WO2022210927A1 - Soldering device and method for manufacturing soldered product - Google Patents

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radiation thermometer
radiant energy
soldering
detection element
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めぐ 丸山
直人 小澤
純 松田
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株式会社オリジン
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02Constructional details

Definitions

  • the inner surface of the lens barrel is treated (for example, black plating or black alumite treatment). can be adjusted to the desired value.
  • the emissivity of the inner surface of the lens barrel with respect to the sensitivity wavelength range of the detection element is within the range of 0.5 to 1.0, the disturbance light incident on the inner surface of the lens barrel By suppressing the reflection at , it is possible to suppress the incidence of energy other than the radiant energy from the desired measurement target on the detection element. As a result, it is possible to obtain a radiation thermometer that can detect radiation with high accuracy while suppressing noise caused by detecting radiation energy different from the radiation energy from the object to be measured.
  • a soldering apparatus is the soldering apparatus according to the seventh or eighth aspect of the present disclosure, wherein the window includes quartz glass, and the detection element includes an InGaAs photodiode.
  • a temperature measurement method includes a step of measuring the temperature of a predetermined measurement target using the radiation thermometer according to any one of the first to sixth aspects.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a first embodiment of the present disclosure
  • FIG. It is a schematic sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a third embodiment of the present disclosure;
  • 1 is a schematic explanatory diagram showing an example of a soldering device according to a first embodiment of the present disclosure;
  • FIG. FIG. 5 is a view taken along the line AA of FIG. 4; 5 is a flow chart showing an example of a method of manufacturing a soldered product using the soldering apparatus shown in FIG. 4;
  • the sizes of the first apertures 7A and 7B provided in the two first diaphragms 4A and 4B are different in consideration of the path through which the radiant energy RE from the measurement area TA passes.
  • the first aperture 7A of the first aperture 4A arranged on the side closer to the condenser lens 3 is the first aperture 7A of the first aperture 4B arranged on the side closer to the detection element 2.
  • the case where two first diaphragms are arranged has been exemplified, but the present disclosure is not limited to this, and the number may be one or three or more.
  • the radiation thermometer 1 suppresses noise generation mainly by means of a plurality of diaphragms. can be suppressed. Therefore, in the following, a radiation thermometer 1A that further suppresses the generation of noise by applying a predetermined process to the lens barrel in addition to adopting the diaphragm structure explained in the first embodiment will be explained. .
  • the radiant energy RE from the measurement area TA passes through the condenser lens 3 to the detector element. 2, and radiant energy from other than the measurement area TA is absorbed when irradiated to the lens barrel 6B, so incidence on the light receiving surface of the detecting element 2 can be suppressed.
  • the same components as those of the radiation thermometers 1 and 1A described above are denoted by the same reference numerals. Description is omitted.
  • the entire lens barrels 6A and 6B may be subjected to surface treatment, and in the radiation thermometer 1A according to the second embodiment, , the inner surface 9A of the lens barrel 6A and the first and second diaphragms 4A, 4B, 5 may be subjected to the same surface treatment.
  • a plurality of support pins 15 that support the workpiece W can be configured by pins of the same length extending substantially vertically from the bottom of the chamber 11 .
  • the support pins 15 can be made of a material with low thermal conductivity, such as a ceramic material, in order to make the work W thermally independent. Further, it is preferable that the tip portion of the support pin 15 has a tapered shape in order to reduce the contact area with the work W. As shown in FIG.
  • the radiation thermometer 1 used in the soldering apparatus 10 according to this embodiment is arranged outside the chamber 11 and measures the temperature at any position on the work W through the window 13 .
  • the radiation thermometer 1 for example, the radiation thermometer 1 according to the first embodiment described above can be adopted.
  • the radiation thermometer 1 can be arranged with the open end of the lens barrel 6 facing an arbitrary position of the object to be measured, for example, the work W, with the window 13 interposed therebetween.
  • one or more radiation thermometers 1 may be employed in the soldering apparatus 10 according to the present embodiment. It may be movably provided (towards the position indicated by the dotted line).
  • the radiation thermometer 1 according to the first embodiment described above is used as the radiation thermometer, but other radiation thermometers such as Radiation thermometers 1A and 1B according to the second or third embodiment can also be employed.
  • the radiation thermometer 1 used in the soldering apparatus 10 according to the present embodiment uses an InGaAs photodiode as the detection element 2 .
  • the soldering apparatus 10 according to the present embodiment uses formic acid as a reducing gas and quartz glass as a member fitted in the window.
  • formic acid has the property of absorbing radiant energy in a specific wavelength range, so temperature measurement based on the radiant energy of the wavelengths absorbed by formic acid will result in a lower detection result than the actual temperature.
  • silica glass transmits wavelengths of 0.9 to 2.6 ⁇ m, the thermometer must be able to measure temperature based on radiant energy within this range.
  • the soldering apparatus 10 includes a first light shielding member disposed so as to block the surrounding space between the workpiece W above the infrared lamp 14 in the chamber 11 and the side surface of the chamber 11. including.
  • a first light shielding member for example, a first light shielding member provided above the arrangement position of the infrared lamp 14 and below the work W supported on the support pins 15 shields the periphery of the work W.
  • inner cover 16 can be adopted. In the first inner cover 16, the infrared light as radiant energy emitted from the infrared lamp 14 is directed to the top plate 12 side of the chamber 11 through the surrounding area (surrounding space) SA of the work W in the chamber 11. It may be a member for blocking irradiation.
  • this first inner cover 16 is a frame that at least partially, preferably completely covers the surrounding area of the workpiece W, i.e. the space between the workpiece and the side of the chamber, as shown in FIG.
  • the inner end may extend to a position where it overlaps the outer edge of the workpiece W on the support pin 15 in a plan view.
  • the height position of the first inner cover 16 is a position close to the lower surface of the work W on the support pins 15 in order to minimize the radiant energy passing through the gap between the first inner cover 16 and the work W.
  • the first inner cover 16 preferably has a high emissivity, for example, an emissivity comparable to that of the top plate 12 of the chamber 11, and can be made of, for example, a carbon plate.
  • the specific shape and arrangement of the first inner cover 16 can be appropriately adjusted within a range in which the functions can be maintained.
  • the radiation thermometer 1 is positioned so as to face the measurement area TA through the window 13, the radiant energy RE from the measurement area TA is surely incident on the radiation thermometer 1, resulting in high accuracy. temperature detection results can be obtained, and reflow soldering can be performed based on the temperature detection results.
  • FIG. 6 is a flow chart showing an example of a soldered product manufacturing method using the soldering apparatus shown in FIG. An example of a method of manufacturing a soldered product using the soldering apparatus described above will be described below mainly with reference to FIG.
  • step S3 the supply of formic acid gas is started (step S3) to reduce and remove the oxide film formed on the surface of the solder bump or cream solder.
  • step S4 when the radiation thermometer 1 detects that the solder melting temperature (for example, 220 to 350° C.) has been reached (step S4), this temperature state is maintained for a predetermined time, and then an inert gas or the like is introduced into the chamber 11. is supplied to cool the workpiece W (step S5). When this cooling operation is completed, the work W that has undergone reflow soldering is taken out of the chamber 11 (step S6) and shipped as a soldered product or transferred to the next process.
  • the solder melting temperature for example, 220 to 350° C.
  • the reduction temperature and the solder melting temperature can be detected with high accuracy by using the soldering apparatus 10 described above. It is possible to prevent the oxide film removal failure and the solder melting failure due to the deviation from the front and back, and improve the manufacturing yield of the soldered products.
  • the soldering apparatus 20 according to the present embodiment can be used as part of a manufacturing system configured by connecting a plurality of chambers for performing different processes on a line. Therefore, the chamber 21 of the soldering apparatus 20 according to the present embodiment has an entrance side gate 23A for loading the work W conveyed on the line on the side thereof, and an entrance side gate 23A for loading the work W after reflow soldering. An exit side gate 23B is provided for transporting out of the chamber 21 for the execution of the next process.
  • the gates 23A and 23B on the entrance side and the exit side can be opened and closed by sliding in the vertical direction.
  • the top plate 22 of the chamber 21 is fixed so as not to be opened and closed, and a reducing gas supply unit 24 is connected.
  • the top plate 22 has an emissivity of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2 of the radiation thermometer 1. Those within the range of are adopted.
  • an infrared lamp 14, support pins 15, and a first inner cover 16 are provided in the same manner as the soldering apparatus 10 according to the first embodiment. are arranged.
  • the infrared lamp 14 does not directly heat the workpiece W, but heats a heating plate 28 (see FIG. 8) of the carrier 25, which will be described later.
  • the support pins 15 also support a carrier 25 that supports the workpiece W therein.
  • the first inner cover 16 is formed along the surrounding area SA of the carrier 25 and blocks the radiant energy from the infrared lamp 14 that is irradiated to the top plate 22 side through the surrounding area SA of the carrier 25.
  • FIGS. 8A to 8C are explanatory diagrams showing the carrier of the soldering device according to the second embodiment of the present disclosure, FIG. 8A being a plan view, FIG. FIG. 8C is a view in the direction of arrow C of FIG. 8B.
  • a carrier 25 is used to support the work W so that the work W can be smoothly conveyed on the line regardless of its shape.
  • the carrier 25 includes a housing 26, heat insulating pins 27 as an example of a support member, a heating plate 28 as an example of a heat transfer plate, and an example of a second light shielding member. It includes at least the second inner cover 29 as.
  • the carrier 25 according to the present embodiment employs a structure in which the heating plate 28 is placed on the heat insulation pins 27 erected on the bottom surface of the housing 26 .
  • part of the radiant energy from the infrared lamp 14 irradiated to the lower surface of the heating plate 28 through the bottom opening 263 passes through the gap G (see FIG. 8C) between the bottom surface 261 and the heating plate 28.
  • the second inner cover 29 is used in order to shield the leaked light from the gap G. As shown in FIG.
  • the second inner cover 29 may consist of an annular member fixed to the bottom surface 261 and extending along the outer edge of the heating plate 28, as shown in FIGS. 8A to 8C.
  • the second inner cover 29 has a high emissivity, that is, an emissivity within the range of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2. It preferably has emissivity and can be formed of, for example, a carbon plate.

Abstract

This soldering device includes: a chamber; a heat source disposed on a bottom surface of the chamber or in the vicinity of the bottom surface; a light-transmissive window provided to a section of a top surface of the chamber; a radiation thermometer which is provided outside the chamber and measures the temperature of an arbitrary position of a workpiece via the window; and a first light-blocking member which closes off a peripheral space between a side surface of the chamber and the workpiece above the heat source in the chamber.

Description

半田付け装置及び半田付け製品の製造方法Soldering device and method for manufacturing soldered products
 本開示は半田付け装置及び半田付け製品の製造方法に関する。 The present disclosure relates to a soldering device and a method of manufacturing a soldered product.
 測定対象からの放射エネルギーをフォトダイオード等の検出素子で検出することで、測定対象の温度を測定する放射型温度計が知られている。例えば特開平11-271147号公報には、検出素子に加えて、電源から検出素子に電流を流したときの出力信号に基づいて温度を求め、検出素子の温度補償を行う演算手段を含む放射型温度計が記載されている。 Radiation thermometers are known that measure the temperature of a measurement target by detecting radiation energy from the measurement target with a detection element such as a photodiode. For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 11-271147, in addition to the detection element, a radiation type sensor including a calculation means for obtaining a temperature based on an output signal when a current is passed through the detection element from a power supply and performing temperature compensation of the detection element A thermometer is provided.
 上述のような放射型温度計においては、測定対象からのものとは異なる放射エネルギーが検出素子に入り込むとノイズの原因となる。 In a radiation thermometer such as the one described above, noise is caused when radiant energy different from that from the object to be measured enters the detection element.
