WO2026028622A1

WO2026028622A1 - 発光装置

Info

Publication number: WO2026028622A1
Application number: PCT/JP2025/021254
Authority: WO
Inventors: 稜介田渕; 潤岩下; 崇平松; 勇宇春見; 陽今村; 進佐藤
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2024-07-31
Filing date: 2025-06-12
Publication date: 2026-02-05
Anticipated expiration: 2027-01-31

Abstract

複数種類の投光ビームを投光することができる発光装置であって各面発光素子の高速スイッチングが可能な発光装置を提供すること。　本技術に係る発光装置は、複数の面発光素子と、該複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板と、を備え、前記複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子を含む。本技術に係る発光装置によれば、複数種類の投光ビームを投光することができる発光装置であって各面発光素子の高速スイッチングが可能な発光装置を提供することができる。

Description

発光装置

　本開示に係る技術（以下「本技術」とも呼ぶ）は、発光装置に関する。

　従来、面発光レーザ、発光ダイオード、フォトニック結晶面発光素子等の面発光素子が知られている。

　例えば特許文献１、２には、活性層及び位相変調層を含む発光部がジャンクションアップで実装された投光モジュールが開示されている。

　これらの投光モジュールは、複数種類の投光ビームを投光することができる。

特開２０１９－５０９８２３号公報特開２０１９－５０９８２２号公報

　しかしながら、例えば特許文献１、２に開示された投光モジュールでは、各発光部の高速スイッチングを可能とすることに関して改善の余地があった。

　そこで、本技術は、複数種類の投光ビームを投光することができる発光装置であって各面発光素子の高速スイッチングを可能とする発光装置を提供することを主目的とする。

　本技術は、複数の面発光素子と、
　前記複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板と、
　を備え、
　前記複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子を含む、発光装置を提供する。
　前記複数の面発光素子は、共通の基板を有していてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの前記面発光素子を含んでいてもよい。
　前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なっていてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの面発光素子を含んでいてもよい。
　前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なっていてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、フォトニック結晶層を有する前記面発光素子である第１面発光素子を含んでいてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子である第２面発光素子を含んでいてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる複数の前記第２面発光素子を含んでいてもよい。
　前記第１面発光素子は、ＰＣＳＥＬであってもよい。
　前記第２面発光素子は、ＬＥＤであってもよい。
　前記第２面発光素子は、ＶＣＳＥＬであってもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の複数の前記第２面発光素子を含んでいてもよい。
　前記複数の第２面発光素子の各々はＶＣＳＥＬであり、又は、前記複数の第２面発光素子の各々はＬＥＤであってもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子を含んでいてもよい。
　前記複数種類の面発光素子が、複数の前記第１面発光素子を含んでいてもよい。
　前記複数の第１面発光素子は、
　前記フォトニック結晶層が変調モードを有する前記第１面発光素子と、
　前記フォトニック結晶層が前記変調モードを有しない前記第１面発光素子と、
　を含んでいてもよい。
　前記複数の第１面発光素子は、異なる変調モードを有する少なくとも２つの前記第１面発光素子を含んでいてもよい。
　前記少なくとも２つの第１面発光素子は、フラッド発光モードを有する前記第１面発光素子と、マルチ発光点モードを有する前記第１面発光素子と、を含んでいてもよい。
　前記複数の第１面発光素子は、照射領域及び／又は発光パターンが異なっていてもよい。

本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置の製造方法の一例の工程毎の断面図である。本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置の発光素子系から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置の断面図である。本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置の発光素子系の平面図である。本技術の一実施形態の実施例２の変形例に係る発光装置の断面図である。一実施形態の実施例１に係る発光装置の距離測定装置への適用例を示す図である。車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。距離測定装置の設置位置の一例を示す説明図である。

　以下に添付図面を参照しながら、本技術の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。本明細書において、本技術に係る発光装置が複数の効果を奏することが記載される場合でも、本技術に係る発光装置は、少なくとも１つの効果を奏すればよい。本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

　また、以下の順序で説明を行う。
０．導入
１．本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置
２．本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置
３．本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置
４．本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置
５．本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置
６．本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置
７．本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置
８．本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置
９．本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置
１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置
１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置
１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置
１３．本技術の変形例
１４．電子機器への応用例
１５．発光装置を距離測定装置に適用した例
１６．距離測定装置を移動体に搭載した例

＜０．導入＞

　従来、ベンチマーク及び市場動向レポートによると、スマートフォン等のモバイルのフロント側には、センシングアプリケーションごとに適切な投光ビームが必要とされ、投光ビームの種類が異なる複数の投光モジュール（例えば近接センサチップ、ＳＴＬ（Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ　Ｌｉｇｈｔ）投光チップ、Ｆｌｏｏｄ投光チップ等の複数の投光チップ）が搭載されていた。このため、モバイルフロント側に占めるモジュール専有面積が大きくなっていた。この問題の解決策として、特許文献１、２が提案されている。

　特許文献１では、投光モジュールが、支持基板上に集積された複数の発光素子（発光部）を備え、各発光素子が、所望の発光パターンになるように設計された位相変調層を有する。これにより、１つの投光モジュール（１つの投光チップ）から複数種類の投光ビームを投光することができる。

　特許文献２では、投光モジュールが、１チップ内に複数の発光メサ（発光部）を備えている。各発光メサは、所望の発光パターンになるように設計された位相変調層を有する。これにより、１つの投光モジュール（１つの投光チップ）から、複数種類の投光ビームを投光することができる。

　しかしながら、特許文献１、２では、発光部の上下から配線を引いているため、配線インピーダンスが大きくなり、各発光部のスイッチングが低速になってしまう。すなわち、特許文献１、２では、各発光部の高速スイッチングを可能とすることに関して改善の余地があった。

　そこで、発明者らは、鋭意検討の末、複数種類の投光ビームを投光することができる発光装置であって各面発光素子の高速スイッチングを可能とする発光装置として、本技術に係る発光装置を開発した。

　以下、本技術の一実施形態に係る発光装置について、幾つかの実施例を例にとって詳細に説明する。以下、図１等の断面図において、適宜、上側を上、下側を下として説明する。

＜１．本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置＞
　図１は、本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置１の断面図である。図２は、本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置１の発光素子系１０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図３は、本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置１の発光素子系１０から複数種類の出射光（投光ビーム）が出射（投光）されている状態を示す図である。

≪発光装置の構成≫
　本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置１は、一例として図１及び図２に示すように、複数（例えば２つ）の面発光素子を含む発光素子系１０と、該複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板１５とを備える。

　発光素子系１０の複数（例えば２つ）の面発光素子は、複数種類（例えば２種類）の面発光素子を含む。一例として、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの面発光素子を含む。詳述すると、複数種類の面発光素子が、フォトニック結晶層１０６を有する面発光素子である第１面発光素子と、フォトニック結晶層１０６を有しない面発光素子である第２面発光素子とを含む。第１面発光素子は、例えばＰＣＳＥＬ（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ　Ｃｒｙｓｔａｌ－Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ）である。第２面発光素子は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ））である。

　第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）は、いずれも裏面出射型である。ＰＣＳＥＬの発振波長は、一例として、ＮＩＲ（Ｎｅａｒ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｒａｙ）帯、例えば９４０ｎｍである。ＬＥＤの発光波長は、一例として、ＮＩＲ（Ｎｅａｒ　Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｒａｙ）帯９４０ｎｍである。第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）は、発光パターン（出射光のパターン）が異なる（図３参照）。

　第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）は、共通の基板１０１を有し、該基板１０１の面内方向に沿って並んでいる。第１及び第２面発光素子の各々は、基板１０１の実装基板１５側とは反対側へ光を出射する。ここでは、第１及び第２面発光素子の各々は、基板１０１の実装基板１５側とは反対側の面（裏面）が出射面である。該出射面に反射防止膜が設けられることが好ましい。該反射防止膜としては、例えば、複数の誘電体膜（例えばＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜等）が積層された積層構造を有するものを用いることができる。

　発光素子系１０では、第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）の各々がバンプを介して実装基板１５に接合されている。このように、発光素子系１０は、実装基板１５と電気的且つ機械的に接続されている。

