WO2024053503A1 - 電磁波減衰フィルム - Google Patents

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WO2024053503A1
WO2024053503A1 PCT/JP2023/031413 JP2023031413W WO2024053503A1 WO 2024053503 A1 WO2024053503 A1 WO 2024053503A1 JP 2023031413 W JP2023031413 W JP 2023031413W WO 2024053503 A1 WO2024053503 A1 WO 2024053503A1
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mesh
electromagnetic wave
conductive
layer
wave attenuation
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PCT/JP2023/031413
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美穂 今井
敦子 青木
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Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社
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    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Definitions

  • the present invention relates to an electromagnetic wave attenuation film capable of capturing incident waves and attenuating reflected waves.
  • Radio waves with a frequency band of several gigahertz (GHz) are used in mobile communications such as cell phones, wireless LAN, automatic toll collection systems (ETC), etc.
  • Non-Patent Document 1 describes a radio wave absorber in which a plurality of metal patterns are periodically arranged in two layers, and circular metal patterns with slightly different diameters are arranged in different layers. A radio wave absorber having absorption characteristics in two bands has been proposed.
  • Non-Patent Document 1 has a problem in that dielectric substrates such as FR4 on which a predetermined conductive pattern is formed must be laminated together with high accuracy. In addition, there is a concern that frequency characteristics and angular characteristics may change due to positional deviation between elements due to aging deterioration of the overlapped portions.
  • Non-Patent Document 1 proposes a metal plate on the opposite side of the conductive element via a base material as proposed in Non-Patent Document 1, light transmission and transparency cannot be obtained.
  • the present invention solves these conventional problems, and makes it possible to easily and inexpensively produce an electromagnetic wave attenuating film that has translucency and transparency with little shift in absorption peak frequency and changes in frequency characteristics and angular characteristics over time. The purpose is to obtain.
  • one of the typical electromagnetic wave attenuating films of the present invention includes a dielectric base material having a front surface and a back surface, and a conductive thin film disposed on both the front surface and the back surface of the dielectric base material.
  • an electromagnetic wave attenuating base having a mesh-like thin film conductive layer formed of a mesh-like pattern formed of fine wires with ends of the fine wires protruding or the thin wires surrounding the outermost periphery; and a support layer disposed on the back side of the electromagnetic wave attenuating base.
  • the mesh-like thin film conductive layer being an electromagnetic wave attenuation film including a plurality of mesh-like conductive elements.
  • an electromagnetic wave attenuating film that exhibits little shift in absorption peak frequency and changes in frequency characteristics and angular characteristics over time, and is imparted with translucency and transparency. Further, according to the present invention, it is possible to attenuate radio waves having a frequency in the millimeter wave band, and to provide a thin electromagnetic wave attenuation film.
  • the positional accuracy of the mesh-like thin film conductive layers placed on the front and back sides can be ensured. , it becomes possible to easily produce an electromagnetic wave attenuation film that has absorption performance at a target frequency.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment A-1 of the present invention.
  • 2 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II in FIG. 1.
  • FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view of a mesh-like thin film conductive layer placed on a dielectric base material via an adhesive layer and patterned.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a plan view shape of a mesh-like conductive element.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a combination of shapes of mesh-like conductive elements in plan view.
  • 7 is a graph showing the relationship between the dimensions of a mesh-like conductive element and the wavelength of electromagnetic waves to be attenuated.
  • FIG. 7A is an image showing simulation results of electric field strength for an example showing a part of the cross section taken along line II in FIG. 7A.
  • FIG. 8A is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 8A.
  • 7 is a graph showing simulation results of electromagnetic wave attenuation due to changes in the thickness of a conductive element.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment A-2 of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II-II in FIG. 10.
  • FIG. FIG. 2 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment B-1 of the present invention.
  • 13 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II in FIG. 12.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a plan view shape of a mesh-like conductive element.
  • FIG. 17A is an image showing simulation results of electric field strength for an example showing a part of the cross section taken along line II in FIG. 17A. It is a perspective image showing another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • 18A is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 18A.
  • 7 is a graph showing simulation results of electromagnetic wave attenuation due to changes in the thickness of a conductive element.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment B-2 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment B-2 of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of an example showing a part of the cross section taken along line II in FIGS. 1 and 12 when a blackening layer is provided.
  • 13 is a schematic diagram of another example showing a part of the cross section taken along the line II in FIGS. 1 and 12 when a blackening layer is provided.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of another example showing a part of the cross section taken along the line II in FIGS. 1 and 12 when a blackening layer is provided.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a part of the cross section taken along line II in FIGS. 1 and 12 when a top coat layer is provided.
  • FIG. It is a schematic diagram showing a part of cross section of an electromagnetic wave attenuation film shown in an example.
  • Example A1 It is a graph which shows the electromagnetic wave attenuation characteristic of Example A1. It is a graph which shows the electromagnetic wave attenuation characteristic of Example A2. It is a graph which shows the electromagnetic wave attenuation characteristic of Example A3. It is a graph showing electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A4. It is a graph which shows the electromagnetic wave attenuation characteristic of Example A5. It is a schematic diagram which shows a part of cross section of the electromagnetic wave attenuation film of comparative examples A1 and B1. It is a graph which shows the electromagnetic wave attenuation characteristic of comparative example A1. It is a graph showing electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A2. It is a graph showing electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A3.
  • the directions shown in the x-axis, y-axis, and z-axis shown on the drawings may be used to indicate directions.
  • plane means the xy plane
  • plane view means the surface viewed from the z-axis direction
  • plane view means the surface seen from the z-axis direction
  • plan view shape and “plan shape” ” means the shape of the drawing viewed from the z-axis direction.
  • the "front” of an object means the surface when the object is viewed from the positive side of the z-axis
  • the "back” means the surface when viewed from the negative side of the z-axis
  • the "front” of the object means the surface when viewed from the negative side of the z-axis.
  • '' means the outer surface sandwiched between the front and back surfaces.
  • the term "thickness direction” means the z-axis direction.
  • the "center of gravity” means the center of gravity in a planar shape.
  • this refers to the plane shape formed by regarding the virtual line segment connecting the protruding ends as the outermost periphery.
  • a mesh-like plane whose outermost periphery is surrounded by thin lines it means a plane shape surrounded by thin lines at its outermost periphery.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film 1 according to Embodiment A-1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II in FIG. 1.
  • FIG. 2(a) is a cross section between ⁇ and ⁇ on line II, for example.
  • FIG. 2(b) is a schematic plan view of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 (widths of thin lines are omitted).
  • the electromagnetic wave attenuation film 1 includes a dielectric base material (dielectric layer) 10, a mesh-like thin film conductive layer 30 formed on the front surface 10a of the dielectric base material 10, and a mesh-like thin film conductive layer 30 formed on the back surface 10b of the dielectric base material 10.
  • An electromagnetic wave attenuation base 20 composed of a mesh-like thin film conductive layer 31, a support layer 11 formed on the back side of the mesh-like thin film conductive layer 31 on the back side, and a mesh-like flat plate inductor formed on the back side of the support layer 11. 50.
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are mesh-like conductor flat plates in which the thin wire ends protrude in a mesh-like pattern formed of thin conductive thin wires (hereinafter also referred to as "conductive thin wires” or “thin wires”). This is the layer of The mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 may include a plurality of conductive elements (hereinafter, the thin film conductive layer may also be referred to as a conductive element when considering a specific shape, arrangement, etc.).
  • the mesh-like flat plate inductor 50 is formed of a thin wire of a conductive thin film, and a current is generated near the surface inside the mesh-like flat plate inductor 50 by external magnetic flux.
  • the front surface can be the surface on which electromagnetic waves are incident.
  • the back surface is the surface of the dielectric substrate opposite to the front surface.
  • the term "thin film conductive layer (conductive element)" or “flat plate inductor” may be used, but unless otherwise specified, it means a mesh-like structure.
  • this frequency f is defined as the attenuation center frequency f.
  • the attenuation center frequency is the average value of the plurality of frequencies that is -3 dB from the minimum value with the largest attenuation.
  • the attenuation center wavelength can be determined by dividing the speed of light in the dielectric base material and the support layer by the attenuation center frequency f, which will be described later.
  • the electromagnetic wave attenuation film 1 may include a top coat layer 200 (described later) for impedance matching with air and for improving the weather resistance of the sheet.
  • the electromagnetic wave attenuation base 20 has a structure in which mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are arranged on the front surface 10a and the back surface 10b of the dielectric base material 10.
  • a typical example of the material constituting the dielectric base material 10 is synthetic resin.
  • the type of synthetic resin is not particularly limited as long as it has sufficient strength, flexibility, and processability as well as insulation properties.
  • This synthetic resin can be a thermoplastic resin.
  • Synthetic resins include, for example, polyesters such as polyethylene terephthalate (PET); polyarylene sulfides such as polyphenylene sulfide; polyolefins such as polyethylene and polypropylene; polyamides, polyimides, polyamideimides, polyethersulfones, polyetheretherketones, polycarbonates, and acrylics. Examples include, but are not limited to, resins and polystyrene. These materials may be used alone, two or more of them may be mixed, or a laminate may be used. Further, the dielectric base material 10 may contain conductive particles, insulating particles, magnetic particles, or a mixture thereof.
  • a mesh-like laminate is formed, in which thin film conductive layers 30 and 31 patterned in a mesh shape are formed on both sides of a dielectric substrate 10, together with an anchor layer and an adhesive layer via an adhesive layer. may also be used. Further, the dielectric base material 10 has a bending rigidity of 7000 MPa ⁇ mm 4 or less.
  • the thickness of the dielectric base material and the support layer can be made sufficiently thin with respect to the wavelength of the electromagnetic waves. It is known that when the dielectric base material and the support layer are sufficiently thin with respect to the wavelength of electromagnetic waves, no traveling waves are generated in the dielectric base material and the support layer. "Sufficiently thin" may be less than 1/2 of the wavelength. At less than 1/2 the wavelength, traveling waves are not guided. This is a phenomenon called electromagnetic wave cutoff. Furthermore, it can be made less than 1/10 of the wavelength. Generally, when the difference in the propagation distance of electromagnetic waves is 1/10 of the wavelength or less, no substantial phase difference occurs.
  • the electromagnetic waves re-emitted by the conductive element and the reflected waves from the flat inductor are substantially No phase difference occurs. It is thought that electromagnetic waves are not guided within a sufficiently thin dielectric base material or support layer sandwiched between conductors, and normally electromagnetic waves are cut off when the material becomes thin enough. Electric fields and magnetic fields are not localized in such dielectric base materials and support layers. Note that this wavelength in embodiments of the present invention may be the attenuation center wavelength. Furthermore, unexpectedly, attenuation is obtained even when the dielectric base material and support layer have a wavelength of 1/100 or less. This thickness is on the same level as the unevenness of the highest precision mirror surface, and attenuation is obtained with a structure that has virtually no thickness with respect to the scale of electromagnetic waves.
  • the thickness (t) of the dielectric base material 10 can be 5 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less. Furthermore, the thickness (t) of the dielectric base material 10 can be 5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less. This is thinner than 1/2 of the wavelength of the millimeter wave band, and further thinner than 1/10 of the wavelength of the millimeter wave band. Therefore, although the electromagnetic wave attenuation film is a thin film, it is possible to attenuate electromagnetic waves in the millimeter wave band.
  • the thickness (t) of the dielectric base material 10 is constant or variable.
  • the thickness (ts) of the support layer 11 can be 5 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less. Furthermore, it can be made to be 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. Furthermore, the thickness can be set to 15 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the electromagnetic wave attenuating base 20 may have an adhesive layer 12 between it and the support layer 11.
  • the support layer 11 is a single layer or a multilayer.
  • the same material as the dielectric base material 10 can be used.
  • it can be a single substance, a mixture, or a composite of urethane resin, acrylic resin, polyamide, polyimide, polyamideimide, epoxy resin, and silicone resin.
  • Support layer 11 can be an extruded film.
  • the extruded film can be an unstretched film or a stretched film.
  • the support layer can also be formed on the back surface of the electromagnetic wave attenuating substrate 20 by coating.
  • the adhesive layer 12 may be composed of two layers: a molding layer and an anchor layer. Further, an adhesive layer may be provided to improve the adhesion between the adhesive layer 12 and the conductive element.
  • molding layer, anchor layer, and adhesive layer the same materials as those constituting the dielectric base material can be used.
  • the mesh-like thin film conductive layer 30 formed on the front surface 10a of the dielectric base material 10 and the mesh-like thin film conductive layer 31 formed on the back surface 10b cover the entire front surface 10a, back surface 10b or partially covered.
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 can be formed by forming a layer of conductive material directly on both sides of the dielectric base material 10 by vapor deposition or sputtering, and then patterning it by etching or the like, as shown in FIG. .
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a mesh-like thin film conductive layer arranged on a dielectric base material with an adhesive layer interposed therebetween and patterned.
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are formed by forming a thin film conductive layer by laminating a conductive material foil to the dielectric base material 10 via the adhesive layer 13, as shown in FIG. 3, and then attaching the conductive material by etching or the like. It can be formed by patterning and arranging. As shown in FIG. 3, even when forming a conductive pattern on the dielectric base material 10 via the adhesive layer 13, the adhesive layer 13 is patterned to have the same dimensions as the conductive pattern. Even if stress is applied to the electromagnetic wave attenuating film on which a conductive pattern is formed by bending it, the stress is divided for each conductive pattern, so there is no misalignment between the conductive patterns formed on the front and back sides of the dielectric. .
  • the mesh flat plate inductor 50 covers the whole or part of the back surface of the support layer 11. As long as the performance of the electromagnetic wave attenuation film 1 is not significantly impaired, for example, there may be a portion of the periphery of the electromagnetic wave attenuation film 1 that is not covered by the mesh thin film conductive layers 30, 31 or the mesh flat plate inductor 50. It's okay.
  • the materials of the mesh thin film conductive layers 30, 31 and the mesh flat plate inductor 50 are not particularly limited as long as they have conductivity. From the viewpoint of corrosion resistance and cost, aluminum, copper, silver, gold, platinum, tin, nickel, cobalt, chromium, molybdenum, iron, and alloys thereof are preferred.
  • the mesh thin film conductive layers 30 and 31 and the mesh flat plate inductor 50 can be formed by vacuum deposition on the dielectric base material 10, or by laminating a conductive material foil to the dielectric base material 10 via the adhesive layer 13. It can also be formed by The thickness of the adhesive layer 13 for bonding the conductive material foil to the dielectric can be 10 nm or more and 2000 nm or less.
  • the adhesive layer 13 has a bending rigidity of 7000 MPa ⁇ mm 4 or less. Furthermore, the ratio of the thicknesses of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 to the adhesive layer 13 is preferably 1:2.
  • the mesh plate inductor 50 may be made of a conductive compound. The thickness (tm) of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 can be 10 nm or more and 1000 nm or less. If it is less than 10 nm, the ability to attenuate electromagnetic waves may deteriorate. If it exceeds 1000 nm, productivity may decrease.
  • the mesh flat plate inductor 50 can be made of cast metal, rolled metal plate, metal foil, vapor deposited film, sputtered film, or plating.
  • the thickness of the rolled metal plate can be 0.1 mm or more and 5 mm or less.
  • the thickness of the metal foil can be 5 ⁇ m or more and less than 100 ⁇ m.
  • the thickness can be set to 0.5 ⁇ m or more and less than 5 mm.
  • the thickness (tmb) of the mesh flat plate inductor 50 can be 0.5 ⁇ m to 5 mm.
  • the maximum dimension may be 10 mm or more, although the thickness is not specified.
  • the thickness (tmb) of the mesh flat plate inductor 50 can be set to be equal to or greater than the skin depth determined by the attenuation center wavelength. Further, the thickness (tmb) of the mesh-like flat plate inductor 50 can be made thicker than the thickness (tm) of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31.
  • the mesh thin film conductive layers 30 and 31 and the mesh flat plate inductor 50 may be made of the same metal type.
  • the same metal type may be the same pure metal or an alloy of the same metal (for example, both are aluminum alloys), or the mesh thin film conductive layers 30 and 31 may be pure metal and the mesh flat plate inductor 50 may be the mesh thin film conductive layer 30. It may also be an alloy of metals. Moreover, the materials of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 and the mesh-like flat plate inductor 50 may be different metal types.
  • the line width (w) of the thin wire of the conductive material forming the mesh thin film conductive layers 30, 31 and the mesh flat plate inductor 50 and the aperture width (wa) need to be designed in accordance with the desired attenuation center wavelength.
  • the aperture width (wa) of the conductor thin wire that absorbs millimeter wave band can be 1/10 to 1/225 of the wavelength, and the line width (w) can be 30 ⁇ m to 500 ⁇ m. It is thought that by forming the thin film conductive layers 30, 31 and the flat plate inductor 50 into a mesh shape, not only light transmission and transparency can be obtained, but also moisture permeability can be obtained.
  • the ability to transmit light and transparency has potential benefits such as being able to provide electromagnetic wave absorbing properties in areas where transparency is required, such as window glass, and while being considerate of the landscape. Furthermore, its moisture permeability makes it highly permeable and easy to handle, even when environmentally friendly water-based adhesives are used to bond wallpaper, etc. is possible.
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are characterized by providing a thin wire surrounding the outermost periphery of the conductive thin wire.
  • the thin line surrounding the outermost periphery of the thin line may have the same line width as the inner mesh line width, or may have a different line width. Further, the thin line surrounding the outermost periphery does not need to surround on all sides if the thin film conductive layer 30 disposed on the front surface 10a of the dielectric base material 10 and the thin film conductive layer 31 disposed on the back surface 10b are not disposed in the vicinity.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of the planar shape of a mesh-like conductive element.
  • Polygons include squares, hexagons, crosses, other polygons, circles, and ellipses. The corners of the square, hexagon, cross, and other polygons may be rounded, but are not limited to these shapes. Furthermore, the intersection angle of the mesh of conductive thin wires is not limited to these.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a combination of planar shapes of mesh-like conductive elements. It may be a combination of different sizes, and may be a single shape or a combination of multiple shapes.
  • the electromagnetic wave attenuation film 1 exhibits a unique mechanism at a specific wavelength due to the above-described configuration.
  • Electromagnetic waves incident on the electromagnetic wave attenuation film of the present invention behave as follows. Specifically, the electromagnetic field and current generated by the incident wave are considered to be as follows.
  • the fluctuation of the magnetic flux of the incident wave that has passed through the mesh conductive element induces an alternating current that is horizontal to the plane of incidence of the mesh flat plate inductor 50 according to Faraday's law.
  • This alternating current generates a varying magnetic field in the dielectric base material adjacent to the mesh plate inductor 50 according to Ampere's law.
  • the varying magnetic field becomes a magnetic flux that varies with magnetic permeability as a coefficient.
  • the electric field generated by the fluctuating magnetic flux typically induces a current in a direction that suppresses the magnetic flux according to Henry's law.
  • a current greater than that induced by the incident wave flows through the mesh-like conductive element. That is, although the area of the mesh-like conductive element is smaller than the area of the mesh-like flat plate inductor 50, it is possible to generate a current comparable to that of the mesh-like flat plate inductor 50.
  • a closed circuit can be formed by the currents flowing in opposite directions in both the mesh-like conductive element and the mesh-like flat plate inductor 50, and the displacement current flowing therebetween.
  • a closed circuit exists only between the mesh-like conductive element and the mesh-like flat plate inductor 50, and if no electric flux is generated horizontally to the electromagnetic wave attenuating film in the space outside the electromagnetic wave attenuating film, reflected waves cannot be generated. Furthermore, the waves reflected by the mesh plate inductor 50 and the electromagnetic waves re-emitted by the current of the conductive element are out of phase by ⁇ , so they cancel each other out.
  • the reflected waves by the electromagnetic wave attenuation film are attenuated. From an energy perspective, multiple mechanisms are thought to act synergistically, as described below.
  • the first mechanism is the generation of a periodically oscillating electromagnetic field that does not travel due to the incident wave.
  • the mesh-like flat plate inductor 50 induces magnetic flux into an incident wave in the tangential direction of the mesh-like flat plate inductor 50 .
  • the induced magnetic flux generates an electric field in a direction extending from a pair of opposing sides of the mesh thin film conductive layers 30 and 31 (i.e., the mesh conductive element) in a direction perpendicular to the mesh flat plate inductor 50.
  • a current is induced near the surface of the mesh flat plate inductor due to the varying magnetic flux.
  • a magnetic field is generated in the dielectric base material 10 and support layer 11 near the surface of the mesh-like flat inductor by the current induced in the mesh-like flat inductor.
  • This electric field and the current of the mesh-like conductive element and the mesh-like flat plate inductor 50 generate a magnetic field between the mesh-like conductive element and the mesh-like flat plate inductor 50 in the same direction as the magnetic flux induced by the mesh-like flat plate inductor 50.
  • the material of the mesh-like conductive element is metal.
  • the electric field generated within the dielectric base material fluctuates with the same period as the period of the incident wave. Periodic fluctuations in the magnetic field cause periodic fluctuations in the electric field between the mesh thin film conductive layers 30, 31 and the mesh flat plate inductor 50.
  • a periodically fluctuating electromagnetic field that does not advance is generated between the mesh thin film conductive layers 30, 31 and the mesh flat plate inductor 50.
  • the magnetic field in the periodically varying electromagnetic field induces an alternating current in the conductive element.
  • the periodically varying electric field also generates a periodically varying potential in the conductive element.
  • the electromagnetic field does not travel and remains in place, and the induced alternating current causes power loss, resulting in the energy of the electromagnetic field being converted into heat and absorbing electromagnetic waves.
  • the alternating current induced in the conductive element re-emits electromagnetic waves from the surface of the conductive element opposite to the surface in contact with the dielectric base material 10 and the support layer 11.
  • re-emission is thought to include stimulated emission due to incident electromagnetic waves and spontaneous emission.
  • stimulated emission it is thought that an electromagnetic wave coherent with a reflected wave in which the incident wave is reflected in the direction of reflection of the incident wave, that is, in the direction of specular reflection, is emitted.
  • Spontaneous emissions are thought to decay over time.
  • the spatial distribution of spontaneous emission is considered to be close to Lambertian reflection when the electromagnetic wave attenuation film does not have a diffraction structure, an interference structure, or a refraction structure.
  • the attenuation center wavelength correlates with the dimension W1 (see FIG. 6, hereinafter sometimes referred to as "width W1") of the mesh conductive elements 30, 31 in the in-plane direction.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the dimensions of the mesh conductive element and the wavelength of electromagnetic waves to be attenuated.
  • FIG. 6(a) is a graph showing the relationship between the width W1 (horizontal axis) and the attenuation center frequency (vertical axis), and
  • FIG. 6(b) shows various dimensions used in the simulation.
