WO2025249262A1 - 感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法および電子部品 - Google Patents

感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法および電子部品

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WO2025249262A1
WO2025249262A1 PCT/JP2025/018340 JP2025018340W WO2025249262A1 WO 2025249262 A1 WO2025249262 A1 WO 2025249262A1 JP 2025018340 W JP2025018340 W JP 2025018340W WO 2025249262 A1 WO2025249262 A1 WO 2025249262A1
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WO
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photosensitive resin
resin composition
component
diamine
aromatic diamine
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PCT/JP2025/018340
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English (en)
French (fr)
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央 小笠原
彩帆里 山下
斉 荒木
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Filing date
Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/15—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring
    • C08K5/151—Heterocyclic compounds having oxygen in the ring having one oxygen atom in the ring
    • C08K5/1525—Four-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L101/00—Compositions of unspecified macromolecular compounds
    • C08L101/02—Compositions of unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable

Definitions

  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured product, a method for producing the cured product, and an electronic component that can be suitably used for surface protection films and interlayer insulating films for electronic components such as semiconductor elements, and insulating layers for organic electroluminescent devices.
  • Patent Document 1 As a means for forming fine patterns and high aspect ratios, a cationically curable photosensitive resin has been disclosed (Patent Document 1). As a means for improving the elongation of the cured film and improving reliability based on the presence or absence of cracks, photosensitive resins that use diamines containing flexible alkylene oxides (Patent Document 2) and photosensitive resins that use specific diamines (Patent Document 3) are mentioned.
  • the cationic curing photosensitive resin described in Patent Document 1 has a phenolic hydroxyl group in the diamine, and during curing, the phenolic hydroxyl group reacts with the cationic polymerizable compound, resulting in a problem of high crosslink density and poor elongation of the cured film.
  • the cured film of the photosensitive resin described in Patent Document 2 exhibits degradation of the alkylene oxide contained in the cured film after package reliability testing, resulting in a problem of reduced elongation after the reliability test. It has been found that when a resin using a specific diamine described in Patent Document 3 is applied to a cationic curing system, it inhibits cationic curing, making pattern processing impossible.
  • the present invention aims to provide a photosensitive resin composition that has excellent pattern processability, exhibits good elongation even after curing, and exhibits good elongation even after the cured film has undergone a package reliability test.
  • a photosensitive resin composition comprising: at least one polymer compound (component (A)) selected from the group consisting of polyamides, polyimides, polyamideimides, and polybenzoxazoles, each of which has, as a partial structure, a diamine residue derived from an aromatic diamine (aromatic diamine x1) having an ionization potential (Ip) of 6.78 eV or more and having no phenolic hydroxyl group; a cationically polymerizable compound (component (B)); and a photocationic polymerization initiator.
  • component (A) selected from the group consisting of polyamides, polyimides, polyamideimides, and polybenzoxazoles, each of which has, as a partial structure, a diamine residue derived from an aromatic diamine (aromatic diamine x1) having an ionization potential (Ip) of 6.78 eV or more and having no phenolic hydroxyl group
  • a cationically polymerizable compound component (B)
  • the content of diamine residues derived from aromatic diamine x1-1 is 10 to 55 mol%, and the content of diamine residues derived from aromatic diamine x1-2 is 45 to 90 mol%.
  • the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [7] above, wherein the content of the component (B) is 80 parts by mass or more and 150 parts by mass or less when the content of the component (A) is 100 parts by mass.
  • the photosensitive resin composition according to any one of [1] to [8] above, wherein all or part of the component (B) is a compound represented by formula (1).
  • a 1 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a divalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon ring
  • B 1 and B 2 each independently represent an ether bond or an ester bond.
  • the present invention provides a photosensitive resin composition that has excellent pattern processability, exhibits good elongation even after curing, and exhibits good elongation even after undergoing a package reliability test.
  • the photosensitive resin composition of the present invention comprises: (A) at least one polymer compound selected from the group consisting of polyamide, polyimide, polyamideimide, and polybenzoxazole, having, as a partial structure, a diamine residue derived from an aromatic diamine having no phenolic hydroxyl group and having an ionization potential (hereinafter simply abbreviated as "Ip") of 6.78 eV or more (hereinafter, such aromatic diamine is referred to as "aromatic diamine x1”) (hereinafter, such polymer compound is referred to as "component (A)"); (B) a cationically polymerizable compound (hereinafter referred to as “component (B)”), and (C) a photocationic polymerization initiator (hereinafter referred to as “component (C)”), Contains:
  • diamine residue and “carboxylic acid residue” refer to partial structures other than the chemical bond portion in the structure of a polymer compound, with a diamine residue being the partial structure obtained by removing the amino group portion of a diamine monomer (including derivatives that function equivalently as a monomer), and a carboxylic acid residue being the partial structure obtained by removing the carboxyl group portion of a carboxylic acid monomer (including derivatives that function equivalently as a monomer). Therefore, in a polymer compound, the diamine residue is bonded to the nitrogen atom of the amino group that serves as the chemical bond portion, and the carboxylic acid residue is bonded to the carbonyl carbon of the carboxyl group that serves as the chemical bond.
  • derived from an aromatic diamine does not require that an aromatic diamine be used as a monomer in the form of an aromatic diamine to obtain a polymer compound, but includes cases where an aromatic diamine is used to obtain a macromonomer or oligomer, and then that macromonomer or oligomer is used to obtain a polymer compound.
  • an aromatic diamine residue is present in the molecular structure, it can be said to be "derived from an aromatic diamine."
  • the photosensitive resin composition of the present invention contains component (A).
  • Component (A) is understood to have the following two characteristics.
  • Feature 1 At least one polymer compound selected from the group consisting of polyamide, polyimide, polyamideimide, and polybenzoxazole.
  • Feature 2 The polymer compound has a diamine residue derived from aromatic diamine x1 as a partial structure.
  • Feature 1 refers to a polymeric compound whose main chain contains a group selected from an amide group, an imide group (imide ring), and a benzoxazole group (benzoxazole ring) as a chemical bond, i.e., the repeating units are linked by these groups.
  • Component (A) may also be a copolymer of two or more types selected from polyamide, polyimide, polyamideimide, and polybenzoxazole, and the copolymer may be a block copolymer, a random copolymer, or an alternating copolymer.
  • it may also be copolymerized with a monomer that generates a chemical bond other than a group selected from an amide group, an imide group (imide ring), and a benzoxazole group (benzoxazole ring), such as an ester bond-forming compound, in an amount of, for example, 5% or less of the total number of repeating units, provided that the objectives of the present invention are not impaired.
  • a monomer that generates a chemical bond other than a group selected from an amide group, an imide group (imide ring), and a benzoxazole group (benzoxazole ring), such as an ester bond-forming compound in an amount of, for example, 5% or less of the total number of repeating units, provided that the objectives of the present invention are not impaired.
  • component (A) may have a substituent on the diamine residue or carboxylic acid residue; specific examples of the substituent include a carboxyl group, a carboxylic acid ester group, and a phenolic hydroxyl group.
  • a carboxyl group or a carboxylic acid ester group is present on the carbon adjacent to the carbon bonded to the carbonyl side of the amide group, an imide ring can be formed by a ring-closing reaction (polyimide precursor structure).
  • a benzoxazole ring can be formed by a ring-closing reaction (polybenzoxazole precursor). Therefore, these are preferred embodiments from the perspective of improving the heat resistance of the photosensitive resin composition.
  • Component (A) contains a carboxylic acid residue and a diamine residue.
  • carboxylic acid residues include, but are not limited to, residues derived from dicarboxylic acids, tetracarboxylic acids, tricarboxylic acids, acid dianhydrides, and diacid chlorides.
  • Component (A) may contain one or more types of carboxylic acid residues.
  • the carboxylic acid residue contained in component (A) preferably contains an aromatic carboxylic acid residue.
  • An aromatic carboxylic acid residue is a carboxylic acid residue derived from a carboxylic acid in which a carboxyl group is directly bonded to an aromatic ring. The presence of an aromatic carboxylic acid residue results in a cured product with excellent elongation, even after package reliability testing.
  • Aromatic tetracarboxylic acids that give aromatic carboxylic acid residues include, for example, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid (pyromellitic acid), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic acid, bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane, bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane, ) methane, 1,1-bis(
  • Aromatic dicarboxylic acids that provide aromatic carboxylic acid residues include, for example, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-dicarboxybiphenyl, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-dicarboxybiphenyl, 4,4'-benzophenonedicarboxylic acid, 2,2-bis(4-carboxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-carboxyphenyl)hexafluoropropane, and 4,4'-dicarboxydiphenyl ether. Also included are their dicarboxylic acid anhydrides, dicarboxylic acid chlorides, dicarboxylic acid activated esters, and diformyl compounds.
  • Aromatic tricarboxylic acids that provide aromatic carboxylic acid residues include, for example, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid, 1,3,5-benzenetricarboxylic acid, 2,4,5-benzophenonetricarboxylic acid, 2,4,4'-biphenyltricarboxylic acid, and 3,3',4'-tricarboxydiphenyl ether. Also included are their tricarboxylic acid anhydrides, tricarboxylic acid chlorides, tricarboxylic acid activated esters, and diformyl monocarboxylic acids.
  • alicyclic tetracarboxylic acids that provide residues of alicyclic tetracarboxylic acids include bicyclo[2.2.2]octan-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid, and 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic acid. Also included are their tetracarboxylic acid dianhydrides, tetracarboxylic acid dichlorides, and tetracarboxylic acid activated diesters.
  • Aliphatic tetracarboxylic acids that provide aliphatic tetracarboxylic acid residues include, for example, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid. Other examples include its tetracarboxylic acid dianhydride, tetracarboxylic acid dichloride, and tetracarboxylic acid activated diester.
  • alicyclic dicarboxylic acids that provide alicyclic dicarboxylic acid residues include 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid and 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid. Also included are their dicarboxylic acid anhydrides, dicarboxylic acid chlorides, dicarboxylic acid activated esters, and diformyl compounds.
  • Aliphatic dicarboxylic acids that provide aliphatic dicarboxylic acid residues include, for example, hexane-1,6-dicarboxylic acid or succinic acid, or their dicarboxylic acid anhydrides, dicarboxylic acid chlorides, dicarboxylic acid activated esters, or diformyl compounds.
  • alicyclic tricarboxylic acids that provide alicyclic tricarboxylic acid residues include 1,2,4-cyclohexanetricarboxylic acid and 1,3,5-cyclohexanetricarboxylic acid. Also included are their tricarboxylic acid anhydrides, tricarboxylic acid chlorides, tricarboxylic acid activated esters, and diformyl monocarboxylic acids.
  • Aliphatic tricarboxylic acids that provide aliphatic tricarboxylic acid residues include, for example, hexane-1,3,6-tricarboxylic acid or propane-1,2,3-tricarboxylic acid. Also included are their tricarboxylic acid anhydrides, tricarboxylic acid chlorides, tricarboxylic acid activated esters, and diformyl monocarboxylic acids.
  • Component (A) has, as a partial structure, a diamine residue derived from an aromatic diamine (aromatic diamine x1) with no phenolic hydroxyl group and an Ip of 6.78 eV or greater.
  • the term "partial structure” refers to a portion of the molecular structure (particularly the main chain structure). Ip is determined by DFT analysis using Gaussian16W, with B3LYP as the functional and 6-311++G(d,p) as the basis functions constituting the molecular orbitals, and the structural parameters of each diamine optimized in the B3LYP/6-311G(d) basis.
  • the inventors have discovered that during pattern processing, the pattern processability of a photosensitive resin composition is significantly affected when component (A) satisfies Feature 1 above and when diamine residues derived from specific aromatic diamines are contained in the molecular chain of the polymer compound.
  • component (A) satisfies Feature 1 above and when diamine residues derived from specific aromatic diamines are contained in the molecular chain of the polymer compound.
  • the polymer compound of component (A) contains a residue derived from aromatic diamine x1 in its molecular chain, the electron density of the nitrogen atoms of the imide and/or amide groups in component (A) is reduced, making it less likely to quench the acid generated from the photocationic polymerization initiator, and improving pattern processability.
  • the Ip of aromatic diamine x1 is preferably 7.05 eV or higher, more preferably 7.15 eV or higher, and even more preferably 7.40 eV or higher.
  • compounding with component (B) can be prevented, reducing crosslink density, resulting in a cured product with excellent elongation.
  • aromatic diamine x1 examples include, but are not limited to, the following.
  • the number in parentheses indicates the Ip (unit: eV) value of the aromatic diamine.
  • Aromatic diamine x1 preferably has at least one bond selected from the group consisting of an ether bond, a sulfonyl bond, a ketone bond, and an ester bond in the diamine residue when made into a polymer compound. Having at least one of these bonds in the diamine residue results in a cured product with excellent elongation even after package reliability testing.
  • aromatic diamine x1 having an Ip of 7.40 eV or more
  • aromatic diamine x1-1 aromatic diamine x1 having an Ip of 6.78 eV or more but less than 7.40 eV
  • aromatic diamine x1-2 aromatic diamine x1 having an Ip of 7.40 eV or more
  • aromatic diamine x1 having an Ip of 6.78 eV or more, preferably 7.05 eV or more, more preferably 7.15 eV or more and less than 7.40 eV is used, the elongation of the cured product is further improved. Therefore, by using aromatic diamine x1 having such an Ip, a cured product with excellent elongation can be obtained without impairing pattern processability.
  • the content of diamine residues derived from aromatic diamine x1-1 is 10 to 55 mol%, more preferably 10 to 30 mol%, and the content of diamine residues derived from aromatic diamine x1-2 is 45 to 90 mol%, more preferably 70 to 90 mol%.
  • the content of diamine residues derived from the aromatic diamine x1 is preferably 55 to 100 mol %, and more preferably 75 to 100 mol %.
  • Component (A) may contain a diamine residue having a siloxane skeleton in its molecular structure.
  • Diamines that provide diamine residues with a siloxane skeleton include, for example, bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane and bis(p-aminophenyl)octamethylpentasiloxane, but it is preferable to use a diamine with a siloxane skeleton represented by formula (2).
