WO2023175770A1 - エアロゾル生成装置の電源ユニット及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

安全性の高いエアロゾル生成装置を提供する。電源ユニット(１１０)は、バッテリ(１２)からの加熱用電力をヒータ(４０)に供給する第１制御（加熱制御）、及び、バッテリ(１２)からの測定用電力をヒータ(４０)に供給する第２制御（測定制御）を行うＭＣＵ(１１)と、ヒータ(４０)に印加される電圧に応じた出力を行うオペアンプ(１６)と、バッテリ(１２)からの電力のヒータ(４０)への供給を制限する保護回路(３０)と、上記第１制御と上記第２制御のうちの上記第２制御のみが行われており、且つ、オペアンプ(１６)の出力電圧が閾値(ＴＨ１)を超える場合に、保護回路(３０)を作動させる制御回路（コンパレータ(１７)）と、を備える。

Description

エアロゾル生成装置の電源ユニット及びその制御方法

　本発明は、エアロゾル生成装置の電源ユニット及びその制御方法に関する。

　特許文献１には、エアロゾル形成基体を加熱するための発熱体と、発熱体に電力を供給するための電源と、発熱体および電源と連通する電気回路とを備える、エアロゾル発生システムが開示されている。この電気回路は、ユーザ入力に応答して複数の個別の加熱サイクル中の発熱体への電力供給を調節し、各加熱サイクル中の発熱体の最大電気抵抗を判定し、ｎ個の先の加熱サイクルの間の発熱体の最大電気抵抗の移動平均値を計算し、発熱体の電気抵抗を計算した移動平均値と比較し、電気抵抗が移動平均値よりも閾値よりも多く大きい時に不具合を判定し、発熱体に不具合があるかどうかに基づいて発熱体に供給される電力を制御している。

　特許文献２には、エアロゾル形成基体を加熱するための発熱体を備える電気ヒータと、電源と、電気ヒータおよび電源に接続される電気回路と、を備えるエアロゾル発生システムが記載されている。この電気回路は、電気ヒータの当初の電気抵抗と当初の電気抵抗からの電気抵抗の変化との比が最大閾値より大きい時、有害な状態を決定し、有害な状態がある場合、電気ヒータに供給される電力を制限している。

日本国特表２０２１－５２６０１５号公報 日本国特表２０１８－５１４１９１号公報

　特許文献１，２のように、エアロゾル生成装置において、エアロゾル形成基体を加熱するための加熱用素子への電力供給制御を行うプロセッサが、加熱用素子の温度又はその加熱用素子によって加熱されるエアロゾル形成基体の温度が高い場合等に、その加熱用素子への電力供給を制限する技術が知られている。しかし、プロセッサに何らかの異常が発生していると、加熱用素子への電力供給を制限できなくなる可能性がある。

　本発明の目的は、安全性を高めたエアロゾル生成装置の電源ユニットとその制御方法を提供することにある。

　本発明の一態様のエアロゾル生成装置の電源ユニットは、電源と、前記電源からの第１電力をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子に供給する第１制御、及び、前記電源からの第２電力を前記加熱用素子に供給する第２制御を行うプロセッサと、前記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子と、前記電源からの電力の前記加熱用素子への供給を制限する保護回路と、前記第１制御と前記第２制御のうちの前記第２制御のみが行われており、且つ、前記出力素子の電圧が第１閾値を超える場合に、前記保護回路を作動させる制御回路と、を備える、ものである。

　本発明の一態様のエアロゾル生成装置の電源ユニットの制御方法は、電源からの第１電力をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子に供給する第１制御、及び、前記電源からの第２電力を前記加熱用素子に供給する第２制御を行うプロセッサと、前記電源からの電力の前記加熱用素子への供給を制限する保護回路と、前記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子と、を含むエアロゾル生成装置の電源ユニットの制御方法であって、前記第１制御と前記第２制御のうちの前記第２制御のみが行われており、且つ、前記出力素子の電圧が第１閾値を超える場合に、前記保護回路を作動させるものである。

　本発明によれば、安全性を高めることができる。

エアロゾル生成装置の構成例を模式的に示す模式図である。 図１に示す電源ユニット１１０における基材部の加熱にかかわる電子回路１０の具体例を示す図である。 エアロゾル生成モードにおけるＭＣＵ１１の動作を説明するためのタイミングチャートである。 保護回路３０の一例を示す図である。 加熱プロファイルの一例を示す図である。 図２に示す電子回路１０の変形例である電子回路１０Ａを示す図である。 第二変形例におけるＭＣＵ１１の動作を説明するためのタイミングチャートである。 図２に示す電子回路１０の変形例である電子回路１０Ｂを示す図である。

　実施形態のエアロゾル生成装置は、電力を消費することで、装着されたエアロゾル形成体に含まれるエアロゾル源を霧化してエアロゾルを生成し、この生成されたエアロゾルを吸引可能とする装置である。エアロゾル生成装置の構成は様々であり、特に限定されるものではないが、以下では、図１を参照してエアロゾル生成装置の代表的な構成例を説明する。

　図１は、エアロゾル生成装置の構成例を模式的に示す模式図である。図１に示すエアロゾル生成装置１００Ａは、電源部１１１Ａ、センサ部１１２Ａ、通知部１１３Ａ、記憶部１１４Ａ、通信部１１５Ａ、制御部１１６Ａ、加熱部１２１Ａ、保持部１４０、及び断熱部１４４を含む電源ユニット１１０と、エアロゾル形成体を構成するスティック型基材１５０と、を備える。

　電源部１１１Ａは、電力を蓄積する。そして、電源部１１１Ａは、制御部１１６Ａによる制御に基づいて、エアロゾル生成装置１００Ａの各構成要素に電力を供給する。電源部１１１Ａは、例えば、リチウムイオン二次電池等の充電式バッテリにより構成され得る。

　センサ部１１２Ａは、エアロゾル生成装置１００Ａに関する各種情報を取得する。一例として、センサ部１１２Ａは、コンデンサマイクロホン等の圧力センサ、流量センサ、又は温度センサ等により構成された吸引センサにより構成され、ユーザによる吸引に伴う値を取得する。他の一例として、センサ部１１２Ａは、ボタン又はスイッチ等の、ユーザからの情報の入力を受け付ける入力装置により構成される。

　通知部１１３Ａは、情報をユーザに通知する。通知部１１３Ａは、例えば、発光する発光装置、画像を表示する表示装置、音を出力する音出力装置、又は振動する振動装置等により構成される。

　記憶部１１４Ａは、エアロゾル生成装置１００Ａの動作のための各種情報を記憶する。記憶部１１４Ａは、例えば、フラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体により構成される。

　通信部１１５Ａは、有線又は無線の任意の通信規格に準拠した通信を行うことが可能な通信インタフェースである。かかる通信規格としては、例えば、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）、又はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）等が採用され得る。

　制御部１１６Ａは、各種プログラムに従ってエアロゾル生成装置１００Ａ内の動作全般を制御する。制御部１１６Ａは、例えばＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、又はＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ　Ｕｎｉｔ）等のプロセッサを含む電子回路によって実現される。

　保持部１４０は、内部空間１４１を有し、内部空間１４１にスティック型基材１５０の一部を収容しながらスティック型基材１５０を保持する。保持部１４０は、内部空間１４１を外部に連通する開口１４２を有し、開口１４２から内部空間１４１に挿入されたスティック型基材１５０を保持する。例えば、保持部１４０は、開口１４２及び底部１４３を底面とする筒状体であり、柱状の内部空間１４１を画定する。保持部１４０は、スティック型基材１５０へ供給される空気の流路を画定する機能も有する。かかる流路への空気の入り口である空気流入孔は、例えば底部１４３に配置される。他方、かかる流路からの空気の出口である空気流出孔は、開口１４２である。

　スティック型基材１５０は、基材部１５１及び吸口部１５２を含む。基材部１５１は、エアロゾル源を含む。エアロゾル源が霧化されることで、エアロゾルが生成される。エアロゾル源は、例えば、グリセリン及びプロピレングリコール等の多価アルコール、又は水等の液体である。なお、本構成例において、エアロゾル源は液体に限られるものではなく、固体であってもよい。基材部１５１は、香味源を更に含んでいてもよい。香味源は、エアロゾルに香味成分を付与するための構成要素である。香味源は、たばこ由来又は非たばこ由来（メンソール又は香料などの添加物由来）の香味成分を含む。

　スティック型基材１５０が保持部１４０に保持された状態において、基材部１５１の少なくとも一部は内部空間１４１に収容され、吸口部１５２の少なくとも一部は開口１４２から突出する。そして、開口１４２から突出した吸口部１５２をユーザが咥えて吸引すると、図示しない空気流入孔から内部空間１４１に空気が流入し、基材部１５１から発生するエアロゾルと共にユーザの口内に到達する。

　図１に示した例では、加熱部１２１Ａは、シート状のヒータであり、保持部１４０の外周を覆うように配置される。加熱部１２１Ａが発熱すると、スティック型基材１５０の基材部１５１が外周から加熱され、エアロゾルが生成される。上記のシート状のヒータが、基材部１５１に含まれるエアロゾル源（基材部１５１が香味源を含む場合には更にその香味源）を加熱するための加熱用素子を構成する。

