JP2001345673A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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JP2001345673A
JP2001345673A JP2000162247A JP2000162247A JP2001345673A JP 2001345673 A JP2001345673 A JP 2001345673A JP 2000162247 A JP2000162247 A JP 2000162247A JP 2000162247 A JP2000162247 A JP 2000162247A JP 2001345673 A JP2001345673 A JP 2001345673A
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JP
Japan
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acoustic wave
surface acoustic
wave device
electrode
frame
Prior art date
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Application number
JP2000162247A
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Japanese (ja)
Inventor
Atsuo Kishu
淳雄 旗手
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave device which can be readily manufactured in a small size like a surface acoustic wave element. SOLUTION: The surface acoustic wave device, which is formed by jointing two surface acoustic wave elements each having an exciting electrode on a piezoelectric substrate, while the piezoelectric substrate surfaces having the exciting electrodes formed thereon are opposed to each other, is characterized in that one of the piezoelectric substrates has the exciting electrode surface being larger than that of the other piezoelectric substrate, and a frame having an electrode formed thereon is disposed on an outer edge of one of the piezoelectric substrate to input and output a signal via the frame.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、自動車電話及び携
帯電話等の移動体無線端末機器に内蔵される共振器及び
周波数帯域フィルタ用の弾性表面波装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device for a resonator and a frequency band filter incorporated in a mobile radio terminal device such as an automobile telephone and a portable telephone.

【0002】[0002]

【従来技術とその課題】従来の弾性表面波(Surface Ac
oustic Wave)装置の実装形態について、図面に基づき
詳細に説明する。
2. Description of the Related Art Conventional surface acoustic waves (Surface Ac
An implementation of the oustic wave) device will be described in detail with reference to the drawings.

【0003】近年、携帯電話において、例えば900MH
z帯と1.8GHz帯の2つのバンドで通話が可能であるよ
うな、デュアルバンド対応の端末が使われるようになっ
た。このような携帯電話の中では、それぞれのバンドに
対応できるよう複数の弾性表面波装置が使用されてい
る。最近、携帯電話の部品点数削減および軽量小型化の
ため、このような複数の弾性表面波装置の機能を1つに
まとめた弾性表面波装置が作られるようになってきてい
る。
In recent years, in portable telephones, for example, 900 MHz
Dual-band compatible terminals have been used so that calls can be made in two bands, the z band and the 1.8 GHz band. In such a mobile phone, a plurality of surface acoustic wave devices are used so as to correspond to each band. Recently, in order to reduce the number of parts and reduce the weight and size of a mobile phone, a surface acoustic wave device in which functions of a plurality of such surface acoustic wave devices are integrated into one has been produced.

【0004】その例を図8、図9に示す。図8におい
て、1、2は弾性表面波素子であり、36°YカットX伝搬
タンタル酸リチウム単結晶等からなる圧電基板の表面
に、Al、Al-Cu合金等の導電膜をパターニングして、一
対の櫛歯状の励振電極6、8(Inter Digital Transduc
er、IDT電極)が1つまたは複数配置されている。この
素子はセラミックで作製した筐体13内に接着樹脂14
にて固着され、筐体13の入出力電極15または接地電
極16とそれぞれの引き出し電極7、9とワイヤ17で
接続されている。また、耐候性を持たせるために、筐体
13と蓋体18をシーム溶接または半田または樹脂の封
止剤により封止されている。
FIGS. 8 and 9 show examples. In FIG. 8, reference numerals 1 and 2 denote surface acoustic wave elements, which are formed by patterning a conductive film such as Al or an Al-Cu alloy on the surface of a piezoelectric substrate made of 36 ° Y-cut X-propagation lithium tantalate single crystal or the like. A pair of comb-shaped excitation electrodes 6 and 8 (Inter Digital Transduc
er, IDT electrodes) are arranged. This element is provided with an adhesive resin 14 in a casing 13 made of ceramic.
And connected to the input / output electrode 15 or the ground electrode 16 of the housing 13 and the respective lead electrodes 7 and 9 by wires 17. In order to provide weather resistance, the housing 13 and the lid 18 are sealed by seam welding or a sealing agent of solder or resin.

