WO2023177109A1 - Touch sensor and image display device comprising same - Google Patents

Touch sensor and image display device comprising same Download PDF

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WO2023177109A1
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touch sensor
sensing
electrode
sensor according
layer
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권도형
이철훈
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동우화인켐 주식회사
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
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    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
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    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • GPHYSICS
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    • G06VIMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13Sensors therefor

Definitions

  • the present invention relates to a touch sensor and an image display device including the same. More specifically, it relates to a touch sensor including patterned sensing electrodes and an image display device including the same.
  • a touch panel or touch sensor which is an input device attached to the display device and allows the user to input commands by selecting the instructions displayed on the screen with a person's hand or an object, is combined with the display device to provide an image display function and Electronic devices with information input functions are being developed.
  • a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices is being developed.
  • a sensor design capable of higher-resolution sensing is needed in a touch sensor capable of implementing fingerprint sensing. Accordingly, the spacing or pitch of the sensing electrodes may be reduced compared to a typical touch sensor.
  • One object of the present invention is to provide a touch sensor with improved resolution and electrical characteristics.
  • One object of the present invention is to provide an image display device including a touch sensor with improved resolution and electrical characteristics.
  • a first electrode layer including first sensing lines; Interlayer insulating layer; and second sensing lines facing the first electrode layer with the interlayer insulating layer interposed therebetween and intersecting the first sensing lines in a plane direction. and a second electrode layer including floating electrodes arranged between the second sensing lines in the planar direction, wherein the width of the floating electrode is greater than the line width of the second sensing line and is larger than the line width of the first sensing line.
  • a touch sensor that is small and has a line width of the first sensing line of 25 ⁇ m to 75 ⁇ m.
  • a touch sensor provided as a fingerprint sensor.
  • Window board and a touch sensor according to the above-described embodiments laminated on one surface of the window substrate.
  • Display panel and an image display device stacked on the display panel and including a touch sensor according to the above-described embodiments.
  • a touch sensor includes first and second sensing lines that intersect each other, and floating electrodes may be arranged between the second sensing lines.
  • a fringe field is induced toward the surface of the touch sensor by the floating electrodes, and the capacitance difference within the touch sensor may increase. Therefore, a high-resolution touch sensor capable of fingerprint sensing can be efficiently implemented.
  • the line width of the second sensing line may be smaller than the line width of the first sensing line, and the width of the floating electrode may be larger than the line width of the second sensing line. Accordingly, the induction of the fringe field into the second sensing line through the floating electrode can be promoted, and capacitance/charge loss through the side of the second sensing line can also be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments.
  • FIGS. 2 and 3 are schematic plan views showing a first electrode layer and a second electrode layer, respectively, according to example embodiments.
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor of a comparative example.
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor according to example embodiments.
  • Figure 6 is a schematic diagram showing a window stack and an image display device according to example embodiments.
  • Embodiments of the present invention provide a touch sensor that includes first and second electrode layers of different structures/shapes and provides high-resolution fingerprint sensing. Additionally, an image display device including the touch sensor is provided.
  • 1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments.
  • 2 and 3 are schematic plan views showing a first electrode layer and a second electrode layer, respectively, according to example embodiments.
  • touch sensor used in this application is used to encompass a sensor that inputs a command or generates a signal according to the touch of the user's finger or tool, and a sensor that generates a signal by recognizing the shape of the fingerprint of the finger. .
  • the touch sensor 100 may include a first electrode layer 110 and a second electrode layer 120 facing each other with an interlayer insulating layer 105 therebetween.
  • the interlayer insulating layer 105 may be provided as a dielectric layer that generates mutual capacitance (Cm) between the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120.
  • the interlayer insulating layer 105 may include an organic polymer material in consideration of dielectric constant and flexibility for application to an image display device.
  • the interlayer insulating layer 105 is made of cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), and polyphenylene sulfide. (PPS), polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), polymethyl methacrylate (PMMA), etc. These may be used alone or in combination of two or more.
  • COP cyclic olefin polymer
  • PET polyethylene terephthalate
  • PAR polyacrylate
  • PEI polyetherimide
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PPS polyphenylene sulfide
  • PPS polyallylate
  • PI polyimide
  • CAP cellulose acetate propionate
  • the interlayer insulating layer 105 may be formed of a polyimide (PI) layer.
  • PI polyimide
  • the first electrode layer 110 may include a plurality of first sensing lines 115. As shown in FIG. 2, the first sensing line 115 may extend in a first direction parallel to the upper surface of the interlayer insulating layer 105. A plurality of first sensing lines 115 may be arranged along a second direction that intersects the first direction and is parallel to the top surface of the interlayer insulating layer 105. The first direction and the second direction may be perpendicular to each other.
  • the line width (eg, width in the second direction) W1 of the first sensing line 115 may range from 25 ⁇ m to 75 ⁇ m.
  • the line width W1 of the first sensing line 115 may be in the range of 30 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the second electrode layer 120 may include a plurality of second sensing lines 125 and floating electrodes 127.
  • the second sensing line 125 may extend in the second direction.
  • a plurality of second sensing lines 125 may be arranged along the second direction. Accordingly, the first sensing lines 115 and the second sensing lines 125 intersect each other with the interlayer insulating layer 105 in between, and coordinate information of the input position can be generated.
  • the floating electrodes 127 are arranged on the upper surface of the interlayer insulating layer 105 and may be located on the same layer or at the same level as the second sensing lines 125. According to example embodiments, the floating electrodes 127 may be arranged between the second sensing lines 125 in a planar direction.
  • a plurality of floating electrodes 127 may be arranged in the second direction to form a floating electrode row.
  • a plurality of floating electrode rows may be disposed between neighboring second sensing lines 125 .
  • the floating electrodes 127 are physically spaced apart from the second sensing lines 125 and may have an island pattern shape between neighboring second sensing lines 125.
  • the floating electrode 127 may have a rectangular shape, for example, may be formed in a square pattern.
  • the shape of the floating electrode 127 may be appropriately changed to a polygon such as a pentagon or hexagon, a circle, or an oval.
  • the line width W2 (e.g., width in the first direction) of the second sensing line 125 may be smaller than the line width W1 of the first sensing line 115.
  • the line width W2 of the second sensing line 125 may be in the range of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the line width W2 of the second sensing line 125 may be in the range of 5 ⁇ m to 15 ⁇ m.
  • the width W3 (eg, width in the first direction) of the floating electrode 127 may be larger than the line width W2 of the second sensing line 125 .
  • the width W3 of the floating electrode 127 may be greater than the line width W2 of the second sensing line 125 and smaller than the line width W1 of the first sensing line 115.
  • both the horizontal and vertical lengths of the floating electrode 127 are larger than the line width W2 of the second sensing line 125, and the first It may be smaller than the line width W1 of the sensing line 115.
  • the width W3 of the floating electrode 127 may be in the range of 5 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the width W3 of the floating electrode 127 may range from 10 ⁇ m to 50 ⁇ m, 15 ⁇ m to 30 ⁇ m, or 15 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • a plurality of floating electrodes 127 may be arranged along the second direction between neighboring second sensing lines 125 to form a floating electrode row.
  • one floating electrode row may be disposed in each space between neighboring second sensing lines 125. Accordingly, uniform capacitance characteristics can be implemented over the entire area of the touch sensor.
  • the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120 may include a low-resistance metal or alloy in consideration of high-resolution fingerprint sensing.
  • the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120 are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium ( Cr), titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc ( Zn), molybdenum (Mo), tin (Sn), calcium (Ca) or an alloy containing at least one of these (e.g., silver-palladium-copper (APC) or copper-calcium (CuCa)) You can. These may be used alone or in combination of two or more.
  • APC silver-palladium-copper
  • CuCa copper-calcium
  • the touch sensor 100 may further include a base layer 90.
  • the first electrode layer 110, the interlayer insulating layer 105, and the second electrode layer 120 may be sequentially disposed on the base layer 90.
  • the base layer 90 may include a material that is substantially the same as or similar to the polymer material mentioned in the interlayer insulating layer 105.