  • R1 and R6 each independently represent an alkylene group having 1 to 15 carbon atoms.
  • R2 to R5 each independently represent an alkyl group having 1 to 15 carbon atoms or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms. * represents a bonding site.
  • p is preferably 1 to 10. When p is 10 or less, compatibility with other monomers and solvents used to obtain component (A) during polymerization is increased, which is preferable.
  • component (A) may contain a diamine residue derived from any diamine other than aromatic diamine x1, so long as it contains a diamine residue derived from aromatic diamine x1.
  • diamines other than aromatic diamine x1 include residues of aromatic diamines with an Ip of less than 6.78 eV, aromatic diamines having a phenolic hydroxyl group, alicyclic diamines, aliphatic diamines, and derivatives thereof.
  • Aromatic diamines with an Ip of less than 6.78 eV and aromatic diamines having a phenolic hydroxyl group include, for example, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 2,3-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-biphenyl-4,4'-diamine, 2,7-diaminofluorene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4,4'-diaminobiphenyl, bis(4-aminophenoxy)biphenyl, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methane, 1,1-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ethane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(4-aminoph
  • Alicyclic diamines include, for example, compounds in which the aromatic rings of the above-mentioned aromatic diamines are replaced with aliphatic hydrocarbon rings, such as 1,2-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, bis(4-aminocyclohexyl)methane, 3,6-dihydroxy-1,2-cyclohexanediamine, 2,5-dihydroxy-1,4-cyclohexanediamine, and bis(3-hydroxy-4-aminocyclohexyl)methane. Also included are diisocyanate compounds or trimethylsilylated diamines of these, but are not limited to these.
  • Aliphatic diamines include, for example, 1,6-hexamethylenediamine or 2,5-dihydroxy-1,6-hexamethylenediamine. Other examples include, but are not limited to, their diisocyanate compounds or trimethylsilylated diamines.
  • component (A) may contain a triamine residue in its molecular structure.
  • Triamines that provide the triamine residue include aromatic triamines, alicyclic triamines, and aliphatic triamines. Also included are derivatives thereof.
  • Aromatic triamines include, for example, 1,3,5-tris(4-aminophenoxy)benzene and 2,4,6-triaminopyrimidine. Also included are their triisocyanate compounds and trimethylsilylated triamines, but are not limited to these.
  • Component (A) may be a polymer compound whose molecular ends are blocked with a known terminal blocking agent such as a monocarboxylic acid, acid anhydride, monoacid chloride, monoamine, or monoisocyanate.
  • a known terminal blocking agent such as a monocarboxylic acid, acid anhydride, monoacid chloride, monoamine, or monoisocyanate.
  • the terminal blocking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the weight-average molecular weight of component (A) is preferably 1,000 or more and 200,000 or less, more preferably 3,000 or more and 100,000 or less, and even more preferably 5,000 or more and 50,000 or less, from the viewpoint of the viscosity and pattern processability of the resulting resin composition.
  • the weight-average molecular weight of component (A) in the present invention is measured by gel permeation chromatography (GPC) using N-methylpyrrolidone as the developing solvent, and calculated in terms of polystyrene.
  • the amount of carboxylic acid residues and diamine residues contained in component (A) can be determined, for example, by the following method. Specifically, it can be determined by dissolving component (A) in an acidic solution and analyzing it using gas chromatography (GC) or nuclear magnetic resonance (NMR). It can also be determined by directly analyzing the photosensitive resin composition or component (A) using NMR or the like. Furthermore, when the polymerization solution of component (A) is used directly to prepare a photosensitive resin composition, the ratio of residues such as carboxylic acid residues and diamine residues contained in component (A) will match the monomer feed ratio during polymerization of component (A), and therefore can also be determined from the monomer feed ratio during polymerization of component (A).
  • GC gas chromatography
  • NMR nuclear magnetic resonance
  • component (A) can be synthesized by known methods. After polymerizing component (A) by known methods, it is preferable to add it to a large amount of water or a mixture of methanol and water, precipitate it, filter it, dry it, and isolate it.
  • the drying temperature is preferably 40 to 100°C, and more preferably 50 to 80°C. This procedure makes it possible to remove unreacted monomers and oligomer components such as dimers and trimers, and is preferable in that it improves the heat resistance and chemical resistance of the cured product.
  • component (B) we will explain the cationically polymerizable compound (component (B)).
  • Cationically polymerizable compounds refer to compounds containing functional groups that crosslink through cationic polymerization.
  • Specific examples include cyclic ether compounds such as epoxy compounds and oxetane compounds, ethylenically unsaturated compounds such as vinyl ethers and styrenes, episulfide compounds, bicycloorthoesters, spiroorthocarbonates, and spiroorthoesters.
  • epoxy compound known compounds can be used, including aromatic epoxy compounds, alicyclic epoxy compounds, and aliphatic epoxy compounds.
  • Aromatic epoxy compounds include glycidyl ethers of mono- or polyhydric phenols having at least one aromatic ring (phenol, bisphenol A, phenol novolac, and alkylene oxide adducts thereof).
  • Alicyclic epoxy compounds include compounds obtained by epoxidizing a compound having at least one cyclohexene or cyclopentene ring with an oxidizing agent (such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate).
  • an oxidizing agent such as 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate.
  • Aliphatic epoxy compounds include polyglycidyl ethers of aliphatic polyhydric alcohols or their alkylene oxide adducts (1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, etc.), polyglycidyl esters of aliphatic polybasic acids (diglycidyl tetrahydrophthalate, etc.), and epoxidized long-chain unsaturated compounds (epoxidized soybean oil, epoxidized polybutadiene, etc.).
  • polyfunctional epoxy compounds that are liquid at room temperature (20°C) are preferred, and it is preferable that the polyfunctional epoxy compound have an epoxy equivalent of 80 g/eq. or more and 500 g/eq. or less.
  • a polyfunctional epoxy compound that is liquid at room temperature is preferred in that it improves compatibility with component (A) and enables fine pattern processability.
  • a polyfunctional epoxy compound with an epoxy equivalent of 80 g/eq. or more and 500 g/eq. or less is preferred in that it improves the heat resistance and chemical resistance of the cured film.
  • all or part of component (B) is a compound represented by formula (1).
  • Use of a compound represented by formula (1) can further increase the elongation of the cured product without impairing pattern processability.
  • a 1 represents an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms or a divalent hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon ring
  • B 1 and B 2 each independently represent an ether bond or an ester bond.
  • alkylene group having 1 to 20 carbon atoms include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, a butylene group, a sec-butylene group, a tert-butylene group, an isobutylene group, a pentylene group, an isopentylene group, a tert-pentylene group, a hexylene group, a 2-hexylene group, a 3-hexylene group, a heptylene group, a 2-heptylene group, a 3-heptylene group, an isoheptylene group, a tert-heptylene group, an octylene group, an
  • alkyl group examples include a 4-dodecylene group, a 4-ethyloctylene group, a 1,3,5,7-tetramethyloctylene group, a tridecylene group, a 1-hexylheptylene group, an n-tetradecylene group, an n-pentadecylene group, and an n-hexadecylene group.
  • Examples of divalent hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms and an aliphatic hydrocarbon ring include cycloalkylene groups and groups combining cycloalkylene groups with alkylene groups.
  • Examples of cycloalkylene groups include cyclopropylene groups, cyclobutylene groups, cyclopentylene groups, and cyclohexylene groups. Additionally, some of the hydrogen atoms in a cycloalkylene group may be substituted with alkyl groups.
  • Examples of compounds represented by formula (1) include ethylene glycol diglycidyl ether, propylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, 1,4-butanediol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A diglycidyl ether, 1,4-cyclohexanedimethanol diglycidyl ether, diglycidyl 1,2-cyclohexanedicarboxylate, and 1,2-cyclohexanedicarboxylate diglycidyl.
  • B 1 and B 2 in formula (1) are ether bonds.
  • the content of the compound represented by formula (1) is preferably 10 parts by mass or more per 100 parts by mass of component (A) from the viewpoint of obtaining excellent elongation. Furthermore, from the viewpoint of excellent pattern processability, the content is preferably 70 parts by mass or less per 100 parts by mass of component (A).
  • Oxetane compounds that can be used include known compounds, such as 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 2-ethylhexyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 2-hydroxyethyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 2-hydroxypropyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, 3-ethyl-3- ⁇ [(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]methyl ⁇ oxetane, 1,4-bis[(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy)methyl]benzene, 4,4'-bis[(3-ethyloxetan-3-yl)methoxy]biphenyl, oxetanyl silsesquioxetane, and phenol novolac oxetane.
  • known compounds such as 3-ethyl-3-hydroxymethyl
  • epoxy compounds having an oxetanyl group are considered oxetane compounds.
  • oxetane compounds containing two or more oxetanyl groups per molecule are preferred, and the number of oxetanyl groups per molecule is more preferably between two and six.
  • An oxetane compound containing two or more oxetanyl groups is preferred in terms of improved curability, while a compound containing six or fewer oxetanyl groups is preferred in terms of suppressing cracks that occur during pattern processing.
  • known cationically polymerizable monomers can be used, including aliphatic monovinyl ethers, aromatic monovinyl ethers, polyfunctional vinyl ethers, styrene, and cationically polymerizable nitrogen-containing monomers.
  • Aliphatic monovinyl ethers include methyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, butyl vinyl ether, and cyclohexyl vinyl ether.
  • Aromatic monovinyl ethers include 2-phenoxyethyl vinyl ether, phenyl vinyl ether, and p-methoxyphenyl vinyl ether.
  • polyfunctional vinyl ethers examples include butanediol-1,4-divinyl ether and triethylene glycol divinyl ether.
  • styrenes examples include styrene, ⁇ -methylstyrene, p-methoxystyrene, and p-tert-butoxystyrene.
  • Cationically polymerizable nitrogen-containing monomers include N-vinylcarbazole and N-vinylpyrrolidone.
  • episulfide compounds can be used, such as 2,2-bis[4-(2,3-epithiopropoxy)phenyl]propane and 2,2-bis[4-(2,3-epithiopropoxy)cyclohexyl]propane.
  • Bicyclo orthoesters include 1-phenyl-4-ethyl-2,6,7-trioxabicyclo[2.2.2]octane and 1-ethyl-4-hydroxymethyl-2,6,7-trioxabicyclo-[2.2.2]octane.
  • spiro orthocarbonates examples include 1,5,7,11-tetraoxaspiro[5.5]undecane and 3,9-dibenzyl-1,5,7,11-tetraoxaspiro[5.5]undecane.
  • spiro orthoesters examples include 1,4,6-trioxaspiro[4.4]nonane, 2-methyl-1,4,6-trioxaspiro[4.4]nonane, and 1,4,6-trioxaspiro[4.5]decane.
  • the photosensitive resin composition of the present invention preferably uses an oxetane compound as component (B).
  • an oxetane compound as component (B) promotes the propagation reaction of cationic polymerization, resulting in good sensitivity and resolution, less side reactions, and a higher molecular weight of the cationic polymer, resulting in excellent elongation of the cured product.
  • the oxetane compound is more preferably an oxetane compound represented by formula (3).
  • g and h each independently represent an integer of 0 to 6, and R7 and R8 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 5 carbon atoms.
  • the oxetane compounds represented by formula (3) where g is 1 to 6 exhibit good elongation when the photosensitive resin composition of the present invention is formed into a cured film.
  • examples of the "organic group” include alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms and alkenyl groups having 1 to 5 carbon atoms.
  • Examples of such oxetane compounds include OXT-121 (trade names, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and OXBP (trade names, manufactured by UBE Co., Ltd.).
  • Such epoxy compounds as component (B) have high compatibility with component (A), and can therefore improve sensitivity.
  • the content of the component (B) when the content of the component (A) is taken as 100 parts by mass, the content of the component (B) is preferably 80 parts by mass or more and 150 parts by mass or less. By setting the content in this range, the compatibility between the components (A) and (B) is improved, and excellent pattern processability can be obtained.
  • the lower limit of the content of the component (B) is more preferably 100 parts by weight or more, and from the viewpoint of the strength of the cured product, the upper limit is more preferably 130 parts by weight or less.
  • Component (C) is a compound that generates acid when exposed to light, causing cationic polymerization.
  • component (C) While known compounds can be used as component (C), from the standpoint of cationic curability and copper corrosion resistance, it is preferable that component (C) contain a sulfonium salt containing at least one counter anion selected from the group consisting of borate ions, phosphate ions, and gallate ions.
  • borate ions are complex ions with boron as the central atom
  • phosphate ions are complex ions with phosphorus as the central atom
  • gallate ions are complex ions with gallium as the central atom.
  • Cations that form the sulfonium salt include, for example, triphenylsulfonium cation, tri-p-tolyl sulfonium cation, tris(4-methoxyphenyl)sulfonium cation, 1-naphthyldiphenylsulfonium cation, 2-naphthyldiphenylsulfonium cation, tris(4-fluorophenyl)sulfonium cation, tri-1-naphthylsulfonium cation, tri-2-naphthylsulfonium cation, tris(4-hydroxyphenyl)sulfonium cation, 4-(phenylthio)phenyldiphenylsulfonium cation, 4-(p-tri 4-(phenylthio)phenyldi-p-tolylsulfonium cation, 4-(4-methoxypheny
  • borate ions include, but are not limited to, pentafluorophenylborate ion, trifluorophenylborate, tetrafluorophenylborate ion, trifluoromethylphenylborate ion, bis(trifluoromethyl)phenylborate ion, pentafluoroethylphenylborate ion, bis(pentafluoroethyl)phenylborate ion, fluoro-bis(trifluoromethyl)phenylborate ion, fluoro-pentafluoroethylphenylborate ion, and fluoro-bis(pentafluoroethyl)phenylborate ion.
  • phosphate ions include, but are not limited to, hexafluorophosphate ion and tris(pentafluoroethyl)trifluorophosphate ion.
  • Gallate ions include, but are not limited to, tetrakis(pentafluorophenyl)gallate ion, tetrakis(3,5-bis(trifluoromethyl)phenyl)gallate ion, etc.
