WO2023165814A1 - Verfahren zum bearbeiten eines werkstücks - Google Patents

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WO2023165814A1
WO2023165814A1 PCT/EP2023/053790 EP2023053790W WO2023165814A1 WO 2023165814 A1 WO2023165814 A1 WO 2023165814A1 EP 2023053790 W EP2023053790 W EP 2023053790W WO 2023165814 A1 WO2023165814 A1 WO 2023165814A1
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WO
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layer
workpiece
mirror
channel
temperature
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PCT/EP2023/053790
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tobias MEISCH
Fabian SCHUSTER
Christof Jalics
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
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Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Gmbh filed Critical Carl Zeiss Smt Gmbh
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891—Temperature

Definitions

  • the invention relates to a method for machining a workpiece in a machining process, preferably in a lithographic structuring process, the machining of the workpiece comprising tempering (heating and/or cooling) the workpiece.
  • machining processes eg when structuring a workpiece
  • temperature control can take place in the form of cooling, for which purpose compressed air nozzles are used, among other things.
  • the workpiece can also be heated, for example if the machining process includes a step with heat treatment (annealing).
  • annealing Such a heat treatment can be carried out on the workpiece itself or on a paint layer which has been freshly applied to the workpiece and which still has a residual solvent content, in order to bake the paint layer and drive out the solvent.
  • the resist layer can be a photoresist layer, for example, which is applied in a so-called soft bake or prebake step of a photolithography process (cf. eg "https://imicromaterials.com/technical/lithography-process-overview” or "http://www.lithoguru.com/scientist/lithobasics.html”) and then structured.
  • a photolithography process cf. eg "https://imicromaterials.com/technical/lithography-process-overview” or "http://www.lithoguru.com/scientist/lithobasics.html
  • the workpiece in this case typically a wafer, can be placed in a convection oven or heated on a so-called hotplate (a hot, typically metallic plate).
  • a hotplate a hot, typically metallic plate.
  • the wafer is placed on the hotplate or held at a small distance from the surface of the hotplate, i.e. the heat transfer takes place by conduction and is therefore comparatively fast.
  • the heating of the wafer in the convection oven is significantly slower, cf.
  • a method for forming a binary germanosilicate glass on a wafer containing integrated circuits has become known from EP 0 206 938 B1.
  • a solution containing a solvent is deposited on the wafer and spinning of the wafer is performed until excess solution is spun off the wafer and the remaining solution is in equilibrium.
  • the wafer and the remaining solution are baked until the solvent is driven off and a binary germanosilicate glass is formed.
  • the baking step can be a one-step bake at at least 400°C to drive off all solvent and generate the oxides of the binary glass.
  • DE3539201 C2 has disclosed an X-ray lithography mask with a mask carrier designed as a thin film for an absorber material.
  • the thin film contains aluminum nitride, which is intended, among other things, to enable heat treatment or baking with very high precision, since the coefficient of thermal expansion of the aluminum nitride has approximately the same value as the substrate which is subjected to the heat treatment.
  • the object of the invention is to provide a method that enables a particularly efficient temperature control of a workpiece in a machining process.
  • a method of the type mentioned at the outset comprising: tempering the workpiece by flowing through at least one channel formed within the workpiece with a (tempered) fluid, ie with a (tempered) liquid or with a (tempered) gas.
  • a channel present in the workpiece or formed specifically for this purpose in the workpiece which is typically provided for a fluid to flow through during operation of the workpiece, e.g. a cooling channel, in at least one step of the machining process with a fluid to flow through.
  • the fluid that flows through the channel and is itself temperature-controlled, ie has a predetermined temperature, is used for temperature-control of the workpiece.
  • channels provided in the workpiece in any case can be used in one or more steps of the machining process for tempering the workpiece.
  • the workpiece can therefore remain in a respective processing machine, which is provided, for example, for coating, developing, etching, . . . the workpiece, and can be temperature-controlled without additional handling. In this way, both the value stream is simplified and the machine park is minimized.
  • a layer is applied to the workpiece, which is baked out in at least one baking step when the workpiece is tempered.
  • Baking can serve, for example, to connect two or more components of the layer to one another, as is the case, for example, with the binary glass described in EP 0206 938 B1.
  • the channel or channels are preferably introduced into the workpiece in the vicinity of the layer in order to ensure good heat transfer from the fluid into the layer.
  • the layer is a photoresist layer that is provided for structuring in the photolithographic structuring process. Temperatures of the order of approx. 100° C. are generally sufficient for baking such a photoresist layer, which can be easily achieved with the aid of a fluid heater, in particular a liquid heater. At the liquid with which the canal is flowed through, it can be water in this case, for example.
  • the baking step is carried out before an exposure step for exposing the photoresist layer in order to expel solvent from the photoresist layer.
  • the baking step is what is known as a soft bake, which is carried out on the unstructured layer before an exposure step and before a development step following the exposure step and before an etching step following the development step.
  • the thermal energy comes from the workpiece itself and not from the environment, as would be the case with tempering in a furnace.
  • baking on a hotplate can typically only be carried out on layers which have been deposited on flat, comparatively small surfaces.
  • inventive flow of a fluid through channels that have been introduced into the workpiece can also be carried out on large workpieces.
  • the surface to which the layer is applied can be a curved surface or a free-form surface.
  • the baking step is carried out after an exposure step for exposing the photoresist layer.
  • the baking step is a so-called post- exposure bake step or by a hard bake step.
  • a post-exposure bake step may be required to increase diffusion in the photoresist layer after the exposure step.
  • the exposure step and the (optional) post-exposure bake step are followed by the development step, which is followed by the hard bake step, in which the remaining solvents are driven off and the photoresist layer is cured.
  • the temperature in the layer is on the order of approx. 100° C., so that it is generally possible without further ado to flow through the channel or channels with an appropriately temperature-controlled fluid.
  • the workpiece is designed as a mirror and the layer to be baked is preferably applied to an optical surface of the mirror.
  • the optical surface of the mirror is that surface of the mirror on which the radiation that is to be reflected by the mirror impinges.
  • a reflective coating can be applied to the optical surface, but this is not mandatory depending on the material of the mirror and the wavelength of the incident radiation.
  • the mirror has a substrate in which the at least one channel is formed.
  • the substrate into which the channel(s) is/are introduced can be, for example, glass, a glass ceramic or another material, for example a metal.
  • the channel or channels typically serve to cool the mirror during operation of the mirror, ie it is a directly cooled mirror, as is described, for example, in DE 10 2019 217 530 A1.
  • the cooling channels typically run in the vicinity of the optical surface and therefore enable the layer applied to the optical surface to be heated quickly and effectively.
  • a structure in particular a grid structure and/or at least one marking, is formed on the surface of the mirror by structuring the layer.
  • the layer that was applied to the surface of the mirror or the substrate is a photoresist layer that is structured using a lithographic structuring process in order to produce the structure, for example the grating structure or the marking .
  • the lattice structure can be a binary structure, a so-called blaze structure, etc.
  • a reflective coating for example in the form of a multi-layer coating, can be applied to the lattice structure in a subsequent coating process.
  • the lattice structure can fulfill different functions.
  • the marking(s) on the surface of the mirror can be used, for example, to adjust or to align/position the mirror. Other types of structures can also be formed on the surface of the mirror.
  • At least one structured electrically conductive or electrically insulating layer is formed on at least one surface of the mirror by structuring the layer.
  • the baked layer is typically also a photoresist layer that is structured during the photolithographic process.
  • the photoresist layer itself can form an electrically conductive or electrically insulating layer, but it is also possible for the photoresist layer to be applied to an underlying layer that consists of an electrically conductive or an electrically insulating material. In this case, not only the photoresist layer, but also the underlying layer is partially removed during etching in order to structure it.
  • the photoresist layer is completely removed after etching and only the structured layer made of the electrically conductive or electrically insulating material remains on the surface.
  • the structured electrically conductive layer can form conductor tracks or other electrically conductive structures that can be used, for example, to control electromechanical components. It is also possible for the structuring to serve to electrically insulate electrically conductive structures on the surface(s) of the mirror. In this case, the electrically insulating layer is used to produce insulator structures, which typically serve to electrically insulate adjacent or underlying electrically conductive structures.
