ITVI20120133A1 - APPLICATION OF THE BACKSHEET ENCAPSTER FOR PHOTOVOLTAIC MODULES USING CELLS CONTACT REAR - Google Patents

APPLICATION OF THE BACKSHEET ENCAPSTER FOR PHOTOVOLTAIC MODULES USING CELLS CONTACT REAR Download PDF

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ITVI20120133A1
ITVI20120133A1 IT000133A ITVI20120133A ITVI20120133A1 IT VI20120133 A1 ITVI20120133 A1 IT VI20120133A1 IT 000133 A IT000133 A IT 000133A IT VI20120133 A ITVI20120133 A IT VI20120133A IT VI20120133 A1 ITVI20120133 A1 IT VI20120133A1
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IT
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layer
multilayer structure
dielectric material
backsheet
backcontact
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IT000133A
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Elisa Baccini
Bruno Bucci
Luigi Marras
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Ebfoil S R L
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Description

DESCRIZIONE DESCRIPTION

“APPLICAZIONE DELL 'INCAPSULANTE A BACKSHEET PER MODULI FOTOVOLTAICI UTILIZZANTI CELLE CONTATTATE POSTERIORMENTE†⠀ œAPPLICATION OF THE BACKSHEET ENCAPSULANT FOR PHOTOVOLTAIC MODULES USING REAR CONTACTED CELLSâ €

CAMPO TECNICO DELL'INVENZIONE TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

La presente invenzione riguarda il campo dei moduli fotovoltaici. In particolare, la presente invenzione riguarda il campo dei backcontact-backsheet impiegati nei moduli fotovoltaici. Ancora più in particolare, la presente invenzione riguarda un sistema multistrati da applicarsi alla superficie di un backcontact-backsheet durante l'assemblaggio di un modulo fotovoltaico e un processo per produrre tale sistema multistrati. The present invention relates to the field of photovoltaic modules. In particular, the present invention relates to the field of backcontact-backsheets used in photovoltaic modules. Even more particularly, the present invention relates to a multilayer system to be applied to the surface of a backcontact-backsheet during the assembly of a photovoltaic module and to a process for producing such a multilayer system.

STATO DELLA TECNICA STATE OF THE TECHNIQUE

Le celle solari sono utilizzate per convertire la luce solare in energia elettrica per mezzo dell’effetto fotovoltaico. Le celle solari rappresentano, quindi, una delle fonti di energia alternativa più promettenti per sostituire i combustibili fossili. Le celle solari sono formate da materiali semiconduttori e vengono assemblate per formare i cosiddetti moduli fotovoltaici che, a loro volta, vengono raggruppati per formare gli impianti fotovoltaici tipicamente installati sui tetti di abitazioni o simili. Solar cells are used to convert sunlight into electricity by means of the photovoltaic effect. Solar cells therefore represent one of the most promising alternative energy sources to replace fossil fuels. The solar cells are formed from semiconductor materials and are assembled to form the so-called photovoltaic modules which, in turn, are grouped to form the photovoltaic systems typically installed on the roofs of homes or the like.

Per formare i moduli fotovoltaici, gruppi di celle solari, raggruppate in serie attraverso opportuni conduttori elettrici detti "ribbon", sono tipicamente incapsulati per mezzo di materiale incapsulante come ad esempio polivinil acetato con un contenuto elevato di etilene vinil acetato, comunemente denominato ÈVA. Il materiale incapsulante racchiudente le celle solari viene quindi inserito tra uno strato di superficie ed una base o back-sheet in modo da completare il modulo fotovoltaico. Lo strato di superficie, o superficie principale del modulo, tipicamente realizzato in vetro, copre la superficie del modulo esposta al sole e permette alla luce solare di raggiungere le celle. Il back-sheet, d’altro canto, esegue una molteplicità di compiti. Esso assicura protezione per il materiale incapsulante e per le celle solari da agenti ambientali, impedendo al contempo la ossidazione dei collegamenti elettrici. In particolare, il back-sheet impedisce che umidità, ossigeno ed altri fattori legati alle condizioni atmosferiche danneggino il materiale incapsulante, le celle ed i collegamenti elettrici. Il back-sheet fornisce anche isolamento elettrico per le celle ed i corrispondenti circuiti elettrici. Inoltre, il back-sheet deve presentare alta opacità per scopi estetici e alta riflettività nella parte orientata verso il sole per scopi funzionali. To form the photovoltaic modules, groups of solar cells, grouped in series through suitable electrical conductors called "ribbons", are typically encapsulated by means of an encapsulating material such as polyvinyl acetate with a high content of ethylene vinyl acetate, commonly called ÈVA. The encapsulating material enclosing the solar cells is then inserted between a surface layer and a base or back-sheet in order to complete the photovoltaic module. The surface layer, or main surface of the module, typically made of glass, covers the surface of the module exposed to the sun and allows sunlight to reach the cells. The back sheet, on the other hand, performs a variety of tasks. It ensures protection for the encapsulating material and for the solar cells from environmental agents, while preventing oxidation of the electrical connections. In particular, the back-sheet prevents humidity, oxygen and other factors related to atmospheric conditions from damaging the encapsulating material, the cells and the electrical connections. The back sheet also provides electrical insulation for the cells and corresponding electrical circuits. Furthermore, the back-sheet must have high opacity for aesthetic purposes and high reflectivity in the part oriented towards the sun for functional purposes.

I moduli fotovoltaici tradizionali sono realizzati da una pluralità di strati. Lo strato inferiore à ̈ costituito dal backsheet, su cui à ̈ posto un primo strato di incapsulante comprendente ÈVA. Le celle sono poi depositate sul primo strato di incapsulante comprendente ÈVA. Le celle sono disposte sull'incapsulante in modo da formare stringhe, in cui le celle sono collegate in serie l'una con l'altra per mezzo dei ribbon. Stringhe adiacenti sono poi collegate mediante due o più collegamenti detti "busbar". Sulle celle viene poi posto un secondo strato di incapsulante e, sopra questo, un vetro. Il collegamento elettrico nei moduli fotovoltaici comprendenti celle solari tradizionali avviene sia sul lato anteriore che su quello posteriore della cella. Il collegamento elettrico all'elettrodo posto sul lato anteriore della cella, cioà ̈ il lato esposto alla radiazione luminosa, à ̈ tradizionalmente realizzato mediante una serie di contatti filiformi essenzialmente paralleli detti "fingers", connessi per mezzo di due o più ribbon disposti trasversalmente rispetto alla direzione longitudinale dei finger. Questo modo di contattare l'elettrodo anteriore, detto anche "H-patterning", crea problemi di ombreggiamento della superficie esposta alla radiazione luminosa dovuti alla presenza dei finger e dei ribbon, che schermano la luce incidente sulla superficie anteriore della cella. I contatti elettrici tradizionali portano pertanto ad una riduzione dell'efficienza delle celle e dei moduli solari. Traditional photovoltaic modules are made from a plurality of layers. The lower layer is constituted by the backsheet, on which is placed a first layer of encapsulant comprising ÈVA. The cells are then deposited on the first encapsulant layer comprising ÈVA. The cells are arranged on the encapsulant to form strings, where the cells are connected in series with each other by means of ribbons. Adjacent strings are then connected by two or more connections called "busbars". A second layer of encapsulant is then placed on the cells and, on top of this, a glass. The electrical connection in photovoltaic modules including traditional solar cells takes place both on the front and on the rear side of the cell. The electrical connection to the electrode placed on the front side of the cell, that is the side exposed to light radiation, is traditionally made by means of a series of essentially parallel thread-like contacts called "fingers", connected by means of two or more ribbons arranged transversely with respect to to the longitudinal direction of the fingers. This way of contacting the front electrode, also called "H-patterning", creates shading problems on the surface exposed to light radiation due to the presence of the fingers and ribbons, which shield the light incident on the front surface of the cell. Traditional electrical contacts therefore lead to a reduction in the efficiency of solar cells and modules.

Le celle inoltre sono abbastanza distanziate le une dalle altre in quanto deve essere permesso ai ribbon di trovare lo spazio per potere essere piegati in modo tale da passare dal lato superiore di una cella a quello inferiore della cella adiacente. Inoltre, la necessità di realizzare un collegamento tra una stringa di celle e la stringa adiacente comporta la necessità di trovare lo spazio per il passaggio dei busbar. The cells are also quite spaced from each other as the ribbons must be allowed to find the space to be folded in such a way as to pass from the upper side of a cell to the lower side of the adjacent cell. Furthermore, the need to make a connection between a string of cells and the adjacent string implies the need to find the space for the passage of the busbars.

Al fine di ovviare a questi problemi, sono state ideate le celle solari a contatto posteriore o celle contattate posteriormente (back contact cells). Questa famiglia comprende i tipi seguenti di celle solari: celle del tipo Interdigitated Back Contact (IBC), celle del tipo Emitter Wrap Through (EWP), celle del tipo Metallization Wrap Through (MWT). Le celle contattate posteriormente sono vantaggiose in quanto permettono di trasferire il contatto con entrambi gli elettrodi della cella sul lato posteriore della cella, cioà ̈ sul lato non esposto alla radiazione luminosa. Ciò riduce l’effetto di ombreggiamento e, quindi, di riduzione della superficie efficace della cella esposta alla radiazione, dovuti alla presenza dei contatti ohmici sulla superficie esterna della cella. In order to overcome these problems, solar cells with back contact or back contact cells have been devised. This family includes the following types of solar cells: Interdigitated Back Contact (IBC) cells, Emitter Wrap Through (EWP) cells, Metallization Wrap Through (MWT) cells. The cells contacted at the rear are advantageous in that they allow the contact with both electrodes of the cell to be transferred to the rear side of the cell, that is, to the side not exposed to light radiation. This reduces the effect of shading and, therefore, of reduction of the effective surface of the cell exposed to radiation, due to the presence of ohmic contacts on the external surface of the cell.

Un ulteriore vantaggio derivante dall’uso di celle contattate posteriormente sta nel fatto che il processo di assemblaggio del modulo può essere fortemente automatizzato eliminando nel contempo una fase che à ̈ quella delle siringatura delle celle. Inoltre, non essendo necessario prevedere i collegamenti tramite ribbon e busbar, gli spessori dell’incapsulante possono essere ridotti con vantaggi sulla trasparenza alla luce e sui costi. A further advantage deriving from the use of posteriorly contacted cells lies in the fact that the module assembly process can be highly automated, eliminating at the same time a phase that is the syringing of the cells. Furthermore, since it is not necessary to provide connections by means of ribbon and busbar, the thicknesses of the encapsulant can be reduced with advantages in terms of light transparency and costs.

Un tipo di cella contattata posteriormente particolarmente efficiente e conveniente da realizzare à ̈ dato dalle celle MWT. Le figure la e lb mostrano, rispettivamente, la superficie anteriore (i.e. superficie esposta alla radiazione luminosa) e la superficie posteriore di una cella MWT. La figura 2 mostra invece una sezione trasversale di una cella MWT. A type of cell contacted at the rear that is particularly efficient and convenient to create is given by MWT cells. Figures 1a and 1b show, respectively, the front surface (i.e. surface exposed to light radiation) and the rear surface of an MWT cell. Figure 2 instead shows a cross section of an MWT cell.

Una cella MWT à ̈ realizzata partendo da un wafer drogato in modo da ottenere una giunzione tra una zona 662 con cariche libere di una data polarità e una zona 664 con cariche libere della polarità opposta. Per esempio, la zona 662 può essere drogata con impurezze di tipo n e la zona 664 drogata con impurezze di tipo p. Il piano della giunzione à ̈ generalmente parallelo alle superfici anteriore e posteriore del wafer. An MWT cell is made starting from a doped wafer in order to obtain a junction between a zone 662 with free charges of a given polarity and a zone 664 with free charges of the opposite polarity. For example, zone 662 can be doped with n-type impurities and zone 664 doped with p-type impurities. The plane of the seam is generally parallel to the front and back surfaces of the wafer.

Come mostrato nelle figure lb e 2, l'elettrodo corrispondente alla zona 664 viene contattato per mezzo dell'elettrodo 640 formato direttamente sul lato posteriore della cella. D'altra parte, l'elettrodo corrispondente alla zona 662 viene contattato per mezzo del contatto 620, che comprende diverse porzioni. Come mostrato nelle figure la e 2, la porzione 622 del contatto 620 con l'elettrodo 662 à ̈ formata sul lato anteriore della cella e comprende la giunzione metallosemiconduttore grazie a cui la carica presente nell'elettrodo 662 può venire raccolta. Tale carica viene poi trasferita sul lato posteriore della cella alla porzione posteriore 624 del contatto 620. Il trasferimento di carica avviene attraverso la porzione 626 del contatto 620, formata all'interno di un foro passante praticato attraverso lo spessore wafer. In questo modo, si evita la presenza dei ribbon sulla superficie anteriore della cella, con conseguente incremento dell'efficienza rispetto all'architettura tradizionale di una cella solare. As shown in Figures 1b and 2, the electrode corresponding to the zone 664 is contacted by means of the electrode 640 formed directly on the rear side of the cell. On the other hand, the electrode corresponding to the zone 662 is contacted by means of the contact 620, which comprises several portions. As shown in Figures 1a and 2, the portion 622 of the contact 620 with the electrode 662 is formed on the front side of the cell and comprises the metal semiconductor junction by which the charge present in the electrode 662 can be collected. This charge is then transferred on the rear side of the cell to the rear portion 624 of the contact 620. The charge transfer occurs through the portion 626 of the contact 620, formed inside a through hole made through the wafer thickness. In this way, the presence of ribbons on the front surface of the cell is avoided, with a consequent increase in efficiency compared to the traditional architecture of a solar cell.

La figura lb mostra che la cella 600 rappresentata nella figura comprende, sul lato posteriore della cella 600, 15 contatti 640 all'elettrodo di una data polarità e 16 contatti 624 all'elettrodo della polarità opposta. Pertanto in totale sono presenti 31 contatti ohmici sulla superficie posteriore della cella 600. Figure 1b shows that the cell 600 shown in the figure comprises, on the rear side of the cell 600, 15 contacts 640 to the electrode of a given polarity and 16 contacts 624 to the electrode of the opposite polarity. Therefore in total there are 31 ohmic contacts on the rear surface of the cell 600.

