WO2024089941A1 - 電子部品 - Google Patents

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耕市 山田
康次郎 時枝
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Definitions

  • the present invention relates to electronic components.
  • Patent Document 1 describes an electronic component.
  • the electronic component includes a base body and external electrodes laminated on the surface of the base body.
  • the external electrodes are formed by firing a conductive paste.
  • the conductive paste contains conductive powder, borosilicate glass, silica powder, and an organic vehicle.
  • the electronic component described in Patent Document 1 contains silica powder in the external electrodes. This can improve resistance to water-soluble flux, which is a surface treatment agent used during soldering, or what is known as flux resistance.
  • the electronic component described in Patent Document 1 has a high melting point because the conductive paste contains a high concentration of silica powder. This makes it easier for cracks to form in the element when the conductive paste is fired. Therefore, there is a limit to how much silica powder can be added. Therefore, a technology that can improve flux resistance apart from the addition of silica powder is required.
  • one aspect of the present disclosure is an electronic component comprising an element body, a glass film covering the outer surface of the element body, and an external electrode provided on the outer surface of the glass film and having at least a base electrode, the glass film having a base portion containing, in addition to silicon oxide, an oxide of one or more metal elements selected from alkali metals and alkaline earth metals, and a specific portion containing, in addition to silicon oxide, an oxide of the same metal element as in the base portion, the content of the metal element in the specific portion being smaller than the content of the metal element in the base portion.
  • the above configuration allows an interface between the base portion and the specific portion to exist within the glass film. If an interface exists within the glass film in this way, even if water-soluble flux penetrates into the glass film, the water-soluble flux will extend along the interface but will not easily penetrate deeper than that. This makes it possible to better prevent external erosion of the element.
  • Flux resistance can be improved.
  • FIG. 1 is a perspective view of an electronic component according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a side view of the electronic component according to one embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a portion including the glass film in FIG.
  • FIG. 5 is a flow chart illustrating a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an
  • FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining a method for manufacturing an electronic component.
  • FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view of a portion including a glass film of an electronic component according to a modified example.
  • the electronic component 10 is, for example, a surface-mount type negative temperature coefficient thermistor component that is mounted on a circuit board, etc. Note that a negative temperature coefficient thermistor component has a characteristic that its resistance value decreases as the temperature increases.
  • the electronic component 10 includes an element body 20.
  • the element body 20 is generally rectangular prism-shaped and has a central axis CA.
  • an axis extending along the central axis CA is defined as a first axis X.
  • One of the axes perpendicular to the first axis X is defined as a second axis Y.
  • An axis perpendicular to the first axis X and the second axis Y is defined as a third axis Z.
  • One of the directions along the first axis X is defined as a first positive direction X1
  • the direction along the first axis X opposite to the first positive direction X1 is defined as a first negative direction X2.
  • One of the directions along the second axis Y is defined as a second positive direction Y1, and the direction along the second axis Y opposite to the second positive direction Y1 is defined as a second negative direction Y2.
  • One of the directions along the third axis Z is defined as a third positive direction Z1, and the direction along the third axis Z opposite to the third positive direction Z1 is defined as a third negative direction Z2.
  • the outer surface 21 of the element body 20 has six flat surfaces 22.
  • the "surface” of the element body 20 here refers to a surface that can be observed when the entire element body 20 is observed. In other words, even if there are minute irregularities or steps that cannot be seen unless a part of the element body 20 is magnified and observed with a microscope, the surface is expressed as a flat surface or a curved surface.
  • the six flat surfaces 22 extend in different directions.
  • the six flat surfaces 22 are broadly divided into a first end surface 22A facing the first positive direction X1, a second end surface 22B facing the first negative direction X2, and four side surfaces 22C.
  • the four side surfaces 22C are a surface facing the third positive direction Z1, a surface facing the third negative direction Z2, a surface facing the second positive direction Y1, and a surface facing the second negative direction Y2, respectively.
  • the outer surface 21 of the element body 20 has 12 boundary surfaces 23.
  • the boundary surfaces 23 include curved surfaces that exist at the boundaries between adjacent flat surfaces 22.
  • the boundary surfaces 23 include curved surfaces that are formed, for example, by chamfering the corners that form the adjacent flat surfaces 22.
  • the outer surface 21 of the base body 20 also has eight spherical corner surfaces 24.
  • the corner surfaces 24 are the boundaries between three adjacent flat surfaces 22.
  • the corner surfaces 24 include curved surfaces at the intersections of the three boundary surfaces 23. That is, the corner surfaces 24 include curved surfaces formed, for example, by R-chamfering the corners formed by the three adjacent flat surfaces 22.
  • the surface of a glass film 50 described later is regarded as being the same as the outer surface 21 of the element body 20 and is given a reference number.
  • the element body 20 has a larger dimension along the first axis X than the dimension along the third axis Z.
  • the element body 20 has a larger dimension along the first axis X than the dimension along the second axis Y.
  • the material of the element body 20 is a ceramic obtained by sintering a metal oxide containing at least one of Mn, Fe, Ni, Co, Ti, Ba, Al, and Zn.
  • the electronic component 10 has two first internal electrodes 41 and two second internal electrodes 42.
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are embedded inside the element body 20.
  • the material of the first internal electrode 41 is a conductive material.
  • the material of the first internal electrode 41 is silver and palladium.
  • the material of the second internal electrode 42 is the same as the material of the first internal electrode 41, that is, silver and palladium.
  • the first internal electrode 41 has a rectangular plate shape.
  • the main surface of the first internal electrode 41 is perpendicular to the second axis Y.
  • the second internal electrode 42 has the same rectangular plate shape as the first internal electrode 41.
  • the main surface of the second internal electrode 42 is perpendicular to the second axis Y, similar to the first internal electrode 41.
  • the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the first axis X is smaller than the dimension of the element body 20 in the direction along the first axis X. Also, as shown in FIG. 1, the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the third axis Z is approximately two-thirds of the dimension of the element body 20 in the direction along the third axis Z. The dimensions of the second internal electrode 42 in each direction are the same as those of the first internal electrode 41.
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are positioned alternately in the direction along the second axis Y. That is, from the side surface 22C facing the second positive direction Y1 to the second negative direction Y2, the first internal electrode 41, the second internal electrode 42, the first internal electrode 41, the second internal electrode 42 are arranged in this order. In this embodiment, the distances between each internal electrode in the direction along the second axis Y are equal.
  • the two first internal electrodes 41 and the two second internal electrodes 42 are both located at the center of the element body 20 in the direction along the third axis Z.
  • the first internal electrode 41 is located closer to the first positive direction X1.
  • the second internal electrode 42 is located closer to the first negative direction X2.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side coincides with the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first negative direction X2 side is located inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side coincides with the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first positive direction X1 side is located inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the electronic component 10 includes a glass film 50.
  • the glass film 50 covers the outer surface 21 of the element body 20.
  • the glass film 50 covers substantially the entire area of the outer surface 21 of the element body 20.
  • the main material of the glass film 50 is insulating glass. Therefore, the glass film 50 contains silicon oxide, specifically silicon dioxide.
  • the electronic component 10 has a first external electrode 61 and a second external electrode 62.
  • the first external electrode 61 has a first base electrode 61A and a first metal layer 61B.
  • the first base electrode 61A is laminated on the glass film 50 in a portion of the outer surface 21 of the element body 20, including the first end face 22A.
  • the first base electrode 61A is a five-sided electrode that covers the first end face 22A of the element body 20 and portions of the four side faces 22C on the first positive direction X1 side.
  • the material of the first base electrode 61A is copper.
  • the first metal layer 61B covers the first base electrode 61A from the outside. Therefore, the first metal layer 61B is laminated on the first base electrode 61A.
  • the first metal layer 61B has a two-layer structure of a nickel layer 61C and a tin layer 61D.
  • the outer edge of the first metal layer 61B is located outside the outer edge of the first base electrode 61A.
  • the outer edge of the first metal layer 61B is located on the surface of the glass film 50. Therefore, a part of the first metal layer 61B is located on the surface of the glass film 50.
  • the second external electrode 62 has a second base electrode 62A and a second metal layer 62B.
  • the second base electrode 62A is laminated on top of the glass film 50 in a portion of the outer surface 21 of the element body 20, including the second end face 22B.
  • the second base electrode 62A is a five-sided electrode that covers the second end face 22B of the element body 20 and portions of the four side faces 22C in the first negative direction X2.
  • the material of the second base electrode 62A is the same as the material of the first external electrode 61, that is, copper.
  • the second metal layer 62B covers the second base electrode 62A from the outside. Therefore, the second metal layer 62B is laminated on the second base electrode 62A.
  • the second metal layer 62B has a two-layer structure of a nickel layer and a tin layer (not shown). Also, as shown in FIG. 3, the outer edge of the second metal layer 62B is located outside the outer edge of the second base electrode 62A. And the outer edge of the second metal layer 62B is located on the surface of the glass film 50. Therefore, a part of the second metal layer 62B is located on the surface of the glass film 50.
  • the second external electrode 62 does not reach the first external electrode 61 on the side surface 22C, and is disposed away from the first external electrode 61 in the direction along the first axis X.
  • the first external electrode 61 and the second external electrode 62 are not laminated, and the glass film 50 is exposed. Note that in Figures 1 to 3, the first external electrode 61 and the second external electrode 62 are illustrated by two-dot chain lines.
  • the first external electrode 61 and the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side are connected via a first penetration portion 71 that penetrates the glass film 50.
  • the first penetration portion 71 is formed during the manufacturing process of the electronic component 10 by the silver and palladium that constitute the first internal electrode 41 extending toward the first external electrode 61 side.
  • the second external electrode 62 and the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side are connected via a second penetration portion 72 that penetrates the glass film 50.
