DE112012004435B4 - Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung und diese verwendende, optische Kohärenztomographievorrichtung - Google Patents

Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung und diese verwendende, optische Kohärenztomographievorrichtung Download PDF

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Abstract

Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung, welche aufweist:einen optischen Halbleiterverstärker (1), in welchem Träger durch die Injektion eines Injektionsstroms in diesen erzeugt werden, ein Impuls von Laserlicht durch den Verbrauch der Träger verstärkt wird, und eine Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation in Abhängigkeit von der Impulsintensität des Laserlichts aufgrund einer Änderung der Dichte von Trägern stattfindet;eine Wobbelmodulationseinheit (3), durch die die Oszillationswellenlänge des Impulses des von dem optischen Halbleiterverstärker (1) emittierten Laserlichts variabel ist;einen Resonator, der den Impuls des durch die Wobbelmodulationseinheit (3) modulierten Laserlichts zu dem optischen Halbleiterverstärker (1) zurückführt, um eine Laseroszillationserscheinung zu bewirken; undeinen Dispersionskompensator (5), der in einem anomalen Dispersionsbereich verwendet wird und die Rückführungszeit des Impulses des Laserlichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Impulses des Laserlichts, das in den Resonator geführt ist, ändert.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine phasenverriegelte Laserquellenvorrichtung und eine diese verwendende, optische Kohärenztomographievorrichtung, um Laserlicht mit einer schmalen Emissionsspektrumverteilung (Laserlicht mit schmaler Linienbreite) zu realisieren.
  • STAND DER TECHNIK
  • Die optische Kohärenztomographie (OCT) ist herkömmlich bekannt (beispielsweise JP 2011 - 113 048 A ). Bei einer derartigen optischen Kohärenztomographie wird eine wellenlängengewobbelte, phasenverriegelte Laserquellenvorrichtung als eine Laserlichtquelle verwendet.
  • Eine derartige optische Kohärenztomographievorrichtung emittiert das Laserlicht zu einem zu messenden Objekt, wobei die Wellenlänge des Laserlichts variiert wird. Ein Interferenzsignal zwischen dem von einer unterschiedlichen Tiefe des zu messenden Objekts reflektierten Laserlichts und dem Bezugslicht wird durch ein Interferometer gemessen. Durch Analysieren einer Frequenzkomponente eines Interferenzsignals wird ein Tomographiebild des zu messenden Objekts erhalten.
  • Wellenlängengewobbelte, phasenverriegelte Laserquellenvorrichtung, die einen optischen Halbleiterverstärker (SOA) oder ein Bragg-Fasergitter (FBG) verwenden, sind ebenfalls bekannt (zum Beispiel Yuichi Nakazaki und Shinji Yamashita, 11. Mai 2009/Bd. 17, Nr. 10/OPTICSEXPRESS 8310 "Fast and Wide tuning range wavelength-swept fiber laser based on dispersion tuning and its application to dynamic FBG sensing"). Die veröffentlichte Patentanmeldung US 2009/ 0 003 391 A1 zeigt einen optischen Aufbau einer phasenverriegelten Laserlicht-Quellenvorrichtung mit einem Faserlaserverstärker in einer passiven Modenkopplungsanordnung und mit einem „chirped fiber bragg grating“ zur Dispersionskompensation. In der unten als „Nichtpatentdokument 2“ genauer angegebenen Veröffentlichung von Shinji Yamashita und Yuya Takubo ist ebenfalls ein optischer Aufbau einer phasenverriegelten Laserlicht-Quellenvorrichtung mit einem Dispersionskompensator beschrieben.
  • DOKUMENT ZUM STAND DER TECHNIK
  • PATENTDOKUMENTE
    • Patentdokument 1: Veröffentlichung Nr. 2011-113048 einer ungeprüften japanischen Patentanmeldung, Absätze [0001], [0002]
    • Patentdokument 2: Veröffentlichung US 2009 / 0 003 391 A1 einer USamerikanischen Patentanmeldung
  • NICHTPATENTDOKUMENTE
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Bei einer optischen Kohärenztomographievorrichtung ist eine phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung mit einer schmaleren spektralen Linienbreite während des Wobbelns wünschenswert, um eine ausgezeichnete Kohärenz während eines Wobbelns mit hoher Geschwindigkeit zu erhalten und einen tiefen Bereich des Objekts zu messen. Die vorliegende Erfindung hat das Ziel, das vorgenannte Problem zu lösen. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung zu schaffen, bei der die Emissionswellenlänge variabel ist und die Emissionsspektrumverteilung schmal ist.
