WO2023274828A1 - Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication - Google Patents

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WO2023274828A1
WO2023274828A1 PCT/EP2022/067146 EP2022067146W WO2023274828A1 WO 2023274828 A1 WO2023274828 A1 WO 2023274828A1 EP 2022067146 W EP2022067146 W EP 2022067146W WO 2023274828 A1 WO2023274828 A1 WO 2023274828A1
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WO
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face
support
substrate
optoelectronic devices
transfer
Prior art date
Application number
PCT/EP2022/067146
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English (en)
Inventor
Ivan-Christophe Robin
Zheng Sung CHIO
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Aledia
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Definitions

  • the present invention relates to the field of technologies for optoelectronics. It finds a particularly advantageous application in the manufacture of optoelectronic systems by mass transfer of unitary optoelectronic devices, for example light-emitting diodes based on GaN. STATE OF THE ART
  • a self-emissive display screen is an example of a known optoelectronic system.
  • Such a screen comprises a plurality of pixels emitting their own light.
  • Each pixel is thus typically formed by one or more LEDs, more particularly mini-LEDs or micro-LEDs.
  • Each LED is a unitary optoelectronic device.
  • mass transfer technologies for LEDs have been developed. Some transfer technologies are based on a principle known as “pick and place” according to the usual Anglo-Saxon terminology (meaning “pick and place”).
  • unitary devices are individualized on a donor substrate.
  • a manipulation substrate is then attached to a free face of the unitary devices.
  • the donor substrate can then be eliminated, for example by trimming.
  • the unitary devices are then detached from the handling substrate and transferred to a receiving substrate.
  • a solution disclosed by document US 9379092 B2 consists in forming a sacrificial structure partially enveloping each device, during the manufacture of the devices.
  • the donor substrate is removed by trimming.
  • the sacrificial structures and the holding studs make it possible to maintain and stabilize the devices during trimming.
  • the etching of the sacrificial structures then makes it possible to partially release the devices.
  • the devices are no longer retained except by the small-sized holding studs.
  • the devices are then assembled on a receiving substrate and detached from the handling substrate. Detachment is facilitated by the use of holding studs.
  • a disadvantage of this solution is that the manufacture of the device must be adapted to provide and form in particular the sacrificial structure. This makes the process complex and restrictive. This limits the versatility of the transfer process. Furthermore, sufficient space must be provided between the unitary devices to allow the etching of the sacrificial structures. This limits the possibilities of densification of unitary devices and therefore of cost reduction. Retention pads may leave residue on devices upon detachment. It is then more difficult to obtain good electrical contact on the devices.
  • the present invention aims to at least partially overcome the drawbacks mentioned above.
  • an object of the present invention is to propose a transfer structure making it possible to transfer an optoelectronic device in an optimized manner.
  • Another object of the present invention is to provide a method for transferring optoelectronic devices.
  • one aspect relates to a transfer structure comprising a support and an optoelectronic device attached to the support, the support comprising a base part having a support face, and at least one element projecting from the support, the optoelectronic device having a first face comprising a central zone and a peripheral zone surrounding the central zone.
  • the at least one projecting element of the support is attached to the peripheral zone of the first face of the optoelectronic device, so that the support face, the at least one projecting element and the first face of the device form a cavity under the central zone.
  • the at least one projecting element is located under the optoelectronic device and at the edge thereof.
  • the at least one projecting element is similar to one or more vertical cantilevers supporting the peripheral zone of the optoelectronic device.
  • the lateral bulk of the transfer structure is reduced. This makes it possible to increase the density of optoelectronic devices on the support.
  • a cavity delimited by the vertical cantilevers is thus formed under the central zone of the device. This makes it easy to detach the device optoelectronics of its support, for example by exerting a vertical force on the optoelectronic device.
  • the central zone of the device is also preserved. It can be functionalized, for example by carrying metal contacts of the optoelectronic device.
  • Another aspect relates to a transfer system comprising a plurality of adjacent transfer structures.
  • at least one projecting element of two adjacent transfer structures is common to the peripheral zones of said adjacent transfer structures. This makes it possible to increase the density of transfer structures within said transfer system.
  • Another aspect relates to a method for transferring a plurality of optoelectronic devices from a first substrate to a second substrate, said method comprising at least the following steps:
  • the optoelectronic devices each having a first face on a side opposite the first substrate, said first face comprising a central zone and a peripheral zone surrounding the central zone,
  • a support for the optoelectronic devices comprising a base part having a support face, and at least one element projecting from the support face, each peripheral zone being attached to said at least one projecting element, so that the support face, the at least one protruding element and the first face of the device form a cavity under the central zone,
  • the method advantageously makes it possible to transfer a plurality of optoelectronic devices via the support.
  • the optoelectronic devices can comprise at least one light-emitting diode, typically formed on the first substrate, and preferably a part of electrical interconnections hybridized on the diode.
  • This part of electrical interconnections can be formed separately on a support layer, then added by hybridization on the diode, before forming the support.
  • the electrical interconnection part may also include an electronic control circuit dedicated to driving the diode, to form “smart” LEDs, according to the usual English terminology (meaning “smart” LED).
  • the support can be made independently of the devices. This reduces the constraints on the design of the devices.
  • the at least one projecting element of the support can be formed from the device, for example by taking advantage of the support layer of the electrical interconnection part.
  • This method can advantageously be applied during the transfer of LEDs or smart LEDs from a donor substrate, for example a growth substrate, to a receiver substrate, for example a CMOS substrate comprising LED control electronics.
  • FIGURES 1A to 1M illustrate steps of an LED transfer method according to a first embodiment of the present invention.
  • FIGURES 2A to 2M illustrate steps of an LED transfer method according to a second embodiment of the present invention.
  • FIGURES 3A to 3I illustrate steps of an LED transfer method according to a third embodiment of the present invention.
  • the transfer structure comprises at least two projecting elements, and preferably at least four projecting elements, regularly arranged on either side of the central zone. This makes it possible to balance the mechanical forces applied to the support or the structure.
  • the protruding elements are preferably arranged according to a central symmetry with respect to the center or the barycenter of the central zone, in projection on a base plane parallel to the face of the support.
  • the central zone of the first face comprises at least one metallic contact.
  • this metallic contact is not covered or is not partially covered by a projecting element. It is thus directly functional, without a prior stage of cleaning or removal of the element(s) covering it.
  • the at least one projecting element has a first dimension along a first direction x, a second dimension along a second direction y, and a third dimension along a third direction z, the first and second directions x, y forming a base plane parallel to the support face, and the third direction z being perpendicular to this base plane.
  • Said first, second and third dimensions are such that at least one of the first and second dimensions is less than the third dimension.
  • the at least one projecting element extends mainly vertically, for example along z or in a zx plane or in a zy plane. Its horizontal extension, in an xy plane, thus remains limited.
  • the optoelectronic device comprises at least one light-emitting diode in line with the central zone, and has a second face opposite the first face, said second face forming a light-emitting face.
  • the at least one light-emitting diode is preferably circumscribed by the peripheral zone, in projection on a base plane parallel to the face of the support.
  • the at least one light-emitting diode in this case occupies only the central zone. It does not extend to the peripheral zone.
  • the optoelectronic device further comprises a part of electrical interconnections forming the first face. This part of electrical interconnections can comprise vias and/or one or more electronic control microcircuits, also called pICs.
  • the optoelectronic device comprising at least one light-emitting diode and an electronic control microcircuit associated with said at least one diode typically forms a “smart LED”.
  • the adjacent optoelectronic devices are separated from each other by trenches formed directly above the at least one projecting element.
  • the optoelectronic devices are thus “individualized”.
  • the trenches can totally or partially separate the optoelectronic devices from one another.
  • the trenches can extend, in a direction perpendicular to the face of the support, under a reference plane comprising the first faces of the devices.
  • the bottom of the trenches can be located above said reference plane.
  • the at least one protruding element has a first dimension along a first direction x and a second dimension along a second direction y, the first and second directions x, y forming a base plane parallel to the support face , and the trenches have at least one dimension along at least one of the first and second directions x, y smaller than the first and second dimensions of the at least one projecting element.
  • the trenches are thus narrower than the at least one projecting element.
  • the width of the trenches is less than the width of the at least one projecting element, said widths being taken in the same direction of the base plane.
  • the trenches extend in the at least one projecting element in a third direction z perpendicular to the first and second directions x, y.
  • the bottom of the trenches is then located under the reference plane comprising the first faces of the devices.
  • the method further comprises, after removal of the first substrate and before separation of the optoelectronic devices, a formation of trenches separating the optoelectronic devices from each other, so that these are individualized and supported only by the at least one protruding element.
  • the trenches are formed by etching directly above the at least one projecting element, from a second face of the optoelectronic devices opposite the first face.
  • the etching is configured so that the trenches partly continue in the at least one protruding element.
  • the optoelectronic devices each comprise at least one light-emitting diode and a part of electrical interconnections, the at least one light-emitting diode being produced on the first substrate and said part of interconnections electrical connections being made separately on a support layer, said portion of electrical interconnections then being transferred by hybridization onto the at least one light-emitting diode, before forming the support.
