WO2023088651A1 - Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren - Google Patents

Optisches system, projektionsbelichtungsanlage und verfahren Download PDF

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WO2023088651A1
WO2023088651A1 PCT/EP2022/079937 EP2022079937W WO2023088651A1 WO 2023088651 A1 WO2023088651 A1 WO 2023088651A1 EP 2022079937 W EP2022079937 W EP 2022079937W WO 2023088651 A1 WO2023088651 A1 WO 2023088651A1
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WO
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diaphragm
aperture
optical system
light
plane
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PCT/EP2022/079937
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English (en)
French (fr)
Inventor
Martin VON HODENBERG
Toralf Gruner
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Gmbh
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7025Size or form of projection system aperture, e.g. aperture stops, diaphragms or pupil obscuration; Control thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/005Diaphragms

Definitions

  • the present invention relates to an optical system for a projection exposure system, a projection exposure system with such an optical system and a method for operating such an optical system.
  • the content of the priority application DE 102021212971.4 is fully incorporated by reference.
  • Microlithography is used to produce microstructured components such as integrated circuits. The microlithography process is carried out using a lithography system which has an illumination system and a projection system.
  • the image of a mask (reticle) illuminated by the illumination system is projected by the projection system onto a substrate coated with a light-sensitive layer (photoresist) and arranged in the image plane of the projection system, for example a silicon wafer, in order to place the mask structure on the light-sensitive coating of the substrate to transfer.
  • a light-sensitive layer photoresist
  • EUV lithography systems are currently being developed which use light with a wavelength in the range from 0.1 nm to 30 nm, in particular 13.5 nm.
  • a projection system as mentioned above can also include screens that can shade a beam path of the projection system at least in sections. These diaphragms are used in the form of aperture and obscuration diaphragms to form an exit pupil and as stray light diaphragms to remove unwanted light from the image or from places where it can lead to annoying heating.
  • the geometry of the apertures has a significant influence on the imaging quality.
  • An illumination system as discussed above often uses faceted mirrors or other components that cause pupil faceting, such as mixing rods or honeycomb condensers.
  • the resulting discontinuous light distribution in the exit pupil leads to a high sensitivity to the pupil trimming by the respective aperture, because the energy is more localized in the angular space and it makes a difference whether, for example, an EUV "star” (Engl.: Illumination Spot) is cut off or allowed through and whether the light contributes to the image in a correspondingly interfering manner.
  • EUV "star” Exposure: Illumination Spot
  • the screens are usually manufactured as thin metal parts, in particular as sheets, with a defined shape. Because shape accuracy is important, they cost significantly more than the material used would suggest. If the screens now intercept light as required, they will absorb at least part of it and heat up as a result.
  • aperture stops and stray light stops are mostly located at the edge of the optical beam path and can therefore be thermally connected to the outside world via material with a large cross-section, the situation is more difficult for an obscuration stop located in the middle of the beam path.
  • Such an obscuration diaphragm can be held in position with the aid of blade-shaped holders or wires.
  • This bracket for example wise in the form of the aforementioned wires blocks useful light and is therefore made as thin as possible. Because heat conduction is proportional to the cross-section of the material, the cooling of the obscuration diaphragm via this connection has a weak effect. Gas cooling is also low, especially in a vacuum.
  • one object of the present invention is to provide an improved optical system for a projection exposure system. Accordingly, an optical system for a projection exposure system is proposed.
  • the optical system comprises a diaphragm, in particular an obscuration diaphragm, a diaphragm for the numerical aperture or a false light diaphragm, which is arranged at least in sections in a beam path of the optical system in order to shade the beam path at least in sections, and a heating device for introducing Heat into the panel, the panel being deformable from an initial geometry to a design geometry with the aid of the introduction of the heat.
  • the optical system also includes a temperature sensor, a photo element and/or an infrared camera, with a control and regulating device of the optical system being set up for this purpose, based on measurement signals from the temperature sensor, the photo element and/or the infrared camera and/or on information relating thereto to determine a temperature distribution of other optical elements that are arranged at a comparable position to the aperture in the beam path, to determine a local aperture temperature distribution of the aperture, and to control the heating device in such a way that a target aperture temperature distribution of the aperture can be achieved. Because the heating device is provided, it is possible to compensate for changes in the useful power absorbed and thus for temperature fluctuations. Structure size variations as well as telecentricity errors due to fluctuating aperture geometry can be essentially eliminated in this way.
  • the optical system is preferably projection optics of the projection exposure system. Accordingly, the optical system can also be referred to as projection optics.
  • the optical system can have several optical elements, for example mirrors, in particular EUV mirrors. Illuminating radiation or working light follows the beam path of the optical system through the optical system. The illumination radiation or the working light is reflected on the optical elements. The aperture partially absorbs the illumination radiation. During this process, heat is introduced into the aperture.
  • the stop for the numerical aperture can also be referred to as the numerical aperture stop.
  • the terms "numerical aperture stop” and “stop for the numerical aperture” can be interchanged as desired.
  • the diaphragm it is possible to at least partially shade the beam path in order to shape it.
  • the aperture partially covers the beam path so that the illumination radiation hits the aperture.
  • the fact that the diaphragm is arranged “at least in sections” in the beam path means in particular that the diaphragm protrudes into the beam path. In this case, the diaphragm can protrude laterally into the beam path and cut it laterally. However, the diaphragm can also be arranged completely in the beam path.
  • the stop can be a numerical aperture stop, an obscuration stop, or a flare stop.
  • the aperture includes a light-defining edge.
  • the light-defining edge can be closed or circumferential. However, the light-defining edge can also be open.
  • the screen is shaped in such a way that the screen assumes the design geometry at a maximum absorbed power, taking into account the thermal expansion that occurs in the process.
  • the heating device is suitable for introducing the heat into the screen.
  • the heating device can, for example, heat the panel with the aid of electromagnetic radiation, in particular infrared radiation.
  • resistance heating is also possible. Due to the introduction of the heat, the panel deforms due to the heat. In particular, the aperture expands due to heat.
  • the panel is preferably made of a metallic material.
  • the “initial geometry” or “initial form” is to be understood here as meaning a geometry or form which the screen, in particular the light-determining edge of the screen, has before heat is introduced into the screen.
  • the “design geometry” or “design shape” is to be understood here as meaning a geometry or a shape of the diaphragm, in particular the light-determining edge of the diaphragm, which is required for stable and reproducible imaging behavior.
  • the panel is preferably in the form of a plate or sheet metal.
  • the panel is preferably made of a metallic material that can expand as a result of heat.
  • the screen can be made from sheet steel or sheet aluminum.
  • the screen can be made of the same material throughout.
  • the heating device has a radiant heater for irradiating the panel with electromagnetic radiation, in particular with infrared radiation.
  • electromagnetic radiation can impinge on a front side of the panel.
  • the front side is set up to absorb the electromagnetic radiation, in particular the infrared radiation.
  • the electromagnetic radiation can also impinge on a rear side of the panel facing away from the front side.
  • the heating device has a heating structure attached to the screen.
  • the heating structure is in particular an electrical resistance.
  • the heating structure is thus suitable for electrical resistance heating of the screen.
  • the heating device can only include the radiant heater, only the heating structure or else the radiant heater and the heating structure.
  • the heating structure can be incorporated directly into the screen.
  • the heating structure is preferably isolated from the remainder of the panel by means of a suitable insulator.
  • power is supplied to the heating structure via mounts on the panel.
  • the diaphragm is an obscuration diaphragm, it has several wire-shaped or blade-shaped holders which run through the beam path and which are as narrow as possible for the least possible shading of the beam path.
  • the heating structure can be energized via these holders.
  • the heating device is set up to introduce different amounts of heat into different areas of the screen.
  • the heating structure is assigned to only one of the areas. This makes it possible, for example, to heat that area to which the heating structure is assigned more than another area without a heating structure.
  • the other area can be heated, for example, via the radiant heater. Due to the unequal heating of the different areas the deformation of the diaphragm can be controlled in a targeted manner. The aperture can thus be manipulated as desired.
  • the optical system also includes a temperature sensor, a photo element and/or an infrared camera, with a control and regulating device of the optical system being set up for this purpose based on measurement signals from the temperature sensor, the photo element and/or the infrared camera and/or on In - Formations relating to a temperature distribution of other optical elements, which are arranged at a comparable position as the aperture in the beam path, to determine a local aperture temperature distribution of the aperture and to control the heating device in such a way that a target aperture temperature distribution of the aperture can be achieved.
  • the temperature sensor and/or the photo element are preferably attached directly to the panel. Any number of temperature sensors or photo elements can be provided.
  • the infrared camera is arranged in particular in such a way that it can capture the front side of the panel, for example, in order to determine the local panel temperature distribution of the panel there, for example.
  • the “target panel temperature distribution” is, for example, that panel temperature distribution at which the design geometry is assumed.
  • the measurement signals from the temperature sensor and/or the photo element can be transmitted via mounts on the diaphragm and/or the measurement signals from the temperature sensor and/or the photo element can be transmitted wirelessly. With the help of the transmission of the measurement signals via the previously explained brackets, additional wiring or cabling of the temperature temperature sensor and/or the photo element can be dispensed with. This also applies to wireless transmission.
  • the screen has a light-absorbing coating.
  • the light-absorbing coating can be, for example, a matte black finish or the like.
  • the panel can also have a specific surface roughness or surface structuring.
  • the coating is set up to absorb electromagnetic radiation, preferably infrared radiation, in order to introduce heat into the screen.
  • a projection exposure system with such an optical system is proposed.
  • the optical system can be projection optics of the projection exposure system.
  • the projection exposure system can be an EUV lithography system. EUV stands for "Extreme Ultraviolet" and designates a working light wavelength between 0.1 nm and 30 nm.
  • the projection exposure system can also be a DUV lithography system.
  • DUV stands for “Deep Ultraviolet” and designates a wavelength of the working light between 30 nm and 250 nm.
  • a method for operating such an optical system for a projection exposure system comprises the steps: a) Providing a diaphragm, in particular an obscuration diaphragm, a diaphragm for the numerical aperture or a false light diaphragm, which is arranged at least in sections in a beam path of the optical system, so that the beam path from the diaphragm is at least is shaded in sections, b) introducing heat into the screen with the help of a heating element direction, and c) deforming the aperture from an initial geometry into a design geometry with the aid of heat.
  • a local aperture temperature distribution is calculated based on measurement signals from a temperature sensor, a photo element and/or an infrared camera and/or on information relating to a temperature distribution of other optical elements that are arranged at a comparable position to the aperture in the beam path of the aperture is determined and the heating device is controlled in such a way that a target aperture temperature distribution of the aperture is achieved.
  • heat is also introduced into the diaphragm in that it is arranged at least in sections in the beam path. The illumination radiation or the working light then falls on the screen and heats it up at least in sections. Additional heat is then introduced into the panel with the aid of the heating device.
  • the diaphragm is deformed in step c) in that the diaphragm expands due to heat and is deformed as a result.
  • Providing the aperture can include arranging the aperture in the beam path.
  • step b) different amounts of heat are introduced into different areas of the screen. This makes it possible to heat the panel in a locally variable manner. This allows the aperture to be manipulated as desired. Any number of different or different areas can be provided. The areas can overlap at least in sections.
  • a predetermined heating power ratio of the different areas is set in step b). This enables targeted and reproducible heating of the different areas.
  • the “heating output ratio” is to be understood as meaning a ratio of different heating outputs with which the areas that differ from one another are heated.
  • step b) based on measurement signals from a temperature sensor, a photo element and/or an infrared camera and/or information relating to a temperature distribution of other optical elements that are arranged in a comparable position to the aperture in the beam path, a local aperture temperature distribution of the Aperture is determined and the heating device is controlled in such a way that a target aperture temperature distribution of the aperture is achieved. This makes it possible, based on the measurement signals and/or the information, to heat the panel in such a way that it assumes its design geometry in step c).
  • a control and/or regulation is implemented in step b) with the help of the introduction of heat, which, even with changing absorption of illumination radiation during operation of the optical system, maintains a diaphragm temperature of the diaphragm in a temperature corridor of 10 K , preferably 5K, more preferably 2K.
  • a "temperature corridor” is to be understood as meaning a tolerance range or a tolerance field in which the aperture temperature of the aperture is maintained.
  • the aperture temperature is used as a structure size manipulator based on predetermined sensitivities.
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG. 2 shows a schematic view of an embodiment of an optical system for the projection exposure apparatus according to FIG. 1
  • FIG. 3 shows a schematic view of an exit pupil for the optical system according to FIG. 2
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG. 2 shows a schematic view of an embodiment of an optical system for the projection exposure apparatus according to FIG. 1
  • FIG. 3 shows a schematic view of an exit pupil for the optical system according to FIG. 2
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG. 2 shows a schematic view of an embodiment of an optical system for the projection exposure apparatus according to FIG. 1
  • FIG. 3 shows a schematic view of an exit pupil for the optical system according to FIG. 2
  • FIG. 1 shows a schematic meridional section of a projection exposure system for EUV projection lithography
  • FIG. 4 shows a schematic view of a further embodiment of an optical system for the projection exposure apparatus according to FIG. 1;
  • FIG. 5 shows a schematic view of an exit pupil for the optical system according to FIG. 4;
  • FIG. 6 shows a schematic plan view of an embodiment of a diaphragm arrangement for the optical system according to FIG. 2 or FIG. 4;
  • FIG. 7 shows a schematic sectional view of the screen arrangement according to section line VII-VII of FIG. 6;
  • FIG. 8 shows a schematic block diagram of an embodiment of a method for operating the optical system according to FIG. 2 or FIG.
  • elements that are the same or have the same function have been provided with the same reference symbols, unless otherwise stated. Further it should be noted that the representations in the figures are not necessarily to scale.
  • FIG. 1 shows an embodiment of a projection exposure system 1 (lithography system), in particular an EUV lithography system.
  • a projection exposure system 1 (lithography system), in particular an EUV lithography system.
  • an illumination system 2 of the projection exposure system 1 has, in addition to a light or radiation source 3, illumination optics 4 for illuminating an object field 5 in an object plane 6.
  • the light source 3 can also be used as an additional illumination system 2 separate module must be provided. In this case the lighting system 2 does not include the light source 3 .
  • a reticle 7 arranged in the object field 5 is exposed.
  • the reticle 7 is held by a reticle holder 8 .
  • the reticle holder 8 can be displaced via a reticle displacement drive 9, in particular in a scanning direction.
  • FIG. 1 A Cartesian coordinate system with an x-direction x, a y-direction y and a z-direction z is shown in FIG.
  • the x-direction x runs perpendicularly into the plane of the drawing.
  • the y-direction y runs horizontally and the z-direction z runs vertically.
  • the scanning direction runs along the y-direction y in FIG.
  • the z-direction z runs perpendicular to the object plane 6.
  • the projection exposure system 1 includes projection optics 10.
  • the projection optics 10 are used to image the object field 5 in an image field 11 in an image plane 12.
  • the image plane 12 runs parallel to the object plane 6. Alternatively, an angle that is different from 0° between the object plane 6 and the image plane 12 is also possible.
  • a structure on the reticle 7 is imaged on a light-sensitive layer of a wafer 13 arranged in the region of the image field 11 in the image plane 12 .
  • the wafer 13 is held by a wafer holder 14 .
  • the wafer holder 14 can be displaced in particular along the y-direction y via a wafer displacement drive 15 .
  • the displacement of the reticle 7 via the reticle displacement drive 9 on the one hand and the wafer 13 on the other hand via the wafer displacement drive 15 can be synchronized with one another.
  • the light source 3 is an EUV radiation source.
  • the light source 3 emits in particular EUV radiation 16, which is also referred to below as useful radiation, illumination radiation or illumination light.
  • the useful radiation 16 has in particular a wavelength in the range between 5 nm and 30 nm.
  • the light source 3 can be a plasma source, for example an LPP source (Engl.: Laser Produced Plasma, generated with the help of a laser plasma) or around a DPP (Gas Discharged Produced Plasma) source. It can also be a synchrotron-based radiation source.
  • the light source 3 can be a free-electron laser (FEL).
  • the illumination radiation 16 emanating from the light source 3 is bundled by a collector 17 .
  • the collector 17 can be a collector with one or more ellipsoidal and/or hyperboloidal reflection surfaces. The at least one reflection surface of the collector 17 can be used in grazing incidence (GI), i.e.
  • the collector 17 can be structured and/or coated on the one hand to optimize its reflectivity for the useful radiation and on the other hand to suppress stray light.
  • the intermediate focus plane 18 can represent a separation between a radiation source module, comprising the light source 3 and the collector 17, and the illumination optics 4.
  • the illumination optics 4 comprises a deflection mirror 19 and a first facet mirror 20 downstream of this in the beam path.
  • the deflection mirror 19 can be a flat deflection mirror or alternatively a mirror with an effect that influences the beam beyond the pure deflection effect. Alternatively or additionally, the deflection mirror 19 can be designed as a spectral filter, which separates a useful light wavelength of the illumination radiation 16 from stray light of a different wavelength. If the first facet mirror 20 is arranged in a plane of the illumination optics 4 that is optically conjugate to the object plane 6 as the field plane, it is also referred to as a field facet mirror.
  • the first facet mirror 20 includes a multiplicity of individual first facets 21, which can also be referred to as field facets. Some of these first facets 21 are shown in FIG. 1 only by way of example.
  • the first facets 21 can be embodied as macroscopic facets, in particular as rectangular facets or as facets with an arcuate or part-circular edge contour.
  • the first facets 21 can be embodied as planar facets or alternatively as convexly or concavely curved facets.
  • the first facets 21 themselves can each also be composed of a large number of individual mirrors, in particular a large number of micromirrors.
  • the first facet mirror 20 can in particular be a microelectromechanical system ⁇ MEMS system) be formed. Reference is made to DE 102008009600 A1 for details.
  • the illumination radiation 16 runs horizontally between the collector 17 and the deflection mirror 19, ie along the y-direction y.
  • a second facet mirror 22 is arranged downstream of the first facet mirror 20 in the beam path of the illumination optics 4. If the second facet mirror 22 is arranged in a pupil plane of the illumination optics 4, it is also referred to as a pupil facet mirror.
  • the second facet mirror 22 can also be arranged at a distance from a pupil plane of the illumination optics 4 .
  • the combination of the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22 is also referred to as a specular reflector. Specular reflectors are known from US 2006/0132747 A1, EP 1614 008 B1 and US Pat. No. 6,573,978.
  • the second facet mirror 22 includes a plurality of second facets 23.
  • the second facets 23 are also referred to as pupil facets.
  • the second facets 23 can also be macroscopic facets, which can have round, rectangular or hexagonal borders, for example, or alternatively facets composed of micromirrors. In this regard, reference is also made to DE 102008009600 A1.
  • the second facets 23 can have plane or alternatively convexly or concavely curved reflection surfaces.
  • the illumination optics 4 thus forms a double-faceted system. This basic principle is also known as a honeycomb condenser (English: Fly's Eye Integrator).
  • the second facet mirror 22 can be arranged tilted with respect to a pupil plane of the projection optics 10, as is described, for example, in DE 102017220586 A1.
  • the individual first facets 21 are imaged in the object field 5 with the aid of the second facet mirror 22 .
  • the second facet mirror 22 is the last beam-forming mirror or actually the last mirror for the illumination radiation 16 in the beam path in front of the object field 5.
  • transmission optics in the beam path between the second facet mirror 22 and the object field 5 transmission optics can be arranged, which contribute in particular to the imaging of the first facets 21 in the object field 5 .
  • the transmission optics can have exactly one mirror, but alternatively also two or more mirrors, which are arranged one behind the other in the beam path of the illumination optics 4 .
