WO2024014167A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024014167A1
WO2024014167A1 PCT/JP2023/020538 JP2023020538W WO2024014167A1 WO 2024014167 A1 WO2024014167 A1 WO 2024014167A1 JP 2023020538 W JP2023020538 W JP 2023020538W WO 2024014167 A1 WO2024014167 A1 WO 2024014167A1
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idt electrode
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intermediate layer
wave device
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洋夢 奥永
英樹 岩本
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 listed below discloses an example of a plate-type waveguide device as an elastic wave device.
  • IDTs Interdigital Transducers
  • IDTs are provided on both sides of a piezoelectric layer. Both IDTs are covered by a slow wave propagation layer.
  • An object of the present invention is to provide an acoustic wave device in which peeling does not easily occur between an IDT electrode and a layer covering the IDT electrode.
  • An elastic wave device includes a support substrate, an intermediate layer provided on the support substrate, and a first main surface provided on the intermediate layer and located on the intermediate layer side. , and a piezoelectric layer having a second main surface facing the first main surface, and a piezoelectric layer provided on the first main surface of the piezoelectric layer and embedded in the intermediate layer.
  • first IDT electrode and a second IDT electrode provided on the second main surface of the piezoelectric layer, the first IDT electrode having a plurality of electrode fingers, and each of the electrodes
  • Each finger includes a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the electrode finger, and a side surface connected to the first surface and the second surface, and
  • the side surface of the electrode finger in one IDT electrode has a first portion and a second portion, and in at least one electrode finger, the electrode of the first portion and the second portion has a first portion and a second portion. The angles at which they are inclined relative to the thickness direction of the finger are different from each other.
  • peeling is unlikely to occur between the IDT electrode and the layer covering the IDT electrode.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a bottom view showing the electrode structure on the first main surface of the piezoelectric layer in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of a first IDT electrode and a second IDT electrode in an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a bottom view showing the electrode structure on the first main surface of the piezoelectric layer in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the
  • FIG. 5 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of a first IDT electrode and a second IDT electrode in an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in an acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in an acoustic wave device according to a modification of the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing impedance frequency characteristics in the first embodiment and the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of a first IDT electrode and a second IDT electrode in an acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an elastic wave device according to a modification of the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 has a support substrate 3, an intermediate layer 4, and a piezoelectric layer 5.
  • the intermediate layer 4 is a laminate. More specifically, the intermediate layer 4 has a first layer 4A and a second layer 4B. A first layer 4A of the intermediate layer 4 is provided on the support substrate 3. A second layer 4B is provided on the first layer 4A. A piezoelectric layer 5 is provided on the second layer 4B. Note that the intermediate layer 4 may be a single dielectric layer or the like.
  • the piezoelectric layer 5 has a first main surface 5a and a second main surface 5b.
  • the first main surface 5a and the second main surface 5b are opposed to each other.
  • the first main surface 5a is located on the intermediate layer 4 side.
  • a first IDT electrode 7 is provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer 4 .
  • a second IDT electrode 27 is provided on the second main surface 5b of the piezoelectric layer 5.
  • FIG. 2 is a bottom view showing the electrode structure on the first main surface of the piezoelectric layer in the first embodiment. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view taken along line II in FIG. 2.
  • the first IDT electrode 7 has a pair of bus bars, a plurality of first electrode fingers 18 and a plurality of second electrode fingers 19.
  • the pair of busbars is a first busbar 16 and a second busbar 17.
  • the first bus bar 16 and the second bus bar 17 are opposed to each other.
  • One end of a plurality of first electrode fingers 18 is connected to the first bus bar 16, respectively.
  • One end of a plurality of second electrode fingers 19 is connected to the second bus bar 17, respectively.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of second electrode fingers 19 are inserted into each other.
  • the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19 are connected to different potentials.
  • the second IDT electrode 27 shown in FIG. 1 also has a pair of bus bars, a plurality of third electrode fingers 28, and a plurality of fourth electrode fingers 29.
  • the pair of bus bars of the second IDT electrode 27 is a third bus bar and a fourth bus bar.
  • the third bus bar and the fourth bus bar face each other.
  • One end of the plurality of third electrode fingers 28 is each connected to the third bus bar.
  • One end of the plurality of fourth electrode fingers 29 is each connected to the fourth bus bar.
  • the plurality of third electrode fingers 28 and the plurality of fourth electrode fingers 29 are inserted into each other.
  • the third electrode finger 28 and the fourth electrode finger 29 are connected to different potentials.
  • the first electrode finger 18, the second electrode finger 19, the third electrode finger 28, and the fourth electrode finger 29 may be simply referred to as electrode fingers.
  • the direction in which a plurality of electrode fingers extend is defined as an electrode finger extension direction.
  • the extending directions of the electrode fingers of the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 27 are parallel.
  • a pair of reflectors 15A and 15B are provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5.
  • the reflector 15A and the reflector 15B face each other with the first IDT electrode 7 in between in a direction perpendicular to the direction in which the electrode fingers extend.
  • a pair of reflectors 25A and 25B are provided on the second main surface 5b.
  • the reflector 25A and the reflector 25B face each other with the second IDT electrode 27 in between in a direction perpendicular to the electrode finger extending direction.
  • the first IDT electrode 7, reflector 15A, and reflector 15B are formed by laminating a Pt layer and an Al layer in this order from the piezoelectric layer 5 side.
  • the second IDT electrode 27, reflector 25A, and reflector 25B are made of an Al layer.
  • the materials and number of layers of the first IDT electrode 7, the second IDT electrode 27, and each reflector are not limited to the above.
  • the first IDT electrode 7, the reflector 15A, and the reflector 15B may be made of, for example, a laminated metal film of three or more layers, or may be made of a single-layer metal film.
  • the second IDT electrode 27, reflector 25A, and reflector 25B may be made of a laminated metal film.
  • FIG. 3 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • Each electrode finger of the first IDT electrode 7 includes a first surface 7a, a second surface 7b, and a side surface 7c.
  • the first surface 7a and the second surface 7b face each other in the thickness direction of each electrode finger.
  • the first surface 7a is located on the piezoelectric layer 5 side.
  • the side surface 7c is a surface connecting the first surface 7a and the second surface 7b.
  • the side surface 7c of each electrode finger has a first portion 7d and a second portion 7e. More specifically, the first portion 7d and the second portion 7e are lined up in the thickness direction of each electrode finger. Of the first portion 7d and the second portion 7e, the first portion 7d is located on the piezoelectric layer 5 side.
  • the end of the first portion 7d on the support substrate 3 side is connected to the end of the second portion 7e on the piezoelectric layer 5 side.
  • the first portion 7d of the side surface 7c is a side surface of the Pt layer
  • the second portion 7e is a side surface of the Al layer.
  • the angle ⁇ at which the side surface 7c of the electrode finger is inclined with respect to the thickness direction of the electrode finger is defined as the inclination angle.
  • the inclination angle is assumed to be a positive value.
  • the angle of inclination is assumed to be a negative value.
  • the width of the electrode finger is the dimension of the electrode finger along the direction perpendicular to the extending direction of the electrode finger. In the first IDT electrode 7 of the acoustic wave device 1, the side surface 7c of each electrode finger is inclined such that the width of the electrode finger becomes narrower as the distance from the piezoelectric layer 5 increases.
  • the feature of this embodiment is that in the first IDT electrode 7 embedded in the intermediate layer 4, the side surface 7c of each electrode finger has a first portion 7d and a second portion 7e, and the first portion The reason is that the inclination angles of the second portion 7d and the second portion 7e are different from each other.
  • the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e may be different from each other.
  • the first IDT electrode 7 can be formed, for example, by a lift-off method using a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like. At this time, by making the film forming speed for forming the portion including the first portion 7d of each electrode finger different from the film forming speed for forming the portion including the second portion 7e, The first portion 7d and the second portion 7e can have different inclination angles.
  • the method for forming the first IDT electrode 7 is not limited to the above.
  • the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e may be made different from each other by etching or the like.
  • the area where adjacent electrode fingers overlap when viewed from a direction perpendicular to the direction in which the electrode fingers extend is an intersection area C.
  • the second IDT electrode 27 also has an intersection region.
  • planar view refers to viewing from a direction corresponding to the upper side in FIG.
  • the piezoelectric layer 5 is located above.
  • the centers of the plurality of electrode fingers in the intersection region C of the first IDT electrode 7 and the centers of the plurality of electrode fingers in the intersection region of the second IDT electrode 27 overlap in plan view.
  • the two intersection regions overlap in plan view within an error range that does not significantly affect the electrical characteristics of the acoustic wave device. Therefore, the deviation due to manufacturing variations is included in the fact that both intersecting regions overlap in plan view.
  • the electrode finger pitch of the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 27 is the same. Note that the electrode finger pitch is the distance between the centers of adjacent electrode fingers. In this specification, the term “the electrode finger pitches are the same” also includes the electrode finger pitches being different within an error range that does not significantly affect the electrical characteristics of the acoustic wave device.