【0005】図9において、弾性表面波素子1、2の側
面を筐体13に実装して、導電体4により弾性表面波素
子1、2上の電極と筐体13上の電極19を接続した
後、蓋体18を覆って封止している。
In FIG. 9, the side surfaces of the surface acoustic wave elements 1 and 2 are mounted on a housing 13, and the electrodes on the surface acoustic wave elements 1 and 2 and the electrode 19 on the housing 13 are connected by a conductor 4. Thereafter, the lid 18 is covered and sealed.

【0006】上記のいずれの場合においても、圧電素子
が複数になることによって弾性表面波装置が大型化する
という問題があった。特に上記図8における弾性表面波
の場合、ワイヤ接続のための空間が必要であり、弾性表
面波装置がさらに大型になるという問題があった。ま
た、2つの弾性表面波素子を筐体へ実装した後に蓋体を
被せて封止する必要があり、工程が煩雑に成るという問
題があった。
[0006] In any of the above cases, there is a problem that the surface acoustic wave device becomes large due to the plurality of piezoelectric elements. In particular, in the case of the surface acoustic wave in FIG. 8, there is a problem that a space for wire connection is required, and the surface acoustic wave device is further increased in size. Further, after mounting the two surface acoustic wave elements on the housing, it is necessary to cover and seal the lid, and there is a problem that the process becomes complicated.

【0007】本発明の目的は、複数の弾性表面波素子を
含む弾性表面波装置において、弾性表面波素子と同等程
度に小型で作製の容易な弾性表面波装置を提供すること
である。
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device including a plurality of surface acoustic wave devices, which is as small as the surface acoustic wave device and easy to manufacture.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に励振電極
が形成された弾性表面波素子の2つを、圧電基板の励振
電極形成面どうしを対向させて接合して成り、一方の圧
電基板の励振電極形成面を他方より広い面積に形成する
とともに、2つの弾性表面波素子及び外部回路に接続さ
れる電極を形成した枠状体を一方の圧電基板の外周部に
配設して、枠状体に形成した電極を介して外部回路と2
つの弾性表面波素子との間で信号の入出力を行わせるよ
うにしたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, a surface acoustic wave device according to the present invention comprises: two surface acoustic wave elements each having an excitation electrode formed on a piezoelectric substrate; A frame-like body formed by joining surfaces of the piezoelectric substrate so that the excitation electrode forming surface of one of the piezoelectric substrates is formed to have a larger area than the other, and having two surface acoustic wave elements and electrodes connected to an external circuit. Is disposed on the outer peripheral portion of one of the piezoelectric substrates, and the external circuit is connected to the external circuit through electrodes formed on the frame.
A signal is input and output between two surface acoustic wave elements.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明に係る弾性表面波装置の実
施形態を図面に基づき詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of a surface acoustic wave device according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0010】図1に本発明に係る弾性表面波装置S1の
ある端面図を示す。また、図2に弾性表面波装置S1の
上面図を示す。図1は図2のA−A'線の端面図であ
る。
FIG. 1 shows an end view of a surface acoustic wave device S1 according to the present invention. FIG. 2 shows a top view of the surface acoustic wave device S1. FIG. 1 is an end view taken along line AA ′ of FIG.

【0011】弾性表面波装置S1において、1および2
は、それぞれ圧電基板に励振電極が形成された弾性表面
波素子であり、弾性表面波素子1の表面に励振電極6と
引き出し電極7a、7b、弾性表面波素子2の表面に励振
電極8と引き出し電極9a、9bが形成されている。引き
出し電極7aと9a、7bと9bは導電体4a、4bにより接
続されている。導電体4a、4bはAuバンプまたは半田
バンプまたは導電性樹脂により形成される。弾性表面波
素子2の外側には枠状体3が配設され、引き出し電極7
a、7bは、導電体4c、4dを介して枠状体3の表面に形
成された電極10と接続されている。
In the surface acoustic wave device S1, 1 and 2
Are surface acoustic wave elements each having an excitation electrode formed on a piezoelectric substrate. The excitation electrode 6 and extraction electrodes 7a and 7b are provided on the surface of the surface acoustic wave element 1, and the excitation electrode 8 and extraction electrodes 8 are provided on the surface of the surface acoustic wave element 2. Electrodes 9a and 9b are formed. The lead electrodes 7a and 9a, 7b and 9b are connected by conductors 4a and 4b. The conductors 4a and 4b are formed of Au bumps, solder bumps, or conductive resin. The frame 3 is disposed outside the surface acoustic wave element 2, and a lead electrode 7 is provided.
The electrodes a and 7b are connected to the electrodes 10 formed on the surface of the frame 3 via the conductors 4c and 4d.

