WO2026004286A1

WO2026004286A1 - 半導体装置とその製造方法

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Publication number: WO2026004286A1
Application number: PCT/JP2025/013360
Authority: WO
Inventors: 隆史荒川; 周平大木
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2024-06-25
Filing date: 2025-04-01
Publication date: 2026-01-02
Anticipated expiration: 2026-12-25

Abstract

半導体装置（１）は、半導体基板（１２）と、半導体基板上に設けられている金属電極（１３）と、半導体基板上に設けられており、金属電極の外周縁を被覆しており、金属電極の一部を露出させる開口（１８ａ）が形成されている保護膜（１８）と、保護膜の開口から露出する金属電極上に設けられているメッキ電極（１４）と、メッキ電極上に設けられているはんだ層（３４）と、を備えている。保護膜は、ポリイミド膜（１７）と、ポリイミド膜と金属電極の間に介在しており、ポリイミド膜とは異なる材料の介在膜（１６）と、を有している。保護膜の開口を画定する内周面では、ポリイミド膜の内周面（１７ａ）が介在膜の内周面（１６ａ）よりも後退した位置にある。

Description

半導体装置とその製造方法

関連出願の相互参照

　本出願は、２０２４年６月２５日に出願された日本特許出願番号２０２４－１０２０３９号の関連出願であり、この日本特許出願に基づく優先権を主張するものであり、この日本特許出願に記載された全ての内容を、本明細書を構成するものとして援用する。

　本明細書が開示する技術は、半導体装置とその製造方法に関する。

　半導体基板の上面には、パッドとして機能する金属電極が設けられている。金属電極の外周縁はポリイミドの保護膜で被覆されており、保護膜よりも内側に位置する金属電極の一部が保護膜の開口から露出している。保護膜の開口から露出する金属電極には、メッキ電極及びはんだ層を介して導体ブロックが接合される。このような構造を有する半導体装置では、保護膜の開口を画定する内周面の下縁が金属電極とメッキ電極の双方に接しており、保護膜と金属電極とメッキ電極が接する三重点が形成されている。特開２０２３－１０５５４６号公報でも説明されるように、金属電極のうち三重点近傍では、熱サイクルに曝されたときに応力歪が大きいことが知られている。

　本明細書は、保護膜と金属電極とメッキ電極が接する三重点近傍の最大応力歪を低下させる技術を提供する。

　本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられている金属電極と、半導体基板上に設けられており、金属電極の外周縁を被覆しており、金属電極の一部を露出させる開口が形成されている保護膜と、保護膜の開口から露出する金属電極上に設けられているメッキ電極と、メッキ電極上に設けられているはんだ層と、を備えていてもよい。保護膜は、ポリイミド膜と、ポリイミド膜と金属電極の間に介在しており、ポリイミド膜とは異なる材料の介在膜と、を有していてもよい。保護膜の開口を画定する内周面では、ポリイミド膜の内周面が介在膜の内周面よりも後退した位置にあってもよい。

　上記した半導体装置では、ポリイミド膜の内周面が介在膜の内周面よりも後退した位置にあるので、ポリイミド膜が金属電極から離れて配置されている。このような構造が採用されていると、保護膜と金属電極とメッキ電極が接する三重点近傍の応力歪が分散され、最大応力歪が低下する。

　本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、半導体基板上に金属電極を形成する工程と、金属電極を被覆して半導体基板上に保護膜を形成する工程であって、保護膜が介在膜とポリイミド膜が積層して構成されている、保護膜を形成する工程と、ポリイミド膜の一部を除去して開口を形成し、その開口から介在膜を露出させる工程と、開口から露出する介在膜を等方性のエッチングにより除去して金属電極を露出させる工程と、を備えていてもよい。

　上記した製造方法によると、ポリイミド膜をマスクとして利用して介在膜をエッチングすることができる。また、介在膜を等方性のエッチングにより除去して金属電極を露出させるときに、ポリイミド膜の内周面も同時にエッチングされるので、ポリイミド膜の内周面が介在膜の内周面よりも後退した位置となるようにポリイミド膜を加工することができる。上記した製造方法によると、本明細書が開示する半導体装置を少ない工程数で製造することができる。