 本開示は、ノイズの発生を抑えた温度検出が可能な半田付け装置及び半田付け製品の製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a soldering device capable of temperature detection with reduced noise generation and a method for manufacturing a soldered product.
 上記目的を達成するために、本開示の第1の態様に係る放射型温度計は、測定対象からの放射エネルギーを検出する検出素子と、前記測定対象と前記検出素子との間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーを集束させる集束レンズと、前記検出素子と前記集束レンズとの間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーの経路に沿って第1の開口が設けられた第1の絞りと、前記集束レンズと前記測定対象との間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーの経路に沿って第2の開口が設けられた第2の絞りと、前記検出素子、前記集束レンズ、前記第1の絞り及び前記第2の絞りの少なくとも一部を内部に収容する鏡筒と、を含むものである。 To achieve the above object, a radiation thermometer according to a first aspect of the present disclosure includes a detection element that detects radiant energy from an object to be measured, and is disposed between the object to be measured and the detection element. a focusing lens for focusing the radiant energy from the object to be measured; and a first aperture disposed between the detector element and the focusing lens and provided along the path of the radiant energy from the object to be measured. a second aperture disposed between the focusing lens and the measurement object and having a second aperture along the path of the radiant energy from the measurement object; and a lens barrel accommodating therein at least part of the detection element, the focusing lens, the first diaphragm, and the second diaphragm.
 このような放射型温度計においては、第1の絞りは主に鏡筒内に生じる放射エネルギーが検出素子に入射することを、第2の絞りは主に測定対象からの放射エネルギーとは異なる放射エネルギーが放射型温度計の外部から鏡筒内及び集束レンズ内に入射することをそれぞれ抑制できる。これにより、測定対象からの放射エネルギーとは異なる放射エネルギーが検出されることに起因するノイズを抑えた、高精度な検出が可能な放射型温度計を得ることができる。 In such a radiation thermometer, the first aperture mainly prevents the radiant energy generated in the lens barrel from entering the detection element, and the second aperture mainly prevents radiation different from the radiant energy from the measurement target. Energy from the outside of the radiation thermometer can be prevented from entering the lens barrel and the focusing lens. As a result, it is possible to obtain a radiation thermometer capable of highly accurate detection that suppresses noise caused by detecting radiant energy different from the radiant energy from the object to be measured.
 本開示の第2の態様に係る放射型温度計は、上記本開示の第1の態様に係る放射型温度計において、前記第1の絞りは、前記検出素子と前記集束レンズとの間に所定間隔を空けて2つ以上配設される。 A radiation thermometer according to a second aspect of the present disclosure is the radiation thermometer according to the first aspect of the present disclosure, wherein the first aperture is provided between the detection element and the focusing lens. Two or more are arranged at intervals.
 このような放射型温度計においては、第1の絞りとして2つ以上の絞りを採用することで、鏡筒内に侵入した外乱光が検出素子に入射することを効果的に抑制することができる。 In such a radiation thermometer, by adopting two or more apertures as the first aperture, it is possible to effectively suppress disturbance light that has entered the lens barrel from entering the detection element. .
 本開示の第3の態様に係る放射型温度計は、上記本開示の第1又は2の態様に係る放射型温度計において、前記第2の絞りは、前記集束レンズと前記測定対象との間に所定間隔を空けて2つ以上配設される。 A radiation thermometer according to a third aspect of the present disclosure is the radiation thermometer according to the first or second aspect of the present disclosure, wherein the second aperture is between the focusing lens and the object to be measured. , two or more are arranged at predetermined intervals.
 このような放射型温度計においては、第2の絞りとして2つ以上の絞りを採用することで、測定対象からの放射エネルギーとは異なる放射エネルギーが放射型温度計の外部から鏡筒内に入射することを効果的に抑制することができる。 In such a radiation thermometer, by adopting two or more apertures as the second aperture, radiant energy different from the radiant energy from the object to be measured enters the lens barrel from the outside of the radiation thermometer. can be effectively suppressed.
 本開示の第4の態様に係る放射型温度計は、上記本開示の第1乃至4のいずれかの態様に係る放射型温度計において、前記鏡筒の内面の、前記検出素子の感度波長域に対する放射率が、0.5~1.0の範囲内である。 A radiation thermometer according to a fourth aspect of the present disclosure is the radiation thermometer according to any one of the first to fourth aspects of the present disclosure, wherein the sensitivity wavelength range of the detection element on the inner surface of the barrel is is in the range of 0.5 to 1.0.
 このような放射型温度計においては、鏡筒内面の検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内であることにより、鏡筒内に入射した外乱光の当該内面における反射が抑制されることで、所望の測定対象からの放射エネルギー以外のエネルギーが検出素子に入射することを抑制するため、ノイズをさらに抑えた高精度な検出が可能な放射が温度計を得ることができる。 In such a radiation thermometer, since the emissivity of the inner surface of the lens barrel with respect to the sensitivity wavelength range of the detection element is within the range of 0.5 to 1.0, the disturbance light incident on the inner surface of the lens barrel By suppressing the reflection at the temperature, it is possible to suppress the incidence of energy other than the radiant energy from the desired measurement object to the detection element, so that a radiation thermometer that can detect noise with high accuracy can be obtained. be able to.
 本開示の第5の態様に係る放射型温度計は、上記本開示の第4の態様に係る放射型温度計において、前記鏡筒の内面は前記検出素子の前記感度波長域に対する高放射率の表面処理が施されている。 A radiation thermometer according to a fifth aspect of the present disclosure is the radiation thermometer according to the fourth aspect of the present disclosure, wherein the inner surface of the lens barrel has a high emissivity with respect to the sensitive wavelength range of the detection element. surface treatment is applied.
 このような放射型温度計においては、鏡筒内面に(例えば黒色めっき処理や黒色アルマイト処理といった)表面処理を行うことで、鏡筒自体の放射率等に関わらず、当該鏡筒内面の放射率を所望の値に調整することができる。 In such a radiation thermometer, the inner surface of the lens barrel is treated (for example, black plating or black alumite treatment). can be adjusted to the desired value.
 本開示の第6の態様に係る放射型温度計は、測定対象からの放射エネルギーを検出する検出素子と、前記測定対象と前記検出素子との間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーを集束させる集束レンズと、前記検出素子及び前記集束レンズの少なくとも一部を内部に収容し、且つその内面の前記検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内である鏡筒と、を含むものである。 A radiation thermometer according to a sixth aspect of the present disclosure includes a detection element that detects radiant energy from a measurement object, and is disposed between the measurement object and the detection element, and the radiation from the measurement object is A focusing lens for focusing energy, the detecting element and at least a part of the focusing lens are accommodated therein, and the emissivity of the inner surface thereof with respect to the sensitive wavelength range of the detecting element is within the range of 0.5 to 1.0. and a lens barrel.
 このような放射型温度計においては、鏡筒内面の検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内であることにより、鏡筒内に入射した外乱光の当該内面における反射が抑制されることで、所望の測定対象からの放射エネルギー以外のエネルギーが検出素子に入射することを抑制できる。これにより、測定対象からの放射エネルギーとは異なる放射エネルギーが検出されることに起因するノイズを抑えた、高精度な検出が可能な放射が温度計を得ることができる。 In such a radiation thermometer, since the emissivity of the inner surface of the lens barrel with respect to the sensitivity wavelength range of the detection element is within the range of 0.5 to 1.0, the disturbance light incident on the inner surface of the lens barrel By suppressing the reflection at , it is possible to suppress the incidence of energy other than the radiant energy from the desired measurement target on the detection element. As a result, it is possible to obtain a radiation thermometer that can detect radiation with high accuracy while suppressing noise caused by detecting radiation energy different from the radiation energy from the object to be measured.
 本開示の第7の態様に係る半田付け装置は、チャンバと、前記チャンバの底面又は前記底面近傍に配設された熱源と、前記チャンバの天面の一部に設けられた透光性の窓と、前記チャンバ外に配設され、前記窓を介してワークの任意の位置の温度を測定する、第1乃至6の態様のいずれかに記載の放射型温度計と、を含み、前記チャンバの前記天面は前記検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内であるものである。 A soldering apparatus according to a seventh aspect of the present disclosure includes a chamber, a heat source disposed at or near the bottom surface of the chamber, and a translucent window provided on a portion of the top surface of the chamber. and the radiation thermometer according to any one of the first to sixth aspects, which is disposed outside the chamber and measures the temperature at an arbitrary position of the workpiece through the window, and The top surface has an emissivity within the range of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element.
 このような半田付け装置においては、チャンバの天面(天板)の検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内であることにより、熱源で生じる放射エネルギーがチャンバの天面で反射することを抑制でき、チャンバ内に外乱光が生じることを抑制することができる。これにより、放射型温度計に測定対象からのもの以外の放射エネルギーが入射しにくくなり、ノイズを抑えた高精度な検出が可能な半田付け装置を得ることができる。 In such a soldering apparatus, the radiation energy generated by the heat source is reduced to can be suppressed from being reflected on the top surface of the chamber, and the occurrence of disturbance light in the chamber can be suppressed. As a result, it becomes difficult for radiant energy other than that from the object to be measured to enter the radiation thermometer, and a soldering apparatus capable of highly accurate detection with reduced noise can be obtained.
 本開示の第8の態様に係る半田付け装置は、上記本開示の第7の態様に係る半田付け装置において、前記チャンバ内の前記熱源の上部の前記ワークの周囲空間に配設された第1の遮光部材をさらに含む。 A soldering apparatus according to an eighth aspect of the present disclosure is the soldering apparatus according to the seventh aspect of the present disclosure, wherein the first heat source is disposed in the space surrounding the workpiece above the heat source in the chamber. and a light shielding member.
 このような半田付け装置においては、熱源からの放射エネルギーのうち、ワークに照射されずにワークの周囲空間を介してチャンバの天面側に照射される放射エネルギーを、遮光部材によって遮光することができる。 In such a soldering apparatus, of the radiant energy from the heat source, the radiant energy that is not irradiated to the work but is irradiated to the top surface side of the chamber through the space surrounding the work can be blocked by the light blocking member. can.
 本開示の第9の態様に係る半田付け装置は、上記本開示の第7又は8の態様に係る半田付け装置において、前記窓は石英ガラスを含み、前記検出素子はInGaAsフォトダイオードを含む。 A soldering apparatus according to a ninth aspect of the present disclosure is the soldering apparatus according to the seventh or eighth aspect of the present disclosure, wherein the window includes quartz glass, and the detection element includes an InGaAs photodiode.
 このような半田付け装置においては、検出素子としてInGaAsフォトダイオードを採用したことで、石英ガラスを透過する波長(0.9~2.6μm)の放射エネルギーに基づいて測定対象の温度測定を行うことができる。また、ワークの酸化膜を除去するためにチャンバ内がギ酸雰囲気となっていたとしても、別途の調整を行うことなく測定対象の温度測定を行うことができる。 In such a soldering device, by adopting an InGaAs photodiode as a detection element, it is possible to measure the temperature of the measurement target based on the radiant energy of the wavelength (0.9 to 2.6 μm) that passes through the quartz glass. can be done. Further, even if the inside of the chamber is in a formic acid atmosphere in order to remove the oxide film of the workpiece, the temperature of the object to be measured can be measured without any separate adjustment.
 本開示の第10の態様に係る半田付け装置は、上記本開示の第7乃至9のいずれかの態様に係る半田付け装置において、底面に開口を有する筐体と、前記開口の周囲に設けられた支持部材と、前記支持部材上に配設され、その上面側に前記ワークが配設される伝熱プレートと、前記底面と前記伝熱プレートとの隙間に沿って前記筐体内に配設された第2の遮光部材と、を備えるキャリアをさらに含むものである。 A soldering apparatus according to a tenth aspect of the present disclosure is the soldering apparatus according to any one of the seventh to ninth aspects of the present disclosure, wherein a housing having an opening in the bottom surface and a a support member arranged on the support member, a heat transfer plate on which the workpiece is arranged on the upper surface side of the support member; and a second light blocking member.