  • W1 represents the length from end to end of the mesh conductive element (square), which is twice the length a of the shortest distance from the center of gravity to the end of the mesh. It is.
  • the wavelength of the electromagnetic waves suitably attenuated by the first mechanism can be changed by changing the dimension W1, and in the electromagnetic wave attenuation film 1, the attenuation of the electromagnetic waves can be set easily and with a high degree of freedom. Therefore, it is possible to easily obtain a configuration that can capture linearly polarized electromagnetic waves in a band of 15 GHz or more and 150 GHz or less.
  • the relationship between the frequency of the electromagnetic wave to be attenuated and the width of the conductive element can be expressed as a straight line on a logarithmic graph.
  • the frequency of the electromagnetic wave that is attenuated is a power function of the width of the conductive element.
  • the power of the function is approximately -1, and is approximately inversely proportional.
  • the plurality of conductive elements included in the thin film conductive layer may be arranged in a plurality of types having different dimensions W1. In this case, the attenuation peaks of the respective electromagnetic waves are superimposed, and the electromagnetic waves that can be attenuated can be broadened.
  • the second mechanism is confinement of the electromagnetic field by the mesh thin film conductive layers 30 and 31 and the mesh flat plate inductor 50.
  • a dielectric base material 10 and a support layer 11 are sandwiched between mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 and a mesh-like flat plate inductor 50 . Therefore, the electric field generated in the dielectric base material 10 and support layer 11 of the electromagnetic wave attenuation film 1 due to the electromagnetic waves is caused by the charge of the conductive elements and the current between the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 containing the conductive elements and the mesh-like flat plate inductor 50. It is confined within the dielectric base material 10 and the support layer 11 between them.
  • the conductive element suppresses the electromagnetic field and confines the electromagnetic field to the dielectric base material 10 and the support layer 11. That is, the conductive element can function as a choke. In other words, the conductive element can be a choke plate that functions as a choke. It is also believed that magnetic flux is induced by periodic fluctuations in this confined electric field. This causes the oscillating electromagnetic field to accumulate, increasing the energy density of the electromagnetic field. Generally, the higher the energy density, the easier it is to attenuate, so this mechanism attenuates electromagnetic waves efficiently. In addition, in the second mechanism, the higher the dielectric loss tangent of the dielectric base material 10 and the support layer 11, the greater the energy loss of the electromagnetic field accumulated within the dielectric base material.
  • the magnetic field accumulated on the dielectric base material causes a large current in the conductive element, and the electric field accumulated on the dielectric base material produces a large potential difference.
  • a large current and a large potential difference can increase the power loss, which is the product of both. Energy of electromagnetic waves is consumed as power loss, and as a result, electromagnetic waves are attenuated.
  • the third mechanism is due to power loss in an electric circuit including a capacitor due to the opposing mesh-like thin film conductive layers 30 and 31, the mesh-like flat plate inductor 50, the dielectric base material 10, and the support layer 11 between them.
  • a dielectric base material 10 and a support layer 11 are sandwiched between mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 and a mesh-like flat plate inductor 50 . Therefore, the dielectric base material 10 and the support layer 11 function as a capacitor. Therefore, the electromagnetic waves incident on the dielectric base material 10 and the support layer 11 of the electromagnetic wave attenuation film 1 are attenuated by the electric circuit including the capacitor.
  • the leakage current in the dielectric base material 10 and the support layer 11 increases, and the electric circuit including the capacitor of the mesh-like thin film conductive layer 30 and the mesh-like flat plate inductor 50 increases.
  • the current flowing through increases. Therefore, power loss due to leakage current is likely to increase, and electromagnetic wave energy is likely to be absorbed due to power loss.
  • the electromagnetic wave attenuating film 1 according to the embodiment of the present invention even if the thickness of the dielectric base material 10 and the support layer 11 at the portion where the conductive element is arranged is changed, the wavelength of the electromagnetic field to be attenuated does not shift.
  • the thickness of the dielectric base material 10 and the support layer 11 can be designed according to the characteristics of the electric circuit including the following.
  • the electromagnetic waves incident on the electromagnetic wave attenuation film 1 generate an electromagnetic field in the dielectric base material 10 and the support layer 11 that are close to the surface of the flat inductor by the first mechanism, and the electromagnetic waves are generated by the second mechanism.
  • the electromagnetic field generated by this is trapped and captured.
  • the electromagnetic wave attenuation film 1 can capture electromagnetic waves.
  • the captured electromagnetic waves are attenuated by electric field loss and power loss due to the second mechanism, and power loss due to the electric circuit as the third mechanism.
  • a mesh-like thin film conductive layer 30 is formed on the front surface 10a of the dielectric substrate 10, and a mesh-like thin film conductive layer 31 is formed on the back surface 10b. includes a conductive element.
  • FIG. 7 is an image showing simulation results of electric field strength regarding an example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 7A is a perspective image showing an example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 7B is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 7A.
  • the distance l is placed at a position 2a that satisfies the following formula (1a) and electromagnetic waves are incident from the front side, resonance coupling occurs between the front conductive element 30 and the back conductive element 31 as shown in FIG. 7B. It can be seen that a strong electric field is generated. Therefore, it is possible to efficiently attenuate electromagnetic waves. Note that other dimensions are the same as the simulation conditions in FIG. 6. l ⁇ 3.6a...(1a)
  • FIG. 8 is an image showing simulation results of electric field strength regarding another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 8 is an image showing simulation results of electric field strength regarding another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 8A is a perspective image showing another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 8B is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 8A. If the conductive elements are arranged with a distance l of 4a, it is possible to attenuate electromagnetic waves, but as shown in FIG. 8B, the front conductive elements and the back conductive elements resonate independently, and the front and back conductive elements The resonances of the two are no longer coupled, and the effect of arranging the conductive elements on the front and back surfaces is weakened. Note that other dimensions are the same as the simulation conditions in FIG. 6. Furthermore, when l is larger than 3.6a and the distance between the front and back conductive elements becomes large, it becomes difficult to attenuate electromagnetic waves at a target frequency.
  • Electromagnetic waves are incident on the front surface 10a of the dielectric base material 10, and an electric field is generated in the dielectric base material 10, and an electric field is also generated on the support layer 11 disposed between the back surface 10b and the mesh-like flat inductor 50, and the electric field is generated below the conductive element.
  • the electromagnetic field is confined to That is, an electromagnetic field with high energy density is generated below the conductive element.
  • the confined electromagnetic field is believed to be attenuated by power loss through the second mechanism and dielectric loss through the third mechanism.
  • FIG. 9 is a graph showing simulation results of electromagnetic wave attenuation due to changes in the thickness of the conductive element.
  • FIG. 9(a) shows the simulation results
  • FIG. 9(b) shows various dimensions used in the simulation.
  • the material of the conductive element is copper.
  • the incident wave was a linearly polarized sine wave, and was incident perpendicularly to the electromagnetic wave attenuation film.
  • the flat plate inductor was assumed to be a perfect conductor.
  • the electromagnetic wave attenuation property of the electromagnetic wave attenuation film is based on monostatic RCS based on the case of only a flat plate inductor. Note that the vertical axis indicating the attenuation of electromagnetic waves is expressed in decibels.
  • Monostatic RCS Rad Cross-Section
  • the phenomenon shown in FIG. 9 has an interesting relationship with skin depth.
  • the skin depth of copper at a frequency of 41 GHz is approximately 326 nm. That is, when the thickness of the conductive element becomes less than the skin depth of the material, the attenuation of electromagnetic waves increases. Further, at less than 1/e 2 of the skin depth, the attenuation of electromagnetic waves decreases. This is because if the conductive layer is thicker than the skin depth, sufficient resistance cannot be obtained and the voltage drop necessary for power loss cannot be obtained, and the current is concentrated only near the center of the conductive element, creating a potential difference. It is conceivable that the current in the region decreases.
  • this skin depth can be calculated using the attenuation center frequency f. That is, when the attenuation center frequency f is used, the skin depth d is calculated as shown in the following equation (5), as is well known.
  • the reflected waves are further attenuated because current is also generated across the conductive element, increasing the emission of electromagnetic waves that cancel out the waves reflected by the dielectric inductor.
  • the electric field in the dielectric substrate between the conductive element and the dielectric inductor attracts the conductive element and the dielectric inductor. If the electric field varies periodically, the attractive force on the conductive element will also vary periodically. Therefore, the electric field in the dielectric substrate between the conductive element and the dielectric inductor causes the conductive element to vibrate. The energy of this vibration is converted into heat and lost. Therefore, it is thought that the mechanics of the electromagnetic field acting on the conductive element also contribute to the attenuation of the electromagnetic waves.
  • the embodiment of the present invention is considered to be different from the conventional mechanism in the interaction mechanism itself with electromagnetic waves in the millimeter wave band.
  • Embodiment A-2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11.
  • Embodiment A-2 differs from Embodiment A-1 in the arrangement of conductive elements.
  • components that are common to those already described may be given the same reference numerals and redundant descriptions may be omitted. It is thought that the first, second, and third mechanisms described above are also expressed in Embodiment A-2.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment A-2 of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II-II in FIG. 10. For example, it is a cross section between ⁇ and ⁇ on line II-II. Symbols regarding various dimensions are the same as in FIG. 2.
  • the electromagnetic wave attenuation film 61 includes a dielectric base material 62, a plurality of mesh-like conductive elements 30A and 31A, and a mesh-like flat plate inductor 50.
  • the thickness of the mesh-like conductive elements 30A and 31A can be 1000 nm or less.
  • the dielectric base material 62 of Embodiment A-2 can be made of the same material and configuration as the dielectric base material 10 of Embodiment A-1.
  • the electromagnetic wave attenuation base 60 has a structure in which mesh-like thin film conductive layers 30A and 31A are arranged on the front surface 62a and the back surface 62b of a dielectric base material 62.
  • a laminate in which thin film conductive layers are formed on both sides of a dielectric substrate 62 via an anchor layer and an adhesive layer may be used.
  • the support layer 11 can be an extruded film.
  • the extruded film can be an unstretched film or a stretched film.
  • the support layer can also be formed on the back surface of the electromagnetic wave attenuating substrate 60 by coating.
  • the support layer has a bending rigidity of 7000 MPa ⁇ mm4 or less.
  • the mesh-like thin film conductive layer 30A formed on the front surface 62a of the dielectric base material 62 and the mesh-like thin film conductive layer 31A formed on the back surface 62b cover the entire front surface 62a, back surface 62b or partially covered.
  • the mesh flat plate inductor 50 covers the whole or part of the back surface of the support layer 11.
  • the mesh flat plate inductor 50 may be covered with the mesh thin film conductive layers 30A, 31A or the mesh flat plate inductor 50, for example, on a part of the periphery of the electromagnetic wave attenuating film 61, as long as the performance of the electromagnetic wave attenuating film 1 is not significantly impaired. There may be parts that are not covered.
  • the mesh flat inductor 50 is provided on the back surface of the support layer 11, an adhesive layer may be provided between the back surface of the support layer 11 and the mesh flat inductor 50.
  • the adhesive layer and the mesh flat plate inductor 50 can be formed from the same material and by the same manufacturing method as in Embodiment A-1.
  • the setting of the attenuation in the electromagnetic wave attenuation film 61 of Embodiment A-2 can be controlled by the arrangement positions of the mesh-like conductive elements 30A and 31A arranged on the front surface 62a and the back surface 62b of the dielectric base material 62.
  • the combination of the front and back conductive elements that satisfies the following formula (6)
  • By mixing combinations of front and back conductive elements that satisfy the following formula (7) it is possible to create an electromagnetic wave attenuation film 61 having electromagnetic wave attenuation performance at multiple frequencies.
  • the range of combinations is not particularly limited, but for example, when the electromagnetic wave attenuation film is viewed in plan, the combination may be between a predetermined front (back) conductive element and an adjacent back (front) conductive element.
  • the front and back conductive elements are flat , the capacitance C shown by the following equation (8) increases, and the resonant frequency shifts to a lower frequency range.
  • the method of calculating the mixing ratio is not particularly limited, but it can also be calculated from the ratio of the number of combinations that satisfy equation (6) and the number of combinations that satisfy equation (7), for example. Although adjacent front conductive elements or rear conductive elements may overlap each other, they may be treated as independent conductive elements in calculating the combination.
  • FIG. 12 is a schematic plan view showing the electromagnetic wave attenuation film 1 according to Embodiment B-1 of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II in FIG. 12.
  • FIG. 13(a) is a cross section between ⁇ and ⁇ on line II, for example.
  • FIG. 13(b) is a schematic plan view of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 (widths of thin lines are omitted).
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are layers of a mesh-like conductor flat plate in which the outermost periphery is surrounded by the thin wires in a mesh-like pattern formed of thin wires of the conductive thin film.
  • the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are characterized by providing a thin wire surrounding the outermost periphery of the conductive thin wire.
  • the thin line surrounding the outermost periphery of the thin line may have the same line width as the inner mesh line width, or may have a different line width.
  • the thin line surrounding the outermost periphery does not need to surround on all sides if the thin film conductive layer 30 disposed on the front surface 10a of the dielectric base material 10 and the thin film conductive layer 31 disposed on the back surface 10b are not disposed in the vicinity.
  • FIG. 14 is a schematic diagram showing an example of the planar shape of a mesh-like conductive element.
  • Polygons include squares, hexagons, crosses, other polygons, circles, and ellipses. The corners of the square, hexagon, cross, and other polygons may be rounded, but are not limited to these shapes. Furthermore, the intersection angle of the mesh of conductive thin wires is not limited to these.
  • FIG. 15 is a schematic diagram showing an example of a combination of plan view shapes of mesh-like conductive elements. It may be a combination of different sizes, and may be a single shape or a combination of multiple shapes.
  • the attenuation center wavelength correlates with the dimension W1 (see FIG. 16) of the mesh conductive elements 30, 31 in the in-plane direction.
  • FIG. 16 is a graph showing the relationship between the dimensions of the mesh conductive element and the wavelength of electromagnetic waves to be attenuated.
  • FIG. 16(a) is a graph showing the relationship between the width W1 (horizontal axis) and the attenuation center frequency (vertical axis), and FIG. 16(b) shows various dimensions used in the simulation.
  • W1 represents the length of one side of the mesh conductive element (square), and is twice the length a of the shortest distance from the center of gravity to the edge of the mesh.
  • the wavelength of the electromagnetic waves suitably attenuated by the first mechanism can be changed by changing the dimension W1, and in the electromagnetic wave attenuation film 1, the attenuation of the electromagnetic waves can be set easily and with a high degree of freedom. Therefore, it is possible to easily obtain a configuration that can capture linearly polarized electromagnetic waves in a band of 15 GHz or more and 150 GHz or less.
  • a mesh-like thin film conductive layer 30 is formed on the front surface 10a of the dielectric base material 10, and a mesh-like thin film conductive layer 31 is formed on the back surface 10b. includes a conductive element.
  • FIG. 17 is an image showing simulation results of electric field strength regarding an example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 17A is a perspective image showing an example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 17B is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 17A.
  • the distance l is placed at a position 2a that satisfies the following formula (1b) and electromagnetic waves are incident from the front side, resonance coupling occurs between the front conductive element 30 and the back conductive element 31 as shown in FIG. 17B. It can be seen that a strong electric field is generated. Therefore, it is possible to efficiently attenuate electromagnetic waves. Note that other dimensions are the same as the simulation conditions in FIG. 16. l ⁇ 2.7a...(1b)
  • FIG. 18 is an image showing simulation results of electric field strength regarding another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 18 is an image showing simulation results of electric field strength regarding another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 18A is a perspective image showing another example of the distance between the front conductive element and the back conductive element.
  • FIG. 18B is an image showing a simulation result of electric field strength in a cross section taken along line II in FIG. 18A. If the conductive elements are arranged with a distance l of 4a, it is possible to attenuate electromagnetic waves, but as shown in FIG. 18B, the front conductive elements and the back conductive elements resonate independently, and the front and back conductive elements The resonances of the two are no longer coupled, and the effect of arranging the conductive elements on the front and back surfaces is weakened. Note that other dimensions are the same as the simulation conditions in FIG. 16. Furthermore, when l is larger than 2.7a and the distance between the front and back conductive elements becomes large, it becomes difficult to attenuate electromagnetic waves at a target frequency.
  • FIG. 19 is a graph showing simulation results of electromagnetic wave attenuation due to changes in the thickness of the conductive element.
  • FIG. 19(a) shows the simulation results
  • FIG. 19(b) shows various dimensions used in the simulation.
  • the material of the conductive element is copper.
  • the incident wave was a linearly polarized sine wave, and was incident perpendicularly to the electromagnetic wave attenuation film.
  • the flat plate inductor was assumed to be a perfect conductor.
  • the phenomenon shown in FIG. 19 has an interesting relationship with skin depth.
  • the skin depth of copper at a frequency of 41 GHz is approximately 326 nm. That is, when the thickness of the conductive element becomes less than the skin depth of the material, the attenuation of electromagnetic waves increases. Further, at less than 1/e 2 of the skin depth, the attenuation of electromagnetic waves decreases. This is because if the conductive layer is thicker than the skin depth, sufficient resistance cannot be obtained and the voltage drop necessary for power loss cannot be obtained, and the current is concentrated only near the center of the conductive element, creating a potential difference. It is conceivable that the current in the region decreases.
  • Embodiment B-2 differs from Embodiment B-1 in the arrangement of conductive elements.
  • FIG. 20 is a schematic plan view showing an electromagnetic wave attenuation film according to Embodiment B-2 of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing a part of a cross section taken along line II-II in FIG. 20. For example, it is a cross section between ⁇ and ⁇ on line II-II. Symbols regarding various dimensions are the same as in FIG. 13.
  • the electromagnetic wave attenuation film 61 includes a dielectric base material 62, a plurality of mesh-like conductive elements 30A and 31A, and a mesh-like flat plate inductor 50.
  • the thickness of the mesh-like conductive elements 30A and 31A can be 1000 nm or less.
  • the setting of the attenuation in the electromagnetic wave attenuation film 61 of Embodiment B-2 can be controlled by the arrangement positions of the mesh-like conductive elements 30A and 31A arranged on the front surface 62a and the back surface 62b of the dielectric base material 62.
  • the combination of the front and back conductive elements that satisfies the following formula (6)
  • By mixing combinations of front and back conductive elements that satisfy the following formula (7) it is possible to create an electromagnetic wave attenuation film 61 having electromagnetic wave attenuation performance at multiple frequencies.
  • the range of combinations is not particularly limited, but for example, when the electromagnetic wave attenuation film is viewed in plan, the combination may be between a predetermined front (back) conductive element and an adjacent back (front) conductive element.
  • the front and back conductive elements are flat , the capacitance C shown by the following equation (8) increases, and the resonant frequency shifts to a lower frequency range.
  • the method of calculating the mixing ratio is not particularly limited, but it may be calculated, for example, from the ratio of the number of combinations that satisfy equation (6) and the number of combinations that satisfy equation (7). Note that although adjacent front conductive elements or rear conductive elements may overlap each other, they may be treated as independent conductive elements in calculating the combination.
  • a blackening layer may be provided by performing a blackening treatment around the thin film conductive layer.
  • FIG. 21 is a schematic diagram of an example showing a part of the cross section taken along line II in FIGS. 1 and 12 when a blackening layer is provided.
  • a blackening layer 32 may be provided on the front surface of the thin film conductive layer 30
  • a blackening layer 33 may be provided on the side surface
  • a blackening layer 34 may be provided on the back surface of the thin film conductive layer 31
  • a blackening layer 35 may be provided on the side surface.
  • FIG. 22 is a schematic diagram of another example showing a part of the cross section taken along the line II in FIGS.
  • a blackened layer is formed before forming the thin film conductive layers 30 and 31 on the dielectric base material 10, and then a thin film conductive layer is formed, and the blackened layer and the thin film conductive layer are formed in the same layer by etching or the like.
  • the blackening layers 36 and 37 are provided between the thin film conductive layers 30 and 31 and the dielectric base material 10, and the blackening layer 32 is formed on the front surface of the thin film conductive layer 30, and the blackening layer 33 is formed on the side surface of the thin film conductive layer 30.
  • a blackening layer 34 may be provided on the back surface of the layer 31, and a blackening layer 35 may be provided on the side surface thereof.
  • FIG. 23 is a schematic diagram of another example showing a part of the cross section taken along the line II in FIGS. 1 and 12 in the case where a blackening layer is provided.
  • a blackening layer is formed via the adhesive layer 13, and then the thin film conductive layer is formed and the adhesive layer is removed by etching or the like.
  • the blackening layer and the thin film conductive layer are patterned to have the same dimensions, and the adhesive layer 13 and the blackening layers 36 and 37 are provided between the thin film conductive layers 30 and 31 and the dielectric base material 10, and the blackening layer 36 and 37 are provided on the front surface of the thin film conductive layer 30.
  • a blackening layer 32, a blackening layer 33 on the side surface, a blackening layer 34 on the back side of the thin film conductive layer 31, and a blackening layer 35 on the side surface may be provided.
  • the blackening treatment may be performed by performing either a sulfurization blackening treatment or a substitution blackening treatment to form a blackened layer.
  • a conductive element may be formed by providing a blackening layer on the surface of the dielectric base material 10 or by providing a blackening layer via an adhesive layer 13 and then etching a multilayer conductor layer in which thin film layers are laminated. Can be done.
  • a blackened layer between the dielectric base material and the conductive element, it is possible to improve the adhesion of the conductive element to the dielectric base material.
  • the thickness of the blackening layer is preferably 200 nm or less. If it is 200 nm or more, productivity may decrease. Further, the surface roughness of the blackened layer is Ra 0.5 ⁇ m or more.
  • the mesh-like thin film conductive layer 31 may have the support layer 11 on the opposite surface (back surface) of the dielectric base material 10.
  • the thickness (ts) of the support layer 11 can be 5 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less. Furthermore, it can be made to be 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the support layer 11 is a single layer or a multilayer.
  • the material for the support layer 11 the same material as the dielectric base material 10 can be used. For example, it can be a single substance, a mixture, or a composite of urethane resin, acrylic resin, polyamide, polyimide, polyamideimide, epoxy resin, and silicone resin.
  • Support layer 11 can be an extruded film. The extruded film can be an unstretched film or a stretched film. Further, the support layer 11 can also be formed on the back surface of the electromagnetic wave attenuating substrate 20 by coating.
  • the mesh-like thin film conductive layer 30 may have a top coat layer 200 on the surface opposite to the dielectric base material 10 (front surface).
  • FIG. 24 is a schematic diagram showing a part of the cross section taken along line II in FIGS. 1 and 12 when the top coat layer 200 is provided.
  • the flat inductor 50 may also have a top coat layer 200 on the surface opposite to the dielectric base material 10 (back surface).