【0012】弾性表面波装置S1が外部の回路に実装さ
れる場合、枠状体3の表面の電極10が外部の回路と接
続される。
When the surface acoustic wave device S1 is mounted on an external circuit, the electrode 10 on the surface of the frame 3 is connected to the external circuit.

【0013】弾性表面波素子1、2および枠状体3の間
には、封止樹脂5が充填され、励振電極6、8と引き出
し電極7a、7b、9a、9bが密封され、弾性表面波装置
S1の耐候性が得られる。
The space between the surface acoustic wave elements 1 and 2 and the frame 3 is filled with a sealing resin 5, and the excitation electrodes 6, 8 and the extraction electrodes 7a, 7b, 9a, 9b are sealed. The weather resistance of the device S1 is obtained.

【0014】図3に弾性表面波素子1の上面図を示す。
弾性表面波素子1は、圧電基板上にAl−Cu合金薄膜
を成膜した後、フォトリソグラフィ、エッチング、レジ
スト剥離の工程により励振電極6、引き出し電極7a、
7bを形成し、最後にダイシングして作成される。ここ
で、図中11は導電体4が配置される位置を示し、11
a、11b、11c、11dの位置に配置される導電体は弾
性表面波素子2と接続し、11e、11f、11g、11h
の位置に配置される導電体は枠状体3と接続される。
FIG. 3 is a top view of the surface acoustic wave device 1. FIG.
After the surface acoustic wave element 1 forms an Al—Cu alloy thin film on a piezoelectric substrate, the excitation electrode 6, the extraction electrode 7a,
7b is formed and finally diced. Here, in the figure, 11 indicates the position where the conductor 4 is arranged, and 11
The conductors arranged at positions a, 11b, 11c, and 11d are connected to the surface acoustic wave element 2, and 11e, 11f, 11g, and 11h.
Is connected to the frame 3.

【0015】図4に弾性表面波素子2の上面図を示す。
弾性表面波素子2も、弾性表面波素子1と同様の工程に
より励振電極8、引き出し電極9a、9bを形成した後、
ダイシングして作成される。ここで、図中12は導電体
4が配置される場所を示し、12a、12b、12c、1
2dいずれも弾性表面波素子1と接続される。
FIG. 4 shows a top view of the surface acoustic wave device 2. FIG.
After forming the excitation electrode 8 and the extraction electrodes 9a and 9b in the same process as the surface acoustic wave element 1,
Created by dicing. Here, in the figure, 12 indicates a place where the conductor 4 is arranged, and 12a, 12b, 12c, 1
2d are both connected to the surface acoustic wave element 1.

【0016】上記のように作成された弾性表面波素子2
を弾性表面波素子1に導電体4を介して接続し、枠状体
をその外周にはめ込んだ後、封止樹脂を充填して弾性表
面波装置S1の組み立てが完了する。ここで、弾性表面
波素子1のダイシングは、上記組み立ての後にを行な
う。すなわち、工程の最後に弾性表面波素子1のダイシ
ングを行ない、弾性表面波装置S1が完成する。
The surface acoustic wave device 2 produced as described above
Is connected to the surface acoustic wave element 1 via the conductor 4, the frame-shaped body is fitted on the outer periphery thereof, and then the sealing resin is filled to complete the assembly of the surface acoustic wave device S1. Here, the dicing of the surface acoustic wave element 1 is performed after the above assembly. That is, the surface acoustic wave element 1 is diced at the end of the process, and the surface acoustic wave device S1 is completed.

【0017】かくして、本発明では一方の圧電基板の励
振電極形成面を他方より広い面積に形成するとともに、
2つの弾性表面波素子及び外部回路に接続される電極を
形成した枠状体を一方の圧電基板の外周部に配設したの
で、枠状体に形成した電極を介して外部回路と2つの弾
性表面波素子との間で信号の入出力を行わせるようにす
ることができる。
Thus, according to the present invention, the excitation electrode forming surface of one piezoelectric substrate is formed in a larger area than the other, and
Since the frame formed with the two surface acoustic wave elements and the electrodes connected to the external circuit is disposed on the outer peripheral portion of one of the piezoelectric substrates, the external circuit and the two elastic members are formed via the electrodes formed on the frame. Signals can be input and output to and from the surface acoustic wave element.

