WO2025169751A1 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本開示は、製造工程数の増加と発光寿命の低下が抑制された高精細な発光装置、及び発光装置の製造方法として、基板１上に複数の下部電極２と、該下部電極２の橋を覆う絶縁層３と、該絶縁層３で囲まれた画素４ａ乃至４ｃに互いに異なる発光色の複数発光層を蒸着するに際し、画素４ａ乃至４ｃ上に開口部を有するリフトオフ層８を絶縁層３上に配置し、所望の画素に対応する開口部を有するマスクを用いて異なる発光色の発光層を順次蒸着する方法を提供する。

Description

発光装置及びその製造方法

　本発明は、発光装置とその製造方法に関する。

　発光装置としての有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光装置は、有機ＥＬ素子を単数或いは複数有する自発光装置である。一般に、有機ＥＬ素子は、陽極と該陽極に対向する陰極との間に設けられた、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等からなる有機化合物層を有する発光素子である。陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが、それぞれ正孔輸送層、電子輸送層を介して発光層で再結合することにより有機ＥＬ素子は発光する。この有機ＥＬ発光装置を製造する方法の一つとして、真空蒸着法が知られている。具体的には、有機材料を真空装置内で蒸着材料の気化温度以上に加熱することで蒸着材料の蒸気を発生させ、この蒸気を有機ＥＬ表示装置の基体となる基板に堆積させることで有機化合物層等の薄膜層を形成する。真空蒸着法を利用して有機ＥＬ表示装置を製造する場合、一般的には所定の領域に開口を有するメタルマスクを用いて所定のパターン形状を有する発光層を成膜する。これにより、フルカラー（赤、緑、青）の発光をする有機ＥＬ発光装置が得られる。しかしながら、メタルマスクを用いたパターニング方法では、表示装置の高精細化や高開口率化に伴い、発光層を所定の画素内に収まるように正確に成膜することが困難となってきている。この課題の一つがメタルマスクの加工精度によって生じている。

　特許文献１には、連続成膜した有機ＥＬ層上にフォトリソグラフィにてマスクパターンを形成し、該有機ＥＬ層をエッチングすることで、一色ずつパターニングする方法が開示されている。

　また、特許文献２には、フォトリソグラフィプロセスとリフトオフを利用した有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。この製造方法では基板上にリフトオフ層を設けて発光層を蒸着した後にリフトオフ層上の発光層をリフトオフする工程を各色で繰り返して発光層のパターニングを行うものである。これらはフォトリソグラフィを利用することからメタルマスクを使用した蒸着法に対して表示装置の高精細化や高開口率化には有効な方法である。

特開２０１３－７７４９４号公報 特開２０２２－１７７７２２号公報

　上記したように、フォトリソグラフィは高精細化、高効率化には有効であるものの、フルカラーの有機ＥＬ発光装置を製造する場合、複数のフォトリソグラフィ工程を繰り返す必要が生じてしまう。即ち、赤、緑、青の３色の発光層を形成するために、レジストの塗布、フォトリソグラフィ、レジスト剥離を３回繰り返すことになるため工程数が増加する。また発光層がレジスト剥離液に触れる回数が多くなることによる発光寿命の低下が懸念され更なる改善が望まれる。

　本発明は、この様な背景技術に鑑みてなされたものであり、製造工程数の増加と発光寿命の低下が抑制された高精細な発光装置、及び発光装置の製造方法を提供することを目的とする。

　本発明の第一は、基板と、前記基板上に配置された複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う絶縁層と、前記下部電極上であって、前記絶縁層で区画された画素に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有する発光装置の製造方法であって、
　前記複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う前記絶縁層と、前記絶縁層で区画された画素上を開口部として有するリフトオフ層と、が設けられた基板を用意する工程と、
　前記画素の下部電極上に発光層を蒸着する工程と、
　前記リフトオフ層を基板から剥離する工程と、を有し、
　前記発光層の蒸着が、前記リフトオフ層の開口部上に開口部を有する蒸着マスクを配置して蒸着することを特徴とする発光装置の製造方法である。

　本発明の第二は、基板と、前記基板上に配置された複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う絶縁層と、前記下部電極上であって、前記絶縁層で区画された画素に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有し、前記発光層の発光色が複数である発光装置であって、
　前記絶縁層の上面が、ケイ素化合物を含まない部分とケイ素化合物を含む部分とを有することを特徴とする発光装置である。

　本発明によれば、従来のフォトリソグラフィの工程数が低減され、その結果、発光寿命の低下が抑制された高精細な発光装置を提供することができる。

本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係るリフトオフ層の形態を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係るリフトオフ層の形態を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係るリフトオフ層の形態を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係るリフトオフ層の形態を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の実施例に係る発光装置の製造方法の工程図であり、基板の厚さ方向の切断端面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の一例の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。 本発明の一実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。 本発明の一実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。 折り曲げ可能な表示装置の一例を表す模式図である。 本発明の一実施形態に係る照明装置の一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る車両用灯具を有する自動車の一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るウェアラブルデバイスの一例で、撮像装置を有する形態を示す模式図である。

　以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。尚、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。以下、各実施形態についてより詳細に説明をする。

　〔製造工程〕
　本発明の実施形態に係る発光装置の製造方法は、下記の工程を有する。
（１）複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う絶縁層と、前記絶縁層で区画された画素上を開口部として有するリフトオフ層と、が設けられた基板を用意する工程
（２）前記リフトオフ層の開口部上に開口部を有する蒸着マスクを配置して、前記画素の下部電極上に発光層を蒸着する工程
（３）前記リフトオフ層を基板から剥離する工程

　以下、各工程及び部材について、図１Ａ～図１Ｄ乃至図３Ａ～図３Ｄを参照して説明する。図１Ａ～図１Ｄ、図２Ａ～図２Ｃは、本実施形態の製造工程を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図であり、図３Ａ～図３Ｄは、本実施形態のリフトオフ層の形態を模式的に示す基板の厚さ方向の切断端面図である。