  • the content of component (C) in the sensitive resin composition of the present invention is preferably 0.3 parts by mass or more and 10 parts by mass or less, and more preferably 0.5 parts by mass or more and 8 parts by mass or less, per 100 parts by mass of component (B).
  • the photosensitive resin composition of the present invention may contain a sensitizer.
  • a sensitizer is a compound that absorbs light, donates the absorbed light energy to component (C), and enhances acid generation. Furthermore, the sensitizer absorbs light at the irradiation wavelength during pattern processing, thereby reducing the transmittance of the irradiation wavelength of the photosensitive resin composition film formed from the photosensitive resin composition. Therefore, it is possible to arbitrarily control the transmittance of the irradiation wavelength of the negative photosensitive resin composition film by adjusting the content of the sensitizer in the photosensitive resin composition.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may contain a silane compound.
  • the inclusion of a silane compound improves adhesion between the cured product and the substrate.
  • the content of the silane compound is preferably 0.01 to 10 parts by mass when the mass of component (A) contained in the photosensitive resin composition is 100 parts by mass.
  • the silane compound having a cationically polymerizable functional group is not the silane compound described above, but component (B).
  • Examples of silane compounds containing a cationically polymerizable group include KBM-303 and KBM-403 (both product names, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • Adhesion improvers having a triazine ring are also preferred in terms of improving adhesion between the cured product and the substrate, and examples thereof include KBM-9659 (product name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
  • the cured product of the present invention is a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention.
  • the cured product of the present invention may be in any form, as long as the photosensitive resin composition is cured by light or heat.
  • Examples of light or heat curing methods include a method of curing by exposure to 50 mJ to 3,000 mJ of 365 nm i-line, 405 nm h-line, or 436 nm g-line from a high-pressure mercury lamp, or a method of curing by heat treatment at 150°C to 500°C for 5 minutes to 5 hours.
  • the method for producing the cured product of the present invention is a method for producing a cured product using the photosensitive resin composition of the present invention, comprising the steps of: applying the photosensitive resin composition onto a substrate and drying it to form a photosensitive resin composition film; exposing the photosensitive resin composition film to light; a step of developing the photosensitive resin composition film after exposure; and a step of curing the photosensitive resin composition film after development.
  • the process of applying the photosensitive resin composition to a substrate and drying to form a photosensitive resin composition film on the substrate includes, but is not limited to, applying the photosensitive resin composition to a substrate using a spin coater, spray coater, screen coater, blade coater, die coater, calendar coater, meniscus coater, bar coater, roll coater, comma roll coater, gravure coater, or slit die coater, and drying at a temperature in the range of 50°C to 150°C for 1 minute to several hours to form a photosensitive resin composition film.
  • substrates include, but are not limited to, silicon wafers, ceramics, gallium arsenide, organic circuit boards, inorganic circuit boards, and these substrates on which circuit components are arranged.
  • the step of exposing the photosensitive resin composition film includes, but is not limited to, exposing the film to 365 nm i-line, 405 nm h-line, and 436 nm g-line from a high-pressure mercury lamp at 50 mJ or more and 3000 mJ or less through a mask having the desired pattern.
  • the photosensitive resin composition film exposed by the above step may be subjected to post-exposure baking. From the viewpoints of curability and adhesion to the substrate, post-exposure baking is preferably performed at 50°C or more, and from the viewpoint of resolution, it is preferably performed at 150°C or less. Exposure induces a polymerization reaction of component (B) by component (C).
  • Specific processes for developing the photosensitive resin composition film after exposure include, but are not limited to, spraying a developer onto the photosensitive resin composition film surface, puddling the developer on the film surface, immersing the film in the developer, or immersing the film in the developer and then applying ultrasonic waves.
  • the development conditions such as the development time and temperature of the developer, may be any conditions that allow the exposed areas to be removed and a pattern to be formed.
  • the developer used for development is preferably a good solvent for the photosensitive resin composition, or a mixture of such a good solvent and a poor solvent.
  • preferred good solvents include N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, cyclopentanone, cyclohexanone, ⁇ -butyrolactone, and propylene glycol methyl ether acetate.
  • Preferred poor solvents include toluene, xylene, ethanol, isopropyl alcohol, ethyl lactate, propylene glycol methyl ether acetate, and water.
  • two or more types of each solvent can be used in combination.
  • the photosensitive resin composition is soluble in an alkaline aqueous solution
  • development may be carried out using an alkaline aqueous solution.
  • the developer used for development dissolves and removes polymers soluble in alkaline aqueous solutions, and is typically an alkaline aqueous solution containing an alkaline compound dissolved therein.
  • alkaline compounds include tetramethylammonium hydroxide, diethanolamine, diethylaminoethanol, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, and potassium carbonate.
  • these alkaline aqueous solutions may contain, alone or in combination, polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and ⁇ -butyrolactone; alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol; esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate; and ketones such as cyclopentanone, cyclohexanone, and isobutyl ketone.
  • polar solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, and ⁇ -butyrolactone
  • alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol
  • esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate
  • ketones
  • an organic solvent in addition to the above-mentioned developer, examples include ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, isopropyl alcohol, etc.
  • examples include ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, isopropyl alcohol, etc.
  • water alcohols such as ethanol and isopropyl alcohol, or esters such as ethyl lactate and propylene glycol monomethyl ether acetate may also be added to the water for rinsing.
  • the process of curing the photosensitive resin composition film after development to form a cured product can be, for example, a process of heat-treating the film at a temperature in the range of 150°C to 500°C for 5 minutes to 5 hours to form a cured product.
  • the heat treatment can be performed by selecting a temperature and gradually increasing the temperature, or by selecting a temperature range and continuously increasing the temperature.
  • An example of the former is a method of performing heat treatment at 130°C and 200°C for 30 minutes each.
  • An example of the latter is a method of linearly increasing the temperature from room temperature to 400°C over 2 hours.
  • the cured product formed from the photosensitive resin composition of the present invention can be used as an insulating film or protective film that constitutes an electronic component.
  • electronic components include active components that use semiconductors, such as transistors and diodes, and passive components, such as resistors, capacitors, and inductors. Furthermore, devices made up of electronic components that use semiconductors are called semiconductor devices.
  • cured materials used in electronic components include semiconductor passivation films, surface protection films for semiconductor elements and TFTs (Thin Film Transistors), interlayer insulating films such as interlayer insulating films between rewiring in multilayer wiring for high-density packaging of 2 to 10 layers, insulating films and protective films for touch panel displays, and insulating layers for organic electroluminescent devices.
  • semiconductor passivation films surface protection films for semiconductor elements and TFTs (Thin Film Transistors)
  • interlayer insulating films such as interlayer insulating films between rewiring in multilayer wiring for high-density packaging of 2 to 10 layers
  • insulating films and protective films for touch panel displays insulating layers for organic electroluminescent devices.
  • Semiconductor elements are elements that contain semiconductors, and examples include integrated circuits (ICs) and memories.
  • examples of semiconductor devices include chip-first fan-out wafer-level packages and chip-first fan-out panel-level packages.
  • Chip-first fan-out wafer-level packages and chip-first fan-out panel-level packages are semiconductor packages in which an extension section is provided around the periphery of a semiconductor chip using an encapsulating resin such as epoxy resin, rewiring is performed from the electrodes on the semiconductor chip to the extension section, and solder balls are also mounted on the extension section to ensure the required number of terminals.
  • the electronic component of the present invention preferably comprises a cured product of the present invention disposed as an insulating film between wiring lines.
  • the electronic component of the present invention preferably takes the form of a chip-first fan-out wafer-level package or a chip-first fan-out panel-level package.
  • the pitch of the conductive parts of the semiconductor chip is finer than the pitch of the electrode pads, and each rewiring layer constituting the multilayer wiring structure gradually becomes finer pitch from the electrode pads to the Cu posts, forming a multilayer wiring structure.
  • the thickness of adjacent insulating films in the multilayer wiring structure also becomes the same or thinner as they approach the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip is connected to the Cu posts via solder bumps. This electrically connects the electrode pads and the semiconductor chip via the metal wiring and solder bumps.
  • the semiconductor chip is then encapsulated with an encapsulating resin to form a semiconductor package, and the support substrate and the rewiring layer are peeled off to separate the semiconductor package. In this way, a semiconductor device with a multilayer wiring structure can be obtained using the RDL first process.
  • the obtained prebaked film was exposed to light from an ultra-high pressure mercury lamp (a mixed line of g-line, h-line, and i-line) as a light source using a parallel light mask aligner (PLA-501F manufactured by Canon Inc.) through a mask having a pattern with a line width of 10 ⁇ m at exposure doses of 150 mJ/cm 2 , 300 mJ/cm 2 , 500 mJ/cm 2 , 700 mJ/cm 2 , 1000 mJ/cm 2 , 1300 mJ/cm 2 , 1600 mJ/cm 2 , and 2000 mJ/cm 2.
  • the exposure doses were calculated by measuring the illuminance of i-line (365 nm).
  • the exposed pre-baked film was then baked at 120°C for 3 minutes, after which it was developed by immersion in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a developer, and then rinsed by immersion in isopropyl alcohol (IPA) for 40 seconds.
  • the immersion time in the developer was determined in advance as (BP) seconds, which is the time until the unexposed areas have dissolved and the substrate is exposed, and was set to (BP x 1.5) seconds.
  • BP propylene glycol monomethyl ether acetate
  • IPA isopropyl alcohol
  • Evaluation was based on the minimum exposure dose at which a 10 ⁇ m line width pattern opened after development and rinsing.
  • the minimum exposure dose at which a 10 ⁇ m line width opened was taken as the sensitivity and rated on a five-point scale from A to E as shown in Table 1 below.
  • the film thickness was measured using a Lambda Ace STM-602 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd., with the refractive index of the object being measured set to 1.629.
  • the film thicknesses described below were also determined in the same manner.
  • the obtained pre-baked film was exposed to light using a parallel light mask aligner (PLA-501F, manufactured by Canon Inc.) with an ultra-high pressure mercury lamp as a light source (a mixed line of g-line, h-line, and i-line) through a mask having a line width of 10 ⁇ m, at an exposure dose similar to that obtained in (2)-1.
  • the exposure dose was calculated by measuring the illuminance of i-line (365 nm).
  • the exposed pre-baked film was then baked at 110°C for 3 minutes (Sample 1) and at 130°C for 3 minutes (Sample 2).
  • Each sample was developed by immersing it in propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) as a developer, and then rinsed by immersing it in isopropyl alcohol (IPA) for 40 seconds.
  • the immersion time in the developer was the same as the evaluation conditions in (2)-1.
  • PEB temperature line width change ( ⁇ m) opening dimension in sample 2 ⁇ opening dimension in sample 1.
  • PEB temperature line width change of less than 1 ⁇ m was evaluated as A, 1 ⁇ m or more as B, and pattern processing unacceptable as C.
  • the wafer When the temperature reached 50°C or less, the wafer was removed and immersed in 45% by mass hydrofluoric acid for 1 minute to peel off the cured film from the wafer.
  • the film was cut into strips 1.5 cm wide and 5 cm long, and stretched at a tension rate of 5 mm/min using a Tensilon RTM-100 (manufactured by Orientec Co., Ltd.) at room temperature of 23.0 ° C and humidity of 45.0% RH at a tension rate of 5 mm/min to measure the elongation at break.
  • Ten strips were prepared for each specimen, and the arithmetic average of the five highest elongations at break was calculated (the calculated elongation at break is conveniently referred to as "elongation 1").
  • Elongation values of 90% or more were rated A, 80% or more but less than 90% were rated B+, 60% or more but less than 80% were rated B, 30% or more but less than 60% were rated C, and less than 30% were rated D.
  • the wafer with the cured film was removed, and the wafer with the cured film was placed in an oven (Clean Oven DE42, manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd.), and heat-treated at 175°C for 200 hours under atmospheric pressure. After the heat treatment, the wafer was removed and immersed in 45% by mass hydrofluoric acid for 1 minute to remove the cured film from the wafer. The film was cut into strips 1.5 cm wide and 5 cm long, and the elongation at break was measured using a Tensilon RTM-100 (manufactured by Orientec Co., Ltd.) at room temperature of 23.0°C and humidity of 45.0% RH at a tensile speed of 5 mm/min.
  • a Tensilon RTM-100 manufactured by Orientec Co., Ltd.
  • the change rate of elongation at break was evaluated as A when it was less than 15%, B when it was 15% or more but less than 30%, C when it was 30% or more but less than 45%, and D when it was 45% or more.
  • BSAA 4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy)bis(phthalic anhydride)
  • ODPA 3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride
  • TDA-100 4-(2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl)-1,2,3,4-tetrahydronaphthalene-1,2-dicarboxylic dianhydride
  • PBOM 1,1'-(4,4'-oxydibenzoyl)diimidazole (compound with the following structure)
  • Synthesis Example 1 Synthesis of Polyimide (A-1) Under a dry nitrogen stream, 52.05 g (0.100 mol) of BSAA and 100 g of GBL were added to a three-necked flask and dissolved with stirring at 60°C. Subsequently, 20.02 g (0.100 mol) of 4,4'-ODA was added and the mixture was stirred at 60°C for 1 hour, then heated to 200°C and stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature and poured into 3 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a forced air dryer at 50°C for 3 days to obtain a powder of polyimide (A-1).
  • Synthesis Example 20 Synthesis of Polyamide (A-20) Under a dry nitrogen stream, 35.84 g (0.100 mol) of PBOM was dissolved in 150 g of GBL at 60°C. To this solution, 23.39 g (0.08 mol) of mm-APB and 4.97 g (0.02 mol) of 4,4'-SO2 were added along with 30 g of GBL, and the mixture was allowed to react at 85°C for 3 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solution was poured into 3 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a forced-air dryer at 50°C for 3 days to obtain a powder of polyamide (A-20).