 このような半田付け装置においては、ワークを搬送するためのキャリアに遮光部材が設けられているため、熱源からの放射エネルギーのうち、キャリアの隙間を介してチャンバの天面側に照射される放射エネルギーを、遮光部材によって遮光することができる。 In such a soldering apparatus, since the carrier for transporting the workpiece is provided with a light shielding member, the radiation energy emitted from the heat source is emitted to the top surface side of the chamber through the gap of the carrier. The energy can be blocked by a blocking member.
 本開示の第11の態様に係る温度測定方法は、第1乃至6のいずれかの態様に記載の放射型温度計を用いて、所定の測定対象の温度を測定する工程を含むものである。 A temperature measurement method according to an eleventh aspect of the present disclosure includes a step of measuring the temperature of a predetermined measurement target using the radiation thermometer according to any one of the first to sixth aspects.
 このような温度測定方法においては、測定対象からの放射エネルギーとは異なる放射エネルギーが検出されることに起因するノイズが抑制された放射型温度計を用いて測定対象の温度を測定することにより、測定対象の温度を精度よく測定することができる。 In such a temperature measurement method, by measuring the temperature of the object to be measured using a radiation thermometer in which noise caused by the detection of radiant energy different from the radiant energy from the object to be measured is suppressed, It is possible to accurately measure the temperature of the object to be measured.
 本開示の第12の態様に係る半田付け製品の製造方法は、第7乃至10のいずれかの態様に記載の半田付け装置の前記チャンバ内に前記ワークを配設する工程と、
 前記半田付け装置を用いて前記ワークを半田付けする工程と、を含むものである。
A method for manufacturing a soldered product according to a twelfth aspect of the present disclosure includes the steps of disposing the workpiece in the chamber of the soldering apparatus according to any one of the seventh to tenth aspects;
and soldering the workpiece using the soldering apparatus.
 このような半田付け製品の製造方法においては、測定対象の温度を高精度に測定しつつ半田付けを実行することができるようになり、主に半田付け工程における温度管理を確実に行うことができ、半田付け製品の製造歩留まりが向上する。 In such a soldered product manufacturing method, it becomes possible to perform soldering while measuring the temperature of the object to be measured with high accuracy, so that temperature control mainly in the soldering process can be performed reliably. , the manufacturing yield of soldered products is improved.
 本開示の半田付け装置半田付け製品の製造方法によれば、測定対象からのものとは異なる放射エネルギーが検出素子に入り込むことを抑制でき、ノイズの発生を抑えた温度検出ができるようになる。 According to the soldering apparatus soldered product manufacturing method of the present disclosure, it is possible to suppress radiant energy different from that from the object to be measured from entering the detection element, and temperature detection can be performed with suppressed noise generation.
本開示の第1の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. 本開示の第2の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a second embodiment of the present disclosure. 本開示の第3の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a third embodiment of the present disclosure; 本開示の第1の実施の形態に係る半田付け装置の一例を示す概略説明図である。1 is a schematic explanatory diagram showing an example of a soldering device according to a first embodiment of the present disclosure; FIG. 図4のA-A線矢視図である。FIG. 5 is a view taken along the line AA of FIG. 4; 図4に示す半田付け装置を用いた半田付け製品の製造方法の一例を示すフローチャートである。5 is a flow chart showing an example of a method of manufacturing a soldered product using the soldering apparatus shown in FIG. 4; 本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置の一例を示す概略説明図である。FIG. 5 is a schematic explanatory diagram showing an example of a soldering device according to a second embodiment of the present disclosure; 本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置のキャリアを示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a carrier of a soldering device according to a second embodiment of the present disclosure; FIG. 本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置のキャリアを示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a carrier of a soldering device according to a second embodiment of the present disclosure; FIG. 本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置のキャリアを示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a carrier of a soldering device according to a second embodiment of the present disclosure; FIG.
 この出願は、日本国で2021年3月30日に出願された特願2021-057904号に基づいており、その内容は本出願の内容としてその一部を形成する。
 また、本開示は以下の詳細な説明によりさらに完全に理解できるであろう。本願のさらなる応用範囲は、以下の詳細な説明により明らかとなろう。しかしながら、詳細な説明及び特定の実例は、本開示の望ましい実施の形態であり、説明の目的のためにのみ記載されているものである。この詳細な説明から、種々の変更、改変が、本開示の精神と範囲内で、当業者にとって明らかであるからである。
 出願人は、記載された実施の形態のいずれをも公衆に献上する意図はなく、開示された改変、代替案のうち、特許請求の範囲内に文言上含まれないかもしれないものも、均等論下での発明の一部とする。
This application is based on Japanese Patent Application No. 2021-057904 filed on March 30, 2021 in Japan, the content of which forms part of the content of the present application.
Also, the present disclosure will be more fully understood from the detailed description that follows. Further areas of applicability of the present application will become apparent from the detailed description provided hereinafter. However, the detailed description and specific examples are preferred embodiments of the present disclosure and are given for purposes of illustration only. Various alterations and modifications within the spirit and scope of this disclosure will become apparent to those skilled in the art from this detailed description.
Applicant does not intend to offer to the public any of the described embodiments, and any modifications, alternatives disclosed that may not literally fall within the scope of the claims are equally valid. be part of the invention under discussion.
 以下、図面を参照して本開示を実施するための各実施の形態について説明する。なお、以下では本開示の目的を達成するための説明に必要な範囲を模式的に示し、本開示の該当部分の説明に必要な範囲を主に説明することとし、説明を省略する箇所については公知技術によるものとする。 Hereinafter, each embodiment for carrying out the present disclosure will be described with reference to the drawings. In the following, the scope necessary for the description to achieve the purpose of the present disclosure is schematically shown, and the scope necessary for the description of the relevant part of the disclosure is mainly described. It shall be based on a well-known technique.
<放射型温度計>
 図1は、本開示の第1の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。本実施の形態に係る放射型温度計1は、任意の測定対象、例えば任意のワークW上に設定された特定の測定領域TAから放射される放射エネルギーREに基づいて、測定領域TAの温度を測定するものである。したがって、本実施の形態の放射型温度計1は、通常、測定領域TAに対して所定間隔を空けて対向するように配設されていてよい。そして、測定領域TAの温度測定を実現するために、本実施の形態の放射型温度計1は、図1に示すように、少なくとも検出素子2と、集光レンズ3と、第1の絞り4A、4Bと、第2の絞り5と、鏡筒6とを含んでいてよい。なお、集光レンズ3は集束レンズの一例である。
<Radiation thermometer>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to a first embodiment of the disclosure. The radiation thermometer 1 according to the present embodiment measures the temperature of the measurement area TA based on the radiant energy RE radiated from a specific measurement area TA set on an arbitrary measurement object, for example, an arbitrary work W. It is what you measure. Therefore, the radiation thermometer 1 of the present embodiment may normally be arranged so as to face the measurement area TA with a predetermined gap therebetween. In order to measure the temperature of the measurement area TA, the radiation thermometer 1 of this embodiment includes at least a detection element 2, a condenser lens 3, and a first diaphragm 4A, as shown in FIG. , 4B, a second diaphragm 5, and a lens barrel 6. Note that the condenser lens 3 is an example of a condenser lens.
 検出素子2は、測定領域TAから放射される放射エネルギーRE、詳しくは赤外線放射エネルギーを検出するものであってよい。この検出素子としては、半導体素子、詳しくはSi(シリコン)、Ge(ゲルマニウム)あるいはInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)素子等を用いたフォトダイオードを採用することができる。また、このフォトダイオードには、PN接合型のもの又はPIN構造のものを採用することができる。この検出素子2は、その受光面が鏡筒6内に位置し、その電極が鏡筒6外に延在し図示しない増幅器等が実装された制御基板に接続されるように、鏡筒6の一端面に取り付けられ得る。 The detection element 2 may detect radiant energy RE emitted from the measurement area TA, more specifically, infrared radiant energy. As the detection element, a semiconductor element, more specifically, a photodiode using a Si (silicon), Ge (germanium) or InGaAs (indium-gallium-arsenic) element can be employed. A PN junction type or a PIN structure can be adopted for this photodiode. The detection element 2 is arranged in the lens barrel 6 so that its light receiving surface is positioned inside the lens barrel 6 and its electrode extends outside the lens barrel 6 and is connected to a control board on which an amplifier (not shown) is mounted. It can be attached to one end face.
 集光レンズ3は、測定領域TAからの放射エネルギー(具体的には赤外光)REを集束(集光)し、検出素子2の受光面に入射させるためのものであってよい。この集光レンズ3は、測定領域TAと検出素子2との間に配設されるものであり、具体的には、鏡筒6内部であって検出素子2から所定距離だけ離れた位置に配設できる。 The condenser lens 3 may be for converging (collecting) the radiant energy (specifically, infrared light) RE from the measurement area TA and making it incident on the light receiving surface of the detection element 2 . The condensing lens 3 is arranged between the measurement area TA and the detection element 2. Specifically, it is arranged inside the lens barrel 6 and at a position separated from the detection element 2 by a predetermined distance. can be set.
 第1の絞り4A、4Bは、集光レンズ3により集光された測定領域TAからの放射エネルギーREを通過させ、それ以外の放射エネルギーを遮るために設けられたものであってよい。この第1の絞り4A、4Bは、その略中央部に測定領域TAからの放射エネルギーREを通過させるための開口7A、7Bが設けられ、比較的高い放射率(具体的には、検出素子2の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内)を有する板状あるいは膜状の部材とすることができる。この第1の絞り4A、4Bは、図1に示すように、例えば2つ設けることができ、鏡筒6内部の検出素子2と集光レンズ3との間に、所定間隔を空けて略平行に取り付けられるものとしてよい。ここで、2つの第1の絞り4A、4Bにそれぞれ設けられる第1の開口7A、7Bの大きさは、測定領域TAからの放射エネルギーREの通過する経路を考慮して、異なる大きさとすると好ましい。具体的には集光レンズ3に近い側に配設された第1の絞り4Aの第1の開口7Aの方が、検出素子2に近い側に配設された第1の絞り4Bの第1の開口7Bに比べて僅かに大きくすると好ましい。また、本実施の形態においては、第1の絞りを2つ配設した場合について例示したが、本開示はこれに限定されず、1つであっても3つ以上であってもよい。ただし、第1の絞りを複数採用した方が、集光レンズ3を通過した外乱光が検出素子2に入射することを効果的に抑制でき好ましい。 The first diaphragms 4A and 4B may be provided to pass the radiant energy RE from the measurement area TA condensed by the condensing lens 3 and block other radiant energy. The first diaphragms 4A, 4B are provided with openings 7A, 7B at substantially the center thereof for passing the radiant energy RE from the measurement area TA, and have a relatively high emissivity (specifically, the detection element 2 (emissivity within the range of 0.5 to 1.0 for the sensitive wavelength range). As shown in FIG. 1, for example, two first diaphragms 4A and 4B can be provided. may be attached to the Here, it is preferable that the sizes of the first apertures 7A and 7B provided in the two first diaphragms 4A and 4B are different in consideration of the path through which the radiant energy RE from the measurement area TA passes. . Specifically, the first aperture 7A of the first aperture 4A arranged on the side closer to the condenser lens 3 is the first aperture 7A of the first aperture 4B arranged on the side closer to the detection element 2. is preferably slightly larger than the opening 7B. Further, in the present embodiment, the case where two first diaphragms are arranged has been exemplified, but the present disclosure is not limited to this, and the number may be one or three or more. However, it is preferable to employ a plurality of first diaphragms, because it is possible to effectively prevent disturbance light that has passed through the condenser lens 3 from entering the detection element 2 .