　断熱部１４４は、加熱部１２１Ａから他の構成要素への伝熱を防止する。例えば、断熱部１４４は、真空断熱材、又はエアロゲル断熱材等により構成される。

　以上、エアロゾル生成装置１００Ａの構成例を説明した。もちろんエアロゾル生成装置１００Ａの構成は上記に限定されず、以下に例示する多様な構成をとり得る。一例として、加熱部１２１Ａは、ブレード状のヒータによって構成され、保持部１４０の底部１４３から内部空間１４１に突出するように配置されてもよい。その場合、加熱部１２１Ａは、スティック型基材１５０の基材部１５１に挿入され、スティック型基材１５０の基材部１５１を内部から加熱する。他の一例として、加熱部１２１Ａを構成するシート状のヒータは、保持部１４０の底部１４３を覆うように配置されてもよい。また、加熱部１２１Ａは、保持部１４０の外周を覆う第１の加熱部、ブレード状の第２の加熱部、及び保持部１４０の底部１４３を覆う第３の加熱部のうち、２以上の組み合わせとして構成されてもよい。

　他の一例として、保持部１４０は、内部空間１４１を形成する外殻の一部を開閉する、ヒンジ等の開閉機構を含んでいてもよい。そして、保持部１４０は、外殻を開閉することで、内部空間１４１に挿入されたスティック型基材１５０を挟持してもよい。その場合、加熱部１２１Ａは、保持部１４０における当該挟持箇所に設けられ、スティック型基材１５０を押圧しながら加熱してもよい。また、基材部１５１を加熱する手段は、加熱部１２１Ａによる直接的な加熱に限定されない。例えば、誘導加熱によって基材部１５１を加熱してもよい。誘導加熱を採用する場合には、加熱部１２１Ａをリアクトル（コイル）とし、基材部１５１の内部にサセプタを収容する構成としてもよい。この構成により、リアクトルへの電力供給によってサセプタを誘導加熱により加熱して、基材部１５１を加熱することができる。この場合には、リアクトルが加熱用素子を構成する。

　また、エアロゾル生成装置１００Ａは、スティック型基材１５０の代わりに、エアロゾル源及び香味源、或いは、エアロゾル源のみを充填した容器を内部空間１４１に収容可能とし、加熱部１２１Ａは当該容器を加熱するものであってもよい。

　また、エアロゾル生成装置１００Ａは、液状のエアロゾル源及びこのエアロゾル源を加熱する加熱部（ヒータ）を収容する第１容器と、この第１容器のエアロゾル源が加熱されることで生成されたエアロゾルが通過可能な経路に配置可能且つ香味源を収容した第２容器と、を電源ユニット１１０に着脱可能に構成し、制御部１１６Ａが第１容器の加熱部への電力供給制御を行って、香味の付与されたエアロゾルを生成するものとしてもよい。また、この構成において、第２容器を加熱する加熱部を電源ユニット１１０に更に設け、制御部１１６Ａが、第２容器を加熱する加熱部への電力供給制御を行って、香味源を加熱するようにしてもよい。

（電源ユニットの回路構成例）
　図２は、図１に示す電源ユニット１１０（以下、単に電源ユニットとも記載）における基材部１５１の加熱にかかわる電子回路１０の具体例を示す図である。

　電子回路１０は、電源部１１１Ａの一例であるバッテリ１２と、制御部１１６Ａの一例であるＭＣＵ１１と、ＬＤＯ（Ｌｏｗ　Ｄｒｏｐ　Ｏｕｔ）レギュレータ１４と、センサ部１１２Ａの一例である吸引センサ１５と、開閉器ＳＷ１ａと、開閉器ＳＷ１ｂと、開閉器ＳＷ２と、開閉器ＳＷ３と、オペアンプ１６と、抵抗素子Ｒｓと、コンパレータ１７と、コンパレータ１８と、コンパレータ２１、抵抗素子２２、コンデンサ２３、抵抗素子２４、及び開閉器ＳＷ４を含む監視回路２０と、保護回路３０と、を備える。ＭＣＵ１１には、アナログデジタル変換器（以下、ＡＤＣと記載）５０ｂと、各種情報を記憶するメモリ５０ａと、が含まれている。以下では、開閉器ＳＷ１ａ又は開閉器ＳＷ１ｂを総称して開閉器ＳＷ１とも記載する。

　本明細書にて説明する抵抗素子とは、固定の電気抵抗値を持つ素子であればよく、例えば抵抗器、ダイオード、又はトランジスタ等である。図２の例では、抵抗素子Ｒｓ、抵抗素子２２、及び抵抗素子２４が、それぞれ抵抗器となっている。また、図２の例では、ヒータ４０は抵抗器となっている。

　本明細書にて説明する開閉器とは、配線路の遮断と導通を切り替えるトランジスタ等の半導体スイッチング素子、或いは、コンデンサ、抵抗器、及びトランジスタ等を組み合わせて構成されたロードスイッチ等である。開閉器が入出力間を導通する状態をオン状態と記載し、開閉器が入出力間を遮断する状態をオフ状態と記載する。

　バッテリ１２の正極に接続された主正母線ＬＵには、ＬＤＯレギュレータ１４の入力端子と開閉器ＳＷ１ａの一端が接続されている。ＬＤＯレギュレータ１４は、バッテリ１２からの電圧を降圧して出力する。ＬＤＯレギュレータ１４の出力電圧Ｖｓは、ＭＣＵ１１、オペアンプ１６、コンパレータ１７、コンパレータ１８、及び監視回路２０のコンパレータ２１の各々の動作電圧としても利用される。

　ＭＣＵ１１は、ＬＤＯレギュレータ１４と、バッテリ１２の負極に接続された主負母線ＬＤとに接続されている。ＭＣＵ１１は、開閉器ＳＷ１～ＳＷ４の各々にも接続されており、これらのオンオフ制御を行う。ＭＣＵ１１は、オペアンプ１６のイネーブル端子にも接続されており、オペアンプ１６の制御を行う。

　ＭＣＵ１１は、開閉器ＳＷ１の制御端子に制御信号ＳＩＧ１を入力する。以下では、制御信号ＳＩＧ１がハイレベルのときに開閉器ＳＷ１は導通状態となり、制御信号ＳＩＧ１がローレベルのときに開閉器ＳＷ１は遮断状態になるものとする。

　ＭＣＵ１１は、開閉器ＳＷ２の制御端子に制御信号ＳＩＧ２を入力する。以下では、制御信号ＳＩＧ２がハイレベルのときに開閉器ＳＷ２は導通状態となり、制御信号ＳＩＧ２がローレベルのときに開閉器ＳＷ２は遮断状態になるものとする。

　ＭＣＵ１１は、開閉器ＳＷ３の制御端子とオペアンプ１６のイネーブル端子の各々に制御信号ＳＩＧ３を入力する。以下では、制御信号ＳＩＧ３がハイレベルのときに開閉器ＳＷ３は導通状態となり、制御信号ＳＩＧ３がローレベルのときに開閉器ＳＷ３は遮断状態になるものとする。また、制御信号ＳＩＧ３がハイレベルのときに、オペアンプ１６は作動し（入力された電圧に基づく出力を行い）、制御信号ＳＩＧ３がローレベルのときに、オペアンプ１６は出力を停止するものとする。

　ＭＣＵ１１は、開閉器ＳＷ４の制御端子に制御信号ＳＩＧ４を入力する。以下では、制御信号ＳＩＧ４がハイレベルのときに開閉器ＳＷ４は導通状態となり、制御信号ＳＩＧ４がローレベルのときに開閉器ＳＷ４は遮断状態になるものとする。

　開閉器ＳＷ１ａの他端と主負母線ＬＤの間には、ヒータ４０及び開閉器ＳＷ２から構成される直列回路が接続されている。開閉器ＳＷ１ｂの一端は、出力電圧Ｖｓが供給される電源ラインに接続されている。開閉器ＳＷ１ｂの他端と主負母線ＬＤの間には、抵抗素子２２及びコンデンサ２３から構成されるＲＣ直列回路が接続されている。なお、このＲＣ直列回路は、時定数を設定できる回路であればよく、図２に示した構成に限定されるものではない。例えば、抵抗素子２２の代わりに定電流回路を設ける構成であってもよい。

　具体的には、開閉器ＳＷ１ａの他端は、ヒータ４０の一端に接続されている。ヒータ４０の他端は、開閉器ＳＷ２を介して、主負母線ＬＤに接続されている。また、開閉器ＳＷ１ｂの他端は、抵抗素子２２の一端に接続されている。抵抗素子２２の他端は、コンデンサ２３を介して、主負母線ＬＤに接続されている。

　開閉器ＳＷ１ａとヒータ４０とを接続するノードＮ１には、抵抗素子Ｒｓの一端が接続されている。抵抗素子Ｒｓの他端は、開閉器ＳＷ３の一端に接続されている。開閉器ＳＷ３の他端は、出力電圧Ｖｓが供給される電源ラインに接続されている。

　ノードＮ１とヒータ４０とを接続するノードＮ２には、オペアンプ１６の非反転入力端子が接続されている。オペアンプ１６の反転入力端子は、ヒータ４０と開閉器ＳＷ２とを接続するノードに接続されている。オペアンプ１６は、ヒータ４０の両端の電圧を増幅して出力する差動アンプである。オペアンプ１６の出力端子は、ＭＣＵ１１に内蔵されたＡＤＣ５０ｂと、コンパレータ１７の第一入力端子とに接続されている。コンパレータ１７の第二入力端子には、閾値ＴＨ１の電圧値を生成する回路が接続され、この回路から閾値ＴＨ１が入力されている。コンパレータ１７は、第一入力端子に入力される電圧値が閾値ＴＨ１を超えた場合に、ハイレベル又はローレベルの高温検知信号を出力する。閾値ＴＨ１は、出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成してもよい。このようにした場合には、オペアンプ１６の出力電圧すなわちコンパレータ１７の第一入力端子に入力される電圧値とともに、出力電圧Ｖｓの変動に閾値ＴＨ１も追従して、出力電圧Ｖｓの変動をキャンセルする効果が得られる。より詳細には、オペアンプ１６への入力は出力電圧Ｖｓが抵抗分圧されて入力されているため、出力電圧Ｖｓが変動するとオペアンプ１６の出力電圧すなわちコンパレータ１７の第一入力端子に入力される電圧値も変動する。閾値ＴＨ１も出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成される場合、出力電圧Ｖｓが変動すると閾値ＴＨ１も同様に変動するため、コンパレータ１７の第一入力端子と第二入力端子のいずれに入力される電圧値も出力電圧Ｖｓの変動に追従したものとすることができる。