　（第１工程）
　図１Ａに示すように、複数の下部電極２と、該下部電極２上を区画する絶縁層３と、該絶縁層３で区画された画素４ａ乃至４ｃ上が開口部となるリフトオフ層８が設けられた基板１を用意する。尚、本発明では下部電極２上の絶縁層３で区画された領域を画素と呼ぶ。リフトオフ層８は画素４ａ乃至４ｃ上が開口部となるように設けられる。尚、本実施形態の発光装置は、発光層の発光色が３色であるフルカラー表示の発光装置を対象としており、画素４ａ乃至４ｃには、互いに異なる発光色の発光層が配置される。

　図３Ａ～図３Ｄに、本実施形態に係る絶縁層３とリフトオフ層８の形態を模式的に示す。図３Ａ～図３Ｄは基板１の厚さ方向の切断端面図である。本実施形態にかかるリフトオフ層８は、上面１２側から見て、絶縁層３上のリフトオフ層８の配置部と絶縁層３との境界部Ｃがリフトオフ層８によって影部となる。具体的には、図３Ａ乃至図３Ｄに示すように、リフトオフ層８の側面が絶縁層３に接する部位Ｃにおける該リフトオフ層８の幅Ａに対してリフトオフ層８の高さ方向の一部にリフトオフ層８の最大幅Ｂとなる形状のものを使用する。図３Ａ乃至図３Ｃは最大となる幅Ｂがリフトオフ層８の上面１２となる。図３Ｄはリフトオフ層８の上面１２以外の部分が最大となる幅Ｂを有する断面形状となる。図３Ｃに示すように、部位Ｃにおけるリフトオフ層８の幅Ａが最小である必要はないが、Ａ＜Ｂであることにより、境界部Ｃがリフトオフ層８によって影部となることによって蒸着時に境界部Ｃには蒸着されにくくなる。その結果、境界部Ｃからリフトオフ層８の側面にかけて蒸着された蒸着物がリフトオフ後にバリとなり電気的なショート等の要因となって画素欠陥を誘発するおそれが低減される。

　（第２工程）
　図１Ｂ乃至図２Ａに示すようにリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ａ乃至１１ｃを有する蒸着マスク１０ａ乃至１０ｃを配置して画素４ａ乃至４ｃの下部電極２上に発光層１３ａ乃至１３ｃを順次蒸着する。発光層１３ａ乃至１３ｃは互いに発光色が異なり、蒸着は発光色毎に行う。よって、先ず、図１Ｂの工程においては、３色のうちの１色の発光層１３ａに対応する第１の画素４ａにのみ開口部１１ａを有する蒸着マスク１０ａを用いる。当該工程で発光層１３ａが蒸着されない第２の画素４ｂ及び第３の画素４ｃについては、蒸着マスク１０ａによって、リフトオフ層８の開口部が覆われている。

　蒸着マスク１０ａの開口部１１ａのうちリフトオフ層８側の面の開口幅をａ、リフトオフ層８の上面の開口部を開口幅ｃとした時、ａ＞ｃの関係になることが好ましい。この関係を満たすことによって蒸着マスク１０ａの開口部１１ａよりも小さな画素４ａに発光層１３ａを蒸着することが可能になる。また更に、リフトオフ層８の上面の幅をｂとした時、ａ＜２ｂ＋ｃの関係になることが好ましい。この関係を満たすことによって、第１の画素４ａに発光層１３ａを蒸着する工程において第２の画素４ｂと第３の画素４ｃに発光層１３ａが蒸着されてしまうことが回避される。こうすることによって蒸着マスク１０ａの開口部１１ａのサイズよりも小さな画素４ａに発光層１３ａを蒸着することができ、画素の高精細化が可能となる。尚、上記ａ、ｂ、ｃの関係は、後述する画素４ｂ、４ｃに発光層１３ｂ、１３ｃを蒸着する際の蒸着マスク１０ｂ、１０ｃについても同様である。

　次に、図１Ｃに示すようにリフトオフ層８の上面１２に蒸着マスク１０ａを接触させて第１の発光層１３ａを蒸着する。次いで、図１Ｄに示すように、第２の画素４ｂ上のリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｂが来るように蒸着マスク１０ｂを配置し、リフトオフ層８の上面１２に該蒸着マスク１０ｂを接触させて第２の発光層１３ｂを蒸着する。さらに、図２Ａに示すように、第３の画素４ｃに設けられたリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｃが来るように蒸着マスク１０ｃを配置し、リフトオフ層８の上面１２に該蒸着マスク１０ｃを接触させて第３の発光層１３ｃを蒸着する。こうすることによって画素４ａ乃至４ｃの下部電極２上に発光層１３ａ乃至１３ｃが蒸着される。また、発光層１３ａ乃至１３ｃの蒸着の際に蒸着マスク１０ａ乃至１０ｃの開口部１１ａ乃至１１ｃから露出したリフトオフ層８の上面１２にも発光層１３ａ乃至１３ｃは蒸着される。尚、発光層１３ａ乃至１３ｃの蒸着の順番はこれに限らない。

　（第３工程）
　次に、蒸着マスクを用いずに上部電極材料を蒸着することにより、図２Ｂに示すように、発光層１３ａ乃至１３ｃ上に上部電極１４を積層する。最後に、図２Ｃに示すように、リフトオフ層８に蒸着された蒸着層をリフトオフ層８ごと基板１から剥離する。剥離はウェットプロセスにて実施することが好ましい。具体的にはリフトオフ層８が溶解できるリムーバー（レジスト剥離液）を使用することが好ましい。またリムーバーとしては蒸着した発光層１３ａ乃至１３ｃを溶解しないものから選択する。