  • the third electrode finger 28 of the second IDT electrode 27 shown in FIG. connected to.
  • the fourth electrode finger 29 is connected to the same potential as the other of the first electrode finger 18 and the second electrode finger 19.
  • the potentials of the overlapping electrode fingers in plan view are in phase.
  • the relationship between the potentials of the electrode fingers of the first IDT electrode 7 and the electrode fingers of the second IDT electrode 27 is not limited to the above.
  • the potentials of at least one pair of electrode fingers among a plurality of pairs of electrode fingers overlapping in plan view may be in phase.
  • each reflector 15A, the reflector 15B, the reflector 25A, and the reflector 25B may be the same potential as the first electrode finger 18 of the first IDT electrode 7, and the same potential as the second electrode finger 19. It may be.
  • each reflector may be a floating electrode.
  • a floating electrode is an electrode that is not connected to a signal potential or a ground potential.
  • silicon is used as the material for the support substrate 3.
  • the material of the support substrate 3 is not limited to the above, and includes, for example, aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric materials such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, Ceramics such as mullite, steatite, and forsterite, dielectrics such as diamond and glass, semiconductors such as silicon and gallium nitride, resins, or materials containing the above-mentioned materials as main components can be used.
  • main component refers to a component that accounts for more than 50 wt% in a member.
  • the above-mentioned main component material may exist in any one of single crystal, polycrystal, and amorphous state, or in a mixed state of these.
  • Silicon nitride is used as the material for the first layer 4A of the intermediate layer 4.
  • the material of the first layer 4A is not limited to the above, and includes, for example, aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, piezoelectric material such as crystal, alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, and Ceramics such as light, mullite, steatite, forsterite, spinel, and sialon; dielectrics such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), and diamond; semiconductors such as silicon; Materials that can be used can be used.
  • the spinel includes an aluminum compound containing oxygen and one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc.
  • the spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 and MnAl 2 O 4 .
  • Silicon oxide is used as the material for the second layer 4B of the intermediate layer 4.
  • the material of the second layer 4B is not limited to the above, and for example, a dielectric material such as glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum oxide, or a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide. , or a material whose main component is the above-mentioned material can be used.
  • the example of the material of the first layer 4A of the intermediate layer 4 is different from the example of the material of the second layer 4B.
  • the materials listed as examples of the materials for the first layer 4A may be used for the second layer 4B.
  • the materials listed as examples of the materials for the second layer 4B may be used for the first layer 4A.
  • the number of layers of the intermediate layer 4 is not particularly limited, and may be one layer or three or more layers. When the intermediate layer 4 has a plurality of layers, the materials of the plurality of layers may be different from each other.
  • Lithium niobate is used as the material for the piezoelectric layer 5.
  • the material of the piezoelectric layer 5 is not limited to the above, and for example, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, crystal, PZT (lead zirconate titanate), etc. can also be used.
  • the expression that the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer 4 means that the side surfaces 7c of the plurality of electrode fingers of the first IDT electrode 7 are in contact with the intermediate layer 4.
  • the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer 4 even when the second surfaces 7b of the plurality of electrode fingers are in contact with a member other than the intermediate layer 4.
  • the portion of the intermediate layer 4 where the first IDT electrode 7 is embedded is the second layer 4B.
  • the material of the second layer 4B and the material of the piezoelectric layer 5 are different from each other. Note that the material of the portion of the intermediate layer 4 where the first IDT electrode 7 is embedded may be the same as the material of the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7 is directly provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT electrode 7 may be provided indirectly on the first main surface 5a via a dielectric film.
  • each electrode finger of the second IDT electrode 27 includes a third surface 27a, a fourth surface 27b, and a side surface 27c.
  • the third surface 27a and the fourth surface 27b face each other in the thickness direction of each electrode finger.
  • the third surface 27a is located on the piezoelectric layer 5 side.
  • a side surface 27c is connected to the third surface 27a and the fourth surface 27b.
  • the side surface 27c of each electrode finger is inclined with respect to the thickness direction of each electrode finger. More specifically, the side surface 27c of each electrode finger is inclined such that the width of each electrode finger becomes narrower as the distance from the piezoelectric layer 5 increases. Note that the side surface 27c of each electrode finger may extend parallel to the thickness direction of each electrode finger.
  • the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e may be different from each other.
  • the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e of the plurality of electrode fingers are different from each other. More preferably, the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e are different from each other in all electrode fingers.
  • the inclination angles at the first portion 7d and the second portion 7e of each electrode finger are not 0°.
  • the inclination angle of one of the first portion 7d and the second portion 7e may be 0°.
  • the inclination angle of the second portion 7e is larger than the inclination angle of the first portion 7d. Note that the angle of inclination of the second portion 7e may be smaller than the angle of inclination of the first portion 7d.
  • the side surface 7c of each electrode finger of the first IDT electrode 7 in the elastic wave device 1 has a first portion 7d and a second portion 7e as a plurality of portions.
  • the plurality of portions on the side surface 7c is not limited to two portions, and may be three or more portions.
  • three or more portions may be lined up in the thickness direction of the electrode finger, and the ends of adjacent portions may be connected to each other.
  • FIG. 4 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the acoustic wave device according to the second embodiment.
  • the side surface 37c of each electrode finger of the first IDT electrode 37 has a first portion 37d, a second portion 37e, and a third portion 37f as a plurality of portions. Different from the embodiment. The first portion 37d, the second portion 37e, and the third portion 37f are arranged in this order in the thickness direction of the electrode finger.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the inclination angle of the second portion 37e of each electrode finger of the first IDT electrode 37 is the largest among the inclination angles of the plurality of portions.
  • the inclination angle of the first portion 37d is the smallest among the inclination angles of the plurality of portions. Therefore, the inclination angle of the third portion 37f is greater than the inclination angle of the first portion 37d and smaller than the inclination angle of the second portion 37e.
  • the side surface 37c of each electrode finger has a plurality of portions having different inclination angles. Thereby, the bonding force between the first IDT electrode 37 and the intermediate layer 4 can be effectively increased. Therefore, peeling between the first IDT electrode 37 and the intermediate layer 4 can be effectively suppressed.
  • the magnitude relationship of the inclination angles of the plurality of portions of the side surface 37c is not limited to the above.
  • the inclination angle may be increased, or the inclination angle may be decreased in the above order.
  • FIG. 5 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the acoustic wave device according to the third embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that a dielectric film 46 is provided between the piezoelectric layer 5 and the first IDT electrode 7. More specifically, the dielectric film 46 is directly provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5. The first IDT electrode 7 is indirectly provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5 with a dielectric film 46 interposed therebetween. Note that the dashed line in FIG. 5 indicates the boundary between the dielectric film 46 and the intermediate layer 4. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • Silicon oxide is used as the material for the dielectric film 46.
  • the material of the dielectric film 46 is not limited to the above, and a dielectric such as silicon nitride may also be used.
  • the dielectric film 46 and the second layer 4B of the intermediate layer 4 are integrally formed of the same material. Note that the dielectric film 46 and the second layer 4B of the intermediate layer 4 may be made of different materials.
  • the fractional band and element capacitance of the acoustic wave device can be easily adjusted.
  • the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer 4, and the first portion 7d and the second portion of the side surface 7c of each electrode finger in the first IDT electrode 7 are embedded in the intermediate layer 4.
  • the inclination angles of the portions 7e are different from each other. Thereby, the bonding force between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer 4 can be increased. Therefore, separation between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer 4 is unlikely to occur.
  • FIG. 6 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the acoustic wave device according to the fourth embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the intermediate layer 54. This embodiment also differs from the first embodiment in the configuration of the side surface 57c of each electrode finger of the first IDT electrode 57. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the intermediate layer 54 is a single layer and made of a piezoelectric material. More specifically, the material of the intermediate layer 54 and the material of the piezoelectric layer 5 are the same.
  • the dashed line in FIG. 6 indicates the boundary between the intermediate layer 54 and the piezoelectric layer 5.
  • the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5 is a surface through which the first surfaces 57a of the plurality of electrode fingers in the first IDT electrode 57 pass.
  • the piezoelectric layer 5 and the intermediate layer 54 are integrally made of the same material. Therefore, in the acoustic wave device of this embodiment, the first IDT electrode 57 is embedded in the piezoelectric layer. Note that the piezoelectric layer in which the first IDT electrode 57 is embedded is a piezoelectric layer in which the piezoelectric layer 5 and the intermediate layer 54 shown in FIG. 6 are integrated. This piezoelectric layer is provided directly on the support substrate 3.
  • each electrode finger of the first IDT electrode 57 is inclined such that the width of the electrode finger becomes wider as the distance from the piezoelectric layer 5 increases.
