WO2022264635A1 - 電子部品 - Google Patents

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WO2022264635A1
WO2022264635A1 PCT/JP2022/015951 JP2022015951W WO2022264635A1 WO 2022264635 A1 WO2022264635 A1 WO 2022264635A1 JP 2022015951 W JP2022015951 W JP 2022015951W WO 2022264635 A1 WO2022264635 A1 WO 2022264635A1
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insulating film
electronic component
potassium
crack
element body
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知也 大島
悠太 星野
耕市 山田
美希 佐々木
博信 久保田
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Definitions

  • the present invention relates to electronic components.
  • the electronic component described in Patent Document 1 includes a base body and an insulating film covering the outer surface of the base body.
  • the insulating film is made of glass.
  • the method for manufacturing an electronic component described in Patent Document 1 includes a chamfering process, a coating process, and a curing process.
  • the coating process the body formed by the chamfering process is sprayed with glass slurry composed of glass powder, binder resin and solvent. After that, in the curing step, the coated glass coating is dried to form an insulating film.
  • cracks may be formed on the outer surface of the element due to the chamfering process. If cracks are present in the element, the cracks may develop and crack the element when the electronic component is subjected to an external impact.
  • the present invention includes a base body having an outer surface including a flat surface, and an insulating film covering the outer surface, the base body having a crack opening to the outer surface, In a cross-sectional view orthogonal to the plane, the crack has a first portion extending from the opening to cross an orthogonal axis orthogonal to the plane, and a portion of the insulating film is the first portion. It is an electronic component that has entered the internal space.
  • the impact when an impact is applied to the electronic component from the outside, the impact is received by the insulating film existing in the internal space of the first portion. Therefore, the impact from the outside is suppressed from acting in a concentrated manner on the tip of the crack, and the propagation of the crack can be prevented.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line 3-3 of FIG. 2;
  • FIG. 3 is an enlarged view of a cross section taken along line 4-4 of FIG. 2;
  • Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component.
  • Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component.
  • Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component Explanatory drawing explaining the manufacturing method of an electronic component.
  • 4 is a table showing comparison results of electronic components between Examples and Comparative Examples;
  • the electronic component 10 is, for example, a surface mount type negative characteristic thermistor component mounted on a circuit board or the like. Negative characteristic thermistor components have the characteristic that the resistance value decreases as the temperature rises.
  • the electronic component 10 includes a base body 20.
  • the element body 20 has a substantially quadrangular prism shape and has a central axis CA. Note that the axis extending along the central axis CA is referred to as a first axis X hereinafter.
  • One of the axes perpendicular to the first axis X is defined as a second axis Y.
  • An axis orthogonal to the first axis X and the second axis Y is defined as a third axis Z. As shown in FIG.
  • One of the directions along the first axis X is defined as a first positive direction X1, and the direction opposite to the first positive direction X1 among the directions along the first axis X is defined as a first negative direction X2.
  • One of the directions along the second axis Y is defined as a second positive direction Y1, and the direction opposite to the second positive direction Y1 among the directions along the second axis Y is defined as a second negative direction Y2.
  • one of the directions along the third axis Z is defined as a third positive direction Z1, and the direction opposite to the third positive direction Z1 among the directions along the third axis Z is defined as a third negative direction Z2.
  • the outer surface 21 of the base body 20 has six planar planes 22 .
  • the term "surface" of the base body 20 as used herein refers to a surface that can be observed when the entire base body 20 is observed. In other words, for example, even if there are minute irregularities or steps that cannot be recognized unless a part of the element body 20 is enlarged and observed with a microscope or the like, it is expressed as a flat surface or a curved surface.
  • the six planes 22 extend in different directions.
  • the six planes 22 are roughly divided into a first end face 22A facing the first positive direction X1, a second end face 22B facing the first negative direction X2, and four side faces 22C.
  • the four side surfaces 22C are a surface facing the third positive direction Z1, a surface facing the third negative direction Z2, a surface facing the second positive direction Y1, and a surface facing the second negative direction Y2. .
  • Boundary surface 23 includes a curved surface that exists on the boundary between adjacent flat surfaces 22 . That is, the boundary surface 23 includes a curved surface formed by, for example, rounding the corners forming the adjacent flat surfaces 22 .
  • the outer surface 21 of the base body 20 has eight spherical corner surfaces 24 .
  • a corner surface 24 is a boundary portion between three adjacent planes 22 .
  • the corner surface 24 includes curved surfaces where the three boundary surfaces 23 meet. That is, the corner surface 24 includes, for example, a curved surface formed by R chamfering the corner formed by the three adjacent flat surfaces 22 .
  • the surface of the insulating film 50 which will be described later, is identified with the outer surface 21 of the element body 20, and is given reference numerals.
  • the dimension along the first axis X of the element body 20 is larger than the dimension along the third axis Z.
  • the dimension in the direction along the first axis X of the element body 20 is larger than the dimension in the direction along the second axis Y.
  • the material of the element body 20 is ceramics obtained by firing a metal oxide containing at least one of Mn, Fe, Ni, Co, Ti, Ba, Al, and Zn.
  • the electronic component 10 has two first internal electrodes 41 and two second internal electrodes 42 .
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are embedded inside the element body 20 .
  • the material of the first internal electrode 41 is a conductive material.
  • the material of the first internal electrode 41 is palladium.
  • the material of the second internal electrode 42 is the same as the material of the first internal electrode 41 .
  • the shape of the first internal electrode 41 is a rectangular plate.
  • the main surface of the first internal electrode 41 is perpendicular to the second Y axis.
  • the shape of the second internal electrode 42 is the same rectangular plate shape as the first internal electrode 41 .
  • the main surface of the second internal electrode 42 is perpendicular to the second axis Y, like the first internal electrode 41 .
  • the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the first axis X is smaller than the dimension in the direction along the first axis X of the element body 20 . Further, as shown in FIG. 1, the dimension of the first internal electrode 41 in the direction along the third axis Z is approximately two thirds of the dimension in the direction along the third axis Z of the element body 20 .
  • the dimensions in each direction of the second internal electrodes 42 are the same as the dimensions of the first internal electrodes 41 .
  • the first internal electrodes 41 and the second internal electrodes 42 are alternately positioned in the direction along the second Y axis. That is, the first internal electrode 41, the second internal electrode 42, the first internal electrode 41, and the second internal electrode 42 are arranged in this order from the side surface 22C facing the second positive direction Y1 to the second negative direction Y2. In this embodiment, the distances along the second axis Y between the internal electrodes are equal.
  • both the two first internal electrodes 41 and the two second internal electrodes 42 are positioned at the center of the element body 20 in the direction along the third axis Z.
  • the first internal electrodes 41 are positioned closer to the first positive direction X1.
  • the second internal electrode 42 is positioned closer to the first negative direction X2.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side coincides with the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the end of the first internal electrode 41 on the first negative direction X2 side is positioned inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side coincides with the end of the element body 20 on the first negative direction X2 side.
  • the end of the second internal electrode 42 on the first positive direction X1 side is located inside the element body 20 and does not reach the end of the element body 20 on the first positive direction X1 side.
  • the electronic component 10 has an insulating film 50 .
  • the insulating film 50 covers the outer surface 21 of the element body 20 .
  • the insulating film 50 covers the entire outer surface 21 of the element body 20 .
  • the material of the insulating film 50 is an insulating substance.
  • the material of the insulating film 50 is glass. In this embodiment, the glass consists of silicon dioxide.
  • the electronic component 10 includes first external electrodes 61 and second external electrodes 62 .
  • the first external electrode 61 has a first base electrode 61A and a first metal layer 61B.
  • the first base electrode 61A is laminated on the insulating film 50 in a portion of the outer surface 21 of the base body 20 including the first end surface 22A.
  • the first base electrode 61A is a five-sided electrode that covers the first end face 22A of the base body 20 and part of the four side faces 22C on the first positive direction X1 side.
  • the materials of the first base electrode 61A are silver and glass.
  • the first metal layer 61B covers the first base electrode 61A from the outside. Therefore, the first metal layer 61B is stacked on the first base electrode 61A. Specifically, the first metal layer 61B has a two-layer structure of nickel plating and tin plating.
  • the second external electrode 62 has a second base electrode 62A and a second metal layer 62B.
  • the second base electrode 62A is laminated from above the insulating film 50 on a portion of the outer surface 21 of the base body 20 including the second end surface 22B.
  • the second base electrode 62A is a five-sided electrode that covers the second end face 22B of the base body 20 and part of the four side faces 22C on the first negative direction X2 side.
  • the material of the second base electrode 62A is the same as the material of the first external electrode 61, which is silver and glass.
  • the second metal layer 62B covers the second base electrode 62A from the outside. Therefore, the second metal layer 62B is stacked on the second base electrode 62A. Specifically, like the first metal layer 61B, the second metal layer 62B has a two-layer structure of nickel plating and tin plating.
  • the second external electrode 62 does not reach the first external electrode 61 on the side surface 22C, and is arranged away from the first external electrode 61 in the direction along the first axis X.
  • the first external electrode 61 and the second external electrode 62 are not laminated on the central portion in the direction along the first axis X, and the insulating film 50 is exposed. 1 to 3, the first external electrode 61 and the second external electrode 62 are illustrated by two-dot chain lines.
  • the first external electrode 61 and the end of the first internal electrode 41 on the first positive direction X1 side are connected via a first penetrating portion 71 penetrating through the insulating film 50 .
  • the first penetrating portion 71 is formed by extending the palladium forming the first internal electrode 41 toward the first external electrode 61 during the manufacturing process of the electronic component 10 .
  • the second external electrode 62 and the end of the second internal electrode 42 on the first negative direction X2 side are connected via a second penetrating portion 72 penetrating through the insulating film 50 .
  • the second through portion 72 is also formed by extending the palladium constituting the first internal electrode 41 toward the second external electrode 62 during the manufacturing process of the electronic component 10 .
  • FIG. 3 illustrates the first internal electrode 41 and the first through portion 71 as separate members having a boundary, there is actually no clear boundary between them. In this regard, the same applies to the second through portion 72 . 1 and 2, illustration of the first through portion 71 is omitted.
  • the base body 20 has cracks 26 .
  • Crack 26 has an opening 27 that opens to outer surface 21 .
  • the tip of the crack 26 is positioned inside the element body 20 .
  • the cross section CS shown in FIG. 4 is parallel to both the second Y axis and the third Z axis.
  • FIG. 4 shows an enlarged view of a portion of the cross section CS including the side surface 22C facing the third positive direction Z1. Therefore, the cross section CS is orthogonal to the planar side surface 22C of the outer surface 21 facing the third positive direction Z1. Further, an orthogonal axis orthogonal to the side surface 22C facing the third positive direction Z1 is parallel to the third axis Z.
  • the cross-section CS shown in FIG. 4 is a cross-sectional view perpendicular to the side surface 22C.
  • the outer surface 21 of the base body 20 has fine unevenness. Therefore, as shown in FIG. 4, the side surface 22C also has fine unevenness. However, each side surface 22C of the outer surface 21 extends in parallel with the central axis CA even if it has minute irregularities that cannot be confirmed unless observed with a microscope or the like.
  • crack 26 has first portion 26A including opening 27 .
  • the crack 26 consists only of the first portion 26A.
  • the straight line passing through the center of the opening 27 and the tip of the crack 26 is defined as the growth axis AX.
  • the direction in which the first portion 26A extends is the direction from the opening 27 to the tip of the first portion 26A on the extension axis AX.
  • the extension axis AX along the direction in which the first portion 26A extends extends in a direction that intersects the third axis Z, which is an orthogonal axis.
  • an acute angle C of angles formed by the extension axis AX and the second axis Y which is an axis along the direction in which the side surface 22C extends, is less than 45 degrees.
  • the acute angle C of the angle formed by the progression axis AX and the first axis X is less than 15 degrees. Therefore, the crack 26 extends substantially parallel to the side surface 22C.
  • the width dimension of the first portion 26A is maximum at the opening 27.
  • the maximum value WM of the width dimension of the first portion 26A is less than twice the film thickness, which is the average value of the thickness dimension of the insulating film 50 in the direction perpendicular to the outer surface 21 .
  • the width dimension of the first portion 26A is the length of the shortest line segment that can be drawn from an arbitrary point on the inner wall of the first portion 26A to the opposite inner wall on the cross section CS.
