JP2004334124A

JP2004334124A - Current driving device and display device

Info

Publication number: JP2004334124A
Application number: JP2003133342A
Authority: JP
Inventors: Yoshito Date; 義人伊達; Tetsuo Omori; 哲郎大森; Shiro Michimasa; 志郎道正; Makoto Mizuki; 誠水木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-05-12
Filing date: 2003-05-12
Publication date: 2004-11-25
Also published as: TW200504645A; KR20040097926A; CN100353400C; CN1551080A; US7477094B2; US20040227499A1

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current driving device capable of suppressing the disturbance in an image display, such as display unevenness, when the device is used for a display device. <P>SOLUTION: The current driving device is equipped with a reference current source 58, a first MISFET 53 which is connected to the reference current source 58, a plurality of MISFETs 55 for current distribution which constitute a current mirror circuit with the first MISFET 53 and serve to distribute the reference current, a MISFET 57 for current input which is connected to the MISFETs 55 for current distribution, and a plurality of current supply sections 59 which have the MISFETs to constitute the current mirror circuits with the MISFET 57 for current input and serve to supply the driving current of pixel circuits. The device is equipped with the plurality of the MISFETs 55 for current distribution, by which the fluctuation in the gate potential of the MISFETs within the current supply section 59 is suppressed and the generation of the crosstalk in the display device can be suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電流駆動装置に関するものであり、特に、有機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルなどの表示用ドライバとして好適な電流駆動装置の技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬパネルなどのフラットパネルディスプレイについては、大型化、高精細化、薄型・軽量化および低コスト化が進んでいる。一般に、大型・高精細の表示パネルの駆動方式としてアクティブマトリクス方式が好んで用いられる。以下、従来のアクティブマトリクス型表示パネルの表示用ドライバについて説明する。
【０００３】
図２０は、表示パネルと、表示パネルに接続された表示用ドライバである従来の電流駆動装置の構成を示す回路図である。ここでは、表示パネルは有機ＥＬパネルである。
【０００４】
同図に示すように、従来の電流駆動装置は、表示パネル上に設けられた複数の画素回路１００５ａ１、１００５ａ２、…、１００５ａｎ（以下、各画素回路を区別しないで呼ぶときは画素回路１００５ａと称する）のそれぞれに駆動電流を供給するための電流供給部１００１ａ１、１００１ａ２、…、１００１ａｎ（以下、各電流供給部を区別しないで呼ぶときは電流供給部１００１ａと称する）と、それぞれの電流供給部１００１ａに基準電流を供給するための基準電流供給部（バイアス回路）１１０１とを備えている。なお、本明細書中で「基準電流」とは、基準電流源から流れる所定値の電流を表す他、基準電流源からの電流が、カレントミラー回路によって伝達された電流をも表すものとする。
【０００５】
テレビ用表示装置など、表示パネルのサイズが大きい場合、多数の電流供給部１００１ａは複数の半導体チップ１１０５上に分割して設けられている。これらの半導体チップ１１０５は、表示パネルの額縁部に配置されることが多い。
【０００６】
画素回路１００５ａ１、１００５ａ２、…、１００５ａｎのそれぞれは、信号線を介して電流供給部１００１ａに接続されているｐチャネル型の第１のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１０４と、第１のＴＦＴ１１０４とカレントミラー回路を構成する第２のＴＦＴ１１０２と、第２のＴＦＴ１１０２から供給される電流に応じて発光する有機ＥＬ素子１１０３とを有している。
【０００７】
基準電流供給部１１０１は、一端に電源電圧が供給されたｐチャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ１１０８と、第１のＭＩＳＦＥＴ１１０８に接続され、基準電流を発生させるための抵抗１１０７と、第１のＭＩＳＦＥＴ１１０８とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第２のＭＩＳＦＥＴ１１０９と、第２のＭＩＳＦＥＴ１１０９に接続され、基準電流を電流供給部１００１ａに伝達するためのｎチャネル型の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１１１０とを有している。
【０００８】
電流供給部１００１ａのそれぞれは、ｍビットの階調を制御する場合、画素回路１００５ａに接続された出力部に対して並列に配置された電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−ｍ（ｍは正の整数）と、電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−ｍのそれぞれを流れる電流をオンまたはオフに制御するスイッチ１１１５−１、１１１５−２、…、１１１５−ｍとを有している。ここで、電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−ｍのそれぞれは、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１１１０とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴから構成されている。また、スイッチ１１１５−１、１１１５−２、…、１１１５−ｍのそれぞれは、表示データに基づいて、独立にスイッチング動作をする。
【０００９】
図２３は、従来の電流駆動装置のうち、電流供給部の回路配置及び回路構成を示す図である。ここでは、各々に６個の電流源が設けられている、６４階調用の電流供給部の例を示す。電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−６には、互いにサイズ及び特性の等しいＭＩＳＦＥＴがそれぞれ１個、２個、…、３２個設けられている。これらのＭＩＳＦＥＴは、平面的に見て図２３の上図のように配置され、互いに隣接するＭＩＳＦＥＴは、同一の出力部に接続されるように接続されている。
【００１０】
以上の構成により、電流供給部１００１ａは、実質的には電流加算型のＤ／Ａコンバータとして動作し、デジタル信号として表示データを受け、アナログ信号として、その表示データに対応した大きさの電流を出力部から引き込むようになっている。
【００１１】
周知のように、有機ＥＬ素子は、ダイオードと同様に整流性を呈し、通電される電流量に応じてその輝度を変化させる。画素回路１００５ａにおいて、有機ＥＬ素子１１０３に通電される電流量は、ＴＦＴ１１０４を流れる電流量に応じて変化する。したがって、有機ＥＬ素子１１０３は、電流供給部１００１ａによって電流駆動され、その輝度を変化させる。
【００１２】
以上のように、電流駆動装置は、表示データに基づいて、表示パネルにおける複数の画素回路１００５ａを電流駆動し、階調表示を実現する（例えば、特開平１１−８８０７２号公報、特開平１１−３４０７６５号公報参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２０００−２７６１０８
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の構成を有する表示装置では、画像の表示中に表示むら等、画像表示の乱れが見られることがあった。この原因としては、いくつかのことが考えられる。
【００１５】
まず、表示パネルからの電荷注入や瞬時的なバイアス電圧の変動による表示の乱れ、いわゆるクロストークの発生が考えられる。これについて以下に説明する。
【００１６】
図２１（ａ）は、表示パネルにおける白黒表示の例を示す図、（ｂ）は、（ａ）に示す表示パネルのＸＸＩｂ−ＸＸＩｂ線上に配置された画素回路と、該画素回路に接続された従来の電流供給部とを示す回路図、（ｃ）は、黒表示時におけるＴＦＴの動作点を示すグラフ図であり、（ｄ）は、白表示時におけるＴＦＴの動作点を示すグラフ図である。また、図２２（ａ）は、図２１（ａ）と同様に、表示パネルにおける白黒表示の例を示す図、（ｂ）は、表示パネルのＸＸＩＩｂ−ＸＸＩＩｂ線上に配置された画素回路と、該画素回路に接続された従来の電流供給部とを示す回路図、（ｃ）は、黒表示時から白表示に切り替わった場合のＴＦＴの動作点を示すグラフ図であり、（ｄ）は、連続して白表示を行なう場合のＴＦＴの動作点を示すグラフ図である。
【００１７】
図２１（ｂ）に示すように、従来の表示装置において黒表示を行なう場合、電流供給部１００１ａ内のスイッチ１１１５−１、１１１５−２、…、１１１５−ｍはすべてオフになっており、白表示を行なう場合、電流供給部１００１ａ内のスイッチ１１１５−１、１１１５−２、…、１１１５−ｍはすべてオンになっている。
【００１８】
このとき、黒表示を行なう画素回路１００５ａ１やこれに接続された信号線などに生じる浮遊容量１２２０ａ１は、電源によって充電され、第１のＴＦＴ１１０４及び第２のＴＦＴ１１０２のゲート電圧は例えば４Ｖ程度に上昇する。図２１（ｃ）に示すように、この際の第１のＴＦＴ１１０４及び第２のＴＦＴ１１０２の動作点は、電流供給部１００１ａのＩＶ特性曲線とＴＦＴのＩＶ特性曲線との交点となる。
【００１９】
一方、白表示の際には、電流供給部１００１ａｎ側に電荷が引き抜かれるため、画素回路１００５ａｎやこれに接続された信号線などに生じる浮遊容量１２２０ａｎに保持される電荷は黒表示のときに比べて少なくなる。そのため、第１のＴＦＴ１１０４及び第２のＴＦＴ１１０２のゲート電圧は例えば２Ｖ程度になり、図２１（ｄ）に示すように、第１のＴＦＴ１１０４及び第２のＴＦＴ１１０２の動作点は、黒表示の場合よりも低電圧側になっている。これらＴＦＴの動作点電圧は、ＴＦＴのオン抵抗と、電流供給部１００１ａが引き込む電流の大きさによって変化する。
【００２０】
また、図２２（ｂ）では、黒表示から白表示に切り替わった場合の画素回路及び電流供給部と白表示が続く場合の画素回路及び電流供給部とを示す。黒表示から白表示に切り替わると、電流供給部１００１ａ１のスイッチ１１１５−１、１１１５−２、…、１１１５−６はすべてオンとなり、パネル側から最大量の電流が流れ込む。これにより、画素回路１００５ａ１における有機ＥＬ素子１１０３は、最大輝度での発光する。
【００２１】
このとき、電流供給部１００１ａ１には、信号線を介して浮遊容量１２２０ａ１に蓄積された電荷が注入される。
【００２２】
注入される電荷の量が比較的少ない場合、電荷は電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−６を通りグランドに抜ける。しかし、画素回路１００５ａ１は直前まで黒色表示であったため、浮遊容量１２２０ａ１は電源電圧近傍まで充電されている。したがって、電流供給部１００１ａ１と画素回路１００５ａ１とが電気的に接続された瞬間、電流源１１１２−１、１１１２−２、…、１１１２−６の各ドレインに電源電圧に近い電圧が印加され、ゲート−ドレイン間に存在する寄生容量Ｃｇｄを通じて、バイアス線１０５０の電位が一時的に押し上げられてしまう。図２２（ｂ）に示す波形１０５１は、バイアス線１０５０に生じた電圧変動を表している。
【００２３】
他の電流供給部１００１ａ内の電流源のゲート電極もバイアス線１０５０に接続されているため、バイアス線１０５０に波形１０５１のような電圧変化が生じると、電流供給部１００１ａを流れる電流量が一時的に多くなる。この結果、図２２（ｄ）に点線で示すように、電流供給部１００１ａｎは一時的に過剰ドライブ状態となる。
【００２４】
バイアス線１０５０の電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束すれば、電流供給部１００１ａは所定の駆動状態に戻り、正常な表示が行われる。しかし、電圧変動が表示データの書き込み期間内に収束しない場合、画素回路１００５ａは、次のフレームまで過剰ドライブ状態を続けるため、輝線が視認されるクロストーク表示が発生する。
【００２５】
これに対し、白表示から黒表示に切り替わる場合のバイアス線１０５０では、上記とは逆に、一時的な電圧の落ち込みが発生する。これにより、輝度の低下した暗線が視認されるクロストーク表示が生じてしまう。
【００２６】
ところで、浮遊容量１２２０ａは、携帯電話用途の小型パネルの場合は数ｐＦ〜数１０ｐＦであるが、大型パネルになると１００ｐＦ以上になる場合もある。したがって、表示パネルが大型化するとクロストーク表示はより顕著なものとなる。特に、有機ＥＬパネル用の電流駆動装置は、数１０ｎＡ程度の極微小の電流で画素回路を駆動するため、クロストーク表示を起こし易い。
【００２７】
なお、上述のクロストーク以外の理由でも、画像表示の乱れを起こすことがある。
【００２８】
また、近年は表示パネルの大画面化はさらに進んでおり、それにつれて表示装置用のドライバＬＳＩの長さ（長辺方向の長さ）が１０ｍｍ〜２０ｍｍに達する場合がでてきた。このような場合、従来の電流駆動装置を設けた半導体チップでは、互いに離れた出力端子間で出力電圧のばらつきが生じ、表示画像に明暗部を生じるなど、画質の低下を引き起こすおそれがあった。
【００２９】
本願発明者が表示装置用ドライバＬＳＩ（半導体チップ）の出力端子間で出力電圧がばらつく原因について調べたところ、半導体チップ上の電流源１１１２（図２０参照）を構成するＭＩＳＦＥＴに分配される電流にばらつきがあることが分かった。そもそも、カレントミラー回路は、これを構成するトランジスタの拡散条件が等しく、しきい値Ｖｔやキャリア移動度に有意差がないことを前提としている。その上で、トランジスタのサイズ比によって電流が分配されるのである。ところが、表示装置用ドライバＬＳＩのチップの長さが１０ｍｍから２０ｍｍもの長さになると、トランジスタに含まれる不純物の拡散を均一に行なうことが困難になると考えられる。その他にも、トランジスタの位置が異なれば、エッチングのばらつきなど、製造工程によっても表示のばらつきが生じうる。この結果、カレントミラーとなるトランジスタのしきい値にばらつきが生じる。トランジスタのしきい値がばらつくと、同一のゲート電圧を印加した場合に、出力電流に誤差を生じることとなる。通常は、拡散の変動はウエハー面に対し徐々に傾きを持つ。このため、一定の表示データによる均一表示を行った場合でも、表示パネル上で明から暗のグラデーションが発生することになる。
【００３０】
また、上述のように大画面の表示パネルを有する表示装置では、電流供給部を含む電流駆動装置が設けられた半導体チップが複数個用いられている。このような場合、異なる半導体チップ上の電流駆動装置から出力される電流値にばらつきが生じる。表示装置において、互いに隣接して配置される半導体チップの拡散条件などの製造条件は、異なっていることが多い。従って、電流供給部１００１ａ１の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴの特性のずれも大きくなり、半導体チップごとに表示むらが視認されやすくなる。
【００３１】
このように、電流供給部１００１ａの出力部ごとのばらつき、及び半導体チップごとの特性ばらつきも、クロストークと同様に画像表示を乱れさせる。
【００３２】
本発明の目的は、上述の種々の不具合のいずれかの解決を図ることにより、画像表示の乱れを抑制可能な電流駆動装置を提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の電流駆動装置は、半導体チップ上に設けられた電流駆動装置であって、基準電流を流すための基準電流源から、上記基準電流が伝達される第１導電型の第１のＭＩＳＦＥＴと、上記第１のＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成し、上記基準電流を流すための第１導電型の電流分配用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴに接続された第２導電型の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第２導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、表示データに応じた電流を出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部と、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴ及び上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第２導電型の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと、上記半導体チップのうち、上記電流伝達用ＭＩＳＦＥＴからの距離が２００μｍ以下の領域上に設けられ、上記電流伝達用ＭＩＳＦＥＴから伝達される電流を出力するための基準電流出力端子とを備えている。
【００３４】
これにより、本発明の電流駆動装置を設けた半導体チップを複数個並べて大画面の表示パネルを駆動する場合、次段の半導体チップに誤差の小さい電流を基準電流として伝達できるので、従来の電流駆動回路に比べ、半導体チップごとの出力電流のばらつきを低減することができる。その結果、表示むらや表示の乱れが抑えられた大画面あるいは高精細の表示装置を実現することができる。
【００３５】
上記基準電流出力端子が、上記半導体チップのうち、上記電流伝達用ＭＩＳＦＥＴからの距離が１００μｍ以内の領域上に設けられていれば、次段の半導体チップに伝達する電流の誤差をさらに低減できるので、より好ましい。
【００３６】
上記基準電流源は上記半導体チップの外部にあり、上記半導体チップのうち、上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴからの距離が２００μｍ以下の領域上には、上記基準電流源に接続され、上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴに電流を伝達するための第１の基準電流入力端子がさらに設けられていることにより、半導体チップをカスケード接続する場合、前段の半導体チップから出力された基準電流を、誤差の小さい状態で電流入力用ＭＩＳＦＥＴに伝達できる。従って、表示装置に用いる場合に、半導体チップごとに生じる表示むらを低減することができる。
【００３７】
上記第１のＭＩＳＦＥＴのドレインに接続され、上記半導体チップのうち上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴからの距離が２００μｍ以下の領域上に設けられた第１の基準電流入力端子と、上記第１のＭＩＳＦＥＴのドレインに接続され、第２導電型のＭＩＳＦＥＴから構成される入力側カレントミラー回路と、上記入力側カレントミラー回路に接続され、上記半導体チップのうち上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴからの距離が２００μｍ以下の領域上に設けられた上記第２の基準電流入力端子と、上記電流伝達用ＭＩＳＦＥＴから上記基準電流出力端子への電流伝達経路上に設けられ、第１導電型のＭＩＳＦＥＴから構成される出力側カレントミラー回路とをさらに備えていることにより、表示パネル上の画素回路を単一の半導体チップを並べて駆動することが可能となるので、複数種類の半導体チップを用いる場合に比べて表示装置の製造コストを低減することが可能となる。
【００３８】
上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴと上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとのペアが上記半導体チップにつき複数組み設けられている場合、１つの電流入力用ＭＩＳＦＥＴに接続される電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の数が従来に比べて減らせるので、電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電位の変化を速やかに収束させることが可能になる。そのため、本発明の電流駆動装置を用いれば、半導体チップごとの表示むらを抑えると同時にクロストーク表示を抑えることもできるようになる。
【００３９】
上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴと上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとの間に、上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴを所定の期間ごとに異なる上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴに接続させるように切り替えるための接続切替え手段をさらに備えている場合には、電流分配用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを平均化することができるので、さらに表示むらを抑えた表示装置を実現することができる。
【００４０】
上記半導体チップ上には、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴがまとまって設けられる複数のＭＩＳＦＥＴ領域が列状に配置されており、上記複数の電流供給部の各々は、少なくとも２つの上記ＭＩＳＦＥＴ領域内に配置されたＭＩＳＦＥＴを有していることにより、電流源用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを平均化することができるので、表示むらが視認されにくく、表示品質の高い表示装置を実現することができる。
【００４１】
上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、バイアス線に共通に接続されており、上記バイアス線上であって互いに隣接する上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極間には、抵抗素子がさらに設けられていることにより、電流分配用ＭＩＳＦＥＴにかかるゲート電圧を、電流分配用ＭＩＳＦＥＴのしきい値のばらつきに合わせて傾斜させることができるので、結果として、各電流供給部に分配する基準電流のばらつきを低減することができる。
【００４２】
本発明の第２の電流駆動装置は、駆動時に基準電流が流れる第１導電型の第１のＭＩＳＦＥＴと、上記第１のＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成し、上記基準電流を流すための第１導電型の第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴと、ドレインに上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴが接続された第２導電型の第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第２導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴのそれぞれに接続され、表示データに応じて上記電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れる電流をオンまたはオフに切り替えるためのスイッチと、上記スイッチに接続され、上記表示データに応じた電流を表示パネルに出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部とを備え、半導体チップ上に設けられた電流駆動装置であって、上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴと上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとのペアが上記半導体チップにつき複数組み設けられており、上記第１のＭＩＳＦＥＴのゲート電極と上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とに共通に接続されるバイアス線をさらに備えている。
【００４３】
これにより、１つの第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴに接続される電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極の数が従来に比べて減らせるので、電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電位の変化を速やかに収束させることが可能になる。従って、本発明の電流駆動装置によれば、クロストーク表示の発生を抑えることができるので、大画面あるいは高精細の表示パネルを有する表示装置を実現することができる。
【００４４】
上記複数の電流供給部内のすべての上記電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とすべての上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極とは互いに接続されていることにより、電流源用ＭＩＳＦＥＴにかかるゲート電位をしきい値のばらつきに合わせて傾斜させることができるので、出力端子ごとの出力電流のばらつきを抑えることができる。
【００４５】
上記複数の電流供給部のそれぞれは、上記スイッチと上記出力端子との間に介設され、駆動時にはゲート電極に上記表示パネルの電源電圧以下の電圧が印加されてオン状態となる第２導電型の第１のカスコードＭＩＳＦＥＴを有していることにより、本発明の電流駆動装置を表示装置に用いた場合、第１のカスコードＭＩＳＦＥＴがｎチャネル型であれば、表示の切替え時に表示パネルから電流源用ＭＩＳＦＥＴに高電圧が印加されるのを防ぐことができる。そのため、クロストーク表示の発生を抑制することが可能になる。
【００４６】
上記スイッチが、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴとカスコード接続を構成し、駆動時のゲート電極に所定の電圧が印加されるか否かによりオンまたはオフに制御される第２のカスコードＭＩＳＦＥＴであることによっても、出力端子が表示パネルに接続された場合、第２のカスコードＭＩＳＦＥＴが表示パネルから印加される高電圧を制限することができるので、クロストーク表示の発生を抑制することが可能になる。特に、スイッチを電圧制限用のＭＩＳＦＥＴとすることで、電圧制限用のＭＩＳＦＥＴを別に設ける場合よりも回路面積を低減することができる。
【００４７】
上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴと上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとの間に、上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴを任意の期間ごとに異なる上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴに接続させるように切り替えるための接続切替え手段をさらに備えていることにより、電流分配用ＭＩＳＦＥＴによって分配された基準電流がシャフリングされて出力されることとなるので、電流分配用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを平均化することができる。
【００４８】
特に、上記接続切替え手段は、第１のバイアス電流切替スイッチと、第２のバイアス電流切替スイッチとを有していることが好ましい。
【００４９】
上記半導体チップ上には、駆動時に一時的に上記第１のバイアス電流切替スイッチに接続される第１の端子と、駆動時に一時的に上記第２のバイアス電流切替スイッチに接続される第２の端子とがさらに設けられていることにより、半導体チップを複数個配置して表示パネルを駆動する場合に、電流分配用ＭＩＳＦＥＴによって分配された電流を、第１の端子及び第２の端子を介して隣接する半導体チップの出力端子から出力するように切り替えることもできる。このため、半導体チップ内のみならず、互いに隣接する半導体チップ上に設けられた電流駆動装置の出力電流のばらつきをも平均化することができる。
【００５０】
また、本発明の第２の電流駆動装置は、上記第１のＭＩＳＦＥＴ及び上記第１の電流分配用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型のダミー電流分配用ＭＩＳＦＥＴと、上記ダミー電流分配用ＭＩＳＦＥＴと上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとを一時的に接続させるためのダミー接続切替え手段とをさらに備えていることにより、例えば隣接する電流入力用ＭＩＳＦＥＴ間で接続される電流分配用ＭＩＳＦＥＴを順次切り替えるよう制御することができるので、比較的容易に出力端子からの出力電流を均一にすることが可能となる。
【００５１】
上記半導体チップ上には、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴがまとまって設けられる複数のＭＩＳＦＥＴ領域が列状に配置されており、上記複数の電流供給部の各々は、少なくとも２つの上記ＭＩＳＦＥＴ領域内に配置されたＭＩＳＦＥＴを有していることにより、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ及び電流源用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを平均化することができるので、出力端子間の出力電流の誤差を低減できる。特に、新たな素子を設ける必要がなく、配線構造を任意に変更すればよいので、回路面積の増加を抑えることができる。
【００５２】
上記バイアス線上であって互いに隣接する上記電流分配用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極間に設けられた抵抗素子をさらに備えていることにより、電流分配用ＭＩＳＦＥＴにかかるゲート電圧を、電流分配用ＭＩＳＦＥＴのしきい値のばらつきに合わせて傾斜させることができる。
【００５３】
本発明の第３の電流駆動装置は、駆動時に第１の基準電流が流れる第１導電型の第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、駆動時に第２の基準電流が流れる第１導電型の第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴのそれぞれに接続され、表示データに応じて上記電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れる電流をオンまたはオフに切り替えるためのスイッチと、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴと上記スイッチとの間にそれぞれ設けられ、上記第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型のカスコードＭＩＳＦＥＴと、上記スイッチに接続され、上記表示データに応じた電流を出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部とを備え、半導体チップ上に設けられている。
【００５４】
これにより、出力端子からの出力電流は電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れるはずの電流とカスコードＭＩＳＦＥＴを流れるはずの電流の平均値となるので、電流源用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきとカスコードＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきとが相殺され、結果として、出力端子からの出力電流のばらつきを低減できることとなる。
【００５５】
本発明の第４の電流駆動装置は、半導体チップ上に設けられた電流駆動装置であって、第１の基準電流を入力するための第１の基準電流入力端子と、第１の期間に上記第１の基準電流入力端子を流れる電流が伝達される第１導電型の第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記第１の期間に上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、表示データに応じた電流を出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部と、上記第１の期間に上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ及び上記電流源用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと、上記第１の期間に上記第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴを流れる電流が伝達される第１の基準電流出力端子と、第２の基準電流を入力するための第２の基準電流入力端子と、第２の期間に上記第２の基準電流入力端子を流れる電流が伝達され、且つ上記電流源用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記第２の期間に上記電流源用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと、上記第２の期間に上記第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴを流れる電流が伝達される第２の基準電流出力端子と、上記第１の基準電流入力端子と上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとの間の電流伝達経路上に設けられた第１のスイッチと、上記第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと上記第１の基準電流出力端子との間の電流伝達経路上に設けられた第２のスイッチと、上記第２の基準電流入力端子と上記第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとの間の電流伝達経路上に設けられた第３のスイッチと、上記第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと上記第２の基準電流出力端子との間の電流伝達経路上に設けられた第４のスイッチとを備えている。
【００５６】
これにより、第１の期間には第１、第２のスイッチを共にオンにし、第２の期間には第３、第４のスイッチをオフにすることで、第１の基準電流で駆動する場合と第２の基準電流で駆動する場合とに切り替えることが可能となる。その結果、電流供給部からの出力電流のばらつきが抑えられ、均一な表示が可能となる。
【００５７】
本発明の第１の表示装置は、供給された電流の量に応じて輝度が変化する発光素子を有する画素回路が設けられた表示パネルと、列状に配置された複数の半導体チップのそれぞれに設けられ、上記画素回路に駆動電流を供給するための電流駆動装置とを備えている表示装置であって、上記複数の半導体チップの各々は、端部に設けられ、基準電流を入力するための基準電流入力端子と、端部に設けられ、次段の半導体チップ用の基準電流を出力するための基準電流出力端子とを有しており、上記複数の半導体チップのうち、互いに隣接する半導体チップの上記基準電流入力端子と上記基準電流出力端子とは対向するように設けられている。
【００５８】
これにより、電流駆動装置が設けられた半導体チップ間で基準電流の伝達経路を最短にすることができるので、半導体チップごとの出力電流のばらつきを従来よりも低減することができる。
【００５９】
本発明の第２の表示装置は、供給された電流の量に応じて輝度が変化する発光素子を有する画素回路が設けられた表示パネルと、それぞれに上記画素回路に駆動電流を供給するための電流駆動装置が設けられた複数の半導体チップとを備えている表示装置であって、上記電流駆動装置は、駆動時に基準電流が流れる第１導電型の第１のＭＩＳＦＥＴと、上記第１のＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成し、上記基準電流を流すための第１導電型の複数の電流分配用ＭＩＳＦＥＴと、ドレインに上記複数の電流分配用ＭＩＳＦＥＴの各々が接続された第２導電型の複数の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第２導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、表示データに応じた駆動電流を上記画素回路に出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部とを有している。
【００６０】
これにより、電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電位の変動を速やかに収束させることができるので、クロストーク表示の発生を抑え、均一な表示を実現することができる。
【００６１】
本発明の第３の表示装置は、供給された電流の量に応じて輝度が変化する発光素子を有する画素回路が設けられた表示パネルと、それぞれに上記画素回路に駆動電流を供給するための電流駆動装置が設けられた複数の半導体チップとを備えている表示装置であって、上記電流駆動装置は、駆動時に第１の基準電流が流れる第１導電型の第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、駆動時に第２の基準電流が流れる第１導電型の第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴと、上記第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型の電流源用ＭＩＳＦＥＴと、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴのそれぞれに接続され、表示データに応じて上記電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れる電流をオンまたはオフに切り替えるためのスイッチと、上記電流源用ＭＩＳＦＥＴと上記スイッチとの間にそれぞれ設けられ、上記第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第１導電型のカスコードＭＩＳＦＥＴと、上記スイッチに接続され、上記表示データに応じた駆動電流を上記画素回路に出力するための出力端子とを有する複数の電流供給部とを有している。
【００６２】
これにより、出力端子からの出力電流は電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れるべき電流とカスコードＭＩＳＦＥＴを流れるべき電流の平均値となるので、電流源用ＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきとカスコードＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきとが相殺され、結果として、出力端子からの出力電流のばらつきを低減できることとなる。
【００６３】
上記半導体チップ上には、上記第１の基準電流を入力するための第１の基準電流入力端子と、上記第１の基準電流を出力するための第１の基準電流出力端子と、上記第２の基準電流を入力するための第２の基準電流入力端子と、上記第２の基準電流を出力するための第２の基準電流出力端子とがさらに設けられており、上記第１の基準電流出力端子は隣接する上記半導体チップの上記第１の基準電流入力端子に接続され、上記第２の基準電流出力端子は隣接する上記半導体チップの上記第２の基準電流入力端子に接続されていることにより、同一半導体チップ内の端子からの出力電流のばらつきが低減されると同時に、半導体チップ間の出力電流のばらつきも低減されるので、表示パネル全体に亘って均一な表示を行えるようになる。
【００６４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る電流駆動装置が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。
【００６５】
本実施形態の表示装置は、有機ＥＬ素子を有する画素回路（図示せず）が設けられた表示パネルと、画素回路に信号線を介して駆動電流を供給するための電流駆動装置とを備えている。電流駆動装置は、図２０に示す電流駆動装置と同様に、有機ＥＬ表示装置など、電流駆動型表示装置のソースドライバとして用いられる。本実施形態の表示装置においては、集積化された電流駆動装置が設けられた半導体チップが表示パネルの額縁部に複数個並べられている。図１では、互いに接続された２つの半導体チップをそれぞれ第１の半導体チップ２０、第２の半導体チップ２２として示す。
【００６６】
本実施形態の表示装置において、第１の半導体チップ２０には、表示パネル上に設けられた複数の画素回路（図示せず）のそれぞれに駆動電流を供給するための電流供給部４０と、電流供給部４０に基準電流を供給するための基準電流供給部と、ｎチャネル型の第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７と、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７に接続された基準電流出力端子９とが設けられている。基準電流出力端子９は、第１の半導体チップ２０のうち、第２の半導体チップ２２と対向する位置に設けられている。電流供給部４０は、実際には多数（例えば５２８個）設けられているが、図１では１つのみ示している。
【００６７】
基準電流供給部は、一端に電源電圧が供給されたｐチャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ１と、第１のＭＩＳＦＥＴ１に接続され、基準電流を発生させるための基準電流源４と、第１のＭＩＳＦＥＴ１とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第２のＭＩＳＦＥＴ（電流分配用ＭＩＳＦＥＴ）２と、第２のＭＩＳＦＥＴ２に接続され、基準電流を電流供給部４０に伝達するためのｎチャネル型の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３とを有している。
【００６８】
また、電流供給部４０は、電流源５−１、５−２、…、５−ｍ（ｍは正の整数）と、各電流源を流れる電流をオンまたはオフにするためのスイッチとを有している。電流源５−１、５−２、…、５−ｍのそれぞれは、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３及び第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７とカレントミラー回路を構成するＭＩＳＦＥＴ（電流源用ＭＩＳＦＥＴ）から構成されており、例えば、電流源５−１は１個のＭＩＳＦＥＴから、電流源５−２は互いに並列に接続された２個のＭＩＳＦＥＴから、電流源５−ｍは、互いに並列に接続された２^ｍ−１個のＭＩＳＦＥＴから構成されている。電流供給部４０は、いわゆる電流加算型Ｄ／Ａコンバータであり、表示データに応じて各スイッチがオンまたはオフすることにより、２^ｍ階調の表示を可能にしている。
【００６９】
第２の半導体チップ２２には、基準電流出力端子９に接続された基準電流入力端子１１と、基準電流入力端子１１に接続されたｐチャネル型の第３のＭＩＳＦＥＴ１３と、第３のＭＩＳＦＥＴ１３にカスコード接続され、ゲート電極が基準電流入力端子１１に接続されたｐチャネル型の第４のＭＩＳＦＥＴ１５と、第３のＭＩＳＦＥＴ１３とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第５のＭＩＳＦＥＴ１７と、第５のＭＩＳＦＥＴ１７にカスコード接続され、第４のＭＩＳＦＥＴ１５とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第６のＭＩＳＦＥＴ１９と、第６のＭＩＳＦＥＴ１９を流れる基準電流を受けるｎチャネル型の第７のＭＩＳＦＥＴ２３（第１の半導体チップ２０における電流入力用ＭＩＳＦＥＴに相当）と、表示パネル上に設けられた複数の画素回路（図示せず）のそれぞれに駆動電流を供給するための電流供給部４１と、次段の半導体チップに基準電流を伝達するためのｎチャネル型の第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ２７とを有している。また、第２の半導体チップ２２上には、第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ２７に接続された基準電流出力端子（図示せず）も設けられている。
【００７０】
基準電流入力端子１１は、第２の半導体チップ２２のうち、第１の半導体チップに対向する位置の近傍に設けられており、特に基準電流出力端子９に近接するように配置されている。
【００７１】
また、第２の半導体チップ２２では、第３のＭＩＳＦＥＴ１３、第４のＭＩＳＦＥＴ１５、第５のＭＩＳＦＥＴ１７、第６のＭＩＳＦＥＴ１９、及び第７のＭＩＳＦＥＴ２３は、第１の半導体チップ２０から基準電流出力端子９を介して伝達された基準電流を電流供給部４１に伝達するための基準電流供給部として機能する。
【００７２】
電流供給部４１は、電流源２５−１、２５−２、…、２５−ｍと、各電流源を流れる電流をオンまたはオフにするためのスイッチとを有している。電流源２５−１、２５−２、…、２５−ｍのそれぞれは、電流源５−１、５−２、…、５−ｍと同様に、第７のＭＩＳＦＥＴ２３及び第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ２７とカレントミラー回路を構成するＭＩＳＦＥＴから構成されている。
【００７３】
図１では２つの半導体チップのみを示しているが、表示パネルのサイズに応じて、第２の半導体チップ２２と同一構成のチップをさらに配置してもよい。通常の表示装置では、電流供給部が設けられた半導体チップは、一列に配置することが多いが、その場合には、各半導体チップの端部付近に設けられた基準電流出力端子９から基準電流入力端子１１へとカスケード状に基準電流が伝達される。
【００７４】
以上のような構成を有する本実施形態の半導体チップの特徴は、第２の半導体チップ２２の基準電流供給部が基準電流入力端子１１の近傍に配置されていることと、第１の半導体チップ２０の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７が基準電流出力端子９の近傍に配置されていることである。ここで、第７のＭＩＳＦＥＴ２３を含む基準電流供給部と基準電流入力端子１１との距離、及び電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７と基準電流出力端子９との距離は、不純物の拡散等による電気的特性のばらつきが問題とならない程度であればよい。この距離は、製造条件や工程によって異なってくるが、２００μｍ以下であれば許容することができ、一般的に１００μｍ以下であれば特に好ましい。。
【００７５】
このことにより、互いに隣接する半導体チップの電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７の出力電流を第２の半導体チップ２２用の基準電流として分配することができるので、半導体チップごとの出力電流（画素回路の駆動電流）のばらつきを従来よりも低減することができる。その結果、より均一な表示を行なう表示装置を実現することができる。
【００７６】
これに加え、本実施形態の表示装置においては、半導体チップの基準電流供給部及び基準電流入力端子１１とは、半導体チップのうち、前段の半導体チップに対向する位置の近傍に配置され、電流伝達用ＭＩＳＦＥＴと基準電流出力端子９は、半導体チップのうち、次段の半導体チップに対向する位置の近傍に配置されている。
【００７７】
これにより、基準電流出力端子９と基準電流入力端子１１との距離が短くなるので、電流供給部から出力される電流の、半導体チップごとのばらつきをさらに抑えることができる。ただし、半導体チップごとのばらつきを抑える効果は、基準電流の入出力端子を基準電流を伝達するＭＩＳＦＥＴの近傍に設けることにより得られる効果に比べて小さいので、必ずしも基準電流出力端子９と基準電流入力端子１１とを半導体チップの端部に設けなくてもよい。
【００７８】
なお、１個の半導体チップ内においては、本実施形態のように基準電流供給部（またはＭＩＳＦＥＴ）をチップの端部に配置するよりもチップの中央部に配置する方が電流供給部の位置による特性ばらつきは小さくなる。従って、この方式においても、基準電流出力端子９及び基準電流入力端子１１を基準電流供給部に近接させて設けることが好ましい。
【００７９】
以上のように、本実施形態の半導体チップを用いれば、半導体チップ間の特性ばらつきを抑えることができるので、表示むら等の発生が低減された表示装置を実現することができる。
【００８０】
なお、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７と基準電流出力端子９との間に、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴで構成されるカレントミラー回路が設けられていてもよい。
【００８１】
図２は、第１の実施形態に係る電流駆動装置の一例が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。
【００８２】
同図に示す例では、第１の半導体チップ２０において、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７と基準電流出力端子９との間に、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７に接続されたｐチャネル型の第３の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１０と、第３の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１０とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１２とが設けられている。