  • the base layer 90 may include an inorganic insulating material such as glass, silicon oxide, or silicon nitride.
  • a passivation layer 130 covering the second electrode layer 120 may be formed on the interlayer insulating layer 105.
  • the passivation layer 130 may be provided as a protective layer of the touch sensor 100 or a surface layer to which a touch input is applied.
  • the passivation layer 130 may include an organic polymer material such as an acrylic polymer, a polyimide polymer, a siloxane polymer, an epoxy polymer, or an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or metal oxide. there is.
  • Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor of a comparative example.
  • the first sensing line 115 and the second sensing line 125 may have substantially the same or similar size/arrangement structure except for the extension direction.
  • a direct mutual capacitance is created in the first sensing line 115 and the second sensing line 125, and as indicated by the thick curved arrows, some electric field is directed toward the surface of the touch sensor.
  • a fringe field can be formed.
  • the fringe field induced toward the surface can be quickly discharged when a finger touch is input adjacent to the second electrode layer 120. Accordingly, the fringe field can improve the response speed and sensitivity of the touch sensor.
  • Cm may be generated on the side of the second sensing line 125, resulting in loss of charge.
  • Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor according to example embodiments.
  • floating electrodes 127 may be arranged around the second sensing line 125 .
  • Direct Cm may also be generated between the floating electrode 127 and the first sensing line 115, as indicated by a dotted arrow.
  • the floating electrode 127 interacts with the second sensing line 125 at the same level and interacts with the second sensing line 125, as indicated by the thick dotted arrow, through a difference in charge amount, to the fringe field adjacent to the touch sensor surface. can be guided towards.
  • the total amount of fringe fields directed to the finger touch surface of the touch sensor as a whole may be increased.
  • the fringe field may increase the amount of discharge at points corresponding to valleys and ridges of the fingerprint, thereby increasing the difference in capacitance between the valleys and ridges.
  • the capacitance difference can be expressed as Equation 1 below.
  • a touch sensor capable of recognizing the shape of a fingerprint at high resolution can be more effectively implemented. Additionally, as the capacitance difference increases, the ability to distinguish between signals and noise also increases, allowing a high-resolution/high-reliability fingerprint recognition sensor to be implemented.
  • ⁇ Cm of the touch sensor 100 may be 0.48fF or more. In a preferred embodiment, ⁇ Cm of the touch sensor 100 may be 0.5fF or more, and fingerprint sensing with higher resolution and higher reliability can be implemented.
  • the line width of the second sensing line 125 can be relatively narrowed, and the width of the floating electrode 127 can be increased. Accordingly, the generation of a field on the side of the second sensing line 125 that causes loss of charge can be suppressed, while the generation of a fringe field can be promoted.
  • Figure 6 is a schematic diagram showing a window stack and an image display device according to example embodiments.
  • the window stack 250 may include a window substrate 230, a polarizing layer 210, and a touch sensor 200 according to the above-described exemplary embodiments.
  • the window substrate 230 includes, for example, thin glass (eg, UTG) or a hard coating film, and in one embodiment, a light blocking pattern 235 is formed on the periphery of one side of the window substrate 230. can be formed.
  • the light blocking pattern 235 may include, for example, a color printing pattern and may have a single-layer or multi-layer structure.
  • the bezel portion or non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235.
  • the polarizing layer 210 may include a coated polarizer or a polarizing plate.
  • the coated polarizer may include a liquid crystal coating layer containing a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye.
  • the polarizing layer 210 may further include an alignment film to provide alignment to the liquid crystal coating layer.
  • the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one side of the polyvinyl alcohol-based polarizer.
  • the polarizing layer 210 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 230 or may be attached through the first point adhesive layer 220.
  • the touch sensor 200 may be included in the window laminate 250 in the form of a film or panel. In one embodiment, the touch sensor 200 may be coupled to the polarization layer 210 through the second point adhesive layer 225.
  • the window substrate 230, the polarization layer 210, and the touch sensor 200 may be arranged in that order from the user's viewing side.
  • the electrode layer of the touch sensor 200 is disposed below the polarization layer 210, the electrode visibility phenomenon can be more effectively prevented.
  • the touch sensor 200 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarizing layer 210.
  • the window substrate 230, the touch sensor 200, and the polarizing layer 210 may be arranged in that order from the user's viewing side.
  • the touch sensor 200 may include a high-resolution fingerprint sensor according to the exemplary embodiments described above.
  • the touch sensor 200 may also include a low-resolution touch sensor that recognizes coordinate information depending on the presence or absence of a general touch input.
  • the low-resolution touch sensor includes sensing unit electrodes, and the width of the sensing unit electrode may be 1 mm or more, 2 mm or more, 3 mm or more, or 4 mm or more.
  • the high-resolution fingerprint sensor and the low-resolution touch sensor may be placed together at the same level, or may be placed separately on different floors.
  • the image display device may include a display panel 360 and the window stack 250 described above coupled to the display panel 360.
  • the display panel 360 may include a pixel electrode 310, a pixel defining film 320, a display layer 330, an opposing electrode 340, and an encapsulation layer 350 disposed on the panel substrate 300. You can.
  • a pixel circuit including a thin film transistor (TFT) is formed on the panel substrate 300, and an insulating film covering the pixel circuit may be formed.
  • the pixel electrode 310 may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on the insulating film.
  • the pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define the pixel area.
  • a display layer 330 is formed on the pixel electrode 310, and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic light-emitting layer.
  • An opposing electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330.
  • the counter electrode 340 may be provided as a common electrode or cathode of an image display device, for example.
  • An encapsulation layer 350 for protecting the display panel 360 may be stacked on the counter electrode 340 .
  • the display panel 360 and the window laminate 250 may be coupled through a point adhesive layer 260.
  • the thickness of the point adhesive layer 260 may be greater than the thickness of each of the first and second point adhesive layers 220 and 225, and the viscoelasticity at -20 to 80 o C may be about 0.2 MPa or less.
  • the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15 MPa.
  • a touch sensor having the structure shown in Figure 1 was manufactured. Specifically, a first electrode layer having the structure shown in FIG. 2 and a second electrode layer having the structure shown in FIG. 3 were formed on the top and bottom surfaces of the interlayer insulating layer made of polyimide (PI) film, respectively.
  • PI polyimide
  • the first electrode layer and the second electrode layer were formed of copper lines having the line widths listed in Table 1.
  • the floating electrodes were formed in rectangular patterns with the width*height sizes listed in Table 1.
  • a touch sensor having the same structure as Example 1 was manufactured, except that the first electrode layer and the second electrode layer each included sensing lines with a line width of 40 ⁇ m, and the floating electrodes were omitted.
  • the first electrode layer and the second electrode layer were formed of copper lines having the line widths listed in Table 1.
  • the floating electrodes were formed in rectangular patterns with the width*height sizes listed in Table 1.
  • Example 1 40 10 20*20
  • Example 2 40 10 15*15 Comparative Example 1
  • 40 - Comparative Example 2 40 10 20*10 Comparative Example 3
  • 10 10*10 Comparative Example 4 40 10 5*5 Comparative Example 5 80 25 55*55 Comparative Example 6 20 3 4*4
  • ⁇ Cm in the touch sensor of the example increased by more than 10 times compared to the touch sensor of Comparative Example 1 in which the floating electrode was omitted. Accordingly, it can be predicted that the fingerprint sensor recognition resolution can be significantly increased through the above-described embodiments.

Abstract

Provided according to embodiments of the present invention are a touch sensor and an image display device comprising same. The touch sensor comprises: a first electrode layer including first sensing lines; an interlayer insulating layer; and a second electrode layer opposite to the first electrode layer with the interlayer insulating layer interposed therebetween. The second electrode layer includes: second sensing lines crossing the first sensing lines in a planar direction; and floating electrodes arranged between the respective second sensing lines in the planar direction.

Description

터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치Touch sensor and image display device including same
본 발명은 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 패턴화된 센싱 전극들을 포함하는 터치 센서 및 이를 포함하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a touch sensor and an image display device including the same. More specifically, it relates to a touch sensor including patterned sensing electrodes and an image display device including the same.