  • Synthesis Example 21 Synthesis of Polyamide/Polyimide Copolymer (A-21) Under a dry nitrogen stream, 26.02 g (0.050 mol) of BSAA and 17.92 g (0.050 mol) of PBOM were dissolved in 150 g of GBL at 60°C. To this solution, 23.39 g (0.08 mol) of mm-APB and 4.97 g (0.02 mol) of 4,4'-SO2 were added along with 30 g of GBL, and the mixture was reacted at 85°C for 3 hours. The temperature was then raised to 200°C and the mixture was stirred for 3 hours. After completion of the reaction, the mixture was cooled to room temperature, and the solution was poured into 3 L of water to obtain a white precipitate. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, and then dried in a forced-air dryer at 50°C for 3 days to obtain a powder of polyamide/polyimide copolymer (A-21).
  • Synthesis Example 22 Synthesis of Polyimide Precursor (A-19) Under a dry nitrogen stream, 52.05 g (0.100 mol) of BSSA was dissolved in 150 GBL at 60°C. To this solution, 23.39 g (0.08 mol) of mm-APB and 4.97 g (0.02 mol) of 4,4'-SO2 were added along with 30 g of GBL, and the mixture was allowed to react at 60°C for 2 hours. Thereafter, a solution prepared by diluting 21.45 g (0.180 mol) of N,N-dimethylformamide dimethyl acetal (manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) with 20 g of GBL was added dropwise over 10 minutes.
  • Example 1 Under yellow light, 25 g of polyimide (A-1) as component (A), 15 g of OXT-121 and 15 g of TEPIC-VL as cationically polymerizable compounds (B), and 1 g of CPI-310FG and 50 g of GBL as photocationic polymerization initiators (C) were mixed and filtered under pressure using a filter with a retention particle size of 1 ⁇ m to obtain a photosensitive resin composition.
  • Photosensitive resin compositions were prepared in the same manner as in Example 1, except that the polymer compound, component (B), component (C), and solvent were mixed in the corresponding compositions shown in Table 3 to obtain photosensitive resin compositions.

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Abstract

本発明は、パターン加工性に優れ、硬化後の膜において良好な伸度を示し、さらに硬化後の膜がパッケージ信頼性試験を行った後でも良好な伸度を示す感光性樹脂組成物を提供することを課題とし、係る課題の解決のために、イオン化ポテンシャルが６．７８ｅＶ以上のフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミンに由来するジアミン残基を部分構造として有するポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子化合物、カチオン重合性化合物、および光カチオン重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物を提案する。

Description

感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法および電子部品
　本発明は、半導体素子などの電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いることができる感光性樹脂組成物、硬化物、硬化物の製造方法および電子部品に関する。
　従来、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜には、耐熱性や電気絶縁性および機械特性に優れたポリイミド系材料やポリベンゾオキサゾール系材料が広く使用されている。近年の半導体素子の高密度化や高性能化要求に伴い、生産効率の観点から、表面保護膜や層間絶縁膜には、感光性を有する材料が求められている。
　近年の電子部品の高性能化要求に伴い、表面保護膜や層間絶縁膜には微細パターンや高アスペクト比の加工が要求されている。また樹脂組成物を電子部品などの用途に用いる場合、加熱硬化後の膜はデバイス内に永久膜として残るため、硬化膜の伸度や、パッケージ信頼性試験後の硬化膜の伸度が重要である。
　微細パターンや高アスペクト比の形成の手段に関しては、カチオン硬化系の感光性樹脂が開示されている。（特許文献１）。硬化膜の伸度向上や、クラックの有無に基づく信頼性の向上についての手段に関しては、柔軟性を有するアルキレンオキサイドを含んだジアミンを用いた感光性樹脂（特許文献２）や特定のジアミンを用いた感光性樹脂（特許文献３）が挙げられる。
国際公開第２０２１／０５９８４３号 国際公開第２０１６／１５２７９４号 特開２０１８－１６０６６５号公報
　しかしながら、特許文献１に記載のカチオン硬化系の感光性樹脂は、ジアミンにフェノール性水酸基を有しており、硬化時にフェノール性水酸基とカチオン重合性化合物が反応し、架橋密度が高くなり硬化膜の伸度に優れない問題がある。特許文献２に記載の感光性樹脂の硬化膜は、パッケージ信頼性試験後に硬化膜中に含まれるアルキレンオキサイドの劣化が見られ、信頼性試験後の伸度が低下する問題がある。特許文献３に記載の特定のジアミンを用いた樹脂をカチオン硬化系に適用すると、カチオン硬化を阻害し、パターン加工ができないという課題があることがわかった。
　そこで、本発明は、パターン加工性に優れ、また、硬化後の膜であっても良好な伸度を示し、さらに硬化後の膜がパッケージ信頼性試験を行った後でも良好な伸度を示す感光性樹脂組成物を得ることを課題とする。
　上記課題を解決するための本発明およびその好ましい態様は、以下の構成からなる。
［１］イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が６．７８ｅＶ以上のフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミン（芳香族ジアミンｘ１）に由来するジアミン残基を部分構造として有するポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子化合物（（Ａ）成分）、カチオン重合性化合物（（Ｂ）成分）、および光カチオン重合開始剤、を含有する、感光性樹脂組成物。
［２］（Ａ）成分は、芳香族カルボン酸残基を含有する、前記［１］に記載の感光性樹脂組成物。
［３］芳香族ジアミン残基ｘ１に由来する芳香族ジアミン残基の全部または一部は、その分子構造内にエーテル結合、スルホニル結合、ケトン結合、およびエステル結合からなる群より選択される少なくとも１種の結合を有する、前記［１］または［２］に記載の感光性樹脂組成物。
［４］（Ａ）成分において、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした時、芳香族ジアミンｘ１に由来するジアミン残基の含有割合が５５～１００ｍｏｌ％である、前記［１］～［３］の何れかに記載の感光性樹脂組成物。
［５］（Ａ）成分は、芳香族ジアミンｘ１として、Ｉｐが７．４０ｅＶ以上のもの（芳香族ジアミンｘ１－１）とＩｐが６．７８ｅＶ以上、７．４０ｅＶ未満のもの（芳香族ジアミンｘ１－２）の両方が用いられている、前記［１］～［４］の何れかに記載の感光性樹脂組成物。
［６］（Ａ）成分において、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした時、芳香族ジアミンｘ１－１に由来するジアミン残基の含有割合が１０～５５ｍｏｌ％であり、芳香族ジアミンｘ１－２に由来するジアミン残基の含有割合が４５～９０ｍｏｌ％である、前記［５］に記載の感光性樹脂組成物。
［７］（Ｂ）成分の全部または一部がオキセタン化合物である、前記［１］～［６］の何れかに記載の感光性樹脂組成物。
［８］（Ａ）成分の含有量を１００質量部とした時、（Ｂ）成分の含有量が８０質量部以上、１５０質量部以下である、前記［１］～［７］の何れかに記載の感光性樹脂組成物。
［９］（Ｂ）成分の全部または一部が、式（１）で表される化合物である、前記［１］～［８］の何れかに記載の感光性樹脂組成物。
（Ａ１は炭素数１～２０のアルキレン基または脂肪族炭化水素環を有する炭素数３～２０の２価の炭化水素基を表し、Ｂ１、Ｂ２はそれぞれ独立に、エーテル結合またはエステル結合を表す。）
［１０］前記［１］～［９］の何れかに記載の感光性樹脂組成物を硬化してなる、硬化物。
［１１］前記［１］～［９］の何れかに記載の感光性樹脂組成物を用いて硬化物を製造する方法であって、
前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥して感光性樹脂組成物膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂組成物膜を露光する工程と、
露光後の感光性樹脂組成物膜を現像する工程と、
現像後の感光性樹脂組成物膜を硬化する工程とを含む、硬化物の製造方法。
［１２］前記［１０］に記載の硬化物を具備する電子部品。
［１３］前記［１０］に記載の硬化物が配線間の絶縁膜として配置されてなる、電子部品。
　本発明によれば、パターン加工性に優れ、また、硬化後の膜であっても良好な伸度を示し、さらに硬化後の膜がパッケージ信頼性試験を行った後でも良好な伸度を示す感光性樹脂組成物を提供することができる。
　本発明の感光性樹脂組成物は、
（Ａ）イオン化ポテンシャル（以下、単に「Ｉｐ」と略記する）が６．７８ｅＶ以上のフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミン（以下、係る芳香族ジアミンを「芳香族ジアミンｘ１」と称する）に由来するジアミン残基を部分構造として有する、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子化合物（以下、係る高分子化合物を「（Ａ）成分」と称する）、
（Ｂ）カチオン重合性化合物（以下、「（Ｂ）成分」と称する）、および
（Ｃ）光カチオン重合開始剤（以下、「（Ｃ）成分」と称する）、
を含有する。
　本発明において、「ジアミン残基」、「カルボン酸残基」の意味は、高分子化合物の構造において化学結合部分以外の部分構造であって、ジアミン残基は、単量体としてのジアミン（単量体として同等の作用をする誘導体を含む）のアミノ基部分を除いた部分構造であり、カルボン酸残基は、単量体としてのカルボン酸（単量体として同等の作用をする誘導体を含む）からカルボキシル基部分を除いた部分構造である。従って、高分子化合物中におけるジアミン残基は化学結合部分に供されたアミノ基の窒素原子に結合し、カルボン酸残基は化学結合に供されたカルボキシル基のカルボニル炭素に結合する。
　また、本発明において「芳香族ジアミンに由来する」とは、高分子化合物を得るにおいて芳香族ジアミンが芳香族ジアミンの形で単量体として用いられていることを要するものではなく、芳香族ジアミンを用いてマクロモノマーやオリゴマーを得て、当該マクロモノマーまたはオリゴマーを用いて高分子化合物を得る場合を含む。すなわち、分子構造中に芳香族ジアミン残基を有すれば、「芳香族ジアミンに由来する」といえる。
　本発明の感光性樹脂組成物は、（Ａ）成分を含むことが重要である。
　（Ａ）成分は、次の２つの特徴を有していると理解される。
特徴１：ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子化合物である。
特徴２：該高分子化合物中に、芳香族ジアミンｘ１に由来するジアミン残基を部分構造として有する。
　特徴１は、その主鎖において、アミド基、イミド基（イミド環）、ベンゾオキサゾール基（ベンゾオキサゾール環）から選ばれる基を化学結合部とする、すなわち繰り返し単位がこれらの基で連結されている、高分子化合物であることを意味する。また、（Ａ）成分は、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールから選ばれる２種以上の共重合体であっても良く、該共重合体はブロック共重合体であってもランダム共重合体であっても交互共重合体であっても良い。また、本発明の目的を阻害しない範囲において、例えば、数として全繰り返し単位数の５％以下、エステル結合形成性の化合物などアミド基、イミド基（イミド環）、ベンゾオキサゾール基（ベンゾオキサゾール環）から選ばれる基以外の化学結合部を生じせしめる単量体が共重合されたものであっても良い。
　また、（Ａ）成分は、ジアミン残基またはカルボン酸残基に置換基を有していても良く、具体的な例としては、置換基としてカルボキシル基やカルボン酸エステル基、フェノール性水酸基を挙げることができる。アミド基のカルボニル側に結合する炭素に隣接する炭素にカルボキシル基やカルボン酸エステル基を有する場合は、閉環反応によってイミド環を形成し得（ポリイミド前駆体構造）、アミド基の窒素原子側に結合するベンゼン環炭素に隣接する炭素にフェノール性水酸基を有する場合は、閉環反応によってベンゾオキサゾール環を形成し得る（ポリベンゾオキサゾール前駆体）ので、これらは感光性樹脂組成物の耐熱性の向上の観点で好ましい態様である。
　さらに具体的な例を挙げつつ（Ａ）成分について説明する。
　（Ａ）成分は、カルボン酸残基とジアミン残基とを含む。カルボン酸残基としては例えば、ジカルボン酸、テトラカルボン酸、トリカルボン酸、酸二無水物、ジ酸クロリドに由来する残基を例示できるがこれらに限定されるものではない。また、（Ａ）成分は、カルボン酸残基を１種類、または２種類以上を含有してもよい。（Ａ）成分に含まれるカルボン酸残基としては、芳香族カルボン酸残基が含有されることが好ましい。芳香族カルボン酸残基とはカルボキシル基が直接芳香環に結合したカルボン酸に由来するカルボン酸残基をいう。芳香族カルボン酸残基を含有することで、パッケージ信頼性試験後でも硬化物の伸度に優れたものが得られる。