Le celle contattate posteriormente pongono nuovi problemi tecnologici riguardanti la progettazione e la struttura dei moduli destinati ad accoglierle. Per esempio, il backsheet deve essere concepito in modo da supportare un circuito di collegamento su cui vengono portati i collegamenti ad entrambi gli elettrodi (base ed emettitore) della cella. Una delle soluzioni elaborate al fine di far fronte a questo problema à ̈ il cosiddetto backcontact-backsheet, un'evoluzione del backsheet tradizionale in cui il circuito di collegamento à ̈ realizzato direttamente sulla superficie del backsheet rivolta verso la cella. La struttura del backcontactbacksheet verrà descritta più diffusamente nel seguito Nella figura 3 à ̈ mostrata la struttura di un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente. La cella solare 600 contattata posteriormente à ̈ posta tra uno strato di materiale incapsulante superiore 450 e uno strato di materiale incapsulante inferiore 400. La cella 600 e gli strati 400 e 450 di materiale incapsulante sono poi racchiusi fra uno strato superficiale 800 tipicamente realizzato in vetro o in un materiale trasparente e antiriflettente e il back-sheet 200, che può essere un backcontact-backsheet. Nella figura 3 sono visibili le piste 220 di materiale conduttivo costituenti il circuito di collegamento agli elettrodi delle celle solari. Se il backsheet 200 à ̈ un backcontact-backshhet, il circuito di collegamento à ̈ formato direttamente sulla superficie del substrato sottostante e fermamente fissato ad esso. Il circuito di collegamento à ̈ impiegato al fine di assicurare il contatto elettrico con entrambi gli elettrodi, cioà ̈ con la base e l'emettitore, della cella solare 600. In particolare, le piste di materiale conduttivo presentano delle piazzole o pad 222, che segnano i punti del circuito di collegamento da porre in collegamento elettrico con un contatto ad uno degli elettrodi formato sulla superficie della cella 600. The cells contacted later pose new technological problems regarding the design and structure of the modules intended to accommodate them. For example, the backsheet must be designed to support a connection circuit on which the connections to both electrodes (base and emitter) of the cell are carried. One of the solutions developed in order to deal with this problem is the so-called backcontact-backsheet, an evolution of the traditional backsheet in which the connection circuit is made directly on the surface of the backsheet facing the cell. The structure of the backcontactbacksheet will be described more fully in the following. Figure 3 shows the structure of a photovoltaic module comprising solar cells contacted at the rear. The rear-contacted solar cell 600 is placed between a layer of upper encapsulating material 450 and a layer of lower encapsulating material 400. The cell 600 and layers 400 and 450 of encapsulating material are then enclosed between a surface layer 800 typically made of glass or in a transparent and anti-reflective material and the back-sheet 200, which can be a backcontact-backsheet. Figure 3 shows the tracks 220 of conductive material constituting the connection circuit to the electrodes of the solar cells. If the backsheet 200 is a backcontact-backshhet, the link circuit is formed directly on the surface of the underlying substrate and firmly attached to it. The connection circuit is used to ensure electrical contact with both electrodes, ie with the base and the emitter, of the solar cell 600. In particular, the conductive material tracks have pads 222, which they mark the points of the connection circuit to be put in electrical connection with a contact to one of the electrodes formed on the surface of the cell 600.

L’assemblaggio di un modulo fotovoltaico del tipo di quello illustrato nella figura 3 avviene tipicamente secondo il procedimento descritto di seguito. The assembly of a photovoltaic module of the type illustrated in figure 3 typically takes place according to the procedure described below.

Lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 da porsi tra la cella 600 e il backsheet o backcontact-backsheet 200 viene forato in modo che i fori praticati nello strato di materiale incapsulante inferiore 400 corrispondano alle aree in cui sono disposte le piazzole 222 per il contatto con gli elettrodi, una volta che il modulo sia stato ultimato. Lo strato di materiale incapsulante 400 forato viene poi posto sopra al backsheet o al backcontact-backsheet 200 in modo che i fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 corrispondano o siano allineati alle piazzole 222, in modo tale da lasciare le piazzole 222 esposte verso l'esterno. The lower encapsulating material layer 400 to be placed between the cell 600 and the backsheet or backcontact-backsheet 200 is perforated so that the holes made in the lower encapsulating material layer 400 correspond to the areas in which the pads 222 are arranged for contact with the electrodes, once the module has been completed. The perforated encapsulating material layer 400 is then placed on top of the backsheet or backcontact-backsheet 200 so that the holes in the lower encapsulating material layer 400 correspond to or are aligned with the pads 222, so as to leave the pads 222 exposed towards the 'external.

Un grumo o una goccia di materiale conduttivo all'elettricità viene quindi depositato sulle piazzole 222 delle piste conduttive del circuito di collegamento formato sulla superfice del backsheet o del backcontact-backsheet 200. La superficie delle piazzole 222 à ̈ lasciata esposta dai fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400. Il materiale conduttivo depositato sulle piazzole 222 può per esempio comprendere una pasta conduttiva del tipo noto come "Electro Conductive Adhesive" (ECA). A lump or drop of electrically conductive material is then deposited on the pads 222 of the conductive tracks of the connection circuit formed on the surface of the backsheet or backcontact-backsheet 200. The surface of the pads 222 is left exposed by the holes in the layer of lower encapsulating material 400. The conductive material deposited on the pads 222 may for example comprise a conductive paste of the type known as "Electro Conductive Adhesive" (ECA).

Successivamente, le celle 600 da incorporare nel modulo vengono poste sullo strato di materiale incapsulante inferiore 400 in modo che ciascun elemento di contatto con gli elettrodi formato sulla superficie posteriore della cella venga a contatto con un grumo di pasta conduttiva applicato su una delle piazzole 222 ed esposto al contatto con le celle 600 attraverso uno dei fori praticati sullo strato di materiale incapsulante inferiore 400. Lo strato di materiale incapsulante superiore 450 viene poi posto sulla superficie superiore della cella 600, opposta alla superficie posteriore a contatto con la pasta conduttiva applicata sulle piazzole 222. Infine uno strato di materiale trasparente e antiriflettente 800 viene posto sopra lo strato di materiale incapsulante superiore 450. Subsequently, the cells 600 to be incorporated into the module are placed on the lower encapsulating material layer 400 so that each element of contact with the electrodes formed on the rear surface of the cell comes into contact with a lump of conductive paste applied on one of the pads 222 and exposed to contact with the cells 600 through one of the holes made in the lower encapsulating material layer 400. The upper encapsulating material layer 450 is then placed on the upper surface of the cell 600, opposite the rear surface in contact with the conductive paste applied on the pads 222. Finally, a layer of transparent and anti-reflective material 800 is placed over the layer of upper encapsulating material 450.

Una volta che la struttura sia stata preparata come appena descritto, essa viene capovolta e quindi laminata sotto vuoto ad una temperatura compresa tra 145° e 165° per un tempo variabile tra 8 e 18 minuti. Once the structure has been prepared as just described, it is turned upside down and then laminated under vacuum at a temperature between 145 ° and 165 ° for a time ranging from 8 to 18 minutes.

La figura 4a mostra la struttura del modulo prima del processo di laminazione. I componenti del modulo, impilati come descritto precedentemente, sono singolarmente distinguibili. In particolare la figura 4a mostra una pila comprendente, partendo dal basso e andando verso l'alto della figura, il backsheet o backcontact-backsheet 200 con le piazzole conduttive 222 su cui à ̈ stata apposta la pasta conduttiva 300, lo strato di materiale incapsulante inferiore 400, le celle 600, lo strato di materiale incapsulante superiore 450 e lo strato superficiale 800. Figure 4a shows the structure of the module before the lamination process. The components of the module, stacked as described above, are individually distinguishable. In particular, figure 4a shows a stack comprising, starting from the bottom and going upwards of the figure, the backsheet or backcontact-backsheet 200 with the conductive pads 222 on which the conductive paste 300 has been affixed, the layer of encapsulating material lower 400, cells 600, upper encapsulating material layer 450 and surface layer 800.

La figura 4b mostra schematicamente la struttura del modulo dopo il processo di laminazione. Nella prima fase della laminazione, la struttura viene posta in una camera a vuoto da cui l'aria viene evacuata mediante pompe. Sulla struttura viene quindi applicata una pressione tale da compattare i diversi strati di cui la struttura del modulo à ̈ composta, mantenendo nel contempo il vuoto nell'area in cui il modulo à ̈ localizzato. L'intero ciclo ha preferibilmente durata totale inferiore a 18 minuti. Il ciclo avviene preferibilmente ad una temperatura compresa tra 140° a 165°. Figure 4b schematically shows the structure of the module after the lamination process. In the first stage of lamination, the structure is placed in a vacuum chamber from which the air is evacuated by means of pumps. A pressure is then applied to the structure to compact the different layers of which the module structure is composed, while maintaining the vacuum in the area where the module is located. The entire cycle preferably has a total duration of less than 18 minutes. The cycle preferably takes place at a temperature ranging from 140 ° to 165 °.

La laminazione produce l’indurimento della pasta conduttiva 300 tramite la sua polimerizzazione, causando in tal modo il fissaggio delle celle 600 al back-sheet 200. Inoltre, il processo di laminazione ha anche il compito di far fondere e successivamente polimerizzare gli strati di materiale incapsulante superiore 450 e inferiore 400. In tal modo, il materiale incapsulante dello strato inferiore 400, fondendo, riempie i vuoti tra la pasta conduttiva 300, il backsheet o backcontact-backsheet 200 e la superficie posteriore delle celle 600. Inoltre, mediante la polimerizzazione, lo strato di materiale incapsulante superiore 450 esercita anche un’azione adesiva tra lo strato superficiale 800 e la superficie esterna delle celle 600 a contatto con lo strato di materiale incapsulante superiore 450. Analogamente, lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 esercita dopo la polimerizzazione anche un’azione adesiva tra la superficie posteriore delle celle 600 e il back-sheet 200. The lamination produces the hardening of the conductive paste 300 through its polymerization, thus causing the fixing of the cells 600 to the back-sheet 200. Furthermore, the lamination process also has the task of melting and subsequently polymerizing the layers of upper encapsulating material 450 and lower 400. In this way, the encapsulating material of the lower layer 400, by melting, fills the voids between the conductive paste 300, the backsheet or backcontact-backsheet 200 and the rear surface of the cells 600. Furthermore, by means of the polymerization, the upper encapsulating material layer 450 also exerts an adhesive action between the surface layer 800 and the outer surface of the cells 600 in contact with the upper encapsulating material layer 450. Similarly, the lower encapsulating material layer 400 subsequently exerts polymerization also an adhesive action between the rear surface of the cells 600 and the back-sheet 200.

La descrizione precedente mette in evidenza le difficoltà tecniche e ingegneristiche che la produzione di un modulo fotovoltaico comporta. The previous description highlights the technical and engineering difficulties that the production of a photovoltaic module entails.

Innanzitutto, praticare una pluralità di fori in un foglio di materiale incapsulante quale ÈVA non à ̈ un compito banale, soprattutto se i fori devono avere posizioni predeterminate e la tolleranza sull’errore di posizionamento deve essere ridotta a circa 0.1 mm su di una dimensione complessiva di 1700 mm x 1000 mm. La tolleranza à ̈ così bassa dal momento che ciascun foro dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve corrispondere ad una delle piazzole 222 di contatto del circuito di collegamento. Pertanto, il motivo dei fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve corrispondere esattamente al motivo secondo cui sono state realizzate le piazzole 222. First of all, drilling a plurality of holes in a sheet of encapsulating material such as VA is not a trivial task, especially if the holes must have predetermined positions and the tolerance on positioning error must be reduced to about 0.1 mm on a dimension overall of 1700 mm x 1000 mm. The tolerance is so low since each hole in the lower encapsulating material layer 400 must correspond to one of the contact pads 222 of the connection circuit. Therefore, the pattern of the holes in the lower encapsulating material layer 400 must exactly match the pattern according to which the pads 222 were made.

Si deve poi considerare che il foglio di materiale incapsulante avrà le dimensioni del modulo, cioà ̈ tipicamente 1 ,7 m x 1 m. Tali dimensioni notevoli rendono l’operazione di apertura dei fori ancora più ardua. It must then be considered that the sheet of encapsulating material will have the dimensions of the module, that is typically 1, 7 m x 1 m. These considerable dimensions make the operation of opening the holes even more difficult.

Ancora, lo strato incapsulante non ha tipicamente consistenza meccanica e ha elevati coefficienti di dilatazione/restringimento termico quindi la sua stabilità dimensionale à ̈ limitata. Per esempio, una volta sottoposti a uno sforzo di trazione, un foglio o una lamina di materiale incapsulante tendono ad estendersi in modo viscoelastico. Questa caratteristica del materiale incapsulante rende l'operazione di foratura ancora più difficoltosa. Furthermore, the encapsulating layer typically has no mechanical consistency and has high thermal expansion / shrinkage coefficients so its dimensional stability is limited. For example, when subjected to a tensile stress, a sheet or lamina of encapsulating material tends to extend viscoelastic. This characteristic of the encapsulating material makes the drilling operation even more difficult.