  • the transmission optics can in particular comprise one or two mirrors for normal incidence (NI mirror, normal incidence mirror) and/or one or two mirrors for grazing incidence (GI mirror, gracing incidence mirror).
  • the illumination optics 4 has exactly three mirrors after the collector 17, namely the deflection mirror 19, the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.
  • the deflection mirror 19 can also be omitted, so that the illumination optics 4 can then have exactly two mirrors after the collector 17, namely the first facet mirror 20 and the second facet mirror 22.
  • the imaging of the first facets 21 by means of the second Facets 23 or with the second facets 23 and a transmission optics in the object plane 6 is regularly only an approximate image.
  • the projection optics 10 includes a plurality of mirrors Mi which are numbered consecutively according to their arrangement in the beam path of the projection exposure system 1 . In the example shown in FIG. 1, the projection optics 10 includes six mirrors M1 to M6. Alternatives with four, eight, ten, twelve or another number of mirrors Mi are also possible.
  • the projection optics 10 are doubly obscured optics.
  • the penultimate mirror M5 and the last mirror M6 each have a passage opening for the illumination radiation 16.
  • the projection optics 10 has a numerical aperture on the image side which is greater than 0.5 and which can also be greater than 0.6 and the two for example 0.7 or 0.75.
  • Reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as free-form surfaces without a rotational axis of symmetry.
  • the reflection surfaces of the mirrors Mi can be designed as aspherical surfaces with exactly one axis of rotational symmetry of the reflection surface shape.
  • the mirrors Mi can have highly reflective coatings for the illumination radiation 16.
  • the projection optics 10 has a large object-image offset in the y-direction y between a y-coordinate of a center of the object field 5 and a y-coordinate of the center of the image field 11. This object-image offset in the y-direction y can be approximately as large as a z-distance between the object plane 6 and the image plane 12.
  • the projection optics 10 can in particular be anamorphic. In particular, it has different image scales ⁇ x, ⁇ y in the x and y directions x, y.
  • a positive image scale ⁇ means an image without image reversal.
  • a negative sign for the imaging scale ⁇ means imaging with image inversion.
  • the projection optics 10 thus leads to a reduction in the ratio 4:1 in the x-direction x, ie in the direction perpendicular to the scanning direction.
  • the projection optics 10 lead to a reduction of 8:1 in the y-direction y, ie in the scanning direction.
  • Other imaging scales are also possible.
  • Image scales with the same sign and absolutely the same in the x and y directions x, y, for example with absolute values of 0.125 or 0.25, are also possible.
  • the number of intermediate image planes in the x and y directions x, y in the beam path between the object field 5 and the image field 11 can be the same or, depending on the design of the projection optics 10, can be different. Examples of projection optics with different numbers of such intermediate images in the x and y directions x, y are known from US 2018/0074303 A1.
  • one of the second facets 23 is assigned to precisely one of the first facets 21 in order to form a respective illumination channel for illuminating the object field 5 . In this way, in particular, lighting can result according to Köhler's principle.
  • the far field is broken down into a large number of object fields 5 with the aid of the first facets 21 .
  • the first facets 21 generate a plurality of images of the intermediate focus on the second facets 23 associated with them.
  • the illumination of the object field 5 is as homogeneous as possible. It preferably has a uniformity error of less than 2%. Field uniformity can be achieved by superimposing different lighting channels.
  • the illumination of the entrance pupil of the projection optics 10 can be geometrically defined by an arrangement of the second facets 23 .
  • the intensity distribution in the entrance pupil of the projection optics 10 can be set by selecting the illumination channels, in particular the subset of the second facets 23 that guide light. This intensity distribution is also referred to as illumination setting or illumination pupil filling.
  • a likewise preferred pupil uniformity in the area of defined illuminated sections of an illumination pupil of the illumination optics 4 can be achieved by redistributing the illumination channels. Further aspects and details of the illumination of the object field 5 and in particular the entrance pupil of the projection optics 10 are described below.
  • the projection optics 10 can in particular have a homocentric entrance pupil. This can be accessible. It can also be inaccessible.
  • the entrance pupil of the projection optics 10 cannot regularly be illuminated exactly with the second facet mirror 22 .
  • the aperture rays often do not intersect at a single point. However, a surface can be found in which the distance between the aperture rays, which is determined in pairs, is minimal.
  • This surface represents the entrance pupil or a surface conjugate to it in position space.
  • this surface shows a finite curvature.
  • the projection optics 10 may have different positions of the entrance pupil for the tangential and for the sagittal beam path.
  • an imaging element in particular an optical component of the transmission optics, should be provided between the second facet mirror 22 and the reticle 7 . With the help of this optical element, the different positions of the tangential entrance pupil and the sagittal entrance pupil can be taken into account.
  • the second facet mirror 22 is arranged in a surface conjugate to the entrance pupil of the projection optics 10 .
  • the first facet mirror 20 is arranged tilted to the object plane 6 .
  • the first facet mirror 20 is tilted relative to an arrangement plane that is defined by the deflection mirror 19 .
  • the first facet mirror 20 is tilted relative to an arrangement plane that is defined by the second facet mirror 22 .
  • 2 shows a schematic view of an optical system 100.
  • the optical system 100 is part of a projection exposure system 1 as explained above.
  • the optical system 100 can in particular be a projection optics 10 as explained above or part of such a projection optics 10 .
  • the optical system 100 includes, for example, an object plane 102, a pupil plane 104 and a field plane 106. Image or intermediate image planes can also be provided.
  • An object field or useful field 108 with a large number of object points O is provided in the object plane 102, of which only one is provided with a reference symbol in FIG.
  • the object points O are imaged onto field points F in the field plane 106 with the aid of the pupil plane 104 .
  • An object not shown, is positioned in the object plane 102 .
  • the object can be the reticle 7 .
  • the useful field 108 is provided on or on the object or on the reticle 7 .
  • the field plane 106 can also be an image plane or an intermediate image plane.
  • a field plane can also be provided instead of the object plane 102 , with images being imaged onto the field plane 106 in this plane.
  • the pupil plane 104 is preferably provided between the object plane 102 and the field plane 106 .
  • the pupil plane 104 is thus arranged neither on the object side nor on the image side.
  • the number of levels 102, 104, 106 is arbitrary.
  • the imaging optical system 100 forms a chain comprising the object plane 102, the, in particular first, pupil plane 104, optionally a first intermediate image plane or field plane, optionally a second pupil plane, optionally an (n ⁇ 1)th intermediate image plane or field plane, optionally an nth pupil plane and the image plane or field plane 106.
  • “Optional” means that these aforementioned planes can also be missing, but only in pairs. Namely, for example, an intermediate image plane and the subsequent pupil plane. n is therefore at least 1.
  • the term "level" is not to be taken literally.
  • the planes 102, 104, 106 are areas.
  • the image plane or field plane 106 is always well corrected. This means that the object point O on the object plane 102 is imaged onto the field point F in the image plane or field plane 106 with little aberration.
  • the intermediate image planes or intermediate field planes can also be corrected, but are usually not. If one wanted to capture an image there, it would usually be strongly aberrated and of correspondingly poorer quality. The quality can be so bad that the image is unrecognizable because different field points can have very far away best image positions in the light direction.
  • image errors that degrade the point image such as spherical aberration, astigmatism or coma, can also occur.
  • False light screens are preferably arranged in those (partial) areas of intermediate field levels in which there is a sufficiently precise assignment of object locations to points. This is ideal in the course without self-overlaps and the like.
  • a pupil plane 104 as previously mentioned can be well corrected. However, this is not mandatory. "Well corrected” here means that light emitted by the object at different locations at the same angle impinges on the same location in the pupil plane 104 . If such a well-corrected pupil plane 104 is present, it is particularly suitable for placing aperture or obscuration diaphragms. One or more diaphragms are arranged in the pupil plane 104 .
  • a stop for the numerical aperture 110 (NA stop) and an obscuration stop 112 are provided.
  • the working light 116 can be the illumination radiation 16 .
  • the stop for the numerical aperture 110 can also be referred to as a numerical aperture stop.
  • a stray light and/or false light diaphragm (not shown) can also be provided in the pupil plane 104 or at other positions, specifically in intermediate image planes (not shown).
  • a light direction LR of the working light 116 can be oriented from the object plane 102 in the direction of the pupil plane 104 .
  • the NA stop 110 includes an aperture 118 defined by a light-defining edge 120 .
  • the light-defining edge 120 can be circumferential.
  • the aperture 118 can have any geometry.
  • the NA diaphragm 110 can be multi-part, so that the geometry of the diaphragm opening 118 can be adjusted.
  • the obscuration stop 112 also includes a light-defining edge 122.
  • the light-defining edge 122 is circumferential.
  • the obscuration stop 112 can have any geometry. For example, the obscuration stop 112 can be oval.
  • the light direction LR can be oriented perpendicularly or at an angle to the diaphragms 110, 112.
  • the working light 116 includes, for example, light beams S1, S2, which describe the imaging of the object point O onto the field plane 106.
  • the representation is purely schematic, so that between the object plane 102 and the pupil plane 104 and between the pupil plane 104 and the field plane 106 a large number of optical elements, for example mirrors, lenses, optical grids or the like can be arranged.
  • the optical elements may include mirrors M1 through M6.
  • a mirror 124 is shown in FIG. 2 between the pupil plane 104 and the field plane 106, to which reference will be made in more detail below.
  • Mirror 124 may correspond to mirror M6.
  • the task of the NA diaphragm 110 is to cut the working light 116 in a radial direction R in relation to the beam path 114 from the outside to the inside and thereby limits a maximum half image-side aperture angle ⁇ max of an angular space W filled with light, which corresponds to the field point F is assigned.
  • the opening angle ⁇ max in turn specifies the numerical aperture of the optical system 100 . With a large numerical aperture, the opening angle ⁇ max is very large and the angular space W accordingly has a flat, conical geometry. With a small numerical aperture, the opening angle ⁇ max is very small and the angular space W accordingly has a pointed conical geometry. An exit pupil AP is assigned to the field point F.
  • the exit pupil AP is an imaging of the NA diaphragm 110 and the obscuration diaphragm 112 on the image side.
  • FIG. 2 also shows an entry pupil EP for the object point O.
  • the entrance pupil EP is an object-side image of the NA stop 110 and the obscuration stop 112.
  • Each field point F is assigned an exit pupil AP.
  • An entrance pupil EP is assigned to each object point O.
  • the obscuration screen 112 has the task of covering an obscuration 126 in the beam path 114 . For this purpose, viewed in the direction R, it cuts out a part of the working light 116 which is radially inner in relation to the beam path 114 .
  • the obscuration 126 can be, for example, an rupture in the mirror 124, so that a light beam S3 assigned to the field point F does not reach it, ie a shadow is formed.
  • the obscuration stop 112 is selected and arranged so large that the shadow generated by the obscuration 126 in the exit pupil AP for each field point F lies behind the shadow of the obscuration stop 112 . In other words, the obscuration 126 thus behaves in a field-constant manner.
  • the shadow of the obscuration screen 112 covers the shadow of the obscuration 126 completely.
  • the exit pupil AP spans the angular space W filled with light above the field point F.
  • the angular space W is delimited by marginal (light) rays S4, S5.
  • each point P in the exit pupil AP can be described with the aid of a direction vector V.
  • the directional vector V has an opening angle ⁇ to the light beam S6.
  • the direction vector V has a circumferential angle ⁇ in the circumferential direction around the center M.
  • each field point F of the field plane 106 sees all light points in the pupil plane 104.
  • a location in the field plane 106 is assigned to the light in an angular space above the pupil plane 104.
  • the exit pupil AP is thus field constant.
  • the light incident on the field plane 106 is constant for each field point F. Tight shape and position tolerances apply to both the NA stop 110 and the obscuration stop 112 .
  • the screens 110, 112 are often designed as thin plates. For example, metal sheets can be used.
  • the metal sheet then has the diaphragm opening 118 defined by the light-determining edge 120.
  • the metal sheet has an outer edge in the form of the light-determining edge 122.
  • the NA stop 110 and the obscuration stop 112 are also referred to generally as "stops" hereinafter.
  • An aspect that is important for the imaging effect is the size of the transparent area. This size is defined using the apertures 110, 112. Even small deviations can lead to noticeable changes in contrast because diffracted light is unintentionally blocked or additionally allowed through. In the case of EUV systems, this effect is intensified by localized luminous points of light ("starry sky") due to the lack of an option for light mixing.
  • One of the specifics of current EUV systems is that the mixing ability of the illumination optics 4 in the angular space is low, so that typically in the pupil plane 104 there are individual bright illumination spots in the otherwise dark area (Engl.: Illumination Spots ).
  • an intensity distribution is compared to a starry sky.
  • a light distribution has the property that even a small change in the transmitted angular range has a noticeable influence on the intensity because the energy is more concentrated.
  • 4 shows a schematic view of a further embodiment of an optical system 200.
  • the optical system 200 is part of a projection exposure system 1 as explained above.
  • the optical system 200 can in particular be a projection optical system 10 as explained above or part of such a product be projection optics 10.
  • the optical system 200 differs from the optical system 100 essentially in that the optical system 200 has no obscuration diaphragm 112 . In principle, however, the optical system 200 can also include an obscuration diaphragm 112 .
  • the optical system 200 comprises an object plane 202, a pupil plane 204, an image or intermediate image plane 206 and a field plane 208.
  • a further pupil plane 204 can be provided between the intermediate image plane 206 and the field plane 208, but this is not shown in FIG .
  • the object plane 202 there is an object field or useful field 210 with a large number of object points O, of which only one is provided with a reference number in FIG.
  • the object points O are imaged onto field points F1 in the field plane 208 and onto field points F2 in the intermediate image plane 206 with the aid of the pupil plane 204 or with the aid of the pupil planes 204 .
  • An object, not shown, is positioned in the object plane 202 .
  • the object can be the reticle 7 .
  • the useful field 210 is provided on or on the object or on the reticle 7 .
  • the wafer 13 to be exposed, for example, is arranged in the field plane 208 .
  • the field plane 208 can also be an image plane or an intermediate image plane.
  • a field plane can also be provided, in which case images are imaged onto the field plane 208 and onto the intermediate image plane 206.
  • the pupil plane 204 is preferably provided between the object plane 202 and the field plane 208 .
  • the pupil plane 204 is thus arranged neither on the object side nor on the image side.
  • One or more diaphragms are arranged in the pupil plane 204 .
  • a stop for the numerical aperture 212 (NA stop) is provided.
  • an obscuration diaphragm (not shown) can also be provided.
  • the stop for the numerical aperture 212 can also be referred to as a numerical aperture stop.
  • the NA stop 212 includes an aperture 214 defined by a light-defining edge 216 .
  • the light-defining edge 216 can be circumferential.
  • the aperture 214 can have any geometry.
  • the NA diaphragm 212 can be multi-part, so that the geometry of the diaphragm opening 214 can be adjusted. Together with the planes 202, 204, 206, 208, the NA diaphragm 212 defines a beam path 218, which the working light 220 follows through the optical system 200.
  • the working light 220 can be the illumination radiation 16 .
  • a stray light and/or stray light diaphragm could also be provided in the pupil plane 204 or at other positions, specifically in the intermediate image plane 206, as described below with reference to FIG the intermediate image plane 206 is explained.
  • the working light 220 includes, for example, light beams S10, S20, which describe the imaging of the object points O onto the intermediate image plane 206 and onto the field plane 208.
  • the representation is purely schematic, so that between the object plane 202 and the pupil plane 204, between the pupil plane 204 and the intermediate image plane 206 and between the intermediate image plane 206 and the field plane 208 a multiplicity of optical elements, for example mirrors, lenses, optical gratings and/or the like can be arranged.
  • the optical elements can include, for example, the mirrors M1 to M6.
  • the task of the NA diaphragm 212 is to cut the working light 220 in a radial direction R in relation to the beam path 218 from the outside to the inside and thereby limits a maximum half image-side opening angle ⁇ max of an angular space W1 filled with light, which corresponds to the field point assigned to F1.
  • the opening angle ⁇ max in turn specifies the numerical aperture of the optical system 200.
  • An exit pupil AP1 is assigned to the field point F1.
  • the exit pupil AP1 is an imaging of the NA diaphragm 212 on the image side.
  • FIG. 4 also shows an entry pupil EP1 for the object point O.
  • the entrance pupil EP1 is an object-side image of the NA aperture 212.
  • An exit pupil AP1 is assigned to each field point F1.
  • Each object point O is assigned an entrance pupil EP1.
  • the exit pupil AP1 spans the angular space W1 filled with light over the field point F1.
  • the angular space W1 is delimited by marginal (light) rays S30, S40. These each fall on the field point F1 at half the image-side maximum opening angle ⁇ max.
  • the maximum opening angle ⁇ max is measured between the respective light beam S30, S40 and a central (light) beam S50 on the field point F1.
  • the light beam S50 intersects a center point M of the exit pupil AP1.
  • An intermediate image pupil AP2, which spans an angular space W2, is assigned to the field point F2.
  • Such an angular space W3 is also assigned to the entrance pupil EP1.
  • each point P of the exit pupil AP1 can be described with the aid of a direction vector V.
  • the direction vector V has an opening angle ⁇ to the light beam S50. Furthermore, the direction vector V has a circumferential angle ⁇ in the circumferential direction around the center M.
  • the entrance pupil EP1 is the object-side image of the NA aperture 212. The entrance pupil EP1 can also be referred to as the useful aperture or equated with it.
  • the reticle 7 positioned in the object plane 202 when the optical system 200 is in operation, light is also diffracted at higher angles than the useful aperture.
  • the light is diffracted at an angle greater than the maximum aperture angle ⁇ max defined by the NA stop 212 .
  • This is shown in FIG. 4 using a light beam S60.
  • This can happen on the one hand on regularly imaged structures of the reticle 7 in higher orders of diffraction and on the other hand on auxiliary structures such as the so-called SRAFs (English: Sub Resolution Assist Features).
  • SRAFs are intended to redistribute light in such a way that useful structures are imaged without end thinning or other defects. However, these should themselves be invisible in the image, that is to say in the field plane 208 .
  • This reflection changes the beam angle for a selected angular range in such a way that after the reflection the light is again in the entrance pupil EP1 or in the useful aperture.
  • the light now seems to come from a virtual object point OV outside the useful field 210 .
  • a virtual entrance pupil EP2 which spans an angular space W4, is assigned to the virtual object point OV.
  • the light beam S60 after being reflected at the housing 222 is provided with the reference symbol S60'.
  • An extension of the light beam S60' in the direction of the object plane 202 leads to the virtual object point OV.
  • An extension of the light beam S60 beyond the housing 222 is provided with the reference symbol S60''.
  • the NA diaphragm 212 can now no longer intercept the stray light in the form of the reflected light beam S60', since the opening angle ⁇ appears to be "right" after the reflection at the housing 222. This means that the opening angle ⁇ is smaller than the maximum opening angle ⁇ max defined by the NA aperture 212 .
  • the light L2 can also be referred to as over-aperture light or stray light . It is now necessary to prevent the stray light L2 from reaching the field level 208 .
  • the stray light L2 does not contribute any useful imaging information and would only lead to a contrast-reducing background in the field plane 208 .
  • the stray light L2 in front of the field plane 208 is therefore to be filtered out.
  • the object points O are imaged as field points F2 and the virtual object points OV as field points F3 in the intermediate image plane 206 .
  • An intermediate image pupil AP3, which spans an angular space W5, is assigned to the field point F3.
  • a diaphragm 224 in particular a stray light diaphragm or stray light diaphragm, is now arranged in the intermediate image plane 206 and filters out the stray light L2 from the beam path 218 .
  • Aperture 224 includes an aperture 226 defined by a light-defining edge 228 .
