JP2008120947A - Transcription tape and method for producing semiconductor device using the transcription tape - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）技術におけるウェ−ハの裏面研削後の搬送用に使用される転写テープ（ダイアタッチフィルムも含む）及びこの転写テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a transfer tape (including a die attach film) used for conveyance after back grinding of a wafer in DBG (Dicing Before Grinding) technology and a method of manufacturing a semiconductor device using the transfer tape.
近年、カード状の薄いパッケージに実装するため、あるいは複数の半導体チップを積層して実装面積を削減するために、半導体チップの薄厚化が望まれている。しかし、素子形成の終了したウェーハの裏面を研削して薄厚化し、ダイシングして個々の半導体チップに分割すると、ウェーハが割れたり裏面チッピングが発生したりする。また、薄いウェーハはハンドリングが難しく、製造装置間の搬送時にも破損する恐れがある。 In recent years, it has been desired to reduce the thickness of a semiconductor chip in order to mount it on a thin card-like package or to reduce the mounting area by stacking a plurality of semiconductor chips. However, if the back surface of the wafer on which element formation has been completed is ground and thinned, diced and divided into individual semiconductor chips, the wafer is cracked or back surface chipping occurs. In addition, thin wafers are difficult to handle and may be damaged during transport between manufacturing apparatuses.
このようなウェーハの割れや裏面チッピングを極力減らすために、ＤＢＧ技術（先ダイシング法）が採用されている。ＤＢＧでは、ウェーハの主表面（素子形成面側）から所定の深さに切り込み（溝）を入れた後、ウェーハの裏面を研削及び研磨することにより個片化と薄厚化を同時に行う（例えば特許文献１参照）。 In order to reduce such wafer cracking and back surface chipping as much as possible, DBG technology (first dicing method) is employed. In DBG, after cutting (grooves) to a predetermined depth from the main surface (element forming surface side) of the wafer, the back surface of the wafer is ground and polished to simultaneously singulate and thin (for example, patents) Reference 1).
ところで、ＤＢＧにおけるウェ−ハの裏面研削後の搬送用に使用される転写テープ（ダイアタッチフィルムも含む）には、通常、ノンメタリックテープが使用されている。しかしながら、ノンメタリックテープは、その材料特性からテープが縮み、搬送時にチップが互いに干渉してチッピング（欠け）を起こす。また、テープが伸縮するとチップの整列性を確保するのが難しくなり、チップの蛇行現象が発生し、ダイボンディングのためのピックアップ工程で認識不良を引き起こす。 By the way, a non-metallic tape is usually used for a transfer tape (including a die attach film) used for conveyance after back grinding of a wafer in DBG. However, the non-metallic tape is shrunk due to its material properties, and the chips interfere with each other during conveyance to cause chipping. Further, when the tape expands and contracts, it becomes difficult to ensure the alignment of the chip, and the meandering phenomenon of the chip occurs, causing a recognition failure in the pickup process for die bonding.
更に、転写テープとしてダイアタッチフィルム（Die Attach Film）を使用した場合、転写後にダイアタッチフィルムを切断する必要がある。この際、チップの整列性が確保されていないと、ダイシングブレードでの切断が不可能であり、高価なレーザ切断装置の導入が必要となってコストアップを免れない。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、テープの縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共に、チップの整列性を確保できる転写テープを提供することにある。 The present invention has been made in view of the circumstances as described above, and an object of the invention is to provide a transfer tape capable of suppressing chip shrinkage, suppressing chipping due to chip interference, and ensuring chip alignment. Is to provide.
また、チップの整列性を確保でき、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる転写テープを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。 It is another object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a transfer tape that can ensure chip alignment, reduce recognition failures with a die bonding pickup, and can be cut linearly with a dicing blade.
この発明の一態様によると、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを具備する転写テープが提供される。 According to one aspect of the present invention, a nonmetallic tape as a base material, an adhesive layer or a die attach film formed on one surface of the nonmetallic tape, and formed on one or the other surface of the nonmetallic tape A transfer tape comprising a shrinkage-preventing metal layer that suppresses shrinkage of the non-metallic tape is provided.
この発明の他の一態様によると、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムとを具備する転写テープが提供される。 According to another aspect of the present invention, a first non-metallic tape and a second non-metallic tape that is bonded to one surface of the first non-metallic tape and serves as a base material together with the first non-metallic tape. An anti-shrinkage metal layer interposed between the first non-metallic tape and the first non-metallic tape to suppress shrinkage of the first and second non-metallic tapes; There is provided a transfer tape comprising an adhesive layer or a die attach film formed on one surface of a second non-metallic tape.
この発明の更に他の一態様によると、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成されたダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間に介在され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間の前記収縮防止メタル層以外の領域に介在される接着剤層とを具備する転送テープが提供される。 According to still another aspect of the present invention, a non-metallic tape as a base material, a die attach film formed on one surface of the non-metallic tape, and between the non-metallic tape and the die attach film. An anti-shrinkage metal layer that is interposed to suppress shrinkage of the non-metallic tape, and an adhesive layer that is interposed in a region other than the anti-shrinkage metal layer between the non-metallic tape and the die attach film. A transfer tape is provided.