  • the at least one projecting element is formed before being attached to the peripheral zones of the first faces of the optoelectronic devices.
  • the at least one protruding element is formed by etching a silicon substrate. The solid part of the silicon substrate then forms the base part of the support. The support is thus formed separately from the optoelectronic device.
  • the at least one protruding element is formed by etching the support layer, then is attached to a flat substrate so as to form the support, before removing the first substrate.
  • the at least one protruding element is thus formed from the microelectronic device.
  • the support is thus formed after the at least one protruding element is attached to the peripheral zones of the first faces of the optoelectronic devices.
  • the method further comprises, before separating the optoelectronic devices, fixing only part of said optoelectronic devices to the support face, said fixing being carried out by depositing an adhesive material in the cavity, between the area central and the support face. This makes it possible to retain certain devices on the support, during the transfer of the other devices to the second substrate, called the receiver substrate.
  • the method further comprises, before fixing, an electrical test configured to detect faulty optoelectronic devices, said fixing being carried out for said faulty optoelectronic devices only. This makes it possible to retain the faulty devices on the support, during the transfer of the other devices to the receiving substrate.
  • the method is in particular dedicated to the transfer of light-emitting diodes (LEDs), and in particular of smart LEDs.
  • LEDs light-emitting diodes
  • the invention can be implemented more widely for various optoelectronic devices, or even for MEMS electromechanical devices or microsystems.
  • the invention can therefore be implemented in the context of laser or photovoltaic devices.
  • the transfer structure and the transfer method are dedicated to the transfer of “elementary” devices whose dimensions do not exceed a few tens or hundreds of microns.
  • These elementary devices or components are generally manufactured by microelectronic technologies, then cut out and/or assembled.
  • the latter can be encapsulated in a protective casing, for example based on epoxy resin.
  • a protective casing typically contains a plurality of elementary components and cannot be likened to an elementary or unitary device within the meaning of the present invention.
  • the transfer structure and the transfer method according to the present invention are not applicable to the transfer of such boxes, the dimensions of which are generally greater than several millimeters and have no common measure with the optoelectronic devices covered by the present invention.
  • the casing and handling of the casings belong to the field of “packaging”, whereas the present invention is typically implemented before considering any packaging step.
  • a person skilled in the art of packaging is not the person skilled in the art to which the present invention is directed.
  • the fields of packaging and of the present invention are perfectly distinct and do not implement the same technologies.
  • the relative arrangement of a third layer interposed between a first layer and a second layer does not necessarily mean that the layers are directly in contact with each other. , but means that the third layer is either directly in contact with the first and second layers, or separated from them by at least one other layer or at least one other element.
  • the terms and phrases "to support” and “to cover” or “to cover” do not necessarily mean "in contact with”.
  • LED light-emitting diode
  • LED simply “diode”
  • a “LED” can also be understood as a “mini-LED” or “micro-LED” or a smart LED, as the case may be.
  • “surround” does not necessarily mean “surround by a closed contour”.
  • the at least one protruding element can form a discontinuous contour around the central zone, projecting into a base plane parallel to the face of the support.
  • the attachment points of the at least one projecting element on the peripheral zone can form a discontinuous outline.
  • the parts of the optoelectronic device cooperating with the at least one projecting element are not necessarily continuous.
  • the cavity can thus be partially open.
  • regularly arranged or "a regular arrangement” means a periodic arrangement of the projecting elements, for example so that adjacent projecting elements are spaced from each other by a substantially constant distance.
  • a substrate, a layer, a device, "based" on a material M is understood to mean a substrate, a layer, a device comprising this material M only or this material M and possibly other materials, for example elements alloy, impurities or doping elements.
  • a GaN-based diode typically comprises GaN and AlGaN or InGaN alloys.
  • a reference frame preferably orthonormal, comprising the axes x, y, z is shown in the appended figures.
  • a layer typically has a thickness along z, when it extends mainly along an xy plane, and a protruding element has a height along z.
  • the relative terms “over”, “under”, “underlying” preferably refer to positions taken in the direction z.
  • the projecting elements can be in the form of pillars extending along z, or low walls extending along an xz or yz plane.
  • the projecting elements When the projecting elements are similar to low walls extending along xz, they typically have a width dimension along y. When the projecting elements are similar to low walls extending along yz, they typically have a width dimension along x.
  • the width dimension of the protrusions may vary along the height of the protrusions. In this case, the width can correspond to an average width value over the entire height.
  • the trenches typically extend along xz or yz planes and typically have a width dimension along y or along x, respectively. Also in the case of trenches, the width can correspond to an average width value over the entire height.
  • the dimensional values are understood to within manufacturing and measurement tolerances.
  • a direction substantially normal to a plane means a direction having an angle of 90 ⁇ 10° relative to the plane.
  • FIGS. 1 A to 1 M A first embodiment of the method according to the invention is illustrated in FIGS. 1 A to 1 M.
  • This first embodiment aims to transfer smart LEDs from a growth substrate 1 onto a receiver substrate 2.
  • the smart LEDs typically comprise a emissive part 10 based on LEDs or pLEDs and an electrical interconnection part 20.
  • This electrical interconnection part 20 may in particular comprise control electronics based on integrated microcircuits pIC.
  • a first step of this method consists in providing a growth substrate 1 carrying LEDs 10i, IO2, IO3.
  • These LEDs 10i, IO2, IO3 can typically comprise so-called RGB LEDs (acronym for Red Green Blue), for example a red LED
  • the growth substrate 1 carries only monochrome LEDs.
  • the growth substrate 1 may typically be based on III-V materials.
  • a substrate 1 can comprise a silicon or sapphire base on which buffer and/or nucleation layers based on III-V materials are epitaxially grown (not shown). 10i LEDs,
  • the LEDs 10i, IO2, IO3 can be encapsulated in an encapsulation material 11.
  • Metal contacts 1 C are typically formed on each of the LEDs 101, 102, 103.
  • the electrical interconnection part 20 is control electronics.
  • the control electronics 20 are typically formed in a semiconductor layer 22 comprising 2O2 integrated circuits.
  • Contact pads 20i are typically arranged on each of the integrated microcircuits 2O2.
  • Contact pads 20i and the metal contacts 1 ⁇ 4 are aligned opposite each other, then assembled with each other.
  • the growth substrate 1 carrying the LEDs can be assembled to the support layer 21 carrying the pIC 2O2, by hybridization between the metal contacts 10 4 and the contact pads 20i.
  • a plurality of smart LEDs 30i are formed. These smart LEDs 30i are inserted between growth substrate 1 and support layer 21 .
  • the support layer 21 is first removed, for example by trimming or by thinning, so as to expose a first face 301 of the smart LEDs 30i.
  • Metallic contact pads 2O3 can be formed on this face 301 at the level of the pIC 2O2.
  • the number and position of the 2O3 contact pads may vary depending on the architecture of the 2O2 pICs.
  • a central zone 301 c and a peripheral zone 301 p of the first face 301 can be defined.
  • the central zone 301 c is preferably situated substantially plumb, along z, with the pIC and/or the LEDs 10i, I O2, IO3.
  • the contact pads 2O3 are preferably located within the central zone 301c.
  • the peripheral zone 301 p is preferably situated substantially plumb, along z, with the encapsulation material surrounding the LEDs 10i, IO2, IO3.
  • the peripheral zone 301p surrounds the central zone 301c.
  • a support 40i comprising a base portion 42 and protrusions 41 is provided.
  • This support 40i can be formed from a solid substrate, for example a silicon substrate.
  • the projecting elements 41 are preferably formed by etching the solid substrate.
  • These protruding elements 41 can thus have different shapes or patterns. They can, for example, be like pillars or low walls separated from each other.
  • the projecting elements 41 can form a continuous network, for example a grid with square or rectangular meshes, in top view along z.
  • the projecting elements 41 have a width U1 or L41 and a height fl. The width U1 is typically less than the height fl.
  • the projecting elements 41 may have a trapezoidal or frustoconical shape, as illustrated in FIG. 1D.
  • the top 411 of the projecting elements 41 may be slightly less wide than the base 412 of the projecting elements 41. This may be due to the burn settings to achieve 40i media.
  • the width U1 can be between 500 nm and 100 microns.
  • the height fl can be between 500 nm and 1 mm.
  • the support 40i is assembled with the smart LEDs 30i carried by the growth substrate 1.
  • the protruding elements 41 are aligned with the peripheral zones 301p of each of the smart LEDs 30i.
  • at least two protruding elements 41 are assembled on two opposite sides of a peripheral zone 301 p.
  • at least four protruding elements 41 are assembled on four opposite sides of a peripheral zone 301 p.
  • the protruding elements 41 can thus be distributed in a regular manner along a peripheral zone 301 p considered, in projection along z. This improves the mechanical stability of the assembly.
  • Transfer structures 50i are thus formed. These transfer structures 50i each comprise an electronic device, in this case a smart LED 30i, and at least partially the support 40i.
  • a cavity 43 is thus formed in each transfer structure 50i. This cavity 43 is bordered by projecting elements 41 , support face 400 and first face 301 .