　実装基板１５は、例えば、ドライバ（駆動回路）を有する基板（駆動基板）又はドライバ（駆動回路）に電気的に接続される配線基板である。ここでは、実装基板１５は、駆動基板である。実装基板１５のドライバは、スイッチング素子として、例えばｎＭＯＳ（ｎ－ｔｙｐｅ　Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有する。特にスイッチング素子にｎＭＯＳを用いることにより、スイッチング素子の小型化を図ることができ、ドライバの小型化及び設計自由度の向上につながる。なお、ドライバは、ｎＭＯＳに代えて、ｐＭＯＳ（ｐ－ｔｙｐｅ　Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を有していてもよい。

　発光素子系１０は、一例として、第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）と基板１０１を共有し、第１及び第２面発光素子を含む面発光素子対を基板１０１の面内方向に挟むように配置された２つのダミー素子ＤＥと、各面発光素子の実装基板１５側の面に設けられたアノード電極１１１と、各ダミー素子ＤＥの実装基板１５側の面に一部が設けられたカソード配線１１３とを更に含む。ダミー素子ＤＥは「非発光素子」とも呼ばれる。

　第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬでは、一例として、活性層１０４及びフォトニック結晶層１０６が互いに積層（例えば積層方向に近接して配置）されている。活性層１０４及びフォトニック結晶層１０６を含んで発光部が構成されている。ここでは、活性層１０４がフォトニック結晶層１０６の基板１０１側（上側、例えばｎ側）に配置されているが、活性層１０４がフォトニック結晶層１０６の基板１０１側とは反対側（下側、例えばｐ側）に配置されていてもよい。なお、活性層１０４がフォトニック結晶層１０６のｎ側に配置される場合の方がｐ側に配置される場合よりも電気特性が向上する。

　第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬは、一例として、活性層１０４及びフォトニック結晶層１０６を含む発光部を上下に挟む第１及び第２クラッド層１０３、１０７を有する。第１クラッド層１０３が該発光部の基板１０１側（上側）に配置され、第２クラッド層１０７が該発光部の基板１０１側とは反対側（下側）に配置されている。

　第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬでは、一例として、活性層１０４、フォトニック結晶層１０６、第１及び第２クラッド層１０３、１０７を含んで共振器が構成されている。

　第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬは、さらに、共振器の基板１０１側（上側）に配置された第１コンタクト層１０２と、共振器の基板１０１側とは反対側（下側）に配置された反射鏡１０８と、該反射鏡１０８の共振器側とは反対側（下側）に配置された第２コンタクト層１０９とを有する。

　すなわち、第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬでは、基板１０１上に第１コンタクト層１０２、第１クラッド層１０３、活性層１０４、フォトニック結晶層１０６、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９がこの順に配置されている。

　第２面発光素子としてのＬＥＤは、一例として、フォトニック結晶層１０６に代えてフォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭを有する点を除いて、第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬと同一の層構成を有する。第２面発光素子としてのＬＥＤは、広出射角の拡散ビームを出射する（図３参照）。このため、第２面発光素子としてのＬＥＤは、比較的広範囲且つ近距離のセンシング（物体検知）に好適な光源である。

　第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬは、共振器の少なくとも一部（例えば全部）を含む発光メサＬＭ_PCSELを有する。ここでは、発光メサＬＭ_PCSELは、第１コンタクト層１０２上に突設され、第１クラッド層１０３、活性層１０４、フォトニック結晶層１０６、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９を含んで構成される。発光メサＬＭ_PCSELは、ここでは円柱状であるが、円錐台状、楕円柱状、楕円錐台状、多角柱状、多角錐台状等であってもよい。

　第２面発光素子としてのＬＥＤは、発光メサＬＭ_LEDを有する。ここでは、発光メサＬＭ_LEDは、第１コンタクト層１０２上に突設され、第１クラッド層１０３、活性層１０４、フォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭ、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９を含んで構成される。発光メサＬＭ_LEDは、ここでは円柱状であるが、円錐台状、楕円柱状、楕円錐台状、多角柱状、多角錐台状等であってもよい。

　発光メサＬＭ_PCSEL及び発光メサＬＭ_LEDは、同径であってもよいし、異径であってもよい。

　各ダミー素子ＤＥは、第２面発光素子としてのＬＥＤと同一の層構成を有する。各ダミー素子ＤＥは、ダミーメサＤＭを有する。ダミーメサＤＭは「非発光メサ」や「台座部」とも呼ばれる。ここでは、ダミーメサＤＭは、第１コンタクト層１０２上に突設され、第１クラッド層１０３、活性層１０４、フォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭ、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９を含んで構成される。

　発光メサＬＭ_PCSEL、発光メサＬＭ_LED及びダミーメサＤＭは、絶縁膜１１０で覆われている。絶縁膜１１０は、一例として、各発光メサの頂部（第２コンタクト層１０９）の中央部を覆っておらず、該中央部上にアノード電極１１１（ｐ側電極）が設けられている。絶縁膜１１０は、一例として、第１コンタクト層１０２の、各面発光素子とダミー素子ＤＥとの間の部分を覆っておらず、該部分上にカソード電極１１２（ｎ側中間電極）が設けられている。カソード引き上げ用のカソード配線１１３が、絶縁膜１１０で覆われたダミーメサＤＭに沿って設けられている。カソード配線１１３は、一端部がカソード電極１１２に接し、中間部が絶縁膜１１０を介してダミーメサＤＭの側面に設けられ、他端側の部分が絶縁膜１１０を介してダミーメサＤＭの頂部に設けられている。

　すなわち、発光素子系１０は、アノード電極１１１、カソード電極１１２及びカソード配線１１３が基板１０１の同一面側（下面側）に設けられたイントラキャビティ構造を有する。発光素子系１０は、第１及び第２面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）に対してアノード独立且つカソード共通の電極レイアウトを有し、第１及び第２面発光素子を独立駆動可能である。

（基板）
　基板１０１は、一例として、不純物を含有する半導体基板、半絶縁性基板（例えば不純物を含有しない半導体基板）等である。ここでは、基板１０１は、ＧａＡｓからなる。基板１０１は、光吸収を低減するため、例えば、低ドープのＧａＡｓ（ｎ－ＧａＡｓ又はｐ－ＧａＡｓ）、ＳＩ（Ｓｅｍｉ－Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ）－ＧａＡｓ等からなることが好ましい。さらに、基板１０１は、活性層１０４の発光波長に対して透明であることが好ましい。

（第１コンタクト層）
　第１コンタクト層１０２は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌ_x0Ｇａ_1-x0Ａｓ（０≦ｘ０＜１）、例えばｎ－ＧａＡｓからなる。第１コンタクト層１０２には、例えばケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物が含まれている。第１コンタクト層１０２は、第１クラッド層１０３とカソード電極１１２とをオーミック接触させることに加え、電流を面発光素子の中央部まで到達させる電流拡散層としても機能する。

（第１クラッド層）
　第１クラッド層１０３は、一例として、第１導電型（例えばｎ型）のＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓ（０≦ｘ１＜１）からなる。クラッド層は「スペーサ層」とも呼ばれる。第１クラッド層１０３には、例えばケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物が含まれている。

（活性層）
　活性層１０４は、一例として、ＧａＡｓ系化合物半導体からなる障壁層及び井戸層を含む量子井戸構造を有する。具体的には、活性層１０４は、例えば、アンドープのＩｎ_x2Ｇａ_1-x2Ａｓ（０＜ｘ２＜１）からなる井戸層及びアンドープのＩｎ_x3Ｇａ_1-x3Ａｓ（０＜ｘ３＜１）からなる障壁層が交互に積層されてなる多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）を有する。活性層１０４は、多重量子井戸構造に代えて、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）、量子ドット構造、量子細線構造等を有していてもよい。活性層１０４の発光波長は、例えば９３５ｎｍである。活性層は「発光層」とも呼ばれる。

（フォトニック結晶層）
　フォトニック結晶層１０６は、積層方向に近接する活性層１０４から発せられた光に対してフォトニック結晶による共振、回折効果を付与する。

　フォトニック結晶層１０６は、一例として、板状の母材１０６ＢＭの一部であるベース部１０６ｂと、該ベース部１０６ｂ上に配置された異屈折率周期構造１０６ａ（フォトニック結晶）とを含む。異屈折率周期構造１０６ａでは、ベース部１０６ｂの面内方向に沿って異屈折率領域が周期的に（例えば２次元格子状に）配置されている。異屈折率領域は、例えば空孔（空気又は真空）である。異屈折率周期構造１０６ａは、フォトニック結晶層１０６内に周期的な屈折率分布を生じさせる。フォトニック結晶層１０６は、異屈折率領域の周期（例えば格子点の間隔、格子定数、空孔間隔）が、一例として、活性層１０４の発光波長と同一又は近似する。母材１０６ＢＭの材料は、一例として、Ａｌ_x5Ｇａ_1-x5Ａｓ（０≦ｘ５＜１）、例えばＧａＡｓであるが、これに限定されない。ここでは、異屈折率周期構造１０６ａは、活性層１０４の面内の中央部に対応する位置に設けられているが、活性層１０４の面内の全域に対応する位置に設けられてもよい。