  • Eine phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach der vorliegenden Erfindung weist auf: einen optischen Halbleiterverstärker, in welchem Träger durch die Injektion eines Injektionsstroms in diesen erzeugt werden, wobei ein Impuls von Laserlicht durch den Verbrauch der Träger verstärkt wird und eine Phasenmodulation äquivalent einer Eigenphasenmodulation in Abhängigkeit von der Impulsintensität des Laserlichts aufgrund einer Änderung der Dichte von Trägern stattfindet; eine Wobbelmodulationseinheit, die bewirkt, dass die Oszillationswellenlänge des Impulses des von dem optischen Halbleiterverstärker emittierten Laserlichts variabel ist; einen Resonator, der den Impuls des durch die Wobbelmodulationseinheit modulierten Laserlichts zu dem optischen Halbleiterverstärker zurückführt, um eine Laseroszillationserscheinung zu bewirken; und einen Dispersionskompensator, der in einem anomalen Dispersionsbereich verwendet wird und die Rückführungszeit des Impulses des Laserlichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Impulses des Laserlichts, das in den Resonator geführt wird, ändert.
  • Da der in dem Resonator angeordnete Dispersionskompensator in dem anomalen Dispersionsbereich verwendet wird, kann eine phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung erhalten werden, bei der die Emissionswellenlänge variabel ist und die Emissionsspektrumverteilung während des Wobbeins schmal ist. Es ist bevorzugt, dass eine derartige phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung in der optischen Kohärenztomographie verwendet wird.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein schematisches Diagramm eines optischen Systems, das eine Hauptstruktur einer phasenverrigelten Laserquellenvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 2A ist eine schematische perspektivische Ansicht, die ein Konzept eines Dispersionskompensators nach 1 erläutert und ein Bragg-Linearchirp-Fasergitter als den Dispersionskompensator zeigt.
    • 2B zeigt eine erläuternde Ansicht, die ein Verbindungsverfahren des in 2A gezeigten Dispersionskompensators in einem anomalen Dispersionsbereich illustriert.
    • 3 ist ein Diagramm, das Wellenformen von Impulsen von Laserlicht zeigt, das auf einen optischen Halbleiterverstärker wie in 1 gezeigt auftrifft und von diesem emittiert wird.
    • 4 ist ein Diagramm, das einen Frequenzchirp des Impulses von Laserlicht, der von dem optischen Halbleiterverstärker emittiert wird, zeigt.
    • 5 ist ein beispielhaftes Diagramm von Wellenformen von Impulsen des von dem optischen Halbleiterverstärker emittierten Laserlichts in normalen und anomalen Dispersionsbereichen.
    • 6 ist ein Diagramm, das Spektrumverteilungen der Impulse des von dem optischen Halbleiterverstärker emittierten Laserlichts in den normalen und anomalen Dispersionsbereichen in dem Fall von 5 zeigt.
    • 7 ist ein schematisches Diagramm eines optischen Systems, das eine Hauptstruktur einer phasenverriegelten Laserquellenvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 8 ist ein schematisches Diagramm eines optischen Systems, das eine Hauptstruktur einer phasenverriegelten Laserquellenvorrichtung gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • 9 ist ein schematisches Diagramm eines optischen Systems, das eine Hauptstruktur einer phasenverriegelten Laserquellenvorrichtung gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
  • Erstes Ausführungsbeispiel
  • Es wird nun eine phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. 1 ist ein schematisches Diagramm, das die Hauptstruktur der optischen Kohärenztomographievorrichtung mit der phasenverriegelten Laserquellenvorrichtung gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt.
  • In 1 stellen die Bezugszahlen 1, 2, 3, 4 und 5 einen optischen Halbleiterverstärker (SOA), einen optischen Isolator, eine Wobbelmodulationseinheit, einen Zirkulator bzw. einen Dispersionskompensator dar. Ein Ringresonator 6 enthält den optischen Halbleiterverstärker 1, den optischen Isolator 2, die Wobbelmodulationseinheit 3, den Zirkulator 4 und den Dispersionskompensator 5.
  • Der optische Halbleiterverstärker 1 enthält eine Wellenleiterstruktur 1a. Eine Auftreffendfläche 1b ist eine Endfläche der Wellenleiterstruktur 1a. Eine Strahlungsendfläche 1c ist die andere Endfläche der Wellenleiterstruktur 1a. Träger werden in der Wellenleiterstruktur 1a erzeugt durch Injizieren eines Injektionsstroms I in die Wellenleiterstruktur 1a. Die Träger werden durch eine stimulierte Emissionserscheinung aufgrund des Lichtimpulses von der Auftreffendfläche 1b der Wellenleiterstruktur 1a verbraucht, so dass der Impuls von Laserlicht in dem optischen Halbleiterverstärker 1 verstärkt wird, und ein Impuls des Laserlichts wird von der Strahlungsendfläche 1c emittiert. Ein SOA-Modul mit einer 3-dB-Verstärkungslinienbreite 80,6 nm wird als der optische Halbleiterverstärker 1 verwendet.