  • the second penetration portion 72 is formed by the silver and palladium that constitute the second internal electrode 42 extending toward the second external electrode 62 during the manufacturing process of the electronic component 10.
  • the first internal electrode 41 and the first penetration portion 71 are illustrated as separate members with a boundary, but in reality there is no clear boundary between the two. The same applies to the second penetration portion 72.
  • the first penetration portion 71 and the second penetration portion 72 are not illustrated in FIGS. 1 and 2.
  • the portion of the glass film 50 that is not covered by either the first base electrode 61A or the second base electrode 62A is a substantially uniform glass layer of silicon dioxide.
  • the portion of the glass film 50 that is covered by either the first base electrode 61A or the second base electrode 62A is a mixture of two types of glass layers with different compositions.
  • the glass film 50 has a base portion 51 and a specific portion 52. Most of the base portion 51 and the specific portion 52 are located in the glass film 50 between the first base electrode 61A and the outer surface 21 of the element body 20, and between the second base electrode 62A and the outer surface 21 of the element body 20.
  • the base portion 51 contains silicon oxide as well as oxides of one or more metal elements selected from alkali metals and alkaline earth metals. In this embodiment, the metal element is barium. In this embodiment, the base portion 51 contains oxides of barium and calcium, which are alkaline earth metals. The base portion 51 also contains zinc oxide. Furthermore, the base portion 51 contains aluminum oxide.
  • the specific portion 52 has a flat layer shape when viewed in cross section.
  • the specific portion 52 contains oxides of the same metal elements as the base portion 51. That is, in this embodiment, the specific portion 52 contains an oxide of barium, which is an alkaline earth metal. On the other hand, the specific portion 52 does not contain an oxide of calcium. Furthermore, the specific portion 52 contains an oxide of zinc. On the other hand, the specific portion 52 does not contain an oxide of aluminum.
  • the content of barium, a metal element, in the specific portion 52 is smaller than the content of barium, a metal element, in the base portion 51.
  • the content of silicon in the specific portion 52 is greater than the content of silicon in the base portion 51.
  • the content of zinc in the specific portion 52 is greater than the content of zinc in the base portion 51.
  • the method for producing electronic component 10 includes a laminate preparation step S11, an R-chamfering process step S12, a solvent introduction step S13, a catalyst introduction step S14, an element introduction step S15, a polymer introduction step S16, and a metal alkoxide introduction step S17.
  • the method for producing electronic component 10 further includes a film formation step S18, a drying step S19, a baking step S20, a conductor application step S21, a curing step S22, and a plating step S23.
  • a laminate which is the element body 20 that does not have boundary surfaces 23 and corner surfaces 24. That is, the laminate is in a state before R-chamfering and has a rectangular parallelepiped shape with six flat surfaces 22.
  • a plurality of ceramic sheets that will become the element body 20 are prepared. The sheets are thin plate-like. A conductive paste that will become the first internal electrode 41 is laminated on the sheets. A ceramic sheet that will become the element body 20 is laminated on the laminated paste. A conductive paste that will become the second internal electrode 42 is laminated on the sheet. In this way, the ceramic sheet and the conductive paste are laminated. Then, by cutting to a predetermined size, an unfired laminate is formed. After that, the unfired laminate is fired at a high temperature to prepare the laminate.
  • the R-chamfering process S12 is performed.
  • the boundary surface 23 and the corner surface 24 are formed on the laminate prepared in the laminate preparation process S11.
  • the corners of the laminate are R-chamfered by barrel polishing, thereby forming the boundary surface 23 having a curved surface and the corner surface 24 having a curved surface. In this way, the base body 20 is formed.
  • a catalyst introduction step S14 is performed as shown in Fig. 5.
  • Fig. 7 in the catalyst introduction step S14, first, stirring of the solvent 82 in the reaction vessel 81 is started. Then, ammonia water is introduced into the reaction vessel 81 as an aqueous solution 83 containing a catalyst.
  • the catalyst in this embodiment is a hydroxide ion, which functions as a catalyst for promoting hydrolysis of a metal alkoxide 85 described later.
  • the element introduction step S15 is performed. As shown in FIG. 8, in the element introduction step S15, a plurality of element bodies 20 that have been previously formed in the R chamfering step S12 as described above are introduced into a reaction vessel 81.
  • a polymer introduction step S16 is performed.
  • polyvinylpyrrolidone is introduced into the reaction vessel 81 as the polymer 84.
  • the polymer 84 introduced into the reaction vessel 81 is adsorbed onto the outer surface 21 of the element body 20.
  • a metal alkoxide introduction step S17 is performed.
  • liquid tetraethyl orthosilicate is introduced into the reaction vessel 81 as the metal alkoxide 85.
  • tetraethyl orthosilicate is also called tetraethoxysilane.
  • the amount of metal alkoxide 85 introduced in the metal alkoxide introduction step S17 is calculated based on the area of the outer surface 21 of the element body 20 introduced in the element introduction step S15.
  • the amount of metal alkoxide 85 per element body 20 required to form a pre-diffusion glass film 50A covering the outer surface 21 of the element body 20 is multiplied by the number of element bodies 20 to calculate the amount.
  • the pre-diffusion glass film 50A is a film in a state before diffusion of the metal elements contained in the glass of the conductor paste occurs, as described later. In other words, the pre-diffusion glass film 50A does not contain any metal elements derived from the conductor paste.
  • the film formation process S18 is performed.
  • the stirring of the solvent 82 started in the above-mentioned solvent introduction process S13 is continued for a predetermined time after the metal alkoxide 85 is introduced into the reaction vessel 81 in the metal alkoxide introduction process S17.
  • a pre-diffusion glass film 50A is formed by a liquid phase reaction in the reaction vessel 81.
  • a drying step S19 is performed.
  • the element body 20 is removed from the reaction vessel 81 and dried.
  • the sol-like pre-diffusion glass film 50A is dried and becomes a gel-like pre-diffusion glass film 50A.
  • the firing step S20 is performed.
  • the base body 20 covered with the gel-like pre-diffusion glass film 50A is heated. This causes the water and polymer 84 to evaporate from the gel-like pre-diffusion glass film 50A. As a result, a pre-diffusion glass film 50A made of silicon dioxide is formed.
  • the conductor application step S21 is performed.
  • a conductor paste is applied to two portions of the surface of the pre-diffusion glass film 50A, namely, a portion including a portion covering the first end face 22A of the element 20, and a portion including a portion covering the second end face 22B of the element 20.
  • the conductor paste is applied to cover the glass film 50 on the entire first end face 22A and a portion on the four side faces 22C.
  • the conductor paste is also applied to cover the pre-diffusion glass film 50A on the entire second end face 22B and a portion on the four side faces 22C.
  • the conductor paste contains copper powder, glass, and an organic medium.
  • the copper powder of the conductor paste becomes the first base electrode 61A and the second base electrode 62A by the subsequent hardening step S22.
  • the glass of the conductor paste contains an additive containing one or more metal elements selected from alkali metals and alkaline earth metals. More specifically, the metal element is barium. Additionally, the conductive paste contains calcium, aluminum, and zinc as additives.
  • the hardening step S22 is performed. Specifically, in the hardening step S22, the pre-diffusion glass film 50A and the base body 20 to which the conductive paste has been applied are heated. This causes the organic medium in the conductive paste to evaporate. The copper powder in the conductive paste then combines to form the first base electrode 61A and the second base electrode 62A. In other words, the material of the first base electrode 61A and the second base electrode 62A is copper. Note that the first base electrode 61A and the second base electrode 62A may contain impurities.
  • the glass in the conductor paste melts and becomes integrated with a portion of the pre-diffusion glass film 50A.
  • the pre-diffusion glass film 50A is composed of almost only silicon oxide. Therefore, the pre-diffusion glass film 50A has a high melting point. Therefore, a portion of the pre-diffusion glass film 50A does not become integrated with the glass of the conductor paste and remains.
  • the metal elements contained in the glass additive in the conductor paste diffuse into the pre-diffusion glass film 50A made of silicon dioxide. As a result, the metal elements penetrate into the pre-diffusion glass film 50A covering the outer surface 21 of the element body 20.
  • the mixture of the glass derived from the conductor paste and the pre-diffusion glass film 50A becomes the base portion 51.
  • the pre-diffusion glass film 50A that remains without being integrated with the glass of the conductor paste becomes the specific portion 52.
  • the metal elements are also diffused into the pre-diffusion glass film 50A that remains without being integrated with the glass of the conductor paste. Therefore, the specific portion 52 contains a metal element, although in smaller amounts, compared to the base portion 51.
  • the diffusion of metal elements as described above is unlikely to occur in the areas that are not covered with the conductive paste. Therefore, in the pre-diffusion glass film 50A, the areas that are not covered with the conductive paste become a generally uniform layer of glass with no distinction between the base portion 51 and the specific portion 52.
  • the Kirkendall effect which arises from the difference in diffusion speed between the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A, attracts the silver and palladium contained in the first internal electrode 41 to the first base electrode 61A, which is copper.
  • the first penetration portion 71 extends from the first internal electrode 41 toward the first base electrode 61A through the glass film 50, connecting the first internal electrode 41 to the first base electrode 61A.
  • the second penetration portion 72 that connects the second internal electrode 42 to the second base electrode 62A.
  • the plating step S23 is performed.
  • electroplating is performed on the first base electrode 61A and the second base electrode 62A.
  • a first metal layer 61B is formed on the surface of the first base electrode 61A.
  • a second metal layer 62B is formed on the surface of the second base electrode 62A.
  • the first metal layer 61B is electroplated with two types of metal, nickel and tin, to form a two-layer structure of a nickel layer 61C and a tin layer 61D.
