WO2025197293A1

WO2025197293A1 - プローバ

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Publication number: WO2025197293A1
Application number: PCT/JP2025/002187
Authority: WO
Inventors: 雄太佐藤
Original assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Current assignee: Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date: 2024-03-22
Filing date: 2025-01-24
Publication date: 2025-09-25
Anticipated expiration: 2026-09-22
Also published as: TW202538286A; JP2025145972A

Abstract

プローバ１は、ウェーハＷに形成されたデバイスの電気的特性を検査する。プローバ１は、検査が行われる検査エリア１０が形成された筐体２と、検査エリア１０に全体的にドライガスを供給する第１供給部と、検査エリアの一部に局所的にドライガスを供給する第２供給部と、各供給部によるドライガスの供給を制御する制御部２０と、を備える。

Description

プローバ

　本発明は、ウェーハに形成されたデバイスを検査するプローバに関する。

　半導体製造の前工程で多数のデバイスが形成されたウェーハは、ダイシング工程においてデバイスごとに複数のチップに分割される。そのダイシング工程に先立ち、ウェーハ上のデバイスの中から不良品を除くためのプロービングが行われる。プロービングは、ウェーハに形成されたデバイスの電気的特性を検査することで不良品を特定するウェーハレベル検査である。このプロービングを行う装置がプローバである（特許文献１参照）。

　プローバは、プローブを有するプローブカードを備える。プローブは、テスタに電気的に接続される。プローブカードにウェーハを当接させることにより、プローブをデバイスの電極に接触させる。テスタからプローブを介してデバイスに電気信号を送り、その電気的特性を検査することで不良品であるかどうかを判定する。

　ところで、プロービングは、デバイスの機能性を担保するために様々な使用環境を考慮してなされる。このため、高温状態（例えば１５０℃）から低温状態（例えば－４０℃）まで様々な温度環境下での検査が要求される。こうした要求に応えるために、ウェーハを支持するウェーハチャックの内部に加熱冷却構造が設けられる。低温環境下で検査を行う場合には、結露によってデバイスが破壊されないよう、検査エリア全体をドライエアでパージして露点を下げるなどの工夫がなされる。

特開２０２０－１３６５６９号公報

　検査エリアには、ウェーハを検査又は観測し、あるいは移動させるための様々な機器および機構が設けられる。このため、それらの構造や配置による狭小エリアが存在する。このような狭小エリアには湿った空気が滞留しやすく、検査エリアをドライエアでパージしても露点が下がり難い。そこで、狭小エリアのうち特に結露が問題となる箇所に露点計を設置し、ドライエアのパージが開始されてから露点計の露点温度が検査温度を下回るまで検査を待機するなどの方法がとられる。

　しかし、このような狭小エリアごとに露点計を設置するとコストがかかる。また、特定の狭小エリアの露点を下げるためにパージ時間が長くなると、ドライエアを大量に消費することになるためコストが嵩む。検査前のパージ時間が長くなることで、半導体製造全体のスループットが低下することにもなる。

　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、ドライガスの消費を抑えつつ、ウェーハ等の結露を防止可能なプローバを提供することにある。

　本発明のある態様は、ウェーハに形成されたデバイスの電気的特性を検査するプローバである。プローバは、検査が行われる検査エリアが形成された筐体と、検査エリアに全体的にドライガスを供給する第１供給部と、検査エリアの一部に局所的にドライガスを供給する第２供給部と、各供給部によるドライガスの供給を制御する制御部と、を備える。

　本発明によれば、ドライガスの消費を抑えつつ、ウェーハ等の結露を防止可能なプローバを提供できる。

実施形態に係るプローバの概略構成を表す斜視図である。プローバの内部構造を模式的に表す図である。アライメントカメラおよびヒートシンクの構成を表す図である。結露防止方法の例を表す図である。プロービング開始前後の処理過程を表すフローチャートである。変形例に係るプローバの内部構造を模式的に表す図である。ヘッドステージにおける取付孔の近傍の狭小エリアを表す図である。プロービング開始前後の処理過程を表すフローチャートである。