  • the thickness (h) of the top coat layer 200 can be 0.1 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less. Furthermore, it can be made to be 1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • Top coat layer 200 is a single layer or multilayer.
  • the material of the top coat layer 200 can be a single substance, a mixture, or a composite of urethane resin, acrylic resin, polyamide, polyimide, polyamideimide, epoxy resin, and silicone resin. It may also contain insulating particles, magnetic particles, conductive particles, or a mixture thereof. The particles can be inorganic particles.
  • the impedance matches the air through which radio waves propagate, and it becomes possible to effectively attenuate radio waves with respect to the thin film conductive layer. Further, corrosion resistance, chemical resistance, heat resistance, abrasion resistance, impact resistance, etc. can be imparted to the mesh-like thin film conductive layers 30, 31 and the mesh-like flat plate inductor 50.
  • crosslinked acrylic resin crosslinked epoxy resin, polyamide, polyimide, polyamideimide, silicone resin, etc.
  • heat resistance in addition to improving solvent resistance.
  • urethane resin or the like it is possible to improve the impact resistance
  • silicone resin it is possible to improve the abrasion resistance.
  • the top coat layer 200 may contain a pigment or the like in order to impart design properties.
  • the pigments used include organic pigments and inorganic pigments.
  • organic pigments for example, organic pigments such as azo pigments, lake pigments, anthraquinone pigments, phthalocyanine pigments, isoindolinone pigments, and dioxazine pigments can be employed.
  • inorganic pigments include yellow lead, yellow iron oxide, cadmium yellow, titanium yellow, barium yellow, aureolin, molybdate orange, cadmium red, Bengara, red lead, cinnabar, mars violet, manganese violet, cobalt violet, and cobalt.
  • white pigments such as inorganic pigments include titanium oxide (titanium white, titanium white), zinc oxide (zinc white), basic lead carbonate (lead white), basic lead sulfate, zinc sulfide, lithopone, titanox, etc. can be used.
  • Inorganic pigments in particular have excellent light resistance (fading resistance) and chemical resistance, so they are very suitable from the viewpoint of durability and fastness when it is desired to add design to the top coat layer. .
  • the top coat layer 200 When the top coat layer 200 is multilayered, it may be separated into a durability-imparting layer and a design-imparting layer. If necessary, a protective layer for protecting the design-imparting layer may be provided on the design-imparting layer.
  • the top coat layer 200 may be formed by providing an adhesive layer or an adhesive layer on the surface in contact with the mesh-like thin film conductive layer 30 and bonding a separately prepared durability imparting layer and a design imparting layer.
  • the desired electromagnetic wave attenuation characteristics can be maintained by bonding the top coat layer 200 to the mesh-like thin film conductor layer 30 so that air bubbles etc. do not enter between the layers. I can do it.
  • a pattern may be provided on the top coat layer 200 or the design imparting layer in order to impart design.
  • the type of pattern is not particularly limited, and any pattern can be used depending on the purpose of the building material such as wallpaper.
  • wood grain patterns, cork patterns, stone grain patterns, marble patterns, abstract patterns, etc. that are widely used in the field of conventional building materials can be used.
  • the purpose is simply coloring or color adjustment, a single solid color may be used.
  • an uneven pattern may be provided as necessary.
  • the type of pattern of the uneven pattern is not particularly limited, and any pattern can be used depending on the purpose of the building material such as wallpaper.
  • various patterns such as a wood grain pattern, a stone grain pattern, a Japanese paper pattern, a marble pattern, a cloth grain pattern, and a geometric pattern, which are widely used in the field of conventional building materials such as wallpaper, can be employed.
  • a simple matte texture, grain texture, hairline texture, suede texture, etc. can also be used.
  • the method for forming the uneven pattern is not particularly limited, and any method for forming the uneven pattern can be used.
  • a mechanical embossing method using a metal embossing plate can be employed. In this manner, by imparting design properties, when the electromagnetic wave attenuating film of the present invention is used as a building material, it becomes possible to harmonize the atmosphere of the color and texture with the space.
  • the inventors' studies have revealed that the attenuation due to the first mechanism changes depending on the admittance (reciprocal of electrical resistance) of the metal constituting the conductive element.
  • Admittance (siemens/m) was 10 million or more, and good attenuation of electromagnetic waves was obtained.
  • Silver is known as a substance with the highest admittance among normal conductors, and its admittance is 61 to 66 ⁇ 10 6 , so the upper limit value of admittance is approximately 70 million.
  • a metal having an admittance of 5 million or more and 70 million or less can be used.
  • the metal constituting the conductive element can be ferromagnetic, paramagnetic, diamagnetic, or antiferromagnetic.
  • Examples of ferromagnetic metals are nickel, cobalt, iron or alloys thereof.
  • Examples of paramagnetic metals are aluminum, tin (beta tin) or alloys thereof.
  • Examples of diamagnetic metals are gold, silver, copper, tin (alpha tin), zinc or alloys thereof.
  • An example of a diamagnetic alloy is brass, which is an alloy of copper and zinc.
  • An example of an antiferromagnetic metal is chromium. Good attenuation of electromagnetic waves was demonstrated by these metallic conductive elements.
  • mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 consisting of a predetermined repeating pattern of conductive elements are simultaneously formed on the front surface 10a and back surface 10b of the dielectric base material 10.
  • the conductive elements may be formed by any method as long as a desired pattern can be obtained, and for example, photolithography can be used.
  • the front surface 10a and the back surface 10b of the dielectric base material 10 may be subjected to either a sulfurization blackening treatment or a substitution blackening treatment in advance to form a blackened layer, if necessary.
  • Examples of the material of the dielectric base material 10 include polyester such as polyethylene terephthalate (PET); polyarylene sulfide such as polyphenylene sulfide; polyolefin such as polyethylene and polypropylene; polyamide, polyimide, polyamideimide, polyether sulfone, and polyether. Examples include, but are not limited to, ether ketone, polycarbonate, acrylic resin, polystyrene, and the like.
  • PET polyethylene terephthalate
  • polyarylene sulfide such as polyphenylene sulfide
  • polyolefin such as polyethylene and polypropylene
  • polyamide, polyimide, polyamideimide, polyether sulfone, and polyether examples include, but are not limited to, ether ketone, polycarbonate, acrylic resin, polystyrene, and the like.
  • a metal film is formed on both the front surface 10a and the back surface 10b of the dielectric base material 10 so as to cover the entire region of the pattern desired to be finally obtained.
  • the metal film may be formed by physical deposition such as vapor deposition or sputtering, or may be formed by pasting metal foil or the like. Alternatively, it can also be formed by plating.
  • Plating can be electrolytic plating or electroless plating.
  • the plating can be copper plating, electroless nickel plating, electrolytic nickel plating, zinc plating, electrolytic chrome plating, or a stack of these.
  • the metal film may be formed on the front surface 10a and the back surface 10b simultaneously or separately. If they are performed separately, the order of formation may be in any order.
  • a resist layer is formed on the metal film formed on the front surface 10a and back surface 10b of the dielectric base material 10.
  • the resist layer may be formed by applying a normal resist solution and drying it, a method using a dry film resist is preferable since there is no fear of liquid dripping due to insufficient drying.
  • the resist layer may be formed on the front side 10a and the back side 10b simultaneously or separately. Similar to the formation of metal films, the order of formation does not matter if they are performed separately.
  • the front side 10a and the back side 10b of the dielectric base material 10 are simultaneously exposed to light through a material that blocks light in a pattern, such as a photomask.
  • a material that blocks light in a pattern such as a photomask.
  • "simultaneously forming" refers to performing an exposure process at the same time.
  • the two photomasks on the front side 10a and the back side 10b typically have different pattern shapes and/or positions. If the positions of the two photomasks can be properly controlled during exposure, the positional relationship between the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 will be as designed, and there will be no misalignment after formation or when using the electromagnetic wave attenuation film. Anxiety is minimized.
  • development is performed using a developer to remove unnecessary portions of the resist layer.
  • Development may be performed on the front side 10a and back side 10b of the dielectric base material 10 at the same time or separately, but if done at the same time, problems may occur due to the developer flowing around to the opposite side. I like it because I don't have to worry about it.
  • the metal layer in the exposed portion after the resist layer is removed is removed. Removal of the metal layer is generally performed by wet etching, but dry etching or any other method may be used as long as only exposed portions can be selectively removed.
  • the metal layer may be removed simultaneously from the front side 10a and the back side 10b of the dielectric base material 10, or may be removed separately, but if wet etching is used, it is convenient to remove the metal layer at the same time. .
  • the resist layer remaining on the patterned metal layer that is, the thin film conductive layers 30 and 31, is removed.
  • the resist layer may also be removed from the front side 10a and the back side 10b of the dielectric base material 10 at the same time or separately, but it is convenient to remove them at the same time. Note that this step can be omitted if there is a design reason why it is more convenient to leave the resist layer on the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31.
  • the formation of the thin film conductive layers 30 and 31 on the dielectric base material 10 does not have to be based on the photolithography method.
  • a printing method, an inkjet method, and any other forming method can be applied.
  • "simultaneously formed” means that when a printing method is used, transfer is performed at the same time, and when an inkjet method is used, deposition is performed at the same time.
  • the "metal film” does not have to be made of metal.
  • it may be a conductive organic material such as PEDOT/PSS or a conductive oxide such as InGaZnO.
  • the mesh-shaped thin film conductive layers 30 and 31 may be subjected to either a sulfurization blackening treatment or a substitution blackening treatment to form a blackening layer, if necessary.
  • the support layer 11 on which the flat plate inductor 50 is formed is prepared. Note that this step is performed after the formation of the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 on the dielectric base material 10 merely for convenience of explanation, and the order may be reversed or both steps may be performed. It goes without saying that there is no problem in proceeding with these in parallel.
  • the support layer 11 on which the mesh-like flat plate inductor 50 is formed can typically be obtained by laminating the mesh-like flat plate inductor 50 on the support layer 11.
  • the same material as the dielectric base material 10 can be used.
  • a mesh-like flat plate inductor 50 which is a metal mesh film, can be formed on the support layer 11.
  • the mesh-like flat plate inductor 50 may be obtained by bonding a mesh-like casting or metal plate to the support layer 11.
  • the same material as the dielectric base material 10 can be used.
  • the support layer 11 may be made of the same material as the dielectric base material 10, or may be made of a different material.
  • the same material as the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 can be used as the material for the mesh-like flat plate inductor 50.
  • the mesh flat plate inductor 50 may be made of the same material as the mesh thin film conductive layers 30 and 31, or may be made of a different material.
  • the mesh-like flat plate inductor 50 of the support layer 11 has the mesh-like flat plate inductor 50 formed on the back side 10b of the dielectric base material 10 (electromagnetic wave attenuation base 20) on which the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 are formed.
  • the electromagnetic wave attenuating film 1 of the present invention can be obtained by bonding opposite sides together.
  • Another method for obtaining the electromagnetic wave attenuation film of the present invention is to form the mesh-like thin film conductive layers 30 and 31 on the front surface 10a and the back surface 10b of the dielectric base material 10 at the same time, and then The support layer 11 may be laminated on the support layer 11, and the mesh-like flat plate inductor 50 may be formed on the support layer 11 on the opposite side of the dielectric base material 10.
  • the method for forming the top coat layer 200 may be provided by laminating a dielectric film through an adhesive layer, but the method for forming the top coat layer 200 is not limited to this, and may be a coating method.
  • the coating method may be appropriately selected from methods used in film production. Examples of coating methods include gravure coating, reverse coating, gravure reverse coating, die coating, flow coating, and the like.
  • FIG. 25 is a schematic diagram showing a part of the cross section of the electromagnetic wave attenuation film shown in the example.
  • l and l1 are the distances between the centers of gravity of the mesh-like conductive elements on the front and back sides of the dielectric substrate, and a, a1, and a2 (see Figures 2(b) and 13(b)) are the distances from the center of gravity of the mesh-like conductive elements to the ends of the mesh. It is assumed that, for example, the mesh-like conductive elements 30 may have different dimensions a and a1, and the mesh-like conductive elements 31 may also have different dimensions a2.
  • t is the thickness of the dielectric base material
  • ts is the thickness of the support layer
  • tm is the thickness of the mesh conductive element
  • tmb is the thickness of the mesh flat inductor
  • h is the thickness of the top coat layer.
  • wa represents the opening width of the mesh thin film conductive layer and the mesh flat plate inductor
  • w represents the line width of the mesh thin film conductive layer and the mesh flat plate inductor.
  • Example A If the conductive elements of the same shape are uniformly arranged as in embodiment A-1 shown in FIG. 1, l is equal to l1. On the other hand, when conductive elements having different distances from each other coexist as in Embodiment A-2 shown in FIG. 10, l and l1 take different values.
  • the structures of the electromagnetic wave attenuating films of Examples A1 to A5 are shown in Table A1. Examples A1 to A4 correspond to examples of embodiment A-1, and example A5 corresponds to examples of embodiment A-2.
  • a common manufacturing method for manufacturing the electromagnetic wave attenuating films according to Examples A1 to A3 will be explained.
  • a 500 nm thick copper layer was formed on both sides of a 50 ⁇ m thick PET sheet by sputtering.
  • a dry resist film was laminated onto the copper layer on both sides of the PET sheet.
  • both sides are exposed simultaneously through a mesh photomask having a mesh pattern, and then both sides of the acrylic negative resist layer are simultaneously developed with a mixed alkaline aqueous solution of sodium carbonate and sodium bicarbonate to remove unnecessary resist.
  • a portion of the underlying thin film conductive layer was exposed.
  • both sides of the copper layer partially covered by the resist layer were simultaneously immersed in a ferric chloride solution, and the exposed portion of the copper layer was removed by etching. Thereafter, the remaining resist layer was simultaneously removed from both sides using an alkaline solution to obtain a mesh copper pattern. Next, a blackening treatment was applied to the surface and side surfaces of the copper pattern.
  • a mesh-like copper pattern was formed on one side of a PET film with a thickness of 100 ⁇ m in the same manner as described above to produce a mesh-like flat plate inductor, and then adhesive was applied to the back side of the film having mesh-like copper patterns on both sides. Laminated through layers.
  • the above is the manufacturing procedure of Examples A1 to A3 according to Embodiment A-1.
  • a manufacturing method for manufacturing an electromagnetic wave attenuating film according to Example A4 will be explained.
  • a thin film conductive layer was formed on the front and back sides of the dielectric base material using the same manufacturing procedure as in Examples A1 to A3, and a support layer in which a mesh-like flat plate inductor was formed was formed on the back side of the thin film conductive layer via an adhesive layer.
  • a top coat layer was formed on the front side of the dielectric base material. The top coat layer was formed by the procedure shown below.
  • the main component is an acrylic resin composition consisting of a mixture of 80 parts by mass of methyl methacrylate monomer and 20 parts by mass of cyclohexyl methacrylate, and the solid content of the acrylic resin composition is 100 parts by mass, and hydroxyphenyltriazine-based ultraviolet rays are applied.
  • Example A5 A manufacturing method for producing an electromagnetic wave attenuating film according to Example A5 will be explained. Using the same manufacturing procedure as in Examples A1 to A3, the positions of the thin film conductive layers formed on the front and back surfaces of the dielectric base material were adjusted so that the combination (l ⁇ 2a) in which the front and back thin film conductive layers overlapped in the plane direction was determined. A thin conductive layer was formed by mixing 50% non-overlapping combinations (l ⁇ 2a) in one plane. Next, a support layer was formed on the back side of the thin film conductive layer via an adhesive layer, and then a flat plate inductor was formed on the back side of the support. The above is the manufacturing procedure of Example A5 according to Embodiment A-2.
  • FIG. 26 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A1. It showed good absorption characteristics of -13 dB at 76 GHz.
  • FIG. 27 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A2. It showed good absorption characteristics of -10 dB at 76 GHz.
  • FIG. 28 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A3. It showed good absorption characteristics of -12 dB at 73 GHz.
  • FIG. 29 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A4.
  • FIG. 30 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example A5. It showed good absorption characteristics of -11 dB at 79 GHz and -15 dB at 89 GHz.
  • the produced electromagnetic wave attenuation film was pressure-bonded to a stainless steel plate via an adhesive layer, and after being exposed to the equivalent of 10 years of outdoor exposure using a sunshine weather meter, the surface of the electromagnetic wave attenuation film was wiped with a cotton cloth to form a top coat layer. , or the remaining state of the electromagnetic wave attenuating layer including the electromagnetic wave attenuating substrate, support layer, and flat inductor.
  • Table 1 If there was no effect on any layer after wiping, it was rated as ⁇ , and if peeling occurred within a range that did not cause any practical problems, it was rated as ⁇ .
  • transmittance Regarding the transmittance, it was calculated as the ratio of the incident intensity and the transmitted intensity when white light was incident on the electromagnetic wave attenuating film, and a film with a transmittance of at least 10% was considered to have passed.
  • Test example A1 A laminated sheet in which a design imparting layer in which a wood grain pattern is provided on the durability imparting layer is laminated on the electromagnetic wave attenuation film according to Example A3 is separately prepared, and a laminated sheet is laminated between the electromagnetic wave attenuation film according to Example A3 and the mesh-like thin film conductor layer 30.
  • the layers were bonded together with an adhesive while avoiding air bubbles to form a top coat layer 200 related to the present invention, and an electromagnetic wave attenuation film of Test Example A1 was obtained. As a result, electromagnetic wave attenuation characteristics comparable to those of Example A3 were obtained.
  • Test example A2 A laminated sheet is separately prepared in which a design imparting layer having a wood grain pattern is laminated on the electromagnetic wave attenuation film according to Example A5 on the durability imparting layer, and a laminated sheet is laminated between the electromagnetic wave attenuation film according to Example A5 and the mesh-like thin film conductor layer 30.
  • the layers were bonded together with an adhesive while avoiding air bubbles to form a top coat layer 200 related to the present invention, and an electromagnetic wave attenuation film of Test Example A2 was obtained. As a result, electromagnetic wave attenuation characteristics comparable to those of Example A5 were obtained.
  • Test example A3 A laminated sheet in which a design imparting layer having a marble pattern on the durability imparting layer is laminated on the electromagnetic wave attenuation film according to Example A3 is separately prepared, and a laminated sheet is laminated between the electromagnetic wave attenuation film according to Example A3 and the mesh-like thin film conductor layer 30.
  • the layers were bonded together with an adhesive while avoiding air bubbles to form a top coat layer 200 related to the present invention, and the electromagnetic wave attenuation film of Test Example A3 was obtained.
  • electromagnetic wave attenuation characteristics comparable to those of Example A3 were obtained.
  • the electromagnetic wave attenuating film of Test Example A3 was placed next to the indoor marble pattern flooring, the electromagnetic wave attenuating film of Test Example A3 did not feel out of place with the marble pattern flooring. The sense of luxury was not compromised.
  • Test example A4 A laminated sheet in which a design imparting layer having a marble pattern on the durability imparting layer is laminated on the electromagnetic wave attenuation film according to Example A5 is separately prepared, and a laminated sheet is laminated between the electromagnetic wave attenuation film according to Example A5 and the mesh-like thin film conductor layer 30.
  • the top coat layer 200 according to the present invention was obtained by bonding with an adhesive while preventing air bubbles from entering, and the electromagnetic wave attenuation film of Test Example A4 was obtained. As a result, the same electromagnetic wave attenuation characteristics as in Example A5 were obtained.
  • Table A2 shows the structure and evaluation results of the electromagnetic wave attenuation film according to the comparative example. Furthermore, graphs of monostatic RCS attenuation for each frequency are shown in FIGS. 23 to 29.
  • FIG. 31 is a schematic diagram showing a part of the cross section of the electromagnetic wave attenuating film of Comparative Example A1. Description of the configuration similar to that in FIG. 25 will be omitted. It has a structure in which a laminated upper layer 40 and a laminated lower layer 41 in which a mesh-like thin film conductive layer 30 is formed only on the front surface of a dielectric base material 10 are laminated.
  • the structure of the electromagnetic wave attenuation film of Comparative Example A1 is shown in Table A2.
  • Example A1 two sheets, a laminated upper layer 40 and a laminated lower layer 41, in which the mesh-like thin film conductive layer 30 is disposed only on the front side of the dielectric base material 10 were created.
  • a lower lamination layer 41 was laminated on the back side of the lamination upper layer 40 with an acrylic adhesive layer 12 interposed therebetween.
  • a mesh-like thin copper film is formed on one side of the PET film with a film thickness of 100 ⁇ m by etching, and laminated through the adhesive layer 12 to form the support layer 11 and the mesh-like flat plate inductor 50, thereby creating an electromagnetic wave attenuation film by multilayer lamination. It was created.
  • Example A1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated.
  • the evaluation results are shown in Table A2.
  • the position of the conductive element on the test piece was observed, and as a result, a shift occurred between the film of the laminated upper layer 40 and the film of the laminated lower layer 41, and the upper layer
  • the result was that the placement position of the lower layer mesh-like conductive element 30 was shifted by about 5 mm from before the test.
  • FIG. 32 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A1.
  • the target absorption frequency is around 75 GHz in the design value
  • the absorption peak frequency of the electromagnetic wave absorbing sheet produced by laminating and laminating was 57 GHz, which was a large deviation from the design value.
  • weather resistance when wiped with a cotton cloth, the thin metal layer peeled off, resulting in not so good results.
  • Comparative example A2 In the electromagnetic wave attenuation film according to Comparative Example A2, conductive elements were arranged on the front and back sides of the dielectric 10 to form a support layer, and then a flat plate inductor was formed on the back side of the support layer. In Comparative Example A2, the conductive element and the flat inductor are not mesh-shaped.
  • a thin film conductive layer was formed on the front and back sides of the dielectric base material, a support layer was formed on the back side of the thin film conductive layer via an adhesive layer, and then a flat plate inductor was formed on the back side of the support layer.
  • Example A1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated. The evaluation results are shown in Table 2. Regarding the bending test, no displacement of the thin film conductive layer occurred even after the bending test.
  • FIG. 33 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A2. An absorption amount of -13 dB was obtained at 74 GHz. The transmittance was 0%, and no light transmittance or transparency was obtained.
  • Comparative examples A3, A4, A5 have the same structure as the electromagnetic wave absorbing film according to Example A1, etc., except for some differences in the dimensions of the components of the electromagnetic wave absorbing film, so the explanation will focus on the differences.
  • Comparative Example A3 is based on the following formula (1a), where l is the distance in the plane direction between the centers of gravity of the conductive elements on the front and back sides of the dielectric base material, and a is the shortest distance from the center of gravity of the conductive elements to the edge of the mesh. It has a structure in which conductive elements are formed with a positional relationship that is not satisfied.
  • Comparative Example A4 has a structure in which the thickness of the support layer is thinner than 5 ⁇ m.