【0018】また、弾性表面波素子1が形成された圧電
基板に導電体4を介して弾性表面波素子2を接続した後
は、枠状体の搭載位置決め精度が高くない場合でも、弾
性表面波素子2と側面を合わせることにより確実に位置
が決まり、組み立て工程が非常に簡便にすることができ
る。
After the surface acoustic wave element 2 is connected via the conductor 4 to the piezoelectric substrate on which the surface acoustic wave element 1 is formed, even if the positioning accuracy of the frame is not high, the surface acoustic wave The position is reliably determined by aligning the side surface with the element 2, and the assembling process can be extremely simplified.

【0019】また、封止のための筐体や、弾性表面波素
子の電極と外部回路を接続するための支持基板が必要で
はないので、弾性表面波装置を厚みが小さく、かつ、実
装面積の小さい、非常に小型な弾性表面波装置にでき
る。
Further, since a housing for sealing and a support substrate for connecting the electrodes of the surface acoustic wave element to an external circuit are not required, the surface acoustic wave device has a small thickness and a small mounting area. A small and very small surface acoustic wave device can be obtained.

【0020】弾性表面波素子を形成する際、励振電極上
にSi、SiO2、SiN等の保護膜が形成されていて
もよい。また、基板裏面にポリイミド樹脂などの物理的
な衝撃に対する保護膜、あるいはAl、Al−Cu、C
r/Auなどの弾性表面波装置の電磁シールドとしての
金属膜が形成されていてもかまわない。
When the surface acoustic wave element is formed, a protective film such as Si, SiO2, SiN or the like may be formed on the excitation electrode. Also, a protective film against physical impact such as polyimide resin on the back surface of the substrate, or Al, Al-Cu, C
A metal film as an electromagnetic shield for a surface acoustic wave device such as r / Au may be formed.

【0021】Auバンプまたは半田バンプによる接合は
加熱圧着、導電性樹脂による接合は加熱圧着または常温
圧着で行なう。導電性樹脂は金属、カーボンなどの導体
フィラーを高分子樹脂あるいはゲル状の懸濁液としての
ペーストに混合させたものが用いられるが、端子間の短
絡防止の観点から、異方性導電樹脂が望ましい。
Bonding by Au bumps or solder bumps is performed by thermocompression bonding, and bonding by a conductive resin is performed by thermocompression bonding or room temperature compression bonding. As the conductive resin, a mixture of a conductive filler such as metal and carbon in a polymer resin or a paste as a gel suspension is used.From the viewpoint of preventing short-circuit between terminals, anisotropic conductive resin is used. desirable.

【0022】また、封止樹脂5の材料としては、熱硬化
性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、
ポリイミド樹脂、低融点ガラス及び熱可塑性ポリフェニ
レンサルファイド等が用いられるが、特にエポキシ樹脂
が接着性、低吸湿性、電気絶縁性、機械的強度、耐薬品
性、耐熱性の点で好ましい。封止樹脂の充填において
は、IDT電極直上の振動空間に封止樹脂が回り込まない
よう、オートディスペンサーなどを用い、樹脂の吐出量
が最適になるよう制御しなければならない。また、封止
の際は、振動空間に湿度の高い空気が封入されないよ
う、N2やAr雰囲気中で封止するのが望ましい。
The sealing resin 5 may be made of a thermosetting epoxy resin, silicone resin, phenol resin, or the like.
Polyimide resin, low melting point glass, thermoplastic polyphenylene sulfide, and the like are used, and epoxy resin is particularly preferable in terms of adhesiveness, low moisture absorption, electrical insulation, mechanical strength, chemical resistance, and heat resistance. In filling the sealing resin, it is necessary to control the discharge amount of the resin by using an auto dispenser or the like so that the sealing resin does not flow into the vibration space immediately above the IDT electrode. Further, at the time of sealing, it is desirable to seal in a N2 or Ar atmosphere so that high-humidity air is not sealed in the vibration space.

【0023】図6に本発明に係る別の実施形態の弾性表
面波装置S2の端面図を示す。また、図7に弾性表面波
装置S2の上面図を示す。図6は図7のA−A'線の端
面図である。
FIG. 6 is an end view of a surface acoustic wave device S2 according to another embodiment of the present invention. FIG. 7 shows a top view of the surface acoustic wave device S2. FIG. 6 is an end view taken along line AA ′ of FIG.