この発明の別の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、前記転写テープは、基材となるノンメタリックテープと、前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムと、前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備える半導体装置の製造方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, a step of forming a semiconductor element in a semiconductor wafer, a step of half-cut dicing the semiconductor wafer along a dicing line, and forming a groove on an element forming surface, and the semiconductor A step of attaching a surface protection tape to the surface of the semiconductor element formed on the wafer, and a step of removing the back surface of the surface of the semiconductor element of the semiconductor wafer to at least the depth reaching the groove and dividing the semiconductor chip into individual semiconductor chips. And a step of peeling off the surface protection tape after affixing a transfer tape to the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer, and a step of picking up the semiconductor chip from the transfer tape. The tape is a non-metallic tape as a base material and one of the non-metallic tape. An adhesive layer or a die attach film formed on a surface of the semiconductor wafer and attached to a back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer; and formed on one or the other surface of the nonmetallic tape, and shrinkage of the nonmetallic tape. There is provided a method for manufacturing a semiconductor device including a shrinkage-preventing metal layer that suppresses the above.
この発明の更に別の一態様によると、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成する工程と、前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、前記転写テープは、第１のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムとを備える半導体装置の製造方法が提供される。 According to still another aspect of the present invention, a step of forming a semiconductor element in a semiconductor wafer, a step of half-cut dicing the semiconductor wafer along a dicing line to form a groove on an element formation surface, A step of attaching a surface protection tape to the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer, and removing the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer to at least the depth reaching the groove to divide into individual semiconductor chips. And a step of attaching a transfer tape to the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer, then peeling off the surface protection tape, and picking up the semiconductor chip from the transfer tape, The transfer tape includes a first non-metallic tape and the first non-metallic tape. The second non-metallic tape formed on the surface of the first non-metallic tape and serving as a base material together with the first non-metallic tape, and interposed between the first non-metallic tape and the second non-metallic tape, An anti-shrinkage metal layer that suppresses shrinkage of the first and second non-metallic tapes, and a back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer formed on one surface of the first or second non-metallic tape. A method of manufacturing a semiconductor device is provided that includes an adhesive layer or a die attach film attached to the substrate.
この発明によれば、テープの縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共に、チップの整列性を確保できる転写テープが得られる。 According to the present invention, it is possible to obtain a transfer tape that suppresses tape shrinkage, suppresses chipping due to chip interference, and ensures chip alignment.
また、チップの整列性を確保でき、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる転写テープを用いた半導体装置の製造方法が得られる。 In addition, it is possible to obtain a method for manufacturing a semiconductor device using a transfer tape that can ensure chip alignment, reduce recognition failures with a die bonding pickup, and can be cut linearly with a dicing blade.
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１及び図２はそれぞれ、この発明の第１の実施形態に係る転写テープについて説明するための平面図及び断面図である。この第１の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィン（polyolefin）テープ１１の一方の表面に、このポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３を設け、他方の表面（裏面）に接着剤層１２を形成した構成になっている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[First Embodiment]
1 and 2 are a plan view and a cross-sectional view, respectively, for explaining a transfer tape according to the first embodiment of the present invention. In the transfer tape of the first embodiment, a non-metallic tape serving as a base material, for example, a
上記収縮防止メタル層１３は、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向（図示矢印Ａ）と平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
The shrinkage-preventing
上記転写テープは、半導体装置の製造工程において、例えば次のように用いられる。すなわち、半導体ウェーハ中に半導体素子を形成し、この半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成した後、半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける。引き続き、半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも上記溝に達する深さまで研削して個片化と薄厚化を行う。その後、半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面に上記転写テープの接着剤層１２を貼り付け、表面保護テープを剥がす。以降は、上記転写テープから半導体チップをピックアップし、ダイボンディングやワイヤボンディングなどのマウント工程、パッケージへの封止工程などを経て半導体装置を完成する。
The transfer tape is used as follows, for example, in the manufacturing process of a semiconductor device. That is, a semiconductor element is formed in a semiconductor wafer, the semiconductor wafer is half-cut and diced along a dicing line to form a groove on the element formation surface, and then a surface protection tape is attached to the formation surface of the semiconductor element. Subsequently, the back surface of the semiconductor element formation surface is ground to a depth that reaches at least the above-mentioned groove, and singulation and thinning are performed. Thereafter, the
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
According to the transfer tape having the above-described configuration, the shrinkage-preventing
よって、この転写テープを用いた半導体装置の製造方法は、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共に、ダイシングブレードで直線的に切断できる。 Therefore, the manufacturing method of the semiconductor device using this transfer tape can reduce the recognition failure in the die bonding pickup and can also cut linearly with the dicing blade.