  • Comparative Example A5 has a structure in which the opening width (wa) of the mesh of the conductive elements on the front and rear sides of the dielectric base material and the flat plate inductor arranged on the back side of the support layer is larger than 1/10 of the attenuation center wavelength.
  • Table A2 The structures of the electromagnetic wave attenuating films of Comparative Examples A3, A4, and A5 are shown in Table A2.
  • a mesh thin conductive layer was formed on the front and back surfaces of a dielectric substrate according to Example A1, and a mesh thin copper film was formed on one side of a 100 ⁇ m thick PET film by etching, and then laminated via an adhesive layer.
  • a support layer and a mesh-like flat plate inductor were formed.
  • Example A1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated. The evaluation results are shown in Table 2. Regarding the bending test, in Comparative Examples A3, A4, and A5, no displacement of the thin film conductive layer occurred even after the bending test.
  • FIG. 34 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A3. Since 1/a was 4.4 and the relationship of formula (1a) was not satisfied, resonance coupling did not occur between the front and back conductive elements, resulting in an absorption amount that did not reach the target -10 dB.
  • FIG. 35 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A4.
  • FIG. 36 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example A5.
  • the opening width of the mesh of the mesh-like thin film conductive layer formed on the front and back surfaces of the dielectric base material and the mesh-like flat plate inductor arranged on the back of the support layer is larger than 1/10 of the attenuation center wavelength. In some cases, the absorption amount did not reach the target of -10 dB. From this, it is desirable that the opening width of the mesh is 1/10 or less of the attenuation center wavelength.
  • Example B Similar to Example A, the structures of the electromagnetic wave attenuating films of Examples B1 to B5 are shown in Table B1. Examples B1 to B4 correspond to examples of embodiment B-1, and example B5 corresponds to examples of embodiment B-2.
  • Electromagnetic wave attenuation films according to Examples B1 to B5 were produced using the same manufacturing method as Examples A1 to A5, respectively.
  • the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuating films according to Examples B1 to B5 were evaluated in accordance with Example A, and the results are shown in Table B1.
  • FIG. 37 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example B1. It showed good absorption characteristics of -11 dB at 72 GHz.
  • FIG. 38 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example B2. It showed good absorption characteristics of -10 dB at 72 GHz.
  • FIG. 39 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example B3. It showed good absorption characteristics of -11 dB at 67 GHz.
  • FIG. 40 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example B4.
  • FIG. 41 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Example B5. It showed good absorption characteristics of -13 dB at 81 GHz and -11 dB at 87 GHz.
  • Test Examples B1 to B4 were conducted in the same manner to Examples B3 and B5 in accordance with Test Examples A1 to A4 conducted for Examples A3 and A5, and similar results were obtained. It worked.
  • Table B2 shows the structure and evaluation results of the electromagnetic wave attenuation film according to the comparative example. Furthermore, graphs of monostatic RCS attenuation for each frequency are shown in FIGS. 23 to 29.
  • Comparative example B1 The electromagnetic wave attenuating film according to Comparative Example B1 had the same configuration as the electromagnetic wave attenuating film of Comparative Example A1 according to the bonded laminate shown in FIG. 31, and was produced by the same manufacturing method as Comparative Example A1.
  • Example B1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated.
  • the evaluation results are shown in Table B2.
  • the position of the conductive element on the test piece was observed, and as a result, a shift occurred between the film of the laminated upper layer 40 and the laminated lower layer 41, and the upper layer
  • FIG. 42 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example B1.
  • the target absorption frequency is around 75 GHz in the design value
  • the absorption peak frequency of the electromagnetic wave absorbing sheet produced by laminating and laminating was 57 GHz, which was a large deviation from the design value.
  • weather resistance when wiped with a cotton cloth, the thin metal layer peeled off, resulting in not so good results.
  • Comparative example B2 The electromagnetic wave attenuating film according to Comparative Example B2 had the same configuration as the electromagnetic wave attenuating film of Comparative Example A2, and was produced by the same manufacturing method as Comparative Example A2.
  • Example B1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated. The evaluation results are shown in Table B2. Regarding the bending test, no displacement of the thin film conductive layer occurred even after the bending test.
  • FIG. 43 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example B2. An absorption amount of -13 dB was obtained at 74 GHz. The transmittance was 0%, and no light transmittance or transparency was obtained.
  • Comparative examples B3, B4, B5 have the same structure as the electromagnetic wave absorbing film according to Example B1 etc., except for some differences in the dimensions of the components of the electromagnetic wave absorbing film, and were produced using the same manufacturing method as Example B1. Therefore, I will mainly explain the different points.
  • Comparative Example B3 is based on the following formula (1b), where l is the distance in the plane direction between the centers of gravity of the conductive elements on the front and back sides of the dielectric base material, and a is the shortest distance from the center of gravity of the conductive elements to the edge of the mesh. It has a structure in which conductive elements are formed with a positional relationship that is not satisfied.
  • Comparative Example B4 has a structure in which the thickness of the support layer is thinner than 5 ⁇ m.
  • Comparative example B5 has a structure in which the opening width (wa) of the mesh of the conductive elements on the front and rear sides of the dielectric base material and the flat plate inductor arranged on the back side of the support layer is larger than 1/10 of the attenuation center wavelength.
  • Table B2 The structures of the electromagnetic wave attenuating films of Comparative Examples B3, B4, and B5 are shown in Table B2.
  • Example B1 the bending test, electromagnetic wave attenuation characteristics, weather resistance, and transmittance of the electromagnetic wave attenuation film were evaluated. The evaluation results are shown in Table 2. Regarding the bending test, in Comparative Examples B3, B4, and B5, no displacement of the thin film conductive layer occurred even after the bending test.
  • FIG. 44 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example B3. Since 1/a was 4.4 and the relationship of equation (1b) was not satisfied, resonance coupling did not occur between the front and back conductive elements, resulting in an absorption amount that did not reach the target -10 dB.
  • FIG. 45 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example B4.
  • FIG. 46 is a graph showing the electromagnetic wave attenuation characteristics of Comparative Example B5.
  • the opening width of the mesh of the mesh-like thin film conductive layer formed on the front and back surfaces of the dielectric base material and the mesh-like flat plate inductor arranged on the back of the support layer is larger than 1/10 of the attenuation center wavelength.
  • the absorption amount did not reach the target of -10 dB. From this, it is desirable that the opening width of the mesh is 1/10 or less of the attenuation center wavelength.
  • Embodiment A-1 or Embodiment B-1 the aspects used in Embodiment A-2 or Embodiment B-2, such as the frequency band, the metal type of the conductive element, the blackening layer, and the manufacturing method, may be used as appropriate. Can be done. The same is true vice versa.
  • the form of the flat plate inductor is not limited to that formed on the entire back surface.
  • a plurality of conductive elements may be arranged in the same manner as on the front surface.
  • the shape of the conductive element is not limited to a square, and can be set to various shapes such as a circle (including an ellipse), a polygon other than a square, various polygons with rounded corners, and an irregular shape. It is preferable that the total area of the conductive elements occupying the projected area of the front surface is 20% or more. In this way, electromagnetic waves can be efficiently attenuated.
  • the electromagnetic wave attenuation film according to the present invention may have a configuration in which a flat plate inductor is not provided on the back surface.
  • the object to which the back surfaces are to be joined is metal
  • the second and third mechanisms can be exerted without any problems by the metal surfaces to be joined without a flat plate inductor.
  • a bonding layer such as an adhesive layer that can be bonded to the object may be provided on the back surface.
  • parameters such as the structural period and the dimensions of the conductive elements do not necessarily have to be completely the same in all parts.
  • the tolerance range approximately 5% above and below
  • the "predetermined range of values” can be a regular range of values. This regularity can be a Gaussian distribution, a binomial distribution, a random distribution or pseudo-random distribution with equal frequency within a certain section, or a range of tolerance in the manufacturing process.
  • the electromagnetic wave attenuating film according to the present invention after providing a release layer on the supporting base material, the electromagnetic wave attenuating film of Embodiment A-1 (Embodiment B-1) and Embodiment A-2 (Embodiment B-2) It is also possible to provide a transfer foil by further providing an adhesive or a pressure-sensitive adhesive. By using transfer foil, it is possible to make the film even thinner, and it is also possible to further improve followability, and it is possible to transfer even complex shapes, which increases the scope of application of the electromagnetic wave attenuation film of the present invention. It becomes possible to widen the area.
  • the attenuation of electromagnetic waves is considered, but it is known that a conductor that attenuates specific electromagnetic waves can serve as an antenna for receiving radio waves. Therefore, the embodiments described above can also be used as receiving antennas. Furthermore, in the above-described embodiment, since a quantum with zero momentum is captured in a two-dimensional system, it is considered possible to use the conductive element as an element for calculating and recording data in its quantum state.
  • the embodiments of the present invention differ from the prior art in the mechanism of interaction with electromagnetic waves, and therefore products that exhibit an equivalent mechanism are those that substantially use the embodiments of the present invention. should be captured.
  • a dielectric base material having a front surface and a back surface, and a mesh-like pattern formed of thin wires of a conductive thin film arranged on both the front surface and the back surface of the dielectric base material, with the ends of the thin wires protruding or the thin wires surrounding the outermost periphery.
  • an electromagnetic wave attenuation substrate having a mesh-like thin film conductive layer; a support layer disposed on the back surface of the electromagnetic wave attenuating base; a mesh-like flat plate inductor formed of thin wires of a conductive thin film disposed on the back surface of the support layer; Equipped with The mesh-like thin film conductive layer includes a plurality of mesh-like conductive elements. Electromagnetic wave attenuation film.
  • the mesh-like conductive elements are arranged periodically, The electromagnetic wave attenuating film according to aspect 1 or 2, wherein the support layer has a thickness of 0.005 mm or more.
  • the mesh-like conductive elements are arranged periodically, and the following formula (4) is satisfied, where the thickness of the mesh-like conductive elements is T and the skin depth is d.
  • the electromagnetic wave attenuation film described above.
  • the mesh-like conductive elements are arranged periodically, The following formula (6 ), and a combination of mesh-like conductive elements on the front and rear sides of the dielectric base that satisfies the following formula (7), it is possible to achieve multiple frequencies.
  • the electromagnetic wave attenuation film according to any one of aspects 1 to 4 which has electromagnetic wave attenuation performance. l ⁇ 2a...(6) l ⁇ 2a...(7) (Aspect 6)
