WO2025115602A1 - 基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

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WO2025115602A1
WO2025115602A1 PCT/JP2024/040233 JP2024040233W WO2025115602A1 WO 2025115602 A1 WO2025115602 A1 WO 2025115602A1 JP 2024040233 W JP2024040233 W JP 2024040233W WO 2025115602 A1 WO2025115602 A1 WO 2025115602A1
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WO
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glass substrate
silicon
containing film
film
substrate
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Pending
Application number
PCT/JP2024/040233
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English (en)
French (fr)
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文昭 田中
大海 及川
和也 北村
智仁 山地
秀機 功刀
博之 冨田
大樹 前原
晃祥 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • Various aspects and embodiments of the present disclosure relate to substrate processing methods and substrate processing systems.
  • Patent Document 1 discloses that "When multiple cut thin glass substrates are combined and used as a light guide plate, the cut thin glass substrates are typically stacked and used as the light guide plate. The light guide is applied to display devices such as head-mounted displays.”
  • the present disclosure provides a substrate processing method and a substrate processing system that can perform processes such as film formation and etching on glass substrates.
  • the processing target is a glass substrate, and to perform processing such as film formation and etching on the glass substrate.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram illustrating an example of a substrate processing system according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a film forming apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a structure of a boat.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the vicinity of a claw portion of a boat.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of an etching apparatus.
  • FIG. 6 is a plan view showing an example of a processing apparatus group.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of a sensing method.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to the first embodiment.
  • FIG. 9A is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • FIG. 9B is a diagram showing an example of a process of processing a glass substrate.
  • FIG. 9C is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of transmittance for each combination of film thickness and light wavelength when the protective film is made of polysilicon.
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of transmittance for each combination of film thickness and light wavelength when the protective film is made of amorphous silicon.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to the second embodiment.
  • FIG. 13A is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • FIG. 13A is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • FIG. 13B is a diagram showing an example of a process for treating a glass substrate.
  • FIG. 13C is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • FIG. 13D is a diagram showing an example of a process for treating a glass substrate.
  • FIG. 13E is a diagram showing an example of a process for treating a glass substrate.
  • FIG. 13F is a diagram showing an example of a process for processing a glass substrate.
  • microfabrication technology using glass substrates has been used to manufacture high-performance optical elements such as AR (Augmented Reality) glass.
  • processes such as etching and film deposition are performed on glass substrates.
  • commercially available glass substrates may have metal elements used during the manufacturing process attached to their surfaces. Therefore, when commercially available glass substrates are used as is in a processing device for etching, film formation, or other processes, the components inside the processing device that come into contact with the glass substrate may become contaminated with metal elements. If the components inside the processing device are contaminated with metal elements, the metal elements may become mixed in during the etching or film formation process on the glass substrate, causing defects in the optical element.
  • This disclosure has an aspect that can suppress metal contamination inside processing equipment caused by glass substrates.
  • FIG. 10 is a system configuration diagram showing an example of a substrate processing system 10 according to an embodiment of the present disclosure.
  • the substrate processing system 10 according to the present embodiment includes a control device 20, a film forming device 30, an etching device 40, and a processing device group 50.
  • the film forming device 30 forms a protective film on both surfaces and the side of the glass substrate W, thereby covering both surfaces and the side of the glass substrate W with the protective film.
  • the protective film is a silicon-containing film such as polysilicon or amorphous silicon.
  • the etching device 40 removes the protective film that covers the surface (hereinafter referred to as the first surface) of the glass substrate W that is covered with the protective film and on which processing such as film formation and etching is performed.
  • the etching device 40 is an example of a removal device.
  • the processing device group 50 includes processing devices that perform processes such as film formation and etching on the glass substrate W.
  • the processing devices perform processes such as film formation and etching on the first surface of the glass substrate W from which the protective film has been removed.
  • the control device 20 has a memory, a processor, and an input/output interface. Data such as recipes and programs are stored in the memory.
  • the memory is, for example, a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), a HDD (Hard Disk Drive), or an SSD (Solid State Drive).
  • the processor is, for example, a CPU (Central Processing Unit) or a DSP (Digital Signal Processor). The processor executes a program read from the memory, and controls each part of the film forming device 30, the etching device 40, and the processing device group 50 via the input/output interface based on data such as recipes stored in the memory.
  • Fig. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of the film formation apparatus 30.
  • Fig. 2 shows a batch-type vertical heat treatment apparatus as an example of the film formation apparatus 30.
  • the film formation apparatus 30 may be a single-wafer type film formation apparatus as long as it is an apparatus capable of forming a silicon-containing film on both surfaces and a side surface of a glass substrate.
  • the film forming apparatus 30 is equipped with a substantially cylindrical reaction tube 32 whose longitudinal direction extends vertically.
  • the reaction tube 32 has a double-tube structure including an inner tube 33 and an outer tube 34 with a ceiling that covers the inner tube 33 and is formed to have a certain distance from the inner tube 33.
  • the inner tube 33 and the outer tube 34 are formed from a material with excellent heat resistance and corrosion resistance, such as quartz.
  • the manifold 35 is airtightly connected to the lower end of the outer tube 34.
  • the inner tube 33 protrudes from the inner wall of the manifold 35 and is supported by a support ring 36 formed integrally with the manifold 35.
  • a lid body 37 is disposed below the manifold 35.
  • the lid body 37 is configured to be movable up and down by a boat elevator 38.
  • the lid body 37 is raised by the boat elevator 38, the lower side (furnace opening portion) of the manifold 35 is closed.
  • the lid body 37 is lowered by the boat elevator 38, the lower side (furnace opening portion) of the manifold 35 is opened.
  • a boat 39 made of, for example, quartz is placed on the lid 37.
  • the boat 39 is configured to accommodate multiple glass substrates W at predetermined intervals along the extension direction of the reaction tube 32.
  • Figure 3 shows an example of the structure of the boat 39.
  • the boat 39 has a top plate 391 and a bottom plate 392.
  • a plurality of pillars 393 are provided between the top plate 391 and the bottom plate 392.
  • Auxiliary pillars 394 are provided between the pillars 393.
  • the pillars 393 are provided with claw portions 393a at predetermined intervals for supporting the glass substrates W.
  • the claw portions 393a protrude toward the center of the boat 39 and are formed to have a surface that is approximately parallel to the top plate 391 and the bottom plate 392.
  • Figure 4 is an enlarged cross-sectional view showing an example of the vicinity of the claw portion 393a of the boat 39.
  • the claw portion 393a supports the edge portion of the glass substrate W on the upper surface of the claw portion 393a. This allows a protective film 60 to be formed on the first surface W1 of the glass substrate W, the second surface W2 behind the first surface W1, and the side surface W3 of the glass substrate W.
  • the first surface W1 of the glass substrate W is the surface on which the optical elements are formed.
  • an insulator 311 is provided so as to surround the reaction tube 32.
  • a heater 312, such as a resistance heating element, is provided on the inner wall surface of the insulator 311. The heater 312 heats the inside of the reaction tube 32 to a predetermined temperature, and the glass substrate W is heated to the predetermined temperature.
  • Pipes 313 for introducing multiple process gases are connected to the side of the manifold 35. Specifically, the pipes 313 are connected to the side of the manifold 35 below the support ring 36 (below the inner tube 33). The pipes 313 supply process gas to the space within the reaction tube 32. Note that, although one pipe 313 is depicted in the example of FIG. 2, a number of pipes 313 may be connected according to the type of process gas supplied to the space within the inner tube 33. In this embodiment, in order to form a protective film 60, which is a silicon-containing film, on the surface of the glass substrate W, for example, silane gas is used as the process gas.
  • the pipe 313 is connected to a process gas supply source (not shown) via a mass flow controller (not shown) or the like. This allows a predetermined amount of process gas to be supplied from the process gas supply source via the pipe 313 to the space within the reaction tube 32.
  • the side of the manifold 35 is provided with an exhaust port 314 for exhausting gas from the space inside the reaction tube 32.
  • the exhaust port 314 is provided above the support ring 36 and communicates with the space formed between the inner tube 33 and the outer tube 34 inside the reaction tube 32.
  • An exhaust pipe 316 is airtightly connected to the exhaust port 314.
  • a valve 17 and a vacuum pump 318 are provided on the exhaust pipe 316.
  • the valve 317 adjusts the opening of the exhaust pipe 316 to control the pressure inside the reaction tube 32 to a predetermined pressure.
  • the vacuum pump 318 exhausts the gas inside the reaction tube 32 via the exhaust pipe 316.
  • a pipe 315 for supplying purge gas is inserted below the exhaust port 314 on the side of the manifold 35.
  • a purge gas supply source (not shown) is connected to the pipe 315, and a predetermined amount of purge gas (e.g., nitrogen gas) is supplied from the purge gas supply source through the pipe 315 into the reaction tube 32.
  • purge gas e.g., nitrogen gas
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an example of the etching apparatus 40.
  • the etching apparatus 40 includes a chamber 420, a substrate holding mechanism 430, a liquid supply unit 440, and a collection cup 450.
  • the chamber 420 houses a substrate holding mechanism 430, a liquid supply unit 440, and a collection cup 450.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 421 is provided on the ceiling of the chamber 420. The FFU 421 creates a downflow within the chamber 420.