（転写テープの変形例１）
図３は、上記図１及び図２に示した転写テープの変形例１を示す断面図である。この転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３を介在させた構成になっている。
(
FIG. 3 is a cross-sectional
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing
（転写テープの変形例２）
図４は、上記図１及び図２に示した転写テープの変形例２を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３はウェーハ１０の中心を横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３の幅は０．５μｍ程度からウェーハサイズに相当する任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
(Modification 2 of transfer tape)
FIG. 4 is a plan view showing Modification Example 2 of the transfer tape shown in FIGS. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the wafer. The shrinkage-preventing
このような構成でも、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを上記収縮防止メタル層１３により抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, shrinkage of the
［第２の実施形態］
図５は、この発明の第２の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第２の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
[Second Embodiment]
FIG. 5 is a plan view of a transfer tape according to the second embodiment of the present invention. The transfer tape of the second embodiment is a non-metallic tape 13-1, 13-2, 13 that suppresses the shrinkage of the
上記転写テープは、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３がポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された３本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図５では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。
The transfer tape includes three metal-based plates, films, and films extending along a direction parallel to the direction A in which the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, and 13-3 are applied with the
上記金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
As the metal-based material, a metal such as aluminum or copper can be used, but various alloys can be used instead of a single element metal. The width of the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, 13-3 can be set to an arbitrary value from about 0.5 μm or more, and the thickness of the shrinkage-preventing
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
According to the transfer tape having the above-described configuration, the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, and 13-3 suppress the shrinkage of the
（転写テープの変形例３）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を介在させた構成にすることもできる。
(
As in FIG. 3, the transfer tape has an
（転写テープの変形例４）
図６は、上記図５に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３はウェーハ１０を横切るように延設された３本の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。上記収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。図６では３本の収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３を設けているが、２本でも良く、４本以上でも構わない。
(
FIG. 6 is a plan view showing a modification of the transfer tape shown in FIG. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the wafer. The shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, and 13-3 are formed of three metal-based plates, films, foils, lines, and the like that extend across the
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができる。また、単一元素の金属ではなく、種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
As this metallic material, metals such as aluminum and copper can be used. Further, various alloys can be used instead of a single element metal. The width of the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, 13-3 can be selected from an arbitrary value of about 0.5 μm or more, and the thickness of the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, 13-3. The value corresponding to the
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３−１，１３−２，１３−３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing metal layers 13-1, 13-2, and 13-3 suppress the shrinkage of the
［第３の実施形態］
図７は、この発明の第３の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第３の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ａを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
[Third Embodiment]
FIG. 7 is a plan view of a transfer tape according to a third embodiment of the present invention. The transfer tape of the third embodiment is provided with a
上記収縮防止メタル層１３Ａは、格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。上記収縮防止メタル層１３Ａにおける格子間の距離は、ポリオレフィンテープ１１の収縮の影響を受けない距離に設定されている。
The shrinkage-preventing
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ａの格子の幅は０．５μｍ程度から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
As the metal-based material, metals such as aluminum and copper can be used, but various alloys can be used instead of a single element metal. An arbitrary value can be selected from about 0.5 μm for the lattice width of the
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
According to the transfer tape configured as described above, the shrinkage-preventing
（転写テープの変形例５）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ａを介在させた構成にすることもできる。
(Modification 5 of transfer tape)
As in FIG. 3, the transfer tape has an
（転写テープの変形例６）
図８は、上記図７に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ａは、ウェーハ１０に対応する格子状の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。収縮防止メタル層１３Ａの幅は０．５μｍ程度から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ａの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
(
FIG. 8 is a plan view showing a modification of the transfer tape shown in FIG. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the wafer. The shrinkage-preventing
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３Ａにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing
［第４の実施形態］
図９は、この発明の第４の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第４の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｂを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
[Fourth Embodiment]
FIG. 9 is a plan view of a transfer tape according to the fourth embodiment of the present invention. The transfer tape according to the fourth embodiment is provided with a
上記収縮防止メタル層１３Ｂは、ウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。
The shrinkage-preventing
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
As the metal-based material, metals such as aluminum and copper can be used, but various alloys can be used instead of a single element metal. The shrinkage
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
According to the transfer tape having the above-described configuration, the shrinkage-preventing
（転写テープの変形例７）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｂを介在させた構成にすることもできる。
(
As in FIG. 3, the transfer tape has an
（転写テープの変形例８）
図１０は、上記図９に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｂはウェーハの外周に沿った環状の金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｂの幅は０．５μｍ程度以上の任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３Ｂの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
(
FIG. 10 is a plan view showing a modification of the transfer tape shown in FIG. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the wafer. The shrinkage-preventing
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３Ｂにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing
［第５の実施形態］
図１１は、この発明の第５の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第５の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｃを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
[Fifth Embodiment]
FIG. 11 is a plan view of a transfer tape according to the fifth embodiment of the present invention. In the transfer tape of the fifth embodiment, a non-metallic tape serving as a base material, for example, a
上記収縮防止メタル層１３Ｃは、ウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。
The shrinkage-preventing
この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３の厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
As the metal-based material, metals such as aluminum and copper can be used, but various alloys can be used instead of a single element metal. The thickness of the shrinkage-preventing
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３Ｃにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
According to the transfer tape configured as described above, the shrinkage-preventing
（転写テープの変形例９）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３Ｃを介在させて構成しても良い。
(
As in FIG. 3, the transfer tape has an
（転写テープの変形例１０）
図１２は、上記図１１に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハと同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３Ｃはウェーハの外周に沿った円形の金属系物質の板、膜及び箔などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３Ｃの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
(
12 is a plan view showing a modification of the transfer tape shown in FIG. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the wafer. The shrinkage-preventing
このような構成であっても、裏面研削工程の後において収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing
［第６の実施形態］
図１３は、この発明の第６の実施形態に係る転写テープの平面図である。この第６の実施形態の転写テープは、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄを設け、このポリオレフィンテープ１１の他方の表面に接着剤層１２を形成した構成になっている。
[Sixth Embodiment]
FIG. 13 is a plan view of a transfer tape according to the sixth embodiment of the present invention. The transfer tape of the sixth embodiment is provided with non-shrinkage metal layers 13-1D and 13-2D for suppressing shrinkage of the
上記収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄは、ポリオレフィンテープ１１を貼る方向Ａと平行な方向に沿って延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。また、収縮防止メタル層１３−２Ｄには、破線で示すウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に切り欠き部（マーク）１５が形成されている。この切り欠き部１５は、裏面研削後の工程、特にマウント工程でウェーハの方向が重要になるため、ウェーハのノッチ１４に代えて検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化するものである。
The shrinkage-preventing metal layers 13-1D and 13-2D are formed of a metal-based material plate, film, foil, wire, or the like extending along a direction parallel to the direction A in which the
上記金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。 As the metal-based material, a metal such as aluminum or copper can be used, but various alloys can be used instead of a single element metal. The width of the anti-shrinkage metal layers 13-1D and 13-2D can be selected from an arbitrary value of about 0.5 μm or more, and the thickness of the anti-shrinkage metal layers 13-1D and 13-2D is about 0.5 μm. A value corresponding to layer 12 can be selected.