  • the film thickness, which is the average value of the thickness dimension of the insulating film 50 in the direction perpendicular to the outer surface 21, is the average value of the three measured thickness dimensions of the insulating film 50 in the cross section CS. .
  • a portion of the insulating film 50 enters the internal space of the first portion 26A. Further, part of the insulating film 50 fills the internal space of the crack 26 . That a part of the insulating film 50 fills the internal space of the crack 26 means that the porosity of the internal space of the crack 26 is 10% or less in the cross section CS.
  • the porosity is calculated, for example, by creating an image of the cross section CS showing mapping data of the glass component, which is the main component of the insulating film 50 , and the main component of the element body 20 .
  • an electron microscope SEM
  • an EDX image showing the EDX mapping data of the main component of the element body 20 and an EDX image showing the EDX mapping data of the main component of the glass are obtained for the portion of the cross section CS where the crack 26 exists.
  • a field emission transmission electron microscope FE-TEM
  • JEOL JEM-F200 manufactured by JEOL Ltd. and an analysis system Norman system 7 manufactured by Thermo Fisher Scientific were used.
  • each acquired EDX image is taken out as a CSV file.
  • the numerical data contained in the CSV file is matrix-like numerical data.
  • the matrix-like numerical data is, for example, matrix-like numerical data of 256 rows ⁇ 256 columns. Each of such numerical data corresponds to the intensity in each of the small sections obtained by dividing the range of the EDX image into 256 in the vertical direction and 256 in the horizontal direction. It should be noted that if the matrix-like numerical data is output in the form of spreadsheet software, for example, the processing of the subsequent procedures is facilitated.
  • the maximum value of the numerical data included in the CSV file is determined, and using the maximum value, a value obtained by dividing 100 by the maximum value so that the maximum value becomes 100 is calculated as a coefficient. All numerical data in the CSV file are multiplied by the calculated coefficient. As a result, all numerical data can be normalized so that the maximum value of the numerical data is 100.
  • a location where the strength of the main component of the glass in the range of the crack 26 is 10 or more is selected.
  • the range of this selected location is the range filled with glass.
  • the number of pixels where the strength of the main component of the glass is less than 10 within the range of the cracks 26 is calculated.
  • the porosity is calculated by dividing the number of pixels where the strength of the main component of the glass is less than 10 by the number of pixels within the range of the cracks 26 . It is said that part of the insulating film 50 fills the internal space of the crack 26 when the porosity calculated in this way is 10% or less.
  • the electronic component 10 having an average value of 100 nm in the thickness direction of the insulating film 50 was evaluated for the presence or absence of breakage by the impact test.
  • the impact test is a test in which a predetermined constant impact is applied to electronic component 10 .
  • the method for manufacturing the electronic component 10 includes a laminate preparation step S11, an R chamfering step S12, a solvent charging step S13, a catalyst charging step S14, an element charging step S15, and a polymer charging step S15.
  • a step S16 and a metal alkoxide introduction step S17 are provided.
  • the method for manufacturing the electronic component 10 further includes a film forming step S18, a drying step S19, a conductor coating step S20, a curing step S21, and a plating step S22.
  • a layered body that is the element body 20 without the boundary surface 23 and the corner surface 24 is prepared. That is, the laminated body is in a state before R-chamfering and has a rectangular parallelepiped shape having six planes 22 .
  • a plurality of ceramic sheets to be the element body 20 are prepared. The sheet is a thin plate. A conductive paste to be the first internal electrodes 41 is laminated on the sheet. A ceramic sheet to be the element body 20 is laminated on the lamination paste. A conductive paste that becomes the second internal electrode 42 is laminated on the sheet. Thus, the ceramic sheet and the conductive paste are laminated. Then, by cutting into a predetermined size, an unfired laminate is formed. After that, the laminate is prepared by baking the unbaked laminate at a high temperature.
  • the R chamfering process S12 is performed.
  • the boundary surface 23 and the corner surface 24 are formed in the laminate prepared in the laminate preparation step S11.
  • the corners of the laminated body are chamfered by barrel polishing to form a boundary surface 23 having a curved surface and a corner surface 24 having a curved surface.
  • the element body 20 is formed.
  • cracks 26 are formed in the element body 20 due to the impact caused by the barrel polishing.
  • solvent injection step S13 is performed.
  • 2-propanol is charged as a solvent 82 into the reaction vessel 81.
  • a catalyst charging step S14 is performed.
  • stirring of the solvent 82 in the reaction vessel 81 is first started.
  • ammonia water is put into the reaction vessel 81 as an aqueous solution 83 containing a catalyst.
  • the catalyst in this embodiment is hydroxide ions, and functions as a catalyst that promotes hydrolysis of metal alkoxide 85, which will be described later.
  • the element loading step S15 is performed. As shown in FIG. 8, in the element loading step S15, a plurality of elements 20 formed in advance in the R-chamfering step S12 as described above are loaded into the reaction vessel 81 .
  • the polymer charging step S16 is performed.
  • polyvinylpyrrolidone is charged as the polymer 84 into the reaction vessel 81 .
  • the polymer 84 put into the reaction vessel 81 is adsorbed on the outer surface 21 of the element body 20 .
  • a metal alkoxide introduction step S17 is performed.
  • liquid tetraethyl orthosilicate is charged into the reaction vessel 81 as the metal alkoxide 85 .
  • Tetraethyl orthotetrasilicate is sometimes called tetraethoxysilane.
  • the amount of the metal alkoxide 85 to be introduced in the metal alkoxide introduction step S17 is calculated based on the area of the outer surface 21 of the element 20 introduced in the element introduction step S15. Specifically, it is calculated by multiplying the amount of metal alkoxide 85 per element body 20 necessary for forming the insulating film 50 covering the outer surface 21 of the element body 20 by the number of element bodies 20 . .
  • a film forming step S18 is performed.
  • stirring of the solvent 82 started in the solvent charging step S13 is continued for a predetermined time after the metal alkoxide 85 is charged into the reaction vessel 81 in the metal alkoxide charging step S17.
  • the insulating film 50 is formed by a liquid phase reaction within the reaction vessel 81.
  • the metal alkoxide 85 and the like contained in the solvent 82 flow into the internal space of the crack 26 because they are in the liquid phase.
  • the insulating film 50 is also formed on the inner wall of the crack 26 by the liquid phase reaction.
  • the drying step S19 is performed.
  • the element body 20 is taken out from the reaction vessel 81 and dried.
  • the sol-like insulating film 50 is dried and turned into a gel-like insulating film 50 .
  • the element body is formed by the solvent charging step S13, the catalyst charging step S14, the element charging step S15, the polymer charging step S16, the metal alkoxide charging step S17, and the film forming step S18.
  • a film forming method for forming an insulating film 50 on 20 is configured.
  • the conductor coating step S20 is performed.
  • two portions of the surface of the insulating film 50 one including the portion covering the first end surface 22A of the element body 20 and the other including the portion covering the second end surface 22B of the element body 20, are coated.
  • Apply conductive paste to Specifically, the conductive paste is applied so as to cover the insulating film 50 on the entire first end face 22A and part of the four side faces 22C. Also, the conductive paste is applied so as to cover the insulating film 50 on the entire second end face 22B and part of the four side faces 22C.
  • the curing step S21 is performed. Specifically, in the curing step S21, the insulating film 50 and the element body 20 coated with the conductor paste are heated. As a result, the water and the polymer 84 are vaporized from the gel-like insulating film 50, thereby baking and hardening the insulating film 50 covering the outer surface 21 of the element body 20, as shown in FIG. At the same time, the first base electrode 61A and the second base electrode 62A are formed by baking the conductor paste applied in the conductor applying step S20. In this manner, the base electrode forming process is composed of the conductor coating process S20 and the curing process S21. That is, in the present embodiment, the curing step S21 serves not only as a step of curing the insulating film 50 but also as part of the underlying electrode forming step.
  • the first base electrode 61A containing silver The palladium contained on the first internal electrode 41 side is attracted.
  • the first penetrating portion 71 extends through the insulating film 50 from the first internal electrode 41 toward the first base electrode 61A, thereby connecting the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A.
  • the plating step S22 is performed. Electroplating is performed on the portions of the first base electrode 61A and the second base electrode 62A. Thereby, the first metal layer 61B is formed on the surface of the first base electrode 61A. A second metal layer 62B is formed on the surface of the second base electrode 62A. Although not shown, the first metal layer 61B and the second metal layer 62B are electroplated with two kinds of nickel and tin to form a two-layer structure. Thus, the electronic component 10 is formed.
  • the molecular weight of polyvinylpyrrolidone used as the polymer 84 is 45,000.
  • the polyvinylpyrrolidone used as the polymer 84 has a molecular weight of 1,200,000.
  • the electronic component of the comparative example did not use the polymer 84 and was manufactured without the polymer introduction step S16.
  • the electronic component 10 of Examples 1 and 2 and the electronic component of the comparative example were manufactured using the same amount of metal alkoxide 85 .
  • the film thickness of the insulating film 50 was measured for the electronic components 10 of Examples 1 and 2 and the electronic component of the comparative example.
  • the film thickness of the insulating film 50 was measured at a cross section CS passing through the center of the base body 20 in the direction along the first axis X and perpendicular to the central axis CA. In the cross section CS shown in FIG. film thickness.
  • the film thickness of the insulating film 50 was 35 nm. In the electronic component 10 of Example 2, the film thickness of the insulating film 50 was 100 nm. In the electronic component of the comparative example, the film thickness of the insulating film 50 was 120 nm.
  • the particle size of the glass particles present on the surface of the insulating film 50 was measured for the electronic components 10 of Examples 1 and 2 and the electronic component of the comparative example.
  • the grain size is the size of glass grains that are present on the surface of the insulating film 50 at a certain rate or more.
  • the surface of the portion of the side surface 22C not covered with the first external electrode 61 and the second external electrode 62 was observed with an electron microscope. Then, the average value of the diameters of the particles was calculated, excluding large particles in which a plurality of particles present in very small numbers were gathered in the observed range.
  • the particle size was 126 nm. In the electronic component 10 of Example 2, the particle size was 193 nm. In the electronic component of the comparative example, the particle size was 311 nm.
  • Plating resistance is a property that prevents the base body 20 from dissolving in a plating solution.
  • the plating solution is used when forming the first external electrode 61 and the second external electrode 62 .
  • an evaluation sample was obtained by forming the insulating film 50 and the first base electrode 61A and the second base electrode 62A on the element body 20 .
  • the evaluation sample is plated with nickel. At least two adjacent outer surfaces 21 of the nickel-plated evaluation sample are photographed under ring illumination.
  • the area ratio of the portion where the element body is eluted is measured on each surface by image processing, and the average value is calculated.
  • E Excellent
  • G Good
  • B Bad
  • the plating resistance was G (Good). In the electronic component 10 of Example 2, the plating resistance was E (Excellent). In the electronic component of the comparative example, the plating resistance was B (Bad).
  • the glass particles grow relatively quickly and the particle size increases. Then, it is considered that the film thickness of the insulating film 50 is increased because the glass particles having a large particle size successively adhere to the surface of the element body 20 .
  • the electronic component 10 of Example 1 when comparing the difference in molecular weight of the polymer 84, when the molecular weight of the polymer 84 is small, the polymer 84 is densely packed in the same size space as compared to when the molecular weight is large. Therefore, it is considered that the growth of the glass particles was more likely to be inhibited. As a result, the electronic component 10 of Example 1, in which the polymer 84 has a small molecular weight, has a smaller particle size and a smaller film thickness than the electronic component 10 of Example 2.
  • the particle size of the glass particles is the same, the larger the film thickness, the more likely the plating resistance will be secured. discovered to be This is because when the particle size is excessively large, when an impact from the outside of the element body 20 is applied to the vicinity of the particles of glass having a large particle size, the particles move the neighboring insulating film 50 from the outer surface 21 of the element body 20 . It is thought that it may be peeled off. Therefore, the electronic component 10 of Example 2, in which the particle size is appropriately suppressed and the film thickness is increased, is preferable from the viewpoint of plating resistance.
  • the acute angle C among the angles formed by the side surface 22C and the extension axis AX along the direction in which the first portion 26A extends is less than 15 degrees. Therefore, part of the insulating film 50 enters the first portion 26A of the crack 26 extending in a direction that tends to cause partial peeling of the element body 20 . Therefore, it is possible to suitably suppress partial peeling of the base body 20 due to the progress of the crack 26 .