최근 정보화 기술이 발전함에 따라 디스플레이 분야에 대한 요구도 다양한 형태로 제시되고 있다. 예를 들면, 박형화, 경량화, 저소비 전력화 등의 특징을 지닌 여러 평판 표시 장치(Flat Panel Display device), 예를 들어, 액정표시장치(Liquid Crystal Display device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device), 전계발광표시장치(Electro Luminescent Display device), 유기발광다이오드표시장치(Organic Light-Emitting Diode Display device) 등이 연구되고 있다.As information technology has recently developed, demands for the display field are also being presented in various forms. For example, various flat panel display devices with features such as thinner, lighter, and lower power consumption, such as liquid crystal display devices and plasma display devices, Electro Luminescent Display devices and Organic Light-Emitting Diode Display devices are being researched.
한편, 상기 표시 장치 상에 부착되어 화면에 나타난 지시 내용을 사람의 손 또는 물체로 선택하여 사용자의 명령을 입력할 수 있도록 한 입력장치인 터치 패널 또는 터치 센서가 디스플레이 장치와 결합되어 화상 표시 기능 및 정보 입력 기능이 함께 구현된 전자 기기들이 개발되고 있다. 예를 들면, 한국공개특허 제2014-0092366호에서와 같이 다양한 화상 표시 장치에 터치 센서가 결합된 터치 스크린 패널이 개발되고 있다.Meanwhile, a touch panel or touch sensor, which is an input device attached to the display device and allows the user to input commands by selecting the instructions displayed on the screen with a person's hand or an object, is combined with the display device to provide an image display function and Electronic devices with information input functions are being developed. For example, as in Korea Patent Publication No. 2014-0092366, a touch screen panel in which a touch sensor is combined with various image display devices is being developed.
또한, 최근 디스플레이 장치에 예를 들면, 지문 센서와 같은 다양한 센서가 확장 적용됨에 따라, 지문 센싱이 구현될 수 있는 터치 센서에서는 보다 고해상도의 센싱이 가능한 센서 설계가 필요하다. 이에 따라 센싱 전극들의 간격 혹은 피치가 일반적인 터치 센서 대비 감소할 수 있다.In addition, as various sensors, such as fingerprint sensors, have been expanded in recent display devices, a sensor design capable of higher-resolution sensing is needed in a touch sensor capable of implementing fingerprint sensing. Accordingly, the spacing or pitch of the sensing electrodes may be reduced compared to a typical touch sensor.
예를 들면, 지문 센서의 경우 지문의 융과 골의 정전 용량 차이에 의해 신호 인식 또는 해석이 구현될 수 있다. 따라서, 감소된 전극 피치에서 보다 고해상도로 지문 센싱을 증가시키기 위해 상기 정전 용량 차이를 증가시킬 수 있는 전극 설계가 필요하다.For example, in the case of a fingerprint sensor, signal recognition or interpretation can be implemented based on the difference in capacitance between the ridges and valleys of the fingerprint. Therefore, an electrode design that can increase the capacitance difference is needed to increase fingerprint sensing with higher resolution at a reduced electrode pitch.
본 발명의 일 과제는 향상된 해상도 및 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a touch sensor with improved resolution and electrical characteristics.
본 발명의 일 과제는 향상된 해상도 및 전기적 특성을 갖는 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide an image display device including a touch sensor with improved resolution and electrical characteristics.
1. 제1 센싱 라인들을 포함하는 제1 전극층; 층간 절연층; 및 상기 층간 절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극층과 대향하고 상기 제1 센싱 라인들과 평면 방향에서 교차하는 제2 센싱 라인들; 및 상기 평면 방향에서 상기 제2 센싱 라인들 사이에 배열된 플로팅 전극들을 포함하는 제2 전극층을 포함하고, 상기 플로팅 전극의 너비는 상기 제2 센싱 라인의 선폭보다 크고 상기 제1 센싱 라인의 선폭보다 작고, 상기 제1 센싱 라인의 선폭은 25㎛ 내지 75㎛인, 터치 센서.1. A first electrode layer including first sensing lines; Interlayer insulating layer; and second sensing lines facing the first electrode layer with the interlayer insulating layer interposed therebetween and intersecting the first sensing lines in a plane direction. and a second electrode layer including floating electrodes arranged between the second sensing lines in the planar direction, wherein the width of the floating electrode is greater than the line width of the second sensing line and is larger than the line width of the first sensing line. A touch sensor that is small and has a line width of the first sensing line of 25㎛ to 75㎛.
2. 위 1에 있어서, 상기 제2 센싱 라인의 선폭은 5㎛ 내지 20㎛인, 터치 센서.2. The touch sensor of 1 above, wherein the line width of the second sensing line is 5㎛ to 20㎛.
3. 위 2에 있어서, 상기 플로팅 전극의 너비는 5㎛ 내지 50㎛인, 터치 센서. 3. The touch sensor of 2 above, wherein the width of the floating electrode is 5㎛ to 50㎛.
4. 위 1에 있어서, 상기 플로팅 전극들 및 상기 제2 센싱 라인들은 동일 레벨에 위치하는, 터치 센서.4. The touch sensor of 1 above, wherein the floating electrodes and the second sensing lines are located at the same level.
5. 위 1에 있어서, 복수의 상기 플로팅 전극들이 플로팅 전극 열을 형성하고, 상기 플로팅 전극 열이 이웃하는 상기 제2 센싱 라인들 사이의 공간 마다 배치된, 터치 센서.5. The touch sensor according to 1 above, wherein the plurality of floating electrodes form a floating electrode row, and the floating electrode row is disposed in every space between the neighboring second sensing lines.
6. 위 5에 있어서, 이웃하는 상기 제2 센싱 라인들 사이에 하나의 상기 플로팅 전극 열이 배치된, 터치 센서.6. The touch sensor according to 5 above, wherein one floating electrode row is disposed between the neighboring second sensing lines.
7. 위 1에 있어서, 지문 센서로 제공되는 터치 센서.7. In 1 above, a touch sensor provided as a fingerprint sensor.
8. 위 7에 있어서, 지문의 골(valley) 및 지문의 융선(ridge)에서의 정전용량 차이가 0.48 fF 이상인, 터치 센서.8. The touch sensor according to 7 above, wherein the capacitance difference between the valley of the fingerprint and the ridge of the fingerprint is 0.48 fF or more.
9. 위 8에 있어서, 상기 제2 전극층이 지문 입력면을 향해 배치된, 터치 센서.9. The touch sensor according to 8 above, wherein the second electrode layer is disposed toward the fingerprint input surface.
10. 윈도우 기판; 및 상기 윈도우 기판의 일면 상에 적층된 상술한 실시예들에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.10. Window board; and a touch sensor according to the above-described embodiments laminated on one surface of the window substrate.
11. 표시 패널; 및 상기 표시 패널 상에 적층되며 상술한 실시예들에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.11. Display panel; and an image display device stacked on the display panel and including a touch sensor according to the above-described embodiments.
본 발명의 실시예들에 따르는 터치 센서는 서로 교차하는 제1 센싱 라인들 및 제2 센싱 라인들을 포함하며, 상기 제2 센싱 라인들 사이에 플로팅 전극들이 배열될 수 있다. 상기 플로팅 전극들에 의해 터치 센서의 표면 쪽으로 프린지 필드가 유도되며, 터치 센서 내에서의 커패시턴스 차이가 증가될 수 있다. 따라서, 지문 센싱이 가능한 고해상도 터치 센서를 효율적으로 구현할 수 있다. A touch sensor according to embodiments of the present invention includes first and second sensing lines that intersect each other, and floating electrodes may be arranged between the second sensing lines. A fringe field is induced toward the surface of the touch sensor by the floating electrodes, and the capacitance difference within the touch sensor may increase. Therefore, a high-resolution touch sensor capable of fingerprint sensing can be efficiently implemented.