  • (Aspect 14) 14 The electromagnetic wave attenuation film according to any one of aspects 1 to 13, wherein the mesh-like thin film conductive layer is configured to be able to capture electromagnetic waves incident from the front side of the dielectric base material.
  • the mesh-like thin film conductive layer and the mesh-like flat plate inductor have a thin line width of 30 to 500 ⁇ m and a mesh opening width of 1/10 to 1/225 of the attenuation center wavelength, according to any one of embodiments 1 to 16.
  • Electromagnetic wave attenuation film described in . (Aspect 18) 18.
  • Electromagnetic wave attenuation film 10, 62: Dielectric base material, 10a, 62a: Front surface, 10b, 62b: Back surface, 20, 60: Electromagnetic wave attenuation base, 30, 30A, 31, 31A: Mesh-shaped thin film conductive layer , mesh conductive element, 32, 33, 34, 35, 36, 37: blackening layer, 11: support layer, 12, 13: adhesive layer, 40: lamination upper layer, 41: lamination lower layer, 50: mesh Flat plate inductor, 200: Top coat layer

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Abstract

本発明は、吸収ピーク周波数のずれや経時での周波数特性、角度特性の変化の少なく、透光性や透明性を付与した電磁波減衰フィルムを簡便かつ低コストで得ることを目的とする。　そのため本発明の電磁波減衰フィルムは、前面および背面を有する誘電体基材と、誘電体基材前面および背面の両面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状のパターンで細線端部が突出しまたは細線が最外周を囲んだメッシュ状薄膜導電層と、を有する電磁波減衰基体と、電磁波減衰基体の背面に配置されたサポート層と、サポート層の背面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状平板インダクタと、を備え、メッシュ状薄膜導電層は、複数のメッシュ状導電素子を含む構成を有する。

Description

電磁波減衰フィルム
　本発明は、入射波を捕捉し、反射波を減衰することが可能な電磁波減衰フィルムに関する。
　携帯電話などの移動体通信、無線ＬＡＮ、料金自動収受システム（ＥＴＣ）などにおいて、数ギガヘルツ（ＧＨｚ）の周波数帯域を持つ電波が使われている。
　このような電波を吸収する電波吸収シートとして、非特許文献１には、複数の金属パターンを２層に周期配列させた電波吸収体で、径が微小に異なる円形の金属パターンを異なる層に配置し２帯域に吸収特性を有する電波吸収体が提案されている。
電子情報通信学会論文誌Ｂ　Ｖｏｌ．Ｊ１０３－Ｂ　Ｎｏ．１２　ｐｐ．６８４－６８６
　しかしながら、基材の片方の面に導電素子を設け、それを複数層重ねたものを吸収層とすることにより電波吸収体を作成した場合には、導電素子を設けた積層フィルムの伸びやたわみ等により層間の位置精度にずれが生じて吸収周波数にずれが生じることがある。非特許文献１で提案された吸収体は、所定の導電パターンが形成されたＦＲ４などの誘電体基板を精度よく貼り合わせて積層させなければならない、という問題点があった。
　加えて、重ね合わせた部位の経時劣化に伴う素子間の位置ずれにより周波数特性や角度特性の変化も懸念される。加えて工程面やコスト面からも素子を設けた基材の枚数が増えることは好ましくない。
　また、非特許文献１で提案されるような基材を介して導電素子とは反対の面に金属板を形成する場合、透光性や透明性は得られない。
　本発明は、このような従来の問題を解決し、吸収ピーク周波数のずれや経時での周波数特性、角度特性の変化の少なく、透光性や透明性を付与した電磁波減衰フィルムを簡便かつ低コストで得ることを目的とする。
　上記の課題を解決するために、代表的な本発明の電磁波減衰フィルムの一つは、前面および背面を有する誘電体基材と、前記誘電体基材前面および背面の両面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状のパターンで細線端部が突出しまたは細線が最外周を囲んだメッシュ状薄膜導電層と、を有する電磁波減衰基体と、前記電磁波減衰基体の背面に配置されたサポート層と、前記サポート層の背面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状平板インダクタと、を備え、前記メッシュ状薄膜導電層は、複数のメッシュ状導電素子を含む、電磁波減衰フィルムである。
　本発明によれば、吸収ピーク周波数のずれや経時での周波数特性、角度特性の変化の少なく、透光性や透明性を付与した電磁波減衰フィルムを簡便かつ低コストで得ることができる。
　さらに本発明によれば、ミリ波帯域の周波数の電波を減衰することができ、かつ、薄い電磁波減衰フィルムを提供できる。また、細線端部が突出したメッシュ状薄膜導電層を１層の基材の前面と背面に同時に形成することにより、前面と背面に配置したメッシュ状薄膜導電層の位置精度を確保することができ、目的とする周波数に吸収性能を持つ電磁波減衰フィルムを容易に製造することが可能となる。
本発明の実施形態Ａ－１に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。 図１のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。 メッシュ状薄膜導電層を誘電体基材に粘着層を介して配置しパターニングした場合の断面図である。 メッシュ状導電素子の平面視形状の例を示す模式図である。 メッシュ状導電素子の平面視形状の組み合わせの例を示す模式図である。 メッシュ状導電素子の寸法と減衰される電磁波の波長との関係を示すグラフである。 前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例を示す斜視画像である。 図７ＡのＩ－Ｉ線における断面の一部を示す一例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。 前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例を示す斜視画像である。 図８ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。 導電素子の厚さの変化による電磁波の減衰性のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態Ａ－２に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。 図１０のＩＩ－ＩＩ線における断面の一部を示す模式図である。 本発明の実施形態Ｂ－１に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。 図１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。 メッシュ状導電素子の平面視形状の例を示す模式図である。 メッシュ状導電素子の平面視形状の組み合わせの例を示す模式図である。 メッシュ状導電素子の寸法と減衰される電磁波の波長との関係を示すグラフである。 前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例を示す斜視画像である。 図１７ＡのＩ－Ｉ線における断面の一部を示す一例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。 前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例を示す斜視画像である。 図１８ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。 導電素子の厚さの変化による電磁波の減衰性のシミュレーション結果を示すグラフである。 本発明の実施形態Ｂ－２に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。 黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す一例の模式図である。 黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す別の例の模式図である。 黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す別の例の模式図である。 トップコート層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。 実施例に示す電磁波減衰フィルムの断面の一部を示す模式図である。 実施例Ａ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ａ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ａ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ａ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ａ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ａ１、Ｂ１の電磁波減衰フィルムの断面の一部を示す模式図である。 比較例Ａ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ａ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ａ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ａ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ａ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ｂ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ｂ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ｂ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ｂ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。 実施例Ｂ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ｂ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ｂ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ｂ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ｂ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。 比較例Ｂ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。また同一部分は符号を省略することがある。
　実施形態の開示においては、方向を示すために、図面上に表記されたｘ軸、ｙ軸、ｚ軸に示す方向を用いることがある。また特に断りのない限り、「平面」はｘｙ平面を、「平面視」はｚ軸方向からみること、「平面図」はｚ軸方向からみた面を意味し、「平面視形状」「平面形状」はｚ軸方向から見た図面の形状を意味する。
　また実施形態の開示において、物体の「前面」というときは、物体をｚ軸正側からみたときの面を意味し、「背面」というときはｚ軸負側からみた面を意味し、「側面」というときは前面と背面に挟まれた外周の面を意味する。「厚さ方向」というときは、ｚ軸方向を意味する。
　また実施形態の開示において、「重心」とは平面形状における重心を意味する。ただし、メッシュを形成する細線が突出した端部を有するメッシュ状の平面の場合は、突出した端部を結ぶ仮想線分を最外周とみなして形成される平面形状を意味するものとする。また最外周を細線で囲んだメッシュ状の平面の場合は、最外周の細線で囲まれた平面形状を意味するものとする。
[実施形態Ａ－１]
　まず実施形態Ａについて説明する。図１は、本発明の実施形態Ａ－１に係る電磁波減衰フィルム１を示す模式平面図である。図２は、図１のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。図２（ａ）は、例えばＩ－Ｉ線上のαとβの間の断面である。図２（ｂ）はメッシュ状薄膜導電層３０、３１の模式平面図である（細線の幅は省略してある）。
　電磁波減衰フィルム１は、誘電体基材（誘電体層）１０と、誘電体基材１０の前面１０ａに形成されたメッシュ状薄膜導電層３０と、誘電体基材１０の背面１０ｂに形成されたメッシュ状薄膜導電層３１とで構成された電磁波減衰基体２０と、背面のメッシュ状薄膜導電層３１の背面に形成されたサポート層１１と、サポート層１１の背面に形成されたメッシュ状の平板インダクタ５０とを備えている。メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、導電性薄膜の細線（以下、「導電性細線」「細線」ともいう。）で形成されたメッシュ状のパターンで細線端部が突出したメッシュ状導電体平板の層である。メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、複数の導電素子を含んでよい（以下、薄膜導電層に関し、具体的形状や配置などを観念するときに導電素子ということもある。）。メッシュ状平板インダクタ５０は、導電性薄膜の細線で形成され、外部の磁束によりメッシュ状平板インダクタ５０内部の表面近傍に電流を生じる。また、その電流に伴い、磁場をメッシュ状平板インダクタ５０外部の表面近傍に発生させる機能を有する。
　尚、前面は、電磁波を入射させる側の面とできる。背面は、誘電体基材の前面と反対側の面である。以下の実施形態に関する説明において、単に薄膜導電層（導電素子）や平板インダクタというときもあるが、特に断りのない限りメッシュ状のものを意味する。
　また、電磁波減衰フィルムで減衰される電磁波が単一の極小値となる周波数ｆを有する場合、この周波数ｆを、減衰中心周波数ｆとする。また、電磁波減衰フィルムで減衰される電磁波が複数の極小値を有する場合は、最も減衰の大きい極小値から－３ｄＢとなる複数の周波数の平均値の周波数を減衰中心周波数とする。減衰中心波長は、誘電体基材とサポート層中の光速を後述の減衰中心周波数ｆで除したものとできる。
　また、電磁波減衰フィルム１は、空気とのインピーダンス整合を図り、シートの耐候性を高めるためのトップコート層２００（後述）を備えていてもよい。
（電磁波減衰基体）
　図２に示す通り、電磁波減衰基体２０は、誘電体基材１０の前面１０a及び背面１０ｂにメッシュ状薄膜導電層３０、３１を配置した構成となっている。
　誘電体基材１０を構成する材料の代表例は合成樹脂である。合成樹脂の種類は、絶縁性とともに十分な強度、可撓性及び加工性を有する限り特に制限されない。この合成樹脂は熱可塑樹脂とできる。合成樹脂は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル；ポリフェニレンサルファイド等のポリアリーレンサルファイド；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン等が挙げられるがこれに限定されるものではない。これらの材料を単体で用いてもよいし、２種類以上混合させても、積層体としてもよい。また、誘電体基材１０は、導電性粒子、絶縁性粒子、磁性粒子、または、その混合を含有してもよい。
　電磁波減衰基体２０を形成するために、誘電体基材１０の両面にアンカー層、接着層を介しアンカー層、接着層と共に、メッシュ状にパターニングした薄膜導電層３０、３１を形成したメッシュ状積層体を用いてもよい。
　また誘電体基材１０は７０００ＭＰａ・ｍｍ４以下の曲げ剛性を有する。
　本発明の実施形態において、誘電体基材、サポート層の厚みは、電磁波の波長に対して十分薄くできる。誘電体基材、サポート層が電磁波の波長に対して十分薄い場合、誘電体基材、サポート層内に進行波が生じないことが知られている。「十分薄い」とは、波長の１／２未満とできる。波長の１／２未満では、進行波は導波しない。これは、電磁波のカットオフと言われる現象である。さらには、波長の１／１０以下とできる。一般に電磁波の伝搬距離の差が波長の１／１０以下の場合、実質的な位相差が生じない。つまり、導電素子と平板インダクタとの距離が誘電体基材、サポート層での波長の１／１０以下である場合、導電素子の再放出する電磁波と平板インダクタとの反射波は、その距離により実質的な位相差を生じない。導電体に挟持された十分に薄い誘電体基材、サポート層内には、電磁波は導波しないと考えられており、通常、電磁波は、そのような薄さになると遮断（カットオフ）され、そのような誘電体基材、サポート層に電界や磁界は局在しない。尚、本発明の実施形態でのこの波長は、減衰中心波長とできる。さらに、予想外に、誘電体基材、サポート層が波長の１／１００以下の場合でさえ、減衰が得られている。このような厚みは、最高精度の鏡面の凹凸と同レベルの厚みであり、電磁波のスケールに対して実質的に厚みのない構造で減衰が得られていることになる。
　発明者らは、種々の実験及びシミュレーションの結果、十分に薄い誘電体基材、サポート層内でも電磁波による電界及び磁界の定在的な局在が起こることを見出した。誘電体基材１０の厚さ（ｔ）は、５μｍ以上、３００μｍ以下とできる。さらには、誘電体基材１０の厚さ（ｔ）は、５μｍ以上、１００μｍ以下とできる。これは、ミリ波帯の波長の１／２より薄く、さらにはミリ波帯の波長の１／１０より薄い。そのため、電磁波減衰フィルムは、薄いフィルムでありながら、ミリ波帯域の電磁波を減衰させることが可能である。誘電体基材１０の厚さ（ｔ）は、一定または可変である。同様にサポート層１１の厚さ（ｔｓ）は、５μｍ以上、２５０μｍ以下とできる。さらには、１０μｍ以上、２００μｍ以下とできる。またさらには、１５μｍ以上１５０μｍ以下とできる。
　本発明の実施形態において、電磁波減衰基体２０は、サポート層１１との間に粘着層１２とを有してもよい。サポート層１１は単層または多層である。サポート層１１の材料としては、誘電体基材１０と同様のものを使用できる。例えばウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂の単体、混合体、複合体とできる。サポート層１１は、押出フィルムとできる。押出フィルムは、無延伸フィルムまたは延伸フィルムとできる。またサポート層は電磁波減衰基体２０の背面に塗工により形成することもできる。粘着層１２は、成形層とアンカー層との２層で構成してもよい。さらに、粘着層１２と導電素子との密着を向上させるため、接着層を設けてもよい。粘着層１２、成形層、アンカー層、接着層は、誘電体基材を構成する材料と同様のものを使用することが可能である。
　誘電体基材１０の前面１０aに形成されるメッシュ状薄膜導電層３０、背面１０ｂに形成されるメッシュ状薄膜導電層３１は、電磁波減衰フィルム１の平面視において、前面１０ａ、背面１０ｂの全体または一部を覆っている。メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、図２に示すように誘電体基材１０の両面に直接導電性材料を蒸着あるいはスパッタリングにより層形成したのち、エッチングなどによりパターニングする方法で形成することができる。図３は、メッシュ状薄膜導電層を誘電体基材に粘着層を介して配置しパターニングした場合の断面図である。メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、図３に示すように粘着層１３を介し、誘電体基材１０に導電材料箔を貼合する方法により薄膜導電層を形成した後、エッチングなどにより導電材料をパターニングして配置することにより形成することができる。図３に示すように、粘着層１３を介して導電パターンを誘電体基材１０上に形成する場合にも、粘着層１３は導電パターンと同様の寸法にパターニングされるため、誘電体基材１０に導電パターンが形成された電磁波減衰フィルムを曲げるなどして応力がかかった場合にも、導電パターン毎に応力は分断さるため誘電体前面と背面に形成される導電パターンにずれが生じることはない。
　メッシュ状平板インダクタ５０は、サポート層１１の背面の全体または一部を覆っている。電磁波減衰フィルム１の性能を大きく損なわない限りにおいて、例えば、電磁波減衰フィルム１の周縁の一部等に、メッシュ状薄膜導電層３０、３１やメッシュ状平板インダクタ５０に覆われていない部位が存在してもよい。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１およびメッシュ状平板インダクタ５０の材料は、導電性を有する限り特に限定されない。耐食性およびコストの観点からは、アルミニウム、銅、銀、金、白金、スズ、ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、鉄及びこれらの合金が好ましい。メッシュ状薄膜導電層３０、３１およびメッシュ状平板インダクタ５０は、誘電体基材１０に真空蒸着を行うことにより形成できるし、粘着層１３を介し導電性材料箔を誘電体基材１０に貼合することにより形成することもできる。導電性材料箔を誘電体に貼り合わせる粘着層１３の膜厚は１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下とできる。１０ｎｍ未満であると、導電性材料箔の誘電体への密着性が低下する可能性があり、２０００ｎｍを超えると生産性が落ちる可能性がある。また粘着層１３は７０００ＭＰａ・ｍｍ４以下の曲げ剛性を有する。さらにメッシュ状薄膜導電層３０、３１と粘着層１３の膜厚の比率は１：２であることが好ましい。
　メッシュ状平板インダクタ５０は、導電性の化合物としてもよい。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１の厚さ（ｔｍ）は、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下とできる。１０ｎｍ未満であると、電磁波を減衰させる機能が低下する可能性がある。１０００ｎｍを超えると、生産性が落ちる可能性がある。
　メッシュ状平板インダクタ５０は鋳物、圧延金属板、金属箔、蒸着膜、スパッタ膜およびめっきとできる。圧延金属板の厚さは、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下とできる。金属箔の厚さは５μｍ以上１００μｍ未満とできる。平板インダクタ５０が蒸着膜、スパッタ膜およびメッキ膜の場合は、０．５μｍ以上、５ｍｍ未満とできる。メッシュ状平板インダクタ５０の厚さ（ｔｍｂ）は、０．５μｍ～５ｍｍとできる。また、メッシュ状平板インダクタ５０が鋳物の場合は、厚さは特定されないが、最大寸法が１０ｍｍ以上のものとできる。また、メッシュ状平板インダクタ５０の厚さ（ｔｍｂ）は、減衰中心波長により求められる表皮深さ以上とできる。また、メッシュ状平板インダクタ５０の厚さ（ｔｍｂ）は、メッシュ状薄膜導電層３０、３１の厚さ（ｔｍ）より厚くできる。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０の材質は、同じ金属種とすることができる。この同じ金属種は、同じ純金属か同じ金属の合金（例えば、双方ともアルミニウム合金）とするか、メッシュ状薄膜導電層３０、３１を純金属としメッシュ状平板インダクタ５０をメッシュ状薄膜導電層３０の金属の合金としてもよい。また、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０の材質は、異なる金属種としてもよい。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１およびメッシュ状平板インダクタ５０を形成する導電物質の細線の線幅（ｗ）と、開口幅（ｗａ）は、所望の減衰中心波長に合わせて設計する必要がある。ミリ波帯を吸収する導体細線の開口幅（ｗａ）は波長の１/１０～１/２２５に、線幅（ｗ）は３０μｍ～５００μｍとできる。
　薄膜導電層３０、３１、平板インダクタ５０をメッシュ状とすることで、透光性、透明性が得られると共に、透湿性も得られると考えられる。透光性、透明性が得られることで、窓ガラス等透明性が要求される場所や、景観に配慮しながら電磁波吸収性を付与できるなどのメリットが考えられる。さらに、透湿性を持つことにより、例えば壁紙等と貼合する際に使用する粘着剤に環境に配慮した水系の粘着剤を使用する場合でも水分の透過性が高く扱いが容易になるなどのメリットが考えられる。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、導電性細線の最外周を囲む細線を設けることを特徴とする。細線の最外周を囲む細線は、内側のメッシュ線幅と同じ線幅でもよいし、異なってもよい。また、最外周を囲む細線は誘電体基材１０の前面１０aに配置した薄膜導電層３０と背面１０ｂに配置した薄膜導電層３１を近傍に配置しない場合は四方を囲む必要はない。最外周を囲む細線を設けることで、減衰中心周波数の制御を容易にすることが可能であることや後述するように、誘電体前面および背面に配置した薄膜導電層の共振結合を起こさせやすくなるなどのメリットがある。
　メッシュ状導電素子３０、３１の形状やその組み合わせに関し述べる。図４は、メッシュ状導電素子の平面視形状の例を示す模式図である。多角形の正方形、六角形、十字、その他の多角形、円形、楕円が含まれる。この正方形、六角形、十字、その他の多角形の角は丸い形状とすることもできるがこれらに限るものではない。また、導電性細線のメッシュの交差角度もこれらに限るものではない。
　また図５は、メッシュ状導電素子の平面視形状の組み合わせの例を示す模式図である。大きさの異なるもの同士の組み合わせでもよく、さらに、単一形状でも複数形状の組み合わせでもよい。
　電磁波減衰フィルム１は、上述した構成によって、特定の波長において、特有のメカニズムを発現すると考えらえる。
　本発明の電磁波減衰フィルムに入射する電磁波は下記のようにふるまう。具体的には、入射波により発生する電磁場及び電流は、下記のようになると考えられる。
　まず、メッシュ状導電素子を透過した入射波の磁束の変動は、ファラデーの法則により、メッシュ状平板インダクタ５０にメッシュ状平板インダクタ５０の入射面に水平な交流電流を誘導する。この交流電流はメッシュ状平板インダクタ５０に隣接する誘電体基材に変動する磁場を、アンペールの法則により、発生させる。また、変動する磁場は、透磁率を係数として変動する磁束となる。
　変動する磁束により発生する電場は、通常、ヘンリーの法則により磁束を抑制するような向きの電流を誘導する。しかし、本願の構成の場合、予期に反して、逆に電流を増強する向きに働く。これにより、メッシュ状導電素子には、入射波で誘導された以上の電流が流れる。つまり、メッシュ状導電素子の面積は、メッシュ状平板インダクタ５０の面積より狭いが、メッシュ状平板インダクタ５０と同程度の電流を生じさせることができる。
　この導電素子に生じる電流の向きは、メッシュ状平板インダクタ５０と逆向きとなる。メッシュ状導電素子とメッシュ状平板インダクタ５０に流れる双方に反対向きの電流と、その間に流れる変位電流とにより閉回路を形成できる。メッシュ状導電素子とメッシュ状平板インダクタ５０の間のみでの閉回路となり、電磁波減衰フィルムの外部の空間に電磁波減衰フィルムに水平な電束が発生しない場合には、反射波が発生しえない。また、メッシュ状平板インダクタ５０による反射波と、導電素子の電流により再放出する電磁波は、位相がπずれているため、相互に打ち消し合う。
　上記の原理により、電磁波減衰フィルムによる反射波は減衰する。エネルギーの観点からは、下記のように、複数のメカニズムが相乗的に作用していると考えられる。