  • the second metal layer 62B is electroplated with two types of metal, nickel and tin, in that order to form a two-layer structure of a nickel layer and a tin layer. In this manner, the electronic component 10 is formed.
  • the electronic component 10 of the above embodiment is surface-treated with a water-soluble flux when solder-mounted on a substrate, etc. At this time, the water-soluble flux may penetrate into the glass film 50 from the interface between the first external electrode 61 and the glass film 50, and further into the element body 20.
  • the glass film 50 has a base portion 51 and a specific portion 52.
  • the specific portion 52 contains silicon oxide and an oxide of a metal element.
  • the content ratio of the metal element in the specific portion 52 is smaller than the content ratio of the metal element in the base portion 51. Therefore, an interface between the base portion 51 and the specific portion 52 can be present in the glass film 50. If an interface is present in the glass film 50 in this way, even if the water-soluble flux penetrates into the glass film 50, the water-soluble flux will extend on the interface. Therefore, the water-soluble flux that has penetrated is unlikely to penetrate deeper than the interface between the base portion 51 and the specific portion 52. Therefore, it is possible to more effectively prevent erosion of the element body 20 from the outside.
  • the silicon content of the specific portion 52 is greater than the silicon content of the base portion 51. In this way, the composition of the specific portion 52 is different from the composition of the base portion 51. Therefore, the interface between the base portion 51 and the specific portion 52 becomes clearer.
  • the metal element is barium, which is an alkaline earth metal.
  • barium is relatively easy to obtain. Therefore, there is no need to prepare an element that is difficult to obtain.
  • the specifying portion 52 contains zinc oxide. Therefore, the containing of zinc tends to result in a stable composition containing barium, which is an alkaline earth metal.
  • the zinc content of the specific portion 52 is greater than the zinc content of the base portion 51. Therefore, the composition of the specific portion 52 is different from the composition of the base portion 51. Therefore, the interface between the base portion 51 and the specific portion 52 becomes clearer.
  • the first external electrode 61 has the first metal layer 61B. Therefore, there is a high possibility that the electronic component 10 will be used by being mounted on a substrate or the like by soldering. In other words, there is a high possibility that the electronic component 10 will be exposed to water-soluble flux. Therefore, the effect of preventing the intrusion of water-soluble flux is very significant.
  • the first metal layer 61B extends over a wider area than the first base electrode 61A. Therefore, a part of the first metal layer 61B is also located on the surface of the glass film 50. Therefore, when the outer edge of the first metal layer 61B is located outside the outer edge of the first base electrode 61A, it is possible to prevent a gap from being generated between the first external electrode 61 and the glass film 50. Preventing such a gap from being generated makes it easier to prevent the intrusion of water-soluble flux from between the first external electrode 61 and the glass film 50.
  • the electronic component 10 is not limited to a negative characteristic thermistor component.
  • it may be a thermistor component other than a negative characteristic, or it may be a multilayer capacitor component or an inductor component.
  • the material of the element body 20 is not limited to that in the above embodiment.
  • the material of the element body 20 may be a composite body of resin and metal powder.
  • the shape of the element body 20 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the element body 20 may be a polygonal columnar shape other than a quadrangular columnar shape having a central axis CA.
  • the element body 20 may also be a core of a wire-wound inductor component.
  • the core may have a so-called drum core shape.
  • the core may have a columnar winding core portion and flange portions provided at each end of the winding core portion.
  • the outer surface 21 of the element body 20 may not have boundary surfaces 23 and corner surfaces 24.
  • boundary surfaces 23 and corner surfaces 24 may not exist.
  • the shape of the first internal electrode 41 and the second internal electrode 42 does not matter as long as it can ensure electrical conduction with the corresponding first external electrode 61 and second external electrode 62.
  • the number of first internal electrodes 41 and second internal electrodes 42 does not matter, and the number of internal electrodes may be one or three or more.
  • the configuration of the first external electrode 61 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be composed of only the first base electrode 61A, and the first metal layer 61B may not have a two-layer structure. The same applies to the second external electrode 62.
  • the combination of materials between the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A is not limited to a combination of copper on one side and silver and palladium on the other side.
  • it may be a combination of palladium and silver, copper and nickel, copper and silver, copper and palladium, silver and gold, nickel and cobalt, or nickel and gold.
  • it may be a combination of copper on one side and copper and nickel on the other.
  • it may be a combination of nickel on one side and copper and nickel on the other.
  • it may be a combination of gold on one side and silver and palladium on the other.
  • the Kirkendall effect may not be obtained.
  • the first internal electrode 41 may be processed to be exposed before the external electrode formation process.
  • the first end surface 22A side of the element body 20 may be polished to physically remove a part of the glass film 50.
  • the base electrode formation process may then be performed to connect the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A.
  • the glass film 50 may be formed including the surface of the first base electrode 61A, and the glass film 50 covering the surface of the first base electrode 61A may be removed. This also applies to the combination of materials for the second internal electrode 42 and the second base electrode 62A.
  • the location of the first external electrode 61 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be disposed only on the first end surface 22A and one side surface 22C.
  • the glass film 50 does not have to cover the entire area of the outer surface 21 of the element body 20.
  • the area covered by the glass film 50 may be changed as appropriate depending on the shape of the element body 20, the positions of the first external electrode 61 and the second external electrode 62, etc.
  • the metal element contained in the glass film 50 may be an alkali metal.
  • the metal element contained in the glass film 50 may be any of the alkali metals lithium, sodium, and potassium. Among the alkali metals, lithium, sodium, and potassium are relatively easy to obtain. Therefore, there is no need to prepare an element that is difficult to obtain.
  • the metal element contained in the glass film 50 may be calcium, which is an alkaline earth metal.
  • the metal contained in the glass film 50 may also be another alkaline earth metal.
  • the specific portion 52 may contain aluminum oxide.
  • the specific portion 52 may contain zinc oxide.
  • the base portion 51 and the specific portion 52 may contain additives of other elements. Depending on the content ratio of the other elements, the silicon content ratio of the specific portion 52 may be equal to or lower than the silicon content ratio of the base portion 51.
  • the base portion 51 may not contain aluminum oxide.
  • the base portion 51 may not contain zinc oxide.
  • the zinc content of the specific portion 52 may be equal to or less than the zinc content of the base portion 51.
  • the material of the glass film 50 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the glass is not limited to silicon dioxide, and may be a multi-component oxide containing Si, such as B-Si, Si-Zn, Zr-Si, or Al-Si oxides.
  • the glass may also be a multi-component oxide containing an alkali metal and Si, such as Al-Si, Na-Si, K-Si, or Li-Si oxides.
  • the glass may also be a multi-component oxide containing an alkaline earth metal and Si, such as Mg-Si, Ca-Si, Ba-Si, or Sr-Si.
  • the glass may not contain Si, and may be a mixture of these. If the material of the glass film 50 contains boron, the specific portion 52 may contain boron oxide. In this case, the base portion 51 may also contain boron oxide.
  • the material of the glass film 50 may also contain a surface treatment agent or an antistatic agent, such as a pigment, a silicone-based flame retardant, a silane coupling agent, or a titanate coupling agent.
  • a surface treatment agent or an antistatic agent such as a pigment, a silicone-based flame retardant, a silane coupling agent, or a titanate coupling agent.
  • the glass film 50 may contain, in addition to glass, additives such as organic acid salts, oxides, inorganic salts, organic salts, and other fine particles and nanoparticles of metal oxides.
  • additives such as organic acid salts, oxides, inorganic salts, organic salts, and other fine particles and nanoparticles of metal oxides.
  • organic acid salts include salts of oxoacids such as soda ash, sodium carbonate, sodium hydrogencarbonate, sodium percarbonate, sodium sulfite, sodium hydrogensulfite, sodium sulfate, sodium thiosulfate, sodium nitrate, and sodium sulfite; and halogen compounds such as sodium fluoride, sodium chloride, sodium bromide, and sodium iodide.
  • An example of the oxide is sodium peroxide
  • an example of the hydroxide is sodium hydroxide.
  • examples of inorganic salts include sodium hydride, sodium sulfide, sodium hydrogen sulfide, sodium silicate, trisodium phosphate, sodium borate, sodium borohydride, sodium cyanide, sodium cyanate, and sodium tetrachloroaurate.
  • inorganic salts include calcium peroxide, calcium hydroxide, calcium fluoride, calcium chloride, calcium bromide, calcium iodide, calcium hydride, calcium carbide, and calcium phosphide.
  • Additives may also be oxoacid salts such as calcium carbonate, calcium bicarbonate, calcium nitrate, calcium sulfate, calcium sulfite, calcium silicate, calcium phosphate, calcium pyrophosphate, calcium hypochlorite, calcium chlorate, calcium perchlorate, calcium bromate, calcium iodate, calcium arsenite, calcium chromate, calcium tungstate, calcium molybdate, calcium magnesium carbonate, and hydroxyapatite.
  • Additives may also include calcium acetate, calcium gluconate, calcium citrate, calcium malate, calcium lactate, calcium benzoate, calcium stearate, and calcium aspartate.
  • the additive may be lithium carbonate, lithium chloride, lithium titanate, lithium nitride, lithium peroxide, lithium citrate, lithium fluoride, lithium hexafluorophosphate, lithium acetate, lithium iodide, lithium hypochlorite, lithium tetraborate, lithium bromide, lithium nitrate, lithium hydroxide, lithium aluminum hydride, lithium triethylborohydride, lithium hydride, lithium amide, lithium imide, lithium diisopropylamide, lithium tetramethylpiperidide, lithium sulfide, lithium sulfate, lithium thiophenolate, or lithium phenoxide.
  • the additive may be boron triiodide, sodium cyanoborohydride, sodium borohydride, tetrafluoroboric acid, triethylborane, borax, or boric acid.