  • the cavity 43 typically makes it possible to house metal contacts 203. The latter are thus protected without being covered by a protective layer or another element. This avoids a subsequent step of cleaning these 2O3 metal contacts.
  • the transfer structures 50i have sufficient mechanical strength to remove the growth substrate 1. As illustrated in FIG. 1F, the growth substrate 1 is then removed, for example by trimming. A face 302 of the smart LEDs is thus exposed. This face 302 typically makes it possible to emit light.
  • Trenches 60 are formed between each of the smart LEDs, so as to individualize the smart LEDs between them. These trenches 60 can be formed by etching from the face 302.
  • the trenches 60 are made substantially in line with the peripheral zones of each transfer structure 50i, in particular in line with the projecting elements 41 . They typically pass through the encapsulation material delimiting each group of LEDs 10i, 10 2 , 103 of the smart LEDs 30i.
  • the trenches 60 illustrated in FIG. 1F extend mainly along a plane yz. They are deep enough to isolate the parts based on LEDs 10i, 10 2 , 103 of the smart LEDs from each other.
  • the bottom 61 of the trenches 60 can be located in the semiconductor layer 22, above a reference plane R comprising the first face 301, as illustrated in FIG. 1F.
  • the bottom 61 of the trenches 60 can be located under the reference plane R.
  • the width leo of the trenches 60 is less than the width U1 of the projecting elements 41.
  • the trenches 60 thus extend along z in the projecting elements 41 .
  • FIG. 1H shows a plurality of smart LEDs separated from each other, in top view.
  • the semiconductor layer 22 can form a perimeter for the LEDs 10i, 10 2 , 103, in projection in the xy plane.
  • four projecting elements 41 are shown for each of the smart LEDs. These projecting elements 41 are distributed symmetrically on each of the four sides of a smart LED.
  • a given projecting element 41 is preferably shared by two adjacent smart LEDs. According to a possibility not illustrated, the projecting elements 41 can be located at the level of the corners of the smart LEDs. In this case a projecting element 41 is shared by four adjacent smart LEDs.
  • FIG. 11 is a sectional view along plane B-B shown in FIG. 1H. Trenches 60 extending mainly along an xz plane are also formed to separate the smart LEDs from one another.
  • a transfer device 70 for example an elastomer buffer, is brought into contact with the faces 302 of the smart LEDs.
  • This transfer device 70 typically rests vertically on the faces 302.
  • the transfer device 70 is then removed while maintaining the smart LEDs 30i.
  • the force exerted by the transfer device 70 makes it possible to separate the support 40i from the smart LEDs 30i.
  • the small bearing surface between the projecting elements 41 and the smart LEDs 30i facilitates the separation of the support 40i.
  • the bonding strength between the transfer device 70 and the face 302 of a smart LED is preferably greater than the retaining force between the projecting elements 41 and said smart LED 30i.
  • the transfer device 70 can also exert a mechanical force directed towards the support and/or parallel to the support so as to break by pressure and/or shear the projecting elements 41 .
  • the smart LEDs 30i are then brought by the transfer device 70 facing the receiver substrate 2.
  • the smart LEDs 30i are then assembled to the receiver substrate 2, then the transfer device 70 is removed .
  • This first embodiment of the invention makes it possible to efficiently transfer 30i smart LEDs from a growth substrate 1 to a receiver substrate 2.
  • the smart LEDs 30i are taken one by one by the transfer device 70.
  • the transfer device 70 makes it possible to modify a spacing or a separation distance between the smart LEDs 30i during the transfer, after separation of the support 40i and before transfer onto the receiver substrate 2.
  • the surface density of the smart LEDs 30i can thus vary between the support 40i and the receiver substrate 2.
  • the receiver substrate 2 can comprise reception structures 200 for the smart LEDs 30i, such as contact pads.
  • the receiver substrate 2 can be a screen substrate comprising electrical tracks and associated contact pads.
  • FIGS. 2A to 2M illustrate a second embodiment making it possible to transfer optoelectronic devices from a growth substrate to a receiver substrate.
  • a growth substrate 1 carrying LEDs 10i, I O2, I O3 and contacts 1C is provided as before.
  • the electrical interconnection part 20 comprises vias 20 4 . These vias are more commonly referred to as TSVs (acronym for “Through Silicon Vias”). Vias or TSVs are typically electrically conductive. These vias 20 4 pass through the semiconductor layer 22. The vias 20 4 are typically associated with the contact pads 20i.
  • the electrical interconnection part 20 may optionally include other elements such as the pICs seen previously.
  • the part 20 of electrical interconnections is carried by the support layer 21, as before.
  • the LEDs 10i, I O2, I O3 are assembled with the electrical interconnections, by hybridization between the respective contact pads 10 4 , 20i.
  • Each device 30 2 comprises a group of LEDs 10i, I O2, I O3 and a part of electrical interconnections.
  • the protrusions 41 are formed from the support layer 21 .
  • an etching of the support layer 21 configured to stop on the semiconductor layer 22 typically makes it possible to form the projecting elements 41 at the level of the peripheral zones 301 p.
  • Projecting elements 41 can therefore have a trapezoidal or frustoconical shape, as illustrated in FIG. 2C.
  • the top 411 of the projecting elements 41 is here wider than the base 412 of the projecting elements 41 .
  • contact pads 203 can be formed on the first faces 301 of the devices at the level of the vias 20 4 , between the projecting elements 41 .
  • a flat substrate 44 is then assembled to the projecting elements 41 so as to form the base part 42 of the support 40 2 .
  • the base part 42 and the projecting elements 41 are therefore formed separately and then assembled.
  • a transfer structure 50 2 is thus obtained.
  • the growth substrate 1 is then removed and trenches 60 are formed so as to separate the devices 30 2 from one another.
  • the bottom 61 of the trenches 60 can be located above the reference plane R (FIG. 2F), or below the reference plane R (FIG. 2G).
  • Figure 2H shows the devices seen from above, each being supported by four projecting elements 41 .
  • Figure 2I shows the devices according to section plane BB shown in Figure 2H.
  • a transfer device 70 is assembled to the faces 302 of the devices (FIG. 2J).
  • the transfer device 70 then exerts a vertical traction along z so as to separate the devices 30 2 from the support 40 ⁇ (FIG. 2 K).
  • the devices 30 2 are then brought by the transfer device 70 facing a receiver substrate 2 (FIG. 2L).
  • the devices 30 2 are assembled to the receiver substrate 2 then the transfer device 70 is removed (FIG. 2M).
  • FIG. 3A to 3I A third embodiment of the invention is illustrated in Figures 3A to 3I.
  • the devices 303 are RGB pixels comprising three LEDs 10i, 102, 103.
  • the LEDs 10i, 102, I O3 carried by the growth substrate 1 are directly assembled to the support 403, without an intermediate hybridization step (FIG. 3A).
  • a transfer structure 503 comprising the pixel 303 and at least partially the support 403 is thus formed (FIG. 3B).
  • the growth substrate 1 is then removed and trenches 60 are formed so as to individualize the pixels 303 between them.
  • Figure 3D shows the pixels seen from above, each being supported by four projecting elements 41 .
  • Figure 3E shows the pixels along section plane B-B shown in Figure 3D. Only the sub-pixels formed by the green LEDs IO2 are visible here.
  • a transfer device 70 is assembled to the faces 302 of the pixels (FIG. 3F).
  • the transfer device 70 then removes the pixels 303 from the support 403 (FIG. 3G).
  • the pixels 303 are then brought by the transfer device 70 facing a receiver substrate 2 (FIG. 3H).
  • the pixels 303 are assembled to the receiver substrate 2 then the transfer device 70 is removed (FIG. 3I).
  • an electrical test of all the LEDs is carried out so as to detect the faulty LEDs.
  • an adhesive material for example an epoxy glue
  • the adhesive material typically extends from the central area of the failed LED to the support face 400.
  • the bond strength of the adhesive material is typically greater than the bond strength of the transfer device to face 302 of the LED. .
  • the faulty LED advantageously remains attached to the support. It is not transferred onto the receiver substrate 2. This facilitates repair at the level of the receiver substrate, for example if this receiver substrate is directly a screen substrate intended to be integrated into the final product.
  • the transfer structure can thus be advantageously modified locally to fix a faulty LED to the support, before transferring the other LEDs.
  • the cavity present under each of the LEDs can advantageously be used to achieve this attachment, typically by filling said cavity with an adhesive material.
  • the fixing of one or more LEDs can be carried out without said LEDs failing, for example so as to form a particular arrangement of the LEDs transferred onto the receiving substrate.
  • the distribution of the LEDs on the receiver substrate is then different from the initial distribution of the LEDs on the support or the donor substrate.
  • the transfer structures and the transfer methods according to the invention therefore advantageously make it possible to transfer optoelectronic devices from a donor substrate to a receiver substrate.
  • the invention is however not limited to the embodiments previously described.
  • the number, shape and arrangement of the protruding elements can be adapted according to the optoelectronic devices to be transferred.

