WO2026028906A1 - ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法 - Google Patents

ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法

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WO2026028906A1
WO2026028906A1 PCT/JP2025/026183 JP2025026183W WO2026028906A1 WO 2026028906 A1 WO2026028906 A1 WO 2026028906A1 JP 2025026183 W JP2025026183 W JP 2025026183W WO 2026028906 A1 WO2026028906 A1 WO 2026028906A1
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WO
WIPO (PCT)
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wafer
temporary adhesive
silicone resin
mass
wafer processing
Prior art date
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Pending
Application number
PCT/JP2025/026183
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English (en)
French (fr)
Inventor
伸一 石▲崎▼
光夫 武藤
道博 菅生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices

Definitions

  • the present invention relates to a temporary adhesive for wafer processing, a wafer laminate, and a method for manufacturing a thin wafer.
  • Three-dimensional semiconductor packaging is becoming essential for achieving ever-increasing density and capacity.
  • Three-dimensional packaging technology is a semiconductor manufacturing technology that thins individual semiconductor chips and then stacks them in multiple layers while connecting them with through-silicon vias (TSVs).
  • TSVs through-silicon vias
  • a substrate with a semiconductor circuit formed on it must be thinned by grinding the non-circuit-forming surface (also known as the "backside"), followed by a process of forming electrodes, including TSVs, on the backside.
  • a backside protective tape is applied to the side opposite the grinding surface to prevent wafer damage during grinding.
  • this tape uses an organic resin film as a supporting base, and while it is flexible, it lacks strength and heat resistance, making it unsuitable for the TSV formation process or the backside wiring layer formation process.
  • Previously known temporary adhesive layers and methods for peeling them include a technique in which high-intensity light is irradiated onto an adhesive containing a light-absorbing substance to decompose the adhesive layer, thereby peeling it off from the support (Patent Document 1), and a technique in which a heat-fusible hydrocarbon compound is used as the adhesive, and bonding and peeling are performed in a heated, molten state (Patent Document 2).
  • the former technique requires expensive equipment such as a laser, and has problems such as a long processing time per substrate.
  • the latter technique is simple because it is controlled only by heating, but its range of application is narrow due to its insufficient thermal stability at high temperatures exceeding 200°C.
  • these temporary adhesive layers are not suitable for forming a uniform film thickness on substrates with high step differences, or for achieving complete adhesion to the support.
  • a technology has also been proposed that uses a silicone adhesive as a temporary adhesive layer. This involves adhering a substrate to a support using an addition-curing silicone adhesive, and then separating the substrate from the support by immersing it in a chemical that dissolves or decomposes the silicone resin (Patent Document 3). As a result, peeling takes an extremely long time, making it difficult to apply to actual manufacturing processes. Furthermore, after peeling, it also takes a long time to clean off the silicone adhesive that remains as residue on the substrate, posing an issue in terms of ease of cleaning and removal.
  • Patent Documents 4 and 5 a technique using a curable silicone composition containing a non-functional polyorganosiloxane as a temporary adhesive layer.
  • This composition allows the substrate and support to be bonded via a temporary adhesive layer, thereby achieving adhesion between the substrate and the temporary adhesive layer that can withstand substrate processing.
  • the temporary adhesive layer can be selectively peeled off while still adhering to the support, so that almost no temporary adhesive layer remains on the substrate after peeling. This significantly improves the washability of the substrate after peeling, making it possible to satisfy both the above-mentioned issues of peelability and washability.
  • the present invention has been developed in consideration of the above-mentioned problems, and aims to provide a temporary adhesive for wafer processing, a wafer laminate, and a method for manufacturing thin wafers using the same, which, by virtue of the fact that they provide sufficient substrate retention after bonding even when using substrates with high step differences, are highly compatible with the wafer backside grinding process, TSV formation process, and wafer backside wiring process, are easy to peel in the peeling process even after undergoing a high-temperature, long-term thermal process in air after bonding, and have excellent residue cleanability on the substrate after peeling, lead to improved productivity of thin wafers.
  • the present invention provides: Provided is a temporary adhesive for wafer processing, for temporarily bonding a wafer to a support, the temporary adhesive for wafer processing being made of a curable silicone resin composition that can be cured by a hydrosilylation reaction, the curable silicone resin composition being characterized in that it contains an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • curable silicone resin compositions provide sufficient substrate retention after bonding, even when using substrates with high step differences; are highly compatible with the wafer backgrinding process, TSV formation process, and wafer back wiring process; are easy to remove in the removal process, even after undergoing a high-temperature, long-term thermal process in air after bonding; and are excellent at cleaning residues from the substrate after removal, particularly improving the heat resistance of the resin.
  • the curable silicone resin composition is (A) organopolysiloxane having two or more alkenyl groups per molecule: 100 parts by mass, (B) an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule: 0.1 to 100 parts by mass; (C) an organohydrogenpolysiloxane containing two or more silicon-bonded hydrogen atoms (SiH groups) per molecule: in an amount such that the sum of the SiH groups in components (B) and (C) relative to the sum of the alkenyl groups in components (A) and (B) is a molar ratio of 0.3 to 5; (D) a non-functional organopolysiloxane: 0.1 to 200 parts by mass, and (E) a hydrosilylation reaction catalyst: 0.1 to 5,000 ppm in terms of metal atom weight, based on the total mass of components (A), (B), (C),
  • Such curable silicone resin compositions are preferred as temporary adhesives for wafer processing.
  • the organopolysiloxane containing two or more alkenyl groups in one molecule of component (A) also contains at least one aryl group.
  • This component (A) can be used as the curable silicone resin composition.
  • the non-functional organopolysiloxane of component (D) is preferably a dimethylpolysiloxane, the viscosity of which at 25°C in a 30% by weight toluene solution is 100 to 500,000 mPa ⁇ s.
  • Such a viscosity is preferable from the standpoint of the workability of the composition, the ability to apply it to equipment, the mechanical properties of the drop, and the releasability of the support.
  • the curable silicone resin composition containing the components (A) to (E) further contains a hydrosilylation reaction inhibitor as component (F) in an amount of 0.001 to 10 parts by mass, based on the total mass of the components (A), (B), and (C).
  • the organopolysiloxane contains only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) located in either a side chain or at the end of each molecule.
  • the heat resistance of the resin can be further improved.
  • the curable silicone resin composition be curable by either light or heat, or both.
  • Such a curable silicone resin composition can be made into a composition that can be cured by either light or heat, or both, through the hydrosilylation reaction of the component (E) used.
  • the 180° peel strength of a 25 mm wide test piece against a silicon substrate at 25°C be 2 gf or more and 100 gf or less.
  • the 180° peel force is 2 gf or more, there is no risk of the wafer shifting during wafer grinding, and if it is 100 gf or less, the wafer can be easily peeled.
  • the curable silicone resin composition preferably has a storage modulus at 25°C of 1,000 Pa or more and 1,000 MPa or less.
  • the storage modulus is 1,000 Pa or more, the film formed is strong and there is no risk of wafer misalignment or subsequent wafer cracking during wafer grinding; if it is 1,000 MPa or less, deformation stress during wafer thermal processes such as CVD can be alleviated, and the film will be stable even during thermal processes on the wafer.
  • the present invention provides (a) forming a wafer laminate by peelably adhering the circuit-forming surface of a wafer having a circuit-forming surface on its front surface and a non-circuit-forming surface on its back surface to a support using the temporary adhesive for wafer processing described above; (b) curing the temporary adhesive; (c) grinding or polishing the non-circuit-forming surfaces of the wafers in the wafer stack; (d) processing the non-circuit-forming surface of the wafer; (e) peeling the processed wafer from the support.
  • This method of manufacturing a thin wafer allows the temporary adhesive for wafer processing to be used to temporarily bond a wafer having semiconductor circuits or the like to a support.
  • the present invention also provides a wafer laminate comprising a support, a temporary adhesive layer obtained from the above-mentioned temporary adhesive for wafer processing laminated thereon, and a wafer having a circuit-formed surface on its front side and a circuit-free surface on its back side, wherein the temporary adhesive layer is releasably adhered to the front side of the wafer.
  • the temporary adhesive for wafer processing of the present invention can improve the heat resistance of the resin by using a curable silicone resin composition containing an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • a curable silicone resin composition containing an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • the method can be applied to a wide range of semiconductor film formation processes, has excellent CVD (chemical vapor deposition) resistance, and can form a temporary adhesive layer with high film thickness uniformity even on wafers with steps, making it possible to easily manufacture thin wafers that are prone to cracking.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the method for manufacturing a thin wafer of the present invention it is possible to easily manufacture thin wafers that have a through electrode structure or a bump connection structure.
  • the inventors discovered that the heat resistance of resins can be improved by using a curable silicone resin composition containing a specific organopolysiloxane as a temporary adhesive for wafer processing. They also discovered that a temporary adhesive layer with highly uniform film thickness can be formed even on wafers with uneven surfaces, making it possible to easily manufacture thin wafers that are prone to cracking, and thus completed the present invention.
  • the present invention provides a temporary adhesive for wafer processing, for temporarily bonding a wafer to a support, which comprises a curable silicone resin composition that can be cured by a hydrosilylation reaction, and which is characterized in that the curable silicone resin composition contains an organopolysiloxane that has only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • the temporary adhesive for wafer processing of the present invention comprises a curable silicone resin composition containing an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • silicone resin compositions having good spin-coatability are preferably used as the temporary adhesive for wafer processing.
  • Such a curable silicone resin composition preferably contains, for example, the following components (A) to (E).
  • the hydrosilylation reaction catalyst of component (E) used can make the composition curable by either light or heat, or both.
  • Component (A) is an organopolysiloxane having two or more alkenyl groups per molecule.
  • Examples of component (A) include linear or branched diorganopolysiloxanes containing two or more alkenyl groups per molecule, organopolysiloxanes containing two or more alkenyl groups and at least one aryl group per molecule, and organopolysiloxanes having a three-dimensional network structure containing two or more alkenyl groups per molecule and siloxane units (Q units) represented by SiO 4/2 units.
  • diorganopolysiloxanes or organopolysiloxanes having a three-dimensional network structure with an alkenyl group content of 0.0001 to 3.0 mol/100 g are preferred.
  • the alkenyl group content refers to the number of moles of alkenyl groups contained per 100 g.
  • component (A) is preferably an organopolysiloxane containing two or more alkenyl groups and at least one aryl group per molecule.
  • the number of alkenyl groups contained per molecule of component (A) is preferably 2 to 1000, more preferably 2 to 800.
  • the number of aryl groups contained per molecule is preferably 2 to 1000, more preferably 2 to 800.
  • organopolysiloxanes examples include those represented by the following formulas (A-1), (A-2), and (A-3). These may be used alone or in combination of two or more.
  • R 1 to R 16 are each independently a monovalent hydrocarbon group other than an aliphatic unsaturated hydrocarbon group, and X 1 to X 5 are each independently an alkenyl-containing monovalent organic group.
  • a and b each independently represent an integer of 0 to 3.
  • c1 , c2 , d1 , and d2 represent integers that satisfy 0 ⁇ c1 ⁇ 100, 2 ⁇ c2 ⁇ 100, 0 ⁇ d1 ⁇ 10,000, and 0 ⁇ d2 ⁇ 10,000, with the proviso that a+b+ c1 ⁇ 2. It is preferable that a, b, c1 , c2 , d1 , and d2 have an alkenyl group content of 0.0001 to 3.0 mol/100g.
  • e is an integer of 1 to 3.
  • f 1 , f 2 and f 3 are numbers such that (f 2 + f 3 )/f 1 is 0.3 to 4.0 and the alkenyl group content is 0.001 to 2.3 mol/100 g.
  • the monovalent hydrocarbon group other than the aliphatic unsaturated hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and examples include alkyl groups such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, tert-butyl, n-pentyl, and n-hexyl; cycloalkyl groups such as cyclopentyl and cyclohexyl; and aryl groups such as phenyl and tolyl. Of these, alkyl groups such as methyl or phenyl are preferred.
  • the alkenyl-containing monovalent organic group preferably has 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include alkenyl groups such as vinyl, allyl, hexenyl, and octenyl; (meth)acryloylalkyl groups such as acryloylpropyl, acryloylmethyl, and methacryloylpropyl; (meth)acryloxyalkyl groups such as acryloxypropyl, acryloxymethyl, methacryloxypropyl, and methacryloxymethyl; and alkenyl-containing monovalent hydrocarbon groups such as cyclohexenylethyl and vinyloxypropyl. Of these, vinyl groups are preferred from an industrial perspective.
  • a and b are each independently an integer between 0 and 3. It is preferable for a to be between 1 and 3, since the molecular chain ends are blocked with alkenyl groups, allowing the highly reactive alkenyl groups at the molecular chain ends to complete the reaction in a short time. Furthermore, from an industrial perspective, it is preferable for a to be 1.
  • the alkenyl group-containing diorganopolysiloxane represented by formula (A-1) or (A-2) is preferably in the form of an oil or a crude rubber.
  • the organopolysiloxane represented by formula (A-3) contains SiO 4/2 units and has a three-dimensional network structure.
  • each e is independently an integer of 1 to 3, but from an industrial standpoint, 1 is preferred from the standpoint of cost.
  • the product of the average value of e and the alkenyl group content is preferably 0.001 to 7.0 mol/100 g, more preferably 0.001 to 2.3 mol/100 g.
  • the organopolysiloxane represented by formula (A-3) may be used as a solution dissolved in an organic solvent.
  • the number average molecular weight (Mn) of the organopolysiloxane of component (A) is preferably 100 to 1,000,000, and more preferably 1,000 to 100,000.
  • An Mn within this range is preferable in terms of workability due to the viscosity of the composition and processability due to the storage modulus after curing.
  • Mn is a polystyrene-equivalent value measured by gel permeation chromatography using toluene as a solvent.
  • Component (A) may be used alone or in combination of two or more. It is particularly preferable to use a combination of an organopolysiloxane represented by formula (A-1) and an organopolysiloxane represented by formula (A-3).
  • the amount of organopolysiloxane represented by formula (A-3) used is preferably 1 to 1,000 parts by mass, more preferably 10 to 500 parts by mass, per 100 parts by mass of organopolysiloxane represented by formula (A-1).
  • the upper limit of the amount used is preferably 5,000 parts by mass, more preferably 3,000 parts by mass, and even more preferably 2,000 parts by mass.
  • the lower limit is preferably 0.5 parts by mass, more preferably 1.0 part by mass.
  • Component (B) is an organopolysiloxane in which, per molecule, there is only one alkenyl group or one silicon-bonded hydrogen atom (SiH group), located either on a side chain or at the end.
  • organopolysiloxanes examples include those represented by the following formula (B-1) or (B-2): These may be used alone or in combination of two or more.
  • R 17 to R 25 each independently represent a monovalent hydrocarbon group other than an aliphatic unsaturated hydrocarbon group
  • Y 1 to Y 3 each independently represent an alkenyl-containing monovalent organic group, a hydrogen atom, or an organohydrogenpolysiloxane containing one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group).
  • g + h 1 is satisfied, and i is an integer that satisfies 0 ⁇ i ⁇ 10,000. g, h, and i preferably result in an alkenyl group or SiH group content of 0.0001 to 0.7 mol/100 g.
  • j1 and j2 are numbers such that ( j2 +1)/ j1 is 0.3 to 4.0 and the alkenyl group or SiH group content is 0.0001 to 0.3 mol/100 g.
  • the monovalent hydrocarbon group other than the aliphatic unsaturated hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, and examples include alkyl groups such as methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, tert-butyl, n-pentyl, and n-hexyl; cycloalkyl groups such as cyclopentyl and cyclohexyl; and aryl groups such as phenyl and tolyl. Of these, alkyl groups such as methyl or phenyl are preferred.
  • the alkenyl-containing monovalent organic group preferably has 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include alkenyl groups such as vinyl, allyl, hexenyl, and octenyl; (meth)acryloylalkyl groups such as acryloylpropyl, acryloylmethyl, and methacryloylpropyl; (meth)acryloxyalkyl groups such as acryloxypropyl, acryloxymethyl, methacryloxypropyl, and methacryloxymethyl; and alkenyl-containing monovalent hydrocarbon groups such as cyclohexenylethyl and vinyloxypropyl. Of these, vinyl groups are preferred from an industrial perspective.
  • Y 1 to Y 3 may be hydrogen atoms or organohydrogenpolysiloxanes containing one hydrogen atom bonded to a silicon atom, with a hydrogen atom being preferred from an industrial viewpoint.
