WO2024038686A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2024038686A1
WO2024038686A1 PCT/JP2023/023902 JP2023023902W WO2024038686A1 WO 2024038686 A1 WO2024038686 A1 WO 2024038686A1 JP 2023023902 W JP2023023902 W JP 2023023902W WO 2024038686 A1 WO2024038686 A1 WO 2024038686A1
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WO
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light emitting
layer
emitting device
compound semiconductor
reflective layer
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PCT/JP2023/023902
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利昭 長谷川
利仁 三浦
博之 柏原
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/835—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/83—Electrodes
    • H10H20/832—Electrodes characterised by their material
    • H10H20/833—Transparent materials

Definitions

  • the present disclosure relates to a support that supports a display unit, and a display device including the display unit and the support.
  • Patent Document 1 discloses a micro light emitting device.
  • a compound semiconductor is laminated on a drive circuit board.
  • the compound semiconductor is formed by sequentially stacking a p-side layer, a light-emitting layer, and an n-side layer from the drive circuit board side.
  • a p-electrode is electrically connected to the p-side layer
  • an n-electrode is electrically connected to the n-side layer.
  • the micro light emitting device configured in this manner emits light emitted from the light emitting layer from the n-side layer side, thereby constructing an image display device.
  • a transparent electrode is formed over the entire surface of the p-side layer of the compound semiconductor facing the drive circuit board, and the p-side layer and the p-electrode are electrically connected through this transparent electrode. There is.
  • the p-electrode is formed over most of the entire surface of the p-side layer.
  • a light emitting device includes a first compound semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer stacked on the first compound semiconductor layer, and a side of the active layer opposite to the first compound semiconductor layer.
  • a first electrode is a first electrode.
  • a light emitting device is the light emitting device according to the first embodiment, which is disposed between the second compound semiconductor layer and the first reflective layer, has light transmittance, and The device further includes an insulator having insulation properties.
  • the light emitting device in the light emitting device according to the first embodiment or the second embodiment, at least a portion of the first compound semiconductor layer, the active layer, and the second compound semiconductor layer have a mesa shape. has.
  • This light emitting device further includes a second reflective layer that is disposed along the side surface of the mesa shape and reflects light emitted from the active layer and light reflected from the first reflective layer toward the first compound semiconductor layer. There is.
  • a light emitting device is a light emitting device according to any one of the first to third embodiments, in which a barrier layer is provided on the opposite side of the first reflective layer from the second compound semiconductor layer.
  • the device further includes a second electrode in which a metal layer, an Al alloy layer, and a barrier metal layer are each sequentially laminated.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of main parts of the light emitting device shown in FIG. 1.
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view of a light emitting element that constructs the light emitting device shown in FIGS. 1 and 2.
  • FIG. 4 is a bottom view of essential parts showing the configuration of the first reflective layer and the first electrode of the light emitting element shown in FIG. 3.
  • FIG. FIG. 5 is a first step cross-sectional view corresponding to FIG. 3 illustrating the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a sectional view of the second step.
  • FIG. 7 is a sectional view of the third step.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a light emitting device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is an enlarged plan view of main parts of the light emitting device shown in FIG.
  • FIG. 8 is a sectional view of the fourth step.
  • FIG. 9 is a sectional view of the fifth step.
  • FIG. 10 is a sectional view of the sixth step.
  • FIG. 11 is a sectional view of the seventh step.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the eighth step.
  • FIG. 13 is a bottom view of essential parts showing the configuration of a first reflective layer and a first electrode of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 14 is a bottom view of essential parts showing the configuration of a first reflective layer and a first electrode of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a first modification of the second embodiment.
  • FIG. 14 is a bottom view of essential parts showing the configuration of a first reflective layer and a first electrode of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a first modification of the second embodiment.
  • FIG. 15 is a bottom view of essential parts showing the configuration of a first reflective layer and a first electrode of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a second modification of the second embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged sectional view corresponding to FIG. 3 of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 17 is a bottom view of essential parts corresponding to FIG. 4, showing the configuration of the first reflective layer and the first electrode of the light emitting element shown in FIG. 16.
  • FIG. 18 is an enlarged sectional view corresponding to FIG. 3 of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 19 is a bottom view of essential parts corresponding to FIG.
  • FIG. 20 is an enlarged sectional view corresponding to FIG. 3 of a light emitting element that constructs a light emitting device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 21 is a block diagram showing an example of a schematic configuration of a vehicle control system.
  • FIG. 22 is an explanatory diagram showing an example of the installation positions of the outside-vehicle information detection section and the imaging section.
  • First Embodiment The first embodiment is a first example in which the present technology is applied to a light emitting device and a method for manufacturing the same. 2.
  • Second Embodiment The second embodiment is a second example in which the structure of the light emitting element is changed in the light emitting device according to the first embodiment. 3.
  • Third Embodiment The third embodiment is a third example in which the structure of the light emitting element is changed in the light emitting device according to the first embodiment or the second embodiment. 4.
  • Fourth Embodiment The fourth embodiment is a fourth example in which the structure of the light emitting element is changed in the light emitting devices according to the first to third embodiments. 5.
  • the fifth embodiment is a fifth example in which the structure of the light emitting element is changed in the light emitting devices according to the first to fourth embodiments. 6.
  • Application Example to a Mobile Object This application example describes an example in which the present technology is applied to a vehicle control system, which is an example of a mobile object control system. 7.
  • Other embodiments
  • FIGS. 1 to 12 A light emitting device 1 and a method for manufacturing the same according to a first embodiment of the present disclosure will be described using FIGS. 1 to 12.
  • the arrow X direction shown as appropriate is one plane direction when the light emitting device 1 is placed on a plane for convenience.
  • the arrow Y direction is another plane direction orthogonal to the arrow X direction.
  • the arrow Z direction is an upward direction orthogonal to the arrow X direction and the arrow Y direction.
  • the arrow X direction, arrow Y direction, and arrow Z direction exactly correspond to the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction of the three-dimensional coordinate system. Note that these directions are shown to aid understanding of the present technology, and do not limit the direction of the present technology.
  • FIG. 1 shows an example of a schematic cross-sectional structure of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 shows an example of a planar structure of the light emitting element 30 and color conversion layer 40 of the light emitting device 1.
  • the light emitting device 1 includes a substrate region 2, a light emitter region 3, a color conversion region 4, and a filter region 5 in the longitudinal cross-sectional direction, which is the direction of arrow Z. and an optical system area 6. Further, the light emitting device 1 includes an element arrangement region 7 and a peripheral region 8 in the plane direction, which is the direction of the arrow X and the direction of the arrow Y.
  • the light emitting device 1 mainly includes a substrate 20 included in the substrate region 2 and a light emitting body 35 disposed in the light emitter region 3 and including a plurality of light emitting elements 30 arranged in the element arrangement region 7. It is provided as an element.
  • the substrate region 2 includes a substrate 20 and a drive circuit 21 mounted on the main surface of the substrate 20.
  • the main surface of the substrate 20 is one main surface of the substrate 20 on which semiconductor elements (not shown) such as drive transistors are manufactured, and furthermore, the drive circuit 21 is constructed.
  • a single crystal silicon (Si) substrate is used as the substrate 20.
  • An insulator 201 is formed on the back and side surfaces of the substrate 20 opposite to the main surface.
  • a silicon nitride (SiN) film or a silicon oxide (SiO) film can be practically used.
  • the drive circuit 21 is constructed from a semiconductor element (not shown) formed on the main surface of the substrate 20.
  • the drive transistor as a semiconductor element includes, for example, a complementary insulated gate field effect transistor (IGFET).
  • Insulated gate field effect transistors include at least both field effect transistors (MISFETs) with metal/insulator/semiconductor structures and field effect transistors (MOSFETs) with metal/oxide/semiconductor structures.
  • the drive circuit 21 is electrically connected to the first terminal 281 through the wiring layer 24.
  • the wiring layer 24 here includes a plug wiring 240, a first layer wiring 241, a second layer wiring 242, a third layer wiring 243, a fourth layer wiring 244, and a plug wiring 245. We are prepared.
  • the plug wiring 240 is formed on, for example, a main electrode of an insulated gate field effect transistor (not shown), and is electrically connected to this main electrode.
  • dungsten W
  • the first layer wiring 241 is formed on the plug wiring 240 and is electrically connected to the plug wiring 240.
  • the second layer wiring 242 is formed on the first layer wiring 241 and is electrically connected to the first layer wiring 241.
  • the third layer wiring 243 is formed on the second layer wiring 242 and is electrically connected to the second layer wiring 242.
  • the fourth layer wiring 244 is formed on the third layer wiring 243 and is electrically connected to the third layer wiring 243.
  • Each of the first layer wiring 241 to the fourth layer wiring 244 is formed with aluminum (Al) as a main composition, for example.
  • the plug wiring 245 is formed in the fourth layer wiring 244 and is electrically connected to the fourth layer wiring 244 .
  • the plug wiring 245 is made of the same material as the plug wiring 240, for example.
  • an insulator 29 is provided in the wiring layer 24.
  • the insulator 29 is formed around the plug wiring 240 and the plug wiring 245. Further, the insulator 29 is provided between the first layer wiring 241 and the second layer wiring 242, between the second layer wiring 242 and the third layer wiring 243, and between the third layer wiring 243 and the fourth layer wiring 243. It is formed between the layer wiring 244 and the like.
  • the insulator 29 is formed of, for example, a SiO film or a SiN film.
  • the light shielding film 26 is disposed closer to the drive circuit 21 than the light absorption film 27 is.
  • the light shielding film 26 is configured to cover, for example, a drive transistor of the drive circuit 21.
  • the light shielding film 26 is formed as an electrical path that electrically connects the drive circuit 21 and the first terminal 281, and is configured to block light leaking toward the drive circuit 21 side emitted from the light emitting element 30.
  • the light shielding film 26 is formed of a single layer of metal whose main composition is, for example, Al, copper (Cu), W, or titanium (Ti).
  • the light absorption film 27 is disposed on the light-emitting element 30 side of the light-shielding film 26.
  • the light absorption film 27 is formed to have the same planar shape as the light shielding film 26 when viewed from the direction of arrow Z (hereinafter simply referred to as "planar view").
  • the light absorption film 27 is formed as an electrical path that absorbs light leaking toward the drive circuit 21 side emitted from the light emitting element 30 and further electrically connects the drive circuit 21 and the first terminal 281.
  • the light absorption film 27 is made of, for example, a metal or metal compound whose main composition is titanium nitride (TiN), cobalt (Co), nitrogen-doped titanium oxide (TiON), tantalum nitride (TaN), or amorphous carbon (a-C). It is formed from a single layer film.
  • the first terminal 281 is electrically connected to the light absorption film 27 and disposed on the insulator 29.
  • the first terminal 281 is configured to be electrically connected to one of the light emitting elements 30 (specifically, the second compound semiconductor layer 32).
  • the first terminal 281 is made of, for example, Cu, which has a low resistance value.
  • a second terminal 282 is provided on the insulator 29 .
  • the second terminal 282 is configured to be electrically connected to the other side of the light emitting element 30 (specifically, the first compound semiconductor layer 31) or to the outside of the light emitting device 1.
  • the second terminal 282 is formed on the same conductive layer as the light shielding film 26 and the light absorption film 27, and is formed of the same conductive material.
  • the light emitter region 3 is on the substrate region 2 and includes a light emitter 35 disposed on the insulator 29.
  • the light emitting body 35 is configured by arranging a plurality of light emitting elements 30 formed from a compound semiconductor layer in a matrix along the direction of the light emitting surface of the light emitting element 30 (arrow X direction and arrow Y direction).
  • the light emitting element 30 is formed in a hexagonal shape when viewed from above.
  • the light emitting elements 30 are arranged in the direction of the arrow X and in a direction inclined by 30 degrees toward the direction of the arrow X with respect to the direction of the arrow Y (direction of the arrow Y).
  • the light emitting element 30 includes a light emitting element 30 (R) that emits red light, which is the three primary colors of light, a light emitting element 30 (B) that emits blue light, and a light emitting element 30 (G) that emits green light.
  • the light emitting elements 30(R), 30(B), and 30(G) are arranged with their centers exactly aligned with the vertices of an equilateral triangle. That is, in the first embodiment, each of the light emitting elements 30 (R), the light emitting elements 30 (B), and the light emitting elements 30 (G) are arranged in a delta arrangement.
  • the light emitter 35 further includes an insulator 34 formed around the plurality of light emitting elements 30 except for the light emitting surface.
  • the insulator 34 is formed mainly of a SiO film or a SiN film.
  • FIG. 3 shows an example of an enlarged cross-sectional configuration of the light-emitting element 30 that constructs the light-emitting device 1.
  • FIG. 4 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and the first electrode 363 of the light emitting element 30.