　リムーバーによってリフトオフ層８は溶解し、リフトオフ層８上に蒸着された蒸着層はリフトオフ層８ごと基板１から剥離される。こうすることで互いに異なる発光色の発光層１３ａ乃至１３ｃを備えた３色発光の発光装置となる。このように本実施形態ではフォトリソグラフィが１回で済むため、発光層１３ａ乃至１３ｃ層がリムーバーに接触する機会は１回で済み、発光寿命の低下を抑制する効果も奏する。

　尚、本実施形態では、リフトオフ層８を基板１から剥離する前に、発光層１３ａ乃至１３ｃ上に上部電極１４を蒸着する手順を示したが、リフトオフ層８を剥離してから上部電極１４を蒸着すれば、発光層１３ａ乃至１３ｃ及び絶縁層３上に連続する上部電極１４を設けることも可能である。

　〔部材〕
　以下に、本実施形態に係る発光装置及びその製造方法に使用する部材について説明する。

　（基板）
　本実施形態で使用する基板１は、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の透明なガラス基板、透明樹脂フィルム、光学用樹脂フィルム等の透明なフレキシブル基材などを用いることができる。これらの中でも、ガラス中にアルカリ成分を含まない無アルカリガラスからなるガラス基板を用いることが好ましい。具体的には、コーニング社製の「７０５９ガラス」、「１７３７ガラス」、「イーグル２００（登録商標）」及び「イーグルＸＧ（登録商標）」、旭硝子社製の「ＡＮ１００」、日本電気硝子社製の「ＯＡ－１０Ｇ」及び「ＯＡ－１１」が好適である。これらは、熱膨脹率の小さい素材であり寸法安定性及び高温加熱処理における作業性に優れる。また、基板１には、発光層１３ａ乃至１３ｃの発光を制御するためのトランジスタやＭＩＭ素子等のスイッチング素子などからなる制御回路（不図示）が上記絶縁性の基板に形成されているものを用いる。基板１は、スイッチング素子の凹凸を平坦化するための平坦化膜を有していてもよい。

　（下部電極）
　本実施形態で使用する下部電極２はボトムエミッション型かトップエミッション型かによって陰極や陽極の好ましい材料が異なる。ボトムエミッション型において陽極は仕事関数の大きい透明電極であることが好ましい。例えば透明酸化物導電層としてはＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯなどを用いることができるがこれらに限定されない。トップエミッション型の陽極には、光がデバイスの上部から出射されるため、必ずしも透明性は必要ない。金属陽極材料には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕなど、電子の注入を助け、光の出射を妨げない金属が好ましいが、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｃｓなどの金属単体やそれらの合金からなる金属層などを用いることができる。尚、下部電極２においては透明酸化物導電層と金属層の積層膜や、複数の金属層の積層膜であってもよい。

　（絶縁層）
　絶縁層３は、樹脂や金属の何れも使用することができ、好ましくは遮光層である。遮光層とする場合には、透光性の樹脂にカーボンブラック等の遮光性材料が含まれたものでもよい。また市販のブラックレジストを使用してもよく、東京応化工業社製「ＣＦＰＲ　ＢＫ」や日鉄ケミカル＆マテリアル社製「Ｖ－２５９ＢＫＩＳ」や富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製「ＣＫ－７００１」等を用いてもよい。絶縁層３の反射濃度は３以上であることが好ましくより高品位な表示素子に利用するなら４．５以上であることが好ましい。

　（リフトオフ層）
　リフトオフ層８は一般的な有機溶剤にて溶解される材料から選択する。リフトオフ層８はリフトオフレジストを使用すればフォトリソグラフィにて高精度な寸法にて形成することができる。フォトリソグラフィにて形成する場合のリフトオフレジストの塗布方法としてはスピンコーティング法、グラビア塗布法、バーコート法、スプレー法、ディップ法、ダイコート法等の公知の塗布方法を用いることができる。

　リフトオフレジストの塗布の前には塗布面、即ち本実施形態においては、絶縁層３の上面にシランカップリング剤処理を行うことが好ましい。シランカップリング剤処理を行うことで微細なリフトオフ層であっても現像時に欠落することが抑制される。また現像液にアルカリ現像液を使用すれば残渣となりにくい。リフトオフレジストに予めシランカップリング剤が含まれるものを使用するのであればシランカップリング剤処理は必要としない。

　シランカップリング剤としては、ヘキサメチルジシラザン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－（２－アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－β－（Ｎ－ビニルベンジルアミノエチル）γ－アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、メチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｏ－メチルフェニルトリメトキシシラン、ｐ－メチルフェニルトリメトキシシラン等が使用することができるがこれらに限定されない。

　リフトオフレジストとしては日本ゼオン製「ＺＰＮ１１５０」、「ＰＮ　１１００」、信越化学製「ＳＩＰＲ９６９１」、東京応化工業社製「ＴＬＯＲ－Ｎ００１ＰＭ」、住友化学社製「ＰＦＩ－３８Ａ７」等を使用することができる。

　露光で用いる露光機は特に制限されるものではなく、公知の露光機を用いることができる。露光光としては、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯（ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ））、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、Ａｒイオンレーザー、半導体レーザー、Ｆ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）等、公知のものが用いられる。露光光は、使用するフォトレジストの感光波長に合わせて適宜選択すれば良い。露光装置としては、ｉ線露光ステッパー、ＫｒＦステッパーのような単一波長を光源に持つ投影露光装置や、キヤノン製のマスクアライナー「ＭＰＡ－６００Ｓｕｐｅｒ」のような水銀ランプのブロード波長を光源に持つ投影露光装置を用いることができる。

　使用する現像液としては特に制限はないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液を使用することができる。リフトオフ層８から露出した絶縁層３の上面ではシランカップリング剤は一般的にシリカが容易にアルカリ水溶液に溶解し易いようにアルカリ現像液で除かれやすい。