  • the organopolysiloxane represented by formula (B-1), in which only one alkenyl group or silicon-bonded hydrogen atom (SiH group) is located in either a side chain or at the end, is preferably in the form of an oil or a crude rubber.
  • the viscosity at 25°C of organopolysiloxanes containing only one alkenyl group or only one silicon-bonded hydrogen atom (SiH group) per molecule, either in a side chain or at a terminal, is preferably 1 to 5,000 mPa ⁇ s, and more preferably 5 to 500 mPa ⁇ s.
  • the viscosity was measured at 25°C in accordance with JIS Z 8803.
  • the viscometer used can be selected appropriately depending on the viscosity; for example, an E-type viscometer (RE-85R manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) is suitable.
  • the number average molecular weight (Mn) of the organopolysiloxane of component (B) is preferably 2 to 10,000, and more preferably 2 to 1,000.
  • An Mn within this range is preferable in terms of workability due to the viscosity of the composition and processability due to the storage modulus after curing.
  • Component (B) may be used in combination of two or more types, but it is preferable to use one type alone.
  • the amount of component (B) used is preferably 0.1 to 1,000 parts by mass, and more preferably 0.1 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of component (A).
  • Component (C) is a crosslinking agent and is an organohydrogenpolysiloxane having at least two, and preferably three or more, silicon-bonded hydrogen atoms (SiH groups) per molecule.
  • the organohydrogenpolysiloxane may be linear, branched, or cyclic.
  • the organohydrogenpolysiloxane may be used alone or in combination of two or more.
  • the number of silicon-bonded hydrogen atoms (SiH groups) per molecule of component (C) is preferably 2 to 200, and more preferably 2 to 150.
  • the viscosity of the organohydrogenpolysiloxane of component (C) at 25°C is preferably 1 to 5,000 mPa ⁇ s, and more preferably 5 to 500 mPa ⁇ s.
  • the viscosity was measured at 25°C in accordance with JIS Z 8803.
  • the viscometer used can be selected appropriately depending on the viscosity; for example, an E-type viscometer (RE-85R manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) is preferably used.
  • the Mn of the organohydrogenpolysiloxane of component (C) is preferably 100 to 100,000, and more preferably 500 to 10,000. An Mn within this range is preferable in terms of workability due to the viscosity of the composition and processability due to the storage modulus after curing.
  • Component (C) is preferably blended so that the molar ratio (SiH groups/alkenyl groups) of the total SiH groups in components (B) and (C) to the total alkenyl groups in components (A) and (B) is in the range of 0.3 to 10, more preferably 0.5 to 5.0.
  • the molar ratio is 0.3 or higher, the crosslink density is not reduced and problems such as the temporary adhesive layer not curing do not occur.
  • the molar ratio is 5 or lower, the crosslink density is not too high, sufficient adhesive strength and tack are obtained, and the usable life of the treatment solution can be extended.
  • the molar ratio (SiH groups/alkenyl groups) was calculated from the measured value of SiH per 100 g (mol/100 g) and the measured value of alkenyl groups per 100 g (mol/100 g).
  • the molar ratio (SiH groups/alkenyl groups) in the preparation examples is calculated using the following formula: [(SiH group content of POHS/100) ⁇ amount of POHS added]/ ⁇ [(alkenyl group content of PDMS/100) ⁇ amount of PDMS added]+[(alkenyl group content of PVMS/100) ⁇ amount of PVMS added] ⁇ (In the above formula, POHS: organohydrogenpolysiloxane, PDMS: dimethylpolysiloxane, PVMS: vinylmethylpolysiloxane with a resin structure)
  • Component (D) is a non-functional organopolysiloxane.
  • “non-functional” means that the molecule does not contain any reactive groups such as alkenyl groups, hydroxy groups, alkoxy groups, or epoxy groups bonded directly to silicon atoms or via any other group, nor does the molecule contain any hydrogen atoms or halogen atoms bonded directly to silicon atoms.
  • Such non-functional organopolysiloxanes include, for example, organopolysiloxanes having unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon groups other than aliphatic unsaturated hydrocarbon groups, having 1 to 12 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms.
  • monovalent hydrocarbon groups include alkyl groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, and heptyl; cycloalkyl groups such as cyclohexyl; aryl groups such as phenyl, tolyl, xylyl, and naphthyl; and aralkyl groups such as benzyl and phenethyl.
  • Some or all of the hydrogen atoms in these groups may be substituted with halogen atoms such as chlorine, fluorine, and bromine.
  • halogen atoms such as chlorine, fluorine, and bromine.
  • examples of such groups include halogenated alkyl groups such as chloromethyl, 3-chloropropyl, and 3,3,3-trifluoropropyl.
  • the monovalent hydrocarbon groups are preferably alkyl groups or aryl groups, and more preferably methyl and phenyl groups.
  • the molecular structure of the non-functional organopolysiloxane of component (D) is not particularly limited and may be linear, branched, cyclic, etc., but linear or branched organopolysiloxanes are preferred, and linear diorganopolysiloxanes in which the main chain is essentially composed of repeating diorganosiloxane units and both molecular chain terminals are blocked with triorganosiloxy groups are preferred.
  • Component (D), the non-functional organopolysiloxane preferably has a viscosity (25°C) in a 30% by weight toluene solution of 100 to 500,000 mPa ⁇ s, more preferably 200 to 100,000 mPa ⁇ s, from the standpoints of workability of the composition, coatability to substrates, mechanical properties of the cured product, and support peelability.
  • a viscosity within this range is preferred because it has an appropriate molecular weight, prevents volatilization when the silicone resin composition is heat-cured, provides sufficient effectiveness, does not cause wafer cracking in wafer thermal processes such as CVD, and provides good workability and coatability.
  • the viscosity here was measured at 25°C in accordance with JIS Z 8803.
  • the viscometer used can be selected appropriately depending on the viscosity; for example, an E-type viscometer (RE-85R, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) is suitable.
  • the non-functional organopolysiloxane may be a dimethylsiloxane polymer capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups, a phenylmethylpolysiloxane capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups, a 3,3,3-trifluoropropylmethylsiloxane polymer capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups, a dimethylsiloxane-methylphenylsiloxane copolymer capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups, a dimethylsiloxane-3,3,3-trifluoropropylmethyl copolymer capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups, or a dimethylsiloxane-3,3,3-trifluoropropylmethyl copolymer capped at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups.
  • Examples include methylphenylsiloxane/3,3,3-trifluoropropylmethyl copolymer capped with trimethylsiloxy groups at both molecular chain ends, dimethylsiloxane/3,3,3-trifluoropropylmethylsiloxane/methylphenylsiloxane copolymer capped with trimethylsiloxy groups at both molecular chain ends, dimethylpolysiloxane capped with dimethylphenylsiloxy groups at both molecular chain ends, methylphenylpolysiloxane capped with dimethylphenylsiloxy groups at both molecular chain ends, and dimethylsiloxane/methylphenylsiloxane copolymer capped with dimethylphenylsiloxy groups at both molecular chain ends.
  • the non-functional organopolysiloxane of component (D) may be used alone or in combination of two or more. It is preferable that it be in the form of an oil or crude rubber. Furthermore, the amount of component (D) blended is 0.1 to 200 parts by mass, preferably 1 to 100 parts by mass, per 100 parts by mass of component (A).
  • Component (E) is a hydrosilylation catalyst, preferably a platinum group metal-based hydrosilylation catalyst.
  • Component (E) is a catalyst that promotes the addition reaction between alkenyl groups in components (A) and (B) and hydrosilyl groups in components (B) and (C).
  • Component (E) includes thermally activated hydrosilylation catalysts (E-1) that are activated by heat and photoactivated hydrosilylation catalysts (E-2) that are activated by light.
  • These hydrosilylation catalysts are generally compounds of noble metals and are expensive, so relatively readily available platinum or platinum compounds are often used.
  • the curable silicone resin composition be curable by either light or heat, or both.
  • (E-1) Thermally activated hydrosilylation reaction catalyst
  • platinum compounds include chloroplatinic acid or complexes of chloroplatinic acid with olefins such as ethylene, complexes with alcohols or vinylsiloxanes, and metallic platinum supported on silica, alumina, carbon, etc.
  • platinum group metal catalysts other than platinum compounds rhodium, ruthenium, iridium, and palladium-based compounds are also known, and examples thereof include RhCl(PPh 3 ) 3 , RhCl(CO)(PPh 3 ) 2 , Ru 3 (CO) 12 , IrCl(CO)(PPh 3 ) 2 , and Pd(PPh 3 ) 4.
  • Ph is a phenyl group.
  • (E-2) Photoactivated Hydrosilylation Catalyst This photoactivated hydrosilylation catalyst is activated by irradiation with light, particularly ultraviolet light with a wavelength of 300 to 400 nm, and promotes the addition reaction between alkenyl groups in components (A) and (B) and hydrosilyl groups in components (B) and (C). This promoting effect is temperature-dependent, with a higher promoting effect being obtained at higher temperatures. Therefore, after the preferred light irradiation, it is preferable to use the catalyst at an ambient temperature of 0 to 200°C, more preferably 10 to 100°C, in order to complete the reaction within an appropriate reaction time.
  • the ligand for this catalyst is preferably one that exhibits catalytic activity under medium- to long-wavelength UV light, from UV-B to UV-A, in order to minimize damage to the wafer.
  • Examples of such ligands include cyclic diene ligands and ⁇ -diketonato ligands.
  • photoactivatable hydrosilylation reaction catalysts include, as cyclic diene ligand types, for example, ( ⁇ 5 -cyclopentadienyl)tri( ⁇ -alkyl)platinum(IV) complexes, particularly specific examples being (methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV), (cyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV), (1,2,3,4,5-pentamethylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV), (cyclopentadienyl)dimethylethylplatinum(IV), (cyclopentadienyl)dimethylacetylplatinum(IV), (trimethylsilylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV), (methoxycarbonylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV), and (dimethylphenylsilylcyclopentadienyl)trimethylplatinum
  • platinum complex examples include ⁇ -diketonatoplatinum(II) or platinum(IV), particularly specifically trimethyl(acetylacetonato)platinum(IV), trimethyl(3,5-heptanedionato)platinum(IV), trimethyl(methylacetoacetate)platinum(IV), bis(2,4-pentanedionato)platinum(II), bis(2,4-hexanedionato)platinum(II), bis(2,4-heptanedionato)platinum(II), bis(3,5-heptanedionato)platinum(II), bis(1-phenyl-1,3-butanedionato)platinum(II), bis(1,3-diphenyl-1,3-propanedionato)platinum(II), and bis(hexafluoroacetylacetonato)platinum(II).
  • a suitable solvent means a solvent that is soluble in any or all of components (A), (B), and (C) and is suitable for the working environment and process.
  • the amount of component (E) added is an effective amount, typically 0.1 to 5,000 ppm, preferably 1 to 1,000 ppm, calculated as metal atom weight relative to the total mass of components (A), (B), (C), and (D). Amounts of 0.1 ppm or more do not impair the curability of the composition, nor do they lower the crosslink density or holding power. Amounts of 5,000 ppm or less can suppress side reactions such as dehydrogenation during curing and also extend the usable life of the treatment solution.
  • the curable silicone resin composition may further contain a reaction inhibitor as component (F), which is optionally added as needed to prevent thickening or gelation of the composition when preparing the composition or applying it to a substrate.
  • reaction inhibitor examples include 3-methyl-1-butyn-3-ol, 3-methyl-1-pentyn-3-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, 1-ethynylcyclohexanol, 3-methyl-3-trimethylsiloxy-1-butyne, 3-methyl-3-trimethylsiloxy-1-pentyne, 3,5-dimethyl-3-trimethylsiloxy-1-hexyne, 1-ethynyl-1-trimethylsiloxycyclohexane, bis(2,2-dimethyl-3-butynyloxy)dimethylsilane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane, and 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-divinyldisiloxane. Of these, 1-ethynylcyclohexanol and 3-methyl-1-butyn-3-ol are preferred.
  • the curable silicone resin composition containing the above components (A) to (E) also contains component (F)
  • its controllability differs depending on the chemical structure, so its content should be adjusted to the optimum amount for each component.
  • the content is preferably 0.001 to 10 parts by mass, and more preferably 0.01 to 10 parts by mass, relative to the total mass of components (A), (B), and (C).
  • the content of component (F) is within this range, the composition has a long usable life, long-term storage stability, and good curability and workability.
  • the curable silicone resin composition may further contain an organopolysiloxane containing R A3SiO 0.5 units (wherein each R A is independently an unsubstituted or substituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms) and SiO 2 units, with the molar ratio of R A3SiO 0.5 units to SiO 2 units (R A3SiO 0.5 /SiO 2 ) being 0.3 to 1.8 .
  • the amount added is preferably 0 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of component (A).
  • antioxidants such as phenolic, quinone, and amine antioxidants can be added to the curable silicone resin composition to improve heat resistance.
  • a filler such as silica may be added to the curable silicone resin composition to further increase the physical strength of the temporary adhesive layer obtained from it.
  • the curable silicone resin composition may be used in solution by adding a solvent to lower the viscosity of the composition, thereby improving workability and mixability, and for adjusting the film thickness of the temporary adhesive layer.
  • a solvent there are no particular restrictions on the solvent used, as long as it can dissolve the above components.
  • hydrocarbon solvents such as pentane, hexane, cyclohexane, isooctane, nonane, decane, p-menthane, pinene, isododecane, and limonene are preferred.
  • Methods for creating a solution include preparing the curable silicone resin composition and then adding a solvent to adjust the viscosity to the desired level, or diluting the highly viscous components (A), (B) and/or (C) with a solvent beforehand to improve workability and mixability, and then mixing with the remaining components.
  • the mixing method used for creating a solution can be selected appropriately based on the viscosity of the composition and workability, such as a shaker mixer, magnetic stirrer, or various mixers.
  • the amount of solvent to be added can be set appropriately based on factors such as the viscosity and workability of the composition and the thickness of the temporary adhesive layer, but is preferably 5 to 900 parts by weight, and more preferably 10 to 400 parts by weight, per 100 parts by weight of the curable silicone resin composition.
  • the temporary adhesive layer can be formed by applying the curable silicone resin composition to a substrate by a method such as spin coating or roll coating.
  • a method such as spin coating or roll coating.
  • the viscosity of the soluble curable silicone resin composition at 25°C is preferably 1 to 100,000 mPa ⁇ s, and more preferably 10 to 10,000 mPa ⁇ s.
  • the viscosity here was measured at 25°C in accordance with JIS Z 8803.
  • the viscometer used can be selected appropriately depending on the viscosity; for example, an E-type viscometer (RE-85R manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) is suitable.
  • the curable silicone resin composition typically has a 180° peel strength of 25 mm wide test pieces (e.g., glass test pieces) at 25°C.
  • This strength is typically 2 gf to 100 gf, preferably 3 gf to 50 gf, and more preferably 5 gf to 30 gf.
  • a strength of 2 gf or more eliminates the risk of wafer misalignment during wafer grinding, while a strength of 100 gf or less facilitates wafer peeling.
  • the curable silicone resin composition has a storage modulus at 25°C after curing of 1,000 Pa or more and 1,000 MPa or less, preferably 10,000 Pa or more and 100 MPa or less. If the storage modulus is 1,000 Pa or more, the film formed is strong and there is no risk of wafer misalignment or subsequent wafer cracking during wafer grinding. If the storage modulus is 1,000 MPa or less, deformation stress during wafer thermal processes such as CVD can be alleviated, and the film is stable during thermal processes. There are several methods for measuring the storage modulus.
  • a glass wafer containing a silicone resin layer can be sandwiched between 25 mm diameter aluminum plates so that a load of 50 gf is applied to the silicone resin layer, and the modulus measured at 25°C using an Ares G2 manufactured by TA Instruments.
  • the measured value of the modulus can be used as the storage modulus of the silicone resin layer.
  • the curable silicone resin composition can selectively control the interface at which the laminate is peeled off after formation by applying the curable silicone resin composition to the substrate side or the support side. That is, when applying the composition to the substrate and forming a bonded body with the support, which is then peeled off, selective peeling is possible between the substrate and the temporary adhesive layer. In this case, the temporary adhesive layer remains as a residue on the support, simplifying the subsequent substrate cleaning process and improving workability. On the other hand, when the curable silicone resin composition is applied to the support and the bonded body is peeled off, selective peeling is possible at the temporary adhesive layer/support interface.