　以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施形態について説明する。なお、以下の実施形態およびその変形例において、ほぼ同一の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。

　本実施形態のプローバは、ウェーハに形成された半導体デバイス（単に「デバイス」ともよぶ）の電気的特性を検査する。プローバの検査エリアには、ウェーハを検査又は観測するための機器および機構が設けられるため、それらの構造や配置による狭小エリアが存在する。このような構成において、検査エリアに全体的にドライガスを供給する第１パージと、特定の狭小エリアに局所的にドライガスを供給する第２パージとを並行させる。

　第２パージは、第１パージよりもドライガスの流量は少ないが、露点が下がり難い狭小エリアにピンポイントでドライガスを供給できる。このため、狭小エリアの露点低下を促進することで、結果的に検査エリア全体の露点を速やかに低下させることができ、ドライガスの消費を抑えることができる。なお、本実施形態ではドライガスとしてドライエアを用いる。以下、その詳細について説明する。

　図１は、実施形態に係るプローバの概略構成を表す斜視図である。
　なお、以下では説明の便宜上、装置の正面からみて左右方向，前後方向，上下方向を、それぞれＸ方向，Ｙ方向，Ｚ方向として説明する。
　プローバ１は、正面視および平面視が概略長方形状の筐体２を備える。筐体２の内方には、ウェーハの検査が行われる検査エリア１０が設けられる。なお、筐体２の側方には検査エリア１０へのウェーハの搬送および搬出を行うローダユニットが設置されるが、その図示および説明については省略する。

　筐体２の上面を形成するようにヘッドステージ４が設けられる。ヘッドステージ４の上面中央部には、プローブカード（後述）を取り付けるための取付孔１４が設けられる。ヘッドステージ４がプローブカードを支持し、筐体２に組み付けられる。筐体２の上部（つまり検査エリア１０の上部）にはアライメントカメラ１８が設けられる。アライメントカメラ１８は、ウェーハ上のデバイスの電極位置を検出するためにデバイスの表面を撮像するものである。アライメントカメラ１８には温度変化による熱膨張の対策や熱による機器の故障対策のため、冷却用のヒートシンク１９が設けられる。これらの詳細については後述する。

　プローバ１にはまた、プローバ１の各機能部（機構および装置）を制御する制御部２０が設けられる。制御部２０は、汎用コンピュータからなり、各種演算処理を実行するＣＰＵ、制御プログラム等を格納するメモリ又はストレージ、データ格納やプログラム実行のためのワークエリアとして利用されるメモリ、入出力インタフェース、ユーザインタフェース等を備える。制御部２０は、制御プログラムにしたがって各機能部を制御する。

　図２は、プローバ１の内部構造を模式的に表す図であり、図１のＡ－Ａ矢視断面を示す。検査エリア１０は、隔壁２１によりローダエリア等の外部エリアと仕切られる。

　検査エリア１０には、アライメント装置２２が配置される。アライメント装置２２は、ウェーハチャック２４を着脱可能に支持する。ウェーハチャック２４は、真空吸着構造を有し、図示略の吸引装置（例えば真空ポンプ）を作動させることによりウェーハＷを吸着して固定する。ウェーハチャック２４の内部には、プロービング処理に先立ってウェーハチャック２４の上面ひいてはウェーハＷを加熱又は冷却する加熱冷却構造２５が設けられている。それにより、ウェーハＷを高温状態（例えば１５０℃）又は低温状態（例えば－４０℃）にしてデバイスの電気的特性を検査できる。

　アライメント装置２２は、Ｘテーブル２６、Ｙテーブル２８およびＺテーブル３０を備える。筐体２の基台６にはＸ方向に延びるガイドレール３２が設けられている。Ｘテーブル２６は、ガイドレール３２に沿ってＸ方向に移動できるよう水平に設置される。Ｘテーブル２６は、図示略の移動機構により駆動される。