  • the inclination angles of the first portion 57d and the second portion 57e are negative values.
  • the angle of inclination of the second portion 57e is greater than the angle of inclination of the first portion 57d. Note that the absolute value of the inclination angle of the second portion 57e is smaller than the absolute value of the inclination angle of the first portion 57d.
  • the first IDT electrode 57 is embedded in the intermediate layer 54, and the first portion 57d of the side surface 57c of each electrode finger in the first IDT electrode 57
  • the inclination angles of the second portion 57e and the second portion 57e are different from each other. Therefore, the bonding force between the first IDT electrode 57 and the intermediate layer 54 can be increased. Therefore, separation between the first IDT electrode 57 and the intermediate layer 54 is unlikely to occur.
  • the second surface 57b of the plurality of electrode fingers in the first IDT electrode 57 is in contact with the support substrate 3.
  • the first IDT electrode 57 may be formed on the support substrate 3, for example.
  • a piezoelectric layer may be formed on the support substrate 3 so as to cover the first IDT electrode 57.
  • the piezoelectric layer can be formed by, for example, a sputtering method. Note that this piezoelectric layer is a piezoelectric layer in which the intermediate layer 54 and the piezoelectric layer 5 shown in FIG. 6 are integrally formed.
  • the method of forming the first IDT electrode 57 and the piezoelectric layer is not limited to the above method.
  • grooves may be provided in the piezoelectric layer.
  • the first IDT electrode 57 may be formed within this groove.
  • the intermediate layer 64 has multiple layers. More specifically, the intermediate layer 64 includes a first layer 64A and a second layer 64B.
  • the first IDT electrode 57 is not embedded in the first layer 64A.
  • the second layer 64B is a portion of the intermediate layer 64 in which the first IDT electrode 57 is embedded.
  • the material of the second layer 64B and the material of the piezoelectric layer 5 are the same.
  • the material of the first layer 64A and the material of the piezoelectric layer 5 are different.
  • the second surface 57b of each electrode finger of the first IDT electrode 57 is in contact with the first layer 64A.
  • the second layer 64B of the intermediate layer 64 and the piezoelectric layer 5 are integrally configured.
  • This integrated piezoelectric layer is provided indirectly on the support substrate 3 via the first layer 64A of the intermediate layer 64. Also in this modification, peeling is unlikely to occur between the first IDT electrode 57 and the intermediate layer 64, as in the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan view of the elastic wave device according to the fifth embodiment.
  • the reflector is omitted. Note that since FIG. 8 is a schematic plan view, compared to FIG. 2 which is a bottom view, FIG. 8 has an arrangement in which not only the front and back are reversed, but also the top and bottom are reversed.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that a first wiring 72 and a second wiring 73 are provided.
  • the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the plurality of fourth electrode fingers 29 of the second IDT electrode 27 are connected to a potential in opposite phase to the plurality of first electrode fingers 18 of the first IDT electrode 7.
  • the first wiring 72 is provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5.
  • the first wiring 72 is connected to the first bus bar 16 of the first IDT electrode 7 .
  • the first wiring 72 is electrically connected to the plurality of first electrode fingers 18 via the first bus bar 16 .
  • the first wiring 72 and the first bus bar 16 are integrally formed of the same material.
  • the first wiring 72 and the first bus bar 16 may be made of different materials.
  • the second wiring 73 is provided on the second main surface 5b of the piezoelectric layer 5.
  • the second wiring 73 is connected to the fourth bus bar 77 of the second IDT electrode 27.
  • the second wiring 73 is electrically connected to the plurality of fourth electrode fingers 29 via a fourth bus bar 77 .
  • the second wiring 73 and the fourth bus bar 77 are integrally formed of the same material.
  • the second wiring 73 and the fourth bus bar 77 may be made of different materials.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of fourth electrode fingers 29 are connected to potentials in opposite phases to each other. Therefore, for example, when the first wiring 72, the first bus bar 16, and the plurality of first electrode fingers 18 are at a negative potential, the second wiring 73, the fourth bus bar 77, and the plurality of fourth electrodes Finger 29 has a positive potential.
  • a part of the first wiring 72 and a part of the second wiring 73 overlap in plan view.
  • the overlapping region D is configured. More specifically, in the overlapping region D, the first wiring 72 and the second wiring 73 face each other with the piezoelectric layer 5 in between. Thereby, the element capacitance can be increased. This effect will be shown below by comparing this embodiment and the first embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing impedance frequency characteristics in the first embodiment and the fifth embodiment.
  • the impedance in the fifth embodiment is lower than the impedance in the first embodiment. Therefore, it can be seen that in the fifth embodiment, the element capacitance can be increased. Thereby, in the fifth embodiment, the areas of the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 27 can be reduced in order to obtain the desired element capacitance. Therefore, in the fifth embodiment, the elastic wave device can be made smaller.
  • /fr) ⁇ 100[%] is the fractional band of the elastic wave device.
  • the difference between the resonant frequency fr and the anti-resonant frequency fa is different between the fifth embodiment and the first embodiment. Therefore, the fractional bands are different between the fifth embodiment and the first embodiment. This is because the fractional band depends on the element capacitance. Note that in the fifth embodiment, by adjusting the area of the overlapping region D, the element capacitance can be easily adjusted. Thereby, the fractional band can be easily adjusted.
  • the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer, and the first IDT electrode 7 on the side surface of each electrode finger in the first IDT electrode 7 is similar to the first embodiment.
  • the inclination angles of the portion and the second portion are different from each other. Therefore, the bonding force between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer can be increased. Therefore, peeling is unlikely to occur between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer.
  • FIG. 8 schematically shows the arrangement of the first wiring 72 and the second wiring 73, and the reflector is omitted.
  • the overlapping region D may be located outside the reflector in the elastic wave propagation direction.
  • a reflector may be located between the overlapping region D and the first IDT electrode 7.
  • one first wiring 72 and one second wiring 73 are provided.
  • two each of the first wiring 72 and the second wiring 73 may be provided.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the sixth embodiment.
  • This embodiment differs from the fifth embodiment in that two first wirings and two second wirings are provided. Specifically, the two first wirings are a first wiring 82A and a first wiring 82B. Specifically, the two second wirings are a second wiring 83A and a second wiring 83B. This embodiment also differs from the fifth embodiment in that the first wiring 82A and the first wiring 82B and the second wiring 83A and the second wiring 83B are each reflectors. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the fifth embodiment.
  • the first wiring 82A and the first wiring 82B are provided on the first main surface 5a of the piezoelectric layer 5, similarly to the fifth embodiment.
  • the first wiring 82A has a reflector section 82c and a wiring section 82d.
  • the reflector portion 82c is a portion that functions as a reflector.
  • a wiring section 82d is connected to the reflector section 82c.
  • the wiring portion 82d is connected to the first bus bar 16 of the first IDT electrode 7.
  • the first wiring 82B has a reflector portion 82e and a wiring portion 82f.
  • the wiring section 82f connects the reflector section 82e and the first bus bar 16.
  • the reflector portion 82c and the reflector portion 82e face each other with the first IDT electrode 7 in between.
  • the second wiring 83A and the second wiring 83B are provided on the second main surface 5b of the piezoelectric layer 5.
  • the second wiring 83A includes a reflector section 83c and a wiring section 83d.
  • the wiring section 83d connects the reflector section 83c and the fourth bus bar 77.
  • the second wiring 83B has a reflector portion 83e and a wiring portion 83f.
  • the wiring section 83f connects the reflector section 83e and the fourth bus bar 77.
  • the reflector portion 83c and the reflector portion 83e face each other with the second IDT electrode 27 in between.
  • the plurality of first electrode fingers 18 and the plurality of fourth electrode fingers 29 are connected to potentials in opposite phases to each other. Therefore, for example, when the first wiring 82A, the first wiring 82B, the first bus bar 16, and the plurality of first electrode fingers 18 are at a negative potential, the second wiring 83A, the second wiring 83B, and the fourth bus bar 77 and the plurality of fourth electrode fingers 29 are at a positive potential.
  • the reflector portion 82c of the first wiring 82A and the reflector portion 83c of the second wiring 83A overlap in plan view. More specifically, the reflector portion 82c and the reflector portion 83c face each other with the piezoelectric layer 5 in between. Similarly, the reflector portion 82e of the first wiring 82B and the reflector portion 83e of the second wiring 83B overlap in plan view. More specifically, the reflector portion 82e and the reflector portion 83e face each other with the piezoelectric layer 5 in between. Thereby, the element capacitance can be increased.
  • the first IDT electrode 7 is embedded in the intermediate layer, and each electrode finger in the first IDT electrode 7 is The first portion and the second portion of the side surface have different inclination angles. Thereby, the bonding force between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer can be increased. Therefore, peeling is unlikely to occur between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer.