上記のような構成の転写テープによれば、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄにより、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制できると共にチップの整列性を確保できる。また、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。
According to the transfer tape having the above-described configuration, the shrinkage-preventing metal layers 13-1D and 13-2D can suppress shrinkage of the
（転写テープの変形例１１）
上記転写テープは、図３と同様に、基材となるノンメタリックテープ、例えばポリオレフィンテープ１１の一方の表面に接着剤層１２を形成し、このポリオレフィンテープ１１と接着剤層１２との間に、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮を抑制する収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄを介在させた構成にすることもできる。
(
As in FIG. 3, the transfer tape has an
（転写テープの変形例１２）
図１４は、上記図１３に示した転写テープの変形例を示す平面図である。この転写テープは、プリカットテープに適用したものであり、ウェーハ１０と同じ外形並びにサイズにカットして用いられる。収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄはウェーハを横切るように延設された金属系物質の板、膜、箔及び線などで形成される。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの幅は０．５μｍ程度以上から任意の値を選択でき、収縮防止メタル層１３−１Ｄ，１３−２Ｄの厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択できる。
(
FIG. 14 is a plan view showing a modification of the transfer tape shown in FIG. This transfer tape is applied to a pre-cut tape, and is used after being cut into the same external shape and size as the
このような構成であっても、収縮防止メタル層１３により、基材であるポリオレフィンテープ１１の縮みを抑制して、チップの干渉によるチッピングを抑制すると共にチップの整列性を確保できる。また、ウェーハのノッチ１４に代えて収縮防止メタル層の切り欠き部１５を検出することによりＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化できる。
Even in such a configuration, the shrinkage-preventing
なお、本第６の実施形態と変形例６において、ウェーハ１０のノッチ１４と収縮防止メタル層１３−２Ｄの切り欠き部１５とが同じ位置に（重なって）配置されている例を示したが、必ずしも重なるように切り欠き部１５を形成する必要はなく、対応関係が認識できれば良い。
In the sixth embodiment and the sixth modification, the example in which the
また、一方の収縮防止メタル層１３−２Ｄのみに切り欠き部１５を設けたが、収縮防止メタル層１３−１Ｄにも切り欠き部を設けて左右対称に配置しても良い。
Further, although the
更に、図１５及び図１６に示すように、ウェーハ１０のノッチ１４に対応する位置に金属系物質の板、膜、箔及び線などでマーク１６を形成し、ウェーハ１０のノッチ１４に代えて検出すれば、ＸＹステージへ搭載する際の位置決めを容易化することができる。この場合にも、ノッチ１４とマーク１６とを同じ位置に配置する必要はないのはもちろんである。
Further, as shown in FIGS. 15 and 16, a
ウェーハ１０のノッチ１４と切り欠き部１５、ノッチ１４とマーク１６、ノッチ１４と金属系物質の板、膜、箔及び線などの位置関係を決めておけば、第１乃至第５の実施形態においても適用可能である。
In the first to fifth embodiments, the positional relationship between the
更にまた、上記収縮防止メタル層は上述した第１乃至第６の実施形態の形状に限らず、正方形、長方形、三角形、四角形、五角形などの多角形、楕円などでも適用できる。 Furthermore, the shrinkage-preventing metal layer is not limited to the shapes of the first to sixth embodiments described above, but can be applied to polygons such as squares, rectangles, triangles, quadrilaterals, pentagons, and ellipses.
（転写テープの製造方法）
図１７乃至図１９はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの製造方法について説明するための断面図である。まず、図１７に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を圧着または接着する。
(Transfer tape manufacturing method)
17 to 19 are cross-sectional views for explaining a method for manufacturing the transfer tape shown in FIGS. 1 and 2. First, as shown in FIG. 17, a shrinkage-preventing
次に、図１８に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
Next, as shown in FIG. 18, an adhesive is applied to the other surface of the polyolefin tape 11 (the back surface of the surface on which the
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面に接着剤層１２が形成された図１９に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 19 in which the shrinkage-preventing
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３を形成する際に、図２０に示すようにポリオレフィンテープ１１の一方の表面に金属系物質を印刷して収縮防止メタル層１３を形成しても良い。
When the
また、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した面側に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成しても良い。
Alternatively, the
更に、第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。 Furthermore, although the transfer tape manufacturing method according to the first embodiment has been described as an example, the transfer tape according to the second to sixth embodiments can be basically formed in the same manner.