　第一のメカニズムは、入射波による進行しない周期的に振動する電磁場の発生である。まず、メッシュ状平板インダクタ５０により、メッシュ状平板インダクタ５０の接線方向に磁束が入射波に誘導される。誘導された磁束により、メッシュ状薄膜導電層３０、３１（すなわち、メッシュ状導電素子）の対向する一対の辺から伸張する方向に、メッシュ状平板インダクタ５０に対して垂直な方向に電場が発生する。次に、電磁波がメッシュ状平板インダクタに入射すると、変動する磁束によりメッシュ状平板インダクタの表面近傍に近接するように電流が誘導される。メッシュ状平板インダクタ内に誘導された電流により、メッシュ状平板インダクタの表面近傍に近接する誘電体基材１０、サポート層１１に磁場が発生する。この電場とメッシュ状導電素子とメッシュ状平板インダクタ５０の電流は、メッシュ状導電素子とメッシュ状平板インダクタ５０との間にメッシュ状平板インダクタ５０により誘導される磁束と同じ向きの磁場を発生させる。ここで、メッシュ状導電素子の材質は金属である。誘電体基材内に発生した電界は、入射波の周期と同じ周期で変動している。磁界の周期的な変動は、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０との間の電界を周期的に変動させる。その結果、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０との間に進行しない周期的に変動する電磁場が発生する。後に電流密度のシミュレーションにより示すように、周期的に変動する電磁場中の磁場により導電素子に交流電流が誘導される。また、周期的に変動する電場は導電素子に周期的に変動する電位を発生させる。電磁場は進行せずその場に留まり、誘導された交流電流は電力損失し、結果として電磁場のエネルギーが熱に変換され、電磁波を吸収する。また、導電素子に誘導された交流電流は、導電素子の誘電体基材１０、サポート層１１と接している面とは反対側の面から電磁波を再放出すると考えられる。
　つまり、電磁波減衰フィルムで捕捉された電磁波のエネルギーは、一部は、熱のエネルギーに変換され、残りは再放出すると考えらえる。また、マクスウェル方程式等で表される古典的な電磁気の理論によれば、誘導される交流電流の周波数は入射波と同じ周波数となるため、再放出される電磁波の周波数は、入射波の周波数と同じとなる。その結果、入射波と同じ周波数の電磁波が再放出される。また、振動する電磁場を量子として考えた場合、量子がエネルギーを失い、よりエネルギーの低い長波長の電磁波が再放出されることも考えられる。また、再放出は、入射した電磁波による誘導放出と自然放出があると考えられる。誘導放出は、入射波の反射方向、すなわち鏡面反射方向に入射波が反射する反射波とコヒーレントな電磁波が放出されると考えられる。自然放出は時間とともに減衰すると考えられる。また、自然放出の空間分布は、電磁波減衰フィルムが回折構造、干渉構造、屈折構造を有していない場合は、ランバート反射に近いと考えられる。
　減衰中心波長は、メッシュ状導電素子３０、３１の面方向における寸法Ｗ１（図６参照。以下、「幅Ｗ１」と称することがある。）と相関する。図６は、メッシュ状導電素子の寸法と減衰される電磁波の波長との関係を示すグラフである。図６（ａ）は幅Ｗ１（横軸）と減衰中心周波数（縦軸）の関係を表したグラフであり、図６（ｂ）はシミュレーションに用いた各種寸法を示している。図２（ｂ）に示されたように、Ｗ１はメッシュ状導電素子（正方形）の端部から端部までの長さを表し、重心からメッシュ端部までの最短距離の長さａの２倍である。
　すなわち、第一のメカニズムにより好適に減衰される電磁波の波長は、寸法Ｗ１を変更することにより変更でき、電磁波減衰フィルム１においては、電磁波の減衰を自由度高くかつ簡便に設定できる。したがって、容易に１５ＧＨｚ以上、１５０ＧＨｚ以下の帯域における直線偏波の電磁波を捕捉可能な構成とすることができる。
　進行しない電磁場の周期的な変動は、メッシュ状導電素子の平面視形状における向かい合う辺（最外の導電性細線）の間で発生すると考えられる。したがって、第一のメカニズムが発生するためには、一定の長さの辺が向かい合うことが好ましい。このことと、発明者らによる検討結果を踏まえ、薄膜導電層における幅Ｗ１が０．２５ｍｍ以上の区画を導電素子とすることができる。ある導電素子において、複数のＷ１を取りうる場合は、そのうち最大の値をその導電素子におけるＷ１と定義できる。Ｗ１を０．２５ｍｍ～４ｍｍ程度の範囲内とすることにより、１５ＧＨｚ以上、１５０ＧＨｚ以下の帯域の電磁波を減衰することが可能となる。減衰する電磁波の周波数と導電素子の幅の関係性は、図６に示すように、それぞれを対数としたグラフ上で、直線として表せる。つまり、減衰する電磁波の周波数は、導電素子の幅のべき乗関数となる。その関数のべきは、近似的に－１であり、ほぼ反比例となる。
　薄膜導電層に含まれる複数の導電素子は、寸法Ｗ１の異なるものが複数種類配置されてもよい。この場合、それぞれの電磁波の減衰ピークが重ね合わされ、減衰できる電磁波を広帯域化できる。
　第二のメカニズムは、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０とによる電磁場の閉じ込めである。電磁波減衰フィルム１においては、誘電体基材１０、サポート層１１がメッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０とに挟まれている。このため、電磁波により電磁波減衰フィルム１の誘電体基材１０、サポート層１１に生じた電場は、導電素子の電荷、電流によって導電素子を含むメッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０との間の誘電体基材１０、サポート層１１内に閉じ込められる。すなわち、導電素子は、電磁場を抑制し、誘電体基材１０、サポート層１１に電磁場を閉じ込める。つまり、導電素子は、チョークとして機能できる。言い換えれば、導電素子は、チョークとして機能するチョークプレートとできる。
　また、磁束は、この閉じ込められた電場の周期的な変動によっても、誘導されると考えられる。これにより振動する電磁場が集積し、電磁場のエネルギー密度が高まる。一般的に、エネルギー密度が高いほど減衰しやすいため、このメカニズムにより電磁波は効率よく減衰される。また、第二のメカニズムでは、誘電体基材１０、サポート層１１の誘電正接が高いほど、誘電体基材内に蓄積された電磁場のエネルギー損失が大きくなる。また、誘電体基材に集積した磁場は、導電素子に大きな電流を伴い、誘電体基材に集積した電場は大きな電位差を生じる。大きな電流と大きな電位差によりその積である電力損失を大きくすることができる。電力損失として、電磁波のエネルギーを消費し、その結果、電磁波が減衰する。
　第三のメカニズムは、対向するメッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０とその間の誘電体基材１０、サポート層１１によるコンデンサを含む電気回路での電力損失によるものである。電磁波減衰フィルム１においては、誘電体基材１０、サポート層１１がメッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０とに挟まれている。このため、誘電体基材１０、サポート層１１はコンデンサとして機能する。したがって、電磁波減衰フィルム１の誘電体基材１０、サポート層１１に入射した電磁波は、コンデンサを含む電気回路により減衰される。コンデンサの静電容量が大きいほど多くの電荷を蓄積することで蓄えられるエネルギーが増加するため、静電容量が大きいほど高エネルギーに対応しうる。
　静電容量は誘電体基材１０、サポート層１１の厚さに反比例するため、この観点からは、誘電体基材１０、サポート層１１の厚さは薄いほうがより好ましい。また、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０との距離は誘電体基材１０、サポート層１１の厚さで定まるため、メッシュ状薄膜導電層３０、３１とメッシュ状平板インダクタ５０との間の電気抵抗は、誘電体基材１０、サポート層１１の厚さに比例する。誘電体基材１０、サポート層１１の抵抗が小さいと誘電体基材１０、サポート層１１でのリーク電流は増大し、メッシュ状薄膜導電層３０とメッシュ状平板インダクタ５０とのコンデンサを含む電気回路に流れる電流は増加する。このため、リーク電流による電力損失を増大しやすく、電力損失により電磁波のエネルギーを吸収しやすい。また、本発明の実施形態の電磁波減衰フィルム１では、導電素子が配置された箇所の誘電体基材１０、サポート層１１の厚さを変更しても減衰する電磁場の波長はシフトしないため、コンデンサを含む電気回路の特性に合わせて、誘電体基材１０、サポート層１１の厚さを設計可能である。
　以上説明したように、電磁波減衰フィルム１に入射した電磁波は、第一のメカニズムにより平板インダクタの表面近傍に近接する誘電体基材１０、サポート層１１に電磁場を発生させ、第二のメカニズムにより電磁波により生じた電磁場が閉じ込められることで、捕捉される。このように、電磁波減衰フィルム１は、電磁波を捕捉可能である。捕捉された電磁波は、第二のメカニズムによる電界損失と電力損失、第三のメカニズムの電気回路による電力損失により減衰される。
　実施形態Ａ－１の電磁波減衰フィルム１において、図２に示すように、誘電体基材１０の前面１０ａに形成されるメッシュ状薄膜導電層３０、背面１０ｂに形成されるメッシュ状薄膜導電層３１は、導電素子を含む。誘電体基材１０の前面１０ａに配置された導電素子の重心と背面１０ｂに配置された導電素子の重心の同一平面上の距離をｌとし、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに下記式（１ａ）を満たす位置に導電素子を配置することで、目的とする周波数に減衰が得られる吸収体を作成することが可能となる。図７は、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。図７Ａは、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例を示す斜視画像である。図７Ｂは、図７ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。距離ｌを下記式（１ａ）を満たす位置である２ａに配置し、前面側から電磁波を入射すると、図７Ｂに示すように前面の導電素子３０と背面の導電素子３１の間に共振の結合が見られ強い電界が生じることがわかる。このため電磁波を効率よく減衰させることが可能となる。なお、その他の寸法は図６のシミュレーションの条件と同様である。
　ｌ≦３．６ａ…（１ａ）
　図８は、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。図８Ａは、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例を示す斜視画像である。図８Ｂは、図８ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。距離ｌを４ａとして導電素子を配置すると、電磁波を減衰させることは可能ではあるが、図８Ｂに示すように前面の導電素子と背面の導電素子は独立して共振し、前面と背面の導電素子の共振が結合することがなくなり、前面と背面に導電素子を配置する効果が薄れる。なお、その他の寸法は図６のシミュレーションの条件と同様である。さらに、ｌが３．６ａより大きくなり前面と背面の導電素子の距離が大きく離れると、目標の周波数において電磁波を減衰させることが難しくなる。
　電磁波減衰フィルム１においては、第三のメカニズムの果たす役割も重要である。誘電体基材１０の前面１０aに電磁波が入射し誘電体基材１０に電界が生じると共に、背面１０ｂとメッシュ状平板インダクタ５０の間に配置するサポート層１１にも電界が生じ、導電素子の下方に電磁場が閉じ込められる。すなわち、エネルギー密度の高い電磁場が導電素子の下方に生じる。閉じ込められた電磁場は、第二のメカニズムによる電力損失と、第三のメカニズムの誘電損失とにより減衰されると考えられる。
　従来技術においては、共振する導電体を表皮深さより厚くすることで共振層に十分な交流電流を発生させ、その交流電流の電力損失により電磁波を減衰すると考えられていた。しかし、発明者らは、導電素子の厚さが表皮深さ以下となると、むしろ電磁波の減衰が増加することを見出した。
　図９は、導電素子の厚さの変化による電磁波の減衰性のシミュレーション結果を示すグラフである。図９（ａ）はシミュレーション結果であり、図９（ｂ）はシミュレーションに用いた各種寸法を示している。導電素子の材質は銅としている。また、入射波は正弦波の直線偏波とし、電磁波減衰フィルムに対して垂直に入射した。尚、シミュレーションでは、平板インダクタを完全導体とした。電磁波減衰フィルムとしての電磁波の減衰性は、平板インダクタのみの場合を基準としたモノスタティックＲＣＳを指標としている。尚、電磁波の減衰性を示す縦軸はデシベル表記としている。モノスタティックＲＣＳ（Ｒａｄｅｒ　Ｃｒｏｓｓ－Ｓｅｃｔｉｏｎ）は、モノスタティックレーダーでの対象の探知のしやすさを表す指標であり、下記式により算出できる。尚、モノスタティックレーダーは、送信と受信を同一地点で行なうものである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　シミュレーションの結果、図９に示すように、厚さが３０ｎｍ以上で大きな電磁波の減衰が認められた。３０ｎｍ未満では、逆に電磁波の減衰の減少が見られる。
　なお、導電素子に黒化層が備えられる場合、導電素子と黒化層を合わせた厚さが１０００ｎｍ以下であれば、安定した成膜が可能である。
　図９に示される現象は、表皮深さと興味深い関係性が見られる。周波数４１ＧＨｚにおける銅の表皮深さは約３２６ｎｍである。すなわち、導電素子の厚さが材質の表皮深さ以下になると電磁波の減衰が増加している。また、表皮深さの１／ｅ２未満では、電磁波の減衰は減少している。これは、導電層が表皮深さより厚い場合には、十分な抵抗が得られず電力損失に必要な電圧降下が得られず、また電流が導電素子の中央付近にのみ集中し電位差が生じている領域での電流が減少することが考えられる。他方、導電層の厚さが表皮深さ以下であっても、表皮深さの１／ｅ２未満では、電力損失のための十分な電流が得られないことが考えられる。尚、言うまでもなく、電力損失は電流と電圧の積として与えられる。すなわち、導電素子の厚さＴを表皮深さｄで正規化した値の自然対数を用いて表した下記のＬＮ関数の式（２）が満たされる範囲であれば、十分な電磁波の減衰が得られると言える。
－２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　０　　　…（２）
　また、導電素子にアドミタンスが低い金属を用いた場合は、下記式（３）の範囲でも電磁波の減衰が得られる。また、導電素子の面積が誘電体基材の前面に占める割合が大きい場合、下記式（３）の範囲でも、電磁波の減衰が得られる。この面積比が大きい場合とする、導電素子の面積が誘電体基材の前面に占める割合は５０％以上、９０％以下とできる。
０　＜　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　　　…（３）
　式（２）および式（３）を踏まえると、下記式（４）の範囲において、電磁波の減衰を得ることができる。
－２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　　 …（４）
　なお、本発明の実施形態では、この表皮深さは、減衰中心周波数ｆを用いて算出できる。つまり、減衰中心周波数ｆを用いると、表皮深さｄは、周知のとおり下記式（５）のように計算される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　また、シミュレーション結果では、導電素子の厚さが表皮深さより薄い場合に、減衰が増加した。これは、導電素子の誘電体基材の磁束の影響で生じる電流が誘電体基材の反対側の面側にも達し、その電流によって誘電性インダクタによる反射波を相殺する誘電性インダクタによる反射波と位相がπずれた電磁波が放出されるためと考えられる。また、導電素子の厚さが表皮深さより薄くなるにつれて、導電素子の電流が規制された結果、磁界が導電素子の中心付近のみならず、導電素子全域にわたって発生し、発生した磁界により誘導される電流も導電素子の全域にわたって発生し、誘電性インダクタによる反射波を相殺する電磁波の放出が増加するため、反射波がより減衰すると考えられる。
　また、導電素子と誘電性インダクタの間の誘電体基材の電場は、導電素子と誘電性インダクタを引き付ける。電場が周期的に変動している場合は、導電素子に引き付ける力も周期的に変動する。そのため、導電素子と誘電性インダクタの間の誘電体基材の電場は、導電素子を振動させる。この振動のエネルギーは熱に変換されて損失する。このため、電磁場が導電素子に作用する力学も電磁波の減衰に寄与すると考えられる。
　また、電磁場の進行しない周期的な変動を、量子として捉えた場合には、運動量がゼロの状態として電磁場に束縛され量子が捕捉されている状態にあると考えることができる。加えて導電素子の厚さが数百ｎｍのレベルとなるため、導電素子内のエネルギー準位に影響を及ぼす可能性も考えられる。
　このように、本発明の実施形態での現象に対する解釈は、古典的電磁としての解釈に加えて、古典力学や量子力学としての解釈も可能である。
　そのため、式（４）を解釈するにあり、当該範囲は合理的に定められているが、すべての物理現象を加味し厳格に算出された範囲ではない。したがって、対象となる製品が上記式の範囲に該当するかを判断する場合には、発現している物理現象を考慮し解釈することが適切だと言える。
　なお、従来技術において、表皮深さ程度から表皮深さより薄い導体を使用する例は、通常みられない。そのため、本発明の実施形態は、ミリ波帯での電磁波との相互作用のメカニズムそのものが従来とは異なると考えられる。
[実施形態Ａ－２]
　本発明の実施形態Ａ－２について、図１０、図１１を参照して説明する。実施形態Ａ－２は、導電素子の配置において実施形態Ａ－１と異なる。以降の説明において、既に説明したものと共通する構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略することがある。実施形態Ａ－２においても、上述の第一、第二、第三のそれぞれのメカニズムは発現していると考えられる。
　図１０は、本発明の実施形態Ａ－２に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。図１１は、図１０のＩＩ－ＩＩ線における断面の一部を示す模式図である。例えばＩＩ－ＩＩ線上のαとβの間の断面である。各種寸法に関する記号は図２と同様である。
　電磁波減衰フィルム６１は、誘電体基材６２と、複数のメッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａと、メッシュ状平板インダクタ５０とを備えている。メッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａの厚さは１０００ｎｍ以下とできる。
　実施形態Ａ－２の誘電体基材６２は、実施形態Ａ－１の誘電体基材１０と同様の材料および構成とすることができる。図１１に示す通り、電磁波減衰基体６０は、誘電体基材６２の前面６２a及び背面６２ｂにメッシュ状薄膜導電層３０Ａ、３１Ａを配置した構成となっている。電磁波減衰基体６０を形成するために、誘電体基材６２の両面にアンカー層、接着層を介し薄膜導電層を形成した積層体を用いてもよい。
　サポート層１１は、押出フィルムとできる。押出フィルムは、無延伸フィルムまたは延伸フィルムとできる。またサポート層は電磁波減衰基体６０の背面に塗工により形成することもできる。サポート層は７０００ＭＰａ・ｍｍ４以下の曲げ剛性を有する。
　誘電体基材６２の前面６２aに形成されるメッシュ状薄膜導電層３０Ａ、背面６２ｂに形成されるメッシュ状薄膜導電層３１Ａは、電磁波減衰フィルム６１の平面視において、前面６２ａ、背面６２ｂの全体または一部を覆っている。メッシュ状平板インダクタ５０は、サポート層１１の背面の全体または一部を覆っている。メッシュ状平板インダクタ５０は、電磁波減衰フィルム１の性能を大きく損なわない限りにおいて、例えば、電磁波減衰フィルム６１の周縁の一部等に、メッシュ状薄膜導電層３０Ａ、３１Ａやメッシュ状平板インダクタ５０に覆われていない部位が存在してもよい。
　サポート層１１の背面には、メッシュ状平板インダクタ５０が設けられているが、サポート層１１背面とメッシュ状平板インダクタ５０との間に接着層が設けられてもよい。接着層およびメッシュ状平板インダクタ５０は、実施形態Ａ－１と同じ材質、同じ製法で形成できる。
　実施形態Ａ－２の電磁波減衰フィルム６１における減衰性の設定は、誘電体基材６２の前面６２aと背面６２ｂに配置するメッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａの配置位置で制御することが可能である。前記前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をaとしたとき下記式（６）を満たす前面、背面の導電素子の組み合わせと、下記式（７）を満たす前面、背面の導電素子の組み合わせを混在させることにより、多周波数に電磁波減衰性能を有する電磁波減衰フィルム６１を作成することが可能となる。組み合わせの範囲は特に限定されないが、例えば電磁波減衰フィルムを平面視した際に、所定の前面（背面）の導電素子と隣接する背面（前面）導電素子との間で行ってもよい。
　前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離１と導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をaとの関係が下記式（６）を満たすとき、前面と背面の導電素子は平面方向に重なり、下記式（８）で示されるキャパシタンスＣが増大し共振周波数は低周波数域にシフトする。このことにより前面と背面の導電素子を平面方向に重ねて配置する箇所と、重ねない箇所を１平面上に混在させることにより、導電素子の寸法を変化させることなく、多周波数に減衰を持つ電磁波減衰フィルムを作成することが可能となる。
ｌ＜２a…（６）
ｌ≧２a…（７）
ω０＝１／ｓｑｒｔ（ＬＣ）…（８）
ω０：共振周波数
Ｌ：リアクタンス
Ｃ：キャパシタンス
　さらに、前面と背面の導電素子を平面方向に重ねて配置する組み合わせと、重ねない組み合わせを１平面上に混在させる比率や、前面と背面の導電素子を平面方向に重ねる面積比を調整することで、電磁波が減衰する周波数を制御し、広帯域に減衰したり、多周波数にある特定の周波数だけを減衰させる減衰ピークを有する電磁波減衰フィルムを作成することができる。混在させる比率の算出方法は特に限定されないが、例えば式（６）を満たす組み合わせの数と式（７）を満たす組み合わせの数の比率から算出することも可能である。なお、隣接する前面の導電素子同士または背面の導電素子同士が互いに重なることもあり得るが、組み合わせの算出においては独立した導電素子として扱ってよい。
[実施形態Ｂ－１]
　次に実施形態Ｂについて説明する。実施形態Ａと異なっている構成要素を中心に説明しその他の構成や作用は上述した実施形態Ａの内容と同様であるので重複する説明は適宜省略する。図１２は、本発明の実施形態Ｂ－１に係る電磁波減衰フィルム１を示す模式平面図である。図１３は、図１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。図１３（ａ）は、例えばＩ－Ｉ線上のαとβの間の断面である。図１３（ｂ）はメッシュ状薄膜導電層３０、３１の模式平面図である（細線の幅は省略してある）。メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状のパターンで細線が最外周を囲んだメッシュ状導電体平板の層である。
　メッシュ状薄膜導電層３０、３１は、導電性細線の最外周を囲む細線を設けることを特徴とする。細線の最外周を囲む細線は、内側のメッシュ線幅と同じ線幅でもよいし、異なってもよい。また、最外周を囲む細線は誘電体基材１０の前面１０aに配置した薄膜導電層３０と背面１０ｂに配置した薄膜導電層３１を近傍に配置しない場合は四方を囲む必要はない。最外周を囲む細線を設けることで、減衰中心周波数の制御を容易にすることが可能であることや後述するように、誘電体前面および背面に配置した薄膜導電層の共振結合を起こさせやすくなるなどのメリットがある。
　メッシュ状導電素子３０、３１の形状やその組み合わせに関し述べる。図１４は、メッシュ状導電素子の平面視形状の例を示す模式図である。多角形の正方形、六角形、十字、その他の多角形、円形、楕円が含まれる。この正方形、六角形、十字、その他の多角形の角は丸い形状とすることもできるがこれらに限るものではない。また、導電性細線のメッシュの交差角度もこれらに限るものではない。
　また図１５は、メッシュ状導電素子の平面視形状の組み合わせの例を示す模式図である。大きさの異なるもの同士の組み合わせでもよく、さらに、単一形状でも複数形状の組み合わせでもよい。
　減衰中心波長は、メッシュ状導電素子３０、３１の面方向における寸法Ｗ１（図１６参照。）と相関する。図１６は、メッシュ状導電素子の寸法と減衰される電磁波の波長との関係を示すグラフである。図１６（ａ）は幅Ｗ１（横軸）と減衰中心周波数（縦軸）の関係を表したグラフであり、図１６（ｂ）はシミュレーションに用いた各種寸法を示している。図１３（ｂ）に示されたように、Ｗ１はメッシュ状導電素子（正方形）の一辺の長さを表し、重心からメッシュ端部までの最短距離の長さａの２倍である。
　すなわち、第一のメカニズムにより好適に減衰される電磁波の波長は、寸法Ｗ１を変更することにより変更でき、電磁波減衰フィルム１においては、電磁波の減衰を自由度高くかつ簡便に設定できる。したがって、容易に１５ＧＨｚ以上、１５０ＧＨｚ以下の帯域における直線偏波の電磁波を捕捉可能な構成とすることができる。
　実施形態Ｂ－１の電磁波減衰フィルム１において、図１３に示すように、誘電体基材１０の前面１０ａに形成されるメッシュ状薄膜導電層３０、背面１０ｂに形成されるメッシュ状薄膜導電層３１は、導電素子を含む。誘電体基材１０の前面１０ａに配置された導電素子の重心と背面１０ｂに配置された導電素子の重心の同一平面上の距離をｌとし、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに下記式（１ｂ）を満たす位置に導電素子を配置することで、目的とする周波数に減衰が得られる吸収体を作成することが可能となる。図１７は、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。図１７Ａは、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の一例を示す斜視画像である。図１７Ｂは、図１７ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。距離ｌを下記式（１ｂ）を満たす位置である２ａに配置し、前面側から電磁波を入射すると、図１７Ｂに示すように前面の導電素子３０と背面の導電素子３１の間に共振の結合が見られ強い電界が生じることがわかる。このため電磁波を効率よく減衰させることが可能となる。なお、その他の寸法は図１６のシミュレーションの条件と同様である。
　ｌ≦２．７ａ…（１ｂ）
　図１８は、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例に関する電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。図１８Ａは、前面の導電素子と背面の導電素子の距離の別の例を示す斜視画像である。図１８Ｂは、図１８ＡのＩ－Ｉ線における断面での電界強度のシミュレーション結果を示す画像である。距離ｌを４ａとして導電素子を配置すると、電磁波を減衰させることは可能ではあるが、図１８Ｂに示すように前面の導電素子と背面の導電素子は独立して共振し、前面と背面の導電素子の共振が結合することがなくなり、前面と背面に導電素子を配置する効果が薄れる。なお、その他の寸法は図１６のシミュレーションの条件と同様である。さらに、ｌが２．７ａより大きくなり前面と背面の導電素子の距離が大きく離れると、目標の周波数において電磁波を減衰させることが難しくなる。
　図１９は、導電素子の厚さの変化による電磁波の減衰性のシミュレーション結果を示すグラフである。図１９（ａ）はシミュレーション結果であり、図１９（ｂ）はシミュレーションに用いた各種寸法を示している。導電素子の材質は銅としている。また、入射波は正弦波の直線偏波とし、電磁波減衰フィルムに対して垂直に入射した。尚、シミュレーションでは、平板インダクタを完全導体とした。
　シミュレーションの結果、図１９に示すように、厚さが５０ｎｍ以上で大きな電磁波の減衰が認められた。５０ｎｍ未満では、逆に電磁波の減衰の減少が見られる。
　なお、導電素子に黒化層が備えられる場合、導電素子と黒化層を合わせた厚さが１０００ｎｍ以下であれば、安定した成膜が可能である。
　図１９に示される現象は、表皮深さと興味深い関係性が見られる。周波数４１ＧＨｚにおける銅の表皮深さは約３２６ｎｍである。すなわち、導電素子の厚さが材質の表皮深さ以下になると電磁波の減衰が増加している。また、表皮深さの１／ｅ２未満では、電磁波の減衰は減少している。これは、導電層が表皮深さより厚い場合には、十分な抵抗が得られず電力損失に必要な電圧降下が得られず、また電流が導電素子の中央付近にのみ集中し電位差が生じている領域での電流が減少することが考えられる。他方、導電層の厚さが表皮深さ以下であっても、表皮深さの１／ｅ２未満では、電力損失のための十分な電流が得られないことが考えられる。尚、言うまでもなく、電力損失は電流と電圧の積として与えられる。すなわち、導電素子の厚さＴを表皮深さｄで正規化した値の自然対数を用いて表した下記のＬＮ関数の式（２）が満たされる範囲であれば、十分な電磁波の減衰が得られると言える。
－２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　０　　　…（２）
　また、導電素子にアドミタンスが低い金属を用いた場合は、下記式（３）の範囲でも電磁波の減衰が得られる。また、導電素子の面積が誘電体基材の前面に占める割合が大きい場合、下記式（３）の範囲でも、電磁波の減衰が得られる。この面積比が大きい場合とする、導電素子の面積が誘電体基材の前面に占める割合は５０％以上、９０％以下とできる。