【００８３】
また、第２の半導体チップ２２の基準電流供給部においては、図１の基準電流供給部を構成するＭＩＳＦＥＴの導電型をすべて入れ替えた構成となっている。すなわち、第２の半導体チップ２２には、基準電流入力端子１１に接続されたｎチャネル型の第８のＭＩＳＦＥＴ３３と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３にカスコード接続され、ゲート電極が基準電流入力端子１１に接続されたｎチャネル型の第９のＭＩＳＦＥＴ３５と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１０のＭＩＳＦＥＴ３７と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７にカスコード接続され、第９のＭＩＳＦＥＴ３５とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１１のＭＩＳＦＥＴ３９と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７を流れる基準電流を受けるｐチャネル型の第１２のＭＩＳＦＥＴ４３とが設けられている。このような構成においては、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７、第３の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１０及び第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１２のそれぞれと第１の半導体チップ２０の基準電流出力端子９との距離が２００μｍ以下になっており、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７、第３の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１０及び第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ１２の３つのＭＩＳＦＥＴ間の距離もそれぞれ２００μｍ以下となっている。また、第２の半導体チップ２２の基準電流入力端子１１と
第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７から２００μｍ以下の近傍に第１の半導体チップ２０の基準電流出力端子９と第８のＭＩＳＦＥＴ３３、第９のＭＩＳＦＥＴ３５、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７、第１１のＭＩＳＦＥＴ３９及び第１２のＭＩＳＦＥＴ４３との距離はそれぞれ２００μｍ以下となっており、各ＭＩＳＦＥＴ間の距離も２００μｍ以下となっている。これに加え、第２の半導体チップ２２の基準電流入力端子１１と第１の半導体チップ２０の基準電流出力端子９とが近接するように配置されることは変わらないので、半導体チップごとの出力電流のばらつきを小さく抑えることができる。
【００８４】
また、図１及び図２に示す第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ２２とは、基準電流供給部の構成が多少異なっている。これに対し、表示装置に用いる半導体チップにおいて、基準電流供給部の構成を同一構成とすることもできる。
【００８５】
図３は、第１の実施形態の変形例に係る電流駆動装置が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。同図に示す第１の実施形態の変形例において、第１の半導体チップ２０の端部付近には、第１の基準電流入力端子１１ａ１及び第２の基準電流入力端子１１ｂ１が設けられている。また、基準電流供給部の構成は図２に示す第２の半導体チップ２２の基準電流供給部と同じであるが、第１の基準電流入力端子１１ａ１及び第２の基準電流入力端子１１ｂ１に接続されているところが異なっている。
【００８６】
すなわち、本変形例の第１の半導体チップ２０には、第２の基準電流入力端子１１ｂ１に接続されたｎチャネル型の第８のＭＩＳＦＥＴ３３ａ１と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３ａ１にカスコード接続され、ゲート電極が第１の基準電流入力端子１１ａ１に接続されたｎチャネル型の第９のＭＩＳＦＥＴ３５ａ１と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３ａ１とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１０のＭＩＳＦＥＴ３７ａ１と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７ａ１にカスコード接続され、第９のＭＩＳＦＥＴ３５ａ１とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１１のＭＩＳＦＥＴ３９ａ１と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７ａ１を流れる基準電流を受けるｐチャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ１とが設けられている。そして、第１のＭＩＳＦＥＴ１及び第２のＭＩＳＦＥＴ２のゲート電極、第１のＭＩＳＦＥＴ１のドレイン、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７ａ１のドレインのそれぞれは、第１の基準電流入力端子１１ａ１に接続されている。
【００８７】
本変形例においては、第１の半導体チップ２０と第２の半導体チップ２２の構成は同一となっている。ただし、第１の半導体チップ２０において、第１の基準電流入力端子１１ａ１は接地された抵抗１６（または基準電流源）に接続され、第２の基準電流入力端子１１ｂ１は接地されているのに対し、第２の半導体チップ２２において、第１の基準電流入力端子１１ａ２はオープン状態で、第２の基準電流入力端子１１ｂ２は第１の半導体チップ２０の基準電流出力端子９に接続されている。
【００８８】
本変形例の半導体チップを用いれば、表示パネルの駆動を１種類のチップのみで行なうことができるので、表示装置の製造コストを低減することが可能となる。
【００８９】
なお、以上で説明した半導体チップまたは電流駆動装置の例では、電流源５−１、５−２、…、５−ｍを構成するＭＩＳＦＥＴがｎチャネル型であったが、このＭＩＳＦＥＴをｐチャネル型に代えても同様に動作させることができる。この場合には、基準電流供給部を構成するＭＩＳＦＥＴや電流伝達用ＭＩＳＦＥＴの導電型を入れ替えればよい。
【００９０】
なお、本変形例の半導体チップを複数個カスケード接続する際に、最終段となる半導体チップの基準電流出力端子に抵抗１６と同じ抵抗値を有する抵抗を接続してもよい。
【００９１】
また、本実施形態の電流駆動装置において、第１の半導体チップ２０の基準電流出力端子９から出力される電流の値は、必ずしも基準電流源４を流れる基準電流の値に等しくなくてもよい。基準電流出力端子９から出力される電流は、第２の半導体チップ２２にとっての基準電流（第２の基準電流と呼ぶ）となるが、適当なミラー比のカレントミラー回路を基準電流入力端子１１と第７のＭＩＳＦＥＴ２３との間に設ければ、電流供給部４０を構成する電流源中のＭＩＳＦＥＴと電流供給部４１を構成する電流源中のＭＩＳＦＥＴにそれぞれ等しい電流を供給することができる。
【００９２】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。本実施形態の電流駆動装置の特徴は、図２１に示す従来の電流駆動装置に加え、電流供給部５９の各々に基準電流を伝達するための電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７が設けられている点である。ここで、「電流供給部５９」とは、図４に示す電流供給部５９−１〜ｍの各々を意味し、「電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５」とは、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１〜ｍの各々を、「電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７」とは、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−１〜ｍの各々を意味するものとする。
【００９３】
図４に示すように、本実施形態の電流駆動装置は、ｐチャネル型の第１のＭＩＳＦＥＴ５３と、第１のＭＩＳＦＥＴ５３に接続され、基準電流を生成するための基準電流源５８と、第１のＭＩＳＦＥＴ５３とカレントミラー回路を構成し、基準電流を分配するためのｐチャネル型の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１、５５−２、…、５５−ｎと、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１、５５−２、…、５５−ｎにそれぞれ接続されたｎチャネル型の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−１、５７−２、…、５７−ｎと、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−１、５７−２、…、５７−ｎからカレントミラーを介して基準電流を伝達され、画素回路（図示せず）に駆動電流を供給するための電流供給部５９−１、５９−２、…、５９−ｎとを備えている。ここで、ｎは半導体チップあたりの出力数である。また、第１のＭＩＳＦＥＴ５３のゲート電極と、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１、５５−２、…、５５−ｎの各ゲート電極とは、共通のバイアス線５６に接続されている。
【００９４】
また、電流供給部５９−１、５９−２、…、５９−ｎの各々の構成は第１の実施形態で説明した電流供給部４０（図１参照）とほぼ同一である。例えば、電流供給部５９−１は、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−１とカレントミラー回路を構成するＭＩＳＦＥＴからなるｍ個の電流源と、該電流源を流れる電流をオンまたはオフにするためのスイッチ（図示せず）とを有している。ただし、電流源を構成するＭＩＳＦＥＴのうち、異なる出力端子に接続されるＭＩＳＦＥＴのゲート電極同士は、図４に示すように接続されていなくてもよいが、後述するように互いに接続されていてもよい。
【００９５】
この電流供給部５９がｍ個の電流源を有する場合、２^ｍ階調の表示が可能になる。図４に示す例では、図示を省略しているが、電流供給部５９のそれぞれは、６ビット分の電流源を有しており、互いに同サイズの６３個のＭＩＳＦＥＴで構成されている。なお、図４では、電流供給部５９と電流入力用ＭＩＳＦＥＴの一組を電流供給ユニット５１として示している。ここで、「電流供給ユニット５１」は、電流供給ユニット５１−１〜ｍの各々を意味するものとする。
【００９６】
本実施形態の電流駆動装置においては、電流供給部５９ごとに基準電流を分配するための電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７を設けているので、表示装置が黒表示から白表示に切り替わる際に、パネル側から電流が流れ込んでも電流供給部５９中の電流源の動作は影響を受けにくくなっている。つまり、本実施形態の電流駆動装置においては、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７を電流供給部ごとに設けることで、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７の１組みに接続されるＭＩＳＦＥＴのゲート電極数が従来に比べて少なくなっている。このため、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７のゲート電極と電流供給部５９の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極とを接続するバイアス配線の容量が低減するので、電流供給部５９中の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電極の電位の変動を吸収しやすくなっている。その結果、電流供給部５９の出力の変動が抑えられる。
【００９７】
これと同様の理由で、白表示から黒表示に切り替わる際にも、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５は影響を受けず、常時一定の電流を電流供給部５９に分配することができる。
【００９８】
従って、本実施形態の電流駆動装置を用いれば、表示データの書き込み期間内に、電流供給部５９内の電流源用ＭＩＳＦＥＴのゲート電位の変動が速やかに収束するので、クロストークの発生を抑え、表示の乱れが少ない電流駆動型の表示装置を実現することができる。
【００９９】
また、本実施形態の電流駆動装置を設けた半導体チップに、第１の実施形態で説明した基準電流の入力端子、出力端子を設けることにより、表示の乱れや表示むらをさらに抑えた表示装置を実現することが可能になる。
【０１００】
図５は、基準電流の入力端子及び出力端子をチップの端部に設けた場合の本実施形態の半導体チップを示す図である。
【０１０１】
図５に示す第１の半導体チップ７０及び第２の半導体チップ７２には、それぞれ先に説明した本実施形態の電流駆動装置が設けられている。そして、第１の半導体チップ７０には、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び第１のＭＩＳＦＥＴ５３とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６１と、電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６１に接続された基準電流出力端子９とが設けられている。
【０１０２】
一方、第２の半導体チップ７２には、基準電流出力端子９に接続された基準電流入力端子１１と、基準電流入力端子１１に接続されたｎチャネル型の第８のＭＩＳＦＥＴ３３と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３にカスコード接続され、ゲート電極が基準電流入力端子１１に接続されたｎチャネル型の第９のＭＩＳＦＥＴ３５と、第８のＭＩＳＦＥＴ３３とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１０のＭＩＳＦＥＴ３７と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７にカスコード接続され、第９のＭＩＳＦＥＴ３５とカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の第１１のＭＩＳＦＥＴ３９と、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７を流れる基準電流を受けるｐチャネル型の第１２のＭＩＳＦＥＴ４３と、基準電流出力端子９（図示せず）とが設けられている。なお、ここでは、図２に示す第１の実施形態と同じ部材には同じ部材名、同じ符号を付している。
【０１０３】
また、基準電流出力端子９は、例えば第１の半導体チップ７０及び第２の半導体チップ７２の端部付近に配置されている。さらに、基準電流出力端子９と電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６１との距離は約１００μｍ以下となっている。また、基準電流入力端子１１は、例えば第２の半導体チップ７２の端部付近に配置され、第１の半導体チップ７０の基準電流出力端子９に対向するように設けられている。そして、基準電流入力端子１１と第１２のＭＩＳＦＥＴ４３など基準電流供給部を構成するＭＩＳＦＥＴとの距離はそれぞれ約１００μｍ以下となっている。
【０１０４】
基準電流源５８と第１のＭＩＳＦＥＴ５３とに生じる基準電流は、カレントミラーを介して電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６１に伝達され、基準電流出力端子９から出力される。次いで、基準電流は基準電流入力端子１１に入力され、第８のＭＩＳＦＥＴ３３、第９のＭＩＳＦＥＴ３５、第１０のＭＩＳＦＥＴ３７及び第１１のＭＩＳＦＥＴ３９を介して第１２のＭＩＳＦＥＴ４３に入力される。そして、基準電流は、第２の半導体チップ７２上に設けられ、第１２のＭＩＳＦＥＴ４３とカレントミラー回路を構成する電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ（図示せず）に伝達される。電流伝達用ＭＩＳＦＥＴに伝達された基準電流は、基準電流出力端子９（図示せず）を介して、さらに次段の半導体チップへと伝達される。
【０１０５】
以上のような構成により、互いに近接した基準電流出力端子９から基準電流入力端子１１へと誤差の小さい基準電流が伝達されるので、同一半導体チップ内において、クロストークの発生を抑えると共に、電流駆動装置が設けられた半導体チップごとの出力電流のばらつきを小さく抑えることができる。
【０１０６】
従って、以上のような基準電流の入出力構成を取ることで、よりムラの少ない画像表示を実現することが可能になり、大画面且つ高精細の有機ＥＬ表示パネルやＬＥＤ表示パネルなどを実現することが可能となる。
【０１０７】
また、図示しないが、基準電流供給部を図３に示す例と同様の構成とすることで、表示装置に用いる半導体チップを１種類のみとすることができ、製造コストの低減を図ることができる。
【０１０８】
なお、本実施形態の電流駆動装置において、図４では電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７を電流供給部５９ごとに設ける例を示したが、２つ以上の電流供給部５９に対して１組みの電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７が設けられていてもよい。この場合、半導体チップあたり電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７のペアが２組み以上あればよい。クロストークの抑制効果は電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５が多いほど大きくなるが、実際の回路では、回路面積と性能のバランスを考慮して設計することが好ましい。
【０１０９】
また、図６は、本実施形態の電流駆動装置の一変形例を示す回路図である。半導体チップにおいて、基準電流入力端子から基準電流出力端子へと向かう方向（チップの長手方向）に配置されたＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧Ｖｔは、不純物濃度の勾配などの要因により、例えば入力端子に近い側では高く、出力端子に近い側では低くなるように勾配がついている。
【０１１０】
そこで、図６に示すように、本実施形態の電流駆動装置において、電流供給部５９−１〜ｍ内の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴのうち、異なる出力端子に接続されるＭＩＳＦＥＴのゲート電極同士、及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７のゲート電極同士は、互いに接続してもよい。この場合、各ＭＩＳＦＥＴのしきい値の勾配に合わせて各ＭＩＳＦＥＴのゲート電極に勾配をつけた電圧を印加することができるので、電流供給部５９から出力される電流のばらつきを低減することができる。なお、本変形例の場合、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７及び電流供給部５９内のＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６６と、電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６６に接続された基準電流出力端子９とを設け、次段の半導体チップに接続する。この際に、図３の例のように、電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６６及び基準電流出力端子９を半導体チップの端部付近に配置すれば、半導体チップごとの出力電流のばらつきを低減することができる。
【０１１１】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の電流駆動装置のうち、電流供給ユニット５１の構成例を拡大して示す回路図である。
【０１１２】
図７に示すように、本実施形態の電流駆動装置は、第２の実施形態の電流駆動装置と同様に、複数の電流分配用ＭＩＳＦＥＴを備えている。ただし、以下の点が第２の実施形態の電流駆動装置と異ななる本実施形態の電流駆動装置の特徴である。
【０１１３】
まず、本実施形態の電流駆動装置の第１の特徴は、電流供給部５９において電流源となるｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴにカスコード接続されるｎチャネル型のカスコードＭＩＳＦＥＴ７７が設けられていることである。ここで、電流供給部５９の構成は、図７では簡略化して示しているが、実際には図８（ａ）または（ｂ）のようになっている。
【０１１４】
図８（ａ）に示す例では、ｍビット分の電流源６０−１、６０−２、…６０−ｍに対し、スイッチ６４−１、６４−２、…６４−ｍを介して１つのカスコードＭＩＳＦＥＴ７７が設けられている。そして、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７のゲート電圧Ｖｃｌｐは、表示パネルの電源電圧（例えば３Ｖ程度）よりも低い値に設定されている。また、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７のしきい値電圧は、ゲート電圧Ｖｃｌｐ以下となっており、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７は、駆動時を通してオン状態となっている。
【０１１５】
これにより、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７は、クランプ回路として機能し、スイッチ６４−１、６４−２、…６４−ｍが非導通状態から一斉に導通状態に切り替わる際に、パネル側から流入する電流を制限することができる。特に、ゲート電圧Ｖｃｌｐが表示パネルの電源電圧よりも低い値に設定されていることにより、表示パネル側から瞬時に高電圧が出力端子６８に印加される場合にも、電流源６０−１、６０−２、…６０−ｍを構成する各ＭＩＳＦＥＴのドレインに印加される電圧をゲート電圧Ｖｃｌｐ以下にすることができる。従って、電流源６０−１、６０−２、…６０−ｍを構成するＭＩＳＦＥＴのゲート電位が表示パネルから流れ込む電流による変動を受けにくくなるので、本実施形態の電流駆動装置では、クロストーク表示の発生が抑えられ、均一な表示が実現されている。
【０１１６】
なお、電流制御手段として、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７に代えて、ポリシリコン抵抗、拡散抵抗、ウエル抵抗などの抵抗素子を設けてもよい。半導体集積回路では、一般に、外部からの電荷の流入を防止するための電流制限用の抵抗を配置し、内部回路を静電破壊から保護している。ここで、当該抵抗は、表示パネルからの電荷の流入に制限を加え、高周波成分を除去する役割を果たす。そして、高周波成分が除去されることによって、電流源であるＭＩＳＦＥＴのゲート−ドレイン間の寄生容量を低減できるので、パネルから流入する電荷によるゲート電位の変動を抑えることができる。
【０１１７】
また、本実施形態の電流駆動装置における電流供給部は、図８（ｂ）に示すような構成をとってもよい。この例では、電流供給部５９に流れる電流量を制御するためのスイッチ（図８（ａ）でのスイッチ６４−１〜ｍに相当）に代えて、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７−１、７７−２、…、７７−ｍが設けられている。そして、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７−１、７７−２、…、７７−ｍのそれぞれは、表示パネルの電源電圧よりも低いゲート電圧Ｖｃｌｐが印加されてオン状態
となる。なお、本実施例のカスコードＭＩＳＦＥＴ７７−１、７７−２、…、７７−ｍは、電流供給部５９の出力制御スイッチを兼ねているので、表示データに従ってオン又はオフに制御される。
【０１１８】
これにより、カスコードＭＩＳＦＥＴ７７−１、７７−２、…、７７−ｍは黒表示から白表示への切替時などに、電流供給部５９の電流源に急激に大電流が流れるのを防ぐように働く。さらに、この構成によれば、図８（ａ）に示す実施例に比べて回路面積を低減することができるので、本実施例の電流駆動装置は、特にドライバＬＳＩの小面積化が要求される表示装置に好ましく用いられる。
【０１１９】
次に、本実施形態の電流駆動装置の第２の特徴は、ｐチャネル型の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７との間に、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５にカスコード接続され、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と同導電型の第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ７３が設けられている点である。このため、本実施形態の電流駆動装置は、第１のＭＩＳＦＥＴ５３のドレインと基準電流源５８との間に設けられたｐチャネル型の第１３のＭＩＳＦＥＴ７１と、電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ６１にカスコード接続し、第１３のＭＩＳＦＥＴ７１とカレントミラー回路を構成するｐチャネル型の第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７５とを有している。そして、第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ７３の各ゲート電極は共通のバイアス線に接続され、第１３のＭＩＳＦＥＴ７１及び第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７５とカレントミラー回路を構成する。ここで、「第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ７３」とは、第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ７３−１〜ｍのそれぞれを区別しない場合の表現とする。
【０１２０】
このような構成により、本実施形態の電流駆動装置では、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７を介して電流供給部５９の電流源６０−１〜ｍに伝達される基準電流の変動を抑え、安定化させることができる。そのため、本実施形態の電流駆動装置を用いることにより、電流駆動型表示装置の表示品質をさらに向上させることができる。
【０１２１】
次に、本実施形態の電流駆動装置の第３の特徴は、第１の実施形態で説明したように、基準電流出力端子９及び基準電流入力端子１１が半導体チップの端部付近に設けられており、且つ互いにカレントミラー回路を構成するｎチャネル型の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７９、８１も半導体チップの端部付近に設けられている点である。さらに、図７に示す例において、基準電流源５８が第１の半導体チップ７０の外部にあり、基準電流源５８と第１３のＭＩＳＦＥＴ７１のドレインとの間に基準電流入力端子が設けられている場合には、第１の半導体チップ７０と第２の半導体チップ７２とを同一構成にすることができる。
【０１２２】
これにより、半導体チップ間の出力電流のばらつきが抑えられると共に、表示装置のドライバを単一種類の半導体チップで構成することができる。
【０１２３】
なお、本実施形態の電流駆動装置において、上述の３つの特徴を有する例を説明したが、いずれか１つの特徴のみを有する場合や、いずれか２つの特徴を組み合わせるであっても、従来に比べてより均一な表示を実現することができる。
【０１２４】
なお、本実施形態の電流駆動装置において、電流供給部５９に含まれるＭＩＳＦＥＴの導電型をｐチャネル型とし、電流供給部５９側を表示パネルよりも高電位としてもよい。その場合、電流駆動装置を構成するＭＩＳＦＥＴの導電型をすべて逆にすればよい。これは、以下の実施形態でも同様である。
【０１２５】
（第４の実施形態）
図９は、本発明の第４の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【０１２６】
同図に示すように、本実施形態の電流駆動装置は、第２の実施形態の電流駆動装置において、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５から構成されるカレントミラー回路によって分配された基準電流を、任意に切り替えて（シャッフルして）電流供給部５９の出力端子から出力することを特徴としている。従って、本実施形態の電流駆動装置において、電流供給ユニット５１−１〜ｎ内部の回路構成は第２の実施形態と同一である。
【０１２７】
図９に示す本実施形態の電流駆動装置の例では、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５が電流供給部５９ごとに設けられており、且つ、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５のドレインと電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７のドレインとの間に第１のバイアス電流切替スイッチ９１と第２のバイアス電流切替スイッチ９２とが設けられている。例えば、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−１との間には第１のバイアス電流切替スイッチ９１−１及び第２のバイアス電流切替スイッチ９２−１が、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−２と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７−２との間には第１のバイアス電流切替スイッチ９１−２及び第２のバイアス電流切替スイッチ９２−２が、それぞれ設けられている。
【０１２８】
この構成により、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１〜ｎのそれぞれにより分配される基準電流を、任意の期間ごとに異なる電流供給部５９の出力端子から出力させることができる。第１のバイアス電流切替スイッチ９１及び第２のバイアス電流切替スイッチ９２の接続の切り替えのタイミングは、例えばｎラインごと（ｎは正の整数）、あるいは１フレームごとなど、任意に設定できる。
【０１２９】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の電流駆動装置において、出力電流の切替方式の一例を示す回路図であり、図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の電流駆動装置において、出力電流の切替方式の別の一例を示す回路図である。
【０１３０】
図１０（ａ）〜（ｃ）では、１つの電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５について見た場合、両隣に位置する電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流供給ユニット５１への接続を切り替える方法を示している。ここで、隣接する電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５同士で接続を切り替える際には、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１の隣と電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−ｎの隣に、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１〜ｎを挟んでそれぞれダミー電流分配用ＭＩＳＦＥＴ９５、９９を設けるとよい。この際には、ダミーバイアス電流切替スイッチ９６、９７、１００、１０１も設けておく。
【０１３１】
電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１を例にとって本方式を説明する。ここでは、接続の切り替えを水平走査期間ごとに行なう例を示す。
【０１３２】
まず、最初の水平走査期間に、図１０（ａ）に示すように通常通り、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は電流供給ユニット５１−１に接続される。
【０１３３】
次の水平走査期間では、図１０（ｂ）に示すように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は、電流供給ユニット５１−２に接続される。
【０１３４】
さらに次の水平走査期間では、図１０（ｃ）に示すように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は、ダミー配線に接続される。なお、ここでは、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１のみの説明をしたが、他の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５の接続も同様に切り替える。
【０１３５】
以上のように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と出力電流との関係を３通りに切り替えることができるので、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５の特性ばらつきを相殺することができる。このため、本実施形態の電流駆動装置を用いれば、表示のちらつきが抑えられた電流駆動型の表示装置を実現することができる。なお、図１０に示す例では、接続の切り替えパターンが（ａ）〜（ｃ）に示す３通りであったが、これより多くてもよいし、（ｂ）、（ｃ）に示す２通りのみでもよい。
【０１３６】
また、本実施形態の電流駆動装置は、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すような切り替え方式をとることもできる。
【０１３７】
すなわち、最初の水平走査期間には、図１１（ａ）に示すように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は電流供給ユニット５１−３に接続される。
【０１３８】
そして、次の水平走査期間には、図１１（ｂ）に示すように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は電流供給ユニット５１−２に接続される。
【０１３９】
さらに、次の水平走査期間には、図１１（ｃ）に示すように、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１は、ダミーバイアス電流切替スイッチ９７ｂに接続される。このような切り替え方法によっても、電流供給部５９からの出力電流の誤差は見かけ上相殺される。
【０１４０】
なお、本実施形態の電流駆動装置において、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５の接続切り替え方法は上述の方法に限らず、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１〜ｎのそれぞれが接続される電流供給ユニット５１は、任意に切り替えることができる。ただし、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５は、なるべく近傍に位置する第２のバイアス電流切替スイッチ９２に接続させる方が、配線を短くするとともに単純化できるので、より好ましい。従って、互いに隣接する電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５同士で接続を切り替えることが最も好ましい。
【０１４１】
なお、本実施形態の電流駆動装置では、出力端子間の接続を切り替えるためのバイアス電流切替スイッチ９１、９２を、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７との間に設けたが、電流供給部５９−１を構成するｎチャネル型のＭＩＳＦＥＴのドレインとスイッチ６４（図８参照）との間にそれぞれ第１及び第２のバイアス電流切替スイッチ９１、９２を設けてもよい。
【０１４２】
また、図９〜図１１に示す電流駆動装置では、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７との接続切替え手段としてスイッチ（あるいは切替用端子）を用いたが、これ以外の切替え手段を設けてもよい。
【０１４３】
なお、本実施形態の電流駆動装置において、回路面積が限られる場合、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７は、複数の電流供給部５９あたり１つの割で設けられていてもよい。
【０１４４】
−第４の実施形態の変形例−
図１２は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る電流駆動装置及び半導体チップを示す回路図である。
【０１４５】
本変形例の電流駆動装置は、図９に示す電流駆動装置とほぼ同様の構成をとっている。ただし、第１の半導体チップ７０においては、第１のバイアス電流切替スイッチ９１−ｎに接続された第１の端子１６０と、第２のバイアス電流切替スイッチ９２−ｎに接続された第２の端子１６２が設けられている点が第４の実施形態と異なっている。また、第２の半導体チップ７２においては、第１の端子１６０、第２の端子１６２に加え、第１のバイアス電流切替スイッチ９１−１に接続された第３の端子１６４と、第２のバイアス電流切替スイッチ９２−１に接続された第４の端子１６６とがさらに設けられている。
【０１４６】
これにより、本変形例の電流駆動装置が設けられた半導体チップを複数個配置する場合、同一半導体チップ内のみならず、互いに隣接する半導体チップ上に設けられた電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴとの間で接続を切り替えることができるようになる。なお、図１２に示す例では、第１の端子１６０は第１のバイアス電流切替スイッチ９１−ｎに接続され、第２の端子１６２は第２のバイアス電流切替スイッチ９２−ｎに接続されているが、第１の端子１６０及び第２の端子１６２は、それぞれより遠くに位置する第１のバイアス電流切替スイッチ９１及び第２のバイアス電流切替スイッチ９２に接続されるように設計してもよい。
【０１４７】
本変形例の電流駆動装置を以上のように駆動させることにより、半導体チップ内の出力端子からの出力電流のばらつきが低減されるだけでなく、半導体チップ間の出力電流のばらつきをも低減することが可能となる。
【０１４８】
（第５の実施形態）
図１３は、本発明の第５の実施形態に係る電流駆動装置の第１の具体例において、電流供給部の構成を示す図である。
【０１４９】
本発明の第１〜４までの実施形態に係る電流駆動装置において、電流供給部５９−１、５９−２、…、５９−３を構成するＭＩＳＦＥＴは、図１３の上側に示すレイアウト図のように、各電流供給部ごとにまとまって配置されることが多い。以下の説明において、これらのＭＩＳＦＥＴが設けられている領域のうち、電流供給部５９−１を構成しているＭＩＳＦＥＴが配置される領域を第１のＭＩＳＦＥＴ領域７６−１、電流供給部５９−２を構成しているＭＩＳＦＥＴが配置される領域を第２のＭＩＳＦＥＴ領域７６−２、電流供給部５９−３を構成しているＭＩＳＦＥＴが配置される領域を第３のＭＩＳＦＥＴ領域７６−３と呼ぶものとする。なお、第１〜第３のＭＩＳＦＥＴ領域を区別しないで呼ぶときは、ＭＩＳＦＥＴ領域７６と称するものとする。なお、図１４には図示を省略しているが、ＭＩＳＦＥＴ領域７６内には、それぞれ１６個と３２個の同サイズのＭＩＳＦＥＴがさらに設けられている。
【０１５０】
本具体例の電流駆動装置は、このような回路配置の電流駆動装置において、１つの電流供給部５９が、異なるＭＩＳＦＥＴ領域７６内に設けられたＭＩＳＦＥＴから構成されていることを特徴としている。
【０１５１】
電流供給部５９を構成するＭＩＳＦＥＴについては、半導体チップ内の位置の違いや製造工程などによって特性ばらつきが見られる。特に、異なるＭＩＳＦＥＴ領域内のＭＩＳＦＥＴ同士の特性ばらつきは比較的大きくなっている。従って、本具体例の電流駆動装置では、隣接する出力端子間、あるいは互いに離れた出力端子間で出力電流をシャフリングすることにより、電流供給部５９を構成するＭＩＳＦＥＴの特性ばらつきを平均化することができるので、出力端子ごとの出力電流のばらつきを抑えることができる。よって、本具体例の電流駆動装置を表示装置に用いることで、表示むらを抑え、表示画質の向上を図ることが可能となる。
【０１５２】
なお、本具体例の電流駆動装置では、半導体チップ内の任意のＭＩＳＦＥＴ領域７６内のＭＩＳＦＥＴを組み合わせて１つの電流供給部５９を構成してもよいが、図１３に示すように、互いに隣接するＭＩＳＦＥＴ領域内のＭＩＳＦＥＴを組み合わせれば、配線が容易となるので特に好ましい。ただし、出力電流をより均一化するためには、互いに離れたＭＩＳＦＥＴ領域内のＭＩＳＦＥＴを組み合わせることが必要となるので、実際には配線の容易さとばらつき低減の効果のバランスを考えて設計する。いずれの場合においても、回路設計時に、どのＭＩＳＦＥＴ領域内のＭＩＳＦＥＴをどの電流供給部５９の出力端子に接続するかは、乱数などを用いて決定すればよい。
【０１５３】
また、図１４は、第５の実施形態に係る電流駆動装置の第２の具体例において、電流供給部の構成を示す図である。
【０１５４】
第１の具体例の電流駆動装置では、各ＭＩＳＦＥＴ領域７６内でビットに応じた電流源となるＭＩＳＦＥＴの配置が固定されていた（図１３参照）。
【０１５５】
これに対し、本具体例の電流駆動装置では、図１４の上側のレイアウト図に示すように、ＭＩＳＦＥＴ領域７６内に設けられた任意のＭＩＳＦＥＴのゲート電極同士を接続して電流供給部５９の電流源を構成している。言い換えれば、本具体例の電流駆動装置では、出力端子ごとに電流源を構成するＭＩＳＦＥＴの選択をランダムに変えている。
【０１５６】
同一のＭＩＳＦＥＴ領域７６内に設けられたＭＩＳＦＥＴでも、位置により特性のばらつきが見られるので、本具体例のように、各ＭＩＳＦＥＴ領域７６内に設けられたＭＩＳＦＥＴからランダムに選択したＭＩＳＦＥＴで電流供給部５９を構成することにより、第１の具体例よりもさらに出力電流のばらつきを均一化し、抑えることが可能となる。これにより、本具体例の電流駆動装置を表示装置に用いることで、表示むらを抑え、表示画質の向上を図ることが可能となる。また、スイッチを設ける面積が不要となるので、第４の実施形態に比べて回路面積を小さくすることが可能である。
【０１５７】
なお、本実施形態の第１及び第２の具体例に係る電流駆動装置の回路配置及び配線構造は、第１〜第４の実施形態に限らず、図２０に示す従来の電流駆動装置にも応用しても同様の効果を得られる。また、第４の実施形態に本実施形態の配線構造を適用すれば、出力端子による電流の誤差を顕著に小さくすることができる。
【０１５８】
（第６の実施形態）
図１５は、本発明の第６の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【０１５９】
同図に示すように、本実施形態の電流駆動装置は、図４に示す第２の電流駆動装置において、バイアス線５６上であって互いに隣接する電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５のゲート電極間に、抵抗６２が設けられていることを特徴とする。ここで、「抵抗６２」とは、図１５中の抵抗６２−１、６２−２、…、６２−（ｎ−１）のそれぞれを区別しない場合の表現である。なお、図１５に示すバイアス線５６の基準電流出力端子側には、電位勾配を作るための電流源または配線（図示せず）が接続されている。
【０１６０】
本実施形態の電流駆動装置においては、抵抗６２が設けられていることにより、出力端子間で出力電流の誤差が低減されている。以下、このことについて説明する。
【０１６１】
カレントミラー回路は、これを構成するトランジスタの拡散条件が等しく、しきい値Ｖｔやキャリア移動度に有意差がないことを前提としている。ところが、表示装置用ドライバＬＳＩのチップの長さが１０ｍｍから２０ｍｍもの長さになると、トランジスタに含まれる不純物の拡散を均一に行なうことが困難になってくる。この結果、カレントミラーとなるトランジスタのしきい値にばらつきが生じ、ひいては出力電圧のばらつきを生じることになる。通常は、拡散の変動はウエハー面に対し徐々に傾きを持つ。このため、例えば、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５のしきい値電圧Ｖｔは、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１から電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−ｎの方向に向かうにつれ、低くなる。
【０１６２】
本実施形態の電流駆動装置においては、バイアス線５６上に抵抗６２が設けられているので、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５−１〜ｎに加わるゲート電圧を、しきい値Ｖｔの勾配に合わせて傾斜させることができるので、結果的に、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５に流れる電流値をほぼ一定にすることができる。
【０１６３】
従って、本実施形態の電流駆動装置によれば、半導体チップ内の電流供給部５９からの出力電流のばらつきを抑え、表示装置の画質を向上させることができる。
【０１６４】
なお、本実施形態の電流駆動装置には、第１の実施形態で説明したような基準電流の入出力端子の構成や、第４、第５の実施形態で説明した構成を併せて採用してもよい。
【０１６５】
（第７の実施形態）
図１６は、本発明の第７の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【０１６６】
同図に示すように、本実施形態の電流駆動装置には、図２０に示すような従来の電流駆動装置に加え、電流供給部５９の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴのそれぞれに、該ＭＩＳＦＥＴと同導電型で、且つ該ＭＩＳＦＥＴとカスコード接続を形成するカスコードＭＩＳＦＥＴ８０が設けられている。図１６に示す電流供給部５９の構成は、図７に示す電流供給部５９の構成と似ているように見えるが、電流源を構成するＭＩＳＦＥＴごとにカスコードＭＩＳＦＥＴ８０が設けられている点、カスコードＭＩＳＦＥＴ８０と出力端子（図示せず）との間に、出力電流の階調制御を行なうためのスイッチ６４が設けられている点、さらに、各カスコードＭＩＳＦＥＴ８０のゲート電極が第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５のゲート電極に共通に接続されている点が異なる。そして、第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５のドレインとゲート電極とは互いに接続され、基準電流が流れるように設定されている。また、カスコードＭＩＳＦＥＴ８０は第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５とカレントミラー回路を構成している。この第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５のドレインには、例えば、基準電流を分配するための第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ（図示せず）が接続されている。
【０１６７】
従って、本実施形態で説明する電流供給部５９の各々においては、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７側からと第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５側からの両方向からバイアス電圧を受けることになっている。
【０１６８】
この構成により、電流供給部５９の出力電流は、カスコードＭＩＳＦＥＴ８０が接続されない場合の電流源を構成するＭＩＳＦＥＴ（電流源用ＭＩＳＦＥＴ）に流れるはずの電流とカスコードＭＩＳＦＥＴ８０を単独で設けた場合に流れるはずの電流とが平均化される。すべての電流源用ＭＩＳＦＥＴには互いに等しいゲート電圧が印加され、且つすべてのカスコードＭＩＳＦＥＴ８０にも互いに等しいゲート電圧が印加されるが、電流源用ＭＩＳＦＥＴ及びカスコードＭＩＳＦＥＴ８０のしきい値は、半導体チップ上の位置により、図１６の右方向から左方向へ互いに逆方向の勾配がついて変化している。そのため、電流源用ＭＩＳＦＥＴを流れるはずの電流とカスコードＭＩＳＦＥＴ８０を流れるはずの電流とを平均化することで、出力端子ごとの出力電流のばらつきが平均化され、均一化されることとなる。従って、本実施形態の電流駆動装置を用いれば、表示むらが抑えられた高精細の表示装置を実現することができる。
【０１６９】
なお、図１６では、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７と電流分配用ＭＩＳＦＥＴ（第１のＭＩＳＦＥＴ）５５のペア、及び第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５と第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴのペアが半導体チップあたり１ペアずつ設けられている例を示したが、第２の実施形態の電流駆動装置で説明した構成と組み合わせてもよい。
【０１７０】
図１７は、本実施形態の電流駆動装置において、第２の実施形態と組み合わせた場合の電流駆動装置を示す回路図である。本電流駆動装置においては、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７と電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５のペアが複数組み設けられている。
【０１７１】
この場合、第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５と第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５ｂのペアも半導体チップあたり複数組み設けることが好ましい。特に、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７と電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５のペア数と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５と第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５ｂのペア数とを等しくすれば、出力電流の端子ごとのばらつきをより効果的に低減できるので特に好ましい。なお、第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５ｂのゲート電極は、共通のバイアス線５６ｂに接続されている。このような構成により、本実施形態の電流駆動装置を表示装置に用いた場合に、クロストーク表示の発生を抑えることができる。