  • both the first wiring 82A and the second wiring 83A are reflectors. Both the first wiring 82B and the second wiring 83B are reflectors. However, it is sufficient if at least one of the first wiring 82A and the second wiring 83A is a reflector. Similarly, at least one of the first wiring 82B and the second wiring 83B may be a reflector.
  • the acoustic wave device may include a protective film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film that covers the second IDT electrode.
  • FIG. 11 is a front sectional view showing the vicinity of two pairs of electrode fingers of the first IDT electrode and the second IDT electrode in the elastic wave device according to the seventh embodiment.
  • This embodiment differs from the first embodiment in that the thickness of the second layer 94B in the intermediate layer 94 is thinner than the thickness of each electrode finger of the first IDT electrode 7. This embodiment also differs from the first embodiment in that a part of the first layer 94A in the intermediate layer 94 is located between the electrode fingers of the first IDT electrode 7. Other than the above points, the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
  • the portion of the intermediate layer 94 in which the first IDT electrode 7 is embedded is a portion of the intermediate layer 94 that covers the first IDT electrode 7 . That is, in this embodiment, the first IDT electrode 7 is embedded in the second layer 94B of the intermediate layer 94.
  • the inclination angles of the first portion 7d and the second portion 7e of the side surface 7c of each electrode finger in the first IDT electrode 7 are different from each other. Thereby, the bonding force between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer 94 can be increased. Therefore, separation between the first IDT electrode 7 and the intermediate layer 94 is unlikely to occur.
  • the support substrate 3 may face the first IDT electrode 7 embedded in the intermediate layer 94 with a cavity in between.
  • the first layer 104A of the intermediate layer 104 has a frame-like shape.
  • the second layer 104B of the intermediate layer 104 covers the first IDT electrode 7 similarly to the seventh embodiment. That is, the first IDT electrode 7 is embedded in the second layer 104B of the intermediate layer 104.
  • a cavity surrounded by the first layer 104A, the second layer 104B, and the support substrate 3 in the intermediate layer 104 is configured. Therefore, the piezoelectric substrate 102 has a cavity.
  • the support substrate 3 faces the first IDT electrode 7 embedded in the second layer 104B of the intermediate layer 104 across the cavity. Also in this modification, as in the seventh embodiment, peeling is unlikely to occur between the first IDT electrode 7 and the second layer 104B of the intermediate layer 104.
  • the materials of the first layer 104A and the second layer 104B in the intermediate layer 104 are different from each other.
  • the first layer 104A and the second layer 104B may be made of the same material.
  • the configuration in which the second layer of the intermediate layer has a frame-like shape and the piezoelectric substrate has a cavity can also be adopted in configurations of the present invention other than this modification.
  • the first layer 4A of the intermediate layer 4 in the first embodiment shown in FIG. 1 may have a frame-like shape.
  • the first layer 64A of the intermediate layer 64 in the modification of the fourth embodiment shown in FIG. 7 may have a frame-like shape. Even in these cases, peeling is unlikely to occur between the first IDT electrode and the second layer of the intermediate layer.
  • a support substrate an intermediate layer provided on the support substrate, a first main surface provided on the intermediate layer and located on the intermediate layer side, and a first main surface provided on the intermediate layer and located on the intermediate layer side; a piezoelectric layer having a second main surface facing the main surface; a first IDT electrode provided on the first main surface of the piezoelectric layer and embedded in the intermediate layer; , a second IDT electrode provided on the second main surface of the piezoelectric layer, wherein the first IDT electrode has a plurality of electrode fingers, and each electrode finger is connected to the second main surface of the piezoelectric layer.
  • the first IDT electrode includes a first surface and a second surface facing each other in the thickness direction of the electrode finger, and a side surface connected to the first surface and the second surface.
  • the side surface of the electrode finger has a first part and a second part, and in at least one of the electrode fingers, the first part and the second part have a thickness direction of the electrode finger.
  • An elastic wave device that has different angles of inclination relative to each other.
  • ⁇ 3> The acoustic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein a material of a portion of the intermediate layer where the first IDT electrode is embedded is different from a material of the piezoelectric layer.
  • ⁇ 4> The acoustic wave device according to ⁇ 3>, wherein the first IDT electrode is directly provided on the first main surface of the piezoelectric layer.
  • ⁇ 5> Further comprising a dielectric film provided directly on the first main surface of the piezoelectric layer, the first IDT electrode on the first main surface of the piezoelectric layer, The acoustic wave device according to ⁇ 3>, which is indirectly provided via the dielectric film.