　（蒸着マスク）
　本発明で使用される蒸着マスク１０ａ乃至１０ｃについては銅、ニッケル、ステンレス、鉄ニッケル合金、ＩＮＶＥＲやポリイミドなどの樹脂からなるものが使用できるがこれらに限定されない。板厚が０．０２５乃至０．１ｍｍで開口部１１ａ乃至１１ｃの開口の最小寸法は３０μｍ程度のものが寸法精度が良いが、加工方法にて開口部１１ａ乃至１１ｃが形成できるなら最小寸法は３０μｍより小さくてもよい。開口部１１ａ乃至１１ｃの断面形状（基板１の厚さ方向）は垂直、順テーパー、逆テーパーやこれらの組み合わせの断面形状のものを使用することができるがこれらに限定されるものではない。尚、後述する実施例において発光層以外の層の蒸着に用いた蒸着マスクも同様である。

　（発光層）
　本実施形態で使用する発光層１３ａ乃至１３ｃとしてはスイッチング素子を用いて駆動できるものであれば限定されない。発光層が有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）発光層の場合、係る発光層に含まれる発光材料としては、蛍光材料及び燐光材料を使用することができ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　蛍光材料としては、赤色発光の場合には、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ポルフィリン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体などが挙げられる。緑色発光の場合には、フルオロレニウム化合物、フルオレセン化合物、クマリン誘導体、キナクリドンとその誘導体、アントラセン化合物、チアジアゾール化合物などが挙げられる。青色発光の場合には、カルバゾール系化合物、シアン系化合物、フルオレン化合物、ジスチリルジアミン系化合物などのジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン及びペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体などが挙げられる。

　また、燐光材料も燐光を発するものであれば特に限定されない。例えば、緑色発光の場合には、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム、アルミニウムなどの金属錯体やカルバゾール系化合物、アントラセン化合物などが挙げられる。赤色発光の場合には、イリジウム、白金、パラジウム、ルテニウム、レニウム、オスミウム、などの金属錯体などが挙げられる。青色発光の場合には、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウムなどの金属錯体を用いることができる。

　発光層１３ａ乃至１３ｃ中には、前述の発光材料の他に、発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料を含んでいてもよい。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成しその励起子のエネルギーを発光材料に移り発光材料を励起する。このようなホスト材料を用いる場合、ゲスト材料である発光材料はドーパントとしてホスト材料にドープして用いられる。

　ホスト材料としては、使用する発光材料に対して適切に選択する。ホスト材料としては、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、トリアリールアミン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、キノリノラト系金属錯体、シロール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、ジカルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、リン誘導体などが挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることもできる。ホスト材料への発光材料のドープ量は発光効率などから適切に選択すればよく０．０１質量％乃至１０質量％程度であるのが好ましい。

　尚、上記には有機ＥＬ発光装置について説明したが、発光材料を化合物半導体やペロブスカイト化合物に置き換えることで無機ＥＬ発光装置を構成することができる。

　化合物半導体としては、赤色発光の場合には、例えばＳｒＳｅ、ＳｒＳｅＢａ、Ｓｒ_３（ＰＯ_４）_２などが使用でき、青色発光の場合には、例えばＺｎＳｅやＺｎＳｅのドープされた化合物が挙げられ、ＣｄＳｅ、ＺｎＯもまたドーピングによって青色発光材料として使用することができる。緑色発光の場合には、ＣｄＺｎ、ＳｅＳ、ＺｎＳｅのドープ及び不純物の制御により緑色発光材料として使用することができる。

　ペロブスカイト化合物はＡ、Ｂ及びＸを成分とするペロブスカイト型結晶構造を有する。Ａ、Ｂ及びＸを成分とするペロブスカイト化合物としては、特に限定されず、３次元構造、２次元構造、疑似２次元構造のいずれかの構造を有する化合物であってもよい。３次元構造の場合には、ペロブスカイト化合物はＡＢＸ_３で表され、２次元構造の場合にはＡ_２ＢＸ_４で表される。

　ＡＢＸ_３で表される３次元構造のペロブスカイト化合物の具体例としては、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣｓＰｂＣｌ_３、ＣｓＰｂＩ_３、ＣｓＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＣｓＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＦＡＰｂＢｒ_３、ＦＡＰｂＣｌ_３、ＦＡＰｂＩ_３、ＦＡＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＦＡＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＦＡＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）、ＭＡＰｂＢｒ_３、ＭＡＰｂＣｌ_３、ＭＡＰｂＩ_３、ＭＡＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｉｙ（０＜ｙ＜３）、ＭＡＰｂＢｒ_{（３－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜３）が挙げられる。

　Ａ_２ＢＸ_４で表される２次元構造のペロブスカイト化合物の好ましい具体例としては、Ｃｓ_２ＰｂＢｒ_４、Ｃｓ_２ＰｂＣｌ_４、Ｃｓ_２ＰｂＩ_４、Ｃｓ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）、Ｃｓ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、ＦＡ_２ＰｂＢｒ_４、ＦＡ_２ＰｂＣｌ_４、ＦＡ_２ＰｂＩ_４、ＦＡ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）、ＦＡ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、ＦＡ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｃｌ_ｙ（０＜ｙ＜４）、ＭＡ_２ＰｂＢｒ_４、ＭＡ_２ＰｂＣｌ_４、ＭＡ_２ＰｂＩ_４、ＭＡ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｉ_ｙ（０＜ｙ＜４）、ＭＡ_２ＰｂＢｒ_{（４－ｙ）}Ｃｌｙ（０＜ｙ＜４）が挙げられる。

　尚、上記の記載中、「ＦＡ」はホルムアミジニウムを、「ＭＡ」はメチルアンモニウムを意味する。

　また、ペロブスカイト化合物にはＥｕ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｍ、Ｈｏ、Ｔｂがドープされたものも用いてもよい。

　（発光層以外の有機化合物層）
　本実施形態において、発光層が有機ＥＬ発光層の場合、発光層１３ａ乃至１３ｃと下部電極２との間、或いは上部電極１４との間には一般的な有機ＥＬ発光装置の構成の積層構造をとることができる。具体的には正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層などの複数層の構成にする。この他電子障壁層や付着改善層なども挿入してもよい。