【０１７２】
なお、この構成をとる場合には、第４、第５の実施形態で説明した構成と組み合わせることも可能である。例えば、図１７に示す電流駆動装置は、電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５と電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７との間に設けられた接続切替手段１３０ａと、第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５ｂと第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５との間に設けられた接続切替手段１３０ｂとをさらに備えている。そして、接続切替手段１３０ａは、任意に設定した期間ごとに電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５を異なる電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７に接続させる。同様に、接続切替手段１３０ｂは、任意に設定した期間ごとに第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ５５ｂを異なる第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５に接続させる。これにより、電流供給部５９からの出力電流をより均一化することができる。
【０１７３】
また、本実施形態の電流駆動装置の構成を、第１の実施形態で説明した構成と組み合わせてもよい。
【０１７４】
図１８は、本実施形態の電流駆動装置において、第１の実施形態で説明した端子構造を有する場合の電流駆動装置を示す回路図である。同図に示すように、本実施例の電流駆動装置では、半導体チップのうち、電流入力用ＭＩＳＦＥＴ５７からの距離が２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下の範囲内に第１の基準電流入力端子１２４及び第１の基準電流出力端子１２６を設け、第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ１０５からの距離が２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下の範囲内に第２の基準電流入力端子１２８及び第２の基準電流出力端子１３０を設ければよい。そして、表示パネルの額縁部に電流駆動装置が設けられた半導体チップを複数枚並べる場合、第１の基準電流出力端子１２６と次段の第２の半導体チップ１２２の第１の基準電流入力端子１２４とを接続し、第２の基準電流出力端子１３０と第２の半導体チップ１２２の第２の基準電流入力端子１２８とを接続すればよい。これにより、半導体チップ間の出力電流のばらつきも抑えられる。
【０１７５】
（第８の実施形態）
図１９は、本発明の第８の実施形態に係る電流駆動装置が形成された半導体チップを示す回路図である。同図に示す電流駆動装置において、電流供給部４０の構成は、図２に示す電流供給部４０と同一であるので、以下ではそれ以外の構成について説明する。
【０１７６】
本実施形態の半導体チップの特徴は、表示パネルの周辺部に例えば一列に並べた場合、任意の時間間隔ごとに基準電流が流れる方向が切り替わることである。
【０１７７】
図１９に示すように、本実施形態の電流駆動装置は、第１の基準電流を流すための基準電流源１５１に接続された第１の基準電流入力端子１４６と、電流源５を構成するＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成し、ゲート電極とドレインとが互いに接続され、第１の基準電流が伝達される第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａと、電流源５を構成するＭＩＳＦＥＴ及び第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとカレントミラー回路を構成する第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂと、第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂからの出力電流が伝達される第１の基準電流出力端子１５０と、第２の基準電流源１５３、あるいは次段の半導体チップから出力された第２の基準電流を入力するための第２の基準電流入力端子１４８と、電流源５を構成するＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成し、ゲート電極とドレインとが接続された第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３６と、第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ及び電流源５を構成するＭＩＳＦＥＴとカレントミラー回路を構成する第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ａと、第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ａからの出力電流が伝達される第２の基準電流出力端子１４４と、第２の基準電流出力端子１４４に接続されたスイッチＳＷ１と、第１の基準電流入力端子１４６に接続されたスイッチＳＷ２と、第２の基準電流入力端子１４８に接続されたスイッチＳＷ３と、第１の基準電流出力端子１５０に接続されたスイッチＳＷ４とを備えている。また、第１の基準電流入力端子１４６と第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとの間の電流伝達経路上、及び第２の基準電流出力端子１４４と第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ａとの間の電流伝達経路上には、基準電流切替スイッチ１５４が設けられ、第２の基準電流入力端子１４８と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ｂとの間の電流伝達経路上、及び第１の基準電流出力端子１５０と第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路上には、基準電流用スイッチ１５６が設けられている。
【０１７８】
また、第１の基準電流入力端子１４６と第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとの距離は、好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下となっており、第１の基準電流出力端子１５０と第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの距離も好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下となっている。これと同様に、第２の基準電流入力端子１４８と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ｂとの距離は、好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下となっており、第２の基準電流出力端子１４４と第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ａとの距離も好ましくは２００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下となっている。
【０１７９】
これにより、本実施形態の半導体チップ同士をカスケード接続する場合に、半導体チップごとの出力電流（画素回路の駆動電流）のばらつきを低減することができる。
【０１８０】
また、表示装置において、第１の半導体チップ１４０と第２の半導体チップが隣接して配置されている場合、第１の半導体チップ１４０の第１の基準電流出力端子１５０と第２の半導体チップ１４２の第１の基準電流入力端子１４６とは互いに接続され、第１の半導体チップ１４０の第２の基準電流出力端子１４８と第２の半導体チップ１４２の第２の基準電流入力端子１４４とは互いに接続されている。
【０１８１】
本実施形態の電流駆動装置では、スイッチＳＷ１とスイッチＳＷ３とは互いに同期して動作し、スイッチＳＷ２とスイッチＳＷ４とは互いに同期して動作する。加えて、スイッチＳＷ１、ＳＷ３の動作は、スイッチＳＷ２、ＳＷ４の動作とオンまたはオフが逆になるよう制御される。そして、本実施形態の電流駆動装置の動作時には、次に説明するように、第１の基準電流が複数の半導体チップに伝達される第１の期間と、第２の基準電流が複数の半導体チップに伝達される第２の期間とが交互に繰り返される。
【０１８２】
まず、第１の期間には、図１９に示すように、スイッチＳＷ２、ＳＷ４がオン、スイッチＳＷ１、ＳＷ３がオフになると共に、基準電流用スイッチ１５４は、第１の基準電流入力端子１４６と第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとの間の電流伝達経路を導通させ、第２の基準電流出力端子１４４と第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路を遮断する。これと同時に、基準電流用スイッチ１５６は、第１の基準電流出力端子１５０と第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路を導通させ、第２の基準電流入力端子１４８と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ｂとの間の電流伝達経路を遮断する。このような制御により、第１の基準電流が、第１の基準電流入力端子１４６と第１の基準電流出力端子１５０とを介して複数の半導体チップに伝達されてゆく。
【０１８３】
次に、第２の期間には、スイッチＳＷ２、ＳＷ４がオフ、スイッチＳＷ１、ＳＷ３がオンになると共に、基準電流用スイッチ１５４は、第１の基準電流入力端子１４６と第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとの間の電流伝達経路を遮断し、第２の基準電流出力端子１４４と第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路を導通させる。これと同時に、基準電流用スイッチ１５６は、第１の基準電流出力端子１５０と第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路を遮断し、第２の基準電流入力端子１４８と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ｂとの間の電流伝達経路を導通させる。このような制御により、第２の基準電流源１５３から供給される第２の基準電流が、第２の基準電流入力端子１４８と第２の基準電流出力端子１４４とを介して複数の半導体チップに伝達されてゆく。
【０１８４】
大画面の表示パネルを駆動する際には、電流駆動装置を設けた半導体チップを多数個並べる必要があるが、基準電流を一方からのみ供給する従来の電流駆動装置では、第一段の半導体チップに供給される基準電流と最終段の半導体チップに伝達される基準電流との間に誤差が生じやすかった。これに比べ、本実施形態の電流駆動装置では、２種類の基準電流源からの基準電流が任意の期間ごとに交互に伝達されるので、出力端子からの出力電流のばらつきが平均化される。そのため、本実施形態の電流駆動装置用いることにより、表示パネルのサイズが大型化した場合であっても表示が均一化された表示装置を実現することができる。
【０１８５】
なお、図１９では電流供給部４０の構成を第１の実施形態と同一にしたが、基準電流が流れる方向を切り替えることができる構成であれば、その他の実施形態の電流供給部と同様の構成をとってもよい。
【０１８６】
また、第１の基準電流入力端子１４６と第１の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ａとの間の電流伝達経路と、第２の基準電流出力端子１４４と第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路とが一部共通になっているが、それぞれの電流伝達経路を別々に設けてもよい。この場合には、基準電流用スイッチが不要となる。これと同様に、第１の基準電流出力端子１５０と第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ７ｂとの間の電流伝達経路と、第２の基準電流入力端子１４８と第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ３ｂとの間の電流伝達経路とを別々に設けてもよい。
【０１８７】
【発明の効果】
本発明の電流駆動装置によれば、基準電流を分配するための電流分配用ＭＩＳＦＥＴ及び電流入力用ＭＩＳＦＥＴを半導体チップ当たり複数個設けることで、電流供給部を構成するＭＩＳＦＥＴのゲートにおける出力インピーダンスを相対的に下げることができるので、表示装置に用いた場合、表示パネル側から流れる電流によるＭＩＳＦＥＴのゲート電位の変動を抑えることができる。その結果、表示装置におけるクロストークの発生を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る電流駆動装置が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。
【図２】第１の実施形態に係る電流駆動装置の一例が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。
【図３】第１の実施形態の変形例に係る電流駆動装置が設けられた２つのチップの接続部分を示す回路図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図５】基準電流の入力端子及び出力端子をチップの端部に設けた場合の第２の実施形態に係る半導体チップを示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る電流駆動装置の一変形例を示す回路図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第３の実施形態の電流駆動装置のうち、電流供給ユニット５１の構成例を拡大して示す回路図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態の電流駆動装置において、出力電流の切替方式の一例を示す回路図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、第４の実施形態の電流駆動装置において、出力電流の切替方式の別の一例を示す回路図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態の変形例に係る電流駆動装置及び半導体チップを示す回路図である。
【図１３】本発明の第５の実施形態に係る電流駆動装置の第１の具体例において、電流供給部の構成を示す図である。
【図１４】第５の実施形態に係る電流駆動装置の第２の具体例において、電流供給部の構成を示す図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図１６】本発明の第７の実施形態に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図１７】第７の実施形態の第１の変形例に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図１８】第７の実施形態の第２の変形例に係る電流駆動装置を示す回路図である。
【図１９】本発明の第８の実施形態に係る電流駆動装置が形成された半導体チップを示す回路図である。
【図２０】表示パネルと、表示パネルに接続された表示用ドライバである従来の電流駆動装置の構成を示す回路図である。
【図２１】（ａ）は、表示パネルにおける白黒表示の例を示す図、（ｂ）は、（ａ）に示す表示パネルのＸＸＩｂ−ＸＸＩｂ線上に配置された画素回路と、該画素回路に接続された従来の電流供給部とを示す回路図、（ｃ）は、黒表示時におけるＴＦＴの動作点を示すグラフ図であり、（ｄ）は、白表示時におけるＴＦＴの動作点を示すグラフ図である。
【図２２】（ａ）は、表示パネルにおける白黒表示の例を示す図、（ｂ）は、（ａ）に示す表示パネルのＸＸＩＩｂ−ＸＸＩＩｂ線上に配置された画素回路と、該画素回路に接続された電流供給部とを示す回路図、（ｃ）は、黒表示時から白表示に切り替わった場合のＴＦＴの動作点を示すグラフ図であり、（ｄ）は、連続して白表示を行なう場合のＴＦＴの動作点を示すグラフ図である。
【図２３】従来の電流駆動装置のうち、電流供給部の回路配置及び回路構成を示す図である。
【符号の説明】
１、５３第１のＭＩＳＦＥＴ
２第２のＭＩＳＦＥＴ
３電流入力用ＭＩＳＦＥＴ
４、５８基準電流源
５、５−１〜ｍ、２５、２５−１〜ｍ、６０電流源
７第１の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
９基準電流出力端子
１０第３の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
１１基準電流入力端子
１１ａ第１の基準電流入力端子
１１ｂ第２の基準電流入力端子
１２第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
１３第３のＭＩＳＦＥＴ
１５第４のＭＩＳＦＥＴ
１６抵抗
１７第５のＭＩＳＦＥＴ
１９第６のＭＩＳＦＥＴ
２０第１の半導体チップ
２２第２の半導体チップ
２３第７のＭＩＳＦＥＴ
２７第２の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
３３、３３ａ第８のＭＩＳＦＥＴ
３５、３５ａ第９のＭＩＳＦＥＴ
３７、３７ａ第１０のＭＩＳＦＥＴ
３９、３９ａ第１１のＭＩＳＦＥＴ
４０、４１、５９、５９−１〜ｎ電流供給部
４３第１２のＭＩＳＦＥＴ
５１、５１−１〜ｎ電流供給ユニット
５５、５５−１〜ｎ電流分配用ＭＩＳＦＥＴ
５６バイアス線
５７、５７−１〜ｎ電流入力用ＭＩＳＦＥＴ
６１、６６、７９、８１電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
６２抵抗
６４スイッチ
６８出力端子
７０第１の半導体チップ
７１第１３のＭＩＳＦＥＴ
７２第２の半導体チップ
７３第２の電流分配用ＭＩＳＦＥＴ
７５第４の電流伝達用ＭＩＳＦＥＴ
７６ＭＩＳＦＥＴ領域
７６−１第１のＭＩＳＦＥＴ領域
７６−２第２のＭＩＳＦＥＴ領域
７６−３第３のＭＩＳＦＥＴ領域
７７、７７−１〜ｍ、８０カスコードＭＩＳＦＥＴ
９１第１のバイアス電流切替スイッチ
９２第２のバイアス電流切替スイッチ
９５、９５ａ、９５ｂ、９９ダミー電流分配用ＭＩＳＦＥＴ
９６、９６ａ、９６ｂダミーバイアス電流切替スイッチ
９７、９７ａ、９７ｂ、１００、１０１ダミーバイアス電流切替スイッチ
１０５第２の電流入力用ＭＩＳＦＥＴ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a current driver, and more particularly to a technique of a current driver suitable for a display driver such as an organic EL (Electro Luminescence) panel.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art In recent years, flat panel displays such as organic EL panels have been increased in size, increased in definition, reduced in thickness and weight, and reduced in cost. Generally, an active matrix method is preferably used as a driving method for a large-sized and high-definition display panel. Hereinafter, a conventional display driver for an active matrix display panel will be described.
[0003]
FIG. 20 is a circuit diagram showing a configuration of a display panel and a conventional current driver which is a display driver connected to the display panel. Here, the display panel is an organic EL panel.
[0004]
As shown in FIG. 1, a conventional current driver includes a plurality of pixel circuits 1005a1, 1005a2,..., 1005an provided on a display panel (hereinafter, each pixel circuit is referred to as a pixel circuit 1005a without distinction). ) For supplying a driving current to each of the current supply units 1001a1, 1001a2,..., 1001an (hereinafter, referred to as the current supply unit 1001a when each current supply unit is referred to without distinction), and each of the current supply units 1001a. And a reference current supply unit (bias circuit) 1101 for supplying a reference current to the power supply. Note that, in this specification, the “reference current” refers to a current of a predetermined value flowing from the reference current source, and also indicates that the current from the reference current source is transmitted by a current mirror circuit.
[0005]
When the size of a display panel is large, such as a television display device, a large number of current supply units 1001a are provided separately on a plurality of semiconductor chips 1105. These semiconductor chips 1105 are often arranged on the frame of the display panel.
[0006]
Each of the pixel circuits 1005a1, 1005a2,..., 1005an includes a p-channel first TFT (Thin-Film-Transistor) 1104 connected to the current supply unit 1001a via a signal line, and a first TFT 1104; The light emitting device includes a second TFT 1102 that forms a current mirror circuit, and an organic EL element 1103 that emits light in response to a current supplied from the second TFT 1102.
[0007]
The reference current supply unit 1101 is connected to a first MISFET 1108 of a p-channel type whose one end is supplied with a power supply voltage, a resistor 1107 connected to the first MISFET 1108 for generating a reference current, and a current flowing through the first MISFET 1108. It has a p-channel type second MISFET 1109 constituting a mirror circuit, and an n-channel type current input MISFET 1110 connected to the second MISFET 1109 for transmitting a reference current to the current supply unit 1001a.
[0008]
When controlling the gray scale of m bits, each of the current supply units 1001a is a current source 1112-1, 1112-2,..., 1112-m arranged in parallel with the output unit connected to the pixel circuit 1005a. (M is a positive integer) and switches 1115-1, 111-2,..., 1115-m for controlling the current flowing through each of the current sources 1112-1, 1112-2,. And Here, each of the current sources 1112-1, 1112-2,..., 1112-m is composed of a current input MISFET 1110 and an n-channel type MISFET forming a current mirror circuit. Further, each of the switches 1115-1, 1115-2,..., 1115-m performs an independent switching operation based on the display data.
[0009]
FIG. 23 is a diagram illustrating a circuit arrangement and a circuit configuration of a current supply unit in a conventional current driver. Here, an example of a current supply unit for 64 gradations, each having six current sources, is shown. Each of the current sources 1112-1, 1112-2,..., 1112-6 is provided with one, two,. These MISFETs are arranged in plan view as shown in the upper diagram of FIG. 23, and MISFETs adjacent to each other are connected so as to be connected to the same output unit.
[0010]
With the above configuration, the current supply unit 1001a substantially operates as a current addition type D / A converter, receives display data as a digital signal, and outputs a current having a magnitude corresponding to the display data as an analog signal. It is designed to be pulled in from the output unit.
[0011]
As is well known, an organic EL element has a rectifying property like a diode, and changes its luminance according to the amount of current supplied. In the pixel circuit 1005a, the amount of current supplied to the organic EL element 1103 changes according to the amount of current flowing through the TFT 1104. Therefore, the organic EL element 1103 is current-driven by the current supply unit 1001a and changes its luminance.
[0012]
As described above, the current driver drives a plurality of pixel circuits 1005a in a display panel with current based on display data to realize gray scale display (for example, JP-A-11-88072, JP-A-11-88072). No. 340765).
[0013]
[Patent Document 1]
JP 2000-276108A
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the display device having the above-described configuration, disturbance in image display such as display unevenness during image display may be observed. There are several possible causes for this.
[0015]
First, display disturbance due to charge injection from the display panel or instantaneous fluctuation of bias voltage, that is, occurrence of so-called crosstalk may be considered. This will be described below.
[0016]
FIG. 21A shows an example of monochrome display on the display panel, and FIG. 21B shows a pixel circuit arranged on line XXIb-XXIb of the display panel shown in FIG. FIG. 3C is a circuit diagram showing a conventional current supply unit, FIG. 4C is a graph showing an operating point of the TFT in black display, and FIG. 4D is a graph showing an operating point of the TFT in white display. . FIG. 22A is a diagram showing an example of monochrome display on the display panel, as in FIG. 21A. FIG. 22B is a diagram showing a pixel circuit arranged on the line XXIIb-XXIIb of the display panel. FIG. 3C is a circuit diagram showing a conventional current supply unit connected to a pixel circuit, FIG. 4C is a graph showing operating points of a TFT when switching from black display to white display, and FIG. FIG. 7 is a graph showing operating points of a TFT when white display is performed by performing the above operation.
[0017]
As shown in FIG. 21B, when black display is performed in the conventional display device, all the switches 1115-1, 1115-2,..., 1115-m in the current supply unit 1001a are off and white. .., 1115-m in the current supply unit 1001a are all on.
[0018]
At this time, the floating capacitance 1220a1 generated in the pixel circuit 1005a1 performing black display and the signal line connected thereto is charged by the power supply, and the gate voltage of the first TFT 1104 and the second TFT 1102 increases to, for example, about 4V. . As shown in FIG. 21C, the operating point of the first TFT 1104 and the second TFT 1102 at this time is the intersection of the IV characteristic curve of the current supply unit 1001a and the IV characteristic curve of the TFT.
[0019]
On the other hand, at the time of white display, since the charges are drawn out to the current supply unit 1001an side, the charges held in the stray capacitance 1220an generated in the pixel circuit 1005an and the signal lines connected thereto are smaller than those in the black display. Less. Therefore, the gate voltage of the first TFT 1104 and the second TFT 1102 is, for example, about 2 V, and as shown in FIG. 21D, the operating point of the first TFT 1104 and the second TFT 1102 is higher than that in the case of displaying black. Is also on the low voltage side. The operating point voltages of these TFTs change depending on the ON resistance of the TFTs and the magnitude of the current drawn by the current supply unit 1001a.
[0020]
FIG. 22B shows a pixel circuit and a current supply unit when switching from black display to white display and a pixel circuit and current supply unit when white display continues. When the display is switched from the black display to the white display, all the switches 1115-1, 111-2,..., 1115-6 of the current supply unit 1001a1 are turned on, and the maximum amount of current flows from the panel side. Accordingly, the organic EL element 1103 in the pixel circuit 1005a1 emits light at the maximum luminance.
[0021]
At this time, the electric charge stored in the floating capacitor 1220a1 is injected into the current supply unit 1001a1 via the signal line.
[0022]
If the amount of injected charge is relatively small, the charge will flow to ground through current sources 1112-1, 1112-2, ..., 1112-6. However, since the pixel circuit 1005a1 performed black display until immediately before, the stray capacitance 1220a1 has been charged to near the power supply voltage. Therefore, at the moment when the current supply unit 1001a1 and the pixel circuit 1005a1 are electrically connected, a voltage close to the power supply voltage is applied to each drain of the current sources 1112-1, 1112-2,. The potential of the bias line 1050 is temporarily increased through the parasitic capacitance Cgd existing between the drains. A waveform 1051 shown in FIG. 22B represents a voltage fluctuation generated on the bias line 1050.
[0023]
Since the gate electrode of the current source in the other current supply unit 1001a is also connected to the bias line 1050, when a voltage change such as the waveform 1051 occurs in the bias line 1050, the amount of current flowing through the current supply unit 1001a is temporarily reduced. More. As a result, as shown by a dotted line in FIG. 22D, the current supply unit 1001an temporarily enters an overdrive state.
[0024]
If the voltage fluctuation of the bias line 1050 converges within the display data writing period, the current supply unit 1001a returns to a predetermined driving state, and normal display is performed. However, when the voltage fluctuation does not converge within the display data writing period, the pixel circuit 1005a continues the overdrive state until the next frame, so that crosstalk display in which bright lines are visually recognized occurs.
[0025]
On the other hand, on the bias line 1050 when switching from white display to black display, a temporary voltage drop occurs, contrary to the above. As a result, a crosstalk display in which dark lines with reduced luminance are visually recognized occurs.
[0026]
By the way, the stray capacitance 1220a is several pF to several tens pF in the case of a small panel for a mobile phone, but may be 100 pF or more in the case of a large panel. Therefore, as the size of the display panel increases, the crosstalk display becomes more prominent. In particular, a current driver for an organic EL panel drives a pixel circuit with a very small current of about several tens of nA, and thus easily causes crosstalk display.
[0027]
Note that image display may be disturbed for reasons other than the above-described crosstalk.
[0028]
In recent years, the screen size of the display panel has been further increased, and accordingly, the length of the driver LSI for the display device (the length in the long side direction) has reached 10 mm to 20 mm. In such a case, in a semiconductor chip provided with a conventional current driver, there is a possibility that output voltage varies between output terminals that are separated from each other, resulting in a light and dark portion in a displayed image, thereby deteriorating image quality.
[0029]
The inventor of the present application has examined the cause of the variation in the output voltage between the output terminals of the display device driver LSI (semiconductor chip), and found that the current distributed to the MISFET constituting the current source 1112 (see FIG. 20) on the semiconductor chip was It turned out that there was variation. In the first place, the current mirror circuit is based on the premise that the diffusion conditions of the transistors constituting the current mirror circuit are equal and there is no significant difference in the threshold value Vt or the carrier mobility. Then, the current is distributed according to the size ratio of the transistors. However, when the length of the chip of the display device driver LSI is increased from 10 mm to 20 mm, it is considered that it becomes difficult to uniformly diffuse the impurities contained in the transistor. In addition, if the positions of the transistors are different, display variations may occur depending on the manufacturing process, such as variations in etching. As a result, the threshold value of the transistor serving as the current mirror varies. When the threshold voltage of the transistor varies, an error occurs in the output current when the same gate voltage is applied. Normally, diffusion fluctuations have a gradual slope with respect to the wafer surface. For this reason, even when uniform display is performed with constant display data, a gradation from light to dark occurs on the display panel.
[0030]
Further, as described above, a display device having a large-screen display panel uses a plurality of semiconductor chips provided with a current driver including a current supply unit. In such a case, the current values output from the current driving devices on different semiconductor chips vary. In display devices, manufacturing conditions such as diffusion conditions of semiconductor chips arranged adjacent to each other are often different. Therefore, the deviation of the characteristics of the MISFETs constituting the current source of the current supply unit 1001a1 also increases, and the display unevenness is easily visually recognized for each semiconductor chip.
[0031]
As described above, the variation in the output of the current supply unit 1001a and the variation in the characteristics of the semiconductor chips also disturb the image display as in the case of the crosstalk.
[0032]
An object of the present invention is to provide a current driver capable of suppressing disturbance of image display by solving any of the various problems described above.
[0033]
[Means for Solving the Problems]