　フォトニック結晶層１０６内では、上記のような周期的な屈折率分布の存在により、特定波長（例えば発振波長）の光がフォトニック結晶面内の特定の方向に２次元定在波状態を形成する。フォトニック結晶層１０６では、フォトニック結晶面に平行な方向のみならず垂直な方向へも回折が生じ、狭出射角のビームを面内方向に交差する方向（例えば面直方向）に出射させることができ、面発光出力を得ることができる。

　フォトニック結晶層１０６は、異屈折率周期構造１０６ａ（フォトニック結晶）の周期性が変調された変調モードを有する。この変調モードにより、異屈折率周期構造の周期性が一定である無変調モードに対して、ビームの強度や出射方向を制御することができる。異屈折率周期構造１０６ａの周期性は、例えば、異屈折率領域である空孔のピッチ及び／又は径を変えることで変調される。

　ここでは、第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬの出射光ＥＬ_PCSELが、扇形放射状に並ぶ複数の狭出射角ビームを含むように（図３参照）、異屈折率周期構造１０６ａの周期性が変調されている。

　ＰＣＳＥＬは、高密度照射（マルチスポット照射やマルチドット照射）を行うマルチ発光点モードを有していてもよい。ＰＣＳＥＬは、超高密度照射（マルチビーム照射であって偏光方向が異なるビーム同士を部分的に重ならせた照射であるフラッド照射）を行うフラッド発光モードを有していてもよい。ＰＣＳＥＬは、マルチ発光点モードやフラッド発光モードを有する場合に、特に、ＳＴＬ（ストラクチャードライト）に好適な光源となる。

（第２クラッド層）
　第２クラッド層１０７は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌ_x6Ｇａ_1-x6Ａｓ（０≦ｘ６＜１）からなる。クラッド層は「スペーサ層」とも呼ばれる。第２クラッド層１０７には、例えば炭素（Ｃ）などのｐ型不純物が含まれている。

（反射鏡）
　反射鏡１０８は、活性層１０４及びフォトニック結晶層１０６を含む発光部から基板１０１側とは反対側（下側）に放たれた光を基板１０１側（上側）へ反射させて出射光として利用するため（光利用効率を高めるため）に設けられている。このように反射鏡１０８は、高効率化のために設けられているものであり、必須のものではない。

　反射鏡１０８は、一例として、半導体多層膜反射鏡である。多層膜反射鏡は、分布型ブラッグ反射鏡（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれる。詳述すると、反射鏡１０８は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）の半導体多層膜反射鏡であり、屈折率が互いに異なる複数種類（例えば２種類）の半導体層が発光波長の１／４波長の光学厚さで交互に積層された構造を有する。反射鏡１０８の各屈折率層は、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌＧａＡｓ系化合物半導体からなる。具体的には、反射鏡１０８は、低屈折率層が例えばｐ－Ａｌ_x7Ｇａ_1-x7Ａｓ（０＜ｘ７＜１）からなり、高屈折率層が例えばｐ－Ａｌ_x8Ｇａ_1-X8Ａｓ（０≦ｘ８＜ｘ７）からなる。

（第２コンタクト層）
　第２コンタクト層１０９は、一例として、第２導電型（例えばｐ型）のＡｌ_x9Ｇａ_1-x9Ａｓ（０≦ｘ９＜１）、例えばｐ－ＧａＡｓからなる。第２コンタクト層１０９には、例えば炭素（Ｃ）などのｐ型不純物が含まれている。第２コンタクト層１０９は、反射鏡１０８とアノード電極１１１とをオーミック接触させるための層である。

（絶縁膜）
　絶縁膜１１０は、例えばＳｉＮ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ等の誘電体からなる。特に絶縁膜１１０がＳｉＮからなる場合には、外部からの水分侵入の抑制に寄与する。

（アノード電極）
　アノード電極１１１は、一例として非合金の金属膜を含んで構成されている。具体的には、アノード電極１１１は、例えばＴｉ層、Ａｕ層が第２コンタクト層１０９側からこの順に積層された積層構造を有している。なお、アノード電極１１１は、対はんだ性能を向上させるために、さらにＡｕ層上にＰｔ層が積層されてもよい。アノード電極１１１は、実装基板１５の陽極端子１５ｂに第１バンプＢ１を介して電気的に接続されている。

（カソード電極）
　ｎ側中間電極としてのカソード電極１１２は、一例として合金を含んで構成されている。具体的には、カソード電極１１２は、例えばＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層が第１コンタクト層１０２側からこの順に積層された積層構造を有する。

（カソード配線）
　カソード配線１１３は、例えばＡｕメッキ、Ａｇメッキ、Ａｌメッキ等からなる。カソード配線１１３の厚さは、電圧降下を十分に抑制可能な厚さであることが好ましい。カソード配線１１３は、実装基板１５の陰極端子１５ｃに第２バンプＢ２を介して電気的に接続されている。

　（バンプ）
　第１及び第２バンプＢ１、Ｂ２の各々は、導電性を有する導電バンプであり、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属や、例えばＡｇＳｎ、ＡｕＳｎ、ＣｕＳｎ、ＮｉＳｎ、ＣｕＮｉＳｎ等のＰｂフリーの半田からなる。

（実装基板）
　実装基板１５（例えば駆動基板）は、一例として、半導体基板１５ａ（例えばｐ型半導体基板）と、該半導体基板１５ａに設けられた、第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬを駆動可能（スイッチング可能）なｎＭＯＳ（ＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳ）と、第２面発光素子としてのＬＥＤを駆動可能（スイッチング可能）なｎＭＯＳ（ＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳ）と、ゲート電圧制御部と、電流源とを有する。各ｎＭＯＳは、ソースが実装基板１５の陽極端子１５ｂに接続され、各々のドレインが電流源の陽極に接続され、各々のゲートにゲート電圧制御部からゲート電圧（パルス電圧）が印加されるようになっている。ＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳは、ゲート電圧（パルス電圧）が印加されると、第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬの発光／消光を行う駆動パルス（電流パルス）を生成する。ＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳは、ゲート電圧（パルス電圧）が印加されると、第２面発光素子としてのＬＥＤの発光／消光を行う駆動パルス（電流パルス）を生成する。ゲート電圧制御部は、ゲート電圧のパラメータ（例えばパルス幅及び繰り返し周波数）を制御することにより、駆動パルスのパラメータ（例えばパルス幅及び繰り返し周波数）を制御する。電流源は、定電流源でも可変電流源でもよいが、可変電流源の方が電流値が可変であり駆動パルスの強度（パルス振幅）を調整可能となる点で好適である。半導体基板１５ａとしては、例えばＳｉ基板、Ｇｅ基板、ＳＯＩ基板、ＧＯＩ基板等が挙げられる。

≪発光装置の動作≫
　以下、発光装置１の動作について説明する。発光装置１では、必要に応じてＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳ及びＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳの少なくとも一方を選択的に駆動することで、ＰＣＳＥＬ及びＬＥＤの少なくとも一方を選択的に発光させることが可能である。

（ＰＣＳＥＬの駆動）
ＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳにゲート電圧（パルス電圧）が印加されると、ＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳのドレインに接続された、電流源の陽極側からの電流によりＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳで電流パルスが生成され、ＰＣＳＥＬに電流（パルス電流）が印加される。ＰＣＳＥＬに印加された電流は、アノード電極１１１、第２コンタクト層１０９、反射鏡１０８、第２クラッド層１０７及びフォトニック結晶層１０６をこの順に介して活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、その光がフォトニック結晶層１０６内で面内方向に定在波を形成し、共振条件が満たされると、フォトニック結晶層１０６から基板１０１側及び基板１０１側とは反対側へ光が放たれる。基板１０１側へ放たれた光は、そのまま基板１０１の裏面からレーザ光（例えば扇形放射状に並ぶ複数の狭出射角ビーム）として出射される（図３参照）。基板１０１側とは反対側に放たれた光は、反射鏡１０８で基板１０１側へ反射され、基板１０１の裏面からレーザ光（例えば扇形放射状に並ぶ複数の狭出射角ビーム）として出射される（図３参照）。この際、ゲート電圧制御部によるゲート電圧の制御により、電流パルスのパルス幅及び繰り返し周波数を調整可能であり、電流源（但し可変電流源の場合）による電流値の制御により電流パルスの強度を調整可能である。活性層１０４を経た電流は、第１クラッド層１０３、第１コンタクト層１０２、カソード電極１１２及びカソード配線１１３をこの順に介して、ＰＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳに接続された電流源の陰極側へ流出される。

