ITVI20120132A1 - BACKSHEET FOR PHOTOVOLTAIC MODULES INCLUDING CELLS CONTACT REAR - Google Patents

BACKSHEET FOR PHOTOVOLTAIC MODULES INCLUDING CELLS CONTACT REAR Download PDF

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ITVI20120132A1
ITVI20120132A1 IT000132A ITVI20120132A ITVI20120132A1 IT VI20120132 A1 ITVI20120132 A1 IT VI20120132A1 IT 000132 A IT000132 A IT 000132A IT VI20120132 A ITVI20120132 A IT VI20120132A IT VI20120132 A1 ITVI20120132 A1 IT VI20120132A1
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IT
Italy
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layer
holes
dielectric material
encapsulating material
backsheet
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IT000132A
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Italian (it)
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Elisa Baccini
Bruno Bucci
Luigi Marras
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Ebfoil S R L
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Description

DESCRIZIONE DESCRIPTION

“BACKSHEET PER MODULI FOTOVOLTAICI COMPRENDENTI POSTERIORMENTE” "BACKSHEET FOR PHOTOVOLTAIC MODULES INCLUDING THE REAR"

CAMPO TECNICO DELL'INVENZIONE TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION

La presente invenzione riguarda il campo dei moduli fotovoltaici. In particolare, la presente invenzione riguarda backsheet di nuova concezione per un modulo fotovoltaico e un processo per produrre tale base o backsheet. Ancora più in particolare la presente invenzione riguarda un backcontactbacksheet per un modulo fotovoltaico un cui sia montata una pluralità di celle solari contattate posteriormente. The present invention relates to the field of photovoltaic modules. In particular, the present invention relates to a new concept backsheet for a photovoltaic module and a process for producing said base or backsheet. Even more particularly, the present invention relates to a backcontactbacksheet for a photovoltaic module in which a plurality of rear-contacted solar cells are mounted.

STATO DELLA TECNICA STATE OF THE TECHNIQUE

Le celle solari sono utilizzate per convertire la luce solare in energia elettrica per mezzo dell’ effetto fotovoltaico. Le celle solari rappresentano, quindi, una delle fonti di energia alternativa più promettenti per sostituire i combustibili fossili. Le celle solari sono formate da materiali semiconduttori e vengono assemblate per formare i cosiddetti moduli fotovoltaici che, a loro volta, vengono raggruppati per formare gli impianti fotovoltaici tipicamente installati sui tetti di abitazioni o simili. Solar cells are used to convert sunlight into electricity by means of the photovoltaic effect. Solar cells therefore represent one of the most promising alternative energy sources to replace fossil fuels. The solar cells are formed from semiconductor materials and are assembled to form the so-called photovoltaic modules which, in turn, are grouped to form the photovoltaic systems typically installed on the roofs of homes or the like.

Per formare i moduli fotovoltaici, gruppi di celle solari, raggruppate in serie attraverso opportuni conduttori elettrici detti "ribbon", sono tipicamente incapsulati per mezzo di materiale incapsulante come ad esempio polivinil acetato con un contenuto elevato di etilene vinil acetato, comunemente denominato ÈVA. Il materiale incapsulante racchiudente le celle solari viene quindi inserito tra uno strato di superficie ed una base o back-sheet in modo da completare il modulo fotovoltaico. Lo strato di superficie, o superficie principale del modulo, tipicamente realizzato in vetro, copre la superficie del modulo esposta al sole e permette alla luce solare di raggiungere le celle. Il back-sheet, d’ altro canto, esegue una molteplicità di compiti. Esso assicura protezione per il materiale incapsulante e per le celle solari da agenti ambientali, impedendo al contempo la ossidazione dei collegamenti elettrici. In particolare, il back-sheet impedisce che umidità, ossigeno ed altri fattori legati alle condizioni atmosferiche danneggino il materiale incapsulante, le celle ed i collegamenti elettrici. Il back-sheet fornisce anche isolamento elettrico per le celle ed i corrispondenti circuiti elettrici. Inoltre, il back-sheet deve presentare alta opacità per scopi estetici e alta riflettività nella parte orientata verso il sole per scopi funzionali. To form the photovoltaic modules, groups of solar cells, grouped in series through suitable electrical conductors called "ribbons", are typically encapsulated by means of an encapsulating material such as for example polyvinyl acetate with a high content of ethylene vinyl acetate, commonly called EVA. The encapsulating material enclosing the solar cells is then inserted between a surface layer and a base or back-sheet in order to complete the photovoltaic module. The surface layer, or main surface of the module, typically made of glass, covers the surface of the module exposed to the sun and allows sunlight to reach the cells. The back-sheet, on the other hand, performs a variety of tasks. It ensures protection for the encapsulating material and for the solar cells from environmental agents, while preventing oxidation of the electrical connections. In particular, the back-sheet prevents humidity, oxygen and other factors related to atmospheric conditions from damaging the encapsulating material, the cells and the electrical connections. The back sheet also provides electrical insulation for the cells and corresponding electrical circuits. Furthermore, the back-sheet must have high opacity for aesthetic purposes and high reflectivity in the part oriented towards the sun for functional purposes.

I moduli fotovoltaici tradizionali sono realizzati da una pluralità di strati. Lo strato inferiore è costituito dal backsheet, su cui è posto un primo strato di incapsulante comprendente ÈVA. Le celle sono poi depositate sul primo strato di incapsulante comprendente ÈVA. Le celle sono disposte sull'incapsulante in modo da formare stringhe, in cui le celle sono collegate in serie l'una con l'altra per mezzo dei ribbon. Stringhe adiacenti sono poi collegate mediante due o più collegamenti detti "busbar" . Sulle celle viene poi posto un secondo strato di incapsulante e, sopra questo, un vetro. Il collegamento elettrico nei moduli fotovoltaici comprendenti celle solari tradizionali avviene sia sul lato anteriore che su quello posteriore della cella. Il collegamento elettrico all'elettrodo posto sul lato anteriore della cella, cioè il lato esposto alla radiazione luminosa, è tradizionalmente realizzato mediante una serie di contatti filiformi essenzialmente paralleli detti "fingers", connessi per mezzo di due o più ribbon disposti trasversalmente rispetto alla direzione longitudinale dei finger. Questo modo di contattare l'elettrodo anteriore, detto anche "H-patterning" , crea problemi di ombreggiamento della superficie esposta alla radiazione luminosa dovuti alla presenza dei finger e dei ribbon, che schermano la luce incidente sulla superficie anteriore della cella. I contatti elettrici tradizionali portano pertanto ad una riduzione dell'efficienza delle celle e dei moduli solari. Traditional photovoltaic modules are made from a plurality of layers. The lower layer consists of the backsheet, on which a first layer of encapsulant comprising ÈVA is placed. The cells are then deposited on the first encapsulant layer comprising ÈVA. The cells are arranged on the encapsulant to form strings, where the cells are connected in series with each other by means of ribbons. Adjacent strings are then connected by means of two or more connections called "busbars". A second layer of encapsulant is then placed on the cells and, on top of this, a glass. The electrical connection in photovoltaic modules including traditional solar cells takes place both on the front and on the rear side of the cell. The electrical connection to the electrode placed on the front side of the cell, that is the side exposed to the light radiation, is traditionally made by means of a series of essentially parallel filiform contacts called "fingers", connected by means of two or more ribbons arranged transversely with respect to the direction longitudinal of the fingers. This way of contacting the front electrode, also called "H-patterning", creates shading problems on the surface exposed to light radiation due to the presence of the fingers and ribbons, which shield the light incident on the front surface of the cell. Traditional electrical contacts therefore lead to a reduction in the efficiency of solar cells and modules.

Le celle inoltre sono abbastanza distanziate le une dalle altre in quanto deve essere permesso ai ribbon di trovare lo spazio per potere essere piegati in modo tale da passare dal lato superiore di una cella a quello inferiore della cella adiacente. Inoltre, la necessità di realizzare un collegamento tra una stringa di celle e la stringa adiacente comporta la necessità di trovare lo spazio per il passaggio dei busbar. The cells are also quite spaced from each other as the ribbons must be allowed to find the space to be folded in such a way as to pass from the upper side of a cell to the lower side of the adjacent cell. Furthermore, the need to make a connection between a string of cells and the adjacent string entails the need to find the space for the passage of the busbars.

Al fine di ovviare a questi problemi, sono state ideate le celle solari a contatto posteriore o celle contattate posteriormente (back contact cells). Questa famiglia comprende i tipi seguenti di celle solari: celle del tipo Interdigitated Back Contact (IBC), celle del tipo Emitter Wrap Through (EWP), celle del tipo Metallization Wrap Through (MWT). Le celle contattate posteriormente sono vantaggiose in quanto permettono di trasferire il contatto con entrambi gli elettrodi della cella sul lato posteriore della cella, cioè sul lato non esposto alla radiazione luminosa. Ciò riduce l’effetto di ombreggiamento e, quindi, di riduzione della superficie efficace della cella esposta alla radiazione, dovuti alla presenza dei contatti ohmici sulla superficie esterna della cella. In order to overcome these problems, solar cells with back contact or back contact cells have been devised. This family includes the following types of solar cells: Interdigitated Back Contact (IBC) cells, Emitter Wrap Through (EWP) cells, Metallization Wrap Through (MWT) cells. The cells contacted at the rear are advantageous in that they allow the contact with both electrodes of the cell to be transferred to the rear side of the cell, that is, to the side not exposed to light radiation. This reduces the shading effect and, therefore, the reduction of the effective cell surface exposed to radiation, due to the presence of ohmic contacts on the external surface of the cell.

Un ulteriore vantaggio derivante dall’uso di celle contattate posteriormente sta nel fatto che il processo di assemblaggio del modulo può essere fortemente automatizzato eliminando nel contempo una fase che è quella delle siringatura delle celle. Inoltre, non essendo necessario prevedere i collegamenti tramite ribbon e busbar, gli spessori dell’incapsulante possono essere ridotti con vantaggi sulla trasparenza alla luce e sui costi. A further advantage deriving from the use of cells contacted posteriorly lies in the fact that the module assembly process can be highly automated while eliminating a phase that is that of the syringing of the cells. Furthermore, since it is not necessary to provide connections via ribbon and busbar, the thickness of the encapsulant can be reduced with advantages in terms of light transparency and costs.

Un tipo di cella contattata posteriormente particolarmente efficiente e conveniente da realizzare è dato dalle celle MWT. Le figure l a e lb mostrano, rispettivamente, la superficie anteriore (i.e. superficie esposta alla radiazione luminosa) e la superficie posteriore di una cella MWT. La figura 2 mostra invece una sezione trasversale di una cella MWT. A type of cell contacted at the rear that is particularly efficient and convenient to make is given by MWT cells. Figures 1 a and 1b show, respectively, the front surface (i.e. surface exposed to light radiation) and the rear surface of an MWT cell. Figure 2 instead shows a cross section of an MWT cell.

Una cella MWT è realizzata partendo da un wafer drogato in modo da ottenere una giunzione tra una zona 662 con cariche libere di una data polarità e una zona 664 con cariche libere della polarità opposta. Per esempio, la zona 662 può essere drogata con impurezze di tipo n e la zona 664 drogata con impurezze di tipo p. Il piano della giunzione è generalmente parallelo alle superfici anteriore e posteriore del wafer. An MWT cell is made starting from a doped wafer so as to obtain a junction between a zone 662 with free charges of a given polarity and a zone 664 with free charges of the opposite polarity. For example, zone 662 can be doped with n-type impurities and zone 664 doped with p-type impurities. The plane of the seam is generally parallel to the front and back surfaces of the wafer.

Come mostrato nelle figure lb e 2, l'elettrodo corrispondente alla zona 664 viene contattato per mezzo dell'elettrodo 640 formato direttamente sul lato posteriore della cella. D'altra parte, l'elettrodo corrispondente alla zona 662 viene contattato per mezzo del contatto 620, che comprende diverse porzioni. Come mostrato nelle figure l a e 2, la porzione 622 del contatto 620 con l'elettrodo 662 è formata sul lato anteriore della cella e comprende la giunzione metallosemiconduttore grazie a cui la carica presente nell'elettrodo 662 può venire raccolta. Tale carica viene poi trasferita sul lato posteriore della cella alla porzione posteriore 624 del contatto 620. Il trasferimento di carica avviene attraverso la porzione 626 del contatto 620, formata all'interno di un foro passante praticato attraverso lo spessore wafer. In questo modo, si evita la presenza dei ribbon sulla superficie anteriore della cella, con conseguente incremento dell'efficienza rispetto all'architettura tradizionale di una cella solare. As shown in Figures 1b and 2, the electrode corresponding to the zone 664 is contacted by means of the electrode 640 formed directly on the rear side of the cell. On the other hand, the electrode corresponding to the zone 662 is contacted by means of the contact 620, which comprises several portions. As shown in Figures 1a and 2, the portion 622 of the contact 620 with the electrode 662 is formed on the front side of the cell and comprises the metal semiconductor junction by which the charge present in the electrode 662 can be collected. This charge is then transferred on the rear side of the cell to the rear portion 624 of the contact 620. The charge transfer occurs through the portion 626 of the contact 620, formed inside a through hole made through the wafer thickness. In this way, the presence of ribbons on the front surface of the cell is avoided, with a consequent increase in efficiency compared to the traditional architecture of a solar cell.