  • additives include potassium arsenide, potassium bromide, potassium carbide, potassium chloride, potassium fluoride, potassium hydride, potassium iodide, potassium triiodide, potassium azide, potassium nitride, potassium superoxide, potassium ozonate, potassium peroxide, potassium phosphide, potassium sulfide, potassium selenide, potassium telluride, potassium tetrafluoroaluminate, potassium tetrafluoroborate, potassium tetrahydroborate, potassium methanide, potassium cyanide, potassium formate, potassium hydrogen fluoride, and tetramercury iodide.
  • the additive may be barium sulfite, barium chloride, barium chlorate, barium perchlorate, barium peroxide, barium chromate, barium acetate, barium cyanide, barium bromide, barium oxalate, barium nitrate, barium hydroxide, barium hydride, barium carbonate, barium iodide, barium sulfide, or barium sulfate.
  • the additive may be sodium acetate or sodium citrate.
  • the additive may also be fine particles or nanoparticles of metal oxides, such as sodium oxide, calcium oxide, lithium oxide, boron oxide, potassium oxide, barium oxide, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, and magnesium oxide.
  • metal oxides such as sodium oxide, calcium oxide, lithium oxide, boron oxide, potassium oxide, barium oxide, silicon oxide, titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, and magnesium oxide.
  • the specific portion 52 is not limited to one layer.
  • the number of the specific portions 52 may be multiple.
  • the shape of the specific portions 52 does not have to be layered.
  • the glass film 50 has multiple specific portions 52.
  • the major axis of the specific portion 52 When viewed in cross section on a plane perpendicular to the outer surface 21 of the base body 20, the major axis of the specific portion 52 is three times or more the minor axis.
  • the major axis is the maximum length of the line segment that passes through the geometric center of one specific portion 52 and can be drawn from outer edge to outer edge when viewed in cross section.
  • the minor axis is the length of the line segment that passes through the geometric center of the same specific portion 52, is perpendicular to the major axis, and can be drawn from outer edge to outer edge when viewed in cross section.
  • the major axis of one specific portion 52 is three times or more the minor axis, that is, the specific portion 52 is plate-shaped or needle-shaped when viewed in cross section. This allows the path from the outside of the glass film 50 through the base portion 51 to the element body 20 to be complex. It also increases the likelihood that more interfaces will be aligned in the direction perpendicular to the outer surface 21 of the element body 20.
  • the metal alkoxide 85 may be, for example, sodium methoxide, sodium ethoxide, calcium diethoxide, lithium isopropoxide, lithium ethoxide, lithium tert-butoxide, lithium methoxide, boron alkoxide, potassium t-butoxide, tetraethyl orthosilicate, allyltrimethoxysilane, isobutyl(trimethoxy)silane, tetrapropyl orthosilicate, tetramethyl orthosilicate, [3-(diethylamino)propyl]trimethylsilane, triethoxysilane, triethoxy(octyl)silane, triethoxyvinylsilane, triethoxyphenylsilane, trimethoxyphenylsilane, trimethoxymethylsilane, butyltrichlorosilane, n-propyltriethoxys
  • a metal complex or acetate which is a precursor of the metal alkoxide 85, may be used instead of the metal alkoxide 85.
  • a metal complex or acetate which is a precursor of the metal alkoxide, may be introduced.
  • Examples of the metal complex include acetylacetonates such as lithium acetylacetonate, titanium (IV) oxyacetylacetonate, titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate), zirconium (IV) trifluoroacetylacetonate, zirconium (IV) acetylacetonate, aluminum acetylacetonate, aluminum (III) acetylacetonate, calcium (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate.
  • Examples of acetate include zirconium acetate, zirconium (IV) hydroxide acetate, and basic aluminum acetate.
  • the manufacturing method of the electronic component 10 is not limited to the above embodiment.
  • the solvent introduction step S13 may be performed after the catalyst introduction step S14 or the element introduction step S15.
  • the solvent 82 is not limited to 2-propanol. The solvent 82 may be changed as appropriate as long as it can sufficiently disperse the metal alkoxide 85.
  • ⁇ 3> The electronic component according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the metal element is any one of alkali metals, lithium, sodium, and potassium.
  • ⁇ 4> The electronic component according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the metal element is either calcium or barium, which is an alkaline earth metal.
  • ⁇ 5> The electronic component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the specific portion contains an oxide of any one of elements of zinc, boron, and aluminum.
  • the base portion includes zinc oxide;
  • the specific portion contains zinc oxide,
  • the electronic component according to ⁇ 5>, wherein the specific portion has a higher zinc content than the base portion.
  • the glass film has a plurality of the specific portions, When viewed in cross section, the longest length of a line segment that passes through the geometric center of the specific portion and can be drawn from one outer edge to the other is defined as the major axis; When viewed in cross section, the length of a line segment that passes through the geometric center of the specific portion, is perpendicular to the major axis, and can be drawn from one outer edge to the other outer edge is defined as the minor axis.
  • the electronic component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the major axis is three or more times the minor axis.
  • the external electrode further includes a metal layer, The electronic component according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, wherein the metal layer is provided on a surface of the base electrode.