일부 실시예들에 있어서, 상기 제2 센싱 라인의 선폭은 상기 제1 센싱 라인의 선폭보다 작으며, 상기 플로팅 전극의 너비는 상기 제2 센싱 라인의 선폭보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 플로팅 전극을 통한 상기 제2 센싱 라인으로의 프린지 필드 유도를 촉진할 수 있으며, 제2 센싱 라인 측면을 통한 커패시턴스/전하 손실도 감소시킬 수 있다.In some embodiments, the line width of the second sensing line may be smaller than the line width of the first sensing line, and the width of the floating electrode may be larger than the line width of the second sensing line. Accordingly, the induction of the fringe field into the second sensing line through the floating electrode can be promoted, and capacitance/charge loss through the side of the second sensing line can also be reduced.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments.
도 2 및 도 3은 각각 예시적인 실시예들에 따른 제1 전극층 및 제2 전극층을 나타내는 개략적인 평면도들이다.2 and 3 are schematic plan views showing a first electrode layer and a second electrode layer, respectively, according to example embodiments.
도 4는 비교예의 터치 센서에서의 필드 형성을 나태내는 개략적인 단면도이다.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor of a comparative example.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서에서의 필드 형성을 나태내는 개략적인 단면도이다.Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor according to example embodiments.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.Figure 6 is a schematic diagram showing a window stack and an image display device according to example embodiments.
본 발명의 실시예들은 서로 다른 구조/형상의 제1 및 제2 전극층을 포함하며, 고해상도 지문 센싱을 제공하는 터치센서를 제공한다. 또한, 상기 터치 센서를 포함하는 화상 표시 장치가 제공된다.Embodiments of the present invention provide a touch sensor that includes first and second electrode layers of different structures/shapes and provides high-resolution fingerprint sensing. Additionally, an image display device including the touch sensor is provided.
이하 도면을 참고하여, 본 발명의 실시예들을 보다 구체적으로 설명하도록 한다. 다만, 본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 전술한 발명의 내용과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.With reference to the drawings below, embodiments of the present invention will be described in more detail. However, the following drawings attached to this specification illustrate preferred embodiments of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the contents of the above-described invention, so the present invention is described in such drawings. It should not be interpreted as limited to the specifics.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서를 나타내는 개략적인 단면도이다. 도 2 및 도 3은 각각 예시적인 실시예들에 따른 제1 전극층 및 제2 전극층을 나타내는 개략적인 평면도들이다.1 is a schematic cross-sectional view showing a touch sensor according to example embodiments. 2 and 3 are schematic plan views showing a first electrode layer and a second electrode layer, respectively, according to example embodiments.
본 출원에 사용된 용어 "터치 센서"는 사용자의 손가락 또는 도구의 터치에 따라 명령이 입력되거나 신호를 생성시키는 센서, 및 손가락의 지문 형상을 인식하여 신호를 생성하는 센서를 포괄하는 의미로 사용된다.The term "touch sensor" used in this application is used to encompass a sensor that inputs a command or generates a signal according to the touch of the user's finger or tool, and a sensor that generates a signal by recognizing the shape of the fingerprint of the finger. .
도 1 내지 도 3을 참조하면, 터치 센서(100)는 층간 절연층(105)을 사이에 두고 서로 마주보는 제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 1 to 3 , the touch sensor 100 may include a first electrode layer 110 and a second electrode layer 120 facing each other with an interlayer insulating layer 105 therebetween.
층간 절연층(105)은 제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120) 사이에서 상호 정전용량(Mutual Capacitance: Cm)을 생성시키는 유전층으로 제공될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 층간 절연층(105)은 유전율 및 화상 표시 장치에 적용되기 위한 유연성을 고려하여 유기 고분자 물질을 포함할 수 있다.The interlayer insulating layer 105 may be provided as a dielectric layer that generates mutual capacitance (Cm) between the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120. According to example embodiments, the interlayer insulating layer 105 may include an organic polymer material in consideration of dielectric constant and flexibility for application to an image display device.
예를 들면, 층간 절연층(105)은 환형올레핀중합체(COP), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리아크릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리페닐렌설파이드(PPS), 폴리알릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP), 폴리에테르술폰(PES), 셀룰로오스 트리아세테이트(TAC), 폴리카보네이트(PC), 환형올레핀공중합체(COC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.For example, the interlayer insulating layer 105 is made of cyclic olefin polymer (COP), polyethylene terephthalate (PET), polyacrylate (PAR), polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), and polyphenylene sulfide. (PPS), polyallylate, polyimide (PI), cellulose acetate propionate (CAP), polyethersulfone (PES), cellulose triacetate (TAC), polycarbonate (PC), cyclic olefin copolymer (COC), polymethyl methacrylate (PMMA), etc. These may be used alone or in combination of two or more.
바람직한 일 실시예에 있어서, 상술한 유전율 및 유연성 측면에서, 층간 절연층(105)은 폴리이미드(PI) 층으로 형성될 수 있다.In a preferred embodiment, in terms of dielectric constant and flexibility described above, the interlayer insulating layer 105 may be formed of a polyimide (PI) layer.
제1 전극층(110)은 복수의 제1 센싱 라인들(115)을 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 센싱 라인(115)은 층간 절연층(105) 상면에 평행한 제1 방향으로 연장할 수 있다. 복수의 제1 센싱 라인들(115)이 상기 제1 방향과 교차하며 층간 절연층(105)의 상기 상면에 평행한 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향은 서로 수직할 수 있다.The first electrode layer 110 may include a plurality of first sensing lines 115. As shown in FIG. 2, the first sensing line 115 may extend in a first direction parallel to the upper surface of the interlayer insulating layer 105. A plurality of first sensing lines 115 may be arranged along a second direction that intersects the first direction and is parallel to the top surface of the interlayer insulating layer 105. The first direction and the second direction may be perpendicular to each other.
일부 실시예들에 있어서, 제1 센싱 라인(115)의 선폭(예를 들면, 상기 제2 방향으로의 너비)(W1)은 25㎛ 내지 75㎛ 범위일 수 있다. 바람직하게는, 제1 센싱 라인(115)의 선폭(W1)은 30㎛ 내지 50㎛ 범위일 수 있다.In some embodiments, the line width (eg, width in the second direction) W1 of the first sensing line 115 may range from 25 μm to 75 μm. Preferably, the line width W1 of the first sensing line 115 may be in the range of 30 μm to 50 μm.
제2 전극층(120)은 복수의 제2 센싱 라인들(125) 및 플로팅 전극들(127)을 포함할 수 있다. The second electrode layer 120 may include a plurality of second sensing lines 125 and floating electrodes 127.
도 3에 도시된 바와 같이, 제2 센싱 라인(125)은 상기 제2 방향으로 연장할 수 있다. 복수의 제2 센싱 라인들(125)이 상기 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 이에 따라, 제1 센싱 라인들(115) 및 제2 센싱 라인들(125)은 층간 절연층(105)을 사이에 두고 서로 교차하며, 입력 위치의 좌표 정보를 생성할 수 있다.As shown in FIG. 3, the second sensing line 125 may extend in the second direction. A plurality of second sensing lines 125 may be arranged along the second direction. Accordingly, the first sensing lines 115 and the second sensing lines 125 intersect each other with the interlayer insulating layer 105 in between, and coordinate information of the input position can be generated.
플로팅 전극들(127)은 층간 절연층(105)의 상면 상에 배열되며, 제2 센싱 라인들(125)과 동일 층 또는 동일 레벨에 위치할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 플로팅 전극들(127)은 평면 방향에서 제2 센싱 라인들(125) 사이에 배열될 수 있다.The floating electrodes 127 are arranged on the upper surface of the interlayer insulating layer 105 and may be located on the same layer or at the same level as the second sensing lines 125. According to example embodiments, the floating electrodes 127 may be arranged between the second sensing lines 125 in a planar direction.
예를 들면, 복수의 플로팅 전극들(127)이 상기 제2 방향으로 배열되어 플로팅 전극 열을 형성할 수 있다. 복수의 상기 플로팅 전극 열들이 각각 이웃하는 제2 센싱 라인들(125) 사이에 배치될 수 있다.For example, a plurality of floating electrodes 127 may be arranged in the second direction to form a floating electrode row. A plurality of floating electrode rows may be disposed between neighboring second sensing lines 125 .