０　＜　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　　　…（３）
　式（２）および式（３）を踏まえると、下記式（４）の範囲において、電磁波の減衰を得ることができる。
－２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　　 …（４）
[実施形態Ｂ－２]
　実施形態Ｂ－２は、導電素子の配置において実施形態Ｂ－１と異なる。
　図２０は、本発明の実施形態Ｂ－２に係る電磁波減衰フィルムを示す模式平面図である。図１１は、図２０のＩＩ－ＩＩ線における断面の一部を示す模式図である。例えばＩＩ－ＩＩ線上のαとβの間の断面である。各種寸法に関する記号は図１３と同様である。
　電磁波減衰フィルム６１は、誘電体基材６２と、複数のメッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａと、メッシュ状平板インダクタ５０とを備えている。メッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａの厚さは１０００ｎｍ以下とできる。
　実施形態Ｂ－２の電磁波減衰フィルム６１における減衰性の設定は、誘電体基材６２の前面６２aと背面６２ｂに配置するメッシュ状導電素子３０Ａ、３１Ａの配置位置で制御することが可能である。前記前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をaとしたとき下記式（６）を満たす前面、背面の導電素子の組み合わせと、下記式（７）を満たす前面、背面の導電素子の組み合わせを混在させることにより、多周波数に電磁波減衰性能を有する電磁波減衰フィルム６１を作成することが可能となる。組み合わせの範囲は特に限定されないが、例えば電磁波減衰フィルムを平面視した際に、所定の前面（背面）の導電素子と隣接する背面（前面）導電素子との間で行ってもよい。
　前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離１と導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をaとの関係が下記式（６）を満たすとき、前面と背面の導電素子は平面方向に重なり、下記式（８）で示されるキャパシタンスＣが増大し共振周波数は低周波数域にシフトする。このことにより前面と背面の導電素子を平面方向に重ねて配置する箇所と、重ねない箇所を１平面上に混在させることにより、導電素子の寸法を変化させることなく、多周波数に減衰を持つ電磁波減衰フィルムを作成することが可能となる。
ｌ＜２a…（６）
ｌ≧２a…（７）
ω０＝１／ｓｑｒｔ（ＬＣ）…（８）
ω０：共振周波数
Ｌ：リアクタンス
Ｃ：キャパシタンス
　さらに、前面と背面の導電素子を平面方向に重ねて配置する組み合わせと、重ねない組み合わせを１平面上に混在させる比率や、前面と背面の導電素子を平面方向に重ねる面積比を調整することで、電磁波が減衰する周波数を制御し、広帯域に減衰したり、多周波数にある特定の周波数だけを減衰させる減衰ピークを有する電磁波減衰フィルムを作成することができる。混在させる比率の算出方法は特に限定されないが、例えば式（６）を満たす組み合わせの数と式（７）を満たす組み合わせの数の比率から算出することも可能である。なお、隣接する前面の導電素子同士または背面の導電素子同士が互いに重なることもあり得るが、組み合わせの算出においては独立した導電素子として扱ってよい。
＜黒化層＞
　本発明の実施形態において、薄膜導電層の周りに黒化処理を施して、黒化層を設けてもよい。
　図２１は、黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す一例の模式図である。図２１に示す通り薄膜導電層３０の前面に黒化層３２、側面に黒化層３３、薄膜導電層３１の背面に黒化層３４、側面に黒化層３５を設けてもよい。
　また、図２２は、黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す別の例の模式図である。図２２に示す通り、誘電体基材１０に薄膜導電層３０、３１を形成する前に黒化層を形成し、その後薄膜導電層を形成しエッチングなどにより黒化層と薄膜導電層を同一の寸法にパターニングし、薄膜導電層３０、３１と誘電体基材１０の間に黒化層３６、３７を設け、薄膜導電層３０の前面に黒化層３２、側面に黒化層３３、薄膜導電層３１の背面に黒化層３４、側面に黒化層３５を設けてもよい。
　また、図２３は、黒化層を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す別の例の模式図である。図２３に示す通り、誘電体基材１０に薄膜導電層３０、３１を形成する前に、粘着層１３を介して黒化層を形成し、その後薄膜導電層を形成しエッチングなどにより粘着層、黒化層と薄膜導電層を同一の寸法にパターニングし、薄膜導電層３０、３１と誘電体基材１０の間に粘着層１３、黒化層３６、３７を設け、薄膜導電層３０の前面に黒化層３２、側面に黒化層３３、薄膜導電層３１の背面に黒化層３４、側面に黒化層３５を設けてもよい。
　前記黒化処理は硫化黒化処理、置換黒化処理のいずれか一方を施し、黒化層を形成してよい。このような黒化層を導電素子の表面に形成することで、導電素子の抵抗値の上昇を抑制したり、金属光沢を抑えて視認性を改善するなどの効果が得られる。また、誘電体基材１０の表面に黒化層を設けたり粘着層１３を介して黒化層を設けたのち薄膜層を積層させた多層導電体層をエッチングすることで導電素子を形成することができる。このような黒化層を誘電体基材と導電素子の間に形成することで誘電体基材への導電素子の密着性を向上させることが可能となる。黒化層の厚みは２００ｎｍ以下であることが好ましい。２００ｎｍ以上であると生産性が低下する可能性がある。また、黒化層の表面粗さはＲａ０．５μｍ以上である。
　メッシュ状薄膜導電層３１は、誘電体基材１０の反対側の面（背面）にサポート層１１を有してもよい。サポート層１１の厚さ（ｔｓ）は、５μｍ以上、２５０μｍ以下とできる。さらには、１０μｍ以上、２００μｍ以下とできる。サポート層１１は単層または多層である。サポート層１１の材料としては、誘電体基材１０の材料と同様のものを使用できる。例えば、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂の単体、混合体、複合体とできる。サポート層１１は、押出フィルムとできる。押出フィルムは、無延伸フィルムまたは延伸フィルムとできる。またサポート層１１は電磁波減衰基体２０の背面に塗工により形成することもできる。
＜トップコート層＞
　メッシュ状薄膜導電層３０は、誘電体基材１０の反対側の面（前面）にトップコート層２００を有してもよい。図２４は、トップコート層２００を設けた場合の図１、１２のＩ－Ｉ線における断面の一部を示す模式図である。平板インダクタ５０も、誘電体基材１０の反対側の面（背面）にトップコート層２００を有してもよい。トップコート層２００の厚さ（ｈ）は、０．１μｍ以上、５０μｍ以下とできる。さらには、１μｍ以上、５μｍ以下とできる。トップコート層２００は単層または多層である。トップコート層２００の材質は、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂の単体、混合体、複合体とできる。また、絶縁性粒子、磁性粒子、導電性粒子、または、その混合を含有してもよい。粒子は、無機粒子とできる。トップコート層２００を設けることで、電波が伝搬する空気とインピーダンスが整合し、薄膜導電層に対し、電波が効果的に減衰することが可能となる。また、メッシュ状薄膜導電層３０、３１、メッシュ状平板インダクタ５０に、耐食性、耐薬品性、耐熱性、耐摩擦性、耐衝撃性等を付与することが出来る。例えば、架橋したアクリル樹脂、架橋したエポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、シリコーン樹脂等を用いることにより、耐溶剤性を向上させた上で、耐熱性を向上させることが可能となる。また、ウレタン樹脂等を用いることで耐衝撃性を、シリコーン樹脂を用いることで耐摩擦性を向上させることが可能となる。
　さらに、意匠性を付与するために、トップコート層２００に顔料等を含有しても良い。使用する顔料としては、有機顔料、無機顔料が挙げられる。有機顔料としては、例えば、アゾ顔料、レーキ顔料、アントラキノン顔料、フタロシアニン顔料、イソインドリノン顔料、ジオキサジン顔料等の有機顔料を採用できる。無機顔料としては、例えば、黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、バリウムイエロー、オーレオリン、モリブデートオレンジ、カドミウムレッド、弁柄、鉛丹、辰砂、マルスバイオレット、マンガンバイオレット、コバルトバイオレット、コバルトブルー、セルリアンブルー、群青、紺青、エメラルドグリーン、クロムバーミリオン、酸化クロム、ビリジアン、鉄黒、カーボンブラック等を用いることができる。また、無機顔料の白色顔料としては、例えば、酸化チタン（チタン白、チタニウムホワイト）、酸化亜鉛（亜鉛華）、塩基性炭酸鉛（鉛白）、塩基性硫酸鉛、硫化亜鉛、リトポン、チタノックス等を用いることができる。特に無機顔料は、耐光性（耐褪色性）や耐薬品性にも優れているので、トップコート層に意匠性を付与したい場合は耐久性や堅牢性の面から見ても非常に好適である。
　トップコート層２００が多層の場合は、耐久性付与層と意匠性付与層と分けても良い。必要に応じて、意匠性付与層を保護するための保護層を、意匠性付与層の上に設けても良い。また、メッシュ状薄膜導電層３０に接する面に接着層や粘着層を設け、別途準備した耐久性付与層と意匠性付与層を貼り合せることにより、トップコート層２００としてもよい。
　本発明の電磁波減衰フィルムにトップコート層２００を貼り合せる際は、メッシュ状薄膜導電体層３０との間に気泡等が入らないように貼り合せることにより、所望する電磁波減衰特性を維持することが出来る。
　本発明の電磁波減衰フィルムを壁紙等の建装材へ適用する場合に、意匠性を付与するために、トップコート層２００もしくは意匠性付与層に絵柄を設けても良い。絵柄の種類は、特に限定されるものではなく、壁紙等の建装材の用途に応じた任意の絵柄を用いることができる。例えば、従来の建装材の分野において広く採用されている木目柄、コルク柄、石目柄、大理石柄、抽象柄等を採用することができる。また、例えば、単なる着色や色彩調整を目的とする場合には、単色無地を採用することもできる。また、必要に応じて、凹凸模様を設けてもよい。凹凸模様の模様の種類は、特に限定されるものではなく、壁紙等の建装材の用途に応じた任意の絵柄を用いることができる。例えば、従来の壁紙等の建装材の分野において広く採用されている木目柄、石目柄、和紙柄、大理石柄、布目柄、幾何学模様状等の各種模様状を採用することができる。また、単なる艶消状や砂目状、ヘアライン状、スウェード調等を使用することもできる。凹凸模様の形成方法は、特に限定されるものではなく、凹凸模様の形成方法を用いることができる。例えば、金属製のエンボス版を使用した機械エンボス法を採用できる。
　このように、意匠性を付与することによって、本発明の電磁波減衰フィルムを建装材として用いた場合に、色合いや風合いの雰囲気を空間との調和させることが可能となる。
　発明者らの検討では、導電素子を構成する金属のアドミタンス（電気抵抗の逆数）により、第一のメカニズムによる減衰が変化することが分かった。アドミタンス（ｓｉｅｍｅｎｓ／ｍ）が１０００万以上で、良好な電磁波の減衰が得られた。常伝導体で最もアドミタンスが高い物質として銀が知られており、そのアドミタンスは６１～６６×１０６であることから、アドミタンスの上限値はおよそ７０００万となる。アドミタンスが５００万以上、７０００万以下の金属を用いることができる。導電素子を構成する金属は、強磁性体、常磁性体、反磁性体、反強磁性体とできる。強磁性体の金属の実例は、ニッケル、コバルト、鉄またはその合金である。常磁性体の金属の実例は、アルミニウム、スズ（βスズ）またはその合金である。反磁性の金属の実例は、金、銀、銅、スズ（αスズ）、亜鉛またはその合金である。反磁性の合金の実例は、銅と亜鉛の合金である真鍮である。反強磁性の金属の実例は、クロムである。これらの金属の導電素子により良好な電磁波の減衰が示された。
＜製造方法＞
　電磁波減衰フィルム１の製造方法の一例について説明する。
　本発明の電磁波減衰フィルムを得る手段は種々考えられるが、以下に述べる製造方法が簡便且つ、薄膜導電層の配置精度が高い。
　まず、電磁波減衰基体２０の製造方法を説明する。そのため誘電体基材１０の前面１０ａと背面１０ｂに、導電素子による所定の繰り返しパターンからなるメッシュ状薄膜導電層３０、３１を、表裏同時に形成する。導電素子の形成は、所要のパターンが得られるならどのようなものでもよいが、例えばフォトリソグラフィー法を用いることができる。なお、誘電体基材１０の前面１０ａおよび背面１０ｂには、必要に応じて予め硫化黒化処理、置換黒化処理のいずれか一方を施して黒化層を形成しておいてもよい。
　誘電体基材１０の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステル；ポリフェニレンサルファイド等のポリアリーレンサルファイド；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン；ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリスチレン等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
　フォトリソグラフィー法を用いる場合、まず、誘電体基材１０の前面１０ａと背面１０ｂの両方に、最終的に得たいパターンの領域全てを包含するように金属膜を形成する。金属膜は、蒸着やスパッタリングなどの物理堆積によって形成してもよいし、金属箔などを貼り付けてもよい。あるいはめっきによって形成することもできる。めっきは、電解めっきまたは無電解めっきとできる。めっきは、銅めっき、無電解ニッケルめっき、電解ニッケルめっき、亜鉛めっき、電解クロムめっき、またはこれらの積層とできる。金属膜の形成は、前面１０ａと背面１０ｂに同時に行なってもよいし、別々に行なってもよい。別々に行なう場合、形成する順はどちらが先でもよい。
　続いて、誘電体基材１０の前面１０ａと背面１０ｂに形成された金属膜に、レジスト層を形成する。レジスト層は、通常のレジスト溶液を塗工して乾燥させてもよいが、ドライフィルムレジストを用いる方法が、乾燥不足による液ダレの心配がなく好適である。レジスト層の形成は、前面１０ａ側と背面１０ｂ側に同時に行なってもよいし、別々に行なってもよい。別々に行なう場合は形成順を問わないのも金属膜の形成と同様である。
　次に、フォトマスクなど光をパターン状に遮蔽する物質を介し、誘電体基材１０の前面１０ａ側と背面１０ｂ側に同時に露光する。本発明の実施形態において、フォトリソグラフィー法を採用する場合「同時に形成」とは、露光工程を同時に実施することを指す。前面１０ａ側と背面１０ｂ側の計２枚のフォトマスクは、標準的にはパターンの形状および／または位置が異なる。露光時、２枚のフォトマスクの位置を適切に制御できれば、最終的に得られるメッシュ状薄膜導電層３０、３１の位置関係は設計の通りとなり、形成後あるいは電磁波減衰フィルムの使用時にもズレの心配が最小化される。
　その後、現像液を用いて現像し、レジスト層の不要部分を除去する。現像も、誘電体基材１０の前面１０ａ側と背面１０ｂ側に同時に行なってもよいし、別々に行なってもよいが、同時に行なうと現像液の反対面側へのまわり込みによる不具合が発生する心配がないので好ましい。
　さらに、レジスト層が取り除かれて露出している部分の金属層を除去する。金属層の除去は、一般的にはウェットエッチングによって行なわれるが、露出部のみを選択的に除去できるのであればドライエッチングその他いかなる方法を用いてもよい。金属層の除去も、誘電体基材１０の前面１０ａ側と背面１０ｂ側に同時に行なってもよいし、別々に行なってもよいが、ウェットエッチングを採用するのであれば同時に行なうのが簡便である。
　最後に、不要部分が除かれ、パターンが形成された金属層、すなわち薄膜導電層３０、３１の上に残るレジスト層を除去する。レジスト層の除去も、誘電体基材１０の前面１０ａ側と背面１０ｂ側に同時に行なってもよいし、別々に行なってもよいが、同時に行なうのが簡便である。なお、メッシュ状薄膜導電層３０、３１にレジスト層が残っていた方が都合の良い設計上の理由があれば、この工程は省略できる。
　なお、すでに記したように、誘電体基材１０への薄膜導電層３０、３１の形成はフォトリソグラフィー法によらなくてもよい。印刷法、インクジェット法、その他あらゆる形成法が適用されうる。本願発明において「同時に形成」とは、印刷法を採用する場合は転写が同時に行なわれること、インクジェット法を採用する場合は堆積が同時に行なわれることを指す。
　また、本発明の実施形態において「金属膜」は金属によらなくてもよい。例えば、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機物や、ＩｎＧａＺｎＯなどの導電性酸化物であってもよい。
　これらの工程が終了したあと、必要に応じてメッシュ状薄膜導電層３０、３１に硫化黒化処理、置換黒化処理のいずれか一方を施して黒化層を形成してもよい。
　続いて、平板インダクタ５０が形成されたサポート層１１を準備する。なお、当該工程が誘電体基材１０へのメッシュ状薄膜導電層３０、３１形成より後であるのは単に説明の便宜のためであって、順番が逆であってもかまわず、あるいは両工程を並行して進めても問題ないことは言うまでもない。
　メッシュ状平板インダクタ５０が形成されたサポート層１１は、典型的にはサポート層１１にメッシュ状平板インダクタ５０を積層することによって得ることができる。サポート層１１の材料としては、誘電体基材１０の材料と同様のものを使用できる。そしてサポート層１１に、誘電体基材１０に金属膜を形成するのと同様に、金属メッシュ膜たるメッシュ状平板インダクタ５０を形成することができる。あるいはメッシュ状平板インダクタ５０は、サポート層１１にメッシュ状の鋳物や金属板を貼合することによって得てもよい。
　サポート層１１の材料としては、誘電体基材１０と同様のものを使用しうる。サポート層１１は誘電体基材１０と全く同一の材料としてもよいし、異なる材料を採用してもよい。
　またメッシュ状平板インダクタ５０の材料としては、メッシュ状薄膜導電層３０、３１と同様のものを使用しうる。メッシュ状平板インダクタ５０はメッシュ状薄膜導電層３０、３１と全く同一の材料としてもよいし、異なる材料を採用してもよい。
　そしてメッシュ状薄膜導電層３０、３１が形成された誘電体基材１０（電磁波減衰基体２０）の背面１０ｂ側に、メッシュ状平板インダクタ５０が形成されたサポート層１１の、メッシュ状平板インダクタ５０とは反対側を貼り合わせることによって本発明の電磁波減衰フィルム１を得ることができる。
　また本発明の電磁波減衰フィルムを得る別の方法として、誘電体基材１０の前面１０ａと背面１０ｂにメッシュ状薄膜導電層３０、３１を表裏同時に形成したあと、誘電体基材１０の背面１０ｂ側にサポート層１１を積層し、サポート層１１の誘電体基材１０の反対側にメッシュ状平板インダクタ５０を形成してもよい。
　トップコート層２００を設ける場合においては、誘電体フィルムを粘着層を介して貼合して設けてもよいが、トップコート層２００の形成方法はこれに限らず、塗工方法などでもよい。塗布方法は、フィルム製造に使用されている方法から適宜選択すればよい。塗布方法の例には、グラビアコート、リバースコート、グラビアリバースコート、ダイコート、フローコート等が上げられる。
＜実施例＞
　本発明の各実施形態について、実施例を用いてさらに説明する。図２５は、実施例に示す電磁波減衰フィルムの断面の一部を示す模式図である。ｌ、ｌ１は誘電体基材前面と背面のメッシュ状導電素子の重心間の距離、ａ、ａ１、ａ２（図２（ｂ）、１３（ｂ）参照）はメッシュ状導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離で、例えばメッシュ状導電素子３０の間で異なる寸法ａ、ａ１をとり得ることがあり、さらにはメッシュ状導電素子３１も異なる寸法ａ２をとり得ることを想定している。ｔは誘電体基材膜厚、ｔｓはサポート層膜厚、ｔｍはメッシュ状導電素子膜厚、ｔｍｂはメッシュ状平板インダクタ膜厚、ｈはトップコート層膜厚を示す。なお、本実施例においてはメッシュ状導電素子は同一形状（正方形状）、同一寸法であることからａ、ａ１、ａ２は等しい。ｗａはメッシュ状薄膜導電層およびメッシュ状平板インダクタの開口幅、ｗはメッシュ状薄膜導電層およびメッシュ状平板インダクタの線幅を示す。
　まず実施形態Ａの実施例、比較例について説明する。
[実施例Ａ]
　図１に示される実施形態Ａ－１のように同一形状の導電素子が一様に配置されている場合は、ｌはｌ１に等しい。一方、図１０に示される実施形態Ａ－２のように導電素子同士の距離が異なるものが混在している場合は、ｌとｌ１は異なる値をとる。実施例Ａ１～Ａ５の電磁波減衰フィルムの構造を表Ａ１に示した。実施例Ａ１～Ａ４は実施形態Ａ－１の実施例に、実施例Ａ５は実施形態Ａ－２の実施例に該当する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
＜製造方法＞
　実施例Ａ１～Ａ３に係る電磁波減衰フィルムを作製する共通の製造方法に関し説明する。厚みが５０μｍのＰＥＴシート両面に銅層をスパッタリングにて膜厚５００ｎｍ形成した。次いで、銅層を洗浄した後に、ドライレジストフィルムをＰＥＴシート両面の銅層上にラミメートした。その後メッシュ状パターンを有するメッシュ状フォトマスクを介して両面同時に露光し、その後、炭酸ナトリウムと炭酸水素ナトリウムとの混合アルカリ水溶液によってアクリル系ネガレジスト層を両面同時に現像し不要なレジストを除去することによって下地の薄膜導電層の一部を露出させた。
　次いで、レジスト層によって一部が覆われた両面の銅層を両面同時に塩化第二鉄溶液に浸漬し、銅層のなかで露出された部分をエッチングによって除去した。その後、残存したレジスト層をアルカリ溶液によって両面同時に除去することでメッシュ状銅パターンを得た。次に銅パターン表面と側面に黒化処理を施した。
　次いで、上述と同様の方法で膜厚１００μｍのＰＥＴフィルムの片面にメッシュ状の銅パターンを形成し、メッシュ状の平板インダクタを製造した後、両面にメッシュ状銅パターンを有するフィルムの背面側に粘着層を介してラミネートした。以上が実施形態Ａ－１に係る実施例Ａ１～Ａ３の製造手順である。
　実施例Ａ４に係る電磁波減衰フィルムを作製する製造方法に関し説明する。実施例Ａ１～Ａ３と同様の製造手順で誘電体基材の前面及び背面に薄膜導電層を形成し、メッシュ状の平板インダクタ形成したサポート層を背面の薄膜導電層側に粘着層を介して形成した後、誘電体基材の前面側に、トップコート層を形成した。トップコート層は以下に示す手順で形成した。
　メチルメタクリレートモノマー８０質量部とシクロヘキシルメタクリレート２０質量部の混合物からなるアクリル系樹脂組成物を主成分とし、ここに、そのアクリル系樹脂組成物の固形分を１００質量部として、ヒドロキシフェニルトリアジン系の紫外線吸収剤（(株)ＡＤＥＫＡ製「アデカスタブＬＡ－４６」）を６質量部、別の組成のヒドロキシフェニルトリアジン系の紫外線吸収剤（チバスペシャルティケミカルズ(株)製「チヌビン４７９」）を６質量部、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（チバスペシャルティケミカルズ(株)製「チヌビン３２９」）を３質量部、ヒンダートアミン系ラジカル補足剤（チバスペシャルティケミカルズ(株)製「チヌビン２９２」）を５質量部添加し、さらに固形分調整用に酢酸エチル溶剤を添加した固形分量３３質量部の主剤溶液と、固形分調整用に酢酸エチル溶剤を添加した固形分量７５質量部ヘキサメチレンジイソシアネート型硬化剤溶液とを、主剤溶液と硬化剤溶液の比率が１０：１（この時の主剤溶液中の水酸基数と硬化剤溶液中のイソシアネート基数の比率は１：２）となるように混合し、さらに溶剤成分として酢酸エチルを添加して固形分量を２０質量部に調整した塗工液を、溶剤揮発後の厚さで６μｍとなるように塗工し、トップコート層を得た。以上が実施形態Ａ－１に係る実施例Ａ４の製造手順である。
　実施例Ａ５に係る電磁波減衰フィルムを作製する製造方法に関し説明する。実施例Ａ１～Ａ３と同様の製造手順で、誘電体基材の前面及び背面に形成する薄膜導電層の位置を前面と背面の薄膜導電層が平面方向に重なる組み合わせ（ｌ＜２a）を全体の５０％、重ならない組み合わせ（ｌ≧２a）を全体の５０％ずつ一平面中に混在させ、薄膜導電層を形成した。次いで、背面の薄膜導電層側に粘着層を介してサポート層を形成、その後サポート背面に平板インダクタを形成した。以上が実施形態Ａ－２に係る実施例Ａ５の製造手順である。
＜共通評価項目＞
　上述した製造方法で製造した実施例Ａ１～Ａ５に係る電磁波減衰フィルムについて、屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。
（屈曲試験）
　実施例Ａ１～Ａ５の電磁波減衰フィルムの屈曲試験を実施した。各実施例で作製した電磁波減衰フィルムを使い２本１セットの曲げＲ治具（マンドレル）の間にサンプルを挟み込み屈曲試験を実施し試験後の試験片の導電素子の位置を顕微鏡観察し、薄膜導電層の位置ずれの有無を確認した。評価結果を表Ａ１に示した。
（電磁波減衰特性）
　屈曲試験を行った後の構成を用いて、電磁波吸収特性のシミュレーションを行った。評価結果を表Ａ１に示した。図２６～３０に周波数毎のモノスタティックＲＣＳ減衰量のグラフを示す。
　図２６は、実施例Ａ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。７６ＧＨｚで―１３ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図２７は、実施例Ａ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。７６ＧＨｚで－１０ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図２８は、実施例Ａ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。７３ＧＨｚで―１２ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図２９は、実施例Ａ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。７０ＧＨｚで―１０ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図３０は、実施例Ａ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。７９ＧＨｚで―１１ｄＢ、８９ＧＨｚで－１５ｄＢの良好な吸収特性を示した。
（耐候性）
　さらに、作製した電磁波減衰フィルムをステンレス板に粘着層を介し圧着し、サンシャインウエザーメータにて屋外暴露１０年間相当の暴露を行ったのち、電磁波減衰フィルムの表面を綿布にて払拭してトップコート層、または電磁波減衰基体、サポート層、平板インダクタを含む電磁波減衰層の残存状態を確認した。評価結果を表１に示した。払拭後いずれの層にも影響がなければ〇、実用上支障ない範囲の剥がれが発生すれば△とした。
（透過率）
　透過率に関しては、白色光を電磁波減衰フィルムに入射させたときの入射強度と透過強度の比率として導出し、最低１０％の透過率を示せば合格とした。
（総合評価）
　実施例Ａ１～Ａ５の電磁波減衰フィルムを作製し評価した結果、誘電体基材前面及び背面に同時形成された薄膜導電層を有する電磁波減衰フィルムでは、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生せず、試験前の構造を保つことができた。
　また吸収する周波数は設計通りであり、吸収量は－１０ｄＢを確保することができた。耐候性試験の結果、トップコート層、電磁波減衰層ともに劣化がなく、特にトップコート層の形成により、耐候性が向上し、実用上特に良好な特性が得られたことを確認した。さらに透過率も合格基準を上回る値が得られた。
（試験例Ａ１）
　実施例Ａ３に係る電磁波減衰フィルムに、耐久性付与層の上に木目柄の絵柄が設けられた意匠性付与層を積層した積層シートを別途準備し、メッシュ状薄膜導電体層３０との間に気泡が入らないようにしながら接着剤で貼り合せて、本発明に関わるトップコート層２００とし、試験例Ａ１の電磁波減衰フィルムとした。
　その結果、実施例Ａ３と同程度の電磁波減衰特性が得られた。さらに、室内の木目柄の化粧シートの隣に試験例Ａ１の電磁波減衰フィルムを貼付したところ、試験例Ａ１の電磁波減衰フィルムは木目柄の化粧シートと違和感がなく、室内全体が木目調で調和のとれたものとなった。
（試験例Ａ２）
　実施例Ａ５に係る電磁波減衰フィルムに、耐久性付与層の上に木目柄の絵柄が設けられた意匠性付与層を積層した積層シートを別途準備し、メッシュ状薄膜導電体層３０との間に気泡が入らないようにしながら接着剤で貼り合せて、本発明に関わるトップコート層２００とし、試験例Ａ２の電磁波減衰フィルムとした。
　その結果、実施例Ａ５と同程度の電磁波減衰特性が得られた。さらに、室内の木目柄の化粧シートの隣に試験例Ａ２の電磁波減衰フィルムを貼付したところ、試験例Ａ２の電磁波減衰フィルムは木目柄の化粧シートと違和感がなく、室内全体が木目調で調和のとれたものとなった。
（試験例Ａ３）
　実施例Ａ３に係る電磁波減衰フィルムに、耐久性付与層の上に大理石柄の絵柄が設けられた意匠性付与層を積層した積層シートを別途準備し、メッシュ状薄膜導電体層３０との間に気泡が入らないようにしながら接着剤で貼り合せて、本発明に関わるトップコート層２００とし、試験例Ａ３の電磁波減衰フィルムとした。