  • the temporary adhesive layer residue remains on the substrate side, which may reduce workability in the subsequent substrate cleaning process.
  • applying the composition to the support side is preferable because it is less susceptible to influences that may be caused by the substrate used, such as curing inhibition in the hydrosilylation reaction, and it is easier to achieve stable temporary adhesive function.
  • the method for producing a thin wafer of the present invention is characterized in that the temporary adhesive for wafer processing is used to temporarily bond a wafer having semiconductor circuits or the like to a support.
  • the method for producing a thin wafer of the present invention includes the following steps (a) to (e). (a) forming a wafer laminate by releasably adhering the circuit-forming surface of a wafer having a circuit-forming surface on its front surface and a non-circuit-forming surface on its back surface to a support using the temporary adhesive for wafer processing; (b) curing the temporary adhesive; (c) grinding or polishing the non-circuit-forming surfaces of the wafers in the wafer stack; (d) processing the non-circuit-forming surface of the wafer; (e) peeling the processed wafer from the support.
  • Step (a) is a temporary bonding step in which the circuit-forming surface of a wafer having a circuit-forming surface on the front side and a non-circuit-forming surface on the back side is releasably bonded to a support using the temporary adhesive for wafer processing to form a wafer laminate.
  • any of the following methods is applied: a method of forming a temporary adhesive layer on the surface of the wafer using the temporary adhesive for wafer processing, and bonding the support and the surface of the wafer via the temporary adhesive layer; a method of forming a temporary adhesive layer on the surface of a support using the temporary adhesive for wafer processing, and bonding the support and the surface of the wafer via the temporary adhesive layer; or a method of forming temporary adhesive layers on both the surface of the wafer and the surface of the support using the temporary adhesive for wafer processing, and bonding the support and the surface of the wafer via the temporary adhesive layer.
  • Wafer applicable to the present invention is typically a semiconductor wafer.
  • semiconductor wafers include not only silicon wafers, but also germanium wafers, gallium-arsenide wafers, gallium-phosphorus wafers, and gallium-arsenide-aluminum wafers.
  • the thickness of the wafer is not particularly limited, but is typically 600 to 800 ⁇ m, more typically 625 to 775 ⁇ m.
  • the support may be a substrate such as a silicon wafer, glass plate, or quartz wafer, but is not limited to these.
  • the support when the curable silicone resin composition is cured without irradiating it with light through the support, the support may not be light-transmitting.
  • the curable silicone resin composition when the curable silicone resin composition is cured by irradiating it with light through the support, it is preferable to use a support that is light-transmitting.
  • the temporary adhesive layer may be formed by laminating a film of the curable silicone resin composition onto a wafer or support, or by applying the curable silicone resin composition by methods such as spin coating or roll coating. If the curable silicone resin composition is a solution containing a solvent, after application, it is prebaked, preferably at a temperature of 40 to 200°C, more preferably 50 to 150°C, depending on the evaporation conditions of the solvent, before use.
  • the temporary adhesive layer is preferably formed and used with a film thickness of 0.1 to 500 ⁇ m, preferably 1.0 to 200 ⁇ m. If the film thickness is 0.1 ⁇ m or more, it can be applied to the entire substrate without leaving any areas uncoated. On the other hand, if the film thickness is 500 ⁇ m or less, it can withstand the grinding process used to form thin wafers.
  • the method for bonding the support and the wafer surface via the temporary adhesive layer preferably involves uniform pressure bonding under reduced pressure at a temperature range of 10 to 200°C, more preferably 20 to 150°C.
  • the pressure applied when pressing the wafer with the temporary adhesive layer formed onto the support body depends on the viscosity of the temporary adhesive layer, but is preferably 0.01 to 10 MPa, more preferably 0.1 to 1.0 MPa.
  • a pressure of 0.01 MPa or higher allows the temporary adhesive layer to fill the circuit formation surface and the space between the wafer and support body, while a pressure of 10 MPa or lower prevents cracking of the wafer or deterioration of the flatness of the wafer and temporary adhesive layer, ensuring good subsequent wafer processing.
  • Wafer bonding can be performed using a commercially available wafer bonder, such as EVG's EVG520IS or 850TB, or SUSS MicroTec's XBS300.
  • a commercially available wafer bonder such as EVG's EVG520IS or 850TB, or SUSS MicroTec's XBS300.
  • step (b) the temporary adhesive layer is cured.
  • the temporary adhesive layer is cured by heating the wafer laminate at preferably 50 to 300°C, more preferably 100 to 200°C, for preferably 1 minute to 4 hours, more preferably 5 minutes to 2 hours.
  • a photocurable resin composition after the wafer processed body (laminate substrate) is formed, light may be irradiated from the light-transmitting support side to photocure the temporary adhesive layer, or the wafer processed body (laminate substrate) may be formed using a photocurable silicone resin composition that has been previously irradiated with light and then cured.
  • the type of actinic ray used is not particularly limited, but ultraviolet light is preferred, and ultraviolet light with a wavelength of 300-400 nm is even more preferred.
  • the ultraviolet irradiance (illuminance) is preferably 100 mJ/cm 2 to 100,000 mJ/cm 2 , preferably 500 mJ/cm 2 to 10,000 mJ/cm 2 , and more preferably 1,000 to 5,000 mJ/cm 2 in terms of cumulative light dose, in order to obtain good curing properties. If the ultraviolet irradiance (illuminance) is equal to or greater than the lower limit of the above range, sufficient energy is obtained to activate the photoactivated hydrosilylation reaction catalyst in the temporary adhesive layer, resulting in a sufficiently cured product.
  • the amount of ultraviolet irradiation is equal to or less than the upper limit range, sufficient energy is irradiated onto the composition, and a sufficient cured product can be obtained without causing decomposition of the components in the polymer layer or deactivation of part of the catalyst.
  • the ultraviolet radiation may be light with multiple emission spectra, or light with a single emission spectrum.
  • the single emission spectrum may be a broad spectrum in the 300 to 400 nm range.
  • Light with a single emission spectrum is light with a peak (i.e., maximum peak wavelength) in the range of 300 to 400 nm, preferably 350 to 380 nm.
  • Light sources that irradiate such light include ultraviolet light-emitting diodes (ultraviolet LEDs) and ultraviolet light-emitting semiconductor element light sources such as ultraviolet light-emitting semiconductor lasers.
  • Light sources that emit light with multiple emission spectra include lamps such as metal halide lamps, xenon lamps, carbon arc lamps, chemical lamps, sodium lamps, low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, and ultra-high-pressure mercury lamps, as well as gas lasers such as nitrogen lasers, liquid lasers using organic dye solutions, and solid-state lasers using inorganic single crystals containing rare earth ions.
  • lamps such as metal halide lamps, xenon lamps, carbon arc lamps, chemical lamps, sodium lamps, low-pressure mercury lamps, high-pressure mercury lamps, and ultra-high-pressure mercury lamps, as well as gas lasers such as nitrogen lasers, liquid lasers using organic dye solutions, and solid-state lasers using inorganic single crystals containing rare earth ions.
  • the light has a peak in the wavelength range shorter than 300 nm in its emission spectrum, or if there are wavelengths in the wavelength range shorter than 300 nm that have an irradiance greater than 5% of the irradiance of the maximum peak wavelength in the emission spectrum (e.g., if the emission spectrum is broad across a wide wavelength range), and if a substrate that is optically transparent to wavelengths shorter than 300 nm, such as a quartz wafer, is used as the support, it is preferable to remove light with wavelengths shorter than 300 nm using an optical filter to obtain a sufficient cured product.
  • the optical filter reduces the irradiance of each wavelength shorter than 300 nm to 5% or less, preferably 1% or less, more preferably 0.1% or less, and even more preferably 0%, of the irradiance of the maximum peak wavelength. If the emission spectrum has multiple peaks in the wavelength range from 300 to 400 nm, the peak wavelength showing the greatest absorbance is considered to be the maximum peak wavelength.
  • the optical filter There are no particular restrictions on the optical filter, as long as it cuts wavelengths shorter than 300 nm. Any known optical filter can be used. For example, a 365 nm bandpass filter can be used. The illuminance and spectral distribution of ultraviolet light can be measured using a spectroradiometer, such as the USR-45D (Ushio Inc.).
  • the light irradiation device is not particularly limited, but examples that can be used include spot-type irradiation devices, surface-type irradiation devices, line-type irradiation devices, and conveyor-type irradiation devices.
  • the light exposure time cannot be generally determined because it depends on the illuminance. However, by adjusting the illuminance to, for example, 1 to 300 seconds, preferably 10 to 200 seconds, and more preferably 30 to 150 seconds, the exposure time will be appropriately short and will not pose any particular problems during the work process. Furthermore, after exposure to light, the photocurable silicone resin composition will gel within 1 to 120 minutes, and particularly within 5 to 60 minutes. In this specification, gelation refers to a state in which the curing reaction of the photocurable silicone resin composition has partially progressed and the composition has lost its fluidity.
  • the curing speed of the photocurable silicone resin composition after light irradiation depends on the ambient temperature, it is preferable to leave the wafer processed body (laminate substrate) at a temperature of preferably 20 to 150°C, and more preferably 30 to 100°C, from the perspective of improving workability.
  • Step (c) is a step of grinding or polishing the non-circuit-forming surface of the wafer temporarily bonded to the support, i.e., a step of grinding the backside of the wafer of the wafer laminate obtained in the above step to reduce the thickness of the wafer.
  • a step of grinding the backside of the wafer There are no particular limitations on the method of grinding the backside of the wafer, and any known grinding method can be used. Grinding is preferably performed while cooling the wafer and grinding stone (diamond, etc.) by spraying water on them.
  • An example of an apparatus for grinding the backside of the wafer is the DAG-810 (trade name) manufactured by Disco Corporation.
  • the backside of the wafer may be subjected to chemical mechanical polishing (CMP).
  • Step (d) is a step of processing the non-circuit surface of the wafer laminate whose non-circuit surface has been ground in step (c). That is, it is a step of processing the non-circuit surface of the wafer of the wafer laminate thinned by backside grinding. This step includes various processes used at the wafer level. Examples include electrode formation, metal wiring formation, and protective film formation.
  • examples include conventionally known processes such as metal sputtering for forming electrodes, wet etching of the metal sputtered layer, pattern formation by applying, exposing, and developing a resist to serve as a mask for metal wiring formation, resist stripping, dry etching, metal plating, silicon etching for TSV formation, and oxide film formation on the silicon surface.
  • Step (e) is a step of peeling the wafer processed in step (d) from the support, i.e., a step of peeling the wafer from the support after various processing has been performed on the thinned wafer and before dicing.
  • This peeling step is generally carried out under relatively mild conditions, such as room temperature to about 60°C. Peeling methods include fixing one of the wafers or the support of the wafer stack horizontally and lifting the other at a certain angle from the horizontal direction, and attaching a protective film to the ground surface of the ground wafer and peeling the wafer and protective film from the wafer stack using a peel method. When the peeling step is carried out using these peeling methods, it is usually carried out at room temperature.
  • step (e) is (e1) a step of attaching a dicing tape to the wafer surface of the processed wafer; It is preferable to include the steps of (e2) vacuum-adsorbing the dicing tape surface onto the adsorption surface, and (e3) peeling the support off from the processed wafer at an adsorption surface temperature in the range of 10 to 100° C. This allows the support to be easily peeled off from the processed wafer, and also makes the subsequent dicing step easier to carry out.
  • step (e) It is preferable to carry out a step (f) of removing the temporary adhesive layer remaining on the circuit-forming surface of the peeled wafer.
  • a portion of the temporary adhesive layer may remain on the circuit-forming surface of the wafer peeled from the support in step (e), and the temporary adhesive layer can be removed by, for example, washing the wafer.
  • any cleaning liquid that dissolves the silicone resin of the temporary adhesive layer can be used, including pentane, hexane, cyclohexane, decane, isononane, p-menthane, pinene, isododecane, limonene, etc. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • a base or acid may be added to the cleaning solution.
  • bases that can be used include amines such as ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, triethylamine, and ammonia; and ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide.
  • acids that can be used include organic acids such as acetic acid, oxalic acid, benzenesulfonic acid, and dodecylbenzenesulfonic acid.
  • the amount of base or acid added is preferably such that the concentration in the cleaning solution is 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass.
  • a conventional surfactant may be added.
  • the SPIS-TA-CLEANER series manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
  • Methods for cleaning the wafer include washing with a paddle using the cleaning solution, washing by spraying, and immersion in a cleaning solution tank.
  • the temperature during washing is preferably 10 to 80°C, more preferably 15 to 65°C. If necessary, after dissolving the temporary adhesive layer with these cleaning solutions, the wafer may be finally rinsed with water or alcohol and then dried.
  • the thickness of the thin wafer obtained by the manufacturing method of the present invention is typically 5 to 300 ⁇ m, and more typically 10 to 100 ⁇ m.
  • the present invention provides a wafer laminate comprising a support, a temporary adhesive layer obtained from the above-described temporary adhesive for wafer processing laminated thereon, and a wafer having a circuit-forming surface on its front side and a non-circuit-forming surface on its back side, wherein the temporary adhesive layer is releasably adhered to the front side of the wafer.
  • the viscosity here was measured at 25°C in accordance with JIS Z 8803.
  • the viscometer used can be selected appropriately depending on the viscosity; for example, an E-type viscometer (RE-85R manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.) is preferably used.
  • thermosetting silicone resin solution A1 0.4 parts by mass of the hydrosilylation catalyst CAT-PL-5 (Component E) was then added, and the mixture was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to prepare thermosetting silicone resin solution A1.
  • the viscosity of resin solution A1 at 25° C. was 2,400 mPa ⁇ s.
  • the Si—H/Si—Vi (molar ratio) in Preparation Example 1 was 1.2.
  • an organohydrogenpolysiloxane having a SiH group content of 0.222 mol/ 100 g, represented by 83.9 mol% of (CH 3 )HSiO 2/2 units ( D units) and 16.1 mol% of (CH 3 )HSiO 2/2 units (D H units), and an Mn of 2,400, 50 parts by mass of a dimethylpolysiloxane (component D) end-blocked at both molecular chain ends with trimethylsiloxy groups and having a viscosity of 1,000 mPa ⁇ s in a 30% by mass toluene solution (25°C), 120 parts by mass of xylene, and 0.6 parts by mass of 1-ethynylcyclohexanol were added and mixed.
  • component C organohydrogenpolysiloxane having a SiH group content of 0.222 mol/ 100 g, represented by 83.9 mol% of (CH 3 )HSiO 2/2 units ( D units) and 16.1 mol% of (
  • thermosetting silicone resin solution A2 0.4 parts by mass of the hydrosilylation reaction catalyst CAT-PL-5 (component E) was added, and the mixture was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to prepare thermosetting silicone resin solution A2.
  • the viscosity of resin solution A2 at 25° C. was 1,200 mPa ⁇ s.
  • the Si—H/Si—Vi (molar ratio) in Preparation Example 2 was 1.6.
  • Preparation Example 3 A solution of 100 parts by mass of polydimethylsiloxane having a phenyl group content of 0.127 mol/100 g, an alkenyl group content of 0.0248 mol/100 g, an Mn of 30,000, and 200 parts by mass of xylene was added with 50 mol % of SiO 4/2 units (Q units), 48 mol % of (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units (M units), and (CH 2 ⁇ CH)(CH 3 ) 2 SiO 1/2 units (M units).
  • the solution consisted of 50 parts by mass of vinylmethylpolysiloxane (component A) having a resin structure with an Mn of 7,000 and an alkenyl group content of 0.0282 mol/100 g and 2 mol% ( Vi units) of (CH 3 ) 2 SiO 2/2 units (D units), 5 parts by mass of vinyldimethylpolysiloxane (component B) having an alkenyl group content of 0.0125 mol/100 g and an Mn of 8,000 and containing one vinyl group at one end, 83.9 mol% (CH 3 ) 2 SiO 2/2 units (D units), and 100 parts by mass of xylene.