  • ⁇ 6> The acoustic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the material of the portion of the intermediate layer where the first IDT electrode is embedded is the same as the material of the piezoelectric layer.
  • ⁇ 7> The elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 6>, wherein the intermediate layer has a plurality of layers made of different materials.
  • the plurality of electrode fingers of the first IDT electrode include a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers connected to mutually different potentials, and the second IDT electrode
  • the electrode includes a plurality of third electrode fingers and a plurality of fourth electrode fingers connected to mutually different potentials, and the plurality of fourth electrode fingers are connected to the plurality of first electrode fingers.
  • a first wiring connected to an opposite phase potential and electrically connected to the plurality of first electrode fingers of the first IDT electrode; and the plurality of fourth electrode fingers of the second IDT electrode.

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Abstract

ＩＤＴ電極、及びＩＤＴ電極を覆っている層の間において、剥離が生じ難い、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、支持基板３と、支持基板３上に設けられている中間層４と、中間層４上に設けられており、中間層４側に位置している第１の主面５ａ、及び第１の主面５ａと対向している第２の主面５ｂを有する圧電体層５と、圧電体層５の第１の主面５ａに設けられており、中間層４に埋め込まれている第１のＩＤＴ電極７と、圧電体層５の第２の主面５ｂに設けられている第２のＩＤＴ電極２７とを備える。第１のＩＤＴ電極７は複数の電極指を有する。各電極指はそれぞれ、電極指の厚み方向において互いに対向している第１の面７ａ及び第２の面７ｂと、第１の面７ａ及び第２の面７ｂに接続されている側面７ｃとを含む。第１のＩＤＴ電極７における電極指の側面７ｃが、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅを有し、少なくとも１本の電極指において、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの、電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置としての、プレートタイプの導波デバイスの例が開示されている。特許文献１に記載された弾性波装置の一例においては、圧電層の両面にそれぞれ、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）が設けられている。双方のＩＤＴは、低速波伝搬層により覆われている。
特開２０２１－０４４８３５号公報
　弾性波装置には、製造時または使用時において、外部からの力や、温度変化による熱応力が加えられることがある。特許文献１に記載のような弾性波装置では、上記のような力が加えられた際に、ＩＤＴ及び低速波伝搬層の間において、剥離が生じがちである。この場合、所望の電気的特性を得られなくなるおそれがある。
　本発明の目的は、ＩＤＴ電極、及びＩＤＴ電極を覆っている層の間において、剥離が生じ難い、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられている中間層と、前記中間層上に設けられており、前記中間層側に位置している第１の主面、及び前記第１の主面と対向している第２の主面を有する圧電体層と、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記中間層に埋め込まれている第１のＩＤＴ電極と、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２のＩＤＴ電極とを備え、前記第１のＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、各前記電極指がそれぞれ、前記電極指の厚み方向において互いに対向している第１の面及び第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に接続されている側面とを含み、前記第１のＩＤＴ電極における前記電極指の前記側面が、第１の部分及び第２の部分を有し、少なくとも１本の前記電極指において、前記第１の部分及び前記第２の部分の、前記電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる。
　本発明に係る弾性波装置によれば、ＩＤＴ電極、及びＩＤＴ電極を覆っている層の間において、剥離が生じ難い。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における圧電体層の第１の主面上の電極構造を示す底面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図４は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図５は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図６は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図７は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図８は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態及び第５の実施形態におけるインピーダンス周波数特性を示す図である。 図１０は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 図１１は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。 図１２は、本発明の第７の実施形態の変形例に係る弾性波装置の正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は圧電性基板２を有する。圧電性基板２は、支持基板３と、中間層４と、圧電体層５とを有する。本実施形態では、中間層４は積層体である。より具体的には、中間層４は第１の層４Ａ及び第２の層４Ｂを有する。支持基板３上に中間層４の第１の層４Ａが設けられている。第１の層４Ａ上に第２の層４Ｂが設けられている。第２の層４Ｂ上に圧電体層５が設けられている。なお、中間層４は単層の誘電体層などであってもよい。
　圧電体層５は、第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂを有する。第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂは互いに対向している。第１の主面５ａ及び第２の主面５ｂのうち、第１の主面５ａが中間層４側に位置している。圧電体層５の第１の主面５ａには第１のＩＤＴ電極７が設けられている。第１のＩＤＴ電極７は中間層４に埋め込まれている。他方、圧電体層５の第２の主面５ｂには第２のＩＤＴ電極２７が設けられている。
　図２は、第１の実施形態における圧電体層の第１の主面上の電極構造を示す底面図である。なお、上記図１は、図２中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。
　第１のＩＤＴ電極７は、１対のバスバーと、複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９とを有する。１対のバスバーは、具体的には、第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７である。第１のバスバー１６及び第２のバスバー１７は互いに対向している。第１のバスバー１６に、複数の第１の電極指１８の一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７に、複数の第２の電極指１９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８及び複数の第２の電極指１９は互いに間挿し合っている。第１の電極指１８及び第２の電極指１９は、互いに異なる電位に接続される。
　同様に、図１に示す第２のＩＤＴ電極２７も、１対のバスバーと、複数の第３の電極指２８及び複数の第４の電極指２９を有する。第２のＩＤＴ電極２７の１対のバスバーは、具体的には、第３のバスバー及び第４のバスバーである。第３のバスバー及び第４のバスバーは互いに対向している。第３のバスバーに、複数の第３の電極指２８の一端がそれぞれ接続されている。第４のバスバーに、複数の第４の電極指２９の一端がそれぞれ接続されている。複数の第３の電極指２８及び複数の第４の電極指２９は互いに間挿し合っている。第３の電極指２８及び第４の電極指２９は、互いに異なる電位に接続される。
　以下においては、第１の電極指１８、第２の電極指１９、第３の電極指２８及び第４の電極指２９を、単に電極指と記載することがある。第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極２７のそれぞれにおいて、複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とする。本実施形態においては、第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極２７の電極指延伸方向は、平行である。
　第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極２７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。なお、本実施形態においては、弾性波伝搬方向は電極指延伸方向と直交する。圧電体層５の第１の主面５ａには、１対の反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂが設けられている。反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、電極指延伸方向と直交する方向において、第１のＩＤＴ電極７を挟み互いに対向している。同様に、第２の主面５ｂには、１対の反射器２５Ａ及び反射器２５Ｂが設けられている。反射器２５Ａ及び反射器２５Ｂは、電極指延伸方向と直交する方向において、第２のＩＤＴ電極２７を挟み互いに対向している。
　第１のＩＤＴ電極７、反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、本実施形態では、圧電体層５側から、Ｐｔ層及びＡｌ層がこの順序において積層されてなる。他方、第２のＩＤＴ電極２７、反射器２５Ａ及び反射器２５Ｂは、Ａｌ層からなる。もっとも、第１のＩＤＴ電極７、第２のＩＤＴ電極２７及び各反射器の材料及び層数は上記に限定されない。第１のＩＤＴ電極７、反射器１５Ａ及び反射器１５Ｂは、例えば、３層以上の積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。同様に、第２のＩＤＴ電極２７、反射器２５Ａ及び反射器２５Ｂは、積層金属膜からなっていてもよい。
　図３は、第１の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。