  • the FFU 421 is connected to a gas supply source 423 via a valve 422.
  • the FFU 421 discharges gas such as dry air supplied from the gas supply source 423 into the chamber 420.
  • the substrate holding mechanism 430 includes a rotating holding part 431, a support part 432, and a driving part 433.
  • the rotating holding part 431 is provided in approximately the center of the chamber 420.
  • a holding member 4311 that holds the glass substrate W from the side is provided on the upper surface of the rotating holding part 431.
  • the holding member 4311 holds the glass substrate W so that the first surface W1 faces upward.
  • the holding member 4311 also holds the glass substrate W horizontally with the glass substrate W slightly spaced from the upper surface of the rotating holding part 431.
  • the support portion 432 is a member extending in the vertical direction, its base end is rotatably supported by the drive portion 433, and its tip end horizontally supports the rotation holder 431.
  • the drive portion 433 rotates the support portion 432 around the vertical axis.
  • the substrate holding mechanism 430 rotates the support part 432 using the drive part 433, thereby rotating the rotating holding part 431 supported by the support part 432. This causes the glass substrate W held by the rotating holding part 431 to rotate.
  • the rotating holder 431 is not limited to a type that holds the glass substrate W from the side, but may be a type that holds the glass substrate W by suction from below, such as a vacuum chuck.
  • the liquid supply unit 440 supplies various processing liquids to the glass substrate W held by the substrate holding mechanism 430.
  • the liquid supply unit 440 includes multiple nozzles 441a, 441b (two in the example of FIG. 5), an arm 442 that horizontally supports the nozzles 441a, 441b, and a pivoting and lifting mechanism 443 that pivots and raises and lowers the arm 442. Note that the nozzles 441a and 441b may be supported by separate arms.
  • An etching liquid supply source 445a is connected to the nozzle 441a via a valve 444a and a flow regulator 446a.
  • a rinsing liquid supply source 445b is connected to the nozzle 441b via a valve 444b and a flow regulator 446b.
  • the etching solution supplied from the etching solution supply source 445a is discharged from the nozzle 441a.
  • the etching solution in this embodiment is, for example, TMAH (tetramethylammonium hydroxide), fluoronitric acid, or fluoronitric acid acetic acid.
  • Rinse liquid supplied from rinse liquid supply source 445b is ejected from nozzle 441b.
  • the rinse liquid is, for example, DIW (deionized water).
  • the collection cup 450 is disposed to surround the rotating holder 431, and collects the processing liquid scattered from the glass substrate W by the rotation of the rotating holder 431.
  • a drain port 451 is formed at the bottom of the collection cup 450, and the processing liquid collected by the collection cup 450 is discharged from the drain port 451 to the outside of the etching apparatus 40.
  • an exhaust port 452 is formed at the bottom of the collection cup 450, which discharges the gas supplied from the FFU 421 to the outside of the etching apparatus 40.
  • the number of nozzles provided in the etching device 40 is not limited to the above example, and may be, for example, a configuration including a single nozzle that ejects the etching liquid and the rinsing liquid.
  • An etching solution is supplied from the nozzle 441a to the glass substrate W held by the holding member 4311 with the first surface W1 facing upward, thereby removing the protective film 60 formed on the first surface W1 of the glass substrate W. At this time, the protective film 60 formed on the second surface W2 and side surface W3 of the glass substrate W remains without being removed.
  • FIG. 6 is a plan view showing an example of a processing apparatus group 50.
  • the processing apparatus group 50 includes a vacuum transfer chamber 51, a plurality of processing apparatuses 52, a plurality of load lock chambers 53, and an atmospheric transfer chamber 54.
  • the vacuum transfer chamber 51 is an example of a transfer chamber.
  • a processing device 52 is connected to the side wall of the vacuum transfer chamber 51 via a gate valve G1. Note that, in the example of FIG. 6, eight processing devices 52 are connected to the vacuum transfer chamber 51, but the disclosed technology is not limited to this. The number of processing devices 52 connected to the vacuum transfer chamber 51 may be seven or less, or nine or more.
  • each processing device 52 processes the first surface W1 of the glass substrate W by performing processes such as film formation and etching on the first surface W1 of the glass substrate W, thereby processing the first surface W1 of the glass substrate W or forming a structure on the first surface W1 of the glass substrate W.
  • a number of load lock chambers 53 are connected to the other side wall of the vacuum transfer chamber 51 via gate valve G2.
  • two load lock chambers 53 are connected to the vacuum transfer chamber 51, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the number of load lock chambers 53 connected to the vacuum transfer chamber 51 may be one, or three or more.
  • a transfer device 511 is disposed within the vacuum transfer chamber 51.
  • the transfer device 511 moves within the vacuum transfer chamber 51 along a guide rail 510 provided within the vacuum transfer chamber 51.
  • the transfer device 511 transfers the glass substrate W between the processing device 52 and the load lock chamber 53.
  • the interior of the vacuum transfer chamber 51 is maintained at a pressure atmosphere lower than atmospheric pressure. Note that the transfer device 511 may be configured to be fixed at a predetermined position within the vacuum transfer chamber 51 and not to move within the vacuum transfer chamber 51.
  • One side wall of the load lock chamber 53 is connected to the vacuum transfer chamber 51 via gate valve G2, and the other side wall is connected to the atmospheric transfer chamber 54 via gate valve G3.
  • a plurality of load ports 55 are provided on a side wall of the atmospheric transfer chamber 54 other than the side wall on which the gate valve G3 is provided.
  • Each load port 55 is connected to a container such as a FOUP (Front Opening Unified Pod) capable of accommodating a plurality of glass substrates W.
  • the atmospheric transfer chamber 54 may be provided with an aligner module or the like that changes the orientation of the glass substrates W.
  • the pressure inside the atmospheric transfer chamber 54 is atmospheric pressure.
  • a transfer device 541 is provided inside the atmospheric transfer chamber 54.
  • the transfer device 541 moves inside the atmospheric transfer chamber 54 along a guide rail 540 provided inside the atmospheric transfer chamber 54, and transfers the glass substrate W between the load lock chamber 53 and a container connected to the load port 55.
  • the transfer device 541 may be fixed at a predetermined position inside the atmospheric transfer chamber 54 and may not move inside the atmospheric transfer chamber 54.
  • the protective film 60 is formed too thick on the glass substrate W. However, if the protective film 60 is too thin, the light emitted from the light emitting portion 56a will pass through the protective film 60.
  • the protective film 60 is also formed on the side surface W3 of the glass substrate W.
  • the light emitting portion 56a emits light in a direction along the side surface W3 (thickness direction of the glass substrate W) to the protective film 60 formed on the side surface W3 of the glass substrate W. Since the glass substrate W has a thickness of 700 ⁇ m or more, the protective film 60 formed on the side surface W3 has a thickness of 700 ⁇ m or more in the direction along the side surface W3. As a result, even if the protective film 60 is not formed so thick on the second surface W2 of the glass substrate W, the protective film 60 formed on the side surface W3 can block the light emitted from the light emitting portion 56a. As a result, in this embodiment, the position of the glass substrate W can be detected by the sensor 56 while preventing deformation of the glass substrate W.
  • commercially available glass substrates W may have metal elements, etc., used during the manufacturing process, adhering to their surfaces. Therefore, if a commercially available glass substrate W is used as is in processing equipment 52 for etching, film formation, etc., the members inside the chamber of processing equipment 52 that come into contact with the glass substrate W may be contaminated with metal elements. If the members inside the chamber are contaminated with metal elements, the metal elements may get mixed in during the etching or film formation process on the glass substrate W, causing defects in the optical element.
  • step S10 the glass substrate W is covered with a protective film 60 having a thickness of 40 nm or more. This makes it possible to prevent the components in the chamber of the processing device 52 that come into contact with the glass substrate W from being contaminated with metal elements during the subsequent etching and film formation processes on the glass substrate W.
  • step S11 is an example of process b).
  • step S11 as shown in FIG. 9B, for example, the protective film 60 formed on the first surface W1 of the glass substrate W is removed by the etching device 40, and the first surface W1 is exposed.
  • step S11 the second surface W2 and the side surface W3 remain covered with the protective film 60.
  • the protective film 60 formed on at least one of the second surface W2 and the side surface W3 can block the light emitted from the light emitting element 56a, making it possible to detect the position of the glass substrate W.
  • the substrate processing method in the first embodiment includes steps a) and b).
  • a silicon-containing film (protective film 60) is formed on a first surface (first surface W1) of a glass substrate (glass substrate W) and a second surface (second surface W2) that is the reverse surface of the first surface.
  • the silicon-containing film formed on the first surface is removed. This makes it possible to suppress metal contamination by the glass substrate.
  • the first embodiment described above is a substrate processing system 10 that includes a film forming apparatus (film forming apparatus 30), a removal apparatus (etching apparatus 40), and a processing apparatus (processing apparatus 52).
  • the film forming apparatus forms a silicon-containing film on a first surface of a glass substrate and a second surface that is the reverse side of the first surface, and the removal apparatus removes the silicon-containing film formed on the first surface of the glass substrate.