  • component A vinylmethylpolysiloxane
  • component B having a resin structure with an Mn of 7,000 and an alkenyl group content of 0.0282 mol/100 g and 2 mol% ( Vi units) of (CH 3 ) 2 SiO 2/2 units (D units)
  • component B vinyldimethylpolysiloxane
  • Component C organohydrogenpolysiloxane having a SiH group content of 0.222 mol/100 g (represented by 16.1 mol% SiH units) and an Mn of 2,400
  • Component D dimethylpolysiloxane
  • thermosetting silicone resin solution A3 0.4 parts by mass of hydrosilylation reaction catalyst CAT-PL-5 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., platinum concentration 1.0% by mass) (Component E) was added, and the mixture was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to prepare thermosetting silicone resin solution A3.
  • the viscosity of resin solution A3 at 25°C was 3,300 mPa ⁇ s.
  • the Si—H/Si—Vi (molar ratio) in Preparation Example 3 is 0.56.
  • Preparation Example 4 A solution of 100 parts by mass of polydimethylsiloxane having a phenyl group content of 0.127 mol/100 g, an alkenyl group content of 0.0248 mol/100 g, an Mn of 30,000, and 200 parts by mass of xylene was added with 50 mol % of SiO 4/2 units (Q units), 48 mol % of (CH 3 ) 3 SiO 1/2 units (M units), and (CH 2 ⁇ CH)(CH 3 ) 2 SiO 1/2 units (M units).
  • the solution consisted of 50 parts by mass of vinylmethylpolysiloxane (component A) having a resin structure with an alkenyl group content of 0.0282 mol/100 g and an Mn of 7,000, and 2 mol% of (Vi units), and 100 parts by mass of xylene; 5 parts by mass of organohydrogenpolydimethylsiloxane (component B) having one SiH group at one end, an SiH group content of 0.0100 mol/100 g, and an Mn of 10,000; 83.9 mol% of ( CH3 )2SiO2 / 2 units (D units), and 100 parts by mass of xylene ; A solution consisting of 20 parts by mass of an organohydrogenpolysiloxane (Component C) having a SiH group content of 0.222 mol/100 g (represented by 16.1 mol% SiH units) and an Mn of 2,400, 50 parts by mass of a dimethylpolysiloxane (Component D)
  • thermosetting silicone resin solution A4 0.4 parts by mass of hydrosilylation reaction catalyst CAT-PL-5 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., platinum concentration 1.0% by mass) (Component E) was added, and the mixture was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to prepare thermosetting silicone resin solution A4.
  • the viscosity of resin solution A4 at 25°C was 2,500 mPa ⁇ s.
  • the Si--H/Si--Vis (molar ratio) in Preparation Example 4 is 1.2.
  • Thermosetting silicone resin solution A5 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 above, except that a vinyldimethylpolysiloxane (alkenyl group content: 0.0125 mol/100 g, Mn: 8,000, 5 parts by mass) having one vinyl group on a side chain (component B) was added instead of the vinyldimethylpolysiloxane (alkenyl group content: 0.0125 mol/100 g, Mn: 8,000, 5 parts by mass) having one vinyl group on one end (component B).
  • the viscosity of resin solution A5 at 25°C was 2,400 mPa s.
  • the Si—H/Si—Vi (molar ratio) in Preparation Example 5 was 1.2.
  • thermosetting silicone resin solution A6 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2, except that an organohydrogenpolydimethylsiloxane having one SiH group on a side chain (SiH group content: 0.0100 mol/100 g, Mn: 10,000, 5 parts by mass) (Component B) was added instead of the organohydrogenpolydimethylsiloxane having one SiH group on one end (SiH group content: 0.0100 mol/100 g, Mn: 10,000, 5 parts by mass).
  • the viscosity of Resin Solution A6 at 25°C was 1,200 mPa s.
  • the Si—H/Si—Vi (molar ratio) in Preparation Example 6 was 1.6.
  • Photocurable silicone resin solution A7 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1 above, except that the hydrosilylation catalyst CAT-PL-5 (0.4 parts by mass) (Component E) was replaced with a photoactivated hydrosilylation catalyst; (methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV) toluene solution (platinum concentration 1.0% by mass) (Component E).
  • the viscosity of resin solution A7 at 25°C was 2,400 mPa s.
  • the Si-H/Si-Vis (molar ratio) in this Preparation Example 7 was 1.2.
  • Photocurable silicone resin solution A8 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2 above, except that the hydrosilylation catalyst CAT-PL-5 (0.4 parts by mass) (Component E) was replaced with a photoactivated hydrosilylation catalyst; (methylcyclopentadienyl)trimethylplatinum(IV) toluene solution (platinum concentration 1.0% by mass) (Component E) (0.4 parts by mass).
  • the viscosity of resin solution A8 at 25°C was 1,200 mPa s.
  • the Si-H/Si-Vis (molar ratio) in this Preparation Example 8 was 1.6.
  • thermosetting silicone resin solution CA1 was prepared in the same manner as in Preparation Example 1, except that 5 parts by mass of vinyldimethylpolysiloxane (Component B) having an alkenyl group content of 0.0125 mol/100 g and an Mn of 8,000 and having one vinyl group at one end was not added.
  • the viscosity of Resin Solution CA1 at 25°C was 2,500 mPa s.
  • the Si-H/Si-Vi (molar ratio) in this Comparative Preparation Example 1 was 1.2.
  • Comparative Preparation Example 2 In the above Preparation Example 1, instead of 5 parts by mass of vinyldimethylpolysiloxane (Component B) having an alkenyl group content of 0.0125 mol/100 g and an Mn of 8,000, which has one vinyl group at one end, 5 parts by mass of vinyldimethylpolysiloxane having an alkenyl group content of 0.025 mol/100 g and an Mn of 8,000, which has vinyl groups at both ends, was added to prepare thermosetting silicone resin solution CA2. The viscosity of resin solution CA2 at 25 ° C. was 2,500 mPa s. The Si-H/Si-Vi (molar ratio) in this Comparative Preparation Example 2 was 1.1.
  • thermosetting silicone resin solution CA3 was prepared in the same manner as in Preparation Example 2, except that 5 parts by mass of organohydrogenpolydimethylsiloxane (Component B) having a SiH group content of 0.0100 mol/100 g and an Mn of 10,000, each containing one SiH group at one end, was not added.
  • the viscosity of Resin Solution CA3 at 25°C was 1,300 mPa s.
  • the Si-H/Si-Vis (molar ratio) in Comparative Preparation Example 3 was 1.6.
  • Comparative Preparation Example 4 In the above Preparation Example 2, instead of 5 parts by mass of organohydrogenpolydimethylsiloxane (Component B) having one SiH group at one end, a SiH group content of 0.0200 mol/100 g, and an Mn of 10,000, 5 parts by mass of organohydrogenpolydimethylsiloxane having SiH groups at both ends, a SiH group content of 0.0400 mol/100 g, and an Mn of 10,000 was added to prepare a thermosetting silicone resin solution CA4. The viscosity of resin solution CA4 at 25 ° C. was 1,300 mPa s. The Si—H/Si—Vi (molar ratio) in this Comparative Preparation Example 4 was 1.6.
  • Photocurable silicone resin solution CA5 was prepared in the same manner as in Preparation Example 5, except that 5 parts by mass of vinyldimethylpolysiloxane (Component B) having an alkenyl group content of 0.0125 mol/100 g and an Mn of 8,000 and containing one vinyl group at one end was not added.
  • the viscosity of resin solution CA5 at 25°C was 2,400 mPa s.
  • the Si-H/Si-Vi (molar ratio) in this Comparative Preparation Example 5 was 1.2.
  • the silicon wafer and glass wafer with the temporary adhesive layer were each vacuum-bonded at 100°C for 2 minutes, 10-3 mbar or less, and a load of 5 kN using an EVG wafer bonding device EVG520IS so that the temporary adhesive layer and the glass wafer were aligned, and then a wafer stack was produced by performing a curing process.
  • the curing conditions here were as follows: when a thermosetting silicone resin solution was used, the solution was heated in an oven at 180°C for 1 hour; when a photocurable silicone resin solution was used, the solution was cured by irradiating the solution with light for 120 seconds at an illuminance of 100 mW/ cm2 at 23°C using a surface-irradiation type UV-LED (wavelength 365 nm) irradiator.
  • peelability test after heat resistance test The peelability of the substrate was evaluated by first attaching a dicing tape (ELP UB-3083D manufactured by Nitto Denko Corporation) to the wafer side of the wafer laminate that had undergone the heat resistance test (3) using a dicing frame, and then setting the dicing tape surface on an adsorption plate by vacuum suction. Then, at room temperature, the glass wafer was peeled off by lifting one point of the glass with tweezers. If the 30 ⁇ m thick wafer could be peeled off without cracking, it was indicated by " ⁇ ", and if an abnormality such as cracking occurred, it was evaluated as defective and indicated by " ⁇ ". At that time, it was also confirmed whether the temporary adhesive layer remained as a residue on the substrate (silicon wafer) side or the support (glass wafer) side.
  • a dicing tape ELP UB-3083D manufactured by Nitto Denko Corporation
  • the tape was peeled 120 mm from one end at 180 ° peeling at 25 ° C and a speed of 300 mm / min, and the average force applied at that time (120 mm stroke x 5 times) was taken as the initial peel force of the silicone resin layer.
  • a cured silicone resin layer was prepared on the surface of the wafer where the bumps were formed in the same manner as above, and the tape peeling force after heat treatment in an oven at 250° C. in air for 1 hour was measured as the peeling force after heat resistance.
  • a temporary adhesive for wafer processing for temporarily bonding a wafer to a support
  • the temporary adhesive for wafer processing being made of a curable silicone resin composition that can be cured by a hydrosilylation reaction
  • the curable silicone resin composition being characterized in that it contains an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule.
  • the curable silicone resin composition (A) organopolysiloxane having two or more alkenyl groups per molecule: 100 parts by mass, (B) an organopolysiloxane having only one alkenyl group or only one hydrogen atom bonded to a silicon atom (SiH group) per molecule: 0.1 to 100 parts by mass; (C) an organohydrogenpolysiloxane containing two or more silicon-bonded hydrogen atoms (SiH groups) per molecule: in an amount such that the sum of the SiH groups in components (B) and (C) relative to the sum of the alkenyl groups in components (A) and (B) is a molar ratio of 0.3 to 5; (D) a non-functional organopolysiloxane: 0.1 to 200 parts by mass, and (E) a hydrosilylation reaction catalyst: 0.1 to 5,000 ppm in terms of metal atom weight, based on the total mass of components (A), (B), (C),
  • [10] (a) peelably adhering the circuit-forming surface of a wafer having a circuit-forming surface on its front side and a circuit-free surface on its back side to a support using the temporary adhesive for wafer processing according to any one of [1] to [9] to form a wafer laminate; (b) curing the temporary adhesive; (c) grinding or polishing the non-circuit-forming surfaces of the wafers in the wafer stack; (d) processing the non-circuit-forming surface of the wafer; (e) peeling the processed wafer from the support.