　芳香族カルボン酸残基を与える芳香族テトラカルボン酸としては、例えば、１，２，４，５－ベンゼンテトラカルボン酸（ピロメリット酸）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン、２，２－ビス［４－（３，４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、４，４’－（４，４’－イソプロピリデンジフェノキシ）ジフタル酸、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸、９，９－ビス［４－（３，４－ジカルボシキフェノキシ）フェニル］フルオレン、２，６－ビス（３，４－ジカルボキシフェニルカルボニルオキシ）ナフタレン、２，７－ビス（３，４－ジカルボキシフェニルカルボニルオキシ）ナフタレン、２，６－ビス（３，４－ジカルボキシフェニルカルボニルオキシ）ビフェニル、４，４－（（（パーフルオロプロパン－２，２－ジイル）ビス（４，１－フェニレン））ビス（オキシ））ジフタル酸、４，４’－（（（シクロデカン－１，１－ジイルビス（２－メチル－４，１－フェニレン））ビス（オキシ））ビスカルボニル））ジフタル酸、４，４’－（（（プロパン－２，２－ジイルビス（４，１-フェニレン））ビス（オキシ））ビス（カルボニル））ジフタル酸、４，４’-（（（２，２’，３，３’，５，５’―ヘキサメチルー［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジイル）ビス（オキシ））ビス（カルボニル））ジフタル酸、４，４’―（（（（９Ｈ－フルオレン－９，９－ジイル）ビス（２－メチル－４，１－フェニレン））ビス（オキシ））ビス（カルボニル））ジフタル酸、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸、若しくはＮ，Ｎ’－ビス［５，５’－ヘキサフルオロプロパン－２，２－ジイル－ビス（２－ヒドロキシフェニル）］ビス（３，４－ジカルボキシ安息香酸アミド）が挙げられる。また、それらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸二塩化物若しくはテトラカルボン酸活性ジエステルが挙げられる。
　芳香族カルボン酸残基を与える芳香族ジカルボン酸としては、例えば、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、４，４’－ジカルボキシビフェニル、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジカルボキシビフェニル、４，４’－ベンゾフェノンジカルボン酸、２，２－ビス（４－カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン若しくは４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテルが挙げられる。また、それらのジカルボン酸無水物、ジカルボン酸塩化物、ジカルボン酸活性エステル若しくはジホルミル化合物などが挙げられる。
　芳香族カルボン酸残基を与える芳香族トリカルボン酸としては、例えば、１，２，４－ベンゼントリカルボン酸、１，３，５－ベンゼントリカルボン酸、２，４，５－ベンゾフェノントリカルボン酸、２，４，４’－ビフェニルトリカルボン酸若しくは３，３’，４’－トリカルボキシジフェニルエーテルが挙げられる。また、それらのトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸塩化物、トリカルボン酸活性エステル若しくはジホルミルモノカルボン酸などが挙げられる。
　脂環式テトラカルボン酸の残基を与える脂環式テトラカルボン酸としては、例えば、ビシクロ［２．２．２］オクタン－７－エン－２，３，５，６－テトラカルボン酸、１，２，４，５－シクロヘキサンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロブタンテトラカルボン酸若しくは２，３，４，５－テトラヒドロフランテトラカルボン酸が挙げられる。また、それらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸二塩化物若しくはテトラカルボン酸活性ジエステルなどが挙げられる。
　脂肪族テトラカルボン酸の残基を与える脂肪族テトラカルボン酸としては、例えば、ブタン－１，２，３，４－テトラカルボン酸が挙げられる。また、そのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸二塩化物若しくはテトラカルボン酸活性ジエステルなどが挙げられる。
　脂環式ジカルボン酸の残基を与える脂環式ジカルボン酸としては、例えば、１，４－シクロヘキサンジカルボン酸若しくは１，２－シクロヘキサンジカルボン酸が挙げられる。また、それらのジカルボン酸無水物、ジカルボン酸塩化物、ジカルボン酸活性エステル若しくはジホルミル化合物が挙げられる。
　脂肪族ジカルボン酸の残基を与える脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、ヘキサン－１，６－ジカルボン酸又はコハク酸、又は、それらのジカルボン酸無水物、ジカルボン酸塩化物、ジカルボン酸活性エステル若しくはジホルミル化合物が挙げられる。
　脂環式トリカルボン酸の残基を与える脂環式トリカルボン酸としては、例えば、１，２，４－シクロヘキサントリカルボン酸若しくは１，３，５－シクロヘキサントリカルボン酸が挙げられる。また、それらのトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸塩化物、トリカルボン酸活性エステル若しくはジホルミルモノカルボン酸が挙げられる。
　脂肪族トリカルボン酸の残基を与える脂肪族トリカルボン酸としては、例えば、ヘキサン－１，３，６－トリカルボン酸若しくはプロパン－１，２，３－トリカルボン酸が挙げられる。また、それらのトリカルボン酸無水物、トリカルボン酸塩化物、トリカルボン酸活性エステル若しくはジホルミルモノカルボン酸が挙げられる。
　（Ａ）成分は、Ｉｐが６．７８ｅＶ以上のフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミン（芳香族ジアミンｘ１）に由来するジアミン残基を部分構造として有する。なお、部分構造の意味は、分子構造中（特に主鎖構造）に存する部分をいう。Ｉｐは、Ｇａｕｓｓｉａｎ１６Ｗ　を用いたＤＦＴ法により、汎関数としてＢ３ＬＹＰ　、分子軌道を構成する基底関数として６－３１１＋＋Ｇ（ｄ，ｐ）を用い、各ジアミンの構造パラメータとしてＢ３ＬＹＰ／６－３１１Ｇ（ｄ）基底で最適化したものを用いて求めた値として求められる。発明者らは、パターン加工の際に、（Ａ）成分が前記特徴１を充たすと同時に、特定の芳香族ジアミンに由来したジアミン残基が高分子化合物の分子鎖中に含有されることが感光性樹脂組成物のパターン加工性に大きく影響を与えることを見出した。（Ａ）成分の高分子化合物がその分子鎖中に芳香族ジアミンｘ１に由来する残基を有することで、（Ａ）成分中のイミド基および／またはアミド基の窒素原子の電子密度が下がるため、光カチオン重合開始剤から発生する酸をクエンチしにくくなり、パターン加工性が改善すると考えられる。上記理由より、本結果はラジカル重合による感光系でのパターン加工には見られない傾向を示すものであり、カチオン重合を利用した感光系特有の結果と推測される。芳香族ジアミンｘ１のＩｐは好ましくは７．０５ｅＶ以上、より好ましくは７．１５ｅＶ以上、さらに好ましくは７．４０ｅＶ以上であることが好ましい。芳香族ジアミンｘ１は、そのＩｐが高いほど、酸のクエンチが起こりにくくなり、感光性樹脂組成物としてパターン加工性に優れたものとすることができる。またフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミンであることで、（Ｂ）成分との化合を防止して、架橋密度を抑えることができるため、硬化物とした時の伸度に優れたものが得られる。芳香族ジアミンｘ１のＩｐの上限としては特に制限はないが、ポリマーの重合性の観点から１０．００ｅＶ以下であることが好ましい。
　芳香族ジアミンｘ１の具体例としては、以下に例示するものが挙げられるがこれらに限定されない。なお、カッコ内の数値はその芳香族ジアミンのＩｐ（単位：ｅＶ）の値を示す。
　芳香族ジアミンｘ１は、高分子化合物とした時のジアミン残基中に、エーテル結合、スルホニル結合、ケトン結合、およびエステル結合からなる群より選択される少なくとも１種の結合を有することが好ましい。ジアミン残基中にこれらの結合を少なくとも１つ有することで、パッケージ信頼性試験後でも硬化物の伸度に優れたものが得られる。
　（Ａ）成分は、芳香族ジアミンｘ１として、Ｉｐが７．４０ｅＶ以上のもの（便宜的に「芳香族ジアミンｘ１－１」と称する）とＩｐが６．７８ｅＶ以上、７．４０ｅＶ未満のものの（便宜的に「芳香族ジアミンｘ１－２」と称する）両方が用いられていることが好ましい。芳香族ジアミンｘ１としてＩｐが７．４０ｅＶ以上のもが用いられた時、パターン加工性がさらに向上し、また、Ｉｐが６．７８ｅＶ以上、好ましくは７．０５ｅＶ以上、より好ましくは７．１５ｅＶ以上であり、かつ、７．４０ｅＶ未満のものが用いられた時、硬化物とした時の伸度がさらに向上する。そのため、こうしたＩｐを有する芳香族ジアミンｘ１を用いることで、パターン加工性を損なわずに、硬化物の伸度に優れたものが得られる。
　さらにパターン加工性に優れ、硬化物の伸度に優れ、パッケージ信頼性試験後でも硬化物の伸度に優れるという観点から、（Ａ）成分において、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした時、芳香族ジアミンｘ１－１に由来するジアミン残基の含有割合が１０～５５ｍｏｌ％、さらに好ましく１０～３０ｍｏｌ％であり、かつ、芳香族ジアミンｘ１－２に由来するジアミン残基の含有割合が４５～９０ｍｏｌ％、さらに好ましく７０～９０ｍｏｌ％であることが好ましい。
　また、パターン加工性に優れるという観点から（Ａ）成分中、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした場合、前記芳香族ジアミンｘ１に由来するジアミン残基の含有割合が５５～１００ｍｏｌ％であることが好ましく、７５～１００ｍｏｌ％であることがより好ましい。
　（Ａ）成分は、その分子構造中に、シロキサン骨格を有するジアミン残基を含んでもよい。
　シロキサン骨格を有するジアミン残基を与えるジアミンとしては、例えば、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンが挙げられるが、式（２）で表されるシロキサン骨格を有するジアミンを用いることが好ましい。
（ｐは１～４０の整数を表す。Ｒ１およびＲ６は、それぞれ独立に、炭素数１～１５のアルキレン基を表す。Ｒ２～Ｒ５は、それぞれ独立に、炭素数１～１５のアルキル基または炭素数６～１０のアリール基を表す。＊は結合部を表す。）
　式（２）中、ｐは１～１０であることが好ましい。ｐが１０以下であることで、重合時に（Ａ）成分を得るために用いられる他のモノマーや溶媒との相溶性が高くなる点で好ましい。
　また（Ａ）成分は、芳香族ジアミンｘ１に由来するジアミン残基を含む限りにおいて、芳香族ジアミンｘ１以外の任意のジアミンに由来するジアミン残基が含まれていてもよい。芳香族ジアミンｘ１以外のジアミンとしては、Ｉｐが６．７８ｅＶ未満の芳香族ジアミン、フェノール性水酸基を有する芳香族ジアミン、脂環式ジアミン、脂肪族ジアミン、およびその誘導体などの残基が挙げられる。
　Ｉｐが６．７８ｅＶ未満の芳香族ジアミン、フェノール性水酸基を有する芳香族ジアミンとしては、例えば、２，３，５，６－テトラメチル－１，４－フェニレンジアミン、２，３－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－ビフェニル－４，４’－ジアミン、２，７－ジアミノフルオレン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ジアミノビフェニル、ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）メタン、１，１－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）エタン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）エーテルが挙げられる。また、それらのジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
　脂環式ジアミンとしては、例えば、上記の芳香族ジアミンの芳香環を脂肪族炭化水素環に置換した化合物、１，２－シクロヘキサンジアミン、１，４－シクロヘキサンジアミン、ビス（４－アミノシクロヘキシル）メタン、３，６－ジヒドロキシ－１，２－シクロヘキサンジアミン、２，５－ジヒドロキシ－１，４－シクロヘキサンジアミン、ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノシクロヘキシル）メタンが挙げられる。また、それらのジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンが挙げられるが、これらに限定されない。
　脂肪族ジアミンとしては、例えば、１，６－ヘキサメチレンジアミン若しくは２，５－ジヒドロキシ－１，６－ヘキサメチレンジアミンが挙げられる。また、それらのジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンが挙げられるがこれらに限定されない。
　また、（Ａ）成分は、その分子構造中にトリアミンの残基を含んでいてもよい。トリアミンの残基を与えるトリアミンとしては、芳香族トリアミン、脂環式トリアミン、脂肪族トリアミンが挙げられる。また、その誘導体が挙げられる。
　芳香族トリアミンとしては、例えば、１，３，５－トリス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４，６－トリアミノピリミジンが挙げられる。また、それらのトリイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化トリアミンが挙げられるがこれらに限定されない。
　（Ａ）成分は、高分子化合物の分子末端が、モノカルボン酸、酸無水物、モノ酸クロリド、モノアミンまたはモノイソシアネートなど公知の末端封止材を用いて封止されたものであってもよい。末端封止材は単独で、または２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
　（Ａ）成分の重量平均分子量としては、得られる樹脂組成物の粘度やパターン加工性の観点から、１，０００以上２００，０００以下であることが好ましく、さらに好ましくは、３，０００以上１００，０００以下であり、またさらに好ましくは、５，０００以上５０，０００以下である。なお、本発明における（Ａ）成分の重量平均分子量は、Ｎ－メチルピロリドンを展開溶媒として用いて、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）によって測定し、ポリスチレン換算で算出するものとする。
　（Ａ）成分中に含まれるカルボン酸残基、ジアミン残基の量は、例えば、以下の方法で求めることができる。具体的には、（Ａ）成分を酸性溶液に溶解し、これをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）や核磁気共鳴（ＮＭＲ）を用いて分析することで求めることができる。また、感光性樹脂組成物あるいは（Ａ）成分を直接、ＮＭＲなどを用いて分析することでも求めることができる。また、（Ａ）成分の重合液をそのまま用いて感光性樹脂組成物を調合する場合、（Ａ）成分に含まれるカルボン酸残基、ジアミン残基などの残基の比率は、（Ａ）成分の重合時のモノマー仕込み比に一致するので、（Ａ）成分の重合時のモノマー仕込み比から求めることもできる。
　本発明において、（Ａ）成分は、既知の方法により合成することができる。（Ａ）成分は、既知の方法で重合させた後、多量の水またはメタノールおよび水の混合液などに投入し、沈殿させて濾別乾燥し、単離することが好ましい。乾燥温度は４０～１００℃が好ましく、より好ましくは５０～８０℃である。この操作によって未反応のモノマーや、２量体や３量体などのオリゴマー成分を除去することができ、硬化物の耐熱性や耐薬品性が向上する点で好ましい。　次に、カチオン重合性化合物（（Ｂ）成分）について説明する。