  • the maximum value WM of the width dimension of the first portion 26A is twice or less the average value of the thickness direction of the insulating film 50 in the direction perpendicular to the side surface 22C. . Therefore, the film thickness of the insulating film 50 is sufficiently large with respect to the width dimension of the first portion 26A of the crack 26 . That is, the insulating film 50 has a sufficient amount to fill the internal space of the crack 26 . Therefore, it is easy to secure the amount of the insulating film 50 entering the internal space of the crack 26 .
  • the material of the element body 20 is ceramics. Therefore, cracks 26 are likely to occur in the element body 20 during the manufacturing process. As a result, the insulation film 50 enters the inner space of the crack 26, and the effect of suppressing chipping or the like of the element body 20 can be obtained remarkably.
  • the metal alkoxide 85 and the like contained in the solvent 82 flow into the crack 26 in liquid phase. Therefore, the insulating film 50 can be formed inside the cracks 26 in the film forming step S18 without adjusting the spray direction of the glass slurry or controlling the particle size of the glass slurry in the manufacturing process.
  • the electronic component 10 is not limited to the negative characteristic thermistor component.
  • it may be a thermistor component with a non-negative characteristic, a multilayer capacitor component, or an inductor component.
  • the material of the element body 20 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the material of the base body 20 may be a composite of resin and metal powder.
  • the shape of the base body 20 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the base body 20 may have a polygonal columnar shape other than a quadrangular columnar shape having the central axis CA.
  • the element body 20 may be the core of a wire-wound inductor component.
  • the core may be in the shape of a so-called drum core.
  • the core may have a columnar winding core and flanges provided at each end of the winding core.
  • the outer surface 21 of the base body 20 may not have a corner surface 24 including a curved surface.
  • a corner surface 24 including a curved surface may not exist at the location where three such boundaries intersect.
  • the crack 26 may have other portions in addition to the first portion 26A.
  • the crack 26 has, in the cross section CS, a first portion 26A extending across the orthogonal third axis Z, and a crack connecting to the first portion 26A and extending in a direction different from the first portion 26A. and a second portion extending therealong.
  • the second portion may extend along the third axis Z, which is an orthogonal axis.
  • an axis of progression AX passing through the center of the opening 27 of the crack 26 and an arbitrary point of the crack 26 is drawn. Then, while gradually moving an arbitrary point of the crack 26 away from the opening 27, the propagation axis AX is similarly drawn. In this way, a large number of propagation axes AX are drawn, and the point of the crack 26 when the propagation axis AX is parallel to the second axis Y is first determined as a specific point.
  • the first portion 26A of the crack 26 extends from the center of the opening 27 of the crack 26 to the specific point (but not including the specific point).
  • the first portion 26A is the portion up to the portion positioned directly below the opening 27 of the crack 26 in the direction along the second axis Y, excluding the specific point. If the extension axis AX is not parallel to the second axis Y even if the arbitrary point is moved to the tip of the crack 26, the crack 26 as a whole is the first portion 26A as in the above embodiment. be.
  • the acute angle C among the angles formed by the side surface 22C and the progression axis AX may be 15 degrees or more. If the acute angle C is less than 45 degrees, it is difficult for the glass slurry to enter the cracks 26 in a manufacturing method in which the insulating film 50 is formed by spraying glass slurry. In this regard, the manufacturing method of the above-described embodiment is more preferable because the reaction progresses in the first portion 26A of the crack 26 and the insulating film 50 is formed. Further, even if the acute angle C is 45 degrees or more, part of the insulating film 50 enters the cracks 26, so that the element body 20 is less likely to be damaged.
  • the maximum value WM of the width dimension of the first portion 26A may be larger than twice the average value of the insulating film 50 in the thickness direction. At least a part of the insulating film 50 needs to enter the first portion 26A.
  • the width dimension of the first portion 26A may be maximum outside the opening 27 . That is, the maximum value WM of the width dimension of the first portion 26A may be the width dimension of a portion other than the opening 27.
  • first internal electrode 41 and the second internal electrode 42 does not matter as long as it can ensure electrical continuity with the corresponding first external electrode 61 and second external electrode 62 .
  • the number of first internal electrodes 41 and second internal electrodes 42 is not limited, and the number of first internal electrodes 41 may be one, or three or more.
  • the configuration of the first external electrode 61 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be composed of only the first base electrode 61A, and the first metal layer 61B may not have a two-layer structure.
  • the insulating film 50 covers the entire outer surface 21 of the element 20, thereby suppressing dissolution of the element 20 in the plating solution. effect is obtained.
  • the combination of materials for the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A is not limited to the combination of palladium and silver.
  • it may be a combination of copper and nickel, copper and silver, silver and gold, nickel and cobalt, or nickel and gold.
  • one may be silver and the other may be a combination of silver and palladium.
  • one may be palladium and the other may be a combination of silver and palladium, or one may be copper and the other may be a combination of silver and palladium.
  • one may be gold and the other may be a combination of silver and palladium.
  • the Kirkendall effect may not be obtained depending on the combination of the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A.
  • part of the insulating film 50 is physically removed by polishing the first end face 22A side of the element body 20, for example, so that the first internal electrode 41 is exposed. do it.
  • the first internal electrode 41 and the first base electrode 61A can be connected.
  • the insulating film 50 may be formed including the surface of the first base electrode 61A, and the insulating film 50 covering the surface of the first base electrode 61A may be removed.
  • the arrangement location of the first external electrode 61 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the first external electrode 61 may be arranged only on the first end surface 22A and one side surface 22C. In this regard, the same applies to the second external electrode 62 as well.
  • the insulating film 50 does not have to cover the entire area of the outer surface 21 of the element body 20 . That is, a portion of the outer surface 21 of the element body 20 may be exposed from the insulating film 50 .
  • the range covered by the insulating film 50 may be appropriately changed according to the shape of the element body 20, the positions of the first external electrode 61 and the second external electrode 62, and the like.
  • the glass in the insulating film 50 may be integrated with the glass in the first base electrode 61A by diffusing.
  • the material of the insulating film 50 is not limited to the example of the above embodiment.
  • the glass is not limited to silicon dioxide, and may be a multi-component oxide containing Si, such as B—Si, Si—Zn, Zr—Si, or Al—Si oxides. good too.
  • the glass may also be a multi-component oxide containing alkali metals and Si, such as Al—Si, Na—Si, K—Si, and Li—Si oxides.
  • the glass may be a multicomponent oxide containing alkaline earth metals and Si such as Mg--Si, Ca--Si, Ba--Si and Sr--Si.
  • the glass may be Si-free or a mixture thereof.
  • the material of the insulating film 50 may contain a pigment, a silicone-based flame retardant, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, or other surface treatment agent or antistatic agent.
  • the insulating film 50 may contain additives such as organic acid salts, oxides, inorganic salts, organic salts, fine particles of other metal oxides, and nanoparticles.
  • organic acid salts include oxoacid salts such as soda ash, sodium carbonate, sodium hydrogen carbonate, sodium percarbonate, sodium sulfite, sodium hydrogen sulfite, sodium sulfate, sodium thiosulfate, sodium nitrate, sodium sulfite, and sodium fluoride. , sodium chloride, sodium bromide, and sodium iodide.
  • oxides include sodium peroxide
  • hydroxides include sodium hydroxide
  • Inorganic salts include, for example, sodium hydride, sodium sulfide, sodium hydrogen sulfide, sodium silicate, trisodium phosphate, sodium borate, sodium borohydride, sodium cyanide, sodium cyanate, sodium tetrachloroaurate. .
  • inorganic salts include calcium peroxide, calcium hydroxide, calcium fluoride, calcium chloride, calcium bromide, calcium iodide, calcium hydride, calcium carbide, and calcium phosphide.
  • Additives include calcium carbonate, calcium hydrogen carbonate, calcium nitrate, calcium sulfate, calcium sulfite, calcium silicate, calcium phosphate, calcium pyrophosphate, calcium hypochlorite, calcium chlorate, calcium perchlorate, and calcium bromate. , calcium iodate, calcium arsenite, calcium chromate, calcium tungstate, calcium molybdate, calcium magnesium carbonate, hydroxyapatite.
  • Additives include calcium acetate, calcium gluconate, calcium citrate, calcium malate, calcium lactate, calcium benzoate, calcium stearate, and calcium aspartate.
  • additives include lithium carbonate, lithium chloride, lithium titanate, lithium nitride, lithium peroxide, lithium citrate, lithium fluoride, lithium hexafluorophosphate, lithium acetate, lithium iodide, lithium hypochlorite. , lithium tetraborate, lithium bromide, lithium nitrate, lithium hydroxide, lithium aluminum hydride, lithium triethylborohydride, lithium hydride, lithium amide, lithium imide, lithium diisopropylamide, lithium tetramethylpiperidide, sulfide It may be lithium, lithium sulfate, lithium thiophenolate, lithium phenoxide.
  • the additive may be boron triiodide, sodium cyanoborohydride, sodium borohydride, tetrafluoroboric acid, triethylborane, borax, and boric acid.
  • the additive is potassium arsenide, potassium bromide, potassium carbide, potassium chloride, potassium fluoride, potassium hydride, potassium iodide, potassium triiodide, potassium azide, potassium nitride, potassium superoxide, ozone Potassium chloride, potassium peroxide, potassium phosphide, potassium sulfide, potassium selenide, potassium telluride, potassium tetrafluoroaluminate, potassium tetrafluoroborate, potassium tetrahydroborate, potassium methanide, potassium cyanide, potassium formate, fluoride Potassium hydrogen, te, potassium rayodomercuric acid (II), potassium hydrogen sulfide, potassium octachlorodimolybdate (II), potassium amide, potassium hydroxide, potassium hexafluorophosphate, potassium carbonate, potassium tetrachloride platinate (II) , potassium hexachloridoplatinate
  • additives include barium sulfite, barium chloride, barium chlorate, barium perchlorate, barium peroxide, barium chromate, barium acetate, barium cyanide, barium bromide, barium oxalate, barium nitrate, hydroxide Barium, barium hydride, barium carbonate, barium iodide, barium sulfide, barium sulfate may be used.
  • Other additives may be sodium acetate and sodium citrate.
  • the additive may also be fine particles or nanoparticles of metal oxides.
  • metal oxides include sodium oxide, calcium oxide, lithium oxide, boron oxide, potassium oxide, barium oxide, silicon oxide, , titanium oxide, zirconium oxide, aluminum oxide, zinc oxide and magnesium oxide.
  • the metal alkoxide 85 is not limited to the example of the above embodiment.
  • Elements capable of synthesizing the metal alkoxide 85 include, for example, Li, Be, B, C, Na, Mg, Al, Si, P, K, Ca, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn, Ga, Ge, As, Rb, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Cd, In, Sn, Sb, Cs, Ba, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd , Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Hf, Ta, W, Hg, Tl, Pb, Bi, Th, Pa, U, and Pu. Alkoxides of these elements can be used as precursors for glasses.
  • Metal alkoxide 85 is, for example, sodium methoxide, sodium ethoxide, calcium diethoxide, lithium isopropoxide, lithium ethoxide, lithium tert-butoxide, lithium methoxide, boron alkoxide, potassium t-butoxide, tetraethyl orthosilicate, allyltrimethoxysilane, isobutyl(trimethoxy)silane, tetrapropyl orthosilicate, tetramethyl orthosilicate, [3-(diethylamino)propyl]trimethoxysilane, triethoxy(octyl)silane, triethoxyvinylsilane, triethoxyphenylsilane, trimethoxy phenylsilane, trimethoxymethylsilane, butyltrichlorosilane, n-propyltriethoxysilane, methyltrichlorosilane, dime
  • a metal complex or acetate which is a precursor of the metal alkoxide 85, may be used instead of the metal alkoxide 85.
  • a metal complex or acetate as a metal alkoxide precursor may be introduced.
  • metal complexes include lithium acetylacetonate, titanium (IV) oxyacetylacetonate, titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate), zirconium (IV) trifluoroacetylacetonate, and zirconium (IV) acetylacetonate.
  • acetates include zirconium acetate, zirconium(IV) acetate hydroxide, and basic aluminum acetate.