（ＬＥＤの駆動）
　ＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳにゲート電圧（パルス電圧）が印加されると、ＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳに接続された、電流源の陽極側からの電流によりＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳで電流パルスが生成され、ＬＥＤに電流（パルス電流）が印加される。ＬＥＤに印加された電流は、アノード電極１１１、第２コンタクト層１０９、反射鏡１０８、第２クラッド層１０７及びフォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭをこの順に介して活性層１０４に注入される。このとき、活性層１０４が発光し、該活性層１０４から基板１０１側及び基板１０１側とは反対側へ光が放たれる。基板１０１側へ放たれた光は、そのまま基板１０１の裏面から自然放出による拡散光として出射される（図３参照）。基板１０１側とは反対側に放たれた光は、反射鏡１０８で基板１０１側へ反射され、基板１０１の裏面から自然放出による拡散光として出射される（図３参照）。この際、ゲート電圧制御部によるゲート電圧の制御により、電流パルスのパルス幅及び繰り返し周波数を調整可能であり、電流源（但し可変電流源の場合）による電流値の制御により電流パルスの強度を調整可能である。活性層１０４を経た電流は、第１クラッド層１０３、第１コンタクト層１０２、カソード電極１１２及びカソード配線１１３をこの順に介して、ＬＥＤ駆動用ｎＭＯＳに接続された電流源の陰極側へ流出される。

≪発光装置の製造方法≫
　以下、発光装置１の製造方法について、図４のフローチャート等を参照して説明する。全体の流れとしては、先ず、半導体製造装置を用いた半導体製造方法により、基板１０１の基材である１枚のウェハ（以下では、便宜上「基板１０１」と呼ぶ）上に複数の発光素子系１０を同時に生成する。次いで、一連一体の複数の発光素子系１０をダイシング（例えばステルスダイシング）により互いに分離して、チップ状の発光素子系１０を得る。最後に、発光素子系１０を実装基板１５にフリップチップ実装する。

　最初のステップＳ１では、積層体を生成する（図５参照）。具体的には、例えばＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長）法などのエピタキシャル結晶成長法により、基板１０１（例えばｎ－ＧａＡｓ基板、ＳＩ－ＧａＡｓ基板等）上に第１コンタクト層１０２、第１クラッド層１０３、活性層１０４及びフォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭをこの順に積層して積層体を形成する。化合物半導体の原料としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）などのメチル系有機金属ガスと、アルシン(ＡｓＨ₃)ガスを用い、ドナー不純物の原料としては、例えばジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）を用い、アクセプタ不純物の原料としては、例えば四臭化炭素（ＣＢｒ₄）を用いる。

　次のステップＳ２では、フォトニック結晶層１０６を形成する（図６参照）。具体的には、フォトリソグラフィにより積層体上（フォトニック結晶層１０６の母材１０６ＢＭ上）にフォトニック結晶層１０６の異屈折率周期構造１０６ａを形成するためのレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして母材１０６ＢＭを所定深さだけエッチングし、ベース部１０６ｂ上に異屈折率周期構造１０６ａを形成する。このとき、例えばＣｌ系ガスによるＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることが好ましい。その後、レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ３では、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９を積層する（図７参照）。具体的には、再度のエピタキシャル成長により、フォトニック結晶層１０６が形成された積層体（図６参照）上に第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９をこの順に積層する。

　次のステップＳ４では、発光メサＬＭ_PCSEL、発光メサＬＭ_LED及び各ダミーメサＤＭを形成する（図８参照）。具体的には、フォトリソグラフィにより積層体（図７参照）上に発光メサＬＭ_PCSEL、発光メサＬＭ_LED及び各ダミーメサＤＭを形成するためのレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして積層体をドライエッチング又はウェットエッチングによりエッチングする。ここでのエッチング深さは、例えば第１コンタクト層１０２が露出するまでとする。その後、レジストパターンを除去する。

　次のステップＳ５では、アノード電極１１１及びカソード電極１１２を形成する（図９参照）。具体的には、例えばリフトオフ法により、各発光メサの頂部（詳しくは第２コンタクト層１０９）の中央部上にアノード電極１１１を形成する。例えばリフトオフ法により、第１コンタクト層１０２の、各発光メサが突設された領域と該発光メサに隣接するダミーメサＤＭが突設された領域との間の領域上にカソード電極１１２を形成する。アノード電極１１１及びカソード電極１１２の電極材料の成膜に例えば蒸着、スパッタ等を用いる。

　次のステップＳ６では、絶縁膜１１０を形成する（図１０参照）。具体的には、先ず、アノード電極１１１及びカソード電極１１２が形成された積層体（図９参照）の全面に絶縁膜１１０を例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタ、蒸着等により成膜する。次いで、アノード電極１１１及びカソード電極１１２を覆う絶縁膜１１０をフォトリソグラフィ及びエッチングにより除去して、アノード電極１１１及びカソード電極１１２を露出させる。

　なお、ステップＳ５、Ｓ６に代えて、積層体にアノード電極１１１及びカソード電極１１２を形成する前に絶縁膜１１０を成膜し、該絶縁膜１１０にアノード電極１１１を形成するためのコンタクトホール及びカソード電極１１２を形成するためのコンタクトホールを形成し、各コンタクトホールに対応する電極を例えばリフトオフにより形成してもよい。

　次のステップＳ７では、カソード配線１１３を形成する（図１１参照）。具体的には、例えばメッキ法により、カソード配線１１３を、一端部がカソード電極１１２に接し、且つ、他端側の部分がダミーメサＤＭの頂部を絶縁膜１１０を介して覆い、且つ、中間部がダミーメサＤＭの側面を絶縁膜１１０を介して覆うように形成する。なお、メッキ法の実施に先立って、メッキされる箇所にシード層を形成しておくことが好ましい。

　この後、基板１０１をダイシングすることにより、チップ状の発光素子系１０が複数得られる。なお、必要に応じてダイシングの前に、基板１０１の裏面を例えばグラインダー、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｅｒ）装置等により研削して基板１０１を薄膜化する。また、必要に応じてダイシングの前に、基板１０１の裏面に反射防止膜を例えばスパッタ、蒸着等により成膜する。

　最後のステップＳ８では、フリップチップ実装を行う（図１２及び図１３参照）。具体的には、先ず、実装基板１５の各陽極端子１５ｂに第１バンプＢ１を付着させ、且つ、各陰極端子１５ｃに第２バンプＢ２を付着させる（図１２参照）。次いで、発光素子系１０と実装基板１５とを各発光メサに設けられたアノード電極１１１が対応する第１バンプＢ１に対向し、且つ、各ダミーメサＤＭに設けられたカソード配線１１３が対応する第２バンプＢ２に対向するように位置合わせする（図１２参照）。次いで、発光素子系１０と実装基板１５とを第１及び第２バンプＢ１、Ｂ２を介して熱圧着する（加熱しながら加圧させて接合する）。結果として、発光素子系１０と実装基板１５とが第１及び第２バンプＢ１、Ｂ２を介して電気的且つ機械的に接続される（図１３参照）。

　なお、ステップＳ８において、バンプ接合時に実装基板１５側に各バンプが付着されているが、発光素子系１０側に各バンプが付着させてもよいし、実装基板１５側及び発光素子系１０側の双方にバンプ（同種材料又は異種材料）を付着させてもよい。

≪発光装置の効果≫
　以下、本技術の一実施形態の実施例１に係る発光装置１の効果について説明する。

　発光装置１は、複数の面発光素子と、該複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板１５と、を備え、複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）を含む。

　発光装置１では、複数種類の面発光素子が実装基板にフリップチップ実装されているため、複数種類の投光ビームを投光可能であり、且つ、配線インピーダンスを小さくすることができる。

　結果として、発光装置１によれば、複数種類の投光ビームを投光することができる発光装置であって各面発光素子の高速スイッチングが可能な発光装置を提供することができる。

　また、発光装置１では、１チップに複数種類の面発光素子を集積できるので、複数種類の面発光素子チップが設けられる場合に比べて、小型化、コストダウン、高速応答性、低消費電力を実現できる。