  • the screen 224 is also referred to below as a false light screen.
  • the optical system 100 can also have a diaphragm 224 of this type.
  • the diaphragms 110, 112, 212, 224 of the respective optical system 100, 200 are used as aperture and obscuration diaphragms to shape the exit pupil AP, AP1 and as stray light diaphragms to remove unwanted light from the image or from places where it can lead to disruptive heating can.
  • the geometry of the diaphragms 110, 112, 212, 224 has a significant influence on the imaging quality.
  • NA stops 110, 212 and in obscured optical systems 100 obscuration stops 112 are placed in a near-pupil position.
  • a correction is made in the design process in such a way that a Fourier relationship to the respective Field level 106, 208 is largely valid. Places in the image correspond to angles there and vice versa. Thanks to this correction, all field points F, F1 see almost the same angular space in the imaging.
  • Illumination optics 4 as explained above, usually work with facetted mirrors or other components that bring about pupil faceting, such as mixing rods or honeycomb capacitors.
  • the resulting discontinuous light distribution in the exit pupil AP, AP1 leads to a high sensitivity to the pupil trimming by the respective diaphragm 110, 112, 212, because the energy is more localized in the angular space and it makes a difference whether, for example, an EUV"Star" (Engl.: Illumination Spot) is cut off or allowed through and whether the light contributes to the image in a correspondingly interfering manner.
  • EUV EUV
  • properties such as the structure size fidelity of the image or the positional accuracy depend on this pupil effect.
  • structures on the reticle 7 as a lithographic template are corrected for systematic imaging deviations in the structure size. However, this takes place in a field-constant manner because of the considerable complexity.
  • the optical system 100, 200 will form structures of the correct size and shape at the correct image location under standard conditions.
  • the shape of the NA diaphragm 110, 212 and/or the obscuration diaphragm 112 changes, the amount of light changes on the one hand. If it were measured, this could still be compensated for by adapting the dose, since the diaphragms 110, 112, 212 and also their shape variation have a field-constant effect.
  • the ratios between the zeroth and higher diffraction orders are changed depending on the structure.
  • the NA diaphragm 110, 212 part of the first diffraction order of a first fine structure, which diffracts at large angles, can no longer pass through it.
  • the equivalent diffraction light of an only slightly coarser second structure no longer sees this change or to a reduced extent.
  • the size of the first structure in the image will decrease, for example, while that of the second structure remains unchanged.
  • Such a relative change in size is difficult or impossible to compensate for in the system using conventional means and therefore reduces the imaging quality.
  • the screen 224 is intended to prevent unwanted stray light L2 from entering the image or impinging on components and heating them up after absorption.
  • the stray light L2 can arise from over-aperture light being reflected at the housing 222 . Without this reflection it would be intercepted at the NA diaphragm 212, but the reflection can result in the new beam angle being in the entrance pupil EP1 or in the useful aperture and a virtual source being created outside the useful field 210. Scattering on optical components, for example due to their roughness or granularity in the volume material of lenses, also produces scattered light, which propagates along the wrong paths and does not produce any useful imaging. Limitations in the form of the diaphragm 224 are therefore introduced in the vicinity of the intermediate image in order to reduce stray light.
  • the diaphragm 224 changes its geometry or size, the residual quantity of the stray light L2 that enters the image varies, for example.
  • the false light L2 typically has an inhomogeneous intensity distribution in the image space, so that the variation will also be field-variable.
  • Compensators can be provided for long-wave variations in this intensity. High-frequency curves but cannot be attacked, so that at least residual contributions remain. They bring about a location-dependent variation in the structure sizes for the same mask template in the image.
  • the screens 110, 112, 212, 224 are usually manufactured as thin metal parts, in particular as sheet metal, with a defined shape. Because shape accuracy is important, they cost significantly more than the material used would suggest.
  • the screens 110, 112, 212, 224 now intercept light L1, L2 according to the task, they will absorb at least part of it and heat up as a result. While NA diaphragms 110, 212 and false-light diaphragms 224 are mostly located at the edge of the optical beam path and can therefore be thermally connected to the outside world via material with a large cross-section, the situation is more difficult for an obscuration diaphragm 112 standing in the middle of the beam path 114. Such an obscuration diaphragm 112 can be held in position with the aid of blade-shaped holders or wires. These supports, for example in the form of the aforementioned wires, block useful light and are therefore made as thin as possible.
  • the cooling of the obscuration diaphragm 112 via this connection has a weak effect. Gas cooling is also low, especially in the vacuum in the case of optical systems 100, 200 in the EUV range. According to the Stefan-Boltzmann law, radiation cooling only contributes to heat dissipation at higher temperatures. If, for example, it is assumed that an amount of absorbed power of approximately 1 W can occur, the obscuration diaphragm 112 can certainly heat up by several 10 K in the static state. Metallic coefficients of thermal expansion are in the order of 1E-5/K relative. The expansion of the obscuration diaphragm 112 is of the order of 10 mm.
  • FIG. 6 shows a schematic top view of an embodiment of a panel arrangement 300.
  • the diaphragm arrangement 300 can be part of one of the optical systems 100, 200.
  • the aperture assembly 300 includes an aperture 302.
  • the aperture 302 is an obscuration aperture as previously mentioned.
  • the following statements relating to the screen 302 are also applicable to the screens 110, 112, 212, 224 accordingly.
  • the aperture 302 has a light-defining edge 304 .
  • the light-determining edge 304 has an elliptical geometry.
  • the light-defining edge 304 can have any geometry.
  • the light-defining edge 304 can be closed all the way round. However, this is not mandatory.
  • the diaphragm 302 includes a plurality of holders 306, 308, 310, 312 for positioning the diaphragm 302 in the beam path 114, 218.
  • the number of holders 306, 308, 310, 312 is arbitrary. For example, four mounts 306, 308, 310, 312 are provided.
  • the holders 306, 308, 310, 312 are blade-shaped or wire-shaped, so that they shade the beam path 114, 218 as little as possible.
  • the screen 302 comprises a front side 314 and a back side 316 facing away from the front side.
  • the orientation of the diaphragm 302 in the beam path 114, 218 is fundamentally arbitrary.
  • the illumination radiation 16 introduces heat Q into the diaphragm 302 .
  • a coating 318 can be provided on the front side 314, which is suitable, for example, for absorbing infrared radiation IR in order to introduce heat Q into the screen 302 in a targeted manner. Coating 318 is optional. The coating 318 can also be provided on the rear side 316 or on both the front side 314 and the rear side 316 .
  • the aperture 302 is plate-shaped.
  • the panel 302 is a metal sheet.
  • the screen 302 can be a one-piece component, in particular a one-piece material component. “In one piece” or “in one piece” means in the present case that the screen 302 forms a single part or a single component and is not composed of several parts or components.
  • the screen 302 is made of the same material throughout.
  • the screen 302 can also be constructed from a plurality of plate-shaped or sheet-metal-shaped elements 320, 322 which are placed one on top of the other and firmly connected to one another.
  • the elements 320, 322 are riveted, screwed or glued together.
  • the elements 320, 322 are made of different metal alloys, for example, so that they expand to different extents when heat Q is applied due to different coefficients of thermal expansion of the different metal alloys. A targeted deformation of the screen 302 is possible as a result.
  • the screen 302 is then a bimetallic screen. As shown in FIG.
  • the elements 320, 322 can have different thicknesses or identical thicknesses (not shown).
  • the panel arrangement 300 or the panel 302 also includes a heating device 324.
  • the heating device 324 has, for example, a radiant heater 326 that emits infrared radiation IR, which impinges, for example, on the front side 314, in particular on the coating 318, in order to selectively heat Q in the panel 302 to bring in.
  • the heating device 324 can comprise a heating structure 328 which is provided directly on the panel 302 .
  • the heating structure 328 can be provided directly on the panel 302 .
  • the heating structure 328 may be a resistance heater.
  • a power supply of the heating structure 328 can be implemented via the mounts 306, 308, 310, 312, for example.
  • the heating structure 328 is optional.
  • the heating structure 328 can be provided in addition to the radiant heater 326 or alternatively to the radiant heater 326 .
  • the heating device 324 With the help of the heating device 324, it is possible to introduce different amounts of heat Q into different areas 330, 332 of the panel 302.
  • the aperture 302 has, for example, at least one temperature sensor 334 and at least one photo cell or photo element 336. It can be any many temperature sensors 334 and any number of photo elements 336 can be provided.
  • an infrared camera 338 can also be provided.
  • sensor signals or measurement signals from the temperature sensor 334, the photo element 336 and/or the infrared camera 338 can be evaluated and the heating device 324 can be controlled in a suitable manner.
  • the heating device 324 can be controlled in a suitable manner.
  • the targeted introduction of heat Q into the panel 302 by means of the heating device 324 it is possible to deform the panel 302 from an initial shape or initial geometry Z1 into a design shape or design geometry Z2.
  • the initial geometry Z1 and the design geometry Z2 differ from one another in terms of the shape or geometry of the light-defining edge 304 .
  • the light-determining edge in the design geometry Z2 in FIG. 6 is provided with the reference symbol 304'.
  • the light-determining edge 304' can assume any desired three-dimensional shape in the design geometry Z2.
  • the screen 302 absorbs at least part of the illumination radiation 16. Heat Q is introduced into the screen 302 as a result.
  • a heater can be implemented for the diaphragm 302, in particular at least for the obscuration diaphragm 112, but optionally also for the NA diaphragm 110, 212 or the false light diaphragm 224, which changes in the absorbed useful power and thus temperature fluctuations can compensate. Structure size variations as well as telecentricity errors due to fluctuating aperture shapes or aperture geometry can be essentially eliminated in this way. This results in a stable imaging behavior.
  • the diaphragm 302 is shaped in such a way that it absorbs at this maximum Performance, taking into account the thermal expansion that occurs, assumes the design geometry Z2.
  • the screen 302 is designed as a bimetal element or bimetal screen, a stronger, potentially useful change in shape or geometry of the screen 302 can be induced in a targeted manner.
  • the panel 302 itself can be heated by targeted irradiation, for example with infrared radiation IR, in which case an irradiated area 330, 332 is ideally limited to one panel surface and the coating 318 can be applied there, which has a high absorption capacity of the selected heating wavelength.
  • electrical resistance heating in the form of the heating structure 328 can also be implemented.
  • the electrical resistance of the panel 302 is selected to be high, in that the heating structure 328 is insulated from the remaining metal body of the panel 302, for example by means of an insulator, and only the heating structure 328 is electrically connected.
  • the current is supplied via the holders 306, 308, 310, 312.
  • the panel 302 can be heated largely homogeneously.
  • the diaphragm 302 in a locally variable manner. For example, only the areas 330, 332 or one of the areas 330, 332 can be heated. Thus, horizontally oriented structures bend up and down, while vertical lines bend left and right. Accordingly, one results thermal loading of the aperture 302 after the absorption of over-aperture light of such structures in an upper/lower or lateral partial area of the aperture 302, while the respective complementary area absorbs no light or at least significantly less light. As a result, an inhomogeneous temperature distribution develops on the panel 302, which, if no countermeasures are taken, can lead to an uneven change in shape due to the thermal expansion of the panel material.
  • the optical system 100, 200 reacts completely analogously to diffraction on vertically oriented structures by reducing the separately supplied heating power in the lateral areas while maintaining the heating power at the top and bottom.
  • diffraction distribution is generated at the reticle 7.
  • the focal points in the diffraction light can be relatively reliably deduced from the use of x or y dipole structures, because the illumination is carefully adapted to the current reticle structures (Source Mask Optimization, SMO). .
  • temperature sensors 334 may be integrated into bezel 302 for such situations.
  • the heating structure 328 can also be used as a temperature sensor on the basis of its temperature-dependent resistance. This can be implemented with the help of bridge circuits, for example.
  • bridge circuits for example.
  • photo elements 336 can be arranged on the diaphragm 302 itself, which directly measure the intensity of the incident illumination radiation 16.
  • the measurement signal can be read out wirelessly in order to avoid many structures in the beam path 114, 218, or the signal line is via at least one of the mounts 306, 308, 310, 312. If the photo element 336 requires an energy supply, this can take place inductively without contact, by irradiation with light onto a photovoltaic structure or preferably in turn via at least one of the holders 306 , 308 , 310 , 312 .
  • the measurement results allow conclusions to be drawn about the useful light power absorbed locally in the pupil area and thus also about its local distribution. Such information can also be used to to realize the most precise control or regulation of the locally variable heating power on the panel 302. If the diaphragm 302 is close to the field or intermediate, corresponding information from optical elements that are comparable in the beam path is useful. If the screen 302 is designed as a manipulator, it can preferably be integrated into the general correction process. In a first step, sensitivities are determined. This is preferably done using optical simulations, which calculate a temperature change based on the power consumed and the thermal connection.
  • a change in shape is calculated, from this an effect in the exit pupil AP, AP1 and/or a field intensity curve and from this, in turn, structure- and illumination-dependent structure size changes, if any.
  • information on the current structure size deviation from a target value can now be obtained. This can be done by promptly measuring a semiconductor structure that has just been manufactured.
  • wavefront measurements can be used to determine structure size effects that need to be compensated based on sensitivities determined for this purpose, for example based on a Zernike description.
  • FIG. 8 shows a schematic block diagram of an embodiment of a method for operating the optical system 100, 200.
  • the diaphragm 110, 112, 212, 224, 302 is provided in a step S100.
  • the diaphragm 110, 112, 212, 224, 302 is arranged at least in sections in the respective beam path 114, 218 of the optical system 100, 200, so that the beam path 114, 218 from the diaphragm 110, 112, 212, 224, 302 is shaded at least in sections.
  • heat Q is introduced into the panel 110, 112, 212, 224, 302 with the aid of the heating device 324, for example with the aid of the radiant heater 326 and/or the heating structure 328.
  • the panel 110, 112, 212, 224, 302 is deformed by the introduction of the heat Q from the initial geometry Z1 to the design geometry Z2.
  • step S200 The deformation occurs due to a heat-related expansion of the panel 110, 112, 212, 224, 302.
  • different amounts of heat Q can be introduced into different areas 330, 332 of the panel 110, 112, 212, 224, 302 .
  • a predetermined heating output ratio of the different areas 330, 332 can be set.
  • step S200 based on measurement signals from the temperature sensor 334, the photo element 336 and/or the infrared camera 338 and/or information relating to a temperature distribution of other optical elements, in particular mirrors 124, M1 to M6, which are at a comparable Po - the position in which the aperture 110, 112, 212, 224, 302 is arranged in the beam path 114, 218, a local aperture temperature distribution of the aperture 110, 112, 212, 224, 302 is determined and the heating device 324 is controlled in such a way, that a desired desired diaphragm temperature distribution of the diaphragm 110, 112, 212, 224, 302 is achieved.
  • a control and/or regulation can be implemented which, even with changing absorption of illumination radiation 16 during operation of the optical system 100, 200, keeps a diaphragm temperature of the diaphragm 110, 112, 212, 224, 302 in a temperature range of 10K, preferably 5K, more preferably 2K.
  • the control and regulation device 340 can be used for this purpose.
  • a "temperature corridor” is to be understood as meaning a tolerance zone or a tolerance range in which the panel temperature is maintained.
  • step S200 the diaphragm temperature as a structure size manipulator can be integrated into an optimization method of the optical system 100, 200 using predetermined sensitivities and adjusted as a function of time to reduce a currently manufactured structure size from a target value.
  • the present invention has been described using exemplary embodiments, it can be modified in many ways.

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Abstract

Ein optisches System (100, 200) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), aufweisend eine Blende (110, 112, 212, 224, 302), insbesondere eine Obskurationsblende (112, 302), eine Blende für die numerische Apertur (110, 212) oder eine Falschlichtblende (224), die zumindest abschnittsweise in einem Strahlengang (114, 218) des optischen Systems (100, 200) angeordnet ist, um den Strahlengang (114, 218) zumindest abschnittsweise abzuschatten, eine Heizeinrichtung (324) zum Einbringen von Wärme (Q) in die Blende (110, 112, 212, 224, 302), wobei die Blende (110, 112, 212, 224, 302) mit Hilfe des Einbringens der Wärme (Q) von einer Ausgangsgeometrie (Z1) in eine Designgeometrie (Z2) verformbar ist, und einen Temperatursensor (334), ein Photoelement (336) und/oder eine Infrarotkamera (338), wobei eine Steuer- und Regeleinrichtung (340) des optischen Systems (100, 200) dazu eingerichtet ist, basierend auf Messignalen des Temperatursensors (334), des Photoelements (336) und/oder der Infrarotkamera (338) und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer optischer Elemente (124, M1 – M6), die an vergleichbarer Position wie die Blende (110, 112, 212, 224, 302) in dem Strahlengang (114, 218) angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) zu bestimmen und die Heizeinrichtung (324) derart anzusteuern, dass eine Soll-Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) erzielbar ist.