　本実施形態において下部電極２上に発光層１３ａ乃至１３ｃを蒸着するということは正孔注入層／正孔輸送層もしくは電子輸送層／電子注入層などの複数層を介し、直接下部電極２上と発光層１３ａ乃至１３ｃとが接触しなくても下部電極２上に発光層１３ａ乃至１３ｃを蒸着することをいう。

　本実施形態において発光層１３ａ乃至１３ｃ以外の層が画素４ａ乃至４ｃで共通の材料を使用するのであれば、蒸着マスク１０ａ乃至１０ｃを使用しないでリフトオフ層８を蒸着してもよい。また、画素４ａ乃至４ｃで異なる材料を使用するのであれば、発光層１３ａ乃至１３ｃの蒸着と同様に一の発光層に対応する開口部１１ａ乃至１１ｃを有する蒸着マスク１０ａ乃至１０ｃを使用して蒸着してもよい。

　本実施形態で使用する正孔注入層としては、アリールアミン類、フタロシアニン類、ルイス酸ドープ有機層等が挙げられる。正孔輸送層としてはアリールアミン類が挙げられる。正孔輸送層に用いる材料としては、フタロシアニン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、オキソジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができる。この他に、酸化モリブデン、酸化タングステン等の酸化物やこれらの混合物を用いることができる。正孔輸送層は、正孔注入性、正孔輸送性を備える有機化合物の単層又は複数の層からなる。正孔輸送層、電子輸送層として、発光層１３ａ乃至１３ｃで発生した励起子の拡散を抑制するための励起子阻止層としての機能を併せて持たせてもよい。

　本実施形態で使用する電子注入層としてはアルカリ金属やアルカリ土類金属及びそれらの化合物やアルカリ金属をドープした有機層などが挙げられる。本実施形態で使用する電子輸送層としてはアルミ錯体やオキサジアゾール、フェナントロリン、トリアゾール類などが挙げられる。電子輸送層に用いる材料としては、フェニルキノキサリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルミキノリノール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体等が挙げられる。この他に、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属、及びこれらの化合物を用いることができる。また、これらのうちの１種又は２種以上組み合わせて用いてもよい。電子注入性、電子輸送性を備える有機化合物の単層又は複数の層からなる。また、電子輸送層として、正孔阻止層としての機能を併せて持たせてもよい。

　本実施形態の発光装置を、発光層が２層以上積層されたタンデム型、又は積層型とする場合、係る２層の発光層間に介在する電荷発生層（ＣＧＬ）は、中間電極として機能し、性能において重要な役割を果たし、それぞれ、電子及び正孔の注入ためのｎ－ドープ層及びｐ－ドープ層からなる。電子及び正孔は、前記ＣＧＬ及び電極から供給される。前記ＣＧＬ中の消費された電子及び正孔は、それぞれカソード及びアノードから注入された電子及び正孔によって再び満たされ、その後バイポーラ電流が徐々に安定した状態に達する。典型的なＣＧＬ材料は、輸送層で用いられるｎ型及びｐ型伝導性ドーパントを含む。タンデム型、又は積層型の有機ＥＬ発光装置では同一画素上に発光層が二層以上の構成をとり、係る実施形態では同一画素上の発光層は必ずしも同じ発光色である必要はない。

　電荷発生層としては例えばＬｉＯ２やＬｉ／Ｖ２Ｏ５、Ｃｓ２ＣＯ３やこれらの複合酸化物の混合物が挙げられる。また、金属ドープ層は、このような材料に限定されることがなく、例えば、Ｃａ、Ｂａやアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、Ｉｎ、Ｍｇ等の仕事関数の小さい金属、又はこれら金属の酸化物及び複合酸化物及びフッ化物の混合物や合金として安定性を高めて用いてもよい。

　（上部電極）
　発光層１３ａ乃至１３ｂ上には、上部電極１４が形成される。本実施形態で使用する上部電極１４はボトムエミッション型かトップエミッション型かによって陰極や陽極の好ましい材料が異なる。トップエミッション型では透明であることが必要である。透明電極としてはＩＴＯ、ＺｎＯ、ＦＴＯ、ＩｎＧａＺｎ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ、ＩｎＧａＺｎＯ系も利用可能である。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属をドープした合金を上部電極１４とすることが出来る。

　ボトムエミッション型の場合には透明である必要はなく陽極の場合には仕事関数の大きなＡｌやＡｕ合金やＰｔ合金等を用いられ、陰極の場合にはＡｇ添加Ｍｇ、Ｌｉ添加Ａｌ、シリサイド、ホウ化物、窒化物などが利用可能である。

　（その他の部材）
　上部電極上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてもよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてもよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。

　第二電極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、第二電極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機化合物層に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、第二電極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機化合物層に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、第二電極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、ＣＶＤ法で厚さ２μｍの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。ＣＶＤ法の成膜の後で原子堆積法（ＡＬＤ法）を用いた保護層を設けてもよい。ＡＬＤ法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってもよい。ＡＬＤ法で形成した膜の上に、さらにＣＶＤ法で窒化ケイ素を形成してもよい。ＡＬＤ法による膜は、ＣＶＤ法で形成した膜よりも小さい膜厚であってもよい。具体的には、５０％以下、さらには、１０％以下であってもよい。

　カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は、下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されていてもよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。

　平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられる。

　有機発光素子又は該有機発光素子を有する有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してもよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光素子又は有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてもよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してもよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。

　また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点をマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってもよい。