　監視回路２０における抵抗素子２２とコンデンサ２３とを接続するノードには、抵抗素子２４の一端が接続されている。抵抗素子２４の他端は、開閉器ＳＷ４を介して主負母線ＬＤに接続されている。抵抗素子２２とコンデンサ２３とを接続するノードには、更に、コンパレータ２１の第一入力端子が接続されている。コンパレータ２１の第二入力端子には、閾値ＴＨ２の電圧値を生成する回路が接続され、この回路から閾値ＴＨ２が入力されている。コンパレータ２１は、第一入力端子に入力される電圧値が閾値ＴＨ２を超えた場合に、ハイレベル又はローレベルの異常検知信号を出力する。閾値ＴＨ２は、出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成してもよい。このようにした場合には、コンパレータ２１の第一入力端子に入力される電圧値とともに、出力電圧Ｖｓの変動に閾値ＴＨ２も追従して、出力電圧Ｖｓの変動をキャンセルする効果が得られる。より詳細には、オペアンプ１６への入力は出力電圧Ｖｓが抵抗分圧されて入力されているため、出力電圧Ｖｓが変動するとコンパレータ２１の第一入力端子に入力される電圧値も変動する。閾値ＴＨ２も出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成される場合、出力電圧Ｖｓが変動すると閾値ＴＨ２も同様に変動するため、コンパレータ２１の第一入力端子と第二入力端子のいずれに入力される電圧値も出力電圧Ｖｓの変動に追従したものとすることができる。

　コンパレータ１８の第一入力端子にはコンパレータ１７の出力端子が接続されている。コンパレータ１８の第二入力端子にはコンパレータ２１の出力端子が接続されている。コンパレータ１８の出力端子は、保護回路３０に接続されている。コンパレータ１８は、異常検知信号と高温検知信号の少なくともいずれか一方が入力された場合に、保護回路３０を作動させるためのハイレベル又はローレベルの保護開始信号を出力する。コンパレータ１８は、例えばＯＲ回路で構成してもよい。また、コンパレータ１８は、コンパレータ１７とコンパレータ２１の出力をそれぞれオープンドレイン出力とし、その出力がワイヤードオアで接続される構成としてもよい。

　保護回路３０は、ヒータ４０に電力が供給されるのを抑制又は停止させるための回路であり、様々な構成を採用できる。例えば、保護回路３０は、ＭＣＵ１１からの制御に関係なく、開閉器ＳＷ２又は開閉器ＳＷ１ａを強制的にオフ状態にするための回路や、開閉器ＳＷ１ａへのバッテリ１２からの電力供給を遮断するための回路（例えば、開閉器ＳＷ１ａとバッテリ１２の間に昇圧回路を設ける場合に、この昇圧回路の出力を停止させる回路）等により構成される。

　ＭＣＵ１１は、ユーザ操作等によって、エアロゾルの生成を行う動作モードであるエアロゾル生成モードに移行すると、バッテリ１２からの電力をヒータ４０に供給する制御を行う。上記制御には、ヒータ４０（換言すると、基材部１５１）を加熱するためにヒータ４０に電力を供給する制御である加熱制御と、ヒータ４０（換言すると、基材部１５１）の温度を測定するためにヒータ４０に電力を供給する制御である測定制御と、が含まれる。

　図３は、エアロゾル生成モードにおけるＭＣＵ１１の動作を説明するためのタイミングチャートである。図３には、開閉器ＳＷ３の制御信号ＳＩＧ３、開閉器ＳＷ１の制御信号ＳＩＧ１、開閉器ＳＷ４の制御信号ＳＩＧ４、及びコンデンサ２３の電圧の時間変化が示されている。

　ＭＣＵ１１は、エアロゾル生成モードに移行すると、開閉器ＳＷ２をオン状態に制御した状態で、加熱制御及び測定制御のセットを、既定の制御周期ＴＣで繰り返し実行する。図３には、加熱制御が行われる加熱期間ＴＨと、測定制御が行われる測定期間ＴＤと、ＭＣＵ１１の制御周期ＴＣが示されている。加熱期間ＴＨと測定期間ＴＤはそれぞれ既定の長さであり、図３の例では、制御周期ＴＣの開始タイミングと測定期間ＴＤの開始タイミングが一致し、測定期間ＴＤの終了タイミングと加熱期間ＴＨの開始タイミングが一致し、加熱期間ＴＨの終了タイミングと制御周期ＴＣの終了タイミングとが一致している。

　加熱制御は、加熱期間ＴＨにおいて、開閉器ＳＷ３をオフ状態にし、且つ、開閉器ＳＷ１を可変時間だけオン状態にする制御である。ＭＣＵ１１は、加熱期間ＴＨの長さに対する上記の可変時間の割合（ＤＵＴＹ比）を制御するＰＷＭ（ｐｕｌｓｅ　ｗｉｄｔｈ　ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）制御を行う。ＤＵＴＹ比は、例えば０％～１００％の間で変動される。図３は、ＤＵＴＹ比が１００％の例を示している。

　この加熱制御により、電源１２からの電力がヒータ４０に供給されて、ヒータ４０が加熱される。この加熱制御によってヒータ４０に供給される電力を加熱用電力と記載し、この加熱制御によってヒータ４０に印加される電圧を加熱用電圧と記載する。加熱期間ＴＨにおいてヒータ４０への加熱用電圧の印加が終了するタイミングは、その加熱期間ＴＨの終了タイミングと一致している。したがって、制御周期ＴＣは、加熱用電力のヒータ４０への供給周期となっている。

　加熱期間ＴＨにおいて開閉器ＳＷ１がオン状態になっている間、抵抗素子２２及びコンデンサ２３からなるＲＣ直列回路には、出力電圧Ｖｓが供給される。図３に示したように、ＭＣＵ１１は、加熱期間ＴＨでは、開閉器ＳＷ４をオフ状態に制御する。このため、加熱期間ＴＨにおいては、出力電圧Ｖｓによって、コンデンサ２３の蓄電（チャージ）が行われる。１回の加熱期間ＴＨにおけるコンデンサ２３への電荷のチャージ量は、ＤＵＴＹ比が大きくなるほど（加熱用電圧のヒータ４０への印加時間が長くなるほど）、多くなる点に留意されたい。

　測定制御は、測定期間ＴＤの間、オペアンプ１６を作動させ、開閉器ＳＷ１をオフ状態にし、開閉器ＳＷ３をオン状態にして、加熱用電力よりも低い測定用電力（出力電圧Ｖｓ）を抵抗素子Ｒｓ及びヒータ４０に供給する制御である。この測定制御によってヒータ４０に印加される電圧を測定用電圧と記載する。抵抗素子Ｒｓの電気抵抗値はヒータ４０の電気抵抗値よりも十分に大きいため、測定用電圧は、加熱用電圧よりも十分に小さくなる。

　図３に示すように、ＭＣＵ１１は、測定期間ＴＤにおいては、開閉器ＳＷ４をオン状態にする放電制御を併せて実行する。この放電制御は、制御周期ＴＣの開始毎に実行されるため、制御周期ＴＣに基づくタイミングで実行されるものということができる。また、この放電制御は、加熱期間ＴＨの終了毎に実行されるため、加熱期間ＴＨの終了タイミングに同期したタイミングで実行されるものということもできる。２つのタイミングが同期するとは、２つのタイミングの差が閾値以下（理想的には０）であることを意味し、２つのタイミングが一致する場合の他、回路の遅延時間等の僅かな差が２つのタイミングに生じている場合を含む。

　この測定制御により、ＬＤＯレギュレータ１４からの測定用電力が抵抗素子Ｒｓとヒータ４０からなる分圧回路に供給される。抵抗素子Ｒｓの電気抵抗値は、ヒータ４０の電気抵抗値よりも十分に大きい値に設定されている。したがって、測定制御が行われている状態では、ヒータ４０に微小電流を流すことができる。この状態では、オペアンプ１６から、ヒータ４０に印加されている電圧に応じた電圧が出力される。オペアンプ１６の出力電圧は、ヒータ４０の電気抵抗値が大きいほど大きい値になる。ここでは、ヒータ４０がＰＴＣ特性（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ－Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）を持つものとする。したがって、ヒータ４０の温度（換言すると、エアロゾル源の温度）が高いほど、オペアンプ１６の出力電圧は大きくなる。ＭＣＵ１１は、この状態にて、ＡＤＣ５０ｂの出力値を取得し、この出力値に基づいてヒータ４０の温度を取得する。ＭＣＵ１１は、取得したヒータ４０の温度に基づいて、上述したＤＵＴＹ比を調整する。