Description

OPTISCHES SYSTEM, PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE UND VERFAHREN Die vorliegende Erfindung betrifft ein optisches System für eine Projektionsbe- lichtungsanlage, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen opti- schen System und ein Verfahren zum Betreiben eines derartigen optischen Sys- tems. Der Inhalt der Prioritätsanmeldung DE 102021212971.4 wird durch Bezug- nahme vollumfänglich miteinbezogen. Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Be- leuchtungssystem und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Sub- strat, beispielsweise einen Siliziumwafer, projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen. Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstel- lung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwi- ckelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, ins- besondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellen- länge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von - wie bisher - bre- chenden Optiken, das heißt, Linsen, eingesetzt werden. Ferner kann ein wie zuvor erwähntes Projektionssystem neben den Spiegeln auch Blenden umfassen, die einen Strahlengang des Projektionssystems zumin- dest abschnittsweise abschatten können. Diese Blenden dienen in der Form von Apertur- sowie Obskurationsblenden der Formung einer Austrittspupille und als Falschlichtblenden dem Entfernen unerwünschten Lichts aus dem Bild oder von Orten, an denen es zu störender Erwärmung führen kann. Die Geometrie der Blenden hat einen erheblichen Einfluss auf die Abbildungsqualität. Ein wie zuvor erläutertes Beleuchtungssystem arbeitet oftmals mit facettierten Spiegeln oder anderen Komponenten, die eine Pupillenfacettierung bewirken, wie etwa Mischstäbe oder Wabenkondensatoren. Die resultierende diskontinu- ierliche Lichtverteilung in der Austrittspupille führt zu einer hohen Sensitivität auf den Pupillenbeschnitt durch die jeweilige Blende, weil die Energie im Win- kelraum stärker lokalisiert ist und es einen Unterschied ergibt, ob beispielsweise ein EUV-"Stern" (Engl.: Illumination Spot) abgeschnitten wird oder durchgelas- sen und ob das Licht entsprechend interferierend zur Abbildung beiträgt. Die Blenden werden üblicherweise als dünne Metallteile, insbesondere als Ble- che, mit definierter Form gefertigt. Weil die Formgenauigkeit wichtig ist, kosten sie deutlich mehr, als der Materialeinsatz vermuten lässt. Fangen die Blenden nun aufgabengemäß Licht ab, so werden sie wenigstens einen Teil davon absor- bieren und sich dadurch erwärmen. Während Aperturblenden und Falschlichtblenden zumeist am Rand des opti- schen Strahlenganges stehen und folglich über Material großen Querschnitts thermal an die Außenwelt angebunden werden können, ist die Situation für eine mitten in dem Strahlengang stehende Obskurationsblende schwieriger. Eine derartige Obskurationsblende kann mit Hilfe von schneidenförmigen Hal- terungen oder Drähten in Position gehalten werden. Diese Halterung, beispiels- weise in Form der zuvor erwähnten Drähte blockiert Nutzlicht und wird deshalb so dünn wie möglich ausgeführt. Weil die Wärmeleitung zum Materialquer- schnitt proportional ist, wirkt die Kühlung der Obskurationsblende über diese Anbindung schwach. Speziell im Vakuum ist auch die Gaskühlung gering. Die Strahlungskühlung trägt gemäß dem Stefan-Boltzmann-Gesetz erst bei höheren Temperaturen zur Wärmeabfuhr bei. Wird beispielsweise davon ausgegangen, dass eine Größen- ordnung von etwa 1 W absorbierte Leistung auftreten kann, so kann sich die Obskurationsblende im statischen Zustand durchaus um mehrere 10 K erwär- men. Metallische Wärmeausdehnungskoeffizienten liegen in einer Größenordnung von relativ 1E-5/K. Die Ausdehnung einer Obskurationsblende liegt in der Größen- ordnung von 10 mm. Somit sind Formänderungen in der Größenordnung von Mikrometern oder umgerechnet auf Pupillenkoordinaten in der Größenordnung von 0,01 mσ bis 0,1 mσ (1 σ = volle Pupille) zu erwarten. Aufgrund der oben geschilderten diskontinuierlichen Lichtverteilung in der Aus- trittspupille kann bereits ein solch scheinbar kleiner Wert spürbar die Abbil- dung beeinflussen und in einem Beispielfall bei Strukturbreiten in der Größen- ordnung von 10 nm eine Strukturgrößenänderung in der Größenordnung von 5 pm bewirken. Wird davon ausgegangen, dass die Strukturgrößen und damit de- ren Toleranzen perspektivisch sinken, während gleichzeitig die Bestrahlleistun- gen steigen, so erwächst hier ein merklicher Budgetbeitrag. Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein verbessertes optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage bereit- zustellen. Demgemäß wird ein optisches System für eine Projektionsbelichtungsanlage vorgeschlagen. Das optische System umfasst eine Blende, insbesondere eine Obskurationsblende, eine Blende für die numerische Apertur oder eine Falsch- lichtblende, die zumindest abschnittsweise in einem Strahlengang des optischen Systems angeordnet ist, um den Strahlengang zumindest abschnittsweise abzu- schatten, und eine Heizeinrichtung zum Einbringen von Wärme in die Blende, wobei die Blende mit Hilfe des Einbringens der Wärme von einer Ausgangsgeo- metrie in eine Designgeometrie verformbar ist. Das optische System umfasst ferner einen Temperatursensor, ein Photoelement und/oder eine Infrarotkamera, wobei eine Steuer- und Regeleinrichtung des optischen Systems dazu eingerich- tet ist, basierend auf Messignalen des Temperatursensors, des Photoelements und/oder der Infrarotkamera und/oder auf Informationen betreffend eine Tempe- raturverteilung weiterer optischer Elemente, die an vergleichbarer Position wie die Blende in dem Strahlengang angeordnet sind, eine lokale Blendentempera- turverteilung der Blende zu bestimmen und die Heizeinrichtung derart anzu- steuern, dass eine Soll-Blendentemperaturverteilung der Blende erzielbar ist. Dadurch, dass die Heizeinrichtung vorgesehen ist, ist es möglich, Wechsel in der absorbierten Nutzleistung und damit Temperaturschwankungen auszugleichen. Strukturgrößenvariationen sowie Telezentriefehler aufgrund schwankender Blendengeometrie können hierdurch im Wesentlichen eliminiert werden. Hie- raus resultiert ein stabiles Abbildungsverhalten. Ferner ist es vorteilhafterweise auch möglich, mit Hilfe des gezielten Eintrags der Wärme in die Blende gezielt Einfluss auf Strukturgrößen oder -lagen zu nehmen, indem eine Temperatur der Blende als Manipulator genutzt wird und mit Hilfe der Heizeinrichtung die De- signgeometrie der Blende an eine gegebene Abbildungssituation angepasst wird. Das optische System ist vorzugsweise eine Projektionsoptik der Projektionsbe- lichtungsanlage. Demgemäß kann das optische System auch als Projektionsoptik bezeichnet werden. Das optische System kann mehrere optische Elemente, bei- spielsweise Spiegel, insbesondere EUV-Spiegel, umfassen. Beleuchtungsstrah- lung oder Arbeitslicht folgt dem Strahlengang des optischen Systems durch das optische System. Dabei wird die Beleuchtungsstrahlung oder das Arbeitslicht an den optischen Elementen reflektiert. Die Blende absorbiert die Beleuchtungs- strahlung teilweise. Dabei wird Wärme in die Blende eingebracht. Die Blende für die numerische Apertur kann auch als numerische Aperturblende bezeichnet werden. Das heißt insbesondere, dass die Begriffe "numerische Aperturblende" und "Blende für die numerische Apertur" beliebig gegeneinander getauscht wer- den können. Mit Hilfe der Blende ist es möglich, den Strahlengang zumindest teilweise abzu- schatten, um diesen dabei zu formen. Die Blende deckt den Strahlengang teil- weise ab, so dass die Beleuchtungsstrahlung auf die Blende trifft. Dass die Blen- de "zumindest abschnittsweise" in dem Strahlengang angeordnet ist, bedeutet vorliegend insbesondere, dass die Blende in den Strahlengang hineinragt. Dabei kann die Blende seitlich in den Strahlengang hineinragen und diesen seitlich beschneiden. Die Blende kann jedoch auch vollständig in dem Strahlengang an- geordnet sein. Die Blende kann eine Blende für die numerische Apertur, eine Obskurationsblende oder eine Falschlichtblende sein. Die Blende umfasst eine lichtbestimmende Kante. Die lichtbestimmende Kante kann geschlossen oder umlaufend sein. Die lichtbestimmende Kante kann jedoch auch offen sein. Die Blende ist in der Ausgangsgeometrie dabei derart geformt, dass die Blende bei einer maximal absorbierten Leistung unter Berücksichtigung der dabei auf- tretenden Wärmeausdehnung die Designgeometrie annimmt. Die Heizeinrich- tung ist dazu geeignet, die Wärme in die Blende einzubringen. Hierzu kann die Heizeinrichtung beispielsweise mit Hilfe von elektromagnetischer Strahlung, insbesondere von Infrarotstrahlung, die Blende erwärmen. Alternativ oder zu- sätzlich ist auch eine Widerstandsheizung möglich. Durch das Einbringen der Wärme verformt sich die Blende wärmebedingt. Ins- besondere dehnt sich die Blende wärmebedingt aus. Die Blende ist hierzu vor- zugsweise aus einem metallischen Werkstoff gefertigt. Unter der "Ausgangsgeo- metrie" oder "Ausgangsform" ist vorliegend eine Geometrie oder Form zu verste- hen, die die Blende, insbesondere die lichtbestimmende Kante der Blende, auf- weist, bevor Wärme in die Blende eingebracht wird. Unter der "Designgeomet- rie" oder "Designform" ist vorliegend eine Geometrie oder eine Form der Blende, insbesondere der lichtbestimmenden Kante der Blende, zu verstehen, die für ein stabiles und reproduzierbares Abbildungsverhalten erforderlich ist. Die Blende ist vorzugsweise plattenförmig oder blechförmig. Vorzugsweise ist die Blende aus einem metallischen Werkstoff gefertigt, der sich wärmebedingt aus- dehnen kann. Beispielsweise kann die Blende aus einem Stahlblech oder Alumi- niumblech gefertigt sein. Die Blende kann durchgehend aus demselben Material gefertigt sein. Alternativ ist es auch möglich, die Blende schichtweise aus meh- reren Elementen aufzubauen, die aus unterschiedlichen metallischen Werkstof- fen gefertigt sind. Hierdurch kann die Blende als Bimetallelement oder Bime- tallblende verwirklicht werden. Hierdurch ist es möglich, einen vergrößerten Ak- tuierungsbereich der Blende zu verwirklichen. Gemäß einer Ausführungsform weist die Heizeinrichtung einen Heizstrahler zum Bestrahlen der Blende mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit Infrarotstrahlung, auf. Beispielsweise kann die elektromagnetische Strahlung auf eine Vorderseite der Blende einfallen. Die Vorderseite ist dazu eingerichtet, die elektromagnetische Strahlung, insbesondere die Infrarotstrahlung, zu absorbieren. Alternativ kann die elektromagnetische Strahlung auch auf eine der Vorderseite abgewandte Rückseite der Blende einfallen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Heizeinrichtung eine an der Blende angebrachte Heizstruktur auf. Die Heizstruktur ist insbesondere ein elektrischer Widerstand. Die Heizstruktur ist somit zum elektrischen Widerstandsheizen der Blende geeignet. Die Heizein- richtung kann nur den Heizstrahler, nur die Heizstruktur oder aber den Heiz- strahler und die Heizstruktur umfassen. Die Heizstruktur kann beispielsweise direkt in die Blende eingearbeitet sein. Die Heizstruktur ist vorzugsweise mit Hilfe eines geeigneten Isolators gegenüber der restlichen Blende isoliert. Gemäß einer weiteren Ausführungsform erfolgt eine Stromversorgung der Heiz- struktur über Halterungen der Blende. Für den Fall, dass die Blende eine Obskurationsblende ist, weist diese mehrere drahtförmige oder schneidenförmige Halterungen auf, welche durch den Strah- lengang verlaufen und welche für eine möglichst geringe Abschattung des Strah- lengangs möglichst schmal sind. Über diese Halterungen kann die Heizstruktur bestromt werden. Hierdurch kann auf eine zusätzliche elektrische Anbindung der Heizstruktur vorteilhafterweise verzichtet werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Heizeinrichtung dazu eingerich- tet, in unterschiedliche Bereiche der Blende unterschiedlich viel Wärme einzu- bringen. Beispielsweise ist die Heizstruktur lediglich einem der Bereiche zugeordnet. Dies ermöglicht es beispielsweise, denjenigen Bereich, dem die Heizstruktur zu- geordnet ist, stärker zu erwärmen als einen anderen Bereich ohne Heizstruktur. Der andere Bereich kann jedoch beispielsweise über den Heizstrahler erwärmt werden. Durch das ungleiche Erwärmen der unterschiedlichen Bereiche kann die Verformung der Blende gezielt angesteuert werden. Die Blende kann somit beliebig manipuliert werden. Das optische System umfasst ferner einen Temperatursensor, ein Fotoelement und/oder eine Infrarotkamera auf, wobei eine Steuer- und Regeleinrichtung des optischen Systems dazu eingerichtet ist, basierend auf Messsignalen des Tempe- ratursensors, des Fotoelements und/oder der Infrarotkamera und/oder auf In- formationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer optischer Elemente, die an vergleichbarer Position wie die Blende in dem Strahlengang angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende zu bestimmen und die Heizeinrichtung derart anzusteuern, dass eine Soll- Blendentemperaturverteilung der Blende erzielbar ist. Vorzugsweise sind der Temperatursensor und/oder das Fotoelement direkt an der Blende angebracht. Es kann eine beliebige Anzahl an Temperatursensoren oder Fotoelementen vorgesehen sein. Die Infrarotkamera ist insbesondere derart angeordnet, dass diese beispielsweise die Vorderseite der Blende erfassen kann, um dort beispielsweise die lokale Blendentemperaturverteilung der Blende zu bestimmen. Die "Soll-Blendentemperaturverteilung" ist vorliegend beispielswei- se diejenige Blendentemperaturverteilung, bei der die Designgeometrie ange- nommen wird. Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die Messsignale des Temperatur- sensors und/oder des Fotoelements über Halterungen der Blende übertragbar, und/oder die Messsignale des Temperatursensors und/oder des Fotoelements sind drahtlos übertragbar. Mit Hilfe des Übertragens der Messsignale über die zuvor schon erläuterten Halterungen kann auf eine zusätzliche Verdrahtung oder Verkabelung des Tem- peratursensors und/oder des Fotoelements verzichtet werden. Dies trifft auch für die drahtlose Übertragung zu. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Blende eine lichtabsorbieren- de Beschichtung auf. Die lichtabsorbierende Beschichtung kann beispielsweise eine mattschwarze La- ckierung oder dergleichen sein. Die Blende kann auch eine gezielte Oberflächen- rauigkeit oder Oberflächenstrukturierung aufweisen. Insbesondere ist die Be- schichtung dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung, bevorzugt Infrarot- strahlung, zu absorbieren, um Wärme in die Blende einzubringen. Ferner wird eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System vorgeschlagen. Wie zuvor erwähnt, kann das optische System eine Projektionsoptik der Projek- tionsbelichtungsanlage sein. Die Projektionsbelichtungsanlage kann eine EUV- Lithographieanlage sein. EUV steht für "Extreme Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 0,1 nm und 30 nm. Die Projektions- belichtungsanlage kann auch eine DUV-Lithographieanlage sein. DUV steht für "Deep Ultraviolet" und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts zwischen 30 nm und 250 nm. Weiterhin wird ein Verfahren zum Betreiben eines derartigen optischen Systems für eine Projektionsbelichtungsanlage vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst die Schritte: a) Bereitstellen einer Blende, insbesondere einer Obskurationsblende, einer Blende für die numerische Apertur oder einer Falschlichtblende, die zu- mindest abschnittsweise in einem Strahlengang des optischen Systems angeord- net ist, so dass der Strahlengang von der Blende zumindest abschnittsweise ab- geschattet wird, b) Einbringen von Wärme in die Blende mit Hilfe einer Heizein- richtung, und c) Verformen der Blende mit Hilfe der Wärme von einer Aus- gangsgeometrie in eine Designgeometrie. Dabei wird in dem Schritt b) basierend auf Messsignalen eines Temperatursensors, eines Fotoelements und/oder einer Infrarotkamera und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturvertei- lung weiterer optischer Elemente, die an vergleichbarer Position wie die Blende in dem Strahlengang angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende bestimmt und die Heizeinrichtung derart angesteuert, dass eine Soll- Blendentemperaturverteilung der Blende erzielt wird. Insbesondere wird auch dadurch Wärme in die Blende eingebracht, dass diese zumindest abschnittsweise in dem Strahlengang angeordnet ist. Die Beleuch- tungsstrahlung oder das Arbeitslicht fällt dann auf die Blende und erwärmt die- se zumindest abschnittsweise. Mit Hilfe der Heizeinrichtung wird dann noch zu- sätzliche Wärme in die Blende eingebracht. Das Verformen der Blende in dem Schritt c) erfolgt dadurch, dass sich die Blende wärmebedingt ausdehnt und dadurch verformt. Das Bereitstellen der Blende kann ein Anordnen der Blende in dem Strahlengang umfassen. Gemäß einer Ausführungsform wird in dem Schritt b) in unterschiedliche Berei- che der Blende unterschiedlich viel Wärme eingebracht. Hierdurch besteht die Möglichkeit, die Blende lokal variabel zu heizen. Hier- durch kann die Blende beliebig manipuliert werden. Es können beliebig viele unterschiedliche oder sich voneinander unterscheidende Bereiche vorgesehen sein. Die Bereiche können sich zumindest abschnittsweise überschneiden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) ein vorbestimm- tes Heizleistungsverhältnis der unterschiedlichen Bereiche eingestellt. Dies ermöglicht ein gezieltes und reproduzierbares Heizen der unterschiedlichen Bereiche. Unter dem "Heizleistungsverhältnis" ist vorliegend ein Verhältnis un- terschiedlicher Heizleistungen zu verstehen, mit denen die sich voneinander un- terscheidenden Bereiche geheizt werden. In dem Schritt b) wird basierend auf Messsignalen eines Temperatursensors, eines Fotoelements und/oder einer Infrarotkamera und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer optischer Elemente, die an ver- gleichbarer Position wie die Blende in dem Strahlengang angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende bestimmt und die Heizeinrich- tung derart angesteuert, dass eine Soll-Blendentemperaturverteilung der Blende erzielt wird. Hierdurch ist es basierend auf den Messsignalen und/oder den Informationen möglich, die Blende derart zu erwärmen, dass diese in dem Schritt c) ihre De- signgeometrie annimmt. Wenn die Soll-Blendentemperaturverteilung erreicht ist, hat die Blende ihre Designgeometrie oder Designform angenommen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) mit Hilfe des Einbringens der Wärme eine Steuerung und/oder Regelung implementiert, die auch bei wechselnder Absorption von Beleuchtungsstrahlung im Betrieb des op- tischen Systems eine Blendentemperatur der Blende in einem Temperaturkorri- dor von 10 K, bevorzugt von 5 K, weiter bevorzugt von 2 K, hält. Unter einem "Temperaturkorridor" ist vorliegend ein Toleranzbereich oder ein Toleranzfeld zu verstehen, in dem die Blendentemperatur der Blende gehalten wird. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird in dem Schritt b) die Blendentem- peratur als Strukturgrößenmanipulator anhand vorherbestimmter Sensitivitä- ten in ein Optimierverfahren des optischen Systems eingebunden und zur Ver- ringerung der Abweichung einer aktuell gefertigten Strukturgröße von einem Sollwert zeitabhängig angepasst. Es ist somit mit Hilfe der Veränderung der Blendentemperatur möglich, Struk- turgrößen, die auf einem zu belichtenden Wafer verwirklicht werden, gezielt zu beeinflussen. "Ein" ist vorliegend nicht zwingend als beschränkend auf genau ein Element zu verstehen. Vielmehr können auch mehrere Elemente, wie beispielsweise zwei, drei oder mehr, vorgesehen sein. Auch jedes andere hier verwendete Zählwort ist nicht dahingehend zu verstehen, dass eine Beschränkung auf genau die genann- te Anzahl von Elementen gegeben ist. Vielmehr sind zahlenmäßige Abweichun- gen nach oben und nach unten möglich, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Die für das optische System beschriebenen Ausführungsformen und Merkmale gelten für die vorgeschlagene Projektionsbelichtungsanlage und das vorgeschla- gene Verfahren entsprechend und umgekehrt. Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht expli- zit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausfüh- rungsbeispiele beschriebenen Merkmalen oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen- stand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungs- beispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzug- ten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert. Fig.1 zeigt einen schematischen Meridionalschnitt einer Projektionsbelich- tungsanlage für die EUV-Projektionslithographie; Fig.2 zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines optischen Systems für die Projektionsbelichtungsanlage gemäß Fig.1; Fig.3 zeigt eine schematische Ansicht einer Austrittspupille für das optische System gemäß Fig.2; Fig.4 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems für die Projektionsbelichtungsanlage gemäß Fig.1; Fig.5 zeigt eine schematische Ansicht einer Austrittspupille für das optische System gemäß Fig.4; Fig.6 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Blendenan- ordnung für das optische System gemäß Fig.2 oder Fig.4; Fig 7. zeigt eine schematische Schnittansicht der Blendenanordnung gemäß der Schnittline VII-VII der Fig.6; und Fig.8 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Ver- fahrens zum Betreiben des optischen Systems gemäß Fig.2 oder Fig.4. In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Be- zugszeichen versehen worden, soweit nichts Gegenteiliges angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendi- gerweise maßstabsgerecht sind. Fig.1 zeigt eine Ausführungsform einer Projektionsbelichtungsanlage 1 (Litho- graphieanlage), insbesondere einer EUV-Lithographieanlage. Eine Ausführung eines Beleuchtungssystems 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben ei- ner Licht- beziehungsweise Strahlungsquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Be- leuchtung eines Objektfeldes 5 in einer Objektebene 6. Bei einer alternativen Ausführung kann die Lichtquelle 3 auch als ein zum sonstigen Beleuchtungssys- tem 2 separates Modul bereitgestellt sein. In diesem Fall umfasst das Beleuch- tungssystem 2 die Lichtquelle 3 nicht. Belichtet wird ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7. Das Retikel 7 ist von einem Retikelhalter 8 gehalten. Der Retikelhalter 8 ist über einen Retikelverla- gerungsantrieb 9, insbesondere in einer Scanrichtung, verlagerbar. In der Fig.1 ist zur Erläuterung ein kartesisches Koordinatensystem mit einer x-Richtung x, einer y-Richtung y und einer z-Richtung z eingezeichnet. Die x- Richtung x verläuft senkrecht in die Zeichenebene hinein. Die y-Richtung y ver- läuft horizontal und die z-Richtung z verläuft vertikal. Die Scanrichtung verläuft in der Fig.1 längs der y-Richtung y. Die z-Richtung z verläuft senkrecht zur Ob- jektebene 6. Die Projektionsbelichtungsanlage 1 umfasst eine Projektionsoptik 10. Die Pro- jektionsoptik 10 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 11 in ei- ner Bildebene 12. Die Bildebene 12 verläuft parallel zur Objektebene 6. Alterna- tiv ist auch ein von 0° verschiedener Winkel zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 12 möglich. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 11 in der Bildebene 12 angeordneten Wafers 13. Der Wafer 13 wird von einem Waferhalter 14 gehalten. Der Waferhalter 14 ist über einen Waferverlagerungsantrieb 15 insbesondere längs der y-Richtung y verlagerbar. Die Verlagerung einerseits des Retikels 7 über den Retikelverlagerungsantrieb 9 und andererseits des Wafers 13 über den Wafer- verlagerungsantrieb 15 kann synchronisiert zueinander erfolgen. Bei der Lichtquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle. Die Licht- quelle 3 emittiert insbesondere EUV-Strahlung 16, welche im Folgenden auch als Nutzstrahlung, Beleuchtungsstrahlung oder Beleuchtungslicht bezeichnet wird. Die Nutzstrahlung 16 hat insbesondere eine Wellenlänge im Bereich zwi- schen 5 nm und 30 nm. Bei der Lichtquelle 3 kann es sich um eine Plasmaquelle handeln, zum Beispiel um eine LPP-Quelle (Engl.: Laser Produced Plasma, mit Hilfe eines Lasers erzeugtes Plasma) oder um eine DPP-Quelle (Engl.: Gas Discharged Produced Plasma, mittels Gasentladung erzeugtes Plasma). Es kann sich auch um eine synchrotronbasierte Strahlungsquelle handeln. Bei der Licht- quelle 3 kann es sich um einen Freie-Elektronen-Laser (Engl.: Free-Electron- Laser, FEL) handeln. Die Beleuchtungsstrahlung 16, die von der Lichtquelle 3 ausgeht, wird von ei- nem Kollektor 17 gebündelt. Bei dem Kollektor 17 kann es sich um einen Kollek- tor mit einer oder mit mehreren ellipsoidalen und/oder hyperboloiden Reflexions- flächen handeln. Die mindestens eine Reflexionsfläche des Kollektors 17 kann im streifenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence, GI), also mit Einfallswinkeln größer als 45°, oder im normalen Einfall (Normal Incidence, NI), also mit Ein- fallwinkeln kleiner als 45°, mit der Beleuchtungsstrahlung 16 beaufschlagt wer- den. Der Kollektor 17 kann einerseits zur Optimierung seiner Reflektivität für die Nutzstrahlung und andererseits zur Unterdrückung von Falschlicht struktu- riert und/oder beschichtet sein. Nach dem Kollektor 17 propagiert die Beleuchtungsstrahlung 16 durch einen Zwischenfokus in einer Zwischenfokusebene 18. Die Zwischenfokusebene 18 kann eine Trennung zwischen einem Strahlungsquellenmodul, aufweisend die Lichtquelle 3 und den Kollektor 17, und der Beleuchtungsoptik 4 darstellen. Die Beleuchtungsoptik 4 umfasst einen Umlenkspiegel 19 und diesem im Strah- lengang nachgeordnet einen ersten Facettenspiegel 20. Bei dem Umlenkspiegel 19 kann es sich um einen planen Umlenkspiegel oder alternativ um einen Spie- gel mit einer über die reine Umlenkungswirkung hinaus bündelbeeinflussenden Wirkung handeln. Alternativ oder zusätzlich kann der Umlenkspiegel 19 als Spektralfilter ausgeführt sein, der eine Nutzlichtwellenlänge der Beleuchtungs- strahlung 16 von Falschlicht einer hiervon abweichenden Wellenlänge trennt. Sofern der erste Facettenspiegel 20 in einer Ebene der Beleuchtungsoptik 4 an- geordnet ist, die zur Objektebene 6 als Feldebene optisch konjugiert ist, wird dieser auch als Feldfacettenspiegel bezeichnet. Der erste Facettenspiegel 20 um- fasst eine Vielzahl von einzelnen ersten Facetten 21, welche im auch als Feldfa- cetten bezeichnet werden können. Von diesen ersten Facetten 21 sind in der Fig. 1 nur beispielhaft einige dargestellt. Die ersten Facetten 21 können als makroskopische Facetten ausgeführt sein, insbesondere als rechteckige Facetten oder als Facetten mit bogenförmiger oder teilkreisförmiger Randkontur. Die ersten Facetten 21 können als plane Facetten oder alternativ als konvex oder konkav gekrümmte Facetten ausgeführt sein. Wie beispielsweise aus der DE 102008009600 A1 bekannt ist, können die ers- ten Facetten 21 selbst jeweils auch aus einer Vielzahl von Einzelspiegeln, insbe- sondere einer Vielzahl von Mikrospiegeln, zusammengesetzt sein. Der erste Fa- cettenspiegel 20 kann insbesondere als mikroelektromechanisches System ĨMEMS-System) ausgebildet sein. Für Details wird auf die DE 102008009600 A1 verwiesen. Zwischen dem Kollektor 17 und dem Umlenkspiegel 19 verläuft die Beleuch- tungsstrahlung 16 horizontal, also längs der y-Richtung y. Im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 ist dem ersten Facettenspiegel 20 nachgeordnet ein zweiter Facettenspiegel 22. Sofern der zweite Facettenspiegel 22 in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet ist, wird dieser auch als Pupillenfacettenspiegel bezeichnet. Der zweite Facettenspiegel 22 kann auch beabstandet zu einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet sein. In diesem Fall wird die Kombination aus dem ersten Facettenspiegel 20 und dem zweiten Facettenspiegel 22 auch als spekularer Reflektor bezeichnet. Spekulare Reflektoren sind bekannt aus der US 2006/0132747 A1, der EP 1614 008 B1 und der US 6,573,978. Der zweite Facettenspiegel 22 umfasst eine Mehrzahl von zweiten Facetten 23. Die zweiten Facetten 23 werden im Falle eines Pupillenfacettenspiegels auch als Pupillenfacetten bezeichnet. Bei den zweiten Facetten 23 kann es sich ebenfalls um makroskopische Facet- ten, die beispielsweise rund, rechteckig oder auch hexagonal berandet sein kön- nen, oder alternativ um aus Mikrospiegeln zusammengesetzte Facetten handeln. Diesbezüglich wird ebenfalls auf die DE 102008009600 A1 verwiesen. Die zweiten Facetten 23 können plane oder alternativ konvex oder konkav ge- krümmte Reflexionsflächen aufweisen. Die Beleuchtungsoptik 4 bildet somit ein doppelt facettiertes System. Dieses grundlegende Prinzip wird auch als Wabenkondensor (Engl.: Fly‘s Eye Integra- tor) bezeichnet. Es kann vorteilhaft sein, den zweiten Facettenspiegel 22 nicht exakt in einer Ebene, welche zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 optisch konjugiert ist, anzuordnen. Insbesondere kann der zweite Facettenspiegel 22 gegenüber einer Pupillenebene der Projektionsoptik 10 verkippt angeordnet sein, wie es zum Beispiel in der DE 102017220586 A1 beschrieben ist. Mit Hilfe des zweiten Facettenspiegels 22 werden die einzelnen ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 abgebildet. Der zweite Facettenspiegel 22 ist der letzte bündelformende oder auch tatsächlich der letzte Spiegel für die Beleuchtungs- strahlung 16 im Strahlengang vor dem Objektfeld 5. Bei einer weiteren, nicht dargestellten Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann im Strahlengang zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Ob- jektfeld 5 eine Übertragungsoptik angeordnet sein, die insbesondere zur Abbil- dung der ersten Facetten 21 in das Objektfeld 5 beiträgt. Die Übertragungsoptik kann genau einen Spiegel, alternativ aber auch zwei oder mehr Spiegel aufwei- sen, welche hintereinander im Strahlengang der Beleuchtungsoptik 4 angeord- net sind. Die Übertragungsoptik kann insbesondere einen oder zwei Spiegel für senkrechten Einfall (NI-Spiegel, Normal Incidence Spiegel) und/oder einen oder zwei Spiegel für streifenden Einfall (GI-Spiegel, Gracing Incidence Spiegel) um- fassen. Die Beleuchtungsoptik 4 hat bei der Ausführung, die in der Fig.1 gezeigt ist, nach dem Kollektor 17 genau drei Spiegel, nämlich den Umlenkspiegel 19, den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22. Bei einer weiteren Ausführung der Beleuchtungsoptik 4 kann der Umlenkspiegel 19 auch entfallen, so dass die Beleuchtungsoptik 4 nach dem Kollektor 17 dann genau zwei Spiegel aufweisen kann, nämlich den ersten Facettenspiegel 20 und den zweiten Facettenspiegel 22. Die Abbildung der ersten Facetten 21 mittels der zweiten Facetten 23 bezie- hungsweise mit den zweiten Facetten 23 und einer Übertragungsoptik in die Ob- jektebene 6 ist regelmäßig nur eine näherungsweise Abbildung. Die Projektionsoptik 10 umfasst eine Mehrzahl von Spiegeln Mi, welche gemäß ihrer Anordnung im Strahlengang der Projektionsbelichtungsanlage 1 durch- nummeriert sind. Bei dem in der Fig.1 dargestellten Beispiel umfasst die Projektionsoptik 10 sechs Spiegel M1 bis M6. Alternativen mit vier, acht, zehn, zwölf oder einer an- deren Anzahl an Spiegeln Mi sind ebenso möglich. Bei der Projektionsoptik 10 handelt es sich um eine doppelt obskurierte Optik. Der vorletzte Spiegel M5 und der letzte Spiegel M6 haben jeweils eine Durchtrittsöffnung für die Beleuch- tungsstrahlung 16. Die Projektionsoptik 10 hat eine bildseitige numerische Apertur, die größer ist als 0,5 und die auch größer sein kann als 0,6 und die bei- spielsweise 0,7 oder 0,75 betragen kann. Reflexionsflächen der Spiegel Mi können als Freiformflächen ohne Rotations- symmetrieachse ausgeführt sein. Alternativ können die Reflexionsflächen der Spiegel Mi als asphärische Flächen mit genau einer Rotationssymmetrieachse der Reflexionsflächenform gestaltet sein. Die Spiegel Mi können, genauso wie die Spiegel der Beleuchtungsoptik 4, hochreflektierende Beschichtungen für die Be- leuchtungsstrahlung 16 aufweisen. Diese Beschichtungen können als Multilayer- Beschichtungen, insbesondere mit alternierenden Lagen aus Molybdän und Sili- zium, gestaltet sein. Die Projektionsoptik 10 hat einen großen Objekt-Bildversatz in der y-Richtung y zwischen einer y-Koordinate eines Zentrums des Objektfeldes 5 und einer y- Koordinate des Zentrums des Bildfeldes 11. Dieser Objekt-Bild-Versatz in der y- Richtung y kann in etwa so groß sein wie ein z-Abstand zwischen der Objektebe- ne 6 und der Bildebene 12. Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere anamorphotisch ausgebildet sein. Sie weist insbesondere unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe βx, βy in x- und y- Richtung x, y auf. Die beiden Abbildungsmaßstäbe βx, βy der Projektionsoptik 10 liegen bevorzugt bei (βx, βy) = (+/- 0,25, /+- 0,125). Ein positiver Abbildungsmaß- stab β bedeutet eine Abbildung ohne Bildumkehr. Ein negatives Vorzeichen für den Abbildungsmaßstab β bedeutet eine Abbildung mit Bildumkehr. Die Projektionsoptik 10 führt somit in x-Richtung x, das heißt in Richtung senk- recht zur Scanrichtung, zu einer Verkleinerung im Verhältnis 4:1. Die Projektionsoptik 10 führt in y-Richtung y, das heißt in Scanrichtung, zu ei- ner Verkleinerung von 8:1. Andere Abbildungsmaßstäbe sind ebenso möglich. Auch vorzeichengleiche und absolut gleiche Abbildungsmaßstäbe in x- und y-Richtung x, y, zum Beispiel mit Absolutwerten von 0,125 oder von 0,25, sind möglich. Die Anzahl von Zwischenbildebenen in der x- und in der y-Richtung x, y im Strahlengang zwischen dem Objektfeld 5 und dem Bildfeld 11 kann gleich sein oder kann, je nach Ausführung der Projektionsoptik 10, unterschiedlich sein. Beispiele für Projektionsoptiken mit unterschiedlichen Anzahlen derartiger Zwi- schenbilder in x- und y-Richtung x, y sind bekannt aus der US 2018/0074303 A1. Jeweils eine der zweiten Facetten 23 ist genau einer der ersten Facetten 21 zur Ausbildung jeweils eines Beleuchtungskanals zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 zugeordnet. Es kann sich hierdurch insbesondere eine Beleuchtung nach dem Köhlerschen Prinzip ergeben. Das Fernfeld wird mit Hilfe der ersten Facetten 21 in eine Vielzahl an Objektfeldern 5 zerlegt. Die ersten Facetten 21 erzeugen eine Mehrzahl von Bildern des Zwischenfokus auf den diesen jeweils zugeordneten zweiten Facetten 23. Die ersten Facetten 21 werden jeweils von einer zugeordneten zweiten Facette 23 einander überlagernd zur Ausleuchtung des Objektfeldes 5 auf das Retikel 7 abgebildet. Die Ausleuchtung des Objektfeldes 5 ist insbesondere möglichst ho- mogen. Sie weist vorzugsweise einen Uniformitätsfehler von weniger als 2 % auf. Die Felduniformität kann über die Überlagerung unterschiedlicher Beleuch- tungskanäle erreicht werden. Durch eine Anordnung der zweiten Facetten 23 kann geometrisch die Ausleuch- tung der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 definiert werden. Durch Aus- wahl der Beleuchtungskanäle, insbesondere der Teilmenge der zweiten Facetten 23, die Licht führen, kann die Intensitätsverteilung in der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 eingestellt werden. Diese Intensitätsverteilung wird auch als Beleuchtungssetting oder Beleuchtungspupillenfüllung bezeichnet. Eine ebenfalls bevorzugte Pupillenuniformität im Bereich definiert ausgeleuch- teter Abschnitte einer Beleuchtungspupille der Beleuchtungsoptik 4 kann durch eine Umverteilung der Beleuchtungskanäle erreicht werden. Im Folgenden werden weitere Aspekte und Details der Ausleuchtung des Objekt- feldes 5 sowie insbesondere der Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 be- schrieben. Die Projektionsoptik 10 kann insbesondere eine homozentrische Eintrittspupille aufweisen. Diese kann zugänglich sein. Sie kann auch unzugänglich sein. Die Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 lässt sich regelmäßig mit dem zwei- ten Facettenspiegel 22 nicht exakt ausleuchten. Bei einer Abbildung der Projek- tionsoptik 10, welche das Zentrum des zweiten Facettenspiegels 22 telezentrisch auf den Wafer 13 abbildet, schneiden sich die Aperturstrahlen oftmals nicht in einem einzigen Punkt. Es lässt sich jedoch eine Fläche finden, in welcher der paarweise bestimmte Abstand der Aperturstrahlen minimal wird. Diese Fläche stellt die Eintrittspupille oder eine zu ihr konjugierte Fläche im Ortsraum dar. Insbesondere zeigt diese Fläche eine endliche Krümmung. Es kann sein, dass die Projektionsoptik 10 unterschiedliche Lagen der Ein- trittspupille für den tangentialen und für den sagittalen Strahlengang aufweist. In diesem Fall sollte ein abbildendes Element, insbesondere ein optisches Bau- element der Übertragungsoptik, zwischen dem zweiten Facettenspiegel 22 und dem Retikel 7 bereitgestellt werden. Mit Hilfe dieses optischen Elements kann die unterschiedliche Lage der tangentialen Eintrittspupille und der sagittalen Eintrittspupille berücksichtigt werden. Bei der in der Fig.1 dargestellten Anordnung der Komponenten der Beleuch- tungsoptik 4 ist der zweite Facettenspiegel 22 in einer zur Eintrittspupille der Projektionsoptik 10 konjugierten Fläche angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zur Objektebene 6 angeordnet. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom Umlenkspiegel 19 defi- niert ist. Der erste Facettenspiegel 20 ist verkippt zu einer Anordnungsebene angeordnet, die vom zweiten Facettenspiegel 22 definiert ist. Fig.2 zeigt eine schematische Ansicht eines optischen Systems 100. Das optische System 100 ist Teil einer wie zuvor erläuterten Projektionsbelichtungsanlage 1. Das optische System 100 kann insbesondere eine wie zuvor erläuterte Projekti- onsoptik 10 oder Teil einer derartigen Projektionsoptik 10 sein. Das optische System 100 umfasst beispielsweise eine Objektebene 102, eine Pu- pillenebene 104 und eine Feldebene 106. Es können auch noch Bild- oder Zwi- schenbildebenen vorgesehen sein. In der Objektebene 102 ist ein Objektfeld oder Nutzfeld 108 mit einer Vielzahl an Objektpunkten O vorgesehen, von denen in der Fig.2 jedoch nur einer mit einem Bezugszeichen versehen ist. Die Objekt- punkte O werden mit Hilfe der Pupillenebene 104 auf Feldpunkte F in der Feld- ebene 106 abgebildet. Nachfolgend wird jedoch auf nur einen Objektpunkt O und einen Feldpunkt F Bezug genommen. In der Objektebene 102 ist ein nicht gezeigtes Objekt positioniert. Bei dem Ob- jekt kann es sich um das Retikel 7 handeln. An oder auf dem Objekt bezie- hungsweise an oder auf dem Retikel 7 ist das Nutzfeld 108 vorgesehen. In der Feldebene 106 ist beispielsweise der zu belichtende Wafer 13 angeordnet. Grundsätzlich kann es sich bei der Feldebene 106 auch um eine Bild- oder Zwi- schenbildebene handeln. Anstelle der Objektebene 102 kann auch eine Feldebene vorgesehen sein, wobei Bilder in dieser auf die Feldebene 106 abgebildet werden. Die Pupillenebene 104 ist bevorzugt zwischen der Objektebene 102 und der Feldebene 106 vorgesehen. Somit ist die Pupillenebene 104 weder objektseitig noch bildseitig angeordnet. Grundsätzlich ist die Anzahl der Ebenen 102, 104, 106 beliebig. Das abbildende optische System 100 bildet eine Kette umfassend die Objektebene 102, die, ins- besondere erste, Pupillenebene 104, optional eine erste Zwischenbildebene oder Feldebene, optional eine zweite Pupillenebene, optional eine (n-1)-te Zwischen- bildebene oder Feldebene, optional eine n-te Pupillenebene und die Bildebene oder Feldebene 106. "Optional" bedeutet dabei, dass diese zuvor genannten Ebe- nen auch fehlen können, jedoch nur paarweise. Nämlich beispielsweise eine Zwi- schenbildebene und die nachfolgende Pupillenebene. n beträgt also minimal 1. Der Begriff "Ebene" ist dabei nicht wörtlich zu nehmen. Es handelt sich bei den Ebenen 102, 104, 106 vielmehr um Flächen. Die Bildebene oder Feldebene 106 ist immer gut korrigiert. Das heißt, der Ob- jektpunkt O auf der Objektebene 102 wird aberrationsarm auf den Feldpunkt F in der Bildebene oder Feldebene 106 abgebildet. Die Zwischenbildebenen oder Zwischenfeldebenen können auch korrigiert sein, sind es jedoch meist nicht. Wollte man dort ein Bild auffangen, so wäre dieses zumeist stark aberriert und von entsprechend schlechterer Qualität. Die Qualität kann dabei so schlecht sein, dass das Bild unkenntlich ist, weil unterschiedliche Feldpunkte sehr weit entfernte beste Bildpositionen in Lichtrichtung haben können. Es kann ferner auch zu punktbildverschlechternden Bildfehlern, wie beispielsweise sphärische Aberration, Astigmatismus oder Koma, kommen. Falschlichtblenden werden bevorzugt in solchen (Teil-)Bereichen von Zwischen- feldebenen angeordnet, in denen eine ausreichend genaue Zuordnung von Ob- jektorten zu Punkten vorliegt. Dies ist ideal im Verlauf ohne Selbstüberschnei- dungen und ähnlichem. Ebenso kann eine wie zuvor erwähnte Pupillenebene 104 gut korrigiert sein. Dies ist jedoch nicht zwingend. "Gut korrigiert" bedeutet hierbei, dass von dem Objekt an unterschiedlichen Orten unter gleichem Winkel ausgesandtes Licht am selben Ort in der Pupillenebene 104 auftrifft. Wenn eine solche gut korrigierte Pupillenebene 104 vorliegt, eignet diese sich in besonde- rem Maße für die Platzierung von Apertur- oder Obskurationsblenden. In der Pupillenebene 104 sind ein oder mehrere Blenden angeordnet. Gemäß dem Ausführungsbeispiel sind eine Blende für die numerische Apertur 110 (NA- Blende) und eine Obskurationsblende 112 vorgesehen. Die Blenden 110, 112 de- finieren zusammen mit den Ebenen 102, 104, 106 einen Strahlengang 114, dem Arbeitslicht 116 durch das optische System 100 folgt. Das Arbeitslicht 116 kann die Beleuchtungsstrahlung 16 sein. Die Blende für die numerische Apertur 110 kann auch als numerische Aperturblende bezeichnet werden. Anstelle oder zusätzlich zu den Blenden 110, 112 können auch eine Streulicht- und/oder Falschlichtblende (nicht gezeigt) in der Pupillenebene 104 oder an an- deren Positionen, speziell in Zwischenbildebenen (nicht dargestellt) vorgesehen sein. Eine Lichtrichtung LR des Arbeitslichts 116 kann von der Objektebene 102 in Richtung der Pupillenebene 104 orientiert sein. Die NA-Blende 110 umfasst eine Blendenöffnung 118, die von einer lichtbestim- menden Kante 120 definiert ist. Die lichtbestimmende Kante 120 kann umlau- fend sein. Die Blendenöffnung 118 kann eine beliebige Geometrie aufweisen. Die NA-Blende 110 kann mehrteilig sein, so dass die Geometrie der Blendenöffnung 118 verstellbar ist. Auch die Obskurationsblende 112 umfasst eine lichtbestimmende Kante 122. Die lichtbestimmende Kante 122 ist umlaufend. Die Obskurationsblende 112 kann eine beliebige Geometrie aufweisen. Beispielsweise kann die Obskurationsblende 112 oval sein. Die Lichtrichtung LR kann senkrecht oder schräg zu den Blenden 110, 112 orientiert sein. Das Arbeitslicht 116 umfasst hier beispielhaft Lichtstrahlen S1, S2, welche die Abbildung des Objektpunkts O auf die Feldebene 106 beschreiben. Die Darstel- lung ist rein schematisch, so dass zwischen der Objektebene 102 und der Pupil- lenebene 104 sowie zwischen der Pupillenebene 104 und der Feldebene 106 eine Vielzahl optischer Elemente, beispielsweise Spiegel, Linsen, optische Gitter oder dergleichen angeordnet sein können. Die optischen Elemente können die Spiegel M1 bis M6 umfassen. Beispielhaft ist in der Fig.2 ein Spiegel 124 zwischen der Pupillenebene 104 und der Feldebene 106 gezeigt, auf welchen nachfolgend noch näher Bezug genom- men wird. Der Spiegel 124 kann dem Spiegel M6 entsprechen. Die NA-Blende 110 hat die Aufgabe, das Arbeitslicht 116 in einer radialen Rich- tung R bezogen auf den Strahlengang 114 von außen nach innen zu beschneiden und begrenzt dadurch einen maximalen hälftigen bildseitigen Öffnungswinkel ^max eines mit Licht gefüllten Winkelraums W, der dem Feldpunkt F zugeord- net ist. Der Öffnungswinkel ^max gibt wiederum die numerische Apertur des optischen Systems 100 vor. Bei einer großen numerischen Apertur ist der Öffnungswinkel ^max sehr groß und der Winkelraum W weist dementsprechend eine flache ke- gelförmige Geometrie auf. Bei einer kleinen numerischen Apertur ist der Öff- nungswinkel ^max sehr klein und der Winkelraum W weist dementsprechend eine spitze kegelförmige Geometrie auf. Dem Feldpunkt F ist eine Austrittspupille AP zugeordnet. Bei der Austrittspu- pille AP handelt sich um eine bildseitige Abbildung der NA-Blende 110 und der Obskurationsblende 112. Weiterhin ist in der Fig.2 für den Objektpunkt O eine Eintrittspupille EP gezeigt. Bei der Eintrittspupille EP handelt es sich um eine objektseitige Abbildung der NA-Blende 110 und der Obskurationsblende 112. Jedem Feldpunkt F ist eine Austrittspupille AP zugeordnet. Jedem Objektpunkt O ist eine Eintrittspupille EP zugeordnet. Die Obskurationsblende 112 hat die Aufgabe, eine Obskuration 126 im Strah- lengang 114 zu verdecken. Dazu schneidet sie in der Richtung R betrachtet einen - bezogen auf den Strahlengang 114 radial inneren - Teil des Arbeitslichts 116 heraus. Bei der Obskuration 126 kann es sich beispielsweise um einen Durch- bruch in dem Spiegel 124 handeln, so dass ein dem Feldpunkt F an sich zuge- ordneter Lichtstrahl S3 nicht zu diesem gelangt, also ein Schatten entsteht. Die Obskurationsblende 112 ist derart groß gewählt und angeordnet, dass der von der Obskuration 126 erzeugte Schatten in der Austrittspupille AP für jeden Feldpunkt F hinter dem Schatten der Obskurationsblende 112 liegt. Mit anderen Worten verhält sich die Obskuration 126 damit feldkonstant. Der Schatten der Obskurationsblende 112 überdeckt den Schatten der Obskuration 126 vollstän- dig. Die Austrittspupille AP spannt über dem Feldpunkt F den mit Licht gefüllten Winkelraum W auf. Der Winkelraum W wird begrenzt durch Rand(licht)strahlen S4, S5. Diese fallen jeweils unter dem hälftigen bildseitigen Öffnungswinkel ^max auf den Feldpunkt F. Der Öffnungswinkel ^max wird gemessen zwischen einem jeweiligen Lichtstrahl S4, S5 und einem Zentral(licht)strahl S6 auf den Feldpunkt F. Der Lichtstrahl S6 schneidet einen Mittelpunkt M der Aus- trittspupille AP. Der Lichtstrahl S6 kann auch in der Obskuration 126 liegen, sprich, stets dunkel sein. Gleichwohl dient er vorliegend als (gedachte) Referenz. Wie in der Fig.3 gezeigt, lässt sich jeder Punkt P in der Austrittspupille AP mit Hilfe eines Richtungsvektors V beschreiben. Der Richtungsvektor V weist einen Öffnungswinkel ^ zu dem Lichtstrahl S6 auf. Weiter weist der Richtungsvektor V einen Umfangswinkel φ in Umfangsrichtung um den Mittelpunkt M auf. Grundsätzlich gilt, dass jedem Lichtstrahl in der Austrittspupille AP - beschrie- ben durch die Winkel ^, φ - ein Ort in der Pupillenebene 104 zugeordnet ist. Mit anderen Worten sieht also jeder Feldpunkt F der Feldebene 106 alle Lichtpunkte in der Pupillenebene 104. Dies gilt auch umgekehrt: Dem Licht in einem Winkel- raum über der Pupillenebene 104 ist ein Ort in der Feldebene 106 zugeordnet. Die Austrittspupille AP ist somit feldkonstant. Das auf die Feldebene 106 einfal- lende Licht ist für jeden Feldpunkt F konstant. Sowohl für die NA-Blende 110 als auch für die Obskurationsblende 112 gelten enge Form- und Positionstoleranzen. Häufig werden die Blenden 110, 112 als dünne Platten ausgelegt. Beispielsweise können metallische Bleche eingesetzt werden. Bei der NA-Blende 110 weist das Blech dann die durch die lichtbestim- mende Kante 120 definierte Blendenöffnung 118 auf. Bei der Obskurationsblen- de 112 weist das Blech einen äußeren Rand in Form der lichtbestimmenden Kante 122 auf. Die NA-Blende 110 und die Obskurationsblende 112 werden nachfolgend auch allgemein als "Blenden" bezeichnet. Ein für die Abbildungswirkung wichtiger Aspekt ist die Größe des lichtdurchläs- sigen Bereichs. Diese Größe wird mit Hilfe der Blenden 110, 112 definiert. Be- reits kleine Abweichungen können dadurch, dass Beugungslicht ungewollt blo- ckiert oder zusätzlich durchgelassen wird, zu spürbaren Kontraständerungen führen. Bei EUV-Systemen verschärft sich dieser Effekt noch durch lokalisiert leuchtende Lichtpunkte ("Sternenhimmel") aufgrund fehlender Möglichkeit zur Lichtmischung. Zu den Spezifika aktueller EUV-Systeme gehört es nämlich, dass das Mischver- mögen der Beleuchtungsoptik 4 in dem Winkelraum gering ist, so dass typi- scherweise in der Pupillenebene 104 einzelne helle Beleuchtungsflecken im an- sonsten dunklen Gebiet liegen (Engl.: Illumination Spots). Zuweilen vergleicht man eine solche Intensitätsverteilung veranschaulichend mit einem Sternen- himmel. Gegenüber einer aus dem DUV bekannten geglätteten, gleichmäßigen Lichtverteilung im Winkelraum hat eine derartige Lichtverteilung die Eigen- schaft, dass bereits eine kleine Änderung im durchgelassenen Winkelbereich spürbaren Intensitätseinfluss hinterlässt, weil die Energie stärker konzentriert ist. Fig.4 zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines optischen Systems 200. Das optische System 200 ist Teil einer wie zuvor erläu- terten Projektionsbelichtungsanlage 1. Das optische System 200 kann insbeson- dere eine wie zuvor erläuterte Projektionsoptik 10 oder Teil einer derartigen Pro- jektionsoptik 10 sein. Das optische System 200 unterscheidet sich von dem optischen System 100 im Wesentlichen dadurch, dass das optische System 200 keine Obskurationsblende 112 aufweist. Grundsätzlich kann jedoch auch das optische System 200 eine Obskurationsblende 112 umfassen. Das optische System 200 umfasst eine Objektebene 202, eine Pupillenebene 204, eine Bild- oder Zwischenbildebene 206 und eine Feldebene 208. Zwischen der Zwischenbildebene 206 und der Feldebene 208 kann eine weitere Pupillenebene 204 vorgesehen sein, die jedoch in der Fig.4 nicht gezeigt ist. In der Objektebene 202 ist ein Objektfeld oder Nutzfeld 210 mit einer Vielzahl an Objektpunkten O vorgesehen, von denen in der Fig.4 jedoch nur einer mit einem Bezugszeichen versehen ist. Die Objektpunkte O werden mit Hilfe der Pupillenebene 204 beziehungsweise mit Hilfe der Pupillenebenen 204 auf Feld- punkte F1 in der Feldebene 208 und auf Feldpunkte F2 in der Zwischenbildebe- ne 206 abgebildet. In der Objektebene 202 ist ein nicht gezeigtes Objekt positioniert. Bei dem Ob- jekt kann es sich um das Retikel 7 handeln. An oder auf dem Objekt bezie- hungsweise an oder auf dem Retikel 7 ist das Nutzfeld 210 vorgesehen. In der Feldebene 208 ist beispielsweise der zu belichtende Wafer 13 angeordnet. Grundsätzlich kann es sich auch bei der Feldebene 208 um eine Bild- oder Zwi- schenbildebene handeln. Anstelle der Objektebene 202 kann auch eine Feldebene vorgesehen sein, wobei Bilder in dieser auf die Feldebene 208 und auf die Zwischenbildebene 206 abge- bildet werden. Die Pupillenebene 204 ist bevorzugt zwischen der Objektebene 202 und der Feldebene 208 vorgesehen. Somit ist die Pupillenebene 204 weder objektseitig noch bildseitig angeordnet. In der Pupillenebene 204 sind ein oder mehrere Blenden angeordnet. Gemäß dem Ausführungsbeispiel ist eine Blende für die numerische Apertur 212 (NA- Blende) vorgesehen. Ferner kann auch noch eine nicht gezeigte Obskurations- blende vorgesehen sein. Die Blende für die numerische Apertur 212 kann auch als numerische Aperturblende bezeichnet werden. Die NA-Blende 212 umfasst eine Blendenöffnung 214, die von einer lichtbestim- menden Kante 216 definiert ist. Die lichtbestimmende Kante 216 kann umlau- fend sein. Die Blendenöffnung 214 kann eine beliebige Geometrie aufweisen. Die NA-Blende 212 kann mehrteilig sein, so dass die Geometrie der Blendenöffnung 214 verstellbar ist. Die NA-Blende 212 definiert zusammen mit den Ebenen 202, 204, 206, 208 einen Strahlengang 218, dem Arbeitslicht 220 durch das optische System 200 folgt. Das Arbeitslicht 220 kann die Beleuchtungsstrahlung 16 sein. Anstelle oder zu- sätzlich zu der NA-Blende 212 könnten auch eine Streulicht- und/oder Falsch- lichtblende (nicht gezeigt) in der Pupillenebene 204 oder an anderen Positionen, speziell in der Zwischenbildebene 206, vorgesehen sein, wie nachfolgend noch mit Bezug auf die Zwischenbildebene 206 erläutert wird. Das Arbeitslicht 220 umfasst hier beispielhaft Lichtstrahlen S10, S20, welche die Abbildung der Objektpunkte O auf die Zwischenbildebene 206 und auf die Feldebene 208 beschreiben. Die Darstellung ist rein schematisch, so dass zwi- schen der Objektebene 202 und der Pupillenebene 204, zwischen der Pupillen- ebene 204 und der Zwischenbildebene 206 sowie zwischen der Zwischenbildebe- ne 206 und der Feldebene 208 eine Vielzahl optischer Elemente, beispielsweise Spiegel, Linsen, optische Gitter und/oder dergleichen angeordnet sein können. Die optischen Elemente können beispielsweise die Spiegel M1 bis M6 umfassen. Die NA-Blende 212 hat die Aufgabe, das Arbeitslicht 220 in einer radialen Rich- tung R bezogen auf den Strahlengang 218 von außen nach innen zu beschneiden und begrenzt dadurch einen maximalen hälftigen bildseitigen Öffnungswinkel ^max eines mit Licht gefüllten Winkelraums W1, der dem Feldpunkt F1 zuge- ordnet ist. Der Öffnungswinkel ^max gibt, wie zuvor mit Bezug auf die NA- Blende 110 bereits erläutert, wiederum die numerische Apertur des optischen Systems 200 vor. Dem Feldpunkt F1 ist eine Austrittspupille AP1 zugeordnet. Bei der Aus- trittspupille AP1 handelt sich um eine bildseitige Abbildung der NA-Blende 212. Weiterhin ist in der Fig.4 für den Objektpunkt O eine Eintrittspupille EP1 ge- zeigt. Bei der Eintrittspupille EP1 handelt es sich um eine objektseitige Abbil- dung der NA-Blende 212. Jedem Feldpunkt F1 ist eine Austrittspupille AP1 zu- geordnet. Jedem Objektpunkt O ist eine Eintrittspupille EP1 zugeordnet. Die Austrittspupille AP1 spannt über dem Feldpunkt F1 den mit Licht gefüllten Winkelraum W1 auf. Der Winkelraum W1 wird begrenzt durch Rand(licht)strahlen S30, S40. Diese fallen jeweils unter dem hälftigen bildseiti- gen maximalen Öffnungswinkel ^max auf den Feldpunkt F1. Der maximale Öff- nungswinkel ^max wird gemessen zwischen dem jeweiligen Lichtstrahl S30, S40 und einem Zentral(licht)strahl S50 auf den Feldpunkt F1. Der Lichtstrahl S50 schneidet einen Mittelpunkt M der Austrittspupille AP1. Dem Feldpunkt F2 ist eine Zwischenbildpupille AP2 zugeordnet, die einen Win- kelraum W2 aufspannt. Der Eintrittspupille EP1 ist ebenfalls ein derartiger Winkelraum W3 zugeordnet. Wie in der Fig.5 gezeigt und wie schon mit Bezug auf die Fig.3 erläutert, lässt sich jeder Punkt P der