A first current driver according to the present invention is a current driver provided on a semiconductor chip, wherein the first current driver is of a first conductivity type to which the reference current is transmitted from a reference current source for supplying a reference current. MISFET, a first conductivity type current distribution MISFET for forming a current mirror circuit with the first MISFET, and a second conductivity type current MISFET connected to the current distribution MISFET for flowing the reference current. A plurality of current supply units each having an input MISFET, a second-conductivity-type current source MISFET forming a current mirror circuit with the current input MISFET, and an output terminal for outputting a current corresponding to display data; A MISFET for a current source, a MISFET for a second conductivity type forming a current mirror circuit with the MISFET for a current source and the MISFET for a current input, and the semiconductor chip; Of the distance from the current transmitting MISFET is provided on the following areas 200 [mu] m, and a reference current output terminal for outputting a current transmitted from the current transmitting MISFET.
[0034]
As a result, when a large-screen display panel is driven by arranging a plurality of semiconductor chips provided with the current driver of the present invention, a current having a small error can be transmitted as a reference current to the next-stage semiconductor chip. Variations in output current for each semiconductor chip can be reduced as compared to circuits. As a result, a large-screen or high-definition display device in which display unevenness and display disturbance are suppressed can be realized.
[0035]
If the reference current output terminal is provided in a region of the semiconductor chip within a distance of 100 μm from the current transmission MISFET, an error in the current transmitted to the next-stage semiconductor chip can be further reduced. Is more preferable.
[0036]
The reference current source is outside the semiconductor chip, and the semiconductor chip is connected to the reference current source on a region of the semiconductor chip at a distance of 200 μm or less from the current input MISFET. Since the first reference current input terminal for transmitting the current is further provided, when the semiconductor chips are cascaded, the reference current output from the preceding semiconductor chip can be used for current input with a small error. It can be transmitted to the MISFET. Therefore, when used for a display device, display unevenness generated for each semiconductor chip can be reduced.
[0037]
A first reference current input terminal connected to a drain of the first MISFET and provided on a region of the semiconductor chip having a distance from the current input MISFET of 200 μm or less, and a drain of the first MISFET; And an input-side current mirror circuit composed of a MISFET of the second conductivity type and a region connected to the input-side current mirror circuit and having a distance of 200 μm or less from the current input MISFET in the semiconductor chip. And an output side current mirror circuit provided on a current transmission path from the current transmission MISFET to the reference current output terminal, the output current mirror circuit comprising a first conductivity type MISFET. And a pixel circuit on the display panel is driven by arranging a single semiconductor chip. Therefore, the manufacturing cost of the display device can be reduced as compared with the case where a plurality of types of semiconductor chips are used.
[0038]
When a plurality of pairs of the current distribution MISFET and the current input MISFET are provided for the semiconductor chip, the number of gate electrodes of the current source MISFET connected to one current input MISFET is smaller than that of the conventional one. Therefore, the change in the gate potential of the current source MISFET can be quickly converged. Therefore, by using the current driver of the present invention, it is possible to suppress the display unevenness of each semiconductor chip and the crosstalk display at the same time.
[0039]
In a case where the apparatus further comprises a connection switching means between the current distribution MISFET and the current input MISFET for switching the current distribution MISFET to be connected to the different current input MISFET every predetermined period. In this case, since the characteristic variation of the current distribution MISFET can be averaged, a display device with further reduced display unevenness can be realized.
[0040]
On the semiconductor chip, a plurality of MISFET regions in which the current source MISFETs are collectively provided are arranged in a row, and each of the plurality of current supply units is arranged in at least two of the MISFET regions. With such a MISFET, a variation in characteristics of the current source MISFET can be averaged, so that display unevenness is hardly visually recognized and a display device with high display quality can be realized.
[0041]
A gate electrode of the current distribution MISFET is commonly connected to a bias line, and a resistance element is further provided between the gate electrodes of the current distribution MISFETs adjacent to each other on the bias line. As a result, the gate voltage applied to the current distribution MISFET can be inclined in accordance with the variation in the threshold value of the current distribution MISFET. As a result, the variation in the reference current distributed to each current supply unit can be reduced. Can be.
[0042]
According to a second current driver of the present invention, a first MISFET of a first conductivity type through which a reference current flows at the time of driving, a current mirror circuit including the first MISFET, and a first MISFET for flowing the reference current are provided. A first current distribution MISFET of a conductive type, a first current input MISFET of a second conductivity type having the drain connected to the first current distribution MISFET, and a current flowing through the first current input MISFET; A second-conductivity-type current source MISFET constituting a mirror circuit, and a switch connected to each of the current source MISFETs for turning on or off a current flowing through the current source MISFET in accordance with display data. A plurality of current supply units connected to the switch and having an output terminal for outputting a current corresponding to the display data to a display panel. A current driver provided on a semiconductor chip, wherein a plurality of pairs of the first current distribution MISFET and the first current input MISFET are provided for the semiconductor chip; There is further provided a bias line commonly connected to the gate electrode of the first MISFET and the gate electrode of the first current distribution MISFET.
[0043]
As a result, the number of gate electrodes of the current source MISFET connected to one first current input MISFET can be reduced as compared with the related art, so that the change in the gate potential of the current source MISFET can be quickly converged. Will be possible. Therefore, according to the current driving device of the present invention, since the occurrence of crosstalk display can be suppressed, a display device having a large screen or a high definition display panel can be realized.
[0044]
Since the gate electrodes of all the current source MISFETs in the plurality of current supply units and the gate electrodes of all the first current input MISFETs are connected to each other, the gate potential applied to the current source MISFET is reduced. Since the inclination can be adjusted according to the variation in the threshold value, the variation in the output current for each output terminal can be suppressed.
[0045]
Each of the plurality of current supply units is interposed between the switch and the output terminal, and is applied with a voltage equal to or lower than a power supply voltage of the display panel to a gate electrode during driving, and is turned on. When the current driver according to the present invention is used for a display device, if the first cascode MISFET is an n-channel type, a current source is supplied from the display panel at the time of display switching. A high voltage can be prevented from being applied to the MISFET for use. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of the crosstalk display.
[0046]
The switch may constitute a cascode connection with the current source MISFET, and may be a second cascode MISFET that is turned on or off depending on whether a predetermined voltage is applied to a gate electrode during driving. When the output terminal is connected to the display panel, the second cascode MISFET can limit the high voltage applied from the display panel, so that the occurrence of the crosstalk display can be suppressed. In particular, by using the MISFET for voltage limitation as the switch, the circuit area can be reduced as compared with the case where the MISFET for voltage limitation is separately provided.
[0047]
A switch for connecting the first current distribution MISFET between the first current distribution MISFET and the first current input MISFET to be different from the first current distribution MISFET every arbitrary period; Since the connection switching means is further provided, the reference current distributed by the current distribution MISFET is shuffled and output, so that the characteristic variation of the current distribution MISFET can be averaged.
[0048]
In particular, it is preferable that the connection switching means has a first bias current switch and a second bias current switch.
[0049]
On the semiconductor chip, a first terminal temporarily connected to the first bias current switch during driving, and a second terminal temporarily connected to the second bias current switch during driving. When the display panel is driven by arranging a plurality of semiconductor chips, the current distributed by the current distribution MISFET is supplied through the first terminal and the second terminal. Switching can be performed so as to output from an output terminal of an adjacent semiconductor chip. For this reason, it is possible to average out variations in the output currents of the current driving devices provided not only within the semiconductor chip but also on the semiconductor chips adjacent to each other.
[0050]
The second current driver of the present invention may further comprise a first conductive type dummy current distributing MISFET which forms a current mirror circuit with the first MISFET and the first current distributing MISFET; Connection switching means for temporarily connecting the current input MISFET and the current input MISFET, for example, to sequentially switch the current distribution MISFET connected between adjacent current input MISFETs. Since the control can be performed, the output current from the output terminal can be relatively easily made uniform.
[0051]
On the semiconductor chip, a plurality of MISFET regions in which the current source MISFETs are collectively provided are arranged in a row, and each of the plurality of current supply units is arranged in at least two of the MISFET regions. With such a MISFET, variations in characteristics of the current distribution MISFET and the current source MISFET can be averaged, so that an error in output current between output terminals can be reduced. In particular, since it is not necessary to provide a new element and the wiring structure may be arbitrarily changed, an increase in the circuit area can be suppressed.
[0052]
The semiconductor device further includes a resistance element provided between the gate electrodes of the current distribution MISFETs adjacent to each other on the bias line, so that the gate voltage applied to the current distribution MISFET is reduced by the threshold voltage of the current distribution MISFET. Can be tilted in accordance with the variation of.
[0053]
A third current driver according to the present invention includes a first conductivity type first current input MISFET through which a first reference current flows during driving, and a first conductivity type second MISFET through which a second reference current flows during driving. The current input MISFET, the first current input MISFET and the first conductivity type current source MISFET forming a current mirror circuit with the first current input MISFET, and the current source MISFET are connected to each other according to display data. A switch for turning on or off a current flowing through the current source MISFET, and a switch provided between the current source MISFET and the switch to form a current mirror circuit with the second current input MISFET. A cascode MISFET of one conductivity type; and an output terminal connected to the switch for outputting a current corresponding to the display data. And a plurality of current supply portion that is provided on the semiconductor chip.
[0054]
As a result, the output current from the output terminal becomes the average value of the current that should flow through the current source MISFET and the current that should flow through the cascode MISFET. As a result, variations in the output current from the output terminal can be reduced.
[0055]
A fourth current driver of the present invention is a current driver provided on a semiconductor chip, wherein the first current driver has a first reference current input terminal for inputting a first reference current; A first current input MISFET of a first conductivity type to which a current flowing through a first reference current input terminal is transmitted, and a first mirror constituting a current mirror circuit with the first current input MISFET during the first period. A plurality of current supply units having a current source MISFET of one conductivity type and an output terminal for outputting a current corresponding to display data; the first current input MISFET and the current during the first period; A first current-transmitting MISFET of a first conductivity type that forms a current mirror circuit with the source MISFET, and a first reference current to which a current flowing through the first current-transmitting MISFET is transmitted during the first period A power terminal, a second reference current input terminal for inputting a second reference current, and a current flowing through the second reference current input terminal during a second period, and the current source MISFET. A second current input MISFET of a first conductivity type forming a current mirror circuit, and a second current transmission MISFET of a first conductivity type forming a current mirror circuit with the current source MISFET during the second period; A second reference current output terminal to which a current flowing through the second current transmission MISFET is transmitted during the second period; a first reference current input terminal; and a first current input MISFET. And a second switch provided on a current transmission path between the first current transmission MISFET and the first reference current output terminal. When A third switch provided on a current transmission path between the second reference current input terminal and the second current input MISFET, the second current transmission MISFET and the second reference current A fourth switch provided on a current transmission path between the output terminal and the output terminal.
[0056]
Thus, when the first and second switches are both turned on during the first period and the third and fourth switches are turned off during the second period, the driving is performed with the first reference current. And the case of driving with the second reference current. As a result, variations in the output current from the current supply unit are suppressed, and uniform display is possible.
[0057]
A first display device of the present invention includes a display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with an amount of supplied current, and a plurality of semiconductor chips arranged in a row. And a current driver for supplying a drive current to the pixel circuit, wherein each of the plurality of semiconductor chips is provided at an end and receives a reference current. A semiconductor chip having a reference current input terminal and a reference current output terminal provided at an end portion for outputting a reference current for a next-stage semiconductor chip; The reference current input terminal and the reference current output terminal are provided so as to face each other.
[0058]
Thus, the transmission path of the reference current between the semiconductor chips provided with the current driver can be minimized, so that the variation of the output current for each semiconductor chip can be reduced as compared with the related art.
[0059]
According to a second display device of the present invention, there is provided a display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with the amount of supplied current, and a display panel for supplying a drive current to each of the pixel circuits. What is claimed is: 1. A display device comprising: a plurality of semiconductor chips provided with a current driver; wherein the current driver includes a first MISFET of a first conductivity type through which a reference current flows at the time of driving; A current mirror circuit, a plurality of MISFETs of the first conductivity type for flowing the reference current, and a plurality of MISFETs of the second conductivity type, each of which is connected to the drain. A current input MISFET, a second conductivity type current source MISFET that forms a current mirror circuit with the current input MISFET, and a drive current corresponding to display data. And a plurality of current supply section and an output terminal for outputting the circuit.
[0060]
As a result, fluctuations in the gate potential of the current source MISFET can be quickly converged, so that the occurrence of crosstalk display can be suppressed and uniform display can be realized.
[0061]
According to a third display device of the present invention, there is provided a display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with the amount of supplied current, and a display panel for supplying a drive current to the pixel circuit. What is claimed is: 1. A display device comprising: a plurality of semiconductor chips provided with a current driver; wherein the current driver includes a first conductivity type first current input MISFET through which a first reference current flows during driving. A second current input MISFET of a first conductivity type through which a second reference current flows during driving, a first conductivity type current source MISFET forming a current mirror circuit with the first current input MISFET, A switch connected to each of the current source MISFETs for turning on or off a current flowing through the current source MISFET in accordance with display data; A first conductive type cascode MISFET which is provided between the FET and the switch and constitutes the second current input MISFET and the current mirror circuit; and a drive current according to the display data which is connected to the switch. And a plurality of current supply units having an output terminal for outputting the current to the pixel circuit.
[0062]
As a result, the output current from the output terminal becomes the average value of the current to flow through the current source MISFET and the current to flow through the cascode MISFET, so that the characteristic variation of the current source MISFET and the characteristic variation of the cascode MISFET cancel each other out. As a result, variations in the output current from the output terminal can be reduced.
[0063]
A first reference current input terminal for inputting the first reference current, a first reference current output terminal for outputting the first reference current, and a second And a second reference current output terminal for outputting the second reference current, and a second reference current output terminal for outputting the second reference current. The terminal is connected to the first reference current input terminal of the adjacent semiconductor chip, and the second reference current output terminal is connected to the second reference current input terminal of the adjacent semiconductor chip. Since the variation in the output current from the terminals in the same semiconductor chip is reduced and the variation in the output current between the semiconductor chips is reduced, uniform display can be performed over the entire display panel.
[0064]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(1st Embodiment)
FIG. 1 is a circuit diagram showing a connection portion between two chips provided with a current driver according to the first embodiment of the present invention.
[0065]
The display device according to the present embodiment includes a display panel provided with a pixel circuit (not shown) having an organic EL element, and a current driver for supplying a drive current to the pixel circuit via a signal line. I have. The current driving device is used as a source driver of a current driving display device such as an organic EL display device, similarly to the current driving device shown in FIG. In the display device according to the present embodiment, a plurality of semiconductor chips provided with an integrated current driver are arranged in a frame portion of the display panel. In FIG. 1, two semiconductor chips connected to each other are shown as a first semiconductor chip 20 and a second semiconductor chip 22, respectively.
[0066]
In the display device of the present embodiment, the first semiconductor chip 20 includes a current supply unit 40 for supplying a drive current to each of a plurality of pixel circuits (not shown) provided on the display panel; A reference current supply unit for supplying a reference current to the supply unit 40, an n-channel first current transmission MISFET 7, and a reference current output terminal 9 connected to the first current transmission MISFET 7 are provided. ing. The reference current output terminal 9 is provided at a position of the first semiconductor chip 20 facing the second semiconductor chip 22. Although a large number (for example, 528) of current supply units 40 are actually provided, only one is shown in FIG.
[0067]
The reference current supply unit includes a p-channel first MISFET 1 having one end supplied with a power supply voltage, a reference current source 4 connected to the first MISFET 1 for generating a reference current, and a first MISFET 1. A second MISFET (current distribution MISFET) 2 constituting a current mirror circuit and an n-channel current input for transmitting a reference current to the current supply unit 40 connected to the second MISFET 2 MISFET3.
[0068]
The current supply unit 40 has current sources 5-1, 5-2,..., 5-m (m is a positive integer) and a switch for turning on or off the current flowing through each current source. are doing. Each of the current sources 5-1, 5-2,..., 5-m includes a current input MISFET 3 and a first current transmission MISFET 7, and a MISFET (a current source MISFET) that forms a current mirror circuit. For example, the current source 5-1 is composed of one MISFET, the current source 5-2 is composed of two MISFETs connected in parallel, and the current source 5-m is composed of two MISFETs connected in parallel. ^m-1 MISFETs. The current supply unit 40 is a so-called current addition type D / A converter, and when each switch is turned on or off in accordance with display data, 2 ^m It enables gradation display.