　Ｘテーブル２６の上面にはＹ方向に延びるガイドレール３４が設けられている。Ｙテーブル２８は、ガイドレール３４に沿ってＹ方向に移動できるよう水平に設置されている。Ｙテーブル２８は、図示略の移動機構により駆動される。各移動機構は、本実施形態ではねじ送り機構とそれを駆動するサーボモータにより実現されるが、リニアモータにより実現されてもよい。

　Ｚテーブル３０は、Ｙテーブル２８により支持されている。Ｚテーブル３０には、Ｚテーブル３０をＺ方向に昇降させるための昇降機構と、Ｚテーブル３０を軸線Ｌの周り（θ方向）に回転させるための回転機構が設けられている（図示略）。回転機構は、例えばスピンドルモータにより実現される。このような構成により、ウェーハチャック２４は、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向およびθ方向にそれぞれ移動できる。

　ヘッドステージ４の中央部に取付孔１４が設けられ、プローブカード４０が着脱自在に取り付けられる。取付孔１４は、プローブカード４０と相補形状となる段付円形状をなし、プローブカード４０が嵌合することで閉止される。プローブカード４０は、プローブ４２を有する。テスタ１６は、取付孔１４の直上に位置するようにヘッドステージ４に組み付けられる。

　テスタ１６は、ポゴフレーム４４を介してプローブカード４０に接続される。ポゴフレーム４４は、テスタ１６とプローブカード４０とを接続するインタフェースとして機能する。すなわち、ポゴフレーム４４は、テスタ１６の下面（ポゴフレーム４４との対向面）に形成される端子とプローブカード４０の上面（ポゴフレーム４４との対向面）に形成される各端子とを電気的に接続する図示略のポゴピンを備えている。テスタ１６は、プローブカード４０のプローブ４２に電気的に接続され、検査時にウェーハＷの各デバイスにテスト信号（電気信号）を供給し、各デバイスからの出力信号を検出して電気的特性を得る。それにより、各デバイスが正常に動作するかを検査する。

　検査エリア１０の上部において取付孔１４からＸ方向にオフセットした位置にアライメントカメラ１８が設けられている。アライメントカメラ１８は、直方体形状の筐体５０に撮像素子５２（ＣＣＤ）、レンズ５４および全反射ミラー５６を収容して構成される。アライメントカメラ１８の光軸は、全反射ミラー５６により筐体５０の下方に向けられる（二点鎖線参照）。デバイスの電極位置を検出する際には、アライメント装置２２が駆動され、ウェーハＷを支持したウェーハチャック２４が筐体５０の下方位置に移動する。レンズ５４は、ウェーハＷの表面の画像を撮像素子５２に結像する。

　筐体５０の下面に沿ってヒートシンク１９が配置される。ヒートシンク１９には冷却用のヒートパイプ５８が設けられ、発熱状態にあるアライメントカメラ１８を冷却できる。なお、ヒートシンク１９における全反射ミラー５６の直下には開口部６０が設けられ、アライメントカメラ１８の光軸が遮断されないように構成されている。

　アライメントカメラ１８は、ウェーハＷの表面の画像を撮像し、その撮像画像を制御部２０へ出力する。制御部２０は、その撮像画像を処理し、ウェーハＷに形成されたデバイスの電極位置を検出する。

　図３は、アライメントカメラ１８およびヒートシンク１９の構成を表す図である。図３（Ａ）は斜視図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＢ－Ｂ矢視断面図である。
　図３（Ａ）に示すように、アライメントカメラ１８の下面全体に当接するようにヒートシンク１９が配置されている。