La figura lb mostra che la cella 600 rappresentata nella figura comprende, sul lato posteriore della cella 600, 15 contatti 640 all'elettrodo di una data polarità e 16 contatti 624 all'elettrodo della polarità opposta. Pertanto in totale sono presenti 31 contatti ohmici sulla superficie posteriore della cella 600. Figure 1b shows that the cell 600 shown in the figure comprises, on the rear side of the cell 600, 15 contacts 640 to the electrode of a given polarity and 16 contacts 624 to the electrode of the opposite polarity. Therefore in total there are 31 ohmic contacts on the rear surface of the cell 600.

Le celle contattate posteriormente pongono nuovi problemi tecnologici riguardanti la progettazione e la struttura dei moduli destinati ad accoglierle. Per esempio, il backsheet deve essere concepito in modo da supportare un circuito di collegamento su cui vengono portati i collegamenti ad entrambi gli elettrodi (base ed emettitore) della cella. Una delle soluzioni elaborate al fine di far fronte a questo problema è il cosiddetto backcontact-backsheet, un'evoluzione del backsheet tradizionale in cui il circuito di collegamento è realizzato direttamente sulla superficie del backsheet rivolta verso la cella. La struttura del backcontactbacksheet verrà descritta più diffusamente nel seguito Nella figura 3 è mostrata la struttura di un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente. La cella solare 600 contattata posteriormente è posta tra uno strato di materiale incapsulante superiore 450 e uno strato di materiale incapsulante inferiore 400. La cella 600 e gli strati 400 e 450 di materiale incapsulante sono poi racchiusi fra uno strato superficiale 800 tipicamente realizzato in vetro o in un materiale trasparente e antiriflettente e il back-sheet 200, che può essere un backcontact-backsheet. Nella figura 3 sono visibili le piste 220 di materiale conduttivo costituenti il circuito di collegamento agli elettrodi delle celle solari. Se il backsheet 200 è un backcontact-backshhet, il circuito di collegamento è formato direttamente sulla superficie del substrato sottostante e fermamente fissato ad esso. Il circuito di collegamento è impiegato al fine di assicurare il contatto elettrico con entrambi gli elettrodi, cioè con la base e l'emettitore, della cella solare 600. In particolare, le piste di materiale conduttivo presentano delle piazzole o pad 222, che segnano i punti del circuito di collegamento da porre in collegamento elettrico con un contatto ad uno degli elettrodi formato sulla superficie della cella 600. The cells contacted later pose new technological problems regarding the design and structure of the modules intended to accommodate them. For example, the backsheet must be designed to support a connection circuit on which the connections to both electrodes (base and emitter) of the cell are carried. One of the solutions developed in order to tackle this problem is the so-called backcontact-backsheet, an evolution of the traditional backsheet in which the connection circuit is made directly on the surface of the backsheet facing the cell. The structure of the backcontactbacksheet will be described more fully in the following Figure 3 shows the structure of a photovoltaic module comprising solar cells contacted at the rear. The rear-contacted solar cell 600 is placed between a layer of upper encapsulating material 450 and a layer of lower encapsulating material 400. The cell 600 and layers 400 and 450 of encapsulating material are then enclosed between a surface layer 800 typically made of glass or in a transparent and anti-reflective material and the back-sheet 200, which can be a backcontact-backsheet. Figure 3 shows the tracks 220 of conductive material constituting the connection circuit to the electrodes of the solar cells. If the backsheet 200 is a backcontact-backshhet, the link circuit is formed directly on the surface of the underlying substrate and firmly attached to it. The connection circuit is used to ensure electrical contact with both electrodes, ie with the base and the emitter, of the solar cell 600. In particular, the conductive material tracks have pads 222, which mark the points of the connection circuit to be put in electrical connection with a contact to one of the electrodes formed on the surface of the cell 600.

L’ assemblaggio di un modulo fotovoltaico del tipo di quello illustrato nella figura 3 avviene tipicamente secondo il procedimento descritto di seguito. The assembly of a photovoltaic module of the type illustrated in Figure 3 typically takes place according to the procedure described below.

Lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 da porsi tra la cella 600 e il backsheet o backcontact-backsheet 200 viene forato in modo che i fori praticati nello strato di materiale incapsulante inferiore 400 corrispondano alle aree in cui sono disposte le piazzole 222 per il contatto con gli elettrodi, una volta che il modulo sia stato ultimato. Lo strato di materiale incapsulante 400 forato viene poi posto sopra al backsheet o al backcontact-backsheet 200 in modo che i fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 corrispondano o siano allineati alle piazzole 222, in modo tale da lasciare le piazzole 222 esposte verso l'esterno. The lower encapsulating material layer 400 to be placed between the cell 600 and the backsheet or backcontact-backsheet 200 is perforated so that the holes made in the lower encapsulating material layer 400 correspond to the areas in which the pads 222 are arranged for contact with the electrodes, once the module has been completed. The perforated encapsulating material layer 400 is then placed on top of the backsheet or backcontact-backsheet 200 so that the holes in the lower encapsulating material layer 400 correspond to or are aligned with the pads 222, so as to leave the pads 222 exposed towards the 'external.

Un grumo o una goccia di materiale conduttivo all'elettricità viene quindi depositato sulle piazzole 222 delle piste conduttive 220 del circuito di collegamento formato sulla superfice del backsheet o del backcontact-backsheet 200. La superficie delle piazzole 222 è lasciata esposta dai fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400. Il materiale conduttivo depositato sulle piazzole 222 può per esempio comprendere una pasta conduttiva del tipo noto come "Electro Conductive Adhesive" (ECA) . A lump or drop of electrically conductive material is then deposited on the pads 222 of the conductive tracks 220 of the connection circuit formed on the surface of the backsheet or backcontact-backsheet 200. The surface of the pads 222 is left exposed by the holes in the layer of lower encapsulating material 400. The conductive material deposited on the pads 222 can for example comprise a conductive paste of the type known as "Electro Conductive Adhesive" (ECA).

Successivamente, le celle 600 da incorporare nel modulo vengono poste sullo strato di materiale incapsulante inferiore 400 in modo che ciascun elemento di contatto con gli elettrodi formato sulla superficie posteriore della cella venga a contatto con un grumo di pasta conduttiva applicato su una delle piazzole 222 ed esposto al contatto con le celle 600 attraverso uno dei fori praticati sullo strato di materiale incapsulante inferiore 400. Lo strato di materiale incapsulante superiore 450 viene poi posto sulla superficie superiore della cella 600, opposta alla superficie posteriore a contatto con la pasta conduttiva applicata sulle piazzole 222. Infine uno strato di materiale trasparente e antiriflettente 800 viene posto sopra lo strato di materiale incapsulante superiore 450. Subsequently, the cells 600 to be incorporated into the module are placed on the lower encapsulating material layer 400 so that each element of contact with the electrodes formed on the rear surface of the cell comes into contact with a lump of conductive paste applied on one of the pads 222 and exposed to contact with the cells 600 through one of the holes made in the lower encapsulating material layer 400. The upper encapsulating material layer 450 is then placed on the upper surface of the cell 600, opposite the rear surface in contact with the conductive paste applied on the pads 222. Finally, a layer of transparent and anti-reflective material 800 is placed over the layer of upper encapsulating material 450.

Una volta che la struttura sia stata preparata come appena descritto, essa viene capovolta e quindi laminata sotto vuoto ad una temperatura compresa tra 145° e 165° per un tempo variabile tra 8 e 18 minuti. Once the structure has been prepared as just described, it is turned upside down and then laminated under vacuum at a temperature between 145 ° and 165 ° for a time ranging from 8 to 18 minutes.

La figura 4a mostra la struttura del modulo prima del processo di laminazione. I componenti del modulo, impilati come descritto precedentemente, sono singolarmente distinguibili. In particolare la figura 4a mostra una pila comprendente, partendo dal basso e andando verso l'alto della figura, il backsheet o backcontact-backsheet 200 con le piazzole conduttive 222 su cui è stata apposta la pasta conduttiva 300, lo strato di materiale incapsulante inferiore 400, le celle 600, lo strato di materiale incapsulante superiore 450 e lo strato superficiale 800. Figure 4a shows the structure of the module before the lamination process. The components of the module, stacked as described above, are individually distinguishable. In particular, figure 4a shows a stack comprising, starting from the bottom and going upwards of the figure, the backsheet or backcontact-backsheet 200 with the conductive pads 222 on which the conductive paste 300 has been affixed, the layer of lower encapsulating material 400, the cells 600, the upper encapsulating material layer 450 and the surface layer 800.

La figura 4b mostra schematicamente la struttura del modulo dopo il processo di laminazione. Nella prima fase della laminazione, la struttura viene posta in una camera a vuoto da cui l'aria viene evacuata mediante pompe. Sulla struttura viene quindi applicata una pressione tale da compattare i diversi strati di cui la struttura del modulo è composta, mantenendo nel contempo il vuoto nell'area in cui il modulo è localizzato. L'intero ciclo ha preferibilmente durata totale inferiore a 18 minuti. Il ciclo avviene preferibilmente ad una temperatura compresa tra 140° a 165°. Figure 4b schematically shows the structure of the module after the lamination process. In the first stage of lamination, the structure is placed in a vacuum chamber from which the air is evacuated by means of pumps. A pressure is then applied to the structure to compact the different layers of which the module structure is composed, while maintaining the vacuum in the area where the module is located. The entire cycle preferably has a total duration of less than 18 minutes. The cycle preferably takes place at a temperature ranging from 140 ° to 165 °.

La laminazione produce l’indurimento della pasta conduttiva 300 tramite la sua polimerizzazione, causando in tal modo il fissaggio delle celle 600 al back-sheet 200. Inoltre, il processo di laminazione ha anche il compito di far fondere e successivamente polimerizzare gli strati di materiale incapsulante superiore 450 e inferiore 400. In tal modo, il materiale incapsulante dello strato inferiore 400, fondendo, riempie i vuoti tra la pasta conduttiva 300, il backsheet o backcontact-backsheet 200 e la superficie posteriore delle celle 600. Inoltre, mediante la polimerizzazione, lo strato di materiale incapsulante superiore 450 esercita anche un’ azione adesiva tra lo strato superficiale 800 e la superficie esterna delle celle 600 a contatto con lo strato di materiale incapsulante superiore 450. Analogamente, lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 esercita dopo la polimerizzazione anche un’ azione adesiva tra la superficie posteriore delle celle 600 e il back-sheet 200. The lamination produces the hardening of the conductive paste 300 through its polymerization, thus causing the fixing of the cells 600 to the back-sheet 200. Furthermore, the lamination process also has the task of melting and subsequently polymerizing the layers of material. upper encapsulant 450 and lower 400. In this way, the encapsulating material of the lower layer 400, by melting, fills the voids between the conductive paste 300, the backsheet or backcontact-backsheet 200 and the back surface of the cells 600. Furthermore, by polymerization , the upper encapsulating material layer 450 also exerts an adhesive action between the surface layer 800 and the outer surface of the cells 600 in contact with the upper encapsulating material layer 450. Similarly, the lower encapsulating material layer 400 exerts after polymerization also an adhesive action between the rear surface of the cells 600 and the back-sheet 200.

La descrizione precedente mette in evidenza le difficoltà tecniche e ingegneristiche che la produzione di un modulo fotovoltaico comporta. The previous description highlights the technical and engineering difficulties that the production of a photovoltaic module entails.

Innanzitutto, praticare una pluralità di fori in un foglio di materiale incapsulante quale ÈVA non è un compito banale, soprattutto se i fori devono avere posizioni predeterminate e la tolleranza sull’errore di posizionamento deve essere ridotta a circa 0.1 mm su di una dimensione complessiva di 1700 mm x 1000 mm. La tolleranza è così bassa dal momento che ciascun foro dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve corrispondere ad una delle piazzole 222 di contatto del circuito di collegamento. Pertanto, il motivo dei fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve corrispondere esattamente al motivo secondo cui sono state realizzate le piazzole 222. First of all, drilling a plurality of holes in a sheet of encapsulating material such as ÈVA is not a trivial task, especially if the holes must have predetermined positions and the tolerance on the positioning error must be reduced to about 0.1 mm on an overall size of 1700 mm x 1000 mm. The tolerance is so low since each hole in the lower encapsulating material layer 400 must correspond to one of the contact pads 222 of the connection circuit. Therefore, the pattern of the holes in the lower encapsulating material layer 400 must exactly match the pattern according to which the pads 222 were made.

Si deve poi considerare che il foglio di materiale incapsulante avrà le dimensioni del modulo, cioè tipicamente 1 ,7 m x 1 m. Tali dimensioni notevoli rendono l’ operazione di apertura dei fori ancora più ardua. It must then be considered that the sheet of encapsulating material will have the dimensions of the module, i.e. typically 1.7 m x 1 m. These considerable dimensions make the operation of opening the holes even more difficult.