 第2の絞り5は、測定領域TA以外の領域からの放射エネルギーが放射型温度計1に侵入することを防止するために設けられたものであってよい。この第2の絞り5は、その略中央部に測定領域TAからの放射エネルギーREを通過させるための開口8が設けられ、比較的高い放射率(具体的には、検出素子2の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内)を有する板状あるいは膜状の部材とすることができる。この第2の絞り5は、図1に示すように、鏡筒6の検出素子2が取り付けられていない側の端部を部分的に覆うように設けることができる。ここで、第2の絞り5に設けられる開口8の大きさは、測定領域TAからの放射エネルギーREの通過する経路を考慮した大きさとすると好ましい。また、本実施の形態においては第2の絞り5を1つ配設した場合について例示したが、本開示はこれに限定されず、例えば図1に示す第2の絞り5と集光レンズ3の間の領域に1つ以上の第2の絞りをさらに配設してもよい。このように、第2の絞りを複数設ければ、測定領域TA以外からの放射エネルギーが集光レンズ3に入射することを効果的に抑制できる。 The second aperture 5 may be provided to prevent radiant energy from entering the radiation thermometer 1 from areas other than the measurement area TA. The second diaphragm 5 has an opening 8 at its substantially central portion for passing the radiant energy RE from the measurement area TA, and has a relatively high emissivity (specifically, the sensitivity wavelength range of the detection element 2). It can be a plate-like or film-like member having an emissivity within the range of 0.5 to 1.0. As shown in FIG. 1, the second diaphragm 5 can be provided so as to partially cover the end of the lens barrel 6 on the side where the detection element 2 is not attached. Here, it is preferable that the size of the aperture 8 provided in the second diaphragm 5 is set in consideration of the path through which the radiant energy RE from the measurement area TA passes. Further, in the present embodiment, an example in which one second diaphragm 5 is provided is illustrated, but the present disclosure is not limited to this. One or more second diaphragms may also be arranged in the region in between. By providing a plurality of second diaphragms in this manner, it is possible to effectively prevent radiant energy from entering the condenser lens 3 from areas other than the measurement area TA.
 鏡筒6は、一方の端部が閉塞された略円筒状の部材であって、この閉塞された側の端面の略中央部に検出素子2が取り付けられ、他方の端部は開放されているものとすることができる。この鏡筒6内には、一方の端部から順に、検出素子2、2つの第1の絞り4B、4A、集光レンズ3及び第2の絞り5が所定間隔を空けて(少なくとも部分的に)収容されているとよい。 The lens barrel 6 is a substantially cylindrical member with one end closed, and the detection element 2 is mounted substantially in the center of the end face on the closed side, and the other end is open. can be In this lens barrel 6, the detection element 2, two first diaphragms 4B and 4A, a condenser lens 3, and a second diaphragm 5 are arranged in this order from one end at predetermined intervals (at least partially ) should be contained.
 上述の構成を備える本実施の形態に係る放射型温度計1においては、測定領域TA以外からの放射エネルギーは、鏡筒6内に配置された第1及び第2の絞り4A、4B、5によって検出素子2の受光面方向への進行が遮られる。この構成により、検出素子2には実質的に測定領域TAからの放射エネルギーREのみが入射されるようになり、ノイズを含まない高精度な温度測定が可能な放射型温度計1を提供することができるようになる。 In the radiation thermometer 1 according to the present embodiment having the configuration described above, radiant energy from areas other than the measurement area TA is The detection element 2 is blocked from advancing in the direction of the light receiving surface. With this configuration, substantially only the radiant energy RE from the measurement area TA is incident on the detection element 2, thereby providing a radiation thermometer 1 capable of highly accurate temperature measurement without noise. will be able to
 上述した通り、第1の実施の形態に係る放射型温度計1は、主に複数の絞りによってノイズの発生を抑制しているが、このような絞り構造以外の方法によっても、ノイズの発生を抑制することが可能である。そこで以下には、第1の実施の形態において説示した絞り構造を採用することに加えて、鏡筒に所定の処理を行うことでノイズの発生を更に抑制した放射型温度計1Aについて、説明する。 As described above, the radiation thermometer 1 according to the first embodiment suppresses noise generation mainly by means of a plurality of diaphragms. can be suppressed. Therefore, in the following, a radiation thermometer 1A that further suppresses the generation of noise by applying a predetermined process to the lens barrel in addition to adopting the diaphragm structure explained in the first embodiment will be explained. .
 図2は、本開示の第2の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。第2の実施の形態に係る放射型温度計1Aは、図2に示すように、鏡筒6A以外は上述した第1の実施の形態に係る放射型温度計1と同様の構成を採用しているものである。そこで、以下には第1の実施の形態に係る放射型温度計1とは異なる構成部分を中心に説明を行い、当該放射型温度計1と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略するものとする。 FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to the second embodiment of the present disclosure. A radiation thermometer 1A according to the second embodiment, as shown in FIG. 2, employs the same configuration as the radiation thermometer 1 according to the above-described first embodiment except for the lens barrel 6A. There is. Therefore, the following description will focus on the components that are different from the radiation thermometer 1 according to the first embodiment, and the components that are the same as those of the radiation thermometer 1 are denoted by the same reference numerals. The explanation shall be omitted.
 鏡筒6Aは、図2に示すように、一方の端部が閉塞された略円筒状の部材であって、この閉塞された側の端面の略中央部に検出素子2が取り付けられ、他方の端部は開放されているものとすることができる。そして、この鏡筒6Aの内面9Aには、その全面にわたり、検出素子2の感度波長域に対する高放射率の表面処理が施されているとよい。ここで、検出素子2の感度波長域に対する高反射率の表面処理としては、黒アルマイト処理や無電解黒色メッキ処理を挙げることができるが、これに限定されない。例えば、鏡筒6Aの内面9Aに単に高放射率の黒色材料を塗布したものであってもよい。このような表面処理が施されることにより、鏡筒6Aの内面9Aは、高い放射率、具体的には検出素子2の感度波長域に対する放射率が、0.5~1.0の範囲内、より好ましくは0.7~1.0の範囲内に調整されているとよい。 As shown in FIG. 2, the lens barrel 6A is a substantially cylindrical member with one end closed. The ends can be open. It is preferable that the entire inner surface 9A of the lens barrel 6A is subjected to surface treatment with a high emissivity for the sensitive wavelength range of the detection element 2. FIG. Here, examples of the surface treatment for high reflectance with respect to the sensitivity wavelength range of the detection element 2 include black alumite treatment and electroless black plating treatment, but are not limited to these. For example, the inner surface 9A of the lens barrel 6A may be simply coated with a black material having a high emissivity. By applying such a surface treatment, the inner surface 9A of the lens barrel 6A has a high emissivity, specifically, an emissivity with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2, within the range of 0.5 to 1.0. , and more preferably within the range of 0.7 to 1.0.
 上述したように、鏡筒6Aの内面9Aの放射率を高くすると、鏡筒6Aの内面9Aに照射される放射エネルギーの反射を抑制することができる。したがって、本実施の形態に係る放射型温度計1Aにおいては、例えば第2の絞り5の開口8から予期せず入射した測定領域TA以外の領域からの放射エネルギーが鏡筒6Aの内面9Aに反射して集光レンズ3に入射すること、及び、鏡筒6A内で生じる外乱光が鏡筒6Aの内面9Aに反射して検出素子2の受光面に入射することを、いずれも抑制することができる。これにより、ノイズを含まない高精度な温度測定が可能な放射型温度計1Aを提供することができるようになる。 As described above, by increasing the emissivity of the inner surface 9A of the lens barrel 6A, it is possible to suppress the reflection of the radiant energy irradiated to the inner surface 9A of the lens barrel 6A. Therefore, in the radiation thermometer 1A according to the present embodiment, for example, the radiant energy from the area other than the measurement area TA unexpectedly incident from the opening 8 of the second diaphragm 5 is reflected on the inner surface 9A of the lens barrel 6A. incident on the condenser lens 3, and disturbance light generated in the lens barrel 6A reflected on the inner surface 9A of the lens barrel 6A and incident on the light receiving surface of the detection element 2 can be suppressed. can. This makes it possible to provide the radiation thermometer 1A capable of highly accurate temperature measurement without noise.
 図3は、本開示の第3の実施の形態に係る放射型温度計の一例を示す概略断面図である。第3の実施の形態に係る放射型温度計1Bの鏡筒6Bは、図3に示すように、上記第2の実施の形態に係る放射型温度計1Aの鏡筒6Aと同様に、その内面9Bの全面にわたり検出素子2の感度波長域に対する高放射率の表面処理が施されている。他方、この放射型温度計1Bは、第1及び第2の実施の形態に係る放射型温度計1、1Aが有する絞りを有していない。本実施の形態に係る放射型温度計1Bのように、鏡筒6Bの内面9Bに高放射率の表面処理を行えば、測定領域TAからの放射エネルギーREは集光レンズ3を介して検出素子2の受光面に入射させることができ、且つ測定領域TA以外からの放射エネルギーは鏡筒6Bに照射された際に吸収されるため、検出素子2の受光面への入射が抑制できる。なお、本実施の形態に係る放射型温度計1Bにおいては、第2の実施の形態と同様に、前述した放射型温度計1、1Aと同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略している。 FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a radiation thermometer according to the third embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 3, the lens barrel 6B of the radiation thermometer 1B according to the third embodiment has an inner surface similar to the lens barrel 6A of the radiation thermometer 1A according to the second embodiment. A high-emissivity surface treatment for the sensitive wavelength region of the detection element 2 is applied over the entire surface of 9B. On the other hand, this radiation thermometer 1B does not have the diaphragm that the radiation thermometers 1 and 1A according to the first and second embodiments have. If the inner surface 9B of the lens barrel 6B is subjected to high-emissivity surface treatment as in the radiation thermometer 1B according to the present embodiment, the radiant energy RE from the measurement area TA passes through the condenser lens 3 to the detector element. 2, and radiant energy from other than the measurement area TA is absorbed when irradiated to the lens barrel 6B, so incidence on the light receiving surface of the detecting element 2 can be suppressed. In the radiation thermometer 1B according to the present embodiment, as in the second embodiment, the same components as those of the radiation thermometers 1 and 1A described above are denoted by the same reference numerals. Description is omitted.
 上述した第2及び第3の実施の形態においては、鏡筒6A、6Bの内面9A、9Bの放射率を0.5~1.0の範囲内とするための具体的な方法として、表面処理を行う場合を例示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、鏡筒6A、6Bの材料に高放射性材料、例えばグラファイトを含むカーボン系材料を含有させることにより、鏡筒6A、6B自体の放射率を所望の値とするようにしてもよい。また、上述した表面処理は少なくとも鏡筒6A、6Bの内面9A、9Bに施されていれば足りる。したがって、例えば表面処理の作業効率の観点から、鏡筒6A、6B全体に表面処理が施されたものであってもよいし、第2の実施の形態に係る放射型温度計1Aにあっては、鏡筒6Aの内面9Aと共に第1及び第2の絞り4A、4B、5に同様の表面処理を施してもよい。 In the second and third embodiments described above, as a specific method for making the emissivity of the inner surfaces 9A and 9B of the lens barrels 6A and 6B within the range of 0.5 to 1.0, the surface treatment , but the present disclosure is not limited to this. For example, the emissivity of the lens barrels 6A and 6B themselves may be set to a desired value by including a highly radioactive material such as a carbon-based material containing graphite in the material of the lens barrels 6A and 6B. Further, it is sufficient that the surface treatment described above is applied at least to the inner surfaces 9A and 9B of the lens barrels 6A and 6B. Therefore, for example, from the viewpoint of work efficiency of surface treatment, the entire lens barrels 6A and 6B may be subjected to surface treatment, and in the radiation thermometer 1A according to the second embodiment, , the inner surface 9A of the lens barrel 6A and the first and second diaphragms 4A, 4B, 5 may be subjected to the same surface treatment.