　カチオン重合性化合物（（Ｂ）成分）とは、カチオン重合によって架橋する官能基を含む化合物をいい、具体的には、エポキシ化合物、オキセタン化合物などの環状エーテル化合物、ビニルエーテル、スチレン類などのエチレン性不飽和化合物、エピスルフィド化合物、ビシクロオルトエステル、スピロオルトカーボネート、およびスピロオルトエステルなどが挙げられる。
　エポキシ化合物としては、公知のものなどが使用でき、芳香族エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物および脂肪族エポキシ化合物を例示できる。
　芳香族エポキシ化合物としては、少なくとも１個の芳香環を有する１価又は多価のフェノール（フェノール、ビスフェノールＡ、フェノールノボラックおよびこれらのアルキレンオキシド付加体）のグリシジルエーテルなどが挙げられる。
　脂環式エポキシ化合物としては、少なくとも１個のシクロヘキセンやシクロペンテン環を有する化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られる化合物（３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－エポキシシクロヘキサンカルボキシレートなど）が挙げられる。
　脂肪族エポキシ化合物としては、脂肪族多価アルコール又はこのアルキレンオキシド付加体のポリグリシジルエーテル（１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテルなど）、脂肪族多塩基酸のポリグリシジルエステル（ジグリシジルテトラヒドロフタレートなど）、長鎖不飽和化合物のエポキシ化物（エポキシ化大豆油およびエポキシ化ポリブタジエンなど）が挙げられる。
　これらの中でも、常温（２０℃）で液状である多官能エポキシ化合物が好ましく、当該多官能エポキシ化合物はエポキシ当量が８０ｇ／ｅｑ．以上、５００ｇ／ｅｑ．以下であることが好ましい。多官能エポキシ化合物が常温で液状であることにより、（Ａ）成分との相溶性が向上し、微細なパターン加工性が得られる点で好ましい。一方、多官能エポキシ化合物のエポキシ当量が、８０ｇ／ｅｑ．以上、５００ｇ／ｅｑ．以下であることにより、硬化膜の耐熱性や耐薬品性が向上する点から好ましい。
　特に（Ｂ）成分の全部または一部が、式（１）で表される化合物であることが好ましい。式（１）で表される化合物が用いられることで、パターン加工性を損なわずに、さらに硬化物の伸度を高めることができる。
（Ａ１は炭素数１～２０のアルキレン基または脂肪族炭化水素環を有する炭素数３～２０の２価の炭化水素基を表し、Ｂ１、Ｂ２はそれぞれ独立に、エーテル結合またはエステル結合を表す。）
　ここで、炭素数１～２０のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、ｓｅｃ－ ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、イソペンチレン基、ｔｅｒｔ－ペンチレン基、ヘキシレン基、２－ヘキシレン基、３－ヘキシレン基、ヘプチレン基、２－ヘプチレン基、３－ヘプチレン基、イソヘプチレン基、ｔｅｒｔ－ヘプチレン基、オクチレン基、イソオクチレン基、ｔｅｒｔ－オクチレン基、２－エチルヘキシレン基、ノニレン基、イソノニレン基、デシレン基、ｎ－ウンデシレン基、１－メチルデシレン基、ｎ －ドデシレン基、４－エチルオクチレン基、１，３，５，７－テトラメチルオクチレン基、トリデシレン基、１－ ヘキシルヘプチレン基、ｎ－テトラデシレン基、ｎ－ペンタデシレン基、ｎ－ヘキサデシレン基が挙げられる。
　脂肪族炭化水素環を有する炭素原子数３～２０の２価の炭化水素基としては、シクロアルキレン基、シクロアルキレン基とアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。シクロアルキレン基としては、例えば、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等が挙げられる。また、シクロアルキレン基の水素の一部がアルキル基で置換されたものであってもよい。
　式（１）で表される化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，４－ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６－ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＡ ジグリシジルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、ジグリシジル－ １，２－シクロヘキサンジカルボキシレート、１，２－シクロヘキサンジカルボン酸ジクリシジルが挙げられる。
　また、パターン加工性に優れる観点から、式（１）において、Ｂ１、Ｂ２はエーテル結合であることがより好ましい。
　式（１）で表される化合物の含有量は、優れた伸度が得られる観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、１０質量部以上が好ましい。またパターン加工性に優れる観点から、（Ａ）成分１００質量部に対して、７０質量部以下が好ましい。
　オキセタン化合物としては、公知のものなどが使用でき、例えば、３－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン、２－エチルヘキシル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－ヒドロキシエチル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、２－ヒドロキシプロピル（３－エチル－３－オキセタニルメチル）エーテル、３－エチル－３－｛［（３－エチルオキセタン－３－イル）メトキシ］メチル｝オキセタン、１，４－ビス［（３－エチル－３－オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、４，４’－ビス［（３－エチルオキセタン－３－イル）メトキシ］ビフェニル、オキセタニルシルセスキオキセタンおよびフェノールノボラックオキセタンなどが挙げられる。ここで、オキセタニル基を有するエポキシ化合物は、オキセタン化合物に該当する。その中でも、分子中に２つ以上のオキセタニル基を含有するオキセタン化合物であることが好ましく、１分子中のオキセタニル基の数は２つ以上６つ以下であることがより好ましい。オキセタン化合物が２つ以上のオキセタニル基を含有することで、硬化性が向上する点で好ましく、６つ以下であることで、パターン加工時に生じるクラックを抑制できる点で好ましい。
　エチレン性不飽和化合物としては、公知のカチオン重合性単量体などが使用でき、脂肪族モノビニルエーテル、芳香族モノビニルエーテル、多官能ビニルエーテル、スチレンおよびカチオン重合性窒素含有モノマーが含まれる。
　脂肪族モノビニルエーテルとしては、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテルおよびシクロヘキシルビニルエーテルなどが挙げられる。
　芳香族モノビニルエーテルとしては、２－フェノキシエチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテルおよびｐ－メトキシフェニルビニルエーテルなどが挙げられる。
　多官能ビニルエーテルとしては、ブタンジオール－１，４－ジビニルエーテルおよびトリエチレングリコールジビニルエーテルなどが挙げられる。
　スチレン類としては、スチレン、α－メチルスチレン、ｐ－メトキシスチレンおよびｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシスチレンなどが挙げられる。
　カチオン重合性窒素含有モノマーとしては、Ｎ－ビニルカルバゾールおよびＮ－ビニルピロリドンなどが挙げられる。
　エピスルフィド化合物としては、公知のものなどが使用でき、例えば、２，２－ビス［４－（２，３－エピチオプロポキシ）フェニル］プロパンおよび２，２－ビス［４－（２，３－エピチオプロポキシ）シクロヘキシル］プロパンなどが挙げられる。
　ビシクロオルトエステルとしては、１－フェニル－４－エチル－２，６，７－トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタンおよび１－エチル－４－ヒドロキシメチル－２，６，７－トリオキサビシクロ－［２．２．２］オクタンなどが挙げられる。
　スピロオルトカーボネートとしては、１，５，７，１１－テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンおよび３，９－ジベンジル－１，５，７，１１－テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカンなどが挙げられる。
　スピロオルトエステルとしては、１，４，６－トリオキサスピロ［４．４］ノナン、２－メチル－１，４，６－トリオキサスピロ［４．４］ノナンおよび１，４，６－トリオキサスピロ［４．５］デカンなどが挙げられる。
　本発明の感光性樹脂組成物は、（Ｂ）成分としてオキセタン化合物を用いることが好ましい。（Ｂ）成分として、オキセタン化合物を用いることで、カチオン重合の成長反応が促進されるので、良好な感度、解像度を示すとともに、副反応が起こりにくく、カチオン重合物の分子量が高くなるため、硬化物の伸度に優れる。
　前記オキセタン化合物としては、式（３）で表されるオキセタン化合物がより好ましい。
（ｇおよびｈは、それぞれ独立に、０～６の整数を表し、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ独立に、炭素数が１～５の１価の有機基を表す。）
　特に、式（３）中、ｇが１～６で表されるオキセタン化合物は、本発明の感光性樹脂組成物を硬化膜とした時に良好な伸度を奏する。
　なお、式（３）において、「有機基」とは、例えば、炭素数１～５のアルキル基および炭素数１～５のアルケニル基が挙げられる。
　係るオキセタン化合物としては、例えば、ＯＸＴ－１２１（以上商品名、東亜合成（株）製）やＯＸＢＰ（以上商品名、ＵＢＥ（株）製）が挙げられる。
　前記エポキシ化合物としては、式（５）で表されるエポキシ化合物を用いることがより好ましい。
（ｊ、ｋおよびｌは、それぞれ独立に１から１０の整数を表す。）
　（Ｂ）成分としての係るエポキシ化合物は（Ａ）成分との相溶性が高いので、感度を改善させることができる。このようなエポキシ化合物としては例えば、ＴＥＰＩＣ－ＦＬやＴＥＰＩＣ－ＶＬ（以上商品名、日産化学（株）製）などが挙げられる。なお、ＴＥＰＩＣ－ＦＬは、式（５）との関係では、ｊ＝ｋ＝ｌ＝４であり、ＴＥＰＩＣ－ＶＬは、ｊ＝ｋ＝ｌ＝１である。
　本発明の感光性樹脂組成物は、前記（Ａ）成分の含有量を１００質量部とした時、（Ｂ）成分の含有量が８０質量部以上、１５０質量部以下であることが好ましく、係る範囲とすることで、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の相溶性が向上し、優れたパターン加工性をえることができる（Ａ）成分の含有量を１００質量部とした時の（Ｂ）成分の含有量の下限としては、１００重量部以上であることがより好ましく、硬化物の震度の観点からは、上限としては、１３０重量部以下であることがより好ましい。
　次に、光カチオン重合開始剤（（Ｃ）成分）について説明する。
　（Ｃ）成分は、光により酸を発生してカチオン重合を生じさせる化合物である。
　（Ｃ）成分としては、公知の化合物を用いることができるが、カチオン硬化性と銅腐食性の観点から、（Ｃ）成分は、カウンターアニオンとしてボレートイオン、ホスフェートイオンおよびガレートイオンからなる群より選択される少なくとも１つを含有するスルホニウム塩を含有することが好ましい。ここで、ボレートイオンはホウ素を中心原子として有する錯イオンであり、ホスフェートイオンはリンを中心原子として有する錯イオンであり、ガレートイオンはガリウムを中心原子として有する錯イオンである。
　前記スルホニウム塩を形成するカチオンとしては、例えば、トリフェニルスルホニウムカチオン、トリ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、トリス（４－メトキシフェニル）スルホニウムカチオン、１－ナフチルジフェニルスルホニウムカチオン、２－ナフチルジフェニルスルホニウムカチオン、トリス（４－フルオロフェニル）スルホニウムカチオン、トリ－１－ナフチルスルホニウムカチオン、トリ－２－ナフチルスルホニウムカチオン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）スルホニウムカチオン、４－（フェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４－（ｐ－トリルチオ）フェニルジ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、４－（４－メトキシフェニルチオ）フェニルビス（４－メトキシフェニル）スルホニウムカチオン、４－（フェニルチオ）フェニルビス（４－フルオロフェニル）スルホニウムカチオン、４－（フェニルチオ）フェニルビス（４－メトキシフェニル）スルホニウムカチオン、４－（フェニルチオ）フェニルジ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、［４－（４－ビフェニリルチオ）フェニル］－４－ビフェニリルフェニルスルホニウムカチオン、［４－（２－チオキサントニルチオ）フェニル］ジフェニルスルホニウムカチオン、ビス［４－（ジフェニルスルホニオ）フェニル］スルフィドカチオン、ビス〔４－｛ビス［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］スルホニオ｝フェニル〕スルフィドカチオン、ビス｛４－［ビス（４－フルオロフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィドカチオン、ビス｛４－［ビス（４－メチルフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィドカチオン、ビス｛４－［ビス（４－メトキシフェニル）スルホニオ］フェニル｝スルフィドカチオン、４－（４－ベンゾイル－２－クロロフェニルチオ）フェニルビス（４－フルオロフェニル）スルホニウムカチオン、４－（４－ベンゾイル－２－クロロフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４－（４－ベンゾイルフェニルチオ）フェニルビス（４－フルオロフェニル）スルホニウムカチオン、４－（４－ベンゾイルフェニルチオ）フェニルジフェニルスルホニウムカチオン、７－イソプロピル－９－オキソ－１０－チア－９，１０－ジヒドロアントラセン－２－イルジ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、７－イソプロピル－９－オキソ－１０－チア－９，１０－ジヒドロアントラセン－２－イルジフェニルスルホニウムカチオン、２－［（ジ－ｐ－トリル）スルホニオ］チオキサントンカチオン、２－［（ジフェニル）スルホニオ］チオキサントンカチオン、４－（９－オキソ－９Ｈ－チオキサンテン－２－イル）チオフェニル－９－オキソ－９Ｈ－チオキサンテン－２－イルフェニルスルホニウムカチオン、４－［４－（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、４－［４－（４－ｔｅｒｔ－ブチルベンゾイル）フェニルチオ］フェニルジフェニルスルホニウムカチオン、４－［４－（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジ－ｐ－トリルスルホニウムカチオン、４－［４－（ベンゾイルフェニルチオ）］フェニルジフェニルスルホニウムカチオン、５－（４－メトキシフェニル）チアアンスレニウムカチオン、５－フェニルチアアンスレニウムカチオン、５－トリルチアアンスレニウムカチオン、５－（４－エトキシフェニル）チアアンスレニウムカチオン、５－（２，４，６－トリメチルフェニル）チアアンスレニウムカチオンなどのトリアリールスルホニウムカチオン；ジフェニルフェナシルスルホニウムカチオン、ジフェニル４－ニトロフェナシルスルホニウムカチオン、ジフェニルベンジルスルホニウムカチオン、ジフェニルメチルスルホニウムなどのジアリールスルホニウム；フェニルメチルベンジルスルホニウムカチオン、４－ヒドロキシフェニルメチルベンジルスルホニウムカチオン、４－メトキシフェニルメチルベンジルスルホニウムカチオン、４－アセトカルボニルオキシフェニルメチルベンジルスルホニウムカチオン、４－ヒドロキシフェニル（２－ナフチルメチル）メチルスルホニウムカチオン、２－ナフチルメチルベンジルスルホニウムカチオン、２－ナフチルメチル（１－エトキシカルボニル）エチルスルホニウムカチオン、フェニルメチルフェナシルスルホニウムカチオン、４－ヒドロキシフェニルメチルフェナシルスルホニウムカチオン、４－メトキシフェニルメチルフェナシルスルホニウムカチオン、４－アセトカルボニルオキシフェニルメチルフェナシルスルホニウムカチオン、２－ナフチルメチルフェナシルスルホニウムカチオン、２－ナフチルオクタデシルフェナシルスルホニウムカチオン、９－アントラセニルメチルフェナシルスルホニウムなどのモノアリールスルホニウムカチオン；ジメチルフェナシルスルホニウムカチオン、フェナシルテトラヒドロチオフェニウム、ジメチルベンジルスルホニウム、ベンジルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、オクタデシルメチルフェナシルスルホニウムカチオンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　