  • the processing apparatus performs at least one of film forming and etching processes on the first surface of the glass substrate from which the silicon-containing film has been removed. This makes it possible to suppress metal contamination by the glass substrate.
  • the protective film 60 on the first surface W1 on which the optical elements are to be formed is removed, and the optical elements are formed on the first surface W1 from which the protective film 60 has been removed.
  • the protective film 60 formed on the first surface W1 on which the optical elements are to be formed is processed to form optical elements that include a part of the protective film 60 formed on the first surface W1. The following will mainly describe the parts that are different from the first embodiment.
  • FIG. 12 is a flowchart showing an example of a substrate processing method according to the second embodiment. The process shown in Fig. 12 is realized by the control device 20 controlling each part of the film forming device 30, the etching device 40, and the processing device group 50.
  • a protective film 60 is formed on the glass substrate W (step S20).
  • Step S20 is an example of process c).
  • the protective film 60 which is a silicon-containing film, is formed on the first surface W1, the second surface W2, and the side surface W3 of the glass substrate W.
  • the protective film 60 is formed by the film forming apparatus 30, so that the protective film 60 is simultaneously formed on the first surface W1, the second surface W2, and the side surface W3 of the glass substrate W.
  • step S21 a silicon oxide film is formed (step S21).
  • the glass substrate W covered with the protective film 60 is carried into a film forming apparatus in the processing apparatus group 50.
  • a silane-containing gas such as monosilane gas is introduced into the film forming apparatus as a raw material gas
  • an oxygen-containing gas such as oxygen gas or ozone gas is introduced into the film forming apparatus as a reactive gas.
  • a silicon oxide film 70 is formed on the protective film 60 formed on the first surface W1 of the glass substrate W, as shown in FIG. 13A, for example.
  • the silicon oxide film 70 may be formed by a method other than the CVD (Chemical Vapor Deposition) method, such as the PVD (Physical Vapor Deposition) method, the ALD (Atomic Layer Deposition) method, or spin coating.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • PVD Physical Vapor Deposition
  • ALD Atomic Layer Deposition
  • step S20 if the thickness of the protective film 60 formed on the first surface W1 is not sufficient for forming an optical element, a process of forming a further protective film 60 on the protective film 60 formed on the first surface W1 may be carried out between steps S20 and S21.
  • the process of forming a further protective film 60 on the protective film 60 formed on the first surface W1 is an example of process e).
  • step S20 if the thickness of the protective film 60 formed on the first surface W1 is greater than the thickness required for forming the optical element, an etching process for reducing the thickness of the protective film 60 formed on the first surface W1 may be performed between steps S20 and S21.
  • the etching process for reducing the thickness of the protective film 60 formed on the first surface W1 is an example of process f).
  • step S20 If, in step S20, the thickness of the protective film 60 formed on the first surface W1 is not sufficient to form the optical element, then between steps S20 and S21, a further protective film 60 is formed on the protective film 60 formed on the first surface W1.
  • the thickness of the protective film 60 may then be fine-tuned by etching the protective film 60 until the thickness of the formed protective film 60 reaches the thickness required to form the optical element.
  • step S22 a hard mask is formed (step S22).
  • the glass substrate W on which the silicon oxide film 70 has been formed is carried into a coating device in the processing device group 50.
  • a processing liquid for forming a hard mask is applied onto the silicon oxide film 70 by the coating device, and a hard mask 71 including a spin-on carbon film 71a and a spin-on glass film 71b is formed on the silicon oxide film 70, as shown in FIG. 13B, for example.
  • the hard mask 71 includes two layers, a spin-on carbon film 71a and a spin-on glass film 71b, but the hard mask 71 may include only one of the spin-on carbon film 71a or the spin-on glass film 71b.
  • the hard mask 71 may also include a metal-containing film, a silicon oxynitride film, or a back surface anti-reflective film, etc.
  • step S23 a resist film is formed (step S23).
  • a processing liquid for forming a resist film is applied onto the hard mask 71, thereby forming a resist film on the hard mask 71.
  • the glass substrate W on which the resist film has been formed is then carried into an exposure device in the processing device group 50, and a predetermined pattern is exposed onto the resist film.
  • the glass substrate W on which the resist film has been exposed into the predetermined pattern is then carried into a developing device in the processing device group 50, and developed.
  • a resist film 72 of a predetermined pattern is formed on the hard mask 71, as shown in FIG. 13C, for example.
  • the resist film 72 is, for example, a photoresist film for EUV (Extreme Ultraviolet).
  • the patterning of the resist film may be performed, for example, by placing a mold (mask) on which a pattern is formed on the resist film, and irradiating the resist film with ultraviolet light or performing a heat treatment through the mold to harden the resin resist film.
  • the patterning of the resist film may be performed by nanoimprint lithography.
  • step S24 the glass substrate W on which the resist film 72 of a predetermined pattern is formed is carried into an etching device in the processing device group 50. Then, an etching gas such as a fluorine-containing gas is introduced into the etching device, and the hard mask 71 is etched using the resist film 72 as a mask. As a result, a pattern corresponding to the resist film 72 is transferred to the hard mask 71, as shown in FIG. 13D, for example.
  • etching gas such as a fluorine-containing gas
  • an etching gas such as a fluorine-containing gas is introduced into the etching device, and the silicon oxide film 70 is etched using the hard mask 71 onto which the pattern of the resist film 72 has been transferred as a mask.
  • the pattern corresponding to the hard mask 71 is transferred to the silicon oxide film 70, as shown in FIG. 13E, for example.
  • the etching of the silicon oxide film 70 is continued until the protective film 60 is exposed from the bottom of the opening 70a in the silicon oxide film 70.
  • step S25 the protective film 60 is etched (step S25).
  • an etching gas such as a fluorine-containing gas is introduced into an etching device, and the protective film 60 formed on the first surface W1 is etched using the silicon oxide film 70 to which the pattern of the hard mask 71 has been transferred as a mask.
  • a pattern 60p of the protective film 60 corresponding to the pattern of the hard mask 71 is formed, as shown in FIG. 13F, for example.
  • the etching of the protective film 60 is performed until the first surface W1 of the glass substrate W is exposed from the bottom of the opening 60pi of the protective film 60.
  • Steps S21 to S25 are an example of process d).
  • the substrate processing method in the second embodiment includes steps c) and d).
  • step c) a silicon-containing film is formed on a first surface of a glass substrate and a second surface, which is the reverse surface of the first surface.
  • step d) a pattern is formed in the silicon-containing film formed on the first surface. This makes it possible to suppress metal contamination by the glass substrate when forming a pattern in the silicon-containing film formed on the first surface.
  • the substrate processing method in the second embodiment described above may also include step e).
  • Step e) is performed before step d), and further forms a silicon-containing film on the silicon-containing film formed on the first surface so as to increase the thickness of the silicon-containing film formed on the first surface. This makes it possible to form an optical element including a protective film 60 of a desired thickness.
  • the substrate processing method in the second embodiment described above may also include step f).
  • Step f) is performed before step d), and etches the silicon-containing film formed on the first surface so as to reduce the thickness of the silicon-containing film formed on the first surface. This makes it possible to form an optical element including a protective film 60 of a desired thickness.
  • the second embodiment described above is a substrate processing system 10 that includes a film forming apparatus (film forming apparatus 30) and a processing apparatus (processing apparatus group 50).
  • the film forming apparatus forms a silicon-containing film on a first surface of a glass substrate and a second surface, which is the reverse surface of the first surface, and the processing apparatus performs at least one of film forming and etching processes on the silicon-containing film formed on the first surface, thereby forming a pattern in the silicon-containing film formed on the first surface. This makes it possible to suppress metal contamination by the glass substrate when forming a pattern in the silicon-containing film formed on the first surface.
  • the position of the glass substrate W is detected based on whether the light emitted from the light-emitting portion 56a is blocked by the protective film 60 formed on the side surface W3 of the glass substrate W, but the disclosed technology is not limited to this.
  • the protective film 60 may be formed thick on the second surface W2 of the glass substrate W within a range of 600 nm or less. This makes it possible to detect the position of the glass substrate W based on whether the light emitted from the light-emitting portion 56a is blocked by the protective film 60 formed on the second surface W2. This makes it easier to detect the position of the glass substrate W.
  • the protective film 60 is thin. However, if the protective film 60 is too thin, the transmittance of the light emitted from the light-emitting portion 56a may exceed 50%, depending on the material of the protective film 60. If the transmittance of the light emitted from the light-emitting portion 56a is 50% or less, the position of the glass substrate W can be detected by setting a threshold value.
  • the transmittance (%) for each combination of the thickness of the protective film 60 and the wavelength of light is, for example, as shown in Figure 10.
  • the example in Figure 10 shows the wavelength of red light (625 to 660 nm), which is a visible light that is often used in sensors.
  • the thickness of the protective film 60 is in the range of 20 to 200 nm and 300 to 600 nm, the transmittance is below 50% for light of any wavelength. Therefore, when the protective film 60 is made of polysilicon, it is preferable that the thickness is within the range of 20 to 200 nm and 300 to 600 nm.