　図３に示すように、測定期間ＴＤでは、放電制御によって開閉器ＳＷ４がオン状態になる。このため、測定期間ＴＤの直前の加熱期間ＴＨにおいてコンデンサ２３にチャージされた電圧は、その測定期間ＴＤに実行される放電制御によって放電されることになる。抵抗素子２２とコンデンサ２３で構成されるＲＣ直列回路の時定数は、１回の加熱制御によってコンデンサ２３にチャージ可能な最大電圧（ＤＵＴＹ比が１００％のときにチャージ可能な電圧値、図３中の電圧値Ｖ１）の全てが、測定期間ＴＤにおいて放電できるような値に設定されている。

　したがって、コンデンサ２３の電圧は、加熱制御によって初期値（例えば０Ｖ）から上昇した後、その後の放電制御によって放電されて初期値に戻る状態を繰り返す。つまり、ＭＣＵ１１が放電制御を適切に実行している限りは、コンデンサ２３の電圧は上記最大電圧（電圧値Ｖ１）を超えないようになっている。

　監視回路２０は、コンデンサ２３の電圧が、ＭＣＵ１１が正常に作動している場合には到達し得ない値になっているかを判定し、そのような状態になっている場合に、保護回路３０を作動させるために設けられている。

　具体的には、監視回路２０のコンパレータ２１は、エアロゾル生成モードにおいては、コンデンサ２３の電圧と閾値ＴＨ２とを比較し、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超えた場合に、異常検知信号を出力する。閾値ＴＨ２は、上記最大電圧（電圧値Ｖ１）よりも大きな値が設定される。閾値ＴＨ２は、出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成してもよい。このようにした場合には、コンパレータ２１の第一入力端子に入力される電圧値とともに、出力電圧Ｖｓの変動に閾値ＴＨ２も追従して、出力電圧Ｖｓの変動をキャンセルする効果が得られる。より詳細には、オペアンプ１６への入力は出力電圧Ｖｓが抵抗分圧されて入力されているため、出力電圧Ｖｓが変動するとコンパレータ２１の第一入力端子に入力される電圧値も変動する。閾値ＴＨ２も出力電圧Ｖｓを抵抗分圧して生成される場合、出力電圧Ｖｓが変動すると閾値ＴＨ２も同様に変動するため、コンパレータ２１の第一入力端子と第二入力端子のいずれに入力される電圧値も出力電圧Ｖｓの変動に追従したものとすることができる。

　例えば、ＭＣＵ１１が何らかの要因で放電制御を実行できなくなっている場合には、コンデンサ２３の電圧が電圧値Ｖ１よりも大きくなる。図３において、例えば時刻ｔａで開始される測定期間ＴＤで実行されるはずの放電制御が実行されていない場合を想定する。この場合には、図中の破線で示すように、時刻ｔａ直後の測定期間ＴＤ及び加熱期間ＴＨにおいて、コンデンサ２３の電圧が上昇を継続して、電圧値Ｖ１を超え閾値ＴＨ２を超えることになる。このような状態になると、コンパレータ２１から異常検知信号が出力されることになる。

　図４は、保護回路３０の一例を示す図である。図４には、ＭＣＵ１１に接続された抵抗素子３２と、開閉器ＳＷ２の一例であるＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴと、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースに接続された抵抗素子３３と、コンパレータ１８に接続された抵抗素子３１と、が示されている。

　抵抗素子３２の一端はＭＣＵ１１に接続され、抵抗素子３２の他端はＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートに接続されている。Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのドレインはヒータ４０に接続され、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのソースはグランド（主負母線ＬＤ）に接続されている。Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートと抵抗素子３２とを接続するノードＮ３には、抵抗素子３１の他端が接続されている。抵抗素子３１の一端はコンパレータ１８の出力端子に接続されている。ノードＮ３とＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートを接続するノードは、抵抗素子３３を介して、グランド（主負母線ＬＤ）に接続されている。図４の例では、保護回路３０は、コンパレータ１８からノードＮ３に至る部分と、抵抗素子３２とによって構成されている。

　抵抗素子３２は、ＭＣＵ１１からコンパレータ１８へ流れる電流値を制限する抵抗器であり、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート抵抗の役割も兼ねている。抵抗素子３１は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートからコンパレータ１８へ流れる電流値を制限する抵抗器である。抵抗素子３３は、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電位を固定するための抵抗器である。図４に示す例では、コンパレータ１８からローレベルの保護開始信号が出力されると、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート電位がローレベルとなって、開閉器ＳＷ２はオフ状態になる。これにより、ヒータ４０への電力供給は不能な状態になり、ヒータ４０の加熱が停止されることになる。

　なお、図４に示す回路において、抵抗素子３１の位置を、抵抗素子３３とＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲートとを接続するノードとノードＮ３との間に変更してもよい。また、抵抗素子３２と抵抗素子３１をまとめて１つの抵抗素子とし、この抵抗素子を抵抗素子３１の位置に配置してもよい。

（加熱プロファイル）
　ＭＣＵ１１は、ヒータ４０（誘導加熱の場合にはヒータ４０に相当するリアクトルによって誘導加熱されるサセプタ）の温度推移を定めた加熱プロファイルにしたがって、加熱用電力のヒータ４０への供給制御を行う。

　図５は、加熱プロファイルの一例を示す図である。図中の横軸はエアロゾル生成モードに移行してからの経過時間を示し、図中の縦軸はヒータ４０の温度を示す。図５に示す加熱プロファイルは、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ１まで上昇させることを定めた温度上昇期間Ｔ１と、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ１で維持することを定めた温度維持期間Ｔ２と、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ３まで低下させることを定めた冷却期間Ｔ３と、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ３で維持することを定めた温度維持期間Ｔ４と、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ２まで上昇させることを定めた温度上昇期間Ｔ５と、ヒータ４０の温度を目標温度ＴＰ２で維持することを定めた温度維持期間Ｔ６と、ヒータ４０の加熱を停止することを定めた冷却期間Ｔ７と、から構成される。

　目標温度ＴＰ１は目標温度ＴＰ２よりも大きく、目標温度ＴＰ２は目標温度ＴＰ３よりも大きい。温度上昇期間Ｔ１におけるヒータ４０の温度推移の傾きは、温度上昇期間Ｔ５におけるヒータ４０の温度推移の傾きよりも大きくなっており、加熱プロファイルを構成する全期間の中で最大となっている。

　このように、加熱プロファイルは、ヒータ４０の温度推移の傾きが傾き閾値（例えば０）より大きい第１期間（温度上昇期間Ｔ１、Ｔ５）と、ヒータ４０の温度推移の傾きが上記傾き閾値以下の第２期間（温度維持期間Ｔ２、Ｔ４、Ｔ６）と、を含んでいる。

　ＭＣＵ１１は、エアロゾル生成モードに移行すると、ヒータ４０の温度が温度上昇期間Ｔ１の時間をかけて目標温度ＴＰ１に収束するように、測定制御と加熱制御と放電制御のセットを繰り返し実行する。次に、ＭＣＵ１１は、温度維持期間Ｔ２の間、ヒータ４０の温度が目標温度ＴＰ１で維持されるように、測定制御と加熱制御と放電制御のセットを繰り返し実行する。次に、ＭＣＵ１１は、ヒータ４０の温度が目標温度ＴＰ３に低下するまでは、測定制御と加熱制御と放電制御のうちの測定制御と放電制御のみを実行し、加熱制御を停止する。なお、測定制御と加熱制御と放電制御のうちの測定制御と放電制御のみを実行するとは、ＭＣＵ１１が測定制御、加熱制御、又は放電制御以外の他の制御を行うことを妨げるものではない。次に、ＭＣＵ１１は、温度維持期間Ｔ４の間、ヒータ４０の温度が目標温度ＴＰ３で維持されるように、測定制御と加熱制御と放電制御のセットを繰り返し実行する。次に、ＭＣＵ１１は、ヒータ４０の温度が温度上昇期間Ｔ５の時間をかけて目標温度ＴＰ２に収束するように、測定制御と加熱制御と放電制御のセットを繰り返し実行する。次に、ＭＣＵ１１は、温度維持期間Ｔ６の間、ヒータ４０の温度が目標温度ＴＰ２で維持されるように、測定制御と加熱制御と放電制御のセットを繰り返し実行する。最後に、ＭＣＵ１１は、測定制御と加熱制御と放電制御を終了して、ヒータ４０の温度を低下させる。以下では、温度上昇期間Ｔ１、温度維持期間Ｔ２、温度維持期間Ｔ４、温度上昇期間Ｔ５、及び温度維持期間Ｔ６のそれぞれ異なる設定条件にしたがった制御が行われる期間のことを、期間Ｓ１、期間Ｓ２、期間Ｓ４、期間Ｓ５、及び期間Ｓ６と記載する。

　ユーザによる吸引を推奨している期間は、期間Ｓ２の開始から期間Ｓ７の終了までである。

　期間Ｓ１、Ｓ５では、ヒータ４０の温度を上昇させる必要があるため、上記のＤＵＴＹ比は大きくなる傾向にある。特に、期間Ｓ１は、加熱開始からエアロゾルの吸引開始に適する温度までなるべく短い時間でヒータ４０の温度を上昇させることが好ましく、温度の上昇傾きが大きいため、ＤＵＴＹ比は特に大きくなる傾向にある。一方、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６では、ヒータ４０の温度が維持されればよいため、期間Ｓ１、Ｓ５と比べて、上記のＤＵＴＹ比は小さくなる傾向にある。

　冷却期間Ｔ３においては、ヒータ４０への給電が停止されている。若しくは、この期間においては、測定制御と放電制御のみが行われるようにしてもよい。このため、期間Ｓ４の開始時点では、コンデンサ２３の電圧は初期値となっていることに留意されたい。なお、ヒータ４０への給電を停止する場合、ヒータ４０の温度はヒータ４０の付近に設置したサーミスタ（不図示）により測定してもよい。