ボレートイオンとしては、例えば、ペンタフルオロフェニルボレートイオン、トリフルオロフェニルボレート、テトラフルオロフェニルボレートイオン、トリフルオロメチルフェニルボレートイオン、ビス（トリフルオロメチル）フェニルボレートイオン、ペンタフルオロエチルフェニルボレートイオン、ビス（ペンタフルオロエチル）フェニルボレートイオン、フルオロ－ビス（トリフルオロメチル）フェニルボレートイオン、フルオロ－ペンタフルオロエチルフェニルボレートイオン、フルオロ－ビス（ペンタフルオロエチル）フェニルボレートイオンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　ホスフェートイオンとしては、例えば、ヘキサフルオロホスフェートイオン、トリス（ペンタフルオロエチル）トリフルオロホスフェートイオンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　ガレートイオンとしては、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガレートイオン、テトラキス（３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ガレートイオンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　本発明の感応性樹脂組成物中の（Ｃ）成分の含有量は、（Ｂ）成分が十分にカチオン重合し、良好なパターン形状を得る観点から、（Ｂ）成分１００質量部に対して、０．３質量部以上１０質量部以下が好ましく、０．５質量部以上８質量部以下がより好ましい。
　本発明の感光性樹脂組成物は、増感剤を含有していてもよい。増感剤は、光を吸収し、吸収した光エネルギーを（Ｃ）成分に供与し、酸の発生を高めることができる化合物である。また増感剤は、パターン加工する際の照射波長に対して吸光することで感光性樹脂組成物から形成された感光性樹脂組成物被膜の照射波長に対する透過率を下げることができる。そのため、感光性樹脂組成物における増感剤の含有量により、任意にネガ型感光性樹脂組成物被膜の照射波長に対する透過率を制御することが可能となる。
　本発明の感光性樹脂組成物は、シラン化合物を含有してもよい。シラン化合物を含有することで、硬化物と基材との密着性が向上する。シラン化合物の含有量は、感光性樹脂組成物に含まれる（Ａ）成分の質量を１００質量部とした時、０．０１～１０質量部であることが好ましい。ここで、カチオン重合性の官能基を有するシラン化合物は、上述のシラン化合物でなく、（Ｂ）成分であるとする。カチオン重合性基を含有するシラン化合物として、例えば、ＫＢＭ－３０３、ＫＢＭ－４０３（いずれも製品名、信越化学工業（株）製）が挙げられる。トリアジン環を有する密着改良剤も硬化物と基材の密着性を上げる点で好ましく、例えば、ＫＢＭ－９６５９（製品名、信越化学工業（株）製）が挙げられる。
　本発明の硬化物は、本発明の感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物である。本発明の硬化物としては、感光性樹脂組成物を光または熱で硬化してさえいれば、いかなる形態の硬化物であってもよい。
　光または熱で硬化する方法としては、例えば高圧水銀灯の３６５ｎｍのｉ線、４０５ｎｍのｈ線、４３６ｎｍのｇ線で５０ｍＪ以上３０００ｍＪ以下露光して硬化する方法、１５０℃以上５００℃以下で５分以上５時間以下加熱処理して硬化する方法など公知の方法が挙げられる。
　本発明の硬化物の製造方法について説明する。
硬化物の製造方法は、本発明の感光性樹脂組成物を用いて硬化物を製造する方法であって、
前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥して感光性樹脂組成物膜を形成する工程と、
該感光性樹脂組成物膜を露光する工程と、
露光後の感光性樹脂組成物膜を現像する工程と、
現像後の感光性樹脂組成物膜を硬化する工程とを含む。
　前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥して基板上に感光性樹脂組成物膜を形成する工程は、例えば、感光性樹脂組成物を、スピンコーター、スプレーコーター、スクリーンコーター、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーター、ロールコーター、コンマロールコーター、グラビアコーター、スリットダイコーターなどで基板上に塗布し、５０℃以上１５０℃以下の範囲で１分以上数時間以下乾燥して感光性樹脂組成物膜を形成する工程が挙げられるが、これに限定されない。基板としては、具体的には、シリコンウエハ、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機回路基板、無機回路基板、およびこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　該感光性樹脂組成物膜を露光する工程は、例えば、所望のパターンを有するマスクを通して、高圧水銀灯の３６５ｎｍのｉ線、４０５ｎｍのｈ線、４３６ｎｍのｇ線で５０ｍＪ以上、３０００ｍＪ以下で露光する工程が挙げられるがこれに限定されない。上記工程によって露光された該感光性樹脂組成物膜は、露光後ベークを行ってもよい。露光後ベークは、硬化性と基板との密着性の観点から、５０℃以上である事が好ましく、解像度の観点から、１５０℃以下であることが好ましい。露光がされることで（Ｃ）成分による（Ｂ）成分の重合反応が惹起される。
　露光後の感光性樹脂組成物膜を現像する工程は、具体的には、現像液を該感光性樹脂組成物膜面にスプレーする、膜面に現像液を液盛りする、現像液中に浸漬する、あるいは浸漬して超音波をかけるなどの工程が挙げられるがこれらに限定されない。現像時間や現像液の温度などの現像条件は、露光部が除去されパターン形成が可能な条件であればよい。現像に使用される現像液としては、感光性樹脂組成物に対する良溶媒、又は該良溶媒と貧溶媒との混合物が好ましい。例えば良溶媒としては、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ－ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどが好ましい。貧溶媒としてはトルエン、キシレン、エタノール、イソプロピルアルコール、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートおよび水などが好ましい。良溶媒と貧溶媒とを混合して用いる場合には、感光性樹脂組成物中のポリマーの溶解性によって良溶媒に対する貧溶媒の割合を調整することが好ましい。また、各溶媒を２種以上、数種類組み合わせて用いることもできる。
　また、感光性樹脂組成物がアルカリ水溶液に溶解する場合、アルカリ水溶液で現像を行っても良い。現像に使用される現像液は、アルカリ水溶液に可溶性の重合体を溶解除去するものであり、典型的にはアルカリ化合物を溶解したアルカリ性水溶液である。アルカリ化合物としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどが挙げられる。また場合によっては、これらのアルカリ水溶液にＮ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、γ－ブチロラクトンなどの極性溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトンなどのケトン類などを単独あるいは数種を組み合わせたものを含有させてもよい。
　現像後は、有機溶媒または水にてリンス処理をすることが好ましい。有機溶媒を用いる場合、上記の現像液に加え、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。水を用いる場合、ここでもエタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル類などを水に加えてリンス処理をしてもよい。
　現像後の感光性樹脂組成物膜を硬化して硬化物とする工程は、例えば、１５０℃以上５００℃以下の範囲で５分以上５時間以下加熱処理することで、硬化物とする工程が挙げられる。前記加熱処理は、温度を選択して段階的に昇温する方法や、ある温度範囲を選択して連続的に昇温する方法を選択することができる。前者としては、例えば、１３０℃、２００℃で各３０分ずつ熱処理する方法が挙げられる。後者としては、室温から４００℃まで、２時間かけて直線的に昇温する方法が挙げられる
　本発明の感光性樹脂組成物によって形成した硬化物は、電子部品を構成する絶縁膜、保護膜として使用することができる。
　本発明の電子部品は、本発明の硬化物を具備する電子部品である。
　ここで、電子部品としては、トランジスタ、ダイオードなどの半導体を有する能動部品、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動部品が挙げられる。また、半導体を用いた電子部品から構成された装置を半導体装置と称する。
　電子部品内の硬化物の具体例としては、半導体のパッシベーション膜、半導体素子、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの表面保護膜、２～１０層の高密度実装用多層配線における再配線間の層間絶縁膜などの層間絶縁膜、タッチパネルディスプレーの絶縁膜、保護膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられるが、これに制限されず、様々な構造をとることができる。また、半導体素子とは、半導体を含む素子であり、集積回路（ＩＣ）、メモリなどが挙げられる。
　本発明の電子部品のうち、半導体装置の例としては、例えば、チップファーストファンアウトウエハレベルパッケージあるいはチップファーストファンアウトパネルレベルパッケージが挙げられる。チップファーストファンアウトウエハレベルパッケージあるいはチップファーストファンアウトパネルレベルパッケージとは、半導体チップの周辺にエポキシ樹脂などの封止樹脂を用いて拡張部分を設け、半導体チップ上の電極から該拡張部分まで再配線を施し、拡張部分にもハンダボールを搭載することで必要な端子数を確保した半導体パッケージである。チップファーストファンアウトウエハレベルパッケージあるいはチップファーストファンアウトパネルレベルパッケージにおいては、半導体チップの主面と封止樹脂の主面とが形成する境界線を跨ぐように配線が設置され、硬化物が配線間の絶縁膜として配置されてなる。
　本発明の電子部品は、本発明の硬化物が配線間の絶縁膜として配置されてなることが好ましい。すなわち、本発明の電子部品は、チップファーストファンアウトウエハレベルパッケージあるいはチップファーストファンアウトパネルレベルパッケージの態様をとることが好ましい。
　本発明の電子部品の製造方法の一例として、再配線（Ｒｅ－ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）ファースト工程を用いた半導体装置の製造方法を示す。ガラス基板、シリコンウエハなどの支持基板上にＴｉなどのバリアメタルをスパッタリング法で形成し、さらにその上にＣｕシード（シード層）をスパッタリング法で形成後、レジスト加工、電解めっき、レジスト剥離、シード層エッチングのプロセス（シード層形成からエッチングまでの工程をセミアディティブ法（ＳＡＰ）という）によってＣｕからなる電極パッドを形成する。ついで、電極パッドが形成された支持基板上の全面に本発明の感光性樹脂組成物を塗布して乾燥し感光性樹脂膜を形成する。得られた感光性樹脂膜に、必要に応じてライン＆スペースや、スクエアまたはホール状のパターンを形成する。そして、熱処理して硬化物の層を形成する。この層は絶縁膜となる。ついで、再びＳＡＰによってＣｕからなる金属配線（再配線）を形成する。以降、絶縁膜およびＳＡＰの工程を繰り返し行い、多層配線構造を形成する。ついで、再び本発明の感光性樹脂組成物を塗布し、パターン形成した後、熱処理して硬化させることにより絶縁膜を形成後、絶縁膜の開口部において、金属配線の上にＣｕポストを、ＳＡＰを用いて形成する。ここでＣｕポストのピッチと半導体チップの導通部ピッチは等しくなるようにする。すなわち、半導体チップの導通部のピッチは電極パッドのピッチよりもファインピッチであるところ、多層配線構造を構成する各再配線層が、電極パッドからＣｕポストに至るまで、徐々にファインピッチ化しながら配線を多層化する。多層配線構造における、隣接する絶縁膜の厚みも、半導体チップに対して近づくにつれ、同じまたは薄くなる。ついで、Ｃｕポストに、ハンダバンプを介して半導体チップを接続する。これによって、電極パッドと半導体チップが、金属配線およびハンダバンプを介して、電気的に接続される。この後、半導体チップを封止樹脂により封止して、半導体パッケージとした後、該支持基板と該再配線層の間を剥離して、該半導体パッケージを分離する。このようにして、ＲＤＬファースト工程を用いた多層配線構造を有する半導体装置を得ることができる。
　以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例のみに限定して解釈されるものではない。
　［評価方法］
　（１）重量平均分子量、分散度
　重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）装置Ｗａｔｅｒｓ２６９０－９９６（日本ウォーターズ（株）製）を用いて確認した。展開溶媒をＮ－メチル－２－ピロリドン（以降ＮＭＰとも呼ぶ）として測定し、ポリスチレン換算で重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（ＰＤＩ。ＰＤＩ＝Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
　（２）－１　パターン加工性
　ワニスをシリコンウエハにスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ－３６０Ｓ）を用いてスピンコートした後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ－６３６）を用いて１２０℃で３分間プリベークし、膜厚１１μｍのプリベーク膜を作製した。得られたプリベーク膜に、パラレルライトマスクアライナー（キヤノン（株）製ＰＬＡ－５０１Ｆ）を用いて超高圧水銀灯を光源として（ｇ線，ｈ線，ｉ線の混合線）、線幅１０μｍのパターンを有するマスクを介して、１５０ｍＪ／ｃｍ２、３００ｍＪ／ｃｍ２、５００ｍＪ／ｃｍ２、７００ｍＪ／ｃｍ２、１０００ｍＪ／ｃｍ２、１３００ｍＪ／ｃｍ２、１６００ｍＪ／ｃｍ２および２０００ｍＪ／ｃｍ２のぞれぞれの露光量で露光した。なお、露光量はｉ線（３６５ｎｍ）の照度を測定して算出した。