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Abstract

L'invention a pour objet une structure de transfert (501, 502, 503) comprenant un support (401, 402, 403) et un dispositif optoélectronique (301, 302, 303) attaché au support, le support comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), le dispositif optoélectronique présentant une première face (301) comprenant une zone centrale (301c) et une zone périphérique (301p) entourant la zone centrale, la structure de transfert étant caractérisée en ce que l'au moins un élément en saillie (41) du support est attaché à la zone périphérique (301p) de la première face du dispositif optoélectronique. L'invention a également pour objet un procédé de transfert de dispositifs optoélectroniques, basé sur la mise en œuvre de structures de transfert.

Description

« Dispositif optoélectronique et procédé de fabrication » DOMAINE TECHNIQUE DE L’INVENTION
La présente invention concerne le domaine des technologies pour l’optoélectronique. Elle trouve pour application particulièrement avantageuse la fabrication de systèmes optoélectroniques par transfert en masse de dispositifs optoélectroniques unitaires, par exemple des diodes électroluminescentes à base de GaN. ETAT DE LA TECHNIQUE
Un écran d’affichage auto-émissif est un exemple de système optoélectronique connu. Un tel écran comprend une pluralité de pixels émettant leur propre lumière. Chaque pixel est ainsi typiquement formé par une ou plusieurs LEDs, plus particulièrement des mini-LEDs ou micro- LEDs. Chaque LED est un dispositif optoélectronique unitaire. Pour diminuer les coûts de fabrication d’un tel écran, et/ou améliorer la densité de LEDs dans un tel écran, des technologies de transfert en masse des LEDs ont été développées. Certaines technologies de transfert sont basées sur un principe dit « pick and place » selon la terminologie anglo-saxonne usuelle (signifiant « prélèvement et placement »).
Typiquement, les dispositifs unitaires sont individualisés sur un substrat donneur. Un substrat de manipulation est ensuite attaché sur une face libre des dispositifs unitaires. Le substrat donneur peut alors être éliminé, par exemple par rognage. Les dispositifs unitaires sont ensuite détachés du substrat de manipulation et reportés sur un substrat receveur.
Pour attacher et détacher facilement les dispositifs unitaires vis-à-vis du substrat de manipulation, une solution divulguée par le document US 9379092 B2 consiste à former une structure sacrificielle enveloppant partiellement chaque dispositif, lors de la fabrication des dispositifs. Selon ce procédé, après report des dispositifs enveloppés par les structures sacrificielles sur le substrat de manipulation, le substrat donneur est retiré par rognage. Les structures sacrificielles et les plots de maintien permettent de maintenir et stabiliser les dispositifs lors du rognage. La gravure des structures sacrificielles permet ensuite de dégager en partie les dispositifs. Les dispositifs ne sont plus retenus que par les plots de maintien de faibles dimensions. Les dispositifs sont alors assemblés sur un substrat receveur et détachés du substrat de manipulation. Le détachement est facilité par l’utilisation des plots de maintien.
Un inconvénient de cette solution est que la fabrication du dispositif doit être adaptée pour prévoir et former notamment la structure sacrificielle. Cela rend le procédé complexe et contraignant. Cela limite la versatilité du procédé de transfert. Par ailleurs, un espace suffisant doit être prévu entre les dispositifs unitaires pour permettre la gravure des structures sacrificielles. Cela limite les possibilités de densification des dispositifs unitaires et donc de réduction des coûts. Les plots de maintien peuvent laisser des résidus sur les dispositifs lors du détachement. Il est alors plus difficile d’obtenir un bon contact électrique sur les dispositifs.
La présente invention vise à pallier au moins partiellement les inconvénients mentionnés ci- dessus.
En particulier, un objet de la présente invention est de proposer une structure de transfert permettant de transférer un dispositif optoélectronique de façon optimisée. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de transfert de dispositifs optoélectroniques.
Les autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à l'examen de la description suivante et des dessins d'accompagnement. Il est entendu que d'autres avantages peuvent être incorporés. En particulier, certaines caractéristiques et certains avantages du procédé de transfert peuvent s’appliquer mutatis mutandis à la structure ou au système de transfert, et réciproquement.
RESUME DE L’INVENTION
Pour atteindre les objectifs mentionnés ci-dessus, un aspect concerne une structure de transfert comprenant un support et un dispositif optoélectronique attaché au support, le support comprenant une partie de base présentant une face de support, et au moins un élément en saillie depuis la face de support, le dispositif optoélectronique présentant une première face comprenant une zone centrale et une zone périphérique entourant la zone centrale.
Avantageusement, l’au moins un élément en saillie du support est attaché à la zone périphérique de la première face du dispositif optoélectronique, de sorte que la face de support, l’au moins un élément en saillie et la première face du dispositif forment une cavité sous la zone centrale. Ainsi, l’au moins un élément en saillie se trouve sous le dispositif optoélectronique et en bordure de celui-ci. L’au moins un élément en saillie s’apparente à un ou des cantilevers verticaux supportant la zone périphérique du dispositif optoélectronique. L’encombrement latéral de la structure de transfert est réduit. Cela permet d’augmenter la densité de dispositifs optoélectroniques sur le support. Une cavité délimitée par les cantilevers verticaux est ainsi formée sous la zone centrale du dispositif. Cela permet de détacher facilement le dispositif optoélectronique de son support, par exemple en exerçant une force verticale sur le dispositif optoélectronique.
La zone centrale du dispositif est en outre préservée. Elle peut être fonctionnalisée, par exemple en portant des contacts métalliques du dispositif optoélectronique.
Un autre aspect concerne un système de transfert comprenant une pluralité de structures de transfert adjacentes. Avantageusement, au moins un élément en saillie de deux structures de transfert adjacentes est commun aux zones périphériques desdites structures de transfert adjacentes. Cela permet d’augmenter la densité de structures de transfert au sein dudit système de transfert.
Un autre aspect concerne un procédé de transfert d’une pluralité de dispositifs optoélectroniques depuis un premier substrat vers un deuxième substrat, ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes :
- fournir le premier substrat portant les dispositifs optoélectroniques, lesdits dispositifs optoélectroniques présentant chacun une première face d’un côté opposé au premier substrat, ladite première face comprenant une zone centrale et une zone périphérique entourant la zone centrale,
- former un support pour les dispositifs optoélectroniques, ledit support comprenant une partie de base présentant une face de support, et au moins un élément en saillie depuis la face de support, chaque zone périphérique étant attachée audit au moins un élément en saillie, de sorte que la face de support, l’au moins un élément en saillie et la première face du dispositif forment une cavité sous la zone centrale,
- retirer le premier substrat,
- désolidariser les dispositifs optoélectroniques du support, et les reporter sur un deuxième substrat, au niveau de leurs premières faces.
Ainsi, le procédé permet avantageusement de transférer une pluralité de dispositifs optoélectroniques par l’intermédiaire du support.
Les dispositifs optoélectroniques peuvent comprendre au moins une diode électroluminescente, typiquement formée sur le premier substrat, et de préférence une partie d’interconnexions électriques hybridée sur la diode. Cette partie d’interconnexions électriques peut être formée séparément sur une couche de support, puis rapportée par hybridation sur la diode, avant formation du support. La partie d’interconnexions électriques peut également comprendre un circuit électronique de commande dédié au pilotage de la diode, pour former des « smart » LEDs, selon la terminologie anglo-saxonne usuelle (signifiant LED « intelligente »).
Le support peut être réalisé indépendamment des dispositifs. Cela permet de réduire les contraintes sur la conception des dispositifs.
Alternativement, l’au moins un élément en saillie du support peut être formé à partir du dispositif, par exemple en tirant profit de la couche de support de la partie d’interconnexions électriques. Ce procédé peut avantageusement être appliqué lors du transfert de LEDs ou de smart LEDs depuis un substrat donneur, par exemple un substrat de croissance, vers un substrat receveur, par exemple un substrat CMOS comprenant une électronique de commande des LEDs. BREVE DESCRIPTION DES FIGURES
Les buts, objets, ainsi que les caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront mieux de la description détaillée de modes de réalisation de cette dernière qui sont illustrés par les dessins d’accompagnement suivants dans lesquels :
Les FIGURES 1A à 1 M illustrent des étapes d’un procédé de transfert de LEDs selon un premier mode de réalisation de la présente invention.
Les FIGURES 2A à 2M illustrent des étapes d’un procédé de transfert de LEDs selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention.
Les FIGURES 3A à 3I illustrent des étapes d’un procédé de transfert de LEDs selon un troisième mode de réalisation de la présente invention.
Les dessins sont donnés à titre d'exemples et ne sont pas limitatifs de l’invention. Ils constituent des représentations schématiques de principe destinées à faciliter la compréhension de l’invention et ne sont pas nécessairement à l'échelle des applications pratiques. En particulier, les dimensions des différentes parties des structures de transfert et des LED ne sont pas forcément représentatives de la réalité.
DESCRIPTION DÉTAILLÉE
Avant d’entamer une revue détaillée de modes de réalisation de l’invention, il est rappelé que l’invention comprend notamment les caractéristiques optionnelles ci-après pouvant être utilisées en association ou alternativement.