【0024】弾性表面波装置S2において、枠状体3と
弾性表面波素子1の電気的な接合は、枠状体3の側面に
形成された電極10と弾性表面波素子1の電極を、導電
体4a、4bで接合することにより行われる。この方法で
は、枠状体3と弾性表面波素子1の間には導電体が無
い。よって、枠状体3と弾性表面波素子1をほぼ隙間無
く接触することができる。このため、励振電極6、8の
間の振動空間へ封止樹脂5が回り込むことが抑えられ、
安定して封止工程を行なうことができる。また、この方
法では枠状体3と弾性表面波素子2の間の封止が必要に
なるが枠状体3と弾性表面波素子2の間の隙間はほとん
ど無いので、励振電極6、8の間の振動空間へ封止樹脂
5が回り込むことは抑えられる。
In the surface acoustic wave device S2, the electric connection between the frame 3 and the surface acoustic wave element 1 is performed by electrically connecting the electrode 10 formed on the side surface of the frame 3 and the electrode of the surface acoustic wave element 1. This is performed by joining with the bodies 4a and 4b. In this method, there is no conductor between the frame 3 and the surface acoustic wave element 1. Therefore, the frame 3 and the surface acoustic wave element 1 can be contacted with almost no gap. For this reason, it is suppressed that the sealing resin 5 goes around into the vibration space between the excitation electrodes 6 and 8, and
The sealing step can be performed stably. Further, in this method, sealing between the frame 3 and the surface acoustic wave element 2 is necessary, but since there is almost no gap between the frame 3 and the surface acoustic wave element 2, the excitation electrodes 6 and 8 It is suppressed that the sealing resin 5 goes into the vibration space between them.

【0025】なお、圧電基板はタンタル酸リチウム単結
晶、ニオブ酸リチウム単結晶、水晶、4ほう酸リチウム
単結晶、ランガサイト系単結晶、ニオブ酸カリウム単結
晶、ガリ砒素が主に適用できる。
As the piezoelectric substrate, lithium tantalate single crystal, lithium niobate single crystal, quartz, lithium tetraborate single crystal, langasite single crystal, potassium niobate single crystal, and gallium arsenide can be mainly used.

【0026】また、励振電極6、8には、主にアルミ、
アルミ・銅合金、アルミ・チタン合金、アルミ・珪素合
金、金、銀、銀・パラディウム合金が主に適用でき、電
極の密着度向上や電気抵抗の削減のため下地材が必要な
場合には、クロム、チタン、銅が主に適用できる。
The excitation electrodes 6 and 8 are mainly made of aluminum,
Aluminum / copper alloy, aluminum / titanium alloy, aluminum / silicon alloy, gold, silver, silver / palladium alloy can be mainly applied.If a base material is required to improve the adhesion of the electrode and reduce the electric resistance, Chromium, titanium and copper are mainly applicable.

【0027】また、導電体4に導電性樹脂に用いる場
合、熱硬化性樹脂(エポキシ系、シリコーン系、フェノ
ール系、ポリイミド系、ポリウレタン系等)、熱可塑性
樹脂(ポリフェニレンサルファイド等)、紫外線硬化樹
脂、又は低融点ガラス等に金属フィラーを任意の割合で
混入されたものが主に適用できる。
When a conductive resin is used for the conductor 4, a thermosetting resin (epoxy type, silicone type, phenol type, polyimide type, polyurethane type, etc.), a thermoplastic resin (polyphenylene sulfide, etc.), an ultraviolet curable resin Alternatively, a material in which a metal filler is mixed at an arbitrary ratio in low-melting glass or the like can be mainly applied.

【0028】上記形態では励振電極を共振器梯子型フィ
ルタの構成図を示したが、共振器格子型フィルタや2重
モード共振器型フィルタ、マルチIDT電極型フィルタ
またはこれらの複合された構成で行っても構わない。
In the above-described embodiment, the configuration of the resonator ladder type filter is used as the excitation electrode. However, the excitation electrode is formed by a resonator lattice type filter, a dual mode resonator type filter, a multi-IDT electrode type filter, or a combination thereof. It does not matter.