  • the structured electrically conductive or electrically insulating layer can be applied to any surface of the mirror, including the optical surface, provided the layer or the electrically conductive or insulating structures is positioned outside of a reflective coating applied there.
  • At least one structured passivation layer is formed on at least one surface of the mirror by structuring the layer.
  • a passivation layer is understood to mean a protective layer which protects the substrate in the region covered by it, for example against oxidation or against hydrogen-induced outgassing (“hydrogen-induced outgassing”, HIO).
  • the structured passivation layer can be a photoresist layer that is sintered during baking, for example a photoresist that is sintered to SiÜ2 (e.g. the "Medusa 82" photoresist, cf.
  • the passivation layer can also be a layer which is arranged under the photoresist layer and is removed in partial areas during the structuring of the photoresist layer.
  • a passivation layer can be a plastic layer, for example a layer made of a polyimide, for example Durimid® from Fujifilm. As described above, at or after the Structuring of the plastic layer usually completely removes the photoresist layer so that only the structured plastic layer remains on the surface.
  • the mirror is designed for use in an EUV lithography system and the lattice structure preferably forms a spectral filter.
  • the radiation emanating from the EUV radiation source also contains radiation in other wavelength ranges, in particular in the IR wavelength range, the propagation of which through the EUV lithography system is undesirable.
  • the lattice structure can serve to suppress undesired spectral components of the radiation emitted by the EUV radiation source.
  • the mirror can be a collector mirror which is used to focus EUV radiation emanating from an EUV radiation source.
  • mirrors of the EUV lithography system for example mirrors in an illumination system or in a projection system of the EUV lithography system, to be provided with a grid structure that serves as a spectral filter or for another purpose.
  • a structuring layer can be applied to the substrate of the collector mirror, as described for example in DE 102018220 629 A1, which is incorporated by reference in its entirety into the content of this application.
  • the structuring layer can be a layer of photoresist (photoresist) that is structured using a lithographic method.
  • a respective baking step of the photolithographic method can be carried out in the manner described above, ie by a fluid flowing through the cooling channel(s) formed in the substrate in order to temper the substrate, more precisely to heat it.
  • the substrate into which the cooling channels are introduced can be amorphous, for example Silicon (a-Si), silicon dioxide (SiC>2), Ti, Pt, Au, Al TiO x , Ni, Cu, NiP, Ag, Ta or Al2O3.
  • a-Si Silicon
  • SiC>2 silicon dioxide
  • Ti Pt
  • Au Au
  • Al TiO x Ni
  • Cu Cu
  • NiP Ag
  • Ta Al2O3
  • a collector mirror that has a substrate that is coated and processed to form a structured extraneous light section is also described in DE 10 2019 200 698 A1.
  • the fluid that flows through the channel has a temperature of at least 60°C and no more than 120°C, preferably at least 80°C and no more than 110°C.
  • the temperature of the fluid decreases as it flows through the channel from the channel inlet to the channel outlet.
  • the temperature of the fluid is in the entire channel, i.e. from the channel inlet to the channel outlet, in the temperature range specified above.
  • a temperature of the paint layer that is in the temperature range specified above is sufficient for baking a paint layer.
  • Temperatures in the specified temperature range can be reached, for example, when water flows through the channel.
  • Solvents for example alcohols or oils, can also be used as liquids for flowing through the channel.
  • a temperature-controlled gas or a mixture of temperature-controlled gases can also serve as the fluid for flowing through the channel.
  • a temperature and/or a flow rate of the fluid that flows through the at least one channel is regulated or set to a predetermined value.
  • the temperature of the fluid is usually adjusted when the fluid that flows through the channel is not guided in a closed circuit. In this case, the fluid is heated to the desired value before passing through the channel.
  • the flow rate of the fluid through the channel also represents a parameter that can be controlled or regulated in order to influence the temperature of the workpiece in a desired manner. It goes without saying that the temperature of the workpiece can also vary over time by adjusting the temperature and/or the flow rate of the fluid if this is favorable for the respective machining process.
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG 2a shows a schematic representation of a collector mirror which has a channel through which a liquid flows in order to temper the substrate in a baking step of a lithographic structuring process
  • FIG 2b, c shows a schematic representation of the collector mirror during an exposure step and after an etching step of the lithographic structuring process.
  • an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6.
  • the light source 3 can also be provided as a separate module from the rest of the illumination system. In this case the lighting system does not include the light source 3 .
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is illuminated.
  • the reticle 7 is held by a reticle holder 8 .
  • the reticle holder 8 can be displaced in particular in a scanning direction via a reticle displacement drive 9 .
  • FIG. 1 A Cartesian xyz coordinate system is shown in FIG. 1 for explanation.
  • the x-direction runs perpendicular to the plane of the drawing.
  • the y-direction is horizontal and the z-direction is vertical.
  • the scanning direction runs along the y-direction.
  • the z-direction runs perpendicular to the object plane 6.
  • the projection exposure system 1 comprises a projection system 10.
  • the projection system 10 is used to image the object field 5 in an image field 11 in an image plane 12.
  • a structure on the reticle 7 is imaged on a light-sensitive layer of a wafer arranged in the region of the image field 11 in the image plane 12 13.
  • the wafer 13 is held by a wafer holder 14.
  • the wafer holder 14 can be displaced in particular along the y-direction via a wafer displacement drive 15 .
  • the displacement of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 on the one hand and the wafer 13 on the other hand via the wafer displacement drive 15 can be synchronized with one another.
  • the radiation source 3 is an EUV radiation source.
  • the radiation source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light.
  • the useful radiation has a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm.
  • the radiation source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (laser produced plasma, plasma generated with the aid of a laser) or a DPP Source (Gas Discharged Produced Plasma). It can also be a synchrotron-based radiation source.
  • the radiation source 3 can be a free-electron laser (free-electron laser, FEL).
  • the illumination radiation 16 emanating from the radiation source 3 is bundled by a collector mirror 17 .
  • the collector mirror 17 can be a collector mirror with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces.
  • the at least one reflection surface of the collector mirror 17 can be used in grazing incidence (Grazing Incidence, Gl), i.e. with angles of incidence greater than 45°, or in normal incidence (Normal Incidence, NI), i.e. with angles of incidence less than 45°, with the Illumination radiation 16 are applied.
  • Gl grazing Incidence
  • NI normal incidence
  • the collector mirror 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress stray light.
  • the intermediate focus plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the radiation source 3 and the collector mirror 17, and the illumination optics 4.
  • the illumination optics 4 comprises a deflection mirror 19 and a first facet mirror 20 downstream of this in the beam path.
  • the deflection mirror 19 can be a plane deflection mirror or alternatively a mirror with an effect that influences the bundle beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter, which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength.
  • the first facet mirror 20 includes a multiplicity of individual first facets 21, which are also referred to below as field facets. Some of these facets 21 are shown in FIG. 1 only by way of example.
  • a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20 in the beam path of the illumination optics 4.
  • the second facet mirror 22 comprises a plurality of second facets 23.
  • the illumination optics 4 thus forms a double-faceted system.
  • This basic principle is also known as a honeycomb condenser (Fly's Eye Integrator).
  • the individual first facets 21 are imaged in the object field 5 with the aid of the second facet mirror 22 .
  • the second facet mirror 22 is the last beam-forming or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.
  • the projection system 10 includes a plurality of mirrors Mi, which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1 .
  • the projection system 10 comprises six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible.
  • the penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16.
  • the projection system 10 involves doubly obscured optics.
  • the projection optics 10 has an image-side numerical aperture which is greater than 0.4 or 0.5 and which can also be greater than 0.6 and which can be 0.7 or 0.75, for example.
  • the mirrors Mi can have a highly reflective coating for the illumination radiation 16.
  • FIG. 2a-c show three steps of a machining process in the form of a lithographic structuring process on a workpiece in the form of the collector mirror 17 shown in FIG.
  • the photoresist layer 25a was applied in a previous coating step (by spin coating) to the substrate 24, more precisely to a surface 24a of the substrate 24, which forms an optical surface of the collector mirror 17, on which the illumination radiation 16 impinges and on which the illumination radiation 16 is reflected.
  • two photoresist layers 25b, 25c are applied, which are also in the lithographic structuring process should be structured. It goes without saying that a photoresist layer provided for structuring can also be applied to the rear side 25d of the substrate 24 .