半導体装置の断面図を模式的に示す図である。半導体装置に搭載される半導体素子の要部拡大断面図であって、図１中の「ＩＩ」の破線で囲まれた範囲に対応した要部拡大断面図である。オフセット距離と金属電極歪の関係を示す図である。変形例の半導体装置に搭載される半導体素子の要部拡大断面図であって、図１中の「ＩＩ」の破線で囲まれた範囲に対応した要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。介在膜の一例の要部拡大断面図である。半導体装置を製造する一工程における断面図を模式的に示す図である。半導体装置を製造する一工程における断面図を模式的に示す図である。半導体装置を製造する一工程における断面図を模式的に示す図である。半導体装置を製造する一工程における断面図を模式的に示す図である。半導体装置を製造する一工程における断面図を模式的に示す図である。

　本明細書における「上」、「下」、「上面」、「下面」といった表現は、互いに反対方向の位置関係を便宜的に示すものであり、半導体装置の使用時及び製造時における姿勢を限定するものではない。例えば、半導体基板の上面とは、半導体基板の一対の主面のうち一方の主面を意図するに過ぎず、半導体基板の下面とは、当該上面の反対側に位置する半導体基板の他方の主面を意図するに過ぎない。また、本明細書における「内側」、「外側」といった表現は、半導体基板の主面に対して直交する方向から見たときに、半導体基板の中央への向きを内側といい、周縁への向きを外側という。

　図面を参照して、本実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態の半導体装置は、特に限定されるものではないが、例えば電動車両に搭載される電力変換装置に用いられてもよい。ここで、電動車両とは、路面を走行する車両であって、車輪を駆動する走行用モータを有する車両を広く意味する。このような電動車両には、例えばハイブリッド車、燃料電池車又は再充電式の電気自動車などが挙げられる。

　図１に示すように、半導体装置１は、半導体素子１０と、半導体素子１０を封止する封止体２０と、を備えている。なお、図示明瞭化を目的として封止体２０のハッチングが省略されている。この例では、封止体２０内に１つの半導体素子１０が封止されている。この例に代えて、半導体装置１は、複数の半導体素子１０を備えていてもよい。この場合、複数の半導体素子１０は、並列回路を構成するように接続されていてもよく、直列回路を構成するように接続されていてもよい。

　半導体素子１０は、上面１２ａ及び下面１２ｂを含む半導体基板１２と、半導体基板１２の下面１２ｂを被覆する下面電極１１と、半導体基板１２の上面１２ａの一部を被覆する上面電極１５と、半導体基板１２の上面１２ａに設けられているとともに上面電極１５の外周縁を被覆する保護膜１８と、を有している。半導体素子１０は、特に限定されるものではないが、例えばパワー半導体素子であってもよい。パワー半導体素子としては、例えばダイオード、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）又はＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）などが例示される。半導体基板１２には、パワー半導体素子を構成するための各種の半導体領域及びゲート構造などが形成されている。半導体基板１２は、特に限定されるものではないが、例えばシリコン、炭化珪素又は窒化物半導体といった半導体材料で構成されていてもよい。

　封止体２０は、絶縁体材料で構成されている。封止体２０を構成する絶縁体材料は、特に限定されるものではないが、例えばエポキシ樹脂といった、熱硬化性の樹脂材料であってもよい。

　半導体装置１はさらに、下側導体板２２と、上側導体板２４と、導体ブロック２６と、を備えている。下側導体板２２は、半導体素子１０の下面電極１１に接合されている。詳しくは、下側導体板２２は、はんだ層３２を介して半導体素子１０の下面電極１１に接合されている。下側導体板２２は、特に限定されるものではないが、例えば銅といった金属で構成されていてもよい。これにより、下側導体板２２は、半導体素子１０と電気的に接続されており、半導体装置１において電気回路の一部を構成する。また、下側導体板２２は、封止体２０の下面２０ａに露出しており、半導体素子１０で発生した熱を、封止体２０の外部へ放出する放熱板としても機能する。