【0029】また上記形態では、引き出し電極につい
て、2つの弾性表面波素子の引き出し電極を接続し、共
通の電極として枠状体3の表面電極に接続している構成
図を示したが、弾性表面波素子1の表面に設けた引き回
し電極を介して、弾性表面波素子2と接続される枠状体
3表面の電極を、弾性表面波素子1と接続される枠状体
3表面の電極とは別に設けても構わない。
Further, in the above-described embodiment, a configuration diagram is shown in which the extraction electrodes of the two surface acoustic wave elements are connected to each other and connected to the surface electrode of the frame 3 as a common electrode. The electrode on the surface of the frame 3 connected to the surface acoustic wave element 2 is connected to the electrode on the surface of the frame 3 connected to the surface acoustic wave element 1 via a routing electrode provided on the surface of the surface acoustic wave element 1. It may be provided separately.

【0030】また、枠状体3の基体材料は、絶縁性材料
が好ましく、セラミックスやエポキシ系、シリコーン
系、フェノール系、ポリイミド系、ポリウレタン系樹
脂、およびガラスが主に適用できる。また、枠状体の厚
みは、同層にある弾性表面波素子厚みと同等程度が好ま
しい。
The base material of the frame 3 is preferably an insulating material, and ceramics, epoxy, silicone, phenol, polyimide, polyurethane resin, and glass can be mainly used. Also, the thickness of the frame is preferably about the same as the thickness of the surface acoustic wave element in the same layer.

【0031】また、上記形態では、弾性表面波素子2を
弾性表面波素子1と導電体4で接続したが、弾性表面波
素子2を枠状体3表面の電極10と接続させ、この電極
を介して弾性表面波素子1や外部の回路と接続させても
構わない。
In the above embodiment, the surface acoustic wave element 2 is connected to the surface acoustic wave element 1 by the conductor 4. However, the surface acoustic wave element 2 is connected to the electrode 10 on the surface of the frame 3, and this electrode is It may be connected to the surface acoustic wave device 1 or an external circuit via the same.

【0032】また、封止樹脂5が振動空間に入ることを
確実に防止するため、高粘度樹脂などを弾性表面波素子
2の周辺に滴下して弾性表面波素子1、2間の隙間を封
じた後、耐候性を得るための封止樹脂5を充填しても構
わない。
To reliably prevent the sealing resin 5 from entering the vibration space, a high-viscosity resin or the like is dropped around the surface acoustic wave element 2 to seal the gap between the surface acoustic wave elements 1 and 2. After that, a sealing resin 5 for obtaining weather resistance may be filled.

【0033】なお、本発明は上記の実施形態に限定され
るものでなく、SAWフィルタだけでなく、SAWレゾ
ネータやSAWデュプレクサにも本発明が適用でき、本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更は何等差し支
えない。
It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiment, but can be applied not only to a SAW filter but also to a SAW resonator and a SAW duplexer. No changes can be made.

【0034】[0034]

【実施例】厚さ0.35mmの3インチ42° YカットX
伝搬タンタル酸リチウム単結晶圧電基板に、電極膜とし
てAl−Cu合金をスパッタ法にて膜厚2000Åで成
膜した。その上に、ポジ型レジストを1μmの厚さでス
ピンコート法により塗布した。その後、露光、現像を行
ないレジストのパターニングを行ない、ドライエッチン
グ法で励振電極や引き出し電極をエッチングし、アッシ
ングでレジストを除去して、電極パターニングを完了し
た。
Example: 0.35 mm thick 3 inch 42 ° Y-cut X
An Al-Cu alloy was formed as a film having a thickness of 2,000 mm on the propagating lithium tantalate single crystal piezoelectric substrate by sputtering as an electrode film. A positive resist was applied thereon by spin coating at a thickness of 1 μm. Thereafter, exposure and development were performed to pattern the resist, the excitation electrode and the lead electrode were etched by dry etching, and the resist was removed by ashing, thereby completing the electrode patterning.

【0035】その後、SiO2膜をCVD法により20
0Å成膜し、ポジ型レジストを1μmの厚さでスピンコ
ート法により塗布し、露光、現像を行ないレジストのパ
ターニングを行ない、ドライエッチング法で電極をエッ
チングし、アッシングでレジストを除去して、励振電極
上に保護膜をパターニングした。
After that, the SiO 2 film is formed by CVD method for 20 minutes.
A 0 ° film is formed, a positive resist is applied in a thickness of 1 μm by a spin coating method, exposure and development are performed, patterning of the resist is performed, electrodes are etched by a dry etching method, the resist is removed by ashing, and excitation is performed. A protective film was patterned on the electrode.