Il numero di fori da aprire à ̈ poi molto alto. Come precedentemente descritto con riferimento alla figura lb, sulla superficie posteriore di una cella MWT sono generalmente formati 16 contatti ad un elettrodo e 15 contatti all'altro elettrodo. Dunque 31 contatti in totale. Un modulo fotovoltaico contiene tipicamente 60 o 72 celle. Pertanto il numero di fori da praticare sullo strato di materiale incapsulante sarà pari a 1860 e 2232 nel caso, rispettivamente, di un modulo con 60 e 72 celle. L’operazione di apertura dei fori à ̈ perciò piuttosto lunga e laboriosa, contribuendo così all’innalzamento dei costi di produzione. Un’operazione estremamente delicata nella produzione di un modulo fotovoltaico à ̈ poi l’allineamento fra lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 forato e il back-sheet o backcontact-backsheet 200 sottostante, sulle cui piazzole conduttive 222 si deve applicare la pasta conduttiva. Ciascun foro nello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve infatti corrispondere esattamente alla rispettiva piazzola conduttiva 222. Il margine di errore nell’allineamento fra lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 e il back-sheet o backcontact-backsheet 200 à ̈ minimo, in quanto uno sfasamento fra i fori nello strato di materiale incapsulante e le piazzole conduttive 222 comporta la copertura della piazzola conduttiva 222 da parte dello strato di materiale incapsulante 400 e, quindi, il mancato contatto fra uno degli elettrodi della cella 600 e il backsheet o backcontactbacksheet 200. Persino peggio, uno sfasamento tra i fori dello strato incapsulante 400 e le piazzole conduttive 222 potrebbe provocare lo spargimento della pasta conduttiva dalle piazzole conduttive 222 ad aree indesiderate della superficie del back-sheet o backcontac-backsheet 200 esposta verso le celle durante le fasi successive dell'assemblaggio del modulo fotovoltaico. The number of holes to be opened is then very high. As previously described with reference to Figure 1b, 16 contacts at one electrode and 15 contacts at the other electrode are generally formed on the rear surface of an MWT cell. So 31 contacts in total. A photovoltaic module typically contains 60 or 72 cells. Therefore the number of holes to be made on the layer of encapsulating material will be equal to 1860 and 2232 in the case, respectively, of a module with 60 and 72 cells. The operation of opening the holes is therefore quite long and laborious, thus contributing to the increase in production costs. An extremely delicate operation in the production of a photovoltaic module is then the alignment between the lower layer of encapsulating material 400 perforated and the underlying back-sheet or backcontact-backsheet 200, on whose conductive pads 222 the paste must be applied conductive. Each hole in the lower encapsulating material layer 400 must in fact correspond exactly to the respective conductive pad 222. The margin of error in the alignment between the lower encapsulating material layer 400 and the back-sheet or backcontact-backsheet 200 is minimum, in as a phase shift between the holes in the layer of encapsulating material and the conductive pads 222 involves the covering of the conductive pad 222 by the layer of encapsulating material 400 and, therefore, the lack of contact between one of the electrodes of the cell 600 and the backsheet or backcontactbacksheet 200. Even worse, a phase shift between the holes in the encapsulating layer 400 and the conductive pads 222 could cause the shedding of the conductive paste from the conductive pads 222 to unwanted areas of the surface of the back-sheet or backcontac-backsheet 200 exposed to the cells during successive phases of the assembly of the photovoltaic module.

Pur potendo allineare esattamente i fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 alle piazzole conduttive 222 sul backsheet o sul backcontact-backsheet 200, un problema fondamentale si pone durante le fasi successive deH’assemblaggio del modulo. Infatti, la posizione dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 rispetto al backsheet o al backcontact-backsheet 200 deve rimanere inalterata nelle fasi successive del processo di assemblaggio che comprendono: deposizione delle celle 600, deposizione dello strato di materiale incapsulante superiore 450, deposizione dello strato superficiale 800 e, infine, laminazione. While being able to align exactly the holes of the lower encapsulating material layer 400 with the conductive pads 222 on the backsheet or backcontact-backsheet 200, a fundamental problem arises during the subsequent assembly phases of the module. In fact, the position of the lower encapsulating material layer 400 with respect to the backsheet or backcontact-backsheet 200 must remain unchanged in the subsequent stages of the assembly process which include: deposition of the cells 600, deposition of the upper encapsulating material layer 450, deposition of the layer surface 800 and, finally, lamination.

Può avvenire che la struttura da assemblare debba essere trasportata da un punto ad un altro della linea di produzione nel passaggio da una delle fasi di assemblaggio nominate sopra a quella successiva. Lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 può inoltre spostarsi rispetto al backsheet 200 quando lo strato di materiale incapsulante superiore 450 o lo strato superficiale 800 vengono aggiunti alla struttura in conseguenza delle sollecitazioni ricevute dalla struttura durante il processo di deposizione. Inoltre, va osservato che durante la laminazione lo strato di materiale incapsulante 400 può deformarsi espandendo o contraendosi in risposta all'aumento di temperatura. Perciò mantenere fissata la posizione dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 rispetto al backsheet o backcontact-backsheet 200 à ̈ un compito non banale che un produttore di moduli fotovoltaici non può comunque evitare ricorrendo ai mezzi messi a disposizione dallo stato della tecnica. It may happen that the structure to be assembled must be transported from one point to another of the production line when passing from one of the assembly phases mentioned above to the next. The lower encapsulating material layer 400 may also shift relative to the backsheet 200 when the upper encapsulating material layer 450 or the surface layer 800 are added to the structure as a result of the stresses received by the structure during the deposition process. Furthermore, it should be noted that during lamination the layer of encapsulating material 400 can deform by expanding or contracting in response to the increase in temperature. Therefore, keeping the position of the lower encapsulating material layer 400 fixed with respect to the backsheet or backcontact-backsheet 200 is a non-trivial task that a manufacturer of photovoltaic modules cannot avoid by resorting to the means made available by the state of the art.

OGGETTO DELLA PRESENTE INVENZIONE OBJECT OF THIS INVENTION

In vista dei problemi citati e degli svantaggi relativi alla procedura tradizionale di assemblaggio dei moduli fotovoltaici, un oggetto della presente invenzione à ̈ quello di fornire un componente per moduli fotovoltaici da applicare sulla superficie di un backcontact-backsheet per moduli fotovoltaici ed un metodo per produrre tale componente che permettano di superare detti problemi. In view of the aforementioned problems and the disadvantages related to the traditional assembly procedure of photovoltaic modules, an object of the present invention is to provide a component for photovoltaic modules to be applied on the surface of a backcontact-backsheet for photovoltaic modules and a method for producing this component that allow to overcome said problems.

In particolare, uno degli oggetti della presente invenzione à ̈ quello di fornire una struttura multistrati comprendente uno strato di materiale dielettrico e uno strato di materiale incapsulante da applicare alla superficie di un backcontactbacksheet per moduli fotovoltaici in modo tale da permettere un assemblaggio pratico, economico e preciso di un modulo fotovoltaico. In particular, one of the objects of the present invention is to provide a multilayer structure comprising a layer of dielectric material and a layer of encapsulating material to be applied to the surface of a backcontactbacksheet for photovoltaic modules in such a way as to allow a practical, economical and accurate of a photovoltaic module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrati ed un metodo per realizzarla grazie ai quali si può ottenere un grado eccellente di stabilità dello strato di materiale incapsulante inferiore durante le varie fasi di montaggio del modulo fotovoltaico, in modo tale che lo strato di materiale incapsulante non possa muoversi durante il montaggio del modulo. A further object of the present invention is to provide a multilayer structure and a method for making it thanks to which an excellent degree of stability of the lower encapsulating material layer can be obtained during the various assembly phases of the photovoltaic module, so that the layer of encapsulating material cannot move when mounting the module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrati ed un metodo per realizzarla grazie ai quali si può ottenere una maggiore precisione nella struttura finale e in quella intermedia del modulo fotovoltaico, permettendo così un alto grado di ripetibilità di processo e riducendo al minimo lo spreco di risorse dovuto alla produzione di prodotti difettosi. A further object of the present invention is to provide a multilayer structure and a method for making it thanks to which it is possible to obtain greater precision in the final and intermediate structure of the photovoltaic module, thus allowing a high degree of process repeatability and reducing to minimum waste of resources due to the production of defective products.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrati ed un metodo per realizzarla grazie ai quali i rischi di contaminazione e spargimento indesiderati della pasta adesiva conduttiva possano essere evitati durante il processo di montaggio del modulo fotovoltaico. A further object of the present invention is to provide a multilayer structure and a method for making it thanks to which the risks of unwanted contamination and spreading of the conductive adhesive paste can be avoided during the assembly process of the photovoltaic module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrati ed un metodo per realizzarla grazie ai quali la fase scomoda e complessa della foratura dello strato di materiale incapsulante inferiore durante il montaggio del modulo fotovoltaico possa essere evitata facilitata grazie all'impiego di un metodo industriale e ripetibile. A further object of the present invention is to provide a multilayer structure and a method for making it thanks to which the awkward and complex step of drilling the lower encapsulating material layer during the assembly of the photovoltaic module can be avoided and facilitated thanks to the use of a method industrial and repeatable.

Le fasi critiche della foratura dello strato di materiale incapsulante inferiore e dell'allineamento dello strato di materiale incapsulante con il backcontact-backsheet sono normalmente a carico del produttore di moduli fotovoltaici. Pertanto, un ulteriore oggetto della presente invenzione à ̈ fornire una struttura multistrati da applicare alla superficie di un backcontact-backsheet e capace di sollevare un produttore di moduli solari dai compiti di foratura e allineamento dello strato di materiale incapsulante, semplificando ed economizzando così il processo di assemblaggio e/o produzione dei moduli solari. The critical steps of drilling the lower encapsulating material layer and aligning the encapsulating material layer with the backcontact-backsheet are normally the responsibility of the PV module manufacturer. Therefore, a further object of the present invention is to provide a multilayer structure to be applied to the surface of a backcontact-backsheet and capable of relieving a solar module manufacturer from the tasks of drilling and aligning the layer of encapsulating material, thus simplifying and economizing the solar module assembly and / or production process.

BREVE DESCRIZIONE DELL’INVENZIONE BRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION

Secondo la presente invenzione, à ̈ provvisto una struttura multistrati atta ad essere applicata sulla superficie di un backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico basata sul concetto nuovo ed inventivo che il processo di montaggio di un modulo fotovoltaico si può semplificare, velocizzare e rendere più preciso se lo strato di materiale incapsulante inferiore à ̈ fornito insieme ad uno strato di materiale dielettrico pretrattato in modo da fissare saldamente ad una delle sue superfici lo strato di materiale incapsulante. According to the present invention, a multilayer structure is provided which can be applied on the surface of a backcontact-backsheet for a photovoltaic module based on the new and inventive concept that the assembly process of a photovoltaic module can be simplified, speeded up and made more precise. if the lower encapsulating material layer is supplied together with a pretreated dielectric material layer so as to firmly fix the encapsulating material layer to one of its surfaces.

La presente invenzione si basa inoltre sul concetto nuovo ed inventivo che alla superficie del materiale dielettrico opposta alla superficie su cui à ̈ fissato lo strato di materiale incapsulante si può applicare uno strato di resina termoadesiva in modo tale da consentire una ottima adesione tra lo strato di materiale dielettrico e la superficie del backcontact-backsheet a cui la struttura multistrati à ̈ applicata. The present invention is also based on the new and inventive concept that to the surface of the dielectric material opposite to the surface on which the layer of encapsulating material is fixed, a layer of thermo-adhesive resin can be applied in such a way as to allow excellent adhesion between the layer of dielectric material and the surface of the backcontact-backsheet to which the multilayer structure is applied.

Forme di realizzazione preferite della presente invenzione sono fornite dalle rivendicazioni dipendenti e dalla descrizione seguente. Preferred embodiments of the present invention are provided by the dependent claims and the following description.

La presente invenzione fornisce inoltre un metodo per la produzione di una struttura multistrati atta ad essere applicata sulla superficie di un backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico come definito nella rivendicazione 14 e nella descrizione seguente. The present invention also provides a method for producing a multilayer structure adapted to be applied on the surface of a backcontact-backsheet for a photovoltaic module as defined in claim 14 and in the following description.

BREVE DESCRIZIONE DELLE FIGURE BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Ulteriori caratteristiche e vantaggi della presente invenzione appariranno più chiari dalla descrizione seguente delle forme di realizzazione del dispositivo secondo la presente invenzione rappresentate nelle tavole di disegno. Nelle tavole di disegno parti identiche e/o simili e/o corrispondenti sono identificate dagli stessi numeri o lettere di riferimento, in particolare, nelle figure: Further characteristics and advantages of the present invention will become clearer from the following description of the embodiments of the device according to the present invention represented in the drawing tables. In the drawing tables, identical and / or similar and / or corresponding parts are identified by the same reference numbers or letters, in particular, in the figures:

Figura la mostra una vista dall'alta della superficie esterna o anteriore di una cella solare del tipo MWT; Figure 1a shows a top view of the outer or front surface of a solar cell of the MWT type;

Figura lb mostra una vista dall'alto della superficie interna o posteriore di una cella solare del tipo MWT; Figure 1b shows a top view of the inner or rear surface of a solar cell of the MWT type;

Figura 2 mostra una sezione trasversale di una cella solare del tipo MWT; Figure 2 shows a cross section of a solar cell of the MWT type;

Figura 3 mostra una vista esplosa di una porzione di un modulo fotovoltaico; Figure 3 shows an exploded view of a portion of a photovoltaic module;

Figura 4a mostra la struttura di un modulo fotovoltaico precedentemente al processo di laminazione; Figure 4a shows the structure of a photovoltaic module prior to the lamination process;

Figura 4b mostra la struttura di un modulo fotovoltaico successivamente al processo di laminazione; Figure 4b shows the structure of a photovoltaic module following the lamination process;

Figura 5 mostra una sezione trasversale di un backcontactbacksheet di tipo convenzionale; Figure 5 shows a cross section of a conventional backcontactbacksheet;

Figura 6 mostra una sezione trasversale di una fase intermedia della realizzazione di una struttura multistrati secondo una forma di realizzazione della presente invenzione; Figura 7 mostra una sezione trasversale di un sistema comprendente una struttura multistrati secondo una forma di realizzazione della presente invenzione e una porzione del backcontact-backsheet sulla cui superficie la struttura multistrati à ̈ applicata; Figure 6 shows a cross section of an intermediate step of the realization of a multilayer structure according to an embodiment of the present invention; Figure 7 shows a cross section of a system comprising a multilayer structure according to an embodiment of the present invention and a portion of the backcontact-backsheet on the surface of which the multilayer structure is applied;

Figura 8 mostra una sezione trasversale di un sistema comprendente una cella solare, una struttura multistrati secondo una forma di realizzazione della presente invenzione e il backcontact-backsheet sulla cui superficie la struttura multistrati à ̈ applicata; Figure 8 shows a cross section of a system comprising a solar cell, a multilayer structure according to an embodiment of the present invention and the backcontact-backsheet on the surface of which the multilayer structure is applied;

Figura 9 mostra una sezione trasversale di un sistema comprendente una struttura multistrati secondo una forma di realizzazione della presente invenzione e una porzione del backcontact-backsheet sulla cui superficie la struttura multistrati à ̈ applicata, dopo che il sistema sia stato sottoposto ad un processo di laminazione. Figure 9 shows a cross section of a system comprising a multilayer structure according to an embodiment of the present invention and a portion of the backcontact-backsheet on the surface of which the multilayer structure is applied, after the system has been subjected to a lamination process .