　図３（Ｂ）にも示すように、ヒートシンク１９は、平板状のヒートシンク本体６２を有する。ヒートシンク本体６２は、２枚の平板状の熱伝導板６２ａ，６２ｂを上下に組み付けて構成される。熱伝導板６２ａの上面にアライメントカメラ１８とヒートパイプユニット６４とが隣接して配置される。ヒートパイプユニット６４は複数のヒートパイプ５８を含む。

　上下の熱伝導板６２ａ，６２ｂとの間隔が狭小に設定されており、両者の間に微小空間Ｓ（狭小エリア）が形成されている。これら熱伝導板６２ａ，６２ｂを上下に貫通するように円形の開口部６０が設けられている。ヒートシンク本体６２にはさらに、微小空間Ｓをドライエアでパージするための配管６６が組み付けられている。配管６６は、ドライエアの供給源（後述）に接続される。配管６６の先端部がドライエアを吐出する吐出部６８を構成し、吐出部６８から吐出するドライエアで微小空間Ｓをパージする。このような構成により、ドライエアを開口部６０にも導くことができる。

　図２に戻り、検査エリア１０には、結露を防止するためのドライエアを吐出する複数の吐出部が設けられる。すなわち、検査エリア１０には、その全体に満遍なくドライエアを供給するための吐出部６７と、ヒートシンク１９に対して局所的にドライエアを供給するための上記吐出部６８が設けられる。吐出部６７は、検査エリア１０の内方に向けて開口する。検査エリア１０における結露防止に必要な露点（「設定露点」とよぶ）が予め設定され、制御部２０によりその設定露点に応じたドライエアの供給制御がなされる。

　プローバ１は、検査エリア１０にドライエアを供給するための供給部７２を備える。供給部７２は、ドライエア供給源７４、ガス供給路７６および複数の制御弁（開閉弁７８、流量制御弁８０，８２）を含む。ガス供給路７６は、分岐点Ｐ１にて第１供給路８４および第２供給路８６に分岐する。第１供給路８４が吐出部６７に接続され、第２供給路８６が吐出部６８に接続される。

　ドライエア供給源７４は、加圧されたドライエアを貯留するタンクを有する。ガス供給路７６における分岐点Ｐ１の上流側に開閉弁７８が設けられる。第１供給路８４に流量制御弁８０が設けられ、第２供給路８６に流量制御弁８２が設けられる。開閉弁７８は、本実施形態ではソレノイド駆動の電磁弁からなるが、モータ駆動の電動弁であってもよい。流量制御弁８０，８２は、本実施形態では電動弁からなるが、電磁弁であってもよい。

　なお、本実施形態において、ドライエア供給源７４、開閉弁７８、流量制御弁８０および吐出部６７が、検査エリア１０に全体的にドライエアを供給する「第１供給部」として機能する。ドライエア供給源７４、開閉弁７８、流量制御弁８２および吐出部６８が、ヒートシンク１９の微小空間Ｓ、つまり検査エリア１０の一部に局所的にドライエアを供給する「第２供給部」として機能する。開閉弁７８の開閉により、ドライエア供給源７４からのドライエアの供給を開始又は停止できる。流量制御弁８０の開閉により第１供給部によるドライエアの供給を実行又は停止できる。また、流量制御弁８０の開度を調整することで第１供給部が供給するドライエアの流量を調整できる。流量制御弁８２の開閉により第２供給部によるドライエアの供給を実行又は停止できる。また、流量制御弁８２の開度を調整することで第２供給部が供給するドライエアの流量を調整できる。本実施形態では、微小空間Ｓのパージが完了してときに流量制御弁８２を閉じることで、第２供給部によるドライエアの供給を停止させる。それによりドライエアの消費を抑えることができる。