　第１のＩＤＴ電極７の各電極指は、第１の面７ａ及び第２の面７ｂと、側面７ｃとを含む。第１の面７ａ及び第２の面７ｂは、各電極指の厚み方向において互いに対向している。第１の面７ａ及び第２の面７ｂのうち、第１の面７ａが圧電体層５側に位置している。側面７ｃは、第１の面７ａ及び第２の面７ｂを接続する面である。各電極指の側面７ｃは、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅを有する。より具体的には、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅは、各電極指の厚み方向において並んでいる。第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅのうち、第１の部分７ｄが圧電体層５側に位置している。第１の部分７ｄの支持基板３側の端部が、第２の部分７ｅの圧電体層５側の端部に接続されている。本実施形態においては、側面７ｃのうち、第１の部分７ｄは、Ｐｔ層の側面であり、第２の部分７ｅは、Ａｌ層の側面である。
　ここで、電極指の側面７ｃの、電極指の厚み方向に対して傾斜している角度θを傾斜角度とする。電極指の側面７ｃが、圧電体層５から遠ざかるほど、電極指の幅が狭くなるように傾斜している場合、傾斜角度は正の値であるとする。他方、側面７ｃが、圧電体層５から遠ざかるほど、電極指の幅が広くなるように傾斜している場合、傾斜角度は負の値であるとする。電極指の幅とは、電極指延伸方向と直交する方向に沿う電極指の寸法である。なお、弾性波装置１の第１のＩＤＴ電極７においては、各電極指の側面７ｃは、圧電体層５から遠ざかるほど、電極指の幅が狭くなるように傾斜している。
　本実施形態の特徴は、中間層４に埋め込まれている第１のＩＤＴ電極７において、各電極指の側面７ｃが第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅを有し、当該第１の部分７ｄと第２の部分７ｅとの傾斜角度が互いに異なることにある。なお、少なくとも１本の電極指において、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なっていればよい。これにより、電極指及び中間層４の間における接触面積を大きくすることができ、電極指及び中間層４の間における密着性を高めることができる。よって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層４の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７、及び第１のＩＤＴ電極７を覆っている中間層４の間において、剥離が生じ難い。
　なお、第１のＩＤＴ電極７は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法などを用いたリフトオフ法などにより形成することができる。このとき、各電極指における第１の部分７ｄを含む部分を形成するときの成膜速度と、第２の部分７ｅを含む部分を形成するときの成膜速度とを互いに異ならせることにより、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度を互いに異ならせることができる。もっとも、第１のＩＤＴ電極７を形成する方法は上記に限定されない。例えば、エッチングなどにより、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度を互いに異ならせてもよい。
　以下において、本実施形態の構成のさらなる詳細を説明する。
　図２に示すように、第１のＩＤＴ電極７において、電極指延伸方向と直交する方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合っている領域は交叉領域Ｃである。同様に、第２のＩＤＴ電極２７も交叉領域を有する。第１のＩＤＴ電極７の交叉領域Ｃ及び第２のＩＤＴ電極２７の交叉領域は、平面視において重なっている。本明細書において平面視とは、図１における上方に相当する方向から見ることをいう。図１においては、例えば、圧電体層５及び支持基板３のうち、圧電体層５が上方に位置する。
　第１のＩＤＴ電極７の交叉領域Ｃにおける複数の電極指の中心と、第２のＩＤＴ電極２７の交叉領域における複数の電極指の中心とは、平面視において重なっている。もっとも、第１のＩＤＴ電極７の複数の電極指の少なくとも一部と、第２のＩＤＴ電極２７の複数の電極指の少なくとも一部とが、平面視において重なっていればよい。なお、双方の交叉領域は、弾性波装置の電気的特性に大きな影響が生じない程度の誤差範囲において、平面視において重なっている状態であればよい。よって、製造ばらつき上のずれは、双方の交叉領域が平面視において重なっていることに含まれる。
　第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極２７の電極指ピッチは同じである。なお、電極指ピッチとは、隣り合う電極指同士の中心間距離である。本明細書において電極指ピッチが同じとは、弾性波装置の電気的特性に大きな影響が生じない程度の誤差範囲において、電極指ピッチが異なることも含む。
　図１に示す第２のＩＤＴ電極２７の第３の電極指２８は、本実施形態では、第１のＩＤＴ電極７における第１の電極指１８及び第２の電極指１９のうち一方と同じ電位に接続される。第４の電極指２９は、第１の電極指１８及び第２の電極指１９のうち他方と同じ電位に接続される。
　本実施形態においては、平面視において重なっている電極指の電位は同相である。もっとも、第１のＩＤＴ電極７の電極指及び第２のＩＤＴ電極２７の電極指の電位の関係は上記に限定されない。例えば、平面視において重なっている複数対の電極指のうち少なくとも１対の電極指の電位が同相であってもよい。
　反射器１５Ａ、反射器１５Ｂ、反射器２５Ａ及び反射器２５Ｂの電位は、第１のＩＤＴ電極７の第１の電極指１８と同じ電位であってもよく、第２の電極指１９と同じ電位であってもよい。あるいは、各反射器は浮き電極であってもよい。浮き電極とは、信号電位及びグラウンド電位に接続されない電極をいう。
　弾性波装置１においては、支持基板３の材料として、シリコンが用いられている。もっとも、支持基板３の材料は上記に限定されず、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、本明細書において主成分とは、部材において占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
　中間層４の第１の層４Ａの材料としては、窒化ケイ素が用いられている。もっとも、第１の層４Ａの材料は上記に限定されず、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
　中間層４の第２の層４Ｂの材料としては、酸化ケイ素が用いられている。もっとも、第２の層４Ｂの材料は上記に限定されず、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。
　上記においては、中間層４の第１の層４Ａの材料の例と、第２の層４Ｂの材料の例とは異なる。もっとも、第１の層４Ａの材料の例として挙げた材料を第２の層４Ｂに用いてもよい。第２の層４Ｂの材料の例として挙げた材料を第１の層４Ａに用いてもよい。なお、中間層４の層数は特に限定されず、１層または３層以上であってもよい。中間層４が複数の層を有する場合、複数の層の材料が互いに異なっていればよい。
　圧電体層５の材料としては、ニオブ酸リチウムが用いられている。もっとも、圧電体層５の材料は上記に限定されず、例えば、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることもできる。
　本明細書において、第１のＩＤＴ電極７が中間層４に埋め込まれているとは、第１のＩＤＴ電極７の複数の電極指の側面７ｃが、中間層４に接していることをいう。例えば、複数の電極指の第２の面７ｂが、中間層４以外の部材などに接している場合においても、第１のＩＤＴ電極７が中間層４に埋め込まれているとする。
　本実施形態においては、中間層４における第１のＩＤＴ電極７が埋め込まれている部分は、第２の層４Ｂである。第２の層４Ｂの材料と、圧電体層５の材料とは互いに異なる。なお、中間層４における第１のＩＤＴ電極７が埋め込まれている部分の材料と、圧電体層５の材料とは同じであってもよい。
　図１に示すように、圧電体層５の第１の主面５ａには、第１のＩＤＴ電極７が直接的に設けられている。もっとも、第１のＩＤＴ電極７は、第１の主面５ａに、誘電体膜を介して間接的に設けられていてもよい。
　図３に示すように、第２のＩＤＴ電極２７の各電極指は、第３の面２７ａ及び第４の面２７ｂと、側面２７ｃとを含む。第３の面２７ａ及び第４の面２７ｂは、各電極指の厚み方向において互いに対向している。第３の面２７ａ及び第４の面２７ｂのうち、第３の面２７ａが圧電体層５側に位置している。第３の面２７ａ及び第４の面２７ｂに、側面２７ｃが接続されている。本実施形態では、各電極指の側面２７ｃは、各電極指の厚み方向に対して傾斜している。より具体的には、各電極指の側面２７ｃは、圧電体層５から遠ざかるほど、各電極指の幅が狭くなるように傾斜している。なお、各電極指の側面２７ｃは、各電極指の厚み方向と平行に延びていてもよい。
　上記のように、本発明においては、第１のＩＤＴ電極７の少なくとも１本の電極指において、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なっていればよい。もっとも、複数の電極指において、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なっていることが好ましい。全ての電極指において、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なっていることがより好ましい。それによって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層４の間における接合力を効果的に高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７及び中間層４の間における剥離を効果的に抑制することができる。
　本実施形態の第１のＩＤＴ電極７においては、各電極指の第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅにおける傾斜角度は、いずれも０°ではない。もっとも、第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅのうち一方の傾斜角度が０°であってもよい。
　第１のＩＤＴ電極７の各電極指においては、第２の部分７ｅの傾斜角度が、第１の部分７ｄの傾斜角度よりも大きい。なお、第２の部分７ｅの傾斜角度は、第１の部分７ｄの傾斜角度よりも小さくてもよい。
　弾性波装置１における第１のＩＤＴ電極７の各電極指の側面７ｃは、複数の部分としての第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅを有する。なお、側面７ｃにおける複数の部分は、２つの部分に限られず、３つ以上の部分であってもよい。側面７ｃにおいて、３つ以上の複数の部分が電極指の厚み方向において並んでおり、隣り合う部分の端部同士が接続されていてもよい。
　図４は、第２の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。
　本実施形態は、第１のＩＤＴ電極３７の各電極指の側面３７ｃが、複数の部分として、第１の部分３７ｄ、第２の部分３７ｅ及び第３の部分３７ｆを有する点において、第１の実施形態と異なる。第１の部分３７ｄ、第２の部分３７ｅ及び第３の部分３７ｆは、電極指の厚み方向において、この順序で並んでいる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　第１のＩＤＴ電極３７の各電極指における第２の部分３７ｅの傾斜角度は、複数の部分の傾斜角度のうち最も大きい。第１の部分３７ｄの傾斜角度は、複数の部分の傾斜角度のうち最も小さい。よって、第３の部分３７ｆの傾斜角度は、第１の部分３７ｄの傾斜角度よりも大きく、第２の部分３７ｅの傾斜角度よりも小さい。このように、各電極指の側面３７ｃが、傾斜角度が互いに異なる複数の部分を有する。それによって、第１のＩＤＴ電極３７及び中間層４の間における接合力を効果的に高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極３７及び中間層４の間における剥離を効果的に抑制することができる。
　第１のＩＤＴ電極３７の各電極指においては、側面３７ｃの複数の部分における傾斜角度の大小関係は上記に限定されない。例えば、第１の部分３７ｄ、第２の部分３７ｅ及び第３の部分３７ｆの順序において、傾斜角度が大きくなっていてもよく、あるいは上記の順序において傾斜角度が小さくなっていてもよい。
　図５は、第３の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。