  • the transmittance (%) for each combination of protective film 60 thickness and light wavelength is, for example, as shown in FIG. 11. Referring to FIG. 11, for the entire range of film thicknesses from 40 to 600 nm, the transmittance for light of any wavelength from 625 to 660 nm is below 50%. Therefore, when the protective film 60 is made of amorphous silicon, the position of the glass substrate W can be detected if the film thickness is between 40 and 600 nm.
  • the glass substrate W since the glass substrate W is an insulator, it cannot be attracted to an electrostatic chuck by electrostatic force.
  • the protective film 60 which is a silicon-containing film, it may be possible to attract the glass substrate W on which the protective film 60 is formed to an electrostatic chuck.
  • a protective film 60 having a thickness of 500 nm or more is formed on the second surface W2 of the glass substrate W, it becomes possible to attract the glass substrate W to an electrostatic chuck. This makes it possible to attract the glass substrate W to an electrostatic chuck without having to separately form a conductive film on the glass substrate W.
  • the protective film 60 which is a silicon-containing film, may be doped with impurities other than silicon.
  • impurities include phosphorus, boron, arsenic, antimony, aluminum, and gallium.
  • the conductivity of the protective film 60 can be increased, so that even if the protective film 60 is thinner, the glass substrate W can be attracted to the electrostatic chuck.
  • the silicon-containing film is formed of amorphous silicon, polysilicon, or silicon doped with at least one of phosphorus and boron.
  • the silicon-containing film is formed of polysilicon; 5.
  • the silicon-containing film formed on the first surface and the second surface of the glass substrate has a thickness of 20 nm or more and 200 nm or less, or 300 nm or more and 600 nm or less.
  • the silicon-containing film is formed of amorphous silicon; 5.
  • the silicon-containing film formed on the first surface and the second surface of the glass substrate has a thickness of 20 nm or more and 600 nm or less.
  • Appendix 7 The substrate processing method according to claim 1, wherein in the step a), the silicon-containing film formed on the first surface and the second surface of the glass substrate has a thickness of 500 nm or more.
  • Appendix 8) 8. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the step a), the silicon-containing film is also formed on a side surface of the glass substrate.
  • the silicon-containing film formed on the first surface and the second surface of the glass substrate has a thickness of 600 nm or less.

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Abstract

基板処理方法は、工程ａ）と、工程ｂ）とを含む。工程ａ）では、ガラス基板の第１面および第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜が形成される。工程ｂ）では、第１面に形成されたシリコン含有膜が除去される。

Description

基板処理方法および基板処理システム
　本開示の種々の側面および実施形態は、基板処理方法および基板処理システムに関する。
　例えば下記の特許文献１には、「複数の切り出された薄板ガラス基板を組み合わせて導光板として用いられる場合、典型的には、切り出された薄板ガラス基板は積層して導光板として用いられる。導光体は、例えば、ヘッドマウントディスプレイなどの表示装置などに適用される。」ことが開示されている。
特開２０２２－３６１７４号公報
　本開示は、ガラス基板に対して成膜やエッチングなどの処理を行うことができる基板処理方法および基板処理システムを提供する。
　本開示の一側面は、基板処理方法であって、工程ａ）と、工程ｂ）とを含む。工程ａ）では、ガラス基板の第１面および第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜が形成される。工程ｂ）では、第１面に形成されたシリコン含有膜が除去される。
　本開示の種々の側面および実施形態によれば、処理対象がガラス基板であることに起因する一つまたは複数の課題を克服して、ガラス基板に対して成膜やエッチングなどの処理を行うことができる。
図１は、本開示の一実施形態における基板処理システムの一例を示すシステム構成図である。 図２は、成膜装置の構成の一例を示す概略断面図である。 図３は、ボートの構造の一例を示す図である。 図４は、ボートの爪部付近の一例を示す拡大断面図である。 図５は、エッチング装置の一例を示す概略断面図である。 図６は、処理装置群の一例を示す平面図である。 図７は、センシング方法の一例を説明するための図である。 図８は、第１の実施形態における基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図９Ａは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図９Ｂは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図９Ｃは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１０は、保護膜がポリシリコンの場合の膜厚と光の波長の組み合わせ毎の透過率の一例を示す図である。 図１１は、保護膜がアモルファスシリコンの場合の膜厚と光の波長の組み合わせ毎の透過率の一例を示す図である。 図１２は、第２の実施形態における基板処理方法の一例を示すフローチャートである。 図１３Ａは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１３Ｂは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１３Ｃは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１３Ｄは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１３Ｅは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。 図１３Ｆは、ガラス基板の処理の過程の一例を示す図である。
　以下に、開示される基板処理方法および基板処理システムの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により、開示される基板処理方法および基板処理システムが限定されるものではない。
　近年、ＡＲ（Augmented　Reality）グラス等の高機能の光学素子を製造するために、ガラス基板を用いた微細加工の技術が用いられている。微細加工では、ガラス基板に対してエッチングや成膜等の処理が行われる。
　また、市販のガラス基板は、製造の過程で用いられた金属元素が表面に付着している場合がある。そのため、市販のガラス基板をそのまま用いて処理装置によりエッチングや成膜等の処理が行われると、ガラス基板と接触する処理装置内の部材が金属元素で汚染される場合がある。処理装置内の部材が金属元素で汚染されると、ガラス基板に対するエッチングや成膜の過程で、金属元素が混入し、光学素子の欠陥となってしまう場合がある。
　本開示は、ガラス基板による処理装置内の金属汚染を抑制することができる側面を有する。
（第１の実施形態）
［基板処理システム１０］
　図１は、本開示の一実施形態における基板処理システム１０の一例を示すシステム構成図である。本実施形態における基板処理システム１０は、制御装置２０、成膜装置３０、エッチング装置４０、および処理装置群５０を備える。
　成膜装置３０は、ガラス基板Ｗの両面および側面に保護膜を形成することにより、ガラス基板Ｗの両面および側面を保護膜で覆う。本実施形態において、保護膜は、ポリシリコンやアモルファスシリコン等のシリコン含有膜である。
　エッチング装置４０は、保護膜で覆われたガラス基板Ｗにおいて、成膜やエッチング等の処理が行われる面（以下、第１面と記載する）を覆う保護膜を除去する。エッチング装置４０は、除去装置の一例である。
　処理装置群５０は、ガラス基板Ｗに成膜やエッチング等の処理を施す処理装置を有する。処理装置は、保護膜が除去されたガラス基板Ｗの第１面に対して、成膜やエッチング等の処理を施す。