　制御部２０は、供給部７２によるドライエアの供給を制御する。制御部２０は、プロービング処理の実行に先立って開閉弁７８を開弁し、検査エリア１０の設定露点に基づいて流量制御弁８０，８２のそれぞれの弁開度を制御する。すなわち、制御部２０は、流量制御弁８０の開度を制御することにより検査エリア１０の全体に満遍なく供給するドライエアの流量を制御する一方、流量制御弁８２の開度を制御することによりヒートシンク１９の微小空間Ｓに供給するドライエアの流量を制御する。

　具体的には、プロービング時の温度環境に関し、検査エリア１０で到達し得る最低温度を「必要露点」とする。検査エリア１０が通常の空気（大気）で満たされる場合、エリア内温度がこの必要露点を下回ると結露が生じると考えられる。そこで、検査エリア１０について必要露点より所定温度低い温度を「設定露点」として予め定める。結露を確実に防止するために、設定露点に余裕をもたせるものである。この所定温度（「露点マージン」ともよぶ）についてはプローバ１の設置環境、ドライエアの流入出の量や時間などによる温度変化要因等に応じて適宜設定できる。設定露点は、必要露点よりも露点マージンだけ低く設定される。

　検査エリア１０では、特にウェーハＷのデバイスにおける結露を防止する必要があるところ、プロービング時にはデバイスの仕様に基づいてウェーハＷを－４０℃まで冷却する。上述のように、加熱冷却構造２５によりウェーハチャック２４を冷却することでこの温度を実現する。検査エリア１０の露点は－４０℃以下とする必要があるが、ウェーハＷの搬入および搬出により露点が上昇する可能性を考慮し、例えば露点マージンを１０℃とし、設定露点として－５０℃を設定する。

　図４は、結露防止方法の例を表す図である。図４（Ａ）および（Ｂ）は、ウェーハＷ上のデバイスの電極位置を検出する処理過程を示す。
　制御部２０は、この電極位置の検出処理に先立って、吐出部６７からのドライエアの供給を開始する一方、ウェーハチャック２４を開口部６０の直下から退避させておく（図４（Ａ））。そして、吐出部６８からのドライエアの供給を開始する。

　このとき、吐出部６８からの吐出流量は吐出部６７からの吐出流量よりも少ないものの、微小空間Ｓは狭小であるため、速やかにドライエアを行き渡らせることができる。このため、開口部６０周辺の露点を設定露点に速やかに近づけることができる。すなわち、検査エリア１０において狭小エリアを除いた空間全体の露点が低下する前に、開口部６０周辺の狭小エリアの露点を低下させることができる。制御部２０は、開口部６０周辺の露点が設定露点に到達した後、吐出部６７からのドライエアの供給は継続しつつ、吐出部６８からのドライエアの供給を停止させる。

　その後、制御部２０は、ウェーハチャック２４を開口部６０の直下へ移動させ、電極位置の検出処理を実行する（図４（Ｂ））。このように電極位置の検出処理に先立って開口部６０周辺（特定箇所）の露点を下げておくことで、開口部６０周辺における結露の発生を防止できる。また、吐出部６８からのドライエアの吐出中はウェーハチャック２４を退避させておくことで、ドライエアとともに水分が飛散してウェーハＷへ付着することも防止できる。

　図５は、プロービング開始前後の処理過程を表すフローチャートである。以下、本処理過程を図２および図４を適宜参照しつつ説明する。
　制御部２０は、プロービング処理に先立って、ウェーハチャック２４を所定の退避位置に移動させる（Ｓ１０）。この「退避位置」は、図４（Ａ）に示すようなテスタ１６の直下であってもよいが、開口部６０の直下（つまりアライメント位置）から外れる位置にて予め設定される。

　続いて、制御部２０は、開閉弁７８および流量制御弁８０を開弁させ、吐出部６７からのドライエアの供給（「第１パージ」又は「全体パージ」ともいう）を開始する（Ｓ１２）。このとき、流量制御弁８０の開度を調整することで、吐出部６７からのドライエアの吐出流量を調整する。この流量は、検査エリア１０の設定露点と、検査エリア１０全体をその設定露点に低下させるまでの設定時間（第１所要時間として予め設定）とに基づき、必要十分な流量（第１流量）が予め設定される。