  • FIG. 2a shows the collector mirror 17 in a baking step for baking the photoresist layers 25a-c (soft bake) in order to drive off solvent from the photoresist layers 25a-c.
  • the photoresist layers 25a-c are heated to a temperature T s on the order of about 100°C.
  • a liquid 27, which flows through a channel 26 in the interior of the substrate 24, serves to control the temperature of the collector mirror 17 and thus the photoresist layers 25a-c.
  • the channel 26 is one of several cooling channels that are introduced into the substrate 24 .
  • the cooling channels can be introduced, for example, by milling, or by assembling the substrate 24 from two partial bodies, as described in DE 10 2019 217 530 A1, which is incorporated by reference in its entirety into the content of this application.
  • the substrate 24 is amorphous silicon (a-Si), but it can also be another material, for example silicon dioxide (SiC>2), Ti, Pt, Au, Al TiO x , Ni , Cu, NiP, Ag, Ta or Al2O3.
  • a cooling liquid typically cooling water, flows through the channel 26 in order to cool the collector mirror 17 .
  • the liquid 27 flows through the channel 26 in order to heat the substrate 24 and thus the layers 25a-c to a desired temperature Ts during baking.
  • the liquid 27 flowing through the channel 26 is tempered and heated to a temperature TF, which is typically between 60°C and 120°C or between 80°C and 110°C.
  • a conventional heating device for example in the form of a resistance heater, can be used to heat the liquid 27 .
  • the liquid 27 is fed to the channel 26 via a liquid supply, not illustrated, for example in the form of a hose or the like.
  • the liquid 27 that flows out of the channel 26 is discharged from the channel 26 or from the mirror 17 via a liquid discharge (not illustrated), for example in the form of a hose or the like.
  • a liquid discharge for example in the form of a hose or the like.
  • a fluid in the form of a liquid 27 a fluid in the form of a (temperature-controlled) gas can also be used to flow through the channel 26.
  • the temperature TF of the liquid 26 entering the channel 26 can be set or regulated to a predetermined value.
  • the temperature TF of the liquid is typically regulated to a predetermined (setpoint) value when the liquid 27 is guided in a closed circuit and runs through the channel 26 several times. In this case there is usually at least one temperature sensor in the liquid circuit.
  • the temperature can be set or regulated with the aid of conventional controllers or regulators.
  • the temperature T s of the mirror 17 or of the respective photoresist layer 25a-c is also influenced by the flow rate VF of the liquid 27 through the channel 26.
  • the flow rate VF of the liquid 27 can also be set or regulated to a target value in order to achieve or maintain the desired temperature Ts of the respective photoresist layers 25a-c.
  • Ts desired temperature of the respective photoresist layers 25a-c.
  • the exposure step illustrated in FIG. 2b is followed by a development step (not illustrated) in which the photoresist layer 25a is developed.
  • the development step is followed by an etching step, in which the photoresist layer 25a is structured by being etched away in the partial areas 25a intended for removal.
  • FIG. 2c shows the result of such a removal, in which a lattice structure 30 is formed on the collector mirror 17, only a section of which is shown in FIG. 2c.
  • the photoresist layer 25a is also exposed in two further partial areas 28a, 28b located near the edge of the optical surface 24a, which after the development step in which the photoresist layer 25a is developed and after the etching step, in which the photoresist layer 25a is structured, form two position markings 32a, 32b shown in FIG. 2c for adjusting or aligning the mirror 17 on the optical surface 24a. Structures other than the grating structure 30 or the markings 32a, 32b can also be formed on the optical surface 24a.
  • the photoresist layer 25b applied to a first side surface 24b of the substrate 24 is also temperature-controlled in the manner described above and structured by means of a lithographic structuring process, in that it is exposed in a number of partial regions 28c.
  • a layer 33 of an electrically conductive material is applied to the side surface 24b of the substrate 24 under the photoresist layer 25b.
  • the underlying electrically conductive layer 33 is also structured.
  • the structured electrically conductive layer forms two conductor tracks 33, which are used to control an electromechanical component, for example an actuator, which is not illustrated.
  • a structured electrically insulating layer can also be applied to the side face 24b of the substrate 24, for example in order to electrically insulate the conductor tracks 33 from the environment.
  • the photoresist layer 25c applied to the opposite side surface 24c of the substrate 24 is also structured lithographically in the manner described above, in that a partial area 28d is exposed.
  • a passivation layer 34 applied under the photoresist layer 25c is also structured, as can be seen in FIG. 2c.
  • the structured passivation layer 34 is a plastic layer, more precisely a layer made of a polyimide in the form of Durimid®. It goes without saying that passivation layers made of other materials, in particular plastics, which can be structured lithographically, can also be applied to the side surface 24c or to another surface 24a, b, 24d of the substrate 24.
  • the passivation layer 24 serves to protect the substrate 24 from environmental influences.
  • the structuring of the passivation layer 34 can be used, for example, to bring the substrate 24 into direct contact with add-on parts in the subregions not covered by the passivation layer 34 .
  • the photoresist layer 25c itself serves as a passivation layer, for example it can it is a photoresist layer that can be sintered to form SiÜ2, for example the "Medusa 82" photoresist.
  • a baking step in the form of a so-called post-exposure bake step can be carried out in order to increase the diffusion of the developed layer 25a-c.
  • a further baking step typically takes place to drive off residual solvents and to harden the layer 25a-c.
  • the temperature control of the collector mirror 17 in such a baking step can be carried out as described above in connection with FIG 27 are flowed through.
  • the respective structured layer 25a-c is also heated to a temperature Ts which is of the order of approx.
  • the baking can take place before exposure (soft bake) in a coating system in which the respective layer 25a-c is deposited on the substrate 24.
  • the baking step or steps after the exposure can be carried out, for example, in an exposure system in which the layer 25a-c is exposed.
  • the collector mirror 17 can be tempered in the form of cooling.
  • the cooling takes place analogously to the heating described above, with the difference that the temperature TF of the liquid 27 flowing through the channel 26 is generally between approximately 10° C. and approximately 50° C. during cooling.
  • the method described above is not limited to the processing of a (collector) mirror 17, but can also be used advantageously with other workpieces that require temperature control. It is also not absolutely necessary for the processing of the workpiece to involve photolithographic structuring of the workpiece: temperature control, i.e. heating or cooling, of the workpiece may also be necessary in other processing processes.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (17) in einem Bearbeitungsprozess, bevorzugt in einem fotolithographischen Strukturierungsprozess, wobei das Bearbeiten des Werkstücks (17) ein Temperieren des Werkstücks (17) umfasst. Bei dem Verfahren erfolgt das Temperieren des Werkstücks (17) durch das Durchströmen mindestens eines innerhalb des Werkstücks (17) gebildeten Kanals (26) mit einem Fluid (27).

Description

Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks
Bezugnahme auf verwandte Anmeldung
Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2022 202 059.6 vom 01 . März 2022, deren gesamter Offenbarungsgehalt durch Bezugnahme zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
Hintergrund der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks in einem Bearbeitungsprozess, bevorzugt in einem lithographischen Strukturierungsprozess, wobei das Bearbeiten des Werkstücks ein Temperieren (Heizen und/oder Kühlen) des Werkstücks umfasst.
Bei Bearbeitungsprozessen, z.B. bei der Strukturierung eines Werkstücks, ist häufig eine Temperierung des Werkstücks erforderlich. Für den Fall, dass das Werkstück in dem Bearbeitungsprozess mechanisch bearbeitet und hierbei Wärme in das Werkstück eingetragen wird, kann eine Temperierung in Form einer Kühlung erfolgen, wozu u.a. Druckluftdüsen verwendet werden. Beim Temperieren kann das Werkstück auch erwärmt werden, beispielsweise wenn der Bearbeitungsprozess einen Schritt mit einer Wärmebehandlung (Temperung) umfasst. Eine solche Wärmebehandlung kann an dem Werkstück selbst oder an einer frisch auf das Werkstück aufgebrachten Lackschicht durchgeführt werden, die noch einen Restlösemittelgehalt aufweist, um die Lackschicht auszubacken und das Lösungsmittel auszutreiben. Bei der Lackschicht kann es sich z.B. um eine Fotolackschicht handeln, die in einem so genannten Softbake- oder Prebake-Schritt eines Fotolithographieprozesses (vgl. z.B. „https://imicromaterials.com/technical/lithography-process-overview“ bzw. „http://www.lithoguru.com/scientist/lithobasics.html“) ausgebacken und anschließend strukturiert wird.