  • a wafer laminate comprising a support, a temporary adhesive layer obtained from the temporary adhesive for wafer processing according to any one of [1] to [9] laminated thereon, and a wafer having a circuit-forming surface on the front side and a circuit-free surface on the back side, wherein the temporary adhesive layer is peelably adhered to the front side of the wafer.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments.
  • the above-described embodiments are merely examples, and anything that has substantially the same configuration as the technical concept described in the claims of the present invention and exhibits similar effects is included within the technical scope of the present invention.

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Abstract

本発明は、ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、前記ウエハ加工用仮接着剤は、ヒドロシリル化反応により硬化が可能な硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものであり、前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着剤である。これにより高段差基板を用いた場合でも接合後の基板保持性が十分にあり、ウエハ裏面研削工程、ＴＳＶ形成工程、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、かつ接合後に空気中で高温かつ長時間の熱プロセスを経た後であっても剥離工程における剥離が容易であり、また剥離後の基板の残渣洗浄性にも優れる等、薄型ウエハの生産性向上に繋がるウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供される。

Description

ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法
　本発明は、ウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体及び薄型ウエハの製造方法に関する。
　３次元の半導体実装は、より一層の高密度、大容量化を実現するために必須となってきている。３次元実装技術とは、１つの半導体チップを薄型化し、更にこれをシリコン貫通電極（ＴＳＶ：ｔｈｒｏｕｇｈ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｖｉａ）によって結線しながら多層に積層していく半導体作製技術である。これを実現するためには、半導体回路を形成した基板を回路非形成面（「裏面」ともいう。）研削によって薄型化し、更に裏面にＴＳＶを含む電極形成を行う工程が必要である。従来、シリコン基板の裏面研削工程では、研削面の反対側に裏面保護テープを貼り、研削時のウエハ破損を防いでいる。しかし、このテープは有機樹脂フィルムを支持基材に用いており、柔軟性がある反面、強度や耐熱性が不十分であり、ＴＳＶ形成工程や裏面での配線層形成工程を行うには適しない。
　そこで、半導体基板をシリコン、ガラス等の支持体に接着剤層を介して接合することによって、裏面研削、ＴＳＶや裏面電極形成の工程に十分耐え得るシステムが提案されている。このとき重要なのが、基板を支持体に接合する際の接着剤層である。これは基板を支持体に隙間なく接合でき、後の工程に耐えるだけの十分な耐久性が必要で、更に最後に薄型ウエハを支持体から簡便に剥離できることが必要である。このように、最後に剥離することから、本明細書では、この接着剤層を仮接着剤層ともいう。
　これまでに公知の仮接着剤層とその剥離方法としては、光吸収性物質を含む接着剤に高強度の光を照射し、接着剤層を分解することによって支持体から接着剤層を剥離する技術（特許文献１）、及び、熱溶融性の炭化水素系化合物を接着剤に用い、加熱溶融状態で接合・剥離を行う技術（特許文献２）が提案されている。前者の技術はレーザ等の高価な装置が必要であり、かつ基板１枚あたりの処理時間が長くなるなどの問題があった。また後者の技術は加熱だけで制御するため簡便である反面、２００℃を超える高温での熱安定性が不十分であるため、適用範囲は狭かった。更にこれらの仮接着剤層では、高段差基板の均一な膜厚形成と、支持体への完全接着にも適さなかった。
　また、シリコーン粘着剤を仮接着剤層に用いる技術が提案されている。これは、付加硬化型のシリコーン粘着剤を用いて基板を支持体に接着し、剥離の際にはシリコーン樹脂を溶解あるいは分解するような薬剤に浸漬して基板を支持体から分離するものである（特許文献３）。そのため、剥離に非常に長時間を要し、実際の製造プロセスへの適用は困難であった。また剥離後、基板上に残渣として残ったシリコーン粘着剤を洗浄するのにも長時間が必要となり、洗浄除去性という点からも課題を有していた。
　上記課題に対し、無官能性ポリオルガノシロキサンを含む硬化性シリコーン組成物を仮接着剤層に用いる技術が従来公知である（特許文献４、５）。この組成物によると、基板と支持体とを仮接着剤層を介して接合することで、基板の加工に耐えうる基板－仮接着剤層間の密着性が得られる一方、基板から支持体を剥離する際には、仮接着剤層は選択的に支持体側に接着した状態で剥離可能なため、剥離後、基板上には仮接着剤層がほとんど残らない。これによって、剥離後の基板の洗浄除去性は大幅に改善可能となり、上記、剥離性と洗浄除去性の両方の課題を満足することが可能となった。
　しかし高段差基板の種類によっては、基板と仮接着剤層間からの選択的な剥離ができず、一部の仮接着剤が基板上に残ってしまい、その結果残渣洗浄に長時間を要する等の問題があった。また、高温かつ長時間の熱プロセスを経た後に薄化された基板を支持体から剥離すると、基板が割れてしまう異常に繋がるため、早急な解決が求められていた。
特開２００４－６４０４０号公報 特開２００６－３２８１０４号公報 米国特許第７５４１２６４号明細書 ＷＯ２０２１－１１２０７０号公報 ＷＯ２０２１－２２０９２９号公報
　本発明は、前記課題に鑑みなされたもので、高段差基板を用いた場合でも接合後の基板保持性が十分にあり、ウエハ裏面研削工程、ＴＳＶ形成工程、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、かつ接合後に空気中で高温かつ長時間の熱プロセスを経た後であっても剥離工程における剥離が容易であり、また剥離後の基板の残渣洗浄性にも優れる等、薄型ウエハの生産性向上に繋がるウエハ加工用仮接着剤、ウエハ積層体、及びこれを使用する薄型ウエハの製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明では、
　ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、前記ウエハ加工用仮接着剤は、ヒドロシリル化反応により硬化が可能な硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものであり、前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着剤を提供する。
　このような硬化性シリコーン樹脂組成物であれば、高段差基板を用いた場合でも接合後の基板保持性が十分にあり、ウエハ裏面研削工程、ＴＳＶ形成工程、ウエハ裏面配線工程に対する工程適合性が高く、かつ接合後に空気中で高温かつ長時間の熱プロセスを経た後であっても剥離工程における剥離が容易であり、また剥離後の基板の残渣洗浄性にも優れ、特に、樹脂の耐熱性を向上させることができる。
　更に、前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、
（Ａ）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサン：０．１～１００質量部、
（Ｃ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計に対する（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のＳｉＨ基の合計が、モル比で０．３～５となる量、
（Ｄ）無官能性オルガノポリシロキサン：０．１～２００質量部、及び
（Ｅ）ヒドロシリル化反応触媒：（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）成分の合計質量に対し、金属原子量換算で０．１～５，０００ｐｐｍ
を含むことが好ましい。
　このような硬化性シリコーン樹脂組成物はウエハ加工用仮接着剤として好ましい。
　この場合、前記（Ａ）成分の１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、少なくとも１個以上のアリール基を有するものであることが好ましい。
　このような（Ａ）成分を、上記硬化性シリコーン樹脂組成物として用いることができる。
　前記（Ｄ）成分の無官能性オルガノポリシロキサンの３０質量％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓである、ジメチルポリシロキサンであることが好ましい。
　このような粘度が、組成物の作業性、機材への塗工性、降下物の力学特性、支持体の剥離性等の観点から好ましい。
　また、前記（Ａ）～（Ｅ）成分を含む硬化性シリコーン樹脂組成物が、更に（Ｆ）成分としてヒドロシリル化反応制御剤を前記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計質量に対し、０．００１～１０質量部含むことが好ましい。
　上記（Ｆ）成分を含むことにより、前記硬化性シリコーン樹脂組成物の増粘やゲル化を起こさないようにすることができる。
　前記１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。
　このようなオルガノポリシロキサンを前記硬化性シリコーン樹脂組成物に含むことにより、樹脂の耐熱性をより向上させることができる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、光及び加熱のいずれか、又はその両方によって硬化可能なものであることが好ましい。
　このような硬化性シリコーン樹脂組成物であれば、使用する（Ｅ）成分のヒドロシリル化反応によって光及び加熱のいずれか、又はその両方で硬化可能な組成物とすることができる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃でのシリコン基板に対する２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力が２ｇｆ以上１００ｇｆ以下であることが好ましい。
　上記１８０°ピール剥離力が２ｇｆ以上であれば、ウエハ研削時にウエハのズレが生じるおそれがなく、１００ｇｆ以下であれば、ウエハの剥離が容易となる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃での貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上１，０００ＭＰａ以下であることが好ましい。
　上記貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上であれば、形成される膜が強靭であり、ウエハ研削時にウエハのズレやそれに伴うウエハ割れが生じるおそれがなく、１，０００ＭＰａ以下であれば、ＣＶＤ等のウエハ熱プロセス中の変形応力を緩和することができ、ウエハへの熱プロセス時にも安定である。
　更に、本発明は、
（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、上記に記載のウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記仮接着剤を硬化させる工程と、
（ｃ）前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
を含む薄型ウエハの製造方法を提供する。
　このような薄型ウエハの製造方法により、前記ウエハ加工用仮接着剤を、半導体回路等を有するウエハと支持体との仮接着ができる。
　更に本発明は、支持体と、その上に積層された上記ウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたウエハ積層体を提供する。
　このようなウエハ積層体を用いることにより、薄型ウエハの生産性向上に繋げることができる。
　以上のように、本発明のウエハ加工用仮接着剤は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含む硬化性シリコーン樹脂組成物を使用することで、樹脂の耐熱性を向上させることができる。それによって基板と支持体の剥離性が安定し、特に接合後に２００℃以上の高温で長時間曝された場合であっても基板を容易に支持体から剥離することが可能となるとともに剥離後の残渣洗浄性にも優れる。
　そのため、幅広い半導体成膜プロセスに適用でき、ＣＶＤ（化学気相成長）耐性にも優れ、また、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い仮接着剤層を形成でき、割れやすい薄型ウエハを、容易に製造することが可能となる。本発明の薄型ウエハの製造方法によれば、貫通電極構造や、バンプ接続構造を有する薄型ウエハを容易に製造することができる。
　上述のように、硬化性シリコーン組成物を仮接着剤層に用いる技術において、高段差基板の種類によっては、基板と仮接着剤層間からの選択的な剥離ができず、一部の仮接着剤が基板上に残ってしまい、その結果残渣洗浄に長時間を要する等の問題があった。また、高温かつ長時間の熱プロセスを経た後に薄化された基板を支持体から剥離すると、基板が割れてしまう異常に繋がるため、早急な解決が求められていた。
　本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、ウエハ加工用仮接着剤として、特定のオルガノポリシロキサンを含む硬化性シリコーン樹脂組成物を使用することで樹脂の耐熱性を向上させることができることを見出した。また、段差を有するウエハに対しても、膜厚均一性の高い仮接着剤層を形成でき、割れやすい薄型ウエハを容易に製造することが可能となることを見出し、本発明を完成させた。
　即ち、本発明は、ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、前記ウエハ加工用仮接着剤は、ヒドロシリル化反応により硬化が可能な硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものであり、前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着剤である。
　以下、本発明について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［ウエハ加工用仮接着剤］
　本発明のウエハ加工用仮接着剤は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含む硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものである。段差を有するシリコンウエハ等への適用性から、良好なスピンコート性を有するシリコーン樹脂組成物がウエハ加工用仮接着剤として好適に使用される。
　このような硬化性シリコーン樹脂組成物としては、例えば、下記（Ａ）～（Ｅ）成分を含むものであることが好ましい。ここで、使用する（Ｅ）成分のヒドロシリル化反応触媒によって光及び加熱のいずれか、又はその両方で硬化可能な組成物とすることができる。
（Ａ）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサン：０．１～１００質量部、
（Ｃ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計に対する（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のＳｉＨ基の合計が、モル比で０．３～５となる量、
（Ｄ）無官能性オルガノポリシロキサン：０．１～２００質量部、及び
（Ｅ）ヒドロシリル化反応触媒：（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）成分の合計質量に対し、金属原子量換算で０．１～５，０００ｐｐｍ
［（Ａ）成分］
　（Ａ）成分は、１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。（Ａ）成分としては、１分子中に２個以上のアルケニル基を含む直鎖状又は分岐状のジオルガノポリシロキサン、１分子中に２個以上のアルケニル基を含有し、かつ少なくとも１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に２個以上のアルケニル基を含み、ＳｉＯ４／２単位で表されるシロキサン単位（Ｑ単位）を有する三次元網目構造のオルガノポリシロキサン等が挙げられる。これらのうち、アルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇである、ジオルガノポリシロキサン又は三次元網目構造のオルガノポリシロキサンが好ましい。なお、本発明においてアルケニル基含有率とは、１００ｇあたりに含まれるアルケニル基のｍｏｌ数を表す。
　また、（Ａ）成分としては、１分子中に２個以上のアルケニル基を含有し、かつ少なくとも１個以上のアリール基を有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。（Ａ）成分における、１分子中に含まれるアルケニル基の個数は、好ましくは２～１０００個、より好ましくは２～８００個である。また、１分子中に含まれるアリール基の個数は、好ましくは２～１０００個、より好ましくは２～８００個である。
　このようなオルガノポリシロキサンとしては、下記式（Ａ－１）、（Ａ－２）又は（Ａ－３）で表されるものが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
　式（Ａ－１）～（Ａ－３）中、Ｒ１～Ｒ１６は、それぞれ独立に、脂肪族不飽和炭化水素基以外の１価炭化水素基である。Ｘ１～Ｘ５は、それぞれ独立に、アルケニル基含有１価有機基である。
　式（Ａ－１）中、ａ及びｂは、それぞれ独立に、０～３の整数である。式（Ａ－１）及び（Ａ－２）中、ｃ１、ｃ２、ｄ１及びｄ２は、０≦ｃ１≦１００、２≦ｃ２≦１００、０≦ｄ１≦１０，０００及び０≦ｄ２≦１０，０００を満たす整数である。ただし、ａ＋ｂ＋ｃ１≧２である。ａ、ｂ、ｃ１、ｃ２、ｄ１及びｄ２は、アルケニル基含有率が０．０００１～３．０ｍｏｌ／１００ｇとなることが好ましい。
　式（Ａ－３）中、ｅは、１～３の整数である。ｆ１、ｆ２及びｆ３は、（ｆ２＋ｆ３）／ｆ１が０．３～４．０となり、アルケニル基含有率が０．００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇとなるような数である。
　前記脂肪族不飽和炭化水素基以外の１価炭化水素基としては、炭素数１～１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基等が挙げられる。これらのうち、メチル基等のアルキル基又はフェニル基が好ましい。
　前記アルケニル基含有１価有機基としては、炭素数２～１０のものが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基等の（メタ）アクリロイルアルキル基；アクリロキシプロピル基、アクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、メタクリロキシメチル基等の（メタ）アクリロキシアルキル基；シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基等のアルケニル基含有１価炭化水素基が挙げられる。これらのうち、工業的観点から、ビニル基が好ましい。
　式（Ａ－１）中、ａ及びｂは、それぞれ独立に、０～３の整数であるが、ａが１～３であれば、分子鎖末端がアルケニル基で封鎖されるため、反応性のよい分子鎖末端アルケニル基により短時間で反応を完結することができるため好ましい。また、コスト面から、ａが１であることが工業的に好ましい。式（Ａ－１）又は（Ａ－２）で表されるアルケニル基含有ジオルガノポリシロキサンの性状は、オイル状又は生ゴム状であることが好ましい。
　式（Ａ－３）で表されるオルガノポリシロキサンは、ＳｉＯ４／２単位を含み、三次元網目構造を有するものである。式（Ａ－３）中、ｅは、それぞれ独立に、１～３の整数であるが、コスト面から１であることが工業的に好ましい。また、ｅの平均値とアルケニル基含有率の積が０．００１～７．０ｍｏｌ／１００ｇであることが好ましく、０．００１～２．３ｍｏｌ／１００ｇがより好ましい。式（Ａ－３）で表されるオルガノポリシロキサンは、有機溶剤に溶解させた溶液として使用してもよい。
　（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、１００～１０００，０００が好ましく、１，０００～１００，０００がより好ましい。Ｍｎが前記範囲であれば、組成物粘度に伴う作業性や硬化後の貯蔵弾性率に伴う加工性の点において好ましい。なお、本発明においてＭｎは、トルエンを溶剤として用いたゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるポリスチレン換算測定値である。
　（Ａ）成分は、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。特に、式（Ａ－１）で表されるオルガノポリシロキサンと式（Ａ－３）で表されるオルガノポリシロキサンとを組み合わせて使用することが好ましい。このとき、式（Ａ－３）で表されるオルガノポリシロキサンの使用量は、式（Ａ－１）で表されるオルガノポリシロキサン１００質量部に対し、１～１，０００質量部が好ましく、１０～５００質量部がより好ましい。使用量の上限としては５，０００質量部が好ましく、３，０００質量部がより好ましく、２，０００質量部が更に好ましい。下限としては、０．５質量部が好ましく、１．０質量部がより好ましい。
［（Ｂ）成分］
　（Ｂ）成分は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンである。
　このようなオルガノポリシロキサンとしては、下記式（Ｂ－１）又は（Ｂ－２）で表されるものが挙げられる。これらは１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
　式（Ｂ－１）又は（Ｂ－２）中、Ｒ１７～Ｒ２５は、それぞれ独立に、脂肪族不飽和炭化水素基以外の１価炭化水素基である。Ｙ１～Ｙ３は、それぞれ独立に、アルケニル基含有１価有機基、水素原子又はケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を一つ含むオルガノハイドロジェンポリシロキサンのいずれかである。
　式（Ｂ－１）中、ｇ＋ｈ＝１を満たし、ｉは０≦ｉ≦１０，０００を満たす整数である。ｇ、ｈ及びｉは、アルケニル基またはＳｉＨ基含有率が０．０００１～０．７ｍｏｌ／１００ｇとなることが好ましい。