（転写テープの製造方法の変形例１）
図２１乃至図２４はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２１に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度から接着剤層１２に相当する値を選択する。
(
21 to 24 are cross-sectional views for explaining another method for manufacturing the transfer tape shown in FIGS. 1 and 2. First, as shown in FIG. 21, a metal substance is pressure-bonded or bonded to one surface of a
次に、図２２に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
Next, as shown in FIG. 22, the metal-based material is selectively removed by etching to form a shrinkage-preventing
その後、図２３に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 23, an adhesive is applied to the other surface of the polyolefin tape 11 (the back surface of the surface on which the shrinkage-preventing
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面に接着剤層１２が形成された図２４に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 24 in which the shrinkage-preventing
このような製造方法であっても、上述した製造方法と実質的に同様な転写テープを製造できる。 Even with such a manufacturing method, a transfer tape substantially similar to the above-described manufacturing method can be manufactured.
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した面側に接着剤を塗布して接着剤層１２を形成しても良い。
Note that the
また、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。 Although the transfer tape manufacturing method according to the first embodiment has been described as an example here, the transfer tapes according to the second to sixth embodiments can be basically formed in the same manner.
（転写テープの製造方法の変形例２）
図２５乃至図２８はそれぞれ、転写テープの更に他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図２５に示すように、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の間に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を挟んで、図２６に示すように圧着または接着する。
(Modification 2 of transfer tape manufacturing method)
25 to 28 are cross-sectional views for explaining still another method for manufacturing the transfer tape. First, as shown in FIG. 25, the
次に、図２７に示すように、上記収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に、接着剤を塗布して接着剤層１２を形成する。
Next, as shown in FIG. 27, an adhesive is applied to one surface of the first and second polyolefin tapes 11-1 and 11-2 sandwiching the shrinkage-preventing
このようにして、収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に接着剤層１２を形成した図２８に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 28 in which the
このような製造方法では、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２に収縮防止メタル層１３を挟み込んだ転写テープを製造できる。
In such a manufacturing method, a transfer tape in which the shrinkage-preventing
なお、上述した製造方法では、基材であるポリオレフィンテープが１層の場合と２層の場合を例にとって説明したが、図２９に示すように３層でも良く、必要に応じて４層以上積層して用いることもできる。 In the above-described manufacturing method, the case where the polyolefin tape as the base material has one layer and two layers has been described as an example. However, as shown in FIG. 29, three layers may be used, and four or more layers are laminated as necessary. It can also be used.
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。 Moreover, the transfer tape formed by the above manufacturing method can be applied to any of the first to sixth embodiments.
（転写テープの製造方法の変形例３）
図３０乃至図３２はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの別の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３０に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を圧着または接着する。
(
30 to 32 are cross-sectional views for explaining another method for manufacturing the transfer tape shown in FIGS. 1 and 2. First, as shown in FIG. 30, a shrinkage-preventing
次に、図３１に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
Next, as shown in FIG. 31, a die attach film (DAF) 17 is formed on the other surface of the polyolefin tape 11 (the back surface of the surface on which the shrinkage-preventing
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図３２に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 32 in which the shrinkage-preventing
なお、上記ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３を形成する際に、図３３に示すようにポリオレフィンテープ１１の一方の表面に金属系物質を印刷して収縮防止メタル層１３を形成しても良い。
When the
また、第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。 Further, the transfer tape manufacturing method according to the first embodiment has been described as an example, but basically the transfer tape according to the second to sixth embodiments can be formed in the same manner.
（転写テープの製造方法の変形例４）
図３４乃至図３７はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３４に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からＤＡＦ１７に相当する値を選択する。
(
34 to 37 are cross-sectional views for explaining another method for manufacturing the transfer tape shown in FIGS. 1 and 2. First, as shown in FIG. 34, a metal material is pressure-bonded or bonded to one surface of the
次に、図３５に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
Next, as shown in FIG. 35, the metal material is selectively removed by etching to form a shrinkage-preventing
その後、図３６に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 36, a die attach film (DAF) 17 is formed on the other surface of the polyolefin tape 11 (the back surface of the surface on which the shrinkage-preventing
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図３７に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 37 in which the shrinkage-preventing
このような製造方法であっても、上述した製造方法と同様な転写テープを製造できる。 Even with such a manufacturing method, a transfer tape similar to the above-described manufacturing method can be manufactured.
なお、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。 Although the transfer tape manufacturing method according to the first embodiment has been described as an example here, the transfer tape according to the second to sixth embodiments can be basically formed in the same manner.
（転写テープの製造方法の変形例５）
図３８乃至図４１はそれぞれ、転写テープの更に別の製造方法について説明するための断面図である。まず、図３８に示すように、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の間に、金属系物質からなる収縮防止メタル層１３を挟んで、図３９に示すように圧着または接着する。
(Modification 5 of transfer tape manufacturing method)
38 to 41 are cross-sectional views for explaining still another method for manufacturing a transfer tape. First, as shown in FIG. 38, the shrinkage-preventing
次に、図４０に示すように、上記収縮防止メタル層１３を挟み込んだ第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２の一方の表面に、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７を形成する。
Next, as shown in FIG. 40, a die attach film (DAF) 17 is formed on one surface of the first and second polyolefin tapes 11-1 and 11-2 sandwiching the shrinkage-preventing
このようにして、ポリオレフィンテープ１１の一方の表面に収縮防止メタル層１３が形成され、他方の表面にＤＡＦ１７が形成された図４１に示すような転写テープを製造する。
In this way, a transfer tape as shown in FIG. 41 in which the shrinkage-preventing
このような製造方法では、基材となる第１，第２のポリオレフィンテープ１１−１，１１−２に収縮防止メタル層１３を挟み込んだ転写テープを製造できる。
In such a manufacturing method, a transfer tape in which the shrinkage-preventing
なお、上述した製造方法では、基材であるポリオレフィンテープが１層の場合と２層の場合を例にとって説明したが、３層でも良く、必要に応じて４層以上積層して用いることもできる。 In the manufacturing method described above, the case where the polyolefin tape as the base material is one layer and two layers has been described as an example, but three layers may be used, and four or more layers may be laminated as necessary. .