Selon un exemple, la structure de transfert comprend au moins deux éléments en saillie, et de préférence au moins quatre éléments en saillie, régulièrement disposés de part et d’autre de la zone centrale. Cela permet d’équilibrer les efforts mécaniques appliqués au support ou à la structure. Les éléments en saillie sont de préférence disposés selon une symétrie centrale vis-à- vis du centre ou du barycentre de la zone centrale, en projection sur un plan de base parallèle à la face du support.
Selon un exemple, la zone centrale de la première face comprend au moins un contact métallique. Avantageusement, ce contact métallique n’est pas couvert ou n’est pas en partie couvert par un élément en saillie. Il est ainsi directement fonctionnel, sans étape préalable de nettoyage ou de retrait du ou des éléments le recouvrant.
Selon un exemple, l’au moins un élément en saillie présente une première dimension selon une première direction x, une deuxième dimension selon une deuxième direction y, et une troisième dimension selon une troisième direction z, les première et deuxième directions x, y formant un plan de base parallèle à la face de support, et la troisième direction z étant perpendiculaire à ce plan de base. Lesdites première, deuxième et troisième dimensions sont telles que l’une au moins parmi les première et deuxième dimensions est inférieure à la troisième dimension. Ainsi, l’au moins un élément en saillie s’étend principalement verticalement, par exemple selon z ou dans un plan zx ou dans un plan zy. Son extension horizontale, dans un plan xy, reste ainsi limitée. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend au moins une diode électroluminescente au droit de la zone centrale, et présente une deuxième face opposée à la première face, ladite deuxième face formant une face d’émission de lumière. L’au moins une diode électroluminescente est de préférence circonscrite par la zone périphérique, en projection sur un plan de base parallèle à la face du support. L’au moins une diode électroluminescente occupe dans ce cas uniquement la zone centrale. Elle ne s’étend pas sur la zone périphérique. Selon un exemple, le dispositif optoélectronique comprend en outre une partie d’interconnexions électriques formant la première face. Cette partie d’interconnexions électriques peut comprendre des vias et/ou un ou des microcircuits électroniques de commande, appelés également pIC. Le dispositif optoélectronique comprenant au moins une diode électroluminescente et un microcircuit électronique de commande associé à ladite au moins une diode forme typiquement une « smart LED ».
Selon un exemple, les dispositifs optoélectroniques adjacents sont séparés entre eux par des tranchées formées à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie. Les dispositifs optoélectroniques sont ainsi « individualisés ». Les tranchées peuvent séparer totalement ou en partie les dispositifs optoélectroniques entre eux. En particulier, les tranchées peuvent s’étendre, selon une direction perpendiculaire à la face du support, sous un plan de référence comprenant les premières faces des dispositifs. Alternativement, le fond des tranchées peut se situer au- dessus dudit plan de référence.
Selon un exemple, l’au moins un élément en saillie présente une première dimension selon une première direction x et une deuxième dimension selon une deuxième direction y, les première et deuxième directions x, y formant un plan de base parallèle à la face de support, et les tranchées présentent au moins une dimension selon l’une au moins des première et deuxième directions x, y inférieure aux première et deuxième dimensions de l’au moins un élément en saillie. Les tranchées sont ainsi plus étroites que l’au moins un élément en saillie. En projection sur un plan de base parallèle à la face du support, la largeur des tranchées est inférieure à la largeur de l’au moins un élément en saillie, lesdites largeurs étant prises selon une même direction du plan de base.
Selon un exemple, les tranchées se prolongent dans l’au moins un élément en saillie selon une troisième direction z perpendiculaire aux première et deuxième directions x, y. Le fond des tranchées se situe alors sous le plan de référence comprenant les premières faces des dispositifs. Selon un exemple, le procédé comprend en outre, après retrait du premier substrat et avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques, une formation de tranchées séparant les dispositifs optoélectroniques entre eux, de sorte que ceux-ci soient individualisés et soutenus uniquement par l’au moins un élément en saillie.
Selon un exemple, les tranchées sont formées par gravure à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie, à partir d’une deuxième face des dispositifs optoélectroniques opposée à la première face.
Selon un exemple, la gravure est configurée de sorte que les tranchées se poursuivent en partie dans l’au moins un élément en saillie.
Selon un exemple, les dispositifs optoélectroniques comprennent chacun au moins une diode électroluminescente et une partie d’interconnexions électriques, l’au moins une diode électroluminescente étant réalisée sur le premier substrat et ladite partie d’interconnexions électriques étant réalisée séparément sur une couche de support, ladite partie d’interconnexions électriques étant ensuite reportée par hybridation sur l’au moins une diode électroluminescente, avant formation du support.
Selon un exemple, l’au moins un élément en saillie est formé avant d’être attaché aux zones périphériques des premières faces des dispositifs optoélectroniques. Typiquement, l’au moins un élément en saillie est formé par gravure d’un substrat de silicium. La partie massive du substrat de silicium forme alors la partie de base du support. Le support est ainsi formé à part du dispositif optoélectronique.
Selon un exemple alternatif, l’au moins un élément en saillie est formé par gravure de la couche de support, puis est rapporté sur un substrat plan de façon à former le support, avant retrait du premier substrat. L’au moins un élément en saillie est ainsi formé à partir du dispositif microélectronique. Le support est ainsi formé après que l’au moins un élément en saillie soit attaché aux zones périphériques des premières faces des dispositifs optoélectroniques.
Selon un exemple, le procédé comprend en outre, avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques, une fixation d’une partie seulement desdits dispositifs optoélectroniques sur la face de support, ladite fixation étant réalisée par dépôt d’un matériau adhésif dans la cavité, entre la zone centrale et la face de support. Cela permet de retenir certains dispositifs sur le support, lors du transfert des autres dispositifs vers le deuxième substrat, dit substrat receveur. Selon un exemple, le procédé comprend en outre, avant fixation, un test électrique configuré pour détecter des dispositifs optoélectroniques défaillants, ladite fixation étant réalisée pour lesdits dispositifs optoélectroniques défaillants uniquement. Cela permet de retenir les dispositifs défaillants sur le support, lors du transfert des autres dispositifs vers le substrat receveur.
Sauf incompatibilité, des caractéristiques techniques décrites en détail pour un mode de réalisation donné peuvent être combinées aux caractéristiques techniques décrites dans le contexte d’autres modes de réalisation décrits à titre exemplaire et non limitatif, de manière à former un autre mode de réalisation qui n’est pas nécessairement illustré ou décrit. Un tel mode de réalisation n’est évidemment pas exclu de l’invention.
Dans la présente invention, le procédé est en particulier dédié au transfert de diodes électroluminescentes (LED), et notamment de smart LEDs.
L’invention peut être mise en oeuvre plus largement pour différents dispositifs optoélectroniques, voire pour des dispositifs ou microsystèmes électromécaniques MEMS. L’invention peut donc être mise en œuvre dans le cadre de dispositifs laser ou photovoltaïque.
Dans le cadre de la présente invention, la structure de transfert et le procédé de transfert sont dédiés au transfert de dispositifs « élémentaires » dont les dimensions n’excèdent pas quelques dizaines ou centaines de microns. Ces dispositifs ou composants élémentaires sont généralement fabriqués par les technologies de la microélectronique, puis découpés et/ou assemblés. Dans le cas de dispositifs microélectroniques, ces derniers peuvent être encapsulés dans un boîtier de protection par exemple à base de résine époxy. Un tel boîtier époxy contient typiquement une pluralité de composants élémentaires et ne peut pas être assimilé à un dispositif élémentaire ou unitaire au sens de la présente invention. Ainsi, la structure de transfert et le procédé de transfert selon la présente invention ne sont pas applicables au transfert de tels boîtiers, dont les dimensions généralement supérieures à plusieurs millimètres n’ont aucune commune mesure avec les dispositifs optoélectroniques visés par la présente invention. La mise en boîtier et la manipulation des boîtiers appartiennent au domaine du « packaging », tandis que la présente invention est typiquement mise en œuvre avant d’envisager une quelconque étape de packaging. L’homme du métier du packaging n’est pas l’homme du métier auquel s’adresse la présente invention. Les domaines du packaging et de la présente invention sont parfaitement distincts et ne mettent pas en œuvre les mêmes technologies.
Sauf mention explicite, il est précisé que, dans le cadre de la présente invention, la disposition relative d’une troisième couche intercalée entre une première couche et une deuxième couche, ne signifie pas obligatoirement que les couches sont directement au contact les unes des autres, mais signifie que la troisième couche est soit directement au contact des première et deuxième couches, soit séparée de celles-ci par au moins une autre couche ou au moins un autre élément. Ainsi, les termes et locutions « prendre appui » et « couvrir » ou « recouvrir » ne signifient pas nécessairement « au contact de ».
Les étapes du procédé telles que revendiquées s’entendent au sens large et peuvent éventuellement être réalisées en plusieurs sous-étapes.
Dans la présente demande de brevet, les termes « diode électroluminescente », « LED » ou simplement « diode » sont employés en synonymes. Une « LED » peut également s’entendre d’une « mini-LED » ou « micro-LED » ou d’une smart LED, le cas échéant.