　上側導体板２４は、導体ブロック２６を介して、半導体素子１０の上面電極１５に接合されている。詳しくは、上側導体板２４と導体ブロック２６がはんだ層３６を介して接合されており、導体ブロック２６と半導体素子１０の上面電極１５がはんだ層３４を介して接合されている。上側導体板２４及び導体ブロック２６は、特に限定されるものではないが、例えば銅といった金属で構成されていてもよい。これにより、上側導体板２４は、導体ブロック２６を介して半導体素子１０と電気的に接続されており、半導体装置１において電気回路の一部を構成する。また、上側導体板２４は、封止体２０の上面２０ｂに露出しており、半導体素子１０の熱を外部へ放出する放熱板としても機能する。即ち、本実施例の半導体装置１は、封止体２０の両面２０ａ、２０ｂに放熱板が露出する両面冷却構造を有する。

　図２に、図１の「ＩＩ」の破線で囲まれた範囲を拡大した要部拡大断面図を模式的に示す。半導体基板１２の上面１２ａに設けられた上面電極１５は、金属電極１３とメッキ電極１４が積層して構成されている。金属電極１３は、半導体基板１２の上面１２ａの一部に設けられており、半導体基板１２を平面視したときに、例えば矩形状の形態を有していてもよい。金属電極１３は、特に限定されるものではないが、例えばアルミニウムを含む材料で構成されていてもよい。アルミニウムを含む材料としては、例えばアルミニウムシリコン（ＡｌＳｉ）が例示される。メッキ電極１４は、金属電極１３の上面を被膜しており、はんだ層３４の濡れ性を改善するために設けられている。メッキ電極１４は、特に限定されるものではないが、例えばニッケルを含む材料で構成されていてもよい。また、メッキ電極１４の上面が金で被覆されていてもよい。

　上面電極１５のうち金属電極１３の外周縁は、保護膜１８で被覆されている（図１参照）。保護膜１８は、金属電極１３の外周縁に沿って金属電極１３の周囲を一巡して設けられている。このため、保護膜１８には開口１８ａが形成されており、金属電極１３の中央部がその開口１８ａから露出している。保護膜１８の開口１８ａから露出する金属電極１３は、保護膜１８で被覆されておらず、その上面がメッキ電極１４で被覆されている。

　保護膜１８は、介在膜１６と、ポリイミド膜１７と、を有している。介在膜１６は、金属電極１３の上面の一部を被覆しており、金属電極１３とポリイミド膜１７の間に設けられて金属電極１３とポリイミド膜１７を隔てている。介在膜１６は、ポリイミド膜１７とは異なる材料で構成されている。介在膜１６は、特に限定されるものではないが、ポリイミド膜１７よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成されていてもよい。介在膜１６の材料としては、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）が例示される。また、介在膜１６の膜厚は、ポリイミド膜１７の膜厚よりも小さい。ポリイミド膜１７は、介在膜１６の上面を被覆しており、介在膜１６上に積層している。

　保護膜１８の開口１８ａを画定する内周面は、介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａで構成されている。介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａはいずれも、後述する等方性のエッチングの加工によって傾斜している。詳しくは、介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａはいずれも、金属電極１３から離れるにつれて外側に近づくように傾斜している。ポリイミド膜１７の内周面１７ａは、介在膜１６の内周面１６ａよりも後退した位置にある。これにより、介在膜１６の上面のうち内周側の一部がポリイミド膜１７で被覆されておらず、介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａの間に段差が形成されている。このように、ポリイミド膜１７は、金属電極１３から離れた位置で介在膜１６上に積層されている。

　メッキ電極１４は、介在膜１６の内周面１６ａを超えて外側に延びており、ポリイミド膜１７の内周面１７ａの下端部に接している。メッキ電極１４がポリイミド膜１７の内周面１７ａの下端部にまで延びていると、半導体素子１０の外部から金属電極１３までの界面距離、即ち、メッキ電極１４とポリイミド膜１７の界面に沿った距離とメッキ電極１４と介在膜１６の界面に沿った距離の合計が大きくなる。これにより、半導体素子１０の外部から金属電極１３に侵入する水分や異物を抑えることができるので、金属電極１３が腐食するといった事態を抑えることができる。