　また、発光装置１は、複数の面発光素子が共通の基板１０１（例えば成長基板）を有するので、複数の面発光素子を一括して生成することができ、且つ、複数の面発光素子を実装基板１５に一括してフリップチップ実装することができる。すなわち、発光装置１は、生産性に優れる。

　以上説明した発光装置１は、小専有面積であり且つ複数種類の面発光素子を高速スイッチング可能なので、例えば、モバイルフロント側への応用が期待できる。

＜２．本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置＞
　図１４は、本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置２の断面図である。図１５は、本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置２の発光素子系２０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図１６は、本技術の一実施形態の実施例２に係る発光装置２の発光素子系２０から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例２に係る発光装置２は、図１４及び図１５に示すように、発光素子系２０の第２面発光素子がＶＣＳＥＬである点と、発光素子系２０が第１及び第２面発光素子の各々を複数（例えば２つ）有する点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置２は、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ及び第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を含む。発光装置２は、ＰＣＳＥＬ及びＶＣＳＥＬを例えば２つずつ含む。

　発光装置２では、必要に応じて、複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬの少なくとも１つを選択的に発光させることが可能である。

　複数のＰＣＳＥＬの各々は、実施例１に係る発光装置１のＰＣＳＥＬと同様の変調モードを有し、同一の発光パターン（出射光パターン）を有する（図１６参照）。複数のＰＣＳＥＬの少なくとも１つは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　複数のＶＣＳＥＬの各々は、基板１０１の裏面（実装基板１５側とは反対側の面）に設けられた反射鏡１１４を有する。反射鏡１１４は、例えば、ＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡、誘電体多層膜反射鏡等が挙げられる。

　各ＶＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳに接続され、該ＶＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳから駆動パルスが印加されると、レーザ発振し、誘導放出光（レーザ光）として比較的狭出射角の出射光ＥＬ_VCSELを出射する（図１６参照）。各ＶＣＳＥＬは、メタサーフェスｏｎＶＣＳＥＬへの応用が可能である。各ＶＣＳＥＬは、例えば、近接センサの光源として好適である。

　発光装置２によれば、複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系２０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともに複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬを高速スイッチングすることができる。

　なお、発光装置２において、ＰＣＳＥＬ及びＶＣＳＥＬの発光メサは、同径であってもよいし、異径（例えばＰＣＳＥＬよりもＶＣＳＥＬの方が小径）であってもよい。発光装置２において、例えば、ＰＣＳＥＬ及びＶＣＳＥＬの少なくとも一方は、１個だけあってもよいし、３個以上あってもよい。

　以上説明した発光装置２は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬはＳＴＬ（ストラクチャードライト）の光源として好適であり、ＶＣＳＥＬはプロキシミティセンサ等の近接センサの光源として好適である。

＜３．本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置＞
　図１７は、本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置３の断面図である。図１８は、本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置３の発光素子系３０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図１９は、本技術の一実施形態の実施例３に係る発光装置３の発光素子系３０から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例３に係る発光装置３は、図１７及び図１８に示すように、発光素子系３０において第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬが二次元アレイ状に複数（例えば６つ）設けられている点を除いて、実施例２に係る発光装置２と概ね同様の構成を有する。

　発光装置３は、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ及び第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）を含む。発光装置２は、ＰＣＳＥＬを例えば２つ含み、ＶＣＳＥＬを例えば６つ含む。第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬ同士は、発光原理が同一である。

　発光装置３では、必要に応じて、複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬの少なくとも１つを選択的に発光させることが可能である。

　複数のＰＣＳＥＬの各々は、実施例１に係る発光装置１のＰＣＳＥＬと同様の変調モードを有し、同一の発光パターン（出射光パターン）を有する（図１９参照）。複数のＰＣＳＥＬの少なくとも１つは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　各ＶＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳに接続され、該ＶＣＳＥＬ駆動用ｎＭＯＳから駆動パルスが印加されると、レーザ発振し、誘導放出光（レーザ光）として比較的狭出射角の出射光ＥＬ_VCSELを出射する（図１９参照）。各ＶＣＳＥＬは、メタサーフェスｏｎＶＣＳＥＬへの応用が可能である。二次元ＶＣＳＥＬアレイを構成する複数のＶＣＳＥＬは、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ　Ｏｆ　Ｆｌｉｇｈｔ）カメラの光源として好適である。

　発光装置３によれば、複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系３０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともに複数のＰＣＳＥＬ及び複数のＶＣＳＥＬを高速スイッチングすることができる。

　さらに、発光装置３によれば、二次元ＶＣＳＥＬアレイを有するので、より広いエリアへの多点出射が可能である。

　なお、発光装置３において、ＰＣＳＥＬ及びＶＣＳＥＬの発光メサは、同径であってもよいし、異径（例えばＰＣＳＥＬよりもＶＣＳＥＬの方が小径）であってもよい。発光装置３において、例えば、ＰＣＳＥＬは１個だけあってもよいし３個以上あってもよく、ＶＣＳＥＬは３～５個あってもよいし７個以上あってもよい。

　以上説明した発光装置３は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬはＳＴＬ（ストラクチャードライト）の光源として好適であり、ＶＣＳＥＬはＴＯＦカメラの光源として好適である。

＜４．本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置＞
　図２０は、本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置４の断面図である。図２１は、本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置４の発光素子系４０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図２２は、本技術の一実施形態の実施例４に係る発光装置４の発光素子系４０から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例４に係る発光装置４は、図２０及び図２１に示すように、発光素子系４０が第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬを複数（例えば２つ）有し、且つ、第２面発光素子を有しない点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置４は、複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ１及び第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ２を含む。ＰＣＳＥＬ１は、変調モードを有するＰＣＳＥＬである変調ＰＣＳＥＬである。ＰＣＳＥＬ２は、変調モードを有しないＰＣＳＥＬである無変調ＰＣＳＥＬである。ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２は、発光パターン（出射光パターン）が異なる。

　発光装置４では、必要に応じて、ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２の少なくとも一方を選択的に発光させることが可能である。

　ＰＣＳＥＬ１は、実施例１に係る発光装置１のＰＣＳＥＬと同様の変調モードを有し、出射光ＥＬ_PCSEL1のパターン（発光パターン）が同一である（図２２参照）。この場合に、ＰＣＳＥＬ１は、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ２は、出射方向（主光線方向）が基板法線方向に一致する複数の狭出射角ビーム同士を（全体としては幅広のビーム）を出射する（図２２参照）。この場合に、ＰＣＳＥＬ２は、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２の各々が、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２一方がマルチ発光点モードを有し、他方がフラッド発光モードを有していてもよい。

　発光装置４によれば、ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２が１チップに集積された発光素子系４０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともにＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２を高速スイッチングすることができる。

　また、発光装置４によれば、光源としてＰＣＳＥＬのみを有するので、外付け光学素子が不要であり、小型化及びコストダウンを図ることができる。

　なお、発光装置４において、ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２の発光メサは、同径であってもよいし、異径であってもよい。発光装置４において、例えば、ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２の少なくとも一方は、複数あってもよい。

　以上説明した発光装置４は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬ１はＳＴＬ（ストラクチャードライト）の光源として好適であり、ＰＣＳＥＬ２はＴＯＦカメラや近接センサの光源として好適である。

＜５．本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置＞
　図２３は、本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置５の断面図である。図２４は、本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置５の発光素子系５０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図２５は、本技術の一実施形態の実施例５に係る発光装置５の発光素子系５０から同種の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例５に係る発光装置５は、図２３及び図２４に示すように、発光素子系５０が第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬを複数有し、且つ、第２面発光素子を有しない点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置５は、複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ１－Ａ及び第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ１－Ｂを含む。ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂは、異なる変調モードを有するＰＣＳＥＬであり、発光パターン（出射光パターン）が異なる。

　発光装置５では、必要に応じて、複数（例えば２つ）のＰＣＳＥＬの少なくとも一方を選択的に発光させることが可能である。

　ＰＣＳＥＬ１－Ａは、例えば、出射光ＥＬ_PCSEL1-Aのパターンが扇形放射状照射領域の中央部を構成するパターンである（図２５照）。ＰＣＳＥＬ１－Ａは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ１－Ｂは、例えば、出射光ＥＬ_PCSEL1-Bのパターンが扇形放射状照射領域の周辺部を構成するパターンである（図２５照）。ＰＣＳＥＬ１－Ｂは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂの各々が、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂの一方がマルチ発光点モードを有し、他方がフラッド発光モードを有していてもよい。