　その結果、実施例Ａ３と同程度の電磁波減衰特性が得られた。さらに、室内の大理石柄の床材の隣に試験例Ａ３の電磁波減衰フィルムを設けたところ、試験例Ａ３の電磁波減衰フィルムは大理石柄の床材と違和感がなく、室内の大理石調の床材の高級感を損なうことが無かった。
（試験例Ａ４）
　実施例Ａ５に係る電磁波減衰フィルムに、耐久性付与層の上に大理石柄の絵柄が設けられた意匠性付与層を積層した積層シートを別途準備し、メッシュ状薄膜導電体層３０との間に気泡が入らないようにしながら接着剤で貼り合せて、本発明に関わるトップコート層２００とし、試験例Ａ４の電磁波減衰フィルムとした。
　その結果、実施例Ａ５と同じ電磁波減衰特性が得られた。さらに、室内の大理石柄の床材の隣に試験例Ａ４の電磁波減衰フィルムを設けたところ、試験例Ａ４の電磁波減衰フィルムは大理石柄の床材と違和感がなく、室内の大理石調の床材の高級感を損なうことが無かった。
[比較例Ａ]
　表Ａ２に比較例に係る電磁波減衰フィルムの構造、評価結果を示す。また図２３～２９に周波数毎のモノスタティックＲＣＳ減衰量のグラフを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
（比較例Ａ１）
　比較例Ａ１に係る電磁波減衰フィルムは、貼合積層体の構成を有する点で誘電体基材の前面と背面の両面に薄膜導電層が形成された構成（電磁波減衰基体）を有する実施例の構成と異なる。図３１は、比較例Ａ１の電磁波減衰フィルムの断面の一部を示す模式図である。図２５と同様の構成に関しては説明を省略する。誘電体基材１０の前面のみにメッシュ状薄膜導電層３０が形成された貼合上層４０と貼合下層４１をそれぞれ積層した構成を有する。比較例Ａ１の電磁波減衰フィルムの構造を表Ａ２に示した。
＜製造方法＞
　実施例Ａ１に準じて、誘電体基材１０の前面側だけにメッシュ状薄膜導電層３０を配する貼合上層４０と貼合下層４１の２枚作成した。貼合上層４０の背面側にアクリル系粘着層１２を介し貼合下層４１を貼合した。次いで、膜厚１００μmのＰＥＴフィルムの片面にメッシュ状の銅薄膜をエッチングにより形成し、粘着層１２を介しラミネートしてサポート層１１とメッシュ状平板インダクタ５０を形成し、多層貼合による電磁波減衰フィルムを作成した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ａ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表Ａ２に示した。
　比較例Ａ１の多層貼合による電磁波減衰フィルムの屈曲試験を実施後、試験片の導電素子の位置を観察した結果、貼合上層４０のフィルムと貼合下層４１のフィルムにずれが生じ、上層と下層のメッシュ状導電素子３０の配置位置が試験前と約５ｍｍずれる結果であった。
　図３２は、比較例Ａ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。目標の吸収周波数が設計値では７５ＧＨｚ付近の吸収であるのに対し、貼合積層することで作製した電磁波吸収シートでは吸収ピーク周波数は５７ＧＨｚとなり、設計値から大きくずれる結果となった。
　耐候性に関しては、綿布で払拭したところ薄膜金属層が剥がれさほど良好とはいえない結果となった。
（比較例Ａ２）
　比較例Ａ２に係る電磁波減衰フィルムは、誘電体１０の前面および背面に導電素子を配しサポート層を形成し、その後サポート層の背面に平板インダクタを形成した。比較例Ａ２は導電素子および平板インダクタはメッシュ状ではない。
＜製造方法＞
　誘電体基材の前面及び背面に薄膜導電層を形成し、背面の薄膜導電層側に粘着層を介してサポート層を形成し、その後サポート層の背面に平板インダクタを形成した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ａ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表２に示した。
　屈曲試験に関しては、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生しなかった。
　図３３は、比較例Ａ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。７４ＧＨｚでー１３ｄＢの吸収量を得た。透過率については０％であり透光性、透明性は得られなかった。
（比較例Ａ３、Ａ４、Ａ５）
　比較例Ａ３、Ａ４、Ａ５は、電磁波吸収フィルムの構成要素の寸法が一部異なるほかは実施例Ａ１などに係る電磁波吸収フィルムの構成と同様であるので、異なる点を中心に説明する。
　比較例Ａ３は、誘電体基材の前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたとき、下記式（１ａ）を満たさない位置関係で導電素子を形成した構造を有する。
　ｌ≦３．６ａ…（１ａ）
　比較例Ａ４は、サポート層の膜厚が５μｍよりも薄い構造を有する。
　比較例Ａ５は、誘電体基材の前面と背面の導電素子及びサポート層背面に配する平板インダクタのメッシュの開口幅（ｗａ）が減衰中心波長の１/１０より大きい構造を有する。比較例Ａ３、Ａ４、Ａ５の電磁波減衰フィルムの構造を表Ａ２に示した。
＜製造方法＞
　実施例Ａ１に準じて誘電体基材の前面及び背面にメッシュ状薄膜導電層を形成し、膜厚１００μmのＰＥＴフィルムの片面にメッシュ状の銅薄膜をエッチングにより形成し、粘着層を介しラミネートしてサポート層とメッシュ状平板インダクタを形成した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ａ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表２に示した。
　屈曲試験に関しては、比較例Ａ３、Ａ４、Ａ５とも、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生しなかった。
　図３４は、比較例Ａ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。１／ａが４．４で式（１ａ）の関係を満たさないことで、前面と背面の導電素子間で共振の結合が起こらず、吸収量が目標の-１０ｄＢに届かない結果であった。
　図３５は、比較例Ａ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。比較例Ａ４のように、誘電体基材背面の導電素子の背面に形成するサポート層の膜厚が４μｍで５μｍよりも薄い場合には、吸収量が目標の-１０ｄＢに届かない結果であった。このことから、サポート層の膜厚は５μｍ（０．００５ｍｍ）以上が好ましい。
　耐候性に関しては、綿布で払拭したところ薄膜金属層が剥がれ、さほど良好とはいえない結果となった。
　図３６は、比較例Ａ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。比較例Ａ５のように誘電体基材の前面及び背面に形成するメッシュ状薄膜導電層及び、サポート層背面に配するメッシュ状平板インダクタのメッシュの開口幅が、減衰中心波長の１/１０より大きい場合には、吸収量が目標のー１０ｄＢに届かない結果であった。このことから、メッシュの開口幅は減衰中心波長の１/１０以下であることが望ましい。
　次に実施形態Ｂの実施例、比較例について説明する。
[実施例Ｂ]
　実施例Ａと同様に、実施例Ｂ１～Ｂ５の電磁波減衰フィルムの構造を表Ｂ１に示した。実施例Ｂ１～Ｂ４は実施形態Ｂ－１の実施例に、実施例Ｂ５は実施形態Ｂ－２の実施例に該当する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　実施例Ｂ１～Ｂ５に係る電磁波減衰フィルムをそれぞれ実施例Ａ１～Ａ５と同様の製造方法で作製した。そして実施例Ｂ１～Ｂ５に係る電磁波減衰フィルムについて、実施例Ａに準じて屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した結果を表Ｂ１に示した。
（電磁波減衰特性）
　屈曲試験を行った後の構成を用いて、電磁波吸収特性のシミュレーションを行った。図３７～４１に周波数毎のモノスタティックＲＣＳ減衰量のグラフを示す。
　図３７は、実施例Ｂ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。７２ＧＨｚで―１１ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図３８は、実施例Ｂ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。７２ＧＨｚで－１０ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図３９は、実施例Ｂ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。６７ＧＨｚで―１１ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図４０は、実施例Ｂ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。７４ＧＨｚで―１３ｄＢの良好な吸収特性を示した。
　図４１は、実施例Ｂ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。８１ＧＨｚで―１３ｄＢ、８７ＧＨｚで－１１ｄＢの良好な吸収特性を示した。
（総合評価）
　実施例Ａと同様に実施例Ｂ１～Ｂ５の電磁波減衰フィルムを作製し評価した結果、誘電体基材前面及び背面に同時形成された薄膜導電層を有する電磁波減衰フィルムでは、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生せず、試験前の構造を保つことができた。
　また吸収する周波数は設計通りであり、吸収量は－１０ｄＢを確保することができた。耐候性試験の結果、トップコート層、電磁波減衰層ともに劣化がなく、特にトップコート層の形成により、耐候性が向上し、実用上特に良好な特性が得られたことを確認した。さらに透過率も合格基準を上回る値が得られた。
　また上述した意匠性付与層に関し実施例Ａ３およびＡ５に対して行った試験例Ａ１～Ａ４に準じて実施例Ｂ３およびＢ５に対し同様の手法でそれぞれ試験例Ｂ１～Ｂ４を行ったところ、同様の効果が得られた。
[比較例Ｂ]
　表Ｂ２に比較例に係る電磁波減衰フィルムの構造、評価結果を示す。また図２３～２９に周波数毎のモノスタティックＲＣＳ減衰量のグラフを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
（比較例Ｂ１）
　比較例Ｂ１に係る電磁波減衰フィルムは、図３１に示した貼合積層体に係る比較例Ａ１の電磁波減衰フィルムと同様の構成を有し、比較例Ａ１と同様の製造方法で作製した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ｂ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表Ｂ２に示した。
　比較例Ｂ１の多層貼合による電磁波減衰フィルムの屈曲試験を実施後、試験片の導電素子の位置を観察した結果、貼合上層４０のフィルムと貼合下層４１のフィルムにずれが生じ、上層と下層のメッシュ状導電素子３０の配置位置が試験前と約５ｍｍずれる結果であった。
　図４２は、比較例Ｂ１の電磁波減衰特性を示すグラフである。目標の吸収周波数が設計値では７５ＧＨｚ付近の吸収であるのに対し、貼合積層することで作製した電磁波吸収シートでは吸収ピーク周波数は５７ＧＨｚとなり、設計値から大きくずれる結果となった。
　耐候性に関しては、綿布で払拭したところ薄膜金属層が剥がれさほど良好とはいえない結果となった。
（比較例Ｂ２）
　比較例Ｂ２に係る電磁波減衰フィルムは、比較例Ａ２の電磁波減衰フィルムと同様の構成を有し、比較例Ａ２と同様の製造方法で作製した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ｂ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表Ｂ２に示した。
　屈曲試験に関しては、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生しなかった。
　図４３は、比較例Ｂ２の電磁波減衰特性を示すグラフである。７４ＧＨｚでー１３ｄＢの吸収量を得た。透過率については０％であり透光性、透明性は得られなかった。
（比較例Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５）
　比較例Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５は、電磁波吸収フィルムの構成要素の寸法が一部異なるほかは実施例Ｂ１などに係る電磁波吸収フィルムの構成と同様であり、実施例Ｂ１と同様の製造方法で作製しているので、異なる点を中心に説明する。
　比較例Ｂ３は、誘電体基材の前面と背面の導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたとき、下記式（１ｂ）を満たさない位置関係で導電素子を形成した構造を有する。
　ｌ≦２．７ａ…（１ｂ）
　比較例Ｂ４は、サポート層の膜厚が５μｍよりも薄い構造を有する。
　比較例Ｂ５は、誘電体基材の前面と背面の導電素子及びサポート層背面に配する平板インダクタのメッシュの開口幅（ｗａ）が減衰中心波長の１/１０より大きい構造を有する。比較例Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５の電磁波減衰フィルムの構造を表Ｂ２に示した。
＜評価方法・結果＞
　実施例Ｂ１に準じて、電磁波減衰フィルムの屈曲試験、電磁波減衰特性、耐候性、透過率を評価した。評価結果を表２に示した。
　屈曲試験に関しては、比較例Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５とも、屈曲試験後にも薄膜導電層の位置ずれは発生しなかった。
　図４４は、比較例Ｂ３の電磁波減衰特性を示すグラフである。１／ａが４．４で式（１ｂ）の関係を満たさないことで、前面と背面の導電素子間で共振の結合が起こらず、吸収量が目標の-１０ｄＢに届かない結果であった。
　図４５は、比較例Ｂ４の電磁波減衰特性を示すグラフである。比較例Ｂ４のように、誘電体基材背面の導電素子の背面に形成するサポート層の膜厚が４μｍで５μｍよりも薄い場合には、吸収量が目標の-１０ｄＢに届かない結果であった。このことから、サポート層の膜厚は５μｍ（０．００５ｍｍ）以上が好ましい。
　耐候性に関しては、綿布で払拭したところ薄膜金属層が剥がれ、さほど良好とはいえない結果となった。
　図４６は、比較例Ｂ５の電磁波減衰特性を示すグラフである。比較例Ｂ５のように誘電体基材の前面及び背面に形成するメッシュ状薄膜導電層及び、サポート層背面に配するメッシュ状平板インダクタのメッシュの開口幅が、減衰中心波長の１/１０より大きい場合には、吸収量が目標のー１０ｄＢに届かない結果であった。このことから、メッシュの開口幅は減衰中心波長の１/１０以下であることが望ましい。
　以上、本発明の各実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の構成の変更、組み合わせなども含まれる。以下にいくつか変更を例示するが、これらはすべてではなく、それ以外の変更も可能である。これらの変更が２以上適宜組み合わされてもよい。
　実施形態Ａ－１または実施形態Ｂ－１においては、周波数帯域や導電素子の金属種、黒化層や製造方法など実施形態Ａ－２または実施形態Ｂ－２で用いられた態様を適宜用いることができる。逆も同様である。
　本発明において、平板インダクタの態様は、背面の全面に形成するものに限られない。例えば、前面と同様に複数の導電素子を配置してもよい。
　本発明において、導電素子の形状は正方形に限られず、円形（楕円を含む）、正方形以外の多角形、角部が丸められた各種多角形、不定形など、さまざまに設定できる。
　前面の投影面積に占める導電素子の総面積は、２０％以上であることが好ましい。
　このようにすると、効率良く電磁波を減衰することができる。
　本発明に係る電磁波減衰フィルムにおいて、背面に平板インダクタを備えない構成がありうる。例えば、背面を接合する対象が金属であれば、平板インダクタを備えなくても接合対象の金属面により第二および第三のメカニズムが問題なく発揮される。このような場合は、背面に対象物に接合可能な粘着層等の貼合層を備えればよい。
　本発明に係る電磁波減衰フィルムにおいて、構造周期や導電素子の寸法等のパラメータは、すべての部位で完全に一致していることを必須としない。例えば、製造過程における公差の範囲（概ね上下５％程度）内で上記パラメータが変化している場合も、本発明においては、「同形同大」に含まれる。また「所定範囲の値」は、規則性のある値の範囲とできる。この規則性は、ガウシアン分布、二項分布、一定区画内で等頻度となるランダム分布または疑似ランダム分布、製造過程における公差の範囲とできる。
　本発明に関わる電磁波減衰フィルムにおいて、支持基材に剥離層を設けたのちに、実施形態Ａ－１（実施形態Ｂ－１）および実施形態Ａ－２（実施形態Ｂ－２）の電磁波減衰フィルムを設け、さらに接着剤・粘着剤等を設けて、転写箔としてもよい。
　転写箔とすることで、さらなる薄膜化をすることが可能となり、さらに追従性を向上させることが可能となり、複雑な形状にも転写することが可能であり、本発明の電磁波減衰フィルムの適用範囲を広くすることが可能となる。
　上記実施例では、電磁波の減衰について検討しているが、特定の電磁波を減衰する導体は、電波を受信するアンテナとなることが知られている。したがって、上述した実施形態は、受信アンテナとしても使用できる。また、上述した実施形態では、２次元の系に運動量がゼロの量子が捉えられることから、導電素子の量子状態でデータの演算や記録を行う素子として用いることも可能と考えられる。
　上述のように、本発明の実施形態は、電磁波との相互作用のメカニズムが従来技術と異なるため、同等のメカニズムを発現する製品は、本発明の実施形態を実質的に用いたものであると捉えるべきである。
　本発明の内容となり得る態様を以下に述べる、ただしこれに限られるものではない。
（態様１）
　前面および背面を有する誘電体基材と、前記誘電体基材前面および背面の両面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状のパターンで細線端部が突出しまたは細線が最外周を囲んだメッシュ状薄膜導電層と、を有する電磁波減衰基体と、
　前記電磁波減衰基体の背面に配置されたサポート層と
　前記サポート層の背面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状平板インダクタと、
　を備え、
　前記メッシュ状薄膜導電層は、複数のメッシュ状導電素子を含む、
　電磁波減衰フィルム。
（態様２）
　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
　前記誘電体基材前面および背面の隣接するメッシュ状導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、前記メッシュ状導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに、
　前記メッシュ状導電素子の細線端部が突出している場合は下記式（１ａ）を満たし、
　前記メッシュ状導電素子の細線が最外周を囲んでいる場合は下記式（１ｂ）を満たす、態様１に記載の電磁波減衰フィルム。
　ｌ≦３．６ａ…（１ａ）
　ｌ≦２．７ａ…（１ｂ）
（態様３）
　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
　前記サポート層の膜厚が０．００５ｍｍ以上である、態様１または２に記載の電磁波減衰フィルム。
（態様４）
　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され
　前記メッシュ状導電素子の厚さをＴ、表皮深さをｄ、としたときに下記式（４）を満たす、態様１～３のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
－２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　…（４）
（態様５）
　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
　前記誘電体基材前面および背面の隣接するメッシュ状導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、前記メッシュ状導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに下記式（６）を満たす前記誘電体基材前面および背面のメッシュ状導電素子の組み合わせと、下記式（７）を満たす前記誘電体基材前面および背面のメッシュ状導電素子の組み合わせを混在させることにより多周波数に電磁波減衰性能を有する、態様１～４のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
ｌ＜２ａ…（６）
ｌ≧２a…（７）
（態様６）
　前記メッシュ状薄膜導電層と前記メッシュ状平板インダクタは、前記誘電体基材または前記サポート層の厚さ方向に離間している、態様１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様７）
　前記誘電体基材前面に配置されたメッシュ状薄膜導電層の前面および背面に黒化層を備えていることを特徴とする、態様１～６のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様８）
　前記誘電体基材背面に配置されたメッシュ状薄膜導電層の前面および背面に黒化層を備えていることを特徴とする、態様１～７のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様９）
　前記電磁波減衰基体の前面側にトップコート層を備えていることを特徴とする、態様１～８のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１０）
　前記トップコート層が、電磁波が伝搬する空気層とインピーダンス整合がとられていることを特徴とする、態様９に記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１１）
　前記トップコート層はシクロヘキシル（メタ）アクリレートをモノマー成分として含有するアクリル系樹脂組成物を主成分とすることを特徴とする、態様９または１０のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１２）
　前記トップコート層はアクリル系樹脂組成物中に紫外線吸収剤、紫外線散乱剤を含有することを特徴とする、態様９～１１のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１３）
　前記メッシュ状薄膜導電層が、銀、銅、アルミニウムのいずれからなる、態様１～１２のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１４）
　前記メッシュ状薄膜導電層は、前記誘電体基材の前面側から入射した電磁波を捕捉可能に構成されている、態様１～１３のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１５）
　前記メッシュ状導電素子が面状素子であり、対向する一対の辺を有する、態様１～１４のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１６）
　前記面状素子の、対向する一対の辺の長さは、０．２５ｍｍ以上、４ｍｍ以下である、態様１５に記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１７）
　前記メッシュ状薄膜導電層と前記メッシュ状平板インダクタは、細線の線幅が３０～５００μｍ、メッシュの開口幅が減衰中心波長の1/１０～1/２２５である態様１～１６のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１８）
　前記誘電体基材の厚さは、減衰中心波長に対して十分薄い、態様１～１７のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
（態様１９）
　前記誘電体基材の厚さは、減衰中心波長の１／１０未満である、態様１８に記載の電磁波減衰フィルム。
１、６１：電磁波減衰フィルム，１０、６２：誘電体基材，１０ａ、６２ａ：前面，１０ｂ、６２ｂ：背面，２０、６０：電磁波減衰基体，３０、３０Ａ、３１、３１Ａ：メッシュ状薄膜導電層、メッシュ状導電素子，３２、３３、３４、３５、３６、３７：黒化層，１１：サポート層，１２、１３：粘着層，４０：貼合上層，４１：貼合下層，５０：メッシュ状平板インダクタ，２００：トップコート層

Claims (15)

  1. 　前面および背面を有する誘電体基材と、前記誘電体基材前面および背面の両面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状のパターンで細線端部が突出しまたは細線が最外周を囲んだメッシュ状薄膜導電層と、を有する電磁波減衰基体と、
    　前記電磁波減衰基体の背面に配置されたサポート層と、
    　前記サポート層の背面に配置され導電性薄膜の細線で形成されたメッシュ状平板インダクタと、
    　を備え、
    　前記メッシュ状薄膜導電層は、複数のメッシュ状導電素子を含む、
    　電磁波減衰フィルム。
  2. 　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
    　前記誘電体基材前面および背面の隣接するメッシュ状導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、前記メッシュ状導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに、
    　前記メッシュ状導電素子の細線端部が突出している場合は下記式（１ａ）を満たし、
    　前記メッシュ状導電素子の細線が最外周を囲んでいる場合は下記式（１ｂ）を満たす、請求項１に記載の電磁波減衰フィルム。
    　ｌ≦３．６ａ…（１ａ）
    　ｌ≦２．７ａ…（１ｂ）
  3. 　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
    　前記サポート層の膜厚が０．００５ｍｍ以上である、請求項１に記載の電磁波減衰フィルム。
  4. 　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され
    　前記メッシュ状導電素子の厚さをＴ、表皮深さをｄ、としたときに下記式（４）を満たす、請求項１に記載の電磁波減衰フィルム。
    －２　≦　ｌｎ（Ｔ／ｄ）　≦　１　…（４）
  5. 　前記メッシュ状導電素子は周期的に配置され、
    　前記誘電体基材前面および背面の隣接するメッシュ状導電素子の重心の平面方向の距離をｌ、前記メッシュ状導電素子の重心からメッシュ端部までの最短距離をａとしたときに下記式（６）を満たす前記誘電体基材前面および背面のメッシュ状導電素子の組み合わせと、下記式（７）を満たす前記誘電体基材前面および背面のメッシュ状導電素子の組み合わせを混在させることにより多周波数に電磁波減衰性能を有する、請求項１に記載の電磁波減衰フィルム。
    ｌ＜２ａ…（６）
    ｌ≧２a…（７）
  6. 　前記メッシュ状薄膜導電層と前記メッシュ状平板インダクタは、前記誘電体基材または前記サポート層の厚さ方向に離間している、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  7. 　前記誘電体基材前面に配置されたメッシュ状薄膜導電層の前面および背面に黒化層を備えていることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  8. 　前記誘電体基材背面に配置されたメッシュ状薄膜導電層の前面および背面に黒化層を備えていることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  9. 　前記電磁波減衰基体の前面側にトップコート層を備えており、前記トップコート層が、電磁波が伝搬する空気層とインピーダンス整合がとられていることを特徴とする、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  10. 　前記メッシュ状薄膜導電層が、銀、銅、アルミニウムのいずれからなる、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  11. 　前記メッシュ状導電素子が面状素子であり、対向する一対の辺を有する、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  12. 　前記面状素子の、対向する一対の辺の長さは、０．２５ｍｍ以上、４ｍｍ以下である、請求項１１に記載の電磁波減衰フィルム。
  13. 　前記メッシュ状薄膜導電層と前記メッシュ状平板インダクタは、細線の線幅が３０～５００μｍ、メッシュの開口幅が減衰中心波長の１／１０～１／２２５である請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  14. 　前記誘電体基材の厚さは、減衰中心波長に対して十分薄い、請求項１～５のいずれか一つに記載の電磁波減衰フィルム。
  15. 　前記誘電体基材の厚さは、減衰中心波長の１／１０未満である、請求項１４に記載の電磁波減衰フィルム。
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