　背景技術でも説明したように、保護膜１８の開口１８ａから露出する金属電極１３上にメッキ電極１４及びはんだ層３４が設けられた構造では、熱サイクルに曝されたときに、金属電極１３とメッキ電極１４と保護膜１８が接する三重点（即ち、図２の「ＴＰ」参照）近傍において応力歪が大きいことが知られている。

　図３に、オフセット距離と金属電極歪の関係をシミュレーションした結果を示す。オフセット距離とは、半導体基板１２の上面１２ａに平行な方向で計測したときの介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａの間の最短距離であり、ポリイミド膜１７の内周面１７ａが介在膜１６の内周面１６ａよりも外側にあるとき、即ち、本実施形態の場合に負の値であり、ポリイミド膜１７の内周面１７ａが介在膜１６の内周面１６ａよりも内側にあるとき、即ち、ポリイミド膜１７が介在膜１６の内周面１６ａを超えて金属電極１３の上面に接するように構成されている場合に正の値となる。オフセット距離が負の範囲にある場合、図２の「ＴＰ」に示すように、三重点は金属電極１３とメッキ電極１４と介在膜１６が接する点である。オフセット距離が正の範囲にある場合、三重点は金属電極１３とメッキ電極１４とポリイミド膜１７が接する点である。金属電極歪は、金属電極１３で生じた応力歪である。図３では、金属電極１３で生じた最大応力歪、金属電極１３のうち三重点よりも外側の部分の平均の応力歪、金属電極１３のうち三重点よりも内側の部分の平均の応力歪が示されている。

　図３に示すように、オフセット距離が正の範囲にあると、三重点よりも外側の金属電極１３において応力歪が高く、この結果、最大応力歪も高い。一方、オフセット距離が負の範囲にあると、三重点よりも内側の金属電極１３に応力歪が分散し、この結果、最大応力歪が低下する。このように、ポリイミド膜１７の内周面１７ａが介在膜１６の内周面１６ａよりも後退した位置にあると、金属電極１３のうち三重点近傍の最大応力歪が低下する。特に、ポリイミド膜１７の内周面１７ａが介在膜１６の内周面１６ａよりも１μｍ以上後退した位置にあると、金属電極１３のうち三重点近傍の最大応力歪が有意に低下する。

　上記したように、介在膜１６はポリイミド膜１７よりも小さい線膨張係数を有する材料で構成されている。このような材料で構成された介在膜１６は、金属電極１３の面方向の変形を拘束することができるので、金属電極１３の最大応力歪をより効果的に低下させることができる。

　図４に、介在膜１６の変形例を示す。この介在膜１６は、半絶縁性の窒化シリコン、即ち、ＳＩｎＳｉＮ（Semi Insulating Silicon Nitride）で構成された下側窒化シリコン膜１６２と、絶縁性の窒化シリコンで構成された上側窒化シリコン膜１６４と、を有している。下側窒化シリコン膜１６２は、成膜時に添加する不純物濃度を調整することで半絶縁性の特性を得ることができる。下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の積層は、金属電極１３とポリイミド膜１７の間に介在しており、下側窒化シリコン膜１６２が金属電極１３に接しており、上側窒化シリコン膜１６４がポリイミド膜１７に接している。絶縁性の上側窒化シリコン膜１６４が設けられていると、ポリイミド膜１７内のイオンが半導体基板１２に侵入することを抑制することができる。さらに、半絶縁性の下側窒化シリコン膜１６２が設けられていると、そのようなイオンを外部へと移動させて排出することができる。したがって、介在膜１６が半絶縁性の下側窒化シリコン膜１６２と絶縁性の上側窒化シリコン膜１６４の組み合わせで構成されていると、半導体装置１の耐圧低下を抑制することができる。