　また、制御部２０は、流量制御弁８２を開弁させ、吐出部６８からのドライエアの供給（「第２パージ」又は「局所パージ」ともいう）を開始する（Ｓ１４）。このとき、流量制御弁８２の開度を調整することで、吐出部６８からのドライエアの吐出流量を調整する。この流量は、検査エリア１０の設定露点と、ヒートシンク１９の微小空間Ｓをその設定露点に低下させるまでの設定時間（第２所要時間として予め設定）とに基づき、必要十分な流量（第２流量）が予め設定される。微小空間Ｓが狭小であるため、第２流量は第１流量よりも少なく、第２所要時間は第１所要時間よりも短い。

　そして、第２パージの設定時間（第２所要時間）が経過すると（Ｓ１６のＹ）、制御部２０は、流量制御弁８２を閉弁させ、第２パージを停止させる（Ｓ１８）。

　その後、制御部２０は、アライメント装置２２を駆動し、ウェーハチャック２４をアライメント位置、つまりアライメントカメラ１８の直下に移動させる（Ｓ２０）。その結果、ウェーハＷの表面がアライメントカメラ１８の光軸上に配置される（二点鎖線参照）。制御部２０は、デバイスの電極位置を検出するためのアライメント処理を実行する（Ｓ２２）。このアライメント処理については公知であるため、その説明については省略する。

　アライメント処理が終了すると（Ｓ２４のＹ）、制御部２０は、アライメント装置２２を駆動し、ウェーハチャック２４を所定の検査位置に移動させる（Ｓ２６）。低温環境下でのプロービングを行う場合には、第１パージによって検査エリア１０が設定露点に到達していることを条件に、制御部２０は、ウェーハチャック２４の冷却を開始する（Ｓ２８）。そして、プロービング処理を開始する（Ｓ３０）。

　以上に説明したように、本実施形態では、検査エリア１０に全体的にドライエアを供給する全体パージと、ヒートシンク１９の微小空間Ｓに局所的にドライエアを供給する局所パージとを並行させる。微小空間Ｓは全体パージでは露点が下がり難い狭小エリアであるところ、全体パージとは別に局所パージがなされるため、集中的に露点を下げることができる。また、局所パージは狭小エリアでのみ機能が満たされれば足りるため、パージ流量も少なくて済む。全体パージと局所パージが同時並行し、全体パージの期間の一部で局所パージがなされるため、微小空間Ｓの露点調整のために全体パージの時間を延長する必要もない。すなわち、本実施形態によれば、検査エリア１０全体の露点を速やかに低下させることができるとともに、ドライエアの消費を抑えることができる。結果的に、半導体製造全体のスループットを高めることができる。

　以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はその特定の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能であることはいうまでもない。

［変形例］
　図６は、変形例に係るプローバの内部構造を模式的に表す図であり、図２に対応する。ただし、上記実施形態で説明したアライメントカメラ１８およびその周辺の構成については、図示およびその説明を省略する。

　本変形例では、狭小エリアとして、検査エリア１０の隅部（例えば上下それぞれの四隅）と、取付孔１４近傍の狭小エリアに対して第２パージ（局所パージ）を行う。隅部は、検査エリア１０における空気の淀み箇所でもあるので、湿った空気が溜まりやすい。そこで、これらの箇所に局所パージを実行する。すなわち、検査エリア１０には、それらの隅部に向けてドライエアを吐出可能な複数の吐出部１１０と、取付孔１４の近傍領域に向けてドライエアを吐出可能な複数の吐出部１１２が設けられる。

　図７は、ヘッドステージ４における取付孔１４の近傍の狭小エリアを表す図である。図７（Ａ）は、取付孔１４およびその近傍を表す斜視図である（図１参照）。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＣ－Ｃ矢視断面を示す。ただし、プローブカード４０およびテスタ１６等（図２参照）の図示を省略している。