Dans la présente invention, « entourer » ne signifie pas nécessairement « entourer par un contour fermé ». En particulier, l’au moins un élément en saillie peut former un contour discontinu autour de la zone centrale, en projection dans un plan de base parallèle à la face du support. Les points d’attache de l’au moins un élément en saillie sur la zone périphérique peuvent former un contour discontinu. Les parties du dispositif optoélectronique coopérant avec l’au moins un élément en saillie ne sont pas nécessairement continues.
La cavité peut ainsi être partiellement ouverte.
On entend par « disposés régulièrement » ou « une disposition régulière », une disposition périodique des éléments en saillie, par exemple de façon à ce que des éléments en saillie adjacents soient espacés les uns des autres par une distance sensiblement constante.
On entend par un substrat, une couche, un dispositif, « à base » d’un matériau M, un substrat, une couche, un dispositif comprenant ce matériau M uniquement ou ce matériau M et éventuellement d’autres matériaux, par exemple des éléments d’alliage, des impuretés ou des éléments dopants. Ainsi, une diode à base de GaN comprend typiquement du GaN et des alliages d’AIGaN ou d’InGaN.
Un repère, de préférence orthonormé, comprenant les axes x, y, z est représenté sur les figures annexées.
Dans la présente demande de brevet, on parlera préférentiellement d’épaisseur pour une couche et de hauteur pour une structure ou un dispositif. L’épaisseur est prise selon une direction normale au plan d’extension principal de la couche, et la hauteur est prise perpendiculairement au plan de base xy. Ainsi, une couche présente typiquement une épaisseur selon z, lorsqu’elle s’étend principalement le long d’un plan xy, et un élément en saillie présente une hauteur selon z. Les termes relatifs « sur », « sous », « sous-jacent » se réfèrent préférentiellement à des positions prises selon la direction z. Les éléments en saillie peuvent se présenter sous formes de piliers s’étendant selon z, ou de murets s’étendant selon un plan xz ou yz. Lorsque les éléments en saillie s’apparentent à des murets s’étendant selon xz, ils présentent typiquement une dimension en largeur selon y. Lorsque les éléments en saillie s’apparentent à des murets s’étendant selon yz, ils présentent typiquement une dimension en largeur selon x. La dimension en largeur des éléments en saillie peut varier le long de la hauteur des éléments en saillie. Dans ce cas, la largeur peut correspondre à une valeur moyenne de largeur sur toute la hauteur. Les tranchées s’étendent typiquement selon des plans xz ou yz et présentent typiquement une dimension en largeur selon y ou selon x, respectivement. Dans le cas des tranchées également, la largeur peut correspondre à une valeur moyenne de largeur sur toute la hauteur.
Les valeurs dimensionnelles s'entendent aux tolérances de fabrication et de mesure près.
Les termes « sensiblement », « environ », « de l'ordre de » signifient, lorsqu’ils se rapportent à une valeur, « à 10% près » de cette valeur ou, lorsqu'ils se rapportent à une orientation angulaire, « à 10° près » de cette orientation. Ainsi, une direction sensiblement normale à un plan signifie une direction présentant un angle de 90±10° par rapport au plan.
Un premier mode de réalisation du procédé selon l’invention est illustré aux figures 1 A à 1 M. Ce premier mode de réalisation vise à transférer des smart LED depuis un substrat de croissance 1 sur un substrat receveur 2. Les smart LED comprennent typiquement une partie émissive 10 à base de LED ou pLED et une partie d’interconnexions électriques 20. Cette partie d’interconnexions électriques 20 peut notamment comprendre une électronique de pilotage à base de microcircuits intégrés pIC.
Comme illustré à la figure 1A, une première étape de ce procédé consiste à fournir un substrat de croissance 1 portant des LED 10i, IO2, IO3. Ces LED 10i, IO2, IO3 peuvent typiquement comprendre des LED dites RGB (acronyme de Red Green Blue), par exemple une LED rouge
101, une LED verte IO2, une LED bleu IO3. Selon une autre possibilité, le substrat de croissance 1 ne porte que des LEDS monochromes.
Le substrat de croissance 1 peut-être typiquement à base de matériaux lll-V. De façon connue, un tel substrat 1 peut comprendre une base en silicium ou en saphir sur laquelle des couches tampons et/ou de nucléation à base de matériaux lll-V sont épitaxiées (non illustré). Les LED 10i,
102, IO3 sont crues à partir des couches à base de matériaux lll-V.
Les LED 10i, IO2, IO3 peuvent être encapsulées dans un matériau d’encapsulation 11. Des contacts métalliques 1 C sont typiquement formés sur chacune des LED 101 , 102, 103.
Ces LED 10i, IO2, IO3 peuvent ensuite être reportées sur une partie 20 d’interconnexions électriques portée par une couche de support 21 . Dans cet exemple la partie 20 d’interconnexions électriques est une électronique de pilotage. L’électronique de pilotage 20 est typiquement formée dans une couche semiconductrice 22 comprenant des circuits intégrés 2O2. Des plots de contact 20i sont typiquement disposés sur chacun des microcircuits intégrés 2O2. Les plots de contact 20i et les contacts métalliques 1Û4 sont alignés en regard les uns des autres, puis assemblés les uns avec les autres.
Comme illustré à la figure 1 B, le substrat de croissance 1 portant les LED peut être assemblé à la couche de support 21 portant les pIC 2O2, par hybridation entre les contacts métalliques 104 et les plots de contact 20i. À ce stade, une pluralité de smart LED 30i est formée. Ces smart LED 30i sont intercalées entre le substrat de croissance 1 et la couche de support 21 .
Comme illustré à la figure 1C, la couche de support 21 est d’abord retirée, par exemple par rognage ou par amincissement, de façon à exposer une première face 301 des smart LED 30i. Des plots de contacts métalliques 2O3 peuvent être formés sur cette face 301 au niveau des pIC 2O2. Le nombre et la position des plots de contact 2O3 peuvent varier en fonction de l’architecture des pIC 2O2. Pour chacune des smart LED 30i, une zone centrale 301 c et une zone périphérique 301 p de la première face 301 peuvent être définies. La zone centrale 301 c se situe de préférence sensiblement à l’aplomb, selon z, du pIC et/ou des LED 10i, I O2, IO3. Ainsi, les plots de contact 2O3 se situent de préférence au sein de la zone centrale 301 c. La zone périphérique 301 p se situe de préférence sensiblement à l’aplomb, selon z, du matériau d’encapsulation entourant les LED 10i, IO2, IO3. La zone périphérique 301 p entoure la zone centrale 301c.
Comme illustré à la figure 1 D, un support 40i comprenant une partie de base 42 et des éléments en saillie 41 est fourni. Ce support 40i peut être formé à partir d’un substrat massif, par exemple un substrat de silicium. Les éléments en saillie 41 sont de préférence formés par gravure du substrat massif. Ces éléments en saillie 41 peuvent ainsi présenter différentes formes ou motifs. Ils peuvent par exemple s’apparenter à des piliers ou à des murets séparés les uns des autres. De façon alternative, les éléments en saillie 41 peuvent former un réseau continu, par exemple un quadrillage à mailles carrées ou rectangulaires, en vue de dessus selon z. Les éléments en saillie 41 présentent une largeur U1 ou L41 et une hauteur fui. La largeur U1 est typiquement inférieure à la hauteur fui. Les éléments en saillie 41 peuvent présenter une forme trapézoïdale ou tronconique, comme illustré à la figure 1 D. Ainsi, le sommet 411 des éléments en saillie 41 peut être légèrement moins large que la base 412 des éléments en saillie 41. Cela peut être dû aux paramètres de gravure permettant d’obtenir le support 40i. La largeur U1 peut être comprise entre 500 nm et 100 microns. La hauteur fui peut être comprise entre 500 nm et 1 mm.
Comme illustré à la figure 1 E, le support 40i est assemblé aux smart LED 30i portées par le substrat de croissance 1. Les éléments en saillie 41 sont alignés avec les zones périphériques 301 p de chacune des smart LED 30i. De préférence, au moins deux éléments en saillie 41 sont assemblés sur deux côtés opposés d’une zone périphérique 301 p. De préférence, au moins quatre éléments en saillie 41 sont assemblés sur quatre côtés opposés d’une zone périphérique 301 p. Les éléments en saillie 41 peuvent ainsi être répartis de façon régulière le long d’une zone périphérique 301 p considérée, en projection selon z. Cela permet d’améliorer la stabilité mécanique de l’assemblage.
Des structures de transfert 50i sont ainsi formées. Ces structures de transfert 50i comprennent chacune un dispositif électronique, en l’occurrence une smart LED 30i, et au moins partiellement le support 40i. Une cavité 43 est ainsi formée dans chaque structure de transfert 50i. Cette cavité 43 est bordée par les éléments en saillie 41 , la face de support 400 et la première face 301 . La cavité 43 permet typiquement d’abriter des contacts métalliques 203. Ces derniers sont ainsi protégés sans être couverts par une couche de protection ou un autre élément. Cela permet d’éviter une étape ultérieure de nettoyage de ces contacts métalliques 2O3.