【0036】この3インチ圧電基板を、ダイシングソー
を用いてダイシングし、2.4mm角の弾性表面波素子1
を完成させた。
The 3-inch piezoelectric substrate is diced using a dicing saw, and a 2.4 mm square surface acoustic wave element 1 is diced.
Was completed.

【0037】次に、厚さ0.35mmの3インチ42°
YカットX伝搬タンタル酸リチウム単結晶圧電基板に、電
極膜としてAl−Cu合金をスパッタ法にて膜厚400
0Åで成膜し、上記と同様の方法で1.0mm角の弾性表
面波素子2を完成させた。
Next, 3 inches 42 ° of 0.35 mm thickness
On the Y-cut X-propagation lithium tantalate single crystal piezoelectric substrate, an Al-Cu alloy is used as an electrode film with a thickness of 400 by sputtering.
A film was formed at 0 °, and a surface acoustic wave device 2 of 1.0 mm square was completed in the same manner as described above.

【0038】また、枠状体3は2.4mm角、厚さ0.3m
m、高さ0.35mmの枠状のセラミック基体に0.3mm幅
の電極を合計1μm膜厚のAu及びNiを無電解めっき
にて形成した。
The frame 3 is 2.4 mm square and 0.3 m thick.
A 0.3 mm-wide electrode was formed by electroless plating Au and Ni with a total thickness of 1 μm on a frame-shaped ceramic substrate having a height of 0.35 mm.

【0039】以上の素子を、オートマウンターを使用し
て以下のように実装した。
The above elements were mounted as follows using an automounter.

【0040】弾性表面波素子1、2の引き出し電極4ヶ
所に、直径 0.1mmの導電性樹脂4をマイクロシリンジ
を用いてそれぞれ付け、マウンターで弾性表面波素子2
を弾性表面波素子1に0.1mmの隙間をもって載せ、プ
レート温度100℃のホットプレートに30秒接触させ導電
性樹脂4を固化した。次に、弾性表面波素子1の引き出
し電極4ヶ所に直径 0.1mmの導電性樹脂4をマイクロ
シリンジを用いて付け、枠状体3を圧着固定した。封止
樹脂5をマイクロシリンジで0.2μL/秒の率で吐出しな
がら、マイクロシリンジのノズルを1.0mm/秒で枠状体
の内壁に沿って移動させ、封止樹脂5を充填した。封止
は窒素雰囲気中で行なった。
A conductive resin 4 having a diameter of 0.1 mm is attached to each of the four extraction electrodes of the surface acoustic wave elements 1 and 2 using a micro syringe, and the surface acoustic wave element 2 is mounted by a mounter.
Was placed on the surface acoustic wave element 1 with a gap of 0.1 mm, and was brought into contact with a hot plate at a plate temperature of 100 ° C. for 30 seconds to solidify the conductive resin 4. Next, a conductive resin 4 having a diameter of 0.1 mm was attached to four extraction electrodes of the surface acoustic wave element 1 using a micro syringe, and the frame 3 was fixed by crimping. The nozzle of the micro syringe was moved along the inner wall of the frame at 1.0 mm / sec while discharging the sealing resin 5 at a rate of 0.2 μL / sec with the micro syringe to fill the sealing resin 5. Sealing was performed in a nitrogen atmosphere.

【0041】以上の工程により大きさは幅2.4mm、
奥行き2.4mm、高さ0.7mmの超小型な弾性表面
波装置を完成させた。
By the above steps, the size is 2.4 mm in width,
An ultra-small surface acoustic wave device having a depth of 2.4 mm and a height of 0.7 mm was completed.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の係る弾性
表面波装置によれば、従来のような封止のための筐体が
不要で、また、弾性表面波素子の電極と外部回路を接続
するための支持基板も不要であるので、弾性表面波装置
全体の厚みを薄くすることができ、しかも実装面積の小
さい、非常に小型で低背化に優れた弾性表面波装置を提
供することができる。
As described above in detail, according to the surface acoustic wave device of the present invention, a housing for sealing as in the prior art is not required, and the electrodes of the surface acoustic wave element and the external circuit are not required. Since a supporting substrate for connecting the surface acoustic wave device is not required, the thickness of the entire surface acoustic wave device can be reduced, and the surface acoustic wave device having a small mounting area, a very small size, and an excellent height reduction is provided. be able to.