Ancora, lo strato incapsulante non ha tipicamente consistenza meccanica e ha elevati coefficienti di dilatazione/restringimento termico quindi la sua stabilità dimensionale è limitata. Per esempio, una volta sottoposti a uno sforzo di trazione, un foglio o una lamina di materiale incapsulante tendono ad estendersi in modo viscoelastico. Questa caratteristica del materiale incapsulante rende l'operazione di foratura ancora più difficoltosa. Furthermore, the encapsulating layer typically has no mechanical consistency and has high thermal expansion / shrinkage coefficients so its dimensional stability is limited. For example, when subjected to a tensile stress, a sheet or lamina of encapsulating material tends to extend viscoelastic. This characteristic of the encapsulating material makes the drilling operation even more difficult.

Il numero di fori da aprire è poi molto alto. Come precedentemente descritto con riferimento alla figura lb, sulla superficie posteriore di una cella MWT sono generalmente formati 16 contatti ad un elettrodo e 15 contatti all'altro elettrodo. Dunque 31 contatti in totale. Un modulo fotovoltaico contiene tipicamente 60 o 72 celle. Pertanto il numero di fori da praticare sullo strato di materiale incapsulante sarà pari a 1860 e 2232 nel caso, rispettivamente, di un modulo con 60 e 72 celle. L’ operazione di apertura dei fori è perciò piuttosto lunga e laboriosa, contribuendo così all’innalzamento dei costi di produzione. Un’operazione estremamente delicata nella produzione di un modulo fotovoltaico è poi l’ allineamento fra lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 forato e il back-sheet o backcontact-backsheet 200 sottostante, sulle cui piazzole conduttive 222 si deve applicare la pasta conduttiva. Ciascun foro nello strato di materiale incapsulante inferiore 400 deve infatti corrispondere esattamente alla rispettiva piazzola conduttiva 222. Il margine di errore nell’ allineamento fra lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 e il back-sheet o backcontact-backsheet 200 è minimo, in quanto uno sfasamento fra i fori nello strato di materiale incapsulante e le piazzole conduttive 222 comporta la copertura della piazzola conduttiva 222 da parte dello strato di materiale incapsulante 400 e, quindi, il mancato contatto fra uno degli elettrodi della cella 600 e il backsheet o backcontactbacksheet 200. Persino peggio, uno sfasamento tra i fori dello strato incapsulante 400 e le piazzole conduttive 222 potrebbe provocare lo spargimento della pasta conduttiva dalle piazzole conduttive 222 ad aree indesiderate della superficie del back-sheet o backcontac-backsheet 200 esposta verso le celle durante le fasi successive dell'assemblaggio del modulo fotovoltaico. The number of holes to be opened is then very high. As previously described with reference to Figure 1b, 16 contacts at one electrode and 15 contacts at the other electrode are generally formed on the rear surface of an MWT cell. So 31 contacts in total. A photovoltaic module typically contains 60 or 72 cells. Therefore the number of holes to be made on the layer of encapsulating material will be equal to 1860 and 2232 in the case, respectively, of a module with 60 and 72 cells. The operation of opening the holes is therefore quite long and laborious, thus contributing to the increase in production costs. An extremely delicate operation in the production of a photovoltaic module is then the alignment between the lower layer of encapsulating material 400 with holes and the underlying back-sheet or backcontact-backsheet 200, on whose conductive pads 222 the conductive paste must be applied. Each hole in the lower encapsulating material layer 400 must in fact correspond exactly to the respective conductive pad 222. The margin of error in the alignment between the lower encapsulating material layer 400 and the back-sheet or backcontact-backsheet 200 is minimal, since one phase shift between the holes in the layer of encapsulating material and the conductive pads 222 involves the covering of the conductive pad 222 by the layer of encapsulating material 400 and, therefore, the lack of contact between one of the electrodes of the cell 600 and the backsheet or backcontactbacksheet 200. Even worse, a phase shift between the holes in the encapsulating layer 400 and the conductive pads 222 could cause the conductive paste to shed from the conductive pads 222 to unwanted areas of the back-sheet surface 200 exposed to the cells during subsequent steps. assembly of the photovoltaic module.

Pur potendo allineare esattamente i fori dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 alle piazzole conduttive 222 sul backsheet o sul backcontact-backsheet 200, un problema fondamentale si pone durante le fasi successive dell’ assemblaggio del modulo. Infatti, la posizione dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 rispetto al backsheet o al backcontact-backsheet 200 deve rimanere inalterata nelle fasi successive del processo di assemblaggio che comprendono: deposizione delle celle 600, deposizione dello strato di materiale incapsulante superiore 450, deposizione dello strato superficiale 800 e, infine, laminazione. While being able to exactly align the holes of the lower encapsulating material layer 400 with the conductive pads 222 on the backsheet or backcontact-backsheet 200, a fundamental problem arises during the subsequent stages of module assembly. In fact, the position of the lower encapsulating material layer 400 with respect to the backsheet or backcontact-backsheet 200 must remain unchanged in the subsequent stages of the assembly process which include: deposition of the cells 600, deposition of the upper encapsulating material layer 450, deposition of the layer surface 800 and, finally, lamination.

Può avvenire che la struttura da assemblare debba essere trasportata da un punto ad un altro della linea di produzione nel passaggio da una delle fasi di assemblaggio nominate sopra a quella successiva. Lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 può inoltre spostarsi rispetto al backsheet 200 quando lo strato di materiale incapsulante superiore 450 o lo strato superficiale 800 vengono aggiunti alla struttura in conseguenza delle sollecitazioni ricevute dalla struttura durante il processo di deposizione. Inoltre, va osservato che durante la laminazione lo strato di materiale incapsulante 400 può deformarsi espandendo o contraendosi in risposta all'aumento di temperatura. Perciò mantenere fissata la posizione dello strato di materiale incapsulante inferiore 400 rispetto al backsheet o backcontact-backsheet 200 è un compito non banale che un produttore di moduli fotovoltaici non può evitare ricorrendo ai mezzi messi a disposizione dall'arte nota. It may happen that the structure to be assembled must be transported from one point to another of the production line when passing from one of the assembly steps mentioned above to the next. The lower encapsulating material layer 400 may further shift relative to the backsheet 200 when the upper encapsulating material layer 450 or the surface layer 800 are added to the structure as a result of the stresses received by the structure during the deposition process. Furthermore, it should be noted that during lamination the layer of encapsulating material 400 can deform by expanding or contracting in response to the increase in temperature. Therefore, keeping the position of the lower encapsulating material layer 400 fixed with respect to the backsheet or backcontact-backsheet 200 is a non-trivial task that a manufacturer of photovoltaic modules cannot avoid by resorting to the means made available by the known art.

In vista dei problemi citati e degli svantaggi relativi alla procedura tradizionale di assemblaggio dei moduli fotovoltaici, un oggetto della presente invenzione è quello di fornire un backcontact-backsheet per moduli fotovoltaici ed un metodo per produrre gli stessi che permettano di superare detti problemi. In view of the aforementioned problems and of the disadvantages relating to the traditional assembly procedure of photovoltaic modules, an object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet for photovoltaic modules and a method for producing the same which allow to overcome said problems.

In particolare, uno degli oggetti della presente invenzione è quello di fornire un backcontact-backsheet per moduli fotovoltaici che permetta un assemblaggio pratico, economico e preciso di un modulo fotovoltaico. In particular, one of the objects of the present invention is to provide a backcontact-backsheet for photovoltaic modules which allows a practical, economical and precise assembly of a photovoltaic module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione è fornire un backcontact-backsheet ed un metodo per realizzare tale backcontact-backsheet grazie ai quali si può ottenere un grado eccellente di stabilità dello strato di materiale incapsulante inferiore durante le varie fasi di montaggio del modulo fotovoltaico, in modo tale che lo strato di materiale incapsulante non possa muoversi durante il montaggio del modulo. A further object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet and a method for making such a backcontact-backsheet thanks to which an excellent degree of stability of the lower encapsulating material layer can be obtained during the various assembly phases of the photovoltaic module, so such that the layer of encapsulating material cannot move during the assembly of the module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione è fornire un backcontact-backsheet ed un metodo per realizzare tale backcontact-backsheet grazie ai quali si può ottenere una maggiore precisione nella struttura finale e in quella intermedia del modulo, relativamente alle forature, permettendo così un alto grado di ripetibilità di processo e riducendo al minimo lo spreco di risorse dovuto alla produzione di prodotti difettosi. A further object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet and a method for making such a backcontact-backsheet thanks to which it is possible to obtain greater precision in the final and intermediate structure of the module, relative to the holes, thus allowing a high degree of process repeatability and minimizing the waste of resources due to the production of defective products.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione è fornire un backcontact-backsheet ed un metodo per realizzare tale backcontact-backsheet grazie ai quali i rischi di contaminazione e spargimento indesiderati della pasta adesiva possano essere evitati durante il processo di montaggio del modulo fotovoltaico. A further object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet and a method for making such a backcontact-backsheet thanks to which the risks of unwanted contamination and spreading of the adhesive paste can be avoided during the assembly process of the photovoltaic module.

Un ulteriore oggetto della presente invenzione è fornire un backcontact-backsheet ed un metodo per realizzare tale backcontact-backsheet grazie ai quali le fasi scomode e complesse della foratura dello strato di materiale incapsulante inferiore e del suo allineamento con il backcontact-backsheet possano essere evitate durante le procedure di montaggio e di assemblaggio del modulo fotovoltaico . A further object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet and a method for making such a backcontact-backsheet thanks to which the awkward and complex phases of drilling the lower encapsulating material layer and its alignment with the backcontact-backsheet can be avoided during the mounting and assembly procedures of the photovoltaic module.

Le fasi critiche della foratura dello strato di materiale incapsulante inferiore e dell'allineamento dello strato di materiale incapsulante con il backcontact-backsheet sono normalmente a carico del produttore di moduli fotovoltaici. Pertanto, un ulteriore oggetto della presente invenzione è fornire un backcontact-backsheet capace di sollevare un produttore di moduli solari dai compiti di foratura e allineamento dello strato di materiale incapsulante, semplificando ed economizzando così il processo di assemblaggio e/o produzione dei moduli solari. The critical steps of drilling the lower encapsulating material layer and aligning the encapsulating material layer with the backcontact-backsheet are normally the responsibility of the PV module manufacturer. Therefore, a further object of the present invention is to provide a backcontact-backsheet capable of relieving a manufacturer of solar modules from the tasks of drilling and aligning the layer of encapsulating material, thus simplifying and economizing the assembly and / or production process of the solar modules.

BREVE DESCRIZIONE DELL’ INVENZIONE BRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION

Secondo la presente invenzione, è provvisto un backcontactbacksheet per moduli fotovoltaici ed un metodo per produrre tale backcontact-backsheet basati sul concetto nuovo ed inventivo che il processo di montaggio di un modulo fotovoltaico si può semplificare, velocizzare e rendere più preciso se lo strato di materiale incapsulante inferiore è fornito insieme al backcontac-backsheet formandone parte integrante. According to the present invention, there is provided a backcontactbacksheet for photovoltaic modules and a method for producing such a backcontact-backsheet based on the new and inventive concept that the assembly process of a photovoltaic module can be simplified, speeded up and made more precise if the material layer lower encapsulant is supplied together with the backcontac-backsheet forming an integral part of it.

Sulla base di queste considerazioni si propone il backcontactbacksheet per moduli fotovoltaici secondo la rivendicazione principale 1. On the basis of these considerations, the backcontactbacksheet for photovoltaic modules according to main claim 1 is proposed.

Forme di realizzazione preferite della presente invenzione sono fornite dalle rivendicazioni dipendenti e dalla descrizione seguente. Preferred embodiments of the present invention are provided by the dependent claims and the following description.

La presente invenzione fornisce inoltre un metodo per la produzione di backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico come definito nella rivendicazione 7 e nella descrizione seguente. The present invention also provides a method for producing backcontact-backsheet for a photovoltaic module as defined in claim 7 and in the following description.

BREVE DESCRIZIONE DELLE FIGURE BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES

Ulteriori caratteristiche e vantaggi della presente invenzione appariranno più chiari dalla descrizione seguente delle forme di realizzazione del dispositivo secondo la presente invenzione rappresentate nelle tavole di disegno. Nelle tavole di disegno parti identiche e/o simili e/o corrispondenti sono identificate dagli stessi numeri o lettere di riferimento. in particolare, nelle figure: Further characteristics and advantages of the present invention will become clearer from the following description of the embodiments of the device according to the present invention represented in the drawing tables. In the drawing tables, identical and / or similar and / or corresponding parts are identified by the same reference numbers or letters. in particular, in the figures:

Figura l a mostra una vista dall'alto della superficie esterna o anteriore di una cella solare del tipo MWT definibile come lato sole; Figure 1a shows a top view of the external or front surface of a solar cell of the MWT type which can be defined as the sun side;

Figura lb mostra una vista dall'alto della superficie interna o posteriore di una cella solare del tipo MWT definita lato ombra; Figure 1b shows a top view of the inner or rear surface of a solar cell of the MWT type defined as the shadow side;

Figura 2 mostra una sezione trasversale di una cella solare del tipo MWT; Figure 2 shows a cross section of a solar cell of the MWT type;

Figura 3 mostra una vista esplosa di una porzione di un modulo fotovoltaico; Figure 3 shows an exploded view of a portion of a photovoltaic module;

Figura 4a mostra una sezione trasversale di un modulo fotovoltaico precedentemente al processo di laminazione; Figure 4a shows a cross section of a photovoltaic module prior to the lamination process;

Figura 4b mostra una sezione trasversale di un modulo fotovoltaico successivamente al processo di laminazione; Figura 5 mostra una sezione trasversale di un backcontactbacksheet di tipo convenzionale; Figure 4b shows a cross section of a photovoltaic module following the lamination process; Figure 5 shows a cross section of a conventional backcontactbacksheet;

Figura 6 mostra una sezione trasversale di un backcontactbacksheet secondo una forma di realizzazione della presente invenzione; Figure 6 shows a cross section of a backcontactbacksheet according to an embodiment of the present invention;

Figura 7a mostra una fase intermedia della realizzazione di un backcontact-backsheet secondo una forma di realizzazione della presente invenzione; Figure 7a shows an intermediate step of the realization of a backcontact-backsheet according to an embodiment of the present invention;

Figura 7b mostra una fase intermedia della realizzazione di un backcontact-backsheet secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione; Figure 7b shows an intermediate step of the realization of a backcontact-backsheet according to a further embodiment of the present invention;

Figura 8 mostra una sezione trasversale di un sistema composto da una cella solare e un backcontact-backsheet secondo una forma di realizzazione della presente invenzione. Figure 8 shows a cross section of a system composed of a solar cell and a backcontact-backsheet according to an embodiment of the present invention.