Austrittspupille AP1 mit Hilfe eines Richtungsvektors V beschreiben. Der Richtungsvektor V weist einen Öffnungswinkel ^ zu dem Licht- strahl S50 auf. Weiter weist der Richtungsvektor V einen Umfangswinkel φ in Umfangsrichtung um den Mittelpunkt M auf. Wie zuvor erwähnt, handelt es sich bei der Eintrittspupille EP1 um die objekt- seitige Abbildung der NA-Blende 212. Die Eintrittspupille EP1 kann auch als Nutzapertur bezeichnet werden oder mit dieser gleichgesetzt werden. An dem in der Objektebene 202 positionierten Retikel 7 wird im Betrieb des optischen Sys- tems 200 Licht auch in höhere Winkel als die Nutzapertur gebeugt. Das heißt, das Licht wird in einem höheren Winkel als der durch die NA-Blende 212 definierte maximale Öffnungswinkel ^max gebeugt. Dies ist in der Fig.4 anhand eines Lichtstrahls S60 gezeigt. Dies kann zum einen an regulär abgebil- deten Strukturen des Retikels 7 in höheren Beugungsordnungen und zum ande- ren an Hilfsstrukturen wie den sogenannten SRAFs (Engl.: Sub Resolution As- sist Features) geschehen. Diese SRAFs sollen Licht so umverteilen, dass Nutzstrukturen ohne Verdün- nung an den Enden oder anderen Fehlern abgebildet werden. Allerdings sollen diese selbst im Bild, das heißt, in der Feldebene 208 unsichtbar sein. Deshalb werden diese so klein gewählt, dass alle abbildungsfähigen Beugungsordnungen außerhalb der Eintrittspupille EP1 beziehungsweise außerhalb der Nutzapertur liegen und ideal an der NA-Blende 212 geblockt werden. Mit anderen Worten werden Lichtstrahlen, die einen größeren Öffnungswinkel ^ als der durch die NA-Blende 212 bestimmte maximale Öffnungswinkel ^max aufweisen, an der NA-Blende 212 geblockt. Konstruktiv ist es allerdings erforderlich, den Strahlengang 218 zumindest im Bereich des Retikels 7 mit einer Einhausung 222 zu versehen. Die Einhausung 222 dient der Aufrechterhaltung des Vakuums und dem Fernhalten von Konta- minationen. An dieser Einhausung 222 kann es jedoch zu Reflexionen im strei- fenden Einfall (Engl.: Grazing Incidence) kommen. Diese Reflexion ändert den Strahlwinkel für ausgewählte Winkelbereich so, dass nach der Reflexion das Licht wieder in der Eintrittspupille EP1 oder in der Nutzapertur liegt. Allerdings scheint das Licht nun von einem virtuellen Ob- jektpunkt OV außerhalb des Nutzfelds 210 zu kommen. Dem virtuellen Objekt- punkt OV ist eine virtuelle Eintrittspupille EP2 zugeordnet, die einen Winkel- raum W4 aufspannt. In der Fig.4 ist der Lichtstrahl S60 nach der Reflexion an der Einhausung 222 mit dem Bezugszeichen S60' versehen. Eine Verlängerung des Lichtstrahls S60' in Richtung der Objektebene 202 führt zu dem virtuellen Objektpunkt OV. Eine Verlängerung des Lichtstrahls S60 über die Einhausung 222 hinaus ist mit dem Bezugszeichen S60'' versehen. Die NA-Blende 212 kann nun das Falschlicht in Form des reflektierten Licht- strahl S60' nicht mehr abfangen, da der Öffnungswinkel ^ nach der Reflexion an der Einhausung 222 zu "stimmen" scheint. Das heißt der Öffnungswinkel ^ ist kleiner als der durch die NA-Blende 212 definierte maximale Öffnungswinkel ^max. Somit dringt durch die NA-Blende 212 nicht nur Licht L1 von den Objekt- punkten O des Nutzfelds 210, sondern auch Licht L2 von virtuellen Objektpunk- ten OV außerhalb des Nutzfelds 210. Das Licht L2 kann auch als Überapertur- licht oder Falschlicht bezeichnet werden. Es gilt nun zu verhindern, dass das Falschlicht L2 zu der Feldebene 208 gelangt. Das Falschlicht L2 trägt keine nützliche Abbildungsinformation bei und würde in der Feldebene 208 nur zu einem kontrastmindernden Untergrund führen. Daher ist das Falschlicht L2 vor der Feldebene 208 herauszufiltern. Hierzu wer- den die Objektpunkte O als Feldpunkte F2 und die virtuellen Objektpunkte OV als Feldpunkte F3 in der Zwischenbildebene 206 abgebildet. Dem Feldpunkt F3 ist eine Zwischenbildpupille AP3 zugeordnet, die einen Winkelraum W5 auf- spannt. In der Zwischenbildebene 206 ist nun eine Blende 224, insbesondere eine Falsch- lichtblende oder Streulichtblende, angeordnet, die das Falschlicht L2 aus dem Strahlengang 218 herausfiltert. Mit anderen Worten werden die virtuellen Ob- jektpunkte OV als Feldpunkte F3 auf der Blende 224 abgebildet. Das Falschlicht L2 kann somit nicht mehr zu der Feldebene 208 gelangen. Die Blende 224 um- fasst eine Blendenöffnung 226, die von einer lichtbestimmenden Kante 228 defi- niert ist. Die Blende 224 wird nachfolgend auch als Falschlichtblende bezeich- net. Auch das optische System 100 kann eine derartige Blende 224 aufweisen. Die Blenden 110, 112, 212, 224 des jeweiligen optischen Systems 100, 200 dienen als Apertur- sowie Obskurationsblenden der Formung der Austrittspupille AP, AP1 und als Falschlichtblenden dem Entfernen unerwünschten Lichts aus dem Bild oder von Orten, an denen es zu störender Erwärmung führen kann. Die Ge- ometrie der Blenden 110, 112, 212, 224 hat einen erheblichen Einfluss auf die Abbildungsqualität. In einem wie zuvor erwähnten optischen System 100, 200 werden NA-Blenden 110, 212 und in obskurierten optischen Systemen 100 Obskurationsblenden 112 in einer pupillennahen Position angebracht. Dabei wird im Designprozess eine Korrektur derart vorgenommen, dass eine Fourierbeziehung zu der jeweiligen Feldebene 106, 208 weitgehend gültig ist. Orte im Bild entsprechen dort Winkeln und umgekehrt. Dank dieser Korrektur sehen aller Feldpunkte F, F1 nahezu denselben Winkelraum bei der Abbildung. Eine wie zuvor erläuterte Beleuchtungsoptik 4 arbeitet zumeist mit facettierten Spiegeln oder anderen Komponenten, die eine Pupillenfacettierung bewirken, wie etwa Mischstäbe oder Wabenkondensatoren. Die resultierende diskontinu- ierliche Lichtverteilung in der Austrittspupille AP, AP1 führt zu einer hohen Sensitivität auf den Pupillenbeschnitt durch die jeweilige Blende 110, 112, 212, weil die Energie im Winkelraum stärker lokalisiert ist und es einen Unterschied ergibt, ob beispielsweise ein EUV-"Stern" (Engl.: Illumination Spot) abgeschnit- ten wird oder durchgelassen und ob das Licht entsprechend interferierend zur Abbildung beiträgt. Konkret hängen Eigenschaften wie beispielsweise die Strukturgrößentreue der Abbildung oder die Lagegenauigkeit von dieser Pupillenwirkung ab. In der Regel werden Strukturen auf dem Retikel 7 als lithographischer Vorlage auf systema- tische Abbildungsabweichungen in der Strukturgröße korrigiert. Dies erfolgt al- lerdings wegen des erheblichen Aufwands in feldkonstanter Weise. Ist nun ein solches Retikel 7 derart ausgelegt, wird das optische System 100, 200 unter Standardbedingungen am richtigen Bildort Strukturen der korrekten Grö- ße und Form ausbilden. Ändern jedoch die NA-Blende 110, 212 und/oder die Obskurationsblende 112 ihre Form, so ändert sich zum einen die Lichtmenge. Dies wäre, sofern es gemessen würde, noch über eine Dosisanpassung kompen- sierbar, da ja die Blenden 110, 112, 212 und auch ihre Formvariation feldkon- stant wirken. Jedoch werden in der Regel die Verhältnisse zwischen nullter und höheren Beu- gungsordnungen strukturabhängig verändert. Vergrößert sich beispielsweisen die NA-Blende 110, 212, so kann ein Teil der ersten Beugungsordnung einer ers- ten feinen Struktur, die in große Winkel beugt, diese nicht mehr passieren. Das äquivalente Beugungslicht einer nur wenig gröberen zweiten Struktur sieht je- doch diese Änderung nicht mehr oder in verringertem Maße. In der Folge wird sich die Größe der ersten Struktur im Bild beispielsweise ver- mindern, während jene der zweiten Struktur unverändert bleibt. Eine solche relative Größenänderung lässt sich mit herkömmlichen Mitteln im System schwer oder gar nicht ausgleichen und mindert daher die Abbildungsqualität. Nun zurückkehrend zu der Blende 224. Die Blende 224 soll verhindern, dass un- erwünschtes Falschlicht L2 ins Bild gelangt oder auf Komponenten trifft und diese nach Absorption erwärmt. Wie zuvor erwähnt, kann das Falschlicht L2 dadurch entstehen, dass Überaperturlicht an der Einhausung 222 reflektiert wird. Ohne diese Reflexion würde es an der NA-Blende 212 abgefangen, doch kann die Reflexion dazu führen, dass der neue Strahlwinkel in der Eintrittspu- pille EP1 beziehungsweise in der Nutzapertur liegt und eine virtuelle Quelle au- ßerhalb des Nutzfelds 210 entsteht. Auch durch eine Streuung an optischen Komponenten, beispielsweise aufgrund deren Rauheit oder Körnigkeit im Volumenmaterial von Linsen entsteht Streu- licht, welches sich auf falschen Pfaden ausbreitet und keine nützliche Abbildung bewirkt. Zur Falschlichtreduktion werden daher in Zwischenbildnähe Begren- zungen in Form der Blende 224 eingeführt. Ändert die Blende 224 ihre Geometrie oder Größe, so variiert beispielsweise die Restmenge des Falschlichts L2, die in das Bild gelangt. Das Falschlicht L2 weist typischerweise eine inhomogene Intensitätsverteilung im Bildraum auf, so dass auch die Variation feldvariabel erfolgen wird. Für langwellige Variationen dieser Intensität können Kompensatoren vorgesehen sein. Hochfrequente Verläufe je- doch können nicht angegriffen werden, so dass zumindest Restbeiträge verblei- ben. Sie bewirken eine ortsabhängige Variation der Strukturgrößen zur gleichen Maskenvorlage im Bild. Die Blenden 110, 112, 212, 224 werden üblich als dünne Metallteile, insbesonde- re als Bleche, mit definierter Form gefertigt. Weil die Formgenauigkeit wichtig ist, kosten sie deutlich mehr, als der Materialeinsatz vermuten lässt. Fangen die Blenden 110, 112, 212, 224 nun aufgabengemäß Licht L1, L2 ab, so werden sie wenigstens einen Teil davon absorbieren und sich dadurch erwärmen. Während NA-Blenden 110, 212 und Falschlichtblenden 224 zumeist am Rand des optischen Strahlenganges stehen und folglich über Material großen Quer- schnitts thermal an die Außenwelt angebunden werden können, ist die Situation für eine mitten in dem Strahlengang 114 stehende Obskurationsblende 112 schwieriger. Eine derartige Obskurationsblende 112 kann mit Hilfe von schneidenförmigen Halterungen oder Drähten in Position gehalten werden. Diese Halterungen, bei- spielsweise in Form der zuvor erwähnten Drähte, blockiert Nutzlicht und wer- den deshalb so dünn wie möglich ausgeführt. Weil die Wärmeleitung zum Mate- rialquerschnitt proportional ist, wirkt die Kühlung der Obskurationsblende 112 über diese Anbindung schwach. Speziell im Vakuum im Falle von optischen Systemen 100, 200 im EUV-Bereich ist auch die Gaskühlung gering. Die Strahlungskühlung trägt gemäß dem Ste- fan-Boltzmann-Gesetz erst bei höheren Temperaturen zur Wärmeabfuhr bei. Wird beispielsweise davon ausgegangen, dass eine Größenordnung von etwa 1 W absorbierte Leistung auftreten kann, so kann sich die Obskurationsblende 112 im statischen Zustand durchaus um mehrere 10 K erwärmen. Metallische Wärmeausdehnungskoeffizienten liegen in einer Größenordnung von relativ 1E-5/K. Die Ausdehnung der Obskurationsblende 112 liegt in der Grö- ßenordnung von 10 mm. Somit sind Formänderungen in der Größenordnung von Mikrometern oder umgerechnet auf Pupillenkoordinaten in der Größenordnung von 0,01 mσ bis 0,1 mσ (1 σ = volle Pupille) zu erwarten. Aufgrund der oben geschilderten diskontinuierlichen Lichtverteilung in der Aus- trittspupille AP, AP1 kann bereits ein solch scheinbar kleiner Wert spürbar die Abbildung beeinflussen und in einem Beispielfall bei Strukturbreiten in der Größenordnung von 10 nm eine Strukturgrößenänderung in der Größenordnung von 5 pm bewirken. Wird davon ausgegangen, dass die Strukturgrößen und da- mit deren Toleranzen perspektivisch sinken, während gleichzeitig die Bestrahl- leistungen steigen, so erwächst hier ein merklicher Budgetbeitrag. Fig.6 zeigt eine schematische Aufsicht einer Ausführungsform einer Blendenan- ordnung 300. Fig.7 zeigt eine schematische Schnittansicht der Blendenanord- nung 300 gemäß der Schnittlinie VII-VII der Fig.6. Nachfolgend wird auf die Fig.6 und 7 gleichzeitig Bezug genommen. Die Blendenanordnung 300 kann Teil eines der optischen Systeme 100, 200 sein. Die Blendenanordnung 300 umfasst eine Blende 302. Im vorliegenden Fall ist die Blende 302 eine wie zuvor erwähnte Obskurationsblende. Die nachfolgenden Ausführungen betreffend die Blende 302 sind entsprechend auch auf die Blen- den 110, 112, 212, 224 anwendbar. Die Blende 302 weist eine lichtbestimmende Kante 304 auf. Die lichtbestimmen- de Kante 304 weist vorliegend eine elliptische Geometrie auf. Die lichtbestim- mende Kante 304 kann jedoch jede beliebige Geometrie aufweisen. Die lichtbe- stimmende Kante 304 kann umlaufend geschlossen sein. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Die Blende 302 umfasst mehrere Halterungen 306, 308, 310, 312 zum Positionie- ren der Blende 302 in dem Strahlengang 114, 218. Die Anzahl der Halterungen 306, 308, 310, 312 ist beliebig. Beispielsweise sind vier Halterungen 306, 308, 310, 312 vorgesehen. Die Halterungen 306, 308, 310, 312 sind schneidenförmig oder drahtförmig, so dass diese den Strahlengang 114, 218 möglichst wenig ab- schatten. Die Blende 302 umfasst eine Vorderseite 314 und eine der Vorderseite abge- wandte Rückseite 316. Beispielsweise fällt die Beleuchtungsstrahlung 16 auf die Vorderseite 314. Die Beleuchtungsstrahlung 16 kann jedoch auch auf die Rück- seite 316 einfallen. Die Ausrichtung der Blende 302 in dem Strahlengang 114, 218 ist grundsätzlich beliebig. Die Beleuchtungsstrahlung 16 bringt Wärme Q in die Blende 302 ein. Dadurch kann sich die Blende 302 ungleichmäßig erwärmen und auch wärmebedingt verformen. An der Vorderseite 314 kann eine Beschichtung 318 vorgesehen sein, die bei- spielsweise geeignet ist, Infrarotstrahlung IR zu absorbieren, um so gezielt Wärme Q in die Blende 302 einzubringen. Die Beschichtung 318 ist optional. Die Beschichtung 318 kann auch an der Rückseite 316 oder sowohl an der Vordersei- te 314 als auch an der Rückseite 316 vorgesehen sein. Die Blende 302 ist plattenförmig. Beispielsweise ist die Blende 302 ein Metall- blech. Die Blende 302 kann ein einstückiges, insbesondere ein materialeinstü- ckiges, Bauteil sein. "Einstückig" oder "einteilig" heißt vorliegend, dass die Blen- de 302 ein einziges Bauteil oder eine einzige Komponente bildet und nicht aus mehreren Bauteilen oder Komponenten zusammengesetzt ist. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. "Materialeinstückig" bedeutet vorliegend, dass die Blende 302 durchgehend aus demselben Material gefertigt ist. Alternativ kann die Blende 302 jedoch auch aus mehreren plattenförmigen oder blechförmigen Elementen 320, 322 aufgebaut sein, die aufeinandergelegt und fest miteinander verbunden sind. Beispielsweise sind die Elemente 320, 322 mit- einander vernietet, verschraubt oder verklebt. Die Elemente 320, 322 sind bei- spielsweise aus unterschiedlichen Metalllegierungen gefertigt, so dass diese sich aufgrund unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten der unterschiedli- chen Metalllegierungen bei einem Eintrag von Wärme Q unterschiedlich stark ausdehnen. Hierdurch ist eine gezielte Verformung der Blende 302 möglich. Die Blende 302 ist dann eine Bimetallblende. Die Elemente 320, 322 können, wie in der Fig.7 gezeigt, unterschiedliche Dicken oder identische Dicken (nicht gezeigt) aufweisen. Die Blendenanordnung 300 beziehungsweise die Blende 302 umfasst weiterhin eine Heizeinrichtung 324. Die Heizeinrichtung 324 weist beispielsweise einen Heizstrahler 326 auf, der Infrarotstrahlung IR emittiert, die beispielsweise auf die Vorderseite 314, insbesondere auf die Beschichtung 318, auftrifft, um gezielt Wärme Q in die Blende 302 einzubringen. Ferner kann die Heizeinrichtung 324 eine Heizstruktur 328 umfassen, die direkt an der Blende 302 vorgesehen ist. Die Heizstruktur 328 kann direkt an der Blende 302 vorgesehen sein. Die Heizstruktur 328 kann eine Widerstandshei- zung sein. Eine Stromversorgung der Heizstruktur 328 kann beispielsweise über die Halterungen 306, 308, 310, 312 verwirklicht werden. Die Heizstruktur 328 ist optional. Die Heizstruktur 328 kann zusätzlich zu dem Heizstrahler 326 oder alternativ zu dem Heizstrahler 326 vorgesehen sein. Mit Hilfe der Heizeinrichtung 324 ist es möglich, in unterschiedliche Bereiche 330, 332 der Blende 302 unterschiedlich viel Wärme Q einzubringen. Weiterhin weist die Blende 302 beispielsweise zumindest einen Temperatursensor 334 und zumindest eine Photozelle oder ein Photoelement 336 auf. Es können beliebig viele Temperatursensoren 334 und beliebig viele Photoelemente 336 vorgesehen sein. Ferner kann auch eine Infrarotkamera 338 vorgesehen sein. Mit Hilfe einer Steuer- und Regeleinrichtung 340 können Sensorsignale oder Messsignale des Temperatursensors 334, des Photoelements 336 und/oder der Infrarotkamera 338 ausgewertet und die Heizeinrichtung 324 in geeigneter Art und Weise angesteuert werden. Mit Hilfe des gezielten Einbringens von Wärme Q mittels der Heizeinrichtung 324 in die Blende 302 ist es möglich, die Blende 302 von einer Ausgangsform oder Ausgangsgeometrie Z1 in eine Designform oder Designgeometrie Z2 zu ver- formen. Die Ausgangsgeometrie Z1 und die Designgeometrie Z2 unterscheiden sich hinsichtlich der Form oder Geometrie der lichtbestimmenden Kante 304 voneinander. Dabei ist die lichtbestimmende Kante in der Designgeometrie Z2 in der Fig. 6 mit dem Bezugszeichen 304' versehen. Die lichtbestimmende Kante 304' kann in der Designgeometrie Z2 jede beliebige dreidimensionale Form an- nehmen. Wie zuvor erwähnt, absorbiert die Blende 302 zumindest einen Teil der Beleuch- tungsstrahlung 16. Bereits hierdurch wird Wärme Q in die Blende 302 einge- bracht. Mit Hilfe der Heizeinrichtung 324 kann für die Blende 302, insbesondere zumindest für die Obskurationsblende 112, optional aber auch für die NA-Blende 110, 212 oder die Falschlichtblende 224, eine Heizung implementiert werden, welche Wechsel in der absorbierten Nutzleistung und damit Temperatur- schwankungen ausgleichen kann. Strukturgrößenvariationen sowie Telezentriefehler aufgrund schwankender Blendenform oder Blendengeometrie können hierdurch im Wesentlichen elimi- niert werden. Daraus resultiert ein stabiles Abbildungsverhalten. Die Blende 302 wird dabei so geformt, dass sie gerade bei dieser maximalen absorbierten Leistung unter Berücksichtigung der dabei auftretenden Wärmeausdehnung die