  • Reference Signs List 10 Electronic component 20: Body 21: Outer surface 50: Glass film 51: Base portion 52: Specific portion 61: First external electrode 61A: First base electrode 61B: First metal layer

Landscapes

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Abstract

ガラス膜（５０）は、ベース部（５１）と、特定部（５２）と、を有している。ベース部（５１）は、ベース部（５１）は、ケイ素酸化物に加えてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素の酸化物を含んでいる。特定部（５２）は、ケイ素酸化物に加えてベース部（５１）と同じ金属元素の酸化物を含んでいる。特定部（５２）における金属元素の含有割合は、ベース部（５１）における金属元素の含有割合よりも小さくなっている。

Description

電子部品
　本発明は、電子部品に関する。
　特許文献１には、電子部品が記載されている。電子部品は、素体と、素体の表面に積層された外部電極と、を備えている。外部電極は、導電性ペーストを焼成することにより形成される。導電性ペーストは、導電性粉末、ホウケイ酸塩系ガラス、シリカ粉末、有機ビヒクルを含んでいる。
特許第５７６５０４１号公報
　特許文献１に記載の電子部品は、外部電極内にシリカ粉末を含んでいる。そのため、はんだ付けの際の表面処理剤である水溶性フラックスへの耐性、いわゆる耐フラックス性が向上し得る。その一方で、特許文献１に記載の電子部品は、導電性ペーストがシリカ粉末を高濃度で含んでいるが故に、導電性ペーストの融点が高くなる。そのため、導電性ペーストの焼成時に、素体等にクラックが生じやすくなる。したがって、シリカ粉末の量を多くするのにも限界がある。したがって、シリカ粉末の添加とは別に、耐フラックス性を向上できる技術が求められる。
　上記課題を解決するため、本開示の一態様は、素体と、前記素体の外表面を覆うガラス膜と、前記ガラス膜の外表面に設けられ、少なくとも下地電極を有する外部電極と、を備え、前記ガラス膜は、ケイ素酸化物に加えてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素の酸化物を含むベース部と、ケイ素酸化物に加えて前記ベース部と同じ前記金属元素の酸化物を含む特定部を有し、前記特定部における前記金属元素の含有割合は、前記ベース部における前記金属元素の含有割合よりも小さい電子部品である。
　上記構成によれば、ガラス膜の中に、ベース部と特定部との界面を存在させることができる。このようにガラス膜中にも界面が存在すると、仮にガラス膜中に水溶性フラックスが浸入しても、水溶性フラックスが界面上を延びていくものの、それよりも奥には浸透しにくい。よって、外部から素体への浸食をより防止できる。
　耐フラックス性を向上させることができる。
図１は、一実施形態の電子部品の斜視図である。 図２は、一実施形態の電子部品の側面図である。 図３は、図２における３－３線に沿う断面図である。 図４は、図３におけるガラス膜を含む箇所の拡大断面図である。 図５は、電子部品の製造方法を説明するフローチャートである。 図６は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図７は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図８は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図９は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図１０は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図１１は、電子部品の製造方法を説明する説明図である。 図１２は、変更例の電子部品のガラス膜を含む箇所の拡大断面図である。
　（一実施形態）
　以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。
　＜電子部品の概略構成＞
　図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の負特性サーミスタ部品である。なお、負特性サーミスタ部品は、温度が上がると抵抗値が下がるという特性を有するものである。
　電子部品１０は、素体２０を備えている。素体２０は、略四角柱状であり、中心軸線ＣＡを有する。なお、以下では、中心軸線ＣＡに沿って延びる軸を第１軸Ｘとする。また、第１軸Ｘに直交する軸の１つを第２軸Ｙとする。そして、第１軸Ｘ及び第２軸Ｙに直交する軸を第３軸Ｚとする。さらに、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向のうち第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、第２軸Ｙに沿う方向のうち第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、第３軸Ｚに沿う方向のうち第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。
　素体２０の外表面２１は、６個の平面２２を有している。なお、ここでいう素体２０の「面」とは、素体２０全体を観察したときに面として観察できるものをいう。つまり、例えば素体２０の一部を顕微鏡等で拡大して観察しなければわからないような微小な凹凸、段差が存在しても、平面又は曲面と表現する。６個の平面２２は、互いに異なる向きに広がっている。６個の平面２２は、第１正方向Ｘ１を向く第１端面２２Ａと、第１負方向Ｘ２を向く第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃに大別される。４つの側面２２Ｃは、それぞれ、第３正方向Ｚ１を向く面と、第３負方向Ｚ２を向く面と、第２正方向Ｙ１を向く面と、第２負方向Ｙ２を向く面と、である。
　素体２０の外表面２１は、１２個の境界面２３を有している。境界面２３は、隣り合う平面２２同士の境界に存在する曲面を含んでいる。すなわち、境界面２３は、例えば、隣り合う平面２２を形成される角をＲ面取り加工することで形成される曲面を含んでいる。
　また、素体２０の外表面２１は、８個の球面状のコーナ面２４を有している。コーナ面２４は、隣り合う３つの平面２２同士の境界部分である。換言すれば、コーナ面２４は、３つの境界面２３が交わる箇所の曲面を含んでいる。すなわち、コーナ面２４は、例えば、隣り合う３つの平面２２によって形成される角をＲ面取り加工することによって形成された曲面を含んでいる。
　なお、図１及び図２では、後述するガラス膜５０の表面を素体２０の外表面２１と同一視して符号を付している。
　図２に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第３軸Ｚに沿う方向の寸法よりも大きい。また、図１に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第２軸Ｙに沿う方向の寸法よりも大きい。また、素体２０の材質は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌ、及びＺｎの少なくとも１つを成分とする金属酸化物を焼成したセラミックスである。
　図３に示すように、電子部品１０は、２つの第１内部電極４１と、２つの第２内部電極４２と、を備えている。第１内部電極４１及び第２内部電極４２は、素体２０の内部に埋め込まれている。
　第１内部電極４１の材質は、導電性の材料である。例えば、第１内部電極４１の材質は、銀及びパラジウムである。また、第２内部電極４２の材質は、第１内部電極４１の材質と同一の銀及びパラジウムである。
　第１内部電極４１の形状は、長方形板状である。第１内部電極４１の主面は、第２軸Ｙに直交している。第２内部電極４２の形状は、第１内部電極４１と同じ長方形板状である。第２内部電極４２の主面は、第１内部電極４１と同様に、第２軸Ｙに直交している。
　第１内部電極４１の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法より小さくなっている。また、図１に示すように、第１内部電極４１の第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、素体２０の第３軸Ｚに沿う方向の寸法の略３分の２となっている。第２内部電極４２の各方向の寸法は、第１内部電極４１と同じ寸法となっている。
　図３に示すように、第１内部電極４１と第２内部電極４２とは、第２軸Ｙに沿う方向に互い違いに位置している。すなわち、第２正方向Ｙ１を向く側面２２Ｃから第２負方向Ｙ２に、第１内部電極４１、第２内部電極４２、第１内部電極４１、第２内部電極４２の順に並んでいる。この実施形態では、各内部電極間の第２軸Ｙに沿う方向の距離は、等しくなっている。
　図１に示すように、２つの第１内部電極４１及び２つの第２内部電極４２は、いずれも、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央に位置している。その一方で、図３に示すように、第１内部電極４１は、第１正方向Ｘ１に寄って位置している。第２内部電極４２は、第１負方向Ｘ２に寄って位置している。
　具体的には、第１内部電極４１の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端と一致している。第１内部電極４１の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端にまで至っていない。一方で、第２内部電極４２の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端と一致している。第２内部電極４２の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端にまで至っていない。
　電子部品１０は、ガラス膜５０を備えている。ガラス膜５０は、素体２０の外表面２１を覆っている。本実施形態では、ガラス膜５０は、素体２０の外表面２１の概ねすべての領域を覆っている。ガラス膜５０の主な材質は、絶縁性のガラスである。したがって、ガラス膜５０は、ケイ素酸化物、具体的には二酸化ケイ素を含んでいる。
　図３に示すように、電子部品１０は、第１外部電極６１と、第２外部電極６２と、を備えている。第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６１Ｂと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第１端面２２Ａを含む一部分において、ガラス膜５０の上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２２Ａと、４つの側面２２Ｃの第１正方向Ｘ１側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、銅である。
　第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａを外部から覆っている。そのため、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａに積層されている。具体的には、図４に示すように、第１金属層６１Ｂは、ニッケル層６１Ｃと、錫層６１Ｄと、の２層構造となっている。また、図３に示すように、第１金属層６１Ｂの外縁は、第１下地電極６１Ａの外縁よりも外側に位置している。そして、第１金属層６１Ｂの外縁は、ガラス膜５０の表面上に位置している。そのため、第１金属層６１Ｂの一部は、ガラス膜５０の表面上に位置している。
　図３に示すように、第２外部電極６２は、第２下地電極６２Ａと、第２金属層６２Ｂと、を有している。第２下地電極６２Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第２端面２２Ｂを含む一部分において、ガラス膜５０の上から積層されている。具体的には、第２下地電極６２Ａは、素体２０の第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃの第１負方向Ｘ２側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第２下地電極６２Ａの材質は、第１外部電極６１の材質と同一で、銅である。
　第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａを外部から覆っている。そのため、第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａに積層されている。具体的には、第２金属層６２Ｂは、第１金属層６１Ｂと同様に、図示は省略するが、ニッケル層と、錫層と、の２層構造となっている。また、図３に示すように、第２金属層６２Ｂの外縁は、第２下地電極６２Ａの外縁よりも外側に位置している。そして、第２金属層６２Ｂの外縁は、ガラス膜５０の表面上に位置している。そのため、第２金属層６２Ｂの一部は、ガラス膜５０の表面上に位置している。
　第２外部電極６２は、側面２２Ｃ上において、第１外部電極６１にまでは至っておらず、第１外部電極６１に対して第１軸Ｘに沿う方向に離れて配置されている。そして、素体２０の側面２２Ｃ上において、第１軸Ｘに沿う方向の中央部分は、第１外部電極６１及び第２外部電極６２が積層されておらず、ガラス膜５０が露出している。なお、図１～図３では、第１外部電極６１及び第２外部電極６２は、二点鎖線で図示している。