DESCRIZIONE DETTAGLIATA DETAILED DESCRIPTION

Nel seguito, la presente invenzione verrà descritta con riferimento a particolari forme di realizzazione come mostrato nelle figure allegate. Tuttavia, la presente invenzione non è limitata alle forme di realizzazione particolari descritte nella seguente descrizione dettagliata e mostrati nelle figure ma, piuttosto, le forme di realizzazione descritte mostrano semplicemente diversi aspetti della presente invenzione il cui scopo è definito dalle rivendicazioni. In the following, the present invention will be described with reference to particular embodiments as shown in the attached figures. However, the present invention is not limited to the particular embodiments described in the following detailed description and shown in the figures but, rather, the described embodiments simply show several aspects of the present invention whose scope is defined by the claims.

Ulteriori modifiche e variazioni della presente invenzione saranno chiare per la persona del mestiere. Di conseguenza, la presente descrizione deve essere considerata come comprendente tutte le modifiche e/o variazioni della presente invenzione, il cui scopo è definito dalle rivendicazioni. Further modifications and variations of the present invention will be clear to the skilled person. Accordingly, the present description is to be considered as including all modifications and / or variations of the present invention, the purpose of which is defined by the claims.

La figura 5 mostra schematicamente un backcontactbacksheet 200 per un modulo fotovoltaico comunemente usato nello stato della tecnica. Il lato-aria del modulo fotovoltaico è quello posto in basso, al di sotto del backcontact-backsheet 200 illustrato nella figura 5. Figure 5 schematically shows a backcontactbacksheet 200 for a photovoltaic module commonly used in the state of the art. The air side of the photovoltaic module is the one placed at the bottom, under the backcontact-backsheet 200 shown in figure 5.

Il backcontact-backsheet 200 comprende un complesso o substrato isolante 210 esposto al lato-aria del modulo fotovoltaico. The backcontact-backsheet 200 comprises an insulating complex or substrate 210 exposed to the air side of the photovoltaic module.

Il substrato isolante 210 comprende un primo strato isolante 212, uno strato intermedio 214 e un secondo strato isolante 216. The insulating substrate 210 comprises a first insulating layer 212, an intermediate layer 214 and a second insulating layer 216.

Il primo strato isolante 212 presenta una superficie esposta verso il lato-aria del modulo fotovoltaico ed è impiegato come barriera contro umidità, raggi UV, ossigeno e agenti esterni che potrebbero penetrare nel modulo e danneggiarne alcune delle parti componenti o fare degradare l’ adesivo di natura poliuretanica o poliestere ingiallendolo. The first insulating layer 212 has a surface exposed towards the air-side of the photovoltaic module and is used as a barrier against humidity, UV rays, oxygen and external agents that could penetrate the module and damage some of the component parts or cause the adhesive to degrade. polyurethane or polyester nature, yellowing it.

La superficie interna del primo strato isolante 212 opposta alla superficie esposta al lato-aria è poi a contatto con uno strato intermedio 214, che funge da barriera contro l'umidità e il vapore acqueo. Lo strato intermedio è realizzato tipicamente in alluminio, preferibilmente con uno spessore compreso tra 8 e 25 pm. The internal surface of the first insulating layer 212 opposite the surface exposed to the air side is then in contact with an intermediate layer 214, which acts as a barrier against humidity and water vapor. The intermediate layer is typically made of aluminum, preferably with a thickness of between 8 and 25 µm.

La superficie interna dello strato intermedio 214, opposta alla superficie a contatto con il primo strato isolante 212, è poi a contatto con il secondo strato isolante 216, che funge da isolante elettrico e da ulteriore barriera. The internal surface of the intermediate layer 214, opposite the surface in contact with the first insulating layer 212, is then in contact with the second insulating layer 216, which acts as an electrical insulator and as a further barrier.

Sulla superficie interna del secondo strato isolante 216 opposta allo strato intermedio 214 viene poi applicato uno strato di materiale conduttivo 220. Tale strato di materiale conduttivo 220 applicato sulla superficie del secondo strato isolante posteriore 216 verrà successivamente trattato in modo da formare un motivo comprendente in genere elementi di forma allungata quali tracce, piste, percorsi, ecc. Tale motivo forma il circuito di collegamento con gli elettrodi delle celle solari. Non essendo formato in modo continuo sulla superficie interna del secondo strato isolante 216, lo strato conduttivo 220 lascia generalmente esposte alcune porzioni della superficie interna del secondo strato isolante posteriore 216 su cui è applicato. A layer of conductive material 220 is then applied to the inner surface of the second insulating layer 216 opposite the intermediate layer 214. This layer of conductive material 220 applied to the surface of the second rear insulating layer 216 will subsequently be treated so as to form a pattern generally comprising elongated elements such as tracks, tracks, paths, etc. This pattern forms the connection circuit with the electrodes of the solar cells. Not being formed continuously on the inner surface of the second insulating layer 216, the conductive layer 220 generally leaves exposed some portions of the inner surface of the second rear insulating layer 216 on which it is applied.

Il circuito di collegamento ricavato nello strato di materiale conduttivo 220 può essere formato per mezzo di una delle tecniche comunemente usate per la produzione di circuiti stampati. Per esempio, il circuito di collegamento può essere formato nello strato conduttivo 220 per mezzo di una tecnica litografica ottica, in cui uno strato di photoresist viene uniformemente applicato alla superficie dello strato conduttivo 220, esposto secondo il motivo da riprodurre e quindi sviluppato. La superficie comprendente il photoresist sviluppato è quindi sottoposta ad un attacco chimico (etching) che produce il motivo voluto. Infine, il photoresist residuo viene rimosso. In alternativa, il circuito di collegamento si può formare sullo strato di materiale conduttivo per mezzo di un processo di ablazione, da ottenersi con mezzi meccanici quali una fresa oppure per evaporazione impiegando per esempio un laser. The connection circuit obtained in the layer of conductive material 220 can be formed by means of one of the techniques commonly used for the production of printed circuits. For example, the connection circuit can be formed in the conductive layer 220 by means of an optical lithographic technique, in which a photoresist layer is uniformly applied to the surface of the conductive layer 220, exposed according to the pattern to be reproduced and then developed. The surface comprising the developed photoresist is then subjected to a chemical etching which produces the desired pattern. Finally, the residual photoresist is removed. Alternatively, the connection circuit can be formed on the layer of conductive material by means of an ablation process, to be obtained by mechanical means such as a cutter or by evaporation using for example a laser.

Lo strato conduttivo 220 comprende poi delle piazzole 222 formate in posizioni predeterminate del motivo di cui il circuito conduttivo nello strato conduttivo 220 è composto. Le piazzole 222 verranno poste in contatto elettrico con i contatti ohmici formati sulla superficie degli elettrodi delle celle solari attraverso un grumo di materiale conduttivo. Le piazzole 222 garantiscono quindi il contatto elettrico con le celle solari montate nel modulo fotovoltaico e sono formate in posizioni corrispondenti alle posizioni dei contatti ohmici 624 e 640 formati sulla superficie posteriore della cella solare 600 e mostrati nelle figure lb e 2. The conductive layer 220 then comprises pads 222 formed in predetermined positions of the pattern of which the conductive circuit in the conductive layer 220 is composed. The pads 222 will be placed in electrical contact with the ohmic contacts formed on the surface of the electrodes of the solar cells through a lump of conductive material. The pads 222 therefore ensure electrical contact with the solar cells mounted in the photovoltaic module and are formed in positions corresponding to the positions of the ohmic contacts 624 and 640 formed on the rear surface of the solar cell 600 and shown in Figures 1b and 2.

Ancora con riferimento alla figura 5, il backcontactbacksheet 200 comprende poi uno strato di materiale dielettrico 240 depositato sul lato interno del backcontactbacksheet 200, cioè sul lato opposto al lato-aria e rivolto verso le celle. Tale strato di materiale dielettrico 240 viene generalmente formato, per esempio per mezzo di un processo serigrafico, in modo tale che il materiale dielettrico ricopra totalmente la porzione della superficie del secondo strato isolante posteriore 216 lasciata esposta dallo strato conduttivo 220 applicato sopra di essa. Il materiale dielettrico ha così la funzione di isolare elettricamente due tracce o elementi adiacenti ma disconnessi l'uno con l'altro del motivo formato dallo strato conduttivo 220. Inoltre, lo strato di materiale dielettrico 220 ha la funzione di neutralizzare eventuali correnti superficiali che potrebbero fluire sulla superficie del substrato 210 su cui lo strato di materiale conduttivo 220 e una porzione dello strato di materiale dielettrico 240 sono fissati. Again with reference to Figure 5, the backcontactbacksheet 200 then comprises a layer of dielectric material 240 deposited on the internal side of the backcontactbacksheet 200, ie on the side opposite the air side and facing the cells. Such a layer of dielectric material 240 is generally formed, for example by means of a screen printing process, in such a way that the dielectric material completely covers the portion of the surface of the second rear insulating layer 216 left exposed by the conductive layer 220 applied above it. The dielectric material thus has the function of electrically insulating two adjacent but disconnected traces or elements of the pattern formed by the conductive layer 220. Furthermore, the layer of dielectric material 220 has the function of neutralizing any surface currents that could flow on the surface of the substrate 210 on which the conductive material layer 220 and a portion of the dielectric material layer 240 are attached.

Lo strato di materiale dielettrico 240 viene quindi depositato in modo da lasciare parzialmente esposto lo strato di materiale conduttivo 220. Più specificamente, lo strato di materiale dielettrico 240 presenta delle aperture 242 poste in corrispondenza delle piazzole 222 dello strato conduttivo 220 mostrate nelle figure da 3 a 5 e usate per contattare gli elettrodi delle celle fotovoltaiche. Così lo strato dielettrico 240 lascia esposte le piazzole conduttive 222 verso il lato interno del backcontact-backsheet 200, cioè verso il lato rivolto verso le celle. The layer of dielectric material 240 is then deposited so as to leave partially exposed the layer of conductive material 220. More specifically, the layer of dielectric material 240 has openings 242 located in correspondence with the pads 222 of the conductive layer 220 shown in figures from 3 to 5 and used to contact the electrodes of the photovoltaic cells. Thus the dielectric layer 240 leaves the conductive pads 222 exposed towards the internal side of the backcontact-backsheet 200, that is towards the side facing the cells.

Infine, le porzioni dello strato conduttivo 220 lasciate esposte dallo strato di materiale dielettrico 240 vengono ricoperte da uno strato protettivo 260 in modo da evitare che la superficie esposta dello strato di materiale conduttivo 220 si ossidi, corroda, scalfisca o si danneggi in genere. Lo strato protettivo 260 può comprendere un materiale organico, che in genere viene deposto mediante serigrafia. Alternativamente, le porzioni esposte dello strato conduttivo 220 possono venire protette da uno strato metallico applicato sin dall'origine alla superficie esposta. Per esempio, se lo strato di materiale conduttivo 220 comprende rame, lo si può proteggere mediante uno strato sottile di nichel deposto sulla superficie dello strato di materiale conduttivo 220 comprendente rame. Se lo strato 220 fosse di alluminio, questo potrebbe essere ricoperto di rame e poi di nichel o stagno. La scelta dell’ alluminio sarebbe competitiva con il rame per una ragione di costi più bassi a parità di resistività elettrica. Finally, the portions of the conductive layer 220 left exposed by the layer of dielectric material 240 are covered by a protective layer 260 so as to prevent the exposed surface of the layer of conductive material 220 from oxidizing, corroding, scratching or damaging in general. The protective layer 260 may comprise an organic material, which is generally deposited by screen printing. Alternatively, the exposed portions of the conductive layer 220 can be protected by a metallic layer applied from the origin to the exposed surface. For example, if the layer of conductive material 220 comprises copper, it can be protected by a thin layer of nickel deposited on the surface of the layer of conductive material 220 comprising copper. If layer 220 were aluminum, it could be coated with copper and then nickel or tin. The choice of aluminum would be competitive with copper for a reason of lower costs with the same electrical resistivity.