　（リムーバー）
　リフトオフ層８と絶縁層３との間に介在していたシランカップリング剤はリムーバーには溶解しにくいため、リフトオフ層８を除去した後に絶縁層３に残る。このため絶縁層３の上面にシランカップリング剤処理を行った場合には、絶縁層３の上面にケイ素化合物を含まない部分とケイ素化合物を含む部分とが生じる。絶縁層３に残ったシランカップリング剤は終端構造なため封止膜として使用されるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との結合を形成しにくく、絶縁層３とこれら封止膜との密着性は低いが、絶縁層３上にはケイ素化合物を含まない部分もあるため、係る部分において封止膜との密着性は担保され易い。

　本実施形態で使用するリムーバーの一例としては、ジメチルスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、スルホラン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、アセトン、ジオキサン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホルアミド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、ピリジン、プロピオニトリル、ブタノン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、エチレングリコールジアセテート、γ－ブチロラクトン、エタノールアミン、メタノール、エタノール、２－プロパノールが挙げられ、これらは１種類単独で又は２種類以上を併用して用いることができる。

　〔発光装置の用途〕
　本実施形態の発光装置は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。

　表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。表示装置は、複数の画素を有し、複数の画素に接続されたトランジスタを有していてもよい。

　また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

　次に、図面を参照しながら本実施形態に係る表示装置について説明する。

　図５の表示装置は、有機発光素子（有機ＥＬ発光素子）１２６とトランジスタの一例としてＴＦＴ１１８を有している。具体的には、ガラス、シリコン等の基板１１１とその上部に絶縁層１１２が設けられ、該絶縁層１１２の上に、ゲート電極１１３、ゲート絶縁膜１１４、半導体層１１５、ドレイン電極１１６、ソース電極１１７を有するＴＦＴ１１８が配置されている。ＴＦＴ１１８の上部には絶縁膜１１９が設けられ、該絶縁膜１１９に設けられたコンタクトホール１２０を介して有機発光素子１２６を構成する陽極１２１とソース電極１１７とが接続されている。有機発光素子１２６は、陽極１２１と有機化合物層１２２と陰極１２３とを有し、かかる有機化合物層１２２は、図１Ａ～図１Ｄ，図２Ａ～図２Ｃに示した発光層１３ａ乃至１３ｃのいずれかを有している。また、図５において、絶縁層３については図示を省略する。

　尚、有機発光素子１２６に含まれる電極（陽極１２１、陰極１２３）とＴＦＴ１１８に含まれる電極（ソース電極１１７、ドレイン電極１１６）との電気接続の方式は、図５に示される態様に限られるものではない。つまり陽極１２１、陰極１２３のうちいずれか一方と、ソース電極１１７、ドレイン電極１１６のいずれか一方とが電気接続されていればよい。ＴＦＴ１１８は、薄膜トランジスタを指す。

　陰極１２３の上には有機発光素子１２６の劣化を低減するための第一の保護層１２４や第二の保護層１２５が設けられている。

　本実施形態に係る有機発光素子１２６はＴＦＴ１１８により発光輝度が制御され、有機発光素子１２６を複数面内に設けることでそれぞれの発光輝度により画像を表示することができる。

　図５の表示装置ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えて他のスイッチング素子を用いてもよい。

　また図５の表示装置に使用されるトランジスタは、基板の絶縁性表面上に活性層を有するＴＦＴに限らず、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタでもよい。また、活性層としては、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体であってもよい。

　また、低温ポリシリコンで形成されているトランジスタや、Ｓｉ基板等の基板上に形成されたアクティブマトリクスドライバであってもよい。基板上とは、その基板内ということもできる。基板内にトランジスタを設けるか、ＴＦＴを用いるかは、表示部の大きさによって選択され、例えば０．５インチ程度の大きさであれば、Ｓｉ基板上に有機発光素子を設けることが好ましい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。

　図６は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９との間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８を有している。タッチパネル１００３及び表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタがプリントされている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。表示パネル１００５に本実施形態に係る発光装置が用いられる。

　本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられる。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。

　本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられる。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。

　図７Ａは、本発明に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有している。背面ディスプレイ１１０２には、本実施形態に係る発光装置が用いられる。表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってもよい。

　撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。従って、発光層として有機ＥＬ発光層を用いた表示装置を用いるのが好ましい。有機ＥＬ発光層は応答速度が速いからである。有機ＥＬ発光層を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。

　撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。

　図７Ｂは、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３は、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有している。表示部１２０１は本実施形態に係る発光装置を有している。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してもよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等が挙げられる。

　図８Ａ、図８Ｂは、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図８Ａは、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本実施形態に係る発光装置が用いられる。額縁１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図８Ａの形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。また、額縁１３０１及び表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってもよい。

　図８Ｂは本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図８Ｂの表示装置１３１０は折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、本実施形態に係る発光装置を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってもよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一及び第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。

　図９Ａは、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルタ１４０４と、光拡散部１４０５とを有している。光源１４０２は、本実施形態に係る発光装置を有している。光学フィルタ１４０４は光源の演色性を向上させるフィルタであってもよい。光拡散部１４０５は、ライトアップ等、光源１４０２の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ１４０４、光拡散部１４０５は、照明の光出射側に設けられてもよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

　照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってもよい。それらを調光する調光回路を有してもよい。照明装置は本実施形態に係る発光装置とそれに接続される電源回路を有している。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。

　また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有してもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコーン等が挙げられる。

　図９Ｂは、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってもよい。

　テールランプ１５０１は、本実施形態に係る発光装置を有している。テールランプ１５０１は、発光装置を保護する保護部材を有してもよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

　自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る発光装置を有している。この場合、発光装置が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

　本発明に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってもよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有している。灯具は、機体の位置を知らせるための発光を行う。灯具は本実施形態に係る発光装置を有する。

　図１０を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

　図１０（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した実施形態の表示装置が設けられている。

　眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

　図１０（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、図１０（ａ）の撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置とが搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置及び表示装置に電力を供給する電源として機能すると共に、撮像装置及び表示装置の動作を制御する。制御装置１６１２は、装着者の視線を検知する視線検知部を有していてもよい。視線の検知は赤外線を用いてもよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

　赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

　本実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してもよい。具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてもよい。

　また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域及び第二の表示領域から優先度が高い領域を決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してもよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてもよい。

　尚、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってもよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。

　視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

　（実施例１）
　本実施例では、図１Ａ～図１Ｄ，図２Ａ～図２Ｃに例示した工程に沿って、ボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置を製造した。

　基板１として、無アルカリガラスを使用し、トランジスタのスイッチング素子などからなる発光を制御する制御回路（不図示）が絶縁性の基板上に形成されているものを用いた。下部電極２にはＩＴＯを用い、２０μｍ×７０μｍパターンを互いに４μｍの間隔をおいて配置した。パターニングされた下部電極２間に、幅５μｍ、高さ１μｍのブラックレジストからなる絶縁層３を形成した。

　絶縁層３はヘキサメチルジシラザンのシランカップリング剤で処理後にリフトオフレジストを塗布し、現像液にアルカリ現像液を使用したフォトリソグラフィにてリフトオフ層８を形成した。

　リフトオフ層８は、高さが３μｍであり、底面となる絶縁層３への設置面の幅（図３Ａ～図３Ｄ中のＡ）が４μｍであり、上面は６μｍ幅の逆テーパー形状（図３Ａを有し、開口部は１９μｍ×６９μｍである。リフトオフ層８の開口部は画素４ａ乃至４ｃ上に位置するように配置した。

　本実施例においては、リフトオフ層８と絶縁層３との間にはシランカップリング剤が介在していることでリフトオフ層８は絶縁層３に固定されている。リフトオフ層８から露出した絶縁層３の上面ではシランカップリング剤がアルカリ現像液で除かれている。

　図１Ａの状態で、リフトオフ層８をマスクとして画素４ａ乃至４ｃ内に同時に不図示の正孔注入層／正孔輸送層を蒸着した。

　次に図１Ｂに示すように、第１の画素４ａのリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ａを有する蒸着マスク１０ａを配置した。蒸着マスク１０ａには２９μｍ×７９μｍの開口部１１ａが設けられている。蒸着マスク１０ａの開口部１１ａのうちリフトオフ層８側の面の開口幅ａは開口部１１ａの短辺で２９μｍ、長辺で７０μｍとなる。リフトオフ層８の上面１２の開口部の開口幅ｃは短辺で１９μｍ、長辺で６９μｍとなり、長辺と短辺でともにａ＞ｃの関係となる。また、リフトオフ層８の上面１２の幅ｂは６μｍであるため、ａ＜２ｂ＋ｃの関係となる。この状態で、図１Ｃに示すように、緑色発光材料を蒸着し、第１の画素４ａに不図示の正孔注入層／正孔輸送層を介して下部電極２上に第１の発光層１３ａとして緑色発光層を形成した。

　次に図１Ｄに示すように、第２の画素４ｂのリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｂを有する蒸着マスク１０ｂを配置し、この状態で赤色発光材料を蒸着し、不図示の正孔注入層／正孔輸送層を介して下部電極２上に第２の発光層１３ｂとして赤色発光層を形成した。開口部１１ｂの寸法は開口部１１ａと同じである。

　次に図２Ａに示すように、第３の画素４ｃのリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｃを有する蒸着マスク１０ｃを配置し、この状態で青色発光材料を蒸着し、不図示の正孔注入層／正孔輸送層を介して下部電極２上に第３の発光層１３ｃとして青色発光層を形成した。開口部１１ｃの寸法は開口部１１ａと同じである。

　リフトオフ層８上の蒸着マスク１０ｃを取り除き、リフトオフ層８をマスクとして不図示の電子輸送層と電子注入層、及び上部電極１４をこの順で画素４ａ乃至４ｃ全てに蒸着した。上部電極１４には、Ａｌ／ＬｉＦを用いた。

　次にリムーバーとしてＮ－メチル－２－ピロリドンを使用してリフトオフ層８を溶解させた。画素４ａ乃至４ｃ内の発光層１３ａ乃至１３ｃ上には不図示の電子輸送層／電子注入層、上部電極１４が有るため、発光層１３ａ乃至１３ｃはリムーバーには触れない。また、リフトオフ層８と絶縁層３との間に介在していたシランカップリング剤１６はリムーバーには溶解しにくいため絶縁層３上に残った。このため絶縁層３の上面は、ケイ素化合物を含まない部分とケイ素化合物を含む部分とが生じた。リフトオフ層８の蒸着物はリフトオフされ、緑色発光の第１の発光層１３ａ、赤色発光の第２の発光層１３ｂ、青色発光の第３の発光層１３ｃを備えた有機ＥＬ発光装置が製造された。

　（実施例２）
　本実施例では画素４ａ乃至４ｃのそれぞれで使用する材料が異なること以外は実施例１と同様の有機ＥＬ発光装置を製造した。具体例には、第１の画素４ａ及び第２の画素４ｂの正孔注入層／正孔輸送層の蒸着は図４Ａに示すように、画素４ａ、４ｂのリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｄを有する蒸着マスク１０ｄを配置して実施した。第３の画素４ｃの正孔注入層／正孔輸送層の蒸着は図４Ｂに示すように第３の画素４ｃのリフトオフ層８の開口部上に開口部１１ｅを有する蒸着マスク１０ｅを配置して実施した。尚、図４Ａ、図４Ｂ中の１５ａ、１５ｂは互いに異なる構成の正孔注入層／正孔輸送層を示す。

　（実施例３）
　下部電極下にＡｇ層を設けると共に、上部電極にＩＺＯ（Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ）を設けた以外は実施例１と同様にしてトップエミッション型の有機ＥＬ発光装置を製造した。