　その後、露光したプリベーク膜を１２０℃で３分間ベークし、その後、現像液としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に浸漬して現像を行い、ついでイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に４０秒間浸漬してリンスした。現像液への浸漬時間は、未露光部の溶解が進んで基板が露出するまでの時間を（ＢＰ）秒として予め求めておき、（ＢＰ×１．５）秒とした。但し、２００秒間現像液に浸漬しても未露光部において基板の露出がみられない場合をパターン加工不可、と判定してその後の評価を行わなかった。また、（ＢＰ×１．５）秒間の現像で露光部のパターンが溶解した試料は、その後の評価を行わなかった。
　評価は、現像およびリンス後に線幅１０μｍのパターンが開口した最小の露光量として評価した。線幅１０μｍが開口した最小の露光量を感度として下記の表１のとおり、Ａ～Ｅの５段階で評価した。
　なお、膜厚の測定は、大日本スクリーン製造（株）製ラムダエースＳＴＭ－６０２を用い、被測定物の屈折率を１．６２９として測定した。以下に記載する膜厚も同様にして求めた。
　（２）－２　ＰＥＢ温度依存性
　ワニスをシリコンウエハにスピンコーター（ミカサ（株）製１Ｈ－３６０Ｓ）を用いてスピンコートした後、ホットプレート（大日本スクリーン製造（株）製ＳＣＷ－６３６）を用いて１２０℃で３分間プリベークし、膜厚１１μｍのプリベーク膜を作製した。得られたプリベーク膜に、パラレルライトマスクアライナー（キヤノン（株）製ＰＬＡ－５０１Ｆ）を用いて超高圧水銀灯を光源として（ｇ線，ｈ線，ｉ線の混合線）、線幅１０μｍのパターンを有するマスクを介して、（２）－１で得られた感度と同様の露光量で露光した。なお、露光量はｉ線（３６５ｎｍ）の照度を測定して算出した。
　その後、露光したプリベーク膜を１１０℃で３分間ベークしたもの（試料１）と１３０℃で３分間ベークしたもの（試料２）とを準備し、それぞれの試料について、現像液としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に浸漬して現像を行い、ついでイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）に４０秒間浸漬してリンスした。現像液への浸漬時間は、（２）－１で評価した条件と同様とした。
　評価は、現像およびリンス後のパターンの開口寸法（線幅。単位：μｍ）を確認し、ＰＥＢ温度依存性を次式で求めた。
　ＰＥＢ温度線幅変化量（μｍ）＝試料２における開口寸法―試料１における開口寸法
　このＰＥＢ温度線幅変化量が、１μｍ未満のものをＡ、１μｍ以上のものをＢ、パターン加工不可のものをＣと評価した。
　（３）硬化物特性評価
　（３）－１　破断点伸度
　ワニスを８インチのシリコンウエハ上に、１２０℃で３分間のプリベーク後の膜厚が１１μｍとなるように塗布現像装置ＭＡＲＫ－７（東京エレクトロン（株）製）を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、イナートオーブンＣＬＨ－２１ＣＤ－Ｓ（光洋サーモシステム（株）製）を用いて、酸素濃度２０体積ｐｐｍ以下で３．５℃／分で２００℃まで昇温し、２００℃で１時間熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでウエハを取り出し、４５質量％のフッ化水素酸に１分間浸漬することで、ウエハから硬化膜を剥がした。この膜を幅１．５ｃｍ、長さ５ｃｍの短冊状に切断し、テンシロンＲＴＭ－１００（（株）オリエンテック製）を用いて、室温２３．０℃、湿度４５．０％ＲＨ下で引張速度５ｍｍ／分で引っ張り、破断点伸度の測定を行なった。測定は１検体につき１０枚の短冊を作製して行ない、破断点伸度の大きいものから５点の算術平均値として求めた（求めた破断点伸度を便宜的に「伸度１」と称する）。破断点伸度の値が、９０％以上のものをＡ、８０％以上９０％未満のものをＢ＋、６０％以上８０％未満のものをＢ、３０％以上６０％未満のものをＣ、３０％未満のものをＤとした。破断点伸度の値が大きいほど優れた伸度を示す。
　（３）－２　信頼性試験（高温保存試験、Ｈｉｇｈ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｓｔｏｒａｇｅ（ＨＴＳ））後の破断点伸度、破断点伸度変化率
　ワニスを８インチのシリコンウエハ上に、１２０℃で３分間のプリベーク後の膜厚が１１μｍとなるように塗布現像装置ＭＡＲＫ－７（東京エレクトロン（株）製）を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、イナートオーブンＣＬＨ－２１ＣＤ－Ｓ（光洋サーモシステム（株）製）を用いて、酸素濃度２０体積ｐｐｍ以下で３．５℃／分で２００℃まで昇温し、２００℃で１時間熱処理を行なった。温度が５０℃以下になったところでウエハを取り出し、硬化膜付きウエハをオーブン（Ｃｌｅａｎ　Ｏｖｅｎ　ＤＥ４２　ヤマト科学製）に投入後、大気圧下で１７５℃、２００時間の熱処理を行った。熱処理終了後ウエハを取り出し、４５質量％のフッ化水素酸に１分間浸漬することで、ウエハから硬化膜を剥がした。この膜を幅１．５ｃｍ、長さ５ｃｍの短冊状に切断し、テンシロンＲＴＭ－１００（（株）オリエンテック製）を用いて、室温２３．０℃、湿度４５．０％ＲＨ下で引張速度５ｍｍ／分で引っ張り、破断点伸度の測定を行なった。測定は１検体につき１０枚の短冊を作製して行ない、測定結果から破断点伸度の大きいものから５点の算術平均値を求め、ＨＴＳ後の破断点伸度（％）（便宜的に、「伸度２」と称する）とした。
　破断点伸度変化率を次式で求めた。
　破断点伸度変化率（％）＝｜（伸度２）－（伸度１）｜／（伸度１）×１００
　この破断点伸度変化率が、１５％未満のものをＡ、１５％以上３０％未満のものをＢ、３０％以上４５％未満のものをＣ、４５％以上のものをＤと評価した。
　合成例、実施例で使用した化合物の略称は次のとおりである。
ＢＳＡＡ：４，４′－（４，４′－イソプロピリデンジフェノキシ）ビス（無水フタル酸）
ＯＤＰＡ：３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
ＴＤＡ－１００：４－（２，５－ジオキソテトラヒドロフラン－３－イル）－１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－１，２－ジカルボン酸二無水物
ＰＢＯＭ：１，１’－（４，４’－オキシジベンゾイル）ジイミダゾール（下記構造の化合物）
４，４’－ＯＤＡ：４，４’－ジアミノジフェニルエーテル
４，４’－ＣＨ２：４，４’－ジアミノジフェニルメタン
３，３’－ＯＤＡ：３，３’－ジアミノジフェニルエーテル
ｍｍ－ＡＰＢ：１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン
ｍ－ＢＡＰＳ：ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン
ＢＡＰＴ：１，４－ビス（４－アミノベンゾイルオキシ）ベンゼン
４，４’－６Ｆ：４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ジアニリン
４，４’－ＣＯ：４，４’－ジアミノベンゾフェノン
４，４’－ＳＯ２：４，４’－ジアミノジフェニルスルホン
６ＦＡＰ：４，４’－（ヘキサフルオロイソプロピリデン）ビス（２－アミノフェノール）
ＤＣＨＭ：４，４’－ジアミノジシクロヘキシルメタン
ＢＺ：４，４’－ジアミノビフェニル
ＯＸＴ－１２１：式（３）の構造に該当するオキセタン化合物（商品名、東亜合成（株）製）
ＴＥＰＩＣ－ＶＬ：イソシアヌル酸変性エポキシ化合物（日産化学（株）製）
ＥＸ－２０１－ＩＭ：レゾルシノールジグリシジルエーテル（長瀬産業（株）製）
ＯＸＢＰ：式（３）の構造に該当するオキセタン化合物（商品名、宇部興産（株）製）
ＥＰＯＸ ＭＫ Ｒ５４０：式（１）の構造においてＢ１、Ｂ２がエステル結合である化合物（商品名、（株）ブリンテック製）
ＥＸ－２１２Ｌ：式（１）の構造においてＢ１、Ｂ２がエーテル結合である化合物（商品名、ナガセケムテックス（株）製）ＣＰＩ－３１０ＦＧ：光カチオン重合開始剤（サンアプロ（株）製）
ＧＢＬ：ガンマブチロラクトン　　　　。
　各実施例および比較例で用いた化合物は以下の方法により合成した。
　［合成例１］　ポリイミド（Ａ－１）の合成　
　乾燥窒素気流下、三口フラスコに、ＢＳＡＡを５２．０５ｇ（０．１００ｍｏｌ）、ＧＢＬを１００ｇ添加し、６０℃で攪拌溶解した。続いて、４，４’－ＯＤＡを２０．０２ｇ（０．１００ｍｏｌ）加えて、６０℃で１時間攪拌し、続いて２００℃まで昇温し４時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリイミド（Ａ－１）の粉末を得た。
　［合成例２～１９］ポリイミド（Ａ－２）～（Ａ－１９）の合成　
　原材料として表２に示す化合物およびモル比とした以外は、合成例１と同様にして反応させ、ポリイミド（Ａ－２）～（Ａ－１９）を合成した。
　＊１：　化合物名称または略称の下の数値は、その化合物のＩｐ（単位：ｅＶ）を示す。
　［合成例２０］ポリアミド（Ａ－２０）の合成
　乾燥窒素気流下、ＰＢＯＭ３５．８４ｇ（０．１００モル）をＧＢＬ１５０ｇに６０℃で溶解させた。ここに、ｍｍ－ＡＰＢ　２３．３９ｇ（０．０８モル）と４，４’－ＳＯ２　４．９７ｇ（０．０２モル）をＧＢＬ３０ｇとともに加えて、８５℃で３時間反応させた。反応終了後、室温まで冷却し、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリアミド（Ａ－２０）の粉末を得た。
　［合成例２１］ポリアミド／ポリイミド共重合体（Ａ－２１）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＳＡＡ２６．０２ｇ（０．０５０モル）とＰＢＯＭ１７．９２ｇ（０．０５０モル）をＧＢＬ１５０ｇに６０℃で溶解させた。ここに、ｍｍ－ＡＰＢ　２３．３９ｇ（０．０８モル）と４，４’－ＳＯ２　４．９７ｇ（０．０２モル）をＧＢＬ３０ｇとともに加えて、８５℃で３時間反応させ、続いて２００℃まで昇温し３時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリアミド／ポリイミド共重合体（Ａ－２１）の粉末を得た。
　［合成例２２］ポリイミド前駆体（Ａ－１９）の合成
乾燥窒素気流下、ＢＳＡＡ５２．０５ｇ（０．１００モル）をＧＢＬ１５０に６０℃で溶解させた。ここに、ｍｍ－ＡＰＢ　２３．３９ｇ（０．０８モル）と４，４’－ＳＯ２　４．９７ｇ（０．０２モル）をＧＢＬ３０ｇとともに加えて、６０℃で２時間反応させた。その後、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジメチルアセタール（三菱レイヨン（株）製）２１．４５ｇ（０．１８０ｍｏｌ）をＧＢＬ２０ｇで希釈した溶液を１０分かけて滴下した。滴下後、６０℃で３時間撹拌した。反応終了後、室温まで冷却し、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿を得た。この沈殿を濾過で集めて、水で３回洗浄した後、５０℃の通風乾燥機で３日間乾燥し、ポリイミド前駆体（Ａ－２２）の粉末を得た。
　［合成例２３～２５］ポリイミド（Ａ－２３）～（Ａ－２５）の合成
　下記の表２に示す通りのモル比で、合成例１と同様にして反応させ、ポリイミド（Ａ－２３）～（Ａ－２５）を合成した。
　［実施例１］
　黄色灯下にて、（Ａ）成分としてポリイミド（Ａ－１）を２５ｇ、（Ｂ）カチオン重合性化合物としてＯＸＴ－１２１を１５ｇ、ＴＥＰＩＣ－ＶＬを１５ｇ、（Ｃ）光カチオン重合開始剤としてＣＰＩ－３１０ＦＧを１ｇ、ＧＢＬを５０ｇ混合し、保留粒子径１μｍのフィルターを用いて加圧濾過して感光性樹脂組成物を得た。
　［実施例２～３１、比較例１～３］
　高分子化合物、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、溶剤を表３に示す対応の組成で混合して感光性樹脂組成物を得た以外は実施例１と同様にして、感光性樹脂組成物を調製した。
　＊２：高分子化合物の質量に対する（Ｂ）成分の質量の割合（（Ｂ）成分の質量／高分子化合物の質量）。
　上記（１）～（３）の評価方法に従い、各実施例、比較例で得られた感光性樹脂組成物の感度、破断点伸度、信頼性試験後の破断点伸度を評価した。評価結果を表４に示す。

Claims (13)

  1. イオン化ポテンシャル（以下、単に「Ｉｐ」と略記する）が６．７８ｅＶ以上のフェノール性水酸基を有さない芳香族ジアミン（以下、係る芳香族ジアミンを「芳香族ジアミンｘ１」と称する）に由来するジアミン残基を部分構造として有するポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリベンゾオキサゾールからなる群より選ばれる少なくとも１つの高分子化合物（以下、係る高分子化合物を「（Ａ）成分」と称する）、カチオン重合性化合物（以下、「（Ｂ）成分」と称する）、および光カチオン重合開始剤
    を含有する、感光性樹脂組成物。
  2. （Ａ）成分は、芳香族カルボン酸残基を含有する、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 芳香族ジアミン残基ｘ１に由来する芳香族ジアミン残基の全部または一部は、その分子構造内にエーテル結合、スルホニル結合、ケトン結合、およびエステル結合からなる群より選択される少なくとも１種の結合を有する、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  4. （Ａ）成分において、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした時、芳香族ジアミンｘ１に由来するジアミン残基の含有割合が５５～１００ｍｏｌ％である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  5. （Ａ）成分は、芳香族ジアミンｘ１として、Ｉｐが７．４０ｅＶ以上のもの（以下、「芳香族ジアミンｘ１－１」と称する）とＩｐが６．７８ｅＶ以上、７．４０ｅＶ未満のもの（以下、「芳香族ジアミンｘ１－２」と称する）の両方が用いられている、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  6. （Ａ）成分において、ジアミン残基の総量を１００ｍｏｌ％とした時、芳香族ジアミンｘ１－１に由来するジアミン残基の含有割合が１０～５５ｍｏｌ％であり、芳香族ジアミンｘ１－２に由来するジアミン残基の含有割合が４５～９０ｍｏｌ％である、請求項５に記載の感光性樹脂組成物。
  7. （Ｂ）成分の全部または一部がオキセタン化合物である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  8. （Ａ）成分の含有量を１００質量部とした時、（Ｂ）成分の含有量が８０質量部以上、１５０質量部以下である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
  9. （Ｂ）成分の全部または一部が、式（１）で表される化合物である、請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物。
    （Ａ１は炭素数１～２０のアルキレン基または脂肪族炭化水素環を有する炭素数３～２０の２価の炭化水素基を表し、Ｂ１、Ｂ２はそれぞれ独立に、エーテル結合またはエステル結合を表す。）
  10. 請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物を硬化してなる、硬化物。
  11. 請求項１または２に記載の感光性樹脂組成物を用いて硬化物を製造する方法であって、
    前記感光性樹脂組成物を基板上に塗布し、乾燥して感光性樹脂組成物膜を形成する工程と、
    前記感光性樹脂組成物膜を露光する工程と、
    露光後の感光性樹脂組成物膜を現像する工程と、
    現像後の感光性樹脂組成物膜を硬化する工程とを含む、硬化物の製造方法。
  12. 請求項１０に記載の硬化物を具備する電子部品。
  13. 請求項１０に記載の硬化物が配線間の絶縁膜として配置されてなる、電子部品。
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