　以上のように、発光装置５では、ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂからの出射光を異なる照射領域に打ち分けることができ、さらに照射領域間で発光モードを異ならせることもできる。

　発光装置５よれば、ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂが１チップに集積された発光素子系５０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともにＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂを高速スイッチングすることができる。

　さらに、発光装置５によれば、複数の変調ＰＣＳＥＬの出射光パターンを組み合わせて１つの照射パターンを構成できるので、より高分解能でのＳＴＬ（ストラクチャードライト）が可能となる。

　また、発光装置５によれば、光源としてＰＣＳＥＬのみを有するので、外付け光学素子が不要であり、小型化及びコストダウンを図ることができる。

　なお、発光装置５において、ＰＣＳＥＬ１－Ａ及びＰＣＳＥＬ１－Ｂの発光メサは、同径であってもよいし、異径であってもよい。発光装置５は、異なる変調モードを有する３つ以上のＰＣＳＥＬを有していてもよい。この場合に、例えば、扇形の放射状照射領域を３つ以上のＰＣＳＥＬで打ち分けてもよい。

　以上説明した発光装置５は、例えば、モバイルのリア側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬ１－Ａ、ＰＣＳＥＬ１－Ｂは、例えば、ＴｏＦカメラ用の光源として好適である。

＜６．本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置＞
　図２６は、本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置６の断面図である。図２７は、本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置６の発光素子系６０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図２８は、本技術の一実施形態の実施例６に係る発光装置６の発光素子系６０から同種の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例６に係る発光装置６は、図２６及び図２７に示すように、発光素子系６０が第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬを複数有し、且つ、第２面発光素子を有しない点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置６は、複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ２ａ、ＰＣＳＥＬ２ｂを有する。ＰＣＳＥＬ２ａ、ＰＣＳＥＬ２ｂは、いずれも変調モードを有しない無変調ＰＣＳＥＬであって、大きさが異なり、発光パターン（出射光パターン）が異なる。

　ＰＣＳＥＬ２ｂの方がＰＣＳＥＬ２ａよりも小径である。

　発光装置６では、必要に応じて、複数（例えば２つ）のＰＣＳＥＬ２ａ、２ｂの少なくとも一方を選択的に発光させることができる。

　ＰＣＳＥＬ２ａは、例えば、出射光ＥＬ_PCSEL2aのパターンが、出射方向が基板法線方向と一致する狭出射角ビームを多数含む幅広パターンである（図２８参照）。この場合に、ＰＣＳＥＬ２ａは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ２ｂは、例えば、出射光ＥＬ_PCSEL2bのパターンが、出射方向が基板法線方向と一致する狭出射角ビームを少数含む幅狭パターンである（図２８参照）。この場合に、ＰＣＳＥＬ２ｂは、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ２ａ及びＰＣＳＥＬ２ｂの各々が、マルチ発光点モード又はフラッド発光モードを有していてもよい。

　ＰＣＳＥＬ２ａ及びＰＣＳＥＬ２ｂの一方がマルチ発光点モードを有し、他方がフラッド発光モードを有していてもよい。

　発光装置６によれば、複数の無変調ＰＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系６０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともに複数の無変調ＰＣＳＥＬを高速スイッチングすることができる。

　さらに、発光装置６よれば、ビーム幅の異なる出射光を照射可能なので、用途ごとに複数の無変調ＰＣＳＥＬの少なくとも１つを選択的に発光させることが可能となる。

　なお、発光装置６は、３つ以上の無変調ＰＣＳＥＬであって少なくとも２つの無変調ピクセルの径が異なる３以上の無変調ＰＣＳＥＬを有していてもよい。

　以上説明した発光装置６は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、各ＰＣＳＥＬ２は、例えば、ヘルスケア用ウォッチの偏光光源として好適である。として好適である。

＜７．本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置＞
　図２９は、本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置７の断面図である。図３０は、本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置７の発光素子系７０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。図３１は、本技術の一実施形態の実施例７に係る発光装置７の発光素子系７０から複数種類の出射光が出射されている状態を示す図である。

　実施例７に係る発光装置７は、図２９及び図３０に示すように、発光素子系７０が第２面発光素子を複数有し、且つ、第１面発光素子を有しない点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置７は、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの面発光素子、例えば第２面発光素子としてのＬＥＤ及び第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬを含む。ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬは、発光パターン（出射光パターン）が異なる。

　発光装置７では、必要に応じて、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも一方を選択的に発光させることが可能である。

　ＬＥＤは、例えば、出射光ＥＬ_LEDのパターンが、比較的広出射角のビームパターンである（図３１参照）。

　ＶＣＳＥＬは、例えば、出射光ＥＬ_VCSELのパターンが、比較的狭出射角のビームパターンである（図３１参照）。

　発光装置７によれば、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系７０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともにＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの各々を高速スイッチングすることができる。

　なお、発光装置７において、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの発光メサは、同径であってもよいし、異径（例えばＬＥＤよりもＶＣＳＥＬの方が小径）であってもよい。発光装置７は、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも一方を複数有していてもよい。

　以上説明した発光装置７は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬは、ＴＯＦカメラや近接センサの光源として好適である。

＜８．本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置＞
　図３２は、本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置８の断面図である。図３３は、本技術の一実施形態の実施例８に係る発光装置８の発光素子系８０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。

　実施例８に係る発光装置８は、図３２及び図３３に示すように、発光素子系８０が第１面発光素子及び第２面発光素子の各々を複数有する点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置８は、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる３種類の面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ、第２面発光素子としてのＬＥＤ及び第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬを含む。ここでは、ＰＣＳＥＬが複数（例えば２個）、ＬＥＤが複数（例えば２個）、ＶＣＳＥＬが複数（例えば４個）設けられている。複数のＰＣＳＥＬは、全て変調ＰＣＳＥＬであってもよいし、全て無変調ＰＣＳＥＬであってもよい。第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬ同士は、発光原理が同一である。第２面発光素子としてのＬＥＤ同士は、発光原理が同一である。

　ＰＣＳＥＬ、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬは、発光パターン（出射光パターン）が異なる。

　発光装置８では、必要に応じて、ＰＣＳＥＬ、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも１種類の種類毎の少なくとも１つを選択的に発光させること可能である。

　発光装置８によれば、複数のＰＣＳＥＬ、複数のＬＥＤ及び複数のＶＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系８０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともに各ＰＣＳＥＬ、各ＬＥＤ及び各ＶＣＳＥＬを高速スイッチングすることができる。

　なお、発光装置８において、ＰＣＳＥＬ、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの発光メサは、同径であってもよいし、異径（例えばＶＣＳＥＬが最も小径）であってもよい。発光装置８は、ＰＣＳＥＬ、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも１種類を１個だけ有していてもよいし、ＰＣＳＥＬ及びＬＥＤの少なくとも一方を３個以上有していてもよいし、ＶＣＳＥＬを２個、３個又は５個以上有していてもよい。

　以上説明した発光装置８は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬはＳＴＬ（ストラクチャードライト）の光源として好適であり、ＶＣＳＥＬやＬＥＤはＴＯＦカメラや近接センサの光源として好適である。

＜９．本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置＞
　図３４は、本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置９の断面図である。図３５は、本技術の一実施形態の実施例９に係る発光装置９の発光素子系９０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。

　実施例９に係る発光装置９は、図３４及び図３５に示すように、発光素子系９０が第１面発光素子及び第２面発光素子の各々を複数有する点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置９は、複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる３種類の面発光素子、例えば第１面発光素子としてのＰＣＳＥＬ、第２面発光素子としてのＬＥＤ及び第２面発光素子としてのＶＣＳＥＬを含む。ここでは、ＰＣＳＥＬが複数（例えば４個）、ＬＥＤが複数（例えば２個）、ＶＣＳＥＬが複数（例えば２個）設けられている。複数のＰＣＳＥＬは、変調ＰＣＳＥＬであるＰＣＳＥＬ１及び無変調ＰＣＳＥＬであるＰＣＳＥＬ２を例えば２つずつ有する。

　発光装置９では、必要に応じて、ＰＣＳＥＬ１、ＰＣＳＥＬ２、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも１種類の種類毎の少なくとも１つを選択的に発光させることが可能である。