　ヘッドステージ４における取付孔１４の近傍には、図示しない外部装置との間でプローブカード４０の自動交換を行うためのカード自動交換機構１２０が設けられている。カード自動交換機構１２０は、同心状に配置される複数の環状部材を有し、それらの間に湿った空気が滞留しやすい狭小エリアＳ１が存在する。本変形例では、吐出部１１２から狭小エリアＳ１に向けてドライエアを供給する（つまり第２パージを行う）ことにより、狭小エリアＳ１周辺の露点を設定露点に速やかに近づける。

　図６に戻り、制御部２０は、プロービング処理に先立って、吐出部６７からのドライエアの供給と並行して吐出部１１０，１１２からもドライエアを供給する（第２パージ）。吐出部１１０，１１２からのドライエアの供給は、プロービング処理を開始する前に停止させる。なお、この第２パージ中はウェーハチャック２４を狭小エリアＳ１の直下から退避させておく。

　図８は、プロービング開始前後の処理過程を表すフローチャートである。
　制御部２０は、プロービング処理に先立って、ウェーハチャック２４を所定の退避位置に移動させる（Ｓ１０）。この「退避位置」は、狭小エリアＳ１の直下から外れる位置にて予め設定される。

　続いて、制御部２０は、開閉弁７８および流量制御弁８０を開弁させ、吐出部６７からのドライエアの供給（第１パージ）を開始する（Ｓ１２）。そして、予め定める第１設定時間が経過すると（Ｓ１３のＹ）、流量制御弁８２を開弁させ、吐出部１１０，１１２からのドライエアの供給（第２パージ）を開始する（Ｓ１４）。すなわち、上記実施形態では、全体パージと局所パージとをほぼ同時に開始したが、本変形例では、全体パージにやや遅れて局所パージを開始する。そして、第２パージの設定時間（第２設定時間）が経過すると（Ｓ１６のＹ）、流量制御弁８２を閉弁させ、第２パージを停止させる（Ｓ１８）。

　その後、制御部２０は、アライメント装置２２を駆動し、ウェーハチャック２４を検査位置に移動させる（Ｓ２６）。低温環境下でのプロービングを行う場合には、検査エリア１０が設定露点に到達していることを条件に、制御部２０は、ウェーハチャック２４の冷却を開始する（Ｓ２８）。そして、プロービング処理を開始する（Ｓ３０）。

　本変形例においても、検査エリア１０の全体パージ（第１パージ）と狭小エリアＳ１の局所パージ（第２パージ）が同時並行し、全体パージの期間の一部で局所パージがなされる。このため、検査エリア１０全体の露点を速やかに低下させることができる。第２パージに先立って所定時間（第１設定時間）の全体パージが行われるため、狭小エリアＳ１近傍の露点を少なからず低下させておくことができる。このため、第２パージの実行時間をその分、短く設定することもできる。

［その他の変形例］
　上記実施形態では、ドライガスとしてドライエアを用いる例を示したが、乾燥した不活性ガスその他のドライガスを用いてもよい。

　上記実施形態では、結露の影響を受ける部品としてウェーハＷを例示し、その上方に位置し得る特定の部品又は部材としてアライメントカメラ１８およびヒートシンク１９を例示した。変形例においては、結露の影響を受ける部品としてプローブカード４０を結露防止対象としてもよい。図７（Ｂ）に示した変形例のように、狭小エリアＳ１の局所パージ（第２パージ）を実行することで、ウェーハＷのみならず、その斜め下方に位置するプローブカード４０の結露防止を図ることもできる。

　上記実施形態では、アライメントカメラ１８と一体に設けられる熱対策部品として、ヒートパイプ５８を含むヒートシンク１９を例示した。変形例においては、熱対策部品として、ヒートパイプを含まないヒートシンクを採用してもよい。その場合、ヒートシンクにフィン等を設けることができる。あるいは、熱対策部品として放熱機能のある遮熱板を採用してもよい。