  • the base electrode forming step is not limited to the example of the above embodiment.
  • the insulating film 50 is hardened by heat treatment, and then the conductor coating step S20 and the hardening step S21 are performed. may be formed.
  • the first external electrode 61 may be formed on the exposed portion by a plating method. good.
  • the curing step S21 is not limited to the step of simultaneously curing the insulating film 50 and the conductor paste.
  • the conductor paste is a material that is cured by ultraviolet irradiation
  • a heating process may be performed as the curing process for curing the insulating film 50
  • ultraviolet irradiation may be performed as the process for curing the conductor paste.
  • the insulating film 50 may be cured by sufficiently vaporizing the water and the polymer 84 in the drying step S19.
  • the drying step S ⁇ b>19 functions as a curing step for curing the insulating film 50 .
  • the order of the solvent charging step S13, the catalyst charging step S14, and the element charging step S15 does not matter.
  • the reaction between the metal alkoxide 85 and the catalyst should be started in the reaction vessel 81 in a state in which the solvent 82 , the element 20 and the polymer 84 are put into the reaction vessel 81 .
  • the polymer 84 is not limited to polyvinylpyrrolidone.
  • polymer 84 may be an acrylic homopolymer or copolymer of acrylic acid, methacrylic acid, or their esters.
  • acrylic materials include acrylic acid ester copolymers, methacrylic acid ester copolymers, and acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymers.
  • the polymer 84 may be a homopolymer or copolymer of cellulose, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyvinyl chloride, polypropylene carbonate, or the like.
  • Cellulose-based materials include, for example, hydroxypropylcellulose, cellulose ether, carboxymethylcellulose, acetylcellulose, and acetylnitrocellulose.
  • the polymer 84 may contain a plurality of types, as long as it contains at least one selected from the exemplified ones.
  • the solvent 82 is not limited to 2-propanol.
  • the solvent 82 may be appropriately changed as long as the metal alkoxide 85 can be sufficiently dispersed.
  • the film forming method described in JP-A-2020-36002 includes a solvent charging step, a catalyst charging step, an element charging step, and a metal alkoxide charging step. Moreover, the said film-forming method is provided with the film-forming process. In the film forming process, an insulating film made of silicon oxide is formed on the outer surface of the element by hydrolysis and polycondensation reaction of the metal alkoxide.
  • the size of the silicon oxide may become excessively large in the film formation process. If large-sized silicon oxide particles are present on the surface of the insulating film, when an impact from the outside of the element is applied to the vicinity of the particles, the particles will damage the insulating film in the vicinity of the outer surface of the element. It may peel off from the
  • the polymer 84 is introduced in the polymer introduction step S16.
  • the polymer 84 is adsorbed to the outer surface 21 of the base body 20 .
  • the glass microparticles derived from the metal alkoxide 85 are incorporated into the polymer 84 in the metal alkoxide introduction step S17. Coarse particles of glass that have grown excessively large cannot be incorporated into the polymer 84 .
  • the insulating film 50 does not contain excessively large particles.
  • the cracks 26 in the element body 20 are not essential. Also, the crack 26 in the element body 20 does not have to be partly intruded into the insulating film 50 .
  • the size of the coarse glass particles can be made smaller.

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Abstract

素体（２０）のクラック（２６）が進展することを抑制した電子部品（１０）を提供する。電子部品（１０）は、素体（２０）と、素体（２０）の外表面（２１）を覆う絶縁膜（５０）と、を備えている。素体（２０）の外表面（２１）は、平面状の側面（２２Ｃ）を有している。素体（２０）は、外表面（２１）に開口するクラック（２６）を有している。側面（２２Ｃ）に直交する断面（ＣＳ）において、クラック（２６）は、第１部分（２６Ａ）を有している。第１部分（２６Ａ）は、開口（２７）から側面（２２Ｃ）に直交する直交軸に交差して延びている。そして、絶縁膜（５０）の一部は、第１部分（２６Ａ）の内部空間に入り込んでいる。

Description

電子部品
　本発明は、電子部品に関する。
　特許文献１に記載の電子部品は、素体と、素体の外表面を覆う絶縁膜と、を備えている。絶縁膜は、ガラスからなっている。また、特許文献１に記載の電子部品の製造方法は、面取り工程と、塗膜工程と、硬化工程と、を備えている。塗膜工程では、面取り工程によって形成された素体に、ガラス粉末、バインダ樹脂及び溶媒からなるガラススラリーを吹き付ける。その後、硬化工程において、塗膜されたガラス塗膜を乾燥させることで、絶縁膜を形成する。
特許第３６２０４０４号公報
　特許文献１に記載のような電子部品の製造方法では、面取り工程によって、素体の外表面にクラックが形成される場合がある。そして、素体にクラックが存在すると、電子部品に対して外部から衝撃が加わったときに、クラックが進展して素体に割れが生じるおそれがある。
　上記課題を解決するため、本発明は、平面を含む外表面を有する素体と、前記外表面を覆う絶縁膜と、を備え、前記素体は、前記外表面に開口するクラックを有し、前記平面に直交する断面視において、前記クラックは、前記開口から前記平面に直交する直交軸に交差して延びている第１部分を有し、前記絶縁膜の一部は、前記第１部分の内部空間に入り込んでいる電子部品である。
　上記構成によれば、電子部品に外部から衝撃が加わったとき、その衝撃は、第１部分の内部空間に存在する絶縁膜に受け止められる。したがって、外部からの衝撃が、クラックの先端に集中して作用することは抑制され、クラックの進展を防げる。
　素体のクラックが進展することを抑制できる。
電子部品の斜視図。 電子部品の側面図。 図２の３－３線に沿う断面図。 図２の４－４線に沿う断面の拡大図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 電子部品の製造方法を説明する説明図。 実施例と比較例との電子部品の比較結果を示す表。
　＜電子部品の一実施形態＞
　以下、電子部品の一実施形態を、図面を参照して説明する。なお、図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図面中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。
　（全体構成について）
　図１に示すように、電子部品１０は、例えば、回路基板等に実装される表面実装型の負特性サーミスタ部品である。なお、負特性サーミスタ部品は、温度が上がると抵抗値が下がるという特性を有するものである。
　電子部品１０は、素体２０を備えている。素体２０は、略四角柱状であり、中心軸線ＣＡを有する。なお、以下では、中心軸線ＣＡに沿って延びる軸を第１軸Ｘとする。また、第１軸Ｘに直交する軸の１つを第２軸Ｙとする。そして、第１軸Ｘ及び第２軸Ｙに直交する軸を第３軸Ｚとする。そして、第１軸Ｘに沿う方向の一方を第１正方向Ｘ１とし、第１軸Ｘに沿う方向のうち第１正方向Ｘ１と反対方向を第１負方向Ｘ２とする。また、第２軸Ｙに沿う方向の一方を第２正方向Ｙ１とし、第２軸Ｙに沿う方向のうち第２正方向Ｙ１と反対方向を第２負方向Ｙ２とする。さらに、第３軸Ｚに沿う方向の一方を第３正方向Ｚ１とし、第３軸Ｚに沿う方向のうち第３正方向Ｚ１と反対方向を第３負方向Ｚ２とする。
　素体２０の外表面２１は、６個の平面状の平面２２を有している。なお、ここでいう素体２０の「面」とは、素体２０全体を観察したときに面として観察できるものをいう。つまり、例えば素体２０の一部を顕微鏡等で拡大して観察しなければわからないような微小な凹凸、段差が存在しても、平面又は曲面と表現する。６個の平面２２は、互いに異なる向きに広がっている。６個の平面２２は、第１正方向Ｘ１を向く第１端面２２Ａと、第１負方向Ｘ２を向く第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃに大別される。４つの側面２２Ｃは、それぞれ、第３正方向Ｚ１を向く面と、第３負方向Ｚ２を向く面と、第２正方向Ｙ１を向く面と、第２負方向Ｙ２を向く面と、である。
　素体２０の外表面２１は、１２個の境界面２３を有している。境界面２３は、隣り合う平面２２同士の境界に存在する曲面を含んでいる。すなわち、境界面２３は、例えば、隣り合う平面２２を形成される角をＲ面取り加工することで形成される曲面を含んでいる。
　また、素体２０の外表面２１は、８個の球面状のコーナ面２４を有している。コーナ面２４は、隣り合う３つの平面２２同士の境界部分である。換言すれば、コーナ面２４は、３つの境界面２３が交わる箇所の曲面を含んでいる。すなわち、コーナ面２４は、例えば、隣り合う３つの平面２２によって形成される角をＲ面取り加工することによって形成された曲面を含んでいる。
　なお、図１及び図２では、後述する絶縁膜５０の表面を素体２０の外表面２１と同一視して符号を付している。
　図２に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第３軸Ｚに沿う方向の寸法よりも大きい。また、図１に示すように、素体２０は、第１軸Ｘに沿う方向の寸法が、第２軸Ｙに沿う方向の寸法よりも大きい。また、素体２０の材質は、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｂａ、Ａｌ、及びＺｎの少なくとも１つを成分とする金属酸化物を焼成したセラミックスである。