 上述した構成を備える放射型温度計1、1A、1Bによれば、複数の絞り及び/又は鏡筒内の表面処理により、測定領域TAからの放射エネルギーREの経路とは異なる経路を経て鏡筒に侵入する、あるいは侵入した外乱光が、検出素子2の受光面に到達することを抑制できる。したがって、測定領域TA以外からの放射エネルギーの検出素子2の受光面への入射が抑えられるため、これに起因するノイズの発生を抑制でき、以て高精度な温度検出が可能な放射型温度計1、1A、1Bを得ることができる。 According to the radiation thermometers 1, 1A, and 1B having the configurations described above, due to the plurality of apertures and/or the surface treatment in the lens barrel, the radiant energy RE from the measurement area TA passes through a path different from the path of the lens barrel. can be suppressed from reaching the light-receiving surface of the detection element 2 . Therefore, the incidence of radiant energy from areas other than the measurement area TA on the light receiving surface of the detection element 2 is suppressed, so that the generation of noise caused by this is suppressed, and the radiation thermometer is capable of highly accurate temperature detection. 1, 1A, 1B can be obtained.
 上述した放射型温度計1、1A、1Bを用いることにより、所定の測定対象の温度の測定方法を提供することができる。当該測定方法としては、放射型温度計1、1A、1Bの鏡筒6、6A、6Bの開口している側の端部が特定の測定対象に向くよう、測定対象に対向する位置に配置した後、検出素子2にて検出結果を取得して、測定対象の温度を測定すればよい。 By using the radiation thermometers 1, 1A, and 1B described above, it is possible to provide a method for measuring the temperature of a predetermined measurement target. As the measurement method, the ends of the lens barrels 6, 6A, and 6B of the radiation thermometers 1, 1A, and 1B on the open side face a specific measurement object, and are arranged at a position facing the measurement object. After that, the detection result is acquired by the detection element 2, and the temperature of the object to be measured can be measured.
<半田付け装置>
 次に、本開示に含まれる、半田付け装置について説明する。図4は、本開示の第1の実施の形態に係る半田付け装置の一例を示す概略説明図である。また、図5は、図4のA-A線矢視図である。第1の実施の形態に係る半田付け装置10は、図4及び図5に示すように、バッチ処理タイプのリフロー炉として機能するものを採用することができる。この半田付け装置10では、少なくとも、ワークWとしての半導体基板上に半球状の半田バンプを形成するために予め配設された原料半田を溶融させる、あるいは、ワークWとしての半導体基板上に、半田バンプを生成する、あるいはクリーム半田やプリフォーム半田を介して配設された電子部品を実装することが可能である。なお、本実施の形態においては、単一の装置内で一連のリフロー半田付けを行う半田付け装置10を例示するものとする。また、ワークWとしては、電子部品が実装される半導体基板を例示するものとする。
<Soldering device>
Next, a soldering device included in the present disclosure will be described. FIG. 4 is a schematic explanatory diagram showing an example of the soldering device according to the first embodiment of the present disclosure. 5 is a view taken along the line AA of FIG. 4. FIG. As shown in FIGS. 4 and 5, the soldering apparatus 10 according to the first embodiment can employ one that functions as a batch processing type reflow furnace. In this soldering apparatus 10, at least the raw material solder that is preliminarily provided in order to form hemispherical solder bumps on the semiconductor substrate as the work W is melted, or the solder is melted on the semiconductor substrate as the work W. It is possible to generate bumps or mount electronic components arranged via cream solder or preform solder. In this embodiment, the soldering apparatus 10 that performs a series of reflow soldering within a single apparatus is exemplified. As the work W, a semiconductor substrate on which electronic components are mounted is exemplified.
 本実施の形態に係る半田付け装置10は、図4に示すように、少なくとも、チャンバ11と、チャンバ11の天板(天面の一例)12に設けられた透光性の窓13と、熱源の一例としての赤外線(IR)ランプ14と、放射型温度計1とを含むものである。 As shown in FIG. 4, the soldering apparatus 10 according to the present embodiment includes at least a chamber 11, a translucent window 13 provided on a top plate (an example of a top surface) 12 of the chamber 11, and a heat source. An infrared (IR) lamp 14 and a radiation thermometer 1 are included as an example.
 チャンバ11は、内部に半田付けを行うワークWを収容可能な箱型の筐体で構成されていてよく、その底面又は底面近傍には熱源としての赤外線ランプ14が配設され、その上部にはワークWの出し入れが可能なように開閉可能とされた天板12が設けられているものとすることができる。このチャンバ11には、リフロー半田付けを実行するために、その内部に、半田の表面に形成される酸化膜を除去するための還元ガスを供給する還元ガス供給部17が設けられていてよい。還元ガスとしては水素ガスやカルボン酸(ギ酸)ガス等を用いることができるが、本実施の形態においてはギ酸ガスを採用したものを例示する。加えて、このチャンバ11の適所には、図示しないチャンバ11内のガスを排出するための排出路や、チャンバ11内に不活性ガス等の他のガスを供給するためのガス供給路等が設けられていてよい。また、チャンバ11内のガスを排出する排出路に真空ポンプを取り付け、この真空ポンプを動作させることにより、リフロー半田付けにおける所定のタイミングで、チャンバ11内を真空状態とすることができる構造を採用すると、半田内のボイド(空隙)の抑制等の観点から好ましい。 The chamber 11 may be composed of a box-shaped housing capable of accommodating the work W to be soldered inside, and an infrared lamp 14 as a heat source is arranged at or near the bottom of the housing, and above it is a heat source. A top plate 12 that can be opened and closed so that the work W can be taken in and out can be provided. In order to perform reflow soldering, the chamber 11 may be provided therein with a reducing gas supply section 17 for supplying a reducing gas for removing an oxide film formed on the surface of the solder. As the reducing gas, hydrogen gas, carboxylic acid (formic acid) gas, or the like can be used. In the present embodiment, formic acid gas is used as an example. In addition, an exhaust path (not shown) for exhausting the gas in the chamber 11 and a gas supply path for supplying other gases such as inert gas into the chamber 11 are provided at suitable locations of the chamber 11. It's okay to be In addition, a structure is adopted in which a vacuum pump is attached to the discharge path for discharging the gas in the chamber 11, and by operating this vacuum pump, the inside of the chamber 11 can be evacuated at a predetermined timing during reflow soldering. This is preferable from the viewpoint of suppressing voids (air gaps) in the solder.
 チャンバ11の天板12は、その一辺がヒンジを介してチャンバ11の上部に固定されていてよく、その中央部分に透光性の窓13が設けられた板状の部材で構成できる。天板12を閉塞した際、チャンバ11内が気密状態となるように、天板12及び/又はチャンバ11に天板12を固定するためのロックや気密状態とするためのシールを設けると好ましい。ここで、この天板12には、放射型温度計1の検出素子2の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内のものが採用されることは、特に留意すべき事項である。このように、天板12が高い放射率を有することで、天板12に照射された放射エネルギーの反射が抑えられ、チャンバ11内に外乱光が発生することを抑制できる。上述した所望の放射率を得るために、この天板12は、高放射率の材料、例えばカーボンプレートで形成するとよい。 The top plate 12 of the chamber 11 may be fixed to the upper part of the chamber 11 via a hinge on one side thereof, and may be composed of a plate-like member provided with a translucent window 13 in its central portion. It is preferable to provide the top plate 12 and/or the chamber 11 with a lock for fixing the top plate 12 or a seal for keeping the top plate 12 airtight so that the inside of the chamber 11 is airtight when the top plate 12 is closed. Here, it should be particularly noted that the top plate 12 has an emissivity within the range of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2 of the radiation thermometer 1. matter. Since the top plate 12 has a high emissivity in this manner, the reflection of the radiant energy irradiated to the top plate 12 is suppressed, and the generation of ambient light in the chamber 11 can be suppressed. In order to obtain the desired emissivity described above, the top plate 12 is preferably made of a high emissivity material such as a carbon plate.
 窓13は、天板12の任意の位置、具体的にはチャンバ11内のワークWが配設される領域に対向する略中央位置に設けられたものであって、放射型温度計1が検出する放射エネルギーを透過する部材、例えば石英ガラスが嵌め込まれたものとすることができる。この窓13の大きさや位置は適宜調整が可能なものであるが、本実施の形態においては、天板12の中央部分に、ワークWの大きさに合わせた大きさで形成されたものを例示している。また、窓に嵌め込まれる部材は石英ガラス以外でもよい。 The window 13 is provided at an arbitrary position on the top plate 12, specifically at a substantially central position facing the area in the chamber 11 where the work W is arranged. It may be inlaid with a member transparent to the radiant energy, for example quartz glass. The size and position of this window 13 can be adjusted as appropriate, but in this embodiment, the window 13 is formed in the central portion of the top plate 12 in a size that matches the size of the work W. is doing. Also, the member fitted in the window may be made of other than quartz glass.
 赤外線ランプ14は、ワークWを加熱する熱源として機能するものであって、チャンバ11内に配設されたワークWを、その下面側から加熱するものであってよい。本実施の形態に係る赤外線ランプ14は、チャンバ11の底面又は底面近傍の位置、詳しくは、チャンバ11の底部から立設する複数本の支持ピン15上に配設されたワークWの底面に対して所定の間隔を空けて対向する位置に、所定の間隔を空けて複数本(図4及び図5においては5本)、互いに平行となるように配置され得る。ここで、チャンバ11の底面近傍とは、チャンバ11の高さ方向における中央部より底面に近い側の領域を指すものとする。本実施の形態においては、熱源として複数本の赤外線ランプ14を採用しているが、ワークWを加熱可能なものであればこれに限定されず、例えばホットプレート等の熱源を用いることもできる。また、複数本の赤外線ランプ14の隙間に、ワークWに選択的に接触することで冷却するクシ歯状の冷却手段を設けてもよい。 The infrared lamp 14 functions as a heat source for heating the work W, and may heat the work W arranged in the chamber 11 from its lower surface side. The infrared lamp 14 according to the present embodiment is directed to the bottom surface of the chamber 11 or a position near the bottom surface, more specifically, the bottom surface of the workpiece W arranged on a plurality of support pins 15 erected from the bottom of the chamber 11. A plurality of (five in FIGS. 4 and 5) may be arranged parallel to each other at positions facing each other at predetermined intervals. Here, the vicinity of the bottom surface of the chamber 11 refers to a region closer to the bottom surface than the central portion of the chamber 11 in the height direction. In this embodiment, a plurality of infrared lamps 14 are used as the heat source, but the heat source is not limited to this as long as it can heat the workpiece W, and a heat source such as a hot plate can also be used. In addition, comb-like cooling means may be provided in the gaps between the plurality of infrared lamps 14 to cool the work W by selectively contacting it.
 ワークWを支持する複数本(図4及び図5においては4本)の支持ピン15は、チャンバ11の底部から実質的に垂直に伸びる同一長さのピンで構成することができる。この支持ピン15は、ワークWを熱的に独立させるべく、熱伝導率の小さな材料、例えばセラミック材料で構成することができる。また、支持ピン15の先端部は、ワークWとの接触面積を小さくするべく、先細な形状となっていると好ましい。 A plurality of support pins 15 (four in FIGS. 4 and 5) that support the workpiece W can be configured by pins of the same length extending substantially vertically from the bottom of the chamber 11 . The support pins 15 can be made of a material with low thermal conductivity, such as a ceramic material, in order to make the work W thermally independent. Further, it is preferable that the tip portion of the support pin 15 has a tapered shape in order to reduce the contact area with the work W. As shown in FIG.