【0043】また、部材点数を極力少なくすることがで
きるので、材料コストが小さく簡便な組み立てにより完
成可能な優れた弾性表面波装置を提供することができ
る。
Further, since the number of members can be reduced as much as possible, it is possible to provide an excellent surface acoustic wave device which can be completed with a low material cost and simple assembly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態の端
面図である。
FIG. 1 is an end view of an embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図2】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態の上
面図である。
FIG. 2 is a top view of one embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.

【図3】本発明の弾性表面波素子1の上面図である。FIG. 3 is a top view of the surface acoustic wave device 1 of the present invention.

【図4】本発明の弾性表面波素子2の上面図である。FIG. 4 is a top view of the surface acoustic wave device 2 of the present invention.

【図5】本発明に係わる枠状体の上面図である。FIG. 5 is a top view of a frame according to the present invention.

【図6】本発明に係る弾性表面波装置の一実施形態の端
面図である。
FIG. 6 is an end view of one embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図7】本発明に係る弾性表面波装置の他の実施形態の
上面図である。
FIG. 7 is a top view of another embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.

【図8】従来の弾性表面波装置の端面図である。FIG. 8 is an end view of a conventional surface acoustic wave device.

【図9】従来の他の弾性表面波装置の端面図である。FIG. 9 is an end view of another conventional surface acoustic wave device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:弾性表面波素子 2:弾性表面波素子 3:枠状体 4:導電体 5:封止樹脂 6:弾性表面波素子1上の励振電極 7a、7b:弾性表面波素子1上の引き出し電極 8:弾性表面波素子2上の励振電極 9a、9b:弾性表面波素子2上の引き出し電極 10:枠状体表面の電極 11a、11b、11c、11d、11e、11f、1
1g、11h:弾性表面波素子1において導電体が配置
される位置 12a、12b、12c、12d:弾性表面波素子2に
おいて導電体が配置される位置 13:筐体 14:接着樹脂 15:入出力電極 16:接地電極 17:ワイヤ 18:蓋体 19:筐体内の電極
1: Surface acoustic wave element 2: Surface acoustic wave element 3: Frame-shaped body 4: Conductor 5: Sealing resin 6: Excitation electrode on surface acoustic wave element 1 7a, 7b: Extraction electrode on surface acoustic wave element 1 8: Excitation electrodes on surface acoustic wave element 2 9a, 9b: Extraction electrodes on surface acoustic wave element 2 10: Electrodes on frame surface 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 11f, 1
1g, 11h: Position where conductor is arranged in surface acoustic wave element 1 12a, 12b, 12c, 12d: Position where conductor is arranged in surface acoustic wave element 2 13: Housing 14: Adhesive resin 15: Input / output Electrode 16: Ground electrode 17: Wire 18: Lid 19: Electrode in housing

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電基板上に励振電極が形成された弾性
表面波素子の2つを、圧電基板の励振電極形成面どうし
を対向させて接合して成る弾性表面波装置であって、前
記一方の圧電基板の励振電極形成面を他方より広い面積
に形成するとともに、前記2つの弾性表面波素子及び外
部回路に接続される電極を形成した枠状体を前記一方の
圧電基板の外周部に配設して成り、前記枠状体に形成し
た電極を介して前記外部回路と前記2つの弾性表面波素
子との間で信号の入出力を行わせるようにしたことを特
徴とする弾性表面波装置。
1. A surface acoustic wave device comprising two surface acoustic wave elements each having an excitation electrode formed on a piezoelectric substrate and joined to each other with the excitation electrode forming surfaces of the piezoelectric substrate facing each other. The excitation electrode forming surface of the piezoelectric substrate is formed to have a larger area than the other, and a frame-like body formed with the two surface acoustic wave elements and the electrodes connected to the external circuit is arranged on the outer peripheral portion of the one piezoelectric substrate. A surface acoustic wave device wherein signals are input and output between the external circuit and the two surface acoustic wave elements via electrodes formed on the frame-shaped body. .
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