  • Der Impuls des von der Strahlungsendfläche 1c emittierten Laserlichts P wird über den optischen Isolator 2 als einer optischen Vorrichtung, in der Licht nur in einer Richtung übertragen und zurückgeführtes Licht gesperrt wird, zu der Wobbelmodulationseinheit 3 geleitet. Ein polarisationsabhängiger Isolator und ein polarisationsunabhängiger Isolator werden für den Lichtisolator 2 verwendet.
  • Eine Vorrichtung mit der Funktion einer Intensitätsmodulation oder einer Phasenmodulation des Impulses des Laserlichts P, der auf die Wobbelmodulationseinheit 3 auftrifft, kann als die Wobbelmodulationseinheit 3 verwendet werden. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel wird ein elektrooptischer Modulator (EOM) verwendet.
  • Der Zirkulator 4 hat drei Anschlüsse. Ein erster Anschluss 4a des Zirkulators 4 ist mit einer Strahlungsführungsfaser 7 verbunden, die den Impuls des von der Wobbelmodulationseinheit 3 emittierten Laserlichts P leitet.
  • Ein zweiter Anschluss 4b des Zirkulators 4 ist mit dem Dispersionskompensator 5 verbunden. Ein Bragg-Linearchirp-Fasergitter (LC-FBG), wie es begrifflich in den 2A und 2B gezeigt ist, wird als der Dispersionskompensator 5 verwendet.
  • Bei diesem Bragg-Linearchirp-Fasergitter variiert die Gitterperiode derart, dass eine reflektierende Position einer Niedrigfrequenzkomponente des Impulses gegenüber der einer Hochfrequenzkomponente linear unterschiedlich ist. Das Bragg-Linearchirp-Fasergitter enthält ein Beugungsgitter in der Faser.
  • Das Bragg-Linearchirp-Fasergitter mit Eigenschaften, bei denen eine Chirprate 10 nm/cm beträgt, ein Spitzenreflexionsvermögen 70% beträgt und eine 3-dB-Verstärkungslinienbreite 60 nm (d.h., von 1520 nm bis 1580 nm) beträgt, wird verwendet.
  • Das Bragg-Linearchirp-Fasergitter hat Eigenschaften sowohl einer normalen Dispersion als auch einer anomalen Dispersion. Das Verbindungsverfahren bei dem zweiten Anschluss 4b des Zirkulators 4 des Bragg-Linearchirp-Fasergitters wird danach bestimmt, ob das Bragg-Linearchirp-Fasergitter in den normalen oder den anomalen Dispersionsbereichen verwendet wird.
  • Mit anderen Worten, das Bragg-Linearchirp-Fasergitter kann auch sowohl in dem normalen Dispersionsbereich, in welchem das Impulslicht mit einer langen Wellenlängenkomponente reflektiert wird und das einer kurzen Wellenlängenkomponente nachfolgend reflektiert wird, als auch in dem anomalen Dispersionsbereich, in welchem das Impulslicht mit einer kurzen Wellenlängenkomponente reflektiert wird und das mit einer langen Wellenlängenkomponente nachfolgend reflektiert wird, verwendet werden.
  • Bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist, da das Impulslicht in dem anomalen Dispersionsbereich, in welchem das Impulslicht mit der kurzen Wellenlängenkomponente reflektiert wird und das der langen Wellenlängenkomponente nachfolgend reflektiert wird, verwendet wird, das Bragg-Linearchirp-Fasergitter mit dem zweiten Anschluss 4b verbunden. In den 1, 2A und 2B bezeichnen die Bezugszahlen 5d und 5e eine Auftreff- bzw. eine Durchlassendfläche.
  • Ein dritter Anschluss 4c des Zirkulators 4 ist mit einer Rückführungsfaser 8 verbunden, die das von dem Bragg-Linearchirp-Fasergitter reflektierte Laserimpulslicht zu dem optischen Halbleiterverstärker 1 zurückführt.
  • Der Impuls des von der Durchlassendfläche 5e des Bragg-Linearchirp-Fasergitters emittierten Laserlichts P wird in ein optisches System 10 der nachfolgenden optischen Kohärenztomographievorrichtung über den Isolator 9 eingeführt. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist der vorgenannte Impuls des Laserlichts P mit einem Interferometer und einem Oszilloskop (nicht gezeigt) zum Auswerten experimenteller Ergebnisse verbunden.