Il back-sheet 200 mostrato nella figura 5 presenta gli inconvenienti descritti precedentemente, tali per cui il successivo montaggio del modulo fotovoltaico risulta lento, costoso e poco preciso. Ciò è in gran parte dovuto al fatto che uno strato di materiale incapsulante posto tra le celle e il backcontact-backsheet deve essere prima forato e poi mantenuto perfettamente allineato alle piazzole conduttive 222 del backcontact-backsheet durante tutte le fasi dell'assemblaggio. The back-sheet 200 shown in Figure 5 has the drawbacks described above, such that the subsequent assembly of the photovoltaic module is slow, expensive and not very precise. This is largely due to the fact that a layer of encapsulating material placed between the cells and the backcontact-backsheet must first be perforated and then kept perfectly aligned with the conductive pads 222 of the backcontact-backsheet during all stages of the assembly.

Al fine di superare gli inconvenienti legati ai backcontactbacksheet noti nello stato dell'arte, si propone il backcontactbacksheet 200 per moduli fotovoltaici secondo una forma di realizzazione della presente invenzione mostrato nella figura 6. Il backcontact-backsheet 200 mostrato schematicamente nella figura 6 è un'evoluzione del backcontact-backsheet 200 tradizionale mostrato nella figura 5. Pertanto, le parti identificate con gli stessi numeri di riferimento hanno struttura e funzioni analoghe nei due casi. In order to overcome the drawbacks associated with backcontactbacksheets known in the state of the art, the backcontactbacksheet 200 for photovoltaic modules is proposed according to an embodiment of the present invention shown in Figure 6. The backcontact-backsheet 200 shown schematically in Figure 6 is a evolution of the traditional backcontact-backsheet 200 shown in Figure 5. Therefore, the parts identified with the same reference numbers have similar structure and functions in the two cases.

Il backcontact-backsheet 200 secondo la forma di realizzazione mostrata in figura 6 comprende: un substrato isolante 210 comprendente una superficie inferiore o posteriore o esterna esposta al lato-aria del modulo fotovoltaico e una superficie superiore o interna opposta alla superficie esposta al lato-aria e uno strato di materiale conduttivo 220 accoppiato alla superficie superiore o interna del substrato isolante 210. Il backcontact-backsheet mostrato nella figura 6 comprende inoltre uno strato di materiale dielettrico 240 fissato alla superficie superiore o interna dello strato isolante 210 e allo strato di materiale conduttivo 220 in modo da ricoprire parzialmente il circuito di collegamento formato nello strato conduttivo 220. Lo strato di materiale dielettrico 240 comprende una superficie inferiore rivolta verso il substrato isolante 210 e una superficie superiore opposta alla superficie inferiore. Lo strato di materiale dielettrico 240 presenta una pluralità di aperture passanti 242, ciascuna posta in corrispondenza di una delle piazzole conduttive 222 formate nel circuito di collegamento per contattare gli elettrodi delle celle fotovoltaiche. The backcontact-backsheet 200 according to the embodiment shown in figure 6 comprises: an insulating substrate 210 comprising a lower or rear or external surface exposed to the air-side of the photovoltaic module and an upper or internal surface opposite the surface exposed to the air-side and a layer of conductive material 220 coupled to the upper or inner surface of the insulating substrate 210. The backcontact-backsheet shown in Figure 6 further comprises a layer of dielectric material 240 attached to the upper or inner surface of the insulating layer 210 and to the layer of conductive material 220 so as to partially cover the connection circuit formed in the conductive layer 220. The layer of dielectric material 240 comprises a lower surface facing the insulating substrate 210 and an upper surface opposite the lower surface. The layer of dielectric material 240 has a plurality of through openings 242, each located in correspondence with one of the conductive pads 222 formed in the connection circuit for contacting the electrodes of the photovoltaic cells.

Il backcontact-backsheet mostrato nella figura 6 comprende inoltre uno strato protettivo 260 applicato almeno alle porzioni esposte dello strato di materiale conduttivo 220. Infine, uno strato di materiale incapsulante 280 è accoppiato alla superficie superiore del backcontact-backsheet 200 rivolta verso le celle fotovoltaiche. The backcontact-backsheet shown in Figure 6 further comprises a protective layer 260 applied at least to the exposed portions of the layer of conductive material 220. Finally, a layer of encapsulating material 280 is coupled to the upper surface of the backcontact-backsheet 200 facing the photovoltaic cells.

Lo strato di materiale incapsulante 280 viene fissato alla superficie superiore dello strato di materiale dielettrico 240 sottostante in modo da aderire solidalmente allo strato di materiale dielettrico 240. Inoltre, lo strato di materiale incapsulante 280 è formato in modo da presentare una pluralità di fori passanti 282. Ciascun foro 282 dello strato di materiale incapsulante 280 corrisponde ad un'apertura 242 dello strato di materiale dielettrico 240. Ciascun foro 282 dello strato di materiale incapsulante 280 è pertanto allineato alla e comunicante con la corrispondente apertura 242 dello strato di materiale dielettrico 240 in modo da formare un'unica apertura 286 che lascia esposte porzioni predeterminate dello strato di materiale conduttivo 220 ricoperte dallo strato protettivo 260. In particolare, le piazzole conduttive 222 mostrate nelle figure da 3 a 6 e ricoperte dallo strato protettivo 260 sono lasciate esposte attraverso le aperture 286 dello strato di materiale incapsulante 280 e dello strato di materiale dielettrico 240. In tal modo si fornisce un backcontact-backsheet in cui lo strato di materiale incapsulante inferiore 400 è compreso nel backcontact-backsheet e solidalmente fissato ad esso. Il produttore di moduli fotovoltaici non si deve in questo modo più porre il problema di dover forare lo strato di materiale incapsulante inferiore prima del montaggio, in modo tale che i fori sullo strato di incapsulante riproducano lo stesso motivo delle piazzole sul circuito di collegamento dello strato di materiale conduttivo. Inoltre, il produttore di moduli solari può velocizzare, semplificare ed economizzare la produzione migliorandone al contempo la qualità. Infatti, grazie al backcontact-backsheet mostrato nella figura 6, tutti i rischi legati allo spostamento dello strato di materiale incapsulante rispetto al backcontact-backsheet sono eliminati durante tutte le fasi dell'assemblaggio. The layer of encapsulating material 280 is fixed to the upper surface of the layer of dielectric material 240 below so as to adhere integrally to the layer of dielectric material 240. Furthermore, the layer of encapsulating material 280 is formed so as to have a plurality of through holes 282 Each hole 282 of the layer of encapsulating material 280 corresponds to an opening 242 of the layer of dielectric material 240. Each hole 282 of the layer of encapsulating material 280 is therefore aligned with and communicating with the corresponding opening 242 of the layer of dielectric material 240 in so as to form a single opening 286 which leaves exposed predetermined portions of the layer of conductive material 220 covered by the protective layer 260. In particular, the conductive pads 222 shown in Figures 3 to 6 and covered by the protective layer 260 are left exposed through the openings 286 of the layer of encapsulant material and 280 and of the dielectric material layer 240. In this way a backcontact-backsheet is provided in which the lower encapsulating material layer 400 is included in the backcontact-backsheet and integrally fixed thereto. In this way, the manufacturer of photovoltaic modules no longer has to pose the problem of having to drill the lower encapsulating material layer before mounting, so that the holes on the encapsulant layer reproduce the same pattern as the pads on the connecting circuit of the layer. of conductive material. In addition, the solar module manufacturer can speed up, simplify and economize production while improving quality. In fact, thanks to the backcontact-backsheet shown in figure 6, all the risks associated with the displacement of the layer of encapsulating material with respect to the backcontact-backsheet are eliminated during all stages of the assembly.

Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, il substrato isolante 210 può comprendere un primo strato isolante 212, uno strato intermedio 214 e un secondo strato isolante 216. According to an embodiment of the present invention, the insulating substrate 210 can comprise a first insulating layer 212, an intermediate layer 214 and a second insulating layer 216.

Il primo strato isolante 212 può comprendere un polimero quale polivinilfluoruro (PVF), polivinildenfluoruro (PVDF), polietilene tereftalato (PET) o altri polimeri. Il primo strato isolante 212 può avere uno spessore di approssimativamente 25-75 pm o superiore. Lo strato intermedio 214 può comprendere un materiale non trasparente al vapore acqueo quale alluminio. Lo strato intermedio 214 può avere uno spessore compreso tra 8 e 25 pm. Il secondo strato isolante 216 può comprendere un polimero quale polietilene tereftalato (PET) o simili. Il secondo strato isolante 216 può avere uno spessore di approssimativamente 125-350 pm o superiore. The first insulating layer 212 may comprise a polymer such as polyvinylfluoride (PVF), polyvinyldenfluoride (PVDF), polyethylene terephthalate (PET) or other polymers. The first insulating layer 212 may have a thickness of approximately 25-75 µm or greater. The intermediate layer 214 may comprise a non-transparent material to water vapor such as aluminum. The intermediate layer 214 can have a thickness ranging from 8 to 25 µm. The second insulating layer 216 may comprise a polymer such as polyethylene terephthalate (PET) or the like. The second insulating layer 216 may have a thickness of approximately 125-350 µm or greater.

Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato intermedio 214 non è presente e il substrato isolante 210 comprende soltanto un primo strato isolante 212 e un secondo strato isolante 216 accoppiato direttamente al primo strato isolante 212. According to a further embodiment of the present invention, the intermediate layer 214 is not present and the insulating substrate 210 comprises only a first insulating layer 212 and a second insulating layer 216 directly coupled to the first insulating layer 212.

Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato conduttivo 220 può comprendere un metallo ad alta conducibilità elettrica quale rame, alluminio o simili. Secondo una ulteriore forma di realizzazione, lo strato conduttivo 220 comprende una base di alluminio su cui sia depositato uno strato sottile di rame. According to an embodiment of the present invention, the conductive layer 220 can comprise a metal with high electrical conductivity such as copper, aluminum or the like. According to a further embodiment, the conductive layer 220 comprises an aluminum base on which a thin layer of copper is deposited.

Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato conduttivo 220 può essere formato da un foglio prestampato nella forma di circuito che viene poi applicato alla superficie del secondo strato isolante 216 rivolta verso l'interno del modulo fotovoltaico. Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato conduttivo 220 può essere applicato in modo omogeneo e continuo sulla superficie del substrato isolante 210 in modo da non presentare fori né aperture. Il circuito di collegamento può poi venire formato su tale strato continuo per mezzo di una delle tecniche descritte precedentemente con riferimento alla figura 5, cioè etching chimico tradizionale, fresatura meccanica, ablazione laser, ecc. Lo strato conduttivo 220 può avere uno spessore approssimativamente compreso tra 25 e 70 pm. According to an embodiment of the present invention, the conductive layer 220 can be formed from a pre-printed sheet in the form of a circuit which is then applied to the surface of the second insulating layer 216 facing the interior of the photovoltaic module. According to a further embodiment of the present invention, the conductive layer 220 can be applied homogeneously and continuously on the surface of the insulating substrate 210 so as not to have holes or openings. The connection circuit can then be formed on this continuous layer by means of one of the techniques described above with reference to Figure 5, i.e. traditional chemical etching, mechanical milling, laser ablation, etc. The conductive layer 220 can have a thickness of approximately 25 to 70 µm.

Lo strato protettivo 260 può comprendere un materiale organico. In alternativa oppure in aggiunta al materiale organico, lo strato protettivo 260 può comprendere uno strato sottile di un metallo quale nichel, stagno, argento o una combinazione di metalli depositati sulla superficie dello strato di materiale conduttivo 220 rivolta verso l'interno del modulo fotovoltaico. Lo strato protettivo può avere uno spessore compreso tra 2 e 5 pm. Lo strato protettivo 260 può essere formato sullo strato di materiale conduttore 220 precedentemente all'applicazione dello strato di materiale conduttore 220 sulla superficie del substrato 210 del backsheet-backcontact 200. The protective layer 260 may comprise an organic material. Alternatively or in addition to the organic material, the protective layer 260 may comprise a thin layer of a metal such as nickel, tin, silver or a combination of metals deposited on the surface of the conductive material layer 220 facing the interior of the photovoltaic module. The protective layer can have a thickness of between 2 and 5 µm. The protective layer 260 can be formed on the layer of conductive material 220 prior to the application of the layer of conductive material 220 on the surface of the substrate 210 of the backsheet-backcontact 200.

Secondo forme di realizzazione alternative della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 comprende una resina scelta tra le resine acriliche, poliestere, copoliestere, epossidiche o epossifenoliche. Secondo altre forme di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 comprende una resina scelta fra le resine termoplastiche o fra le resine termoindurenti e comunque tra le resine comunemente usate in elettronica per applicazioni analoghe. According to alternative embodiments of the present invention, the dielectric material layer 240 comprises a resin selected from acrylic, polyester, copolyester, epoxy or epoxy phenolic resins. According to other embodiments of the present invention, the layer of dielectric material 240 comprises a resin selected from among the thermoplastic resins or among the thermosetting resins and in any case among the resins commonly used in electronics for similar applications.

Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale dielettrico 240 ha uno spessore compreso tra circa 10 e circa 20 pm. According to an embodiment of the present invention, the dielectric material layer 240 has a thickness of between about 10 and about 20 µm.

Secondo alcune forme di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 comprende materiali quali polivinil acetato, poliolefine, termopoliolefine, monomeri o polimeri di polietilene, siliconi, ionomeri, oppure ÈVA. Secondo una forma di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 ha uno spessore da circa 200 a circa 600 pm. According to some embodiments of the present invention, the encapsulating material layer 280 comprises materials such as polyvinyl acetate, polyolefins, thermopolyolefins, polyethylene monomers or polymers, silicones, ionomers, or EVA. According to an embodiment of the present invention, the encapsulating material layer 280 has a thickness of about 200 to about 600 µm.

Il backcontact-backsheet 200 mostrato nella figura 6 permette di velocizzare, semplificare e rendere più precise le operazioni di assemblaggio di un modulo fotovoltaico, grazie al fatto che la punzonatura e l'allineamento con il backcontact-backsheet dello strato di materiale incapsulante posto tra le celle e il backcontact-backsheet non sono più richiesti. Infatti, lo strato di materiale incapsulante che a modulo ultimato si troverà tra le celle e lo strato conduttivo del backcontact-backsheet è fornito come parte integrante del backcontact-backsheet 200 secondo la forma di realizzazione dell'invenzione mostrata nella figura 6. Perciò, durante il montaggio del modulo, le celle fotovoltaiche possono essere poste direttamente sopra il backcontact-backsheet 200 mostrato nella figura 6, senza alcun bisogno di interporre un foglio di materiale incapsulante tra le celle e la superficie del backcontact-backsheet rivolta verso le celle, essendo lo strato di materiale incapsulante 280 già compreso nel backcontactbacksheet. In tal modo, lo strato di materiale incapsulante 280 fornito con il backcontact-backsheet 200 della figura 6 e solidale ad esso sostituisce il foglio 400 di materiale incapsulante usato durante il montaggio tradizionale di un pannello fotovoltaico e mostrato nelle figure 3, 4a e 4b. The backcontact-backsheet 200 shown in figure 6 allows to speed up, simplify and make more precise the assembly operations of a photovoltaic module, thanks to the fact that the punching and alignment with the backcontact-backsheet of the layer of encapsulating material placed between the cells and the backcontact-backsheet are no longer required. In fact, the layer of encapsulating material which, upon completion of the module, will be found between the cells and the conductive layer of the backcontact-backsheet is provided as an integral part of the backcontact-backsheet 200 according to the embodiment of the invention shown in Figure 6. Therefore, during the assembly of the module, the photovoltaic cells can be placed directly above the backcontact-backsheet 200 shown in figure 6, without any need to interpose a sheet of encapsulating material between the cells and the surface of the backcontact-backsheet facing the cells, being the layer of encapsulating material 280 already included in the backcontactbacksheet. In this way, the layer of encapsulating material 280 supplied with the backcontact-backsheet 200 of figure 6 and integral with it replaces the sheet 400 of encapsulating material used during the traditional assembly of a photovoltaic panel and shown in figures 3, 4a and 4b.

Le figure 7a e 7b mostrano procedimenti alternativi per realizzare un backcontact-backsheet secondo due forme di realizzazione alternative della presente invenzione Figures 7a and 7b show alternative methods for making a backcontact-backsheet according to two alternative embodiments of the present invention

Il procedimento secondo la forma di realizzazione mostrata nella figura 7a prevede che lo strato di materiale dielettrico 240 venga depositato in modo continuo e a fondo pieno sul substrato isolante 210 e sullo strato di materiale conduttivo 220 che forma un motivo costituente il circuito di collegamento con gli elettrodi delle celle, come descritto precedentemente. Ancora come descritto in relazione alle figure 5 e 6, lo strato di materiale conduttivo 220 è ricoperto dallo strato di materiale protettivo 260. Lo strato di materiale dielettrico 240 viene così depositato in modo da coprire uniformemente l'intera superficie del circuito di collegamento. In particolare, appena dopo la deposizione dello strato di materiale dielettrico 240, le piazzole conduttive 222 per il collegamento con i contatti sulla cella sono coperte dallo strato di materiale dielettrico 240 deposto. La deposizione dello strato di materiale dielettrico 240 può avvenire per esempio mediante spalmatura full web, gravure, offset, spray coating o altre tecniche analoghe e note alla persona del mestiere. The method according to the embodiment shown in Figure 7a provides that the layer of dielectric material 240 is deposited in a continuous and full-bottomed manner on the insulating substrate 210 and on the layer of conductive material 220 which forms a pattern constituting the connection circuit with the electrodes of the cells, as described above. Again as described in relation to Figures 5 and 6, the layer of conductive material 220 is covered by the layer of protective material 260. The layer of dielectric material 240 is thus deposited so as to uniformly cover the entire surface of the connection circuit. In particular, just after the deposition of the layer of dielectric material 240, the conductive pads 222 for the connection with the contacts on the cell are covered by the layer of dielectric material 240 deposited. The deposition of the layer of dielectric material 240 can take place for example by means of full web coating, gravure, offset, spray coating or other similar techniques known to the person skilled in the art.

Il procedimento secondo la forma di realizzazione mostrata in figura 7b prevede invece che lo strato di materiale dielettrico 240 venga depositato in modo da formare una pluralità di fori passanti 242 in posizioni predeterminate. Più specificamente, i fori 242 sono formati nello strato di materiale dielettrico 240 in modo che esso lasci esposte quelle porzioni del circuito di collegamento formato nello strato di materiali conduttore 220 corrispondenti alle piazzole 222, eventualmente ricoperte dallo strato protettivo 260. Questo tipo di deposizione dello strato di materiale dielettrico 240 è analogo a quello descritto a proposito del backcontactbacksheet tradizionale mostrato nella figura 5. La deposizione dello strato di materiale dielettrico 240 può avvenire per esempio mediante un processo serigrafico. The method according to the embodiment shown in Figure 7b, on the other hand, provides for the layer of dielectric material 240 to be deposited so as to form a plurality of through holes 242 in predetermined positions. More specifically, the holes 242 are formed in the dielectric material layer 240 so that it leaves exposed those portions of the connection circuit formed in the conductive material layer 220 corresponding to the pads 222, possibly covered by the protective layer 260. This type of deposition of the dielectric material layer 240 is similar to that described with regard to the traditional backcontactbacksheet shown in Figure 5. The deposition of the dielectric material layer 240 can take place for example by means of a screen printing process.

Sia nel caso della forma di realizzazione mostrata nella figura 7a che in quello della forma di realizzazione mostrata nella figura 7b, lo strato di materiale incapsulante 280 viene poi accoppiato o fissato alla superficie superiore dello strato di materiale dielettrico 240 rivolta verso l'interno del modulo fotovoltaico, cioè verso le celle 600. E' preferibile che lo strato di materiale incapsulante 280 mostrato nelle figure 7a e 7b e accoppiato allo strato di materiale dielettrico 240 sia inizialmente un foglio continuo e connesso, privo di aperture. La figura 8 mostra la fase finale del procedimento per produrre un backcontact-backsheet secondo le forme di realizzazione mostrate nelle figure 7a e 7b. In both the case of the embodiment shown in Figure 7a and in that of the embodiment shown in Figure 7b, the encapsulating material layer 280 is then coupled or attached to the upper surface of the dielectric material layer 240 facing inward of the module. photovoltaic, ie towards the cells 600. It is preferable that the layer of encapsulating material 280 shown in Figures 7a and 7b and coupled to the layer of dielectric material 240 is initially a continuous and connected sheet, without openings. Figure 8 shows the final step of the process for producing a backcontact-backsheet according to the embodiments shown in Figures 7a and 7b.

Una volta che lo strato di materiale incapsulante 280 sia stato fissato allo strato di materiale dielettrico 240, lo strato di materiale incapsulante 280 viene trattato in modo da praticare in esso dei fori. Come mostrato in figura 8, fori passanti 282 vengono aperti nello strato di materiale incapsulante 280 in posizioni predeterminate corrispondenti ad altrettante posizioni predeterminate sul circuito di collegamento formato nello strato di materiale conduttivo 220. Più specificamente, ciascun foro 282 viene praticato nello strato di materiale incapsulante 280 in corrispondenza di una piazzola 222 sul circuito di collegamento. Once the encapsulating material layer 280 has been attached to the dielectric material layer 240, the encapsulating material layer 280 is treated to drill holes therein. As shown in Figure 8, through holes 282 are opened in the layer of encapsulating material 280 in predetermined positions corresponding to as many predetermined positions on the connecting circuit formed in the layer of conductive material 220. More specifically, each hole 282 is made in the layer of encapsulating material 280 at a pad 222 on the connection circuit.

Secondo la forma di realizzazione mostrata nella figura 7a, una volta che lo strato di materiale incapsulante 280 sia stato forato, si praticano i fori passanti 242 nel materiale dielettrico 240 in posizioni corrispondenti alle posizione dei fori 282 dello strato di materiale incapsulante 280. Lo strato di materiale dielettrico 240 può essere forato per ablazione ottenuta mediante una tecnica come l'ablazione meccanica mediante fresatura, l'ablazione laser, laser contouring o tecniche simili note alla persona del mestiere. Lo strato di materiale dielettrico 240 può essere anche forato mediante punzonatura non passante. According to the embodiment shown in Figure 7a, once the layer of encapsulating material 280 has been perforated, the through holes 242 are drilled in the dielectric material 240 in positions corresponding to the positions of the holes 282 of the layer of encapsulating material 280. The layer of dielectric material 240 can be perforated by ablation obtained by a technique such as mechanical ablation by milling, laser ablation, laser contouring or similar techniques known to the person of the art. The layer of dielectric material 240 can also be perforated by non-passing punching.

Nel caso della forma di realizzazione mostrata in figura 7b, non è necessario praticare ulteriori fori passanti nello strato di materiale dielettrico 240 dopo aver forato lo strato incapsulante 280, in quanto lo strato dielettrico 240 è stato depositato in modo da presentare le aperture 242, ciascuna delle quali è in corrispondenza con una piazzola 222 del circuito di collegamento. Dal momento che anche i fori passanti 282 dello strato di materiale incapsulante 280 sono stati praticati in corrispondenza delle piazzole 222, dopo il processo di foratura dello strato incapsulante 280 avviene che ciascun foro 282 dello strato di materiale incapsulante 280 si trova in corrispondenza con un foro 242 dello strato di materiale dielettrico 240 preformato al momento della deposizione dello strato dielettrico 240. In the case of the embodiment shown in Figure 7b, it is not necessary to drill further through holes in the dielectric material layer 240 after drilling the encapsulating layer 280, since the dielectric layer 240 has been deposited so as to present the openings 242, each of which it is in correspondence with a pad 222 of the connection circuit. Since the through holes 282 of the layer of encapsulating material 280 have also been made in correspondence with the pads 222, after the drilling process of the encapsulating layer 280 it happens that each hole 282 of the layer of encapsulating material 280 is in correspondence with a hole 242 of the dielectric material layer 240 preformed at the time of deposition of the dielectric layer 240.

Pertanto, come mostrato nella figura 8, a ciascun foro passante 282 dello strato di materiale incapsulante 280 corrisponde un foro passante 242 dello strato di materiale dielettrico 240. I fori 282 e 242, essendo allineati, formano così un'unica apertura 286 che lascia esposta una porzione dello strato di materiale conduttivo 220 prima coperta dagli strati di materiale dielettrico 240 e di materiale incapsulante 280. Più in particolare, i fori corrispondenti 282 e 242 vengono praticati in modo da esporre le piazzole conduttive 222, eventualmente ricoperte dallo strato protettivo 260 e formate sullo strato conduttivo 220 al fine di contattare gli elettrodi delle celle. Le piazzole o punti di contatto 222 sul backcontact-backsheet possono così essere messi in contatto elettrico attraverso i fori 242 e 282 con i contatti ohmici 640 oppure 624 sulla superficie posteriore della cella 600 attraverso i fori passanti 286 attraverso gli strati 240 e 280. Tali contatti ohmici 640 e 624 possono per esempio essere formati, rispettivamente, sull'elettrodo positivo (contatto p) e sull'elettrodo negativo (contatto n) della cella fotovoltaica 600, come mostrato anche nella figura 2. Therefore, as shown in Figure 8, each through hole 282 of the layer of encapsulating material 280 corresponds to a through hole 242 of the layer of dielectric material 240. The holes 282 and 242, being aligned, thus form a single opening 286 which leaves exposed a portion of the layer of conductive material 220 first covered by the layers of dielectric material 240 and of encapsulating material 280. More particularly, the corresponding holes 282 and 242 are made so as to expose the conductive pads 222, possibly covered by the protective layer 260 and formed on the conductive layer 220 in order to contact the electrodes of the cells. The pads or contact points 222 on the backcontact-backsheet can thus be put into electrical contact through the holes 242 and 282 with the ohmic contacts 640 or 624 on the rear surface of the cell 600 through the through holes 286 through the layers 240 and 280. Such ohmic contacts 640 and 624 can for example be formed, respectively, on the positive electrode (contact p) and on the negative electrode (contact n) of the photovoltaic cell 600, as also shown in Figure 2.