　以上のように、電子回路１０を含む電源ユニットでは、ヒータ４０への１回の加熱用電力の供給によってチャージされるコンデンサ２３の電圧が、ＭＣＵ１１による１回の放電制御によって完全に放電されるようにしている。このため、ＭＣＵ１１が放電制御を実施していない状態（ＭＣＵ１１に異常が発生した状態）を、コンデンサ２３の電圧の大きさによって判断可能となる。保護回路３０は、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２よりも大きい場合に、加熱用電力のヒータ４０への供給を制限するため、ＭＣＵ１１に異常が発生した場合でも、ヒータ４０への電力供給を適切に制限して、電源ユニットの安全性を高めることができる。

　また、電子回路１０を含む電源ユニットによれば、加熱制御が行われているときには、オペアンプ１６は出力を停止しているため、コンパレータ１７から高温検知信号が出力されることはない。加熱制御中は、ヒータ４０に大きな加熱用電力が供給され得るため、オペアンプ１６が作動していると、オペアンプ１６の出力も大きくなりやすい。そして、加熱制御中にオペアンプ１６が作動していると、オペアンプ１６のこの大きな出力がコンパレータ１７に入力され、高温検知信号がコンパレータ１７から出力される可能性がある。本形態では、測定制御が行われる期間においてのみオペアンプ１６が作動する。このため、ヒータ４０の温度が過度に高くなった場合に、コンパレータ１７から高温検知信号を適切に出力させることができる。このように、保護回路３０を適切に動作させて安全性を高めることができる。

　以下、電子回路１０の変形例について説明する。

（第一変形例）
　図６は、図２に示す電子回路１０の変形例である電子回路１０Ａを示す図である。図６に示す電子回路１０Ａは、コンパレータ１９が追加され、オペアンプ１６がエアロゾル生成モードにおいては常時作動するものに変更された点を除いては、電子回路１０と同じ構成である。

　コンパレータ１９の第一入力端子は、コンパレータ１７の出力端子に接続されている。コンパレータ１９の第二入力端子は、ＭＣＵ１１に接続されている。コンパレータ１９の第二入力端子には、ＭＣＵ１１から制御信号ＳＩＧ３が入力される。コンパレータ１９の出力端子は、コンパレータ１８の第一入力端子に接続されている。

　電子回路１０Ａでは、加熱制御と測定制御のいずれが行われるときもオペアンプ１６が作動している。このため、ヒータ４０の温度が過大となっていなくても、加熱制御時には、オペアンプ１６から大きな電圧が出力され、この電圧と閾値ＴＨ１の比較の結果、コンパレータ１７からは高温検知信号が出力され得る。コンパレータ１９は、ＭＣＵ１１からハイレベルの制御信号ＳＩＧ３が入力されている状態（すなわち、加熱制御と測定制御のうちの測定制御のみが行われている状態）で、コンパレータ１７からの高温検知信号の入力を受けた場合にのみ、高温検知信号を出力するように構成されている。したがって、ヒータ４０の温度が過度に高くなった場合に、コンパレータ１９から高温検知信号を適切に出力させることができる。第一変形例では、オペアンプ１６を常時作動させることができるため、オペアンプ１６の出力を安定化できる利点がある。また、オペアンプ１６において制御信号による制御機能がないものを使用できる利点がある。なお、加熱制御と測定制御のうちの測定制御のみが行われている状態とは、ＭＣＵ１１が加熱制御又は測定制御以外の制御を行うことを妨げるものではない。

　なお、コンパレータ１９の第二入力端子には、加熱制御と測定制御のどちらの制御が行われているかを判別できる信号が入力されればよく、ＭＣＵ１１から制御信号ＳＩＧ１が入力されるようにしてもよい。この場合、コンパレータ１９は、制御信号ＳＩＧ１がローレベルとなっている状態（つまり、ヒータ４０への加熱用電圧の印加が行われていない状態）において、コンパレータ１７からの高温検知信号の入力を受けた場合にのみ、高温検知信号を出力するように構成すればよい。この構成であっても、ヒータ４０の温度が過度に高くなった場合に、コンパレータ１９から高温検知信号を適切に出力させることができる。また、例えば開閉器ＳＷ１ａからノードＮ１の間に流れる電流を検出し、電流が検出される場合は加熱制御が行われていると判別して、コンパレータ１９の第二入力端子に信号を入力するようにしてもよい。また、コンパレータ１９は、ＡＮＤ回路で構成してもよい。

（第二変形例）
　電子回路１０又は電子回路１０Ａにおいては、１回の加熱制御によってコンデンサ２３にチャージされる電圧が、測定期間ＴＤにおいてすべて放電されないように、抵抗素子２２とコンデンサ２３で構成されるＲＣ直列回路の時定数を設定してもよい。この場合、閾値ＴＨ２の条件が変わる。

　例えば、期間Ｓ１では、ＤＵＴＹ比が他の期間と比べて大きくなる傾向にあることから、最大ＤＵＴＹ比の加熱制御の最大連続実行回数Ｎ（Ｎは２以上の自然数）が設定される。最大連続実行回数Ｎは、この回数を超えて連続して最大ＤＵＴＹ比の加熱制御を行うことは設計上エラーと判断するという数値である。

　第二変形例における閾値ＴＨ２は、加熱期間ＴＨ（ＤＵＴＹ比は最大とする）とその直後の測定期間ＴＤのセットが上記のＮ回繰り返された後、その直後の加熱期間ＴＨ（ＤＵＴＹ比は最大とする）における加熱用電圧のヒータ４０への印加によって到達する値に設定される。

　図７は、第二変形例におけるＭＣＵ１１の動作を説明するためのタイミングチャートである。図７に示すタイミングチャートは、温度上昇期間Ｔ１における制御が実行されるときのものであり、図３に示すタイミングチャートに対して、コンデンサ２３の電圧波形が変更されたものとなっている。

　図７の例では、期間Ｓ１における最大連続実行回数Ｎを“４”としている。また、図７の例では、測定期間ＴＤにおいて放電しきれないコンデンサ２３の電圧が電圧値Ｖａとなっている。そして、電圧値Ｖ１に、電圧値Ｖａの３倍を加算した値が、閾値ＴＨ２として設定されている。このように閾値ＴＨ２を設定することで、コンデンサ２３の電圧が初期値にある状態から５回の加熱制御が行われることで、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超える。コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超えた状態では、最大連続実行回数Ｎ（＝４）を超えて加熱制御が行われており、ＭＣＵ１１に異常が発生している可能性がある。このため、保護回路３０を作動させることで、ヒータ４０の過加熱を防ぐことができる。

　なお、期間Ｓ１において、加熱制御時のＤＵＴＹ比は、最大ＤＵＴＹ比よりも小さくなり得る。仮に、ＭＣＵ１１に異常が発生しており、最大ＤＵＴＹ比よりも小さいＤＵＴＹ比で加熱制御が繰り返された場合でも、どこかの加熱期間ＴＨにおいて、コンデンサ２３の電圧は閾値ＴＨ２を超える。このため、ＭＣＵ１１の異常を検知可能である。また、図７において例えば２回目の測定期間ＴＤにおいて放電制御が行われなかった場合には、２回目の加熱期間ＴＨにおいてコンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超えるため、放電制御に関する異常が発生した場合でも、保護回路３０は作動する。

　以上のように、第二変形例では、ＭＣＵ１１による放電制御が適切に実行されている場合であっても、加熱用電力のヒータ４０への供給（すなわち加熱制御）が繰り返されることで、コンデンサ２３の電圧を徐々に増加させていくことができる。そして、加熱制御が適切に行われていない場合には、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超えて保護回路３０が作動する。つまり、ＭＣＵ１１が放電制御を適切に実行してはいるものの、加熱制御を適切に実行できていない場合には、ヒータ４０への電力供給を制限することができ、ヒータ４０の過加熱等を防いで安全性を高めることができる。

　第二変形例によれば、ＭＣＵ１１による加熱制御に関する異常の有無を、コンパレータ２１により判定して、保護回路３０を作動させることができる。加熱制御は、放電制御と比べて高度な制御である。第二変形例では、このような高度な制御の異常を検知できることで、電源ユニットの安全性をより高めることができる。

　なお、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６では、ＤＵＴＹ比が他の期間と比べて小さくなる傾向にある。このため、加熱制御及び放電制御が繰り返されることによるコンデンサ２３の電圧の増加速度は、期間Ｓ１におけるコンデンサ２３の電圧の増加速度よりも遅くなる。つまり、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６では、加熱期間ＴＨと測定期間ＴＤのセットが上記のＮ回よりも十分に多い回数繰り返されないと、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ２を超えず、ＭＣＵ１１の異常を早期に検出することが難しくなる。

　そこで、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６においては、閾値ＴＨ２を、期間Ｓ１よりも小さい値（＝閾値ＴＨ２ａ）に設定することが好ましい。閾値ＴＨ２ａは、例えば、加熱期間ＴＨ（ＤＵＴＹ比は最大の半分とする）とその直後の測定期間ＴＤのセットがＭ回（Ｍは２以上の自然数）繰り返された後、その直後の加熱期間ＴＨ（ＤＵＴＹ比は最大の半分）における加熱用電圧のヒータ４０への印加によって到達する値に設定される。このように閾値ＴＨ２ａを設定することで、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６においても、加熱制御が適切に行われていない状態を早期に検知して、保護回路３０を作動させることができる。