Les structures de transfert 50i présentent une résistance mécanique suffisante pour retirer le substrat de croissance 1. Comme illustré à la figure 1 F, le substrat de croissance 1 est ensuite retiré, par exemple par rognage. Une face 302 des smart LED est ainsi exposée. Cette face 302 permet typiquement d’émettre la lumière.
Des tranchées 60 sont formées entre chacune des smart LED, de façon à individualiser les smart LED entre elles. Ces tranchées 60 peuvent être formées par gravure à partir de la face 302. Les tranchées 60 sont réalisées sensiblement au droit des zones périphériques de chaque structure de transfert 50i, notamment au droit des éléments en saillie 41 . Elles passent typiquement par le matériau d’encapsulation délimitant chaque groupe de LED 10i, 102,103 des smart LED 30i. Les tranchées 60 illustrées à la figure 1 F s’étendent principalement selon un plan yz. Elles sont suffisamment profondes pour isoler les parties à base de LED 10i, 102,103 des smart LED entre elles. Le fond 61 des tranchées 60 peut être situé dans la couche semiconductrice 22, au-dessus d’un plan de référence R comprenant la première face 301 , comme illustré à la figure 1 F.
Selon un autre exemple illustré à la figure 1G, le fond 61 des tranchées 60 peut être situé sous le plan de référence R. Dans ce cas, la largeur leo des tranchées 60 est inférieure à la largeur U1 des éléments en saillie 41. Les tranchées 60 se prolongent ainsi selon z dans les éléments en saillie 41 .
Les smart LED sont ainsi partiellement ou totalement séparées les unes des autres et reliés aux éléments en saillie 41 . La figure 1 H présente une pluralité de smart LED séparées les unes des autres, en vue de dessus. La couche semi conductrice 22 peut former un pourtour aux LED 10i, 102,103, en projection dans le plan xy. Dans l’exemple illustré à la figure 1 H, quatre éléments en saillie 41 sont représentés pour chacune des smart LED. Ces éléments en saillie 41 sont répartis symétriquement sur chacun des quatre côtés d’une smart LED. Un élément en saillie 41 donné est de préférence partagé par deux smart LED adjacentes. Selon une possibilité non illustrée, les éléments en saillie 41 peuvent être situés au niveau des coins des smart LED. Dans ce cas un élément en saillie 41 est partagé par quatre smart LED adjacentes.
La figure 11 est une vue en coupe selon le plan B-B représenté à la figure 1 H. Des tranchées 60 s’étendant principalement selon un plan xz sont également formées pour séparer les smart LED entre elles.
Comme illustré à la figure 1J, un dispositif de transfert 70, par exemple un tampon élastomère, est mis en contact des faces 302 des smart LED. Ce dispositif de transfert 70 vient typiquement en appui vertical sur les faces 302.
Comme illustré à la figure 1 K, le dispositif de transfert 70 est ensuite retiré en maintenant les smart LED 30i. La force exercée par le dispositif de transfert 70 permet de désolidariser le support 40i des smart LED 30i. La faible surface d’appui entre les éléments en saillie 41 et les smart LED 30i facilite la désolidarisation du support 40i. La force de collage entre le dispositif de transfert 70 et la face 302 d’une smart LED est de préférence supérieure à la force de retenue entre les éléments en saillie 41 et ladite smart LED 30i. Le dispositif de transfert 70 peut également exercer une force mécanique dirigée vers le support et/ou parallèlement au support de façon à rompre par pression et/ou cisaillement les éléments en saillie 41 .
Comme illustré aux figures 1 L et 1 M, les smart LED 30i sont ensuite amenées par le dispositif de transfert 70 en regard du substrat receveur 2. Les smart LED 30i sont alors assemblées au substrat receveur 2, puis le dispositif de transfert 70 est retiré. Ce premier mode de réalisation de l’invention permet de transférer efficacement des smart LED 30i depuis un substrat de croissance 1 vers un substrat receveur 2.
Selon une possibilité, les smart LED 30i sont prises une par une par le dispositif de transfert 70. Selon une possibilité, le dispositif de transfert 70 permet de modifier un écartement ou une distance de séparation entre les smart LED 30i lors du transfert, après désolidarisation du support 40i et avant report sur le substrat receveur 2. La densité surfacique des smart LED 30i peut ainsi varier entre le support 40i et le substrat receveur 2. Le substrat receveur 2 peut comprendre des structures d’accueil 200 pour les smart LED 30i, telles que des plots de contact. Selon une possibilité, le substrat receveur 2 peut être un substrat écran comprenant des pistes électriques et des plots de contact associés.
D’autres modes de réalisation de l’invention sont envisageables. Dans la suite, seules les caractéristiques distinctives des autres modes de réalisation vis-à-vis du premier mode de réalisation sont décrites. Les autres caractéristiques non décrites sont réputées identiques à celles du premier mode de réalisation.
Les figures 2A à 2M illustrent un deuxième mode de réalisation permettant de transférer des dispositifs optoélectroniques depuis un substrat de croissance vers un substrat receveur. Comme illustré à la figure 2A, un substrat de croissance 1 portant des LED 10i, I O2, I O3 et des contacts 1C est fourni comme précédemment. Dans cet exemple, la partie d’interconnexions électriques 20 comprend des vias 204. Ces vias sont plus communément appelés TSV (acronyme de « Through Silicon Vias »). Les vias ou TSV sont typiquement conducteurs électriques. Ces vias 204 traversent la couche semiconductrice 22. Les vias 204 sont typiquement associés aux plots de contact 20i. La partie d’interconnexions électriques 20 peut éventuellement comprendre d’autres éléments tels que les pIC vus précédemment. La partie 20 d’interconnexions électriques est portée par la couche de support 21 , comme précédemment.
Comme illustré à la figure 2B, après alignement, les LED 10i, I O2, I O3 sont assemblées avec les interconnexions électriques, par hybridation entre les plots de contact 104, 20i respectifs.
À ce stade, une pluralité de dispositifs 302 est formée. Ces dispositifs 302 sont intercalés entre le substrat de croissance 1 et la couche de support 21 . Chaque dispositif 302 comprend un groupe de LED 10i, I O2, I O3 et une partie d’interconnexions électriques.
Dans ce mode de réalisation, comme illustré à la figure 2C, les éléments en saillie 41 sont formés à partir de la couche de support 21 . Dans cet exemple, une gravure de la couche de support 21 configurée pour s’arrêter sur la couche semiconductrice 22 permet typiquement de former les éléments en saillie 41 au niveau des zones périphériques 301 p. Les éléments en saillie 41 peuvent dès lors présenter une forme trapézoïdale ou tronconique, comme illustré à la figure 2C. Contrairement au premier mode de réalisation, le sommet 411 des éléments en saillie 41 est ici plus large que la base 412 des éléments en saillie 41 .
Comme illustré à la figure 2D, des plots de contact 203 peuvent être formés sur les premières faces 301 des dispositifs au niveau des vias 204, entre les éléments en saillie 41 .
Comme illustré à la figure 2E, un substrat plan 44 est ensuite assemblé aux éléments en saillie 41 de façon à former la partie de base 42 du support 402. Dans ce mode de réalisation, la partie de base 42 et les éléments en saillie 41 sont donc formés séparément, puis assemblés. Une structure de transfert 502 est ainsi obtenue.
Comme précédemment et tel qu’illustré aux figures 2F et 2G, le substrat de croissance 1 est ensuite retiré et des tranchées 60 sont formées de façon à individualiser les dispositifs 302 entre eux. Le fond 61 des tranchées 60 peut être situé au-dessus du plan de référence R (figure 2F), ou en dessous du plan de référence R (figure 2G).
La figure 2H montre les dispositifs vus de dessus, chacun étant soutenu par quatre éléments en saillie 41 . La figure 2I montre les dispositifs selon le plan de coupe B-B illustré à la figure 2H. Comme précédemment et tel qu’illustré aux figures 2J à 2M, un dispositif de transfert 70 est assemblé aux faces 302 des dispositifs (figure 2J). Le dispositif de transfert 70 exerce ensuite une traction verticale selon z de manière à désolidariser les dispositifs 302 du support 40å (figure 2 K). Les dispositifs 302 sont alors amenés par le dispositif de transfert 70 en regard d’un substrat receveur 2 (figure 2L). Les dispositifs 302 sont assemblés au substrat receveur 2 puis le dispositif de transfert 70 est retiré (figure 2M).
Un troisième mode de réalisation de l’invention est illustré aux figures 3A à 3I. Dans ce mode de réalisation les dispositifs 303 sont des pixels RGB comprenant trois LED 10i , 102, IO3.
Selon ce mode de réalisation, les LED 10i , 102, I O3 portées par le substrat de croissance 1 sont directement assemblées au support 403, sans étape intermédiaire d’hybridation (figure 3A). Une structure de transfert 503 comprenant le pixel 303 et au moins partiellement le support 403 est ainsi formée (figure 3B).
Comme précédemment et tel qu’illustré à la figure 3C, le substrat de croissance 1 est ensuite retiré et des tranchées 60 sont formées de façon à individualiser les pixels 303 entre eux.
La figure 3D montre les pixels vus de dessus, chacun étant soutenu par quatre éléments en saillie 41 . La figure 3E montre les pixels selon le plan de coupe B-B illustré à la figure 3D. Seuls les sous-pixels formés par les LED vertes IO2 sont ici visibles.