Für das Ausbacken einer solchen Fotoresistschicht kann das Werkstück, in diesem Fall typischerweise ein Wafer, in einen Konvektionsofen eingebracht oder auf einer so genannten Hotplate (einer heißen, typischerweise metallischen Platte) erwärmt werden. Bei der Erwärmung mit Hilfe der Hotplate wird der Wafer auf die Hotplate aufgelegt oder in geringem Abstand zur Oberfläche der Hotplate gehalten, d.h. die Wärmeübertragung erfolgt durch Konduktion und ist daher vergleichsweise schnell. Die Erwärmung des Wafers in dem Konvektionsofen ist demgegenüber deutlich langsamer, vgl.
„https://www.microchemicals.eom/technical_information/softbake_photoresist.p df“.
Bei dickeren Lackschichten ist die Trocknung im Konvektionsofen in der Regel ungünstig, da die getrocknete Lackoberfläche eine zügige Lösemittelverdunstung erschwert. In diesem Fall ist die Verwendung einer Hotplate von Vorteil, da bei einer Hotplate das Lösemittel von unten aus der Lackschicht ausgetrieben wird (vgl. „https://www.allresist.de/faqphotoresists- 0080temperungnachbeschichtung/“).
Aus der EP 0 206 938 B1 ist ein Verfahren zum Bilden eines binären Germanosilikatglases auf einem Wafer bekannt geworden, der integrierte Schaltkreise enthält. Bei dem Verfahren wird eine Lösung, die ein Lösungsmittel enthält, auf dem Wafer deponiert und ein Spinnen des Wafers durchgeführt, bis überschüssige Lösung vom Wafer weggesponnen und die verbleibende Lösung im Gleichgewicht ist. Es erfolgt ein Ausbacken des Wafers und der verbliebenen Lösung, bis das Lösungsmittel ausgetrieben und ein binäres Germanosilikatglas gebildet ist. Bei dem Ausbackschritt kann es sich um ein einstufiges Ausbacken bei mindestens 400°C zum Austreiben des gesamten Lösungsmittels und zum Erzeugen der Oxide des binären Glases handeln.
Aus der DE3539201 C2 ist eine Röntgenlithographie-Maske mit einem als Dünnfilm ausgebildeten Maskenträger für ein Absorbermaterial bekannt geworden. Der Dünnfilm enthält Aluminiumnitrid, das u.a. dazu dienen soll, eine Wärmebehandlung bzw. ein Ausbacken mit sehr hoher Präzision zu ermöglichen, weil der Wärmeausdehnungskoeffizient des Aluminiumnitrids etwa denselben Wert hat wie das Substrat, das der Wärmebehandlung unterzogen wird.
Für die Temperierung eines Werkstücks ist es typischerweise erforderlich, dieses in eine speziell zu diesem Zweck vorgesehene Einrichtung einzubringen, beispielsweise in einen Ofen. Das Werkstück kann daher für die Temperierung in der Regel nicht in einer Bearbeitungsmaschine verbleiben, in welcher der Bearbeitungsprozess oder ein Schritt des Bearbeitungsprozesses (z.B. Belacken, Entwickeln, Ätzen, ... ) durchgeführt wird.
Aufgabe der Erfindung
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereitzustellen, das eine besonders effiziente Temperierung eines Werkstücks in einem Bearbeitungsprozess ermöglicht.
Gegenstand der Erfindung
Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren der eingangs genannten Art, umfassend: Temperieren des Werkstücks durch Durchströmen mindestens eines innerhalb des Werkstücks gebildeten Kanals mit einem (temperierten) Fluid, d.h. mit einer (temperierten) Flüssigkeit oder mit einem (temperierten) Gas. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird vorgeschlagen, einen in dem Werkstück vorhandenen oder eigens zu diesem Zweck in dem Werkstück gebildeten Kanal, der typischerweise zur Durchströmung mit einem Fluid im Betrieb des Werkstücks vorgesehen ist, z.B. einen Kühlkanal, in mindestens einem Schritt des Bearbeitungsprozesses mit einem Fluid zu durchströmen. Für die Temperierung des Werkstücks wird in diesem Fall das Fluid genutzt, das den Kanal durchströmt und selbst temperiert wird, d.h. eine vorgegebene Temperatur aufweist. Auf diese Weise können ohnehin in dem Werkstück vorgesehene Kanäle in einem oder mehreren Schritten des Bearbeitungsprozesses zur Temperierung des Werkstücks genutzt werden. Das Werkstück kann daher in einer jeweiligen Bearbeitungsmaschine, die z.B. zum Belacken, Entwickeln, Ätzen, ... des Werkstücks vorgesehen ist, verbleiben und ohne ein zusätzliches Handling temperiert werden. Auf diese Weise wird sowohl der Wertstrom vereinfacht als auch der Maschinenpark minimiert.
Bei einer Variante des Verfahrens ist auf das Werkstück eine Schicht aufgebracht, die beim Temperieren des Werkstücks in mindestens einem Ausbackschritt ausgebacken wird. Das Ausbacken kann beispielsweise dazu dienen, zwei oder mehr Bestandteile der Schicht miteinander zu verbinden, wie dies beispielsweise bei dem in der EP 0206 938 B1 beschriebenen binären Glas der Fall ist. Der bzw. die Kanäle sind in diesem Fall bevorzugt in der Nähe der Schicht in das Werkstück eingebracht, um eine gute Wärmeübertragung von dem Fluid in die Schicht zu gewährleisten.
Bei einer Weiterbildung dieser Variante ist die Schicht eine Fotolackschicht, die zur Strukturierung in dem fotolithographischen Strukturierungsprozess vorgesehen ist. Für das Ausbacken einer solchen Fotolackschicht sind in der Regel Temperaturen in der Größenordnung von ca. 100°C ausreichend, die mit Hilfe einer Fluidheizung, insbesondere einer Flüssigkeitsheizung, auf einfache Weise erreicht werden können. Bei der Flüssigkeit, mit welcher der Kanal durchströmt wird, kann es sich in diesem Fall beispielsweise um Wasser handeln.
Bei einer Weiterbildung dieser Variante wird der Ausbackschritt vor einem Belichtungsschritt zum Belichten der Fotolackschicht durchgeführt, um Lösungsmittel aus der Fotolackschicht auszutreiben. Bei dem Ausbackschritt handelt es sich in diesem Fall um einen so genannten Softbake, der an der unstrukturierten Schicht vor einem Belichtungsschritt und vor einem auf den Belichtungsschritt folgenden Entwicklungsschritt sowie vor einem auf den Entwicklungsschritt folgenden Ätzschritt durchgeführt wird.
Bei der Temperierung mit Hilfe des Durchströmens des bzw. der Kanäle mit einem Fluid kommt die thermische Energie aus dem Werkstück selbst und nicht aus der Umgebung, wie dies bei der Temperierung in einem Ofen der Fall wäre. Für das Austreiben des Lösungsmittels aus der Schicht ist es deutlich effizienter, das Lösungsmittel aus der Tiefe der Schicht in Richtung der Oberfläche der Schicht zu treiben als in die umgekehrte Richtung. Ein solches Austreiben von Lösungsmittel von der Unterseite zur Oberseite der Schicht erfolgt zwar auch bei dem weiter oben beschriebenen Ausbacken auf einer Hotplate, das Ausbacken auf einer Hotplate ist jedoch typischerweise nur an Schichten durchführbar, die auf planen, vergleichsweise kleinen Oberflächen abgeschieden wurden. Das erfindungsgemäßen Durchströmen von Kanälen, die in das Werkstück eingebracht wurden, mit einem Fluid kann hingegen auch an großen Werkstücken durchgeführt werden. Zudem kann es sich bei dem erfindungsgemäßen Verfahren bei der Oberfläche, auf welche die Schicht aufgebracht ist, um eine gekrümmte Oberfläche bzw. um eine Freiformfläche handeln.