Secondo una forma particolare di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 viene fissato debolmente ( 0,3 N/cm <peel < 1 N/cm, dove con il termine "peel" si intende una forza di adesione) allo strato di materiale dielettrico 240 sottostante. Lo strato di materiale incapsulante 280 può essere fissato allo strato di materiale dielettrico 240 mediante coestrusione, attivazione corona o per mezzo di un debole adesivo depositato sul dielettrico quale un poliuretano bicomponente a solvente o solventless. Secondo questa forma di realizzazione il fissaggio definitivo tra lo strato di materiale incapsulante 280 e lo strato di materiale dielettrico avviene durante il processo di laminazione dell'intero modulo fotovoltaico. La laminazione provoca la fusione e successiva adesione con polimerizzazione dello strato di materiale incapsulante (280). La laminazione può essere per esempio quella descritta precedentemente con riferimento alla figura 4b. According to a particular embodiment of the present invention, the layer of encapsulating material 280 is weakly fixed (0.3 N / cm <peel <1 N / cm, where the term "peel" means an adhesion force) to the layer of dielectric material 240 below. The encapsulating material layer 280 can be attached to the dielectric material layer 240 by coextrusion, corona activation or by means of a weak adhesive deposited on the dielectric such as a solvent-based or solventless two-component polyurethane. According to this embodiment, the final fixing between the layer of encapsulating material 280 and the layer of dielectric material takes place during the lamination process of the entire photovoltaic module. The lamination causes the melting and subsequent adhesion with polymerization of the layer of encapsulating material (280). The lamination can be for example that described above with reference to Figure 4b.

Secondo una forma di realizzazione, il valore di specifica di adesione tra incapsulante e dielettrico viene raggiunto durante la laminazione del pannello facendo riattivare la resina dell'incapsulante, secondo una procedura ben nota alla persona esperta del campo dei moduli fotovoltaici. According to an embodiment, the adhesion specification value between the encapsulant and the dielectric is reached during the lamination of the panel by reactivating the resin of the encapsulant, according to a procedure well known to the person skilled in the field of photovoltaic modules.

Secondo una forma particolare di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 può venire forato mediante una punzonatura non passante e successiva asportazione della porzione dello strato di materiale incapsulante 280 punzonata. L'asportazione della porzione punzonata può avvenire per esempio mediante aspirazione. Secondo questa forma di realizzazione è preferibile che lo strato di materiale incapsulante 280 sia fissato debolmente allo strato di materiale dielettrico 240 sottostante. L'asportazione della porzione punzonata dello strato di materiale incapsulante 280 si ottiene in questo modo piuttosto agevolmente in quanto l'adesione dello strato di materiale incapsulante 280 allo strato di materiale dielettrico 240 sottostante è ridotta, dal momento che lo strato di materiale incapsulante 280 è fissato solo debolmente allo strato di materiale dielettrico 240. La punzonatura offre poi il vantaggio della ripetibilità, in quanto si può utilizzare uno stampo comprendente una matrice in cui una pluralità di punzoni è disposta in modo da riprodurre il motivo secondo cui i fori da praticare sullo strato di materiale incapsulante 280 devono essere disposti. Questa matrice può per esempio comprendere 31 punzoni disposti in modo da corrispondere ciascuno alla posizione di uno dei contatti ohmici 624 e 640 sulla superficie posteriore di una cella 600 mostrati nella figura lb. Lo stampo con la matrice si può poi traslare di una distanza e direzione predeterminate in modo da praticare i fori sull'intera superficie dello strato di materiale incapsulante 280 fissato allo strato di materiale dielettrico 240, a sua volta fissato al backcontact-backheet 200. According to a particular embodiment of the present invention, the layer of encapsulating material 280 can be perforated by means of a non-through punching and subsequent removal of the portion of the layer of encapsulating material 280 punched. The removal of the punched portion can take place for example by suction. According to this embodiment it is preferable that the layer of encapsulating material 280 is weakly fixed to the layer of dielectric material 240 below. The removal of the punched portion of the layer of encapsulating material 280 is obtained in this way rather easily since the adhesion of the layer of encapsulating material 280 to the layer of dielectric material 240 below is reduced, since the layer of encapsulating material 280 is fixed only weakly to the layer of dielectric material 240. Punching then offers the advantage of repeatability, since a mold comprising a matrix can be used in which a plurality of punches is arranged so as to reproduce the pattern according to which the holes to be drilled on the layer of encapsulating material 280 must be arranged. This matrix may for example comprise 31 punches arranged to each correspond to the position of one of the ohmic contacts 624 and 640 on the rear surface of a cell 600 shown in Figure 1b. The mold with the matrix can then be translated by a predetermined distance and direction in order to drill the holes on the entire surface of the layer of encapsulating material 280 fixed to the layer of dielectric material 240, in turn fixed to the backcontact-backheet 200.

Secondo ulteriori forme di realizzazione della presente invenzione, lo strato di materiale incapsulante 280 può venire forato mediante ablazione laser, laser contouring con successiva asportazione della porzione rimossa, oppure per fresatura meccanica. According to further embodiments of the present invention, the layer of encapsulating material 280 can be perforated by laser ablation, laser contouring with subsequent removal of the removed portion, or by mechanical milling.

Secondo una ulteriore forma particolare di realizzazione della presente invenzione lo strato di materiale incapsulante 280 viene fissato saldamente allo strato di materiale dielettrico 240 sottostante tramite un adesivo o coestrusione in modo da realizzare un legame relativamente forte tra lo strato incapsulante 280 e lo strato dielettrico 240. Secondo questa forma particolare di realizzazione la foratura dello strato di materiale incapsulante 280 avviene preferibilmente mediante evaporazione o fresatura, essendo la adesione tra gli strati 240 e 280 elevata. According to a further particular embodiment of the present invention, the encapsulating material layer 280 is firmly fixed to the underlying dielectric material layer 240 by means of an adhesive or coextrusion so as to achieve a relatively strong bond between the encapsulating layer 280 and the dielectric layer 240. According to this particular embodiment, the perforation of the layer of encapsulating material 280 is preferably performed by evaporation or milling, since the adhesion between the layers 240 and 280 is high.

Al termine del processo di foratura dello strato di materiale incapsulante 280 e, nel caso della forma di realizzazione di figura 7a, dello strato di materiale dielettrico 240, si ottiene una pluralità di fori 286 (cf. figure 6 e 8) che mettono in comunicazione le piazzole conduttive 222 sul circuito di collegamento dello strato di materiale conduttivo 220 con l'esterno. Queste piazzole conduttive 222 esposte sulla superficie dello strato conduttivo 220 e formate in posizioni corrispondenti ai contatti ohmici 640 e 624 sulla superficie posteriore delle celle 600, possono poi essere messe in contatto elettrico con i contatti ohmici 640 e 624 sulla cella 600 mostrati nella figura 8. Come precedentemente descritto, il contatto elettrico fra le piazzole 222 e i contatti ohmici 640 e 624 è realizzato depositando un grumo di pasta conduttiva su ciascuna delle piazzole 222 e adagiando la cella sul backcontact-backsheet 200 in modo tale che ciascun punto di contatto 640 e 624 sia in contatto con la pasta conduttiva applicata alla piazzola 222 corrispondente. Le fasi successive dell'assemblaggio del modulo solare possono poi procedere come descritto sopra. At the end of the drilling process of the layer of encapsulating material 280 and, in the case of the embodiment of Figure 7a, of the layer of dielectric material 240, a plurality of holes 286 are obtained (see Figures 6 and 8) which connect the conductive pads 222 on the circuit for connecting the layer of conductive material 220 with the outside. These conductive pads 222 exposed on the surface of the conductive layer 220 and formed in positions corresponding to the ohmic contacts 640 and 624 on the rear surface of the cells 600, can then be electrically contacted with the ohmic contacts 640 and 624 on the cell 600 shown in Figure 8. . As previously described, the electrical contact between the pads 222 and the ohmic contacts 640 and 624 is achieved by depositing a lump of conductive paste on each of the pads 222 and placing the cell on the backcontact-backsheet 200 so that each contact point 640 and 624 is in contact with the conductive paste applied to the corresponding pad 222. The subsequent steps of assembling the solar module can then proceed as described above.

Secondo una ulteriore forma di realizzazione della presente invenzione, dopo aver forato lo strato di materiale incapsulante 280 e, nel caso della forma di realizzazione di figura 7a, lo strato di materiale dielettrico 240 così da ottenere la pluralità di fori 286 che espongono le piazzole conduttive 222 sul circuito di collegamento dello strato di materiale conduttivo 220, si deposita uno strato di materiale adesivo elettricamente conduttivo sulle piazzole 222 attraverso i fori 286. Preferibilmente, il materiale adesivo conduttivo è depositato sulle piazzole 222 in forma di strato sottile. Secondo una forma particolare di realizzazione, lo strato di materiale adesivo elettricamente conduttivo si deposita su ciascuna piazzola 222 esposta all'esterno attraverso il foro 286 corrispondente. Secondo una forma di realizzazione alternativa, lo strato di materiale adesivo elettricamente conduttivo si deposita su alcune predeterminate piazzole 222 esposte all'esterno attraverso i fori 286 corrispondenti. Lo strato di materiale adesivo conduttivo ha la funzione di evitare l'ossidazione della superficie esposta delle piazzole 222 dello strato di materiale conduttivo 220. Secondo una forma particolare di realizzazione, lo strato di materiale adesivo elettricamente conduttivo comprende una pasta quale ECA. According to a further embodiment of the present invention, after having perforated the layer of encapsulating material 280 and, in the case of the embodiment of figure 7a, the layer of dielectric material 240 so as to obtain the plurality of holes 286 which expose the conductive pads 222 on the connecting circuit of the layer of conductive material 220, a layer of electrically conductive adhesive material is deposited on the pads 222 through the holes 286. Preferably, the conductive adhesive material is deposited on the pads 222 in the form of a thin layer. According to a particular embodiment, the layer of electrically conductive adhesive material is deposited on each pad 222 exposed to the outside through the corresponding hole 286. According to an alternative embodiment, the layer of electrically conductive adhesive material is deposited on some predetermined pads 222 exposed to the outside through the corresponding holes 286. The layer of conductive adhesive material has the function of avoiding oxidation of the exposed surface of the pads 222 of the layer of conductive material 220. According to a particular embodiment, the layer of electrically conductive adhesive material comprises a paste such as ECA.

Sebbene la presente invenzione sia stata descritta con riferimento alle forme di realizzazione descritte sopra, è chiaro per l’esperto del ramo che è possibile realizzare diverse modifiche, variazioni e miglioramenti della presente invenzione alla luce dell’insegnamento descritto sopra e nell’ ambito delle rivendicazioni allegate senza allontanarsi dall’ oggetto e dall’ ambito di protezione dell’invenzione. Oltre a ciò, quegli ambiti che si ritengono conosciuti da parte degli esperti del ramo non sono stati descritti per evitare di mettere eccessivamente in ombra in modo inutile l’ invenzione descritta. Di conseguenza, l’invenzione non è limitata alle forme di realizzazione descritte sopra, ma è limitata esclusivamente dall’ ambito di protezione delle rivendicazioni allegate. Although the present invention has been described with reference to the embodiments described above, it is clear to the person skilled in the art that it is possible to carry out various modifications, variations and improvements of the present invention in light of the teaching described above and within the scope of the claims. attached without departing from the object and scope of the invention. In addition to this, those areas that are considered to be known by those skilled in the art have not been described in order to avoid unnecessarily overshadowing the described invention. Consequently, the invention is not limited to the embodiments described above, but is limited exclusively by the scope of protection of the attached claims.