　発光装置９によれば、複数のＰＣＳＥＬ１、複数のＰＣＳＥＬ２、複数のＬＥＤ及び複数のＶＣＳＥＬが１チップに集積された発光素子系８０が実装基板１５にフリップチップ実装されているので、生産性に優れるとともに各ＰＣＳＥＬ１、各ＰＣＳＥＬ２、各ＬＥＤ及び各ＶＣＳＥＬを高速スイッチングすることができる。

　なお、発光装置９において、ＰＣＳＥＬ１、ＰＣＳＥＬ２、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの発光メサは、同径であってもよいし、異径（例えばＶＣＳＥＬが最も小径）であってもよい。発光装置９は、ＰＣＳＥＬ１、ＰＣＳＥＬ２、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも１種類を種類毎に１個だけ有していてもよいし、ＰＣＳＥＬ１、ＰＣＳＥＬ２、ＬＥＤ及びＶＣＳＥＬの少なくとも１種類を種類毎に３個以上有していてもよい。

　以上説明した発光装置９は、例えば、モバイルのフロント側に搭載可能である。この場合に、ＰＣＳＥＬ１及びＰＣＳＥＬ２は、ＳＴＬ（ストラクチャードライト）の光源として好適であり、ＶＣＳＥＬやＬＥＤはＴＯＦカメラや近接センサの光源として好適である。

＜１０．本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置＞
　図３６は、本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置１０．５の断面図である。図３７は、本技術の一実施形態の実施例１０に係る発光装置１０．５の発光素子系１１９９平面図（実装基板１５側から見た図）である。

　実施例１０に係る発光装置１０．５は、図３６及び図３７に示すように、発光素子系１１９の複数の面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）がメサレス構造を有している点を複数有する点を除いて、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の構成を有する。

　発光装置１０．５では、複数の面発光素子（例えばＰＣＳＥＬ及びＬＥＤ）が一連一体に設けられ、複数の面発光素子間の、基板１０１及び第１コンタクト層１０２以外の部分に絶縁領域としてのイオン注入領域ＩＩＡが設けられている。イオン注入領域ＩＩＡのイオン種としては、例えばＨ＋、Ｂ＋等が挙げられる。

　発光装置１０．５によれば、実施例１に係る発光装置１と概ね同様の効果が得られる。

＜１１．本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置＞
　図３８は、本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置１１の断面図である。図３９は、本技術の一実施形態の実施例１１に係る発光装置１１の発光素子系１２９の平面図（実装基板１５側から見た図）である。

　実施例１１に係る発光装置１１は、図３８及び図３９に示すように、発光素子系１２９が、１つの第１面発光素子及び複数（例えば５つ）の超小型の第２面発光素子を有している点を除いて、実施例２に係る発光装置２と概ね同様の構成を有する。

　発光装置１１では、１つの第１面発光素子は、ＰＣＳＥＬ（変調ＰＣＳＥＬ又は無変調ＰＣＳＥＬ）である。

　発光装置１１では、複数の第２面発光素子は、一次元アレイ状に配置された複数（例えば５つ）のＶＣＳＥＬである。各ＶＣＳＥＬは、ＰＣＳＥＬよりも格段に小径である。

　発光装置１１によれば、実施例２に係る発光装置２と同様の効果が得られるとともに、小型化及びコストダウンを図ることができる。

＜１２．本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置＞
　図４０は、本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置１２の断面図である。図４１は、本技術の一実施形態の実施例１２に係る発光装置１２の発光素子系１２０の平面図（実装基板１５側から見た図）である。

　実施例１２に係る発光装置１２は、図４０及び図４１に示すように、発光素子系１２０が、１つの第１面発光素子及び複数（例えば４０個）の超小型の第２面発光素子を有している点を除いて、実施例３に係る発光装置３と概ね同様の構成を有する。

　発光装置１２では、１つの第１面発光素子は、ＰＣＳＥＬ（変調ＰＣＳＥＬ又は無変調ＰＣＳＥＬ）である。

　発光装置１２では、複数の第２面発光素子は、二次元アレイ状に配置された複数（例えば４０個）のＶＣＳＥＬである。各ＶＣＳＥＬは、ＰＣＳＥＬよりも格段に小径である。

　発光装置１２によれば、実施例３に係る発光装置３と同様の効果が得られるとともに、小型化及びコストダウンを図ることができる。

＜１３．本技術の変形例＞

　本技術は、上記一実施形態の各実施例に限定されることなく、種々の変形が可能である。

　例えば、図４２に示す実施例２の変形例に係る発光装置２Ｍのように、フォトニック結晶面発光素子２０Ｍの発光メサＬＭ_VCSELが反射鏡１１４を有していてもよい。フォトニック結晶面発光素子２０Ｍの発光メサＬＭ_VCSELでは、第１コンタクト層１０２上に配置された反射鏡１１４（例えばＧａＡｓ系半導体多層膜反射鏡）上に、第１クラッド層１０３、活性層１０４、第２クラッド層１０７、反射鏡１０８及び第２コンタクト層１０９がこの順に配置されている。フォトニック結晶面発光素子２０Ｍの発光メサＬＭ_VCSELは、例えばエピ選択成長により形成されてもよいし、チップ状に形成された後、第１コンタクト層１０２に接合されてもよい。

　例えば、上記各実施例及び変形例では、本技術に係る発光装置のフォトニック結晶面発光素子としてフォトニック結晶面発光レーザを例にとって説明したが、本技術は、例えばフォトニック結晶面発光ダイオード（共振型又は非共振型）にも適用可能である。

　例えば、複数の面発光素子の少なくとも２つは、基板を共有していなくてもよい。

　例えば、上記各実施例及び変形例では、反射鏡に半導体多層膜反射鏡が用いられているが、これに限らず、例えば誘電体多層膜反射鏡や、半導体多層膜反射鏡、誘電体多層膜反射鏡及び金属反射鏡の少なくとも２つが積層されたハイブリッドミラーを用いてもよい。

　例えば、上記各実施例及び変形例では、フォトニック結晶面発光素子は、ＧａＡｓに格子整合する材料（ＧａＡｓ系化合物半導体）からなるが、これに限らず、例えばＩｎＰに格子整合する材料（ＩｎＰ系化合物半導体）ＧａＮに格子整合する材料（ＧａＮ系化合物半導体）を用いてもよい。

　例えば、上記各実施例及び変形例に係る発光装置のフォトニック結晶面発光素子の活性層１０４の両側の層の導電型を逆にしてもよい。この場合、符号１１２がアノード電極、符号１１３がアノード配線、符号１１１がカソード電極となる。

　第１及び第２コンタクト層１０２、１０９の少なくとも一方が、設けられていなくてもよい。

　第１及び第２クラッド層１０３、１０７の一方のクラッド層が設けられていなくてもよい。この場合、反射鏡１０８としての半導体多層膜反射鏡が当該一方のクラッド層を兼ねてもよい。

　反射鏡１０８が設けられていなくてもよい。

　ダミー素子ＤＥが設けられていなくてもよい。

　例えば、上記各実施例及び変形例では、ドライバのスイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴが用いられているが、例えば接合ＦＥＴ等の他の電界効果トランジスタを用いてもよいし、バイポーラトランジスタを用いてもよい。

　例えば、本技術に係る発光装置のフォトニック結晶面発光素子は、活性層１０４が２層以上積層されたマルチジャンクション構造を有していてもよい。この場合、積層方向に隣り合う活性層１０４同士の間にトンネルジャンクション層が配置されることが好ましい。

　上記各実施例及び変形例の発光装置の構成の一部を相互に矛盾しない範囲内で組み合わせてもよい。

　上記各実施例及び変形例において、発光装置を構成する各層の材料、導電型、厚さ、幅、数値、形状、大きさ等は、発光装置として機能する範囲内で適宜変更可能である。

＜１４．電子機器への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品（電子機器）へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体や、低消費電力デバイス（例えばスマートフォン、スマートウォッチ、タブレット、マウス、ノートパソコン等）に搭載される装置や、通信装置として実現されてもよい。

　本技術に係る発光装置は、例えば、レーザ光により画像を形成又は表示する機器（例えばレーザプリンタ、レーザ複写機、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、ヘッドアップディスプレイ等）の光源としても応用可能である。