　図３に示すように、第１外部電極６１と第１内部電極４１における第１正方向Ｘ１側の端とは、ガラス膜５０を貫通する第１貫通部７１を介して接続している。なお、詳細は後述するが、第１貫通部７１は、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成する銀及びパラジウムが第１外部電極６１側へと延びることによって形成される。
　また、第２外部電極６２と第２内部電極４２における第１負方向Ｘ２側の端とは、ガラス膜５０を貫通する第２貫通部７２を介して接続している。第２貫通部７２も、第１貫通部７１と同様に、電子部品１０の製造過程において、第２内部電極４２を構成する銀及びパラジウムが第２外部電極６２側へと延びることによって形成される。なお、図３では、第１内部電極４１と第１貫通部７１とを境界のある別の部材として図示しているが、実際には両者の間に明確な境界は存在しない。この点、第２貫通部７２についても同様である。また、図１及び図２においては、第１貫通部７１及び第２貫通部７２の図示を省略する。
　＜ガラス膜について＞
　ガラス膜５０のうち第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの双方に覆われていない箇所は、概ね均一な二酸化ケイ素のガラス層となっている。一方、ガラス膜５０のうち、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａのいずれかに覆われている箇所は、組成の異なる２種類のガラス層の混合物になっている。
　具体的には、図４に示すように、ガラス膜５０は、ベース部５１と、特定部５２と、を有している。ベース部５１及び特定部５２の大部分は、ガラス膜５０のうち、第１下地電極６１Ａと素体２０の外表面２１との間、及び第２下地電極６２Ａと素体２０の外表面２１との間に位置している。ベース部５１は、ケイ素酸化物に加えてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素の酸化物を含んでいる。本実施形態で、金属元素は、バリウムである。本実施形態では、ベース部５１は、アルカリ土類金属のうちのバリウム及びカルシウムの酸化物を含んでいる。また、ベース部５１は、亜鉛酸化物を含んでいる。さらに、ベース部５１は、アルミニウムの酸化物を含んでいる。
　特定部５２は、断面視したときに偏平な層状となっている。特定部５２は、ケイ素酸化物に加えてベース部５１と同じ金属元素の酸化物を含んでいる。つまり、本実施形態では、特定部５２は、アルカリ土類金属のうちのバリウムの酸化物を含んでいる。一方で、特定部５２は、カルシウムの酸化物を含んでいない。また、特定部５２は、亜鉛酸化物を含んでいる。一方で、特定部５２は、アルミニウムの酸化物を含んでいない。
　そして、特定部５２における金属元素であるバリウムの含有割合は、ベース部５１における金属元素であるバリウムの含有割合よりも小さくなっている。さらに、特定部５２におけるケイ素の含有割合は、ベース部５１におけるケイ素の含有割合よりも大きくなっている。また、特定部５２の亜鉛の含有割合は、ベース部５１の亜鉛の含有割合よりも大きくなっている。
　＜電子部品の製造方法＞
　次に、電子部品１０の製造方法について説明する。
　図５に示すように、電子部品１０の製造方法は、積層体準備工程Ｓ１１と、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２と、溶媒投入工程Ｓ１３と、触媒投入工程Ｓ１４と、素体投入工程Ｓ１５と、ポリマー投入工程Ｓ１６と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７と、を備えている。また、電子部品１０の製造方法は、成膜工程Ｓ１８と、乾燥工程Ｓ１９と、焼成工程Ｓ２０と、導電体塗布工程Ｓ２１と、硬化工程Ｓ２２と、めっき工程Ｓ２３と、をさらに備えている。
　先ず、素体２０を形成するにあたって、積層体準備工程Ｓ１１では、境界面２３及びコーナ面２４を備えない素体２０である積層体を準備する。すなわち、積層体は、Ｒ面取りする前の状態であり、６つの平面２２を有する直方体状である。例えば、先ず、素体２０となる複数のセラミックスのシートを準備する。当該シートは、薄い板状である。当該シート上に、第１内部電極４１となる導電性ペーストを積層する。当該積層ペースト上に、素体２０となるセラミックスのシートを積層する。当該シート上に、第２内部電極４２となる導電性ペーストを積層する。このように、セラミックスのシートと導電性ペーストとを積層する。そして、所定のサイズにカットすることで、未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を高温で焼成することで、積層体を準備する。
　次に、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２を行う。Ｒ面取り加工工程Ｓ１２では、積層体準備工程Ｓ１１で準備した積層体に対して境界面２３及びコーナ面２４を形成する。例えば、バレル研磨により、積層体の角がＲ面取り加工されることによって、曲面を有する境界面２３及び曲面を有するコーナ面２４が形成される。これにより、素体２０が形成される。
　次に、溶媒投入工程Ｓ１３を行う。図６に示すように、溶媒投入工程Ｓ１３では、反応容器８１内に、溶媒８２として、２－プロパノールを投入する。
　次に、図５に示すように、触媒投入工程Ｓ１４を行う。図７に示すように、触媒投入工程Ｓ１４では、先ず、反応容器８１内の溶媒８２の撹拌を開始する。そして、反応容器８１内に、触媒を含む水溶液８３として、アンモニア水を投入する。この実施形態における触媒は、水酸化物イオンであり、後述する金属アルコキシド８５の加水分解を促進する触媒として機能する。
　次に、図５に示すように、素体投入工程Ｓ１５を行う。図８に示すように、素体投入工程Ｓ１５では、反応容器８１内に、上述したようにＲ面取り加工工程Ｓ１２において予め形成した複数の素体２０を投入する。
　次に、図５に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６を行う。図９に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６では、反応容器８１内に、ポリマー８４として、ポリビニルピロリドンを投入する。これにより、反応容器８１内に投入されたポリマー８４は、素体２０の外表面２１に吸着する。
　次に、図５に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７を行う。図１０に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、反応容器８１内に、金属アルコキシド８５として、液状のオルトケイ酸テトラエチルを投入する。なお、オルトケイ酸テトラエチルは、テトラエトキシシランと呼称されることもある。本実施形態において、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７において投入する金属アルコキシド８５の量は、素体投入工程Ｓ１５において投入した素体２０の外表面２１の面積を基に算出している。具体的には、素体２０の外表面２１を覆う拡散前ガラス膜５０Ａを形成するために必要な素体２０の１個当たりの金属アルコキシド８５の量に、素体２０の数を乗算して算出する。拡散前ガラス膜５０Ａは、後述するように、導電体ペーストのガラスに含まれる金属元素の拡散が起きる前の状態の膜である。すなわち、拡散前ガラス膜５０Ａは、導電体ペースト由来の金属元素を含んでいない状態である。
　次に、図５に示すように、成膜工程Ｓ１８を行う。図１１に示すように、成膜工程Ｓ１８では、上述した溶媒投入工程Ｓ１３で開始した溶媒８２の撹拌を、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７によって金属アルコキシド８５が反応容器８１内に投入されてから、所定時間だけ続ける。成膜工程Ｓ１８では、反応容器８１内における液相反応によって、拡散前ガラス膜５０Ａが成膜される。
　次に、図５に示すように、乾燥工程Ｓ１９を行う。乾燥工程Ｓ１９では、成膜工程Ｓ１８において所定時間だけ撹拌を続けた後に、素体２０を反応容器８１から取り出して、乾燥させる。これにより、ゾル状の拡散前ガラス膜５０Ａは乾燥され、ゲル状の拡散前ガラス膜５０Ａとなる。
　次に、焼成工程Ｓ２０を行う。焼成工程Ｓ２０では、ゲル状の拡散前ガラス膜５０Ａで覆われた素体２０を加熱する。これにより、ゲル状の拡散前ガラス膜５０Ａから水及びポリマー８４が気化する。その結果、二酸化ケイ素からなる拡散前ガラス膜５０Ａが形成される。
　次に、導電体塗布工程Ｓ２１を行う。導電体塗布工程Ｓ２１では、拡散前ガラス膜５０Ａの表面のうち、素体２０の第１端面２２Ａを覆う部分を含む一部分と、素体２０の第２端面２２Ｂを覆う部分を含む一部分と、の２箇所に導電体ペーストを塗布する。具体的には、導電体ペーストを、第１端面２２Ａの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部とのガラス膜５０を覆うように塗布する。また、導電体ペーストを、第２端面２２Ｂの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部との拡散前ガラス膜５０Ａを覆うように塗布する。導電体ペーストは、銅の粉末と、ガラスと、有機媒体と、を有している。導電体ペーストの銅の粉末は、後の硬化工程Ｓ２２により、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａとなる。導電体ペーストのガラスは、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素を含む添加物を有している。より具体的には、金属元素は、バリウムである。さらに、添加物として、導電体ペーストは、カルシウム、アルミニウム、亜鉛を含有している。
　次に、硬化工程Ｓ２２を行う。具体的には、硬化工程Ｓ２２は、拡散前ガラス膜５０Ａ及び導電体ペーストが塗布された素体２０を加熱する。これにより、導電体ペーストにおける有機媒体が気化する。そして、導電体ペーストにおける銅の粉末が一体化して第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａとなる。つまり、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの材質は、銅である。なお、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａは、不純物を含むこともある。
　同時に、導電体ペーストにおけるガラスが溶融して、一部の拡散前ガラス膜５０Ａと一体化する。ただし、拡散前ガラス膜５０Ａは、硬化工程Ｓ２２の開始時点では、略ケイ素酸化物のみからなっている。そのため、拡散前ガラス膜５０Ａは、融点が高い。したがって、一部の拡散前ガラス膜５０Ａは、導電体ペーストのガラスとは一体化せず、残存する。ただし、このとき、導電体ペーストにおけるガラスの添加物に含まれる金属元素が、二酸化ケイ素からなる拡散前ガラス膜５０Ａ中へ拡散する。これにより、素体２０の外表面２１を覆う拡散前ガラス膜５０Ａには、金属元素が入り込む。その後、素体２０が焼成されると、導電体ペースト由来のガラスと拡散前ガラス膜５０Ａとの混合物が、ベース部５１になる。一方、導電体ペーストのガラスとは一体化せず残存した拡散前ガラス膜５０Ａは、特定部５２となる。上述したとおり、導電体ペーストのガラスとは一体化せず残存した拡散前ガラス膜５０Ａ中にも金属元素は拡散している。したがって、特定部５２は、ベース部５１と比べて少ないながらも金属元素を含有している。
　なお、拡散前ガラス膜５０Ａのうち、導電体ペーストに覆われていない箇所では、上述したような金属元素の拡散は生じにくい。したがって、拡散前ガラス膜５０Ａのうち、導電体ペーストに覆われていない箇所は、ベース部５１及び特定部５２といった区別のない概ね均一なガラスの層となる。
　本実施形態においては、硬化工程Ｓ２２における加熱の際に、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの拡散速度の違いから生じるカーケンドール効果により、銅である第１下地電極６１Ａ側に、第１内部電極４１側に含まれる銀及びパラジウムが引き寄せられる。これにより、第１内部電極４１から第１下地電極６１Ａに向かって第１貫通部７１がガラス膜５０を貫通して延びることで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとが接続する。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとを接続する第２貫通部７２においても同様である。
　次に、めっき工程Ｓ２３を行う。めっき工程Ｓ２３では、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの部分に、電気めっきを行う。これにより、第１下地電極６１Ａの表面に、第１金属層６１Ｂが形成される。また、第２下地電極６２Ａの表面に、第２金属層６２Ｂが形成される。図４に示すように、第１金属層６１Ｂは、ニッケル、錫の２種類で電気めっきされることで、ニッケル層６１Ｃ及び錫層６１Ｄの２層構造となる。図示は省略するが、第１金属層６１Ｂと同様に、第２金属層６２Ｂは、ニッケル、錫の２種類で順に電気めっきされることで、ニッケル層及び錫層の２層構造となる。このようにして、電子部品１０が形成される。
　（実施形態の作用）