Claims (17)

RIVENDICAZIONI 1. Backcontact-backsheet per un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente, detto backcontact-backsheet comprendendo: un substrato (210) avente una superficie esterna esposta verso il lato-aria di detto modulo fotovoltaico e una superficie interna opposta a detta superficie esterna ed esposta verso l'interno di detto modulo fotovoltaico, uno strato di materiale conduttivo elettrico (220) formato come circuito di collegamento agli elettrodi di dette celle solari e saldamente aderente a detta superficie interna di detto substrato (210), uno strato di materiale dielettrico (240) avente una superficie inferiore rivolta verso detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) e detto substrato (210) e una superficie superiore opposta a detta superficie inferiore, essendo detto strato di materiale dielettrico (240) depositato su detta superficie interna di detto substrato (210) e detto strato di materiale conduttivo elettrico (220), essendo detto strato di materiale dielettrico (240) atto a isolare in modo selettivo detto circuito formato da detto strato di materiale conduttivo elettrico (240), avendo detto strato di materiale dielettrico (240) una pluralità di fori passanti (242), ciascuno di detti fori passanti (242) essendo atto a lasciare esposta una porzione predeterminata di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220), uno strato di materiale incapsulante (280) accoppiato a detta superficie superiore di detto strato di materiale dielettrico (240) in modo da essere stabilmente fissato a detto strato di materiale dielettrico (240), detto strato di materiale incapsulante (280) essendo provvisto di una pluralità di fori passanti (282), ciascuno di detti fori (282) di detto strato di materiale incapsulante (280) essendo praticato in corrispondenza di uno di detti fori (242) di detto strato di materiale dielettrico (240) così da lasciare esposta detta porzione di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) lasciata esposta da detto foro (242) di detto strato di materiale dielettrico (240). CLAIMS 1. Backcontact-backsheet for a photovoltaic module comprising rear-contacted solar cells, said backcontact-backsheet comprising: a substrate (210) having an external surface exposed towards the air-side of said photovoltaic module and an internal surface opposite to said external surface and exposed towards the inside of said photovoltaic module, a layer of electrical conductive material (220) formed as a connection circuit to the electrodes of said solar cells and firmly adhering to said internal surface of said substrate (210), a layer of dielectric material (240) having a lower surface facing towards said layer of electrical conductive material (220) and said substrate (210) and an upper surface opposite to said lower surface, said layer of dielectric material (240) being deposited on said inner surface of said substrate (210) and said layer of electrical conductive material (220), said layer of dielectric material (240) being able to selectively insulate said circuit formed by said layer of electrical conductive material (240), having said layer of dielectric material (240) a plurality of through holes (242), each of said through holes (242) being adapted to leave exposed a predetermined portion of said layer of electrical conductive material (220), a layer of encapsulating material (280) coupled to said upper surface of said layer of dielectric material (240) so as to be stably fixed to said layer of dielectric material (240), said layer of encapsulating material (280) being provided with a plurality of through holes (282), each of said holes (282) of said layer of encapsulating material (280) being made in correspondence with one of said holes (242) of said layer of dielectric material (240) so as to leave said portion of said layer of electrical conductive material (220) left exposed by said hole (242) of said layer of dielectric material (240). 2. Backcontact-backsheet per celle solari secondo la rivendicazione 1 in cui detto substrato (210) comprende un primo strato isolante (212) di un primo materiale polimerico avente una superficie esterna rivolta verso il lato-aria del modulo fotovoltaico e una superficie interna opposta a detta superficie esterna e un secondo strato isolante (216) di un secondo materiale polimerico accoppiato a detta superficie interna di detto primo strato isolante (212). 2. Backcontact-backsheet for solar cells according to claim 1 wherein said substrate (210) comprises a first insulating layer (212) of a first polymeric material having an external surface facing the air-side of the photovoltaic module and an opposite internal surface to said outer surface and a second insulating layer (216) of a second polymeric material coupled to said inner surface of said first insulating layer (212). 3. Backcontact-backsheet secondo la rivendicazione 1 in cui detto substrato (210) comprende: un primo strato isolante (212) di un primo materiale polimerico avente una superficie esterna rivolta verso il latoaria del modulo fotovoltaico e una superficie interna opposta a detta superficie esterna, uno strato intermedio (214) di un materiale impermeabile al vapore accoppiato a detta superficie interna di detto primo strato isolante (212), detto strato intermedio avendo una superficie inferiore rivolta verso detto primo strato isolante (212) e una superficie superiore opposta a detta superficie inferiore, un secondo strato isolante (216) di un secondo materiale polimerico accoppiato a detta superficie superiore di detto strato intermedio (214). Backcontact-backsheet according to claim 1 wherein said substrate (210) comprises: a first insulating layer (212) of a first polymeric material having an external surface facing the air side of the photovoltaic module and an internal surface opposite to said external surface , an intermediate layer (214) of a vapor impermeable material coupled to said inner surface of said first insulating layer (212), said intermediate layer having a lower surface facing towards said first insulating layer (212) and an upper surface opposite to said surface inferior, a second insulating layer (216) of a second polymeric material coupled to said upper surface of said intermediate layer (214). 4. Backcontact-backsheet secondo una delle rivendicazioni da 1 a 3 in cui detto strato di materiale incapsulante (280) comprende polietilene o Etilene Vinil Acetato (ÈVA) o siliconi o ionomeri o poliolefine o termopoliolefine . Backcontact-backsheet according to one of claims 1 to 3 wherein said layer of encapsulating material (280) comprises polyethylene or Ethylene Vinyl Acetate (ÈVA) or silicones or ionomers or polyolefins or thermopolyolefins. 5. Backcontact-backsheet secondo una delle rivendicazioni da 1 a 4 in cui detto strato di materiale conduttivo (220) comprende rame, oppure rame ricoperto di nichel oppure rame ricoperto di argento, oppure alluminio, oppure alluminio ricoperto di rame, oppure alluminio ricoperto di rame a sua volta ricoperto di nichel o argento. 5. Backcontact-backsheet according to one of claims 1 to 4 wherein said layer of conductive material (220) comprises copper, or copper coated with nickel or copper coated with silver, or aluminum, or aluminum coated with copper, or aluminum coated with copper in turn coated with nickel or silver. 6. Backcontact-backsheet secondo le rivendicazioni da 1 a 5 in cui la porzione di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) lasciata esposta da ciascuno di detti fori (242) di detto strato di materiale dielettrico (240) sia ricoperta da uno strato di materiale adesivo elettricamente conduttivo in funzione di antiossidante della superficie esposta di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220). 6. Backcontact-backsheet according to claims 1 to 5 wherein the portion of said layer of electrical conductive material (220) left exposed by each of said holes (242) of said layer of dielectric material (240) is covered by a layer of electrically conductive adhesive material acting as antioxidant of the exposed surface of said layer of electrically conductive material (220). 7. Metodo per la produzione di un backcontactbacksheet per un modulo fotovoltaico comprendente celle solari contattate posteriormente, detto metodo comprendendo: realizzazione di un substrato (210) avente una superficie esterna esposta verso il lato-aria di detto modulo fotovoltaico e una superficie interna opposta a detta superficie esterna ed esposta verso l'interno di detto modulo fotovoltaico, applicazione di uno strato di materiale conduttivo elettrico (220) atto ad essere formato come circuito di collegamento agli elettrodi di dette celle solari, detta applicazione essendo eseguita in modo tale che detto strato di materiale conduttivo (220) aderisca saldamente a detta superficie interna di detto substrato (210), deposizione di uno strato di materiale dielettrico (240) sopra detta superficie interna di detto substrato (210) e detto strato di materiale conduttivo elettrico (220), detto strato di materiale dielettrico (240) avendo una superficie inferiore rivolta verso detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) e detto substrato (210) e una superficie superiore opposta a detta superficie inferiore, accoppiamento di uno strato di materiale incapsulante (280) su detta superficie superiore di detto strato di materiale dielettrico (240), detto accoppiamento essendo eseguito in modo tale che detto strato di materiale incapsulante (280) sia stabilmente fissato a detto strato di materiale dielettrico (240), apertura di una pluralità di fori passanti (282) in detto strato di materiale incapsulante (280), ciascuno di detti fori (282) di detto strato di materiale incapsulante (280) essendo praticato in una posizione predeterminata corrispondente ad una posizione predeterminata su detto circuito di collegamento formato in detto strato di materiale conduttivo (220), essendo detto metodo tale per cui detta apertura di detti fori passanti (282) in detto strato di materiale incapsulante (280) è praticata successivamente a detto accoppiamento di detto strato di materiale incapsulante (280) su detta superficie superiore di detto strato di materiale dielettrico (240). 7. A method for producing a backcontactbacksheet for a photovoltaic module comprising rear-contacted solar cells, said method comprising: making a substrate (210) having an external surface exposed towards the air side of said photovoltaic module and an internal surface opposite to said external surface and exposed towards the inside of said photovoltaic module, application of a layer of electrical conductive material (220) adapted to be formed as a connection circuit to the electrodes of said solar cells, said application being carried out in such a way that said layer of conductive material (220) adheres firmly to said inner surface of said substrate (210), deposition of a layer of dielectric material (240) over said inner surface of said substrate (210) and said layer of electrical conductive material (220), said layer of dielectric material (240) having a lower surface facing said layer of conductive material electric (220) and said substrate (210) and an upper surface opposite to said lower surface, coupling of a layer of encapsulating material (280) on said upper surface of said layer of dielectric material (240), said coupling being carried out in such a way that said layer of encapsulating material (280) is stably fixed to said layer of dielectric material ( 240), opening a plurality of through holes (282) in said layer of encapsulating material (280), each of said holes (282) of said layer of encapsulating material (280) being made in a predetermined position corresponding to a predetermined position on said circuit connection formed in said layer of conductive material (220), said method being such that said opening of said through holes (282) in said layer of encapsulating material (280) is made after said coupling of said layer of encapsulating material (280) on said upper surface of said layer of dielectric material (240). 8. Metodo secondo la rivendicazione 7 in cui detta deposizione di detto strato di materiale dielettrico (240) avviene in modo che detto strato di materiale dielettrico (240) formi una pluralità di fori passanti (242) in corrispondenza di una porzione predeterminata di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) sottostante, e in cui ciascuno di detti fori passanti (282) di detto strato di materiale incapsulante (280) viene praticato in una posizione corrispondente ad uno di detti fori passanti (242) di detto strato di materiale dielettrico (240). Method according to claim 7 wherein said deposition of said layer of dielectric material (240) occurs in such a way that said layer of dielectric material (240) forms a plurality of through holes (242) at a predetermined portion of said layer of underlying electrical conductive material (220), and in which each of said through holes (282) of said layer of encapsulating material (280) is made in a position corresponding to one of said through holes (242) of said layer of dielectric material (240). 9. Metodo secondo la rivendicazione 8 in cui detta deposizione di detto strato di materiale dielettrico (240) avviene per mezzo di un procedimento serigrafico. Method according to claim 8 wherein said deposition of said layer of dielectric material (240) takes place by means of a screen printing process. 10. Metodo secondo la rivendicazione 7 in cui detta deposizione di detto strato di materiale dielettrico (240) avviene in modo da depositare uno strato continuo e a fondo pieno così da ricoprire totalmente detto strato di materiale conduttivo elettrico (220) sottostante. Method according to claim 7 wherein said deposition of said layer of dielectric material (240) occurs in such a way as to deposit a continuous and solid-bottomed layer so as to completely cover said layer of underlying electrical conductive material (220). 1 1. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 7 a 10 comprendente inoltre l'apertura di una pluralità di fori passanti (242) in detto strato di materiale dielettrico (240), ciascuno di detti fori passanti (242) di detto strato di materiale dielettrico (240) essendo praticato in corrispondenza di uno di detti fori passanti (282) di detto materiale incapsulante (280) in modo tale da lasciare esposta una porzione predeterminata di detto strato di materiale conduttivo elettrico (220), detta apertura di detta pluralità di detti fori passanti (242) in detto strato di materiale dielettrico (240) essendo eseguita successivamente a detta apertura di detta pluralità di fori passanti (282) in detto strato di materiale incapsulante (280). Method according to one of claims 7 to 10 further comprising opening a plurality of through holes (242) in said dielectric material layer (240), each of said through holes (242) of said dielectric material layer (240) being made in correspondence with one of said through holes (282) of said encapsulating material (280) in such a way as to leave exposed a predetermined portion of said layer of electrical conductive material (220), said opening of said plurality of said through holes (242) in said layer of dielectric material (240) being made after said opening of said plurality of through holes (282) in said layer of encapsulating material (280). 12. Metodo secondo la rivendicazione 1 1 in cui detta apertura di detta pluralità di fori passanti (242) in detto strato di materiale dielettrico (240) è praticata per mezzo di punzonatura non passante, ablazione laser o fresatura meccanica. Method according to claim 1 wherein said opening of said plurality of through holes (242) in said layer of dielectric material (240) is made by means of non-through punching, laser ablation or mechanical milling. 13. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 7 a 12 in cui detta apertura di detta pluralità di fori passanti (282) in detto strato di materiale incapsulante (280) è praticata per mezzo di punzonatura non passante e successiva asportazione della porzione punzonata di detto strato materiale incapsulante (280). Method according to one of claims 7 to 12 wherein said opening of said plurality of through holes (282) in said layer of encapsulating material (280) is made by means of non-through punching and subsequent removal of the punched portion of said layer encapsulating material (280). 14. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 7 a 12 in cui detta apertura di detta pluralità di fori passanti (282) in detto strato di materiale incapsulante (280) è praticata per mezzo di ablazione laser, laser contouring o fresatura meccanica. Method according to one of claims 7 to 12 wherein said opening of said plurality of through holes (282) in said layer of encapsulating material (280) is made by means of laser ablation, laser contouring or mechanical milling. 15. Metodo secondo una delle rivendicazioni da 7 a 14 in cui il fissaggio stabile e permanente di detto strato di materiale incapsulante (280) a detto strato di materiale dielettrico (240) avviene durante una laminazione di detto modulo fotovoltaico completamente assemblato, detta laminazione provocando la fusione e polimerizzazione di detto strato di materiale incapsulante (280). Method according to one of claims 7 to 14 wherein the stable and permanent attachment of said layer of encapsulating material (280) to said layer of dielectric material (240) takes place during a lamination of said fully assembled photovoltaic module, said lamination causing the melting and polymerization of said layer of encapsulating material (280). 16. Metodo secondo la rivendicazione 15 in cui detta laminazione avviene in un ciclo sotto vuoto. 16. A method according to claim 15 wherein said lamination takes place in a vacuum cycle. 17. Metodo secondo una delle rivendicazioni 15 e 16 in cui detta laminazione avviene a temperature comprese tra 140°C e 165°C.Method according to one of claims 15 and 16 wherein said lamination takes place at temperatures between 140 ° C and 165 ° C.
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