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。 Moreover, the transfer tape formed by the above manufacturing method can be applied to any of the first to sixth embodiments.
（転写テープの製造方法の変形例６）
図４２乃至図４４はそれぞれ、上記図１及び図２に示した転写テープの他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図４２に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７に相当する値を選択する。
(
42 to 44 are cross-sectional views for explaining another method for manufacturing the transfer tape shown in FIGS. 1 and 2. First, as shown in FIG. 42, a metal material is pressure-bonded or bonded to one surface of the
その後、図４３に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の収縮防止メタル層１３を形成した表面に、ＤＡＦ１７を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 43,
このようにして、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた図４４に示すような転写テープを製造する。
In this manner, a transfer tape as shown in FIG. 44 in which the shrinkage-preventing
このような製造方法であっても、上述した製造方法と同様な転写テープを製造できる。 Even with such a manufacturing method, a transfer tape similar to the above-described manufacturing method can be manufactured.
なお、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３と接着剤層１８を挟み込んで、図４５に示すような転写テープを形成しても良い。ここでは、接着剤層１２は収縮防止メタル層以外の領域に形成されている。
Note that a transfer tape as shown in FIG. 45 may be formed by sandwiching the
また、ここでは第１の実施形態に係る転写テープの製造方法を例にとって説明したが、基本的には第２乃至第６の実施形態に係る転写テープも同様にして形成できる。 Although the transfer tape manufacturing method according to the first embodiment has been described as an example here, the transfer tapes according to the second to sixth embodiments can be basically formed in the same manner.
（転写テープの製造方法の変形例７）
図４６乃至図４９はそれぞれ、転写テープの更に他の製造方法について説明するための断面図である。まず、図４６に示すように、基材となるポリオレフィンテープ１１の一方の表面に、金属系物質を圧着または接着する。この金属系物質としてはアルミニウムや銅などの金属を用いることができるが、単一元素の金属ではなく種々の合金を用いることもできる。この金属系物質は、板、膜及び箔などであり、厚さは０．５μｍ程度からダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１７に相当する値を選択する。
(
46 to 49 are cross-sectional views for explaining still another method for manufacturing a transfer tape. First, as shown in FIG. 46, a metal material is pressure-bonded or bonded to one surface of the
次に、図４７に示すように、上記金属系物質をエッチングして選択的に除去し、収縮防止メタル層１３を形成する。
Next, as shown in FIG. 47, the metal material is selectively removed by etching to form a shrinkage-preventing
その後、図４８に示すように、上記ポリオレフィンテープ１１の他方の表面（収縮防止メタル層１３を形成した表面の裏面）に、ＤＡＦ１７を形成する。
Thereafter, as shown in FIG. 48,
このようにして、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３が挟み込まれた図４９に示すような転写テープを製造する。
In this manner, a transfer tape as shown in FIG. 49 in which the shrinkage-preventing
なお、この変形例の場合にも、図４５と同様に、ポリオレフィンテープ１１とＤＡＦ１７との間に、収縮防止メタル層１３と接着剤層１８を挟み込んで、図５０に示すような転写テープを形成しても良い。
Also in the case of this modification, similarly to FIG. 45, the transfer tape as shown in FIG. 50 is formed by sandwiching the
また、上記のような製造方法で形成した転写テープは、第１乃至第６の実施形態のいずれにも適用できる。 Moreover, the transfer tape formed by the above manufacturing method can be applied to any of the first to sixth embodiments.
［第７の実施形態］
次に、上記転写テープを用いた半導体装置の製造方法について、図５１の工程図により説明する。
[Seventh Embodiment]
Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the transfer tape will be described with reference to the process diagram of FIG.
まず、周知の製造工程により、半導体ウェーハの主表面に種々の半導体素子を形成する（ＳＴＥＰ１）。 First, various semiconductor elements are formed on the main surface of the semiconductor wafer by a known manufacturing process (STEP 1).
次に、上記素子形成が終了した半導体ウェーハの主表面（素子形成面側）をハーフカット・ダイシングし、ダイシングラインやチップ分割ラインに沿って、上記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝、いわゆるハーフカット溝を形成する（ＳＴＥＰ２）。このハーフカット溝の形成には、例えばダイヤモンドスクライバー、ダイヤモンドブレード及びレーザースクライバー等を用いる。切り込みの深さは、チップの最終仕上げ厚さよりも、およそ１０〜３０μｍ（少なくとも５μｍ）だけ深くする。どれだけ多めにするかは、ダイサーとグラインダーの精度により決まる。 Next, the main surface (element formation surface side) of the semiconductor wafer on which the element formation is completed is half-cut and diced, and the depth does not reach the back surface from the wafer main surface side along the dicing line or chip dividing line. The so-called half cut groove is formed (STEP 2). For example, a diamond scriber, a diamond blade, a laser scriber, or the like is used to form the half cut groove. The depth of the cut is about 10-30 μm (at least 5 μm) deeper than the final finished thickness of the chip. How much is increased depends on the accuracy of the dicer and grinder.