Comme précédemment et tel qu’illustré aux figures 3F à 3I, un dispositif de transfert 70 est assemblé aux faces 302 des pixels (figure 3F). Le dispositif de transfert 70 retire ensuite les pixels 3O3 du support 403 (figure 3G). Les pixels 303 sont alors amenés par le dispositif de transfert 70 en regard d’un substrat receveur 2 (figure 3H). Les pixels 303 sont assemblés au substrat receveur 2 puis le dispositif de transfert 70 est retiré (figure 3I).
Selon un mode de réalisation, préalablement au transfert des LEDs (ou smart LEDs), un test électrique de l’ensemble des LEDs est effectué de façon à détecter les LEDs défaillantes. Selon une possibilité, lorsque qu’une LED est considérée comme défaillante à l’issue du test, on réalise un dépôt d’un matériau adhésif, par exemple une colle époxy, dans la cavité 43 sous ladite LED défaillante. Le matériau adhésif s’étend typiquement depuis la zone centrale de la LED défaillante jusqu’à la face de support 400. La force de collage du matériau adhésif est typiquement supérieure à la force de collage du dispositif de transfert sur la face 302 de la LED. Ainsi, lors du transfert des LEDs, la LED défaillante reste avantageusement attachée au support. Elle n’est pas transférée sur le substrat receveur 2. Cela permet de faciliter la réparation au niveau du substrat receveur, par exemple si ce substrat receveur est directement un substrat écran destiné à être intégré dans le produit final.
La structure de transfert peut ainsi être avantageusement modifiée localement pour fixer une LED défaillante au support, avant transfert des autres LEDs. La cavité présente sous chacune des LEDs peut avantageusement être mise à profit pour réaliser cette fixation, typiquement en remplissant ladite cavité par un matériau adhésif. Selon une possibilité, la fixation d’une ou plusieurs LEDs peut être réalisée sans que lesdites LEDs soient défaillantes, par exemple de façon à former un arrangement particulier des LEDs reportées sur le substrat receveur. La distribution des LEDs sur le substrat receveur est alors différente de la distribution initiale des LEDs sur le support ou le substrat donneur.
Comme illustré au travers des exemples précédents, les structures de transfert et les procédés de transfert selon l’invention permettent donc avantageusement de transférer des dispositifs optoélectroniques depuis un substrat donneur vers un substrat receveur. L’invention n’est cependant pas limitée aux modes de réalisations précédemment décrits.
En particulier, le nombre, la forme et la disposition des éléments en saillie peuvent être adaptés en fonction des dispositifs optoélectroniques à transférer.

Claims

REVENDICATIONS
1 . Structure de transfert (50i, 502, 503) comprenant un support (40i, 402, 4O3) et un dispositif optoélectronique (30i, 302, 3O3) attaché au support (40i, 402, 4O3), le support (40i, 402, 4O3) comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), le dispositif optoélectronique (30i, 302, 3O3) présentant une première face (301) comprenant une zone centrale (301 c) et une zone périphérique (301 P) entourant la zone centrale (301 c), la structure de transfert (50i, 502, 5O3) étant caractérisée en ce que l’au moins un élément en saillie (41) du support (40i, 402, 4O3) est attaché à la zone périphérique (301 P) de la première face (301) du dispositif optoélectronique (30i, 302, 3O3), de sorte que la face de support (400), l’au moins un élément en saillie (41) et la première face (301) du dispositif (30i, 302, 3O3) forment une cavité (43) sous la zone centrale (301 c).
2. Structure de transfert (50i, 502, 5O3) selon la revendication précédente comprenant au moins deux éléments en saillie (41), et de préférence au moins quatre éléments en saillie (41), régulièrement disposés de part et d’autre de la zone centrale (301c).
3. Structure de transfert (50i, 502, 5O3) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle l’au moins un élément en saillie (41) présente une première dimension U1 selon une première direction (x), une deuxième dimension L41 selon une deuxième direction (y), et une troisième dimension fui selon une troisième direction (z), les première et deuxième directions (x, y) formant un plan de base (xy) parallèle à la face de support (400), et la troisième direction (z) étant perpendiculaire à ce plan de base (xy), telles que l’une au moins parmi les première et deuxième dimensions U1 , L41 soit inférieure à la troisième dimension tui.
4. Structure de transfert (50i, 502, 5O3) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans laquelle le dispositif optoélectronique (30i, 302, 3O3) comprend au moins une diode électroluminescente (10i, I O2, I O3) au droit de la zone centrale (301 c), et présente une deuxième face (302) opposée à la première face (301), ladite deuxième face (302) formant une face d’émission de lumière.
5. Structure de transfert (50i, 5O2) selon la revendication précédente dans laquelle le dispositif optoélectronique (30i, 3O2) comprend en outre une partie (20, 22) d’interconnexions électriques formant la première face (301).
6. Système de transfert comprenant une pluralité de structures de transfert (50i, 502, 5O3) selon l’une quelconque des revendications précédentes dans lequel au moins un élément en saillie (41) de deux structures de transfert adjacentes est commun aux zones périphériques (301 p) desdites structures de transfert adjacentes.
7. Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel les dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 303) adjacents sont séparés entre eux par des tranchées (60) formées à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie (41).
8. Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) présente une première dimension U1 selon une première direction (x) et une deuxième dimension L41 selon une deuxième direction (y), les première et deuxième directions (x, y) formant un plan de base (xy) parallèle à la face de support (400), et les tranchées (60) présentent au moins une dimension leo selon l’une au moins des première et deuxième directions (x, y) inférieure aux première et deuxième dimensions U1 , L41 de l’au moins un élément en saillie (41).
9. Système de transfert selon la revendication précédente dans lequel les tranchées (60) se prolongent dans l’au moins un élément en saillie (41) selon une troisième direction (z) perpendiculaire aux première et deuxième directions (x, y).
10. Procédé de transfert d’une pluralité de dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) depuis un premier substrat (1) vers un deuxième substrat (2), ledit procédé comprenant au moins les étapes suivantes :
• fournir le premier substrat (1) portant les dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3), lesdits dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) présentant chacun une première face (301) d’un côté opposé au premier substrat (1), ladite première face (301) comprenant une zone centrale (301c) et une zone périphérique (301 p) entourant la zone centrale (301c),
• former un support (40i, 402, 4O3) pour les dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3), ledit support comprenant une partie de base (42) présentant une face de support (400), et au moins un élément en saillie (41) depuis la face de support (400), chaque zone périphérique (301 p) étant attachée audit au moins un élément en saillie (41), de sorte que la face de support (400), l’au moins un élément en saillie (41) et la première face (301) du dispositif (30i, 302, 3O3) forment une cavité (43) sous la zone centrale (301 c),
• retirer le premier substrat (1),
• désolidariser les dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) du support (40i, 402, 4O3), et les reporter sur un deuxième substrat (2), au niveau de leurs premières faces (301).
11 . Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, après retrait du premier substrat (1) et avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3), une formation de tranchées (60) séparant les dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) entre eux, de sorte que ceux-ci soient individualisés et soutenus uniquement par l’au moins un élément en saillie (41).
12. Procédé selon la revendication précédente dans lequel les tranchées (60) sont formées par gravure à l’aplomb de l’au moins un élément en saillie (41), à partir d’une deuxième face (302) des dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 303) opposée à la première face (301).
13. Procédé selon la revendication précédente dans lequel la gravure est configurée de sorte que les tranchées (60) se poursuivent en partie dans l’au moins un élément en saillie (41).
14. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 13 dans lequel les dispositifs optoélectroniques (30i, 3O2) comprennent chacun au moins une diode électroluminescente (10i, IO2) et une partie (20, 22) d’interconnexions électriques, l’au moins une diode électroluminescente (10i, IO2) étant réalisée sur le premier substrat (1) et ladite partie (20, 22) d’interconnexions électriques étant réalisée séparément sur une couche de support (21), ladite partie (20, 22) d’interconnexions électriques étant ensuite reportée par hybridation sur l’au moins une diode électroluminescente (10i, IO2), avant formation du support (40i, 4O2).
15. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 14 dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) est formé avant d’être attaché aux zones périphériques (301 p) des premières faces (301) des dispositifs optoélectroniques (30i, 3O3).
16. Procédé selon la revendication 14 dans lequel l’au moins un élément en saillie (41) est formé par gravure de ladite couche de support (21), puis est rapporté sur un substrat plan (44) de façon à former le support (4O2), avant retrait du premier substrat (1).
17. Procédé selon l’une quelconque des revendications 10 à 16 comprenant en outre, avant désolidarisation des dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3), une fixation d’une partie seulement des dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) sur la face de support (400), ladite fixation étant réalisée par dépôt d’un matériau adhésif dans la cavité (43), entre la zone centrale (301 c) et la face de support (400).
18. Procédé selon la revendication précédente comprenant en outre, avant fixation, un test électrique configuré pour détecter des dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) défaillants, ladite fixation étant réalisée pour lesdits dispositifs optoélectroniques (30i, 302, 3O3) défaillants uniquement.
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