  • FIG. 4 is a bottom view taken along the line AA shown in FIG. 3 and viewed from the direction opposite to the direction of arrow Z. Note that the bottom view corresponding to FIG. 4 used in the second embodiment and later described below is a bottom view cut at the same position.
  • the light emitting element 30 is configured as a light emitting diode (LED) including a first compound semiconductor layer 31, a second compound semiconductor layer 32, and an active layer 33.
  • LED light emitting diode
  • the light emitting element 30 is formed mainly of a III-V compound semiconductor, for example.
  • the first compound semiconductor layer 31 is disposed on the color conversion region 4 side and on the light emission side.
  • the first compound semiconductor layer 31 is made of, for example, n-type gallium nitride (n-GaN).
  • n type is the "first conductivity type” according to the present technology.
  • the second compound semiconductor layer 32 is provided on the substrate region 2 side.
  • the second compound semiconductor layer 32 is made of, for example, p-type gallium nitride (p-GaN).
  • p type is a "second conductivity type” opposite to the first conductivity type according to the present technology.
  • the active layer 33 is disposed between the first compound semiconductor layer 31 and the second compound semiconductor layer 32. In other words, the active layer 33 is stacked on the first compound semiconductor layer 31, and the second compound semiconductor layer 32 is stacked on the side of the active layer 33 opposite to the first compound semiconductor layer 31.
  • the active layer 33 is formed as a light emitting layer that emits light. Although not limited to this, in the first embodiment, the light emitting element 30 emits blue light.
  • the light emitting element 30 In one light emitting element 30, at least a portion of the first compound semiconductor layer 31, the active layer 33, and the second compound semiconductor layer 32 have a mesa-shaped cross section. That is, as described above, the light emitting element 30 is formed in a hexagonal shape when viewed from above, and is formed into a mesa shape when viewed in the direction of arrow Y (hereinafter simply referred to as "in side view"). Note that the planar shape of the light emitting element 30 is not limited to a hexagonal shape. The planar shape of the light emitting element 30 may be, for example, circular, rectangular, or the like.
  • the transparent electrode 321 is provided on the surface of the second compound semiconductor layer 32 on the substrate region 2 side.
  • the transparent electrode 321 is electrically connected to substantially the entire surface of the second compound semiconductor layer 32 .
  • the transparent electrode 321 is formed for each light emitting element 30, and is formed to have the same planar shape as the second compound semiconductor layer 32 in plan view.
  • the transparent electrode 321 is made of, for example, indium tin oxide (ITO). Thereby, the transparent electrode 321 is connected to the second compound semiconductor layer 32 through ohmic contact.
  • ITO indium tin oxide
  • each of the plurality of light emitting elements 30 includes a first reflective layer 361, a first electrode 363, an insulator 364, a second reflective A layer 362 and a second electrode 37 are provided.
  • first reflective layer 361 will be explained in detail.
  • the first reflective layer 361 is disposed over the entire area of the second compound semiconductor layer 32 on the substrate region 2 side, with the transparent electrode 321 interposed therebetween, and spaced apart from the second compound semiconductor layer 32 .
  • the first reflective layer 361 is disposed over the entire area of the transparent electrode 321 on the substrate region 2 side, apart from the transparent electrode 321 .
  • the first reflective layer 361 is made of a metal material that is conductive and has a high light reflectance of 75% or more for blue light with a wavelength of 400 nm, for example. That is, the first reflective layer 361 is configured to supply the second compound semiconductor layer 32 with the current necessary for light emission of the light emitting element 30 and to reliably reflect the light emitted from the active layer 33.
  • the first reflective layer 361 is made of, for example, Al (preferably pure Al).
  • Al has a reflectance of 92.5% for blue light when the thickness is 75 nm. Further, for blue light, the reflectance starts to decrease when the thickness of Al becomes less than 50 nm. For this reason, the thickness of the first reflective layer 361 is formed to be, for example, 50 nm or more, and 100 nm or less from a manufacturing standpoint.
  • the first reflective layer 361 may be formed of one or more materials other than Al, such as selected from Al alloy, Ag, and Ag alloy.
  • the light emitted from the active layer 33 passes through the second compound semiconductor layer 32, reaches the first reflective layer 361, and is reflected by the first reflective layer 361.
  • the reflected light passes through each of the second compound semiconductor layer 32, the active layer 33, and the first compound semiconductor layer 31, and is emitted. Therefore, the light before and after reflection from the first reflective layer 361 is not attenuated by interference, but is instead amplified, and the thickness of the second compound semiconductor layer 32 is set to a thickness that ultimately amplifies the light extraction efficiency. is set.
  • the first electrode 363 is disposed between the second compound semiconductor layer 32 and the first reflective layer 361.
  • the first electrode 363 is disposed between the transparent electrode 321 and the first reflective layer 361.
  • the first electrode 363 is configured to electrically connect a portion of each of the second compound semiconductor layer 32 or the transparent electrode 321, and the first reflective layer 361.
  • the first electrode 363 is used as a contact metal. In contrast to the direct connection between the first reflective layer 361 and the transparent electrode 321, when the first reflective layer 361 is connected to the transparent electrode 321 with the first electrode 363 interposed, good electrical continuity can be obtained.
  • the first electrode 363 is made of, for example, Ti or a Ti alloy.
  • the thickness of the first electrode 363 is, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
  • first electrodes 363 are provided for one first reflective layer 361 in plan view.
  • the first electrode 363 has a circular planar shape.
  • One first electrode 363 is arranged at the center position of the first reflective layer 361 having a hexagonal shape in plan view, and six first electrodes 363 are arranged at equal intervals at peripheral positions corresponding to each of the contour corners of the first reflective layer 361. are arranged.
  • the total area of the seven first electrodes 363 when viewed from the thickness direction is smaller than the area of the first reflective layer 361 when viewed from the same direction.
  • the total area of the first electrodes 363 is set to be 1% or more and 30% or less of the area of the first reflective layer 361.
  • the voltage drop due to the first electrode 363 is suppressed to, for example, 10 mV or less, and the drive current of the light emitting element 30 is not affected. Further, the reflectance of the first electrode 363 is lower than the reflectance of the first reflective layer 361. In other words, since the area of the first electrode 363 covering the first reflective layer 361 is small, the area of the first reflective layer 361 contributing to reflection increases, and the decrease in light extraction efficiency can be suppressed to 30% or less.
  • planar shape of the first electrode 363 is not limited to a circular shape.
  • the planar shape of the first electrode 363 may be an ellipse, a triangle, a rectangle, a polygon of pentagon or more, a slit, or the like.
  • the insulator 364 is disposed around the first electrode 363 between the first reflective layer 361 and the transparent electrode 321. In other words, the insulator 364 is disposed between the first reflective layer 361 and the transparent electrode 321, except for the region where the first electrode 363 is disposed.
  • the insulator 364 has light transmittance and insulation properties, and is used as a barrier layer that separates the first reflective layer 361 and the transparent electrode 321.
  • the insulator 364 is made of, for example, aluminum oxide (AlO) or SiO.
  • the thickness of the insulator 364 is effectively the same as the thickness of the first electrode 363.
  • the insulator 364 is formed by, for example, an atomic layer deposition (ALD) method.
  • the second reflective layer 362 includes the first compound semiconductor layer 31, the active layer 33, and the second compound semiconductor layer in side view. 32 along and surrounding the side surfaces of the mesa shape.
  • An insulator 341 is formed between the second reflective layer 362 and the first compound semiconductor layer 31, active layer 33, and second compound semiconductor layer 32.
  • the insulator 341 is made of, for example, SiO or SiN.
  • the second reflective layer 362 reflects the light emitted from the active layer 33 and the light reflected from the first reflective layer 361 toward the first compound semiconductor layer 31 side, thereby improving light extraction efficiency.
  • the second reflective layer 362 is formed in the same layer and made of the same material as the first reflective layer 361. Furthermore, the second reflective layer 362 is formed continuously and integrally with the first reflective layer 361.
  • the second electrode 37 is formed on the opposite side of the first reflective layer 361 from the second compound semiconductor layer 32 . As shown in FIG. 3, the second electrode 37 is formed over the entire area of the first reflective layer 361 and has an area slightly larger than the area of the first reflective layer 361 in plan view and side view. There is.
  • the second electrode 37 is electrically connected to the second compound semiconductor layer 32 via the first reflective layer 361, the first electrode 363, and the transparent electrode 321, respectively.
  • the second electrode 37 is formed by sequentially laminating a barrier metal layer 371, an Al alloy layer 372, and a barrier metal layer 373.
  • the barrier metal layer 371 is made of, for example, titanium nitride (TiN), and has a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less.
  • TiN titanium nitride
  • AlCu which is Al with Cu added thereto
  • AlSi which is Al with Si added
  • the amount of Cu added is, for example, 1% or more and 3% or less.
  • the amount of Si added is, for example, 1% or more and 5% or less.
  • the Al alloy layer 372 is formed to have a thickness of, for example, 300 nm or more and 800 nm or less.
  • the barrier metal layer 373 is made of, for example, TiN, and has a thickness of 10 nm or more and 100 nm or less.
  • Plug Wiring 38 One end of the plug wiring 38 is electrically connected to the second electrode 37, and the other end of the plug wiring 38 is electrically connected to the wiring 39.
  • the plug wiring 38 is disposed at the center of the first reflective layer 361 and is formed to penetrate the insulator 34.
  • the plug wiring 38 is made of W, for example.
  • the wiring 39 is formed by sequentially laminating a barrier metal layer 391, an Al alloy layer 392, and a barrier metal layer 393.
  • the barrier metal layer 391 is made of, for example, TiN, like the barrier metal layer 371.
  • the barrier metal layer 391 is formed to have a thickness of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the Al alloy layer 392 is made of, for example, AlCu or AlSi.
  • the Al alloy layer 392 is formed with a thickness of, for example, 500 nm or more and 600 nm or less.
  • the barrier metal layer 393 is made of, for example, TiN, and has a thickness of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
  • each of the barrier metal layer 391 and the barrier metal layer 393 of the wiring 39 may be formed of a composite film in which Ti, TiN, and Ti are sequentially laminated, instead of TiN.
  • Ti is formed to have a thickness of, for example, 30 nm or less.
  • TiN is formed to have a thickness of, for example, 10 nm or more and 100 nm or less.
  • the wiring 39 is connected to the third terminal 390 of the light emitter region 3.
  • the third terminal 390 is formed on the surface of the insulator 34 on the substrate region 2 side.
  • the third terminal 390 is made of, for example, Cu, like the first terminal 281 described above.
  • the third terminal 390 is joined to the first terminal 281 and is electrically connected to the first terminal 281.
  • a second reflective layer 362 is disposed between the second reflective layer 34 and the second reflective layer 362 .
  • the insulator 34 and the second reflective layer 362 construct an element isolation region 300 that optically isolates adjacent light emitting elements 30.
  • the transparent electrode 311 is disposed on the opposite side of the first compound semiconductor layer 31 of the light emitting element 30 from the second compound semiconductor layer 32. There is.
  • the transparent electrode 311 is electrically connected to the first compound semiconductor layer 31.
  • the transparent electrode 311 is made of the same material as the transparent electrode 321 described above.
  • a wiring 312 that supplies current to the first compound semiconductor layer 31 through the transparent electrode 311 is electrically connected to the transparent electrode 311 .
  • the wiring 312 is made of W, for example.
  • the color conversion area 4 includes a color conversion layer 40, a third reflective layer 401, and partition walls 41.
  • the color conversion layer 40 is disposed on the light emitting surface of the light emitting element 30, that is, on the transparent electrode 311, with an insulator (not shown) interposed therebetween.
  • the color conversion layer 40 is provided for each light emitting element 30.
  • the color conversion layer 40 converts the light emitted from the light emitting element 30 into a specific color.
  • the light emitting element 30 is configured to emit blue light, as described above.
  • a color conversion layer 40 (R) that converts blue light to red light, a color conversion layer 40 (G) that converts blue light to green light, and a transparent color conversion layer 40 (B) that allows blue light to pass through as is. , T) are provided.
  • the color conversion layer 40 is made of, for example, a resin material.
  • the light emitting device 1 according to the first embodiment configured as described above is constructed as a color light emitting device. More practically, the light-emitting device 1 is constructed as a color image display device or as a micro-light-emitting device (micro-LED).
  • the third reflective layer 401 is disposed along the periphery of the side surface of the color conversion layer 40.
  • the third reflective layer 401 reflects the light emitted from the light emitting element 30 and the light diffused from the color conversion layer 40, thereby improving light extraction efficiency.
  • the third reflective layer 401 is made of, for example, the same material as the first reflective layer 361.
  • partition walls 41 are formed between the color conversion layers 40 adjacent in the planar direction and between the adjacent third reflective layers 401.
  • the partition wall 41 is configured to optically separate the color conversion layers 40 and to hold the color conversion layers 40.