　式（Ｂ－２）中、ｊ１及びｊ２は、（ｊ２＋１）／ｊ１が０．３～４．０となり、アルケニル基またはＳｉＨ基含有率が０．０００１～０．３ｍｏｌ／１００ｇとなるような数である。
　前記脂肪族不飽和炭化水素基以外の１価炭化水素基としては、炭素数１～１０のものが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基等のアリール基等が挙げられる。これらのうち、メチル基等のアルキル基又はフェニル基が好ましい。
　前記アルケニル基含有１価有機基としては、炭素数２～１０のものが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基、オクテニル基等のアルケニル基；アクリロイルプロピル基、アクリロイルメチル基、メタクリロイルプロピル基等の（メタ）アクリロイルアルキル基；アクリロキシプロピル基、アクリロキシメチル基、メタクリロキシプロピル基、メタクリロキシメチル基等の（メタ）アクリロキシアルキル基；シクロヘキセニルエチル基、ビニルオキシプロピル基等のアルケニル基含有１価炭化水素基が挙げられる。これらのうち、工業的観点から、ビニル基が好ましい。
　前記ケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンとして、Ｙ１～Ｙ３は水素原子又はケイ素原子に結合した水素原子を一つ含むオルガノハイドロジェンポリシロキサンが挙げられるが、工業的観点から水素原子が好ましい。
　式（Ｂ－１）で表される１分子中に１個のみのアルケニル基またはケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンの性状は、オイル状又は生ゴム状であることが好ましい。
　（Ｂ）成分の１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンの２５℃における粘度は、１～５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、５～５００ｍＰａ・ｓがより好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。
　（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンの数平均分子量（Ｍｎ）は、２～１０，０００が好ましく、２～１，０００がより好ましい。Ｍｎが前記範囲であれば、組成物粘度に伴う作業性や硬化後の貯蔵弾性率に伴う加工性の点において好ましい。
　（Ｂ）成分は、２種以上を組み合わせて使用してもよいが、１種単独で使用することが好ましい。このとき、（Ｂ）成分の使用量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対し、０．１～１，０００質量部が好ましく、０．１～１００質量部がより好ましい。
［（Ｃ）成分］
　（Ｃ）成分は、架橋剤であり、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を少なくとも２個、好ましくは３個以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、直鎖状、分岐状、環状のいずれでもよい。また、前記オルガノハイドロジェンポリシロキサンは、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。（Ｃ）成分における、１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）の個数は、好ましくは２～２００個であり、より好ましくは２～１５０個である。
　（Ｃ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンの２５℃における粘度は、１～５，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、５～５００ｍＰａ・ｓがより好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。
　（Ｃ）成分のオルガノハイドロジェンポリシロキサンのＭｎは、１００～１００，０００が好ましく、５００～１０，０００がより好ましい。Ｍｎが前記範囲であれば、組成物粘度に伴う作業性や硬化後の貯蔵弾性率に伴う加工性の点において好ましい。
　（Ｃ）成分は、（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計に対する（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のＳｉＨ基の合計が、モル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）で０．３～１０の範囲となるように配合することが好ましく、０．５～５．０の範囲となるように配合することがより好ましい。前記モル比が０．３以上であれば、架橋密度が低くなることもなく、仮接着剤層が硬化しないといった問題も起こらない。また、前記モル比が５以下であれば、架橋密度が高くなりすぎることもなく、十分な粘着力及びタックが得られ、処理液の使用可能時間を長くすることができる。なお、モル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）の計算は、１００ｇあたりのＳｉＨの測定値（ｍｏｌ／１００ｇ）、１００ｇあたりのアルケニル基の測定値（ｍｏｌ／１００ｇ）より算出した。調製例におけるモル比（ＳｉＨ基／アルケニル基）の値は、下記式より算出される。
〔（ＰＯＨＳのＳｉＨ基含有率／１００）×ＰＯＨＳの添加量〕／
｛〔（ＰＤＭＳのアルケニル基含有率／１００）×ＰＤＭＳの添加量〕＋〔（ＰＶＭＳのアルケニル基含有率／１００）×ＰＶＭＳの添加量〕｝
（上記式中、ＰＯＨＳ：オルガノハイドロジェンポリシロキサン、ＰＤＭＳ：ジメチルポリシロキサン、ＰＶＭＳ：レジン構造のビニルメチルポリシロキサン）
［（Ｄ）成分］
　（Ｄ）成分は、無官能性オルガノポリシロキサンである。ここで「無官能性」とは、分子内にケイ素原子に直接又は任意の基を介して結合したアルケニル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、エポキシ基等の反応性基や、分子内にケイ素原子に直接結合した水素原子、ハロゲン原子を有しないという意味である。
　このような無官能性オルガノポリシロキサンとしては、例えば、非置換又は置換の、炭素数１～１２、好ましくは１～１０の、脂肪族不飽和炭化水素基以外の１価炭化水素基を有するオルガノポリシロキサンが挙げられる。このような１価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が挙げられる。また、これらの基の水素原子の一部又は全部が、塩素原子、フッ素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換されていてもよく、このような基としては、クロロメチル基、３－クロロプロピル基、３，３，３－トリフロロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等が挙げられる。前記１価炭化水素基としては、好ましくはアルキル基、アリール基であり、より好ましくはメチル基、フェニル基である。
　（Ｄ）成分の無官能性オルガノポリシロキサンの分子構造は、特に限定されず、直鎖状、分岐状、環状等のいずれでもよいが、直鎖状又は分岐状のオルガノポリシロキサンが好ましく、主鎖が基本的にジオルガノシロキサン単位の繰り返しからなり、分子鎖両末端がトリオルガノシロキシ基で封鎖された、直鎖状ジオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
　（Ｄ）成分、無官能性オルガノポリシロキサンは、その３０質量％トルエン溶液における粘度（２５℃）が、組成物の作業性、基材への塗工性、硬化物の力学特性、支持体の剥離性等の観点から、１００～５００，０００ｍＰａ・ｓであるものが好ましく、２００～１００，０００ｍＰａ・ｓであるものがより好ましい。前記範囲であれば、適切な分子量を有しているため、シリコーン樹脂組成物を加熱硬化させる際に揮発することもなく十分効果が得られ、ＣＶＤ等のウエハ熱プロセスにおいてウエハ割れを引き起こしたりすることがなく、作業性や塗工性も良好であるため好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。
　前記無官能性オルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖フェニルメチルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖３，３，３－トリフロロプロピルメチルシロキサン重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・３，３，３－トリフロロプロピルメチル共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルフェニルシロキサン・３，３，３－トリフロロプロピルメチル共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・３，３，３－トリフロロプロピルメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルフェニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルフェニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルフェニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体等が挙げられる。
　（Ｄ）成分の無官能性オルガノポリシロキサンは、１種単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、その性状はオイル状又は生ゴム状であることが好ましい。更に、（Ｄ）成分の配合量は、前記（Ａ）成分１００質量部に対し、０．１～２００質量部であり、好ましくは１～１００質量部である。
［（Ｅ）成分］
　（Ｅ）成分はヒドロシリル化反応触媒であり、好ましくは白金族金属系ヒドロシリル化反応触媒である。（Ｅ）成分は（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基と、（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のヒドロシリル基との付加反応を促進する触媒であり、熱により活性化する熱活性型ヒドロシリル化反応触媒（Ｅ－１）と、光により活性化する光活性型ヒドロシリル化反応触媒（Ｅ－２）とがある。このヒドロシリル化反応触媒は、いずれも一般に貴金属の化合物であり、高価格であることから、比較的入手しやすい白金又は白金化合物がよく用いられる。
　即ち、前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、光及び加熱のいずれか、又はその両方によって硬化可能なものであることが好ましい。
（Ｅ－１）熱活性型ヒドロシリル化反応触媒
　白金化合物としては、例えば、塩化白金酸又は塩化白金酸とエチレン等のオレフィンとの錯体、アルコールやビニルシロキサンとの錯体、シリカ、アルミナ、カーボン等に担持した金属白金等を挙げることができる。白金化合物以外の白金族金属触媒として、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、パラジウム系化合物も知られており、例えば、ＲｈＣｌ（ＰＰｈ３）３、ＲｈＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２、Ｒｕ３（ＣＯ）１２、ＩｒＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ３）２、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４等が挙げられる。なお、前記式中、Ｐｈはフェニル基である。
（Ｅ－２）光活性型ヒドロシリル化反応触媒
　この光活性型ヒドロシリル化反応触媒は、光、特に波長３００～４００ｎｍの紫外線の照射によって活性化され、（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基と、（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のヒドロシリル基との付加反応を促進する触媒である。この促進効果には温度依存性があり、より高温で高い促進効果が得られる。よって、好ましい光照射後は０～２００℃、より好ましくは１０～１００℃の環境温度下で使用することが、適切な反応時間内に反応を完結させる点で好ましい。
　この触媒の配位子としてはＵＶ－Ｂ～ＵＶ－Ａの中～長波長のＵＶ光で触媒活性を示すものが、ウエハへのダメージを抑える点で好ましい。そのような配位子としては環状ジエン配位子、β－ジケトナト配位子などが挙げられる。
　以上より、光活性型ヒドロシリル化反応触媒の好ましい例として、環状ジエン配位子型としては、例えば、（η５－シクロペンタジエニル）トリ（σ－アルキル）白金（ＩＶ）錯体、特に具体的には（メチルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）、（シクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）、（１，２，３，４，５－ペンタメチルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）、（シクロペンタジエニル）ジメチルエチル白金（ＩＶ）、（シクロペンタジエニル）ジメチルアセチル白金（ＩＶ）、（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）、（メトキシカルボニルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）、（ジメチルフェニルシリルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）などが挙げられ、またβ－ジケトナト配位子型としては、β－ジケトナト白金（ＩＩ）若しくは白金（ＩＶ）錯体、特に具体的にはトリメチル（アセチルアセトナト）白金（ＩＶ）、トリメチル（３，５－ヘプタンジオネート）白金（ＩＶ）、トリメチル（メチルアセトアセテート）白金（ＩＶ）、ビス（２，４－ペンタンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（２，４－へキサンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（２，４－へプタンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（３，５－ヘプタンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（１－フェニル－１，３－ブタンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）白金（ＩＩ）、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトナト）白金（ＩＩ）などが挙げられる。
　これらの触媒の使用にあたっては、それが固体触媒であるときには固体状で使用することも可能であるが、より均一な硬化物を得るためには適切な溶剤に溶解させたものを使用することが好ましい。ここでの適切な溶剤とは、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分のいずれか、またはすべてに可溶であり、かつ作業環境やプロセスに適した溶剤という意味である。
　（Ｅ）成分の添加量は有効量であり、通常（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）成分の合計質量に対し、金属原子量換算で０．１～５，０００ｐｐｍであり、１～１，０００ｐｐｍであることが好ましい。０．１ｐｐｍ以上であれば組成物の硬化性が低下することもなく、架橋密度が低くなることも、保持力が低下することもない。５，０００ｐｐｍ以下であれば、硬化時の脱水素等の副反応を抑えることができ、また、処理液の使用可能時間を長くすることもできる。（Ｅ－１）成分と（Ｅ－２）成分の配合比は、（Ｅ－１）：（Ｅ－２）＝８０：２０または２０：８０、好ましくは１００：０または０：１００が良い。（Ｅ－１）成分のみであれば紫外線照射の必要なく加熱硬化させることができ、（Ｅ－２）成分のみであれば短時間で硬化させることができる。
［（Ｆ）成分］
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、更に（Ｆ）成分として反応制御剤を含んでもよい。反応制御剤は、組成物を調製したり、基材に塗布したりする際に、組成物が増粘やゲル化を起こさないようにするために必要に応じて任意に添加するものである。
　前記反応制御剤としては、３－メチル－１－ブチン－３－オール、３－メチル－１－ペンチン－３－オール、３，５－ジメチル－１－ヘキシン－３－オール、１－エチニルシクロヘキサノール、３－メチル－３－トリメチルシロキシ－１－ブチン、３－メチル－３－トリメチルシロキシ－１－ペンチン、３，５－ジメチル－３－トリメチルシロキシ－１－ヘキシン、１－エチニル－１－トリメチルシロキシシクロヘキサン、ビス（２，２－ジメチル－３－ブチニルオキシ）ジメチルシラン、１，３，５，７－テトラメチル－１，３，５，７－テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，１，３，３－テトラメチル－１，３－ジビニルジシロキサン等が挙げられる。これらのうち、１－エチニルシクロヘキサノール及び３－メチル－１－ブチン－３－オールが好ましい。
　前記（Ａ）～（Ｅ）成分を含む硬化性シリコーン樹脂組成物が（Ｆ）成分を含む場合、化学構造によって制御能力が異なるため、その含有量は、それぞれ最適な量に調整すべきであるが、硬化性、保存安定性、硬化後物性への影響等を鑑みれば、前記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計質量に対し、好ましくは０．００１～１０質量部、より好ましくは０．０１～１０質量部である。（Ｆ）成分の含有量が前記範囲であれば、組成物の使用可能時間が長く、長期保存安定性が得られ、硬化性や作業性が良好である。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物には、更にＲＡ ３ＳｉＯ０．５単位（式中、ＲＡは、それぞれ独立に、炭素数１～１０の非置換又は置換の１価炭化水素基である。）及びＳｉＯ２単位を含み、ＳｉＯ２単位に対するＲＡ ３ＳｉＯ０．５単位のモル比（ＲＡ ３ＳｉＯ０．５／ＳｉＯ２）が０．３～１．８であるオルガノポリシロキサンを添加してもよい。その添加量は、（Ａ）成分１００質量部に対し、０～５００質量部が好ましい。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物には、フェノール系、キノン系、アミン系などの公知の酸化防止材を耐熱性向上のために添加することができる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物には、これから得られる仮接着剤層の物理強度を更に高めるため、シリカ等のフィラーを添加してもよい。
　硬化性シリコーン樹脂組成物は、該組成物の低粘度化による作業性向上や混合性の向上、仮接着剤層の膜厚調整等の理由から、溶剤を添加して溶液化して使用してもよい。用いる溶剤は、前記成分を溶解できるものであれば特に限定されないが、例えばペンタン、へキサン、シクロヘキサン、イソオクタン、ノナン、デカン、ｐ－メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネン等の炭化水素系溶剤が好ましい。
　溶液化の方法としては、前記硬化性シリコーン樹脂組成物を調製した後、最後に溶剤を添加して所望の粘度に調整する方法や、高粘度の（Ａ）、（Ｂ）及び／又は（Ｃ）成分を予め溶剤で希釈し、作業性や混合性を改善した上で残りの成分を混合する方法が挙げられる。また、溶液化する際の混合方法としては、振とう混合機、マグネチックスターラー、各種ミキサー等、組成物粘度と作業性から適宜混合方法を選択して実施すればよい。
　溶剤の配合量は、組成物の粘度や作業性、仮接着剤層の膜厚を調整する観点等から適宜設定すればよいが、例えば硬化性シリコーン樹脂組成物１００質量部に対し、好ましくは５～９００質量部、より好ましくは１０～４００質量部である。
　仮接着剤層は、前記硬化性シリコーン樹脂組成物をスピンコート、ロールコート等の方法によって基板上に塗布することで、形成することができる。このうち、スピンコート等の方法によって仮接着剤層を基板上に形成する場合は、前記硬化性シリコーン樹脂組成物を溶液化してコートすることが好ましい。
　溶液化した硬化性シリコーン樹脂組成物は、その２５℃における粘度が、塗布性の観点から、１～１００，０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１０～１０，０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、硬化後における２５℃での２５ｍｍ幅の試験片（例えば、ガラス試験片）の１８０°ピール剥離力は、通常２ｇｆ以上１００ｇｆ以下であり、好ましくは３ｇｆ以上５０ｇｆ以下であり、更に好ましくは５ｇｆ以上３０ｇｆ以下である。２ｇｆ以上であれば、ウエハ研削時にウエハのズレが生じるおそれがなく、１００ｇｆ以下であれば、ウエハの剥離が容易となる。なお、１８０°ピール剥離力の測定法には複数あるが、例えば（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、そのシリコーン樹脂層の剥離力とすることができる。
　前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、硬化後における２５℃での貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上１，０００ＭＰａ以下であり、好ましくは１０，０００Ｐａ以上１００ＭＰａ以下である。貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上であれば、形成される膜が強靭であり、ウエハ研削時にウエハのズレやそれに伴うウエハ割れが生じるおそれがなく、１，０００ＭＰａ以下であれば、ＣＶＤ等のウエハ熱プロセス中の変形応力を緩和することができ、ウエハへの熱プロセス時にも安定である。なお、貯蔵弾性率の測定法には複数あるが、例えばシリコーン樹脂層を含むガラスウエハを、ＴＡインスツルメント社製アレスＧ２を使用し、シリコーン樹脂層に５０ｇｆの荷重がかかるよう２５ｍｍφアルミニウムプレートで挟んだ状態で２５℃での弾性率測定を行い、得られた弾性率の値をシリコーン樹脂層の貯蔵弾性率とすることができる。
　硬化性シリコーン樹脂組成物は、基板／仮接着剤層／支持体の積層体を形成する際、硬化性シリコーン樹脂組成物を基板側に塗布するか、支持体側に塗布するかで、積層体形成後、剥離する際の界面を選択的にコントロールすることが可能である。つまり、基板に塗布し支持体と接合体を形成し剥離する場合には、基板／仮接着剤層間で選択的に剥離することが可能であり、この場合、仮接着剤層は支持体に残渣として残るため、続く基板洗浄工程を簡略化することが可能となり、作業性向上の点で好ましい。一方で硬化性シリコーン樹脂組成物を塗布する対象を支持体に変更し、基板との接合体を剥離する場合、仮接着剤層／支持体界面で選択的に剥離することが可能となる。この場合、仮接着剤層の残渣は基板側に残るため、続く基板洗浄工程で作業性の低下を招く恐れがある。しかし支持体側に塗布する場合、例えばヒドロシリル化反応に対する硬化阻害など、用いる基板によって影響を受けるような場合、その影響を受けにくくなり、安定した仮接着剤としての機能が得られやすくなる点で好ましい。
［薄型ウエハの製造方法］
　本発明の薄型ウエハの製造方法は、半導体回路等を有するウエハと支持体との仮接着に、前記ウエハ加工用仮接着剤を用いることを特徴とするものである。
　本発明の薄型ウエハの製造方法は、下記工程（ａ）～（ｅ）を含むものである。