＜１５．発光装置を距離測定装置に適用した例＞
　以下に、上記実施例１に係る発光装置１の適用例について説明する。

　図４３は、本技術に係る電子機器の一例としての、発光装置１を備えた距離測定装置１０００（測距装置）の概略構成の一例を表したものである。距離測定装置１０００は、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式により被検体Ｓまでの距離を測定するものである。距離測定装置１０００は、発光装置１を備えている。距離測定装置１０００は、例えば、発光装置１、受光装置１２５、レンズ１３０、信号処理部１４５、制御部１５５、表示部１６５および記憶部１７０を備えている。

　受光装置１２５は、発光装置１から出射され被検体Ｓ（物体）で反射された光を受光する。すなわち、受光装置１２５は、被検体Ｓで反射された光を検出する。レンズ１３０は、被検体Ｓで反射された光を集光し、受光装置１２５に導くためのレンズであり、例えば集光レンズである。

　信号処理部１４５は、受光装置１２５から入力された信号と、制御部１５５から入力された参照信号との差分に対応する信号を生成するための回路である。制御部１５５は、例えば、Time to Digital Converter (TDC)を含んで構成されている。参照信号は、制御部１５５から入力される信号であってもよいし、発光装置１の出力を直接検出する検出部の出力信号であってもよい。制御部１５５は、例えば、発光装置１、受光装置１２５、信号処理部１４５、表示部１６５および記憶部１７０を制御するプロセッサである。制御部１５５は、信号処理部１４５で生成された信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離を計測する回路である。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示するための映像信号を生成し、表示部１６５に出力する。表示部１６５は、制御部１５５から入力された映像信号に基づいて、被検体Ｓまでの距離についての情報を表示する。制御部１５５は、被検体Ｓまでの距離についての情報を記憶部１７０に格納する。

　本適用例において、発光装置１に代えて、上記発光装置２、３、４、５、６、７、８、９、１０．５、１１、１２のいずれかを距離測定装置１０００に適用することもできる。

＜１６．距離測定装置を移動体に搭載した例＞
　図４４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図４４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、距離測定装置１２０３１が接続される。距離測定装置１２０３１には、上述の距離測定装置１０００が含まれる。車外情報検出ユニット１２０３０は、距離測定装置１２０３１に車外の物体（被検体Ｓ）との距離を計測させ、それにより得られた距離データを取得する。車外情報検出ユニット１２０３０は、取得した距離データに基づいて、人、車、障害物、標識等の物体検出処理を行ってもよい。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（ＡｄｖａｎｃｅｄＤｒｉｖｅｒＡｓｓｉｓｔａｎｃｅＳｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図４４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図４５は、距離測定装置１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図４５では、車両１２１００は、距離測定装置１２０３１として、距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　距離測定装置１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる距離測定装置１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる距離測定装置１２１０５は、主として車両１２１００の前方のデータを取得する。サイドミラーに備えられる距離測定装置１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方のデータを取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる距離測定装置１２１０４は、主として車両１２１００の後方のデータを取得する。距離測定装置１２１０１及び１２１０５で取得される前方のデータは、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識等の検出に用いられる。

　なお、図４５には、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４の検出範囲の一例が示されている。検出範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた距離測定装置１２１０１の検出範囲を示し、検出範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた距離測定装置１２１０２，１２１０３の検出範囲を示し、検出範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた距離測定装置１２１０４の検出範囲を示す。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを基に、検出範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、距離測定装置１２１０１ないし１２１０４から得られた距離データを元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　以上、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、距離測定装置１２０３１に適用され得る。

　また、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
（１）複数の面発光素子と、
　前記複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板と、
　を備え、
　前記複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子を含む、発光装置。
（２）前記複数の面発光素子は、共通の基板を有する、（１）に記載の発光装置。
（３）前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの前記面発光素子を含む、（１）又は（２）のいずれか１つに記載の発光装置。
（４）前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なる、（３）に記載の発光装置。
（５）前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの前記面発光素子を含む、（１）～（４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（６）前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なる、（５）に記載の発光装置。
（７）前記複数種類の面発光素子が、フォトニック結晶層を有する前記面発光素子である第１面発光素子を含む、（１）～（６）のいずれか１つに記載の発光装置。
（８）前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子である第２面発光素子を含む、（１）～（７）のいずれか１つに記載の発光装置。
（９）前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる複数の前記第２面発光素子を含む、（８）に記載の発光装置。
（１０）前記第１面発光素子は、ＰＣＳＥＬである、（７）～（９）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）前記第２面発光素子は、ＬＥＤである、（８）～（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１２）前記第２面発光素子は、ＶＣＳＥＬである、（８）～（１０）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１３）前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の複数の前記第２面発光素子を含む、（８）～（１２）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１４）前記複数の第２面発光素子の各々はＶＣＳＥＬであり、又は、前記複数の第２面発光素子の各々はＬＥＤである、（１３）に記載の発光装置。
（１５）前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子を含む、（１）～（１４）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１６）前記複数種類の面発光素子が、複数の前記第１面発光素子を含む、（７）～（１５）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１７）前記複数の第１面発光素子は、
　前記フォトニック結晶層が変調モードを有する前記第１面発光素子と、
　前記フォトニック結晶層が前記変調モードを有しない前記第１面発光素子と、
　を含む、（１６）に記載の発光装置。
（１８）前記複数の第１面発光素子は、異なる変調モードを有する少なくとも２つの前記第１面発光素子を含む、（１６）又は（１７）に記載の発光装置。
（１９）前記少なくとも２つの第１面発光素子は、
　フラッド発光モードを有する前記第１面発光素子と、
　マルチ発光点モードを有する前記第１面発光素子と、
　を含む、（１８）に記載の発光装置。
（２０）前記複数の第１面発光素子は、照射領域及び／又は発光パターンが異なる、（１６）～（１９）のいずれか１つに記載の発光装置。
（２１）複数の面発光素子と、
　前記複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板と、
　を備え、
　前記複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子を含む、発光装置を備える、電子機器。

　１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０．５、１１、１２：発光装置
　１５：実装基板
　１０１：基板
　ＰＣＳＥＬ（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ１（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ１－Ａ（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ１－Ｂ（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ２（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ２ａ（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＰＣＳＥＬ２ｂ（面発光素子、第１面発光素子）
　　ＬＥＤ（面発光素子、第２面発光素子）
　　ＶＣＳＥＬ（面発光素子、第２面発光素子）

Claims

　複数の面発光素子と、
　前記複数の面発光素子がフリップチップ実装される実装基板と、
　を備え、
　前記複数の面発光素子は、複数種類の面発光素子を含む、発光装置。
　前記複数の面発光素子は、共通の基板を有する、請求項１に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる少なくとも２つの前記面発光素子を含む、請求項１に記載の発光装置。
　前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なる、請求項３に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の少なくとも２つの前記面発光素子を含む、請求項１に記載の発光装置。
　前記少なくとも２つの面発光素子は、発光パターンが異なる、請求項５に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、フォトニック結晶層を有する前記面発光素子である第１面発光素子を含む、請求項１に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子である第２面発光素子を含む、請求項７に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が異なる複数の前記第２面発光素子を含む、請求項８に記載の発光装置。
　前記第１面発光素子は、ＰＣＳＥＬである、請求項７に記載の発光装置。
　前記第２面発光素子は、ＬＥＤである、請求項８に記載の発光装置。
　前記第２面発光素子は、ＶＣＳＥＬである、請求項８に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、発光原理が同一の複数の前記第２面発光素子を含む、請求項８に記載の発光装置。
　前記複数の第２面発光素子の各々はＶＣＳＥＬであり、又は、前記複数の第２面発光素子の各々はＬＥＤである、請求項１３に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、前記フォトニック結晶層を有しない前記面発光素子を含む、請求項１に記載の発光装置。
　前記複数種類の面発光素子が、複数の前記第１面発光素子を含む、請求項７に記載の発光装置。
　前記複数の第１面発光素子は、
　前記フォトニック結晶層が変調モードを有する前記第１面発光素子と、
　前記フォトニック結晶層が前記変調モードを有しない前記第１面発光素子と、
　を含む、請求項１６に記載の発光装置。
　前記複数の第１面発光素子は、異なる変調モードを有する少なくとも２つの前記第１面発光素子を含む、請求項１６に記載の発光装置。
　前記少なくとも２つの第１面発光素子は、
　フラッド発光モードを有する前記第１面発光素子と、
　マルチ発光点モードを有する前記第１面発光素子と、
　を含む、請求項１８に記載の発光装置。
　前記複数の第１面発光素子は、照射領域及び／又は発光パターンが異なる、請求項１６に記載の発光装置。