その後、上記ハーフカット・ダイシング済みの半導体ウェーハの素子形成面に上述した表面保護テープ（ＢＳＧテープ）を貼り付けてウェーハリングに装着する（ＳＴＥＰ３）。ＢＳＧテープを用いることにより、ウェーハの裏面を削り取り薄くする過程で、上記ＢＳＧテープによって半導体素子にダメージが入るのを防止できる。 Thereafter, the above-mentioned surface protection tape (BSG tape) is attached to the element forming surface of the half-cut and diced semiconductor wafer and mounted on the wafer ring (STEP 3). By using the BSG tape, it is possible to prevent the semiconductor element from being damaged by the BSG tape in the process of scraping and thinning the back surface of the wafer.
次に、上記ウェーハの裏面研削（ＳＴＥＰ４）を行う。裏面研削工程では、砥石のついたホイールを４０００〜７０００ｒｐｍの高速で回転させながらウェーハの裏面を所定の厚さに削って行く。上記砥石は、人工ダイヤモンドをフェノール樹脂で固めて成形したものである。この裏面研削工程は、２軸で行うことが多い。また、予め１軸で３２０〜６００番の砥石で荒削りした後、２軸で１５００〜２０００番の砥石で仕上げる方法もある。更には、３軸で研削する方法でも良い。そして、研削が溝に達すると、半導体ウェーハは個々の半導体チップに個片化される。半導体ウェーハが個片化されてからも裏面研削を続けて所定の厚さにすることにより、半導体チップの側面と裏面とが交わる位置に形成されたチッピングを除去することができる。 Next, backside grinding (STEP 4) of the wafer is performed. In the back surface grinding process, the back surface of the wafer is shaved to a predetermined thickness while rotating a wheel with a grindstone at a high speed of 4000 to 7000 rpm. The grindstone is formed by hardening artificial diamond with a phenol resin. This back grinding process is often performed with two axes. There is also a method of roughing with a No. 320-600 grinding wheel in advance on one axis and then finishing with a No. 1500-2000 grinding wheel on two axes. Further, a method of grinding with three axes may be used. When the grinding reaches the groove, the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips. Even after the semiconductor wafer is singulated, the back surface grinding is continued to a predetermined thickness, whereby the chipping formed at the position where the side surface and the back surface of the semiconductor chip intersect can be removed.
引き続き、ウェットエッチング、プラズマエッチング、ポリッシング、バフ研磨、あるいはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等により半導体チップの裏面に鏡面加工を施す。これによって、裏面研削の条痕を除去できるので、より抗折強度を高めることができる。 Subsequently, the back surface of the semiconductor chip is mirror-finished by wet etching, plasma etching, polishing, buffing, CMP (Chemical Mechanical Polishing), or the like. As a result, the back-grinding streak can be removed, so that the bending strength can be further increased.
上記裏面研削工程の終了後、半導体ウェーハにおける半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付け、上記ＢＳＧテープを剥がす。 After completion of the back surface grinding step, a transfer tape is attached to the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer, and the BSG tape is peeled off.
そして、転写テープに貼り付けられた半導体チップのピックアップ工程（ＳＴＥＰ５）、リードフレームやＴＡＢテープへのマウント工程（ＳＴＥＰ６）、パッケージへの封止工程（ＳＴＥＰ７）等の実装工程を経て半導体装置が完成される。 Then, a semiconductor device is completed through a mounting process such as a pick-up process (STEP 5) of the semiconductor chip attached to the transfer tape, a mounting process to the lead frame or TAB tape (STEP 6), and a sealing process to the package (STEP 7). Is done.
上記第１乃至第４の実施形態と第６の実施形態の転写テープでは、接着剤層１２にＵＶ硬化型を用いれば、上記ピックアップ工程の前にＵＶ照射を行うことによって接着力を低下させ、半導体チップを転写テープから容易に隔離できる。
In the transfer tapes of the first to fourth embodiments and the sixth embodiment, if a UV curable type is used for the
このような半導体装置の製造方法によれば、裏面研削後の製造装置間の搬送時においてチップの干渉によるチッピングを抑制できる。また、チップの整列性を確保できるので、ダイボンディングのピックアップでの認識不良を低減できると共にダイシングブレードで直線的に切断できる。 According to such a method for manufacturing a semiconductor device, chipping due to chip interference can be suppressed during conveyance between the manufacturing apparatuses after back grinding. Further, since chip alignment can be ensured, it is possible to reduce recognition failure in a die bonding pickup and to cut linearly with a dicing blade.
なお、上述した種々の実施形態では、ＤＢＧ技術を用いることを前提に説明したが、裏面研削を行ってからダイシングする製造方法の転写テープとして用いても良い。この場合には、テープの収縮に起因するウェーハの反りを抑制できる。また、ノッチの検出が容易に行えるようになるため製造工程の短縮も図れる。 The various embodiments described above have been described on the assumption that the DBG technique is used, but may be used as a transfer tape in a manufacturing method in which dicing is performed after back surface grinding. In this case, warpage of the wafer due to tape shrinkage can be suppressed. Further, since the notch can be easily detected, the manufacturing process can be shortened.