플로팅 전극들(127)은 제2 센싱 라인(125)과 물리적으로 이격되며, 이웃하는 제2 센싱 라인들(125) 사이의 섬(island) 패턴 형상을 가질 수 있다.The floating electrodes 127 are physically spaced apart from the second sensing lines 125 and may have an island pattern shape between neighboring second sensing lines 125.
예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 플로팅 전극(127)은 사각형 형상을 가질 수 있으며, 예를 들면 정사각형 패턴으로 형성될 수 있다.In example embodiments, as shown in FIG. 3, the floating electrode 127 may have a rectangular shape, for example, may be formed in a square pattern.
일부 실시예들에 있어서, 플로팅 전극(127)의 형상은 5각형, 6각형 등의 다각형, 원형, 타원형 등으로 적절히 변경될 수도 있다.In some embodiments, the shape of the floating electrode 127 may be appropriately changed to a polygon such as a pentagon or hexagon, a circle, or an oval.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2)(예를 들면, 상기 제1 방향으로의 너비)은 제1 센싱 라인(115)의 선폭(W1) 보다 작을 수 있다. 예를 들면, 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2)은 5㎛ 내지 20㎛ 범위일 수 있다. 바람직하게는, 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2)은 5㎛ 내지 15㎛ 범위일 수 있다.According to example embodiments, the line width W2 (e.g., width in the first direction) of the second sensing line 125 may be smaller than the line width W1 of the first sensing line 115. . For example, the line width W2 of the second sensing line 125 may be in the range of 5 μm to 20 μm. Preferably, the line width W2 of the second sensing line 125 may be in the range of 5㎛ to 15㎛.
예시적인 실시예들에 따르면, 플로팅 전극(127)의 너비(W3)(예를 들면, 상기 제1 방향으로의 너비)는 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2) 보다 클 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 플로팅 전극(127)의 너비(W3)는 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2) 보다 크며, 제1 센싱 라인(115)의 선폭(W1) 보다 작을 수 있다.According to example embodiments, the width W3 (eg, width in the first direction) of the floating electrode 127 may be larger than the line width W2 of the second sensing line 125 . In some embodiments, the width W3 of the floating electrode 127 may be greater than the line width W2 of the second sensing line 125 and smaller than the line width W1 of the first sensing line 115.
예시적인 실시예들에 따르면, 플로팅 전극(127)이 사각형 형상을 갖는 경우, 플로팅 전극(127)의 가로 길이 및 세로 길이가 모두 제2 센싱 라인(125)의 선폭(W2) 보다 크며, 제1 센싱 라인(115)의 선폭(W1) 보다 작을 수 있다.According to exemplary embodiments, when the floating electrode 127 has a square shape, both the horizontal and vertical lengths of the floating electrode 127 are larger than the line width W2 of the second sensing line 125, and the first It may be smaller than the line width W1 of the sensing line 115.
예를 들면, 플로팅 전극(127)의 너비(W3)는 5㎛ 내지 50㎛범위일 수 있다. 바람직하게는, 플로팅 전극(127)의 너비(W3)는 10㎛ 내지 50㎛, 15㎛ 내지 30㎛, 또는 15 ㎛ 내지 25 ㎛ 범위일 수 있다.For example, the width W3 of the floating electrode 127 may be in the range of 5㎛ to 50㎛. Preferably, the width W3 of the floating electrode 127 may range from 10 ㎛ to 50 ㎛, 15 ㎛ to 30 ㎛, or 15 ㎛ to 25 ㎛.
도 3에 도시된 바와 같이, 이웃하는 제2 센싱 라인들(125) 사이에 상기 제2 방향을 따라 복수의 플로팅 전극들(127)이 배열되어 플로팅 전극 열이 형성될 수 있다. 바람직한 일 실시예에 있어서, 이웃하는 제2 센싱 라인들(125) 사이의 공간들마다 하나의 플로팅 전극 열이 배치될 수 있다. 이에 따라, 터치 센서의 전체 영역에 걸쳐 균일한 정전 용량 특성이 구현될 수 있다.As shown in FIG. 3 , a plurality of floating electrodes 127 may be arranged along the second direction between neighboring second sensing lines 125 to form a floating electrode row. In a preferred embodiment, one floating electrode row may be disposed in each space between neighboring second sensing lines 125. Accordingly, uniform capacitance characteristics can be implemented over the entire area of the touch sensor.
제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120)은 고해상도 지문 센싱을 고려하여 저저항 금속 또는 합금을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 전극층(110) 및 제2 전극층(120)은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 철(Fe), 망간(Mn), 코발트(Co), 니켈(Ni), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 칼슘(Ca) 또는 이들 중 적어도 하나를 함유하는 합금(예를 들면, 은-팔라듐-구리(APC) 또는 구리-칼슘(CuCa)) 을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.The first electrode layer 110 and the second electrode layer 120 may include a low-resistance metal or alloy in consideration of high-resolution fingerprint sensing. For example, the first electrode layer 110 and the second electrode layer 120 are silver (Ag), gold (Au), copper (Cu), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium (Pd), chromium ( Cr), titanium (Ti), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), vanadium (V), iron (Fe), manganese (Mn), cobalt (Co), nickel (Ni), zinc ( Zn), molybdenum (Mo), tin (Sn), calcium (Ca) or an alloy containing at least one of these (e.g., silver-palladium-copper (APC) or copper-calcium (CuCa)) You can. These may be used alone or in combination of two or more.
일부 실시예들에 있어서, 터치 센서(100)는 기재층(90)을 더 포함할 수 있다. 예를 들면, 기재층(90) 상에 제1 전극층(110), 층간 절연층(105) 및 제2 전극층(120)이 순차적으로 배치될 수 있다.In some embodiments, the touch sensor 100 may further include a base layer 90. For example, the first electrode layer 110, the interlayer insulating layer 105, and the second electrode layer 120 may be sequentially disposed on the base layer 90.
기재층(90)은 층간 절연층(105)에서 언급한 고분자 물질과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기재층(90)은 글래스, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수도 있다.The base layer 90 may include a material that is substantially the same as or similar to the polymer material mentioned in the interlayer insulating layer 105. In one embodiment, the base layer 90 may include an inorganic insulating material such as glass, silicon oxide, or silicon nitride.
층간 절연층(105) 상에는 제2 전극층(120)을 덮는 패시베이션 층(130)이 형성될 수 있다. 패시베이션 층(130)은 예를 들면, 터치 센서(100)의 보호층 또는 터치 입력이 인가되는 표면층으로 제공될 수 있다. 패시베이션 층(130)은 아크릴계 고분자, 폴리이미드계 고분자, 실록산계 고분자, 에폭시계 고분자 등과 같은 유기 고분자 물질, 또는 실리콘 산화물, 신리콘 질화물, 실리콘 산질화물, 금속 산화물 등과 같은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.A passivation layer 130 covering the second electrode layer 120 may be formed on the interlayer insulating layer 105. For example, the passivation layer 130 may be provided as a protective layer of the touch sensor 100 or a surface layer to which a touch input is applied. The passivation layer 130 may include an organic polymer material such as an acrylic polymer, a polyimide polymer, a siloxane polymer, an epoxy polymer, or an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or metal oxide. there is.
도 4는 비교예의 터치 센서에서의 필드 형성을 나태내는 개략적인 단면도이다.Figure 4 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor of a comparative example.
도 4를 참조하면, 비교예에서는 제1 센싱 라인(115) 및 제2 센싱 라인(125)이 연장 방향을 제외하고는 실질적으로 동일하거나 유사한 사이즈/배열 구조를 가질 수 있다.Referring to FIG. 4, in the comparative example, the first sensing line 115 and the second sensing line 125 may have substantially the same or similar size/arrangement structure except for the extension direction.