　図３に示すように、電子部品１０は、２つの第１内部電極４１と、２つの第２内部電極４２と、を備えている。第１内部電極４１及び第２内部電極４２は、素体２０の内部に埋め込まれている。
　第１内部電極４１の材質は、導電性の材料である。例えば、第１内部電極４１の材質は、パラジウムである。また、第２内部電極４２の材質は、第１内部電極４１の材質と同一である。
　第１内部電極４１の形状は、長方形板状である。第１内部電極４１の主面は、第２軸Ｙに直交している。第２内部電極４２の形状は、第１内部電極４１と同じ長方形板状である。第２内部電極４２の主面は、第１内部電極４１と同様に、第２軸Ｙに直交している。
　第１内部電極４１の第１軸Ｘに沿う方向の寸法は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の寸法より小さくなっている。また、図１に示すように、第１内部電極４１の第３軸Ｚに沿う方向の寸法は、素体２０の第３軸Ｚに沿う方向の寸法の略３分の２となっている。第２内部電極４２の各方向の寸法は、第１内部電極４１と同じ寸法となっている。
　図３に示すように、第１内部電極４１と第２内部電極４２とは、第２軸Ｙに沿う方向に互い違いに位置している。すなわち、第２正方向Ｙ１を向く側面２２Ｃから第２負方向Ｙ２に、第１内部電極４１、第２内部電極４２、第１内部電極４１、第２内部電極４２の順に並んでいる。この実施形態では、各内部電極間の第２軸Ｙに沿う方向の距離は、等しくなっている。
　図１に示すように、２つの第１内部電極４１及び２つの第２内部電極４２は、いずれも、第３軸Ｚに沿う方向において、素体２０の中央に位置している。その一方で、図３に示すように、第１内部電極４１は、第１正方向Ｘ１に寄って位置している。第２内部電極４２は、第１負方向Ｘ２に寄って位置している。
　具体的には、第１内部電極４１の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端と一致している。第１内部電極４１の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端にまで至っていない。一方で、第２内部電極４２の第１負方向Ｘ２側の端は、素体２０の第１負方向Ｘ２側の端と一致している。第２内部電極４２の第１正方向Ｘ１側の端は、素体２０の内部に位置しており、素体２０の第１正方向Ｘ１側の端にまで至っていない。
　電子部品１０は、絶縁膜５０を備えている。絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１を覆っている。本実施形態では、絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１のすべての領域を覆っている。絶縁膜５０の材質は、絶縁性の物質である。絶縁膜５０の材質は、ガラスである。本実施形態では、ガラスは二酸化ケイ素からなっている。
　図３に示すように、電子部品１０は、第１外部電極６１と、第２外部電極６２と、を備えている。第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａと、第１金属層６１Ｂと、を有している。第１下地電極６１Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第１端面２２Ａを含む一部分において、絶縁膜５０の上から積層されている。具体的には、第１下地電極６１Ａは、素体２０の第１端面２２Ａと、４つの側面２２Ｃの第１正方向Ｘ１側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第１下地電極６１Ａの材質は、銀とガラスとである。
　第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａを外部から覆っている。そのため、第１金属層６１Ｂは、第１下地電極６１Ａに積層されている。具体的には、第１金属層６１Ｂは、ニッケルめっきと、錫めっきと、の２層構造となっている。
　第２外部電極６２は、第２下地電極６２Ａと、第２金属層６２Ｂと、を有している。第２下地電極６２Ａは、素体２０の外表面２１のうち、第２端面２２Ｂを含む一部分において、絶縁膜５０の上から積層されている。具体的には、第２下地電極６２Ａは、素体２０の第２端面２２Ｂと、４つの側面２２Ｃの第１負方向Ｘ２側の一部を覆う、５面電極である。この実施形態では、第２下地電極６２Ａの材質は、第１外部電極６１の材質と同一で、銀とガラスとである。
　第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａを外部から覆っている。そのため、第２金属層６２Ｂは、第２下地電極６２Ａに積層されている。具体的には、第２金属層６２Ｂは、第１金属層６１Ｂと同様に、ニッケルめっきと、錫めっきと、の２層構造となっている。
　第２外部電極６２は、側面２２Ｃ上において、第１外部電極６１にまでは至っておらず、第１外部電極６１に対して第１軸Ｘに沿う方向に離れて配置されている。そして、素体２０の側面２２Ｃ上において、第１軸Ｘに沿う方向の中央部分は、第１外部電極６１及び第２外部電極６２が積層されておらず、絶縁膜５０が露出している。なお、図１～図３では、第１外部電極６１及び第２外部電極６２は、二点鎖線で図示している。
　図３に示すように、第１外部電極６１と第１内部電極４１における第１正方向Ｘ１側の端とは、絶縁膜５０を貫通する第１貫通部７１を介して接続している。なお、詳細は後述するが、第１貫通部７１は、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成するパラジウムが第１外部電極６１側へと延びることによって形成される。
　また、第２外部電極６２と第２内部電極４２における第１負方向Ｘ２側の端とは、絶縁膜５０を貫通する第２貫通部７２を介して接続している。第２貫通部７２も、第１貫通部７１と同様に、電子部品１０の製造過程において、第１内部電極４１を構成するパラジウムが第２外部電極６２側へと延びることによって形成される。なお、図３では、第１内部電極４１と第１貫通部７１とを境界のある別の部材として図示しているが、実際には両者の間に明確な境界は存在しない。この点、第２貫通部７２についても同様である。また、図１及び図２においては、第１貫通部７１の図示を省略する。
　（クラックと絶縁膜について）
　図４に示すように、素体２０は、クラック２６を有している。クラック２６は、外表面２１に開口する開口２７を有している。クラック２６の先端は、素体２０の内部に位置している。
　ここで、図４に示す断面ＣＳは、第２軸Ｙ及び第３軸Ｚの双方に平行である。また、図４には、断面ＣＳの、第３正方向Ｚ１を向く側面２２Ｃを含む一部分を拡大視している。したがって、断面ＣＳは、外表面２１のうち第３正方向Ｚ１を向く平面状の側面２２Ｃに直交している。また、第３正方向Ｚ１を向く側面２２Ｃに直交する直交軸は、第３軸Ｚに平行である。そのため、図４に示す断面ＣＳは、側面２２Ｃに直交する断面視をしたものである。
　素体２０の外表面２１は、微細な凸凹を有している。そのため、図４に示すように、側面２２Ｃも、微細な凸凹を有している。ただし、顕微鏡等で観察しなければ確認できないような微細な凹凸を有していても、外表面２１のうち各側面２２Ｃは、中心軸線ＣＡと平行に延びているものとする。
　断面ＣＳにおいて、クラック２６は、開口２７を含む第１部分２６Ａを有する。本実施形態では、クラック２６は、第１部分２６Ａのみからなっている。ここで、断面ＣＳにおいて、第１部分２６Ａは、開口２７の中央とクラック２６の先端とを通る直線を、進展軸ＡＸとする。このとき、第１部分２６Ａが延びる方向は、進展軸ＡＸ上を開口２７から第１部分２６Ａの先端に向かう方向である。また、断面ＣＳにおいて、第１部分２６Ａが延びる方向に沿う進展軸ＡＸは、直交軸である第３軸Ｚに交差する向きに延びている。
　断面ＣＳにおいて、進展軸ＡＸと側面２２Ｃが延びる方向に沿う軸である第２軸Ｙとがなす角のうち鋭角Ｃは、４５度未満である。特に、本実施形態では、進展軸ＡＸと第１軸Ｘとがなす角のうち鋭角Ｃは、１５度未満である。そのため、クラック２６は、側面２２Ｃと概ね平行に延びている。
　断面ＣＳにおいて、第１部分２６Ａの幅寸法は、開口２７で最大となっている。第１部分２６Ａの幅寸法の最大値ＷＭは、絶縁膜５０における外表面２１に直交する方向の厚さ寸法の平均値である膜厚の２倍以下である。第１部分２６Ａの幅寸法は、断面ＣＳにおいて第１部分２６Ａの内壁の任意の点から向かい合う他方の内壁へと引くことのできる線分のうち最も短い線分の長さである。また、絶縁膜５０における外表面２１に直交する方向の厚さ寸法の平均値である膜厚は、断面ＣＳにおける絶縁膜５０の厚さ寸法を３箇所測定し、当該３箇所の平均値である。
　絶縁膜５０の一部は、第１部分２６Ａの内部空間に入り込んでいる。さらに、絶縁膜５０の一部は、クラック２６の内部空間を埋めている。
　絶縁膜５０の一部がクラック２６の内部空間を埋めているとは、断面ＣＳにおいて、クラック２６の内部空間の空隙率が、１０％以下であることをいう。空隙率は、例えば、断面ＣＳの画像を、絶縁膜５０の主成分であるガラスの成分と素体２０の主成分とのマッピングデータを示す画像を作成することで算出する。
　具体的には、先ず、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で、素体２０の外表面２１において、クラック２６が存在する箇所を発見する。次に、断面ＣＳのクラック２６が存在する箇所について、素体２０の主成分のＥＤＸマッピングデータを示すＥＤＸ像と、ガラスの主成分のＥＤＸマッピングデータを示すＥＤＸ像と、を取得する。ＥＤＸ像の取得には、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ－ＴＥＭ）を用いる。例えば、日本電子株式会社製のＪＥＯＬ　ＪＥＭ－Ｆ２００、及び、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製の分析システムＮｏｒｍａｎ　ｓｙｓｔｅｍ　７を用いた。
　次に、取得した各ＥＤＸ像を、ＣＳＶファイルとしてそれぞれ取り出す。ＣＳＶファイルに含まれる数値データは、マトリクス状の数値データである。マトリクス状の数値データは、例えば、２５６行×２５６列のマトリクス状の数値データである。このような数値データの各々は、ＥＤＸ像の範囲を縦方向に２５６分割、且つ横方向に２５６分割した小区画の各々における強度に相当する。なお、マトリクス状の数値データは、例えば、表計算ソフトウェアの形式で出力すると、以降の手順の処理が容易である。
　次に、ＣＳＶファイルの数値データを規格化する。ＣＳＶファイルに含まれる数値データの最大値を決定し、当該最大値を用いて、最大値が１００となるように、１００を最大値で除算した値を係数として算出する。算出した係数を、ＣＳＶファイルの全数値データに乗算する。これにより、数値データの最大値が１００となるように、全数値データを規格化できる。
　次に、規格化した数値データのうち、素体２０の主成分の強度が１０未満となるポイントをすべて選択する。これらのうち、素体２０の主成分の強度が１０以上の範囲に囲まれている範囲を、クラック２６の範囲とする。
　次に、規格化した数値データのうち、クラック２６の範囲におけるガラスの主成分の強度が１０以上となる箇所を選択する。この選択した箇所の範囲が、ガラスで埋められている範囲である。
　次に、クラック２６の範囲のうち、ガラスの主成分の強度が１０未満となる箇所のピクセル数を算出する。そして、ガラスの主成分の強度が１０未満となる箇所のピクセル数を、クラック２６の範囲のピクセル数で除算した値を、空隙率として算出する。このように算出された空隙率が、１０％以下であることを、絶縁膜５０の一部がクラック２６の内部空間を埋めているという。
　（評価試験について）
　絶縁膜５０の厚さ方向の平均値を１００ｎｍとする電子部品１０について、衝撃試験による破損の有無を評価した。衝撃試験は、電子部品１０に対して、予め定められた一定の衝撃を加える試験である。
　この場合、クラック２６の幅寸法の最大値ＷＭが１０ｎｍ且つ空隙率が０％の場合、衝撃試験による電子部品１０の破損はなかった。また、クラック２６の幅寸法の最大値ＷＭが５０ｎｍ且つ空隙率０％の場合、衝撃試験による電子部品１０の破損はなった。さらに、クラック２６の幅寸法の最大値ＷＭが１００ｎｍ且つ空隙率が１０％の場合、衝撃試験による電子部品１０の破損はなかった。一方で、比較例としてクラック２６の幅寸法の最大値ＷＭが３００ｎｍ且つ空隙率が１５％の場合、衝撃試験による電子部品１０の破損があった。なお、破損とは、素体２０と絶縁膜５０の一部分とが剥がれていることをいう。
　＜電子部品の製造方法の一実施形態＞
　（全体構成について）
　次に、電子部品１０の製造方法について説明する。
　図５に示すように、電子部品１０の製造方法は、積層体準備工程Ｓ１１と、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２と、溶媒投入工程Ｓ１３と、触媒投入工程Ｓ１４と、素体投入工程Ｓ１５と、ポリマー投入工程Ｓ１６と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７と、を備えている。また、電子部品１０の製造方法は、成膜工程Ｓ１８と、乾燥工程Ｓ１９と、導電体塗布工程Ｓ２０と、硬化工程Ｓ２１と、めっき工程Ｓ２２と、をさらに備えている。
　先ず、素体２０を形成するにあたって、積層体準備工程Ｓ１１では、境界面２３及びコーナ面２４を備えない素体２０である積層体を準備する。すなわち、積層体は、Ｒ面取りする前の状態であり、６つの平面２２を有する直方体状である。例えば、先ず、素体２０となる複数のセラミックスのシートを準備する。当該シートは、薄い板状である。当該シート上に、第１内部電極４１となる導電性ペーストを積層する。当該積層ペースト上に、素体２０となるセラミックスのシートを積層する。当該シート上に、第２内部電極４２となる導電性ペーストを積層する。このように、セラミックスのシートと導電性ペーストとを積層する。そして、所定のサイズにカットすることで、未焼成の積層体を形成する。その後、未焼成の積層体を高温で焼成することで、積層体を準備する。