　同様の理由から、ＤＵＴＹ比が期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６よりも大きく且つ期間Ｓ１よりも小さくなる傾向にある期間Ｓ５においては、閾値ＴＨ２を、期間Ｓ１よりも小さく、且つ、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６よりも大きい値（＝閾値ＴＨ２ｂ）に設定することが好ましい。

　なお、期間Ｓ２は、ヒータ４０の温度を高温に維持する期間であるため、期間Ｓ４、Ｓ６と比べると、ＤＵＴＹ比は大きくなる傾向にある。そこで、期間Ｓ２では、閾値ＴＨ２を、例えば期間Ｓ１で設定する値と同じにしてもよい。

　また、ユーザによる吸引動作は、期間Ｓ２以降に行われるが、吸引動作が行われると、ヒータ４０の温度が一時的に低下する。このため、ヒータ４０の温度を目標温度まで戻すために、ＭＣＵ１１は、ＤＵＴＹ比を一時的に大きくする制御を行う。つまり、吸引動作によって、コンデンサ２３の電圧の増加量が一時的に大きくなる可能性がある。そこで、期間Ｓ１以外の各期間においては、吸引動作を検知した場合に、一定時間、事前に設定している閾値ＴＨ２を所定量増加させるようにしてもよい。これにより、ＭＣＵ１１の異常判定を高精度に行うことができる。

　監視回路２０のＲＣ直列回路の時定数には個体差がある。そこで、ＭＣＵ１１は、例えば、開閉器ＳＷ２をオフ状態に制御した状態で、実際の加熱制御及び放電制御と同様に開閉器ＳＷ１と開閉器ＳＷ４をオンオフ制御して、コンデンサ２３の電圧をモニタし、コンデンサ２３の電圧が初期値（０Ｖ）の状態から何秒で何Ｖに達するかを判定し、その判定結果に基づいて、予め決められている閾値ＴＨ２、閾値ＴＨ２ａ、閾値ＴＨ２ｂを補正するキャリブレーション処理を行ってもよい。また、ＭＣＵ１１は、例えば、開閉器ＳＷ１をオフ状態に制御した状態で、実際の放電制御と同様に開閉器ＳＷ４をオフして、コンデンサ２３の電圧をモニタし、コンデンサ２３の電圧がどの程度の時間で何Ｖまで放電されるかを判定し、その判定結果に基づいて、予め決められている閾値ＴＨ２、閾値ＴＨ２ａ、閾値ＴＨ２ｂを補正するキャリブレーション処理を行ってもよい。例えば、コンデンサ２３の電圧がどの程度の時間で初期値（０Ｖ）まで放電されるかを判定し、その判定結果に基づいてキャリブレーション処理を行ってもよい。また、ＭＣＵ１１は、コンデンサ２３の充電に関するキャリブレーションと、コンデンサ２３の放電に関するキャリブレーションの両方を行うようにしてもよい。これにより、個体差を吸収して、ＭＣＵ１１の異常判定を高精度に行うことができる。このキャリブレーション処理は、電源ユニットの製造時、起動時、又はエアロゾル生成モード移行時等のタイミングで行えばよい。

　このキャリブレーション処理における閾値の変更は、電源ユニットに内蔵されるＩＣ、ＭＣＵ１１が備えるＤＡコンバータ、外付けＤＡコンバータ、又はダイレクトデジタルシンセサイザー等を用いて行えばよい。または、異なる電気抵抗値を持つ複数の分圧回路を設けて、いずれかの分圧回路を選択し、選択した分圧回路の出力を閾値として利用するようにしてもよい。

（第三変形例）
　図８は、図３に示す電子回路１０の変形例である電子回路１０Ｂを示す図である。図８に示す電子回路１０Ｂは、監視回路２０にコンパレータ２５が追加され、コンパレータ２１に入力される閾値ＴＨ２が閾値ＴＨ３に変更された点を除いては、電子回路１０と同じ構成である。

　閾値ＴＨ３は、図５に示す加熱プロファイルにしたがってヒータ４０の加熱を行った場合に、コンデンサ２３の電圧が、初期値の状態（期間Ｓ１の開始時、期間Ｓ４の開始時の状態）から既定時間経過後に到達する電圧の値である。閾値ＴＨ３は、例えば、複数回の実測値の平均値とされる。

　例えば、ＭＣＵ１１が正常に作動している場合には、温度上昇期間Ｔ１における制御の開始からの経過時間が時間ｔ１になると、コンデンサ２３の電圧は閾値ＴＨ３に到達するものものとする。同様に、ＭＣＵ１１が正常に作動している場合には、温度維持期間Ｔ４における制御の開始からの経過時間が時間ｔ２になると、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ３に到達するものとする。時間ｔ１と時間ｔ２は、実測によって求められる値であり、時間ｔ１の方が時間ｔ２よりも短くなる。

　このように時間ｔ１、ｔ２が決められていると、ＭＣＵ１１に異常が発生しており、期間Ｓ１及び期間Ｓ２において、意図せずＤＵＴＹ比が大きい状態が継続すると、期間Ｓ１の開始からの経過時間が時間ｔ１になるよりも速いタイミングで、コンデンサ２３の電圧は閾値ＴＨ３となる。また、ＭＣＵ１１に異常が発生しており、期間Ｓ１及び期間Ｓ２において、意図せずＤＵＴＹ比が小さい状態が継続すると、期間Ｓ１の開始からの経過時間が時間ｔ１に達したタイミングよりも更に後のタイミングで、コンデンサ２３の電圧は閾値ＴＨ３となる。

　つまり、期間Ｓ１及び期間Ｓ２では、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ３に達した時点での、コンデンサ２３の電圧が初期値（０Ｖ）の時点からの経過時間と、時間ｔ１との差が大きい場合には、ＭＣＵ１１がＤＵＴＹ比の制御を正常に行えていないことになる。同様に、期間Ｓ４以降では、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ３に達した時点での、コンデンサ２３の電圧が初期値（０Ｖ）の時点（期間Ｓ４の開始時点）からの経過時間と、時間ｔ２との差が大きい場合には、ＭＣＵ１１がＤＵＴＹ比の制御を正常に行えていないことになる。

　監視回路２０のコンパレータ２５における２つの入力端子の一方には、期間Ｓ１及び期間Ｓ２においては、閾値ＴＨ４として時間ｔ１が入力され、期間Ｓ４以降の各期間においては、閾値ＴＨ４として時間ｔ２が入力される。コンパレータ２５における２つの入力端子の他方は、ＭＣＵ１１に接続されている。この他方の入力端子には、ＭＣＵ１１から、期間Ｓ１又は期間Ｓ４の開始からの経過時間ｔ３の情報が入力される。コンパレータ２５は、コンパレータ２１の出力端子に接続されたイネーブル端子を持つ。コンパレータ２５の出力端子は、コンパレータ１８の第二入力端子へ接続されている。

　電子回路１０Ｂの監視回路２０では、コンパレータ２１の出力がハイレベルになる（換言すると、コンデンサ２３の電圧が閾値ＴＨ３に達する）と、コンパレータ２５がイネーブルとなり、経過時間ｔ３と閾値ＴＨ４（時間ｔ１又は時間ｔ２）が比較される。この比較の結果、経過時間ｔ３と閾値ＴＨ４の差が差分閾値以上であった場合（つまり、ＭＣＵ１１の加熱制御に異常がある場合）には、コンパレータ２５からハイレベルの信号が出力され、この差が差分閾値未満であった場合には、コンパレータ２５からローレベルの信号が出力される。コンパレータ１８は、２つの入力端子のいずれか一方に入力された電圧がハイレベルとなった場合に、保護回路３０を作動させるための保護開始信号を出力する。

　このように、電子回路１０Ｂでは、コンデンサ２３の電圧が初期値（０Ｖ）の状態から閾値ＴＨ３に達するまでの経過時間ｔ３と閾値ＴＨ４の比較に基づいて、ＭＣＵ１１の加熱制御に関する異常の有無を判定することができ、電源ユニットの安全性を高めることができる。電子回路１０Ｂの監視回路２０の構成は、電子回路１０Ａにも適用可能である。

　なお、以上の説明では、加熱プロファイルにしたがった制御が行われる期間において、コンデンサ２３の電圧が初期値となるタイミングが、期間Ｓ１及び期間Ｓ４のそれぞれの開始時点とした。

　しかし、例えば、期間Ｓ２、Ｓ５、Ｓ６の各々の開始時点で、加熱制御は行わずに放電制御と測定制御のみを行う期間を設け、コンデンサ２３の電圧を初期値に戻すようにしてもよい。この場合には、期間Ｓ１及び期間Ｓ５において設定する閾値ＴＨ４を、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６において設定する閾値ＴＨ４よりも小さくすることが好ましい。

　より好ましくは、期間Ｓ１での閾値ＴＨ４を最小とし、期間Ｓ５での閾値ＴＨ４を期間Ｓ１での閾値ＴＨ４よりも大きい値とし、期間Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６での閾値ＴＨ４を、期間Ｓ５での閾値ＴＨ４よりも大きい値とすることが好ましい。このように、加熱制御の内容に適した閾値ＴＨ４を設定することで、ＭＣＵ１１の異常の有無の判定をより高精度に行うことができる。

　また、ユーザによる吸引動作が行われた場合には、上記閾値ＴＨ４を、事前に設定している値から所定量減少させるようにしてもよい。これにより、ＭＣＵ１１の異常の有無の判定をより高精度に行うことができる。