점선 화살표로 표시된 바와 같이, 제1 센싱 라인(115) 및 제2 센싱 라인(125)에서 직접적인 상호 정전용량(Cm)이 생성되며, 굵은 휘어진 화살표로 표시된 바와 같이, 일부 전계가 터치 센서의 표면쪽으로 프린지 필드(fringe field)를 형성할 수 있다.As indicated by the dashed arrows, a direct mutual capacitance (Cm) is created in the first sensing line 115 and the second sensing line 125, and as indicated by the thick curved arrows, some electric field is directed toward the surface of the touch sensor. A fringe field can be formed.
표면쪽으로 유도된 프린지 필드는 제2 전극층(120)에 인접하여 손가락 터치가 입력되는 경우 신속하게 방전될 수 있다. 이에 따라, 상기 프린지 필드는 터치 센서의 감응 속도 및 감도를 증진시킬 수 있다.The fringe field induced toward the surface can be quickly discharged when a finger touch is input adjacent to the second electrode layer 120. Accordingly, the fringe field can improve the response speed and sensitivity of the touch sensor.
그러나, 제1 및 제2 전극층(110, 120)이 동일한 라인 구조를 갖는 비교예에서는 제1 전극층(110)으로부터 터치 센서 표면으로 향하는 충분한 프린지 필드가 형성되지 못하며, 대부분의 상호 정전 용량(Cm)은 점선 화살표로 표시된 전극층들 사이의 다이렉트 Cm으로 생성될 수 있다.However, in the comparative example in which the first and second electrode layers 110 and 120 have the same line structure, a sufficient fringe field is not formed from the first electrode layer 110 to the touch sensor surface, and most of the mutual capacitance (Cm) can be created by direct Cm between the electrode layers indicated by the dashed arrows.
또한, 얇은 휘어진 화살표로 표시된 바와 같이, 제2 센싱 라인(125) 측면으로의 Cm이 생성되어 전하량의 손실이 초래될 수도 있다.Additionally, as indicated by the thin curved arrow, Cm may be generated on the side of the second sensing line 125, resulting in loss of charge.
도 5는 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서에서의 필드 형성을 나태내는 개략적인 단면도이다.Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing field formation in a touch sensor according to example embodiments.
도 5를 참조하면, 상술한 예시적인 실시예들에 따르면, 플로팅 전극들(127)이 제2 센싱 라인(125) 주변에 배열될 수 있다.Referring to FIG. 5 , according to the above-described exemplary embodiments, floating electrodes 127 may be arranged around the second sensing line 125 .
플로팅 전극(127) 및 제1 센싱 라인(115) 사이에서도 점선 화살표로 표시된 바와 같이, 다이렉트 Cm이 생성될 수 있다. 또한, 플로팅 전극(127)은 동일 레벨의 제2 센싱 라인(125)과 상호 작용/전하량 차이를 통해 굵은 점선 화살표로 표시된 바와 같이, 터치 센서 표면과 인접한 프린지 필드를 제2 센싱 라인(125)을 향해 유도할 수 있다.Direct Cm may also be generated between the floating electrode 127 and the first sensing line 115, as indicated by a dotted arrow. In addition, the floating electrode 127 interacts with the second sensing line 125 at the same level and interacts with the second sensing line 125, as indicated by the thick dotted arrow, through a difference in charge amount, to the fringe field adjacent to the touch sensor surface. can be guided towards.
이에 따라, 터치 센서 전체적으로 손가락 터치 표면으로 향하는 프린지 필드의 총량이 증가될 수 있다. Accordingly, the total amount of fringe fields directed to the finger touch surface of the touch sensor as a whole may be increased.
예를 들면, 상기 프린지 필드는 지문의 골(valley) 및 융선(ridge)에 해당하는 지점에서의 방전량을 증가시키고, 이에 따라 상기 골 및 융선에서의 정전용량 차이를 증가시킬 수 있다. 상기 정전용량 차이는 하기의 식 1로 표시될 수 있다.For example, the fringe field may increase the amount of discharge at points corresponding to valleys and ridges of the fingerprint, thereby increasing the difference in capacitance between the valleys and ridges. The capacitance difference can be expressed as Equation 1 below.
[식 1][Equation 1]
△Cm = |Cm(valley) - Cm(ridge)|△Cm = |Cm(valley) - Cm(ridge)|
따라서, 지문 형상을 고해상도로 인식 가능한 터치 센서를 보다 효과적으로 구현할 수 있다. 또한, 상기 정전용량 차이 증가에 따라, 신호 및 노이즈의 분별력 역시 증가되어 고해상도/고신뢰성의 지문 인식 센서가 구현될 수 있다.Therefore, a touch sensor capable of recognizing the shape of a fingerprint at high resolution can be more effectively implemented. Additionally, as the capacitance difference increases, the ability to distinguish between signals and noise also increases, allowing a high-resolution/high-reliability fingerprint recognition sensor to be implemented.
예시적인 실시예들에 따르면, 터치 센서(100)의 △Cm은 0.48fF 이상일 수 있다. 바람직한 일 실시예에 있어서, 터치 센서(100)의 △Cm은 0.5fF 이상일 수 있으며, 보다 고해상도 및 고신뢰성의 지문 센싱이 구현될 수 있다.According to example embodiments, ΔCm of the touch sensor 100 may be 0.48fF or more. In a preferred embodiment, △Cm of the touch sensor 100 may be 0.5fF or more, and fingerprint sensing with higher resolution and higher reliability can be implemented.
상술한 바와 같이, 제2 센싱 라인(125)의 선폭은 상대적으로 좁히고, 플로팅 전극(127)의 너비는 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 손실 전하를 야기하는 제2 센싱 라인(125) 측면으로의 필드 생성은 억제하면서, 프린지 필드 생성을 보다 촉진할 수 있다.As described above, the line width of the second sensing line 125 can be relatively narrowed, and the width of the floating electrode 127 can be increased. Accordingly, the generation of a field on the side of the second sensing line 125 that causes loss of charge can be suppressed, while the generation of a fringe field can be promoted.
도 6은 예시적인 실시예들에 따른 윈도우 적층체 및 화상 표시 장치를 나타내는 개략적인 도면이다.Figure 6 is a schematic diagram showing a window stack and an image display device according to example embodiments.
도 6을 참조하면, 윈도우 적층체(250)는 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 상술한 예시적인 실시예들에 따른 터치 센서(200)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6 , the window stack 250 may include a window substrate 230, a polarizing layer 210, and a touch sensor 200 according to the above-described exemplary embodiments.
윈도우 기판(230)은 예를 들면, 박형 글래스(예를 들면, UTG) 또는 하드 코팅 필름을 포함하며, 일 실시예에 있어서, 윈도우 기판(230)의 일면의 주변부 상에 차광 패턴(235)이 형성될 수 있다. 차광 패턴(235)은 예를 들면 컬러 인쇄 패턴을 포함할 수 있으며, 단층 또는 복층 구조를 가질 수 있다. 차광 패턴(235)에 의해 화상 표시 장치의 베젤부 혹은 비표시 영역이 정의될 수 있다.The window substrate 230 includes, for example, thin glass (eg, UTG) or a hard coating film, and in one embodiment, a light blocking pattern 235 is formed on the periphery of one side of the window substrate 230. can be formed. The light blocking pattern 235 may include, for example, a color printing pattern and may have a single-layer or multi-layer structure. The bezel portion or non-display area of the image display device may be defined by the light blocking pattern 235.
편광층(210)은 코팅형 편광자 또는 편광판을 포함할 수 있다. 상기 코팅형 편광자는 중합성 액정 화합물 및 이색성 염료를 포함하는 액정 코팅층을 포함할 수 있다. 이 경우, 편광층(210)은 상기 액정 코팅층에 배향성을 부여하기 위한 배향막을 더 포함할 수 있다The polarizing layer 210 may include a coated polarizer or a polarizing plate. The coated polarizer may include a liquid crystal coating layer containing a polymerizable liquid crystal compound and a dichroic dye. In this case, the polarizing layer 210 may further include an alignment film to provide alignment to the liquid crystal coating layer.
예를 들면, 상기 편광판은 폴리비닐알코올계 편광자 및 상기 폴리비닐알코올계 편광자의 적어도 일면에 부착된 보호필름을 포함할 수 있다.For example, the polarizing plate may include a polyvinyl alcohol-based polarizer and a protective film attached to at least one side of the polyvinyl alcohol-based polarizer.