　図４に示すように、介在膜１６の内周面１６ａには、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の間にＶ字状の溝部１６０が形成されている。このような溝部１６０は、後述の製造方法で説明するように、等方性のエッチングを実施したときに、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の界面でエッチングが進行することで形成される。この溝部１６０にはメッキ電極１４が面方向に侵入するように充填されている。このような構造によると、メッキ電極１４と介在膜１６の界面が面方向に往復することから、半導体素子１０の外部から金属電極１３までの界面距離が大きくなる。これにより、半導体素子１０の外部から金属電極１３に侵入する水分や異物を抑えることができるので、金属電極１３が腐食するといった事態を抑えることができる。

　下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の断面形状は、介在膜１６をエッチングするときの製造条件を調整することにより制御することができる。このため、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の断面形状は、様々な形状に形成することができる。例えば、図５Ａに示すように、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の間に形成される溝部１６０の形状が丸みを帯びた形状であってもよい。また、図５Ｂ及び図５Ｃに示すように、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の間に形成される溝部１６０は、介在膜１６の内周面１６ａの一部にのみ形成されていてもよい。このように、ここでいう溝部１６０とは、下側窒化シリコン膜１６２の内周面の少なくとも一部と上側窒化シリコン膜１６４の内周面の少なくとも一部の傾斜が逆向きであり、下側窒化シリコン膜１６２の内周面の少なくとも一部と上側窒化シリコン膜１６４の内周面の少なくとも一部が対向する関係にある様々な形状を含む。また、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の間に溝部１６０が形成されてなくてもよく、例えば図５Ｄに示すように、下側窒化シリコン膜１６２の内周面と上側窒化シリコン膜１６４の内周面がオフセットされ、下側窒化シリコン膜１６２の内周面と上側窒化シリコン膜１６４の内周面の間に段差１６１が形成されていてもよい。溝部１６０又は段差１６１を含む断面形状は、介在膜１６の内周面１６ａが下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の間で面一でない断面形状ということができる。なお、図５Ｅに示すように介在膜１６の内周面１６ａが順テーパ状に傾斜していてもよく、図５Ｆに示すように介在膜１６の内周面１６ａが逆テーパ状に傾斜していてもよい。図５Ａ～図５Ｆに例示したいずれの場合も、介在膜１６の内周面１６ａが金属電極１３に対して垂直な平坦面である場合に比して、半導体素子１０の外部から金属電極１３までの界面距離が大きくなるので、金属電極１３が腐食するといった事態を抑えることができる。なかでも介在膜１６の内周面１６ａが溝部１６０を含む場合、半導体素子１０の外部から金属電極１３までの界面距離がより大きくなるので、金属電極１３が腐食するといった事態を効果的に抑えることができる。

　以下、図６～１０を参照し、半導体装置１の製造方法に含まれる工程のうち金属電極１３とメッキ電極１４と保護膜１８を形成する工程について説明する。その他の工程については、既知の製造方法を適宜採用することができる。

　まず、図６に示すように、半導体基板１２の上面１２ａの一部に金属電極１３を形成する。金属電極１３の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば５～６μｍであってもよい。

　次に、図７に示すように、金属電極１３の全体を覆うように半導体基板１２の上面１２ａに介在膜１６を成膜する。介在膜１６の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば約１μｍであってもよい。なお、成膜中の不純物濃度を調整することにより、半絶縁性の下側窒化シリコン膜１６２と絶縁性の上側窒化シリコン膜１６４を順に積層して成膜してもよい（図４参照）。次に、介在膜１６の上面にポリイミド膜１７を塗布する。ポリイミド膜１７の膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば約１０μｍであってもよい。このように、介在膜１６とポリイミド膜１７が積層した保護膜１８が半導体基板１２の上面１２ａの全体に形成される。

　次に、図８に示すように、ポリイミド膜１７の一部をエッチングして開口１８ａを形成し、その開口１８ａから介在膜１６を露出させる。詳しくは、ポリイミド膜１７の表面にフォトレジストを塗布し、次いで、フォトレジストを現像し、保護膜１８の開口１８ａに対応したフォトレジストの未露光部分を除去する。フォトレジストの未露光部分を除去するとき、ポリイミド膜１７の一部も同時に除去される。ポリイミド膜１７上に残存するフォトレジストを剥離した後、ポリイミド膜１７をベークして硬化させる。