Designgeometrie Z2 annimmt. Darüber hinaus ist es aber auch möglich, mit Hilfe des gezielten Eintrags der Wärme Q in die Blende 302 gezielt Einfluss auf Strukturgrößen oder -lagen zu nehmen, indem die Blendentemperatur als Manipulator genutzt und mittels der Heizeinrichtung 324 eine Größe der Blende 302 an die gegebene Abbildungssitu- ation angepasst wird. Bei der Auslegung der Blende 302 als Bimetallelement oder Bimetallblende kann eine stärkere, potenziell nützliche Formänderung oder Geometrieänderung der Blende 302 gezielt induziert werden. Die Heizung der Blende 302 selbst kann über gezieltes Einstrahlen etwa mit Inf- rarotstrahlung IR erfolgen, wobei sich ein bestrahlter Bereich 330, 332 im Ideal- fall auf eine Blendenfläche beschränkt und dort die Beschichtung 318 aufge- bracht sein kann, welche ein hohes Absorptionsvermögen bei der gewählten Heizwellenlänge aufweist. Alternativ oder ergänzend kann aber auch eine elektrische Widerstandsheizung in Form der Heizstruktur 328 umgesetzt werden. Dazu wird der elektrische Wi- derstand der Blende 302 hoch gewählt, indem die Heizstruktur 328 beispielswei- se mittels eines Isolators gegenüber den übrigen Metallkörper der Blende 302 isoliert wird und nur die Heizstruktur 328 elektrisch angebunden wird. Die Stromzufuhr erfolgt dabei, wie zuvor erwähnt, über die Halterungen 306, 308, 310, 312. Das Heizen der Blende 302 kann weitgehend homogen erfolgen. Es besteht aber auch die Möglichkeit, die Blende 302 lokal variabel zu heizen. Beispielsweise können nur die Bereiche 330, 332 oder einer der Bereiche 330, 332 geheizt wer- den. So beugen horizontal orientierte Strukturen nach oben und unten, während vertikale Linien nach links und rechts beugen. Entsprechend resultiert eine thermische Belastung der Blende 302 nach der Absorption von Überaperturlicht solcher Strukturen in einem oberen/unteren oder seitlichen Teilbereich der Blende 302, während der jeweils komplementäre Bereich kein oder zumindest deutlich weniger Licht absorbiert. In der Folge bildet sich eine inhomogene Temperaturverteilung auf der Blende 302 heraus, welche ohne Gegenmaßnahme zu einer ungleichmäßigen Formände- rung aufgrund der thermischen Ausdehnung des Blendenmaterials führen kann. Während die Zurücknahme einer homogenen Vorheizleistung zwar die mittlere Temperatur der Blende 302 in den Sollbereich führt, kann diese homogene Heiz- leistung jedoch keinen Ausgleich für diese örtlichen Variationen bereitstellen. Mit Hilfe einer lokal variablen Vorheizleistung wird gerade diese Möglichkeit geschaffen. In den geschilderten Fällen würde bei Beugung an horizontalen Strukturen zwar die Vorheizleistung aus den oberen und unteren Blendenbereichen entfernt oder angepasst an die aus dem Überaperturlicht absorbierte Leistung reduziert, je- doch in den seitlichen Gebieten beibehalten. In Summe bleibt ein Temperatur- feld der Blende 302 weitgehend unverändert. Keine Blendenformänderung be- einträchtigt das Abbildungsverhalten des optischen Systems 100, 200. Völlig analog reagiert das optische System 100, 200 auf Beugung an vertikal orientier- ten Strukturen durch Zurücknahme der gesondert zugeführten Heizleistung in den seitlichen Arealen unter Beibehaltung der Heizleistung oben und unten. Während des Betriebs des optischen Systems 100, 200 kann weitgehend bekannt sein, welche Beugungsverteilung an dem Retikel 7 erzeugt wird. Auch wenn die Retikelstrukturen proprietär gehandhabt werden, lässt sich etwa anhand der Nutzung von x- oder y-Dipolstrukturen relativ verlässlich auf die Schwerpunkte im Beugungslicht schließen, weil die Beleuchtungen sorgfältig an die aktuellen Retikelstrukturen angepasst werden (Engl.: Source Mask Optimization, SMO). Zugleich treten aber auch Situationen auf, etwa mit gemischten Strukturen auf dem Retikel 7, bei der keine ausreichend genaue Vorhersage der Beugungswin- kelverteilung möglich ist, auf die ein lokales Heizen fußen kann. Für solche Situationen können, wie zuvor erwähnt, Temperatursensoren 334 in die Blende 302 integriert werden. Speziell bei einer Auslegung mit elektrischer Widerstandsheizung kann die Heizstruktur 328 auch anhand ihres temperatur- abhängigen Widerstands als Temperatursensor genutzt werden. Dies kann bei- spielsweise mit Hilfe von Brückenschaltungen umgesetzt werden. Alternativ oder ergänzend ist es aber auch bei besonders hohen Genauigkeitsan- forderungen möglich, die Blende 302 oder Bereiche davon mit der Infrarotkame- ra 338 zu beobachten und aus diesem Signal auf die optimale örtliche Vorheiz- leistung zu schließen. Weiterhin können mit Blick auf die ankommende Beleuch- tungsstrahlung 16 auf der Blende 302 selbst Photoelemente 336 angeordnet werden, welche direkt die Intensität der auftreffenden Beleuchtungsstrahlung 16 vermessen. Für den Fall, dass die Blende 302 eine Obskurationsblende ist, kann zwecks der Vermeidung vieler Strukturen in dem Strahlengang 114, 218 das Messsignal über Funk ausgelesen werden, oder die Signalleitung erfolgt über mindesten ei- ne der Halterungen 306, 308, 310, 312. Benötigt das Photoelement 336 eine Energieversorgung, so kann diese berührungslos induktiv, durch Bestrahlung mit Licht auf eine Photovoltaikstruktur oder bevorzugt wiederum über mindes- tens eine der Halterungen 306, 308, 310, 312 erfolgen. Wird die Temperaturverteilung auf pupillennahen optischen Elementen gemes- sen, so erlauben die Messergebnisse einen Rückschluss auf die lokal im Pupil- lenbereich absorbierte Nutzlichtleistung und damit auch über deren örtliche Verteilung. Auch solche Informationen können genutzt werden, um eine mög- lichst präzise Steuerung oder Regelung der lokal variablen Heizleistung auf der Blende 302 zu realisieren. Steht die Blende 302 feldnah oder intermediär, sind entsprechend Informationen vergleichbar im Strahlengang stehender optischer Elemente nützlich. Wenn die Blende 302 als Manipulator ausgelegt wird, kann sie bevorzugt in den allgemeinen Korrekturablauf eingebunden werden. Dazu werden in einem ers- ten Schritt Sensitivitäten ermittelt. Dies erfolgt bevorzugt anhand optischer Si- mulationen, welche ausgehend von der aufgenommenen Leistung und der ther- mischen Anbindung eine Temperaturänderung berechnen. Darauf basierend wird eine Formänderung, aus dieser eine Wirkung in der Austrittspupille AP, AP1 oder/und einen Feldintensitätsverlauf und daraus wiederum gegebenenfalls struktur- und beleuchtungsabhängig Strukturgrößenänderungen berechnet. Im Betrieb des optischen Systems 100, 200 können nun Informationen zur aktu- ellen Strukturgrößenabweichung von einem Sollwert gewonnen werden. Dies kann durch zeitnahe Vermessung einer kurz vorher gefertigten Halbleiterstruk- tur geschehen. Alternativ können Wellenfrontmessungen genutzt werden, um ausgehend von hierfür bestimmten Sensitivitäten, etwa basierend auf einer Zernike-Beschreibung, Strukturgrößenwirkungen zu ermitteln, die es zu kom- pensieren gilt. Gemeinsam mit den Sensitivitäten herkömmlicher Manipulatoren, beispielswei- se verschiebbarer, kippbarer oder/und deformierbarer optischer Elemente wer- den nun die Thermalsensitivitäten der Blende 302 in der Optimierung berück- sichtigt und es wird ein Manipulatorverfahrwegerezept bestimmt, welches eine hinsichtlich einer vorgegebenen Zielfunktion bevorzugte Manipulation der un- terschiedlichen Mittel vorschlägt, zu denen dann auch eine Temperaturände- rung der Blende 302 gehört. Dieses Manipulatorverfahrwegerezept wird ent- sprechend umgesetzt. Fig.8 zeigt ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform eines Ver- fahrens zum Betreiben des optischen Systems 100, 200. Bei dem Verfahren wird in einem Schritt S100 die Blende 110, 112, 212, 224, 302 bereitgestellt. Dabei ist die Blende 110, 112, 212, 224, 302 zumindest ab- schnittsweise in dem jeweiligen Strahlengang 114, 218 des optischen Systems 100, 200 angeordnet, so dass der Strahlengang 114, 218 von der Blende 110, 112, 212, 224, 302 zumindest abschnittsweise abgeschattet wird. In einem Schritt S200 wird mit Hilfe der Heizeinrichtung 324, beispielsweise mit Hilfe des Heizstrahlers 326 und/oder der Heizstruktur 328, Wärme Q in die Blende 110, 112, 212, 224, 302 eingebracht. In einem Schritt S300 verformt sich die Blende 110, 112, 212, 224, 302 durch das Einbringen der Wärme Q von der Ausgangsgeometrie Z1 in die Designgeometrie Z2. Das Verformen erfolgt auf- grund einer wärmebedingten Ausdehnung der Blende 110, 112, 212, 224, 302. Insbesondere kann in dem Schritt S200 in unterschiedliche Bereiche 330, 332 der Blende 110, 112, 212, 224, 302 unterschiedlich viel Wärme Q eingebracht werden. Ferner kann in dem Schritt S200 ein vorbestimmtes Heizleistungsver- hältnis der unterschiedlichen Bereiche 330, 332 eingestellt werden. Außerdem kann in dem Schritt S200 basierend auf Messignalen des Tempera- tursensors 334, des Photoelements 336 und/oder der Infrarotkamera 338 und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer opti- scher Elemente, insbesondere Spiegel 124, M1 bis M6, die an vergleichbarer Po- sition wie die Blende 110, 112, 212, 224, 302 in dem Strahlengang 114, 218 an- geordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende 110, 112, 212, 224, 302 bestimmt und die Heizeinrichtung 324 derart angesteuert werden, dass eine gewünschte Soll-Blendentemperaturverteilung der Blende 110, 112, 212, 224, 302 erzielt wird. Ferner kann in dem Schritt S200 mit Hilfe des Einbringens der Wärme Q eine Steuerung und/oder Regelung implementiert werden, die auch bei wechselnder Absorption von Beleuchtungsstrahlung 16 im Betrieb des optischen Systems 100, 200 eine Blendentemperatur der Blende 110, 112, 212, 224, 302 in einem Tempe- raturkorridor von 10 K, bevorzugt von 5 K, weiter bevorzugt von 2 K, hält. Hier- zu kann die Steuer- und Regeleinrichtung 340 Anwendung finden. Unter einem "Temperaturkorridor" ist vorliegend ein Toleranzfeld oder ein Toleranzbereich zu verstehen, in dem die Blendentemperatur gehalten wird. In dem Schritt S200 kann die Blendentemperatur als Strukturgrößenmanipula- tor anhand vorherbestimmter Sensitivitäten in ein Optimierverfahren des opti- schen Systems 100, 200 eingebunden und zur Verringerung einer aktuell gefer- tigten Strukturgröße von einem Sollwert zeitabhängig angepasst werden. Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrie- ben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar.
BEZUGSZEICHENLISTE 1 Projektionsbelichtungsanlage 2 Beleuchtungssystem 3 Lichtquelle 4 Beleuchtungsoptik 5 Objektfeld 6 Objektebene 7 Retikel 8 Retikelhalter 9 Retikelverlagerungsantrieb 10 Projektionsoptik 11 Bildfeld 12 Bildebene 13 Wafer 14 Waferhalter 15 Waferverlagerungsantrieb 16 Beleuchtungsstrahlung 17 Kollektor 18 Zwischenfokusebene 19 Umlenkspiegel 20 erster Facettenspiegel 21 erste Facette 22 zweiter Facettenspiegel 23 zweite Facette 100 optisches System 102 Objektebene 104 Pupillenebene 106 Feldebene 108 Nutzfeld 110 Blende/NA-Blende 112 Blende/Obskurationsblende 114 Strahlengang 116 Arbeitslicht 118 Blendenöffnung 120 lichtbestimmende Kante 122 lichtbestimmende Kante 124 Spiegel 126 Obskuration 200 optisches System 202 Objektebene 204 Pupillenebene 206 Zwischenbildebene 208 Feldebene 210 Nutzfeld 212 Blende/NA-Blende 214 Blendenöffnung 216 lichtbestimmende Kante 218 Strahlengang 220 Arbeitslicht 222 Einhausung 224 Blende/Falschlichtblende 226 Blendenöffnung 228 lichtbestimmende Kante 300 Blendenanordnung 302 Blende/Obskurationsblende 304 lichtbestimmende Kante 304' lichtbestimmende Kante 306 Halterung 308 Halterung 310 Halterung 312 Halterung 314 Vorderseite 316 Rückseite 318 Beschichtung 320 Element 322 Element 324 Heizeinrichtung 326 Heizstrahler 328 Heizstruktur 330 Bereich 332 Bereich 334 Temperatursensor 336 Photoelement 338 Infrarotkamera 340 Steuer- und Regeleinrichtung AP Austrittspupille AP1 Austrittspupille AP2 Zwischenbildpupille AP3 Zwischenbildpupille EP Eintrittspupille EP1 Eintrittspupille EP2 Eintrittspupille F Feldpunkt F1 Feldpunkt F2 Feldpunkt F3 Feldpunkt IR Infrarotstrahlung LR Lichtrichtung L1 Licht L2 Falschlicht M Mittelpunkt M1 Spiegel M2 Spiegel M3 Spiegel M4 Spiegel M5 Spiegel M6 Spiegel O Objektpunkt OV virtueller Objektpunkt P Punkt Q Wärme R Richtung S1 Lichtstrahl S2 Lichtstrahl S3 Lichtstrahl S4 Lichtstrahl S5 Lichtstrahl S6 Lichtstrahl S10 Lichtstrahl S20 Lichtstrahl S30 Lichtstrahl S40 Lichtstrahl S50 Lichtstrahl S60 Lichtstrahl S60' Lichtstrahl S60'' Lichtstrahl S100 Schritt S200 Schritt S300 Schritt V Richtungsvektor W Winkelraum W1 Winkelraum W2 Winkelraum W3 Winkelraum W4 Winkelraum W5 Winkelraum x x-Richtung y y-Richtung z z-Richtung Z1 Ausgangsgeometrie Z2 Designgeometrie ^ Öffnungswinkel ^max Öffnungswinkel φ Umfangswinkel

Claims

PATENTANSPRÜCHE 1. Optisches System (100, 200) für eine Projektionsbelichtungsanlage (1), aufweisend eine Blende (110, 112, 212, 224, 302), insbesondere eine Obskurationsblen- de (112, 302), eine Blende für die numerische Apertur (110, 212) oder eine Falschlichtblende (224), die zumindest abschnittsweise in einem Strahlengang (114, 218) des optischen Systems (100, 200) angeordnet ist, um den Strahlengang (114, 218) zumindest abschnittsweise abzuschatten, eine Heizeinrichtung (324) zum Einbringen von Wärme (Q) in die Blende (110, 112, 212, 224, 302), wobei die Blende (110, 112, 212, 224, 302) mit Hilfe des Einbringens der Wärme (Q) von einer Ausgangsgeometrie (Z1) in eine Designge- ometrie (Z2) verformbar ist, und einen Temperatursensor (334), ein Photoelement (336) und/oder eine Infra- rotkamera (338), wobei eine Steuer- und Regeleinrichtung (340) des optischen Systems (100, 200) dazu eingerichtet ist, basierend auf Messignalen des Tempe- ratursensors (334), des Photoelements (336) und/oder der Infrarotkamera (338) und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer opti- scher Elemente (124, M1 – M6), die an vergleichbarer Position wie die Blende (110, 112, 212, 224, 302) in dem Strahlengang (114, 218) angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) zu be- stimmen und die Heizeinrichtung (324) derart anzusteuern, dass eine Soll- Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) erzielbar ist.
2. Optisches System nach Anspruch 1, wobei die Heizeinrichtung (324) einen Heizstrahler (326) zum Bestrahlen der Blende (110, 112, 212, 224, 302) mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit Infrarotstrahlung (IR), auf- weist.
3. Optisches System nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Heizeinrichtung (324) eine an der Blende (110, 112, 212, 224, 302) angebrachte Heizstruktur (328) aufweist.
4. Optisches System nach Anspruch 3, wobei eine Stromversorgung der Heiz- struktur (328) über Halterungen (306, 308, 310, 312) der Blende (110, 112, 212, 224, 302) erfolgt.
5. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 – 4, wobei die Heizeinrich- tung (324) dazu eingerichtet ist, in unterschiedliche Bereiche (330, 332) der Blende (110, 112, 212, 224, 302) unterschiedlich viel Wärme (Q) einzubringen.
6. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 – 5, wobei die Messignale des Temperatursensors (334) und/oder des Photoelements (336) über Halterun- gen (306, 308, 310, 312) der Blende (110, 112, 212, 224, 302) übertragbar sind, und/oder wobei die Messignale des Temperatursensors (334) und/oder des Photo- elements (336) drahtlos übertragbar sind.
7. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 – 6, wobei die Blende (110, 112, 212, 224, 302) eine lichtabsorbierende Beschichtung (318) aufweist.
8. Projektionsbelichtungsanlage (1) mit einem optischen System nach einem der Ansprüche 1 – 7.
9. Verfahren zum Betreiben eines optischen Systems (100, 200) für eine Pro- jektionsbelichtungsanlage (1), mit den Schritten: a) Bereitstellen (S100) einer Blende (110, 112, 212, 224, 302), insbesondere einer Obskurationsblende (112, 302), einer Blende für die numerische Apertur (110, 212) oder einer Falschlichtblende (224), die zumindest abschnittsweise in einem Strahlengang (114, 218) des optischen Systems (100, 200) angeordnet ist, so dass der Strahlengang (114, 218) von der Blende (110, 112, 212, 224, 302) zu- mindest abschnittsweise abgeschattet wird, b) Einbringen (S200) von Wärme (Q) in die Blende (110, 112, 212, 224, 302) mit Hilfe einer Heizeinrichtung (324), und c) Verformen (S300) der Blende (110, 112, 212, 224, 302) mit Hilfe der Wärme (Q) von einer Ausgangsgeometrie (Z1) in eine Designgeometrie (Z2), wobei in dem Schritt b) basierend auf Messignalen eines Temperatur- sensors (334), eines Photoelements (336) und/oder einer Infrarotkamera (338) und/oder auf Informationen betreffend eine Temperaturverteilung weiterer opti- scher Elemente (124, M1 – M6), die an vergleichbarer Position wie die Blende (110, 112, 212, 224, 302) in dem Strahlengang (114, 218) angeordnet sind, eine lokale Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) be- stimmt und die Heizeinrichtung (324) derart angesteuert wird, dass eine Soll- Blendentemperaturverteilung der Blende (110, 112, 212, 224, 302) erzielt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei in dem Schritt b) in unterschiedliche Bereiche (330, 332) der Blende (110, 112, 212, 224, 302) unterschiedlich viel Wärme (Q) eingebracht wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei in dem Schritt b) ein vorbestimmtes Heizleistungsverhältnis der unterschiedlichen Bereiche (330, 332) eingestellt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 – 11, wobei in dem Schritt b) mit Hilfe des Einbringens der Wärme (Q) eine Steuerung und/oder Regelung imple- mentiert wird, die auch bei wechselnder Absorption von Beleuchtungsstrahlung (16) im Betrieb des optischen Systems (100, 200) eine Blendentemperatur der Blende (110, 112, 212, 224, 302) in einem Temperaturkorridor von 10 K, bevor- zugt von 5 K, weiter bevorzugt von 2 K, hält.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei in dem Schritt b) die Blendentempera- tur als Strukturgrößenmanipulator anhand vorherbestimmter Sensitivitäten in ein Optimierverfahren des optischen Systems (100, 200) eingebunden und zur Verringerung der Abweichung einer aktuell gefertigten Strukturgröße von einem Sollwert zeitabhängig angepasst wird.
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