편광층(210)은 윈도우 기판(230)의 상기 일면과 직접 접합되거나, 제1 점접착층(220)을 통해 부착될 수도 있다.The polarizing layer 210 may be directly bonded to the one surface of the window substrate 230 or may be attached through the first point adhesive layer 220.
터치 센서(200)는 필름 또는 패널 형태로 윈도우 적층체(250)에 포함될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 제2 점접착층(225)를 통해 편광층(210)과 결합될 수 있다.The touch sensor 200 may be included in the window laminate 250 in the form of a film or panel. In one embodiment, the touch sensor 200 may be coupled to the polarization layer 210 through the second point adhesive layer 225.
도 6에 도시된 바와 같이, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 편광층(210) 및 터치 센서(200) 순으로 배치될 수 있다. 이 경우, 터치 센서(200)의 전극층이 편광층(210) 아래에 배치되므로 전극 시인 현상을 보다 효과적으로 방지할 수 있다. As shown in FIG. 6, the window substrate 230, the polarization layer 210, and the touch sensor 200 may be arranged in that order from the user's viewing side. In this case, since the electrode layer of the touch sensor 200 is disposed below the polarization layer 210, the electrode visibility phenomenon can be more effectively prevented.
일 실시예에 있어서, 터치 센서(200)는 윈도우 기판(230) 또는 편광층(210) 상에 직접 전사될 수도 있다. 일 실시예에 있어서, 사용자의 시인측으로부터 윈도우 기판(230), 터치 센서(200) 및 편광층(210) 순으로 배치될 수도 있다.In one embodiment, the touch sensor 200 may be directly transferred onto the window substrate 230 or the polarizing layer 210. In one embodiment, the window substrate 230, the touch sensor 200, and the polarizing layer 210 may be arranged in that order from the user's viewing side.
터치 센서(200)는 상술한 예시적인 실시예들에 따른 고해상도 지문 센서를 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 터치 센서(200)는 일반적인 터치 입력 유무에 따른 좌표 정보를 인식하는 저해상도 터치 센서를 함께 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 저해상도 터치 센서는 센싱 단위 전극들을 포함하며, 상기 센싱 단위 전극의 너비는 1 mm 이상, 2 mm 이상, 3 mm 이상 또는 4 mm 이상일 수 있다.The touch sensor 200 may include a high-resolution fingerprint sensor according to the exemplary embodiments described above. In some embodiments, the touch sensor 200 may also include a low-resolution touch sensor that recognizes coordinate information depending on the presence or absence of a general touch input. For example, the low-resolution touch sensor includes sensing unit electrodes, and the width of the sensing unit electrode may be 1 mm or more, 2 mm or more, 3 mm or more, or 4 mm or more.
센싱 상기 고해상도 지문 센서 및 상기 저해상도 터치 센서는 동일 레벨에 함께 배치될 수 있으며, 다른 층에 분리되어 배치될 수도 있다.Sensing The high-resolution fingerprint sensor and the low-resolution touch sensor may be placed together at the same level, or may be placed separately on different floors.
상기 화상 표시 장치는 표시 패널(360) 및 표시 패널(360) 상에 결합된 상술한 윈도우 적층체(250)를 포함할 수 있다.The image display device may include a display panel 360 and the window stack 250 described above coupled to the display panel 360.
표시 패널(360)은 패널 기판(300) 상에 배치된 화소 전극(310), 화소 정의막(320), 표시층(330), 대향 전극(340) 및 인캡슐레이션 층(350)을 포함할 수 있다.The display panel 360 may include a pixel electrode 310, a pixel defining film 320, a display layer 330, an opposing electrode 340, and an encapsulation layer 350 disposed on the panel substrate 300. You can.
패널 기판(300) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로가 형성되며, 상기 화소 회로를 덮는 절연막이 형성될 수 있다. 화소 전극(310)은 상기 절연막 상에서 예를 들면 TFT의 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.A pixel circuit including a thin film transistor (TFT) is formed on the panel substrate 300, and an insulating film covering the pixel circuit may be formed. The pixel electrode 310 may be electrically connected to, for example, a drain electrode of a TFT on the insulating film.
화소 정의막(320)은 상기 절연막 상에 형성되어 화소 전극(310)을 노출시켜 화소 영역을 정의할 수 있다. 화소 전극(310) 상에는 표시층(330)이 형성되며, 표시층(330)은 예를 들면, 액정층 또는 유기 발광층을 포함할 수 있다.The pixel defining layer 320 may be formed on the insulating layer to expose the pixel electrode 310 to define the pixel area. A display layer 330 is formed on the pixel electrode 310, and the display layer 330 may include, for example, a liquid crystal layer or an organic light-emitting layer.
화소 정의막(320) 및 표시층(330) 상에는 대향 전극(340)이 배치될 수 있다. 대향 전극(340)은 예를 들면, 화상 표시 장치의 공통 전극 또는 캐소드로 제공될 수 있다. 대향 전극(340) 상에 표시 패널(360) 보호를 위한 인캡슐레이션 층(350)이 적층될 수 있다.An opposing electrode 340 may be disposed on the pixel defining layer 320 and the display layer 330. The counter electrode 340 may be provided as a common electrode or cathode of an image display device, for example. An encapsulation layer 350 for protecting the display panel 360 may be stacked on the counter electrode 340 .
일부 실시예들에 있어서, 표시 패널(360) 및 윈도우 적층체(250)는 점접착층(260)을 통해 결합될 수도 있다. 예를 들면, 점접착층(260)의 두께는 제1 및 제2 점접착층(220, 225) 각각의 두께보다 클 수 있으며, -20 내지 80oC에서의 점탄성이 약 0.2MPa 이하일 수 있다. 이 경우, 표시 패널(360)로부터의 노이즈를 차폐할 수 있고, 굴곡 시에 계면 응력을 완화하여 윈도우 적층체(250)의 손상을 억제할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 점탄성은 약 0.01 내지 0.15MPa일 수 있다.In some embodiments, the display panel 360 and the window laminate 250 may be coupled through a point adhesive layer 260. For example, the thickness of the point adhesive layer 260 may be greater than the thickness of each of the first and second point adhesive layers 220 and 225, and the viscoelasticity at -20 to 80 o C may be about 0.2 MPa or less. In this case, noise from the display panel 360 can be shielded, and damage to the window laminate 250 can be suppressed by relieving interfacial stress during bending. In one embodiment, the viscoelasticity may be about 0.01 to 0.15 MPa.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 포함하는 실험예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.Hereinafter, experimental examples including preferred embodiments are presented to aid understanding of the present invention. However, these examples are only illustrative of the present invention and do not limit the scope of the appended claims, and do not limit the scope and technical idea of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that various changes and modifications to the embodiments are possible within the scope, and it is natural that such changes and modifications fall within the scope of the appended patent claims.
실시예 1-2Example 1-2
도 1에 도시된 구조의 터치 센서를 제조하였다. 구체적으로, 폴리이미드(PI) 필름으로 제조된 층간 절연층의 상면 및 저면 상에 각각 도 2에 도시된 구조의 제1 전극층 및 도 3에 도시된 구조의 제2 전극층을 형성하였다.A touch sensor having the structure shown in Figure 1 was manufactured. Specifically, a first electrode layer having the structure shown in FIG. 2 and a second electrode layer having the structure shown in FIG. 3 were formed on the top and bottom surfaces of the interlayer insulating layer made of polyimide (PI) film, respectively.
제1 전극층 및 제2 전극층은 표 1에 기재된 선폭을 갖는 구리 라인들로 형성되었다. 플로팅 전극들은 표 1에 기재된 가로*세로 사이즈를 갖는 직사각형 패턴들로 형성되었다.The first electrode layer and the second electrode layer were formed of copper lines having the line widths listed in Table 1. The floating electrodes were formed in rectangular patterns with the width*height sizes listed in Table 1.