  • the partition wall 41 is made of, for example, SiO or SiN.
  • a filter area 5 is arranged on the color conversion area 4.
  • a distributed reflection layer (DBR: Distributed Bragg Reflector) 50 and a color filter 51 are sequentially laminated from the color conversion region 4 side.
  • the distributed reflection layer 50 reflects light of a specific color.
  • Color filter 51 absorbs light of a specific color.
  • the specific emitted light color is, for example, blue light.
  • the optical system area 6 On the filter area 5, the optical system area 6 is arranged.
  • An on-chip lens 60 is provided in the optical system area 6.
  • the optical lens has a cross-sectional shape that protrudes and curves in the light emission direction.
  • the on-chip lens 60 is made of, for example, a resin material or an inorganic material.
  • a support substrate 90 is prepared (see FIG. 5).
  • a sapphire substrate is used as the support substrate 90.
  • a first compound semiconductor layer (n-GaN) 31, an active layer 33, and a second compound semiconductor layer (p-GaN) 32 are sequentially formed on the support substrate 90 (see FIG. 5).
  • a transparent electrode 321 is formed on the second compound semiconductor layer 32 (see FIG. 5).
  • a mask 901 is formed on the transparent electrode 321.
  • Mask 901 is used as an etching mask for forming a mesa shape.
  • the mask 901 is formed of, for example, a single layer film of SiO, SiN, etc., or a composite film containing them.
  • the transparent electrode 321, the second compound semiconductor layer 32, the active layer 33, and the first compound semiconductor layer 31 are etched using the mask 901.
  • the transparent electrode 321, the second compound semiconductor layer 32, the active layer 33, and the first compound semiconductor layer 31 are formed into a mesa shape.
  • dry etching is used for the etching.
  • mask 901 is removed.
  • an insulator 341 is formed along the top and side surfaces of the mesa shape.
  • the insulator 341 is formed using, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • an opening 341H is formed in a part of the insulator 341 on the upper surface of the mesa shape, and the surface of the transparent electrode 321 is exposed (see FIG. 8).
  • the opening 341H is formed using photolithography and etching techniques.
  • an insulator 364 is formed on the transparent electrode 321 within the opening 341H (see FIGS. 9 and 3).
  • the insulator 364 is made of AlO or SiO, for example, as described above.
  • the insulator 364 is formed by, for example, an ALD method.
  • an opening 364H is formed in the insulator 364 in the region where the first electrode 363 is formed, and the surface of the transparent electrode 321 is exposed (see FIGS. 9 and 3).
  • the opening 364H is formed using, for example, photolithography and etching techniques.
  • a first electrode 363 is formed in the opening 341H to be electrically connected to a portion of the surface of the transparent electrode 321 through the opening 364H.
  • the first electrode 363 is made of, for example, Ti or a Ti alloy.
  • the first electrode 363 is formed into a film using, for example, a sputtering method, and then patterned using an etching technique to form a predetermined shape. Note that in FIGS. 8 to 12, one first electrode 363 is shown in order to simplify the cross-sectional shape, but as shown in FIG. 4 described above, the first electrode 363 is Seven pieces are arranged in this form.
  • a first reflective layer 361 is formed on the first electrode 363 and the insulator 364 within the opening 341H. Then, in the same manufacturing process as the first reflective layer 361, a second reflective layer 362 is formed on the insulator 341 along the mesa-shaped sidewall.
  • the first reflective layer 361 and the second reflective layer 362 are formed of Al deposited using a CVD method, for example.
  • a second electrode 37 is formed on the first reflective layer 361.
  • the second electrode 37 is formed by sequentially stacking the barrier metal layer 371, the Al alloy layer 372, and the barrier metal layer 373. These are deposited using, for example, a sputtering method, and patterned using an etching technique after the deposition.
  • an insulator 34 embedding the second electrode 37 is formed.
  • a plug wiring 38 is formed on the insulator 34, and a wiring 39 is formed on the insulator 34, as shown in FIG.
  • the light emitting device 30 is substantially completed. Thereafter, as shown in FIG. 1 described above, the third terminal 390 is formed on the light emitting element 30. After bonding the substrate region 2, the light emitting element 30 is peeled off from the support substrate 90. After peeling, the color conversion region 4, filter region 5, and optical system region 6 are each formed in sequence, and the light emitting device 1 according to the first embodiment is completed.
  • the light emitting device 1 includes a first compound semiconductor layer 31, an active layer 33, a second compound semiconductor layer 32, and a first reflective layer 31.
  • a layer 361 and a first electrode 363 are provided.
  • the first compound semiconductor layer 31 has a first conductivity type.
  • the active layer 33 is stacked on the first compound semiconductor layer 31 .
  • the second compound semiconductor layer 32 is stacked on the side of the active layer 33 opposite to the first compound semiconductor layer 31, and has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • the first reflective layer 361 is spaced apart from the surface of the second compound semiconductor layer 32 opposite to the active layer 33 and reflects light emitted from the active layer 33 .
  • the first electrode 363 is disposed between the second compound semiconductor layer 32 and the first reflective layer 361 and electrically connects a portion of each of the second compound semiconductor layer 32 and the first reflective layer 361. do.
  • the first reflective layer 361 is provided on the surface of the second compound semiconductor layer 32, so that light emitted from the active layer 33 is prevented from leaking to the drive circuit 21 side. can be effectively suppressed or prevented.
  • the first reflective layer 361 is disposed over the entire surface of the second compound semiconductor layer 32, there is no light leakage. Since the first reflective layer 361 can reflect light efficiently, the light extraction efficiency of the light emitting device 1 can be improved.
  • the image quality of the image display device can be improved. Furthermore, since the first reflective layer 361 is connected to the second compound semiconductor layer 32 with the first electrode 363 interposed, the supply of current from the first reflective layer 361 side is improved, and the luminous efficiency of the light emitting element 30 is improved. can be improved. In addition, since the first electrode 363 is electrically connected to a portion of each of the first reflective layer 361 and the second compound semiconductor layer 32, a sufficient reflective area of the first reflective layer 361 can be ensured. Can be done. Therefore, the light emitting device 1 can further improve the light extraction efficiency. Furthermore, since the first reflective layer 361 can block light leakage to the drive circuit 21 side, malfunctions of the drive circuit 21 due to light leakage can be effectively suppressed or prevented. Therefore, the operational reliability of the light emitting device 1 can be improved.
  • the first reflective layer 361 is made of one or more materials selected from Al, Al alloy, Ag, and Ag alloy.
  • the thickness of the first reflective layer 361 is 75 nm
  • the reflectance of blue light having a wavelength of 400 nm is 92.5% for Al and 91.5% for Al alloy (AlCu).
  • 86.2% for Ag and 84.0% for Ag alloy is 86.2% for Ag and 84.0% for Ag alloy. That is, since the reflectance of the first reflective layer 361 is set to 75% or more, the light extraction efficiency of the light emitting device 1 can be further improved.
  • the light emitting device 1 further includes a transparent electrode 321 between the second compound semiconductor layer 32 and the first electrode 363, as shown in FIG. and is electrically connected to the second compound semiconductor layer 32. Therefore, a good electrical connection between the second compound semiconductor layer 32 and the transparent electrode 321 can be obtained, and as a result, a good electrical connection can be obtained between the first reflective layer 361 and the second compound semiconductor layer 32. .
  • the first electrode 363 is made of Ti or a Ti alloy. Therefore, good electrical connection between the first reflective layer 361 and the transparent electrode 321 can be obtained.
  • the total area of the first electrode 363 viewed from the thickness direction is smaller than the area of the first reflective layer 361 viewed from the same direction.
  • the total area of the first electrodes 363 is 1% or more and 30% or less of the area of the first reflective layer 361.
  • the first electrode 363 is formed with such an area ratio, the voltage drop due to the first electrode 363 is suppressed, and the drive current of the light emitting element 30 is not affected.
  • the area of the first electrode 363 that covers the first reflective layer 361 is reduced, and the reflective area of the first reflective layer 361 can be increased, so that light extraction efficiency can be improved.
  • the light emitting device 1 also includes a transparent electrode 321 and a first reflective layer between the second compound semiconductor layer 32 and the first reflective layer, specifically, excluding the first electrode 363
  • An insulator 364 is provided between the reflective layer 361 and the reflective layer 361 .
  • the insulator 364 has optical transparency and insulating properties. Therefore, compositional changes in the first reflective layer 361 caused by the transparent electrode 321 can be effectively suppressed or prevented, so that the reflectance of the first reflective layer 361 can be maintained and the light extraction efficiency can be improved. can.
  • the second compound semiconductor layer 32 is formed to have a thickness that increases the light extraction efficiency.
  • the second compound semiconductor layer 32 has an appropriate thickness so that the light emitted from the active layer 33 toward the first compound semiconductor layer 31 is not attenuated by the light that is reflected by the first reflective layer 361 and reaches the active layer 33. It is formed. In the light emitting device 1 configured in this manner, light extraction efficiency can be improved.
  • the light emitting device 1 as particularly shown in FIG. 3, at least a portion of the first compound semiconductor layer 31, the active layer 33, and the second compound semiconductor layer 32 have a mesa shape.
  • a second reflective layer 362 is disposed along the side surface of the mesa shape. The second reflective layer 362 reflects the light emitted from the active layer 33 and the light reflected from the first reflective layer 361 toward the first compound semiconductor layer 31 side. Therefore, in the light emitting device 1, light can be extracted efficiently by the second reflective layer 362, so that the light extraction efficiency can be further improved.
  • the second reflective layer 362 is formed in the same layer and made of the same material as the first reflective layer 361.
  • the second reflective layer 362 is integrally formed with the first reflective layer 361. Therefore, the structure of the light emitting device 1 can be simplified.
  • the first reflective layer 361 and the second reflective layer 362 are formed in the same process. Therefore, one of the originally required steps of forming the first reflective layer 361 and the second reflective layer 362 can be omitted, which reduces the number of manufacturing steps in the method of manufacturing the light emitting device 1. be able to.
  • the light emitting device 1 includes a second electrode 37, as shown in FIGS. 1 and 3.
  • the second electrode 37 is disposed on the opposite side of the first reflective layer 361 from the second compound semiconductor layer 32 .
  • the second electrode 37 is formed by sequentially stacking a barrier metal layer 371, an Al alloy layer 372, and a barrier metal layer 373.
  • the second electrode 37 configured in this manner can improve electrical reliability as an electrode.
  • Second embodiment> A light emitting device 1 according to a second embodiment of the present disclosure will be described using FIGS. 13 to 15. Note that in the second embodiment and subsequent embodiments, the same or substantially the same components as those of the light emitting device 1 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. However, duplicate explanations will be omitted.
  • FIG. 13 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and first electrode 363 of the light emitting element 30 in the light emitting device 1 according to the second embodiment.
  • one first electrode 363 is disposed at the center of the first reflective layer 361 of the light emitting element 30 in plan view.
  • the total area ratio of the first electrode 363 to the first reflective layer 361 is the same as the area ratio of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
  • the planar shape of the first electrode 363 is the same as the planar shape of the first electrode 363 of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
  • FIG. 14 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and the first electrode 363 of the light emitting element 30 in the light emitting device 1 according to the first modification of the second embodiment.
  • a total of four first electrodes 363, two in the direction of the arrow X and two in the direction of the arrow Y, are arranged on the first reflective layer 361. It is set up. Components other than those described above are the same as those of the light emitting device 1 according to the first embodiment, so description thereof will be omitted here.
  • FIG. 15 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and the first electrode 363 of the light emitting element 30 in the light emitting device 1 according to the second modification of the second embodiment.
  • the first electrode 363 is located at peripheral positions corresponding to each of the contour corners of the first reflective layer 361, which has a hexagonal shape in plan view. Six pieces are placed at intervals. Components other than those described above are the same as those of the light emitting device 1 according to the first embodiment, so description thereof will be omitted here.
  • FIG. 16 shows an example of an enlarged cross-sectional configuration of the light emitting element 30 that constructs the light emitting device 1 according to the third embodiment.
  • FIG. 17 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and the first electrode 363 of the light emitting element 30.
  • a transparent electrode 321 (see FIG. 3) is provided between the second compound semiconductor layer 32 and the first reflective layer 361 of the light emitting element 30. ) is not provided.
  • the first reflective layer 361 is directly connected to the second compound semiconductor layer 32 with a first electrode 363 interposed therebetween. Since the transparent electrode 321 is not provided, the first electrode 363 is made of, for example, Ni, Pd, or Cr. These materials are materials that can be electrically connected to the second compound semiconductor layer 32 with low resistance. In other words, the first electrode 363 achieves good electrical continuity with the second compound semiconductor layer 32.