　制御装置２０は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリ内には、レシピ等のデータやプログラム等が格納される。メモリは、例えばＲＡＭ（Random　Access　Memory）、ＲＯＭ（Read　Only　Memory）、ＨＤＤ（Hard　Disk　Drive）、またはＳＳＤ（Solid　State　Drive）等である。プロセッサは、ＣＰＵ（Central　Processing　Unit）またはＤＳＰ（Digital　Signal　Processor）等である。プロセッサは、メモリから読み出されたプログラムを実行することにより、メモリ内に格納されたレシピ等のデータに基づいて、入出力インターフェイスを介して成膜装置３０、エッチング装置４０、および処理装置群５０の各部を制御する。
［成膜装置３０の構成］
　図２は、成膜装置３０の構成の一例を示す概略断面図である。図２には、成膜装置３０の一例としてバッチ式の縦型の熱処理装置が示されている。なお、成膜装置３０は、ガラス基板の両面および側面にシリコン含有膜を形成することが可能な装置であれば、枚葉式の成膜装置であってもよい。
　成膜装置３０は、長手方向が鉛直方向に延在する略円筒状の反応管３２を備える。反応管３２は、内管３３と、内管３３を覆うと共に内管３３と一定の間隔を有するように形成された有天井の外管３４とを含む二重管構造である。内管３３および外管３４は、例えば石英等の耐熱および耐腐食性に優れた材料により形成されている。
　外管３４の下方には、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等により筒状に形成されたマニホールド３５が配置されている。マニホールド３５は、外管３４の下端と気密に接続されている。また、内管３３は、マニホールド３５の内壁から突出すると共に、マニホールド３５と一体に形成された支持リング３６に支持されている。
　マニホールド３５の下方には蓋体３７が配置されている。蓋体３７は、ボートエレベータ３８により上下動可能に構成されている。ボートエレベータ３８により蓋体３７が上昇すると、マニホールド３５の下方側（炉口部分）が閉鎖される。また、ボートエレベータ３８により蓋体３７が下降すると、マニホールド３５の下方側（炉口部分）が開口される。
　蓋体３７には、例えば石英等で形成されたボート３９が載置される。ボート３９は、ガラス基板Ｗが反応管３２の延在方向に沿って所定の間隔をおいて複数枚収容可能に構成されている。図３は、ボート３９の構造の一例を示す図である。
　例えば図３に示されるように、ボート３９は、天板３９１と底板３９２とを備える。天板３９１と底板３９２との間に複数本（図３の例では３本）の支柱３９３が設けられている。支柱３９３の間には補助柱３９４が設けられている。また、支柱３９３には、ガラス基板Ｗを支持するための爪部３９３ａが予め定められた間隔で設けられている。爪部３９３ａは、ボート３９の中心方向に向かって突き出し、天板３９１および底板３９２と略平行な面を有するように形成されている。
　図４は、ボート３９の爪部３９３ａ付近の一例を示す拡大断面図である。爪部３９３ａは、爪部３９３ａの上面において、ガラス基板Ｗのエッジ部分を支持する。これにより、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１、第１面Ｗ１の裏面の第２面Ｗ２、およびガラス基板Ｗの側面Ｗ３に保護膜６０を形成することができる。ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１は、光学素子が形成される面である。
　図２に戻って説明を続ける。反応管３２の周囲には、反応管３２を取り囲むように断熱体３１１が設けられている。断熱体３１１の内壁面には、例えば抵抗発熱体等のヒータ３１２が設けられている。ヒータ３１２により反応管３２の内部が予め定められた温度に加熱され、ガラス基板Ｗが予め定められた温度に加熱される。
　マニホールド３５の側面には、複数の処理ガスを導入するための配管３１３が接続されている。具体的には、配管３１３は、支持リング３６より下方（内管３３の下方）のマニホールド３５の側面に接続されている。配管３１３は、反応管３２内の空間に処理ガスを供給する。なお、図２の例では、配管３１３が１つ描かれているが、内管３３内の空間に供給される処理ガスの種類に応じた数の配管３１３が接続されてもよい。本実施形態では、ガラス基板Ｗの表面にシリコン含有膜である保護膜６０を形成するため、処理ガスとしては、例えばシランガスが用いられる。
　配管３１３は、図示しないマスフローコントローラ等を介して、図示しない処理ガス供給源に接続されている。これにより、処理ガス供給源から配管３１３を介して予め定められた量の処理ガスが反応管３２内の空間に供給される。
　マニホールド３５の側面には反応管３２内の空間のガスを排気するための排気口３１４が設けられている。排気口３１４は支持リング３６より上方に設けられており、反応管３２内の内管３３と外管３４との間に形成された空間に連通する。排気口３１４には排気管３１６が気密に接続されている。排気管３１６には、バルブ１７および真空ポンプ３１８が設けられている。バルブ３１７は、排気管３１６の開度を調整して、反応管３２内の圧力を予め定められた圧力に制御する。真空ポンプ３１８は、排気管３１６を介して反応管３２内のガスを排気する。
　マニホールド３５の側面の排気口３１４の下方には、パージガスを供給するための配管３１５が挿通されている。配管３１５には、図示しないパージガス供給源が接続されており、パージガス供給源から配管３１５を介して予め定められた量のパージガス（例えば窒素ガス）が反応管３２内に供給される。
［エッチング装置４０の構成］
　図５は、エッチング装置４０の一例を示す概略断面図である。エッチング装置４０は、チャンバ４２０と、基板保持機構４３０と、液供給部４４０と、回収カップ４５０とを備える。
　チャンバ４２０は、基板保持機構４３０と液供給部４４０と回収カップ４５０とを収容する。チャンバ４２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）４２１が設けられている。ＦＦＵ４２１は、チャンバ４２０内にダウンフローを形成する。
　ＦＦＵ４２１は、バルブ４２２を介してガス供給源４２３に接続される。ＦＦＵ４２１は、ガス供給源４２３から供給されるドライエア等のガスをチャンバ４２０内に吐出する。
　基板保持機構４３０は、回転保持部４３１と、支柱部４３２と、駆動部４３３とを備える。回転保持部４３１は、チャンバ４２０の略中央に設けられる。回転保持部４３１の上面には、ガラス基板Ｗを側面から保持する保持部材４３１１が設けられる。保持部材４３１１は、第１面Ｗ１が上方を向くようにガラス基板Ｗを保持する。また、保持部材４３１１は、ガラス基板Ｗが回転保持部４３１の上面からわずかに離間した状態でガラス基板Ｗを水平に保持する。
　支柱部４３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部４３３によって回転可能に支持され、先端部において回転保持部４３１を水平に支持する。駆動部４３３は、支柱部４３２を鉛直軸まわりに回転させる。
　基板保持機構４３０は、駆動部４３３を用いて支柱部４３２を回転させることによって支柱部４３２に支持された回転保持部４３１を回転させる。これにより、回転保持部４３１に保持されたガラス基板Ｗが回転する。
　なお、回転保持部４３１は、ガラス基板Ｗを側面から保持するタイプに限られず、例えばバキュームチャックのようにガラス基板Ｗを下方から吸着保持するタイプであってもよい。
　液供給部４４０は、基板保持機構４３０に保持されたガラス基板Ｗに対して各種の処理液を供給する。液供給部４４０は、複数（図５の例では２つ）のノズル４４１ａ、４４１ｂと、ノズル４４１ａ、４４１ｂを水平に支持するアーム４４２と、アーム４４２を旋回および昇降させる旋回昇降機構４４３とを備える。なお、ノズル４４１ａおよびノズル４４１ｂは、別々のアームに支持されてもよい。
　ノズル４４１ａには、バルブ４４４ａおよび流量調整器４４６ａを介してエッチング液供給源４４５ａが接続される。また、ノズル４４１ｂには、バルブ４４４ｂおよび流量調整器４４６ｂを介してリンス液供給源４４５ｂが接続される。
　ノズル４４１ａからは、エッチング液供給源４４５ａから供給されるエッチング液が吐出される。本実施形態におけるエッチング液は、例えばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、フッ硝酸、またはフッ硝酸酢酸等である。
　ノズル４４１ｂからは、リンス液供給源４４５ｂから供給されるリンス液が吐出される。リンス液は、例えばＤＩＷ（脱イオン水）である。
　回収カップ４５０は、回転保持部４３１を取り囲むように配置され、回転保持部４３１の回転によってガラス基板Ｗから飛散する処理液を捕集する。回収カップ４５０の底部には、排液口４５１が形成されており、回収カップ４５０によって捕集された処理液は、排液口４５１からエッチング装置４０の外部へ排出される。また、回収カップ４５０の底部には、ＦＦＵ４２１から供給されるガスをエッチング装置４０の外部へ排出する排気口４５２が形成される。
　なお、エッチング装置４０に設けられるノズルの個数は、上記の例に限定されるものではなく、例えば、エッチング液およびリンス液を吐出する単一のノズルを備える構成であってもよい。
　保持部材４３１１によって第１面Ｗ１が上方を向くように保持されたガラス基板Ｗに対して、ノズル４４１ａからエッチング液が供給されることにより、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に形成されていた保護膜６０が除去される。この際、ガラス基板Ｗの第２面Ｗ２および側面Ｗ３に形成されていた保護膜６０は除去されずに残る。
［処理装置群５０の構成］
　図６は、処理装置群５０の一例を示す平面図である。図６では、便宜的に一部の装置の内部の構成要素が透過するように描かれている。処理装置群５０は、真空搬送室５１、複数の処理装置５２、複数のロードロック室５３、および大気搬送室５４を備える。真空搬送室５１は、搬送室の一例である。
　真空搬送室５１の側壁には、ゲートバルブＧ１を介して処理装置５２が接続されている。なお、図６の例では、真空搬送室５１に処理装置５２が８台接続されているが、開示の技術はこれに限られない。真空搬送室５１に接続される処理装置５２の数は、７台以下であってもよく、９台以上であってもよい。
　それぞれの処理装置５２には、第１面Ｗ１に形成されていた保護膜６０がエッチング装置４０によって除去されたガラス基板Ｗが搬入される。そして、それぞれの処理装置５２には、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に対して成膜やエッチング等の処理を施すことにより、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１を加工したり、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１の上に構造物を形成する。
　真空搬送室５１の他の側壁には、ゲートバルブＧ２を介して複数のロードロック室５３が接続されている。図６の例では、真空搬送室５１に２台のロードロック室５３が接続されているが、開示の技術はこれに限られない。真空搬送室５１に接続されるロードロック室５３の数は、１台であってもよく、３台以上であってもよい。
　真空搬送室５１内には、搬送装置５１１が配置されている。搬送装置５１１は、真空搬送室５１内に設けられたガイドレール５１０に沿って真空搬送室５１内を移動する。そして、搬送装置５１１は、処理装置５２とロードロック室５３との間でガラス基板Ｗを搬送する。真空搬送室５１内は、大気圧よりも低い圧力雰囲気に保たれている。なお、搬送装置５１１は、真空搬送室５１内の予め定められた位置に固定され、真空搬送室５１内を移動しない構成であってもよい。