　閾値ＴＨ４は、電子回路１０、１０Ａにおいて説明したのと同様のキャリブレーション処理によって調整できるようにすることが好ましい。

　電子回路１０と電子回路１０Ｂにおいては、監視回路２０とコンパレータ１８を削除し、コンパレータ１７の出力が保護回路３０に直接接続される構成としてもよい。この構成であっても、ヒータ４０の温度が高い場合に、高温検知信号によって保護回路３０を適切に作動させて安全性を高めることができる。また、電子回路１０と電子回路１０Ｂにおいて、コンパレータ１７とコンパレータ１８を削除し、監視回路２０の出力が保護回路３０に直接接続される構成としてもよい。この構成であっても、ＭＣＵ１１に異常が発生している場合に、異常検知信号によって保護回路３０を適切に作動させて安全性を高めることができる。

　電子回路１０Ａにおいては、監視回路２０とコンパレータ１８を削除し、コンパレータ１９の出力が保護回路３０に直接接続される構成としてもよい。この構成であっても、ヒータ４０の温度が高い場合に、高温検知信号によって保護回路３０を適切に作動させて安全性を高めることができる。また、電子回路１０Ａにおいて、コンパレータ１７とコンパレータ１８とコンパレータ１９を削除し、監視回路２０の出力が保護回路３０に直接接続される構成としてもよい。この構成であっても、ＭＣＵ１１に異常が発生している場合に、異常検知信号によって保護回路３０を適切に作動させて安全性を高めることができる。

　電子回路１０、電子回路１０Ａ、及び電子回路１０Ｂにおいては、開閉器ＳＷ１ｂを削除し、主正母線ＬＵと開閉器ＳＷ１ａの間に昇圧回路を設け、ノードＮ１に抵抗素子２２の一端を接続する構成としてもよい。

　電源ユニット１１０が、第１容器と第２容器を着脱可能且つ第２容器を加熱する加熱部を有する構成である場合には、電子回路１０、電子回路１０Ａ、及び電子回路１０Ｂの各々におけるヒータ４０を、この加熱部に読み替えることで、第２容器の過加熱を防止することができ、安全性を高めることができる。

　本明細書には少なくとも以下の事項が記載されている。なお、括弧内には、上記した実施形態において対応する構成要素等を示しているが、これに限定されるものではない。

（１）
　電源（バッテリ１２）と、
　上記電源からの第１電力（加熱用電圧）をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子（ヒータ４０）に供給する第１制御（加熱制御）、及び、上記電源からの第２電力（測定用電圧）を上記加熱用素子に供給する第２制御（測定制御）を行うプロセッサ（ＭＣＵ１１）と、
　上記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子（オペアンプ１６）と、
　上記電源からの電力の上記加熱用素子への供給を制限する保護回路（保護回路３０）と、
　上記第１制御と上記第２制御のうちの上記第２制御（測定制御）のみが行われており、且つ、上記出力素子の電圧が第１閾値（閾値ＴＨ１）を超える場合に、上記保護回路を作動させる制御回路（コンパレータ１７、又は、コンパレータ１７及びコンパレータ１９）と、を備える、エアロゾル生成装置の電源ユニット（電源ユニット１１０）。

　（１）において、例えば、第１制御が、第２制御と比較して加熱用素子に大きい電力を供給するものである場合を想定する。（１）によれば、この場合、第１制御時には保護回路が作動しないことで、第１制御時において適切な大きさの電圧を加熱用素子に印加でき、第１制御による機能（エアロゾルの生成）を適切に実現できる。また、第２制御が行われている場合に、加熱用素子に印加される電圧が大きくなる場合には、加熱用素子の電気抵抗値が大きく、例えば加熱用素子の温度が高いことを意味する。このような場合には保護回路を作動させることができるため、安全性を高めることができる。

（２）
　（１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記制御回路は、上記プロセッサから入力される制御信号（制御信号ＳＩＧ１又は制御信号ＳＩＧ３）に基づいて、上記第１制御と上記第２制御のうちのどちらが実行されているかを判定する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（２）によれば、プロセッサの制御信号を利用して第１制御と第２制御のうちのどちらが実行されているかを判定するため、制御回路の簡素化が可能になる。

（３）
　（２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記制御信号は、上記制御回路とは別の能動素子（開閉器ＳＷ１又は開閉器ＳＷ３）に更に入力される、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（３）によれば、制御信号を複数の用途に利用するため、回路構成を簡素化できる。

（４）
　（３）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記能動素子は、上記加熱用素子に接続され且つ上記第１制御時にオンオフ制御される開閉器（開閉器ＳＷ１）、又は、上記加熱用素子に直列接続された抵抗素子（抵抗素子Ｒｓ）と上記電源の間に接続され且つ上記第２制御時にオン状態に制御される開閉器（開閉器ＳＷ３）である、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（４）によれば、開閉器の制御信号によって、第１制御又は第２制御が行われている状態を高精度に判定できる。

（５）
　（２）から（４）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記加熱用素子に直列接続された抵抗素子（抵抗素子Ｒｓ）を更に備え、
　上記第１制御は、上記抵抗素子と上記加熱用素子のうちの上記加熱用素子のみに上記第１電力を供給する制御であり、
　上記第２制御は、上記抵抗素子及び上記加熱用素子に上記第２電力を供給する制御であり、
　上記制御回路は、上記出力素子の出力と上記第１閾値（閾値ＴＨ１）を比較する第１コンパレータ（コンパレータ１７）と、上記第１コンパレータの出力と上記制御信号とを比較する第２コンパレータ（コンパレータ１９）と、を含む、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（５）によれば、第１制御によって出力素子の出力が第１閾値を超えた場合でも、第２コンパレータによって保護回路を作動させないようにできる。換言すると、第２制御によって出力素子の出力が第１閾値を超えた場合にのみ、第２コンパレータによって保護回路を作動させることができる。この構成では、出力素子を常時作動させることができるため、出力素子の出力を安定化でき、保護回路を適切に作動させることができる。

（６）
　（１）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記加熱用素子に直列接続された抵抗素子（抵抗素子Ｒｓ）を更に備え、
　上記第１制御は、上記抵抗素子と上記加熱用素子のうちの上記加熱用素子のみに上記第１電力を供給する制御であり、
　上記第２制御は、上記抵抗素子及び上記加熱用素子に上記第２電力を供給する制御であり、
　上記出力素子は、上記第１制御と上記第２制御のうち上記第２制御が行われている場合にのみ出力を行い、
　上記制御回路は、上記出力素子の出力と上記第１閾値（閾値ＴＨ１）を比較する第１コンパレータ（コンパレータ１７）を含む、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（６）によれば、第１制御時には出力素子が出力を行わないため、第２制御が行われており且つ出力素子の出力が第１閾値を超えた場合にのみ、第１コンパレータによって保護回路を作動させることができる。この構成では、出力素子を間欠動作させることができるため、電力消費を抑制できる。

（７）
　（１）から（６）のいずれかに記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記プロセッサの動作状態を監視する監視回路（監視回路２０）を更に備え、
　上記保護回路は、上記監視回路の出力に基づいて、上記第１電力の上記加熱用素子への供給を制限する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（７）によれば、監視回路からの出力に基づいて保護回路が作動可能なため、プロセッサに異常が発生した場合でも適切に保護回路を作動させて安全性を高めることができる。

（８）
　（７）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記監視回路の出力と上記制御回路の出力に基づいて、上記保護回路を作動させる信号（保護開始信号）を出力する出力回路（コンパレータ１８）を更に備える、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（８）によれば、監視回路と出力回路の２つの出力に基づいて保護回路が作動可能なため、プロセッサに異常が発生した場合と加熱用素子の温度が高い場合とで保護回路を作動させて安全性を高めることができる。

（９）
　（７）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記第１制御は、上記加熱用素子を加熱するための制御であり、
　上記第２制御は、上記加熱用素子の温度を取得するための制御であり、
　上記監視回路は、上記第１制御時に上記電源からの電力により蓄電可能なチャージ回路（抵抗素子２２及びコンデンサ２３）を含み、
　上記保護回路は、上記チャージ回路の電圧に基づいて、上記第１電力の上記加熱用素子への供給を制限し、
　上記プロセッサは、上記第１電力の上記加熱用素子への供給周期（制御周期ＴＣ）に基づくタイミング（測定期間ＴＤの開始タイミング）で、上記チャージ回路の電圧を放電させる放電制御を行う、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（９）によれば、例えば、加熱用素子への１回の第１電力の供給によってチャージされるチャージ回路の電圧が、プロセッサによる１回の放電制御によって完全に放電されるようにすることで、プロセッサがチャージ回路の放電を実施していない状態（プロセッサに異常が発生した状態）を、チャージ回路の電圧の大きさによって判断可能となる。保護回路は、例えば、チャージ回路の電圧が閾値よりも大きい場合に、第１電力の加熱用素子への供給を制限することで、プロセッサに異常が発生した場合でも、加熱用素子への電力供給を適切に制限して、エアロゾル生成装置の安全性を高めることができる。
　また、（９）によれば、例えば、加熱用素子への１回の第１電力の供給によってチャージされるチャージ回路の電圧が、プロセッサによる１回の放電制御によって完全に放電されないようにすることで、プロセッサが第１電力を加熱用素子に適切に供給していない状態（プロセッサに異常が発生した状態）を、チャージ回路の電圧の大きさによって判断可能となる。保護回路は、例えば、チャージ回路の電圧が閾値よりも大きい場合に第１電力の加熱用素子への供給を制限することで、プロセッサが第１電力を加熱用素子に適切に供給していない場合に、加熱用素子への電力供給を適切に制限して、エアロゾル生成装置の安全性を高めることができる。
　また、（９）によれば、例えば、加熱用素子への１回の第１電力の供給によってチャージされるチャージ回路の電圧が、プロセッサによる１回の放電制御によって完全に放電されないようにし、且つ、プロセッサが適切に第１電力を加熱用素子に供給している場合には、チャージ回路の電圧が閾値に達するまでの経過時間が所定範囲内となるように構成することで、プロセッサが第１電力を加熱用素子に適切に供給していない状態を、チャージ回路の電圧が閾値に達するまでの経過時間によって判断可能となる。保護回路は、例えば、この経過時間が所定範囲外となった場合に、第１電力の加熱用素子への供給を制限することで、プロセッサが第１電力を加熱用素子に適切に供給していない場合に、加熱用素子への電力供給を適切に制限して、エアロゾル生成装置の安全性を高めることができる。