　次に、Ｒ面取り加工工程Ｓ１２を行う。Ｒ面取り加工工程Ｓ１２では、積層体準備工程Ｓ１１で準備した積層体に対して境界面２３及びコーナ面２４を形成する。例えば、バレル研磨により、積層体の角がＲ面取り加工されることによって、曲面を有する境界面２３及び曲面を有するコーナ面２４が形成される。これにより、素体２０が形成される。また、バレル研磨による衝撃によって、素体２０にクラック２６が形成される。
　次に、溶媒投入工程Ｓ１３を行う。図６に示すように、溶媒投入工程Ｓ１３では、反応容器８１内に、溶媒８２として、２－プロパノールを投入する。
　次に、図５に示すように、触媒投入工程Ｓ１４を行う。図７に示すように、触媒投入工程Ｓ１４では、先ず、反応容器８１内の溶媒８２の撹拌を開始する。そして、反応容器８１内に、触媒を含む水溶液８３として、アンモニア水を投入する。この実施形態における触媒は、水酸化物イオンであり、後述する金属アルコキシド８５の加水分解を促進する触媒として機能する。
　次に、図５に示すように、素体投入工程Ｓ１５を行う。図８に示すように、素体投入工程Ｓ１５では、反応容器８１内に、上述したようにＲ面取り加工工程Ｓ１２において予め形成した複数の素体２０を投入する。
　次に、図５に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６を行う。図９に示すように、ポリマー投入工程Ｓ１６では、反応容器８１内に、ポリマー８４として、ポリビニルピロリドンを投入する。これにより、反応容器８１内に投入されたポリマー８４は、素体２０の外表面２１に吸着する。
　次に、図５に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７を行う。図１０に示すように、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、反応容器８１内に、金属アルコキシド８５として、液状のオルトケイ酸テトラエチルを投入する。なお、オルトテトラケイ酸テトラエチルは、テトラエトキシシランと呼称されることもある。本実施形態において、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７において投入する金属アルコキシド８５の量は、素体投入工程Ｓ１５において投入した素体２０の外表面２１の面積を基に算出している。具体的には、素体２０の外表面２１を覆う絶縁膜５０を形成するために必要な素体２０の１個当たりの金属アルコキシド８５の量に、素体２０の数を乗算して算出する。
　次に、図５に示すように、成膜工程Ｓ１８を行う。成膜工程Ｓ１８では、上述した溶媒投入工程Ｓ１３で開始した溶媒８２の撹拌を、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７によって金属アルコキシド８５が反応容器８１内に投入されてから、所定時間だけ続ける。
　成膜工程Ｓ１８では、反応容器８１内における液相反応によって、絶縁膜５０が成膜される。この液相反応では、溶媒８２に含まれる金属アルコキシド８５等は、液相であるため、クラック２６の内部空間に流れ込む。そして、クラック２６の内壁においても、液相反応によって、絶縁膜５０が成膜される。
　次に、乾燥工程Ｓ１９を行う。乾燥工程Ｓ１９では、成膜工程Ｓ１８において所定時間だけ撹拌を続けた後に、素体２０を反応容器８１から取り出して、乾燥させる。これにより、ゾル状の絶縁膜５０は乾燥され、ゲル状の絶縁膜５０となる。なお、本実施形態においては、溶媒投入工程Ｓ１３と、触媒投入工程Ｓ１４と、素体投入工程Ｓ１５と、ポリマー投入工程Ｓ１６と、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７と、成膜工程Ｓ１８と、によって、素体２０に絶縁膜５０を製膜する成膜方法が構成されている。
　次に、導電体塗布工程Ｓ２０を行う。導電体塗布工程Ｓ２０では、絶縁膜５０の表面のうち、素体２０の第１端面２２Ａを覆う部分を含む一部分と、素体２０の第２端面２２Ｂを覆う部分を含む一部分と、の２箇所に導電体ペーストを塗布する。具体的には、導電体ペーストを、第１端面２２Ａの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部との絶縁膜５０を覆うように塗布する。また、導電体ペーストを、第２端面２２Ｂの全域と４つの側面２２Ｃ上の一部との絶縁膜５０を覆うように塗布する。
　次に、硬化工程Ｓ２１を行う。具体的には、硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０及び導電体ペーストが塗布された素体２０を加熱する。これにより、ゲル状の絶縁膜５０から水及びポリマー８４が気化することで、図３に示すように、素体２０の外表面２１を覆う絶縁膜５０が焼成され、硬化する。これとともに、導電体塗布工程Ｓ２０において塗布された導電体ペーストが焼成されることによって、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａが形成される。このように、導電体塗布工程Ｓ２０と硬化工程Ｓ２１とによって、下地電極形成工程が構成されている。つまり、本実施形態において硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０を硬化させる工程としてだけではなく、下地電極形成工程の一部工程も兼ねている。
　本実施形態においては、硬化工程Ｓ２１における加熱の際に、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの拡散速度の違いから生じるカーケンドール効果により、銀を含む第１下地電極６１Ａ側に、第１内部電極４１側に含まれるパラジウムが引き寄せられる。これにより、第１内部電極４１から第１下地電極６１Ａに向かって第１貫通部７１が絶縁膜５０を貫通して延びることで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとが接続する。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとを接続する第２貫通部７２においても同様である。
　次に、めっき工程Ｓ２２を行う。第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａの部分に、電気めっきを行う。これにより、第１下地電極６１Ａの表面に、第１金属層６１Ｂが形成される。また、第２下地電極６２Ａの表面に、第２金属層６２Ｂが形成される。図示は省略するが、第１金属層６１Ｂ及び第２金属層６２Ｂは、ニッケル、錫の２種類で電気めっきされることで、２層構造となる。このようにして、電子部品１０が形成される。
　（ＰＶＰ分子量の違いによる比較結果について）
　ここで、上述した製造方法によって製造した電子部品１０の実施例１及び実施例２と、比較例の電子部品とについて、絶縁膜５０の膜厚、絶縁膜５０の表面に存在するガラス粒子の粒子サイズ及び耐めっき性を比較した。
　図１１に示すように、実施例１の電子部品１０は、ポリマー８４として用いたポリビニルピロリドンの分子量が、４．５万である。実施例２の電子部品１０は、ポリマー８４として用いたポリビニルピロリドンの分子量が、１２０万である。また、比較例の電子部品は、ポリマー８４を用いておらず、ポリマー投入工程Ｓ１６を省いて製造した。なお、実施例１及び実施例２の電子部品１０と、比較例の電子部品と、では、金属アルコキシド８５の量は同じだけ用いて製造した。
　実施例１及び実施例２の電子部品１０と、比較例の電子部品と、について、絶縁膜５０の膜厚を測定した。絶縁膜５０の膜厚は、素体２０の第１軸Ｘに沿う方向の中央を通るとともに、中心軸線ＣＡに直交する断面ＣＳにおいて測定した。図４に示す断面ＣＳにおいて、素体２０の外表面２１から絶縁膜５０の表面までの外表面２１に直交する方向の寸法を３点測定し、これら３点の平均値を、絶縁膜５０の膜厚とした。
　実施例１の電子部品１０において、絶縁膜５０の膜厚は３５ｎｍであった。実施例２の電子部品１０において、絶縁膜５０の膜厚は１００ｎｍであった。比較例の電子部品において、絶縁膜５０の膜厚は１２０ｎｍであった。
　また、実施例１及び実施例２の電子部品１０と、比較例の電子部品と、について、絶縁膜５０の表面に存在するガラス粒子の粒子サイズを測定した。粒子サイズは、絶縁膜５０の表面に一定の割合以上で多く存在するガラスの粒子のサイズである。例えば、側面２２Ｃのうち、第１外部電極６１及び第２外部電極６２に覆われていない箇所の表面を、電子顕微鏡で観察した。そして、観察する範囲において、ごくわずかに存在する粒子が複数集まっている大きな粒子を除いた粒子の直径の平均値を算出した。
　実施例１の電子部品１０において、粒子サイズは１２６ｎｍであった。実施例２の電子部品１０において、粒子サイズは１９３ｎｍであった。比較例の電子部品において、粒子サイズは、３１１ｎｍであった。
　また、実施例１及び実施例２の電子部品１０と、比較例の電子部品と、について、耐めっき性について評価した。耐めっき性は、素体２０がめっき液に溶解することを防止する性質である。めっき液は、第１外部電極６１及び第２外部電極６２を形成する際に用いるものである。耐めっき性の評価においては、素体２０に、絶縁膜５０と、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａを形成したものを、評価サンプルとする。次に、当該評価サンプルにニッケルめっきを行う。ニッケルめっきを終えた評価サンプルについて、素体２０の外表面２１のうち少なくとも隣り合う二面を、リング照明した状態で写真撮影する。素体２０の外表面２１が露出している箇所において、画像処理により素体が溶出している部分の面積率を各面で計測し、平均値を算出する。この面積率の平均値が、０％以上５％以下の場合に、Ｅ（Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）である。また、この面積率の平均値が、５％より大きく２０％以下の場合に、Ｇ（Ｇｏｏｄ）である。さらに、この面積率の平均値が、２０％より大きいと、Ｂ（Ｂａｄ）である。
　実施例１の電子部品１０において、耐めっき性は、Ｇ（Ｇｏｏｄ）であった。実施例２の電子部品１０において、耐めっき性は、Ｅ（Ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ）であった。比較例の電子部品において、耐めっき性は、Ｂ（Ｂａｄ）であった。
　（成膜過程におけるＰＶＰ分子量の違いについての考察）
　上述したように、ポリマー８４の分子量の違いによって、絶縁膜５０の膜厚、ガラスの粒子の粗粒サイズ及び耐めっき性が変化することを、発明者らは発見した。そこで、ポリマー８４の分子量の違いによる成膜過程について、考察した。
　先ず、ポリマー８４の有無について比較すると、ポリマー８４のない比較例の電子部品では、ガラス粒子が比較的に速く成長することで、粒子サイズが大きくなる。そして、大きな粒子サイズのガラス粒子が、次々と素体２０の表面に付着して行くことで、絶縁膜５０の膜厚が大きくなったと考えられる。
　一方で、ポリマー８４を有する実施例１及び実施例２の電子部品１０では、ポリマー８４が存在することによって、ガラス粒子の成長を、比較例の場合よりも阻害できたと考えられる。また、同様に、素体２０に付着したポリマー８４によって、素体２０の表面にガラスの粒子が付着することを阻害することで、絶縁膜５０の膜厚が過度に大きくなることを抑制できたと考えられる。
　また、ポリマー８４の分子量の違いについて比較すると、ポリマー８４の分子量が小さい場合には、大きい場合と比して、同じ大きさの空間において、ポリマー８４が密に集まる。そのため、ガラス粒子の成長を、より阻害しやすかったと考えられる。その結果、ポリマー８４の分子量が小さい実施例１の電子部品１０では、実施例２の電子部品１０と比べて、粒子サイズが小さく、且つ膜厚が小さくなったと考えられる。
　さらに、ガラス粒子の粒子サイズが同一であれば、膜厚が大きいほど耐めっき性は、担保されやすいが、ガラス粒子の粒子サイズが過度に大きいと、膜厚に拠らず耐めっき性はＢになることを発見した。これは、粒子サイズが過度に大きい場合、素体２０の外部からの衝撃が、粒子サイズの大きいガラスの粒子近傍に加わると、当該粒子が近傍の絶縁膜５０を素体２０の外表面２１から剥がしてしまうことがあるからだと考えられる。そのため、粒子サイズを相応に抑えたうえで、膜厚を大きくした実施例２の電子部品１０が、耐めっき性の観点からは好ましい。
　（実施形態の作用について）
　仮に、絶縁膜５０の一部がクラック２６の内部空間に入り込まずに、クラック２６の内部空間が空隙になっているとする。この場合、電子部品１０の外部から衝撃が加わると、その衝撃がクラック２６の先端に集中して作用することがある。この場合、クラック２６の先端からき裂が進展する。すると、クラック２６を挟んだ両側の部分が引き離されるように、素体２０の割れが発生する。
　（実施形態の効果について）
　（１）上記実施形態によれば、絶縁膜５０の一部は、クラック２６の内部空間に入り込んでいる。そのため、電子部品１０に外部から衝撃が加わったとき、その衝撃は、クラック２６の内部空間に存在する絶縁膜５０に受け止められる。したがって、外部からの衝撃が、クラック２６の先端に集中して作用することは抑制され、クラック２６の進展を防げる。
　（２）上記実施形態によれば、断面ＣＳにおいて、側面２２Ｃと第１部分２６Ａが延びる方向に沿う進展軸ＡＸとがなす角のうち鋭角Ｃは、１５度未満である。そのため、素体２０の部分的な剥がれの原因になりやすいような方向に延びるクラック２６の第１部分２６Ａに、絶縁膜５０の一部が入り込んでいる。したがって、クラック２６が進展することに起因して素体２０が部分的に剥がれることを好適に抑制できる。
　（３）上記実施形態によれば、断面ＣＳにおいて、第１部分２６Ａの幅寸法の最大値ＷＭは、絶縁膜５０における側面２２Ｃに直交する方向の厚さ方向の平均値の２倍以下である。そのため、絶縁膜５０の膜厚は、クラック２６の第１部分２６Ａの幅寸法に対して、十分に大きい。すなわち、絶縁膜５０は、クラック２６の内部空間を充填させるに十分な量である。よって、クラック２６の内部空間に、絶縁膜５０が入り込む量を確保しやすい。
　（４）上記実施形態によれば、素体２０の材質がセラミックスである。そのため、製造過程において、素体２０にクラック２６が発生しやすい。そのため、クラック２６の内部空間に絶縁膜５０が入り込むことによって、素体２０の欠け等を抑制できる効果を顕著に得られる。