DESCRIZIONE DETTAGLIATA DETAILED DESCRIPTION

Nel seguito, la presente invenzione verrà descritta con riferimento a particolari forme di realizzazione come mostrato nelle figure allegate. Tuttavia, la presente invenzione non à ̈ limitata alle forme di realizzazione particolari descritte nella seguente descrizione dettagliata e mostrati nelle figure ma, piuttosto, le forme di realizzazione descritte mostrano semplicemente diversi aspetti della presente invenzione il cui scopo à ̈ definito dalle rivendicazioni. In the following, the present invention will be described with reference to particular embodiments as shown in the attached figures. However, the present invention is not limited to the particular embodiments described in the following detailed description and shown in the figures but, rather, the described embodiments simply show several aspects of the present invention whose scope is defined by the claims.

Ulteriori modifiche e variazioni della presente invenzione saranno chiare per la persona del mestiere. Di conseguenza, la presente descrizione deve essere considerata come comprendente tutte le modifiche e/o variazioni della presente invenzione, il cui scopo à ̈ definito dalle rivendicazioni. Further modifications and variations of the present invention will be clear to the skilled person. Accordingly, the present description is to be regarded as including all modifications and / or variations of the present invention, the purpose of which is defined by the claims.

La figura 5 mostra schematicamente un backcontactbacksheet 200 per un modulo fotovoltaico comunemente usato nello stato della tecnica. Il lato-aria del modulo fotovoltaico à ̈ quello posto in basso, al di sotto del backcontact-backsheet 200 illustrato nella figura 5. Figure 5 schematically shows a backcontactbacksheet 200 for a photovoltaic module commonly used in the state of the art. The air side of the photovoltaic module is the one placed at the bottom, under the backcontact-backsheet 200 shown in figure 5.

Il backcontact-backsheet 200 comprende un complesso o substrato isolante 210 esposto al lato-aria del modulo fotovoltaico. The backcontact-backsheet 200 comprises an insulating complex or substrate 210 exposed to the air side of the photovoltaic module.

Il substrato isolante 210 comprende un primo strato isolante 212, uno strato intermedio 214 e un secondo strato isolante 216. The insulating substrate 210 comprises a first insulating layer 212, an intermediate layer 214 and a second insulating layer 216.

Il primo strato isolante 212 presenta una superficie esposta verso il lato-aria del modulo fotovoltaico ed à ̈ impiegato come barriera contro umidità, raggi UV, ossigeno e agenti esterni che potrebbero penetrare nel modulo e danneggiarne alcune delle parti componenti o fare degradare l’adesivo di natura poliuretanica o poliestere ingiallendolo. The first insulating layer 212 has a surface exposed towards the air side of the photovoltaic module and is used as a barrier against humidity, UV rays, oxygen and external agents that could penetrate into the module and damage some of the component parts or cause degradation of the polyurethane or polyester adhesive yellowing it.

La superficie interna del primo strato isolante 212 opposta alla superficie esposta al lato-aria à ̈ poi a contatto con uno strato intermedio 214, che funge da barriera contro l'umidità e il vapore acqueo. Lo strato intermedio à ̈ realizzato tipicamente in alluminio, preferibilmente con uno spessore compreso tra 8 e 25 Î1⁄4m. The internal surface of the first insulating layer 212 opposite the surface exposed to the air-side is then in contact with an intermediate layer 214, which acts as a barrier against humidity and water vapor. The intermediate layer is typically made of aluminum, preferably with a thickness between 8 and 25 Î1⁄4m.

La superficie interna dello strato intermedio 214, opposta alla superficie a contatto con il primo strato isolante212, Ã ̈ poi a contatto con il secondo strato isolante 216, che funge da isolante elettrico e da ulteriore barriera. The internal surface of the intermediate layer 214, opposite the surface in contact with the first insulating layer212, is then in contact with the second insulating layer 216, which acts as an electrical insulator and as a further barrier.

Sulla superficie interna del secondo strato isolante 216 opposta allo strato intermedio 214 viene poi applicato uno strato di materiale conduttivo 220. Tale strato di materiale conduttivo 220 applicato sulla superficie del secondo strato isolante posteriore 216 verrà successivamente trattato in modo da formare un motivo comprendente in genere elementi di forma allungata quali tracce, piste, percorsi, ecc. Tale motivo forma il circuito di collegamento con gli elettrodi delle celle solari. Non essendo formato in modo continuo sulla superficie interna del secondo strato isolante 216, lo strato conduttivo 220 lascia generalmente esposte alcune porzioni della superficie interna del secondo strato isolante posteriore 216 su cui à ̈ applicato. A layer of conductive material 220 is then applied to the internal surface of the second insulating layer 216 opposite the intermediate layer 214. This layer of conductive material 220 applied to the surface of the second rear insulating layer 216 will subsequently be treated so as to form a pattern generally comprising elongated elements such as tracks, tracks, paths, etc. This pattern forms the connection circuit with the electrodes of the solar cells. Not being formed continuously on the inner surface of the second insulating layer 216, the conductive layer 220 generally leaves exposed some portions of the inner surface of the second rear insulating layer 216 on which it is applied.

Il circuito di collegamento ricavato nello strato di materiale conduttivo 220 può essere formato per mezzo di una delle tecniche comunemente usate per la produzione di circuiti stampati. Per esempio, il circuito di collegamento può essere formato nello strato conduttivo 220 per mezzo di una tecnica litografica ottica, in cui uno strato di photoresist viene uniformemente applicato alla superficie dello strato conduttivo 220, esposto secondo il motivo da riprodurre e quindi sviluppato. La superficie comprendente il photoresist sviluppato à ̈ quindi sottoposta ad un attacco chimico (etching) che produce il motivo voluto. Infine, il photoresist residuo viene rimosso. In alternativa, il circuito di collegamento si può formare sullo strato di materiale conduttivo per mezzo di un processo di ablazione, da ottenersi con mezzi meccanici quali una fresa oppure per evaporazione impiegando per esempio un laser. The connection circuit obtained in the layer of conductive material 220 can be formed by means of one of the techniques commonly used for the production of printed circuits. For example, the connection circuit can be formed in the conductive layer 220 by means of an optical lithographic technique, in which a photoresist layer is uniformly applied to the surface of the conductive layer 220, exposed according to the pattern to be reproduced and then developed. The surface comprising the developed photoresist is then subjected to a chemical attack (etching) which produces the desired pattern. Finally, the residual photoresist is removed. Alternatively, the connection circuit can be formed on the layer of conductive material by means of an ablation process, to be obtained by mechanical means such as a cutter or by evaporation using for example a laser.

Lo strato conduttivo 220 comprende poi delle piazzole 222 formate in posizioni predeterminate del motivo di cui il circuito conduttivo nello strato conduttivo 220 Ã ̈ composto. Le piazzole 222 verranno poste in contatto elettrico con i contatti ohmici formati sulla superficie degli elettrodi delle celle solari attraverso un grumo di materiale conduttivo. Le piazzole 222 garantiscono quindi il contatto elettrico con le celle solari montate nel modulo fotovoltaico e sono formate in posizioni corrispondenti alle posizioni dei contatti ohmici 624 e 640 formati sulla superficie posteriore della cella solare 600 e mostrati nelle figure lb e 2. The conductive layer 220 then comprises pads 222 formed in predetermined positions of the pattern of which the conductive circuit in the conductive layer 220 is composed. The pads 222 will be placed in electrical contact with the ohmic contacts formed on the surface of the electrodes of the solar cells through a lump of conductive material. The pads 222 therefore ensure electrical contact with the solar cells mounted in the photovoltaic module and are formed in positions corresponding to the positions of the ohmic contacts 624 and 640 formed on the rear surface of the solar cell 600 and shown in Figures 1b and 2.

Ancora con riferimento alla figura 5, il backcontactbacksheet 200 comprende poi uno strato di materiale dielettrico 240 depositato sul lato interno del backcontactbacksheet 200, cioà ̈ sul lato opposto al lato-aria e rivolto verso le celle. Tale strato di materiale dielettrico 240 viene generalmente formato, per esempio per mezzo di un processo serigrafico, in modo tale che il materiale dielettrico ricopra totalmente la porzione della superficie del secondo strato isolante posteriore 216 lasciata esposta dallo strato conduttivo 220 applicato sopra di essa. Il materiale dielettrico ha così la funzione di isolare elettricamente due piste o elementi adiacenti ma disconnessi l'uno con l'altro del motivo formato dallo strato conduttivo 220. Inoltre, lo strato di materiale dielettrico 220 ha la funzione di neutralizzare eventuali correnti superficiali che potrebbero fluire sulla superficie del substrato 210 su cui lo strato di materiale conduttivo 220 e una porzione dello strato di materiale dielettrico 240 sono fissati. Again with reference to Figure 5, the backcontactbacksheet 200 then comprises a layer of dielectric material 240 deposited on the internal side of the backcontactbacksheet 200, ie on the side opposite the air side and facing the cells. Such a layer of dielectric material 240 is generally formed, for example by means of a screen printing process, in such a way that the dielectric material completely covers the portion of the surface of the second rear insulating layer 216 left exposed by the conductive layer 220 applied above it. The dielectric material thus has the function of electrically insulating two adjacent tracks or elements but disconnected from each other of the pattern formed by the conductive layer 220. Furthermore, the layer of dielectric material 220 has the function of neutralizing any surface currents that they could flow on the surface of the substrate 210 on which the conductive material layer 220 and a portion of the dielectric material layer 240 are attached.

Lo strato di materiale dielettrico 240 viene quindi deposto in modo da lasciare parzialmente esposto lo strato di materiale conduttivo 220. Più specificamente, lo strato di materiale dielettrico 240 presenta delle aperture 242 poste in corrispondenza delle piazzole 222 dello strato conduttivo 220 mostrate nelle figure da 3 a 5 e usate per contattare gli elettrodi delle celle fotovoltaiche. Così lo strato dielettrico 240 lascia esposte le piazzole conduttive 222 verso il lato interno del backcontact-backsheet 200, cioà ̈ verso il lato rivolto verso le celle. The layer of dielectric material 240 is then deposited so as to leave partially exposed the layer of conductive material 220. More specifically, the layer of dielectric material 240 has openings 242 located in correspondence with the pads 222 of the conductive layer 220 shown in figures from 3 to 5 and used to contact the electrodes of the photovoltaic cells. Thus the dielectric layer 240 leaves the conductive pads 222 exposed towards the internal side of the backcontact-backsheet 200, ie towards the side facing the cells.

Infine, le porzioni dello strato conduttivo 220 lasciate esposte dallo strato di materiale dielettrico 240 vengono ricoperte da uno strato protettivo 260 in modo da evitare che la superficie esposta dello strato di materiale conduttivo 220 si ossidi, corroda, scalfisca o si danneggi in genere. Lo strato protettivo 260 può comprendere un materiale organico, che in genere viene deposto mediante serigrafia. Alternativamente, le porzioni esposte dello strato conduttivo 220 possono venire protette da uno strato metallico applicato sin dall'origine alla superficie esposta. Per esempio, se lo strato di materiale conduttivo 220 comprende rame, lo si può proteggere mediante uno strato sottile di nichel deposto sulla superficie dello strato di materiale conduttivo 220 comprendente rame. Se lo strato 220 fosse di alluminio, questo potrebbe essere ricoperto di rame e poi di nichel o stagno. La scelta dell’alluminio sarebbe competitiva con il rame per una ragione di costi più bassi a parità di resistività elettrica. Finally, the portions of the conductive layer 220 left exposed by the layer of dielectric material 240 are covered by a protective layer 260 so as to prevent the exposed surface of the layer of conductive material 220 from oxidizing, corroding, scratching or damaging in general. The protective layer 260 may comprise an organic material, which is generally deposited by screen printing. Alternatively, the exposed portions of the conductive layer 220 can be protected by a metallic layer applied from the origin to the exposed surface. For example, if the layer of conductive material 220 comprises copper, it can be protected by a thin layer of nickel deposited on the surface of the layer of conductive material 220 comprising copper. If layer 220 were aluminum, it could be coated with copper and then nickel or tin. The choice of aluminum would be competitive with copper for a reason of lower costs for the same electrical resistivity.

Il back-sheet 200 mostrato nella figura 5 presenta gli inconvenienti descritti precedentemente, tali per cui il successivo montaggio del modulo fotovoltaico risulta lento, costoso e poco preciso. Ciò à ̈ in gran parte dovuto al fatto che uno strato di materiale incapsulante posto tra le celle e il backcontact-backsheet deve essere prima forato e poi mantenuto perfettamente allineato alle piazzole conduttive 222 del backcontact-backsheet durante tutte le fasi dell'assemblaggio. The back-sheet 200 shown in Figure 5 has the drawbacks described above, such that the subsequent assembly of the photovoltaic module is slow, expensive and not very precise. This is largely due to the fact that a layer of encapsulating material placed between the cells and the backcontact-backsheet must first be perforated and then kept perfectly aligned with the conductive pads 222 of the backcontact-backsheet during all stages of assembly.

Al fine di superare gli inconvenienti legati ai backcontactbacksheet noti nello stato dell'arte, si propone la struttura multistrati 1000, i cui strati costituenti sono mostrati nella figura 6. La struttura multistrati secondo una forma di realizzazione della presente invenzione mostrata nella figura 6 va applicata alla superficie di un backcontact-backsheet. Il backcontact-backsheet alla cui superficie si applica la struttura 1000 comprende, alla pari di quello mostrato in figura 5, un substrato isolante 210 ed uno strato conduttivo elettrico 220 fissato alla superficie interna del substrato 210 formato come un circuito di collegamento agli elettrodi delle celle solari 600. A differenza del backcontact-backsheet rappresentato nella figura 5, il backcontact-backsheet alla cui superficie si applica la struttura 1000 non comprende lo strato di materiale dielettrico 240. Quindi, la superficie del backcontact-backsheet su cui à ̈ applicata la struttura 1000 espone l'intero circuito di collegamento ricavato nello strato di materiale conduttivo 220. La superficie dello strato di materiale conduttivo 220 esposta à ̈ poi ricoperta da uno strato protettivo 260, come mostrato nella figura 5 e come descritto con riferimento alla stessa figura. Lo strato protettivo 260 viene realizzato in modo innovativo attraverso la struttura 1000. In order to overcome the drawbacks associated with backcontactbacksheets known in the state of the art, the multilayer structure 1000 is proposed, the constituent layers of which are shown in figure 6. The multilayer structure according to an embodiment of the present invention shown in figure 6 is to be applied to the surface of a backcontact-backsheet. The backcontact-backsheet to the surface of which the structure 1000 is applied comprises, like that shown in figure 5, an insulating substrate 210 and an electrical conductive layer 220 fixed to the internal surface of the substrate 210 formed as a connection circuit to the electrodes of the cells solar 600. Unlike the backcontact-backsheet shown in figure 5, the backcontact-backsheet to which the structure 1000 is applied does not include the dielectric material layer 240. Therefore, the surface of the backcontact-backsheet on which the structure is applied 1000 exposes the entire connection circuit obtained in the layer of conductive material 220. The surface of the layer of conductive material 220 exposed is then covered with a protective layer 260, as shown in Figure 5 and as described with reference to the same figure. The protective layer 260 is made in an innovative way through the structure 1000.