　本実施形態は、圧電体層５及び第１のＩＤＴ電極７の間に誘電体膜４６が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。より具体的には、圧電体層５の第１の主面５ａに、誘電体膜４６が直接的に設けられている。そして、圧電体層５の第１の主面５ａに、第１のＩＤＴ電極７が、誘電体膜４６を介して間接的に設けられている。なお、図５中の一点鎖線は、誘電体膜４６及び中間層４の境界を示している。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　誘電体膜４６の材料としては、酸化ケイ素が用いられている。もっとも、誘電体膜４６の材料は上記に限定されず、例えば窒化ケイ素などの誘電体を用いることもできる。
　誘電体膜４６及び中間層４の第２の層４Ｂは、同じ材料により一体として構成されている。なお、誘電体膜４６及び中間層４の第２の層４Ｂは、互いに異なる材料からなっていてもよい。
　本実施形態においては、誘電体膜４６の厚みを調整することにより、弾性波装置の比帯域、及び素子容量を容易に調整することができる。加えて、第１の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７が中間層４に埋め込まれており、第１のＩＤＴ電極７における各電極指の側面７ｃの第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なる。それによって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層４の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７及び中間層４の間において剥離が生じ難い。
　図６は、第４の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。
　本実施形態は、中間層５４の構成において第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第１のＩＤＴ電極５７の各電極指における側面５７ｃの構成においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　中間層５４は単層であり、かつ圧電材料からなる。より具体的には、中間層５４の材料と、圧電体層５の材料とは同じである。図６中の一点鎖線は、中間層５４及び圧電体層５の境界を示している。圧電体層５の第１の主面５ａは、第１のＩＤＴ電極５７における複数の電極指の第１の面５７ａが通る面である。
　圧電体層５及び中間層５４は、同じ材料により一体として構成されている。そのため、本実施形態の弾性波装置においては、圧電体層に第１のＩＤＴ電極５７が埋め込まれている。なお、第１のＩＤＴ電極５７が埋め込まれている圧電体層とは、図６に示す圧電体層５及び中間層５４が一体として構成された圧電体層である。この圧電体層は、支持基板３上に直接的に設けられている。
　第１のＩＤＴ電極５７の各電極指における側面５７ｃは、圧電体層５から遠ざかるほど、電極指の幅が広くなるように傾斜している。側面５７ｃにおいては、第１の部分５７ｄ及び第２の部分５７ｅの傾斜角度は負の値である。第２の部分５７ｅの傾斜角度は、第１の部分５７ｄの傾斜角度よりも大きい。なお、第２の部分５７ｅの傾斜角度の絶対値は、第１の部分５７ｄの傾斜角度の絶対値よりも小さい。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極５７が中間層５４に埋め込まれており、第１のＩＤＴ電極５７における各電極指の側面５７ｃの第１の部分５７ｄ及び第２の部分５７ｅの傾斜角度が互いに異なる。それによって、第１のＩＤＴ電極５７及び中間層５４の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極５７及び中間層５４の間において剥離が生じ難い。
　ところで、図６に示すように、第１のＩＤＴ電極５７における複数の電極指の第２の面５７ｂは、支持基板３に接触している。本実施形態の弾性波装置の製造に際しては、例えば、支持基板３上に第１のＩＤＴ電極５７を形成してもよい。その後、支持基板３上に、第１のＩＤＴ電極５７を覆うように、圧電体層を形成してもよい。圧電体層は、例えば、スパッタリング法などにより形成することができる。なお、この圧電体層は、図６に示す中間層５４及び圧電体層５が一体として構成された圧電体層である。もっとも、第１のＩＤＴ電極５７及び上記圧電体層を形成する方法は上記に限定されない。例えば、上記圧電体層を形成した後に、上記圧電体層に溝部を設けてもよい。この溝部内に、第１のＩＤＴ電極５７を形成してもよい。
　なお、第１のＩＤＴ電極５７における複数の電極指の第２の面５７ｂは、必ずしも支持基板３に接触していなくともよい。例えば、図７に示す第４の実施形態の変形例においては、中間層６４は複数の層を有する。より具体的には、中間層６４は、第１の層６４Ａ及び第２の層６４Ｂを有する。第１の層６４Ａには、第１のＩＤＴ電極５７は埋め込まれていない。第２の層６４Ｂが、中間層６４における、第１のＩＤＴ電極５７が埋め込まれている部分である。そして、第２の層６４Ｂの材料と、圧電体層５の材料とが同じである。他方、第１の層６４Ａの材料と、圧電体層５の材料とは異なる。第１のＩＤＴ電極５７の各電極指の第２の面５７ｂは、第１の層６４Ａと接している。
　本変形例では、中間層６４の第２の層６４Ｂ及び圧電体層５が一体として構成されている。この一体として構成された圧電体層が、支持基板３上に、中間層６４の第１の層６４Ａを介して間接的に設けられている。本変形例においても、第４の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極５７及び中間層６４の間において、剥離が生じ難い。
　図８は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図８においては、反射器を省略している。なお、図８は模式的平面図であるため、底面図である図２に対して、図８は表裏が反対であるだけでなく、上下に反転した配置となっている。
　本実施形態は、第１配線７２及び第２配線７３が設けられている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。なお、本実施形態では、第２のＩＤＴ電極２７の複数の第４の電極指２９は、第１のＩＤＴ電極７の複数の第１の電極指１８と逆相の電位に接続される。
　第１配線７２は、圧電体層５の第１の主面５ａに設けられている。第１配線７２は、第１のＩＤＴ電極７の第１のバスバー１６に接続されている。第１配線７２は、第１のバスバー１６を介して、複数の第１の電極指１８に電気的に接続されている。本実施形態では、第１配線７２及び第１のバスバー１６は、同じ材料により一体として構成されている。もっとも、第１配線７２及び第１のバスバー１６は、互いに異なる材料により構成されていてもよい。
　第２配線７３は、圧電体層５の第２の主面５ｂに設けられている。第２配線７３は、第２のＩＤＴ電極２７の第４のバスバー７７に接続されている。第２配線７３は、第４のバスバー７７を介して、複数の第４の電極指２９に電気的に接続されている。本実施形態では、第２配線７３及び第４のバスバー７７は、同じ材料により一体として構成されている。もっとも、第２配線７３及び第４のバスバー７７は、互いに異なる材料により構成されていてもよい。
　本実施形態では、複数の第１の電極指１８及び複数の第４の電極指２９は、互いに逆相の電位に接続される。よって、例えば、第１配線７２、第１のバスバー１６及び複数の第１の電極指１８が－の電位である場合には、第２配線７３、第４のバスバー７７及び複数の第４の電極指２９は＋の電位である。
　図８に示すように、第１配線７２の一部と、第２配線７３の一部とが、平面視において重なっている。このように、重なり領域Ｄが構成されている。より具体的には、重なり領域Ｄにおいて、第１配線７２及び第２配線７３は、圧電体層５を介して互いに対向している。それによって、素子容量を大きくすることができる。この効果を、本実施形態と第１の実施形態とを比較することにより、以下において示す。
　図９は、第１の実施形態及び第５の実施形態におけるインピーダンス周波数特性を示す図である。
　図９中の矢印Ｅにより示す、低域側の周波数域においては、素子容量が大きいほど、インピーダンスは低くなる。矢印Ｅにより示す周波数域においては、第５の実施形態におけるインピーダンスが、第１の実施形態におけるインピーダンスよりも低い。よって、第５の実施形態において、素子容量を大きくできることがわかる。これにより、第５の実施形態では、所望の素子容量を得るための、第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極２７の面積を小さくすることができる。従って、第５の実施形態においては、弾性波装置の小型化を進めることができる。
　ここで、共振周波数をｆｒ、反共振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆａ－ｆｒ｜／ｆｒ）×１００［％］により表わされる値は、弾性波装置の比帯域である。そして、図９に示すように、第５の実施形態及び第１の実施形態の間においては、共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの差が互いに異なる。よって、第５の実施形態及び第１の実施形態の間においては、比帯域が異なる。これは、比帯域が素子容量に依存することによる。なお、第５の実施形態では、重なり領域Ｄの面積を調整することにより、素子容量を容易に調整することができる。それによって、比帯域を容易に調整することができる。
　加えて、第５の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７が中間層に埋め込まれており、第１のＩＤＴ電極７における各電極指の側面の第１の部分及び第２の部分の傾斜角度が互いに異なる。それによって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７及び中間層の間において剥離が生じ難い。
　なお、図８においては、第１配線７２及び第２配線７３の配置を模式的に示しており、反射器を省略している。例えば、重なり領域Ｄは、弾性波伝搬方向において、反射器よりも外側に位置していてもよい。言い換えれば、例えば、重なり領域Ｄと、第１のＩＤＴ電極７との間に、反射器が位置していてもよい。
　第５の実施形態においては、第１配線７２及び第２配線７３は１つずつ設けられている。もっとも、第１配線７２及び第２配線７３はそれぞれ２つずつ設けられていてもよい。
　図１０は、第６の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
　本実施形態は、第１配線及び第２配線が２つずつ設けられている点において、第５の実施形態と異なる。２つの第１配線は、具体的には、第１配線８２Ａ及び第１配線８２Ｂである。２つの第２配線は、具体的には、第２配線８３Ａ及び第２配線８３Ｂである。本実施形態は、第１配線８２Ａ及び第１配線８２Ｂ並びに第２配線８３Ａ及び第２配線８３Ｂがそれぞれ、反射器である点においても、第５の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第５の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　第１配線８２Ａ及び第１配線８２Ｂは、第５の実施形態と同様に、圧電体層５の第１の主面５ａに設けられている。第１配線８２Ａは、反射器部８２ｃと、配線部８２ｄとを有する。反射器部８２ｃは、反射器として機能する部分である。反射器部８２ｃに配線部８２ｄが接続されている。配線部８２ｄが、第１のＩＤＴ電極７の第１のバスバー１６に接続されている。第１配線８２Ｂも同様に、反射器部８２ｅと、配線部８２ｆとを有する。配線部８２ｆが、反射器部８２ｅ及び第１のバスバー１６を接続している。反射器部８２ｃ及び反射器部８２ｅは、第１のＩＤＴ電極７を挟み互いに対向している。
　第２配線８３Ａ及び第２配線８３Ｂは、圧電体層５の第２の主面５ｂに設けられている。第２配線８３Ａは、反射器部８３ｃと、配線部８３ｄとを有する。配線部８３ｄが、反射器部８３ｃ及び第４のバスバー７７を接続している。第２配線８３Ｂも同様に、反射器部８３ｅと、配線部８３ｆとを有する。配線部８３ｆが、反射器部８３ｅ及び第４のバスバー７７を接続している。反射器部８３ｃ及び反射器部８３ｅは、第２のＩＤＴ電極２７を挟み互いに対向している。
　本実施形態では、複数の第１の電極指１８及び複数の第４の電極指２９は、互いに逆相の電位に接続される。よって、例えば、第１配線８２Ａ、第１配線８２Ｂ、第１のバスバー１６及び複数の第１の電極指１８が－の電位である場合、第２配線８３Ａ、第２配線８３Ｂ、第４のバスバー７７及び複数の第４の電極指２９は＋の電位である。
　第１配線８２Ａの反射器部８２ｃ及び第２配線８３Ａの反射器部８３ｃは、平面視において重なっている。より具体的には、反射器部８２ｃ及び反射器部８３ｃは、圧電体層５を挟み互いに対向している。同様に、第１配線８２Ｂの反射器部８２ｅ及び第２配線８３Ｂの反射器部８３ｅは、平面視において重なっている。より具体的には、反射器部８２ｅ及び反射器部８３ｅは、圧電体層５を挟み互いに対向している。それによって、素子容量を大きくすることができる。