　次に、図９に示すように、保護膜１８の開口１８ａから露出する介在膜１６を等方性のエッチングにより除去して金属電極１３を露出させる。詳しくは、ＣＦ_４とＯ_２の混合ガスを用いたドライエッチング技術を利用して、保護膜１８の開口１８ａから露出する介在膜１６を除去する。このように、ポリイミド膜１７をマスクとして機能させることにより、介在膜１６の一部を除去することができる。このときのエッチングが等方的に進むため、ポリイミド膜１７の内周面１７ａが介在膜１６の内周面１６ａから後退した位置となるようにポリイミド膜１７が加工される。また、製造条件に応じて介在膜１６の内周面１６ａとポリイミド膜１７の内周面１７ａの各々を傾斜させることができる。なお、介在膜１６が下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の積層で構成されている場合、この等方性のエッチングの製造条件を調整することにより、下側窒化シリコン膜１６２と上側窒化シリコン膜１６４の断面形状を制御することができる。

　次に、図１０に示すように、保護膜１８の開口１８ａから露出する金属電極１３の上面にメッキ電極１４を形成する。メッキ電極１４は、金属電極１３の上面には成長するが保護膜１８上には成長しない。このため、メッキ電極１４は、保護膜１８の開口１８ａから露出する金属電極１３の上方に位置する部分の上面が金属電極１３の上面に平行であり、その部分よりも外側に位置する部分の上面が下方に向けて湾曲している（図２及び図４参照）。メッキ電極１４は、その外側端部が介在膜１６の内周面を超えてポリイミド膜１７の内周面の下端部に接するように形成される。

　上記製造方法では、ポリイミド膜１７をマスクとして利用して介在膜１６をエッチングすることができる。また、介在膜１６を等方性のエッチングにより除去して金属電極１３を露出させるときに、ポリイミド膜１７の内周面も同時にエッチングされるので、ポリイミド膜１７の内周面が介在膜１６の内周面よりも後退した位置となるようにポリイミド膜１７が加工される。上記製造方法によると、本明細書が開示する半導体装置１を少ない工程数で製造することができる。

　以下、本明細書で開示される技術の特徴を整理する。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。

（態様１）
　半導体基板（１２）と、
　前記半導体基板上に設けられている金属電極（１３）と、
　前記半導体基板上に設けられており、前記金属電極の外周縁を被覆しており、前記金属電極の一部を露出させる開口（１８ａ）が形成されている保護膜（１８）と、
　前記保護膜の前記開口から露出する前記金属電極上に設けられているメッキ電極（１４）と、
　前記メッキ電極上に設けられているはんだ層（３４）と、を備えており、
　前記保護膜は、
　　ポリイミド膜（１７）と、
　　前記ポリイミド膜と前記金属電極の間に介在しており、前記ポリイミド膜とは異なる材料の介在膜（１６）と、を有しており、
　前記保護膜の前記開口を画定する内周面では、前記ポリイミド膜の内周面（１７ａ）が前記介在膜の内周面（１６ａ）よりも後退した位置にある、半導体装置。

（態様２）
　前記介在膜は、窒化シリコンを含む、態様１に記載の半導体装置。

（態様３）
　前記介在膜は、
　　絶縁性の第１の窒化シリコン膜（１６４）と、
　　半絶縁性の第２の窒化シリコン膜（１６２）と、を有している、態様２に記載の半導体装置。