　（実施例４）
　本実施例では画素４ａ乃至４ｃ内の発光層１３ａ乃至１３ｃ上に電子輸送層／電子注入層を蒸着した後に電荷発生層としてＬｉＯ_２を蒸着した。次いで、該電荷発生層上に再び正孔注入層／正孔輸送層／発光層１３ａ乃至１３ｃ／電子輸送層／電子注入層／上部電極を蒸着した以外は実施例１と同様にして、画素内に発光層が二層積層したタンデム型の有機ＥＬ発光装置を製造した。

　（実施例５）
　発光層１３ａ乃至１３ｃを無機ＥＬ材料で形成した以外は実施例１と同様にして発光装置を製造した。具体的には緑色発光層はペロブスカイト化合物のＣｓＰｂＢｒ_３を、赤色発光層はペロブスカイト化合物のＣｓＰｂＩ_３を、青色発光層は化合物半導体のＺｎＳｅを使用した。

　（実施例６）
　図１Ａ～図１Ｄ、図２Ａ～図２Ｃに示した製造工程に沿って、有機ＥＬ発光装置を製造した。基板１には無アルカリガラスを使用し、該基板１上にトランジスタ等スイッチング素子などからなる制御回路（不図示）を形成した。係る基板１上に、２０μｍ×７０μｍパターンのＩＴＯからなる下部電極２を互いに４μｍの間隔をおいて配置した。下部電極２間には、幅が５μｍ、高さが１μｍのブラックレジストからなる絶縁層３を形成した。下部電極２上には不図示の正孔輸送層／正孔注入層を形成し、第１の画素４ａには緑色発光の第１の発光層１３ａ、第２の画素４ｂには赤色発光の第２の発光層１３ｂ、第３の画素４ｃには青色発光の第３の発光層１３ｃを蒸着した。各発光層１３ａ乃至１３ｃ上には不図示の電子注入層／電子輸送層を蒸着し、更にその上にＡｌ／ＬｉＦを上部電極１４として蒸着した。絶縁層３の上面には、ケイ素化合物を含まない部分とケイ素化合物を含む部分が設けられている。リフトオフ層８を除去した後、上部電極１４表面から絶縁層３表面にかけて連続して酸化ケイ素からなる封止膜（不図示）を設けた。係る封止膜と絶縁層３の上面のケイ素化合物を含まない部分とが強固に密着するため、封止膜による封止性が維持される。

　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために以下の請求項を添付する。

　本願は、２０２４年２月６日提出の日本国特許出願特願２０２４－０１６０５０を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てをここに援用する。

　１　基板
　２　下部電極
　３　絶縁層
　４ａ乃至４ｃ　画素
　８　リフトオフ層
　１０ａ乃至１０ｅ　蒸着マスク
　１１ａ乃至１１ｅ　開口部
　１２　リフトオフ層の上面
　１３ａ乃至１３ｃ　発光層
　１１８　トランジスタ
　１２００　電子機器
　１２０１，１３０２，１３１１，１３１２　表示部
　１２０３　筐体
　１３００，１３１０　表示装置
　１４００　照明装置
　１４０２　光源
　１４０４　光学フィルタ
　１４０５　光拡散部

Claims (16)

1. 　基板と、前記基板上に配置された複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う絶縁層と、前記下部電極上であって、前記絶縁層で区画された画素に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有する発光装置の製造方法であって、
   　前記複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う前記絶縁層と、前記絶縁層で区画された画素上を開口部として有するリフトオフ層と、が設けられた基板を用意する工程と、
   　前記画素の下部電極上に発光層を蒸着する工程と、
   　前記リフトオフ層を基板から剥離する工程と、を有し、
   　前記発光層の蒸着が、前記リフトオフ層の開口部上に開口部を有する蒸着マスクを配置して蒸着することを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 　前記絶縁層が遮光層であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 　前記発光層の発光色が複数であり、
   　前記発光層の蒸着は、発光色毎に行われ、蒸着される発光層とは発光色が異なる発光層の画素の前記リフトオフ層の開口部は、前記蒸着マスクで覆われていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
4. 　前記蒸着マスクの開口部のうち、前記リフトオフ層の側の面の開口幅をａとし、前記リフトオフ層の上面の開口部の開口幅をｃとした時、ａ＞ｃの関係となることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
5. 　前記蒸着マスクの開口部のうち、前記リフトオフ層の側の面の開口幅をａとし、前記リフトオフ層の上面の幅をｂとし、前記リフトオフ層の上面の開口部の開口幅をｃとした時、ａ＜２ｂ＋ｃの関係となることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
6. 　前記リフトオフ層の側面が前記絶縁層に接する部位における前記リフトオフ層の幅をＡ、リフトオフ層の最大幅をＢとした時、Ａ＜Ｂであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
7. 　同一の画素に発光層を二層以上形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
8. 　前記発光層が有機エレクトロルミネッセンス化合物、化合物半導体、ペロブスカイト化合物のいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
9. 　基板と、前記基板上に配置された複数の下部電極と、前記下部電極の端を覆う絶縁層と、前記下部電極上であって、前記絶縁層で区画された画素に配置された発光層と、前記発光層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有し、前記発光層の発光色が複数である発光装置であって、
   　前記絶縁層の上面が、ケイ素化合物を含まない部分とケイ素化合物を含む部分とを有することを特徴とする発光装置。
10. 　前記絶縁層が遮光層であることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
11. 　前記発光層が有機エレクトロルミネッセンス化合物を含むことを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
12. 　請求項９に記載の発光装置と、前記発光装置の各画素に接続されたトランジスタと、を有することを特徴とする表示装置。
13. 　複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部と、を有し、
    　前記表示部は請求項９に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
14. 　請求項９に記載の発光装置を有する表示部と、前記表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有することを特徴とする電子機器。
15. 　請求項９に記載の発光装置を有する光源と、前記光源が発する光を透過する光拡散部又は光学フィルタと、を有することを特徴とする照明装置。
16. 　請求項９に記載の発光装置を有する灯具と、前記灯具が設けられた機体と、を有することを特徴とする移動体。