Bei einer weiteren Variante wird der Ausbackschritt nach einem Belichtungsschritt zum Belichten der Fotolackschicht durchgeführt. In diesem Fall handelt es sich bei dem Ausbackschritt um einen so genannten Post- Exposure-Bake-Schritt oder um einen Hardbake-Schritt. Ein Post-Exposure- Bake-Schritt ist ggf. erforderlich, um die Diffusion in der Fotolackschicht nach dem Belichtungsschritt zu erhöhen. Auf den Belichtungsschritt sowie auf den (optionalen) Post-Exposure-Bake-Schritt folgt der Entwicklungsschritt, an den sich der Hardbake-Schritt anschließt, bei dem die noch verbleibenden Lösemittel ausgetrieben werden und die Fotolackschicht ausgehärtet wird. Auch bei dem Hardbake-Schritt liegt die Temperatur in der Schicht in der Größenordnung von ca. 100°C, so dass eine Durchströmung des bzw. der Kanäle mit einem entsprechend temperierten Fluid in der Regel ohne weiteres möglich ist.
Bei einer weiteren Variante ist das Werkstück als Spiegel ausgebildet und die auszubackende Schicht ist bevorzugt auf eine optische Oberfläche des Spiegels aufgebracht. Bei der optischen Oberfläche des Spiegels handelt es sich um diejenige Oberfläche des Spiegels, auf welche die Strahlung auftrifft, die von dem Spiegel reflektiert werden soll. Auf die optische Oberfläche kann eine reflektierende Beschichtung aufgebracht sein, abhängig vom Material des Spiegels und der Wellenlänge der auftreffenden Strahlung ist dies aber nicht zwingend erforderlich.
Bei einer weiteren Variante weist der Spiegel ein Substrat auf, in welchem der mindestens eine Kanal ausgebildet ist. Bei dem Substrat, in das der bzw. die Kanäle eingebracht sind, kann es sich beispielsweise um Glas, um eine Glaskeramik oder um ein anderes Material handeln, beispielsweise um ein Metall. Der bzw. die Kanäle dienen in diesem Fall typischerweise zur Kühlung des Spiegels während des Betriebs des Spiegels, d.h. es handelt sich um einen direkt gekühlten Spiegel, wie er beispielsweise in der DE 10 2019 217 530 A1 beschrieben ist. Die Kühlkanäle verlaufen bei einem solchen Spiegel typischerweise in der Nähe der optischen Oberfläche und ermöglichen daher eine schnelle und effektive Temperierung der auf die optische Oberfläche aufgebrachten Schicht. Bei einer weiteren Variante wird durch das Strukturieren der Schicht eine Struktur, insbesondere eine Gitterstruktur und/oder mindestens eine Markierung, an der Oberfläche des Spiegels gebildet. Bei der Schicht, die auf die Oberfläche des Spiegels bzw. des Substrats aufgebracht wurde, handelt es sich in diesem Fall um eine Fotolackschicht, die mit Hilfe eines lithographischen Strukturierungsprozesses strukturiert wird, um die Struktur, beispielsweise die Gitterstruktur bzw. die Markierung, zu erzeugen. Bei der Gitterstruktur kann es sich um eine binäre Struktur, um eine so genannte Blaze-Struktur, etc. handeln. Auf die Gitterstruktur kann in einem nachfolgenden Beschichtungsprozess eine reflektierende Beschichtung, beispielsweise in Form einer Mehrlagen- Beschichtung, aufgebracht werden. Die Gitterstruktur kann je nach Anwendung unterschiedliche Funktionen erfüllen. Die Markierung(en) an der Oberfläche des Spiegels können beispielsweise zur Justage bzw. zur Ausrichtung/Positionierung des Spiegels dienen. Auch andere Arten von Strukturen können an der Oberfläche des Spiegels ausgebildet werden.
Bei einer weiteren Variante wird durch das Strukturieren der Schicht mindestens eine strukturierte elektrisch leitende oder elektrisch isolierende Schicht an mindestens einer Oberfläche des Spiegels gebildet. Bei dieser Variante handelt es sich bei der ausgebackenen Schicht typischerweise ebenfalls um eine Fotolackschicht, die bei dem fotolithographischen Prozess strukturiert wird. Die Fotolackschicht kann selbst eine elektrisch leitende oder elektrisch isolierende Schicht bilden, es ist aber auch möglich, dass die Fotolackschicht auf eine darunterliegende Schicht aufgebracht ist, die aus einem elektrisch leitenden oder einem elektrisch isolierenden Material besteht. In diesem Fall wird beim Ätzen nicht nur die Fotolackschicht, sondern auch die darunterliegende Schicht in Teilbereichen abgetragen, um diese zu strukturieren. In der Regel wird die Fotolackschicht nach dem Ätzen vollständig entfernt und es verbleibt an der Oberfläche nur noch die strukturierte Schicht aus dem elektrisch leitenden oder elektrisch isolierenden Material. Die strukturierte elektrisch leitende Schicht kann Leiterbahnen oder andere elektrisch leitende Strukturen bilden, die z.B. zur Ansteuerung von elektromechanischen Komponenten dienen können. Es ist auch möglich, dass die Strukturierung dazu dient, um elektrisch leitende Strukturen an der bzw. an den Oberflächen des Spiegels elektrisch zu isolieren. In diesem Fall werden mittels der elektrisch isolierenden Schicht Isolatorstrukturen erzeugt, die typischerweise zur elektrischen Isolation von benachbart bzw. darunter angeordneten elektrisch leitfähigen Strukturen dienen. Die strukturierte elektrisch leitfähige bzw. elektrisch isolierende Schicht kann an einer beliebigen Oberfläche des Spiegels angebracht werden, auch an der optischen Oberfläche, sofern die Schicht bzw. die elektrisch leitfähigen oder isolierenden Strukturen außerhalb einer dort angebrachten reflektierenden Beschichtung positioniert ist.
Bei einer Variante wird durch das Strukturieren der Schicht mindestens eine strukturierte Passivierungsschicht an mindestens einer Oberfläche des Spiegels gebildet. Unter einer Passivierungsschicht wird im Sinne dieser Anmeldung eine Schutzschicht verstanden, welche das Substrat in dem von dieser bedeckten Bereich beispielsweise vor Oxidation oder vor wasserstoff-induziertem Ausgasen („Hydrogen-induced outgassing“, HIO) schützt. Bei der strukturierten Passivierungsschicht kann es sich um eine Fotolackschicht handeln, die beim Ausbacken gesintert wird, beispielsweise um einen Fotolack, der zu SiÜ2 gesintert wird (z.B. der Fotolack „Medusa 82“, vgl.
„https://www.allresist.com/allresist-presents-medusa-82-at-the-mne-2019-in- rhodes/“). Bei der Passivierungsschicht kann es sich aber auch um eine unter der Fotolackschicht angeordnete Schicht handeln, die bei der Strukturierung der Fotolackschicht in Teilbereichen abgetragen wird. Bei einer solchen Passivierungsschicht kann es sich um eine Kunststoffschicht handeln, beispielsweise um eine Schicht aus einem Polyimid, z.B. aus Durimid® der Fa. Fujifilm. Wie weiter oben beschrieben wurde, wird bei bzw. nach der Strukturierung der Kunststoffschicht die Fotolackschicht in der Regel vollständig entfernt, so dass nur noch die strukturierte Kunststoffschicht an der Oberfläche verbleibt.
Bei einer weiteren Variante ist der Spiegel zur Verwendung in einer EUV- Lithographieanlage ausgebildet und die Gitterstruktur bildet bevorzugt einen Spektralfilter. Die von der EUV-Strahlungsquelle ausgehende Strahlung enthält neben Strahlung im EUV-Wellenlängenbereich auch Strahlung in anderen Wellenlängenbereichen, insbesondere im IR-Wellenlängenbereich, deren Propagation durch die EUV-Lithographieanlage unerwünscht ist. Die Gitterstruktur kann dazu dienen, unerwünschte Spektralanteile der von der EUV-Strahlungsquelle ausgesandten Strahlung zu unterdrücken. Bei dem Spiegel kann es sich um einen Kollektorspiegel handeln, der dazu dient, EUV- Strahlung, die von einer EUV-Strahlungsquelle ausgeht, zu bündeln. Es ist aber auch möglich, dass andere Spiegel der EUV-Lithographieanlage, beispielsweise Spiegel in einem Beleuchtungssystem oder in einem Projektionssystem der EUV-Lithographieanlage, mit einer Gitterstruktur versehen werden, die als Spektralfilter oder zu einem anderen Zweck dient.