　ロードロック室５３の１つの側壁には、ゲートバルブＧ２を介して真空搬送室５１が接続されており、他の１つの側壁には、ゲートバルブＧ３を介して大気搬送室５４が接続されている。ゲートバルブＧ３が設けられた大気搬送室５４の側壁と別な大気搬送室５４の側壁には、複数のロードポート５５が設けられている。それぞれのロードポート５５には、複数のガラス基板Ｗを収容可能なＦＯＵＰ（Front　Opening　Unified　Pod）等の容器が接続される。なお、大気搬送室５４には、ガラス基板Ｗの向きを変更するアライナモジュール等が設けられてもよい。
　大気搬送室５４内の圧力は、大気圧である。大気搬送室５４内には、搬送装置５４１が設けられている。搬送装置５４１は、大気搬送室５４内に設けられたガイドレール５４０に沿って大気搬送室５４内を移動し、ロードロック室５３とロードポート５５に接続された容器との間でガラス基板Ｗを搬送する。なお、搬送装置５４１は、大気搬送室５４内の予め定められた位置に固定され、大気搬送室５４内を移動しない構成であってもよい。
　ゲートバルブＧ１、ゲートバルブＧ２、ゲートバルブＧ３、およびロードポート５５の近傍には、ガラス基板Ｗの位置を検出するセンサ５６が設けられている。センサ５６は、例えば図７に示されるように、発光部５６ａと受光部５６ｂとを有する。発光部５６ａは、受光部５６ｂへ向けて赤色等の可視光を放射する。受光部５６ｂは、発光部５６ａから放射された光を受光したか否かを制御装置２０へ出力する。制御装置２０は、発光部５６ａから放射された光がガラス基板Ｗによって遮られたか否かに基づいて、ガラス基板Ｗの位置を検出する。
　本実施形態におけるガラス基板Ｗは光を透過するため、センサ５６によってガラス基板Ｗの位置を検出することが難しい。しかし、本実施形態では、ガラス基板Ｗの表面に保護膜６０が形成されるため、保護膜６０の厚さによっては、発光部５６ａから放射された光が保護膜６０によって遮られ、センサ５６によってガラス基板Ｗの位置を検出することが可能となる。しかし、保護膜６０を厚くし過ぎると、ガラス基板Ｗと保護膜６０との応力の違いによって反り等のガラス基板Ｗの変形が起こる場合がある。ガラス基板Ｗの厚さが７００μｍ程度である場合、保護膜の厚さが例えば６００ｎｍ以上になると、ガラス基板Ｗが反る場合がある。ガラス基板Ｗが反ると、処理装置５２によってガラス基板Ｗに処理を施す場合に、ホールやトレンチの位置や形状の精度が低くなる場合がある。そのため、ガラス基板Ｗには保護膜６０をあまり厚く形成しないことが好ましい。しかし、保護膜６０が薄すぎると、発光部５６ａから放射された光が保護膜６０を透過してしまう。
　ここで、本実施形態では、ガラス基板Ｗの側面Ｗ３にも保護膜６０が形成される。また、例えば図７に示されるように、発光部５６ａは、ガラス基板Ｗの側面Ｗ３に形成された保護膜６０に対して、側面Ｗ３に沿う方向（ガラス基板Ｗの厚さ方向）に光を放射する。ガラス基板Ｗは、７００μｍ以上の厚さがあるため、側面Ｗ３の形成されている保護膜６０において、側面Ｗ３に沿う方向における保護膜６０は７００μｍ以上の厚さがある。これにより、ガラス基板Ｗの第２面Ｗ２に保護膜６０をそれほど厚く形成しなくても、側面Ｗ３に形成された保護膜６０によって発光部５６ａから放射された光を遮ることができる。これにより、本実施形態では、ガラス基板Ｗの変形を防止しつつ、センサ５６によってガラス基板Ｗの位置を検出することができる。
［基板処理方法］
　図８は、第１の実施形態における基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図８に例示される処理は、制御装置２０が、成膜装置３０、エッチング装置４０、および処理装置群５０の各部を制御することにより実現される。
　まず、ガラス基板Ｗに保護膜６０が形成される（ステップＳ１０）。ステップＳ１０は、工程ａ）の一例である。ステップＳ１０では、例えば図９Ａに示されるように、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１、第２面Ｗ２、および側面Ｗ３に、シリコン含有膜である保護膜６０が形成される。本実施形態では、成膜装置３０によって保護膜６０が形成されるため、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１、第２面Ｗ２、および側面Ｗ３に保護膜６０が同時に形成される。ステップＳ１０では、ガラス基板Ｗが４０ｎｍ以上かつ６００ｎｍ以下の厚さの保護膜６０で覆われる。
　ここで、市販のガラス基板Ｗは、製造の過程で用いられた金属元素等が表面に付着している場合がある。そのため、市販のガラス基板Ｗをそのまま用いて処理装置５２によりエッチングや成膜等の処理が行われると、ガラス基板Ｗと接触する処理装置５２のチャンバ内の部材が金属元素で汚染される場合がある。チャンバ内の部材が金属元素で汚染されると、ガラス基板Ｗに対するエッチングや成膜の過程で、金属元素が混入し、光学素子の欠陥となってしまう場合がある。
　これに対し、本実施形態では、ステップＳ１０において、ガラス基板Ｗが４０ｎｍ以上の厚さの保護膜６０で覆われる。これにより、その後のガラス基板Ｗに対するエッチングや成膜の工程において、ガラス基板Ｗと接触する処理装置５２のチャンバ内の部材等が金属元素で汚染されることを抑制することができる。
　また、ステップＳ１０では、ガラス基板Ｗに形成される保護膜６０の厚さが例えば６００ｎｍ以下に制御される。これにより、ガラス基板Ｗの変形を抑制することができる。
　次に、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に形成された保護膜６０が除去される（ステップＳ１１）。ステップＳ１１は、工程ｂ）の一例である。ステップＳ１１では、例えば図９Ｂに示されるように、エッチング装置４０によって、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に形成された保護膜６０が除去され、第１面Ｗ１が露出する。
　ステップＳ１１では、第２面Ｗ２および側面Ｗ３は保護膜６０で覆われたままとなっている。これにより、ガラス基板Ｗと接触する処理装置５２のチャンバ内の部材（例えばガラス基板Ｗを載せるステージ）等が金属元素で汚染されることを抑制することができる。また、第２面Ｗ２および側面Ｗ３の少なくとも一方に形成された保護膜６０によって発光部５６ａから放射された光を遮ることができ、ガラス基板Ｗの位置を検出することができる。
　次に、ガラス基板Ｗの処理が実行される（ステップＳ１２）。ステップＳ１２は、工程ｃ）の一例である。ステップＳ１２では、例えば図９Ｃに示されるように、処理装置群５０の処理装置５２によって、ガラス基板Ｗに対してエッチングや成膜等の処理が行われ、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に構造物６１が形成される。そして、本フローチャートに示された処理が終了する。
　以上、第１の実施形態について説明した。上記したように、第１の実施形態における基板処理方法は、工程ａ）と、工程ｂ）とを含む。工程ａ）では、ガラス基板（ガラス基板Ｗ）の第１面（第１面Ｗ１）および第１面の裏面である第２面（第２面Ｗ２）に、シリコン含有膜（保護膜６０）が形成される。工程ｂ）では、第１面に形成されたシリコン含有膜が除去される。これにより、ガラス基板による金属汚染を抑制することができる。
　また、上記した第１の実施形態において、工程ａ）では、ガラス基板の第１面および第２面に形成されるシリコン含有膜の膜厚が４０ｎｍ以上である。これにより、ガラス基板の表面に付着している金属元素の飛散を防止することができる。
　また、上記した第１の実施形態において、工程ａ）では、ガラス基板の第１面および第２面に形成されるシリコン含有膜の膜厚が６００ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、ガラス基板の反りを抑制することができる。
　また、上記した第１の実施形態において、シリコン含有膜は、アモルファスシリコンまたはポリシリコンで形成される。これにより、ガラス基板Ｗの表面を保護膜６０で容易に被覆することができると共に、除去工程で保護膜６０を容易に除去することができる。
　また、上記した第１の実施形態において、工程ａ）では、ガラス基板の側面（側面Ｗ３）にもシリコン含有膜が形成される。これにより、センサ５６によってガラス基板Ｗの位置を検出することができる。
　また、上記した第１の実施形態は、基板処理システム１０であって、成膜装置（成膜装置３０）と、除去装置（エッチング装置４０）と、処理装置（処理装置５２）とを備える。成膜装置は、ガラス基板の第１面および第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する、除去装置は、ガラス基板の第１面に形成されたシリコン含有膜を除去する。処理装置は、シリコン含有膜が除去されたガラス基板の第１面に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行する。これにより、ガラス基板による金属汚染を抑制することができる。
　また、上記した第１の実施形態において、基板処理システムは、処理装置に対してガラス基板の搬入および搬出を行う搬送室（真空搬送室５１）をさらに備える。搬送室は、ガラス基板を搬送する搬送装置（搬送装置５１１）と、ガラス基板の位置を検出するセンサ（５６）とを有する。成膜装置は、ガラス基板の側面にシリコン含有膜をさらに形成する。センサは、ガラス基板の側面に形成されるシリコン含有膜によって光が遮られるか否かに基づいてガラス基板の位置を検出する。これにより、センサ５６によってガラス基板Ｗの位置を検出することができる。
（第２の実施形態）
　第１の実施形態では、ガラス基板Ｗを保護膜６０で覆った後に、光学素子が形成される第１面Ｗ１の保護膜６０が除去され、保護膜６０が除去された第１面Ｗ１に光学素子が形成される。これに対し、第２の実施形態では、ガラス基板Ｗを保護膜６０で覆った後に、光学素子が形成される第１面Ｗ１に形成された保護膜６０を加工することにより、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の一部が含まれる光学素子が形成される。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明を行う。
［基板処理方法］
　図１２は、第２の実施形態における基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図１２に例示される処理は、制御装置２０が、成膜装置３０、エッチング装置４０、および処理装置群５０の各部を制御することにより実現される。
　まず、ガラス基板Ｗに保護膜６０が形成される（ステップＳ２０）。ステップＳ２０は、工程ｃ）の一例である。ステップＳ２０では、例えば図９Ａに示されるように、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１、第２面Ｗ２、および側面Ｗ３に、シリコン含有膜である保護膜６０が形成される。本実施形態では、成膜装置３０によって保護膜６０が形成されるため、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１、第２面Ｗ２、および側面Ｗ３に保護膜６０が同時に形成される。
　次に、シリコン酸化膜が形成される（ステップＳ２１）。ステップＳ２１では、保護膜６０で覆われたガラス基板Ｗが処理装置群５０の中の成膜装置内に搬入される。そして、成膜装置内に、原料ガスとしてモノシランガス等のシラン含有ガスが導入され、反応ガスとして酸素ガスまたはオゾンガス等の酸素含有ガスが導入される。これにより、例えば図１３Ａに示されるように、ガラス基板Ｗの第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の上に、シリコン酸化膜７０が形成される。
　なお、シリコン酸化膜７０は、ＣＶＤ（Chemical　Vapor　Deposition）法以外に、ＰＶＤ（Physical　Vapor　Deposition）法、ＡＬＤ（Atomic　Layer　Deposition）法、またはスピン塗布等により形成されてもよい。