La struttura 1000 mostrata nella figura 6 comprende uno strato di materiale dielettrico 240 che presenta una superficie interna o superiore 242 rivolta verso l'interno del modulo fotovoltaico e una superficie inferiore o esterna 244 rivolta verso il backcontact-backsheet su cui la struttura 1000 andrà applicata. The structure 1000 shown in Figure 6 comprises a layer of dielectric material 240 which has an internal or upper surface 242 facing the inside of the photovoltaic module and a lower or external surface 244 facing the backcontact-backsheet on which the structure 1000 will be applied. .

Lo strato di materiale dielettrico 240 comprende un film sottile inestensibile. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 comprende un polimero. Secondo forme di realizzazione particolari della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 comprende polietilene tereftalato (PET), polipropilene (PP) oppure poliimide (PI) o altri polimeri che abbiano caratteristiche di stabilità meccanica e rigidità dielettrica. Preferibilmente, lo strato di materiale dielettrico 240 può inoltre comprendere PET biorientato oppure PP biorientato. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 ha uno spessore compreso tra 20 e 40 Î1⁄4m. Preferibilmente, lo strato di materiale dielettrico 240 ha uno spessore compreso tra 23 e 36 pm. The dielectric material layer 240 comprises an inextensible thin film. According to an embodiment of the present invention, the dielectric material layer 240 comprises a polymer. According to particular embodiments of the present invention, the dielectric material layer 240 comprises polyethylene terephthalate (PET), polypropylene (PP) or polyimide (PI) or other polymers having mechanical stability and dielectric strength characteristics. Preferably, the dielectric material layer 240 may further comprise bi-oriented PET or bi-oriented PP. According to an embodiment of the present invention, the layer of dielectric material 240 has a thickness of between 20 and 40 Î1⁄4m. Preferably, the layer of dielectric material 240 has a thickness comprised between 23 and 36 µm.

Alla superficie inferiore 244 dello strato di materiale dielettrico 240 à ̈ fissato uno strato di materiale termoadesivo 270 che garantisce l'adesione della struttura 1000 alla superficie del backcontact-backsheet sottostante ed à ̈ in grado di conformarsi secondo le diverse altezze presentate dalla faccia superione del backcontact-backsheet e riempire tutti i vuoti presenti. In particolare, lo strato di materiale termoadesivo 270 aderirà alla superficie dello strato di materiale conduttivo 220 come pure alle porzioni della superficie del backcontact-backsheet lasciate libere dallo strato di materiale conduttivo 220. Lo strato di materiale termoadesivo 270 comprende una superficie interna o superiore 274 rivolta verso lo strato di materiale dielettrico 240 e una superficie esterna o inferiore 272 opposta alla superficie interna 274 e rivolta verso il backcontactbacksheet. To the lower surface 244 of the layer of dielectric material 240 is fixed a layer of thermoadhesive material 270 which guarantees the adhesion of the structure 1000 to the surface of the underlying backcontact-backsheet and is able to conform according to the different heights presented by the upper face of the backcontact-backsheet and fill in all the gaps present. In particular, the layer of thermo-adhesive material 270 will adhere to the surface of the layer of conductive material 220 as well as to the portions of the surface of the backcontact-backsheet left free by the layer of conductive material 220. The layer of thermo-adhesive material 270 comprises an inner or upper surface 274 facing the dielectric material layer 240 and an outer or lower surface 272 opposite the inner surface 274 and facing the backcontactbacksheet.

Secondo alcune forme di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale termoadesivo 270 comprende una resina. Secondo forme particolari di realizzazione della presente invenzione lo strato di materiale termoadesivo 270 può comprendere una resina termoindurente oppure una resina termoplastica. Secondo una forma di realizzazione particolare della presente invenzione lo strato di materiale termoadesivo 270 comprende una resina scelta tra le resine epossidiche, epossifenoliche, o copoliestere, o poliuretaniche o poliolefine ionomeriche. Secondo una forma di realizzazione particolare della presente invenzione, lo strato di materiale termoadesivo 270 comprende una resina la cui temperatura di fusione à ̈ compresa tra 60° e 160°. Preferibilmente, la resina dello strato di materiale termoadesivo 270 non à ̈ appiccicosa se gestita a freddo. According to some embodiments of the present invention, the layer of thermoadhesive material 270 comprises a resin. According to particular embodiments of the present invention, the layer of thermoadhesive material 270 can comprise a thermosetting resin or a thermoplastic resin. According to a particular embodiment of the present invention, the layer of thermoadhesive material 270 comprises a resin selected from epoxy, epoxyphenolic, or copolyester, or polyurethane or ionomeric polyolefins. According to a particular embodiment of the present invention, the layer of thermoadhesive material 270 comprises a resin whose melting temperature is between 60 ° and 160 °. Preferably, the resin of the thermo-adhesive material layer 270 is not tacky when handled cold.

Lo strato di materiale termoadesivo 270 ha la funzione di fissare la struttura 1000 alla superficie del backcontactbacksheet su cui à ̈ applicata. In particolare, lo strato di materiale termoadesivo 270 assicura l'aderenza fra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale conduttivo 220 in cui à ̈ formato il circuito di collegamento. The layer of thermo-adhesive material 270 has the function of fixing the structure 1000 to the surface of the backcontactbacksheet on which it is applied. In particular, the layer of thermo-adhesive material 270 ensures the adhesion between the layer of dielectric material 240 and the layer of conductive material 220 in which the connection circuit is formed.

La struttura 1000 comprende poi uno strato di materiale incapsulante 280 comprendente a sua volta una superficie inferiore o esterna 284 e una superficie superiore o interna 282. Lo strato di materiale incapsulante 280 à ̈ applicato allo strato di materiale dielettrico 240 in modo che la superficie inferiore 284 dello strato di materiale incapsulante 280 sia rivolta verso la superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 comprende ÈVA. Secondo altre forme di realizzazione della presente invenzione lo strato di materiale incapsulante 280 comprende siliconi, oppure resine ionomeriche, oppure termo poliuretani, oppure poliolefine, oppure termopoliolefine. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 ha uno spessore compreso tra 100 e 500 Î1⁄4m. The structure 1000 then comprises a layer of encapsulating material 280 comprising in turn a lower or outer surface 284 and an upper or inner surface 282. The layer of encapsulating material 280 is applied to the layer of dielectric material 240 so that the lower surface 284 of the encapsulating material layer 280 faces the upper surface 242 of the dielectric material layer 240. According to an embodiment of the present invention, the encapsulating material layer 280 comprises ÃVA. According to other embodiments of the present invention, the layer of encapsulating material 280 comprises silicones, or ionomer resins, or thermo polyurethanes, or polyolefins, or thermopolyolefins. According to an embodiment of the present invention, the layer of encapsulating material 280 has a thickness of between 100 and 500 Î1⁄4m.

L'adesione tra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280 à ̈ fornita da uno strato di rivestimento 250 applicato sulla superficie interna 242 dello strato di materiale dielettrico 240. Come verrà descritto più avanti, secondo una forma di realizzazione lo strato di rivestimento 250 à ̈ il risultato di un trattamento superficiale chimico o fisico a cui à ̈ sottoposta la superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240. Lo strato di rivestimento 250 comprende una superficie superiore 252, a cui à ̈ fissata la superficie inferiore 284 dello strato di materiale incapsulante 280 e una superficie inferiore 254, saldamente aderente alla superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240. The adhesion between the dielectric material layer 240 and the encapsulating material layer 280 is provided by a coating layer 250 applied to the inner surface 242 of the dielectric material layer 240. As will be described later, according to an embodiment the coating layer 250 is the result of a chemical or physical surface treatment to which the upper surface 242 of the dielectric material layer 240 is subjected. The coating layer 250 comprises an upper surface 252, to which the lower surface is attached 284 of the layer of encapsulating material 280 and a lower surface 254, firmly adhering to the upper surface 242 of the layer of dielectric material 240.

Come mostrato nella figura 7, la struttura multistrati 1000 presenta una pluralità di fori passanti 286. I fori passanti 286 sono praticati in posizioni predeterminate corrispondenti ciascuna ad una posizione predeterminata sul circuito di collegamento formato nello strato di materiale conduttivo 220 del backcontact-backsheet sulla cui superficie la struttura multistrati 1000 deve essere applicata. Più specificamente, i fori 286 sono tali che, una volta che la struttura multistrati 1000 sia stata allineata con il backcontact-backsheet, la posizione di ciascun foro 286 corrisponda alla posizione di uno dei contatto ohmici 624 e 640 formati sulla superficie posteriore delle celle. Inoltre, quando la struttura multistrati 1000 sarà stata allineata e applicata al backcontact-backsheet, la posizione di ciascun foro passante 286 verrà a formare uno dei punti di contatto sullo strato di materiale conduttivo 220 indicati con il numero di riferimento 222 nelle figure da 7 a 9. In tal modo, quando la struttura multistrati 1000 à ̈ applicata al backsheet-backcontact per cui essa à ̈ realizzata, i fori 286 della struttura multistrati 1000 lasciano esposti i punti di contatto 222 sullo strato di materiale conduttivo 220. Si fa presente che la superficie dello strato di materiale conduttivo 220, come pure la superficie dei punti di contatto 222, possono essere ricoperte dallo strato protettivo 260 mostrato nella figura 5 ma non nelle figure da 6 a 9. As shown in Figure 7, the multilayer structure 1000 has a plurality of through holes 286. The through holes 286 are made in predetermined positions each corresponding to a predetermined position on the connection circuit formed in the layer of conductive material 220 of the backcontact-backsheet on which surface the multilayer structure 1000 must be applied. More specifically, the holes 286 are such that, once the multilayer structure 1000 has been aligned with the backcontact-backsheet, the position of each hole 286 corresponds to the position of one of the ohmic contacts 624 and 640 formed on the back surface of the cells. Furthermore, when the multilayer structure 1000 has been aligned and applied to the backcontact-backsheet, the position of each through hole 286 will form one of the contact points on the layer of conductive material 220 indicated with the reference number 222 in figures 7 to 9. In this way, when the multilayer structure 1000 is applied to the backsheet-backcontact for which it is made, the holes 286 of the multilayer structure 1000 leave the contact points 222 on the conductive material layer 220 exposed. the surface of the layer of conductive material 220, as well as the surface of the contact points 222, can be covered by the protective layer 260 shown in Figure 5 but not in Figures 6 to 9.

I punti di contatto 222 sul backcontact-backsheet possono così essere messi in contatto elettrico attraverso i fori 286 con i contatti ohmici 640 oppure 624 sulla superficie posteriore della cella 600. Tali contatti ohmici 640 e 624 possono per esempio essere formati, rispettivamente, sull'elettrodo positivo (contatto p) e sull'elettrodo negativo (contatto n) della cella fotovoltaica 600, come mostrato anche nella figura 8. The contact points 222 on the backcontact-backsheet can thus be put into electrical contact through the holes 286 with the ohmic contacts 640 or 624 on the rear surface of the cell 600. Such ohmic contacts 640 and 624 can for example be formed, respectively, on the positive electrode (contact p) and on the negative electrode (contact n) of the photovoltaic cell 600, as also shown in Figure 8.

La struttura multistrati 1000 mostrata nelle figure da 6 a 9 fornisce una struttura preforata e avente consistenza meccanica facilmente applicabile alla superficie di un backcontact-backsheet tradizionale. Non dovendo poi centrare questa struttura con i punti 222 che secono l'arte nota sarebbero stati precedentemente formati, si riduce l’incertezza di centraggio delle struttura. La struttura 1000 permette così di velocizzare, semplificare e rendere più precise le operazioni di assemblaggio di un modulo fotovoltaico, grazie al fatto che la punzonatura con il backcontact-backsheet dello strato di materiale incapsulante posto tra le celle e il backcontact-backsheet non sono più richiesti al produttore di moduli fotovoltaici. Inoltre, l'allineamento della struttura 1000 con il backcontactbacksheet sottostante à ̈ molto meno critico deH'allineamento di un foglio singolo di incapsulante con un backcontactbacksheet su cui sono state definite le piazzole di collegamento. Infatti, la struttura 1000 deve essere allineata al backcontact-backsheet in modo che i fori passanti 286 corrispondano alle piste del circuito di collegamento e non alle piazzole 222 preformate mostrate per esempio nella figura 3. Il margine di errore neH'allineamento à ̈ quindi molto più ampio che nel caso in cui le piazzole di collegamento 222 siano preformate nel circuito di collegamento come aperture nello strato di dielettrico depositato sulla superficie del backcontact-backsheet, secondo quanto prescrive l'arte nota e secondo quanto mostrato nelle figure 3 e 5. The multilayer structure 1000 shown in Figures 6 to 9 provides a pre-perforated structure having a mechanical consistency easily applicable to the surface of a traditional backcontact-backsheet. Not having to center this structure with the points 222 that according to the prior art would have been previously formed, the uncertainty of centering of the structure is reduced. The 1000 structure thus makes it possible to speed up, simplify and make more precise the assembly operations of a photovoltaic module, thanks to the fact that the punching with the backcontact-backsheet of the layer of encapsulating material placed between the cells and the backcontact-backsheet are not most requested to the manufacturer of photovoltaic modules. Also, the alignment of the 1000 structure with the underlying backcontactbacksheet is much less critical than the alignment of a single sheet of encapsulant with a backcontactbacksheet on which the connecting pads have been defined. In fact, the structure 1000 must be aligned with the backcontact-backsheet so that the through holes 286 correspond to the tracks of the connecting circuit and not to the preformed pads 222 shown for example in Figure 3. The margin of error in the alignment is therefore very wider than in the case in which the connection pads 222 are preformed in the connection circuit as openings in the dielectric layer deposited on the surface of the backcontact-backsheet, according to the requirements of the prior art and as shown in Figures 3 and 5.