　加えて、本実施形態においても、第１の実施形態及び第５の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７が中間層に埋め込まれており、第１のＩＤＴ電極７における各電極指の側面の第１の部分及び第２の部分の傾斜角度が互いに異なる。それによって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７及び中間層の間において剥離が生じ難い。
　本実施形態では、第１配線８２Ａ及び第２配線８３Ａの双方が反射器である。第１配線８２Ｂ及び第２配線８３Ｂの双方が反射器である。もっとも、第１配線８２Ａ及び第２配線８３Ａのうち少なくとも一方が反射器であればよい。同様に、第１配線８２Ｂ及び第２配線８３Ｂのうち少なくとも一方が反射器であればよい。
　なお、本開示において、弾性波装置は、第２のＩＤＴ電極を覆う、酸化ケイ素膜や窒化ケイ素膜などの保護膜を備えていてもよい。
　図１１は、第７の実施形態に係る弾性波装置における、第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極の２対の電極指付近を示す正面断面図である。
　本実施形態は、中間層９４における第２の層９４Ｂの厚みが第１のＩＤＴ電極７の各電極指の厚みよりも薄い点において、第１の実施形態と異なる。中間層９４における第１の層９４Ａの一部が、第１のＩＤＴ電極７の電極指間に位置している点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　本実施形態では、中間層９４における第１のＩＤＴ電極７が埋め込まれている部分は、中間層９４における第１のＩＤＴ電極７を覆っている部分である。すなわち、本実施形態においては、第１のＩＤＴ電極７は、中間層９４における第２の層９４Ｂに埋め込まれている。そして、第１の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７における各電極指の側面７ｃの第１の部分７ｄ及び第２の部分７ｅの傾斜角度が互いに異なる。それによって、第１のＩＤＴ電極７及び中間層９４の間における接合力を高めることができる。従って、第１のＩＤＴ電極７及び中間層９４の間において剥離が生じ難い。
　なお、支持基板３は、中間層９４に埋め込まれた第１のＩＤＴ電極７と、空洞部を隔てて対向していてもよい。例えば、図１２に示す第７の実施形態の変形例においては、中間層１０４の第１の層１０４Ａは枠状の形状を有する。他方、中間層１０４の第２の層１０４Ｂは、第７の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７を覆っている。すなわち、第１のＩＤＴ電極７は、中間層１０４の第２の層１０４Ｂに埋め込まれている。
　中間層１０４における第１の層１０４Ａ、第２の層１０４Ｂ及び支持基板３により囲まれた空洞部が構成されている。よって、圧電性基板１０２は空洞部を有する。支持基板３は、中間層１０４の第２の層１０４Ｂに埋め込まれた第１のＩＤＴ電極７と、空洞部を隔てて対向している。本変形例においても、第７の実施形態と同様に、第１のＩＤＴ電極７及び中間層１０４における第２の層１０４Ｂの間において剥離が生じ難い。
　本変形例においては、中間層１０４における第１の層１０４Ａ及び第２の層１０４Ｂの材料は互いに異なる。もっとも、第１の層１０４Ａが枠状の形状を有する場合においても、第１の層１０４Ａ及び第２の層１０４Ｂの材料が同じであってもよい。
　中間層の第２の層が枠状の形状を有し、圧電性基板が空洞部を有する構成は、本変形例以外の本発明の構成に採用することもできる。例えば、図１に示した第１の実施形態における、中間層４の第１の層４Ａが枠状の形状を有していてもよい。あるいは、図７に示した第４の実施形態の変形例における、中間層６４の第１の層６４Ａが枠状の形状を有していてもよい。これらの場合においても、第１のＩＤＴ電極及び中間層における第２の層の間において、剥離が生じ難い。
　以下において、本発明に係る弾性波装置の形態の例をまとめて記載する。
　＜１＞支持基板と、前記支持基板上に設けられている中間層と、前記中間層上に設けられており、前記中間層側に位置している第１の主面、及び前記第１の主面と対向している第２の主面を有する圧電体層と、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記中間層に埋め込まれている第１のＩＤＴ電極と、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２のＩＤＴ電極と、を備え、前記第１のＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、各前記電極指がそれぞれ、前記電極指の厚み方向において互いに対向している第１の面及び第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に接続されている側面と、を含み、前記第１のＩＤＴ電極における前記電極指の前記側面が、第１の部分及び第２の部分を有し、少なくとも１本の前記電極指において、前記第１の部分及び前記第２の部分の、前記電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる、弾性波装置。
　＜２＞前記第１のＩＤＴ電極における全ての前記電極指の前記側面において、前記第１の部分及び前記第２の部分の、前記電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる、＜１＞に記載の弾性波装置。
　＜３＞前記中間層における前記第１のＩＤＴ電極が埋め込まれている部分の材料と、前記圧電体層の材料とが互いに異なる、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波装置。
　＜４＞前記圧電体層の前記第１の主面に、前記第１のＩＤＴ電極が直接的に設けられている、＜３＞に記載の弾性波装置。
　＜５＞前記圧電体層の前記第１の主面に直接的に設けられている誘電体膜をさらに備え、前記圧電体層の前記第１の主面に、前記第１のＩＤＴ電極が、前記誘電体膜を介して間接的に設けられている、＜３＞に記載の弾性波装置。
　＜６＞前記中間層における前記第１のＩＤＴ電極が埋め込まれている部分の材料と、前記圧電体層の材料とが同じである、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波装置。
　＜７＞前記中間層が、材料が互いに異なる複数の層を有する、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜８＞前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の電極指が、互いに異なる電位に接続される複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を含み、前記第２のＩＤＴ電極が、互いに異なる電位に接続される複数の第３の電極指と、複数の第４の電極指と、を含み、前記複数の第４の電極指が、前記複数の第１の電極指と逆相の電位に接続され、前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指に電気的に接続された第１配線と、前記第２のＩＤＴ電極の前記複数の第４の電極指に電気的に接続された第２配線と、をさらに備え、前記第１配線の一部と前記第２配線の一部とは、平面視において重なっている、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜９＞前記第１配線と前記第２配線のうち少なくとも一方は、反射器である、＜８＞に記載の弾性波装置。
１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…支持基板
４…中間層
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の層
５…圧電体層
５ａ，５ｂ…第１，第２の主面
７…第１のＩＤＴ電極
７ａ，７ｂ…第１，第２の面
７ｃ…側面
７ｄ，７ｅ…第１，第２の部分
１５Ａ，１５Ｂ…反射器
１６，１７…第１，第２のバスバー
１８，１９…第１，第２の電極指
２５Ａ，２５Ｂ…反射器
２７…第２のＩＤＴ電極
２７ａ，２７ｂ…第３，第４の面
２７ｃ…側面
２８，２９…第３，第４の電極指
３７…第１のＩＤＴ電極
３７ｃ…側面
３７ｄ～３７ｆ…第１～第３の部分
４６…誘電体膜
５４…中間層
５７…第１のＩＤＴ電極
５７ａ，５７ｂ…第１，第２の面
５７ｃ…側面
５７ｄ，５７ｅ…第１，第２の部分
６４…中間層
６４Ａ，６４Ｂ…第１，第２の層
７２，７３…第１，第２配線
７７…第４のバスバー
８２Ａ，８２Ｂ…第１配線
８２ｃ…反射器部
８２ｄ…配線部
８２ｅ…反射器部
８２ｆ…配線部
８３Ａ，８３Ｂ…第２配線
８３ｃ…反射器部
８３ｄ…配線部
８３ｅ…反射器部
８３ｆ…配線部
９４…中間層
９４Ａ，９４Ｂ…第１，第２の層
１０２…圧電性基板
１０４…中間層
１０４Ａ，１０４Ｂ…第１，第２の層
Ｃ…交叉領域
Ｄ…重なり領域

Claims (9)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられている中間層と、
    　前記中間層上に設けられており、前記中間層側に位置している第１の主面、及び前記第１の主面と対向している第２の主面を有する圧電体層と、
    　前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記中間層に埋め込まれている第１のＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層の前記第２の主面に設けられている第２のＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記第１のＩＤＴ電極が複数の電極指を有し、各前記電極指がそれぞれ、前記電極指の厚み方向において互いに対向している第１の面及び第２の面と、前記第１の面及び前記第２の面に接続されている側面と、を含み、
    　前記第１のＩＤＴ電極における前記電極指の前記側面が、第１の部分及び第２の部分を有し、少なくとも１本の前記電極指において、前記第１の部分及び前記第２の部分の、前記電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる、弾性波装置。
  2. 　前記第１のＩＤＴ電極における全ての前記電極指の前記側面において、前記第１の部分及び前記第２の部分の、前記電極指の厚み方向に対して傾斜している角度が互いに異なる、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記中間層における前記第１のＩＤＴ電極が埋め込まれている部分の材料と、前記圧電体層の材料とが互いに異なる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電体層の前記第１の主面に、前記第１のＩＤＴ電極が直接的に設けられている、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記圧電体層の前記第１の主面に直接的に設けられている誘電体膜をさらに備え、
    　前記圧電体層の前記第１の主面に、前記第１のＩＤＴ電極が、前記誘電体膜を介して間接的に設けられている、請求項３に記載の弾性波装置。
  6. 　前記中間層における前記第１のＩＤＴ電極が埋め込まれている部分の材料と、前記圧電体層の材料とが同じである、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  7. 　前記中間層が、材料が互いに異なる複数の層を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の電極指が、互いに異なる電位に接続される複数の第１の電極指と、複数の第２の電極指と、を含み、
    　前記第２のＩＤＴ電極が、互いに異なる電位に接続される複数の第３の電極指と、複数の第４の電極指と、を含み、前記複数の第４の電極指が、前記複数の第１の電極指と逆相の電位に接続され、
    　前記第１のＩＤＴ電極の前記複数の第１の電極指に電気的に接続された第１配線と、
    　前記第２のＩＤＴ電極の前記複数の第４の電極指に電気的に接続された第２配線と、
    をさらに備え、
    　前記第１配線の一部と前記第２配線の一部とは、平面視において重なっている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１配線及び前記第２配線のうち少なくとも一方は、反射器である、請求項８に記載の弾性波装置。
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