以上第１乃至第７の実施形態と種々の変形例を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。また、上記各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば各実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも１つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも１つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 Although the present invention has been described above using the first to seventh embodiments and various modifications, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the scope of the invention does not depart from the gist. It is possible to deform with. Each of the above embodiments includes inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. For example, even if some constituent elements are deleted from all the constituent elements shown in each embodiment, at least one of the problems described in the column of the problem to be solved by the invention can be solved, and is described in the column of the effect of the invention. When at least one of the effects is obtained, a configuration in which this configuration requirement is deleted can be extracted as an invention.
１０…ウェーハ、１１…ポリオレフィンテープ、１２…接着剤層、１３，１３−１，１３−２，１３−３，１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３−１Ｄ，１３−２Ｄ…収縮防止メタル層、１４…ノッチ、１５…切り欠き部（マーク）、１６…マーク、１７…ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）、１８…接着剤層。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と
を具備することを特徴とする転写テープ。 Non-metallic tape as a base material,
An adhesive layer or a die attach film formed on one surface of the non-metallic tape;
A transfer tape comprising: a shrinkage-preventing metal layer that is formed on one or the other surface of the nonmetallic tape and suppresses shrinkage of the nonmetallic tape.
前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に接着され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成された接着剤層またはダイアタッチフィルムと
を具備することを特徴とする転写テープ。 A first non-metallic tape;
A second non-metallic tape that is bonded to one surface of the first non-metallic tape and serves as a base material together with the first non-metallic tape;
An anti-shrinkage metal layer interposed between the first non-metallic tape and the second non-metallic tape to suppress shrinkage of the first and second non-metallic tapes;
A transfer tape comprising: an adhesive layer or a die attach film formed on one surface of the first or second non-metallic tape.
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成されたダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間に介在され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記ノンメタリックテープと前記ダイアタッチフィルムとの間の前記収縮防止メタル層以外の領域に介在される接着剤層と
を具備することを特徴とする転写テープ。 Non-metallic tape as a base material,
A die attach film formed on one surface of the non-metallic tape;
An anti-shrinkage metal layer interposed between the non-metallic tape and the die attach film to suppress shrinkage of the non-metallic tape;
A transfer tape comprising: an adhesive layer interposed in a region other than the shrinkage-preventing metal layer between the non-metallic tape and the die attach film.
前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、
前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、
前記転写テープは、
基材となるノンメタリックテープと、
前記ノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムと、
前記ノンメタリックテープの一方または他方の表面に形成され、前記ノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a semiconductor element in a semiconductor wafer;
Forming a groove on the element forming surface by half-cut and dicing the semiconductor wafer along a dicing line;
A step of attaching a surface protection tape to the formation surface of the semiconductor element in the semiconductor wafer;
Removing the back surface of the semiconductor element formation surface of the semiconductor wafer to a depth that reaches at least the groove, and dividing into individual semiconductor chips;
After pasting the transfer tape on the back surface of the semiconductor element formation surface in the semiconductor wafer, and removing the surface protection tape,
A step of picking up the semiconductor chip from the transfer tape,
The transfer tape is
Non-metallic tape as a base material,
An adhesive layer or a die attach film formed on one surface of the non-metallic tape and attached to the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer;
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a shrinkage-preventing metal layer that is formed on one or the other surface of the nonmetallic tape and suppresses shrinkage of the nonmetallic tape.
前記半導体ウェーハをダイシングラインに沿ってハーフカット・ダイシングして素子形成面に溝を形成する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面に表面保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで除去して個々の半導体チップに分割する工程と、
前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に転写テープを貼り付けた後、前記表面保護テープを剥がす工程と、
前記転写テープから前記半導体チップをピックアップする工程とを具備し、
前記転写テープは、
第１のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記第１のノンメタリックテープと共に基材となる第２のノンメタリックテープと、
前記第１のノンメタリックテープと前記第２のノンメタリックテープとの間に介在され、前記第１，第２のノンメタリックテープの収縮を抑制する収縮防止メタル層と、
前記第１または第２のノンメタリックテープの一方の表面に形成され、前記半導体ウェーハにおける前記半導体素子の形成面の裏面に貼り付けられる接着剤層またはダイアタッチフィルムとを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Forming a semiconductor element in a semiconductor wafer;
Forming a groove on the element forming surface by half-cut and dicing the semiconductor wafer along a dicing line;
A step of attaching a surface protection tape to the formation surface of the semiconductor element in the semiconductor wafer;
Removing the back surface of the semiconductor element formation surface of the semiconductor wafer to a depth that reaches at least the groove, and dividing into individual semiconductor chips;
After pasting the transfer tape on the back surface of the semiconductor element formation surface in the semiconductor wafer, and removing the surface protection tape,
A step of picking up the semiconductor chip from the transfer tape,
The transfer tape is
A first non-metallic tape;
A second non-metallic tape formed on one surface of the first non-metallic tape and serving as a substrate together with the first non-metallic tape;
An anti-shrinkage metal layer interposed between the first non-metallic tape and the second non-metallic tape to suppress shrinkage of the first and second non-metallic tapes;
An adhesive layer or a die attach film formed on one surface of the first or second non-metallic tape and attached to the back surface of the semiconductor element forming surface of the semiconductor wafer. Device manufacturing method.
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