[0069]
The second semiconductor chip 22 includes a reference current input terminal 11 connected to the reference current output terminal 9, a third p-channel MISFET 13 connected to the reference current input terminal 11, and a cascode connected to the third MISFET 13. A fourth p-channel MISFET 15 having a gate electrode connected to the reference current input terminal 11, a fifth p-channel MISFET 17 forming a current mirror circuit with the third MISFET 13, and a fifth MISFET 17 Cascode-connected to each other, a sixth p-channel MISFET 19 forming a current mirror circuit with the fourth MISFET 15, and a seventh n-channel MISFET 23 (first semiconductor chip) receiving a reference current flowing through the sixth MISFET 19. 20) and a display panel. A current supply unit 41 for supplying a drive current to each of a plurality of pixel circuits (not shown) provided above, and an n-channel type second for transmitting a reference current to a next-stage semiconductor chip MISFET 27 for current transmission. In addition, on the second semiconductor chip 22, a reference current output terminal (not shown) connected to the second MISFET 27 for current transmission is also provided.
[0070]
The reference current input terminal 11 is provided near a position of the second semiconductor chip 22 facing the first semiconductor chip, and is particularly arranged so as to be close to the reference current output terminal 9.
[0071]
In the second semiconductor chip 22, the third MISFET 13, the fourth MISFET 15, the fifth MISFET 17, the sixth MISFET 19, and the seventh MISFET 23 connect the reference current output terminal 9 from the first semiconductor chip 20. It functions as a reference current supply unit for transmitting the reference current transmitted through the power supply unit to the current supply unit 41.
[0072]
The current supply unit 41 includes current sources 25-1, 25-2,..., 25-m, and a switch for turning on or off the current flowing through each current source. Each of the current sources 25-1, 25-2,..., 25-m includes a seventh MISFET 23 and a second current transmission MISFET 27, similarly to the current sources 5-1, 5-2,. And a MISFET forming a current mirror circuit.
[0073]
Although FIG. 1 shows only two semiconductor chips, a chip having the same configuration as the second semiconductor chip 22 may be further arranged according to the size of the display panel. In a typical display device, semiconductor chips provided with a current supply section are often arranged in a line. In this case, a reference current output terminal 9 provided near an end of each semiconductor chip supplies a reference current. The reference current is transmitted to input terminal 11 in a cascade manner.
[0074]
The feature of the semiconductor chip of the present embodiment having the above-described configuration is that the reference current supply unit of the second semiconductor chip 22 is arranged near the reference current input terminal 11 and that the first semiconductor chip 20 Is arranged in the vicinity of the reference current output terminal 9. Here, the distance between the reference current supply unit including the seventh MISFET 23 and the reference current input terminal 11 and the distance between the current transmission MISFET 7 and the reference current output terminal 9 vary in electrical characteristics due to diffusion of impurities and the like. It is sufficient if it does not cause a problem. This distance varies depending on the manufacturing conditions and steps, but is acceptable if it is 200 μm or less, and is particularly preferably 100 μm or less. .
[0075]
As a result, the output currents of the current transmitting MISFETs 7 of the semiconductor chips adjacent to each other can be distributed as the reference currents for the second semiconductor chip 22, so that the output current (the driving current of the pixel circuit) of each semiconductor chip can be reduced. Variation can be reduced as compared with the conventional case. As a result, a display device that performs more uniform display can be realized.
[0076]
In addition to this, in the display device of the present embodiment, the reference current supply section and the reference current input terminal 11 of the semiconductor chip are arranged near the position of the semiconductor chip facing the preceding semiconductor chip, and the current transmission The MISFET for use and the reference current output terminal 9 are arranged in the vicinity of a position facing the next-stage semiconductor chip among the semiconductor chips.
[0077]
Thereby, the distance between the reference current output terminal 9 and the reference current input terminal 11 is shortened, so that the variation of the current output from the current supply unit for each semiconductor chip can be further suppressed. However, since the effect of suppressing the variation for each semiconductor chip is smaller than the effect obtained by providing the input / output terminal of the reference current near the MISFET that transmits the reference current, it is not always necessary to provide the reference current output terminal 9 and the reference current input terminal. The terminal 11 need not be provided at the end of the semiconductor chip.
[0078]
Note that, in one semiconductor chip, the arrangement of the reference current supply unit (or MISFET) at the center of the chip depends on the position of the current supply unit rather than at the end of the chip as in the present embodiment. The characteristic variation is reduced. Therefore, also in this method, it is preferable to provide the reference current output terminal 9 and the reference current input terminal 11 close to the reference current supply unit.
[0079]
As described above, when the semiconductor chip of the present embodiment is used, the variation in characteristics between the semiconductor chips can be suppressed, so that a display device in which the occurrence of display unevenness or the like is reduced can be realized.
[0080]
A current mirror circuit composed of a p-channel MISFET may be provided between the first current transfer MISFET 7 and the reference current output terminal 9.
[0081]
FIG. 2 is a circuit diagram illustrating a connection portion between two chips provided with an example of the current driver according to the first embodiment.
[0082]
In the example shown in the drawing, in the first semiconductor chip 20, a third p-channel type MISFET 7 connected to the first current transmitting MISFET 7 is provided between the first current transmitting MISFET 7 and the reference current output terminal 9. And a fourth p-channel current transmission MISFET 12 that forms a current mirror circuit with the third current transmission MISFET 10.
[0083]
Further, the reference current supply section of the second semiconductor chip 22 has a configuration in which the conductivity types of the MISFETs constituting the reference current supply section of FIG. 1 are all changed. That is, the second semiconductor chip 22 has an n-channel eighth MISFET 33 connected to the reference current input terminal 11, is cascode-connected to the eighth MISFET 33, and has a gate electrode connected to the reference current input terminal 11. The ninth MISFET 35 of the n-channel type, the tenth MISFET 37 of the n-channel type forming the current mirror circuit with the eighth MISFET 33, and the ninth MISFET 37 are cascode-connected. An n-channel eleventh MISFET 39 and a p-channel twelfth MISFET 43 that receives a reference current flowing through the tenth MISFET 37 are provided. In such a configuration, the distance between each of the first current transmitting MISFET 7, the third current transmitting MISFET 10, and the fourth current transmitting MISFET 12 and the reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 20 is 200 μm. The distance between the three MISFETs of the first current transmitting MISFET 7, the third current transmitting MISFET 10, and the fourth current transmitting MISFET 12 is also 200 μm or less. Further, the reference current input terminal 11 of the second semiconductor chip 22
The reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 20, the eighth MISFET 33, the ninth MISFET 35, the tenth MISFET 37, the eleventh MISFET 39, and the twelfth MISFET 43 are located within 200 μm or less of the first current transmission MISFET 7. Are 200 μm or less, respectively, and the distance between the MISFETs is also 200 μm or less. In addition, since the reference current input terminal 11 of the second semiconductor chip 22 and the reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 20 are arranged close to each other, the output current of each semiconductor chip remains unchanged. Can be kept small.
[0084]
The first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 22 shown in FIGS. 1 and 2 are slightly different in the configuration of the reference current supply unit. On the other hand, in the semiconductor chip used for the display device, the configuration of the reference current supply unit may be the same.
[0085]
FIG. 3 is a circuit diagram showing a connection portion between two chips provided with a current driver according to a modification of the first embodiment. In the modified example of the first embodiment shown in FIG. 3, a first reference current input terminal 11a1 and a second reference current input terminal 11b1 are provided near an end of the first semiconductor chip 20. The configuration of the reference current supply unit is the same as the reference current supply unit of the second semiconductor chip 22 shown in FIG. 2, but is connected to the first reference current input terminal 11a1 and the second reference current input terminal 11b1. Is different.
[0086]
That is, in the first semiconductor chip 20 of the present modification, an n-channel eighth MISFET 33a1 connected to the second reference current input terminal 11b1, a cascode connection to the eighth MISFET 33a1, and a gate electrode N-channel ninth MISFET 35a1 connected to reference current input terminal 11a1, N-channel tenth MISFET 37a1 forming a current mirror circuit with eighth MISFET 33a1, and cascode connected to tenth MISFET 37a1. , An n-channel eleventh MISFET 39a1 that forms a current mirror circuit with the ninth MISFET 35a1, and a p-channel first MISFET1 that receives a reference current flowing through the tenth MISFET 37a1. The gate electrodes of the first MISFET1 and the second MISFET2, the drain of the first MISFET1, and the drain of the tenth MISFET 37a1 are connected to the first reference current input terminal 11a1.
[0087]
In this modification, the configuration of the first semiconductor chip 20 and the configuration of the second semiconductor chip 22 are the same. However, in the first semiconductor chip 20, the first reference current input terminal 11a1 is connected to the grounded resistor 16 (or reference current source), and the second reference current input terminal 11b1 is grounded. In the second semiconductor chip 22, the first reference current input terminal 11a2 is open and the second reference current input terminal 11b2 is connected to the reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 20.
[0088]
By using the semiconductor chip of this modification, the display panel can be driven by only one type of chip, so that the manufacturing cost of the display device can be reduced.
[0089]
In the examples of the semiconductor chip or the current driver described above, the MISFETs constituting the current sources 5-1, 5-2,..., 5-m are of the n-channel type. Can be operated in the same manner. In this case, the conductivity type of the MISFET constituting the reference current supply unit or the current transmission MISFET may be replaced.
[0090]
When a plurality of semiconductor chips of the present modification are cascaded, a resistor having the same resistance value as the resistor 16 may be connected to the reference current output terminal of the last semiconductor chip.
[0091]
Further, in the current driver of the present embodiment, the value of the current output from the reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 20 does not necessarily have to be equal to the value of the reference current flowing through the reference current source 4. The current output from the reference current output terminal 9 becomes a reference current (referred to as a second reference current) for the second semiconductor chip 22, and a current mirror circuit having an appropriate mirror ratio is connected to the reference current input terminal 11. If provided between the MISFET 23 and the seventh MISFET 23, the same current can be supplied to the MISFET in the current source constituting the current supply unit 40 and the MISFET in the current source constituting the current supply unit 41.
[0092]
(Second embodiment)
FIG. 4 is a circuit diagram showing a current driver according to the second embodiment of the present invention. A feature of the current driver of this embodiment is that, in addition to the conventional current driver shown in FIG. 21, a current distribution MISFET 55 and a current input MISFET 57 for transmitting a reference current to each of the current supply units 59 are provided. It is a point. Here, the “current supply unit 59” means each of the current supply units 59-1 to m shown in FIG. 4, and the “current distribution MISFET 55” refers to each of the current distribution MISFETs 55-1 to 55-m. , "Current input MISFET 57" means each of the current input MISFETs 57-1 to 57-m.
[0093]
As shown in FIG. 4, the current driver according to the present embodiment includes a first MISFET 53 of a p-channel type, a reference current source 58 connected to the first MISFET 53, and configured to generate a reference current. MISFET 53 and a current mirror circuit, and p-channel type current distribution MISFETs 55-1, 55-2,..., 55-n for distributing a reference current, and current distribution MISFETs 55-1, 55-2,. , 55-n and current mirrors from n-channel current input MISFETs 57-1, 57-2,..., 57-n and current input MISFETs 57-1, 57-2,. , 59-n for transmitting a reference current through a pixel circuit and supplying a drive current to a pixel circuit (not shown). Here, n is the number of outputs per semiconductor chip. Further, the gate electrode of the first MISFET 53 and the gate electrodes of the current distribution MISFETs 55-1, 55-2,..., 55-n are connected to a common bias line 56.
[0094]
The configuration of each of the current supply units 59-1, 59-2,..., 59-n is substantially the same as that of the current supply unit 40 (see FIG. 1) described in the first embodiment. For example, the current supply unit 59-1 includes m current sources including a current input MISFET 57-1 and a MISFET configuring a current mirror circuit, and a switch for turning on or off a current flowing through the current source (see FIG. (Not shown). However, among the MISFETs constituting the current source, the gate electrodes of the MISFETs connected to different output terminals may not be connected as shown in FIG. 4, but may be connected to each other as described later. Good.
[0095]
When the current supply unit 59 has m current sources, 2 ^m It is possible to display gradation. Although not shown in the example shown in FIG. 4, each of the current supply units 59 has a current source for 6 bits, and is composed of 63 MISFETs of the same size. In FIG. 4, a pair of the current supply unit 59 and the current input MISFET is shown as a current supply unit 51. Here, the “current supply unit 51” means each of the current supply units 51-1 to m.
[0096]
In the current driving device of the present embodiment, the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 for distributing the reference current are provided for each current supply unit 59, so that the display device switches from black display to white display. Even when a current flows from the panel side, the operation of the current source in the current supply unit 59 is hardly affected. That is, in the current driver of the present embodiment, the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 are provided for each current supply unit, so that the gate of the MISFET connected to one set of the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 is provided. The number of electrodes is smaller than before. For this reason, the capacity of the bias wiring connecting the gate electrode of the current input MISFET 57 and the gate electrode of the MISFET forming the current source of the current supply unit 59 is reduced, and the MISFET forming the current source in the current supply unit 59 is reduced. Of the gate electrode is easily absorbed. As a result, fluctuations in the output of the current supply unit 59 are suppressed.
[0097]
For the same reason, even when switching from white display to black display, the current distribution MISFET 55 is not affected, and a constant current can always be distributed to the current supply unit 59.
[0098]
Therefore, if the current driving device of the present embodiment is used, the fluctuation of the gate potential of the MISFET for the current source in the current supply unit 59 quickly converges during the write period of the display data, so that the occurrence of crosstalk is suppressed. A current-driven display device with little display disturbance can be realized.
[0099]
Further, by providing the input terminal and the output terminal of the reference current described in the first embodiment on the semiconductor chip provided with the current driver of the present embodiment, a display device in which display disturbance and display unevenness are further suppressed is provided. It can be realized.
[0100]
FIG. 5 is a diagram illustrating the semiconductor chip of the present embodiment when the input terminal and the output terminal of the reference current are provided at the end of the chip.
[0101]
The first semiconductor chip 70 and the second semiconductor chip 72 shown in FIG. 5 are each provided with the above-described current driver of the present embodiment. The first semiconductor chip 70 has a p-channel current transmission MISFET 61 that forms a current mirror circuit with the current distribution MISFET 55 and the first MISFET 53, and a reference current output terminal 9 connected to the current transmission MISFET 61. Are provided.
[0102]
On the other hand, the second semiconductor chip 72 has a reference current input terminal 11 connected to the reference current output terminal 9, an n-channel eighth MISFET 33 connected to the reference current input terminal 11, and an eighth MISFET 33. A ninth MISFET 35 of n-channel type having a gate electrode connected to the reference current input terminal 11, a tenth MISFET 37 of n-channel type forming a current mirror circuit with the eighth MISFET 33, An n-channel eleventh MISFET 39 that is cascode-connected to the MISFET 37, and forms a current mirror circuit with the ninth MISFET 35; a p-channel twelfth MISFET 43 that receives a reference current flowing through the tenth MISFET 37; An output terminal 9 (not shown) is provided. Here, the same members as those in the first embodiment shown in FIG. 2 are denoted by the same member names and the same reference numerals.
[0103]
The reference current output terminal 9 is arranged, for example, near the end of the first semiconductor chip 70 and the second semiconductor chip 72. Further, the distance between the reference current output terminal 9 and the current transmitting MISFET 61 is about 100 μm or less. The reference current input terminal 11 is disposed, for example, near the end of the second semiconductor chip 72 and is provided so as to face the reference current output terminal 9 of the first semiconductor chip 70. The distance between the reference current input terminal 11 and the MISFET constituting the reference current supply unit such as the twelfth MISFET 43 is about 100 μm or less.
[0104]
The reference current generated in the reference current source 58 and the first MISFET 53 is transmitted to the current transmission MISFET 61 via the current mirror, and is output from the reference current output terminal 9. Next, the reference current is input to the reference current input terminal 11, and is input to the twelfth MISFET 43 via the eighth MISFET 33, the ninth MISFET 35, the tenth MISFET 37, and the eleventh MISFET 39. Then, the reference current is provided on the second semiconductor chip 72 and is transmitted to a current transmission MISFET (not shown) that forms a current mirror circuit with the twelfth MISFET 43. The reference current transmitted to the current transmission MISFET is further transmitted to a next-stage semiconductor chip via a reference current output terminal 9 (not shown).
[0105]
With the above-described configuration, the reference current with a small error is transmitted from the reference current output terminal 9 which is close to the reference current input terminal 11, so that the occurrence of crosstalk can be suppressed in the same semiconductor chip and the current drive can be performed. Variation in output current for each semiconductor chip provided with the device can be suppressed to a small value.
[0106]
Therefore, by adopting the above-described input / output configuration of the reference current, it is possible to realize image display with less unevenness, and to realize a large-screen and high-definition organic EL display panel or LED display panel. It becomes possible.
[0107]
Although not shown, by using the same configuration as the example shown in FIG. 3 for the reference current supply unit, only one type of semiconductor chip can be used for the display device, and the manufacturing cost can be reduced. .
[0108]
In the current driving device of the present embodiment, FIG. 4 shows an example in which the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 are provided for each current supply unit 59, but one set is provided for two or more current supply units 59. And the current input MISFET 55 and the current input MISFET 57 may be provided. In this case, two or more pairs of the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 may be provided for each semiconductor chip. The effect of suppressing the crosstalk increases as the number of the current distribution MISFETs 55 increases. However, in an actual circuit, it is preferable to design in consideration of the balance between the circuit area and the performance.
[0109]
FIG. 6 is a circuit diagram showing a modified example of the current driver of the present embodiment. In a semiconductor chip, a threshold voltage Vt of a MISFET arranged in a direction from the reference current input terminal to the reference current output terminal (longitudinal direction of the chip) is close to, for example, the input terminal due to factors such as a gradient of impurity concentration. There is a gradient such that it is higher on the side and lower on the side closer to the output terminal.