 本実施の形態に係る半田付け装置10に用いられる放射型温度計1は、チャンバ11外に配設され、窓13を介してワークWの任意の位置の温度を測定するものである。この放射型温度計1としては、例えば上述した第1の実施の形態に係る放射型温度計1を採用することができる。この放射型温度計1は、測定対象、例えばワークWの任意の位置に、窓13を介して対向するように、その鏡筒6の開口する端部を向けて配設され得る。また、本実施の形態に係る半田付け装置10に採用される放射型温度計1は1つであっても複数であってもよく、また、例えば測定対象の位置に合わせて(例えば図4に点線で示す位置に向かって)移動可能に設けられていてもよい。なお、本実施の形態に係る半田付け装置10においては、放射型温度計として上述した第1の実施の形態に係る放射型温度計1を採用しているが、他の放射型温度計、例えば第2又は第3の実施の形態に係る放射型温度計1A、1Bを採用することもできる。 The radiation thermometer 1 used in the soldering apparatus 10 according to this embodiment is arranged outside the chamber 11 and measures the temperature at any position on the work W through the window 13 . As the radiation thermometer 1, for example, the radiation thermometer 1 according to the first embodiment described above can be adopted. The radiation thermometer 1 can be arranged with the open end of the lens barrel 6 facing an arbitrary position of the object to be measured, for example, the work W, with the window 13 interposed therebetween. In addition, one or more radiation thermometers 1 may be employed in the soldering apparatus 10 according to the present embodiment. It may be movably provided (towards the position indicated by the dotted line). In the soldering apparatus 10 according to the present embodiment, the radiation thermometer 1 according to the first embodiment described above is used as the radiation thermometer, but other radiation thermometers such as Radiation thermometers 1A and 1B according to the second or third embodiment can also be employed.
 本実施の形態に係る半田付け装置10に用いられる放射型温度計1にあっては、検出素子2として、InGaAsフォトダイオードが用いられることは、特に留意すべき事項である。これは、本実施の形態に係る半田付け装置10においては還元ガスとしてギ酸を用いること、及び窓に嵌め込まれる部材として石英ガラスが採用されていることに起因するものである。詳しくは、ギ酸は特定の波長域の放射エネルギーを吸収する性質を備えているため、ギ酸に吸収される波長の放射エネルギーに基づいて温度測定を行うと、実際の温度よりも低い検出結果となる。また、石英ガラスは0.9~2.6μmの波長を透過するため、この範囲内の放射エネルギーに基づいて温度測定が可能な温度計とする必要がある。この点、InGaAsフォトダイオードは受光波長域が0.5~2.6μm(PIN型)であるため、InGaAsフォトダイオードを検出素子2に用いれば、石英ガラスを透過する放射エネルギーに基づいて温度測定が可能であり、且つギ酸による放射エネルギーの吸収を考慮する必要も実質的になく、良好な温度測定を実現することができる。なお、本実施の形態に係る半田付け装置10においては、検出素子2としてInGaAsフォトダイオードを採用した例を示したが、検出素子2は、チャンバ11内で使用されるガスや窓13に嵌め込まれる部材の材質等に合わせて変更することが可能である。 It should be noted that the radiation thermometer 1 used in the soldering apparatus 10 according to the present embodiment uses an InGaAs photodiode as the detection element 2 . This is because the soldering apparatus 10 according to the present embodiment uses formic acid as a reducing gas and quartz glass as a member fitted in the window. Specifically, formic acid has the property of absorbing radiant energy in a specific wavelength range, so temperature measurement based on the radiant energy of the wavelengths absorbed by formic acid will result in a lower detection result than the actual temperature. . Further, since silica glass transmits wavelengths of 0.9 to 2.6 μm, the thermometer must be able to measure temperature based on radiant energy within this range. In this regard, since the InGaAs photodiode has a light receiving wavelength range of 0.5 to 2.6 μm (PIN type), if an InGaAs photodiode is used as the detection element 2, the temperature can be measured based on the radiant energy transmitted through the quartz glass. It is possible, and there is substantially no need to consider absorption of radiant energy by formic acid, and good temperature measurement can be achieved. In addition, in the soldering apparatus 10 according to the present embodiment, an example in which an InGaAs photodiode is adopted as the detection element 2 is shown, but the detection element 2 is fitted into the gas used in the chamber 11 and the window 13. It can be changed according to the material of the member.
 また、本実施の形態に係る半田付け装置10は、チャンバ11内の赤外線ランプ14の上部のワークWとチャンバ11の側面との間の周囲空間を塞ぐように配設された第1の遮光部材を含む。この第1の遮光部材としては、例えば赤外線ランプ14の配設位置よりも上部で且つ支持ピン15上に支持されたワークWよりも下部に設けられた、前記ワークWの周囲を遮光する第1のインナーカバー16を採用することができる。この第1のインナーカバー16は、赤外線ランプ14から照射される放射エネルギーとしての赤外光が、チャンバ11内におけるワークWの周囲領域(周囲空間)SAを介してチャンバ11の天板12側へ照射されることを遮るための部材であってよい。したがって、この第1のインナーカバー16は、図5に示すように、ワークWの周囲領域、すなわちワークとチャンバの側面との間の空間を少なくとも部分的に、好ましくはこの空間の全てを塞ぐ額縁状の部材で構成されていてよく、且つ内側の端部は支持ピン15上のワークWの外縁部に平面視で重なる(オーバーラップする)位置まで延在しているとよい。また、第1のインナーカバー16の高さ位置は、第1のインナーカバー16とワークWとの隙間を通過する放射エネルギーをできるだけ少なくするべく、支持ピン15上のワークWの下面に近接する位置に設定されていてよい。この第1のインナーカバー16は高い放射率、例えばチャンバ11の天板12と同程度の放射率を有していることが好ましく、例えばカーボンプレートで形成することができる。第1のインナーカバー16の具体的な形状や配置については、その機能を維持できる範囲内において、適宜調整することが可能である。 Moreover, the soldering apparatus 10 according to the present embodiment includes a first light shielding member disposed so as to block the surrounding space between the workpiece W above the infrared lamp 14 in the chamber 11 and the side surface of the chamber 11. including. As the first light shielding member, for example, a first light shielding member provided above the arrangement position of the infrared lamp 14 and below the work W supported on the support pins 15 shields the periphery of the work W. inner cover 16 can be adopted. In the first inner cover 16, the infrared light as radiant energy emitted from the infrared lamp 14 is directed to the top plate 12 side of the chamber 11 through the surrounding area (surrounding space) SA of the work W in the chamber 11. It may be a member for blocking irradiation. Therefore, this first inner cover 16 is a frame that at least partially, preferably completely covers the surrounding area of the workpiece W, i.e. the space between the workpiece and the side of the chamber, as shown in FIG. The inner end may extend to a position where it overlaps the outer edge of the workpiece W on the support pin 15 in a plan view. Moreover, the height position of the first inner cover 16 is a position close to the lower surface of the work W on the support pins 15 in order to minimize the radiant energy passing through the gap between the first inner cover 16 and the work W. may be set to The first inner cover 16 preferably has a high emissivity, for example, an emissivity comparable to that of the top plate 12 of the chamber 11, and can be made of, for example, a carbon plate. The specific shape and arrangement of the first inner cover 16 can be appropriately adjusted within a range in which the functions can be maintained.
 上述した構成を備える半田付け装置10によれば、天板12の検出素子2の感度波長域に対する放射率が高いため、天板12に到達した赤外線ランプ14からの放射エネルギー、あるいはワークW内の測定領域TA以外からの放射エネルギーが、天板12に反射して外乱光となることが抑制されている。加えて、赤外線ランプ14からワークWの下面に照射される放射エネルギーが、ワークWの周囲領域SAを介して天板12側に到達することが、第1のインナーカバー16によって抑制されている。これらの構成により、測定領域TA以外からの放射エネルギーが外乱光として放射型温度計1に入射することを抑制することができる。他方、放射型温度計1は窓13を介して測定領域TAと対向するように位置決めされているから、測定領域TAからの放射エネルギーREは放射型温度計1に確実に入射するため、高精度な温度検出結果を得ることができ、当該温度検出結果に基づいてリフロー半田付けを実行することができるようになる。 According to the soldering apparatus 10 having the above-described configuration, since the emissivity of the detection element 2 of the top plate 12 with respect to the sensitive wavelength range is high, the radiant energy from the infrared lamp 14 reaching the top plate 12 or the inside of the workpiece W Radiant energy from outside the measurement area TA is suppressed from being reflected by the top plate 12 and becoming disturbance light. In addition, the first inner cover 16 prevents the radiant energy emitted from the infrared lamp 14 to the lower surface of the work W from reaching the top plate 12 through the surrounding area SA of the work W. With these configurations, it is possible to suppress radiant energy from other than the measurement area TA from entering the radiation thermometer 1 as disturbance light. On the other hand, since the radiation thermometer 1 is positioned so as to face the measurement area TA through the window 13, the radiant energy RE from the measurement area TA is surely incident on the radiation thermometer 1, resulting in high accuracy. temperature detection results can be obtained, and reflow soldering can be performed based on the temperature detection results.
 図6は、図4に示す半田付け装置を用いた半田付け製品の製造方法の一例を示すフローチャートである。以下には、主に図6を用いて、上述した半田付け装置を用いた半田付け製品の製造方法の一例を説明する。 FIG. 6 is a flow chart showing an example of a soldered product manufacturing method using the soldering apparatus shown in FIG. An example of a method of manufacturing a soldered product using the soldering apparatus described above will be described below mainly with reference to FIG.
 先ず、半田付け装置10の天板12を開放し、リフロー半田付けを行うワークWを支持ピン15上に配設(載置)する(ステップS1)。次いで、天板12を閉塞してチャンバ11内を気密状態とした後、赤外線ランプ14を動作させてワークWの加熱を開始する。この際、放射型温度計1による温度検出動作も開始され、放射型温度計1は継続的な温度検知を実行する。赤外線ランプ14によりワークWが加熱され、放射型温度計1が還元温度(例えば、180~260℃)に到達したことを検出する(ステップS2)と、還元ガス供給部17を動作させてチャンバ11内にギ酸ガスの供給を開始(ステップS3)し、半田バンプあるいはクリーム半田の表面に形成された酸化膜を還元除去する。次いで、放射型温度計1が半田溶融温度(例えば、220~350℃)に到達したことを検知すると(ステップS4)、所定の時間この温度状態を維持した後、チャンバ11内に不活性ガス等を供給してワークWの冷却を行う(ステップS5)。この冷却動作が完了すると、リフロー半田付けがなされたワークWはチャンバ11外に取り出され(ステップS6)、半田付け製品として出荷あるいは次の処理に移行等される。 First, the top plate 12 of the soldering device 10 is opened, and the workpiece W to be reflow soldered is arranged (placed) on the support pins 15 (step S1). Next, after the top plate 12 is closed to make the inside of the chamber 11 airtight, the infrared lamps 14 are operated to start heating the work W. As shown in FIG. At this time, the temperature detection operation by the radiation thermometer 1 is also started, and the radiation thermometer 1 performs continuous temperature detection. When the workpiece W is heated by the infrared lamp 14 and the radiation thermometer 1 detects that the reduction temperature (for example, 180 to 260° C.) has been reached (step S2), the reduction gas supply unit 17 is operated to open the chamber 11. Then, the supply of formic acid gas is started (step S3) to reduce and remove the oxide film formed on the surface of the solder bump or cream solder. Next, when the radiation thermometer 1 detects that the solder melting temperature (for example, 220 to 350° C.) has been reached (step S4), this temperature state is maintained for a predetermined time, and then an inert gas or the like is introduced into the chamber 11. is supplied to cool the workpiece W (step S5). When this cooling operation is completed, the work W that has undergone reflow soldering is taken out of the chamber 11 (step S6) and shipped as a soldered product or transferred to the next process.