비교예 1Comparative Example 1
제1 전극층 및 제2 전극층이 각각 선폭 40㎛의 센싱 라인들을 포함하며, 플로팅 전극들은 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 구조의 터치 센서가 제조되었다.A touch sensor having the same structure as Example 1 was manufactured, except that the first electrode layer and the second electrode layer each included sensing lines with a line width of 40 μm, and the floating electrodes were omitted.
비교예 2-6Comparative Example 2-6
제1 전극층 및 제2 전극층은 표 1에 기재된 선폭을 갖는 구리 라인들로 형성되었다. 플로팅 전극들은 표 1에 기재된 가로*세로 사이즈를 갖는 직사각형 패턴들로 형성되었다.The first electrode layer and the second electrode layer were formed of copper lines having the line widths listed in Table 1. The floating electrodes were formed in rectangular patterns with the width*height sizes listed in Table 1.
제1 전극층
(제1 센싱라인)
(㎛)
first electrode layer
(1st sensing line)
(㎛)
제2 전극층
(제2 센싱라인)
(㎛)
second electrode layer
(2nd sensing line)
(㎛)
플로팅 전극
(가로*세로)
(㎛*㎛)
floating electrode
(width and length)
(㎛*㎛)
실시예 1Example 1 4040 1010 20*2020*20
실시예 2Example 2 4040 1010 15*1515*15
비교예 1Comparative Example 1 4040 4040 --
비교예 2Comparative Example 2 4040 1010 20*1020*10
비교예 3Comparative Example 3 4040 1010 10*1010*10
비교예 4Comparative Example 4 4040 1010 5*55*5
비교예 5Comparative Example 5 8080 2525 55*5555*55
비교예 6Comparative Example 6 2020 33 4*44*4
실험예Experiment example
실시예 및 비교예의 터치 센서에 의해 분석 툴로서 Q3d Extractor를 이용하여 소정의 전압 인가시 발생되는 시뮬레이션 결과를 통해 베이스 Cm(터치 입력 전의 총 정전 용량), Cm(valley), Cm(ridge) 및 △Cm을 획득하였다.Base Cm (total capacitance before touch input), Cm (valley), Cm (ridge) and △ through simulation results generated when a predetermined voltage is applied using the Q3d Extractor as an analysis tool using the touch sensors of the examples and comparative examples. Cm was obtained.
평가 결과는 하기 표 2에 기재한다(단위: fF).The evaluation results are shown in Table 2 below (unit: fF).
베이스 Cmbase cm Cm(valley)Cm(valley) Cm(ridge) Cm(ridge) △Cm△Cm
실시예 1Example 1 1.91.9 1.841.84 1.341.34 0.5040.504
실시예 2Example 2 1.871.87 1.751.75 1.251.25 0.5040.504
비교예 1Comparative Example 1 2.202.20 2.112.11 2.082.08 0.0320.032
비교예 2Comparative Example 2 1.901.90 1.801.80 1.441.44 0.3600.360
비교예 3Comparative Example 3 1.751.75 1.641.64 1.181.18 0.4530.453
비교예 4Comparative Example 4 1.681.68 1.421.42 1.071.07 0.3440.344
비교예 5Comparative Example 5 2.7522.752 2.6652.665 2.3872.387 0.2780.278
비교예 6Comparative Example 6 0.0910.091 0.0820.082 0.0770.077 0.0050.005
표 2를 참조하면, 실시예의 터치 센서에서 △Cm이 플로팅 전극이 생략된 비교예 1의 터치 센서 대비 10배 이상 증가하였다. 이에 따라, 상술한 실시예들을 통해 지문 센서 인식 해상도를 현저히 증가시킬 수 있음을 예측할 수 있다.Referring to Table 2, △Cm in the touch sensor of the example increased by more than 10 times compared to the touch sensor of Comparative Example 1 in which the floating electrode was omitted. Accordingly, it can be predicted that the fingerprint sensor recognition resolution can be significantly increased through the above-described embodiments.
또한, 제2 센싱 라인, 플로팅 전극 및 제1 센싱 라인 순으로 선폭이 증가하는 실시예들에서 0.5를 초과하는, 증가된 △Cm이 확보되었다.In addition, in embodiments in which the line width increases in the order of the second sensing line, the floating electrode, and the first sensing line, an increased ΔCm exceeding 0.5 was secured.
비교예 5 및 6의 경우, 제1 센싱 라인, 제2 센싱 라인 및/또는 플로팅 전극의 선폭이 지나치게 증가 또는 감소됨에 따라 △Cm이 저하되었다.In Comparative Examples 5 and 6, ΔCm decreased as the line widths of the first sensing line, the second sensing line, and/or the floating electrode were excessively increased or decreased.

Claims (11)

  1. 제1 센싱 라인들을 포함하는 제1 전극층;A first electrode layer including first sensing lines;
    층간 절연층; 및Interlayer insulating layer; and
    상기 층간 절연층을 사이에 두고 상기 제1 전극층과 대향하고,Opposing the first electrode layer with the interlayer insulating layer interposed therebetween,
    상기 제1 센싱 라인들과 평면 방향에서 교차하는 제2 센싱 라인들; 및 second sensing lines intersecting the first sensing lines in a plane direction; and
    상기 평면 방향에서 상기 제2 센싱 라인들 사이에 배열된 플로팅 전극들을 포함하는 제2 전극층을 포함하고,A second electrode layer including floating electrodes arranged between the second sensing lines in the planar direction,
    상기 플로팅 전극의 너비는 상기 제2 센싱 라인의 선폭보다 크고, 상기 제1 센싱 라인의 선폭보다 작고, The width of the floating electrode is larger than the line width of the second sensing line and smaller than the line width of the first sensing line,
    상기 제1 센싱 라인의 선폭은 25㎛ 내지 75㎛인, 터치 센서.A touch sensor wherein the line width of the first sensing line is 25㎛ to 75㎛.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 센싱 라인의 선폭은 5㎛ 내지 20㎛인, 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, wherein the line width of the second sensing line is 5㎛ to 20㎛.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 플로팅 전극의 너비는 5㎛ 내지 50㎛인, 터치 센서. The touch sensor according to claim 2, wherein the floating electrode has a width of 5㎛ to 50㎛.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 플로팅 전극들 및 상기 제2 센싱 라인들은 동일 레벨에 위치하는, 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, wherein the floating electrodes and the second sensing lines are located at the same level.
  5. 청구항 1에 있어서, 복수의 상기 플로팅 전극들이 플로팅 전극 열을 형성하고, 상기 플로팅 전극 열이 이웃하는 상기 제2 센싱 라인들 사이에 배치된, 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, wherein the plurality of floating electrodes form a floating electrode row, and the floating electrode row is disposed between neighboring second sensing lines.
  6. 청구항 5에 있어서, 이웃하는 상기 제2 센싱 라인들 사이에 하나의 상기 플로팅 전극 열이 배치된, 터치 센서.The touch sensor according to claim 5, wherein one floating electrode row is disposed between the neighboring second sensing lines.
  7. 청구항 1에 있어서, 지문 센서로 제공되는 터치 센서.The touch sensor according to claim 1, provided as a fingerprint sensor.
  8. 청구항 7에 있어서, 지문의 골(valley) 및 지문의 융선(ridge)에서의 정전용량 차이가 0.48 fF 이상인, 터치 센서.The touch sensor according to claim 7, wherein the capacitance difference between the valley of the fingerprint and the ridge of the fingerprint is 0.48 fF or more.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 제2 전극층이 지문 입력면을 향해 배치된, 터치 센서.The touch sensor according to claim 8, wherein the second electrode layer is disposed toward the fingerprint input surface.
  10. 윈도우 기판; 및window board; and
    상기 윈도우 기판의 일면 상에 적층된 청구항 1에 따른 터치 센서를 포함하는, 윈도우 적층체.A window laminate comprising the touch sensor according to claim 1 laminated on one surface of the window substrate.
  11. 표시 패널; 및display panel; and
    상기 표시 패널 상에 적층되며 청구항 1에 따른 터치 센서를 포함하는, 화상 표시 장치.An image display device stacked on the display panel and including the touch sensor according to claim 1.
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