[0110]
Therefore, as shown in FIG. 6, in the current driver of the present embodiment, among the MISFETs constituting the current sources in the current supply units 59-1 to 5m, the gate electrodes of the MISFETs connected to different output terminals are connected to each other. The gate electrodes of the current input MISFET 57 may be connected to each other. In this case, a voltage with a gradient can be applied to the gate electrode of each MISFET in accordance with the gradient of the threshold value of each MISFET, so that variation in the current output from the current supply unit 59 can be reduced. . In the case of this modification, an n-channel type current transmission MISFET 66 forming a current mirror circuit with the current input MISFET 57 and the MISFET in the current supply unit 59, and a reference current output terminal 9 connected to the current transmission MISFET 66 And connected to the next-stage semiconductor chip. At this time, if the current transmission MISFET 66 and the reference current output terminal 9 are arranged near the end of the semiconductor chip as in the example of FIG. 3, it is possible to reduce the variation in the output current for each semiconductor chip.
[0111]
(Third embodiment)
FIGS. 7A and 7B are circuit diagrams illustrating a current driving device according to a third embodiment of the present invention. FIGS. 8A and 8B are diagrams illustrating a current driving unit 51 of the current driving device according to the present embodiment. It is a circuit diagram which expands and shows a structural example.
[0112]
As shown in FIG. 7, the current driver of the present embodiment includes a plurality of current distribution MISFETs, similarly to the current driver of the second embodiment. However, the following points are features of the current driver according to the present embodiment, which are different from the current driver according to the second embodiment.
[0113]
First, a first feature of the current driver of this embodiment is that an n-channel cascode MISFET 77 cascode-connected to an n-channel MISFET serving as a current source in the current supply unit 59 is provided. Here, the configuration of the current supply unit 59 is simplified in FIG. 7, but is actually as shown in FIG. 8A or 8B.
[0114]
In the example shown in FIG. 8A, one cascode is connected to the current sources 60-1, 60-2,..., 60-m for m bits via the switches 64-1, 64-2,. The MISFET 77 is provided. The gate voltage Vclp of the cascode MISFET 77 is set to a value lower than the power supply voltage (for example, about 3 V) of the display panel. In addition, the threshold voltage of the cascode MISFET 77 is equal to or lower than the gate voltage Vclp, and the cascode MISFET 77 is on throughout the driving.
[0115]
Thereby, the cascode MISFET 77 functions as a clamp circuit, and limits the current flowing from the panel side when the switches 64-1, 64-2,..., 64-m simultaneously switch from the non-conductive state to the conductive state. Can be. In particular, since the gate voltage Vclp is set to a value lower than the power supply voltage of the display panel, even when a high voltage is instantaneously applied to the output terminal 68 from the display panel side, the current sources 60-1 and 60 −2,..., 60-m, the voltage applied to the drain of each MISFET can be made equal to or lower than the gate voltage Vclp. Therefore, the gate potentials of the MISFETs constituting the current sources 60-1, 60-2,..., 60-m are less likely to fluctuate due to the current flowing from the display panel. Generation is suppressed, and uniform display is realized.
[0116]
As the current control means, a resistance element such as a polysilicon resistance, a diffusion resistance, or a well resistance may be provided instead of the cascode MISFET 77. 2. Description of the Related Art In a semiconductor integrated circuit, generally, a current limiting resistor for preventing an inflow of electric charge from the outside is arranged to protect an internal circuit from electrostatic breakdown. Here, the resistor serves to limit the inflow of charges from the display panel and remove high-frequency components. Since the high-frequency component is removed, the parasitic capacitance between the gate and the drain of the MISFET, which is the current source, can be reduced, so that the fluctuation of the gate potential due to the charge flowing from the panel can be suppressed.
[0117]
Further, the current supply unit in the current driving device of the present embodiment may have a configuration as shown in FIG. In this example, cascode MISFETs 77-1, 77-2,..., Instead of switches for controlling the amount of current flowing to the current supply unit 59 (corresponding to switches 64-1 to m in FIG. 8A). 77-m are provided. Each of the cascode MISFETs 77-1, 77-2,..., 77-m receives a gate voltage Vclp lower than the power supply voltage of the display panel and is turned on.
It becomes. Since the cascode MISFETs 77-1, 77-2,..., 77-m of the present embodiment also serve as output control switches of the current supply unit 59, they are turned on or off according to display data.
[0118]
Thus, the cascode MISFETs 77-1, 77-2,..., 77-m function to prevent a large current from suddenly flowing to the current source of the current supply unit 59 when switching from black display to white display. . Further, according to this configuration, the circuit area can be reduced as compared with the embodiment shown in FIG. 8A, so that the current driver of this embodiment is required to reduce the area of the driver LSI. It is preferably used for a display device.
[0119]
Next, a second feature of the current driver according to the present embodiment is that a cascode is connected to the current distribution MISFET 55 between the p-channel type current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57, and the same as the current distribution MISFET 55. This is the point that a conductive type second current distribution MISFET 73 is provided. For this reason, the current driver according to the present embodiment is cascode-connected to the thirteenth p-channel type MISFET 71 provided between the drain of the first MISFET 53 and the reference current source 58, and to the MISFET 61 for current transmission. It has thirteen MISFETs 71 and a fourth p-channel current transmission MISFET 75 constituting a current mirror circuit. Each gate electrode of the second current distribution MISFET 73 is connected to a common bias line, and forms a current mirror circuit with the thirteenth MISFET 71 and the fourth current transmission MISFET 75. Here, the "second current distribution MISFET 73" is an expression in a case where each of the second current distribution MISFETs 73-1 to 73-m is not distinguished.
[0120]
With such a configuration, in the current driver according to the present embodiment, it is possible to suppress and stabilize the fluctuation of the reference current transmitted to the current sources 60-1 to 60-m of the current supply unit 59 via the current input MISFET 57. it can. Therefore, by using the current driving device of the present embodiment, the display quality of the current driving display device can be further improved.
[0121]
Next, a third feature of the current driver of the present embodiment is that, as described in the first embodiment, the reference current output terminal 9 and the reference current input terminal 11 are provided near the end of the semiconductor chip. In addition, n-channel type current transmission MISFETs 79 and 81 which constitute a current mirror circuit with each other are also provided near the end of the semiconductor chip. Further, in the example shown in FIG. 7, when the reference current source 58 is outside the first semiconductor chip 70 and the reference current input terminal is provided between the reference current source 58 and the drain of the thirteenth MISFET 71. In this case, the first semiconductor chip 70 and the second semiconductor chip 72 can have the same configuration.
[0122]
Thereby, the variation in the output current between the semiconductor chips can be suppressed, and the driver of the display device can be constituted by a single type of semiconductor chip.
[0123]
In the current driver according to the present embodiment, an example having the above-described three characteristics has been described. However, even if the current driver has only one of the characteristics or combines any two of the characteristics, Thus, a more uniform display can be realized.
[0124]
In the current driver of the present embodiment, the conductivity type of the MISFET included in the current supply unit 59 may be a p-channel type, and the potential of the current supply unit 59 may be higher than that of the display panel. In that case, the conductivity types of the MISFETs constituting the current driver may be all reversed. This is the same in the following embodiments.
[0125]
(Fourth embodiment)
FIG. 9 is a circuit diagram showing a current driver according to a fourth embodiment of the present invention.
[0126]
As shown in the figure, the current driver of the present embodiment is configured such that the reference current distributed by the current mirror circuit including the current distribution MISFET 55 in the current driver of the second embodiment is arbitrarily switched. (Shuffled) and outputs from the output terminal of the current supply unit 59. Therefore, in the current driver of the present embodiment, the circuit configuration inside the current supply units 51-1 to n is the same as that of the second embodiment.
[0127]
In the example of the current driver of the present embodiment shown in FIG. 9, the current distribution MISFET 55 is provided for each current supply unit 59, and between the drain of the current distribution MISFET 55 and the drain of the current input MISFET 57. A first bias current switch 91 and a second bias current switch 92 are provided. For example, a first bias current switch 91-1 and a second bias current switch 92-1 are provided between the current distribution MISFET 55-1 and the current input MISFET 57-1. A first bias current switch 91-2 and a second bias current switch 92-2 are provided between the current input MISFET 57-2 and the current input MISFET 57-2.
[0128]
With this configuration, the reference current distributed by each of the current distribution MISFETs 55-1 to 55-n can be output from the output terminal of the current supply unit 59 that is different every arbitrary period. The timing of switching the connection between the first bias current switch 91 and the second bias current switch 92 can be set arbitrarily, for example, every n lines (n is a positive integer) or every frame.
[0129]
FIGS. 10A to 10C are circuit diagrams illustrating an example of a switching method of the output current in the current driving device according to the present embodiment. FIGS. FIG. 9 is a circuit diagram showing another example of the output current switching method in the driving device.
[0130]
FIGS. 10A to 10C show a method of switching the connection between the current distribution MISFET 55 located on both sides and the current supply unit 51 when one current distribution MISFET 55 is viewed. Here, when the connection is switched between the adjacent current distribution MISFETs 55, dummy switches are provided next to the current distribution MISFETs 55-1 and 55-n, next to the current distribution MISFETs 55-1 and 55-n, respectively. It is preferable to provide MISFETs 95 and 99 for current distribution. In this case, dummy bias current changeover switches 96, 97, 100, 101 are also provided.
[0131]
This method will be described by taking the current distribution MISFET 55-1 as an example. Here, an example in which the connection is switched every horizontal scanning period is shown.
[0132]
First, in the first horizontal scanning period, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the current supply unit 51-1 as usual, as shown in FIG.
[0133]
In the next horizontal scanning period, as shown in FIG. 10B, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the current supply unit 51-2.
[0134]
In the next horizontal scanning period, as shown in FIG. 10C, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the dummy wiring. Although only the current distribution MISFET 55-1 has been described here, the connection of the other current distribution MISFETs 55 is similarly switched.
[0135]
As described above, since the relationship between the current distribution MISFET 55 and the output current can be switched in three ways, it is possible to offset the characteristic variation of the current distribution MISFET 55. For this reason, by using the current driving device of the present embodiment, it is possible to realize a current driving type display device in which display flicker is suppressed. In the example shown in FIG. 10, the connection switching patterns are three types shown in (a) to (c), but may be more than this, or only two types shown in (b) and (c). May be.
[0136]
Further, the current driving device of the present embodiment can also adopt a switching method as shown in FIGS.
[0137]
That is, in the first horizontal scanning period, as shown in FIG. 11A, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the current supply unit 51-3.
[0138]
Then, in the next horizontal scanning period, as shown in FIG. 11B, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the current supply unit 51-2.
[0139]
Further, in the next horizontal scanning period, as shown in FIG. 11C, the current distribution MISFET 55-1 is connected to the dummy bias current switch 97b. Even by such a switching method, the error of the output current from the current supply unit 59 is apparently canceled.
[0140]
In the current driver of the present embodiment, the connection switching method of the current distribution MISFETs 55 is not limited to the above-described method, and the current supply unit 51 to which each of the current distribution MISFETs 55-1 to 55-n is connected is arbitrarily switched. be able to. However, it is more preferable to connect the current distribution MISFET 55 to the second bias current changeover switch 92 located as close as possible because the wiring can be shortened and simplified. Therefore, it is most preferable to switch the connection between the current distribution MISFETs 55 adjacent to each other.
[0141]
In the current driver of the present embodiment, the bias current switches 91 and 92 for switching the connection between the output terminals are provided between the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57. The first and second bias current changeover switches 91 and 92 may be provided between the drain of the n-channel type MISFET constituting -1 and the switch 64 (see FIG. 8).
[0142]
Further, in the current driver shown in FIGS. 9 to 11, a switch (or a switching terminal) is used as a connection switching means between the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57, but other switching means may be provided. Good.
[0143]
In the current driver of the present embodiment, when the circuit area is limited, the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57 may be provided for each of the plurality of current supply units 59.
[0144]
-Modification of the fourth embodiment-
FIG. 12 is a circuit diagram showing a current driver and a semiconductor chip according to a modification of the fourth embodiment of the present invention.
[0145]
The current driver of the present modified example has substantially the same configuration as the current driver shown in FIG. However, in the first semiconductor chip 70, the first terminal 160 connected to the first bias current switch 91-n and the second terminal connected to the second bias current switch 92-n 162 is different from the fourth embodiment. Further, in the second semiconductor chip 72, in addition to the first terminal 160 and the second terminal 162, the third terminal 164 connected to the first bias current switch 91-1 and the second bias A fourth terminal 166 connected to the current switch 92-1 is further provided.
[0146]
Thus, when a plurality of semiconductor chips provided with the current driver of the present modification are arranged, the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 55 provided not only in the same semiconductor chip but also on adjacent semiconductor chips. It will be possible to switch the connection between and. In the example shown in FIG. 12, the first terminal 160 is connected to the first bias current switch 91-n, and the second terminal 162 is connected to the second bias current switch 92-n. However, the first terminal 160 and the second terminal 162 may be designed to be connected to the first bias current changeover switch 91 and the second bias current changeover switch 92 which are located farther away, respectively.
[0147]
By driving the current driver of the present modification as described above, not only the variation in the output current from the output terminal in the semiconductor chip is reduced, but also the variation in the output current between the semiconductor chips is reduced. Becomes possible.
[0148]
(Fifth embodiment)
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of a current supply unit in a first specific example of the current driver according to the fifth embodiment of the present invention.
[0149]
In the current driving devices according to the first to fourth embodiments of the present invention, the MISFETs forming the current supply units 59-1, 59-2,..., 59-3 are arranged as shown in the layout diagram in the upper part of FIG. In addition, it is often arranged collectively for each current supply unit. In the following description, of the regions where these MISFETs are provided, the region where the MISFETs constituting the current supply unit 59-1 are arranged is referred to as the first MISFET region 76-1 and the current supply unit 59-2. The region where the MISFETs constituting the MISFET are arranged is called a second MISFET region 76-2, and the region where the MISFETs constituting the current supply portion 59-3 are arranged is called a third MISFET region 76-3. And When the first to third MISFET regions are referred to without distinction, they are referred to as MISFET regions 76. Although not shown in FIG. 14, in the MISFET region 76, 16 and 32 MISFETs of the same size are further provided.
[0150]
The current driver of this specific example is characterized in that in the current driver having such a circuit arrangement, one current supply unit 59 is formed of MISFETs provided in different MISFET regions 76.
[0151]
Regarding the MISFETs constituting the current supply unit 59, there are variations in characteristics due to differences in positions in the semiconductor chip, manufacturing processes, and the like. In particular, the characteristic variation between MISFETs in different MISFET regions is relatively large. Therefore, in the current driving device of this specific example, the output current is shuffled between the adjacent output terminals or between the output terminals separated from each other, thereby averaging the characteristic variations of the MISFETs constituting the current supply unit 59. Therefore, variations in output current for each output terminal can be suppressed. Therefore, by using the current driving device of this specific example for a display device, display unevenness can be suppressed and display image quality can be improved.
[0152]
In the current driving device of this specific example, one current supply unit 59 may be configured by combining MISFETs in an arbitrary MISFET region 76 in the semiconductor chip, but as shown in FIG. It is particularly preferable to combine MISFETs in the MISFET region because the wiring becomes easy. However, in order to make the output current more uniform, it is necessary to combine MISFETs in MISFET regions separated from each other. Therefore, in actuality, the design is made in consideration of the balance between the ease of wiring and the effect of reducing variation. In any case, at the time of circuit design, which MISFET in which MISFET region is to be connected to the output terminal of which current supply unit 59 may be determined using a random number or the like.
[0153]
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a current supply unit in a second specific example of the current driver according to the fifth embodiment.
[0154]
In the current driving device of the first specific example, the arrangement of the MISFETs serving as the current sources according to the bits in each MISFET region 76 is fixed (see FIG. 13).
[0155]
On the other hand, in the current driving device of this specific example, as shown in the upper layout diagram of FIG. 14, the gate electrodes of arbitrary MISFETs provided in the MISFET region 76 are connected to each other to Make up the source. In other words, in the current driving device of this specific example, the selection of the MISFET constituting the current source is randomly changed for each output terminal.
[0156]
Even in the MISFETs provided in the same MISFET region 76, the characteristics vary depending on the position. Therefore, as in this specific example, the current supply unit is formed by MISFETs randomly selected from the MISFETs provided in each MISFET region 76. With the configuration of 59, it is possible to make the variation in output current more uniform and to suppress it than in the first specific example. Thus, by using the current driving device of this specific example for a display device, it is possible to suppress display unevenness and improve display image quality. Further, since an area for providing a switch is not required, a circuit area can be reduced as compared with the fourth embodiment.
[0157]
The circuit arrangement and wiring structure of the current driver according to the first and second specific examples of the present embodiment are not limited to those of the first to fourth embodiments, but may be applied to the conventional current driver shown in FIG. The same effect can be obtained by applying. Further, if the wiring structure of the present embodiment is applied to the fourth embodiment, it is possible to significantly reduce a current error due to the output terminal.
[0158]
(Sixth embodiment)
FIG. 15 is a circuit diagram showing a current driver according to the sixth embodiment of the present invention.
[0159]
As shown in the figure, the current driver of the present embodiment is different from the second driver of FIG. 4 in that a resistor 62 is connected between the gate electrodes of the current distribution MISFETs 55 adjacent to each other on the bias line 56. Is provided. Here, the “resistor 62” is an expression in a case where each of the resistors 62-1, 62-2,..., 62- (n-1) in FIG. A current source or a wiring (not shown) for generating a potential gradient is connected to the reference current output terminal side of the bias line 56 shown in FIG.
[0160]
In the current driving device of the present embodiment, the provision of the resistor 62 reduces the error of the output current between the output terminals. Hereinafter, this will be described.