　（５）ガラススラリーを吹き付ける場合、スラリーをクラック２６の内部空間に到達させるのは難しい。仮に可能であったとしても、クラック２６の延びる向きとガラススラリーの噴霧方向を調整したり、ガラススラリーの粒子の大きさを制御したりする必要がある。この点、上記実施形態では、溶媒８２に含まれた金属アルコキシド８５等が、液相でクラック２６に流れ込む。そのため、製造過程におけるガラススラリーの噴霧方向の調整やガラススラリーの粒子の大きさの制御をしなくとも、成膜工程Ｓ１８において、クラック２６の内部に絶縁膜５０を製膜させることができる。
　（６）上記実施形態の電子部品１０の製造方法によれば、絶縁膜５０の表面に、サイズの大きいガラスの粒子が存在しにくくなる。そのため、素体２０の外部からの衝撃によって、サイズの大きいガラスの粒子が、当該粒子近傍の絶縁膜５０を素体２０の外表面２１から剥がすことを防止できる。
　＜その他の実施形態＞
　上記実施形態は以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で組み合わせて実施することができる。
　・上記実施形態において、電子部品１０は、負特性サーミスタ部品に限られない。例えば、負特性以外のサーミスタ部品であってもよいし、積層コンデンサ部品やインダクタ部品であってもよい。
　・素体２０の材質は、上記実施形態の例に限られない。素体２０の材質は、樹脂と金属粉体とのコンポジット体であってもよい。
　・素体２０の形状は、上記実施形態の例に限られない。例えば、素体２０は、中心軸線ＣＡを有する四角形柱状以外の多角形柱状であってもよい。また、素体２０は、巻線型のインダクタ部品のコアであってもよい。例えば、コアは、いわゆるドラムコア形状であってもよい。具体的には、コアは、柱状の巻芯部と、巻芯部の各端部に設けられた鍔部とを有していてもよい。
　・素体２０の外表面２１は、曲面を含むコーナ面２４を有していなくてもよい。例えば、素体２０の外表面２１のうち、隣り合う平面２２の境界が面取り形状になっていない場合、当該境界には曲面が存在しない。そのため、このような境界が３つ交わった箇所においては、曲面を含むコーナ面２４が存在しないこともある。
　・上記実施形態において、クラック２６は、第１部分２６Ａの他に、他の部分を有していてもよい。例えば、クラック２６は、断面ＣＳにおいて、直交軸である第３軸Ｚに交差して延びている第１部分２６Ａと、第１部分２６Ａに接続しており且つ第１部分２６Ａとは異なる方向に沿って延びている第２部分と、を有していてもよい。この場合、第２部分は、直交軸である第３軸Ｚに沿って延びていてもよい。
　ところで、断面ＣＳにおいて、クラック２６の開口２７の中央とクラック２６の任意の点とを通る進展軸ＡＸを描く。そして、クラック２６の任意の点を徐々に開口２７から遠ざけつつ同様にして進展軸ＡＸを描く。このようにして、多数の進展軸ＡＸを描いていき、最初に進展軸ＡＸが第２軸Ｙに平行になったときのクラック２６の点を特定点として定める。第１部分２６Ａは、クラック２６のうち、クラック２６の開口２７の中央から上記特定点まで（ただし、特定点は含まない）である。換言すると、クラック２６の開口２７に対して、第２軸Ｙに沿う方向の真下に位置する部分までのうち特定点を除く部分が、第１部分２６Ａである。なお、上記任意の点をクラック２６の先端にまで遠ざけても進展軸ＡＸが第２軸Ｙに平行にならなかった場合には、上記実施形態と同様にクラック２６の全体が第１部分２６Ａである。
　・上記実施形態において、断面ＣＳにおいて、側面２２Ｃと進展軸ＡＸとがなす角のうち鋭角Ｃは、１５度以上であってもよい。なお、鋭角Ｃは、４５度未満であると、例えば、ガラススラリーを吹き付けて絶縁膜５０を形成するような製造方法では、ガラススラリーがクラック２６に入り込みにくい。この点、上記実施形態の製造方法では、クラック２６の第１部分２６Ａ内で反応が進んで絶縁膜５０が形成されるので、より好ましい。また、鋭角Ｃは４５度以上であっても、絶縁膜５０の一部がクラック２６に入り込むことで、素体２０が破損しにくくなる効果を得られる。
　・上記実施形態において、第１部分２６Ａの幅寸法の最大値ＷＭは、絶縁膜５０の厚さ方向の平均値の２倍より大きくてもよい。少なくとも、絶縁膜５０の一部が、第１部分２６Ａに入り込んでいればよい。
　・上記実施形態において、第１部分２６Ａの幅寸法は、開口２７以外で最大となっていてもよい。すなわち、第１部分２６Ａの幅寸法の最大値ＷＭは、開口２７以外の箇所の幅寸法となっていてもよい。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の形状は、対応する第１外部電極６１及び第２外部電極６２との電気的導通を確保できる形状であれば問わない。また、第１内部電極４１及び第２内部電極４２の数は問わず、第１内部電極４１の数が１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
　・第１外部電極６１の構成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１は、第１下地電極６１Ａのみから構成されていてもよいし、第１金属層６１Ｂが、２層構造でなくてもよい。なお、第１外部電極６１が、第１金属層６１Ｂを含んでいると、絶縁膜５０が素体２０の外表面２１の全体を覆うことによって、素体２０のめっき液への溶解を抑制できる効果が得られる。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　・上記実施形態において、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの材質の組み合わせは、パラジウム及び銀の組み合わせに限らない。例えば、銅及びニッケル、銅及び銀、銀及び金、ニッケル及びコバルト、又は、ニッケル及び金、の組み合わせであってもよい。また例えば、一方が銀で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方がパラジウムで、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよいし、一方が銅で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。また例えば、一方が金で、他方が銀及びパラジウムの組み合わせであってもよい。
　なお、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとの組み合わせによっては、カーケンドール効果を得られない場合がある。この場合には、外部電極形成工程の前に、第１内部電極４１が露出するように、例えば、素体２０の第１端面２２Ａ側を研磨して絶縁膜５０の一部を物理的に除去すればよい。その後、下地電極形成工程を行うことで、第１内部電極４１と第１下地電極６１Ａとを接続することができる。また例えば、第１下地電極６１Ａを形成した後に、第１下地電極６１Ａの表面も含めて絶縁膜５０を形成して、第１下地電極６１Ａの表面を覆う絶縁膜５０を除去してもよい。この点、第２内部電極４２と第２下地電極６２Ａとの材質の組み合わせにおいても同様である。
　・第１外部電極６１の配置箇所は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１外部電極６１が第１端面２２Ａと１つの側面２２Ｃとにのみ配置されていてもよい。この点、第２外部電極６２についても同様である。
　・絶縁膜５０は、素体２０の外表面２１のすべての領域を覆っていなくてもよい。すなわち、素体２０の外表面２１の一部が、絶縁膜５０から露出していてもよい。素体２０の形状、第１外部電極６１及び第２外部電極６２の位置等に併せて、絶縁膜５０が覆う範囲は、適宜変更されればよい。
　・絶縁膜５０のうち、第１下地電極６１Ａに覆われている部分について、絶縁膜５０におけるガラスは、第１下地電極６１Ａにおけるガラスに拡散することで、両者が一体化していることもある。
　・絶縁膜５０の材質は、上記実施形態の例に限られない。例えば、ガラスは、二酸化ケイ素のみに限られず、Ｂ－Ｓｉ系、Ｓｉ－Ｚｎ系、Ｚｒ－Ｓｉ系、Ａｌ－Ｓｉ系の酸化物のように、Ｓｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。また、ガラスは、Ａｌ－Ｓｉ系、Ｎａ－Ｓｉ系、Ｋ－Ｓｉ系、Ｌｉ－Ｓｉ系の酸化物のように、アルカリ金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。さらに、ガラスは、Ｍｇ－Ｓｉ系、Ｃａ－Ｓｉ系、Ｂａ－Ｓｉ系、Ｓｒ－Ｓｉ系のようにアルカリ土類金属とＳｉを含む多成分系の酸化物であってもよい。そして、ガラスは、Ｓｉを含まなくてもよく、これらの混合物であってもよい。
　・また、絶縁膜５０の材質は、ガラスに加えて、顔料、シリコーン系難燃剤、シランカップリング材、チタネートカップリング剤等の表面処理剤又は帯電防止剤を含んでいてもよい。
　より具体的には、絶縁膜５０には、ガラスに加えて、有機酸塩、酸化物、無機塩、有機塩、その他金属酸化物の微細な粒子及びナノ粒子の添加物を含んでいてもよい。
　有機酸塩としては、例えば、ソーダ灰、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、過炭酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウムといったオキソ酸の塩やフッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウムといったハロゲン化合物が挙げられる。
　また、酸化物としては、例えば過酸化ナトリウム、水酸化物としては、例えば水酸化ナトリウムが挙げられる。
　無機塩としては、例えば、水素化ナトリウム、硫化ナトリウム、硫化水素ナトリウム、珪酸ナトリウム、リン酸三ナトリウム、ほう酸ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、シアン化ナトリウム、シアン酸ナトリウム、テトラクロロ金酸ナトリウムが挙げられる。
　無機塩としては、例えば、過酸化カルシウム、水酸化カルシウム、フッ化カルシウム、塩化カルシウム、臭化カルシウム、ヨウ化カルシウム、水素化カルシウム、炭化カルシウム、リン化カルシウムが挙げられる。
　また、添加物としては、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、硝酸カルシウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、リン酸カルシウム、ピロリン酸カルシウム、次亜塩素酸カルシウム、塩素酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、臭素酸カルシウム、ヨウ素酸カルシウム、亜ヒ酸カルシウム、クロム酸カルシウム、タングステン酸カルシウムモリブデン酸カルシウム、炭酸カルシウムマグネシウム、ハイドロキシアパタイト、といったオキソ酸塩であってもよい。また、添加物は、酢酸カルシウム、グルコン酸カルシウム、クエン酸カルシウム、リンゴ酸カルシウム、乳酸カルシウム、安息香酸カルシウム、ステアリン酸カルシウム、アスパラギン酸カルシウムが挙げられる。
　また例えば、添加物は、炭酸リチウム、塩化リチウム、チタン酸リチウム、窒化リチウム、過酸化リチウム、クエン酸リチウム、フッ化リチウム、ヘキサフルオロリン酸リチウム、酢酸リチウム、ヨウ化リチウム、次亜塩素酸リチウム、四ホウ酸リチウム、臭化リチウム、硝酸リチウム、水酸化リチウム、水素化アルミニウムリチウム、水素化トリエチルホウ素リチウム、水素化リチウム、リチウムアミド、リチウムイミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムテトラメチルピペリジド、硫化リチウム、硫酸リチウム、リチウムチオフェノラート、リチウムフェノキシドであってもよい。
　また例えば、添加物は、三ヨウ化ホウ素、シアノ水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素ナトリウム、テトラフルオロほう酸、トリエチルボラン、硼砂、ほう酸であってもよい。
　また例えば、添加物は、ヒ化カリウム、臭化カリウム、炭化カリウム、塩化カリウム、フッ化カリウム、水素化カリウム、ヨウ化カリウム、三ヨウ化カリウム、アジ化カリウム、窒化カリウム、超酸化カリウム、オゾン化カリウム、過酸化カリウム、リン化カリウム、硫化カリウム、セレン化カリウム、テルル化カリウム、テトラフルオロアルミン酸カリウム、テトラフルオロホウ酸カリウム、テトラヒドロホウ酸カリウム、カリウムメタニド、シアン化カリウム、ギ酸カリウム、フッ化水素カリウム、テ、ラヨード水銀（ＩＩ）酸カリウム、硫化水素カリウム、オクタクロロ二モリブデン（ＩＩ）酸カリウム、カリウムアミド、水酸化カリウム、ヘキサフルオロリン酸カリウム、炭酸カリウム、テトラクロリド白金（ＩＩ）酸カリウム、ヘキサクロリド白金（ＩＶ）酸カリウム、ノナヒドリドレニウム（ＶＩＩ）酸カリウム、硫酸カリウム、酢酸カリウム、シアン化金（Ｉ）カリウム、ヘキサニトロコバルト（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸カリウム、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）酸カリウム、カリウムメトキシド、カリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド、シアン酸カリウム、雷酸カリウム、チオシアン酸カリウム、硫酸カリウムアルミニウム、アルミン酸カリウム、ヒ酸カリウム、臭素酸カリウム、次亜塩素酸カリウム、亜塩素酸カリウム、塩素酸カリウム、過塩素酸カリウム、炭酸カリウム、クロム酸カリウム、二クロム酸カリウム、テトラキス（ペルオキソ）クロム（Ｖ）酸カリウム、銅（ＩＩＩ）酸カリウム、鉄酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、マンガン酸カリウム、次亜マンガン酸カリウム、モリブデン酸カリウム、亜硝酸カリウム、硝酸カリウム、リン酸三カリウム、過レニウム酸カリウム、セレン酸カリウム、ケイ酸カリウム、亜硫酸カリウム、硫酸カリウム、チオ硫酸カリウム、二亜硫酸カリウム、ジチオン酸カリウム、二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸カリウム、ヒ酸二水素カリウム、ヒ酸水素二カリウム、炭酸水素カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸水素二カリウム、セレン酸水素カリウム、亜硫酸水素カリウム、硫酸水素カリウム、ペルオキソ硫酸水素カリウムであってもよい。