Für die Herstellung einer Gitterstruktur, die einen Spektralfilter bildet, kann auf das Substrat des Kollektorspiegels eine Strukturierungsschicht aufgebracht werden, wie dies beispielsweise in der DE 102018220 629 A1 beschrieben ist, die durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird. Wie dort beschrieben ist, kann es sich bei der Strukturierungsschicht um eine Schicht aus Fotolack (photo resist) handeln, die mittels eines lithographischen Verfahrens strukturiert wird. Ein jeweiliger Ausbackschritt des fotolithographischen Verfahrens kann hierbei auf die weiter oben beschriebene Weise durchgeführt werden, d.h. indem der bzw. die in dem Substrat gebildeten Kühlkanäle von einem Fluid durchströmt werden, um das Substrat zu temperieren, genauer gesagt zu erwärmen. Bei dem Substrat, in das die Kühlkanäle eingebracht sind, kann es sich beispielsweise um amorphes Silizium (a-Si), um Siliziumdioxid (SiC>2), Ti, Pt, Au, AI TiOx, Ni, Cu, NiP, Ag, Ta oder AI2O3 handeln. Wie in der DE 10 2018 220 629 A1 beschrieben ist, kann zur Herstellung der Gitterstruktur auch das Substrat selbst strukturiert werden. Ein Kollektorspiegel, der ein Substrat aufweist, das beschichtet und bearbeitet wird, um einen strukturierten Falschlicht-Abschnitt zu bilden, ist auch in der DE 10 2019 200 698 A1 beschrieben.
Bei einer weiteren Variante weist das Fluid, das den Kanal durchströmt, eine Temperatur von mindestens 60°C und nicht mehr als 120°C, bevorzugt von mindestens 80°C und nicht mehr als 110°C, auf. Die Temperatur des Fluids nimmt bei der Durchströmung des Kanals vom Kanaleintritt zum Kanalaustritt ab. Die Temperatur des Fluids liegt in dem gesamten Kanal, d.h. vom Kanaleintritt zum Kanalaustritt, in dem oben angegeben Temperaturbereich. Wie weiter oben beschrieben wurde, ist für das Ausbacken einer Lackschicht eine Temperatur der Lackschicht, die in dem oben angegebenen Temperaturbereich liegt, ausreichend. Temperaturen in dem angegebenen Temperaturbereich können beispielsweise erreicht werden, wenn der Kanal mit Wasser durchströmt wird. Als Flüssigkeiten für das Durchströmen des Kanals kommen auch Lösungsmittel, beispielsweise Alkohole oder Öle, in Frage. Als Fluid zum Durchströmen des Kanals kann auch ein temperiertes Gas oder eine Mischung aus temperierten Gasen dienen.
Bei einer weiteren Variante wird eine Temperatur und/oder eine Durchflussgeschwindigkeit des Fluids, das den mindestens einen Kanal durchströmt, auf einen vorgegebenen Wert geregelt oder eingestellt. Eine Einstellung der Temperatur des Fluids erfolgt in der Regel, wenn das Fluid, das den Kanal durchströmt, nicht in einem geschlossenen Kreislauf geführt wird. In diesem Fall wird das Fluid vor dem Durchlaufen des Kanals auf den gewünschten Wert aufgeheizt. Für den Fall, dass das Fluid in einem geschlossenen Kreislauf geführt wird, ist es in der Regel günstig, die Temperatur des Fluids mit Hilfe eines oder mehrerer Temperatursensoren zu überwachen, um die Temperatur des Fluids auf einen gewünschten (Soll-)Wert zu regeln. Auf diese Weise kann durch die Temperierung des Fluids das Werkstück und insbesondere eine auf dieses aufgebrachte Schicht sehr präzise auf eine vorgegebene Temperatur gebracht und dort gehalten werden. Neben der Temperatur des Fluids stellt auch die Durchflussgeschwindigkeit des Fluids durch den Kanal einen Parameter dar, der gesteuert oder geregelt werden kann, um die Temperatur des Werkstücks in gewünschter Weise zu beeinflussen. Es versteht sich, dass die Temperatur des Werkstücks durch die Einstellung der Temperatur und/oder der Durchflussgeschwindigkeit des Fluids auch zeitlich variieren kann, wenn dies für den jeweiligen Bearbeitungsprozess günstig ist.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
Zeichnung
Ausführungsbeispiele sind in der schematischen Zeichnung dargestellt und werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert. Es zeigt
Fig. 1 schematisch im Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithografie,
Fig. 2a eine schematische Darstellung eines Kollektorspiegels, der einen mit einer Flüssigkeit durchströmten Kanal aufweist, um das Substrat in einem Ausbackschritt eines lithographischen Strukturierungsprozesses zu temperieren, sowie Fig. 2b, c eine schematische Darstellung des Kollektorspiegels bei einem Belichtungsschritt sowie nach einem Ätzschritt des lithographischen Strukturierungsprozesses.
In der folgenden Beschreibung der Zeichnungen werden für gleiche bzw. funktionsgleiche Bauteile identische Bezugszeichen verwendet.
Im Folgenden werden unter Bezugnahme auf Fig. 1 exemplarisch die wesentlichen Bestandteile einer optischen Anordnung für die EUV-Lithographie in Form einer Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie beschrieben. Die Beschreibung des grundsätzlichen Aufbaus der Projektionsbelichtungsanlage 1 sowie von deren Bestandteilen ist hierbei nicht einschränkend zu verstehen.
Eine Ausführung eines Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Licht- bzw. Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Beleuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssystem separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuchtungssystem die Lichtquelle 3 nicht.
Beleuchtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverlagerungsantrieb 9 insbesondere in einer Scanrichtung verlagerbar.
In Fig. 1 ist zur Erläuterung ein kartesisches xyz-Koordinatensystem eingezeichnet. Die x-Richtung verläuft senkrecht zur Zeichenebene hinein. Die y-Richtung verläuft horizontal und die z-Richtung verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig. 1 längs der y-Richtung. Die z-Richtung verläuft senkrecht zur Objektebene 6. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst ein Projektionssystem 10. Das Projektionssystem 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in einer Bildebene 12. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Waferverlagerungsantrrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen.
Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Strahlungsquelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Laser Produced Plasma, mithilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Strahlungsquelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Free-Electron-Laser, FEL) handeln.
Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektorspiegel 17 gebündelt. Bei dem Kollektorspiegel 17 kann es sich um einen Kollektorspiegel mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexionsflächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektorspiegels 17 kann im streifenden Einfall (Grazing Incidence, Gl), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Einfallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt werden. Der Kollektorspiegel 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht strukturiert und/oder beschichtet sein.
Nach dem Kollektorspiegel 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Strahlungsquelle 3 und den Kollektorspiegel 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen.
Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strahlengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spiegel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungsstrahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Der erste Facettenspiegel 20 umfasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21 , welche im Folgenden auch als Feldfacetten bezeichnet werden. Von diesen Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt. Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23.
Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Fly's Eye Integrator) bezeichnet. Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungsstrahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5.
Das Projektionssystem 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durchnummeriert sind.
Bei dem in der Fig. 1 dargestellten Beispiel umfasst das Projektionssystem 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer anderen Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuchtungsstrahlung 16. Bei dem Projektionssystem 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,4 oder 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die beispielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann.
Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, eine hoch reflektierende Beschichtung für die Beleuchtungsstrahlung 16 aufweisen.
Fig. 2a-c zeigen drei Schritte eines Bearbeitungsprozesses in Form eines lithographischen Strukturierungsprozesses an einem Werkstück in Form des in Fig. 1 dargestellten Kollektorspiegels 17. Der lithographische Strukturierungsprozess dient zur Strukturierung einer Fotolackschicht 25a, die auf ein Substrat 24 des Kollektorspiegels 17 aufgebracht ist. Die Fotolackschicht 25a wurde in einem vorhergehenden Beschichtungsschritt (durch spin coating) auf das Substrat 24, genauer gesagt auf eine Oberfläche 24a des Substrats 24 aufgebracht, die eine optische Oberfläche des Kollektorspiegels 17 bildet, auf welche die Beleuchtungsstrahlung 16 auftrifft und an der die Beleuchtungsstrahlung 16 reflektiert wird. Auch auf eine jeweilige Seitenfläche 24b, 24c des Substrats 24 sind zwei Fotolackschichten 25b, 25c aufgebracht, die ebenfalls in dem lithographischen Strukturierungsprozess strukturiert werden sollen. Es versteht sich, dass auch auf der Rückseite 25d des Substrats 24 eine zu Strukturierung vorgesehene Fotolackschicht aufgebracht werden kann.