La realizzazione della struttura multistrati 1000 avviene secondo il procedimento descritto nel seguito. The realization of the multilayer structure 1000 takes place according to the procedure described below.

Inizialmente si sceglie uno strato di materiale dielettrico 240. Lo strato di materiale termoadesivo 270 viene poi applicato alla superficie inferiore 244 dello strato di materiale dielettrico 240. L'applicazione può avvenire per mezzo di coestrusione, laminazione a caldo oppure spalmatura oppure ancora mediante accoppiamento tramite adesivo. Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione non mostrata nelle figure, lo strato di materiale termoadesivo 270 può essere fissato allo strato di materiale dielettrico 240 per mezzo di un adesivo intermedio interposto tra la superficie superiore 274 dello strato di materiale termoadesivo 270 e la superficie inferiore 244 dello strato di materiale dielettrico 240. Initially, a layer of dielectric material 240 is chosen. The layer of thermo-adhesive material 270 is then applied to the lower surface 244 of the layer of dielectric material 240. The application can take place by means of coextrusion, hot lamination or coating or again by coupling by means of adhesive. According to a further embodiment of the present invention not shown in the figures, the layer of thermo-adhesive material 270 can be fixed to the layer of dielectric material 240 by means of an intermediate adhesive interposed between the upper surface 274 of the layer of thermo-adhesive material 270 and the surface bottom 244 of the dielectric material layer 240.

Il metodo di realizzazione della struttura multistrati 1000 comprende poi un trattamento chimico o fisico superficiale della superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240 rivolta verso l'interno del modulo fotovoltaico. Il trattamento superficiale à ̈ praticato al fine di assicurare un'adesione stabile con lo strato di materiale incapsulante 280 da applicare sopra lo strato di materiale dielettrico 240. The manufacturing method of the multilayer structure 1000 then comprises a chemical or physical surface treatment of the upper surface 242 of the layer of dielectric material 240 facing the interior of the photovoltaic module. The surface treatment is carried out in order to ensure a stable adhesion with the layer of encapsulating material 280 to be applied over the layer of dielectric material 240.

Il trattamento superficiale può essere tale da assicurare un'adesione tra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280 abbastanza forte da permettere di eseguire agevolmente le fasi di lavorazione successive della struttura 1000 e di assemblaggio del modulo fotovoltaico in cui la struttura deve essere contenuta. Tuttavia, il trattamento superficiale alla superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240 non deve necessariamente assicurare l'adesione definitiva fra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280, cioà ̈ la forza di adesione presente tra i due strati a modulo solare ultimato. Tale adesione definitiva può infatti essere raggiunta nella fase in cui il modulo solare viene assemblato, per esempio durante il processo di laminazione descritto in precedenza. In particolare, il trattamento superficiale può essere tale che la forza di adesione (peeling force) tra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280 sia compresa tra 0,3 e 1 N/cm precedentemente all'assemblaggio della struttura multistrati 1000 nel modulo fotovoltaico in cui deve essere contenuta. The surface treatment can be such as to ensure adhesion between the layer of dielectric material 240 and the layer of encapsulating material 280 strong enough to allow the subsequent processing steps of the structure 1000 to be carried out easily and the assembly of the photovoltaic module in which the structure it must be contained. However, the surface treatment at the upper surface 242 of the dielectric material layer 240 does not necessarily have to ensure the final adhesion between the dielectric material layer 240 and the encapsulating material layer 280, i.e. the adhesion force present between the two layers at completed solar module. This definitive adhesion can in fact be achieved in the phase in which the solar module is assembled, for example during the lamination process described above. In particular, the surface treatment can be such that the adhesion force (peeling force) between the dielectric material layer 240 and the encapsulating material layer 280 is between 0.3 and 1 N / cm prior to the assembly of the multilayer structure. 1000 in the photovoltaic module in which it must be contained.

Analogamente, secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale termoadesivo 270 à ̈ applicato alla superficie esterna 244 dello strato di materiale dielettrico 240 mediante uno strato adesivo intermedio. Lo strato adesivo intermedio à ̈ tale da assicurare un'adesione abbastanza forte da permettere di eseguire agevolmente le fasi di lavorazione successive della struttura 1000 e di assemblaggio del modulo fotovoltaico in cui la struttura deve essere contenuta. Tuttavia lo strato adesivo intermedio non deve necessariamente assicurare l'adesione definitiva fra lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale termoadesivo 270, cioà ̈ la forza di adesione presente tra i due strati a modulo solare ultimato. Tale adesione definitiva può infatti essere raggiunta nella fase in cui il modulo solare viene assemblato, per esempio durante il processo di laminazione descritto in precedenza. Similarly, according to an embodiment of the present invention, the thermoadhesive material layer 270 is applied to the outer surface 244 of the dielectric material layer 240 by means of an intermediate adhesive layer. The intermediate adhesive layer is such as to ensure a strong enough adhesion to allow the subsequent processing phases of the 1000 structure and the assembly of the photovoltaic module in which the structure must be contained to be carried out easily. However, the intermediate adhesive layer does not necessarily have to ensure the definitive adhesion between the layer of dielectric material 240 and the layer of thermo-adhesive material 270, that is, the adhesion force present between the two layers when the solar module is completed. This definitive adhesion can in fact be achieved in the phase in which the solar module is assembled, for example during the lamination process described above.

Secondo alcune forme di realizzazione della presente invenzione, il trattamento fisico o chimico a cui viene sottoposta la superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240 comprende un trattamento corona o al plasma. Secondo altre forme di realizzazione della presente invenzione, il trattamento fisico o chimico comprende Γ applicazione di uno strato di primer alla superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240. Secondo una forma particolare di realizzazione della presente invenzione, lo strato di primer comprende poliestere, copoliestere, oppure un polimero acrilico. According to some embodiments of the present invention, the physical or chemical treatment to which the upper surface 242 of the dielectric material layer 240 is subjected comprises a corona or plasma treatment. According to other embodiments of the present invention, the physical or chemical treatment comprises applying a primer layer to the upper surface 242 of the dielectric material layer 240. According to a particular embodiment of the present invention, the primer layer comprises polyester , copolyester, or an acrylic polymer.

Dopo aver sottoposto la superficie superiore 242 dello strato di materiale dielettrico 240 al trattamento chimico o fisico, si applica lo strato di materiale incapsulante 280 allo strato di materiale dielettrico 240. La presenza del trattamento superficiale operato sulla superficie 242 dello strato di materiale dielettrico 240 assicura l'adesione tra i due strati 240 e 280. Lo strato di materiale incapsulante risulta così stabilmente fissato allo strato di materiale dielettrico 240 sottostante. After subjecting the upper surface 242 of the dielectric material layer 240 to the chemical or physical treatment, the encapsulating material layer 280 is applied to the dielectric material layer 240. The presence of the surface treatment performed on the surface 242 of the dielectric material layer 240 ensures the adhesion between the two layers 240 and 280. The layer of encapsulating material is thus stably fixed to the layer of dielectric material 240 below.

Una volta che lo strato di materiale termoadesivo 270, lo strato di materiale dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280 siano stati fissati l'uno all'altro, la struttura multistrati 1000 viene forata in modo da ottenere una pluralità di fori passanti 286 in posizioni predeterminate. Come detto precedentemente, i fori passanti 286 sono praticati in modo da permettere il collegamento tra i contatti 624 e 640 sulla superficie posteriore delle celle che verranno assemblate nel modulo fotovoltaico e il circuito di collegamento formato sulla superficie interna del backcontact-backsheet. I fori passanti 286 vengono quindi praticati nella struttura multistrati 1000 in modo da riprodurre il motivo secondo cui sono formati i contatti ohmici 624 e 640 sulla superficie posteriore delle celle da assemblare nel modulo. Once the thermoadhesive material layer 270, the dielectric material layer 240 and the encapsulating material layer 280 have been fixed to each other, the multilayer structure 1000 is perforated so as to obtain a plurality of through holes 286 in predetermined positions. As previously mentioned, the through holes 286 are made in such a way as to allow the connection between the contacts 624 and 640 on the rear surface of the cells that will be assembled in the photovoltaic module and the connection circuit formed on the internal surface of the backcontact-backsheet. The through holes 286 are then drilled in the multilayer structure 1000 so as to reproduce the reason according to which the ohmic contacts 624 and 640 are formed on the rear surface of the cells to be assembled in the module.

Lo strato di materiale dielettrico 240 posto a supporto dello strato di materiale incapsulante 280 fa sì che la struttura 1000 abbia la consistenza meccanica che mancherebbe al singolo foglio di materiale incapsulante. Dal momento che la struttura 1000 ha consistenza meccanica, praticare in essa una pluralità di fori passanti à ̈ molto più agevole che non in un singolo foglio di materiale incapsulante. The layer of dielectric material 240 placed to support the layer of encapsulating material 280 causes the structure 1000 to have the mechanical consistency that the single sheet of encapsulating material would lack. Since the 1000 structure has mechanical consistency, drilling a plurality of through holes in it is much easier than in a single sheet of encapsulating material.

Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, la foratura della struttura 1000 avviene mediante punzonatura passante. La punzonatura offre il vantaggio della ripetibilità, in quanto si può utilizzare uno stampo comprendente una matrice in cui una pluralità di punzoni à ̈ disposta in modo da riprodurre un motivo predeterminato. In particolare la pluralità di punzoni può essere disposta in modo da riprodurre il motivo secondo cui i fori 286 da praticare nella struttura 1000 devono essere disposti. Questa matrice può per esempio comprendere 31 punzoni disposti in modo da corrispondere ciascuno alla posizione di uno dei contatti ohmici 624 e 640 sulla superficie posteriore di una cella 600 mostrati nella figura lb. Lo stampo con la matrice si può poi traslare di una distanza e direzione predeterminate in modo da praticare i fori sull'intera superficie della struttura multistrati 1000. According to an embodiment of the present invention, the drilling of the structure 1000 takes place by through punching. Punching offers the advantage of repeatability, as it is possible to use a mold comprising a matrix in which a plurality of punches are arranged in such a way as to reproduce a predetermined pattern. In particular, the plurality of punches can be arranged so as to reproduce the reason according to which the holes 286 to be drilled in the structure 1000 must be arranged. This matrix may for example comprise 31 punches arranged to each correspond to the position of one of the ohmic contacts 624 and 640 on the rear surface of a cell 600 shown in FIG. 1b. The mold with the matrix can then be translated by a predetermined distance and direction in order to drill the holes on the entire surface of the 1000 multilayer structure.

Secondo altre forme di realizzazione della presente invenzione, la foratura della struttura multistrati 1000 avviene mediante laser contouring oppure fresatura. According to other embodiments of the present invention, the drilling of the multilayer structure 1000 takes place by laser contouring or milling.

La struttura multistrati 1000, una volta forata, si può commercializzare come componente singolo. Once perforated, the 1000 multilayer structure can be marketed as a single component.

Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione, la struttura multistrati 1000 forata si può applicare alla superficie del backcontact-backsheet, allineare e fissare al backcontact-backsheet, come mostrato nella figura 9. Il fissaggio della struttura multistrati 1000 al backcontact-backsheet sottostante può avvenire ad esempio mediante un processo di laminazione a caldo, oppure tramite riscaldamento laser selettivo in punti prefissati del sistema, oppure ancora mediante l’uso di un termoadesivo 270 che abbia deboli proprietà di adesione a freddo. Il riscaldamento del sistema provoca la fusione parziale dello strato di resina termoadesiva 270 posto tra lo strato di materiale dielettrico 270 e la superficie del backcontact-backsheet. Lo strato di resina termoadesiva 270, fondendo, provoca il fissaggio della struttura 1000 al backcontact-backsheet. Inoltre, il materiale termoadesivo 270 di cui à ̈ composto lo strato 270 penetra dopo la fusione negli interstizi tra piste adiacenti del circuito di collegamento dello strato di materiale conduttivo 220, come mostrato nella figura 9. In tal modo lo strato 270 svolge la funzione di isolante elettrico che nel backcontactbacksheet secondo l'arte nota mostrato nella figura 5 à ̈ svolta dallo strato dielettrico 240. According to a further embodiment of the present invention, the perforated multilayer structure 1000 can be applied to the surface of the backcontact-backsheet, aligned and fixed to the backcontact-backsheet, as shown in figure 9. The fixing of the multilayer structure 1000 to the underlying backcontact-backsheet it can take place, for example, by means of a hot lamination process, or by means of selective laser heating in predetermined points of the system, or even by the use of a thermo-adhesive 270 which has weak cold adhesion properties. The heating of the system causes the partial melting of the thermoadhesive resin layer 270 placed between the dielectric material layer 270 and the surface of the backcontact-backsheet. The layer of thermo-adhesive resin 270, melting, causes the fixing of the structure 1000 to the backcontact-backsheet. Furthermore, the thermoadhesive material 270 of which the layer 270 is composed penetrates after melting into the interstices between adjacent tracks of the connecting circuit of the layer of conductive material 220, as shown in Figure 9. In this way the layer 270 performs the function of electrical insulator which in the backcontactbacksheet according to the known art shown in figure 5 is carried out by the dielectric layer 240.

Secondo una forma di realizzazione, lo strato di resina termoadesiva 270 à ̈ tale da assicurare un fissaggio non definitivo tra la struttura multistrati 1000 e il backcontactbacksheet. In particolare, lo strato di resina termoadesiva 270, una volta fuso e ritornato allo stato solido, fissa lo strato di dielettrico 240 allo strato di materiale conduttore 220 in modo tale da permettere l'esecuzione delle fasi successive del montaggio del modulo. Tuttavia, secondo questa forma di realizzazione, lo strato di resina termoadesiva 270 non assicura il fissaggio definitivo, cioà ̈ la forza di adesione presente tra lo strato di dielettrico 240 e lo strato di materiale conduttore 220 a modulo solare ultimato. Questa adesione definitiva può essere raggiunta nella fase in cui il modulo solare viene assemblato, per esempio durante il processo di laminazione descritto in precedenza, analogamente a quanto discusso sopra a proposito dell'adesione fra lo strato di dielettrico 240 e lo strato di materiale incapsulante 280. According to one embodiment, the thermoadhesive resin layer 270 is such as to ensure a non-definitive fixing between the multilayer structure 1000 and the backcontactbacksheet. In particular, the thermoadhesive resin layer 270, once melted and returned to the solid state, fixes the dielectric layer 240 to the layer of conductive material 220 in such a way as to allow the execution of the subsequent assembly steps of the module. However, according to this embodiment, the thermoadhesive resin layer 270 does not ensure the final fixing, that is, the adhesion force present between the dielectric layer 240 and the conductive material layer 220 when the solar module is completed. This definitive adhesion can be achieved in the phase in which the solar module is assembled, for example during the lamination process described above, similarly to what has been discussed above regarding the adhesion between the dielectric layer 240 and the encapsulating material layer 280 .