  • the first electrodes 363 are formed in the same arrangement and number as the first electrodes 363 shown in FIG. 4 of the light emitting device 1 according to the first embodiment. Note that the first electrodes 363 may be formed in the same arrangement and number as the first electrodes 363 shown in each of FIGS. 13, 14, and 15 of the light emitting device 1 according to the second embodiment.
  • FIG. 18 shows an example of an enlarged cross-sectional configuration of the light emitting element 30 that constructs the light emitting device 1 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 19 shows an example of the configuration of the first reflective layer 361 and the first electrode 363 of the light emitting element 30.
  • the second reflective layer 362 is electrically isolated from the first reflective layer 361.
  • an insulator 342 is formed between the second reflective layer 362 and the first reflective layer 361.
  • the second reflective layer 362 is in an electrically floating state.
  • the second reflective layer 362 is formed in the same layer as the first reflective layer 361 and made of the same material, similarly to the second reflective layer 362 of the light emitting device 1 according to the first embodiment described above. ing. Further, the second reflective layer 362 may be formed as a separate layer from the first reflective layer 361 and may be formed of a different material.
  • the second reflective layer 362 is electrically isolated from the first reflective layer 361.
  • the second compound semiconductor layer 32, the active layer 33, and the first compound semiconductor layer 31 are connected to one electrode, and the insulator 341 is connected to the current path from the first reflective layer 361 to the second compound semiconductor layer 32.
  • No parasitic capacitance is added using the dielectric and the second reflective layer 362 as the other electrode. Therefore, the driving operation speed of the light emitting element 30 can be increased.
  • FIG. 20 shows an example of an enlarged cross-sectional configuration of the light emitting element 30 that constructs the light emitting device 1 according to the fifth embodiment.
  • the second electrode 37 is disposed on the first reflective layer 361, similarly to the light emitting device 1 according to the first embodiment. .
  • the second electrode 37 is different from the second electrode 37 of the light emitting device 1 according to the first embodiment, and is formed of a single barrier metal layer.
  • TiN is used as the barrier metal layer.
  • the first reflective layer 361 may be formed of an Al alloy, although there is a slight decrease in reflectance.
  • Al alloy for example, AlCu can be practically used.
  • the second electrode 37 is formed of a single barrier metal layer, so that the structure can be simplified.
  • the technology according to the present disclosure (this technology) can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be realized as a device mounted on any type of moving body such as a car, electric vehicle, hybrid electric vehicle, motorcycle, bicycle, personal mobility, airplane, drone, ship, robot, etc. It's okay.
  • FIG. 21 is a block diagram showing a schematic configuration example of a vehicle control system, which is an example of a mobile object control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside vehicle information detection unit 12030, an inside vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, an audio/image output section 12052, and an in-vehicle network I/F (Interface) 12053 are illustrated as the functional configuration of the integrated control unit 12050.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of devices related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a drive force generation device such as an internal combustion engine or a drive motor that generates drive force for the vehicle, a drive force transmission mechanism that transmits the drive force to wheels, and a drive force transmission mechanism that controls the steering angle of the vehicle. It functions as a control device for a steering mechanism to adjust and a braking device to generate braking force for the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operations of various devices installed in the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a turn signal, or a fog lamp.
  • radio waves transmitted from a portable device that replaces a key or signals from various switches may be input to the body control unit 12020.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals, and controls the door lock device, power window device, lamp, etc. of the vehicle.
  • the external information detection unit 12030 detects information external to the vehicle in which the vehicle control system 12000 is mounted.
  • an imaging section 12031 is connected to the outside-vehicle information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image of the exterior of the vehicle, and receives the captured image.
  • the external information detection unit 12030 may perform object detection processing such as a person, car, obstacle, sign, or text on the road surface or distance detection processing based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal according to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output the electrical signal as an image or as distance measurement information.
  • the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or non-visible light such as infrared rays.
  • the in-vehicle information detection unit 12040 detects in-vehicle information.
  • a driver condition detection section 12041 that detects the condition of the driver is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver condition detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the in-vehicle information detection unit 12040 detects the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver condition detection unit 12041. It may be calculated, or it may be determined whether the driver is falling asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates control target values for the driving force generation device, steering mechanism, or braking device based on the information inside and outside the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, Control commands can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions, including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following distance based on vehicle distance, vehicle speed maintenance, vehicle collision warning, vehicle lane departure warning, etc. It is possible to perform cooperative control for the purpose of
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generating device, steering mechanism, braking device, etc. based on information about the surroundings of the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., which does not rely on operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12030 based on the information outside the vehicle acquired by the outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamps according to the position of the preceding vehicle or oncoming vehicle detected by the vehicle exterior information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of preventing glare, such as switching from high beam to low beam. It can be carried out.
  • the audio and image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of audio and images to an output device that can visually or audibly notify information to the occupants of the vehicle or to the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display section 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include, for example, at least one of an on-board display and a head-up display.
  • FIG. 22 is a diagram showing an example of the installation position of the imaging section 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided at, for example, the front nose of the vehicle 12100, the side mirrors, the rear bumper, the back door, and the upper part of the windshield inside the vehicle.
  • An imaging unit 12101 provided in the front nose and an imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle mainly acquire images in front of the vehicle 12100.
  • Imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors mainly capture images of the sides of the vehicle 12100.
  • An imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door mainly captures images of the rear of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided above the windshield inside the vehicle is mainly used to detect preceding vehicles, pedestrians, obstacles, traffic lights, traffic signs, lanes, and the like.
  • FIG. 22 shows an example of the imaging range of the imaging units 12101 to 12104.
  • An imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose
  • imaging ranges 12112 and 12113 indicate imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided on the side mirrors, respectively
  • an imaging range 12114 shows the imaging range of the imaging unit 12101 provided on the front nose.
  • the imaging range of the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or back door is shown. For example, by overlapping the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, an overhead image of the vehicle 12100 viewed from above can be obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of image sensors, or may be an image sensor having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 determines the distance to each three-dimensional object within the imaging ranges 12111 to 12114 and the temporal change in this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100) based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. By determining the following, it is possible to extract, in particular, the closest three-dimensional object on the path of vehicle 12100, which is traveling at a predetermined speed (for example, 0 km/h or more) in approximately the same direction as vehicle 12100, as the preceding vehicle. can. Furthermore, the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance in front of the preceding vehicle, and perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like. In this way, it is possible to perform cooperative control for the purpose of autonomous driving, etc., in which the vehicle travels autonomously without depending on the driver's operation.
  • automatic brake control including follow-up stop control
  • automatic acceleration control including follow-up start control
  • the microcomputer 12051 transfers three-dimensional object data to other three-dimensional objects such as two-wheeled vehicles, regular vehicles, large vehicles, pedestrians, and utility poles based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic obstacle avoidance. For example, the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 into obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see. Then, the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceeds a set value and there is a possibility of a collision, the microcomputer 12051 transmits information via the audio speaker 12061 and the display unit 12062. By outputting a warning to the driver via the vehicle control unit 12010 and performing forced deceleration and avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving support for collision avoidance can be provided.
  • the microcomputer 12051 determines a collision risk indicating the degree of risk of collision with each obstacle, and when the collision risk exceed
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether the pedestrian is present in the images captured by the imaging units 12101 to 12104.
  • pedestrian recognition involves, for example, a procedure for extracting feature points in images captured by the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras, and a pattern matching process is performed on a series of feature points indicating the outline of an object to determine whether it is a pedestrian or not.
  • the audio image output unit 12052 creates a rectangular outline for emphasis on the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled to display the .
  • the audio image output unit 12052 may control the display unit 12062 to display an icon or the like indicating a pedestrian at a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the imaging unit 12031 By applying the technology according to the present disclosure to the imaging unit 12031, the imaging unit 12031 with a simpler configuration can be realized.
  • the first reflective layer is provided on the second compound semiconductor layer, leakage of light emitted from the active layer can be effectively suppressed or prevented. Therefore, the first reflective layer can reflect light efficiently, so that the light extraction efficiency of the light emitting device can be improved. Furthermore, in the light emitting device, the first electrode is electrically connected to a portion of each of the first reflective layer and the second compound semiconductor layer, so that a sufficient reflective area of the first reflective layer is ensured, and The light extraction efficiency can be improved.
  • a light emitting device is the light emitting device according to the first embodiment, further including an insulator.
  • the insulator is disposed between the second compound semiconductor layer and the first reflective layer, specifically between the transparent electrode and the first reflective layer, and has optical transparency and insulation properties. Therefore, compositional changes in the first reflective layer caused by the transparent electrode can be effectively suppressed or prevented, so that the reflectance of the first reflective layer can be maintained and the light extraction efficiency can be improved.
  • a light emitting device is a light emitting device according to the first embodiment or the second embodiment, in which at least a portion of the first compound semiconductor layer, the active layer, and the second compound semiconductor layer have a mesa shape.
  • a second reflective layer is provided along the side surface. The second reflective layer reflects the light emitted from the active layer and the light reflected from the first reflective layer toward the first compound semiconductor layer. Therefore, in the light emitting device, light can be extracted efficiently by the second reflective layer, so that the light extraction efficiency can be further improved.
  • a light emitting device is a light emitting device according to any one of the first to third embodiments, in which a second electrode is provided on the opposite side of the first reflective layer from the second compound semiconductor layer. It further includes: The second electrode is formed by sequentially stacking a barrier metal layer, an Al alloy, and a barrier metal layer. Therefore, in the light emitting device, the electrical reliability of the second electrode can be improved.
  • the present technology has the following configuration. According to the following configuration of the present technology, the light extraction efficiency of the light emitting device can be improved.
  • a first compound semiconductor layer of a first conductivity type an active layer stacked on the first compound semiconductor layer; a second compound semiconductor layer of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, stacked on the side of the active layer opposite to the first compound semiconductor layer; a first reflective layer that is spaced apart from the surface of the second compound semiconductor layer opposite to the active layer and that reflects light emitted from the active layer; a first electrode that is disposed between the second compound semiconductor layer and the first reflective layer and electrically connects a portion of each of the second compound semiconductor layer and the first reflective layer;
  • a light-emitting device equipped with (2) The light emitting device according to (1), wherein the first reflective layer is made of one or more materials selected from Al, Al alloy, Ag, and Ag alloy.
  • the method according to (1) to (9) above further includes an insulator disposed between the second compound semiconductor layer and the first reflective layer, and having a light transmittance and an insulating property.
  • the light emitting device according to any one of (1) to (11), wherein the second compound semiconductor layer is formed to have a thickness that amplifies light extraction efficiency.
  • At least a portion of the first compound semiconductor layer, the active layer and the second compound semiconductor layer have a mesa shape
  • the method further includes a second reflective layer that is disposed along a side surface of the mesa shape and reflects light emitted from the active layer and light reflected from the first reflective layer toward the first compound semiconductor layer.
  • the light emitting device according to any one of (1) to (11) above.
  • the light emitting device is formed in the same layer and made of the same material as the first reflective layer.