Fig. 2a zeigt den Kollektorspiegel 17 bei einem Ausbackschritt zum Ausbacken der Fotolackschichten 25a-c (soft bake), um Lösungsmittel aus den Fotolackschichten 25a-c auszutreiben. Bei dem Ausbackschritt werden die Fotolackschichten 25a-c auf eine Temperatur Ts in der Größenordnung von etwa 100°C erwärmt. Zur Temperierung des Kollektorspiegels 17 und somit der Fotolackschichten 25a-c dient bei dem in Fig. 2a gezeigten Beispiel eine Flüssigkeit 27, die einen Kanal 26 im Inneren des Substrats 24 durchströmt. Bei dem Kanal 26 handelt es sich um einen von mehreren Kühlkanälen, die in das Substrat 24 eingebracht sind. Das Einbringen der Kühlkanäle kann beispielsweise durch Fräsen erfolgen, oder indem das Substrat 24 aus zwei Teilkörpern zusammengesetzt wird, wie dies in der DE 10 2019 217 530 A1 beschrieben ist, die durch Bezugnahme in ihrer Gesamtheit zum Inhalt dieser Anmeldung gemacht wird.
Bei dem Substrat 24 handelt es sich im gezeigten Beispiel um amorphes Silizium (a-Si), es kann sich aber auch um ein anderes Material handeln, beispielsweise um Siliziumdioxid (SiC>2), Ti, Pt, Au, AI TiOx, Ni, Cu, NiP, Ag, Ta oder AI2O3. Der Kanal 26 wird im Betrieb des Kollektorspiegels 17 in der EUV- Lithographieanlage 1 mit einer Kühlflüssigkeit, typischerweise mit Kühlwasser, durchströmt, um den Kollektorspiegel 17 zu kühlen.
Bei dem hier beschriebenen lithographischen Strukturierungsprozess wird der Kanal 26 mit der Flüssigkeit 27 durchströmt, um das Substrat 24 und somit die Schichten 25a-c auf eine gewünschte Temperatur Ts beim Ausbacken aufzuheizen. Zu diesem Zweck wird die Flüssigkeit 27, die den Kanal 26 durchströmt, temperiert und auf eine Temperatur TF aufgeheizt, die typischerweise zwischen 60°C und 120°C bzw. zwischen 80°C und 110°C liegt. Zur Erwärmung der Flüssigkeit 27 kann eine herkömmliche Heizeinrichtung, beispielsweise in Form eines Widerstandsheizers, dienen. Die Flüssigkeit 27 wird dem Kanal 26 über eine nicht bildlich dargestellte Flüssigkeitszuführung z.B. in Form eines Schlauchs oder dergleichen zugeführt. Entsprechend wird die Flüssigkeit 27, die aus dem Kanal 26 ausströmt, über eine nicht bildlich dargestellte Flüssigkeitsabführung, z.B. in der Art eines Schlauchs oder dergleichen, von dem Kanal 26 bzw. von dem Spiegel 17 abgeführt. An Stelle eines Fluids in Form einer Flüssigkeit 27 kann auch ein Fluid in Form eines (temperierten) Gases zur Durchströmung des Kanals 26 dienen.
Um den Spiegel 17 und somit die auszubackenden Fotolackschichten 25a-c möglichst präzise auf eine vorgegebene Temperatur Ts aufzuheizen und auf dieser zu halten, kann die Temperatur TF der Flüssigkeit 26 beim Eintritt in den Kanal 26 auf einen vorgegebenen Wert eingestellt oder geregelt werden. Eine Regelung der Temperatur TF der Flüssigkeit auf einen vorgegebenen (Soll- )Wert wird typischerweise durchgeführt, wenn die Flüssigkeit 27 in einem geschlossenen Kreislauf geführt wird und den Kanal 26 mehrmals durchläuft. In diesem Fall ist in der Regel mindestens ein Temperatursensor in dem Flüssigkeitskreislauf vorhanden. Die Einstellung bzw. die Regelung der Temperatur kann mit Hilfe von herkömmlichen Controllern bzw. Reglern erfolgen. Die Temperatur Ts des Spiegels 17 bzw. der jeweiligen Fotolackschicht 25a-c wird auch durch die Durchflussgeschwindigkeit VF der Flüssigkeit 27 durch den Kanal 26 beeinflusst. Wie die Temperatur TF kann auch die Durchflussgeschwindigkeit VF der Flüssigkeit 27 eingestellt oder auf einen Soll-Wert geregelt werden, um die gewünschte Temperatur Ts der jeweiligen Fotolackschichten 25a-c zu erreichen bzw. zu halten. Im gezeigten Beispiel wird zur Vereinfachung davon ausgegangen, dass die Fotolackschichten 25a-c auf dieselbe Temperatur Ts aufgeheizt werden sollen.
Wie in Fig. 2b zu erkennen ist, wird nach dem Ausbacken der Fotolackschicht 25a, die auf die optische Oberfläche 24a aufgebracht ist, eine Belichtung der Fotolackschicht 25a durchgeführt, bei dem die Fotolackschicht 25a mit Belichtungsstrahlung 29 bestrahlt wird. Die Belichtung der Fotolackschicht 25a erfolgt hierbei selektiv nur in für einen nachfolgenden Abtrag vorgesehenen Teilbereichen, von denen in Fig. 2b beispielhaft ein Teilbereich 28 dargestellt ist.
An den in Fig. 2b dargestellten Belichtungsschritt schließt sich ein nicht bildlich dargestellter Entwicklungsschritt an, bei dem die Fotolackschicht 25a entwickelt wird. An den Entwicklungsschritt schließt sich ein Ätzschritt an, bei dem die Fotolackschicht 25a strukturiert wird, indem diese in den für den Abtrag vorgesehenen Teilbereichen 25a abgeätzt wird. Fig. 2c zeigt das Ergebnis eines solchen Abtrags, bei dem eine Gitterstruktur 30 an dem Kollektorspiegel 17 gebildet wird, von der in Fig. 2c nur ein Ausschnitt dargestellt ist.
Wie in Fig. 2c ebenfalls zu erkennen ist, werden bei dem Ätzprozess schräge Kanten der Gitterstruktur 30 erzeugt. Dies hat sich für eine nachfolgende Beschichtung der Gitterstruktur 30 mit einer Schutzschicht bzw. mit einer reflektierenden Beschichtung als günstig erwiesen, wie dies in der DE 10 2018 220629 A1 beschrieben ist.
Wie in Fig. 2b dargestellt ist, wird die Fotolackschicht 25a auch in zwei in der Nähe des Randes der optischen Oberfläche 24a befindlichen weiteren Teilbereichen 28a, 28b belichtet, die nach dem Entwicklungsschritt, bei dem die Fotolackschicht 25a entwickelt wird, und nach dem Ätzschritt, bei dem die Fotolackschicht 25a strukturiert wird, zwei in Fig. 2c dargestellte Positions- Markierungen 32a, 32b zur Justage bzw. zur Ausrichtung des Spiegels 17 an der optischen Oberfläche 24a bilden. An der optischen Oberfläche 24a können auch andere Strukturen als die Gitterstruktur 30 oder die Markierungen 32a, 32b ausgebildet werden. Auch die an einer ersten Seitenfläche 24b des Substrats 24 aufgebrachte Fotolackschicht 25b wird auf die weiter oben beschriebene Weise temperiert und mittels eines lithographischen Strukturierungsprozesses strukturiert, indem diese in mehreren Teilbereichen 28c belichtet wird. Unter der Fotolackschicht 25b ist eine Schicht 33 aus einem elektrisch leitenden Material auf die Seitenfläche 24b des Substrats 24 aufgebracht. Bei der Strukturierung der Fotolackschicht 25b wird auch die darunterliegende elektrisch leitende Schicht 33 strukturiert. Im gezeigten Beispiel bildet die strukturierte elektrisch leitende Schicht zwei Leiterbahnen 33, die zur Ansteuerung einer nicht bildlich dargestellten elektro-mechanischen Komponente, beispielsweise eines Aktuators, dienen. Alternativ oder zusätzlich zu der elektrisch leitenden Schicht 33 kann auch eine strukturierte elektrisch isolierende Schicht auf die Seitenfläche 24b des Substrats 24 aufgebracht werden, beispielsweise um die Leiterbahnen 33 elektrisch gegenüber der Umgebung zu isolieren.