Secondo la forma di realizzazione della figura 9, si fornisce quindi un sistema integrato in cui lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 à ̈ compreso nel sistema e solidalmente fissato ad esso. Il produttore di moduli fotovoltaici non si deve in questo modo più porre il problema di dover forare lo strato di materiale incapsulante inferiore prima del montaggio, in modo tale che i fori sullo strato di incapsulante riproducano lo stesso motivo delle piazzole sul circuito di collegamento dello strato di materiale conduttivo. Anche la necessità di allineare lo strato di materiale incapsulante al backcontact-backsheet à ̈ eliminata grazie al sistema mostrato nella figura 9. Inoltre, il produttore di moduli solari può velocizzare, semplificare ed economizzare la produzione migliorandone al contempo la qualità. Infatti, grazie al sistema formato dal backcontact-backsheet e dalla struttura multistrati 1000 mostrati nella figura 9, i rischi legati allo spostamento dello strato di materiale incapsulante rispetto al backcontact-backsheet sono eliminati durante tutte le fasi dell'assemblaggio. According to the embodiment of Figure 9, an integrated system is thus provided in which the lower encapsulating material layer 400 is included in the system and integrally fixed thereto. In this way, the manufacturer of photovoltaic modules no longer has to pose the problem of having to drill the lower encapsulating material layer before mounting, so that the holes on the encapsulant layer reproduce the same pattern as the pads on the connecting circuit of the layer. of conductive material. The need to align the encapsulating material layer to the backcontact-backsheet is also eliminated thanks to the system shown in Figure 9. Furthermore, the solar module manufacturer can speed up, simplify and economize production while improving quality. In fact, thanks to the system formed by the backcontact-backsheet and the multilayer structure 1000 shown in Figure 9, the risks associated with the displacement of the layer of encapsulating material with respect to the backcontact-backsheet are eliminated during all stages of the assembly.

Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione, una volta che la struttura multistrati 1000 sia stata allineata e fissata al backcontact-backsheet come descritto precedentemente, si depone una pluralità di elementi conduttivi sulla superficie del circuito di collegamento formato nello strato conduttivo 220 attraverso i fori 286 nella struttura multistrati 1000. Ciascun elemento conduttivo à ̈ depositato in una posizione predeterminata del circuito di collegamento. In particolare, ciascun elemento conduttivo à ̈ depositato in corrispondenza di uno dei punti di contatto 222 con i contatti ohmici delle celle 600. Gli elementi conduttivi vengono depositati sui punti di contatto 222 attraverso i fori 286 preferibilmente come strato sottile. Gli elementi conduttivi hanno la funzione principale di evitare l'ossidazione e/o il danneggiamento della superficie delle piazzole conduttive 222 dello strato di materiale conduttivo 220 esposte attraverso i fori 286. Inoltre, lo strato preferibilmente sottile formato dagli elementi conduttivi sulla superficie delle piazzole 222 costituisce una interfaccia verso il contatto ohmico della cella che faciliterà la deposizione successiva dell’adesivo conduttivo 300. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, gli elementi conduttivi comprendono una pasta adesiva conduttiva quale ECA. According to a further embodiment of the present invention, once the multilayer structure 1000 has been aligned and fixed to the backcontact-backsheet as described above, a plurality of conductive elements are deposited on the surface of the connection circuit formed in the conductive layer 220 through the 286 holes in the multilayer structure 1000. Each conductive element is deposited in a predetermined position of the connection circuit. In particular, each conductive element is deposited at one of the contact points 222 with the ohmic contacts of the cells 600. The conductive elements are deposited on the contact points 222 through the holes 286 preferably as a thin layer. The conductive elements have the main function of avoiding oxidation and / or damage to the surface of the conductive pads 222 of the layer of conductive material 220 exposed through the holes 286. Furthermore, the preferably thin layer formed by the conductive elements on the surface of the pads 222 constitutes an interface to the ohmic contact of the cell which will facilitate the subsequent deposition of the conductive adhesive 300. According to an embodiment of the present invention, the conductive elements comprise a conductive adhesive paste such as ECA.

Una volta che la struttura multistrati 1000 sia stata fissata al backcontact-backsheet, si può procedere alle fasi successive dell'assemblaggio del modulo fotovoltaico. In particolare, come mostrato nella figura 8, la pasta conduttiva 300 si deposita attraverso i fori 286 sui punti di contatto 222 del circuito di collegamento formato nello strato conduttivo 220. Le celle solari 600 vengono poi adagiate sullo strato di materiale incapsulante 280 in modo che i contatti ohmici 624 e 640 siano in contatto con la pasta conduttiva 300, come precedentemente descritto. Le fasi successive dell'assemblaggio seguono anch'esse la procedura precedentemente descritta. Once the 1000 multilayer structure has been fixed to the backcontact-backsheet, it is possible to proceed to the following phases of the assembly of the photovoltaic module. In particular, as shown in Figure 8, the conductive paste 300 is deposited through the holes 286 on the contact points 222 of the connection circuit formed in the conductive layer 220. The solar cells 600 are then placed on the layer of encapsulating material 280 so that the ohmic contacts 624 and 640 are in contact with the conductive paste 300, as previously described. The subsequent assembly steps also follow the procedure described above.

La presente invenzione fornisce quindi una struttura multistrati 1000 forata da usarsi insieme ad un backcontactbacksheet per moduli fotovoltaici comprendenti celle contattate posteriormente. The present invention therefore provides a perforated multilayer structure 1000 to be used together with a backcontactbacksheet for photovoltaic modules comprising rear-contacted cells.

La struttura multistrati 1000 presenta numerosi vantaggi che permettono di velocizzare, economizzare e rendere più preciso l'assemblaggio dei moduli fotovoltaici. The 1000 multilayer structure has numerous advantages that allow to speed up, economize and make the assembly of photovoltaic modules more precise.

Dal momento che la struttura 1000 ha consistenza meccanica grazie alla presenza dello strato inestensibile di materiale dielettrico 240, essa à ̈ relativamente facile da forare o punzonare. Since the structure 1000 has mechanical consistency due to the presence of the inextensible layer of dielectric material 240, it is relatively easy to drill or punch.

La struttura 1000 permette di evitare l'uso dello strato di materiale dielettrico 240 depositato sulla superficie del backcontact-backsheet mostrato nella figura 5. Lo strato di dielettrico 240 comprende tipicamente un materiale polimerico, che richiede processi appositi di indurimento, essicazione e polimerizzazione. Inoltre, lo strato di materiale dielettrico mostrato nella figura 5 del backcontact-backsheet secondo l'arte nota ricopre l'intero circuito di collegamento, salvo che per le piazzole di collegamento 222 che corrispondono ad aperture nello strato di dielettrico 240 aventi un diametro di circa 2, 5-3, 5 mm. L'operazione di allineamento dello strato incapsulante 280 forato con le aperture dello strato di dielettrico à ̈ pertanto critica nel caso di backcontact-backsheet secondo l'arte nota, in quanto i fori dello strato incapsulante devono corrispondere esattamente alle aperture nello strato di dielettrico e alle piazzole conduttive 222. The structure 1000 avoids the use of the dielectric material layer 240 deposited on the surface of the backcontact-backsheet shown in Figure 5. The dielectric layer 240 typically comprises a polymeric material, which requires specific hardening, drying and polymerization processes. Furthermore, the layer of dielectric material shown in Figure 5 of the backcontact-backsheet according to the prior art covers the entire connection circuit, except for the connection pads 222 which correspond to openings in the dielectric layer 240 having a diameter of approximately 2, 5-3, 5 mm. The operation of aligning the encapsulating layer 280 perforated with the openings of the dielectric layer is therefore critical in the case of backcontact-backsheet according to the prior art, since the holes of the encapsulating layer must correspond exactly to the openings in the dielectric layer and to conductive pitches 222.

La struttura 1000 comprende sia lo strato di materiale incapsulante 280 che lo strato di materiale dielettrico 240. Entrambi gli strati vengono forati insieme prima dell'applicazione al backcontact-backsheet. Pertanto, grazie alla struttura multistrati 1000, non ci sarà il problema di allineare l'incapsulante con le aperture del dielettrico che lasciano aperte le piazzole. La struttura multistrati 1000 deve essere ancora allineata con il backcontact-backsheet, ma in modo tale che ciascun foro passante 286 della struttura 1000 corrisponda ad una pista del circuito di collegamento e non esattamente ad una piazzola 222. Perciò l'operazione di allineamento della struttura 1000 con il backcontactbacksheet à ̈ molto meno critica dell'allineamento del foglio singolo forato di materiale incapsulante con il backcontactbacksheet rivestito dello strato di materiale dielettrico 240. The structure 1000 comprises both the encapsulating material layer 280 and the dielectric material layer 240. Both layers are pierced together prior to application to the backcontact-backsheet. Therefore, thanks to the 1000 multilayer structure, there will be no problem of aligning the encapsulant with the dielectric openings that leave the pads open. The multilayer structure 1000 must still be aligned with the backcontact-backsheet, but in such a way that each through hole 286 of the structure 1000 corresponds to a track of the connection circuit and not exactly to a pad 222. Therefore the alignment operation of the structure 1000 with the backcontactbacksheet is much less critical than aligning the perforated single sheet of encapsulating material with the backcontactbacksheet coated with the dielectric layer 240.

Inoltre, la struttura 1000 può essere fissata al backcontactbacksheet ed essere commercializzata insieme al backcontactbacksheet come un unico prodotto da fornire al produttore di moduli fotovoltaici. In addition, the 1000 structure can be attached to the backcontactbacksheet and be marketed together with the backcontactbacksheet as a single product to be supplied to the PV module manufacturer.

Una ulteriore variante al processo descritto, prevede che, una volta assemblato l’insieme di backcontact-backsheet con la struttura 1000, venga depositato un sottile strato di adesivo conduttivo attraverso le aperture 286 sulla superficie conduttiva 220. Tale deposizione consente di evitare la ossidazione della superficie esposta dello strato di materiale conduttivo 220 e presenta una interfaccia verso il contatto ohmico della cella che faciliterà la deposizione successiva dell’adesivo conduttivo 300. A further variant of the process described provides that, once the backcontact-backsheet set with the structure 1000 has been assembled, a thin layer of conductive adhesive is deposited through the openings 286 on the conductive surface 220. This deposition allows to avoid oxidation of the exposed surface of the layer of conductive material 220 and has an interface towards the ohmic contact of the cell which will facilitate the subsequent deposition of the conductive adhesive 300.

Sebbene la presente invenzione sia stata descritta con riferimento alle forme di realizzazione descritte sopra, à ̈ chiaro per l’esperto del ramo che à ̈ possibile realizzare diverse modifiche, variazioni e miglioramenti della presente invenzione alla luce dell’insegnamento descritto sopra e nell’ambito delle rivendicazioni allegate senza allontanarsi dall’oggetto e dall’ambito di protezione dell’invenzione. Although the present invention has been described with reference to the embodiments described above, it is clear to the person skilled in the art that it is possible to make various modifications, variations and improvements of the present invention in light of the teaching described above and in the The scope of the attached claims without departing from the object and scope of protection of the invention.

Oltre a ciò, quegli ambiti che si ritengono conosciuti da parte degli esperti del ramo non sono stati descritti per evitare di mettere eccessivamente in ombra in modo inutile l’invenzione descritta. Di conseguenza, l’invenzione non à ̈ limitata alle forme di realizzazione descritte sopra, ma à ̈ limitata esclusivamente dall’ambito di protezione delle rivendicazioni allegate. In addition to this, those fields which are considered to be known by those skilled in the art have not been described in order to avoid unnecessarily overshadowing the described invention. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described above, but is limited solely by the scope of the appended claims.