　上記実施形態では、検査エリア１０に対して単一のテスタ１６が設けられるシングルステージ型のプローバを例示したが、検査エリアに対して複数のテスタが設けられるマルチステージ型のプローバを採用してもよい。その場合にも、検査エリアに全体的にドライガスを供給する全体パージと、特定の狭小エリアに局所的にドライガスを供給する局所パージとを並行させることとする。

　上記実施形態では、主に低温環境下でのプロービングについて説明したが、低温から高温まで複数段階の温度での検査も可能であることは言うまでもない。

　上記実施形態では、プロービングに先立って行われる処理として、ウェーハＷ上のデバイスの電極位置を検出するウェーハ位置アライメント処理についてのみ言及したが、実際には、プローブカードのプローブの位置を検出するプローブ位置アライメント処理も行われる。これらのアライメント処理を経て、複数のプローブとデバイスの電極との位置関係が検出され、両者が正確に接触するような調整が行われる。

　すなわち、プローブの位置とデバイスの電極位置を検出した後、デバイスの電極の配列方向がプローブの配列方向に一致するように、ウェーハチャックを回転させる。プロービングの際には、検査対象となるデバイスの電極がプローブの直下に位置するようにウェーハチャックを移動し、そのウェーハチャックを上昇させて、デバイスの電極をプローブに接触させる。そして、テスタからデバイスに電圧を印加して電気的特性を測定する。

　上記実施形態では述べなかったが、図２に示した第２供給路８６に流量制御弁８２とは別に開閉弁（第２供給部に専用の電磁弁）を設けてもよい。第２供給部により供給するドライガスの流量が小さく、流量調整そのものが不要である場合、流量制御弁８２に代えて開閉弁（電磁弁）を設けてもよい。

　なお、本発明は上記実施形態や変形例に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。上記実施形態や変形例に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることにより種々の発明を形成してもよい。また、上記実施形態や変形例に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。

Claims

　ウェーハに形成されたデバイスの電気的特性を検査するプローバであって、
　検査が行われる検査エリアが形成された筐体と、
　前記検査エリアに全体的にドライガスを供給する第１供給部と、
　前記検査エリアの一部に局所的にドライガスを供給する第２供給部と、
　各供給部によるドライガスの供給を制御する制御部と、
　を備える、プローバ。
　前記制御部は、前記第１供給部によりドライガスを供給する期間の一部において、前記第２供給部によるドライガスの供給を実行する、請求項１に記載のプローバ。
　前記第２供給部は、結露の影響を受ける部品の上方に位置し得る特定の部品又は部材に対して局所的にドライガスを供給する、請求項１又は２に記載のプローバ。
　前記ウェーハを保持するウェーハチャックと、
　前記ウェーハに形成されたデバイスの電極の位置を検出するために前記デバイスの表面を撮像するアライメントカメラと、
　前記アライメントカメラと一体に設けられる熱対策部品と、
　前記アライメントカメラによる撮像に際し、前記ウェーハチャックを前記アライメントカメラの下方へ移動させる移動機構と、
　を備え、
　前記第２供給部は、前記熱対策部品において前記ウェーハの直上に位置し得る特定箇所に向けてドライガスを供給する、請求項３に記載のプローバ。
　前記制御部は、前記ウェーハチャックが前記特定箇所の直下から退避しているときに前記第２供給部によるドライガスの供給を実行する、請求項４に記載のプローバ。
　前記第２供給部は、前記検査エリアの隅部又は狭小エリアに向けてドライガスを供給する、請求項１又は２に記載のプローバ。
　前記第２供給部は、前記検査エリアにおける空気の淀み箇所に向けてドライガスを供給する、請求項１又は２に記載のプローバ。