[0161]
The current mirror circuit is based on the premise that the diffusion conditions of the transistors constituting the current mirror circuit are equal and there is no significant difference in the threshold value Vt or the carrier mobility. However, if the length of the display driver LSI chip is increased from 10 mm to as long as 20 mm, it becomes difficult to uniformly diffuse the impurities contained in the transistor. As a result, the threshold voltage of the transistor serving as the current mirror varies, and the output voltage varies. Normally, diffusion fluctuations have a gradual slope with respect to the wafer surface. Therefore, for example, the threshold voltage Vt of the current distribution MISFET 55 decreases as going from the current distribution MISFET 55-1 to the current distribution MISFET 55-n.
[0162]
In the current driver of the present embodiment, since the resistor 62 is provided on the bias line 56, the gate voltage applied to the current distribution MISFETs 55-1 to 55-n is inclined according to the gradient of the threshold value Vt. As a result, the value of the current flowing through the current distribution MISFET 55 can be made substantially constant.
[0163]
Therefore, according to the current driving device of the present embodiment, it is possible to suppress the variation of the output current from the current supply unit 59 in the semiconductor chip and improve the image quality of the display device.
[0164]
The configuration of the input / output terminal of the reference current described in the first embodiment and the configuration described in the fourth and fifth embodiments are also adopted in the current driver of the present embodiment. Is also good.
[0165]
(Seventh embodiment)
FIG. 16 is a circuit diagram showing a current driver according to the seventh embodiment of the present invention.
[0166]
As shown in the drawing, the current driver of the present embodiment has the same MISFET as the MISFET constituting the current source of the current supply section 59 in addition to the conventional current driver shown in FIG. A cascode MISFET 80 that is of a conductive type and forms a cascode connection with the MISFET is provided. Although the configuration of the current supply unit 59 shown in FIG. 16 looks similar to the configuration of the current supply unit 59 shown in FIG. 7, a cascode MISFET 80 is provided for each MISFET forming the current source. A switch 64 for controlling the gray scale of the output current is provided between the cascode MISFET 80 and the output terminal (not shown). The difference is that they are commonly connected to the electrodes. The drain and the gate electrode of the second current input MISFET 105 are connected to each other and set so that a reference current flows. The cascode MISFET 80 and the second current input MISFET 105 constitute a current mirror circuit. For example, a second current distribution MISFET (not shown) for distributing a reference current is connected to the drain of the second current input MISFET 105.
[0167]
Therefore, each of the current supply units 59 described in the present embodiment receives a bias voltage from both directions from the current input MISFET 57 side and the second current input MISFET 105 side.
[0168]
With this configuration, the output current of the current supply unit 59 should flow when the cascode MISFET 80 is not provided and the current that should flow through the MISFET (current source MISFET) that forms the current source when the cascode MISFET 80 is not connected. The current is averaged. The same gate voltage is applied to all the current source MISFETs and the same gate voltage is applied to all the cascode MISFETs 80. However, the threshold values of the current source MISFET and the cascode MISFET 80 are Depending on the position, the gradient changes from right to left in FIG. 16 in opposite directions. Therefore, by averaging the current that should flow through the current source MISFET and the current that should flow through the cascode MISFET 80, the variation of the output current for each output terminal is averaged and made uniform. Therefore, by using the current driving device of the present embodiment, a high-definition display device in which display unevenness is suppressed can be realized.
[0169]
In FIG. 16, a pair of the current input MISFET 57 and the current distribution MISFET (first MISFET) 55, and a pair of the second current input MISFET 105 and the second current distribution MISFET are one pair per semiconductor chip. Although the example provided is shown, it may be combined with the configuration described in the current driver of the second embodiment.
[0170]
FIG. 17 is a circuit diagram showing a current driver of the present embodiment when combined with the second embodiment. In this current driver, a plurality of pairs of the current input MISFET 57 and the current distribution MISFET 55 are provided.
[0171]
In this case, it is preferable to provide a plurality of pairs of the second current input MISFET 105 and the second current distribution MISFET 55b per semiconductor chip. In particular, if the number of pairs of the current input MISFET 57 and the current distribution MISFET 55 and the number of pairs of the second current input MISFET 105 and the second current distribution MISFET 55b are made equal, the variation of the output current among the terminals is more effective. It is particularly preferable because it can be reduced to. The gate electrode of the second current distribution MISFET 55b is connected to a common bias line 56b. With such a configuration, when the current driver according to the present embodiment is used for a display device, occurrence of crosstalk display can be suppressed.
[0172]
When this configuration is adopted, it can be combined with the configurations described in the fourth and fifth embodiments. For example, the current driver shown in FIG. 17 includes a connection switching unit 130a provided between the current distribution MISFET 55 and the current input MISFET 57, a second current distribution MISFET 55b, and a second current input MISFET 105. And a connection switching means 130b provided therebetween. Then, the connection switching unit 130a connects the current distribution MISFET 55 to a different current input MISFET 57 for each arbitrarily set period. Similarly, the connection switching unit 130b connects the second current distribution MISFET 55b to a different second current input MISFET 105 for each arbitrarily set period. Thereby, the output current from the current supply unit 59 can be made more uniform.
[0173]
Further, the configuration of the current driver according to the present embodiment may be combined with the configuration described in the first embodiment.
[0174]
FIG. 18 is a circuit diagram showing a current driver having the terminal structure described in the first embodiment in the current driver of the present embodiment. As shown in the figure, in the current driver of the present embodiment, the first reference current input terminal 124 and the first reference current input terminal 124 are within a range of 200 μm or less, preferably 100 μm or less, of the semiconductor chip. The first reference current output terminal 126 is provided, and the second reference current input terminal 128 and the second reference current output terminal 130 are arranged within a range of 200 μm or less, preferably 100 μm or less from the second current input MISFET 105. It may be provided. When arranging a plurality of semiconductor chips provided with a current driver in a frame portion of the display panel, the first reference current output terminal 126 and the first reference current input terminal 124 of the next-stage second semiconductor chip 122 are arranged. And the second reference current output terminal 130 may be connected to the second reference current input terminal 128 of the second semiconductor chip 122. Thereby, the variation of the output current between the semiconductor chips can be suppressed.
[0175]
(Eighth embodiment)
FIG. 19 is a circuit diagram showing a semiconductor chip on which a current driver according to the eighth embodiment of the present invention is formed. In the current driving device shown in the figure, the configuration of the current supply unit 40 is the same as that of the current supply unit 40 shown in FIG. 2, and the other configuration will be described below.
[0176]
A feature of the semiconductor chip of the present embodiment is that, for example, when the semiconductor chips are arranged in a row at the periphery of the display panel, the direction in which the reference current flows is switched at arbitrary time intervals.
[0177]
As shown in FIG. 19, the current driver according to the present embodiment includes a first reference current input terminal 146 connected to a reference current source 151 for flowing a first reference current, and a MISFET forming the current source 5. A first current input MISFET 3a to which a gate electrode and a drain are connected to each other and to which a first reference current is transmitted; a MISFET forming a current source 5; and a first current input MISFET 3a. A first current transmission MISFET 7b that forms a current mirror circuit with the MISFET 3a, a first reference current output terminal 150 to which an output current from the first current transmission MISFET 7b is transmitted, a second reference current source 153, Alternatively, the second reference current input terminal 148 for inputting the second reference current output from the next-stage semiconductor chip, and the MI constituting the current source 5 A second current input MISFET 36 that forms a current mirror circuit with the FET and has a gate electrode and a drain connected thereto; and a second current input MISFET and a MISFET that forms the current source 5 and the second current input MISFET that forms a current mirror circuit. A second current transmission MISFET 7a, a second reference current output terminal 144 to which an output current from the second current transmission MISFET 7a is transmitted, a switch SW1 connected to the second reference current output terminal 144, A switch SW2 connected to the first reference current input terminal 146; a switch SW3 connected to the second reference current input terminal 148; and a switch SW4 connected to the first reference current output terminal 150. . In addition, a current transmission path between the first reference current input terminal 146 and the first current input MISFET 3a and a current transmission between the second reference current output terminal 144 and the second current transmission MISFET 7a On the path, a reference current changeover switch 154 is provided, on the current transmission path between the second reference current input terminal 148 and the second current input MISFET 3b, and on the first reference current output terminal 150 A reference current switch 156 is provided on the current transmission path between the first current transmission MISFET 7b.
[0178]
The distance between the first reference current input terminal 146 and the first current input MISFET 3a is preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less, and the distance between the first reference current output terminal 150 and the first The distance from the current transmitting MISFET 7b is also preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less. Similarly, the distance between the second reference current input terminal 148 and the second current input MISFET 3b is preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less, and the distance between the second reference current output terminal 144 and The distance from the second current transmitting MISFET 7a is also preferably 200 μm or less, more preferably 100 μm or less.
[0179]
Thus, when the semiconductor chips of the present embodiment are cascaded, it is possible to reduce the variation in the output current (the drive current of the pixel circuit) for each semiconductor chip.
[0180]
In the display device, when the first semiconductor chip 140 and the second semiconductor chip are arranged adjacent to each other, the first reference current output terminal 150 of the first semiconductor chip 140 and the second semiconductor chip 142 Are connected to each other, and the second reference current output terminal 148 of the first semiconductor chip 140 and the second reference current input terminal 144 of the second semiconductor chip 142 are connected to each other. Have been.
[0181]
In the current driver according to the present embodiment, the switches SW1 and SW3 operate in synchronization with each other, and the switches SW2 and SW4 operate in synchronization with each other. In addition, the operations of the switches SW1 and SW3 are controlled so that the operations of the switches SW2 and SW4 are turned on or off in reverse. During the operation of the current driver according to the present embodiment, as described below, a first period in which the first reference current is transmitted to the plurality of semiconductor chips, and a second period in which the second reference current is transmitted to the plurality of semiconductor chips. Are alternately repeated.
[0182]
First, during the first period, as shown in FIG. 19, the switches SW2 and SW4 are turned on, the switches SW1 and SW3 are turned off, and the reference current switch 154 is connected to the first reference current input terminal 146 and the first reference current input terminal 146. A current transmission path between the first current input MISFET 3a and the current transmission path between the second reference current output terminal 144 and the second current transmission MISFET 7b is cut off. At the same time, the reference current switch 156 causes the current transmission path between the first reference current output terminal 150 and the first current transmission MISFET 7b to conduct, and the second reference current input terminal 148 and the second The current transmission path between the current input MISFET 3b and the current input MISFET 3b is cut off. By such control, the first reference current is transmitted to the plurality of semiconductor chips via the first reference current input terminal 146 and the first reference current output terminal 150.
[0183]
Next, in the second period, the switches SW2 and SW4 are turned off, the switches SW1 and SW3 are turned on, and the reference current switch 154 is connected to the first reference current input terminal 146 and the first current input MISFET 3a. Is interrupted, and the current transmission path between the second reference current output terminal 144 and the second current transmission MISFET 7b is made conductive. At the same time, the reference current switch 156 cuts off the current transmission path between the first reference current output terminal 150 and the first current transmission MISFET 7b, and the second reference current input terminal 148 and the second The current transmission path between the current input MISFET 3b and the current input MISFET 3b is made conductive. With such control, the second reference current supplied from the second reference current source 153 is supplied to the plurality of semiconductor chips via the second reference current input terminal 148 and the second reference current output terminal 144. It is transmitted.
[0184]
When driving a large-screen display panel, it is necessary to arrange a large number of semiconductor chips provided with a current driver, but in a conventional current driver that supplies a reference current from only one side, a first-stage semiconductor chip is used. An error easily occurs between the reference current supplied to the semiconductor chip and the reference current transmitted to the last-stage semiconductor chip. On the other hand, in the current drive device of the present embodiment, the reference currents from the two types of reference current sources are alternately transmitted every arbitrary period, so that the variation in the output current from the output terminal is averaged. Therefore, by using the current driver of the present embodiment, a display device with uniform display can be realized even when the size of the display panel is increased.
[0185]
In FIG. 19, the configuration of the current supply unit 40 is the same as that of the first embodiment. However, if the configuration is such that the direction in which the reference current flows can be switched, the configuration is the same as that of the current supply unit of the other embodiments. May be taken.
[0186]
A current transmission path between the first reference current input terminal 146 and the first current input MISFET 3a, and a current transmission path between the second reference current output terminal 144 and the second current transmission MISFET 7b. Are partially common, but respective current transmission paths may be provided separately. In this case, the reference current switch becomes unnecessary. Similarly, a current transmission path between the first reference current output terminal 150 and the first current transmission MISFET 7b, and a current transmission path between the second reference current input terminal 148 and the second current input MISFET 3b. A current transmission path may be provided separately.
[0187]
【The invention's effect】
According to the current driver of the present invention, by providing a plurality of current distribution MISFETs and a plurality of current input MISFETs for distributing the reference current per semiconductor chip, the output impedance at the gate of the MISFET constituting the current supply unit is relatively reduced. When used in a display device, fluctuations in the gate potential of the MISFET due to current flowing from the display panel side can be suppressed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of crosstalk in the display device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a connection portion between two chips provided with a current driver according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing a connection portion between two chips provided with an example of the current driver according to the first embodiment;
FIG. 3 is a circuit diagram showing a connection portion between two chips provided with a current driver according to a modification of the first embodiment.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a current driver according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram illustrating a semiconductor chip according to a second embodiment in which an input terminal and an output terminal of a reference current are provided at an end of the chip.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a modified example of the current driver according to the second embodiment.
FIG. 7 is a circuit diagram illustrating a current driver according to a third embodiment of the present invention.
FIGS. 8A and 8B are circuit diagrams showing an enlarged configuration example of a current supply unit 51 in the current driver according to the third embodiment.
FIG. 9 is a circuit diagram illustrating a current driver according to a fourth embodiment of the present invention.
FIGS. 10A to 10C are circuit diagrams illustrating an example of an output current switching method in the current driver according to the fourth embodiment.
FIGS. 11A to 11C are circuit diagrams illustrating another example of an output current switching method in the current driver according to the fourth embodiment.
FIG. 12 is a circuit diagram showing a current driver and a semiconductor chip according to a modification of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of a current supply unit in a first specific example of a current driver according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of a current supply unit in a second specific example of the current driver according to the fifth embodiment.
FIG. 15 is a circuit diagram showing a current driver according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a circuit diagram illustrating a current driver according to a seventh embodiment of the present invention.
FIG. 17 is a circuit diagram showing a current driver according to a first modification of the seventh embodiment.
FIG. 18 is a circuit diagram showing a current driver according to a second modification of the seventh embodiment.
FIG. 19 is a circuit diagram showing a semiconductor chip on which a current driver according to an eighth embodiment of the present invention is formed.
FIG. 20 is a circuit diagram showing a configuration of a display panel and a conventional current driver which is a display driver connected to the display panel.
21A is a diagram illustrating an example of monochrome display on a display panel, and FIG. 21B is a diagram illustrating a pixel circuit arranged on line XXIb-XXIb of the display panel illustrated in FIG. (C) is a graph showing an operating point of the TFT in black display, and (d) is a graph showing an operating point of the TFT in white display. It is.
22A is a diagram illustrating an example of monochrome display on a display panel. FIG. 22B is a diagram illustrating a pixel circuit arranged on line XXIIb-XXIIb of the display panel illustrated in FIG. (C) is a graph showing the operating point of the TFT when black display is switched to white display, and (d) is a continuous white display. FIG. 7 is a graph showing operating points of a TFT in the case.
FIG. 23 is a diagram showing a circuit arrangement and a circuit configuration of a current supply unit in a conventional current driver.
[Explanation of symbols]
1,53 First MISFET
2 Second MISFET
3 MISFET for current input
4,58 Reference current source
5, 5-1 to m, 25, 25-1 to m, 60 current source
7. First MISFET for current transmission
9 Reference current output terminal
10. Third MISFET for current transmission
11 Reference current input terminal
11a first reference current input terminal
11b Second reference current input terminal
12 Fourth MISFET for Current Transmission
13 Third MISFET
15 Fourth MISFET
16 Resistance
17 Fifth MISFET
19 Sixth MISFET
20 First semiconductor chip
22 Second semiconductor chip
23 Seventh MISFET
27 Second Current Transfer MISFET
33, 33a Eighth MISFET
35, 35a Ninth MISFET
37, 37a 10th MISFET
39, 39a Eleventh MISFET
40, 41, 59, 59-1 to n Current supply unit
43 12th MISFET
51, 51-1 to n Current supply unit
55, 55-1 to n MISFET for current distribution
56 bias line
57, 57-1 to n Current input MISFETs
61, 66, 79, 81 MISFET for current transmission
62 resistance
64 switch
68 output terminal
70 First Semiconductor Chip
71 thirteenth MISFET
72 Second semiconductor chip
73 Second Current Distribution MISFET
75 Fourth MISFET for Current Transmission
76 MISFET area
76-1 First MISFET region
76-2 Second MISFET Region
76-3 Third MISFET Region
77, 77-1 to m, 80 Cascode MISFET
91 First bias current switch
92 Second bias current selector switch
95, 95a, 95b, 99 MISFET for dummy current distribution
96, 96a, 96b Dummy bias current selector switch
97, 97a, 97b, 100, 101 Dummy bias current selector switch
105 Second Current Input MISFET