  • the first compound semiconductor layer, the active layer and the second compound semiconductor layer constitute a light emitting device,

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Abstract

発光装置は、第１導電型の第１化合物半導体層と、第１化合物半導体層に積層された活性層と、活性層の第１化合物半導体層とは反対側に積層され、第１導電型とは反対の第２導電型の第２化合物半導体層と、第２化合物半導体層の活性層とは反対側の表面に離間して配設され、活性層から発せられる光を反射させる第１反射層と、第２化合物半導体層と第１反射層との間に配設され、第２化合物半導体層、第１反射層のそれぞれの一部を電気的に接続する第１電極とを備えている。

Description

発光装置
　本開示は、表示ユニットを支持する支持体、ならびに表示ユニットおよび支持体を備えた表示装置に関する。
　特許文献１には、マイクロ発光素子が開示されている。このマイクロ発光素子では、駆動回路基板上に化合物半導体が積層されている。化合物半導体は、駆動回路基板側からｐ側層、発光層、ｎ側層のそれぞれを順次積層して形成されている。ｐ側層にはｐ電極が電気的に接続され、ｎ側層にはｎ電極が電気的に接続されている。
　このように構成されるマイクロ発光素子は、発光層から発せられた光をｎ側層側から出射し、画像表示素子を構築している。
特開２０１９－２０４８２３号公報
　上記マイクロ発光素子では、駆動回路基板に対向する、化合物半導体のｐ側層の表面全域に透明電極が形成され、この透明電極を介在させてｐ側層とｐ電極とが電気的に接続されている。ｐ電極は、ｐ側層の表面全域の大半にわたって形成されている。
　ところで、上記マイクロ発光素子においては、発光層から発せられた光の駆動回路基板側への漏れについて配慮がなされていない。このため、発光装置では、更なる微細化の進展に伴い、光取り出し効率を向上させ、画像表示装置として高画質化を実現することが望まれている。
　本開示の第１実施形態に係る発光装置は、第１導電型の第１化合物半導体層と、第１化合物半導体層に積層された活性層と、活性層の第１化合物半導体層とは反対側に積層され、第１導電型とは反対の第２導電型の第２化合物半導体層と、第２化合物半導体層の活性層とは反対側の表面に離間して配設され、活性層から発せられる光を反射させる第１反射層と、第２化合物半導体層と第１反射層との間に配設され、第２化合物半導体層、第１反射層のそれぞれの一部を電気的に接続する第１電極と、を備えている。
　本開示の第２実施態様に係る発光装置は、第１実施態様に係る発光装置において、第２化合物半導体層と第１反射層との間に配設され、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有する絶縁体を更に備えている。
　本開示の第３実施態様に係る発光装置では、第１実施態様又は第２実施態様に係る発光装置において、第１化合物半導体層の少なくとも一部、活性層及び第２化合物半導体層は、メサ形状を有する。この発光装置は、メサ形状の側面に沿って配設され、活性層から発せられる光及び第１反射層から反射される光を第１化合物半導体層側へ反射させる第２反射層を更に備えている。
　本開示の第４実施態様に係る発光装置は、第１実施態様から第３実施態様のいずれか１つに係る発光装置において、第１反射層の第２化合物半導体層とは反対側に、バリアメタル層、Ａｌ合金層、バリアメタル層のそれぞれが順次積層された第２電極を更に備えている。
図１は、本開示の第１実施の形態に係る発光装置の概略断面図である。 図２は、図１に示される発光装置の要部を拡大した拡大平面図である。 図３は、図１及び図２に示される発光装置を構築する発光素子の拡大断面図である。 図４は、図３に示される発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す要部底面図である。 図５は、第１実施の形態に係る発光装置の製造方法を説明する、図３に対応する第１工程断面図である。 図６は、第２工程断面図である。 図７は、第３工程断面図である。 図８は、第４工程断面図である。 図９は、第５工程断面図である。 図１０は、第６工程断面図である。 図１１は、第７工程断面図である。 図１２は、第８工程断面図である。 図１３は、本開示の第２実施の形態に係る発光装置を構築する発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す要部底面図である。 図１４は、第２実施の形態の第１変形例に係る発光装置を構築する発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す要部底面図である。 図１５は、第２実施の形態の第２変形例に係る発光装置を構築する発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す要部底面図である。 図１６は、本開示の第３実施の形態に係る発光装置を構築する発光素子の図３に対応する拡大断面図である。 図１７は、図１６に示される発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す図４に対応する要部底面図である。 図１８は、本開示の第４実施の形態に係る発光装置を構築する発光素子の図３に対応する拡大断面図である。 図１９は、図１８に示される発光素子の第１反射層及び第１電極の構成を示す図４に対応する要部底面図である。 図２０は、本開示の第５実施の形態に係る発光装置を構築する発光素子の図３に対応する拡大断面図である。 図２１は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 図２２は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
　以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１実施の形態
　第１実施の形態は、発光装置及びその製造方法に、本技術を適用した第１例である。
２．第２実施の形態
　第２実施の形態は、第１実施の形態に係る発光装置において、発光素子の構造を変えた第２例である。
３．第３実施の形態
　第３実施の形態は、第１実施の形態又は第２実施の形態に係る発光装置において、発光素子の構造を変えた第３例である。
４．第４実施の形態
　第４実施の形態は、第１実施の形態～第３実施の形態に係る発光装置において、発光素子の構造を変えた第４例である。
５．第５実施の形態
　第５実施の形態は、第１実施の形態～第４実施の形態に係る発光装置において、発光素子の構造を変えた第５例である。
６．移動体への応用例
　この応用例は、移動体制御システムの一例である車両制御システムに本技術を適用した例を説明する。
７．その他の実施の形態
＜１．第１実施の形態＞
　図１～図１２を用いて、本開示の第１実施の形態に係る発光装置１及びその製造方法を説明する。
　ここで、図中、適宜示されている矢印Ｘ方向は、便宜的に発光装置１を平面上に載置したときの１つの平面方向である。矢印Ｙ方向は、矢印Ｘ方向に対して直交する他の平面方向である。そして、矢印Ｚ方向は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向に対して直交する上方向である。矢印Ｘ方向、矢印Ｙ方向及び矢印Ｚ方向は、丁度、３次元座標系のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に対応している。
　なお、これらの方向は、本技術の理解を助けるために示されるものであって、本技術の方向を限定するものではない。
［発光装置１の構成］
（１）発光装置１の全体の概略構成
　図１は、第１実施の形態に係る発光装置１の概略的な断面構造の一例を表している。図２は、発光装置１の発光素子３０及び色変換層４０の平面構造の一例を表している。
　図１に示されるように、第１実施の形態に係る発光装置１は、矢印Ｚ方向である縦断面方向に、基板領域２と、発光体領域３と、色変換領域４と、フィルタ領域５と、光学系領域６とを備えている。さらに、発光装置１は、矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向である平面方向に、素子配列領域７と、周辺領域８とを備えている。
　そして、発光装置１は、基板領域２に含まれる基板２０と、発光体領域３に配設され、かつ、素子配列領域７に複数配列された発光素子３０を含む発光体３５とを主要な構成要素として備えている。
（２）基板領域２の構成
　基板領域２は、基板２０と、基板２０の主面に搭載された駆動回路２１とを含んで構成されている。ここで、基板２０の主面は、駆動トランジスタ等の図示省略の半導体素子が製造され、更に駆動回路２１が構築される、基板２０の主要な一表面である。
　基板２０には、例えば単結晶珪素（Ｓｉ）基板が使用されている。基板２０の主面とは反対側の裏面及び側面には絶縁体２０１が形成されている。絶縁体２０１としては、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）膜又は酸化珪素（ＳｉＯ）膜を実用的に使用することができる。
（２－１）駆動回路２１の構成
　駆動回路２１は、基板２０の主面部に形成された図示省略の半導体素子により構築されている。半導体素子としての駆動トランジスタには、例えば相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）が含まれている。絶縁ゲート電界効果トランジスタは、金属／絶縁体／半導体構造を有する電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）及び金属／酸化膜／半導体構造を有する電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の双方を少なくとも含んでいる。
（２－２）配線層２４の構成
　駆動回路２１は、配線層２４を通して、第１端子２８１に電気的に接続されている。配線層２４は、ここでは、プラグ配線２４０と、第１層目配線２４１と、第２層目配線２４２と、第３層目配線２４３と、第４層目配線２４４と、プラグ配線２４５とを備えている。
　プラグ配線２４０は、図示省略の例えば絶縁ゲート電界効果トランジスタの主電極に形成され、この主電極に電気的に接続されている。プラグ配線２４０には、例えばダングステン（Ｗ）が使用されている。
　第１層目配線２４１は、プラグ配線２４０に形成され、プラグ配線２４０に電気的に接続されている。第２層目配線２４２は、第１層目配線２４１に形成され、第１層目配線２４１に電気的に接続されている。第３層目配線２４３は、第２層目配線２４２に形成され、第２層目配線２４２に電気的に接続されている。第４層目配線２４４は、第３層目配線２４３に形成され、第３層目配線２４３に電気的に接続されている。第１層目配線２４１～第４層目配線２４４のそれぞれは、例えばアルミニウム（Ａｌ）を主組成として形成されている。
　プラグ配線２４５は、第４層目配線２４４に形成され、第４層目配線２４４に電気的に接続されている。プラグ配線２４５は、例えばプラグ配線２４０と同様の材料により形成されている。
　また、配線層２４には、絶縁体２９が配設されている。絶縁体２９は、プラグ配線２４０及びプラグ配線２４５の周囲に形成されている。さらに、絶縁体２９は、第１層目配線２４１と第２層目配線２４２との間、第２層目配線２４２と第３層目配線２４３との間、第３層目配線２４３と第４層目配線２４４との間等に形成されている。絶縁体２９は、例えばＳｉＯ膜又はＳｉＮ膜等により形成されている。
（２－３）遮光膜２６及び光吸収膜２７の構成
　配線層２４において、第１端子２８１は、光吸収膜２７、遮光膜２６のそれぞれを順次通してプラグ配線２４５に電気的に接続されている。
　遮光膜２６は、光吸収膜２７よりも駆動回路２１側に配設されている。ここで、遮光膜２６は、駆動回路２１の例えば駆動トランジスタを覆って構成さている。つまり、遮光膜２６は、駆動回路２１と第１端子２８１とを電気的に接続する電気経路として形成され、かつ、発光素子３０から発せられる駆動回路２１側への漏れ光を遮る構成とされている。
　遮光膜２６は、例えばＡｌ、銅（Ｃｕ）、Ｗ又はチタン（Ｔｉ）を主組成とする金属の単層膜により形成されている。
　光吸収膜２７は、遮光膜２６の発光素子３０側に配設されている。光吸収膜２７は、矢印Ｚ方向から見て（以下、単に「平面視」という。）、遮光膜２６の平面形状と同一平面形状に形成されている。光吸収膜２７は、発光素子３０から発せられる駆動回路２１側への漏れ光を吸収し、更に駆動回路２１と第１端子２８１とを電気的に接続する電気経路として形成されている。
　光吸収膜２７は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）、コバルト（Ｃｏ）、窒素ドープ酸化チタン（ＴｉＯＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）又は非晶質炭素（ａ－Ｃ）を主組成とする金属又は金属化合物の単層膜により形成されている。
（２－４）第１端子２８１の構成
　第１端子２８１は、光吸収膜２７に電気的に接続され、かつ、絶縁体２９上に配設されている。第１端子２８１は、発光素子３０の一方（具体的には、第２化合物半導体層３２）に電気的に接続される構成とされている。第１端子２８１は、例えば、抵抗値が小さい、Ｃｕにより形成されている。
　一方、周辺領域８において、絶縁体２９には、第２端子２８２が配設されている。第２端子２８２は、発光素子３０の他方（具体的には、第１化合物半導体層３１）、又は発光装置１の外部に電気的に接続される構成とされている。
　第２端子２８２は、ここでは、遮光膜２６及び光吸収膜２７と同一導電層に形成され、かつ、同一導電性材料により形成されている。
（３）発光体領域３の構成
　図１及び図２に示されるように、発光体領域３は、基板領域２上であって、絶縁体２９上に配設された発光体３５を備えている。発光体３５は、ここでは、化合物半導体層から形成された発光素子３０を、発光素子３０の発光面の方向（矢印Ｘ方向及び矢印Ｙ方向）に沿って行列状に複数配列して構成されている。
　詳しく説明する。ここでは、図２に示されるように、発光素子３０は、平面視において、六角形状に形成されている。発光素子３０は、矢印Ｘ方向に配列されると共に、矢印Ｙ方向に対して矢印Ｘ方向側へ３０度傾いた方向（矢印Ｙ方向）に配列されている。発光素子３０は、光の三原色となる赤色光を発光させる発光素子３０（Ｒ）、青色光を発光させる発光素子３０（Ｂ）及び緑色光を発光させる発光素子３０（Ｇ）を備えている。
　発光素子３０（Ｒ）、発光素子３０（Ｂ）、発光素子３０（Ｇ）のそれぞれは、丁度、正三角形の各頂点に中心位置を一致させて配列されている。つまり、第１実施の形態では、発光素子３０（Ｒ）、発光素子３０（Ｂ）、発光素子３０（Ｇ）のそれぞれは、デルタ配列とされている。
　発光体３５は、更に発光面を除いて複数の発光素子３０の周囲に形成された絶縁体３４を備えている。絶縁体３４は、ＳｉＯ膜又はＳｉＮ膜を主組成として形成されている。
（３－１）発光素子３０の構成
　図３は、発光装置１を構築する発光素子３０の拡大断面構成の一例を表している。図４は、発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。図４は、図３に示されているＡ－Ａ切断線において切断し、矢印Ｚ方向とは反対方向から見た底面図である。
　なお、後述する第２実施の形態以降に使用される、図４に対応する底面図は、同様の位置において切断された底面図である。