（態様４）
　前記介在膜の前記内周面は、前記第１の窒化シリコン膜と前記第２の窒化シリコン膜の間で面一ではない、態様３に記載の半導体装置。

（態様５）
　前記介在膜の前記内周面には、前記第１の窒化シリコン膜と前記第２の窒化シリコン膜の間に溝部（１６０）が形成されている、態様４に記載の半導体装置。

（態様６）
　前記メッキ電極は、前記介在膜の前記内周面を超えて外側に延びている、態様１～５のいずれか一つに記載の半導体装置。

（態様７）
　前記メッキ電極は、前記ポリイミド膜の前記内周面に接している、態様６に記載の半導体装置。

（態様８）
　前記金属電極は、アルミニウムを含む、態様１～７のいずれか一つに記載の半導体装置。

（態様９）
　半導体基板（１２）上に金属電極（１３）を形成する工程と、
　前記金属電極を被覆して前記半導体基板上に保護膜（１８）を形成する工程であって、前記保護膜が介在膜（１６）とポリイミド膜（１７）が積層して構成されている、保護膜を形成する工程と、
　前記ポリイミド膜の一部を除去して開口（１８ａ）を形成し、その開口から前記介在膜を露出させる工程と、
　前記開口から露出する前記介在膜を等方性のエッチングにより除去して前記金属電極を露出させる工程と、を備える、半導体装置の製造方法。

（態様１０）
　前記介在膜は、窒化シリコンを含む、態様９に記載の半導体装置の製造方法。

（態様１１）
　前記介在膜は、
　　絶縁性の第１の窒化シリコン膜（１６４）と、
　　半絶縁性の第２の窒化シリコン膜（１６２）と、を有している、態様１０に記載の半導体装置の製造方法。

　以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書、又は、図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。本明細書又は図面に例示した技術は、複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

Claims

　半導体基板（１２）と、
　前記半導体基板上に設けられている金属電極（１３）と、
　前記半導体基板上に設けられており、前記金属電極の外周縁を被覆しており、前記金属電極の一部を露出させる開口（１８ａ）が形成されている保護膜（１８）と、
　前記保護膜の前記開口から露出する前記金属電極上に設けられているメッキ電極（１４）と、
　前記メッキ電極上に設けられているはんだ層（３４）と、を備えており、
　前記保護膜は、
　　ポリイミド膜（１７）と、
　　前記ポリイミド膜と前記金属電極の間に介在しており、前記ポリイミド膜とは異なる材料の介在膜（１６）と、を有しており、
　前記保護膜の前記開口を画定する内周面では、前記ポリイミド膜の内周面（１７ａ）が前記介在膜の内周面（１６ａ）よりも後退した位置にある、半導体装置。
　前記介在膜は、窒化シリコンを含む、請求項１に記載の半導体装置。
　前記介在膜は、
　　絶縁性の第１の窒化シリコン膜（１６４）と、
　　半絶縁性の第２の窒化シリコン膜（１６２）と、を有している、請求項２に記載の半導体装置。
　前記介在膜の前記内周面は、前記第１の窒化シリコン膜と前記第２の窒化シリコン膜の間で面一ではない、請求項３に記載の半導体装置。
　前記介在膜の前記内周面には、前記第１の窒化シリコン膜と前記第２の窒化シリコン膜の間に溝部（１６０）が形成されている、請求項４に記載の半導体装置。
　前記メッキ電極は、前記介在膜の前記内周面を超えて外側に延びている、請求項１に記載の半導体装置。
　前記メッキ電極は、前記ポリイミド膜の前記内周面に接している、請求項６に記載の半導体装置。
　前記金属電極は、アルミニウムを含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
　半導体基板（１２）上に金属電極（１３）を形成する工程と、
　前記金属電極を被覆して前記半導体基板上に保護膜（１８）を形成する工程であって、前記保護膜が介在膜（１６）とポリイミド膜（１７）が積層して構成されている、保護膜を形成する工程と、
　前記ポリイミド膜の一部を除去して開口（１８ａ）を形成し、その開口から前記介在膜を露出させる工程と、
　前記開口から露出する前記介在膜を等方性のエッチングにより除去して前記金属電極を露出させる工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
　前記介在膜は、窒化シリコンを含む、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
　前記介在膜は、
　　絶縁性の第１の窒化シリコン膜（１６４）と、
　　半絶縁性の第２の窒化シリコン膜（１６２）と、を有している、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。