  • Eine Wellenlängen-Linienbreite des Laserlichts (Impulslicht) P in dem optischen System 10 der optischen Kohärenztomographievorrichtung beträgt etwa 1 µm. Jedoch wird bei dem ersten Ausführungsbeispiel eine unterschiedliche Wellenlängen-Linienbreite des Laserlichts (Impulslicht) P für das Experiment verwendet.
  • Eine Resonatorlänge L des Ringresonators 6 beträgt etwa 2,7 m für die Verwendung des Hochgeschwindigkeitswobbelns. Da der Ringresonator 6 eine Dispersionseigenschaft hat, wird die Resonanzfrequenz f der m-ten Ordnung des Ringresonators 6 durch die nachfolgende Formel dargestellt. f ( λ ) = m ⋅ c / { n ⋅ ( L + 2Lf ( λ ) ) } .
    Figure DE112012004435B4_0001
    m ist eine positive ganze Zahl, f(λ) ist eine Resonanzfrequenz m-ter Ordnung für die Wellenlänge λ, c ist die Lichtgeschwindigkeit im Vakuum, Lf(λ) ist eine Länge des Bragg-Linearchirp-Fasergitters, und N ist ein äquivalenter Brechungsindex der Auftreffführungsfaser, der Rückführungsfaser und des Bragg-Linearchirpgitter. Der Ringresonator 6 weist die Auftreffführungsfaser 7, die Rückführungsfaser 8 und das Bragg-Linearchirpgitter auf. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel ist der Brechungsindex n konstant.
  • hier wird Lf(λ0) als 0 betrachtet. Die Resonanzfrequenz f(λ0) der Wellenlänge λ0 wird durch die nachfolgende Formel dargestellt. f ( λ0 ) = ( m ⋅ c ) / n ⋅ L ) .
    Figure DE112012004435B4_0002
  • Die Resonanzfrequenz f(λ1) der Wellenlänge λ1 wird durch die folgende Formel dargestellt. f ( λ1 ) = m ⋅ c / { ( n ⋅ ( L + 2 ( λ1−λ0 ) / A ) }
    Figure DE112012004435B4_0003
    worin A eine Chirprate ist.
  • Durch Annähern der vorstehenden Formel unter Verwendung der Taylor-Erweiterung kann eine Differenz der Resonanzfrequenz zwischen den beiden Wellenlängen Δf durch die folgende Formel dargestellt werden. Δλ= ( L ⋅ A ) ⋅ Δ f / 2 f ( λ0 ) ,
    Figure DE112012004435B4_0004
    worin Δλ=λ1-λ0.
  • Mit Bezug auf die vorstehende Formel wird verständlich, dass eine Emissionswellenlänge variabel sein kann, indem die Intensitätsmodulationsfrequenz in dem Ringresonator 6 verändert wird. Da Dispersionsmedien in dem Resonator existieren, ist eine Zeit für die Fortpflanzung in dem Resonator unterschiedlich in Abhängigkeit von der Wellenlänge. Wenn das Licht in dem Resonator intensitätsmoduliert wird, ist nur die mit der Modulationsfrequenz übereinstimmende Wellenlänge in dem Resonator im Resonanzzustand.
  • Ein freier Spektralbereich (FSR), der eine Wellenlänge-Wobbelbreite ist, wird durch die folgende Formel dargestellt. FSR = ( c ⋅ A ) / 1 ⋅ n ⋅ f ) .
    Figure DE112012004435B4_0005
  • Ein konstanter Strom I von einer Injektionsstrom-Steuereinheit 11 wird in den optischen Halbleiterverstärker 1 injiziert. Die Träger werden durch Injizieren des Stroms I erzeugt. Der Impuls des Laserlichts P wird durch den Verbrauch der Träger verstärkt, und eine Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation in Abhängigkeit von der Impulsintensität des Laserlichts findet aufgrund einer Änderung der Dichte von Trägern auf.
  • 3 zeigt Wellenformen des Impulses des auf die Auftreffendfläche 1b des optischen Halbleiterverstärkers 1 auftreffenden Laserlichts P und des Impulses des von der Strahlungsendfläche 1c des optischen Halbleiterverstärkers 1 emittierten Laserlichts P. In 3 ist P1 eine Impulswellenform des auf die Auftreffendfläche 1b auftreffenden Laserlichts P. P2 ist eine Impulswellenform des von der Strahlungsendfläche 1c emittierten Laserlichts P. Die horizontale und die vertikale Achse bezeichnen die Zeit bzw. die normierte Intensität des Impulses des Laserlichts P.
  • In 3 ist die Zeitachse normiert durch Verwendung einer Auftreffimpulsbreite τρ zu dem optischen Halbleiterverstärker 1 des auf die Auftreffendfläche 1b auftreffenden Laserlichts (Impulslichts) P. In 3 wird in Betracht gezogen, dass die Impulswellenform P1 des auf die Auftreffendfläche b des optischen Halbleiterverstärkers 1 auftreffenden Laserlichts P eine normale Verteilung gegenüber der Zeitachse zeigt. Die Impulswellenform P2 des von der Strahlungsendfläche 1c des optischen Halbleiterverstärkers 1 emittierten Laserlichts P ist dargestellt.