　図１及び図３に示されるように、発光素子３０は、第１化合物半導体層３１と、第２化合物半導体層３２と、活性層３３とを備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されている。なお、図１、図３のそれぞれでは、発光素子３０の矢印Ｚ方向の向きは反対である。
　発光素子３０は、例えばＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を主組成として形成されている。第１化合物半導体層３１は、色変換領域４側であって、光出射側に配設されている。第１化合物半導体層３１は、例えばｎ型窒化ガリウム（ｎ－ＧａＮ）により形成されている。ここで、「ｎ型」は、本技術に係る「第１導電型」である。
　第２化合物半導体層３２は、基板領域２側に配設されている。第２化合物半導体層３２は、例えばｐ型窒化ガリウム（ｐ－ＧａＮ）により形成されている。ここで、「ｐ型」は、本技術に係る、第１導電型とは反対の「第２導電型」である。
　活性層３３は、第１化合物半導体層３１と第２化合物半導体層３２との間に配設されている。表現を代えれば、活性層３３は第１化合物半導体層３１に積層され、活性層３３の第１化合物半導体層３１とは反対側に第２化合物半導体層３２が積層されている。活性層３３は、光を発する発光層として形成されている。限定されるものではないが、第１実施の形態では、発光素子３０は、青色光を発光させている。
　１つの発光素子３０において、第１化合物半導体層３１の少なくとも一部、活性層３３及び第２化合物半導体層３２の断面形状は、メサ形状に形成されている。つまり、発光素子３０は、前述の通り、平面視において六角形状に形成され、矢印Ｙ方向に見て（以下、単に「側面視において」という。）メサ形状に形成されている。
　なお、発光素子３０の平面形状は、六角形状に限定されない。発光素子３０の平面形状は、例えば、円形状、矩形状等に形成されてもよい。
（３－２）透明電極３２１の構成
　発光素子３０において、第２化合物半導体層３２の基板領域２側の表面上には、透明電極３２１が配設されている。透明電極３２１は、第２化合物半導体層３２の実質的に表面全域において電気的に接続されている。透明電極３２１は、発光素子３０毎に形成され、平面視において第２化合物半導体層３２の平面形状と同一の平面形状に形成されている。透明電極３２１は、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）により形成されている。これにより、透明電極３２１は、第２化合物半導体層３２にオーミック接触により接続されている。
（３－３）第１反射層３６１の構成
　図１～図４に示されるように、複数の発光素子３０のそれぞれは、第１反射層３６１、第１電極３６３、絶縁体３６４、第２反射層３６２及び第２電極３７を備えている。
　最初に、第１反射層３６１から詳しく説明する。第１反射層３６１は、第２化合物半導体層３２の基板領域２側の全域に、透明電極３２１を介在し、第２化合物半導体層３２から離間して配設されている。表現を代えれば、第１反射層３６１は、透明電極３２１の基板領域２側の全域に、透明電極３２１から離間して配設されている。
　第１反射層３６１は、導電性を有し、かつ、例えば波長４００ｎｍの青色光に対して７５％以上の高い光反射率を有する金属材料により形成されている。つまり、第１反射層３６１は、発光素子３０の発光に必要な電流を第２化合物半導体層３２に供給し、かつ、活性層３３から発せられた光を確実に反射させる構成とされている。
　第１反射層３６１は、例えばＡｌ（好ましくは、ピュアＡｌ）により形成されている。Ａｌは、例えば７５ｎｍの厚さのとき、青色光に対して９２．５％の反射率を有する。また、青色光では、Ａｌの厚さが５０ｎｍ未満になると反射率が低下し始める。このため、第１反射層３６１の厚さは、例えば５０ｎｍ以上に形成され、製造上の観点から１００ｎｍ以下に形成されている。
　なお、第１反射層３６１は、Ａｌ以外にも、例えばＡｌ合金、Ａｇ及びＡｇ合金から選択される１以上の材料により形成されてもよい。
　ここで、発光素子３０では、活性層３３から発せられた光は、第２化合物半導体層３２を透過して第１反射層３６１に到達し、第１反射層３６１により反射される。反射された光は、第２化合物半導体層３２、活性層３３、第１化合物半導体層３１のそれぞれを透過して出射される。このため、第１反射層３６１の反射前後の光が干渉して減衰されることなく、逆に増幅され、最終的に光取出し効率を増幅させる厚さに、第２化合物半導体層３２の厚さが設定されている。
（３－４）第１電極３６３の構成
　第１電極３６３は、第２化合物半導体層３２と第１反射層３６１との間に配設されている。第１実施の形態では、第１電極３６３は、透明電極３２１と第１反射層３６１との間に配設されている。第１電極３６３は、第２化合物半導体層３２又は透明電極３２１、第１反射層３６１のそれぞれの一部を電気的に接続する構成とされている。
　第１電極３６３は、コンタクトメタルとして使用されている。第１反射層３６１と透明電極３２１との直接接続に対して、第１反射層３６１は第１電極３６３を介在させて透明電極３２１に接続されると、良好な電気的導通を得ることができる。
　第１電極３６３は、例えばＴｉ又はＴｉ合金により形成されている。第１電極３６３の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に形成されている。
　図４に示されるように、ここでは、第１電極３６３は、平面視において、１つの第１反射層３６１に対して、７個配設されている。詳しく説明すると、第１電極３６３の平面形状は円形状に形成されている。そして、第１電極３６３は、平面視において六角形状を有する第１反射層３６１の中央位置に１個配置され、第１反射層３６１の輪郭角部のそれぞれに対応する周辺位置に等間隔に６個配置されている。
　第１電極３６３の厚さ方向から見た合計７個の面積は、第１反射層３６１の同一方向から見た面積よりも小さい。具体的には、第１電極３６３の合計の面積は、第１反射層３６１の面積の１％以上３０％以下に形成されている。
　このような面積比率により第１電極３６３が形成されると、第１電極３６３による電圧降下が例えば１０ｍＶ以下に抑えられ、発光素子３０の駆動電流に影響を及ぼすことがない。また、第１電極３６３の反射率は、第１反射層３６１の反射率よりも低い。つまり、第１反射層３６１を覆う第１電極３６３の面積が小さいので、第１反射層３６１の反射に寄与する面積が増加し、光取り出し効率の減少は３０％以下に抑えられる。
　なお、第１電極３６３の平面形状は、円形状に限定されるものではない。第１電極３６３の平面形状は、楕円形状、三角形状、矩形状、五角形以上の多角形、スリット形状等に形成されてもよい。
（３－５）絶縁体３６４の構成
　図３に示されるように、絶縁体３６４は、第１反射層３６１と透明電極３２１との間において、第１電極３６３の周囲に配設されている。表現を代えれば、絶縁体３６４は、第１電極３６３を配設した領域を除いて、第１反射層３６１と透明電極３２１との間に配設されている。絶縁体３６４は、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有し、第１反射層３６１と透明電極３２１とを分離するバリア層として使用されている。
　絶縁体３６４は、例えば酸化アルミニウム（ＡｌＯ）又はＳｉＯにより形成されている。絶縁体３６４の厚さは、実効的に第１電極３６３の厚さと同一である。絶縁体３６４は、例えば原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜されている。
（３－５）第２反射層３６２の構成
　図１及び図３に示されるように、第２反射層３６２は、側面視において、第１化合物半導体層３１、活性層３３及び第２化合物半導体層３２のメサ形状の側面に沿って、かつ、この側面を取り囲んで配設されている。第２反射層３６２と第１化合物半導体層３１、活性層３３及び第２化合物半導体層３２との間には、絶縁体３４１が形成されている。絶縁体３４１は、例えばＳｉＯ又はＳｉＮにより形成されている。
　第２反射層３６２は、活性層３３から発せられる光及び第１反射層３６１から反射される光を第１化合物半導体層３１側へ反射させ、光取り出し効率を向上させる。
　第１実施の形態では、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に対して、同一層に形成され、かつ、同一材料により形成されている。さらに、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に連続的に形成され、一体に形成されている。
（３－６）第２電極３７の構成
　図１及び図３に示されるように、第１反射層３６１には、第２電極３７、プラグ配線３８、配線３９のそれぞれが順次配設されている。
　最初に、第２電極３７から説明する。第２電極３７は、第１反射層３６１の第２化合物半導体層３２とは反対側に形成されている。図３に示されるように、第２電極３７は、平面視及び側面視において、第１反射層３６１の全域に形成され、かつ、第１反射層３６１の面積よりも若干大きい面積に形成されている。第２電極３７は、第１反射層３６１、第１電極３６３、透明電極３２１のそれぞれを介在して第２化合物半導体層３２に電気的に接続されている。
　第１実施の形態において、第２電極３７は、バリアメタル層３７１、Ａｌ合金層３７２、バリアメタル層３７３のそれぞれを順次積層して形成されている。
　バリアメタル層３７１は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）により形成され、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　Ａｌ合金層３７２には、例えば、ＡｌにＣｕが添加されたＡｌＣｕ、又はＡｌにＳｉが添加されたＡｌＳｉが使用されている。Ｃｕの添加量は、例えば１％以上３％以下である。Ｓｉの添加量は、例えば１％以上５％以下である。Ａｌ合金層３７２は、例えば３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の厚さにより形成されている。
　バリアメタル層３７３は、バリアメタル層３７１と同様に、例えば、ＴｉＮにより形成され、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
（３－７）プラグ配線３８の構成
　プラグ配線３８の一端は第２電極３７に電気的に接続され、プラグ配線３８の他端は配線３９に電気的に接続されている。プラグ配線３８は、第１反射層３６１の中央位置に配設され、絶縁体３４を貫通して形成されている。
　プラグ配線３８は、例えばＷにより形成されている。
（３－８）配線３９の構成
　配線３９は、バリアメタル層３９１、Ａｌ合金層３９２、バリアメタル層３９３のそれぞれを順次積層して形成されている。
　バリアメタル層３９１は、バリアメタル層３７１と同様に、例えば、ＴｉＮにより形成されている。バリアメタル層３９１は、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　Ａｌ合金層３９２は、例えばＡｌＣｕ又はＡｌＳｉにより形成されている。Ａｌ合金層３９２は、例えば５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の厚さにより形成されている。
　バリアメタル層３９３は、バリアメタル層３７１と同様に、例えば、ＴｉＮにより形成され、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成されている。
　なお、配線３９のバリアメタル層３９１、バリアメタル層３９３のそれぞれは、ＴｉＮに代えて、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔｉのそれぞれを順次積層した複合膜により形成してもよい。この場合、Ｔｉは、例えば３０ｎｍ以下の厚さにより形成される。また、ＴｉＮは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の厚さに形成される。
　図１に示されるように、配線３９は、発光体領域３の第３端子３９０に接続されている。第３端子３９０は、絶縁体３４の基板領域２側の表面に形成されている。第３端子３９０は、前述の第１端子２８１と同様に、例えばＣｕにより形成されている。
　第３端子３９０は、第１端子２８１に接合され、第１端子２８１に電気的に接続されている。
（３－９）素子分離領域３００の構成
　また、図１に示されるように、発光素子３０とこれに隣接する発光素子３０との間には絶縁体３４が充填され、発光素子３０と絶縁体３４との間には第２反射層３６２が配設されている。この絶縁体３４及び第２反射層３６２は、隣接する発光素子３０間を光学的に分離する素子分離領域３００を構築している。
（３－１０）透明電極３１１の構成
　図１に示されるように、発光素子３０の第１化合物半導体層３１の第２化合物半導体層３２とは反対側には、透明電極３１１が配設されている。透明電極３１１は、第１化合物半導体層３１に電気的に接続されている。透明電極３１１は、前述の透明電極３２１と同様の材料により形成されている。
　また、透明電極３１１には、透明電極３１１を通して第１化合物半導体層３１に電流を供給する配線３１２が電気的に接続されている。配線３１２は、例えばＷにより形成されている。
（４）色変換領域４の構成
　図１に示されるように、色変換領域４は、色変換層４０と、第３反射層４０１と、隔壁４１とを備えている。
　色変換層４０は、発光素子３０の発光面上、つまり透明電極３１１上に符号省略の絶縁体を介して配設されている。色変換層４０は、発光素子３０毎に配設されている。色変換層４０は、発光素子３０から発せられる光を特定の色に変換する。ここでは、発光素子３０は、前述の通り、青色光を発光する構成とされている。このため、青色光を赤色光に変換する色変換層４０（Ｒ）、青色光を緑色光に変換する色変換層４０（Ｇ）、青色光をそのまま透過させる透明色の色変換層４０（Ｂ，Ｔ）が配設されている。色変換層４０は、例えば樹脂材料により形成されている。
　このように構成される第１実施の形態に係る発光装置１は、カラー発光装置として構築されている。さらに実用的には、発光装置１は、カラー画像表示装置、又はマイクロ発光装置（マイクロＬＥＤ）として構築されている。
　第３反射層４０１は、色変換層４０の側面周囲に沿って配設されている。第３反射層４０１は、発光素子３０から発せられる光及び色変換層４０から拡散される光を反射し、光取り出し効率を向上させている。第３反射層４０１は、例えば第１反射層３６１と同様の材料により形成されている。
　色変換領域４において、平面方向に隣接する色変換層４０間であって、隣接する第３反射層４０１の間には隔壁４１が形成されている。隔壁４１は、色変換層４０間を光学的に分離し、かつ、色変換層４０を保持する構成とされている。隔壁４１は、例えばＳｉＯ又はＳｉＮにより形成されている。
（５）フィルタ領域５の構成
　色変換領域４上には、フィルタ領域５が配設されている。ここでは、フィルタ領域５には、色変換領域４側から、分布反射層（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）５０、カラーフィルタ５１のそれぞれが順次積層されている。分布反射層５０は、特定色の光を反射する。カラーフィルタ５１は、特定色の光を吸収する。ここで、特定の発光色とは、例えば青色光である。
（６）光学系領域６の構成
　フィルタ領域５上には、光学系領域６が配設されている。光学系領域６にはオンチップレンズ６０が配設されている。オンチップレンズ６０では、発光素子３０毎に配置された複数の光学レンズが一体に形成されている。光学レンズは、光出射方向に突出し湾曲する断面形状に形成されている。オンチップレンズ６０は、例えば樹脂材料又は無機材料により形成されている。