　また、ステップＳ２０において、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の厚さが、光学素子の形成に必要な厚さに満たない場合、ステップＳ２０とＳ２１との間に、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の上に、さらに保護膜６０を形成する工程が実行されてもよい。第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の上に、さらに保護膜６０を形成する工程は、工程ｅ）の一例である。
　また、ステップＳ２０において、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の厚さが、光学素子の形成に必要な厚さよりも大きい場合、ステップＳ２０とＳ２１との間に、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の厚さを減少させるエッチング工程が実行されてもよい。第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の厚さを減少させるエッチング工程は、工程ｆ）の一例である。
　また、ステップＳ２０において、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の厚さが、光学素子の形成に必要な厚さに満たない場合、ステップＳ２０とＳ２１との間に、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０の上にさらに保護膜６０を形成する。そして、形成された保護膜６０の厚さが光学素子の形成に必要な厚さとなるまで、保護膜６０をエッチングすることにより、保護膜６０の厚さを微調整してもよい。
　次に、ハードマスクが形成される（ステップＳ２２）。ステップＳ２２では、シリコン酸化膜７０が形成されたガラス基板Ｗが処理装置群５０の中の塗布装置内に搬入される。そして、塗布装置によって、シリコン酸化膜７０の上にハードマスク形成用の処理液が塗布され、例えば図１３Ｂに示されるように、シリコン酸化膜７０の上にスピンオンカーボン膜７１ａおよびスピンオングラス膜７１ｂを含むハードマスク７１が形成される。
　なお、図１３Ｂの例では、ハードマスク７１にスピンオンカーボン膜７１ａおよびスピンオングラス膜７１ｂの２つの層が含まれるが、ハードマスク７１にはスピンオンカーボン膜７１ａまたはスピンオングラス膜７１ｂのいずれか一方のみが含まれていてもよい。また、ハードマスク７１は、金属含有膜、シリコン酸窒化膜、または裏面反射防止膜等を含んでもよい。
　次に、レジスト膜が形成される（ステップＳ２３）。ステップＳ２３では、例えば塗布装置内において、ハードマスク７１の上にレジスト膜形成用の処理液が塗布されることにより、ハードマスク７１の上にレジスト膜が形成される。そして、レジスト膜が形成されたガラス基板Ｗが処理装置群５０の中の露光装置内に搬入され、レジスト膜に所定のパターンが露光される。そして、レジスト膜に所定のパターンが露光されたガラス基板Ｗが処理装置群５０の中の現像装置内に搬入され、現像される。これにより、例えば図１３Ｃに示されるように、ハードマスク７１の上に所定パターンのレジスト膜７２が形成される。
　レジスト膜７２は、例えばＥＵＶ（Extreme　Ultraviolet）用のフォトレジスト膜である。なお、レジスト膜のパターン形成は、例えば、パターンが形成された型（マスク）をレジスト膜の上に配置し、型を介して紫外線の照射や熱処理等を行い、樹脂のレジスト膜を硬化させることにより行われてもよい。レジスト膜のパターン形成は、ナノインプリントリソグラフィーにより行われてもよい。
　次に、ハードマスク７１およびシリコン酸化膜７０をエッチングする（ステップＳ２４）。ステップＳ２４では、所定パターンのレジスト膜７２が形成されたガラス基板Ｗが処理装置群５０の中のエッチング装置内に搬入される。そして、エッチング装置内に、フッ素含有ガス等のエッチングガスを導入することにより、レジスト膜７２をマスクとしてハードマスク７１がエッチングされる。これにより、例えば図１３Ｄに示されるように、レジスト膜７２に対応するパターンがハードマスク７１に転写される。
　そして、エッチング装置内に、フッ素含有ガス等のエッチングガスを導入することにより、レジスト膜７２のパターンが転写されたハードマスク７１をマスクとしてシリコン酸化膜７０がエッチングされる。これにより、例えば図１３Ｅに示されるように、ハードマスク７１に対応するパターンがシリコン酸化膜７０に転写される。シリコン酸化膜７０のエッチングは、シリコン酸化膜７０の開口７０ａの底部から保護膜６０が露出するまで行われる。
　次に、保護膜６０がエッチングされる（ステップＳ２５）。ステップＳ２５では、エッチング装置内に、フッ素含有ガス等のエッチングガスを導入することにより、ハードマスク７１のパターンが転写されたシリコン酸化膜７０をマスクとして、第１面Ｗ１に形成された保護膜６０がエッチングされる。これにより、例えば図１３Ｆに示されるように、ハードマスク７１のパターンに対応した保護膜６０のパターン６０ｐが形成される。保護膜６０のエッチングは、保護膜６０の開口６０ｐｉの底部からガラス基板Ｗの第１面Ｗ１が露出するまで行われる。ステップＳ２１～Ｓ２５は、工程ｄ）の一例である。
　以上、第２の実施形態について説明した。上記したように、第２の実施形態における基板処理方法は、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ｃ）では、ガラス基板の第１面および第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜が形成される。工程ｄ）では、第１面に形成されたシリコン含有膜にパターンが形成される。これにより、第１面に形成されたシリコン含有膜にパターンを形成する際のガラス基板による金属汚染を抑制することができる。
　また、上記した第２の実施形態における基板処理方法には、工程ｅ）が含まれていてもよい。工程ｅ）は、工程ｄ）の前に実行され、第１面に形成されたシリコン含有膜の厚さを増やすように第１面に形成されたシリコン含有膜の上にさらにシリコン含有膜を形成する。これにより、所望の厚さの保護膜６０を含む光学素子を形成することができる。
　また、上記した第２の実施形態における基板処理方法には、工程ｆ）が含まれていてもよい。工程ｆ）は、工程ｄ）の前に実行され、第１面に形成されたシリコン含有膜の厚さを減少させるように第１面に形成されたシリコン含有膜をエッチングする。これにより、所望の厚さの保護膜６０を含む光学素子を形成することができる。
　また、上記した第２の実施形態は、基板処理システム１０であって、成膜装置（成膜装置３０）と、処理装置（処理装置群５０）とを備える。成膜装置は、ガラス基板の第１面および第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する、処理装置は、第１面に形成されたシリコン含有膜に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行することにより、第１面に形成されたシリコン含有膜にパターンを形成する。これにより、第１面に形成されたシリコン含有膜にパターンを形成する際のガラス基板による金属汚染を抑制することができる。
［その他］
　なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
　例えば、上記した各実施形態では、ガラス基板Ｗの側面Ｗ３に形成された保護膜６０によって発光部５６ａから放射された光が遮られるか否かに基づいてガラス基板Ｗの位置を検出するが、開示の技術はこれに限られない。例えば、６００ｎｍ以下の範囲内で、ガラス基板Ｗの第２面Ｗ２に保護膜６０を厚く形成してもよい。これにより、第２面Ｗ２に形成された保護膜６０によって発光部５６ａから放射された光が遮られるか否かに基づいてガラス基板Ｗの位置を検出することができる。これにより、ガラス基板Ｗの位置をより容易に検出することができる。
　なお、保護膜６０の形成に要する時間の短縮やガラス基板Ｗの反りの防止という観点では、保護膜６０は薄い方が好ましい。しかし、保護膜６０が薄すぎると、保護膜６０の材質によっては、発光部５６ａから放射された光の透過率が５０％を超えてしまう。発光部５６ａから放射された光の透過率が５０％以下であれば、閾値の設定によってはガラス基板Ｗの位置の検出が可能となる。
　保護膜６０がポリシリコンである場合、保護膜６０の膜厚と光の波長の組み合わせ毎の透過率（％）は、例えば図１０のようになる。図１０の例では、可視光の中で、センサでよく用いられる赤色の光の波長（６２５～６６０ｎｍ）について示されている。
　図１０を参照すると、保護膜６０の膜厚が２０～２００ｎｍおよび３００～６００ｎｍの範囲では、いずれかの波長の光に対して、透過率が５０％を下回っている。従って、保護膜６０がポリシリコンである場合には、２０～２００ｎｍおよび３００～６００ｎｍの範囲内の膜厚であることが好ましい。
　なお、保護膜６０がアモルファスシリコンである場合、保護膜６０の膜厚と光の波長の組み合わせ毎の透過率（％）は、例えば図１１のようになる。図１１を参照すると、４０～６００ｎｍの全範囲の膜厚において、６２５～６６０ｎｍのいずれの波長の光の透過率も５０％を下回っている。従って、保護膜６０がアモルファスシリコンである場合には、４０～６００ｎｍの膜厚であれば、ガラス基板Ｗの位置の検出が可能である。
　また、ガラス基板Ｗは、絶縁体であるため、静電気力により静電チャックに吸着させることができない。しかし、シリコン含有膜である保護膜６０の膜厚によっては、保護膜６０が形成されたガラス基板Ｗを静電チャックに吸着させることが可能となる。例えば、ガラス基板Ｗの第２面Ｗ２に５００ｎｍ以上の厚さの保護膜６０が形成されると、ガラス基板Ｗを静電チャックに吸着させることが可能となる。これにより、ガラス基板Ｗに導電性を有する膜を別途成膜しなくても、ガラス基板Ｗを静電チャックに吸着させることが可能となる。
　また、シリコン含有膜である保護膜６０には、シリコン以外の不純物がドープされていてもよい。保護膜６０にドープされる不純物としては、例えばリン、ボロン、ヒ素、アンチモン、アルミニウム、またはガリウムなどが挙げられる。不純物の種類によっては保護膜６０の導電性を高めることができるので、保護膜６０がより薄い場合であっても、ガラス基板Ｗを静電チャックに吸着させることが可能となる。
　なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　また、上記の各実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
ａ）ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する工程と、
ｂ）前記第１面に形成された前記シリコン含有膜を除去する工程と
を含む基板処理方法。
（付記２）
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が４０ｎｍ以上である付記１に記載の基板処理方法。
（付記３）
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が６００ｎｍ以下である付記１または２に記載の基板処理方法。
（付記４）
　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、もしくは、リンまたはボロンの少なくともいずれかが添加されたシリコンで形成される付記１から３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記５）
　前記シリコン含有膜は、ポリシリコンで形成され、