 上述した半田付け製品の製造方法によれば、上述した半田付け装置10が用いられることにより、還元温度及び半田溶融温度を高精度に検出することができるから、ギ酸ガスの供給タイミングが所望のタイミングに対して前後にずれることに起因する酸化膜除去不良や、半田溶融不良等の発生を提言することができ、半田付け製品の製造歩留まりが向上する。 According to the method for manufacturing a soldered product described above, the reduction temperature and the solder melting temperature can be detected with high accuracy by using the soldering apparatus 10 described above. It is possible to prevent the oxide film removal failure and the solder melting failure due to the deviation from the front and back, and improve the manufacturing yield of the soldered products.
 上記第1の実施の形態に係る半田付け装置10においては、ワークWを1つあるいは所定の数ずつ出し入れして処理を実行する、バッチ処理タイプのリフロー炉として機能する装置について説明を行ったが、本開示はこれに限定されない。以下には、第2の実施の形態に係る半田付け装置20として、ライン上を搬送されるワークWに対して複数の処理が連続的に実施される製造システムの一部として用いられ得る、インラインタイプのリフロー炉として機能するものについて、説明を行う。 In the soldering apparatus 10 according to the first embodiment, the apparatus functioning as a batch processing type reflow furnace in which the workpieces W are taken in and out one at a time or a predetermined number at a time has been described. , the disclosure is not limited thereto. Below, as a soldering apparatus 20 according to the second embodiment, an in-line A description will be given of what functions as a type reflow furnace.
 図7は、本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置の一例を示す概略説明図である。本実施の形態に係る半田付け装置20は、図7に示すように、チャンバ21の構造と、ワークWを搬送するためのキャリア25を備えている点以外は、第1の実施の形態に係る半田付け装置10と同様の構成を備えていてよい。そこで、以下には第1の実施の形態に係る半田付け装置10とは異なる構成を中心に説明を行い、第1の実施の形態に係る半田付け装置10と同様の構成については同一の符号を付してその説明を省略するものとする。 FIG. 7 is a schematic explanatory diagram showing an example of a soldering device according to the second embodiment of the present disclosure. As shown in FIG. 7, the soldering apparatus 20 according to the present embodiment has the structure of the chamber 21 and the carrier 25 for transporting the work W, and is the same as the soldering apparatus according to the first embodiment. A configuration similar to that of the soldering device 10 may be provided. Therefore, the following description will focus on the configuration different from that of the soldering apparatus 10 according to the first embodiment, and the same components as those of the soldering apparatus 10 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals. and the description thereof will be omitted.
 本実施の形態に係る半田付け装置20は、異なる処理を実行するチャンバがライン上に複数個連結されて構成される製造システムの一部として用いることができるものである。したがって、本実施の形態に係る半田付け装置20のチャンバ21は、その側面にライン上を搬送されるワークWを搬入するための入口側ゲート23Aと、リフロー半田付けを行った後のワークWを次の処理を実行等するべくチャンバ21外へ搬出する出口側ゲート23Bとが設けられている。これら入口側及び出口側ゲート23A、23Bは、それぞれ上下方向にスライドすることで開閉可能なものを採用できる。また、チャンバ21の天板22は開閉不能な状態で固定され、還元ガス供給部24が接続されている。この天板22は、第1の実施の形態に係る半田付け装置10の天板12と同様に、放射型温度計1の検出素子2の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内のものが採用される。 The soldering apparatus 20 according to the present embodiment can be used as part of a manufacturing system configured by connecting a plurality of chambers for performing different processes on a line. Therefore, the chamber 21 of the soldering apparatus 20 according to the present embodiment has an entrance side gate 23A for loading the work W conveyed on the line on the side thereof, and an entrance side gate 23A for loading the work W after reflow soldering. An exit side gate 23B is provided for transporting out of the chamber 21 for the execution of the next process. The gates 23A and 23B on the entrance side and the exit side can be opened and closed by sliding in the vertical direction. Further, the top plate 22 of the chamber 21 is fixed so as not to be opened and closed, and a reducing gas supply unit 24 is connected. As with the top plate 12 of the soldering apparatus 10 according to the first embodiment, the top plate 22 has an emissivity of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2 of the radiation thermometer 1. Those within the range of are adopted.
 本実施の形態に係る半田付け装置20のチャンバ21には、第1の実施の形態に係る半田付け装置10と同様に、赤外線ランプ14と、支持ピン15と、第1のインナーカバー16とが配設されている。ただし、赤外線ランプ14はワークWを直接加熱するのではなく、後述するキャリア25の加熱プレート28(図8参照)を加熱する。また、支持ピン15もワークWをその内部に支持するキャリア25を支持するものである。さらに第1のインナーカバー16は、キャリア25の周囲領域SAに沿って形成され、当該キャリア25の周囲領域SAを介して天板22側に照射される赤外線ランプ14からの放射エネルギーを遮断している。 In the chamber 21 of the soldering apparatus 20 according to the present embodiment, an infrared lamp 14, support pins 15, and a first inner cover 16 are provided in the same manner as the soldering apparatus 10 according to the first embodiment. are arranged. However, the infrared lamp 14 does not directly heat the workpiece W, but heats a heating plate 28 (see FIG. 8) of the carrier 25, which will be described later. Further, the support pins 15 also support a carrier 25 that supports the workpiece W therein. Further, the first inner cover 16 is formed along the surrounding area SA of the carrier 25 and blocks the radiant energy from the infrared lamp 14 that is irradiated to the top plate 22 side through the surrounding area SA of the carrier 25. there is
 図8A乃至図8Cは、本開示の第2の実施の形態に係る半田付け装置のキャリアを示す説明図であって、図8Aは平面図、図8Bは図8AのB-B線断面図、図8Cは図8BのC部矢視図である。本実施の形態に係る半田付け装置20においては、ワークWをその形状等に関わらずライン上を円滑に搬送できるよう、ワークWを支持するキャリア25が用いられている。このキャリア25は、図8A乃至図8Cに示すように、筐体26と、支持部材の一例としての断熱ピン27と、伝熱プレートの一例としての加熱プレート28と、第2の遮光部材の一例としての第2のインナーカバー29とを少なくとも含むものである。 8A to 8C are explanatory diagrams showing the carrier of the soldering device according to the second embodiment of the present disclosure, FIG. 8A being a plan view, FIG. FIG. 8C is a view in the direction of arrow C of FIG. 8B. In the soldering apparatus 20 according to the present embodiment, a carrier 25 is used to support the work W so that the work W can be smoothly conveyed on the line regardless of its shape. As shown in FIGS. 8A to 8C, the carrier 25 includes a housing 26, heat insulating pins 27 as an example of a support member, a heating plate 28 as an example of a heat transfer plate, and an example of a second light shielding member. It includes at least the second inner cover 29 as.
 筐体26は、矩形状の底面261と、底面261の外縁部から立設する所定高さの側壁262とを含むことができる。また、底面261の中央部には開口の一例としての矩形状の底面開口263が設けられていてよい。そして、筐体26の上部はワークWの出し入れが可能なように開放された上部開口264となっている。なお、筐体26の具体的な形状についてはこれに限定されず、特に、底面261及び底面開口263以外の構造については何ら限定されない。 The housing 26 can include a rectangular bottom surface 261 and side walls 262 with a predetermined height that stand up from the outer edge of the bottom surface 261 . A rectangular bottom opening 263 as an example of an opening may be provided in the center of the bottom surface 261 . The upper part of the housing 26 has an upper opening 264 that is open so that the work W can be taken in and out. Note that the specific shape of the housing 26 is not limited to this, and in particular, the structure other than the bottom surface 261 and the bottom opening 263 is not limited at all.
 断熱ピン27は、底面261の四隅であって底面開口263に近接する周囲位置に配設され、加熱プレート28を支持するピン状の部材とすることができる。この断熱ピン27も支持ピン15と同様に、支持対象物(加熱プレート28)を熱的に独立するべく、熱伝導率の小さな材料、例えばセラミック材料で構成される。なお、本実施の形態においては、断熱ピン27を底面261の四隅に1つずつ計4つ配置した場合を例示したが、その数や配置については、適宜変更することができる。 The heat insulating pins 27 can be pin-shaped members that are arranged at the four corners of the bottom surface 261 at peripheral positions close to the bottom opening 263 and support the heating plate 28 . Similar to the support pins 15, the heat insulating pins 27 are also made of a material with low thermal conductivity, such as a ceramic material, so as to thermally isolate the object to be supported (heating plate 28). In this embodiment, the case where a total of four heat insulating pins 27 are arranged, one at each of the four corners of the bottom surface 261, is illustrated, but the number and arrangement thereof can be changed as appropriate.
 加熱プレート28は、断熱ピン27上に載置された熱伝導率の高い平板で構成することができる。この加熱プレート28の上部には任意の形状のワークWが載置され、このワークWは、リフロー半田付けの際、赤外線ランプ14によって加熱された加熱プレート28の熱によって加熱される。加熱プレート28は、熱伝導率が高く且つ放熱率も比較的高い材料、例えばグラファイトで形成すると好ましい。この加熱プレート28が採用されていることにより、加熱対象としてのワークWの形状はチャンバ21内における支持構造(本実施の形態においては支持ピン15)によって制約されなくなる。そのため、ワークWは、チャンバ21に搬入可能であって且つ加熱プレート28上に載置可能な形状であれば、この半田付け装置20を用いてリフロー半田付けを行うことができる。例えば、図7及び図8に示すように、比較的小さなワークWのリフロー半田付けも可能である。 The heating plate 28 can be composed of a flat plate with high thermal conductivity placed on the heat insulating pins 27 . A workpiece W having an arbitrary shape is placed on the heating plate 28, and the workpiece W is heated by the heat of the heating plate 28 heated by the infrared lamp 14 during reflow soldering. The heating plate 28 is preferably made of a material with high thermal conductivity and relatively high heat dissipation, such as graphite. By employing this heating plate 28, the shape of the workpiece W to be heated is no longer restricted by the support structure (support pins 15 in this embodiment) in the chamber 21. FIG. Therefore, if the workpiece W has a shape that can be carried into the chamber 21 and placed on the heating plate 28, the soldering apparatus 20 can be used for reflow soldering. For example, as shown in FIGS. 7 and 8, reflow soldering of relatively small workpieces W is also possible.
 本実施の形態に係るキャリア25では、上述の通り、加熱プレート28は筐体26の底面に立設した断熱ピン27上に載置される構造を採用している。この場合、底面開口263を介して加熱プレート28の下面に照射された赤外線ランプ14からの放射エネルギーの一部が、底面261と加熱プレート28との間の隙間G(図8C参照)を介してチャンバ21の天板22側に漏洩する恐れがある。そこで、本実施の形態に係るキャリア25においては、この隙間Gからの漏れ光を遮光するために、第2のインナーカバー29を採用している。この第2のインナーカバー29は、図8A乃至図8Cに示すように、底面261に固定され、加熱プレート28の外縁に沿って延びる環状の部材で構成されていてよい。この第2のインナーカバー29は、第1のインナーカバー16や天板22と同様に、高い放射率、すなわち検出素子2の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内の放射率を有していることが好ましく、例えばカーボンプレートで形成することができる。 As described above, the carrier 25 according to the present embodiment employs a structure in which the heating plate 28 is placed on the heat insulation pins 27 erected on the bottom surface of the housing 26 . In this case, part of the radiant energy from the infrared lamp 14 irradiated to the lower surface of the heating plate 28 through the bottom opening 263 passes through the gap G (see FIG. 8C) between the bottom surface 261 and the heating plate 28. There is a risk of leakage to the top plate 22 side of the chamber 21 . Therefore, in the carrier 25 according to the present embodiment, the second inner cover 29 is used in order to shield the leaked light from the gap G. As shown in FIG. The second inner cover 29 may consist of an annular member fixed to the bottom surface 261 and extending along the outer edge of the heating plate 28, as shown in FIGS. 8A to 8C. Like the first inner cover 16 and the top plate 22, the second inner cover 29 has a high emissivity, that is, an emissivity within the range of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element 2. It preferably has emissivity and can be formed of, for example, a carbon plate.