［発光装置１の製造方法］
　次に、第１実施の形態に係る発光装置１の製造方法を簡潔に説明する。
　図５～図１２は、第１実施の形態に係る発光装置１の製造方法を工程毎に説明する一例の断面を表している。
　まず、支持基板９０が準備される（図５参照）。支持基板９０には、例えばサファイヤ基板が使用されている。支持基板９０上に、第１化合物半導体層（ｎ－ＧａＮ）３１、活性層３３、第２化合物半導体層（ｐ－ＧａＮ）３２のそれぞれが順次形成される（図５参照）。引き続き、第２化合物半導体層３２上に透明電極３２１が形成される（図５参照）。
　図５に示されるように、透明電極３２１上にマスク９０１が形成される。マスク９０１は、メサ形状を形成するエッチングマスクとして使用される。マスク９０１は、例えばＳｉＯ、ＳｉＮ等の単層膜、又はそれらを含む複合膜により形成されている。
　図６に示されるように、マスク９０１を用いて、透明電極３２１、第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１がエッチングされる。このエッチングにより、透明電極３２１、第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１はメサ形状に形成される。エッチングには、例えばドライエッチングが使用される。この後、マスク９０１が除去される。
　図７に示されるように、メサ形状の上面及び側面に沿って絶縁体３４１が形成される。絶縁体３４１は、例えば化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成される。
　次に、メサ形状の上面において、絶縁体３４１の一部に開口３４１Ｈが形成され、透明電極３２１の表面が露出される（図８参照）。開口３４１Ｈは、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成される。
　引き続き、開口３４１Ｈ内において、透明電極３２１上に絶縁体３６４が形成される（図９及び図３参照）。絶縁体３６４は、前述の通り、例えばＡｌＯ又はＳｉＯにより形成される。絶縁体３６４は、例えばＡＬＤ法により成膜される。
　次に、絶縁体３６４において、第１電極３６３の形成領域に開口３６４Ｈが形成され、透明電極３２１の表面が露出される（図９及び図３参照）。開口３６４Ｈは、例えばフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成される。
　図８に示されるように、開口３４１Ｈ内において、開口３６４Ｈを通して透明電極３２１の表面の一部に電気的に接続される第１電極３６３が形成される。第１電極３６３は、前述の通り、例えばＴｉ又はＴｉ合金により形成される。第１電極３６３は、例えばスパッタリング法を用いて成膜され、この後にエッチング技術を用いてパターンニングを行い、所定の形状に形成される。
　なお、図８～図１２では、断面形状を簡略化するために、１つの第１電極３６３が示されているが、前述の図４に示されるように、第１電極３６３は、第１実施の形態において７個配設されている。
　図９に示されるように、開口３４１Ｈ内の第１電極３６３上及び絶縁体３６４上に第１反射層３６１が形成される。そして、第１反射層３６１と同一製造工程において、メサ形状の側壁に沿って絶縁体３４１上に第２反射層３６２が形成される。第１反射層３６１及び第２反射層３６２は、例えば、ＣＶＤ法を用いて成膜されたＡｌにより形成される。
　図１０に示されるように、第１反射層３６１上に第２電極３７が形成される。第２電極３７は、前述の通り、バリアメタル層３７１、Ａｌ合金層３７２、バリアメタル層３７３のそれぞれを順次積層して形成される。これらは、例えばスパッタリング法を用いて成膜され、成膜後にエッチング技術を用いてパターンニングを行う。
　図１１に示されるように、第２電極３７を埋設する絶縁体３４が形成される。そして、絶縁体３４にプラグ配線３８が形成され、図１２に示されるように、絶縁体３４上に配線３９が形成される。
　これらの工程が終了すると、実質的に発光素子３０が完成する。この後、前述の図１に示されるように、発光素子３０には第３端子３９０が形成される。そして、発光素子３０は、基板領域２を接合した後、支持基板９０から剥離される。剥離後は、色変換領域４、フィルタ領域５、光学系領域６のそれぞれが順次形成され、第１実施の形態に係る発光装置１が完成する。
［作用効果］
　第１実施の形態に係る発光装置１は、図１、図３及び図４に示されるように、第１化合物半導体層３１と、活性層３３と、第２化合物半導体層３２と、第１反射層３６１と、第１電極３６３とを備える。
　第１化合物半導体層３１は、第１導電型を有する。活性層３３は、第１化合物半導体層３１に積層される。第２化合物半導体層３２は、活性層３３の第１化合物半導体層３１とは反対側に積層され、第１導電型とは反対の第２導電型を有する。
　第１反射層３６１は、第２化合物半導体層３２の活性層３３とは反対側の表面に離間して配設され、活性層３３から発せられる光を反射させる。そして、第１電極３６３は、第２化合物半導体層３２と第１反射層３６１との間に配設され、第２化合物半導体層３２、第１反射層３６１のそれぞれの一部を電気的に接続する。
　このように構成される発光装置１では、第２化合物半導体層３２の表面に第１反射層３６１が配設されているので、活性層３３から発せられた光の駆動回路２１側への漏れを効果的に抑制又は防止することができる。特に、第２化合物半導体層３２の表面の全域にわたって第１反射層３６１が配設されているので、光漏れが皆無となる。そして、第１反射層３６１は、光を効率良く反射させることができるので、発光装置１の光取り出し効率を向上させることができる。
　光取り出し効率を向上させることができる結果、発光素子３０の更なる微細化が進展しても、画像表示装置としての画質を向上させることができる。
　さらに、第１反射層３６１は第１電極３６３を介在させて第２化合物半導体層３２に接続されているので、第１反射層３６１側からの電流の供給が良好となり、発光素子３０の発光効率を向上させることができる。
　加えて、第１電極３６３は、第１反射層３６１、第２化合物半導体層３２のそれぞれの一部に電気的に接続されているので、第１反射層３６１の反射面積を十分に確保することができる。このため、発光装置１は、更なる光取り出し効率を向上させることができる。
　また、第１反射層３６１により駆動回路２１側への光漏れを遮断することができるので、光漏れに起因する駆動回路２１の誤動作を効果的に抑制又は防止するこができる。このため、発光装置１の動作信頼性を向上させることができる。
　また、発光装置１では、図１～図４に示されるように、第１反射層３６１は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ及びＡｇ合金から選択される１以上の材料である。
　例えば、第１反射層３６１の厚さが７５ｎｍのとき、４００ｎｍの波長を有する青色光の反射率は、Ａｌの場合には９２．５％、Ａｌ合金（ＡｌＣｕ）の場合には９１．５％、Ａｇの場合には８６．２％、Ａｇ合金の場合には８４．０％である。つまり、第１反射層３６１の反射率は７５％以上とされるので、発光装置１の光取り出し効率を更に向上させることができる。
　また、発光装置１では、特に図３に示されるように、第２化合物半導体層３２と第１電極３６３との間に透明電極３２１を更に備え、第１電極３６３は、透明電極３２１を介在させて、第２化合物半導体層３２に電気的に接続される。
　このため、第２化合物半導体層３２と透明電極３２１との良好な電気的接続が得られるので、結果として、第１反射層３６１と第２化合物半導体層３２との良好な電気的接続が得られる。
　また、発光装置１では、特に図３に示されるように、第１電極３６３は、Ｔｉ又はＴｉ合金である。このため、第１反射層３６１と透明電極３２１との良好な電気的接続が得られる。
　また、発光装置１では、図３及び図４に示されるように、第１電極３６３の厚さ方向から見た合計の面積は、第１反射層３６１の同一方向から見た面積よりも小さい。詳細には、第１電極３６３の合計の面積は、第１反射層３６１の面積の１％以上３０％以下である。
　このような面積比率により第１電極３６３が形成されると、第１電極３６３による電圧降下が抑えられ、発光素子３０の駆動電流に影響を及ぼすことがない。加えて、第１反射層３６１を覆う第１電極３６３の面積が小さくなり、第１反射層３６１の反射面積を増加させることができるので、光取り出し効率を向上させることができる。
　また、発光装置１は、特に図３に示されるように、第２化合物半導体層３２と第１反射層との間、詳細には、第１電極３６３の領域を除く、透明電極３２１と第１反射層３６１との間に絶縁体３６４を備える。絶縁体３６４は、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有する。
　このため、透明電極３２１に起因する第１反射層３６１の組成変化を効果的に抑制又は防止することができるので、第１反射層３６１の反射率を維持し、光取り出し効率を向上させることができる。
　また、発光装置１では、特に図３に示されるように、第２化合物半導体層３２は、光取出し効率を増幅させる厚さに形成される。つまり、活性層３３から第１化合物半導体層３１側へ発せられる光が、第１反射層３６１により反射されて活性層３３に至る光により減衰されない、適切な厚さに第２化合物半導体層３２が形成される。
　このように構成される発光装置１では、光取り出し効率を向上させることができる。
　また、発光装置１では、特に図３に示されるように、第１化合物半導体層３１の少なくとも一部、活性層３３及び第２化合物半導体層３２は、メサ形状を有する。そして、発光装置１では、メサ形状の側面に沿って第２反射層３６２が配設されている。第２反射層３６２は、活性層３３から発せられる光及び第１反射層３６１から反射される光を第１化合物半導体層３１側へ反射させる。
　このため、発光装置１では、第２反射層３６２により効率良く光を取り出すことができるので、更に光取り出し効率を向上させることができる。
　また、発光装置１では、特に図３に示されるように、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に対して、同一層に形成され、かつ、同一材料により形成される。加えて、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に一体に形成される。
　このため、発光装置１の構造の簡素化を実現することができる。
　加えて、発光装置１の製造方法では、図９に示されるように、第１反射層３６１と第２反射層３６２とが同一工程により形成される。
　このため、本来必要とされる第１反射層３６１を形成する工程及び第２反射層３６２を形成する工程の一方を省略することができるので、発光装置１の製造方法において製造工程数を削減することができる。
　さらに、発光装置１は、図１及び図３に示されるように、第２電極３７を備える。第２電極３７は、第１反射層３６１の第２化合物半導体層３２とは反対側に配設される。そして、第２電極３７は、バリアメタル層３７１、Ａｌ合金層３７２、バリアメタル層３７３のそれぞれを順次積層して形成される。このように構成される第２電極３７では、電極としての電気的な信頼性を向上させることができる。
＜２．第２実施の形態＞
　図１３～図１５を用いて、本開示の第２実施の形態に係る発光装置１を説明する。なお、第２実施の形態並びにこれ以降の実施の形態において、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一の構成要素、又は実質的に同一の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
［発光装置１の構成］
　図１３は、第２実施の形態に係る発光装置１において発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。
　図１３に示されるように、発光装置１では、平面視において、発光素子３０の第１反射層３６１の中央位置に、１個の第１電極３６３が配設されている。第１電極３６３の第１反射層３６１に対する合計の面積比率は、第１実施の形態に係る発光装置１の面積比率と同一である。また、第１電極３６３の平面形状は、第１実施の形態に係る発光装置１の第１電極３６３の平面形状と同一である。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
［作用効果］
　第２実施の形態に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
［第１変形例］
　図１４は、第２実施の形態の第１変形例に係る発光装置１において発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。
　図１４に示されるように、第１変形例に係る発光装置１では、矢印Ｘ方向に２個、矢印Ｙ方向に２個、合計４個の第１電極３６３が、第１反射層３６１に配設されている。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
［作用効果］
　第１変形例に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
［第２変形例］
　図１５は、第２実施の形態の第２変形例に係る発光装置１において発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。
　図１５に示されるように、第２変形例に係る発光装置１では、第１電極３６３は、平面視において六角形状を有する第１反射層３６１の輪郭角部のそれぞれに対応する周辺位置に等間隔に６個配置されている。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
［作用効果］
　第２変形例に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
＜３．第３実施の形態＞
　図１６及び図１７を用いて、本開示の第３実施の形態に係る発光装置１を説明する。
　図１６は、第３実施の形態に係る発光装置１を構築する発光素子３０の拡大断面構成の一例を表している。図１７は、発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。
［発光装置１の構成］
　図１６及び図１７に示されるように、第３実施の形態に係る発光装置１では、発光素子３０の第２化合物半導体層３２と第１反射層３６１との間に透明電極３２１（図３参照）が配設されていない。第１反射層３６１は、第１電極３６３を介在させて、第２化合物半導体層３２に直接接続されている。
　透明電極３２１が配設されていないので、第１電極３６３は、例えばＮｉ、Ｐｄ又はＣｒにより形成されている。これらの材料は、第２化合物半導体層３２に対して、低抵抗において電気的に接続可能な材料である。つまり、第１電極３６３は、第２化合物半導体層３２に対して、良好な電気的導通を実現している。
　図１７に示されるように、第１電極３６３は、第１実施の形態に係る発光装置１の図４に示される第１電極３６３と同様の配列並び個数に形成されている。なお、第１電極３６３は、第２実施の形態に係る発光装置１の図１３、図１４、図１５のそれぞれに示す第１電極３６３と同様の配列並びに個数に形成されてもよい。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
［作用効果］
　第３実施の形態に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
＜４．第４実施の形態＞