　（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
　（ｂ）前記仮接着剤を硬化させる工程と、
　（ｃ）前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
　（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
　（ｅ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
［工程（ａ）］
　工程（ａ）は、仮接着工程であり、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの回路形成面を、前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程である。
　具体的には、前記ウエハの表面に前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて仮接着剤層を形成し、該仮接着剤層を介して支持体と前記ウエハの表面とを貼り合わせる方法、支持体の表面に前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて仮接着剤層を形成し、該仮接着剤層を介して支持体と前記ウエハの表面とを貼り合わせる方法、前記ウエハの表面と支持体の表面の両方に前記ウエハ加工用仮接着剤を用いて仮接着剤層を形成し、該仮接着剤層を介して支持体と前記ウエハの表面とを貼り合わせる方法のいずれかの方法が適用される。
　本発明に適用できるウエハは、通常、半導体ウエハである。前記半導体ウエハの例としては、シリコンウエハのみならず、ゲルマニウムウエハ、ガリウム－ヒ素ウエハ、ガリウム－リンウエハ、ガリウム－ヒ素－アルミニウムウエハ等が挙げられる。前記ウエハの厚さは、特に限定されないが、典型的には６００～８００μｍ、より典型的には６２５～７７５μｍである。
　前記支持体としては、シリコンウエハ、ガラス板、石英ウエハ等の基板が使用可能であるが、これらに限定されない。本発明において、支持体越しの光照射を行わずに硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させる場合、支持体は光線透過性を有しないものであってもよい。一方、支持体越しに光照射を行い、硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させる場合は、支持体は光線透過性を有するものを使用することが好ましい。
　仮接着剤層は、前記硬化性シリコーン樹脂組成物をフィルム状に成形したものをウエハや支持体に積層することで形成してもよく、前記硬化性シリコーン樹脂組成物をスピンコート、ロールコート等の方法で塗布することで形成してもよい。前記硬化性シリコーン樹脂組成物が溶剤を含む溶液である場合、塗布後、その溶剤の揮発条件に応じ、好ましくは４０～２００℃、より好ましくは５０～１５０℃の温度で予めプリベークを行った後、使用に供される。
　前記仮接着剤層は、膜厚が０．１～５００μｍ、好ましくは１．０～２００μｍの間で形成されて使用されることが好ましい。膜厚が０．１μｍ以上であれば、基材上に塗布する場合に、塗布しきれない部分を生じることなく全体に塗布することができる。一方、膜厚が５００μｍ以下であれば、薄型ウエハを形成する場合の研削工程に耐えることができる。
　前記仮接着剤層を介して支持体とウエハの表面とを貼り合わせる方法としては、好ましくは１０～２００℃、より好ましくは２０～１５０℃の温度領域で、減圧下、均一に圧着する方法が挙げられる。
　仮接着剤層が形成されたウエハ及び支持体を圧着するときの圧力は、仮接着剤層の粘度にもよるが、好ましくは０．０１～１０ＭＰａ、より好ましくは０．１～１．０ＭＰａである。圧力が０．０１ＭＰａ以上であれば、回路形成面やウエハ－支持体間を仮接着剤層で満たすことができ、１０ＭＰａ以下であれば、ウエハの割れや、ウエハ及び仮接着剤層の平坦性の悪化を招くおそれがなく、その後のウエハ加工が良好である。
　ウエハの貼り合わせは、市販のウエハボンダー、例えばＥＶＧ社のＥＶＧ５２０ＩＳ、８５０ＴＢ、ＳＵＳＳ　ＭｉｃｒｏＴｅｃ社のＸＢＳ３００等を用いて行うことができる。
［工程（ｂ）］
　工程（ｂ）は、仮接着剤層を硬化させる工程である。熱硬化性シリコーン樹脂組成物の場合、前記ウエハ積層体を形成した後、好ましくは５０～３００℃、より好ましくは１００～２００℃で、好ましくは１分～４時間、より好ましくは５分～２時間加熱することによって、仮接着剤層の硬化を行う。
　光硬化性樹脂組成物の場合、上記ウエハ加工体（積層体基板）が形成された後、光透過性のある支持体側から光照射を行い、仮接着剤層を光硬化させてもよいし、あらかじめ光照射を行った光硬化性シリコーン樹脂組成物で上記ウエハ加工体（積層体基板）を形成した後、硬化させてもよい。その際の活性光線種は特に限定はされないが、紫外線が好ましく、さらに波長３００－４００ｎｍの紫外線であることが好ましい。紫外線照射量（照度）は、積算光量として１００ｍＪ／ｃｍ２～１００，０００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ２～１０，０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは１，０００～５，０００ｍＪ／ｃｍ２であることが良好な硬化性を得る上で望ましい。紫外線照射量（照度）が上記下限範囲以上であれば、仮接着剤層中の光活性型ヒドロシリル化反応触媒を活性化するのに十分なエネルギーが得られ、十分な硬化物を得ることができる。一方、紫外線照射量（照度）が上記上限範囲以下であれば、組成物に十分なエネルギーが照射され、重合体層中の成分の分解が起こったり、触媒の一部が失活したりすることなく、十分な硬化物を得ることができる。
　紫外線照射は複数の発光スペクトルを有する光であっても、単一の発光スペクトルを有する光であってもよい。また、単一の発光スペクトルは３００ｎｍから４００ｎｍの領域にブロードなスペクトルを有するものであってもよい。単一の発光スペクトルを有する光は、３００ｎｍから４００ｎｍ、好ましくは３５０ｎｍから３８０ｎｍの範囲にピーク（即ち、最大ピーク波長）を有する光である。このような光を照射する光源としては、紫外線発光ダイオード（紫外線ＬＥＤ）や、紫外線発光半導体レーザー等の紫外線発光半導体素子光源が挙げられる。
　複数の発光スペクトルを有する光を照射する光源としては、メタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアーク灯、ケミカルランプ、ナトリウムランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ等のランプ等、窒素等の気体レーザー、有機色素溶液の液体レーザー、無機単結晶に希土類イオンを含有させた固体レーザー等が挙げられる。
　前記光が発光スペクトルにおいて３００ｎｍより短い波長領域にピークを有する場合、あるいは、３００ｎｍより短い波長領域に前記発光スペクトルにおける最大ピーク波長の放射照度の５％より大きい放射照度を有する波長が存在する場合（例えば、発光スペクトルが広域波長領域に渡ってブロードである場合）、かつ支持体に石英ウエハ等の３００ｎｍより短い波長に対しても光透過性を有する基板を用いる場合、光学フィルターにより３００ｎｍより短い波長領域にある波長の光を除去することが、十分な硬化物を得る上で好ましい。これにより、３００ｎｍより短い波長領域にある各波長の放射照度を最大ピーク波長の放射照度の５％以下、好ましくは１％以下、より好ましくは０．１％以下、さらに好ましくは０％にする。尚、発光スペクトルにおいて３００ｎｍから４００ｎｍの波長領域に複数のピークが存在する場合には、その中で最大の吸光度を示すピーク波長を最大ピーク波長とする。光学フィルターは３００ｎｍより短い波長をカットするものであれば特に制限されず公知の物を使用すればよい。例えば３６５ｎｍバンドパスフィルター等を使用することができる。なお、紫外線の照度、スペクトル分布は分光放射照度計、例えばＵＳＲ－４５Ｄ（ウシオ電機）にて測定することができる。
　光照射装置としては、特に限定はされないが、例えばスポット式照射装置、面式照射装置、ライン式照射装置、コンベア式照射装置等の照射装置が使用できる。
　光硬化性シリコーン樹脂組成物を硬化させる際、光照射時間は照度にもよるため一概に規定はできないが、例えば１～３００秒、好ましくは１０～２００秒、より好ましくは３０～１５０秒となるように照度調整を行えば、照射時間も適度に短く、作業工程上で特に問題になることは無い。また、光照射を行った光硬化性シリコーン樹脂組成物は、照射の１～１２０分後、特には５～６０分後にはゲル化する。なお、本発明においてゲル化とは光硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化反応が一部進行し組成物が流動性を失った状態のことを意味する。
　また光照射後の光硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化速度は環境温度に依存するため、好ましくは２０～１５０℃、より好ましくは３０～１００℃で上記ウエハ加工体（積層体基板）を静置することが作業性向上の観点から好ましい。
［工程（ｃ）］
　工程（ｃ）は、支持体と仮接着したウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程、すなわち、前記工程で得られたウエハ積層体のウエハ裏面側を研削して、該ウエハの厚みを薄くしていく工程である。ウエハ裏面の研削加工の方式には特に制限はなく、公知の研削方式が採用される。研削は、ウエハと砥石（ダイヤモンド等）に水をかけて冷却しながら行うことが好ましい。ウエハ裏面を研削加工する装置としては、例えば（株）ディスコ製ＤＡＧ－８１０（商品名）が挙げられる。また、ウエハ裏面側を化学機械研磨（ＣＭＰ）してもよい。
［工程（ｄ）］
　工程（ｄ）は、工程（ｃ）で回路非形成面を研削したウエハ積層体の回路非形成面に加工を施す工程である。すなわち、裏面研削によって薄型化されたウエハ積層体のウエハの回路非形成面に加工を施す工程である。この工程には、ウエハレベルで用いられる様々なプロセスが含まれる。例としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。より具体的には、電極等の形成のための金属スパッタリング、金属スパッタリング層をエッチングするウェットエッチング、金属配線形成のマスクとするためのレジストの塗布、露光、及び現像によるパターンの形成、レジストの剥離、ドライエッチング、金属めっきの形成、ＴＳＶ形成のためのシリコンエッチング、シリコン表面の酸化膜形成など、従来公知のプロセスが挙げられる。
［工程（ｅ）］
　工程（ｅ）は、工程（ｄ）で加工を施したウエハを支持体から剥離する工程、すなわち、薄型化したウエハに様々な加工を施した後、ダイシングする前にウエハを支持体から剥離する工程である。この剥離工程としては、一般に、室温から６０℃程度の比較的温和な条件で実施される。剥離方法としては、ウエハ積層体のウエハ又は支持体の一方を水平に固定しておき、他方を水平方向から一定の角度を付けて持ち上げる方法、研削されたウエハの研削面に保護フィルムを貼り、ウエハと保護フィルムをピール方式でウエハ積層体から剥離する方法等が挙げられる。これらの剥離方法で剥離工程を行う場合は、通常、室温で実施される。
　また、工程（ｅ）は、
（ｅ１）加工を施したウエハのウエハ面にダイシングテープを貼付する工程、
（ｅ２）ダイシングテープ面を吸着面に真空吸着する工程、及び
（ｅ３）吸着面の温度が１０～１００℃の範囲で、支持体を、加工を施したウエハからピールオフにて剥離する工程
を含むことが好ましい。このようにすることで、支持体を、加工を施したウエハから容易に剥離することができ、また、後のダイシング工程を容易に行うことができる。
　また、工程（ｅ）後に、
（ｆ）剥離したウエハの回路形成面に残存する仮接着剤層を除去する工程
を行うことが好ましい。工程（ｅ）により支持体より剥離されたウエハの回路形成面には、仮接着剤層が一部残存している場合があり、該仮接着剤層の除去は、例えば、ウエハを洗浄することにより行うことができる。
　この工程（ｆ）では、仮接着剤層のシリコーン樹脂を溶解するような洗浄液であればすべて使用可能であり、具体的には、ペンタン、へキサン、シクロヘキサン、デカン、イソノナン、ｐ－メンタン、ピネン、イソドデカン、リモネン等が挙げられる。これらの溶剤は、１種単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
　また、仮接着剤層を除去しにくい場合は、前記洗浄液に塩基類や酸類を添加してもよい。前記塩基類としては、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、アンモニア等のアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアンモニウム塩類が使用可能である。前記酸類としては、酢酸、シュウ酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等の有機酸が使用可能である。前記塩基類や酸類の添加量は、洗浄液中の濃度が好ましくは０．０１～１０質量％、より好ましくは０．１～５質量％となる量である。また、残存物の除去性を向上させるため、既存の界面活性剤を添加してもよい。また、ウエハ洗浄剤として入手可能なＳＰＩＳ－ＴＡ－ＣＬＥＡＮＥＲシリーズ（信越化学工業（株）製）も好適に使用可能である。
　ウエハの洗浄方法としては、前記洗浄液を用いてパドルで洗浄を行う方法、スプレー噴霧して洗浄する方法、洗浄液槽に浸漬する方法が挙げられる。洗浄する際の温度は、好ましくは１０～８０℃、より好ましくは１５～６５℃であり、必要があれば、これらの洗浄液で仮接着剤層を溶解した後、最終的に水又はアルコールによるリンスを行い、乾燥処理を行ってもよい。
　本発明の製造方法により得られる薄型ウエハの厚さは、典型的には５～３００μｍであり、より典型的には１０～１００μｍである。
　［ウエハ積層体］
　本発明では、支持体と、その上に積層された上記に記載のウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたものであるウエハ積層体を提供できる。
　以下、調製例、比較調製例、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、ここでの粘度は、ＪＩＳ　Ｚ　８８０３に従い２５℃にて測定を行った。使用する粘度計は、粘度によって適宜選択すればよいが、例えばＥ形粘度計（東機産業製ＲＥ－８５Ｒ）が好適に使用できる。
［１］硬化性シリコーン樹脂溶液の調製
［調製例１］
　アルケニル含有率が０．０３３６ｍｏｌ／１００ｇで数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン１００質量部及びキシレン２００質量部からなる溶液に、ＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位（ＭＶｉ単位）２モル％からなるアルケニル含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７，０００のビニルメチルポリシロキサン（Ａ成分）５０質量部及びキシレン１００質量部からなる溶液、片末端に１個のビニル基を有するアルケニル含有率が０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン（Ｂ成分）５質量部、（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位（Ｄ単位）８３．９モル％、（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２単位（ＤＨ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２２２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｃ成分）２５質量部、３０質量％トルエン溶液の粘度（２５℃）が３０，０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（Ｄ成分）５０質量部及びキシレン１２０質量部、１－エチニルシクロヘキサノール０．６質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（Ｅ成分）を０．４質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ１を調製した。樹脂溶液Ａ１の２５℃における粘度は、２，４００ｍＰａ・ｓであった。また、この調製例１におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は、１．２である。
［調製例２］
　アルケニル含有率が０．０３３６ｍｏｌ／１００ｇで数平均分子量（Ｍｎ）が３万のポリジメチルシロキサン１００質量部及びキシレン２００質量部からなる溶液に、ＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位（ＭＶｉ単位）２モル％からなるアルケニル含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７，０００のビニルメチルポリシロキサン（Ａ成分）５０質量部及びキシレン１００質量部からなる溶液、片末端に１個のＳｉＨ基を有しＳｉＨ基含有率が０．０１００ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが１０，０００のオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（Ｂ成分）５質量部、（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位（Ｄ単位）８３．９モル％、（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２単位（ＤＨ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２２２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｃ成分）３５質量部、３０質量％トルエン溶液の粘度（２５℃）が１，０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（Ｄ成分）５０質量部及びキシレン１２０質量部、１－エチニルシクロヘキサノール０．６質量部を添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（Ｅ成分）を０．４質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ２を調製した。樹脂溶液Ａ２の２５℃における粘度は、１，２００ｍＰａ・ｓであった。また、この調製例２におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は、１．６である。
［調製例３］
　フェニル基含有率が０．１２７ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２４８ｍｏｌ／１００ｇのＭｎが３万のポリジメチルシロキサン１００質量部及びキシレン２００質量部からなる溶液に、ＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位（ＭＶｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７，０００のレジン構造のビニルメチルポリシロキサン（Ａ成分）５０質量部及びキシレン１００質量部からなる溶液、片末端に１個のビニル基を有するアルケニル基含有率が０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン（Ｂ成分）５質量部、（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位（Ｄ単位）８３．９モル％、（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２単位（ＤＨ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２２２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｃ成分）１０質量部、３０質量％トルエン溶液の粘度（２５℃）が１００，０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（Ｄ成分）５０質量部及びキシレン１２０質量部からなる溶液及び１－エチニルシクロヘキサノール０．６質量部添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製、白金濃度１．０質量％）（Ｅ成分）を０．４質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ３を調製した。樹脂溶液Ａ３の２５℃における粘度は、３，３００ｍＰａ・ｓであった。また、この調製例３におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は０．５６である。
［調製例４］
　フェニル基含有率が０．１２７ｍｏｌ／１００ｇでアルケニル基含有率が０．０２４８ｍｏｌ／１００ｇのＭｎが３万のポリジメチルシロキサン１００質量部及びキシレン２００質量部からなる溶液に、ＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）５０モル％、（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位（Ｍ単位）４８モル％及び（ＣＨ２＝ＣＨ）（ＣＨ３）２ＳｉＯ１／２単位（ＭＶｉ単位）２モル％からなるアルケニル基含有率が０．０２８２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが７，０００のレジン構造のビニルメチルポリシロキサン（Ａ成分）５０質量部及びキシレン１００質量部からなる溶液、片末端に１個のＳｉＨ基を有しＳｉＨ基含有率が０．０１００ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが１０，０００のオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（Ｂ成分）５質量部、（ＣＨ３）２ＳｉＯ２／２単位（Ｄ単位）８３．９モル％、（ＣＨ３）ＨＳｉＯ２／２単位（ＤＨ単位）１６．１モル％で表されるＳｉＨ基含有率が０．２２２ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが２，４００のオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｃ成分）２０質量部、３０質量％トルエン溶液の粘度（２５℃）が３０，０００ｍＰａ・ｓである分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（Ｄ成分）５０質量部及びキシレン１２０質量部からなる溶液及び１－エチニルシクロヘキサノール０．６質量部添加し、混合した。さらに、そこへヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（信越化学工業（株）製、白金濃度１．０質量％）（Ｅ成分）を０．４質量部添加し、０．２μｍのメンブレンフィルターで濾過して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ４を調製した。樹脂溶液Ａ４の２５℃における粘度は、２，５００ｍＰａ・ｓであった。また、この調製例４におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．２である。
［調製例５］
　上記調製例１において、片末端に１個のビニル基を有するビニルジメチルポリシロキサン（アルケニル基含有率：０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇ、Ｍｎ：８，０００、５質量部）（Ｂ成分）の代わりに、側鎖に一つのビニル基を有するビニルジメチルポリシロキサン（アルケニル基含有率：０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇ、Ｍｎ：８，０００、５質量部）（Ｂ成分）を添加したこと以外は同様にして、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ５を調製した。樹脂溶液Ａ５の２５℃における粘度は、２，４００ｍＰａ・ｓであった。この調製例５におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．２である。