Auch die an der gegenüberliegenden Seitenfläche 24c des Substrats 24 aufgebrachte Fotolackschicht 25c wird auf die weiter oben beschriebene Weise lithographisch strukturiert, indem ein Teilbereich 28d belichtet wird. Bei der Strukturierung wird auch eine unter der Fotolackschicht 25c aufgebrachte Passivierungsschicht 34 strukturiert, wie dies in Fig. 2c zu erkennen ist. Bei der strukturierten Passivierungsschicht 34 handelt es sich um eine Kunststoffschicht, genauer gesagt um eine Schicht aus einem Polyimid in Form von Durimid®. Es versteht sich, dass auch Passivierungsschichten aus anderen Materialien, insbesondere aus Kunststoffen, die sich lithographisch strukturieren lassen, an der Seitenfläche 24c oder an einer anderen Oberfläche 24a, b, 24d des Substrats 24 aufgebracht werden können. Die Passivierungsschicht 24 dient zu Schutz des Substrats 24 vor Umwelteinflüssen. Die Strukturierung der Passivierungsschicht 34 kann beispielsweise dazu dienen, um das Substrat 24 in den nicht von der Passivierungsschicht 34 bedeckten Teilbereichen direkt mit Anbauteilen in Kontakt zu bringen. Alternativ ist es möglich, dass die Fotolackschicht 25c selbst als Passivierungsschicht dient, beispielsweise kann es sich um eine Fotolackschicht handeln, die zu SiÜ2 gesintert werden kann, beispielsweise um den Fotolack „Medusa 82“.
Nach dem Belichten der jeweiligen Schicht 25a-c und vor dem Entwickeln der jeweiligen Schicht 25a-c kann ein Ausbackschritt in Form eines so genannten Post-Exposure-Bake-Schritts durchgeführt werden, um die Diffusion der entwickelten Schicht 25a-c zu erhöhen. Nach dem Entwickeln der Schicht 25a-c und vor dem Ätzen erfolgt typischerweise ein weiterer Ausbackschritt (Hardbake) zum Austreiben von restlichen Lösemitteln und zum Aushärten der Schicht 25a-c. Die Temperierung des Kollektorspiegels 17 in einem solchen Ausbackschritt (Post-Exposure-Bake bzw. Hardbake) kann wie weiter oben in Zusammenhang mit Fig. 2a beschrieben durchgeführt werden, d.h. indem der Kollektorspiegel 17 bzw. die in diesem gebildeten Kanäle 26 mit der temperierten Flüssigkeit 27 durchströmt werden. Bei dem jeweiligen Ausbackschritt wird die jeweilige strukturierte Schicht 25a-c ebenfalls auf eine Temperatur Ts aufgeheizt, die in der Größenordnung von ca. 100°C liegt, die mit Hilfe der erwärmten Flüssigkeit 27 leicht erreicht werden kann.
Aufgrund der Temperierung mit Hilfe der in dem Substrat 24 vorhandenen Kanäle 26 ist es nicht erforderlich, den Kollektorspiegel 17 zur Temperierung bzw. zum Ausbacken aus einer jeweiligen Bearbeitungsmaschine zu entnehmen. Beispielsweise kann das Ausbacken vor dem Belichten (Softbake) in einer Beschichtungsanlage erfolgen, in der die jeweilige Schicht 25a-c auf dem Substrat 24 abgeschieden wird. Der bzw. die Ausbackschritte nach dem Belichten (Post-Exposure-Bake bzw. Hardbake) können beispielsweise in einer Belichtungsanlage durchgeführt werden, in der die Schicht 25a-c belichtet wird.
Bei einem Bearbeitungsschritt des Kollektorspiegels 17, bei dem parasitäre Wärme anfällt, beispielsweise bei einem auf den Hardbake-Schritt folgenden Ätzschritt oder bei einer Plasmareinigung, kann eine Temperierung in Form einer Kühlung des Kollektorspiegels 17 durchgeführt werden. Die Kühlung erfolgt analog zum oben beschriebenen Heizen, mit dem Unterschied, dass die Temperatur TF der Flüssigkeit 27, die den Kanal 26 durchströmt, beim Kühlen in der Regel zwischen ca. 10°C und ca. 50°C beträgt.
Das weiter oben beschriebene Verfahren ist nicht auf die Bearbeitung eines (Kollektor-)spiegels 17 beschränkt, sondern kann auch bei anderen Werkstücken vorteilhaft eingesetzt werden, bei denen eine Temperierung erforderlich ist. Auch ist es nicht zwingend erforderlich, dass es sich bei der Bearbeitung des Werkstücks um eine fotolithographische Strukturierung des Werkstücks handelt: Auch bei anderen Bearbeitungsprozessen kann eine Temperierung, d.h. eine Heizung oder eine Kühlung, des Werkstücks erforderlich sein.

Claims

Patentansprüche Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks (17) in einem Bearbeitungsprozess, bevorzugt in einem fotolithographischen Strukturierungsprozess, wobei das Bearbeiten des Werkstücks (17) ein Temperieren des Werkstücks (17) umfasst, gekennzeichnet durch
Temperieren des Werkstücks (17) durch Durchströmen mindestens eines innerhalb des Werkstücks (17) gebildeten Kanals (26) mit einem Fluid (27). Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem auf das Werkstück (17) mindestens eine Schicht (25a-c) aufgebracht ist, die beim Temperieren des Werkstücks (17) in mindestens einem Ausbackschritt ausgebacken wird. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem die Schicht eine Fotolackschicht (25a- c) ist, die zur Strukturierung in dem fotolithographischen Strukturierungsprozess vorgesehen ist. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Ausbackschritt vor einem Belichtungsschritt zum Belichten der Fotolackschicht (25a-c) durchgeführt wird, um Lösungsmittel aus der Fotolackschicht (25a-c) auszutreiben. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, bei dem der Ausbackschritt nach einem Belichtungsschritt zum Belichten der Fotolackschicht (25a-c) durchgeführt wird. Verfahren nach einem der Ansprüche Anspruch 2 bis 5, bei dem das Werkstück als Spiegel (17) ausgebildet ist und die auszubackende Schicht (25a-c) auf eine Oberfläche (24a-d), bevorzugt auf eine optische Oberfläche (24a), des Spiegels (17) aufgebracht ist. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Spiegel (17) ein Substrat (24) aufweist, wobei in dem Substrat (24) der mindestens eine Kanal (26) ausgebildet ist. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, bei dem durch das Strukturieren der Schicht (25a) eine Struktur, insbesondere eine Gitterstruktur (30) und/oder mindestens eine Markierung (32a, b), an der Oberfläche (24a) des Spiegels (17) gebildet wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 8, bei dem durch das Strukturieren der Schicht (25b) mindestens eine strukturierte elektrisch leitende oder elektrisch isolierende Schicht (33) an mindestens einer Oberfläche (24b) des Spiegels (17) gebildet wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, bei dem durch das Strukturieren der Schicht (25c) mindestens eine strukturierte Passivierungsschicht (34) an mindestens einer Oberfläche (24c) des Spiegels (17) gebildet wird. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 10, bei dem der Spiegel (17) zur Verwendung in einer EUV-Lithographieanlage (1 ) ausgebildet ist, wobei die Gitterstruktur (30) bevorzugt einen Spektralfilter bildet. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem das Fluid (27), das den mindestens einen Kanal (26) durchströmt, eine Temperatur (TF) von mindestens 60°C und nicht mehr als 120°C, bevorzugt von mindestens 80°C und nicht mehr als 110°C, aufweist. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Temperatur (TF) und/oder eine Durchflussgeschwindigkeit (VF) des Fluids (27), das den mindestens einen Kanal (26) durchströmt, auf einen vorgegebenen Wert geregelt oder eingestellt wird.
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