Claims

A current driver provided on a semiconductor chip,
A first MISFET of a first conductivity type to which the reference current is transmitted from a reference current source for flowing a reference current;
A first conductivity type current distribution MISFET for forming a current mirror circuit with the first MISFET and flowing the reference current;
A second conductivity type current input MISFET connected to the current distribution MISFET;
A plurality of current supply units having a current source MISFET of the second conductivity type forming a current mirror circuit with the current input MISFET, and an output terminal for outputting a current corresponding to display data;
A second conductivity type current transmission MISFET forming a current mirror circuit with the current source MISFET and the current input MISFET;
A current driver provided on a region of the semiconductor chip having a distance of 200 μm or less from the current transmitting MISFET and having a reference current output terminal for outputting a current transmitted from the current transmitting MISFET; apparatus.

The current driving device according to claim 1,
The current driver, wherein the reference current output terminal is provided on an area of the semiconductor chip, the distance from the current transmitting MISFET being within 100 μm.

The current driving device according to claim 1 or 2,
The reference current source is outside the semiconductor chip,
A first reference current input terminal connected to the reference current source for transmitting a current to the current input MISFET, on a region of the semiconductor chip whose distance from the current input MISFET is 200 μm or less. The current driving device further comprising:

The current driving device according to claim 3,
A current driver, wherein the reference current input terminal is provided on an area of the semiconductor chip within a distance of 100 μm from the current input MISFET.

The current driving device according to any one of claims 1 to 4,
A current driver, further comprising a current mirror circuit including a first conductivity type MISFET on a transmission path of the reference current from the current transmission MISFET to the reference current output terminal.

The current driving device according to claim 5,
A current driver, further comprising a current mirror circuit including a second conductivity type MISFET on a transmission path of the reference current from the reference current source to the first MISFET.

The current driving device according to claim 1 or 2,
A first reference current input terminal connected to a drain of the first MISFET and provided on a region of the semiconductor chip having a distance of 200 μm or less from the current input MISFET;
An input side current mirror circuit connected to the drain of the first MISFET and configured by a second conductivity type MISFET;
A second reference current input terminal connected to the input side current mirror circuit and provided on a region of the semiconductor chip having a distance from the current input MISFET of 200 μm or less;
A current driver further comprising: an output side current mirror circuit provided on a current transmission path from the current transmission MISFET to the reference current output terminal and configured by a first conductivity type MISFET.

The current driver according to any one of claims 1 to 7,
A current driver, wherein a plurality of pairs of the current distribution MISFET and the current input MISFET are provided for the semiconductor chip.

The current driving device according to claim 8,
A connection switching means for switching between the current distribution MISFET and the current input MISFET so as to connect the current distribution MISFET to a different current input MISFET every predetermined period; Current drive.

The current driving device according to any one of claims 1 to 9,
On the semiconductor chip, a plurality of MISFET regions in which the current source MISFETs are provided collectively are arranged in a row.
A current driver, wherein each of the plurality of current supply units has at least two MISFETs arranged in the MISFET region.

The current driving device according to claim 8,
The gate electrode of the current distribution MISFET is commonly connected to a bias line,
A current driver, further comprising a resistance element between the gate electrodes of the current distribution MISFETs adjacent to each other on the bias line.

A first MISFET of a first conductivity type through which a reference current flows during driving;
A first current distribution MISFET of a first conductivity type for forming a current mirror circuit with the first MISFET and flowing the reference current;
A second current-conducting first current input MISFET having the drain connected to the first current distribution MISFET;
A current flowing through the current source MISFET in accordance with display data, the current source MISFET being connected to each of the second current source MISFET and the current source MISFET forming a current mirror circuit with the first current input MISFET; A plurality of current supply units connected to the switch and having an output terminal for outputting a current corresponding to the display data to a display panel, on a semiconductor chip. A provided current driver,
A plurality of pairs of the first current distribution MISFET and the first current input MISFET are provided for the semiconductor chip,
A current driver further comprising a bias line commonly connected to a gate electrode of the first MISFET and a gate electrode of the first current distribution MISFET.

The current driving device according to claim 12,
A current driver, wherein gate electrodes of all the current source MISFETs in the plurality of current supply units and gate electrodes of all the first current input MISFETs are connected to each other.

The current driving device according to claim 12 or 13,
Each of the plurality of current supply units is interposed between the switch and the output terminal, and is applied with a voltage equal to or lower than a power supply voltage of the display panel to a gate electrode during driving, and is turned on. A current driving device having the first cascode MISFET.

The current driving device according to claim 12 or 13,
The switch is a second cascode MISFET that forms a cascode connection with the current source MISFET and is turned on or off depending on whether a predetermined voltage is applied to a gate electrode during driving. apparatus.

The current driver according to any one of claims 12 to 15,
A second MISFET of a first conductivity type that is connected to the first MISFET and through which the reference current flows during driving;
A first conductive type second MISFET is provided between the first current distribution MISFET and the first current input MISFET, and has a gate electrode commonly connected to a gate electrode of the second MISFET. A current driver further comprising a current distribution MISFET.

The current driving device according to any one of claims 12 to 16,
A switch for connecting the first current distribution MISFET between the first current distribution MISFET and the first current input MISFET, which is different for every period, between the first current distribution MISFET and the first current input MISFET. A current driver further comprising a connection switching unit.

The current driving device according to claim 17,
The connection switching means,
A first bias current switch,
A current driver, comprising: a second bias current selector switch.

The current driving device according to claim 17 or 18,
A first conductivity type dummy current distribution MISFET forming a current mirror circuit with the first MISFET and the first current distribution MISFET;
A current driver further comprising: dummy connection switching means for temporarily connecting the dummy current distribution MISFET and the current input MISFET.

The current driving device according to claim 18,
On the semiconductor chip,
A first terminal temporarily connected to the first bias current changeover switch during driving;
And a second terminal temporarily connected to the second bias current switch during driving.

The current driver according to any one of claims 12 to 20,
On the semiconductor chip, a plurality of MISFET regions in which the current source MISFETs are provided collectively are arranged in a row.
A current driver, wherein each of the plurality of current supply units has at least two MISFETs arranged in the MISFET region.

The current driving device according to any one of claims 12 to 21,
The current driver further comprising a resistance element provided between the gate electrodes of the current distribution MISFETs adjacent to each other on the bias line.

The current driver according to any one of claims 12 to 22,
A plurality of third MISFETs of the first conductivity type for transmitting the reference current at the time of driving;
A plurality of second-conductivity-type second current-input MISFETs each having a gate electrode and a drain connected to each of the plurality of third current-distribution MISFETs;
A current mirror circuit is formed with the second current input MISFET, and a second cascode MISFET of a second conductivity type provided between each of the current source MISFETs and the switch is further provided. , Current drive.

A first current input MISFET of a first conductivity type through which a first reference current flows during driving;
A second current input MISFET of a first conductivity type through which a second reference current flows during driving;
A current flowing through the current source MISFET that is connected to the first conductivity type current source MISFET and the current source MISFET that constitutes a current mirror circuit with the first current input MISFET, and that flows through the current source MISFET according to display data. And a first conductivity type cascode MISFET which is provided between the current source MISFET and the switch, and which forms a current mirror circuit with the second current input MISFET. And a plurality of current supply units connected to the switch and having an output terminal for outputting a current corresponding to the display data, the current driver being provided on a semiconductor chip.

The current driving device according to claim 24,
On the semiconductor chip,
A first reference current input terminal for inputting the first reference current;
A first reference current output terminal for outputting the first reference current;
The first reference current input terminal and the first reference current output terminal are provided at positions sandwiching the plurality of current supply units, and are second reference current input terminals for inputting the second reference current. When,
The first reference current input terminal and the first reference current output terminal are provided at positions sandwiching the plurality of current supply units, and are second reference current output terminals for outputting the second reference current. And a current driver.

A current driver provided on a semiconductor chip,
A first reference current input terminal for inputting a first reference current;
A first current input MISFET of a first conductivity type to which a current flowing through the first reference current input terminal is transmitted during a first period;
A plurality of MISFETs of a first conductivity type forming a current mirror circuit with the first current input MISFET in the first period and a plurality of output terminals for outputting a current corresponding to display data. A current supply unit;
A first current-transmitting MISFET of a first conductivity type forming a current mirror circuit with the first current input MISFET and the current source MISFET during the first period;
A first reference current output terminal to which a current flowing through the first current transmitting MISFET is transmitted during the first period;
A second reference current input terminal for inputting a second reference current;
A current flowing through the second reference current input terminal during a second period, and a second current input MISFET of a first conductivity type forming a current mirror circuit with the current source MISFET;
A second current transmission MISFET of a first conductivity type that forms a current mirror circuit with the current source MISFET during the second period;
A second reference current output terminal to which a current flowing through the second current transmitting MISFET is transmitted during the second period;
A first switch provided on a current transmission path between the first reference current input terminal and the first current input MISFET;
A second switch provided on a current transmission path between the first current transmission MISFET and the first reference current output terminal;
A third switch provided on a current transmission path between the second reference current input terminal and the second current input MISFET;
A current driver, comprising: a fourth switch provided on a current transmission path between the second current transmission MISFET and the second reference current output terminal.

The current driving device according to claim 26,
A current transmission path between the first reference current input terminal and the first current input MISFET, and a current transmission path between the second current transmission MISFET and the second reference current output terminal. Has a first shared wiring,
A current transmission path between the second reference current input terminal and the second current input MISFET and a current transmission path between the first current transmission MISFET and the first reference current output terminal; Has a second shared wiring,
On the first shared wiring, the output current of the first current input MISFET is turned on during the first period, and the output current of the second current output MISFET is turned on during the second period. A first reference current switch;
On the second shared wiring, the output current of the first current output MISFET is turned on during the first period, and the output current of the second current input MISFET is turned on during the second period. A current reference device, further comprising a second reference current switch.

A display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with the amount of supplied current;
A current driver provided for each of the plurality of semiconductor chips arranged in a row and supplying a drive current to the pixel circuit,
Each of the plurality of semiconductor chips is provided at an end, a reference current input terminal for inputting a reference current, and a reference current provided at the end, for outputting a reference current for a next-stage semiconductor chip. And an output terminal.
A current driver, wherein the reference current input terminal and the reference current output terminal of adjacent semiconductor chips among the plurality of semiconductor chips are provided to face each other.

A display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with the amount of supplied current;
A display device comprising a plurality of semiconductor chips each provided with a current driver for supplying a drive current to the pixel circuit,
The current driving device is:
A first MISFET of a first conductivity type through which a reference current flows during driving;
A plurality of first conductivity type current distribution MISFETs for forming a current mirror circuit with the first MISFET and flowing the reference current;
A plurality of second-conductivity-type current input MISFETs each having the drain connected to the plurality of current distribution MISFETs;
A plurality of current supply units having a current input MISFET and a current source MISFET forming a current mirror circuit with the current input MISFET; and an output terminal for outputting a drive current corresponding to display data to the pixel circuit. A display device, comprising:

A display panel provided with a pixel circuit having a light-emitting element whose luminance changes in accordance with the amount of supplied current;
A display device comprising a plurality of semiconductor chips each provided with a current driver for supplying a drive current to the pixel circuit,
The current driving device is:
A first current input MISFET of a first conductivity type through which a first reference current flows during driving;
A second current input MISFET of a first conductivity type through which a second reference current flows during driving;
A current flowing through the current source MISFET that is connected to the first conductivity type current source MISFET and the current source MISFET that constitutes a current mirror circuit with the first current input MISFET, and that flows through the current source MISFET according to display data. And a first conductivity type cascode MISFET which is provided between the current source MISFET and the switch, and which forms a current mirror circuit with the second current input MISFET. And a plurality of current supply units connected to the switch and having an output terminal for outputting a drive current corresponding to the display data to the pixel circuit.

The display device according to claim 30,
At each end of the plurality of semiconductor chips,
A first reference current input terminal for inputting the first reference current;
A first reference current output terminal for outputting the first reference current;
A second reference current input terminal for inputting the second reference current;
A second reference current output terminal for outputting the second reference current;
The first reference current output terminal is connected to the first reference current input terminal of the adjacent semiconductor chip;
The display device, wherein the second reference current output terminal is connected to the second reference current input terminal of the adjacent semiconductor chip.