　上記実施形態の電子部品１０は、基板等にはんだ実装される際に、水溶性フラックスを用いて表面処理される。このとき、水溶性フラックスは、第１外部電極６１とガラス膜５０との界面からガラス膜５０の内部に浸入し、さらに素体２０へと浸入することがある。
　（実施形態の効果）
　（１）上記実施形態によれば、ガラス膜５０は、ベース部５１と、特定部５２と、を有している。そして、特定部５２は、ケイ素酸化物及び金属元素の酸化物を含んでいる。そして、特定部５２の金属元素の含有割合は、ベース部５１の金属元素の含有割合よりも小さい。そのため、ガラス膜５０の中に、ベース部５１と特定部５２との界面を存在させることができる。このようにガラス膜５０中にも界面が存在すると、仮にガラス膜５０中に水溶性フラックスが浸入しても、水溶性フラックスが界面上を延びていく。そのため、浸入した水溶性フラックスがベース部５１と特定部５２との界面より奥には浸透しにくい。よって、外部から素体２０への浸食をより防止できる。このように、上記実施形態によれば、シリカ粉末の添加を必ずしも要さずに、耐フラックス性を向上させることができる。
　（２）上記実施形態によれば、特定部５２のケイ素の含有割合は、ベース部５１のケイ素の含有割合よりも大きい。このように、特定部５２の組成が、ベース部５１の組成と異なっている。よって、ベース部５１と特定部５２との界面がより明確になる。
　（３）上記実施形態によれば、金属元素は、アルカリ土類金属のうちのバリウムである。バリウムは、アルカリ土類金属のうち、比較的に入手しやすい。そのため、入手困難な元素を準備する必要がない。
　（４）上記実施形態によれば、特定部５２は、亜鉛酸化物を含んでいる。そのため、亜鉛を含むことで、アルカリ土類金属のバリウムを含む安定な組成となりやすい。
　（５）上記実施形態によれば、特定部５２の亜鉛の含有割合は、ベース部５１の亜鉛の含有割合よりも大きい。そのため、特定部５２の組成が、ベース部５１の組成と異なっている。よって、ベース部５１と特定部５２との界面がより明確になる。
　（６）上記実施形態によれば、第１外部電極６１は、第１金属層６１Ｂを有している。そのため、電子部品１０は、はんだによって基板等に実装されるようにして使用される可能性が高い。換言すると、電子部品１０は、水溶性フラックスに曝される可能性が高い。よって、水溶性フラックスの浸入を防ぐ効果の意義が大きい。
　（７）上記実施形態によれば、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａよりも広い範囲に広がっている。そのため、第１金属層６１Ｂの一部は、ガラス膜５０の表面上にも位置している。よって、第１金属層６１Ｂの外縁が第１下地電極６１Ａの外縁よりも外側に位置するときに、第１外部電極６１とガラス膜５０との間に、隙間が生じることを防ぐことができる。このような隙間が生じることを防ぐことで、第１外部電極６１とガラス膜５０との間から、水溶性フラックスの浸入を防ぎやすくなる。
　（その他の実施形態）
　上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
　・上記実施形態において、電子部品１０は、負特性サーミスタ部品に限られない。例えば、素体２０の内部に何らかの配線を備えているのであれば、負特性以外のサーミスタ部品であってもよいし、積層コンデンサ部品やインダクタ部品であってもよい。
　・素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。素体２０の材質は、樹脂と金属粉体とのコンポジット体であってもよい。
　・素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。
　・素体２０の外表面２１は、境界面２３及びコーナ面２４を有していなくてもよい。例えば、素体２０の外表面２１のうち、隣り合う平面２２の境界が面取り形状になっていない場合、当該境界には、曲面が存在しない。そのため、このような場合には、境界面２３及びコーナ面２４が存在しないこともある。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の形状は、対応する第１外部電極６１及び第２外部電極６２との電気的導通を確保できる形状であれば問わない。また、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の数は問わず、内部電極の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
　・第１外部電極６１の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａのみから構成されていてもよいし、第１金属層６１Ｂが、２層構造でなくてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの材質の組み合わせは、一方が銅で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせに限らない。例えば、パラジウム及び銀、銅及びニッケル、銅及び銀、銅及びパラジウム、銀及び金、ニッケル及びコバルト、又は、ニッケル及び金、の組み合わせであってもよい。また例えば、一方が銅で、他方が銅及びニッケルの組み合わせであってもよい。また例えば、一方がニッケルで、他方が銅及びニッケルの組み合わせであってもよい。また例えば、一方が金で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。
　・なお、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの組み合わせによっては、カーケンドール効果を得られない場合がある。この場合には、外部電極形成工程の前に、第１内部電極４１が露出するように加工すればよい。例えば、素体２０の第１端面２２Ａ側を研磨してガラス膜５０の一部を物理的に除去すればよい。その後、下地電極形成工程を行うことで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとを接続することができる。また例えば、第１下地電極６１Ａを形成した後に、第１下地電極６１Ａの表面も含めてガラス膜５０を形成して、第１下地電極６１Ａの表面を覆うガラス膜５０を除去してもよい。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとの材質の組み合わせにおいても同様である。
　・第１外部電極６１の配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１が第１端面２２Ａと１つの側面２２Ｃとにのみ配置されていてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　＜ガラス膜について＞
　・ガラス膜５０は、素体２０の外表面２１のすべての領域を覆っていなくてもよい。素体２０の形状、第１外部電極６１及び第２外部電極６２の位置等に併せて、ガラス膜５０が覆う範囲は、適宜変更されればよい。
　・ガラス膜５０に含まれる金属元素は、アルカリ金属であってもよい。また、ガラス膜５０に含まれる金属元素は、アルカリ金属のうちのリチウム、ナトリウム、カリウムのいずれかであってもよい。なお、リチウム、ナトリウム、及びカリウムは、アルカリ金属のなかでは、比較的に入手しやすい。そのため、入手困難な元素を準備する必要がない。
　・ガラス膜５０に含まれる金属元素は、アルカリ土類金属のうちのカルシウムであってもよい。また、ガラス膜５０に含まれる金属は、アルカリ土類金属のうちの、他の金属であってもよい。
　・特定部５２は、アルミニウム酸化物を含んでいてもよい。特定部５２は、亜鉛酸化物を含んでいてもよい。また、ベース部５１及び特定部５２は、他の元素の添加物を含んでいてもよい。他の元素の含有割合によって、特定部５２のケイ素の含有割合は、ベース部５１のケイ素の含有割合以下であってもよい。
　・ベース部５１は、アルミニウム酸化物を含んでいなくてもよい。ベース部５１は、亜鉛酸化物を含んでいなくてもよい。さらに、特定部５２の亜鉛の含有割合は、ベース部５１の亜鉛の含有割合以下であってもよい。
　・ガラス膜５０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、ガラスは、二酸化ケイ素のみに限られず、Ｂ－Ｓｉ系、Ｓｉ－Ｚｎ系、Ｚｒ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｓｉ系の酸化物のように、Ｓｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。また、ガラスは、Ａｌ－Ｓｉ系、Ｎａ－Ｓｉ系、Ｋ－Ｓｉ系、Ｌｉ－Ｓｉ系の酸化物のように、アルカリ金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。さらに、ガラスは、Ｍｇ－Ｓｉ系、Ｃａ－Ｓｉ系、Ｂａ－Ｓｉ系、Ｓｒ－Ｓｉ系のようにアルカリ土類金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。そして、ガラスは、Ｓｉを含まなくてもよく、これらの混合物であってもよい。ガラス膜５０の材質に、ホウ素が含まれている場合、特定部５２は、ホウ素酸化物を含んでいてもよい。また、この場合、ベース部５１は、ホウ素酸化物を含んでいてもよい。
　・また、ガラス膜５０の材質は、ガラスに加えて、顔料、シリコーン系難燃剤、シランカップリング材、チタネートカップリング剤等の表面処理剤又は帯電防止剤を含んでいてもよい。
　より具体的には、ガラス膜５０には、ガラスに加えて、有機酸塩、酸化物、無機塩、有機塩、その他金属酸化物の微細な粒子及びナノ粒子の添加物を含んでいてもよい。
　有機酸塩としては、例えば、ソーダ灰、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、過炭酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウムといったオキソ酸の塩やフッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウムといったハロゲン化合物が挙げられる。
　また、酸化物としては、例えば過酸化ナトリウム、水酸化物としては、例えば水酸化ナトリウムが挙げられる。
　無機塩としては、例えば、水素化ナトリウム、硫化ナトリウム、硫化水素ナトリウム、珪酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、ほう酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアン化ナトリウム、シアン酸ナトリウム、テトラクロロ金酸ナトリウムが挙げられる。
　無機塩としては、例えば、過酸化カルシウム、水酸化カルシウム、フッ化カルシウム、塩化カルシウム、臭化カルシウム、ヨウ化カルシウム、水素化カルシウム、炭化カルシウム、リン化カルシウムが挙げられる。
　また、添加物としては、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、硝酸カルシウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、リン酸カルシウム、ピロリン酸カルシウム、次亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、臭素酸カルシウム、ヨウ素酸カルシウム、亜ヒ酸カルシウム、クロム酸カルシウム、タングステン酸カルシウムモリブデン酸カルシウム、炭酸カルシウムマグネシウム、ハイドロキシアパタイト、といったオキソ酸塩であってもよい。また、添加物は、酢酸カルシウム、グルコン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、リンゴ酸カルシウム、乳酸カルシウム、安息香酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、アスパラギン酸カルシウムが挙げられる。
　また例えば、添加物は、炭酸リチウム、塩化リチウム、チタン酸リチウム、窒化リチウム、過酸化リチウム、クエン酸リチウム、フッ化リチウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、酢酸リチウム、ヨウ化リチウム、次亜塩素酸リチウム、四ホウ酸リチウム、臭化リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化トリエチルホウ素リチウム、水素化リチウム、リチウムアミド、リチウムイミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、硫化リチウム、硫酸リチウム、リチウムチオフェノラート、リチウムフェノキシドであってもよい。
　また例えば、添加物は、三ヨウ化ホウ素、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、テトラフルオロほう酸、トリエチルボラン、硼砂、ほう酸であってもよい。