  • Wenn die Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation in Abhängigkeit von der Impulsintensität des Laserlichts in dem optischen Halbleiterverstärker 1 stattfindet, nehmen die Frequenzen in den ansteigenden bzw. Abfallenden Bereichen der Impulse ab und zu (die Wellenlänge wird länger und kürzer). Diese Frequenzverschiebung zwischen dem ansteigenden Bereich und dem abfallenden Bereich wird als ein Chirp bezeichnet.
  • 4 ist ein Diagramm, um das visuelle Verständnis für den Frequenzchirp zu unterstützen. Die horizontale und die vertikale Achse bezeichnen die Zeit bzw. einen Frequenzchirp. Da der ansteigende Bereich P2' der Impulswellenform P2 (siehe 3) in der-Richtung verschoben wird, wenn ein Bezugswert in 4 0 definiert, zeigt der Impuls eine Rotverschiebung. Da der abfallende Bereich P2" der Impulswellenform P2 in der+Richtung verschoben wird, wenn ein Bezugswert 0 definiert, zeigt der Impuls eine Blauverschiebung.
  • In dem Fall des Auftretens einer derartigen Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM), wird, da eine Ausbreitungsgeschwindigkeit einer Frequenzkomponente in dem ansteigenden Bereich mit einer langen Wellenlänge P2' hoch und die der Frequenzkomponente in dem abfallenden Bereich mit einer kurzen Wellenlänge P2" niedrig ist, die Impulsbreite auf der Zeitachse gespreizt. Da das Vorzeichen der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) dasselbe ist wie das der durch die normale Dispersion auf der Zeitachse erzeugten Phasenmodulation, wird die Wellenlängenbreite des Impulses gespreizt durch Beeinflussen der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM).
  • Die Ausbreitungsgeschwindigkeiten des ansteigenden und des abfallenden Bereichs der Impulswellenformen P2' und P2" sind in dem anomalen Dispersionsbereich niedrig bzw. hoch. Somit ist die Zirkulationszeit des ansteigenden Bereichs P2' mit der langen Wellenlänge lang, und die Zirkulationszeit des abfallenden Bereichs P2" mit der kurzen Wellenlänge ist kurz.
  • Selbst in dem anomalen Dispersionsbereich wird die Impulsbreite aufgrund der Wellenlängendispersion größer. Die Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) in dem optischen Halbleiterverstärker 1 hat die Funktion, den Impuls des Laserlichts zu komprimieren.
  • Da das Vorzeichen der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) verschieden von dem der durch die anomale Dispersion auf der Zeitachse erzeugten Phasenmodulation ist, kann die Wellenlängenspreizung durch die Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) beschränkt werden. Dann kann durch Einstellen der jeweiligen Größe der anomalen Dispersion und der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) die spektrale Verteilung beliebig variiert werden.
  • Wenn das Spreizen des Impulses des Laserlichts durch eine Wellenlängendispersion in dem anomalen Dispersionsbereich durch die Wirkung der Impulskomprimierung des Laserlichts durch eine nichtlineare Wirkung des optischen Halbleiterverstärkers 1 ausgeglichen wird, tritt eine ähnliche Wirkung des Erzeugens von Lichtsoliton, bei der der Impuls des Laserlichts sich fortpflanzt, während die Wellenform beibehalten wird, auf.
  • 5 zeigt Impulswellenformen des Laserlichts in den normalen und anomalen Dispersionsbereichen. In 5 bezeichnen die horizontale und die vertikale Achse die Zeit bzw. die normierte Intensität des Impulses des Laserlichts. Q1 zeigt die Strahlungsimpuls-Wellenform in dem normalen Dispersionsbereich. Q2 zeigt die Strahlungsimpuls-Wellenform in dem anomalen Dispersionsbereich.
  • 6 zeigt eine Wellenlängeneigenschaft beider Strahlungsimpuls-Wellenformen in 5. Q1' zeigt eine Wellenlängeneigenschaft (Spektralverteilung) in dem Fall der Verwendung des Dispersionskompensators 5 in dem normalen Dispersionsbereich. Q2' zeigt eine Wellenlängeneigenschaft (Spektralverteilung) in dem Fall der Verwendung des Dispersionskompensators 5 in dem anomalen Dispersionsbereich.