 この第2のインナーカバー29が設けられることにより、底面261と加熱プレート28との間の隙間G部分も遮光される。これにより、キャリア25を用いた半田付け装置20であっても、赤外線ランプ14からの放射エネルギーが天板22側に照射されることを効果的に抑制することができるようになる。なお、図8に示す第2のインナーカバー29は、加熱プレート28の外側を囲むように配設したものを例示しているが、本開示の第2のインナーカバー29はこのような構造に限定されない。例えば、第2のインナーカバー29の少なくとも内側の一部分が加熱プレート28の外縁部に平面視で重なる(オーバーラップする)位置まで延在していてもよい。また、図8に示す第2のインナーカバー29の高さは、断熱ピン27上に載置された加熱プレート28の下面よりも高く設定されているが、当該加熱プレート28の下面と同一あるいはわずかに低いものであってもよい。 By providing the second inner cover 29, the gap G between the bottom surface 261 and the heating plate 28 is also shielded from light. As a result, even with the soldering apparatus 20 using the carrier 25, it is possible to effectively suppress the radiant energy from the infrared lamp 14 from irradiating the top plate 22 side. Although the second inner cover 29 shown in FIG. 8 is arranged to surround the outside of the heating plate 28, the second inner cover 29 of the present disclosure is limited to such a structure. not. For example, at least a portion of the inner side of the second inner cover 29 may extend to a position where it overlaps the outer edge of the heating plate 28 in plan view. In addition, the height of the second inner cover 29 shown in FIG. 8 is set higher than the lower surface of the heating plate 28 placed on the heat insulating pins 27. can be as low as
 以上説明した通り、上記第1及び第2の実施の形態に係る半田付け装置10、20によれば、チャンバ11、21の天板12、22側に設けられた放射型温度計1(1A、1B)に、測定領域TAからの放射エネルギー以外の放射エネルギーの入射が効果的に抑制される。したがって、放射型温度計1による温度測定の精度が向上し、半田付けプロセスを円滑に実行することができるようになる。 As described above, according to the soldering apparatuses 10 and 20 according to the first and second embodiments, the radiation thermometer 1 (1A, In 1B), incident radiant energy other than radiant energy from the measurement area TA is effectively suppressed. Therefore, the accuracy of temperature measurement by the radiation thermometer 1 is improved, and the soldering process can be performed smoothly.
 なお、上述した半田付け装置10、20においては、理解を容易にするために測定領域TAをワークWの一部とし、測定された温度をリフロー半田付けにおける制御に活用した例を説示したが、本開示はこれらに限定されない。例えば、測定領域TAはワークW以外のもの、例えば加熱プレート28や、ワークWに取り付けられた任意の治具であってもよい。また、半田付け装置10、20のメンテナンス作業時における赤外線ランプ14の出力調整に利用してもよい。本開示の放射型温度計、半田付け装置、温度測定方法及び半田付け製品の製造方法においては、温度検出の際のノイズが抑制されているため、測定対象の放射エネルギーが小さくても精度よく温度測定を行うことができる。 In the soldering apparatuses 10 and 20 described above, an example in which the measurement area TA is part of the workpiece W and the measured temperature is used for control in reflow soldering has been described for ease of understanding. The present disclosure is not limited to these. For example, the measurement area TA may be something other than the work W, such as the heating plate 28 or any jig attached to the work W. FIG. It may also be used for adjusting the output of the infrared lamp 14 during maintenance work on the soldering devices 10 and 20 . In the radiation thermometer, soldering apparatus, temperature measurement method, and soldered product manufacturing method of the present disclosure, noise during temperature detection is suppressed. measurements can be made.
 本開示は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本開示の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。そして、それらはすべて、本開示の技術思想に含まれるものである。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the gist of the present disclosure. All of them are included in the technical idea of the present disclosure.
 本明細書中で引用する刊行物、特許出願及び特許を含むすべての文献を、各文献を個々に具体的に示し、参照して組み込むのと、また、その内容のすべてをここで述べるのと同じ限度で、ここで参照して組み込む。 All documents, including publications, patent applications, and patents, cited in this specification are individually identified and incorporated by reference, and the entire contents of each are set forth herein. To the same extent, incorporated herein by reference.
 本開示の説明に関連して(特に以下の請求項に関連して)用いられる名詞及び同様な指示語の使用は、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、単数及び複数の両方に及ぶものと解釈される。語句「備える」、「有する」、「含む」及び「包含する」は、特に断りのない限り、オープンエンドターム(すなわち「~を含むが限らない」という意味)として解釈される。本明細書中の数値範囲の具陳は、本明細書中で特に指摘しない限り、単にその範囲内に該当する各値を個々に言及するための略記法としての役割を果たすことだけを意図しており、各値は、本明細書中で個々に列挙されたかのように、明細書に組み込まれる。本明細書中で説明されるすべての方法は、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、あらゆる適切な順番で行うことができる。本明細書中で使用するあらゆる例又は例示的な言い回し(例えば「など」)は、特に主張しない限り、単に本開示をよりよく説明することだけを意図し、本開示の範囲に対する制限を設けるものではない。明細書中のいかなる言い回しも、請求項に記載されていない要素を、本開示の実施に不可欠であるものとして示すものとは解釈されないものとする。 The use of nouns and similar denoting terms used in connection with the description of the present disclosure (especially in connection with the claims below) unless otherwise indicated herein or clearly contradicted by context. , to cover both the singular and the plural. The phrases “comprising,” “having,” “including,” and “including” are to be construed as open-ended terms (ie meaning “including but not limited to”) unless stated otherwise. Recitation of numerical ranges herein, unless otherwise indicated herein, is intended merely to serve as a shorthand method for referring individually to each value falling within the range. , and each value is incorporated into the specification as if it were individually recited herein. All methods described herein can be performed in any suitable order unless otherwise indicated herein or otherwise clearly contradicted by context. Any examples or exemplary language (e.g., "such as") used herein are intended merely to better illustrate the present disclosure and constitute limitations on the scope of the present disclosure, unless otherwise claimed. is not. No language in the specification should be construed as indicating any non-claimed element as essential to the practice of the disclosure.
 本明細書中では、本開示を実施するため発明者が知っている最良の形態を含め、本開示の好ましい実施の形態について説明している。当業者にとっては、上記説明を読めば、これらの好ましい実施の形態の変形が明らかとなろう。本発明者は、熟練者が適宜このような変形を適用することを期待しており、本明細書中で具体的に説明される以外の方法で本開示が実施されることを予定している。したがって本開示は、準拠法で許されているように、本明細書に添付された請求項に記載の内容の修正及び均等物をすべて含む。さらに、本明細書中で特に指摘したり、明らかに文脈と矛盾したりしない限り、すべての変形における上記要素のいずれの組合せも本開示に包含される。 This specification describes preferred embodiments of the present disclosure, including the best mode known to the inventors for carrying out the present disclosure. Variations of those preferred embodiments will become apparent to those of ordinary skill in the art upon reading the above description. The inventors expect skilled artisans to apply such variations as appropriate, and anticipate that the disclosure will be practiced otherwise than as specifically described herein. . Accordingly, this disclosure includes all modifications and equivalents of the subject matter recited in the claims appended hereto as permitted by applicable law. Moreover, any combination of the above-described elements in all variations thereof is encompassed by the disclosure unless otherwise indicated herein or otherwise clearly contradicted by context.

Claims (6)

  1.  チャンバと、
     前記チャンバの底面又は前記底面近傍に配設された熱源と、
     前記チャンバの天面の一部に設けられた透光性の窓と、
     前記チャンバ外に配設され、前記窓を介してワークの任意の位置の温度を測定する放射型温度計と、
     前記チャンバ内の前記熱源の上部の前記ワークと前記チャンバの側面との間の周囲空間を塞ぐように配設された第1の遮光部材と、を備える、
     半田付け装置。
    a chamber;
    a heat source disposed at or near the bottom surface of the chamber;
    a translucent window provided on a part of the top surface of the chamber;
    a radiation thermometer disposed outside the chamber and measuring a temperature at an arbitrary position of the workpiece through the window;
    a first light shielding member arranged to block a surrounding space between the workpiece above the heat source in the chamber and the side surface of the chamber;
    soldering equipment.
  2.  前記チャンバの前記天面は前記放射型温度計の検出素子の感度波長域に対する放射率が0.5~1.0の範囲内である、
     請求項1に記載の半田付け装置。
    The top surface of the chamber has an emissivity in the range of 0.5 to 1.0 with respect to the sensitive wavelength range of the detection element of the radiation thermometer,
    A soldering device according to claim 1.
  3.  前記窓は石英ガラスを含み、前記放射型温度計の検出素子はInGaAsフォトダイオードを含む、
     請求項1又は請求項2に記載の半田付け装置。
    the window comprises quartz glass, and the sensing element of the radiation thermometer comprises an InGaAs photodiode;
    3. A soldering device according to claim 1 or 2.
  4.  底面に開口を有する筐体と、
     前記開口の周囲に設けられた支持部材と、
     前記支持部材上に配設され、その上面側に前記ワークが配設される伝熱プレートと、
     前記底面と前記伝熱プレートとの隙間に沿って前記筐体内に配設された第2の遮光部材と、を備えるキャリアをさらに備える、
     請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半田付け装置。
    a housing having an opening in the bottom;
    a support member provided around the opening;
    a heat transfer plate disposed on the support member and having the work disposed on the upper surface thereof;
    a second light shielding member disposed inside the housing along a gap between the bottom surface and the heat transfer plate;
    4. The soldering device according to any one of claims 1 to 3.
  5.  前記放射型温度計は、
     測定対象からの放射エネルギーを検出する検出素子と、
     前記測定対象と前記検出素子との間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーを集束させる集束レンズと、
     前記検出素子と前記集束レンズとの間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーの経路に沿って第1の開口が設けられた第1の絞りと、
     前記集束レンズと前記測定対象との間に配設され、前記測定対象からの前記放射エネルギーの経路に沿って第2の開口が設けられた第2の絞りと、
     前記検出素子、前記集束レンズ、前記第1の絞り及び前記第2の絞りの少なくとも一部を内部に収容する鏡筒と、を備える、
     請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半田付け装置。
    The radiation thermometer is
    a detection element that detects radiant energy from a measurement target;
    a focusing lens disposed between the measurement object and the detector element for focusing the radiant energy from the measurement object;
    a first aperture disposed between the detector element and the focusing lens and having a first aperture along the path of the radiant energy from the measurement object;
    a second aperture disposed between the focusing lens and the measurement object and having a second aperture along the path of the radiant energy from the measurement object;
    a lens barrel housing therein at least a part of the detection element, the focusing lens, the first diaphragm, and the second diaphragm;
    5. The soldering device according to any one of claims 1 to 4.
  6.  請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の半田付け装置の前記チャンバ内に前記ワークを配設する工程と、
     前記半田付け装置を用いて前記ワークを半田付けする工程と、を備える、
     半田付け製品の製造方法。
    disposing the workpiece in the chamber of the soldering apparatus according to any one of claims 1 to 5;
    and soldering the workpiece using the soldering device.
    A method of manufacturing a soldered product.
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