　また例えば、添加物は、ヒ化カリウム、臭化カリウム、炭化カリウム、塩化カリウム、フッ化カリウム、水素化カリウム、ヨウ化カリウム、三ヨウ化カリウム、アジ化カリウム、窒化カリウム、超酸化カリウム、オゾン化カリウム、過酸化カリウム、リン化カリウム、硫化カリウム、セレン化カリウム、テルル化カリウム、テトラフルオロアルミン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、カリウムメタニド、シアン化カリウム、ギ酸カリウム、フッ化水素カリウム、テ、ラヨード水銀（ＩＩ）酸カリウム、硫化水素カリウム、オクタクロロ二モリブデン（ＩＩ）酸カリウム、カリウムアミド、水酸化カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、炭酸カリウム、テトラクロリド白金（ＩＩ）酸カリウム、ヘキサクロリド白金（ＩＶ）酸カリウム、ノナヒドリドレニウム（ＶＩＩ）酸カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、シアン化金（Ｉ）カリウム、ヘキサニトロコバルト（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸カリウム、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド、シアン酸カリウム、雷酸カリウム、チオシアン酸カリウム、硫酸カリウムアルミニウム、アルミン酸カリウム、ヒ酸カリウム、臭素酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、炭酸カリウム、クロム酸カリウム、二クロム酸カリウム、テトラキス（ペルオキソ）クロム（Ｖ）酸カリウム、銅（ＩＩＩ）酸カリウム、鉄酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、マンガン酸カリウム、次亜マンガン酸カリウム、モリブデン酸カリウム、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、リン酸三カリウム、過レニウム酸カリウム、セレン酸カリウム、ケイ酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫酸カリウム、チオ硫酸カリウム、二亜硫酸カリウム、ジチオン酸カリウム、二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ヒ酸二水素カリウム、ヒ酸水素二カリウム、炭酸水素カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸水素二カリウム、セレン酸水素カリウム、亜硫酸水素カリウム、硫酸水素カリウム、ペルオキソ硫酸水素カリウムであってもよい。
　また例えば、添加物は、亜硫酸バリウム、塩化バリウム、塩素酸バリウム、過塩素酸バリウム、過酸化バリウム、クロム酸バリウム、酢酸バリウム、シアン化バリウム、臭化バリウム、シュウ酸バリウム、硝酸バリウム、水酸化バリウム、水素化バリウム、炭酸バリウム、ヨウ化バリウム、硫化バリウム、硫酸バリウムであってもよい。他にも、添加物は、酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムであってもよい。
　また、添加物は、金属酸化物の微細な粒子又はナノ粒子であってもよく、例えば、金属酸化物としては、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化リチウム、酸化ホウ素、酸化カリウム、酸化バリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムが挙げられる。
　・特定部５２は、１つの層状に限られない。特定部５２の数は、複数であってもよい。また、特定部５２の形状は、層状でなくてもよい。例えば、図１２に示す変更例では、ガラス膜５０は、複数の特定部５２を有している。そして、素体２０の外表面２１に直交する平面で断面視したときに、特定部５２の長径は、短径の３倍以上となっている。長径は、断面視したときに、１つの特定部５２の幾何中心を通り、且つ外縁から外縁へと引ける線分の長さのうちの最大の長さとする。また、短径は、断面視したときに、同じ特定部５２の幾何中心を通り、長径に対して直交し、外縁から外縁へと引ける線分の長さである。つまり、図１２に示す変更例によれば、複数の特定部５２により、ベース部５１と特定部５２との界面の数が、より多くなる。そして、１つの特定部５２の長径は、短径の３倍以上、すなわち断面視で板状、又は針状になっている。そのため、ガラス膜５０の外側から素体２０へとベース部５１を通る通路を複雑にできる。また、素体２０の外表面２１に直交する方向において、より多くの界面が並ぶ可能性を高くできる。
　・電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５は、例えば、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カルシウムジエトキシド、リチウムイソプロポキシド、リチウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ－ブトキシド、リチウムメトキシド、ホウ素アルコキシド、カリウムｔ－ブトキシド、オルトケイ酸テトラエチル、アリルトリメトキシシラン、イソブチル（トリメトキシ）シラン、オルトケイ酸テトラプロピル、オルトケイ酸テトラメチル、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリエトキシ（オクチル）シラン、トリエトキシビニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシメチルシラン、ブチルトリクロロシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメトキシ（メチル）オクチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリス（１，２－ベンゼンジオラート－Ｏ，Ｏ’）ケイ酸二カリウム、オルトケイ酸テトラブチル、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸テトラメチルアンモニウム溶液、クロロトリイソプロポキシチタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）イソプロポキシド、チタン（ＩＶ）２－エチルヘキシルオキシド、チタン（ＩＶ）エトキシド、チタン（ＩＶ）ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）プロポキシド、チタン（ＩＶ）メトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ビス（ジエチルシトレート）ジプロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ジブトキシド（ビス－２，４－ペンタンジオネート）、ジルコニウム（ＩＶ）２－エチルヘキサノエート、ジルコニウム（ＩＶ）イソプロポキシドイソプロパノール錯体、ジルコニウム（ＩＶ）エトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）プロポキシド、アルミニウムｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウム－トリ－ｓｅｃ－ブトキシド、アルミニウムフェノキシド、であってもよい。
　・電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５に代えて、金属アルコキシド８５の前駆体である金属錯体や酢酸塩を用いてもよい。この場合、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、金属アルコキシド前駆体である金属錯体や酢酸塩を投入すればよい。金属錯体としては、例えば、リチウムアセチルアセトナート、チタン（ＩＶ）オキシアセチルアセトナート、チタンジイソプロポキシドビス（アセチルアセトナート）、ジルコニウム（ＩＶ）トリフルオロアセチルアセトナート、ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトナート、アセチルアセトン酸アルミニウム、アルミニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、カルシウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナートのようなアセチルアセトナートが挙げられる。また例えば、酢酸塩としては、酢酸ジルコニウム、酢酸水酸化ジルコニウム（ＩＶ）、塩基性酢酸アルミニウムが挙げられる。
　・電子部品１０の製造方法は、上記実施形態の例に限られない。例えば、溶媒投入工程Ｓ１３は、触媒投入工程Ｓ１４や素体投入工程Ｓ１５の後に行ってもよい。また、溶媒８２は、２－プロパノールに限られない。溶媒８２は、金属アルコキシド８５を充分に分散させることができれば、適宜変更されればよい。
　・上記実施形態及び変更例から導き出せる技術思想を以下に記載する。
　＜１＞
　素体と、
　前記素体の外表面を覆うガラス膜と、
　前記ガラス膜の外表面に積層され、少なくとも下地電極を有する外部電極と、を備え、
　前記ガラス膜は、ケイ素酸化物に加えてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素の酸化物を含むベース部と、ケイ素酸化物に加えて前記ベース部と同じ前記金属元素の酸化物を含む特定部を有し、
　前記特定部における前記金属元素の含有割合は、前記ベース部における前記金属元素の含有割合よりも小さい
　電子部品。
　＜２＞
　前記特定部のケイ素の含有割合は、前記ベース部のケイ素の含有割合よりも大きい
　＜１＞に記載の電子部品。
　＜３＞
　前記金属元素は、アルカリ金属のうちのリチウム、ナトリウム、及びカリウムのいずれかである
　＜１＞又は＜２＞に記載の電子部品。
　＜４＞
　前記金属元素は、アルカリ土類金属のうちのカルシウム、及びバリウムのいずれかである
　＜１＞又は＜２＞に記載の電子部品。
　＜５＞
　前記特定部は、亜鉛、ホウ素、及びアルミニウムのいずれかの元素の酸化物を含んでいる
　＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の電子部品。
　＜６＞
　前記ベース部は、亜鉛酸化物を含んでおり、
　前記特定部は、亜鉛酸化物を含んでおり、
　前記特定部の亜鉛の含有割合は、前記ベース部の亜鉛の含有割合よりも大きい
　＜５＞に記載の電子部品。
　＜７＞
　前記ガラス膜は、複数の前記特定部を有しており、
　断面視したときに、前記特定部の幾何中心を通り、且つ外縁から外縁へと引ける線分の長さのうちの最大の長さを長径とし、
　前記断面視したときに、前記特定部の幾何中心を通り、前記長径に対して直交し、外縁から外縁へと引ける線分の長さを短径としたとき、
　前記長径は、前記短径の３倍以上である
　＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の電子部品。
　＜８＞
　前記外部電極は、金属層をさらに有しており、
　前記金属層は、前記下地電極の表面上に設けられている
　＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の電子部品。
　＜９＞
　前記金属層の一部は、前記ガラス膜の表面上に位置している
　＜８＞に記載の電子部品。
　１０…電子部品
　２０…素体
　２１…外表面
　５０…ガラス膜
　５１…ベース部
　５２…特定部
　６１…第１外部電極
　６１Ａ…第１下地電極
　６１Ｂ…第１金属層

Claims (9)

  1. 　素体と、
    　前記素体の外表面を覆うガラス膜と、
    　前記ガラス膜の外表面に積層され、少なくとも下地電極を有する外部電極と、を備え、
    　前記ガラス膜は、ケイ素酸化物に加えてアルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上の金属元素の酸化物を含むベース部と、ケイ素酸化物に加えて前記ベース部と同じ前記金属元素の酸化物を含む特定部を有し、
    　前記特定部における前記金属元素の含有割合は、前記ベース部における前記金属元素の含有割合よりも小さい
    　電子部品。
  2. 　前記特定部のケイ素の含有割合は、前記ベース部のケイ素の含有割合よりも大きい
    　請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記金属元素は、アルカリ金属のうちのリチウム、ナトリウム、及びカリウムのいずれかである
    　請求項１又は２に記載の電子部品。
  4. 　前記金属元素は、アルカリ土類金属のうちのカルシウム、及びバリウムのいずれかである
    　請求項１又は２に記載の電子部品。
  5. 　前記特定部は、亜鉛、ホウ素、及びアルミニウムのいずれかの元素の酸化物を含んでいる
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の電子部品。
  6. 　前記ベース部は、亜鉛酸化物を含んでおり、
    　前記特定部は、亜鉛酸化物を含んでおり、
    　前記特定部の亜鉛の含有割合は、前記ベース部の亜鉛の含有割合よりも大きい
    　請求項５に記載の電子部品。
  7. 　前記ガラス膜は、複数の前記特定部を有しており、
    　断面視したときに、前記特定部の幾何中心を通り、且つ外縁から外縁へと引ける線分の長さのうちの最大の長さを長径とし、
    　前記断面視したときに、前記特定部の幾何中心を通り、前記長径に対して直交し、外縁から外縁へと引ける線分の長さを短径としたとき、
    　前記長径は、前記短径の３倍以上である
    　請求項１～６のいずれか一項に記載の電子部品。
  8. 　前記外部電極は、金属層をさらに有しており、
    　前記金属層は、前記下地電極の表面上に設けられている
    　請求項１～７のいずれか一項に記載の電子部品。
  9. 　前記金属層の一部は、前記ガラス膜の表面上に位置している
    　請求項８に記載の電子部品。
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