  • Aus 6 ist ersichtlich, dass die Wellenlängeneigenschaft Q2' in dem Fall der Verwendung des Dispersionskompensators 5 in dem anomalen Dispersionsbereich eine schmale Spektralverteilung (schmale Breite) realisiert, im Vergleich zu der Wellenlängeneigenschaft Q1' in dem Fall der Verwendung des Dispersionskompensators 5 in dem normalen Dispersionsbereich.
  • Wenn der vorbestimmte Strom I in diese phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung injiziert wird, wird der Impuls des Laserlichts P von der Strahlungsendfläche 1c des optischen Halbleiterverstärkers 1 emittiert. Wenn die Wobbelmodulationseinheit 3 so betrieben wird, dass die Impulsintensität des Laserlichts P geändert wird, wird das Licht mit der Impulsintensität dieses modulierten Laserlichts P über die Strahlungsführungsfaser 7 und den Zirkulator 4 zu dem Dispersionskompensator 5 geleitet.
  • Das Laserlicht P, in welchem die lange Wellenlängenkomponente nachfolgend nach der Reflexion der kurzen Wellenlängenkomponente in diesem Dispersionskompensator 5 reflektiert wird, wird über die Rückführungsfaser 8 zu dem optischen Halbleiterverstärker 1 zurückgeführt. Dieses Laserlicht P zirkuliert in dem Ringresonator 6. Die Wellenlängendispersion unter Verwendung des Dispersionskompensators 5 in dem anomalen Dispersionsbereich und die Impulskomprimierungswirkung des optischen Halbleiterverstärkers 1 erzeugen eine Wirkung, die ähnlich dem Lichtsoliton ist, um eine schmale Linienbreite der Spektralverteilung zu realisieren.
  • Der Impuls des Laserlichts mit der schmalen Linienbreite wird von der Übertragungsendfläche 5e des Dispersionskompensators 5 emittiert und über den Isolator 9 zu dem optischen System 10 der nachfolgenden optischen Kohärenztomographievorrichtung geleitet. Wie vorstehend erwähnt ist, ist die Spektralverteilung variabel durch Einstellen der Größen der anomalen Dispersion und der Phasenmodulation äquivalent der SPM.
  • Wenn die Intensität der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) der der durch die anomale Dispersion erzeugten Phasenmodulation angenähert wird, ist die Breite der Spektralverteilung schmaler. Wenn die Intensität der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) von der der durch die anomale Dispersion erzeugten Phasenmodulation so entfernt ist, dass die Differenz zwischen der Intensität der zu der Eigenphasenmodulation (SPM) äquivalenten Phasenmodulation und der der durch die anomale Dispersion erzeugten Phasenmodulation größer ist, ist die Breite der Spektralverteilung größer.
  • Die Intensität der Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM) kann durch Ändern der folgenden Elemente variiert werden. Ein erstes Element ist die Impulsintensität des auf den optischen Halbleiterverstärker 1 auftreffenden Laserlichts P. Je größer die Impulsintensität des Laserlichts P ist, desto größer ist die Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation (SPM). Diese Impulsintensität kann durch Variieren einer Modulationswellenform der Wobbelmodulationseinheit 3 und des Reflexionsvermögens des Dispersionskompensators 5 usw. geändert werden.
  • Ein zweites Element ist der Injektionsstrom I in den optischen Halbleiterverstärker 1. Je höher der Injektionsstrom I ist, desto stärker ist die Phasenmodulation äquivalent der SPM. Ein drittes Element ist die Art des optischen Halbleiterverstärkers 1. Verglichen mit den optischen Halbleiterverstärkern, die ein Quantenloch und einen Quantenpunkt haben, wird die Phasenmodulation äquivalent der SPM in dem letzteren Fall häufiger erzeugt. In dem Fall der durch die anormale Dispersion erzeugten Phasenmodulation kann die Intensität der Phasenmodulation durch Ändern des Dispersionskompensators 5 variiert werden. Bei dem ersten Ausführungsbeispiel wird die Wobbelmodulationseinheit 3 als der Intensitätsmodulator verwendet. Ein Phasenmodulator kann ebenfalls verwendet werden. Es ist möglich, dass die Wobbelmodulationseinheit 3 zwischen der Strahlungsendfläche 1c des optischen Halbleiterverstärkers 1 und dem dritten Anschluss 4c des Zirkulators 4 angeordnet und der optische Isolator 2 weggelassen wird.
  • Zweites Ausführungsbeispiel
  • 7 zeigt die phasenverriegelte Laserquellenvorrichtung gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel. Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel enthält die Wobbelmodulationseinheit 3 die Injektionsstrom-Steuereinheit 11, die die Impulssteuerung des Injektionsstroms I in den optischen Halbleiterverstärker 1 durchführt. Da die restlichen Strukturkomponenten dieselben wie diejenigen bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind, sind die strukturellen Komponenten, die dieselben wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel sind, mit denselben Bezugszahlen bezeichnet und eine detaillierte Beschreibung wird weggelassen.
  • Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel wird ein Impulsstrom als der Injektionsstrom I in den optischen Halbleiterverstärker 1 injiziert. Die Modulation wird erzeugt durch Variieren der Impulswellenform, der Periode, der Impulsbreite und der Größe des Impulsstroms dieses Injektionsstroms I.
  • Drittes Ausführungsbeispiel
  • 8 zeigt die phasenverriegelte Laserquellenvorrichtung gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel. Bei dem dritten Ausführungsbeispiel enthält der Ringresonator 6 eine Führungsfaser 12, die leitet und zurückgeführt wird zu dem Impuls des von einer Auftreff- und Strahlungsendfläche 1e emittierten Laserlichts, die der reflektierenden Endfläche 1d des optischen Halbleiterverstärkers 1 gegenüberliegt.
  • Diese Führungsfaser 12 ist mit dem Dispersionskompensator 5 verbunden. Dieser Dispersionskompensator 5 wird auch in dem anormalen Dispersionsbereich verwendet. Der Impuls des Laserlichts P wird auch von der Übertragungsendfläche 5e emittiert. Das Bragg-Linearchirp-Fasergitter wird als der Dispersionskompensator 5 verwendet.
  • Viertes Ausführungsbeispiel
  • 9 zeigt das vierte Ausführungsbeispiel der phasenverriegelten Laserlicht-Quellenvorrichtung. Bei dem vierten Ausführungsbeispiel wird ein Volumenhologramm, das eine Alternative zu dem Bragg-Linearchirp-Gitter des dritten Ausführungsbeispiels ist, als der Dispersionskompensator 5 verwendet. In dem optischen Halbleiterverstärker (SOA) gemäß dem vierten Ausführungsbeispiel ist das Reflexionsvermögen auf weniger als gleich 0,001 % beschränkt, da die Auftreff- und Strahlungsendfläche 1e gegenüber dem optischen Pfad der Wellenleiterstruktur 1a geneigt ist.
  • Der Impuls des von der Auftreff -und Strahlungsendfläche 1e emittierten Laserlichts P bildet einen parallelen Lichtfluss durch die Kollimationslinse 13 und wird zu dem Polarisierer 14 geleitet. Der Impuls des Laserlichts P wird in eine Konvergenzlinse 15 eingeführt, nachdem der Impuls in dem anormalen Dispersionsbereich dispergiert wurde. Dann tritt der Impuls des Laserlichts in die Führungsfaser 16 ein und wird zu dem nachfolgenden optischen System 10 der optischen Kohärenztomografievorrichtung geleitet. Der Polarisierer 14 kann weggelassen werden.
  • Bei den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung werden das Bragg-Linearchirp-Fasergitter und das Volumenhologramm als der Dispersionskompensator 5 verwendet. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die vorgenannten Elemente beschränkt. Ein Chirpspiegel kann ebenfalls verwendet werden.
    • 1
    Optischer Halbleiterverstärker
    3
    Wobbelmodulationseinheit
    4
    Zirkulator
    5
    Dispersionskompensator
    6
    Ringresonator

Claims (7)

  1. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung, welche aufweist: einen optischen Halbleiterverstärker (1), in welchem Träger durch die Injektion eines Injektionsstroms in diesen erzeugt werden, ein Impuls von Laserlicht durch den Verbrauch der Träger verstärkt wird, und eine Phasenmodulation äquivalent der Eigenphasenmodulation in Abhängigkeit von der Impulsintensität des Laserlichts aufgrund einer Änderung der Dichte von Trägern stattfindet; eine Wobbelmodulationseinheit (3), durch die die Oszillationswellenlänge des Impulses des von dem optischen Halbleiterverstärker (1) emittierten Laserlichts variabel ist; einen Resonator, der den Impuls des durch die Wobbelmodulationseinheit (3) modulierten Laserlichts zu dem optischen Halbleiterverstärker (1) zurückführt, um eine Laseroszillationserscheinung zu bewirken; und einen Dispersionskompensator (5), der in einem anomalen Dispersionsbereich verwendet wird und die Rückführungszeit des Impulses des Laserlichts in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Impulses des Laserlichts, das in den Resonator geführt ist, ändert.