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ以下、または、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である付記４に記載の基板処理方法。
（付記６）
　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコンで形成され、
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ６００ｎｍ以下である付記４に記載の基板処理方法。
（付記７）
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が５００ｎｍ以上である付記１から６のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記８）
　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の側面にも前記シリコン含有膜が形成される付記１から７のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記９）
　ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する成膜装置と、
　前記ガラス基板の前記第１面に形成された前記シリコン含有膜を除去する除去装置と、
　前記シリコン含有膜が除去された前記ガラス基板の前記第１面に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行する処理装置と
を備える基板処理システム。
（付記１０）
　前記処理装置に対して前記ガラス基板の搬入および搬出を行う搬送室をさらに備え、
　前記搬送室は、
　前記ガラス基板を搬送する搬送装置と、
　前記ガラス基板の位置を検出するセンサと
を有し、
　前記成膜装置は、前記ガラス基板の側面に前記シリコン含有膜をさらに形成し、
　前記センサは、前記ガラス基板の第２面および側面の少なくとも一方に形成される前記シリコン含有膜によって光が遮られるか否かに基づいて前記ガラス基板の位置を検出する付記９に記載の基板処理システム。
（付記１１）
ｃ）ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する工程と、
ｄ）前記第１面に形成された前記シリコン含有膜にパターンを形成する工程と
を含む基板処理方法。
（付記１２）
ｅ）前記工程ｄ）の前に実行され、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の厚さを増やすように前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の上にさらに前記シリコン含有膜を形成する工程
をさらに含む、付記１１に記載の基板処理方法。
（付記１３）
ｆ）前記工程ｄ）の前に実行され、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の厚さを減少させるように前記第１面に形成された前記シリコン含有膜をエッチングする工程
をさらに含む、付記１１または１２に記載の基板処理方法。
（付記１４）
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が４０ｎｍ以上である付記１１から１３のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記１５）
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が６００ｎｍ以下である付記１１から１４のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記１６）
　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、もしくは、リンまたはボロンの少なくともいずれかが添加されたシリコンで形成される付記１１から１５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記１７）
　前記シリコン含有膜は、ポリシリコンで形成され、
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ以下、または、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である付記１６に記載の基板処理方法。
（付記１８）
　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコンで形成され、
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ６００ｎｍ以下である付記１６に記載の基板処理方法。
（付記１９）
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が５００ｎｍ以上である付記１１から１８のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記２０）
　前記工程ｃ）では、前記ガラス基板の側面にも前記シリコン含有膜が形成される付記１１から１９のいずれか一つに記載の基板処理方法。
（付記２１）
　ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する成膜装置と、
　前記第１面に形成された前記シリコン含有膜に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行することにより、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜にパターンを形成する処理装置と
を備える基板処理システム。
（付記２２）
　前記処理装置に対して前記ガラス基板の搬入および搬出を行う搬送室をさらに備え、
　前記搬送室は、
　前記ガラス基板を搬送する搬送装置と、
　前記ガラス基板の位置を検出するセンサと
を有し、
　前記成膜装置は、前記ガラス基板の側面に前記シリコン含有膜をさらに形成し、
　前記センサは、前記ガラス基板の第２面および側面の少なくとも一方に形成される前記シリコン含有膜によって光が遮られるか否かに基づいて前記ガラス基板の位置を検出する付記２１に記載の基板処理システム。
Ｇ　ゲートバルブ
Ｗ　ガラス基板
Ｗ１　第１面
Ｗ２　第２面
Ｗ３　側面
１０　基板処理システム
２０　制御装置
３０　成膜装置
４０　エッチング装置
５０　処理装置群
６０　保護膜
７０　シリコン酸化膜
７１　ハードマスク
７２　レジスト膜

Claims (15)

  1. ａ）ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する工程と、
    ｂ）前記第１面に形成された前記シリコン含有膜を除去する工程と
    を含む基板処理方法。
  2. 　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が４０ｎｍ以上である請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が６００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、もしくは、リンまたはボロンの少なくともいずれかが添加されたシリコンで形成される請求項１または２に記載の基板処理方法。
  5. 　前記シリコン含有膜は、ポリシリコンで形成され、
    　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ以下、または、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 　前記シリコン含有膜は、アモルファスシリコンで形成され、
    　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が２０ｎｍ以上かつ６００ｎｍ以下である請求項４に記載の基板処理方法。
  7. 　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の前記第１面および前記第２面に形成される前記シリコン含有膜の膜厚が５００ｎｍ以上である請求項１または２に記載の基板処理方法。
  8. 　前記工程ａ）では、前記ガラス基板の側面にも前記シリコン含有膜が形成される請求項１または２に記載の基板処理方法。
  9. 　ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する成膜装置と、
    　前記ガラス基板の前記第１面に形成された前記シリコン含有膜を除去する除去装置と、
    　前記シリコン含有膜が除去された前記ガラス基板の前記第１面に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行する処理装置と
    を備える基板処理システム。
  10. 　前記処理装置に対して前記ガラス基板の搬入および搬出を行う搬送室をさらに備え、
    　前記搬送室は、
    　前記ガラス基板を搬送する搬送装置と、
    　前記ガラス基板の位置を検出するセンサと
    を有し、
    　前記成膜装置は、前記ガラス基板の側面に前記シリコン含有膜をさらに形成し、
    　前記センサは、前記ガラス基板の第２面および側面の少なくとも一方に形成される前記シリコン含有膜によって光が遮られるか否かに基づいて前記ガラス基板の位置を検出する請求項９に記載の基板処理システム。
  11. ｃ）ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する工程と、
    ｄ）前記第１面に形成された前記シリコン含有膜にパターンを形成する工程と
    を含む基板処理方法。
  12. ｅ）前記工程ｄ）の前に実行され、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の厚さを増やすように前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の上にさらに前記シリコン含有膜を形成する工程
    をさらに含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. ｆ）前記工程ｄ）の前に実行され、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜の厚さを減少させるように前記第１面に形成された前記シリコン含有膜をエッチングする工程
    をさらに含む、請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
  14. 　ガラス基板の第１面および前記第１面の裏面である第２面に、シリコン含有膜を形成する成膜装置と、
    　前記第１面に形成された前記シリコン含有膜に対して、成膜およびエッチングの少なくともいずれかの処理を実行することにより、前記第１面に形成された前記シリコン含有膜にパターンを形成する処理装置と
    を備える基板処理システム。
  15. 　前記処理装置に対して前記ガラス基板の搬入および搬出を行う搬送室をさらに備え、
    　前記搬送室は、
    　前記ガラス基板を搬送する搬送装置と、
    　前記ガラス基板の位置を検出するセンサと
    を有し、
    　前記成膜装置は、前記ガラス基板の側面に前記シリコン含有膜をさらに形成し、
    　前記センサは、前記ガラス基板の第２面および側面の少なくとも一方に形成される前記シリコン含有膜によって光が遮られるか否かに基づいて前記ガラス基板の位置を検出する請求項１４に記載の基板処理システム。
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