Claims (28)

RIVENDICAZIONI 1. Struttura multistrati (1000) atta ad essere applicata sulla superficie di un backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente, detta struttura comprendendo: uno strato di materiale dielettrico (240), detto strato di materiale dielettrico (240) comprendendo una superficie esterna (244) esposta verso l’esterno di detta struttura e una superficie interna (242) opposta a detta superficie esterna, avendo detto strato di materiale dielettrico (240) una pluralità di fori passanti, uno strato di materiale incapsulante (280) accoppiato a detto strato di materiale dielettrico (240) in modo da essere stabilmente fissato a detta superficie interna (242) di detto strato di materiale dielettrico (240), avendo detto strato di materiale incapsulante (280) una pluralità di fori passanti, uno strato di materiale termoadesivo (270) accoppiato a detta superficie esterna (244) di detto strato di materiale dielettrico (240) in modo tale da consentire una adesione stabile tra detto strato di materiale dielettrico (240) e detta superficie di detto backcontact-backsheet, avendo detto strato di materiale termoadesivo (270) una pluralità di fori passanti, detta struttura multistrati essendo tale per cui: ciascuno di detti fori passanti di detto strato di materiale incapsulante (280) à ̈ praticato in una posizione corrispondente alla posizione di uno di detti fori passanti di detto strato di materiale dielettrico (240) e ciascuno di detti fori passanti di detto strato di materiale termoadesivo (270) à ̈ praticato in una posizione corrispondente alla posizione di uno di detti fori passanti di detto strato di materiale dielettrico (240) ed alla posizione di uno di detti fori passanti di detto strato di materiale incapsulante (280) in modo tale che detta struttura multistrati presenti una pluralità di fori passanti (286). CLAIMS 1. Multilayer structure (1000) suitable to be applied on the surface of a backcontact-backsheet for a photovoltaic module comprising rear-contacted solar cells, said structure comprising: a layer of dielectric material (240), said layer of dielectric material (240) comprising an external surface (244) exposed towards the outside of said structure and an internal surface (242) opposite to said external surface, having said layer of dielectric material (240) a plurality of through holes, a layer of encapsulating material (280) coupled to said layer of dielectric material (240) so as to be stably fixed to said inner surface (242) of said layer of dielectric material (240), having said layer of encapsulating material (280) a plurality of through holes, a layer of thermo-adhesive material (270) coupled to said outer surface (244) of said layer of dielectric material (240) in such a way as to allow stable adhesion between said layer of dielectric material (240) and said surface of said backcontact-backsheet, having said layer of thermo-adhesive material (270) a plurality of through holes, said multilayer structure being such that: each of said through holes of said layer of encapsulating material (280) is made in a position corresponding to the position of one of said through holes of said layer of dielectric material (240) and each of said through holes of said layer of thermo-adhesive material (270) is made in a position corresponding to the position of one of said through holes of said layer of dielectric material (240) and to the position of one of said through holes of said layer for encapsulating material (280) in such a way that said multilayer structure has a plurality of through holes (286). 2. Struttura multistrati secondo la rivendicazione 1 in cui detto strato di materiale incapsulante (280) comprende ÈVA, o siliconi, o ionomeri, o termo poliuretani, o poliolefine, o termopoliolefine. Multilayer structure according to claim 1 wherein said layer of encapsulating material (280) comprises ÃVA, or silicones, or ionomers, or thermo polyurethanes, or polyolefins, or thermopolyolefins. 3. Struttura multistrato secondo una delle rivendicazioni 1 e 2 in cui detto strato di materiale incapsulante (280) ha uno spessore compreso tra 100 e 500 Î1⁄4m. Multilayer structure according to one of claims 1 and 2 wherein said layer of encapsulating material (280) has a thickness of between 100 and 500 Î1⁄4m. 4. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni da 1 a 3 in cui detto strato di materiale dielettrico (240) comprende un film inestensibile. Multilayer structure according to one of claims 1 to 3 wherein said dielectric material layer (240) comprises an inextensible film. 5. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni da 1 a 4 in cui detto strato di materiale dielettrico (240) comprende polietilene tereftalato (PET), oppure polipropilene (PP), oppure poliimide (PI). Multilayer structure according to one of claims 1 to 4 wherein said dielectric material layer (240) comprises polyethylene terephthalate (PET), or polypropylene (PP), or polyimide (PI). 6. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni da 1 a 5 in cui detto strato di materiale dielettrico (240) ha uno spessore compreso tra 23 e 36 Î1⁄4m. 6. Multilayer structure according to one of claims 1 to 5 wherein said layer of dielectric material (240) has a thickness comprised between 23 and 36 Î1⁄4m. 7. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni da 1 a 6 in cui detta superficie interna (242) di detto strato di materiale dielettrico (240) presenta un trattamento chimico o fisico tale da consentire una adesione stabile tra detto strato di materiale dielettrico (240) e detto strato di materiale incapsulante (280). 7. Multilayer structure according to one of claims 1 to 6 wherein said inner surface (242) of said layer of dielectric material (240) has a chemical or physical treatment such as to allow stable adhesion between said layer of dielectric material (240) and said layer of encapsulating material (280). 8. Struttura multistrati secondo la rivendicazione 7 in cui detto trattamento superficiale comprende un trattamento corona o al plasma. 8. Multilayer structure according to claim 7 wherein said surface treatment comprises a corona or plasma treatment. 9. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni 7 e 8 in cui detto trattamento superficiale comprende Γ applicazione di uno strato di primer, detto strato di primer comprendendo poliestere, copoliestere, oppure un polimero acrilico. 9. Multilayer structure according to one of claims 7 and 8 wherein said surface treatment comprises applying a primer layer, said primer layer comprising polyester, copolyester, or an acrylic polymer. 10. Struttura multistrati secondo una delle rivendicazioni da 1 9 in cui detto strato di materiale termoadesivo (270) comprende una resina scelta tra le resine epossidiche, epossifenoliche, copoliestere, poliuretaniche o poliolefine ionomeriche. 10. Multilayer structure according to one of claims 1 to 9 wherein said layer of thermoadhesive material (270) comprises a resin selected from epoxy, epoxyphenolic, copolyester, polyurethane or ionomer polyolefin resins. 11. Struttura multistrati secondo la rivendicazione 10 in cui detta resina à ̈ termoplastica oppure termoindurente, detta resina avendo una temperatura di fusione compresa tra 60 °C e 160 °C, detta resina essendo non appiccicosa se gestita a freddo. 11. Multilayer structure according to claim 10 wherein said resin is thermoplastic or thermosetting, said resin having a melting temperature between 60 ° C and 160 ° C, said resin being non-sticky if handled cold. 12. Backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente, detto backcontact-backsheet comprendendo una superficie, detta superficie di detto backcontactbacksheet comprendendo uno strato di materiale conduttivo elettrico (220) formato come circuito di collegamento agli elettrodi di dette celle solari (600) e saldamente aderente a detta superficie di detto backcontact-backsheet, essendo una struttura multistrati (1000) secondo una delle rivendicazioni da 1 a 1 1 saldamente fissata a detta superficie di detto backcontact-backsheet. 12. Backcontact-backsheet for a photovoltaic module comprising rear-contacted solar cells, said backcontact-backsheet comprising a surface, said surface of said backcontactbacksheet comprising a layer of electrical conductive material (220) formed as a connection circuit to the electrodes of said solar cells ( 600) and firmly adhering to said surface of said backcontact-backsheet, being a multilayer structure (1000) according to one of claims 1 to 1 1 firmly fixed to said surface of said backcontact-backsheet. 13. Backcontact-backsheet secondo la rivendicazione 12 comprendente inoltre una pluralità di elementi conduttivi sulla superficie di detto circuito di collegamento formato in detto strato di materiale conduttivo (220), ciascuno di detti elementi conduttivi essendo depositato in una posizione predeterminata di detto circuito di collegamento attraverso uno di detti fori passanti (286) di detta struttura multistrati (1000) con funzione di protezione antiossidante della superficie di detto strato di materiale conduttivo (220) . Backcontact-backsheet according to claim 12 further comprising a plurality of conductive elements on the surface of said connecting circuit formed in said layer of conductive material (220), each of said conductive elements being deposited in a predetermined position of said connecting circuit through one of said through holes (286) of said multilayer structure (1000) with antioxidant protection function of the surface of said layer of conductive material (220). 14. Metodo per la produzione di una struttura multistrati atta ad essere applicata sulla superficie di un backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente, detto metodo comprendendo: scelta di uno strato di materiale dielettrico (240), detto strato di materiale dielettrico (240) comprendendo una superficie esterna (244) esposta verso l' esterno di detta struttura e una superficie interna (242) opposta a detta superficie esterna, applicazione di uno strato di materiale incapsulante (280) su detta superficie interna (242) di detto strato di materiale dielettrico (240), detta applicazione essendo eseguita in modo tale che detto strato di materiale incapsulante (280) sia stabilmente fissato a detto strato di materiale dielettrico (240), applicazione di uno strato di materiale termoadesivo (270) a detta superficie esterna (244) di detto strato di materiale dielettrico (240) in modo tale da consentire una adesione stabile tra detto strato di materiale dielettrico (240) e detta superficie di detto backcontact-backsheet, detta applicazione essendo eseguita in modo tale che detto strato di materiale termoadesivo (270) sia stabilmente fissato a detto strato di materiale dielettrico (240), foratura di detta struttura multistrati in modo da aprire in detta struttura multistrati una pluralità di fori passanti (286) in posizioni predeterminate. 14. Method for the production of a multilayer structure suitable for being applied on the surface of a backcontact-backsheet for a photovoltaic module comprising rear-contacted solar cells, said method comprising: choice of a layer of dielectric material (240), said layer of dielectric material (240) comprising an external surface (244) exposed towards the exterior of said structure and an internal surface (242) opposite to said external surface, application of a layer of encapsulating material (280) on said inner surface (242) of said layer of dielectric material (240), said application being performed in such a way that said layer of encapsulating material (280) is stably attached to said layer of dielectric material ( 240), application of a layer of thermo-adhesive material (270) to said outer surface (244) of said dielectric material layer (240) in such a way as to allow stable adhesion between said layer of dielectric material (240) and said surface of said back contact. backsheet, said application being performed in such a way that said layer of thermo-adhesive material (270) is stably fixed to said layer of dielectric material (240), drilling of said multilayer structure so as to open a plurality of through holes (286) in predetermined positions in said multilayer structure. 15. Metodo secondo la rivendicazione 14 comprendente inoltre un trattamento fisico o chimico di detta superficie interna (242) di detto strato di materiale dielettrico (240) così da consentire una adesione stabile tra detto strato di materiale dielettrico (240) e detto strato di materiale incapsulante (280), essendo detto trattamento eseguito prima di detta applicazione di detto strato di materiale incapsulante (280) su detta superficie interna (242) di detto strato di materiale dielettrico (240). A method according to claim 14 further comprising a physical or chemical treatment of said inner surface (242) of said layer of dielectric material (240) so as to allow a stable adhesion between said layer of dielectric material (240) and said layer of encapsulating material (280), said treatment being performed before said application of said layer of encapsulating material (280) on said inner surface (242) of said layer of dielectric material (240). 16. Metodo secondo la rivendicazione 15 in cui detto trattamento comprende un trattamento corona o al plasma. A method according to claim 15 wherein said treatment comprises corona or plasma treatment. 17. Metodo secondo una delle rivendicazioni 15 e 16 in cui detto trattamento superficiale comprende l applicazione di uno strato di primer, detto strato di primer comprendendo poliestere, copoliestere, oppure un polimero acrilico. A method according to one of claims 15 and 16 wherein said surface treatment comprises the application of a primer layer, said primer layer comprising polyester, copolyester, or an acrylic polymer. 18. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 17 in cui detto strato di materiale termoadesivo (270) à ̈ applicato a detta superficie esterna (244) di detto strato di materiale dielettrico (240) mediante coestrusione oppure laminazione a caldo. Method according to one of claims 14 to 17 wherein said layer of thermo-adhesive material (270) is applied to said outer surface (244) of said layer of dielectric material (240) by coextrusion or hot rolling. 19. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 17 in cui detto strato di materiale termoadesivo (270) à ̈ applicato a detta superficie esterna (244) di detto strato di materiale dielettrico (240) mediante uno strato adesivo intermedio. Method according to one of claims 14 to 17 wherein said layer of thermo-adhesive material (270) is applied to said outer surface (244) of said layer of dielectric material (240) by means of an intermediate adhesive layer. 20. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 19 in cui detta foratura di detta struttura multistrati avviene mediante punzonatura di detta struttura multistrati. Method according to one of claims 14 to 19 wherein said drilling of said multilayer structure takes place by punching said multilayer structure. 21. Metodo secondo la rivendicazione 20 in cui detta punzonatura à ̈ eseguita per mezzo di una matrice composta di punzoni disposti in modo da riprodurre un motivo predeterminato. 21. A method according to claim 20 wherein said punching is performed by means of a matrix composed of punches arranged so as to reproduce a predetermined pattern. 22. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 19 in cui detta foratura di detta struttura multistrati à ̈ eseguita mediante laser contouring oppure fresatura. Method according to one of claims 14 to 19 wherein said drilling of said multilayer structure is performed by laser contouring or milling. 23. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 22 in cui il collegamento definitivo e stabile nel tempo di detto strato di materiale incapsulante (280) a detto strato di materiale dielettrico (240) avviene durante una laminazione di detto modulo fotovoltaico completamente assemblato. Method according to one of claims 14 to 22 wherein the definitive and stable connection over time of said layer of encapsulating material (280) to said layer of dielectric material (240) takes place during a lamination of said completely assembled photovoltaic module. 24. Metodo secondo la rivendicazione 23 in cui detta laminazione avviene durante un ciclo sotto vuoto. 24. The method of claim 23 wherein said lamination occurs during a vacuum cycle. 25. Metodo secondo una delle rivendicazioni 23 e 24 in cui detta laminazione avviene a temperature comprese tra 140°C e 165°C. Method according to one of claims 23 and 24 wherein said lamination takes place at temperatures between 140 ° C and 165 ° C. 26. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 14 a 25 comprendente inoltre il fissaggio di detta struttura multistrati (1000) a detta superficie di detto backcontactbacksheet, detta superficie di detto backcontact-backsheet comprendendo uno strato di materiale conduttivo elettrico (220) formato come circuito di collegamento agli elettrodi di dette celle solari (600) e saldamente aderente a detta superficie di detto backcontact-backsheet, essendo detto fissaggio eseguito successivamente a detta foratura di detta struttura multistrati. Method according to one of claims 14 to 25 further comprising fixing said multilayer structure (1000) to said surface of said backcontactbacksheet, said surface of said backcontact-backsheet comprising a layer of electrical conductive material (220) formed as a circuit connection to the electrodes of said solar cells (600) and firmly adhering to said surface of said backcontact-backsheet, said fixing being performed after said drilling of said multilayer structure. 27. Metodo secondo la rivendicazione 26 in cui il collegamento definitivo e stabile nel tempo tra detto backcontact-backsheet e detta struttura multistrati avviene durante una laminazione di detto modulo fotovoltaico completamente assemblato. 27. Method according to claim 26 wherein the definitive and stable connection over time between said backcontact-backsheet and said multilayer structure occurs during a lamination of said completely assembled photovoltaic module. 28. Metodo secondo una delle rivendicazione 26 e 27 comprendente inoltre una deposizione di una pluralità di elementi conduttivi sulla superficie di detto circuito di collegamento formato in detto strato conduttivo (220), ciascuno di detti elementi conduttivi essendo depositato in una posizione predeterminata di detto circuito di collegamento attraverso uno di detti fori passanti (286) di detta struttura multistrati, detta deposizione essendo eseguita successivamente a detto fissaggio di detta struttura multistrati a detto backcontact-backsheet, detta deposizione essendo eseguita con funzione di protezione antiossidante della superficie di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220).Method according to one of claims 26 and 27 further comprising a deposition of a plurality of conductive elements on the surface of said connecting circuit formed in said conductive layer (220), each of said conductive elements being deposited in a predetermined position of said circuit connection through one of said through holes (286) of said multilayer structure, said deposition being performed after said fixing of said multilayer structure to said backcontact-backsheet, said deposition being performed with the function of antioxidant protection of the surface of said layer of material electrical conductive (220).
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