  2. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach Anspruch 1, weiterhin aufweisend: eine Auftreffführungsfaser (7), die den Impuls des von einer Auftreffendfläche (1b) des optischen Halbleiterverstärkers (1) emittierten Laserlichts führt; und eine Rückführungsfaser (8), die den Impuls des sich durch die Auftreffführungsfaser (7) fortpflanzenden Laserlichts zu der Auftreffendfläche (1b) des optischen Halbleiterverstärkers (1) führt, wobei die Auftreffführungsfaser (7) und die Rückführungsfaser (8) mit einem ersten bzw. einem zweiten Anschluss (4a, 4c) verbunden sind, der Dispersionskompensator (5) zwischen den ersten und den zweiten Anschluss (4a, 4c) geschaltet ist und der Impuls des Laserlichts von dem Dispersionskompensator (5) emittiert wird.
  3. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach Anspruch 1, bei der der Resonator eine Führungsfaser (12) aufweist, die leitet und zurückgeführt wird zu dem Impuls des von einer Auftreff- und Strahlungsendfläche (1e) emittierten Laserlichts, die einer reflektierenden Endfläche (1d) des optischen Halbleiterverstärkers (1)gegenüber liegt, wobei der Dispersionskompensator (5) mit der Führungsfaser (12) verbunden ist und der Impuls des Laserlichts von dem Dispersionskompensator (5) emittiert wird.
  4. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei der die Wobbelmodulationseinheit (3) einen Modulator aufweist, der eine Intensitätsmodulation oder eine Phasenmodulation des Impulses des Laserlichts durchführt.
  5. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 3, bei der die Wobbelmodulationseinheit (3) eine Injektionsstrom-Steuereinheit (11) aufweist, die eine Impulssteuerung des Injektionsstroms in den optischen Halbleiterverstärker (1) durchführt.
  6. Phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der Dispersionskompensator (5) ein Bragg-Linearchirp-Fasergitter, ein Chirpspiegel oder ein Volumenhologramm ist.
  7. Optische Kohärenztomografievorrichtung, aufweisend die phasenverriegelte Laserlicht-Quellenvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102631506B1 (ko) * 2016-02-12 2024-02-01 더 제너럴 하스피탈 코포레이션 광 간섭 단층촬영을 이용하는 고속 그리고 긴 심도 범위 이미징을 위한 장치 및 방법
US11233372B2 (en) * 2019-06-25 2022-01-25 Lumentum Operations Llc Femtosecond pulse stretching fiber oscillator

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090003391A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Shenping Li Low-repetition-rate ring-cavity passively mode-locked fiber laser
JP2011113048A (ja) 2009-11-30 2011-06-09 Canon Inc 波長掃引光源、波長掃引光源を備えたｓｓ−ｏｃｔ装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7095772B1 (en) * 2003-05-22 2006-08-22 Research Foundation Of The University Of Central Florida, Inc. Extreme chirped/stretched pulsed amplification and laser
JP2005091451A (ja) * 2003-09-12 2005-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分散補償器
JP5013407B2 (ja) * 2006-01-26 2012-08-29 株式会社アドバンテスト レーザ発振器
ES2534572T3 (es) * 2007-01-10 2015-04-24 Lightlab Imaging, Inc. Métodos y aparato para tomografía de coherencia óptica de fuente de barrido
JP5481977B2 (ja) * 2009-07-10 2014-04-23 富士通株式会社 温度制御方法、温度制御装置及び光デバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090003391A1 (en) 2007-06-28 2009-01-01 Shenping Li Low-repetition-rate ring-cavity passively mode-locked fiber laser
JP2011113048A (ja) 2009-11-30 2011-06-09 Canon Inc 波長掃引光源、波長掃引光源を備えたｓｓ−ｏｃｔ装置

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Beispiel Yuichi Nakazaki und Shinji Yamashita, 11. Mai 2009/Bd. 17, Nr. 10/OPTICSEXPRESS 8310 "Fast and Wide tuning range wavelength-swept fiber laser based on dispersion tuning and its application to dynamic FBG sensing"
Shinji Yamashita, Yuya Takubo, "Fast wavelength-swept dispersion-tunedfiber laser over 500kHz using a wideband chirped fiber Bragg grating," Proc.SPIE 7753, 21st International Conference on Optical Fiber Sensors, 77537W(18 May 2011) *
Shinji Yamashita, Yuya Takubo, „Fast wavelength-swept dispersion-tuned fiber laser over 500kHz using a wideband chirped fiber Bragg grating", Proc. SPIE 7753, 21st International Conference on Optical Fiber Sensors, 77537W (18 May 2011)
Yuichi Nakazaki and Shinji Yamashita, "Fast and wide tuning range wavelength-swept fiber laser based on dispersion tuning and its application to dynamic FBG sensing," Opt. Express 17, 8310-8318 (2009) *
Yuichi Nakazaki und Shinji Yamashita, 11. Mai 2009/Bd. 17, Nr. 10/OPTICSEXPRESS 8310 "Fast and Wide tuning range wavelength-swept fiber laser based on dispersion tuning and its application to dynamic FBG sensing"

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