（１０）
　（９）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記監視回路は、上記チャージ回路の電圧が第２閾値（閾値ＴＨ２）を超えた場合に、上記保護回路を作動させる、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１０）によれば、電圧と閾値の比較だけで加熱用素子への加熱用電力の供給を制限可能なため、制御を簡素化することができる。

（１１）
　（１０）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記加熱用素子への１回の上記第１電力の供給によってチャージされる上記チャージ回路の電圧は、上記放電制御によってすべて放電可能であり、
　上記第２閾値は、上記加熱用素子への１回の上記第１電力の供給によってチャージ可能な最大の電圧値（電圧値Ｖ１）よりも大きい、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１１）によれば、プロセッサがチャージ回路の放電を実施していない状態（プロセッサに異常が発生した状態）を、チャージ回路の電圧の大きさによって判断可能となる。

（１２）
　（１０）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記加熱用素子への１回の上記第１電力の供給によってチャージされる上記チャージ回路の電圧は、上記放電制御によって放電される上記チャージ回路の電圧よりも大きい、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１２）によれば、第１電力の加熱用素子への供給とチャージ回路の放電が繰り返されることで、チャージ回路の電圧を増加させていくことができる。第１電力の供給が適切に行われている場合には、チャージ回路の電圧が第２閾値を超えないように第２閾値を設定することで、第２閾値とチャージ回路の電圧の大小関係によって、第１電力の供給が適切に行われているか否かの判定が可能になる。

（１３）
　（１２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記第２閾値は、上記チャージ回路のチャージ及び放電が複数回繰り返された後の、上記第１電力が上記加熱用素子へ供給される期間における上記チャージ回路へのチャージにより到達する値である、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１３）によれば、必要以上のチャージ及び放電が多く繰り返された場合に、チャージ回路の電圧が第２閾値を超える。このため、第１電力が意図せず加熱用素子に多く供給されている状態を検知可能となる。

（１４）
　（１２）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記監視回路は、上記チャージ回路の電圧が初期値（０Ｖ）の状態から第３閾値（閾値ＴＨ３）に達するまでの第１時間（経過時間ｔ３）に基づいて、上記保護回路を作動させるための信号（異常検知信号）を出力する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１４）によれば、第１電力の供給が適切に行われている場合には、第１時間が時間閾値に近い値となるように時間閾値を設定することで、時間閾値と第１時間の関係によって、第１電力の供給が適切に行われているか否かの判定が可能になり、保護回路を適切に動作させることができる。

（１５）
　（１４）に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
　上記監視回路は、上記第１時間と時間閾値（閾値ＴＨ４）との差が差分閾値以上の場合に、上記保護回路を作動させる、アロゾル生成装置の電源ユニット。

　（１５）によれば、保護回路を適切に動作させることができる。

（１６）
　電源（バッテリ１２）からの第１電力（加熱用電圧）をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子（ヒータ４０）に供給する第１制御（加熱制御）、及び、上記電源からの第２電力（測定用電圧）を上記加熱用素子に供給する第２制御（測定制御）を行うプロセッサ（ＭＣＵ１１）と、上記電源からの電力の上記加熱用素子への供給を制限する保護回路（保護回路３０）と、上記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子（オペアンプ１６）と、を含むエアロゾル生成装置の電源ユニットの制御方法であって、
　上記第１制御と上記第２制御のうちの上記第２制御（測定制御）のみが行われており、且つ、上記出力素子の電圧が第１閾値（閾値ＴＨ１）を超える場合に、上記保護回路を作動させる制御方法。

１２　バッテリ（電源）
１６　オペアンプ（出力素子）
３０　保護回路
４０　ヒータ（加熱用素子）
１１０　電源ユニット
１１　ＭＣＵ（プロセッサ）
ＴＨ１　閾値（第１閾値）

Claims (15)

1. 　電源と、
   　前記電源からの第１電力をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子に供給する第１制御、及び、前記電源からの第２電力を前記加熱用素子に供給する第２制御を行うプロセッサと、
   　前記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子と、
   　前記電源からの電力の前記加熱用素子への供給を制限する保護回路と、
   　前記第１制御と前記第２制御のうちの前記第２制御のみが行われており、且つ、前記出力素子の電圧が第１閾値を超える場合に、前記保護回路を作動させる制御回路と、を備える、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
2. 　請求項１に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記制御回路は、前記プロセッサから入力される制御信号に基づいて、前記第１制御と前記第２制御のうちのどちらが実行されているかを判定する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
3. 　請求項２に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記制御信号は、前記制御回路とは別の能動素子に更に入力される、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
4. 　請求項３に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記能動素子は、前記加熱用素子に接続され且つ前記第１制御時にオンオフ制御される開閉器、又は、前記加熱用素子に直列接続された抵抗素子と前記電源の間に接続され且つ前記第２制御時にオン状態に制御される開閉器である、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
5. 　請求項２から４のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記加熱用素子に直列接続された抵抗素子を更に備え、
   　前記第１制御は、前記抵抗素子と前記加熱用素子のうちの前記加熱用素子のみに前記第１電力を供給する制御であり、
   　前記第２制御は、前記抵抗素子及び前記加熱用素子に前記第２電力を供給する制御であり、
   　前記制御回路は、前記出力素子の出力と前記第１閾値を比較する第１コンパレータと、前記第１コンパレータの出力と前記制御信号とを比較する第２コンパレータと、を含む、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
6. 　請求項１に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記加熱用素子に直列接続された抵抗素子を更に備え、
   　前記第１制御は、前記抵抗素子と前記加熱用素子のうちの前記加熱用素子のみに前記第１電力を供給する制御であり、
   　前記第２制御は、前記抵抗素子及び前記加熱用素子に前記第２電力を供給する制御であり、
   　前記出力素子は、前記第１制御と前記第２制御のうち前記第２制御が行われている場合にのみ出力を行い、
   　前記制御回路は、前記出力素子の出力と前記第１閾値を比較する第１コンパレータを含む、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
7. 　請求項１から６のいずれか１項に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記プロセッサの動作状態を監視する監視回路を更に備え、
   　前記保護回路は、前記監視回路の出力に基づいて、前記第１電力の前記加熱用素子への供給を制限する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
8. 　請求項７に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記監視回路の出力と前記制御回路の出力に基づいて、前記保護回路を作動させる信号を出力する出力回路を更に備える、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
9. 　請求項７に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
   　前記第１制御は、前記加熱用素子を加熱するための制御であり、
   　前記第２制御は、前記加熱用素子の温度を取得するための制御であり、
   　前記監視回路は、前記第１制御時に前記電源からの電力により蓄電可能なチャージ回路を含み、
   　前記保護回路は、前記チャージ回路の電圧に基づいて、前記第１電力の前記加熱用素子への供給を制限し、
   　前記プロセッサは、前記第１電力の前記加熱用素子への供給周期に基づくタイミングで、前記チャージ回路の電圧を放電させる放電制御を行う、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
10. 　請求項９に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    　前記監視回路は、前記チャージ回路の電圧が第２閾値を超えた場合に、前記保護回路を作動させる、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
11. 　請求項１０に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    　前記加熱用素子への１回の前記第１電力の供給によってチャージされる前記チャージ回路の電圧は、前記放電制御によってすべて放電可能であり、
    　前記第２閾値は、前記加熱用素子への１回の前記第１電力の供給によってチャージ可能な最大の電圧値よりも大きい、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
12. 　請求項１０に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    　前記加熱用素子への１回の前記第１電力の供給によってチャージされる前記チャージ回路の電圧は、前記放電制御によって放電される前記チャージ回路の電圧よりも大きい、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
13. 　請求項１２に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    　前記第２閾値は、前記チャージ回路のチャージ及び放電が複数回繰り返された後の、前記第１電力が前記加熱用素子へ供給される期間における前記チャージ回路へのチャージにより到達する値である、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
14. 　請求項１２に記載のエアロゾル生成装置の電源ユニットであって、
    　前記監視回路は、前記チャージ回路の電圧が初期値の状態から第３閾値に達するまでの第１時間に基づいて、前記保護回路を作動させるための信号を出力する、エアロゾル生成装置の電源ユニット。
15. 　電源からの第１電力をエアロゾル源及び／又は香味源を加熱する加熱用素子に供給する第１制御、及び、前記電源からの第２電力を前記加熱用素子に供給する第２制御を行うプロセッサと、前記電源からの電力の前記加熱用素子への供給を制限する保護回路と、前記加熱用素子に印加される電圧に応じた出力を行う出力素子と、を含むエアロゾル生成装置の電源ユニットの制御方法であって、
    　前記第１制御と前記第２制御のうちの前記第２制御のみが行われており、且つ、前記出力素子の電圧が第１閾値を超える場合に、前記保護回路を作動させる制御方法。

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