　図１８及び図１９を用いて、本開示の第４実施の形態に係る発光装置１を説明する。
　図１８は、第４実施の形態に係る発光装置１を構築する発光素子３０の拡大断面構成の一例を表している。図１９は、発光素子３０の第１反射層３６１及び第１電極３６３の構成の一例を表している。
［発光装置１の構成］
　図１８及び図１９に示されるように、第４実施の形態に係る発光装置１では、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に対して、電気的に分離されている。詳しく説明すると、第２反射層３６２と第１反射層３６１との間には絶縁体３４２が形成されている。第２反射層３６２は、電気的にフローティング状態とされている。
　第２反射層３６２は、前述の第１実施の形態に係る発光装置１の第２反射層３６２と同様に、第１反射層３６１に対して同一層に形成され、かつ、同一材料により形成されている。また、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に対して、別層に形成され、かつ、異なる材料により形成されてもよい。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
［作用効果］
　第４実施の形態に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
　また、発光装置１では、図１８に示されるように、第２反射層３６２は、第１反射層３６１に対して、電気的に分離されている。このような構成により、第１反射層３６１から第２化合物半導体層３２に至る電流経路に、第２化合物半導体層３２、活性層３３及び第１化合物半導体層３１を一方の電極、絶縁体３４１を誘電体、第２反射層３６２を他方の電極とする寄生容量が付加されない。このため、発光素子３０の駆動動作速度の高速化を実現することができる。
＜５．第５実施の形態＞
　図２０を用いて、本開示の第５実施の形態に係る発光装置１を説明する。
　図２０は、第５実施の形態に係る発光装置１を構築する発光素子３０の拡大断面構成の一例を表している。
［発光装置１の構成］
　図２０に示されるように、第５実施の形態に係る発光装置１では、第１実施の形態に係る発光装置１と同様に、第１反射層３６１に第２電極３７が配設されている。第２電極３７は、第１実施の形態に係る発光装置１の第２電極３７とは異なり、バリアメタル層の単層により形成されている。バリアメタル層としては、例えばＴｉＮが使用されている。
　上記以外の構成要素は、第１実施の形態に係る発光装置１の構成要素と同一であるので、ここでの説明は省略する。
　なお、第５実施の形態では、第１反射層３６１は、若干の反射率の低下はあるものの、Ａｌ合金により形成されてもよい。Ａｌ合金としては、例えばＡｌＣｕを実用的に使用することができる。
［作用効果］
　第５実施の形態に係る発光装置１によれば、第１実施の形態に係る発光装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
　また、発光装置１では、図２０に示されるように、第２電極３７が単層のバリアメタル層により形成されるので、構造の簡素化を実現することができる。
＜６．移動体への応用例＞
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図２１は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図２１に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図２１の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図２２は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図２２では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図２２には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、より簡易な構成の撮像部１２０３１を実現できる。
＜７．その他の実施の形態＞
　本技術は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内において、種々変更可能である。例えば、上記２以上の実施の形態を組み合わせることができる。
　本開示の第１実施態様に係る発光装置では、第２化合物半導体層に第１反射層が配設されるので、活性層から発せられた光漏れを効果的に抑制又は防止することができる。このため、第１反射層は、光を効率良く反射させることができるので、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
　さらに、発光装置では、第１電極は、第１反射層、第２化合物半導体層のそれぞれの一部に電気的に接続されているので、第１反射層の反射面積を十分に確保し、更なる光取り出し効率を向上させることができる。
　本開示の第２実施態様に係る発光装置は、第１実施態様に係る発光装置において、絶縁体を更に備える。絶縁体は、第２化合物半導体層と第１反射層との間、詳しくは透明電極と第１反射層との間に配設され、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有する。
　このため、透明電極に起因する第１反射層の組成変化を効果的に抑制又は防止することができるので、第１反射層の反射率を維持し、光取り出し効率を向上させることができる。
　本開示の第３実施態様に係る発光装置は、第１実施態様又は第２実施態様に係る発光装置において、第１化合物半導体層の少なくとも一部、活性層及び第２化合物半導体層のメサ形状の側面に沿って第２反射層を備える。第２反射層は、活性層から発せられる光及び第１反射層から反射される光を第１化合物半導体層側へ反射させる。
　このため、発光装置では、第２反射層により効率良く光を取り出すことができるので、更に光取り出し効率を向上させることができる。
　本開示の第４実施態様に係る発光装置は、第１実施態様～第３実施態様のいずれかに係る発光装置において、第１反射層の第２化合物半導体層とは反対側に、第２電極を更に備える。第２電極は、バリアメタル層、Ａｌ合金、バリアメタル層のそれぞれを順次積層して形成される。
　このため、発光装置では、第２電極としての電気的信頼性を向上させることができる。
＜本技術の構成＞
　本技術は、以下の構成を備えている。本技術の以下の構成によれば、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
（１）
　第１導電型の第１化合物半導体層と、
　前記第１化合物半導体層に積層された活性層と、
　前記活性層の前記第１化合物半導体層とは反対側に積層され、第１導電型とは反対の第２導電型の第２化合物半導体層と、
　前記第２化合物半導体層の前記活性層とは反対側の表面に離間して配設され、前記活性層から発せられる光を反射させる第１反射層と、
　前記第２化合物半導体層と前記第１反射層との間に配設され、前記第２化合物半導体層、前記第１反射層のそれぞれの一部を電気的に接続する第１電極と、
　を備えている発光装置。
（２）
　前記第１反射層は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ及びＡｇ合金から選択される１以上の材料である
　前記（１）に記載の発光装置。
（３）
　前記第２化合物半導体層と前記第１電極との間に透明電極を更に備え、
　前記第１電極は、透明電極を介在させて、前記第２化合物半導体層に電気的に接続されている
　前記（１）又は前記（２）に記載の発光装置。
（４）
　前記第１電極は、Ｔｉ又はＴｉ合金である
　前記（３）に記載の発光装置。
（５）
　前記第１電極は、Ｎｉ、Ｐｄ又はＣｒである
　前記（２）に記載の発光装置。
（６）
　前記第１電極は、１又は複数配設されている
　前記（１）から前記（５）のいずれか１つに記載の発光装置。
（７）
　前記第１電極の厚さ方向から見た合計の面積は、前記第１反射層の同一方向から見た面積よりも小さい
　前記（６）に記載の発光装置。
（８）
　前記第１電極の合計の面積は、前記第１反射層の面積の１％以上３０％以下である
　前記（６）又は前記（７）に記載の発光装置。
（９）
　前記第１反射層は、青色光に対して、７５％以上の反射率を有する
　前記（１）から前記（８）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１０）
　前記第２化合物半導体層と前記第１反射層との間に配設され、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有する絶縁体を更に備えている
　前記（１）から前記（９）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１１）
　前記絶縁体は、ＡｌＯ、ＳｉＯ又はＳｉＮである
　前記（１０）に記載の発光装置。
（１２）
　前記第２化合物半導体層は、光取出し効率を増幅させる厚さに形成されている
　前記（１）から前記（１１）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１３）
　前記第１化合物半導体層の少なくとも一部、前記活性層及び前記第２化合物半導体層は、メサ形状を有し、
　前記メサ形状の側面に沿って配設され、前記活性層から発せられる光及び前記第１反射層から反射される光を前記第１化合物半導体層側へ反射させる第２反射層を更に備えている
　前記（１）から前記（１１）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１４）
　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、同一層に形成され、かつ、同一材料である
　前記（１３）に記載の発光装置。
（１５）
　前記第２反射層は、前記第１反射層に一体に形成されている
　前記（１３）又は前記（１４）に記載の発光装置。
（１６）
　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、電気的に分離されている
　前記（１３）に記載の発光装置。
（１７）
　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、異なる材料である
　前記（１６）に記載の発光装置。
（１８）
　前記第１反射層の前記第２化合物半導体層とは反対側に、バリアメタル層、Ａｌ合金層、バリアメタル層のそれぞれが順次積層された第２電極を更に備えている
　前記（１）から前記（１７）のいずれか１つに記載の発光装置。
（１９）
　前記第２電極にプラグ配線を介在させて電気的に接続された配線を更に備えている
　前記（１８）に記載の発光装置。
（２０）
　前記第１化合物半導体層、前記活性層及び前記第２化合物半導体層は、発光素子を構成し、
　前記発光素子は、複数配列されてマイクロ発光装置を構築している
　前記（１）から前記（１９）のいずれか１つに記載の発光装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０２２年８月１９日に出願された日本特許出願番号２０２２－１３１１０３号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (20)

  1. 　第１導電型の第１化合物半導体層と、
    　前記第１化合物半導体層に積層された活性層と、
    　前記活性層の前記第１化合物半導体層とは反対側に積層され、第１導電型とは反対の第２導電型の第２化合物半導体層と、
    　前記第２化合物半導体層の前記活性層とは反対側の表面に離間して配設され、前記活性層から発せられる光を反射させる第１反射層と、
    　前記第２化合物半導体層と前記第１反射層との間に配設され、前記第２化合物半導体層、前記第１反射層のそれぞれの一部を電気的に接続する第１電極と、
    　を備えている発光装置。
  2. 　前記第１反射層は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ及びＡｇ合金から選択される１以上の材料である
    　請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記第２化合物半導体層と前記第１電極との間に透明電極を更に備え、
    　前記第１電極は、透明電極を介在させて、前記第２化合物半導体層に電気的に接続されている
    　請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記第１電極は、Ｔｉ又はＴｉ合金である
    　請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記第１電極は、Ｎｉ、Ｐｄ又はＣｒである
    　請求項２に記載の発光装置。
  6. 　前記第１電極は、１又は複数配設されている
    　請求項１に記載の発光装置。
  7. 　前記第１電極の厚さ方向から見た合計の面積は、前記第１反射層の同一方向から見た面積よりも小さい
    　請求項６に記載の発光装置。
  8. 　前記第１電極の合計の面積は、前記第１反射層の面積の１％以上３０％以下である
    　請求項７に記載の発光装置。
  9. 　前記第１反射層は、青色光に対して、７５％以上の反射率を有する
    　請求項１に記載の発光装置。
  10. 　前記第２化合物半導体層と前記第１反射層との間に配設され、光透過性を有し、かつ、絶縁性を有する絶縁体を更に備えている
    　請求項１に記載の発光装置。
  11. 　前記絶縁体は、ＡｌＯ、ＳｉＯ又はＳｉＮである
    　請求項１０に記載の発光装置。
  12. 　前記第２化合物半導体層は、光取出し効率を増幅させる厚さに形成されている
    　請求項１に記載の発光装置。
  13. 　前記第１化合物半導体層の少なくとも一部、前記活性層及び前記第２化合物半導体層は、メサ形状を有し、
    　前記メサ形状の側面に沿って配設され、前記活性層から発せられる光及び前記第１反射層から反射される光を前記第１化合物半導体層側へ反射させる第２反射層を更に備えている
    　請求項１に記載の発光装置。
  14. 　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、同一層に形成され、かつ、同一材料である
    　請求項１３に記載の発光装置。
  15. 　前記第２反射層は、前記第１反射層に一体に形成されている
    　請求項１３に記載の発光装置。
  16. 　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、電気的に分離されている
    　請求項１３に記載の発光装置。
  17. 　前記第２反射層は、前記第１反射層に対して、異なる材料である
    　請求項１６に記載の発光装置。
  18. 　前記第１反射層の前記第２化合物半導体層とは反対側に、バリアメタル層、Ａｌ合金層、バリアメタル層のそれぞれが順次積層された第２電極を更に備えている
    　請求項１に記載の発光装置。
  19. 　前記第２電極にプラグ配線を介在させて電気的に接続された配線を更に備えている
    　請求項１８に記載の発光装置。
  20. 　前記第１化合物半導体層、前記活性層及び前記第２化合物半導体層は、発光素子を構成し、
    　前記発光素子は、複数配列されてマイクロ発光装置を構築している
    　請求項１に記載の発光装置。
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