　また例えば、添加物は、亜硫酸バリウム、塩化バリウム、塩素酸バリウム、過塩素酸バリウム、過酸化バリウム、クロム酸バリウム、酢酸バリウム、シアン化バリウム、臭化バリウム、シュウ酸バリウム、硝酸バリウム、水酸化バリウム、水素化バリウム、炭酸バリウム、ヨウ化バリウム、硫化バリウム、硫酸バリウムであってもよい。他にも、添加物は、酢酸ナトリウム、クエン酸ナトリウムであってもよい。
　また、添加物は、金属酸化物の微細な粒子又はナノ粒子であってもよく、例えば、金属酸化物としては、酸化ナトリウム、酸化カルシウム、酸化リチウム、酸化ホウ素、酸化カリウム、酸化バリウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化マグネシウムが挙げられる。
　・上記実施形態の電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５は、上記実施形態の例に限られない。金属アルコキシド８５を合成可能な元素としては、例えば、Ｌｉ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎａ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｒｂ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｃｓ，Ｂａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｈｇ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｔｈ，Ｐａ，Ｕ，Ｐｕが挙げられる。これらの元素のアルコキシドは、ガラスの前駆体として利用し得る。
　金属アルコキシド８５は、例えば、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カルシウムジエトキシド、リチウムイソプロポキシド、リチウムエトキシド、リチウムｔｅｒｔ－ブトキシド、リチウムメトキシド、ホウ素アルコキシド、カリウムｔ－ブトキシド、オルトケイ酸テトラエチル、アリルトリメトキシシラン、イソブチル（トリメトキシ）シラン、オルトケイ酸テトラプロピル、オルトケイ酸テトラメチル、［３－（ジエチルアミノ）プロピル］トリメトキシシラン、トリエトキシ（オクチル）シラン、トリエトキシビニルシラン、トリエトキシフェニルシラン、トリメトキシフェニルシラン、トリメトキシメチルシラン、ブチルトリクロロシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、メチルトリクロロシラン、ジメトキシ（メチル）オクチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、ヘキサデシルトリメトキシシラン、トリス（１，２－ベンゼンジオラート－Ｏ，Ｏ’)ケイ酸二カリウム、オルトケイ酸テトラブチル、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸テトラメチルアンモニウム溶液、クロロトリイソプロポキシチタン（ＩＶ）、チタン（ＩＶ）イソプロポキシド、チタン（ＩＶ）２－エチルヘキシルオキシド、チタン（ＩＶ）エトキシド、チタン（ＩＶ）ブトキシド、チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、チタン（ＩＶ）プロポキシド、チタン（ＩＶ）メトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ビス（ジエチルシトレート）ジプロポキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ジブトキシド（ビス－２，４－ペンタンジオネート）、ジルコニウム（ＩＶ）２－エチルヘキサノエート、ジルコニウム（ＩＶ）イソプロポキシドイソプロパノール錯体、ジルコニウム（ＩＶ）エトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ－ブトキシド、ジルコニウム（ＩＶ）プロポキシド、アルミニウムｔｅｒｔ－ブトキシド、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムエトキシド、アルミニウム－トリ－ｓｅｃ－ブトキシド、アルミニウムフェノキシド、であってもよい。
　・上記実施形態の電子部品１０の製造方法において、金属アルコキシド８５に代えて、金属アルコキシド８５の前駆体である金属錯体や酢酸塩を用いてもよい。この場合、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７では、金属アルコキシド前駆体である金属錯体や酢酸塩を投入すればよい。金属錯体としては、例えば、リチウムアセチルアセトナート、チタン（ＩＶ）オキシアセチルアセトナート、チタンジイソプロポキシドビス（アセチルアセトナート）、ジルコニウム（ＩＶ）トリフルオロアセチルアセトナート、ジルコニウム（ＩＶ）アセチルアセトナート、アセチルアセトン酸アルミニウム、アルミニウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート、カルシウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナートのようなアセチルアセトナートが挙げられる。また例えば、酢酸塩としては、酢酸ジルコニウム、酢酸水酸化ジルコニウム（ＩＶ）、塩基性酢酸アルミニウムが挙げられる。
　・上記電子部品１０の製造方法において、下地電極形成工程は、上記実施形態の例に限られない。例えば、成膜工程Ｓ１８の後に、加熱処理をすることで絶縁膜５０を硬化させた後に、導電体塗布工程Ｓ２０及び硬化工程Ｓ２１を行うことで、第１下地電極６１Ａ及び第２下地電極６２Ａを形成してもよい。また例えば、上述した変更例のように、第１内部電極４１の一部が絶縁膜５０から露出している場合、露出している部分に、めっき工法によって第１外部電極６１を形成してもよい。
　・硬化工程Ｓ２１は、絶縁膜５０と導電体ペーストとを同時に硬化させる工程に限られない。例えば、導電体ペーストが紫外線照射によって硬化される材料であるならば、絶縁膜５０を硬化させる硬化工程として、加熱工程を行い、導電体ペーストを硬化させる工程として紫外線照射をしてもよい。
　・上記電子部品１０の製造方法において、乾燥工程Ｓ１９によって充分に水及びポリマー８４が気化されることで絶縁膜５０が硬化されてもよい。この場合、乾燥工程Ｓ１９が絶縁膜５０を硬化させる硬化工程として機能する。
　・上記電子部品１０の製造方法において、溶媒投入工程Ｓ１３、触媒投入工程Ｓ１４、素体投入工程Ｓ１５、の順番は問わない。反応容器８１内に、溶媒８２と素体２０とポリマー８４とが投入された状態で、反応容器８１内で金属アルコキシド８５と触媒とが反応を始めればよい。
　・上記電子部品１０の製造方法において、ポリマー８４は、ポリビニルピロリドンに限られない。例えば、ポリマー８４は、アクリル系であるアクリル酸、メタクリル酸又はそれらのエステルの単独重合体又は共重合体であってもよい。アクリル系は、例えば、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル－メタクリル酸エステル共重合体が挙げられる。また例えば、ポリマー８４は、セルロース系、ポリビニルアルコール系、ポリ酢酸ビニル系、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレンカーボネート系等の単独重合体又は共重合体が挙げられる。セルロース系は、例えば、ヒドロキシプロピルセルロース、セルロースエーテル、カルボキシメチルセルロース、アセチルセルロース、アセチルニトロセルロースが挙げられる。さらに、ポリマー８４は、複数種を含んでいてもよく、例示した中から選ばれる少なくとも１種を含有していればよい。
　・上記電子部品１０の製造方法において、溶媒８２は、２－プロパノールに限られない。溶媒８２は、金属アルコキシド８５を充分に分散させることができれば、適宜変更されればよい。
　・ところで、特開２０２０－３６００２号公報に記載の成膜方法は、溶媒投入工程と、触媒投入工程と、素体投入工程と、金属アルコキシド投入工程と、を備えている。また、当該成膜方法は、成膜工程を備えている。成膜工程では、金属アルコキシドの加水分解及び重縮合反応により、素体の外表面にシリコン酸化物からなる絶縁膜を形成している。
　特開２０２０－３６００２号公報に記載のような成膜方法では、成膜工程において、シリコン酸化物の大きさが過度に大きくなることがある。絶縁膜の表面に、サイズの大きいシリコン酸化物の粒子が存在していると、素体の外部からの衝撃が当該粒子近傍に加わった場合、当該粒子が近傍の絶縁膜を素体の外表面から剥がしてしまうことがある。
　ここで、上記実施形態の電子部品１０の製造方法における成膜方法によれば、ポリマー投入工程Ｓ１６によって、ポリマー８４を投入している。絶縁膜５０の成膜過程において、ポリマー８４が、素体２０の外表面２１に吸着する。その後、金属アルコキシド投入工程Ｓ１７によって、金属アルコキシド８５由来のガラスの微粒子が、ポリマー８４に取り込まれる。そして、過度に大きく成長したガラスの粗大な粒子は、ポリマー８４に取り込まれることができなくなる。その結果、絶縁膜５０には、過度に大きい粒子が含まれなくなる。
　このように、ガラスの粗大な粒子の過度の成長を軽減するという観点では、素体２０におけるクラック２６は必須ではない。また、素体２０におけるクラック２６に絶縁膜５０の一部が入り込んでいなくてもよい。
　また、金属アルコキシド８５の濃度、アルカリ濃度、反応温度、反応時間、溶媒８２の種類、素体２０の表面電荷などを制御することで、ガラスの粗大な粒子のサイズをより小さくすることができる。
　上記実施形態及び変更例から把握できる技術的思想を以下に追記する。
　＜付記１＞
　素体の外表面に金属酸化物を含む絶縁膜を成膜する成膜方法であって、
　反応容器内に前記素体を投入する素体投入工程と、
　前記反応容器内に、前記素体の外表面に吸着するポリマーを投入するポリマー投入工程と、
　前記容器内に金属アルコキシド又は金属アルコキシド前駆体を投入する金属アルコキシド投入工程と、
　前記反応容器内に、前記金属アルコキシドの加水分解を促進する触媒を投入する触媒投入工程と、
　前記金属アルコキシドを加水分解及び脱水縮合して前記素体の外表面に前記絶縁膜を製膜する成膜工程と、を備える
　成膜方法。
　１０…電子部品
　２０…素体
　２１…外表面
　２６…クラック
　２６Ａ…第１部分
　２７…開口
　４１…第１内部電極
　４２…第２内部電極
　５０…絶縁膜
　６１…第１外部電極
　６２…第２外部電極
　７１…第１貫通部
　７２…第２貫通部
　８１…反応容器
　８２…溶媒
　８３…水溶液
　８４…ポリマー
　８５…金属アルコキシド
　８５Ａ…ガラス微粒子
　８５Ｂ…ガラス粗大粒子

Claims (5)

  1. 　平面を含む外表面を有する素体と、前記外表面を覆う絶縁膜と、を備え、
    　前記素体は、前記外表面に開口するクラックを有し、
    　前記平面に直交する断面視において、前記クラックは、前記開口から前記平面に直交する直交軸に交差して延びている第１部分を有し、
    　前記絶縁膜の一部は、前記第１部分の内部空間に入り込んでいる
    　電子部品。
  2. 　前記平面に直交する断面視において、前記平面と前記第１部分が延びる方向に沿う進展軸とがなす角のうち鋭角は、４５度未満である
    　請求項１に記載の電子部品。
  3. 　前記平面に直交する断面視において、前記平面と前記進展軸とがなす角のうち鋭角は、１５度未満である
    　請求項２に記載の電子部品。
  4. 　前記平面に直交する断面視において、前記第１部分の幅寸法の最大値は、前記絶縁膜における前記外表面に直交する方向の厚さ寸法の平均値の２倍以下である
    　請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の電子部品。
  5. 　前記素体の材質は、セラミックスである
    　請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の電子部品。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025004432A1 (ja) * 2023-06-28 2025-01-02 株式会社村田製作所 電子部品
WO2025115910A1 (ja) * 2023-11-29 2025-06-05 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106809A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタ及びその製造方法
JP2020036002A (ja) * 2018-08-23 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法
JP2021089924A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6613998B2 (ja) * 2016-04-06 2019-12-04 株式会社村田製作所 コイル部品

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106809A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Mitsubishi Materials Corp チップ型サーミスタ及びその製造方法
JP2020036002A (ja) * 2018-08-23 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法
JP2021089924A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2025004432A1 (ja) * 2023-06-28 2025-01-02 株式会社村田製作所 電子部品
WO2025115910A1 (ja) * 2023-11-29 2025-06-05 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品の製造方法

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