discharge head, 103 paper pressure roller, 104 feed screw, 105 belt, 106 motor, 107 print control Means, 110 printed paper.

Claims

In a manufacturing method of a droplet discharge head in which a plurality of substrates on which portions for discharging droplets are formed are stacked and diced, and separated into each droplet discharge head,
A droplet discharge head comprising a step of forming, before the dicing process, a dicing auxiliary groove having a concave portion wider than a desired dicing width for a portion of the outermost substrate on which the dicing process is performed. Manufacturing method.

2. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 1, wherein the dicing assist groove is formed by sandblasting.

3. The droplet discharge head according to claim 1, wherein a hole serving as a liquid supply port for supplying a liquid to the droplet discharge head is formed in the same step as the formation of the dicing assist groove. Production method.

The liquid supply port is formed by forming the hole to the same depth as the dicing auxiliary groove, masking the dicing auxiliary groove, and then penetrating from the surface on which the dicing auxiliary groove is formed. The method of manufacturing a droplet discharge head according to claim 3.

4. The liquid according to claim 3, wherein the liquid supply port forms the hole to the same depth as the dicing auxiliary groove and penetrates from a surface opposite to the surface on which the dicing auxiliary groove is formed. A method for manufacturing a droplet discharge head.

A nozzle substrate having a plurality of nozzle holes for discharging droplets;
A cavity substrate formed with a vibration plate on the bottom surface and formed with a recess serving as a discharge chamber for storing the droplets;
An electrode substrate on which an individual electrode that faces the diaphragm and drives the diaphragm is formed;
A recess serving as a common droplet chamber for supplying droplets to the discharge chamber, a through hole for transferring droplets from the common droplet chamber to the discharge chamber, and a droplet from the discharge chamber to the nozzle hole 6. A droplet discharge head according to claim 1, wherein a reservoir substrate having a nozzle communication hole to be transferred is laminated, and the dicing assist groove is formed in the electrode substrate. Manufacturing method.

A method for manufacturing a droplet discharge device, wherein the droplet discharge device is manufactured by applying the method for manufacturing a droplet discharge head according to any one of claims 1 to 6.