［調製例６］
　上記調製例２において、片末端に１個のＳｉＨ基を有するオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（ＳｉＨ基含有率：０．０１００ｍｏｌ／１００ｇ、Ｍｎ：１０，０００、５質量部）（Ｂ成分）の代わりに、側鎖にＳｉＨ基を一つ有するオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（ＳｉＨ基含有率：０．０１００ｍｏｌ／１００ｇ、Ｍｎ：１０，０００、５質量部）（Ｂ成分）を添加したこと以外は同様にして、熱硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ６を調製した。樹脂溶液Ａ６の２５℃における粘度は、１，２００ｍＰａ・ｓであった。この調製例６におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．６である。
［調製例７］
　上記調製例１において、ヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（０．４質量部）（Ｅ成分）の代わりに光活性型ヒドロシリル化反応触媒；（メチルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）のトルエン溶液（白金濃度１．０質量％）（Ｅ成分）（０．４質量部）を添加した以外は同様にして、光硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ７を調製した。樹脂溶液Ａ７の２５℃における粘度は、２，４００ｍＰａ・ｓであった。この調製例７におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．２である。
［調製例８］
　上記調製例２において、ヒドロシリル化反応触媒ＣＡＴ－ＰＬ－５（０．４質量部）（Ｅ成分）の代わりに光活性型ヒドロシリル化反応触媒；（メチルシクロペンタジエニル）トリメチル白金（ＩＶ）のトルエン溶液（白金濃度１．０質量％）（Ｅ成分）（０．４質量部）を添加したこと以外は同様にして、光硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ８を調製した。樹脂溶液Ａ８の２５℃における粘度は、１，２００ｍＰａ・ｓであった。この調製例８におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．６である。
［比較調製例１］
　上記調製例１において、片末端に１個のビニル基を有するアルケニル基含有率が０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン（Ｂ成分）５質量部を添加しなかったこと以外は同様にして、熱硬化性シリコーン樹脂溶液ＣＡ１を調製した。樹脂溶液ＣＡ１の２５℃における粘度は、２，５００ｍＰａ・ｓであった。この比較調製例１におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．２である。
［比較調製例２］
　上記調製例１において、片末端に１個のビニル基を有するアルケニル基含有率が０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン（Ｂ成分）５質量部の代わりに、両末端にビニル基を有するアルケニル基含有率が０．０２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン５質量部を添加して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液ＣＡ２を調製した。樹脂溶液ＣＡ２の２５℃における粘度は、２，５００ｍＰａ・ｓであった。この比較調製例２におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．１である。
［比較調製例３］
　上記調製例２において、片末端に１個のＳｉＨ基を有するＳｉＨ基含有率が０．０１００ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが１０，０００のオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（Ｂ成分）５質量部を添加しなかったこと以外は同様にして、熱硬化性シリコーン樹脂溶液ＣＡ３を調製した。樹脂溶液ＣＡ３の２５℃における粘度は、１，３００ｍＰａ・ｓであった。この比較調製例３におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．６である。
［比較調製例４］
　上記調製例２において、片末端に１個のＳｉＨ基を有するＳｉＨ基含有率が０．０２００ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが１０，０００のオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン（Ｂ成分）５質量部の代わりに、両末端にＳｉＨ基を有するＳｉＨ基含有率が０．０４００ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが１０，０００のオルガノハイドロジェンポリジメチルシロキサン５質量部を添加して、熱硬化性シリコーン樹脂溶液ＣＡ４を調製した。樹脂溶液ＣＡ４の２５℃における粘度は、１，３００ｍＰａ・ｓであった。この比較調製例４におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．６である。
［比較調製例５］
　上記調製例５において、片末端に１個のビニル基を有するアルケニル基含有率が０．０１２５ｍｏｌ／１００ｇでＭｎが８，０００のビニルジメチルポリシロキサン（Ｂ成分）５質量部を添加しなかったこと以外は同様にして、光硬化性シリコーン樹脂溶液ＣＡ５を調製した。樹脂溶液ＣＡ５の２５℃における粘度は、２，４００ｍＰａ・ｓであった。この比較調製例５におけるＳｉ－Ｈ／Ｓｉ－Ｖｉ（モル比）は１．２である。
［２］ウエハ積層体の作製及びその評価
［実施例１～８及び比較例１～５］
　表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に、硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ１～Ａ８及びＣＡ１～ＣＡ５をそれぞれスピンコートし、オーブンにて１００℃で２分間加熱して、下記表１に示す膜厚で仮接着剤層をウエハバンプ形成面に成膜した。直径２００ｍｍのガラスウエハ（厚さ：５００μｍ）を支持体として、仮接着剤層を有するシリコンウエハ及びガラスウエハをそれぞれ、仮接着剤層とガラスウエハが合わさるように、ＥＶＧ社のウエハ接合装置ＥＶＧ５２０ＩＳを用いて１００℃で２分間、１０－３ｍｂａｒ以下、荷重５ｋＮにて真空貼り合わせを行い、次いで硬化工程の実施によりウエハ積層体を作製した。ここでの硬化条件は、熱硬化性シリコーン樹脂溶液を用いた場合は１８０℃のオーブン中で１時間の加熱処理にて実施し、光硬化性シリコーン樹脂溶液を用いた場合は面照射タイプＵＶ－ＬＥＤ（波長３６５ｎｍ）照射器を用いて、２３℃にて１００ｍＷ／ｃｍ２の照度で１２０秒間の光照射にて実施した。
　その後、得られたウエハ積層体に対して下記の試験方法にて各種試験を実施した。その結果を表１に併記する。
（１）接着性試験
　前記ウエハ積層体において、ガラス支持体側からウエハ界面の接着状況を目視確認し、界面に気泡等の異常が確認されなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が確認された場合を不良と評価して「×」で示した。
（２）裏面研削耐性試験
　前記ウエハ積層体を用いて、グラインダー（（株）ディスコ製ＤＡＧ－８１０）でダイヤモンド砥石を用いてシリコンウエハの裏面研削を行った。基板の厚さが３０μｍになるまでグラインドした後、光学顕微鏡（１００倍）にてクラック、剥離等の異常の有無を調べた。異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
（３）耐熱性試験
　（２）裏面研削耐性試験を終えた後のウエハ積層体を２５０℃のオーブンで１時間加熱し、その後室温まで冷却した後の外観異常の有無を目視観察によって調べた。外観異常が発生しなかった場合を良好と評価して「○」で示し、ボイド、ウエハ膨れ、ウエハ破損等の外観異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。
（４）耐熱試験後の剥離性試験
　基板の剥離性は、まず、（３）耐熱性試験を終えたウエハ積層体のウエハ側にダイシングフレームを用いてダイシングテープ（日東電工（株）製ＥＬＰ　ＵＢ－３０８３Ｄ）を貼り、このダイシングテープ面を真空吸着によって、吸着板にセットした。その後、室温にて、ガラスの１点をピンセットにて持ち上げることで、ガラスウエハを剥離した。３０μｍ厚のウエハを割ることなく剥離できた場合を「○」で示し、割れ等の異常が発生した場合を不良と評価して「×」で示した。またその際、仮接着剤層が基板（シリコンウエハ）側と支持体（ガラスウエハ）側のどちらに残渣として残ったかについても確認した。
（５）洗浄除去性試験
　（４）における剥離性試験終了後のダイシングテープを介してダイシングフレームに装着された直径２００ｍｍウエハを、剥離面を上にしてスピンコーターにセットし、洗浄溶剤としてＳＰＩＳ－ＴＡ－ＣＬＥＡＮＥＲ　２５（信越化学工業（株）製）を５分間噴霧したのち、ウエハを回転させながらイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を噴霧してリンスを行った。その後、外観を観察して残存する接着剤の有無を目視でチェックした。樹脂の残存が認められないものを良好と評価して「○」で示し、樹脂の残存が認められたものを不良と評価して「×」で示した。
（６）ピール剥離力試験
　表面に高さ１０μｍ、直径４０μｍの銅ポストが全面に形成された直径２００ｍｍのシリコンウエハ（厚さ：７２５μｍ）上に硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ１～Ａ８及びＣＡ１～ＣＡ５をそれぞれスピンコートし、ホットプレートにて１００℃で２分間加熱することで、表１に示す膜厚でウエハバンプ形成面にシリコーン樹脂層を成膜した。その後、表１に示す条件にてシリコーン樹脂層を硬化させ、室温まで冷却した後、前記ウエハ上のシリコーン樹脂層上に１５０ｍｍ長×２５ｍｍ幅のポリイミドテープを５本貼り付け、テープが貼られていない部分の仮接着剤層を除去した。（株）島津製作所のＡＵＴＯＧＲＡＰＨ　（ＡＧ－１）を用いて２５℃、３００ｍｍ／分の速度でテープの一端から１８０°剥離で１２０ｍｍ剥がし、そのときにかかる力の平均（１２０ｍｍストローク×５回）を、そのシリコーン樹脂層の初期剥離力とした。また、上記同様にしてウエハバンプ形成面上にシリコーン樹脂層の硬化物を作製し、空気中２５０℃のオーブンで１時間熱処理を行った後のテープ剥離力を耐熱後剥離力として測定した。
（７）貯蔵弾性率測定
　ガラスウエハ上に硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ１～Ａ８及びＣＡ１～ＣＡ５をそれぞれスピンコートし、ホットプレートにて１００℃で２分間加熱することで、表１に示す膜厚でガラスウエハ上にシリコーン樹脂層を形成した。その後、表１に示す条件にてシリコーン樹脂層を硬化させ、室温まで冷却した。得られたシリコーン樹脂層を含むガラスウエハを、ＴＡインスツルメント社製アレスＧ２を使用し、シリコーン樹脂層に５０ｇｆの荷重がかかるよう２５ｍｍφアルミニウムプレートで挟んだ状態で２５℃での弾性率測定を行い、得られた弾性率の値をシリコーン樹脂層の貯蔵弾性率とした。
（８）空気中での熱重量測定
　表面がテフロン（登録商標）コートされた（Ｈ）１００ｍｍ×（Ｗ）１００ｍｍ×（Ｄ）１ｍｍの金型中に硬化性シリコーン樹脂溶液Ａ１～Ａ８及びＣＡ１～ＣＡ５を適量流し込み、余分な樹脂溶液をスクレーパーで除去した後、ホットプレートにて１００℃で２分間加熱した。その後、表１に示す条件にてそれぞれシリコーン樹脂層を硬化させ、室温まで冷却してシリコーン樹脂層硬化物を作製した。得られた硬化物のうち１０ｍｇを使用して空気中での熱重量測定を実施し、硬化物の１％重量減少温度を測定した。ここで使用した装置はメトラー・トレド（株）製ＴＧＡ２であり、測定条件は４０～４００℃（１０℃／ｍｉｎ．）にて行った。
　表１で示されたように、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンを含む硬化性シリコーン樹脂組成物よりなる仮接着剤は十分な硬化性を示し、かつウエハ加工耐久性や空気中での高温かつ長時間の加熱処理後の剥離安定性、剥離後の洗浄除去性に優れることが確認された（実施例１～８）。
　一方、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンを含有しない比較例や、両末端にアルケニル基またはケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有する比較例では、高温かつ長時間の加熱処理を行うと、その後の剥離性に悪影響が確認された（比較例１～５）。
　本明細書は、以下の態様を包含する。
　［１］ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、前記ウエハ加工用仮接着剤は、ヒドロシリル化反応により硬化が可能な硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものであり、前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着剤。
　［２］前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、
（Ａ）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
（Ｂ）１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサン：０．１～１００質量部、
（Ｃ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計に対する（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のＳｉＨ基の合計が、モル比で０．３～５となる量、
（Ｄ）無官能性オルガノポリシロキサン：０．１～２００質量部、及び
（Ｅ）ヒドロシリル化反応触媒：（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）成分の合計質量に対し、金属原子量換算で０．１～５，０００ｐｐｍ
を含むものであることを特徴とする［１］に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［３］前記（Ａ）成分の１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、少なくとも１個以上のアリール基を有するものであることを特徴とする［２］に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［４］前記１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とする［２］または［３］に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［５］前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、光及び加熱のいずれか、又はその両方によって硬化可能なものであることを特徴とする［２］から［４］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［６］前記（Ｄ）成分の無官能性オルガノポリシロキサンの３０質量％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓである、ジメチルポリシロキサンからなることを特徴とする［１］から［５］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［７］前記（Ａ）～（Ｅ）成分を含む硬化性シリコーン樹脂組成物が、更に（Ｆ）成分としてヒドロシリル化反応制御剤を前記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計質量に対し、０．００１～１０質量部含むものであることを特徴とする［１］から［６］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［８］前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃でのシリコン基板に対する２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力が２ｇｆ以上１００ｇｆ以下であることを特徴とする［１］から［７］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［９］前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃での貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上１，０００ＭＰａ以下であることを特徴とする［１］から［８］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤。
　［１０］（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、［１］から［９］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
（ｂ）前記仮接着剤を硬化させる工程と、
（ｃ）前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
（ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
（ｅ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
　［１１］支持体と、その上に積層された［１］～［９］のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたものであることを特徴とするウエハ積層体。
　なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

Claims (11)

  1. 　ウエハを支持体に仮接着するためのウエハ加工用仮接着剤であって、前記ウエハ加工用仮接着剤は、ヒドロシリル化反応により硬化が可能な硬化性シリコーン樹脂組成物からなるものであり、前記硬化性シリコーン樹脂組成物は、１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とするウエハ加工用仮接着剤。
  2. 　前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、
    （Ａ）１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン：１００質量部、
    （Ｂ）１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を有するオルガノポリシロキサン：０．１～１００質量部、
    （Ｃ）１分子中に２個以上のケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）を含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン：（Ａ）及び（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計に対する（Ｂ）及び（Ｃ）成分中のＳｉＨ基の合計が、モル比で０．３～５となる量、
    （Ｄ）無官能性オルガノポリシロキサン：０．１～２００質量部、及び
    （Ｅ）ヒドロシリル化反応触媒：（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）成分の合計質量に対し、金属原子量換算で０．１～５，０００ｐｐｍ
    を含むものであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  3. 　前記（Ａ）成分の１分子中に２個以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサンが、少なくとも１個以上のアリール基を有するものであることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  4. 　前記（Ｄ）成分の無官能性オルガノポリシロキサンの３０質量％トルエン溶液の２５℃における粘度が１００～５００，０００ｍＰａ・ｓである、ジメチルポリシロキサンからなることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  5. 　前記（Ａ）～（Ｅ）成分を含む硬化性シリコーン樹脂組成物が、更に（Ｆ）成分としてヒドロシリル化反応制御剤を前記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分の合計質量に対し、０．００１～１０質量部含むものであることを特徴とする請求項２に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  6. 　前記１分子中に１個のみのアルケニル基または１個のみのケイ素原子に結合した水素原子（ＳｉＨ基）が側鎖または末端のいずれかに位置するオルガノポリシロキサンを含むものであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  7. 　前記硬化性シリコーン樹脂組成物が、光及び加熱のいずれか、又はその両方によって硬化可能なものであることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  8. 　前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃でのシリコン基板に対する２５ｍｍ幅の試験片の１８０°ピール剥離力が２ｇｆ以上１００ｇｆ以下であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  9. 　前記硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化後、２５℃での貯蔵弾性率が１，０００Ｐａ以上１，０００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ加工用仮接着剤。
  10. 　（ａ）表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハの前記回路形成面を、請求項１～９のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤を用いて支持体に剥離可能に接着し、ウエハ積層体を形成する工程と、
    （ｂ）前記仮接着剤を硬化させる工程と、
    （ｃ）前記ウエハ積層体のウエハの回路非形成面を研削又は研磨する工程と、
    （ｄ）前記ウエハの回路非形成面に加工を施す工程と、
    （ｅ）前記加工を施したウエハを前記支持体から剥離する工程と
    を含むことを特徴とする薄型ウエハの製造方法。
  11. 　支持体と、その上に積層された請求項１～９のいずれか１項に記載のウエハ加工用仮接着剤から得られる仮接着剤層と、表面に回路形成面及び裏面に回路非形成面を有するウエハとを備えるウエハ積層体であって、前記仮接着剤層が、前記ウエハの表面に剥離可能に接着されたものであることを特徴とするウエハ積層体。
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